JP6478076B2 - セキュリティ媒体及びそれを用いた真贋判定方法、セキュリティ媒体が配されたカード、セキュリティ媒体が配された紙 - Google Patents
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- JP6478076B2 JP6478076B2 JP2017233030A JP2017233030A JP6478076B2 JP 6478076 B2 JP6478076 B2 JP 6478076B2 JP 2017233030 A JP2017233030 A JP 2017233030A JP 2017233030 A JP2017233030 A JP 2017233030A JP 6478076 B2 JP6478076 B2 JP 6478076B2
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Description
基材の一方の面に形成されたマイクロレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記3次元微細構造物アレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロレンズアレイは、マイクロレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする。
前記マイクロレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
基材の一方の面に形成されたマイクロミラーレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記マイクロミラーレンズアレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体。
〔請求項4〕
前記マイクロミラーレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
前記マイクロミラーレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
前記3次元微細構造物アレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
基材の一方の面に形成されたマイクロレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記3次元微細構造物アレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロレンズアレイは、マイクロレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする。
前記マイクロレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
基材の一方の面に形成されたマイクロミラーレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記マイクロミラーレンズアレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする。
前記マイクロミラーレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
前記3次元微細構造物アレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
前記カードがクレジットカード又はID証であることを特徴とする。
基材の一方の面に形成されたマイクロレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記3次元微細構造物アレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロレンズアレイは、マイクロレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする。
前記マイクロレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
基材の一方の面に形成されたマイクロミラーレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記マイクロミラーレンズアレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする。
前記マイクロミラーレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
前記3次元微細構造物アレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする。
前記紙が紙幣又は金券又は有価証券であることを特徴とする。
w/(L+d)=p/L ・・・(1−1)
(1−1)式を変形すると、
L=dp/(w−p) ・・・(1−2)
H=Lh/d ・・・(1−3)
(1−3)式を変形すると、
L=Hd/h ・・・(1−4)
α=H/h=p/(w−p)・・・(1−5)
w/L=p/(L+d) ・・・(2−1)
(2−1)式を変形すると、
L=dw/(p−w) ・・・(2−2)
d/h=(d+L)/H ・・・(2−3)
(2−3)式を変形すると、
L=d(H/h−1) ・・・(2−4)
α=H/h=p/(p−w)・・・(2−5)
w/L=p/(L+d) ・・・(3−1)
(2−1)式を変形すると、
L=dw/(p−w) ・・・(3−2)
d/h=(d+L)/H ・・・(3−3)
(2−3)式を変形すると、
L=d(H/h−1) ・・・(3−4)
α=H/h=p/(p−w)・・・(3−5)
w/L=p/(L−d) ・・・(4−1)
(1−1)式を変形すると、
L=dw(w−p) ・・・(4−2)
h/d=H/(L−d) ・・・(4−3)
(4−3)式を変形すると、
L=d(H/h+1) ・・・(4−4)
α=H/h=p/(p−w) ・・・(4−5)
3次元微細構造物1のピッチwに対するピッチ差(w−p)の比率をA[%]とすると、
3次元微細構造物1のピッチwに対するマイクロレンズ2のピッチpとのピッチ差は、
w−p=w×A/100 ・・・(5−1)
で表すことができる。このピッチ差を用いてマイクロレンズ2のピッチpは、
p=w(1−A/100) ・・・(5−2)
と表すことができる。
β=w×α=w(p/w−p) ・・・(5−3)
w(p/w−p)≧2000 ・・・(5−3)'
の関係が必要となる。(5−3)'式に(5−2)式を代入すると、
100w/(2000+w)≧A ・・・(5−3)''
なる関係が得られ、3次元微細構造物1のピッチwに対するピッチ差(w−p)の比率Aは、3次元微細構造物1のピッチwに依存することが分かる。
は2000[μm]よりも大きい値となる。
3次元微細構造物1のピッチwに対するピッチ差(p−w)の比率をA[%]とすると、
3次元微細構造物1のピッチwに対するマイクロレンズ2のピッチpとのピッチ差は、
p−w=w×A/100 ・・・(6−1)
で表すことができる。このピッチ差を用いてマイクロレンズ2のピッチpは、
p=w(1+A/100) ・・・(6−2)
と表すことができる。
β=w×α=w(p/p−w) ・・・(6−3)
w(p/p−w)≧2000 ・・・(6−3)'
の関係が必要となる。(6−3)'式に(6−2)式を代入すると、
100w/(2000−w)≧A ・・・(6−3)''
なる関係が得られ、3次元微細構造物1に対するピッチ差(p−w)の比率Aは、ケース1の場合と同様、3次元微細構造物1のピッチwに依存することが分かる。
点から300[μm]以下に設定することが好ましい。さらには100[μm]に設定す
ることが好ましい。
図12には、セキュリティ媒体(タイプA)の製造過程及びその構成が示されている。
図12(a)、(b)はセキュリティ媒体の製造過程を、また、図12(c)は完成したセキュリティ媒体を被着体33に貼着したときの構成(図1におけるA−A'間のZX平面での断面図)が示されている。なお、図1において実際に利用可能なセキュリティカード4を構成する場合、図12に図示した以外の層が設けられる場合がある。
図13には本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体(タイプB)の別の構成が示されている。製造過程は実施例1とほぼ同様であって、熱可塑性を有する基材41を、2つの原版(金型)で熱プレスすることで基材41の一面に3次元微細構造物1が、他面にマイクロミラーレンズ3が形成される。本実施形態においても1枚のシート(基材41)に同時に3次元微細構造物1、マイクロミラーレンズ3を形成することで、その位置合わせの精度向上を図ることを可能としている。また、熱プレスを行う際には、シートの両面での熱影響を同等にすることで、3次元微細構造物1、マイクロレンズ2の位置合わせの精度向上が図られる。
図14には、セキュリティ媒体(タイプA)の製造過程及びその構成が示されている。
図14(a)〜(c)はセキュリティ媒体の製造過程を、また、図14(d)はセキュリティ媒体の構成(図1におけるA−A'間のZX平面での断面図)が示されている。なお、図1において実際に利用可能なセキュリティカード4を構成する場合、図14に図示した以外の層が設けられる場合がある。
図15には本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体(タイプB)の別の構成が示されている。製造過程は実施例3とほぼ同様であって、基材41の一面に3次元微細構造物1を、他面にマイクロミラーレンズ42が形成される。
図16には、セキュリティ媒体(タイプA)の製造過程及びその構成が示されている。
図16(a)〜(c)はセキュリティ媒体の製造過程を、また、図16(d)は完成したセキュリティ媒体の構成(図1におけるA−A'間のZX平面での断面図)が示されている。なお、図1において実際に利用可能なセキュリティカード4を構成する場合、図16に図示した以外の層が設けられる場合がある。
図17には本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体(タイプB)の別の構成が示されている。製造過程は実施例5とほぼ同様であって、基材41の一面に3次元微細構造物1を、他面にマイクロミラーレンズ3が形成される。このセキュリティ媒体ではマイクロミラーレンズ3からの反射光により拡大された3次元微細構造物1を観察することができた。
図18には本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体(タイプA)の別の構成が示されている。実施例5では3次元微細構造物1をUV硬化樹脂にて、またマイクロレンズ2を熱プレスにて形成していたのに対し、この実施例7では3次元微細構造物1を熱プレスにて、またマイクロレンズ2をUV硬化樹脂にて形成している点で異なっている。
図19には本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体(タイプB)の別の構成が示されている。製造過程は実施例7とほぼ同様であって、基材41の一面に3次元微細構造物1を、他面にマイクロミラーレンズ3が形成される。このセキュリティ媒体ではマイクロミラーレンズ3による反射光により拡大された3次元微細構造物1を観察することができた。
2…マイクロレンズ
3…マイクロミラーレンズ
4…セキュリティカード
5…セキュリティ媒体
33…被着体
41…基材
42…反射層
50、51…金型
52…マイクロレンズ賦形部
53…3次元微細構造物賦形部
54…UV硬化樹脂
55…青板ガラス
56…UV硬化樹脂
57…複製板
61…ヒートシール
63…3次元微細構造物賦形部
64…UV硬化樹脂
65…青板ガラス
66…UV硬化樹脂
67…複製板
Claims (18)
- 基材の一方の面に形成されたマイクロレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記3次元微細構造物アレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロレンズアレイは、マイクロレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体。 - 前記マイクロレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項1に記載のセキュリティ媒体。 - 基材の一方の面に形成されたマイクロミラーレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記マイクロミラーレンズアレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体。 - 前記マイクロミラーレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項3に記載のセキュリティ媒体。 - 前記3次元微細構造物アレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項1から請求項4の何れか1項に記載のセキュリティ媒体。 - 請求項1から請求項5の何れか1項に記載のセキュリティ媒体を用いて真贋判定を行うことを特徴とする
真贋判定方法。 - 基材の一方の面に形成されたマイクロレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記3次元微細構造物アレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロレンズアレイは、マイクロレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体が配されたカード。 - 前記マイクロレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項7に記載のセキュリティ媒体が配されたカード。 - 基材の一方の面に形成されたマイクロミラーレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記マイクロミラーレンズアレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体が配されたカード。 - 前記マイクロミラーレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項9に記載のセキュリティ媒体が配されたカード。 - 前記3次元微細構造物アレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項7から請求項10の何れか1項に記載のセキュリティ媒体が配されたカード。 - 前記カードがクレジットカード又はID証であることを特徴とする
請求項7から請求項11の何れか1項に記載のセキュリティ媒体が配されたカード。 - 基材の一方の面に形成されたマイクロレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記3次元微細構造物アレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロレンズアレイは、マイクロレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体が配された紙。 - 前記マイクロレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項13に記載のセキュリティ媒体が配された紙。 - 基材の一方の面に形成されたマイクロミラーレンズアレイと、前記基材の他方の面に形成された3次元微細構造物アレイと、セキュリティ媒体の被着体と前記マイクロミラーレンズアレイとの間に配されるシール層とを備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物アレイは、前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)[μm]とは異なる第2のピッチ(w)[μm]で配列され、
前記3次元微細構造物の前記第2のピッチ(w)[μm]に対するピッチ差(w−p)[μm]の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体が配された紙。 - 前記マイクロミラーレンズアレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項15に記載のセキュリティ媒体が配された紙。 - 前記3次元微細構造物アレイは、光もしくは熱によって硬化された硬化物、もしくは熱可塑性物にて形成されることを特徴とする
請求項13から請求項16の何れか1項に記載のセキュリティ媒体が配された紙。 - 前記紙が紙幣又は金券又は有価証券であることを特徴とする
請求項13から請求項17の何れか1項に記載のセキュリティ媒体が配された紙。
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