JP6491994B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明による実施形態は、半導体装置に関する。

通信機器等に用いられる半導体装置、あるいは、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）等の磁性体を用いた半導体装置は、外部または内部からの電磁波または磁場を遮断するようにシールド材を備えることがある。しかし、シールド材が剥がれた場合にシールド効果が低減する。また、シールド材でコーティングされることによってレーザーマークが視認し難くなったり、あるいは、シールド材自体が汚染の原因にもなり得る。

特開平４−３４５０５８号公報 特開平９−０３６２６９号公報

電磁波または磁場を良好に遮蔽することができる半導体装置を提供する。

本実施形態による半導体装置は、基板を備えている。金属からなる第１部材が、基板上に設けられている。第１部材は、基板上に設けられた底板と該底板の対辺のそれぞれにおいて基板から離れる方向へ突出した複数の側板とを含み、該複数の側板の対向面に窪みまたは孔が設けられている。半導体チップは、底板上に設けられている。金属からなる第２部材は、複数の側板間の幅よりも大きな幅を有し、端部が窪みまたは孔に嵌合している。樹脂は、第１および第２部材の周囲に設けられている。

第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す図。 第１金属部３０の構成の一例を示す図。 第２金属部６０の構成の一例を示す図。 第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込むときの第１および第２金属部３０、６０の状態を示す図。 第２の実施形態に従った半導体装置２の構成の一例を示す平面図。 第３の実施形態に従った半導体装置３の構成の一例を示す平面図。 第３の実施形態による第１金属部３０の構成の一例を示す図。 第１金属部３０の変形例を示す平面図。

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。

（第１の実施形態）
図１（Ａ）は、第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す側面図である。図１（Ｂ）は、第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）では、樹脂６５の内部を示している。

半導体装置１は、基板１０と、接着剤２０と、第１金属部３０と、接着剤４０と、半導体チップ５０と、ボンディングワイヤ５５と、第２金属部６０と、樹脂６５とを備えている。

基板１０は、例えば、プリント基板やリードフレーム等のように、半導体チップ５０を半導体装置１の外部にある装置と電気的に接続可能な部材である。本実施形態では、基板１０は、プリント基板であり、樹脂基板等の絶縁性基板に導電性の配線（図示せず）を設けた基板である。配線は、基板側パッド１２に接続されており、ボンディングワイヤ５５を介して半導体チップ５０に電気的に接続される。基板側パッド１２は、配線を介して半導体装置１の外部にある装置と電気的に接続可能である。尚、ボンディングワイヤ５５および基板側パッド１２の数は限定しない。

接着剤２０は、基板１０と第１金属部３０との間に設けられており、基板１０と第１金属部３０とを接着している。接着剤２０は、液体状の接着剤でもよく、シート状の接着シートであってもよい。

第１部材としての第１金属部３０は、基板１０上に設けられており、接着剤２０によって基板１０上に接着されている。第１金属部３０は、底板３１と、側板３２ａ、３２ｂとを備えている。第１金属部３０の１つの対辺Ｓａ、Ｓｂには、側板３２ａ、３２ｂが設けられており、他の対辺Ｓｃ、Ｓｄには、側板は設けられていない。側板３２ａ、３２ｂは、図１（Ａ）に示すように、それぞれ対辺Ｓａ、Ｓｂにおいて上方（Ｄ１）へ突出している。第１金属部３０のより詳細な構成は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を参照して後で説明する。

半導体チップ５０は、接着剤（ダイアタッチメント剤）４０により第１金属部３０の底板３１上に接着されている。即ち、半導体チップ５０は、側板３２ａと側板３２ｂとの間において底板３１上に固定されている。半導体チップ５０は、半導体基板（図示せず）上に形成された半導体素子（例えば、トランジスタ、抵抗、キャパシタ等）で構成された電子回路を有する。半導体チップ５０は、単一の半導体チップであってもよく、積層された複数の半導体チップであってもよい。本実施形態では、半導体チップ５０は、単一の半導体チップとする。半導体チップ５０は、電極パッド５１を備えている。電極パッド５１は、半導体チップ５０の電子回路に電気的に接続されている。また、電極パッド５１は、ボンディングワイヤ５５を介して基板１０の基板側パッド１２に電気的に接続されている。

ボンディングワイヤ５５は、電極パッド５１と基板側パッド１２との間を電気的に接続する。ボンディングワイヤ５５には、例えば、金、銀、銅、ＣｕＡｌ、ＡｇＡｌ等の低抵抗金属を用いる。例えば、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、第１金属部３０の四辺には、側板が設けられていない対辺Ｓｃ、Ｓｄがある。従って、ボンディングワイヤ５５は、図１（Ｂ）に示すように、側板が設けられていない対辺Ｓｃ、Ｓｄの上方を渡って電極パッド５１と基板側パッド１２との間に接続されている。

第２部材としての第２金属部６０は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ５０の上方に第１金属部３０の側板３２ａと側板３２ｂとの間に設けられている。第２金属部６０は、接着剤を用いること無く、その端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが側板３２ａ、３２ｂに設けられた孔７０ａ、７０ｂに嵌め込まれることによって固定されている。従って、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合するように、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａからＰ６０ｂまでの幅Ｗ６０は、側板３２ａと側板３２ｂとの間の幅（内径）Ｗ３０よりも大きい。尚、第２金属部６０のより詳細な構成は、図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照して後で説明する。

樹脂６５は、半導体チップ５０、ボンディングワイヤ１２、第１および第２金属部３０、６０の周囲に設けられ、これらを封止する。樹脂６５は、第１金属部３０と第２金属部６０との間にも設けられてよい。

次に、第１金属部３０の構成について説明する。

図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、第１金属部３０の構成の一例を示す図である。図２（Ａ）は、第１金属部３０の平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の矢印Ａ１方向から見た第１金属部３０の正面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）の矢印Ａ２方向から見た第１金属部３０の側面図である。図２（Ａ）の矢印Ａ３方向から見た第１金属部３０の側面図は、図２（Ｃ）と同様であり、その参照番号は括弧内に示されている。

第１金属部３０は、トレーのように、底板３１と、２つの側板３２ａ、３２ｂとを備えている。底板３１は、例えば、図２（Ａ）に示すように、平面形状において略四角形を有している。底板３１の１対の対辺Ｓａ、Ｓｂには、それぞれ側板３２ａ、３２ｂが設けられている。側板３２ａ、３２ｂは、図２（Ｂ）に示すように、底板３１の対辺Ｓａ、Ｓｂのそれぞれにおいて基板１０から離れる方向Ｄ１へ突出している。即ち、基板１０に対して第１金属部３０および半導体チップ５０が搭載されている方向Ｄ１を上方とすると、側板３２ａ、３２ｂは、それぞれ底板３１の対辺Ｓａ、Ｓｂから上方へ延伸している。底板３１および側板３２ａ、３２ｂは、一体形成されており、トレー型の第１金属部３０を成している。

側板３２ａ、３２ｂは、それぞれ対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂを有する。対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂは、互いに対向した面であり、対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂには、孔７０ａ、７０ｂが設けられている。図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、孔７０ａ、７０ｂには、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが挿入され得る。従って、孔７０ａ、７０ｂは、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂに対応してそれぞれ３個ずつ対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂに設けられている。しかし、孔７０ａ、７０ｂおよび端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの個数は特に限定しない。孔７０ａ、７０ｂおよび端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの各個数を多くすることによって、第１金属部３０と第２金属部６０との接触面積を増大させることができるので、安定したシールド効果を確保できる。また、嵌合箇所が多くなると、樹脂封止工程において、第２金属部６０が第１金属部３０から外れてしまうことを抑制することができる。

孔７０ａ、７０ｂは、第２金属部６０が少なくとも半導体チップ５０に接触しないように、半導体チップ５０の上面の高さよりも高い位置に設けられている。即ち、底板３１から孔７０ａ、７０ｂまでの高さは、底板３１から半導体チップ５０の上面Ｆｔの高さよりも高い。より好ましくは、孔７０ａ、７０ｂは、第２金属部６０がボンディングワイヤ５５に接触しないように、ボンディングワイヤ５５の頂点よりも高い位置に設けられる。これにより、第２金属部６０は、半導体チップ５０およびボンディングワイヤ５５に接触しないので、半導体チップ５０に設けられた電子回路の誤動を抑制するこができる。

図２（Ｂ）に示すように、側板３２ａの上面Ｆ３ａは、対向面Ｆ１ａとは反対側の外側面Ｆ２ａから対向面Ｆ１ａへ向かって、底板３１に近付くように傾斜している。側板３２ｂの上面Ｆ３ｂは、対向面Ｆ１ｂとは反対側の外側面Ｆ２ｂから対向面Ｆ１ｂへ向かって、底板３１に近付くように傾斜している。即ち、上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂは、第１金属部３０の外側から内側へ向かうに従って下方（Ｄ１方向と反対方向）へ低下するように傾斜している。上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂの傾斜は、後述する第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの傾斜に対応しており、第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌める際に、第２金属部６０を第１金属部３０の内側へガイドする役目を果たす。このとき、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂは、第２金属部６０によって第１金属部３０の外側（対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂの対向方向とは反対方向）へ押し広げられ、底板３１と側板３２ａ、３２ｂとの間に弾性力が蓄勢される。第２金属部６０が孔７０ａ、７０ｂの高さまで押し下げられると、側板３２ａ、３２ｂは、蓄勢された弾性力によって対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂの対向方向へ戻る（スプリングバック）。これにより、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合または挿入され、第２金属部６０は、第１金属部３０に対して固定される。第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込む動作については、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して説明する。

尚、電磁波を遮蔽する場合、第１および第２金属部３０、６０には、例えば、銅等のような導電性の高い材料が用いられる。これにより、第１および第２金属部３０、６０は電磁波によって生じる電力をグランド等へ流すことができる。即ち、第１および第２金属部３０、６０に導電性の高い材料を用いることによって、第１および第２金属部３０、６０は、電磁波を良好にグランドへ逃がすことができる。

一方、磁場を遮蔽する場合、第１および第２金属部３０、６０には、例えば、鉄等のような透磁率の高い材料が用いられる。これにより、第１および第２金属部３０、６０は磁場を良好に外部へ逃がす、あるいは、キャンセルすることができる。

次に、第２金属部６０の構成について説明する。

図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、第２金属部６０の構成の一例を示す図である。図３（Ａ）は、第２金属部６０の平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。第２部材としての第２金属部６０は、第１面Ｆ６０＿１と、第２面Ｆ６０＿２と、側面Ｆ６０＿３ａ〜Ｆ６０＿３ｄとを含む。第２面Ｆ６０＿２は、第１面Ｆ６０＿１の反対側にある。第１側面としての側面Ｆ６０＿３ａ〜Ｆ６０＿３ｄは、第１面Ｆ６０＿１と第２面Ｆ６０＿２との間に設けられている。側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂの少なくとも一部には、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが設けられている。図３（Ｂ）に示すように、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの端面ＦＰ６０ａ、ＦＰ６０ｂは、第１面Ｆ６０＿１または第２面Ｆ６０＿２に対して傾斜している。側面Ｆ６０＿３ａ〜Ｆ６０＿３ｄは、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂ以外の部分において、第１面Ｆ６０＿１または第２面Ｆ６０＿２に対して略垂直でよい。

突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、図３（Ｂ）に示すように、第１面Ｆ６０＿１または第２面Ｆ６０＿２に対して略平行方向に突出している。突出部Ｐ６０ａは、図２（Ｃ）の孔７０ａに対応しており、孔７０ａと同数（例えば、３つ）、あるいはそれ未満だけ設けられている。突出部Ｐ６０ｂは、図２（Ｃ）の孔７０ｂに対応しており、孔７０ｂと同数（例えば、３つ）、あるいはそれ未満だけ設けられている。突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂがそれぞれ孔７０ａ、７０ｂに嵌合することによって、第２金属部６０は第１金属部３０に対して蓋のように固定される。

上述の通り、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合するように、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａからＰ６０ｂまでの幅Ｗ６０は、側板３２ａと側板３２ｂとの間の幅（内径）Ｗ３０よりも大きい。一方、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合したときに、第２金属部６０の側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂと第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂとの間が接するように、側面Ｆ６０＿３ａと側面Ｆ６０＿３ｂとの間の幅Ｗ３０ａは、側板３２ａと側板３２ｂとの間の幅（内径）Ｗ３０にほぼ等しいかそれより若干大きいことが好ましい。これにより、第２金属部６０が側板３２ａ、３２ｂの間に挟まれて、側板３２ａ、３２ｂが側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂに密着する。

図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込むときの第１および第２金属部３０、６０の状態を示す図である。第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込む際、第２金属部６０は、第２面Ｆ６０＿２を下方（半導体チップ２０へ向かう方向、あるいは、第１金属部３０の底板３１へ向かう方向）へ向けて嵌め込む。このとき、第２金属部６０の端面ＦＰ６０ａ、ＦＰ６０ｂは、それぞれ第１金属部３０の上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂに接触し、端面ＦＰ６０ａ、ＦＰ６０ｂが第１金属部３０の上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂを押す。図３（Ａ）に示すように、第２金属部６０の幅Ｗ６０が第１金属部３０の側板３２ａと３２ｂとの間の幅（間隔）Ｗ３０よりも広いので、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂには外側（対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂの対向方向とは反対方向）への応力が印加され、側板３２ａ、３２ｂは、上述の通り、外側へ押し広げられる。即ち、図４（Ｂ）に示すように、側板３２ａ、３２ｂは、底板３１の辺Ｓａ、Ｓｂを中心軸として第１金属部３０の外側へ押し広げられる。第２金属部６０が孔７０ａ、７０ｂの高さまで押し下げられると、側板３２ａ、３２ｂが元の位置に戻ろうとし（スプリングバックし）、図１（Ａ）に示すように、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合する。このように、第２金属部６０は、第１金属部３０に対して嵌め込まれることによって第１金属部３０に対して固定される。その後、第１および第２金属部３０、６０は、樹脂によって封止される。

このように、本実施形態によれば、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが第１金属部３０の孔７０ａ、７０ｂに嵌合することによって、接着剤を用いること無く、第２金属部６０を第１金属部３０に対して容易に固定することができる。

また、第２金属部６０の側面Ｆ６０＿３ａと側面Ｆ６０＿３ｂとの幅Ｗ３０ａが第１金属部３０の側板３２ａと３２ｂとの間の幅Ｗ３０とほぼ等しいかそれより若干広いので、第１金属部３０の側面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂは、側板３２ａ、３２ｂからの応力によって第２金属部６０の側面Ｆ６０＿ａ、Ｆ６０＿ｂに密着している。これにより、第１および第２金属部３０、６０は、磁場を良好に遮蔽することができる。

さらに、本実施形態では、第２金属部６０を第１金属部３０へ向かって押し下げるだけで第２金属部６０を第１金属部３０に嵌め込むことができる。従って、本実施形態による半導体装置１は、接着剤を用いることなく、容易かつ安価に製造することができる。

本実施形態では、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂは、底板３１の１対の対辺Ｓａ、Ｓｂに設けられており、他の対辺には設けられていない。磁場については、その影響を受ける方向に第１および第２金属部３０、６０を設ければ足り、それ以外の方向には、第１および第２金属部３０、６０を設ける必要は無い。例えば、半導体チップ５０が垂直磁化方式のＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）を記憶素子として有する場合、半導体チップ５０の主面に対して垂直な断面において、第１および第２金属部３０、６０が閉ループ構造であれば良い。閉ループ構造とは、半導体チップ５０の素子形成面に対して垂直方向の断面において、半導体チップ５０を取り囲むように連続した構造である。第１および第２金属部３０、６０を閉ループ構造にすることで、半導体チップ５０への磁場の影響を低減することができる。従って、本実施形態による半導体装置１は、主に磁場を遮蔽するのに有効である。尚、本実施形態による半導体装置１は、電磁波を遮蔽することは困難である。その理由は、電磁波は、側板３２ａ、３２ｂの設けられていない半導体装置１の側方から進入するからである。

（第２の実施形態）
図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、第２の実施形態に従った半導体装置２の構成の一例を示す平面図である。第１の実施形態では、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂには、孔（貫通孔）７０ａ、７０ｂが設けられており、第２金属部６０の突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、第１金属部３０の孔７０ａ、７０ｂを貫通している。これに対し、第２の実施形態では、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂには、窪み７１ａ、７１ｂが設けられており、第２金属部６０の突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、第１金属部３０の窪み７１ａ、７１ｂに嵌合している。第２の実施形態のその他の構成は、第１の実施形態の対応する構成と同様でよい。

窪み７１ａ、７１ｂは、側板３２ａ、３２ｂを貫通せずに、側板３２ａ、３２ｂの側面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂに設けられている。窪み７１ａは、側面Ｆ１ａからＦ２ａへ向かって、側面Ｆ１ａと側面Ｆ２ａとの間の途中まで設けられている。窪み７１ｂは、側面Ｆ１ｂからＦ２ｂへ向かって、側面Ｆ１ｂと側面Ｆ２ｂとの間の途中まで設けられている。従って、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、側板３２ａ、３２ｂを貫通せずに、窪み７１ａ、７１ｂに嵌め込まれている。

窪み７１ａ、７１ｂの深さは、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの長さと略等しいかそれよりも深い。これにより、窪み７１ａ、７１ｂは、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂを充分に受容し、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂが第２金属部６０の側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂに接触することができる。側板３２ａ、３２ｂの側面Ｆ２ａ、Ｆ２ｂがそれぞれ側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂに接触することによって、磁場や電磁波をより良好に遮蔽することができる。

このように、孔７０ａ、７０ｂに代わって窪み７１ａ、７１ｂが第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂに設けられていても、第２金属部６０は、第１金属部３０に固定され得る。従って、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態に従った半導体装置３の構成の一例を示す平面図である。第３の実施形態では、第１金属部３０の底板３１の全ての辺に側板が設けられている。例えば、第１金属部３０の底板３１は、略四角形であり、底板３１の四辺にそれぞれ側板３２ａ〜３２ｄが設けられている。第３の実施形態による第１金属部３０のより詳細な構成は、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）を参照して説明する。半導体チップ５０は、底板３１の四方を側板３２ａ〜３２ｄによって囲まれているので、ボンディングワイヤを用いること無く、底板３１を貫通する電極（図示せず）を用いて半導体装置１の外部と接続すればよい。

図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、第３の実施形態による第１金属部３０の構成の一例を示す図である。図７（Ａ）は、第１金属部３０の平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の矢印Ａ１方向から見た第１金属部３０の正面図であり、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）の矢印Ａ２方向から見た第１金属部３０の側面図である。図７（Ａ）の矢印Ａ３方向から見た第１金属部３０の側面図は、図７（Ｃ）と同様であり、その参照番号は括弧内に示されている。

第１金属部３０は、トレーのように、底板３１と、４つの側板３２ａ〜３２ｄとを備えている。底板３１の形状は、第１の実施形態によるそれと同様に、平面形状において略四角形を有している。側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１の辺Ｓａ〜Ｓｄのそれぞれにおいて基板１０から離れる方向（図７（Ｂ）のＤ１方向）へ突出している。即ち、側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１の四辺Ｓａ〜Ｓｄのそれぞれから上方へ延伸している。底板３１および側板３２ａ〜３２ｄは、一体形成されており、第１金属部３０を成している。

側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１を取り囲むように設けられている。互いに隣接する側板３２ａ〜３２ｄは、境界面Ｆ３２ａｃ、Ｆ３２ｃｂ、Ｆ３２ｂｄ、Ｆ３２ｄａにおいて接している。しかし、側板３２ａ〜３２ｄはそれぞれ分離されており、互いに固定されていない。即ち、側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１を介して繋がっており、それぞれ底板３１の辺Ｓａ〜Ｓｄを中心軸として第１金属部３０の外側へ押し広げられ得る。側板３２ａ〜３２ｄが押し広げられると、側板３２ａ〜３２ｄは、境界面Ｆ３２ａｃ、Ｆ３２ｃｂ、Ｆ３２ｂｄ、Ｆ３２ｄａにおいて一時的に分離され得る。

孔７０ａ、７０ｂは、第１の実施形態のそれらと同様に、それぞれ側板３２ａ、３２ｂに設けられている。尚、本実施形態において、側板３２ｃ、３２ｄには孔が設けられていない。しかし、側板３２ｃ、３２ｄにも孔を設けてもよい。この場合、側板３２ｃ、３２ｄの孔に対応するように、第２金属部６０に突出部を設ければよい。即ち、第２金属部６０には、４辺の全てに突出部を設けてもよい。これにより、第２金属部６０は、第１金属部３０により強く嵌合することができる。

側板３２ａ、３２ｂの上面は、第１の実施形態におけるそれらと同様に傾斜している。また、側板３２ｃ、３２ｄの上面も、第１金属部３０の外側から内側へ向かうに従って下方（Ｄ１方向と反対方向）へ低下するように傾斜していてもよい。これにより、第２金属部６０を側板３２ｃと側板３２ｄとの間に容易に案内することができる。一方、側板３２ｃと側板３２ｄとの間の幅（内径）Ｗ３１が、図３（Ａ）に示す第２金属部６０の辺Ｆ６０＿３ｃとＦ６０＿３ｄとの間の幅Ｗ３１ａとほぼ等しいか若干大きい場合には、側板３２ｃ、３２ｄの上面は、傾斜せずに第１および第２面Ｆ６０＿１、Ｆ６０＿２に対して略垂直な平面であってもよい。第１金属部３０の幅Ｗ３１が、第２金属部６０の幅Ｗ３１ａとほぼ等しいか若干大きい場合には、側板３２ｃ、３２ｄの上面が平坦であっても、第２金属部６０は、第１金属部３０へ嵌め込むことができるからである。

このように、第３の実施形態では、側板３２ａ〜３２ｄが底板３１の４辺に設けられている。隣接する側板３２ａ〜３２ｄは分離しているものの接しているので、第２金属部６０が第１金属部３０に嵌め込まれると、第１および第２金属部３０、６０は、半導体チップ５０の周囲を取り囲むことができる。これにより、第１および第２金属部３０、６０は、外部または半導体チップ５０の様々な方向からの電磁波を良好に遮蔽することができる。

さらに、第３の実施形態では、第２金属部６０を第１金属部３０へ向かって押し下げるだけで第２金属部６０を第１金属部３０に嵌め込むことができる。従って、第３の実施形態による半導体装置３も、第１および第２実施形態と同様に、接着剤を用いることなく、容易に製造することができる。

（変形例）
図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は、第１金属部３０の変形例を示す平面図である。本変形例による第１金属部３０は、側板３２ａ、３２ｂの対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂに設けられたガイドＧａ、Ｇｂをさらに有する。図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示すように、ガイドＧａ、Ｇｂは、上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂから孔７０ａ、７０ｂまで設けられた溝である。ガイドＧａ、Ｇｂは、図８（Ａ）に示すように、対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂから窪んでいる。

溝としてのガイドＧａ、Ｇｂは、第２金属部６０の突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂにそれぞれ対応しており、第２金属部６０を第１金属部３０へ押し込むときに、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂを孔７０ａ、７０ｂへ案内する。これにより、第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込む際に、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂの方向へ確実に案内することができ、第２金属部６０を第１金属部３０へ容易に嵌め込むことができる。

尚、本変形例は、第２または第３の実施形態と組み合わせてもよい。本変形例を第２の実施形態に組み合わせた場合、ガイドＧａ、Ｇｂは、上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂから窪み７１ａ、７１ｂまで設けられた溝となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１・・・半導体装置、１０・・・基板、２０・・・接着剤、３０・・・第１金属部、３１・・・底板、３２ａ、３２ｂ・・・側板、４０・・・接着剤、５０・・・半導体チップ、５５・・・ボンディングワイヤ、６０・・・第２金属部、６５・・・樹脂、７０ａ、７０ｂ・・・孔、Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂ・・・突出部

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられ金属からなる第１部材であって、前記基板上に設けられた底板と該底板の対辺のそれぞれにおいて前記基板から離れる方向へ突出した複数の側板とを含み、該複数の側板の対向面に窪みまたは孔が設けられている第１部材と、
   前記底板上に設けられた半導体チップと、
   金属からなり、前記複数の側板間の幅よりも大きな幅を有し、端部が前記窪みまたは前記孔に嵌合している第２部材と、
   前記第１および第２部材の周囲に設けられた樹脂とを備えた半導体装置。
2. 前記底板から前記窪みまたは前記孔までの高さは、前記底板から前記半導体チップの上面の高さよりも高い、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記複数の側板の上面は、前記対向面とは反対側の側面から前記対向面へ向かって前記底板に近付くように傾斜している、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第２部材は、第１面と、該第１面の反対側にある第２面と、前記第１面と前記第２面との間に設けられた第１側面とを含み、
   前記第１側面の少なくとも一部には、前記第１面または前記第２面に対して略平行方向に突出した突出部が設けられている、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記突出部の端面は、前記第１面または前記第２面に対して傾斜している、請求項４に記載の半導体装置。

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