JP6465978B2 - 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機半導体膜、化合物 - Google Patents

有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機半導体膜、化合物 Download PDF

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Description

本発明は、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機半導体膜、化合物に関する。
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイおよび有機ＥＬ（Electric Luminescence）ディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（radio frequency identifier：ＲＦタグ）ならびにメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。
このような有機半導体膜を形成するための組成物として、特許文献１には、チオン酸化されたＮ官能化縮合環（芳香族）イミドを主体とする有機半導体性化合物が開示されている。
特表２０１３−５１５７８５号公報
近年、有機薄膜トランジスタの性能向上の観点から、有機薄膜トランジスタの移動度のより一層の向上と、大気安定性に優れることが求められる。ここで、大気安定性とは、有機薄膜トランジスタを室温（２３℃程度）の大気下で一定期間放置した際のキャリア移動度のことをいう。
このようななか、本発明者らが上記特許文献１に開示された化合物のうち、ナフタレンジイミド骨格を有する化合物（有機半導体材料）について検討を重ねたところ、その種類によっては、これを有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に用いた際のキャリア移動度や大気安定性が不十分な場合があり、昨今要求されるレベルを満たしていなかった。
そこで、本発明は、キャリア移動度および大気安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
また、本発明は、新規な化合物、ならびに、これを含有する有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物および有機半導体膜を提供することも目的とする。
また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ用組成物を用いた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することも目的とする。
本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、後述する一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を用いることで所望の効果が得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
［１］
後述する一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有する有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
［２］
後述する一般式（１）中、Ｃｈ１１が硫黄原子またはセレン原子であり、
後述する一般式（２）中、Ｃｈ２１が硫黄原子またはセレン原子である、上記［１］に記載の有機薄膜トランジスタ。
［３］
後述する一般式（１）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４がいずれも酸素原子であり、
後述する一般式（２）中、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４がいずれも酸素原子である、上記［１］または［２］に記載の有機薄膜トランジスタ。
［４］
後述する一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表し、
後述する一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表す、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の有機薄膜トランジスタ。
［５］
ＲＮが、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基または炭素数３〜２０個のヘテロアリール基である、上記［４］に記載の有機薄膜トランジスタ。
［６］
ＲＮが、炭素数４〜６個の環状のアルキル基である、上記［５］に記載の有機薄膜トランジスタ。
［７］
後述する一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子であり、
後述する一般式（２）中、Ｂ２１およびＢ２２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子である、上記［１］〜［６］のいずれか１つに記載の有機薄膜トランジスタ。
［８］
後述する一般式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２がそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、ハロゲン原子またはシアノ基である、上記［１］〜［７］のいずれか１つに記載の有機薄膜トランジスタ。
［９］
後述する一般式（１）または一般式（２）で表される化合物。
［１０］
後述する一般式（１）中、Ｃｈ１１が硫黄原子またはセレン原子であり、
後述する一般式（２）中、Ｃｈ２１が硫黄原子またはセレン原子である、上記［９］に記載の化合物。
［１１］
後述する一般式（１）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４がいずれも酸素原子であり、
後述する一般式（２）中、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４がいずれも酸素原子である、上記［９］または［１０］に記載の化合物。
［１２］
後述する一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｐ（ＲＮ）−を表し、
後述する一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｐ（ＲＮ）−を表す、上記［９］〜［１１］のいずれか１つに記載の化合物。
［１３］
後述する一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表し、
後述する一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表す、上記［９］〜［１２］のいずれか１つに記載の化合物。
［１４］
ＲＮが、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基または炭素数３〜２０個のヘテロアリール基である、上記［１２］または［１３］に記載の化合物。
［１５］
ＲＮが、炭素数４〜６個の環状のアルキル基である、上記［１４］に記載の化合物。
［１６］
後述する一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子であり、
後述する一般式（２）中、Ｂ２１およびＢ２２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子である、上記［９］〜［１５］のいずれか１つに記載の化合物。
［１７］
後述する一般式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２がそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、ハロゲン原子またはシアノ基である、上記［９］〜［１６］のいずれか１つに記載の化合物。
［１８］
上記［９］〜［１７］のいずれか１つに記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用材料。
［１９］
上記［９］〜［１７］のいずれか１つに記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用組成物。
［２０］
さらに、バインダーポリマーを含有する、上記［１９］に記載の有機薄膜トランジスタ用組成物。
［２１］
上記［９］〜［１７］のいずれか１つに記載の化合物を含有する、有機半導体膜。
［２２］
上記［１９］または［２０］に記載の有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
以下に示すように、本発明によれば、キャリア移動度および大気安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することができる。
また、本発明によれば、新規な化合物、ならびに、これを含有する有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物および有機半導体膜を提供することができる。
また、本発明によれば、上記の有機薄膜トランジスタ用組成物を用いた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図。 本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図。 実施例および比較例の有機半導体膜の製造方法を示す模式図。 実施例および比較例の有機半導体膜の製造方法を示す模式図。 実施例および比較例の有機半導体膜の製造方法を示す模式図。 実施例および比較例の有機半導体膜の製造方法を示す模式図。
以下に、本発明について詳細に説明する。
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書の基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
また、本明細書において好ましい態様同士の組み合わせは、より好ましい態様である。
［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、後述する一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有する有機半導体膜を有する。
発明者等は鋭意検討の結果、後述する一般式（１）および一般式（２）で表される化合物を用いることで、キャリア移動度および大気安定性に優れた有機薄膜トランジスタが得られることを見出した。この理由の詳細は明らかになっていないが、以下の理由によるものと推測される。
すなわち、一般式（１）および一般式（２）で表される化合物は、キノイド構造を有するため、通常のナフタレン類よりもＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）が低くなりやすい。さらに、一般式（１）および一般式（２）で表される化合物は、ナフタレンジイミド骨格の一部を、イソベンゾチオフェン（２−ベンゾチオフェン）などで置き換えた構造を有することで、置換前の構造をもつ化合物と比べて、ＬＵＭＯが低くなる。
その結果、このような構造に起因する機能が相乗的に作用することで、ＬＵＭＯが一層低くなり、キャリア移動度および大気安定性に優れた有機薄膜トランジスタが得られるものと推測される。
＜一般式（１）で表される化合物＞
一般式（１）で表される化合物は、新規な化合物であり、有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に好適に使用されることはもちろんのこと、後述する他の用途にも用いることができる。
上記一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２はそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−、−Ｐ（ＲＮ）−または−Ｏ−を表す。これらの中でも、キャリア移動度がより向上するという観点から、Ａ１１およびＡ１２はそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｐ（ＲＮ）−であることが好ましく、−Ｎ（ＲＮ）−であることがより好ましい。
ＲＮは、水素原子または置換基を表す。複数のＲＮはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
Ａ１１およびＡ１２は、キャリア移動度がより向上するという観点から、同一の基であることが好ましい。
本明細書において、置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロアリール基を含む。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールアゾ基、ヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）2）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）2）、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）、上記一般式（１）で表される構造に由来する基、および、後述する一般式（２）で表される構造に由来する基、その他の公知の置換基が挙げられる。また、置換基がさらに置換基により置換されていてもよい。
ここで、本明細書における「アルキル基」には、特に断りの無い限り、直鎖、分岐および環状のいずれも含むものとする。なお、環状のアルキル基としては、例えば、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、および、トリシクロアルキル基などが挙げられる。
なかでも、ＲＮは、水素原子、シリル基、複素環基、アリール基、アルキニル基、または、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基であることが好ましい。なお、水素原子を除く各基は、さらに置換基により置換されていてもよい。
これらの中でも、ＲＮは、キャリア移動度がより向上するという観点から、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基、または、炭素数３〜２０個のヘテロアリール基であることが好ましく、炭素数１〜２０の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基であることがより好ましい。なお、各基は、さらに置換基により置換されていてもよい。
さらに、ＲＮは、キャリア移動度がより一層向上するという観点から、炭素数３〜８個（好ましくは炭素数４〜７個、より好ましくは炭素数５〜６個）の環状のアルキル基（シクロアルキル基）であることがさらに好ましく、シクロヘキシル基であることが特に好ましい。
一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２はそれぞれ独立に、−Ｎ＝または−Ｃ（ＲＭ）＝を表す。
Ｂ１１およびＢ１２は、大気安定性がより向上するという観点から、両方が−Ｃ（ＲＭ）＝であること、または、一方が−Ｎ＝であって他方が−Ｃ（ＲＭ）＝であることが好ましく、両方が−Ｃ（ＲＭ）＝であることがより好ましい。
Ｂ１１およびＢ１２がいずれも−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、Ｂ１１に含まれるＲＭとＢ１２に含まれるＲＭが環を形成していてもよい。環を形成する場合には、芳香族複素環または芳香族炭化水素環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。なお、Ｂ１１に含まれるＲＭとＢ１２に含まれるＲＭが環を形成する場合には、この環は、上述した置換基を有していてもよく、置換基同士が結合してさらに環を形成していてもよい。
ＲＭは、水素原子または置換基を表す。なお、一般式（１）中、ＲＭが複数存在する場合には、複数のＲＭはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。ＲＭにおける置換基の具体例は、上記ＲＮと同様である。
ＲＭは、これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシ基、複素環基、または、アミノ基であることが好ましく、水素原子、ハロゲン原子、または、シアノ基であることがより好ましく、水素原子、または、シアノ基であることがさらに好ましい。
特に、一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、少なくとも１つのＲＭが、ハロゲン原子、または、シアノ基であることが好ましく、シアノ基であることがより好ましい。これにより、大気安定性がより向上するためである。
一般式（１）中、Ｃｈ１１は、硫黄原子、スルフィニル基（−ＳＯ−）、スルホニル基（−ＳＯ２−）、セレン原子、セレニニル基（−ＳｅＯ−）またはセレノニル基（−ＳｅＯ２−）を表すが、キャリア移動度がより向上するという観点から、硫黄原子またはセレン原子であることが好ましい。
一般式（１）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表すが、大気安定性がより向上するという観点から、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４がいずれも酸素原子であることが好ましい。
一般式（１）で表される化合物は、キャリア移動度がより向上する点、および、大気安定性がより向上するという点から、下記一般式（３）、一般式（４）または一般式（５）で表される化合物であることが好ましく、下記一般式（５）で表される化合物であることがより好ましい。
一般式（３）中、Ｒ３１およびＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基、または、炭素数３〜２０個のヘテロアリール基である。なお、Ｒ３１およびＲ３２の好ましい態様については、上記一般式（１）におけるＲＮの好ましい態様と同じである。
一般式（３）中、Ｒ３３は、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基であり、大気安定性がより向上するという観点から、ハロゲン原子であることが好ましい。
一般式（３）中、Ｃｈ３１は、硫黄原子またはセレン原子である。一般式（３）におけるＣｈ３１の好ましい態様は、上記一般式（１）のＣｈ１１の好ましい態様と同じである。
一般式（３）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４はそれぞれ、上記一般式（１）のＸ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４と同義であり、好ましい態様についても同じである。
一般式（４）中、Ｒ４１およびＲ４２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基、または、炭素数３〜２０個のヘテロアリール基である。なお、Ｒ４１およびＲ４２の好ましい態様については、上記一般式（１）におけるＲＮの好ましい態様と同じである。
一般式（４）中、Ｂ４１、Ｂ４２、Ｂ４３およびＢ４４（すなわち、Ｂ４１〜Ｂ４４）は、それぞれ独立に、−Ｎ＝または−Ｃ（ＲＭ）＝を表す。
Ｂ４１〜Ｂ４４は、大気安定性がより向上するというという観点から、全てが−Ｃ（ＲＭ）＝であること（すなわち、Ｂ４１〜Ｂ４４により形成されている環がベンゼン環であること）が好ましい。
一般式（４）中のＲＭの定義は、上記一般式（１）におけるＲＭと同義であり、好ましい態様についても同じである。なお、一般式（４）中、ＲＭが複数存在する場合には、複数のＲＭはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
一般式（４）中、Ｂ４１〜Ｂ４４の少なくとも一つが−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、少なくとも１つのＲＭが、ハロゲン原子であることが好ましい。これにより、大気安定性がより向上するためである。
一般式（４）中、Ｃｈ４１は、硫黄原子またはセレン原子である。一般式（４）におけるＣｈ４１の好ましい態様は、上記一般式（１）のＣｈ１１の好ましい態様と同じである。
一般式（４）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４はそれぞれ、上記一般式（１）のＸ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４と同義であり、好ましい態様についても同じである。
一般式（５）中、Ｒ５１およびＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基、または、炭素数３〜２０個のヘテロアリール基である。なお、Ｒ５１およびＲ５２の好ましい態様については、上記一般式（１）におけるＲＮの好ましい態様と同じである。
一般式（５）中、Ｃｈ５１は、硫黄原子またはセレン原子である。一般式（５）におけるＣｈ５１の好ましい態様は、上記一般式（１）のＣｈ１１の好ましい態様と同じである。
一般式（５）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４はそれぞれ、上記一般式（１）のＸ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４と同義であり、好ましい態様についても同じである。
一般式（５）中、Ｒ５３およびＲ５４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基である。Ｒ５３およびＲ５４の少なくとも一方は、大気安定性がより向上するという観点から、ハロゲン原子であることが好ましい。
上記一般式（１）で表される化合物の具体例を以下に示す。
なお、表中の表記における各原子の右側の数値は、その原子の数を表し、例えば「ＣＨ２Ｃ３Ｆ７」とは、「ＣＨ２Ｃ３Ｆ７」基を意味する。また、「＊」は結合位置を示す。
＜一般式（１）で表される化合物の製造方法＞
一般式（１）で表される化合物の製造方法は、特に限定されず、公知の方法を参照にして製造でき、具体的には、後述する実施例に準ずる方法により製造できる。
＜一般式（２）で表される化合物＞
一般式（２）で表される化合物は、新規な化合物であり、有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に好適に使用されることはもちろんのこと、後述する他の用途にも用いることができる。
一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２はそれぞれ、上記一般式（１）におけるＡ１１およびＡ１２と同義であり、それぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−、−Ｐ（ＲＮ）−または−Ｏ−を表す。ＲＮは、水素原子または置換基を表す。複数のＲＮはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
また、一般式（２）におけるＡ２１およびＡ２２の好ましい態様についても、上記一般式（１）におけるＡ１１およびＡ１２の好ましい態様と同じである。
一般式（２）中、Ｂ２１およびＢ２２はそれぞれ、上記一般式（１）におけるＢ１１およびＢ１２と同義であり、それぞれ独立に、−Ｎ＝または−Ｃ（ＲＭ）＝を表す。ＲＭは、水素原子または置換基を表す。なお、一般式（２）中、ＲＭが複数存在する場合には、複数のＲＭはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
また、一般式（２）におけるＢ２１およびＢ２２の好ましい態様についても、上記一般式（１）におけるＢ１１およびＢ１２の好ましい態様と同じである。
Ｂ２１およびＢ２２がいずれも−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、Ｂ２１に含まれるＲＭとＢ２２に含まれるＲＭが環を形成していてもよい。この場合の態様についても、上記一般式（１）と同様である。
一般式（２）中、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４はそれぞれ、上記一般式（１）におけるＸ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４と同義であり、それぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す。
また、一般式（２）におけるＸ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４の好ましい態様についても、上記一般式（１）におけるＸ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４の好ましい態様と同じである。
一般式（２）中、Ｃｈ２１は、上記一般式（１）におけるＣｈ１１と同義であり、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、セレン原子、セレニニル基またはセレノニル基を表す。
また、一般式（２）におけるＣｈ２１の好ましい態様についても、上記一般式（１）におけるＣｈ１１の好ましい態様と同じである。
一般式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。なお、置換基の定義は、上記の通りである。
これらの中でも、Ｒ２１およびＲ２２は、キャリア移動度がより向上するという観点から、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、シリル基、または、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐または環状のアルキル基であることが好ましく、水素原子、メチル基、ハロゲン原子またはシアノ基であることがより好ましい。
上記一般式（２）で表される化合物の具体例を以下に示す。
＜一般式（２）で表される化合物の製造方法＞
一般式（２）で表される化合物の製造方法は、特に限定されず、公知の方法を参照にして製造できる。
＜有機薄膜トランジスタの構造、有機薄膜トランジスタの製造方法＞
次に、上記一般式（１）および一般式（２）で表される化合物を有機薄膜トランジスタの有機半導体膜に用いた本発明の有機薄膜トランジスタの構造およびその製造方法について説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含む有機半導体膜（有機半導体層）を有し、さらに、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有することができる。
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、その構造は特に限定されるものでなく、例えばボトムコンタクト型（ボトムコンタクト−ボトムゲート型およびボトムコンタクト−トップゲート型）およびトップコンタクト型（トップコンタクト−ボトムゲート型およびトップコンタクト−トップゲート型）など、いずれの構造であってもよい。
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの一例について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１００の断面模式図である。
図１の例では、有機薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０と、を有する。ここで、有機半導体膜５０は、上述した一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を使用して作製されたものである。
以下、基板（基材）、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜（有機半導体層）および封止層ならびにそれぞれの作製方法について詳述する。
（基板）
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、および、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
（ゲート電極）
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、および、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、および、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、および、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、および、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、および、グラファイト等の炭素材料；などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、または、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
なお、ゲート電極は基板としても機能してもよく、その場合、上記基板はなくてもよい。
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、および、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合のパターニング方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、および、凸版印刷（フレキソ印刷）等の印刷法；ならびに、マスク蒸着法などが挙げられる。
（ゲート絶縁膜）
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、および、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、および、酸化チタン等の酸化物；ならびに、窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、および、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。
（ソース電極、ドレイン電極）
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、および、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
（有機半導体膜）
有機半導体膜の作製方法は、上述した一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含む有機半導体膜を作製できる限り、特に限定されるものではないが、例えば上述した一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含む有機薄膜トランジスタ用組成物（後述）を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を作製することができる。
なお、有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布するとは、有機薄膜トランジスタ用組成物を基板に直接付与する態様のみならず、基板上に設けられた別の層を介して基板の上方に有機薄膜トランジスタ用組成物を付与する態様も含むものとする。
有機薄膜トランジスタ用組成物の塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、および、スクリーン印刷法が挙げられる。さらに、有機薄膜トランジスタ用組成物の塗布方法としては、特開２０１３−２０７０８５号公報に記載の有機半導体膜の形成方法（いわゆるギャップキャスト法）、および、国際公開第２０１４／１７５３５１号公報に記載の有機半導体薄膜の製造方法（いわゆるエッジキャスト法および連続エッジキャスト法）などが好適に用いられる。
乾燥（乾燥処理）は、有機薄膜トランジスタ用組成物に含まれる各成分の種類により適宜最適な条件が選択され、自然乾燥であってもよいが、生産性を向上させる観点から加熱処理を行うことが好ましい。例えば、加熱温度としては３０〜１５０℃が好ましく、４０〜１２０℃がより好ましく、加熱時間としては１０〜３００分が好ましく、２０〜１８０分がより好ましい。
作製される有機半導体膜の膜厚は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０〜５００ｎｍが好ましく、３０〜２００ｎｍがより好ましい。
このように、一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有する有機半導体膜は、有機薄膜トランジスタに好適に使用されるが、この用途に限定されるものではなく、一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有する有機半導体膜は、後述するその他の用途にも適用することができる。
（封止層）
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤（封止層形成用組成物）を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
（その他の有機薄膜トランジスタ）
図２は、本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ２００を表す断面模式図である。
図２の例では、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０と、を有する。ここで、有機半導体膜５０は、後述する本発明の有機薄膜トランジスタ用組成物を用いて形成されたものである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜および封止層については上述の通りであるので、その説明を省略する。
（有機薄膜トランジスタの用途）
上述した有機薄膜トランジスタは、例えば、電子ペーパーおよびディスプレイデバイスの画像を表示する表示部に適用することができる。電子ペーパーおよびディプレイデバイスは、公知の構造を有することができるので、その説明を省略する。
［有機薄膜トランジスタ用組成物］
本発明の有機薄膜トランジスタ用組成物は、上述した有機薄膜トランジスタの有機半導体膜の作製に使用される。
なお、以下に説明する有機薄膜トランジスタ用組成物は、後述するその他の用途に使用してもよく、この場合には、「有機薄膜トランジスタ用組成物」を単に「有機半導体組成物」という。
有機薄膜トランジスタ用組成物は、上述した一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有するものであるが、通常、その塗布性を向上させる点から有機溶媒をさらに含有する。
有機薄膜トランジスタ用組成物が有機溶媒を含有する場合には、上記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物の含有量は、有機薄膜トランジスタ用組成物の全質量に対して、０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．１〜１０質量％であることがより好ましく、０．５〜５質量％であることがさらに好ましい。
＜有機溶媒＞
有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、ヘキサン、オクタン、デカンなどの炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、１−メチルナフタレン、テトラリン、および、アニソールなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、および、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、および、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、および、乳酸エチルなどのエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、および、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、ブトキシベンゼン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、および、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、１−メチル−２−ピロリドン、および、１−メチル−２−イミダゾリジノン等のイミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒、ならびに、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒などが挙げられる。
これらの中でも、一般式（１）および一般式（２）で表される化合物の溶解性がより優れるという観点から、芳香族炭化水素系溶媒を用いることが好ましい。
上記有機溶媒は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
有機溶媒を含有する場合の含有量は、有機薄膜トランジスタ用組成物の全質量に対して、９０〜９９.９９質量％であることが好ましく、９５〜９９．９９質量％であることがより好ましく、９６〜９９．９５質量％であることがさらに好ましい。
＜バインダーポリマー＞
有機薄膜トランジスタ用組成物は、さらに、バインダーポリマーを含有してもよい。
バインダーポリマーの種類は特に制限されず、公知のバインダーポリマーを用いることができ、例えば、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ゴム、および、熱可塑性エラストマー等の高分子化合物が挙げられる。
なかでも、バインダーポリマーとしては、ベンゼン環を有する高分子化合物（ベンゼン環基を有する単量体単位を有する高分子）が好ましい。ベンゼン環を有する単量体単位の含有量は特に制限されないが、全単量体単位中、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されず、例えば１００モル％である。
上記バインダーポリマーの具体例としては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルフェニル）、および、ポリ（４−メチルスチレン）などが挙げられる。
パインダーポリマーの重量平均分子量は、特に制限されないが、１０００〜２００万が好ましく、３０００〜１００万がより好ましく、５０００〜６０万がさらに好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めることができる。
バインダーポリマーを含有する場合の含有量は、有機薄膜トランジスタ用組成物に含まれる一般式（１）または一般式（２）で表される化合物１００質量部に対して、１〜５０質量部であることが好ましく、５〜３０質量部であることがより好ましい。
＜その他の成分＞
有機薄膜トランジスタ用組成物は、上記以外のその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、界面活性剤、および、フェノール性還元剤（いわゆるマイグレーション抑制剤）などが挙げられる。
なお、これらの成分以外にも、従来の有薄膜トランジスタ用組成物（有機半導体組成物）に含まれる成分を含有してもよい。
＜調製方法＞
有機薄膜トランジスタ用組成物の調製方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、有機溶媒中に所定量の一般式（１）または一般式（２）で表される化合物などを添加して、適宜攪拌処理を施すことにより、本発明の有機薄膜トランジスタ用組成物を得ることができる。
［有機薄膜トランジスタ用材料］
本発明の有機薄膜トランジスタ用材料は、上述した一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有する。有機薄膜トランジスタ用材料とは、有機薄膜トランジスタに使用され、半導体の特性を表す材料のことを指す。
上記一般式（１）および一般式（２）で表される化合物は、半導体としての性質を示す材料であり、電子をキャリアとして伝導するｎ型（電子輸送型）の有機半導体材料である。
なお、有機薄膜トランジスタ用材料は、後述するその他の用途に使用してもよく、この場合には、「有機薄膜トランジスタ用材料」を単に「有機半導体材料」という。
［一般式（１）および一般式（２）で表される化合物のその他の用途］
上記一般式（１）および一般式（２）で表される化合物は、上記のように優れた性質を有するため、有機薄膜トランジスタ以外のその他の用途にも好適に使用できる。
その他の用途としては、例えば、非発光性有機半導体デバイスが挙げられる。非発光性有機半導体デバイスとは、発光することを目的としないデバイスを意味する。
このような非発光性有機半導体デバイスとしては、上述した有機薄膜トランジスタの他に、有機光電変換素子（光センサ用途の個体撮像素子、および、エネルギー変換用途の太陽電池など）、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、および、情報記録素子などが挙げられる。
非発光性有機半導体デバイスは、有機半導体膜をエレクトロニクス要素として機能させることが好ましい。有機半導体膜は、上記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含む有機半導体膜を含む。
以下、実施例を用いて、本発明の有機薄膜トランジスタについて詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
＜実施化合物１〜３＞
実施化合物１〜３は、以下の方法にしたがって合成した。
（化合物３：Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）

アルゴン雰囲気下−７８℃中、1,3-ジヒドロベンゾ[c]チオフェン‐２‐オキシド（化合物「１」）(５．００ｇ，３２．８ｍｍｏｌ)のＴＨＦ（テトラヒドロフラン）５００ｍＬ溶液に、リチウムビス（トリメチルシリル）アミドの１．３ｍｏｌ／Ｌ ＴＨＦ溶液６３．２ｍＬを加えた後、室温に戻し３０分間撹拌した。反応溶液の一部水でクエンチし、有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮し、ＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）にてベンゾ[c]チオフェン（化合物「２」）の生成を確認した。この反応溶液はそのまま次の反応に使用した。
反応溶液をアルゴン雰囲気下−７８℃に冷却し、N,N,N',N'-テトラメチレンレンジアミン（１９．６ｍＬ，１３１ｍｍｏｌ）を加えた後、ｎ-ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌ ＴＨＦ溶液（７１．８ｍＬ，１１５ｍｍｏｌ）を滴下し、３０分間撹拌した。撹拌後、ジメチルカルバモイルクロリド（１５．０ｍＬ，１６４ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに３０分撹拌した。反応溶液を室温に戻した後、水を加えて反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ＣＨＣｌ３：ａｃｅｔｏｎｅ＝１０：１）することにより、淡黄色固体として化合物「３」（４．３０ｇ，１５．６ｍｍｏｌ，４８％ yield for ２ steps）を得た。
なお、化合物１（1,3-ジヒドロベンゾ[c]チオフェン‐２‐オキシド）は、Journal of Materials Chemistry, 2012, vol.22, #44 p.23514-23524の記載を参考にして合成した。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.64-7.58(m, 2 H), 7.21-7.15 (m, 2 H), 3.16 (s, 12 H); 13H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 164.69 136.74, 128.55, 125.65, 121.55, 37.99.
（化合物４：４，７−ジブロモ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
０℃中、化合物「３」(２．４０ｇ，８．６８ｍｍｏｌ)の濃硫酸１２０ｍＬ溶液にジブロモイソシアヌル酸（２．６１ｇ，９．１１ｍｍｏｌ）を加え、３０分間撹拌した。その後、反応溶液を氷水５００ｍＬに注ぎ、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ｈｅｘａｎｅ：ａｃｅｔｏｎｅ＝１：１）することにより、淡黄色固体として化合物「４」（３．１３ｇ，７．２１ｍｍｏｌ，８３％ yield）を得た。
1H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 7.40 (s, 2 H), 3.06 (s, 6 H), 2.78 (s, 6 H)
（化合物５：４，７−ジシアノ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
化合物「４」（２．００ｇ，４．６１ｍｍｏｌ）、シアン化亜鉛（ＩＩ）（１．３５ｇ，１１．５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２６７ｍｇ，０．２３１ｍｍｏｌ）、亜鉛粉末（３０ｍｇ，０．４６１ｍｍｏｌ）、およびジメチルホルムアミド５３．６ｍＬをシュレンク管に入れ、脱気、アルゴンガス置換を行った。反応溶液は１００℃に加熱し、１２時間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ｈｅｘａｎｅ：ＣＨＣｌ３：ｍｅｔｈａｎｏｌ＝１０：１０：１）することにより、淡黄色固体として化合物「５」（１．０７ｇ，３．４５ｍｍｏｌ，７５％ yield）を得た。
1H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 7.40 (s, 2 H), 3.06 (s, 6 H), 2.78 (s, 6 H); 13H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 161.45, 132.28, 131.26, 130.17, 115.20, 109.63, 39.44, 35.62.
（化合物６：チエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
室温において、酢酸（２．７２ｍＬ）と水（１．１６ｍＬ）混合溶媒に化合物「５」（３４０ｍｇ，１．０４ｍｍｏｌ）を加え、さらに濃硫酸０．６８ｍｌを滴下した。反応溶液を７０℃に加熱し、３時間撹拌した。室温に冷却後、析出物をろ別し、水と酢酸エチルで洗浄し、黄色粉末として化合物「６」（２１０ｍｇ，０．２３ｍｍｏｌ，７４％ yield）を得た。
1H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 11.84 (s, 2 H), 8.28 (brs, 6 H);
HR-APCI Mass: calcd for M 271.9892, found (m/z) 272.9961 [M+H]+.
（実施化合物１：２，６−ジシクロヘキシルチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物「６」（１００ｍｇ，０．３６７ｍｍｏｌ）、シクロヘキサノール（０．３９１ｍＬ，３．６７ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（９６３ｍｇ，３．６８７ｍｍｏｌ）、およびＴＨＦ１０ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下、０℃に冷却し、アゾジカルボン酸ジイソプロピル（０．３５６ｍＬ，１．８４ｍｍｏｌ）を滴下した。そして、反応溶液を室温に戻し、３時間撹拌する。その後、反応溶液に希塩酸１０ｍＬを加え、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｈｅｘａｎｅ：ＣＨＣｌ３＝１：１）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物１（５８ｍｇ，０．１３３ｍｍｏｌ，３６％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.30 (s, 2 H), 4.97 (tt, J = 12.4 and 3.6 Hz, 2H), 2.49 (qd, J = 12.4 and 3.6 Hz, 4H), 1.90 (br d, J = 13.2 HZ, 4H), 1.72 (br d, J = 12.4 HZ, 6H), 1.50-1.23 (m, 6H); 13H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 163.27, 159.96, 135.89, 130.76, 124.32, 54.70, 29.29, 26.68, 25.44.
（実施化合物２：２，６−ジデシルチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物「６」（２５０ｍｇ，０．９１８ｍｍｏｌ）、ノルマルデカノール（１．１４ｍＬ，９．１８ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（１．２０ｇ，４．５９ｍｍｏｌ）、およびＴＨＦ２５ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下、０℃に冷却し、アゾジカルボン酸ジイソプロピル（０．５３３ｍＬ，２．７５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応溶液を室温に戻し、１時間撹拌した。その後、反応溶液に希塩酸１０ｍＬを加え、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物２（２４０ｍｇ，０．４３５ｍｍｏｌ，４７％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.37 (s, 2 H), 4.14 (t, J = 7.6 Hz, 4H), 1.70 (m, 4H), 1.44-1.20 (m, 28H), 0.87 (t, J = 6.8Hz, 6H); 13H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 162.7, 159.3, 136.0, 131.0, 130.9, 124.1, 41.3, 32.0, 29.6(9), 29.6(6), 29.5, 29.4, 28.4, 27.2, 22.8, 14.3.
（実施化合物３：２，６−ジヘキシルチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物「６」（２５０ｍｇ，０．９１８ｍｍｏｌ）、ノルマルヘキサノール（１．１４ｍＬ，９．１８ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（１．２０ｇ，４．５９ｍｍｏｌ）、およびＴＨＦ２５ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下、０℃に冷却し、アゾジカルボン酸ジイソプロピル（０．５３３ｍＬ，２．７５ｍｍｏｌ）を滴下した。そして、反応溶液を室温に戻し、１時間撹拌した。その後、反応溶液に希塩酸１０ｍＬを加え、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物３（２３０ｍｇ，０．５２２ｍｍｏｌ，５２％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.37 (s, 2 H), 4.15 (t, J = 7.6 Hz, 4H), 1.70 (m, 4H), 1.49-1.28 (m, 12H), 0.90 (t, J = 6.8Hz, 6H); 13H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 162.7, 159.3, 136.0, 131.0, 130.9, 124.1, 41.3, 31.6, 28.4, 26.8, 22.7, 14.2.
＜実施化合物４＞
実施化合物４は、以下の方法にしたがって合成した。
（化合物７：ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−１，３−ビス（ジメチルカルバモイル）ベンゾ［ｃ］チオフェン−４，７−ジカルボキシレートの合成）
化合物「５」（２．５０ｇ，５．７６ｍｍｏｌ）、ぎ酸２，４，６−トリクロロフェニル（１０．４ｇ，４．６１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（６４．７ｍｇ，０．２８８ｍｍｏｌ）、４，５−ビス(ジフェニルホスフィノ)−９,９−ジメチルキサンテン（３３３ｍｇ，０．５７６ｍｍｏｌ）、およびトルエン３０ｍＬをシュレンク管に入れ、脱気、アルゴンガス置換を行った。アルゴン雰囲気下、反応溶液にトリエチルアミン（６．３９ｍＬ，４．６１ｍｍｏｌ）を加え、１００℃に加熱し、１２時間撹拌した。そして、室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ｅｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：ＣＨＣｌ３＝１：１）することにより、淡黄色固体として化合物「７」（２．７３ｇ，３．７７ｍｍｏｌ，６６％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 8.39 (s, 2 H), 7.45 (s, 4 H), 3.07 (s, 6 H), 2.98 (s, 6H);
（化合物８：Ｎ３，７−ビス（２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル）−Ｎ２，Ｎ２−ジメチル−６，８−ジオキソ−７，８−ジヒドロ−６Ｈ−チエノ［２，３，４−ｄｅ］イソキノリン−２，３−ジカルボキシアミドの合成）
室温において、化合物「７」（５００ｍｇ，０．６９１ｍｍｏｌ）の１，４−ｄｉｏｘａｎｅ（８．２５ｍＬ）懸濁液に、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチルアミン（０．９２３ｍＬ，６．９１ｍｍｏｌ）、Ｎ,Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（８．４ｍｇ，０．０６９１ｍｍｏｌ）、およびトリエチルアミンを加えた。反応溶液を１００℃に加熱し、２４時間撹拌した。そして、室温に冷却後、反応溶液を希塩酸１０ｍＬに加える。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ｈｅｘａｎｅ：ｅｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ＝１：１）することにより、黄色粉末として化合物「８」（１００ｍｇ，０．１４７ｍｍｏｌ，２１％ yield）を得た。また、副反応物として化合物「９」（１００ｍｇ，０．１９０ｍｍｏｌ，２７％ yield）と化合物「１０」（２０ｍｇ，０．０３６ｍｍｏｌ，５％ yield）を得た。
8: 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 8.09 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 7.49 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 6.97 (brs, 1H), 4.94 (t, J = 15.6 Hz, 2H), 4.16 (td, J = 14.6, 6.4 Hz, 2H), 3.16 (s, 3 H), 3.10 (s, 3 H); 19F-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: -80.37, -80.41, -80.48, -80.51;
Byproduct 9: 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 8.64 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 8.40 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 4.96 (t, J = 15.6 Hz, 2H), 3.16 (brs, 3 H), 3.12 (s, 3 H), 3.01 (brs, 3 H), 2.93 (s, 3 H);
Byproduct 10: 1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 8.31 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 8.28 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 4.96 (t, J = 15.6 Hz, 2H), 3.56 (q, J = 7.2 Hz, 2 H), 3.29 (q, J = 7.2 Hz, 2 H), 3.16 (s, 3 H), 3.04 (s, 3 H), 1.32 (t, J = 7.2 Hz, 3H), 1.16 (t, J = 7.2 Hz, 3H);19F-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: -80.34, -80.37;
（実施化合物４：２，６−ビス（２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル）チエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物「８」(１００ｍｇ，０.１４７ｍｍｏｌ)、１，４−ジオキサン（２ｍＬ）、および濃硫酸０．２ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下、１００℃に加熱し、２４時間撹拌した。そして、反応溶液に水を加えた。その後、有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ヘキサン／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物４（４０ｍｇ，０.０６２９ｍｍｏｌ,４３ % yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 8.50 (s, 2H), 4.98 (t, J = 15.4 Hz, 2H); 19F-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: -80.33, -80.36;
＜実施化合物５＞
実施化合物５は、以下の方法にしたがって合成した。
（化合物１２：４，７−ジブロモ−５−クロロ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
化合物「５」（８００ｍｇ，１．８４ｍｍｏｌ）の濃硫酸４８ｍＬ溶液にトリクロロイソシアヌル酸（４２８ｍｇ，１．８４ｍｍｏｌ）を加え、７０℃に加熱し、２時間撹拌した。そして、反応溶液を氷水３００ｍＬに注ぎ、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ｈｅｘａｎｅ：ａｃｅｔｏｎｅ＝１：１）することにより、イソシアヌル酸の残渣を除く。得られた化合物「１２」と副生成物を含む混合物を次の反応に使用する。
（化合物１３：５−クロロ−４，７−ジシアノ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
化合物「１２」を含む反応混合物（７８０ｍｇ）、シアン化銅（Ｉ）（３７２ｍｇ，４．１５ｍｍｏｌ）、および１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン５．７ｍＬをシュレンク管に入れ、脱気、アルゴンガス置換を行った。その後、シュレンク管を１５０℃に加熱し、３時間撹拌した。そして、室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ｈｅｘａｎｅ：ａｃｅｔｏｎｅ＝１：１）することにより、黄色固体として化合物「１３」（３３０ｍｇ，０．９１５ｍｍｏｌ，５０％ yield in ２ steps）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.68 (s, 2 H), 3.24 (s, 6 H), 3.00 (s, 6 H);
（化合物１４：８−クロロチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
室温において、酢酸（２．４ｍＬ）と水（１．０ｍＬ）の混合溶媒に化合物「１３」（３３０ｍｇ，０．９１５ｍｍｏｌ）を加え、さらに濃硫酸０．６ｍＬを滴下した。そして、反応溶液を１００℃に加熱し、３時間撹拌した。室温に冷却後、析出物をろ別し、水と酢酸エチルで洗浄し、黄色粉末として化合物「１４」（１５３ｍｇ，０．５０ｍｍｏｌ，５５％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 12.1 (s, 1 H), 12.0 (s, 1 H), 8.21 (s, 1 H);
（実施化合物５：８−クロロ−２，６−ジシクロヘキシルチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物「１４」（１５０ｍｇ，０．４８９ｍｍｏｌ）、シクロヘキサノール（０．５２３ｍＬ，４．９０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（１．２９ｇ，４．９０ｍｍｏｌ）、およびＴＨＦ１５ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下、０℃に冷却し、アゾジカルボン酸ジイソプロピル（０．５７３ｍＬ，２．９５ｍｍｏｌ）を滴下した。そして、反応溶液を室温に戻し、３時間撹拌した。その後、反応溶液に希塩酸１０ｍＬを加え、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｈｅｘａｎｅ：ＣＨＣｌ３＝１：１）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物５（２．９７×１０−５ｍｏｌ，６％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.30 (s, 1H), 4.97 (m, 2H), 2.49 (m, 4H), 1.90 (br d, J = 13.6 HZ, 4H), 1.72 (br d, J = 11.2 HZ, 6H), 1.51-1.22 (m, 6H);
（化合物１５：４，５，７−トリブロモ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
室温中、化合物「３」（７．３０ｇ，２６．４ｍｍｏｌ）の濃硫酸２８８ｍＬ溶液にジブロモイソシアヌル酸（１２．１ｇ，４２．３ｍｍｏｌ）を加え、３０分間撹拌した。その後、反応溶液を氷水５００ｍＬに注ぎ、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（酢酸エチル）することにより、淡黄色固体として化合物「１５」を含む反応混合物を得た。この反応混合物を次の反応にそのまま使用した。
（化合物１６：５−ブロモ−４，７−ジシアノ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
化合物「１５」を含む反応混合物（１１．３ｇ）、シアン化銅（Ｉ）（４．２８ｇ，４７．８ｍｍｏｌ）、およびジメチルホルムアミド４５ｍＬをシュレンク管に入れ、脱気、アルゴンガス置換を行った。反応溶液は１２０℃に加熱し、３時間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（酢酸エチル）することにより、淡黄色固体として化合物「１６」（２．６０ｇ、６．４２ｍｍｏｌ、 ２４％ ｙｉｅｌｄ ｉｎ ２ｓｔｅｐｓ）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.78 (s, 2 H), 3.22 (s, 6 H), 2.98 (s, 6 H);
（化合物１７：８−ブロモチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
室温において、酢酸（１０．３ｍＬ）と水（４．３８ｍＬ）の混合溶媒に化合物「１６」（１．６ｇ，３．９５ｍｍｏｌ）を加え、さらに濃硫酸２．６ｍｌを滴下した。反応溶液を１００℃に加熱し、４時間撹拌した。室温に冷却後、析出物をろ別し、水と酢酸エチルで洗浄し、黄色粉末として化合物「１７」（１．２５ｇ，３．５６ｍｍｏｌ，９０％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 12.0(1) (s, 1 H), 11.9(5) (s, 1 H), 8.24 (s, 1 H);
（実施化合物６：８−ブロモ−２，６−ジシクロヘキシルチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物「１７」（３５０ｍｇ，０．９９７ｍｍｏｌ）、シクロヘキサノール（２．１２ｍＬ，１９．９ｍｍｏｌ）、フェノキシジフェニルホスフィン（２．１５ｍｌ，９．９７ｍｍｏｌ）、およびトルエン２７０ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下、０℃に冷却し、アゾジカルボン酸ジエチル（１．５７ｍＬ，９．９７ｍｍｏｌ）を滴下した。そして、反応溶液を室温に戻し、３時間撹拌した。その後、反応溶液に希塩酸１０ｍＬを加え、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物６（２７０ｍｇ、０．６１９ｍｍｏｌ，６２％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.37 (s, 1H), 4.96 (m, 2H), 2.48 (m, 4H), 1.89 (br d, J = 13.6 HZ, 4H), 1.71 (br d, J = 11.2 HZ, 6H), 1.52-1.19 (m, 6H);
（実施化合物７：２，６−ジシクロヘキシル−１，３，５，７−テトラオキソ−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−８−カルボニトリルの合成）
実施化合物６（１７５ｍｇ，０．３４０ｍｍｏｌ）、シアン化銅（Ｉ）（４３．１ｍｇ，０．４８１ｍｍｏｌ）、およびジメチルホルムアミド３．５ｍＬをシュレンク管に入れ、脱気、アルゴンガス置換を行った。反応溶液は１００℃に加熱し、３時間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物７（３０ｍｇ、０．０６５ｍｍｏｌ，１９％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.04 (s, 1H), 4.93 (m, 2H), 2.49 (m, 4H), 1.85 (br d, J = 13.6 HZ, 4H), 1.69 (br d, J = 11.2 HZ, 6H), 1.52-1.20 (m, 6H);
（化合物１８：ベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３，４，７−テトラカルボン酸の合成）
室温において、化合物「７」（３．５２ｇ，４．８７ｍｍｏｌ）の１，４−ジオキサン溶液（４９ｍｌ）に２５ｗ／ｖ％水酸化ナトリウム水溶液（４９ｍｌ）を滴下した。反応溶液を１００℃に加熱し、２日間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を濃塩酸で中和し、析出物をろ別、水とアセトンで洗浄し、白色個体として化合物「１８」（１．００ｇ，３．２２ｍｍｏｌ，６６％ yield）を得た。
1H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 7.81 (s, 2 H);
（化合物１９：２，６−ジオキサ−４−チアシクロペンタ［ｄｅｆ］フェナントレン−１，３，５，７−テトラオンの合成）
室温において、化合物「１８」（１．００ｇ，３．２２ｍｍｏｌ）を無水酢酸（１００ｍｌ）に加え、１２０℃に加熱し、１時間撹拌した。室温に冷却後、減圧濃縮にて溶媒を留除した。濃縮残さを酢酸エチルに分散させ、分散させた固体をろ別、酢酸エチルで洗浄し、黄緑色個体として化合物「１９」（８００ｍｇ，２．９２ｍｍｏｌ，９０％ yield）を得た。
1H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz) δ: 7.81 (s, 2 H);
（実施化合物８：２，６−ジフェニルチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン‐１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物１９（１００ｍｇ，０．３６５ｍｍｏｌ）、アニリン（７４．７ｍｇ，０．８０２ｍｍｏｌ）、および酢酸３ｍＬを入れ、アルゴンガス置換を行った。反応溶液は１１０℃に加熱し、６時間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物８（３９ｍｇ、０．０９２ｍｍｏｌ，２５％ yield）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.28 (s, 2 H), 7.45-7.18 (ｍ, 10H)
（実施化合物９：２，６−ジシクロヘキシル−３，７−ジチオオキソ−２，３，６，７テトラヒドロチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，５−ジオン、および実施化合物１０：２，６−ジシクロヘキシル−１，７−ジチオオキソ−１，２，６，７テトラヒドロチエノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−３，５−ジオンの合成）
実施化合物１（２００ｍｇ，０．４５８ｍｍｏｌ）、ローソン試薬（７４１ｍｇ，１．８３ｍｍｏｌ）、およびトルエン４０ｍＬをシュレンク管に入れ、脱気、アルゴンガス置換を行った。反応溶液は１１０℃に加熱し、６時間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層をクロロホルム、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、赤色粉末の実施化合物９（３３ｍｇ、０．０７０ｍｍｏｌ，１５％ yield）と実施化合物１０（３８ｍｇ、０．０８１ｍｍｏｌ，１８％ yield）を得た。
実施化合物９ 1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.13 (d, J=7.5Hz, 1 H), 7.62 (d, J=7.5Hz, 1 H), 4.87 (tt, J = 12.5 and 3.5 Hz, 2H), 2.52 (qd, J = 12.5 and 3.5 Hz, 4H), 1.91 (br d, J = 13.5 HZ, 4H), 1.72 (br d, J = 12.5 HZ, 6H), 1.52-1.21 (m, 6H);
実施化合物１０ δ: 7.58 (s, 2 H), 4.96 (tt, J = 12.4 and 3.5 Hz, 2H), 2.49 (qd, J = 12.4 and 3.5 Hz, 4H), 1.90 (br d, J = 13.2 HZ, 4H), 1.725 (br d, J = 12.4 HZ, 6H), 1.54-1.23 (m, 6H);
（化合物２１：ベンゾ［ｃ］セレノフェン−１，３−ジカルボニトリルの合成）
アルゴン雰囲気下−７８℃中、ジイソプロピルアミン（２２．９７ｇ， ２２７ｍｍｏｌのＴＨＦ２５０ｍＬ溶液に、ｎ‐ブチルリチウム１．６ｍｏｌ／Ｌ ヘプタン溶液（８７．３ｍＬ, ２２７ｍｍｏｌ）を滴下し、１５分間撹拌してリチウムジイソプロピルアミド溶液を調整する。この溶液に２，２’−（１，２−フェニレン）ジアセトニトリル（「化合物２０」）（１１．８ｇ，７５．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２５０ｍｌ）を滴下し１５分間撹拌し、さらにセレニニルジクロリド（２５ｇ，１５１ｍｍｏｌ）を滴下、溶液一部水でクエンチし、有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮し、ＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）にてベンゾ［ｃ］チオフェン（化合物「２」）の生成を確認した。この反応溶液はそのまま次の反応に使用した。
反応溶液をアルゴン雰囲気下−７８℃に冷却し、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチレンレンジアミン（１９．６ｍＬ，１３１ｍｍｏｌ）を加えた後、ｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌ ＴＨＦ溶液（７１．８ｍＬ，１１５ｍｍｏｌ）を滴下し、３０分間撹拌した。撹拌後、ジメチルカルバモイルクロリド（１５．０ｍＬ，１６４ｍｍｏｌ）を滴下し、反応溶液を室温に戻した後、１０時間撹拌した。反応溶液に水を加えて反応を停止し、機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ＣＨＣｌ３：ａｃｅｔｏｎｅ＝４：１）することにより、淡黄色固体として化合物「２１」（２．２８ｇ，９．８７ｍｍｏｌ，１３％ｙｉｅｌｄ）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.78 (m, 2 H), 7.53 (m, 2 H)
（化合物２２：ベンゾ［ｃ］セレノフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
室温において、酢酸（２０ｍＬ）に化合物「２１」（１．９ｇ，８．２２ｍｍｏｌ）を加え、さらに濃硫酸５ｍｌを滴下した。反応溶液を９０℃に加熱し、１時間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を冷水２００ｍｌに滴下、２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液で中和し、析出物をろ別、水で洗浄し、黄色分粉として化合物「２２」（１．４０ｇ，５．２４ｍｍｏｌ，６４％ ｙｉｅｌｄ）を得た。
1H-NMR (DMSO- d6, 400 MHz) δ: 8.20 (m, 2H), 7.84 (brs, 4H), 7.22 (m, 2H)
（化合物２３：Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］セレノフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
０℃において、反応容器に、化合物「２２」（１．２５ｇ，４．６７ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．１３ｇ，２８．３ｍｍｏｌ）、およびジメチルホルムアミド（２０ｍｌ）を加え、０℃に冷却する。反応溶液にヨウ化メチル（１．７５ｍｌ，５４．１ｍｍｏｌ）を滴下し、１時間撹拌する。反応溶液を水に加えた後、有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮し、黄色固体としての化合物「２３」（１．１ｇ、３．４０ｍｍｏｌ，７２％ ｙｉｅｌｄ）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.38 (m, 2 H), 7.05 (m, 2 H), 3.13 (s, 12H)
（化合物２４：４，７−ジブロモ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］セレノフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
０℃中、化合物「２３」（１．０７ｇ，３．３０ｍｍｏｌ）の濃硫酸３９ｍＬ溶液にジブロモイソシアヌル酸（１．１５ｇ，４．００ｍｍｏｌ）を加え、３０分間撹拌した。その後、反応溶液を氷水３００ｍＬに注ぎ、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（ヘキサン：アセトン＝１：１）することにより、黄色固体として化合物「２４」（４３３ｇ、０．９０ｍｍｏｌ，２６％ ｙｉｅｌｄ）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.12 (s, 2 H), 3.16 (s, 6 H), 2.86 (s, 6H)
（化合物２５：４，７−ジシアノ−Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラメチルベンゾ［ｃ］セレノフェン−１，３−ジカルボキシアミドの合成）
実施化合物２４（４１０ｍｇ，０．８５２ｍｍｏｌ）、シアン化銅（Ｉ）（１９１ｍｇ，２．１３ｍｍｏｌ）、およびジメチルホルムアミド１．６８ｍＬをシュレンク管に入れ、脱気、アルゴンガス置換を行った。反応溶液は１２０℃に加熱し、１２時間撹拌した。室温に冷却後、反応溶液を水に加えた。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製することにより、黄色固体の化合物「２５」（１２３ｍｇ、０．３２９ｍｍｏｌ，３９％ ｙｉｅｌｄ）を得た。
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.53 (s, 2 H), 3.23 (s, 6 H), 2.99 (s, 6H)
（化合物２６：セレノフェノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
室温において、酢酸（０．８６ｍＬ）と水（０．３７ｍＬ）の混合溶媒に化合物「２５」（１２３ｍｇ，０．３３ｍｍｏｌ）を加え、さらに濃硫酸０．２２ｍｌを滴下した。反応溶液を１００℃に加熱し、３時間撹拌した。室温に冷却後、析出物をろ別し、水と酢酸エチルで洗浄し、黄色粉末として化合物「２６」（７０ｍｇ，０．２１９ｍｍｏｌ，６６％ ｙｉｅｌｄ）を得た。
1H-NMR (DMSO- d6, 400 MHz) δ: 12.00 (s, 2 H), 8.30 (s, 2 H)
（実施化合物１１：２，６−ジシクロヘキシルセレノフェノ［２，３，４，５−ｌｍｎ］［３，８］フェナントロリン−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの合成）
反応容器に化合物「２６」（５０ｍｇ，０．１５７ｍｍｏｌ）、シクロヘキサノール（０．１６７ｍＬ，１．５７ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（４１１ｍｇ，１．５７ｍｍｏｌ）、およびＴＨＦ４．３ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下、０℃に冷却し、アゾジカルボン酸ジイソプロピル（０．２１３ｍＬ，１．１０ｍｍｏｌ）を滴下した。そして、反応溶液を室温に戻し、３時間撹拌する。その後、反応溶液に希塩酸１０ｍＬを加え、反応を停止した。有機層を酢酸エチル、食塩水で抽出、洗浄し、減圧にて濃縮した。濃縮残さをメタノールに分散し、析出物をろ別、メタノールで洗浄した。得られた固体をゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、再結晶（ｍｅｔｈａｎｏｌ／ＣＨＣｌ３）で精製することにより、黄色粉末の実施化合物１１（１６ｍｇ，０．０３３ｍｍｏｌ，２１％ ｙｉｅｌｄ）を得た。
1H-NMR (CDCl3 400 MHz) δ: 8.28 (s, 2 H), 4.96 (tt, J = 12.0 and 3.7 Hz, 2H), 2.49 (qd, J = 12.6 and 3.3 Hz, 4H), 1.90 (br d, J = 13.2 Hz, 4H), 1.72 (br d, J = 12.0 HZ, 6H), 1.50-1.23 (m, 6H);
＜実施例１−１〜１−１１、比較例１−１〜１−３＞
上記の実施化合物１〜１１、比較化合物１〜３のいずれかをアニソールを溶媒として０．１質量％溶液を調製し、５０℃に加熱したものを、実施例および比較例の各有機薄膜トランジスタ用組成物とした。
なお、比較化合物１および３は、国際公開第２０１１／８２２３４号を参考にして合成した。また、比較化合物２については、Journal of the American Chemical Society, 2013, vol.135, #31 p.11445-11448を参考にして合成した。
（有機半導体膜の形成）
実施例および比較例では、図３、図４Ａ、図４Ｂおよび図５（すなわち、図３〜図５）に記載の方法により有機半導体薄膜の形成を実施した。図３〜図５は、実施例および比較例の有機半導体膜の製造方法を示す模式図である。有機半導体膜の形成方法の詳細を以下に示す。
ｎ型シリコン基板（０．４ｍｍ厚さ）の表面に、ＳｉＯ２の熱酸化膜２００ｎｍを形成した１０ｍｍ×１０ｍｍ基板を基板２１２として使用した。基板２１２の熱酸化膜の表面は、ＵＶ（紫外線）−オゾン洗浄した後、β−フェニチルトリメトキシシラン処理を行った。
基板２１２のβ−フェニチルトリメトキシシラン処理面の上に、図３に示すように基板２１２の中央部に、基板２１２と部材２１４を接触させた状態となるように置いた。部材２１４はガラス製で、縦７ｍｍ×横２ｍｍ×高さ３ｍｍのものを用い、図３の左右方向（Ｘ軸方向）が部材２１４の横方向であり、図３の上下方向（Ｚ軸方向）が部材２１４の高さ方向であり、図４Ｂの上下方向（Ｙ軸方向）が部材２１４の縦方向である。
基板２１２を９５℃に加熱し、ここに上記の方法で調製した各有機薄膜トランジスタ用組成物（図３〜図５の有機薄膜トランジスタ用組成物２１０）の１滴（約０．０５ｍＬ）を、ピペット２１６を用いて、図３に示すとおり基板２１２と部材２１４の両方に接するように部材２１４の側部からたらしたところ、図４Ａおよび図４Ｂに示すとおり基板２１２の表面内の一部に有機薄膜トランジスタ用組成物２１０が滴下された。部材２１４との界面においては凹状のメニスカスを形成していた。
図５に示すとおり、基板２１２と部材２１４を接触させた状態を維持しながら、また、基板２１２と部材２１４との位置関係を静止させた状態で、滴下した有機薄膜トランジスタ用組成物を自然乾燥させた。その後９０℃で８時間、１０−３ＭＰａの圧力下で減圧乾燥させることで上記の各実施化合物および比較化合物いずれかの結晶を析出させて、有機半導体膜を形成した。結晶が析出したか否かは、偏光顕微鏡による観察によって確認した。なお、得られた有機半導体膜の膜厚は、４０ｎｍであった。
得られた有機半導体膜にマスクをつけて金電極４０ｎｍを蒸着することによりキャリア移動度および大気安定性の測定用の実施例および比較例の有機薄膜トランジスタを得た。
（評価試験）
（ａ）キャリア移動度
各有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ素子）のソース電極−ドレイン電極間に−８０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を２０Ｖ〜−１００Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉdを表す式Ｉd＝（ｗ／２Ｌ）μＣi（Ｖg−Ｖth）2（式中、Ｌはゲート長、ｗはゲート幅、Ｃiは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖgはゲート電圧、Ｖthは閾値電圧）を用いてキャリア移動度μを算出し、１０-1ｃｍ2／Ｖｓ以上をＡ、１０-3ｃｍ2／Ｖｓ以上１０-1ｃｍ2／Ｖｓ未満をＢ、１０-3ｃｍ2／Ｖｓ未満をＣ、素子として駆動しなかった(電流が観測されなかった)ものをＤと評価した。キャリア移動度の評価結果を第１表に示す。
（ｂ）大気安定性
大気安定性の評価試験は、次のようにして行った。まず、各有機薄膜トランジスタを作製後、１週間、常圧・大気下にて放置した。放置後の各有機薄膜トランジスタについて、上記「（ａ）キャリア移動度」と同様の方法でキャリア移動度の測定を行い、上記「（ａ）キャリア移動度」と同様の評価基準にて評価を行った。大気安定性の評価結果を第１表に示す。
（評価結果）
上記第１表の評価結果より、上記一般式（１）で表される化合物（実施化合物１〜１１）を用いて作製された有機薄膜トランジスタは、キャリア移動度および大気安定性に優れていることがわかった。
また、実施例１−１と実施例１−２との対比により、一般式（１）の「Ａ１１」および「Ａ１２」の少なくとも一方の置換基が環状のアルキル基であることで、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度がより優れたものになることが示された。
また、実施例１−１と、実施例１−５、１−６および１−７と、の対比により、一般式（１）の「Ｂ１１」および「Ｂ１２」の少なくとも一方の置換基がハロゲン原子またはシアノ基であることで、有機薄膜トランジスタの大気安定性がより優れたものになることが示された。
一方、比較例１−１および１−３の有機薄膜トランジスタは、イソベンゾチオフェン（２−ベンゾチオフェン）構造を有していない比較化合物１を用いて作製されたため、実施例の有機薄膜トランジスタと比較して、キャリア移動度および大気安定性が低下することが示された。
また、比較例１−２の有機薄膜トランジスタは、１−ベンゾチオフェン構造を有しているが、イソベンゾチオフェン（２−ベンゾチオフェン）構造を有していないため、実施例の有機薄膜トランジスタと比較して、大気安定性が低下することが示された。
＜実施例２−１〜２−１１、比較例２−１〜２−３＞
実施例２−１〜２−１１、比較例２−１〜２−３では、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。詳細を下記に示す。
実施化合物１の０．１質量％アニソール溶液を１００℃に加熱したものを、窒素雰囲気下、９０℃に加熱した基板上にキャストすることで非発光性の有機薄膜トランジスタを得た。基板としては、ソースおよびドレイン電極としてくし型に配置されたクロム／金（ゲート幅Ｗ＝１００ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）、絶縁膜としてＳｉＯ2（膜厚２００ｎｍ）を備えたボトムゲート・ボトムコンタクト構造のシリコン基板）を用いた。得られた有機薄膜トランジスタを実施例２−１の有機薄膜トランジスタとした。
実施化合物１の代わりに、実施化合物２〜１１および比較化合物１〜３のいずれかを用いた以外は、実施例２−１の有機薄膜トランジスタと同様にして、実施例２−２〜２−１１および比較例２−１〜２−３の有機薄膜トランジスタを作製した。
実施例２−１〜２−１１、比較例２−１〜２−３の各有機薄膜トランジスタについて、上述した実施例１−１と同様の方法で、キャリア移動度および大気安定性について評価した。その結果を下記第２表に示す。
（評価結果）
ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した場合であっても、実施例２−１〜２−１１および比較例２−１〜２−３の評価結果から、上述した実施例１−１〜１−１１および比較例１−１〜１−３と同様の傾向にあることが示された。
＜実施例３−１〜３−１１、比較例３−１〜３−３＞
実施例で実施化合物１の代わりに、実施化合物１とポリ（α−メチルスチレン）とを質量比１：１で含有した材料（材料１’）を用いた以外は、実施例２−１と同様にボトムゲート・ボトムコンタクト型素子を作製した。得られた素子を、実施例３−１の有機薄膜トランジスタとした。
また、実施化合物１の代わりに、実施化合物２〜１１、比較化合物１〜３のいずれかを用いた以外は、実施例３−１と同様にして、実施例３−２〜３−１１および比較例３−１〜３−３の有機薄膜トランジスタを作製した。
実施例３−１〜３−１１、比較例３−１〜３−３の各有機薄膜トランジスタについて、上述した実施例１−１と同様の方法で、キャリア移動度および大気安定性について評価した。その結果を下記第３表に示す。
（評価結果）
実施例３−１〜３−１１および比較例３−１〜３−３のボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタは、実施化合物および比較化合物のそれぞれにバインダーポリマーを加えた各有機薄膜トランジスタ用組成物を用いて作製されたものである。
実施例３−１〜３−１１の有機薄膜トランジスタは、いずれも、比較例３−１〜３−３の有機薄膜トランジスタと比べて、キャリア移動度および大気安定性に優れていることが示された。
一方、比較例３−１〜３−３の有機薄膜トランジスタは、イソベンゾチオフェン（２−ベンゾチオフェン）構造を有していないため、実施例３−１〜３−１１の有機薄膜トランジスタと比較して、キャリア移動度および大気安定性が低下することが示された。
１０ 基板、２０ ゲート電極、３０ ゲート絶縁膜、４０ ソース電極、４２ ドレイン電極、５０ 有機半導体層（有機半導体膜）、６０ 封止層、１００，２００ 有機薄膜トランジスタ、２１０ 有機薄膜トランジスタ用組成物、２１２ 基板、２１４ 部材、２１６ ピペット

Claims (22)

  1. 一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有する有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。

    前記一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２はそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｐ（ＲＮ）−を表す。ＲＮは、水素原子または置換基を表す。複数のＲＮはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
    前記一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２はそれぞれ独立に、−Ｎ＝または−Ｃ（ＲＭ）＝を表す。ＲＭは、水素原子または置換基を表す。Ｂ１１およびＢ１２がいずれも−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、Ｂ１１に含まれるＲＭとＢ１２に含まれるＲＭが環を形成していてもよい。
    前記一般式（１）中、Ｃｈ１１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、セレン原子、セレニニル基またはセレノニル基を表す。
    前記一般式（１）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す。

    前記一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２はそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｐ（ＲＮ）−を表す。ＲＮは、水素原子または置換基を表す。複数のＲＮはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
    前記一般式（２）中、Ｂ２１およびＢ２２はそれぞれ独立に、−Ｎ＝または−Ｃ（ＲＭ）＝を表す。ＲＭは、水素原子または置換基を表す。Ｂ２１およびＢ２２がいずれも−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、Ｂ２１に含まれるＲＭとＢ２２に含まれるＲＭが環を形成していてもよい。
    前記一般式（２）中、Ｃｈ２１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、セレン原子、セレニニル基またはセレノニル基を表す。
    前記一般式（２）中、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す。
    前記一般式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
  2. 前記一般式（１）中、Ｃｈ１１が硫黄原子またはセレン原子であり、
    前記一般式（２）中、Ｃｈ２１が硫黄原子またはセレン原子である、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
  3. 前記一般式（１）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４がいずれも酸素原子であり、
    前記一般式（２）中、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４がいずれも酸素原子である、請求項１または２に記載の有機薄膜トランジスタ。
  4. 前記一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表し、
    前記一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表す、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  5. ＲＮが、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基または炭素数３〜２０個のヘテロアリール基である、請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ。
  6. ＲＮが、炭素数４〜６個の環状のアルキル基である、請求項５に記載の有機薄膜トランジスタ。
  7. 一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子であり、
    一般式（２）中、Ｂ２１およびＢ２２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  8. 一般式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２がそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、ハロゲン原子またはシアノ基である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  9. 一般式（１）または一般式（２）で表される化合物。

    前記一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２はそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−、−Ｐ（ＲＮ）−または−Ｏ−を表す。ＲＮは、水素原子または置換基を表す。複数のＲＮはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
    前記一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２はそれぞれ独立に、−Ｎ＝または−Ｃ（ＲＭ）＝を表す。ＲＭは、水素原子または置換基を表す。Ｂ１１およびＢ１２がいずれも−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、Ｂ１１に含まれるＲＭとＢ１２に含まれるＲＭが環を形成していてもよい。
    前記一般式（１）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す。
    前記一般式（１）中、Ｃｈ１１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、セレン原子、セレニニル基またはセレノニル基を表す。

    前記一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２はそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−、−Ｐ（ＲＮ）−または−Ｏ−を表す。ＲＮは、水素原子または置換基を表す。複数のＲＮはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
    前記一般式（２）中、Ｂ２１およびＢ２２はそれぞれ独立に、−Ｎ＝または−Ｃ（ＲＭ）＝を表す。ＲＭは、水素原子または置換基を表す。Ｂ２１およびＢ２２がいずれも−Ｃ（ＲＭ）＝である場合には、Ｂ２１に含まれるＲＭとＢ２２に含まれるＲＭが環を形成していてもよい。
    前記一般式（２）中、Ｃｈ２１は、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、セレン原子、セレニニル基またはセレノニル基を表す。
    前記一般式（２）中、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す。
    前記一般式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
  10. 前記一般式（１）中、Ｃｈ１１が硫黄原子またはセレン原子であり、
    前記一般式（２）中、Ｃｈ２１が硫黄原子またはセレン原子である、請求項９に記載の化合物。
  11. 前記一般式（１）中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４がいずれも酸素原子であり、
    前記一般式（２）中、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３およびＸ２４がいずれも酸素原子である、請求項９または１０に記載の化合物。
  12. 前記一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｐ（ＲＮ）−を表し、
    前記一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｐ（ＲＮ）−を表す、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の化合物。
  13. 前記一般式（１）中、Ａ１１およびＡ１２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表し、
    前記一般式（２）中、Ａ２１およびＡ２２がそれぞれ独立に、−Ｎ（ＲＮ）−を表す、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の化合物。
  14. ＲＮが、炭素数１〜２０個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数６〜２０個のアリール基または炭素数３〜２０個のヘテロアリール基である、請求項１２または１３に記載の化合物。
  15. ＲＮが、炭素数４〜６個の環状のアルキル基である、請求項１４に記載の化合物。
  16. 一般式（１）中、Ｂ１１およびＢ１２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子であり、
    一般式（２）中、Ｂ２１およびＢ２２の少なくとも一方が−Ｃ（ＲＭ）＝である場合に、少なくとも１つのＲＭがハロゲン原子である、請求項９〜１５のいずれか１項に記載の化合物。
  17. 一般式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２がそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、ハロゲン原子またはシアノ基である、請求項９〜１６のいずれか１項に記載の化合物。
  18. 請求項９〜１７のいずれか１項に記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用材料。
  19. 請求項９〜１７のいずれか１項に記載の化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ用組成物。
  20. さらに、バインダーポリマーを含有する、請求項１９に記載の有機薄膜トランジスタ用組成物。
  21. 請求項９〜１７のいずれか１項に記載の化合物を含有する、有機半導体膜。
  22. 請求項１９または２０に記載の有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
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