JP6492193B2 - 位置検知装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁気センサを搭載した検知部と磁石との相対的な位置および移動を検知する位置検知装置に関する。

特許文献１に位置検知装置に関する発明が記載されている。
この位置検知装置は、ケース内に進退移動するホルダが設けられており、このホルダに２個の磁石が移動方向に並んで配置されている。ケースには検出部が固定されており、この検出部に、移動する前記磁石に対向する２個の磁気抵抗素子が設けられている。

ホルダは圧縮コイルばねによってケースから突出する方向へ付勢されている。ホルダと一体の軸部を押して、ケースを圧縮コイルばねの付勢方向と対抗する方向へ移動させると、磁石の移動が磁気抵抗素子で検知され、ホルダの移動位置が算出される。

実用新案登録第３１９１５３１号公報

特許文献１には、ホルダの位置の検知方法について詳しく説明されていないが、一般にこの種の位置検知装置では、２個の磁石から発生する洩れ磁界の磁束密度のうちの、ホルダの移動方向と直交する向きの成分（Ｂｚ）と、ホルダの移動方向と平行な向きの成分（Ｂｘ）とを磁気抵抗素子で検知することで、ホルダの移動位置が算出される。例えば、前記成分（Ｂｚ）の検出値と前記成分（Ｂｘ）の検出値とからアークタンジェントが演算され、その演算値からホルダの位置が求められる。

ここで、磁石からの漏れ磁界の強度は、温度によって影響を受け、高温になると洩れ磁界の磁束密度が低下する減磁現象が発生する。従来、直方体の磁石が加熱されたときの磁束密度の低下率は、着磁面に直交する向きの成分（Ｂｚ）と着磁面と平行な向きの成分（Ｂｘ）とで常に同じ割合であると認識されていた。

この認識に基づいて、常温時に磁気抵抗素子から得られた検出値に基づいてアークタンジェントを演算しその演算値において直線性を確保できるように回路上で補正を行っておけば、温度変化があったとしても、ホルダの移動したときの演算値の直線性を確保できるものと考えられていた。

しかし、実際の位置検知装置では、高温環境になると、検出部からの出力に基づいて演算されたアークタンジェントの値が、磁石の着磁面に対する対向位置の変化に応じて変動し、位置検知の直線性を確保できない課題が生じている。

本発明は上記従来の課題を解決するものであり、温度変化によって磁石の減磁が生じたときでも、磁石と検知部との相対移動を検知する検出値の直線性を確保しやすい構造とした位置検知装置を提供することを目的としている。

本発明は、検知部と、前記検知部に対向する磁石とを有し、前記検知部と前記磁石とが相対的に移動する位置検知装置において、
前記磁石は、前記検知部の相対的な移動軌跡と直交する向きに着磁されて、前記検知部には、前記磁石から出る磁束のうちの前記移動軌跡と平行な成分を検知する磁気センサと前記移動軌跡と直交する成分を検知する磁気センサとが設けられており、
前記磁石は、前記移動軌跡に沿って複数個設けられ、それぞれ前記移動軌跡に対向する対向面を有し、前記対向面は、前記移動軌跡に沿う方向の両端部が、中央部よりも前記移動軌跡から遠ざかる位置に形成され、隣り合う前記磁石の前記対向面が逆極性に着磁されていることを特徴とするものである。

本発明の位置検知装置は、例えば、前記対向面は、前記移動軌跡に沿う方向に曲率を有する突曲面である。

この場合に、前記曲率の半径は、前記対向面と前記移動軌跡との最短距離の１．７倍以上で３．４倍以下であることが好ましい。

本発明の位置検知装置は、前記移動軌跡が直線である。あるいは、前記移動軌跡が円弧である。

本発明は、磁石から発生する磁界の磁束密度の温度変化による減磁率は、磁石の着磁面に直交する方向と着磁面と平行な方向とで相違することに着目し、前記着磁面すなわち検知部との対向面の形状を、検知部の相対的な移動軌跡に沿う方向の両端部を中央部よりも後退させる形状とした。これにより、磁束密度のうちの移動軌跡に直交する向きの成分と移動軌跡と平行な向きの成分とで、温度変化による減磁率の差が少なくなり、温度変化があっても検知部からの検知出力の直線性を確保できるようになる。

（Ａ）は本発明の第１の実施の形態の位置検知装置を示す説明図、（Ｂ）は従来の位置検知装置を示す説明図、 本発明の第２の実施の形態の位置検知装置を示す説明図、 （Ａ）（Ｂ）は本発明の第３と第４の実施の形態の位置検知装置を示す説明図、 （Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、実施例１、実施例２、実施例３の説明図、 （Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、比較例１、比較例２、比較例３の説明図、 （Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、実施例１、実施例２、実施例３における、減磁によるアークタンジェントの演算値の変動を示す線図、 （Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、比較例１、比較例２、比較例３における、減磁によるアークタンジェントの演算値の変動を示す線図、 （Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は、実施例２の変形例である実施例２Ａと実施例２Ｂと実施例２Ｃおよび実施例２Ｄにおける、減磁によるアークタンジェントの演算値の変動を示す線図、

図１（Ａ）に本発明の第１の実施の形態の位置検知装置１の構造の概略が示されている。

位置検知装置１は移動部１０を有している。移動部１０にＸ方向へ直線的に往復移動する移動ベース（図示せず）が設けられており、移動ベースに第１の磁石１１と第２の磁石１２が搭載されている。位置検知装置１には検知部２０が設けられており、移動部１０と検知部２０がＺ方向に対向している。

移動部１０は第１の磁石１１と第２の磁石１２と共にＸ方向へ移動するため、図１（Ａ）には、移動部１０と検知部２０の相対的な移動軌跡がＴｘで示されている。本発明の位置検知装置１は、第１の磁石１１と第２の磁石１２とが停止し、検知部２０が移動する構造であってもよい。この場合も、磁石１１，１２と検知部２０の相対的な移動軌跡はＴｘである。

図１（Ａ）では、検知部２０が、第１の磁石１１および第２の磁石１２のＸ方向の中間に対向しており、第１の磁石１１と第２の磁石１２は、図１（Ａ）に示す中立位置からＸ方向の右方向と左方向へ移動する。または、移動部１０の移動ベースが圧縮コイルばねなどの付勢部材でＸ方向の左方向へ付勢されて初期位置で停止しており、移動ベースが図示右方向へ押されると、磁石１１，１２が右方向へ移動してから左方向へ戻るように往復移動するものであってもよい。

第１の磁石１１は移動軌跡Ｔｘに対向する対向面１１ａと、その逆側の背面１１ｂと、Ｘ方向に向く両側面１１ｃ，１１ｄを有している。対向面１１ａは、Ｘ方向が曲率方向となる円筒面の一部である。対向面１１ａのＸ方向の中心と移動軌跡Ｔｘとの対向距離がδａで示されている。また、対向面１１ａの側面１１ｃ側の端部と移動軌跡Ｔｘとの対向距離がδｃで示され、対向面１１ａの側面１１ｄ側の端部と移動軌跡Ｔｘとの対向距離がδｄで示されている。δｃとδｄは同じ長さであり、δｃとδｄはδａよりも長い。すなわち、対向面１１ａは、移動軌跡Ｔｘに沿うＸ方向の両端部が中央部よりも移動軌跡Ｔｘから遠ざかる形状である。

第１の磁石１１の背面１１ｂは、移動軌跡Ｔｘと平行であり紙面に直交する平面である。側面１１ｃと側面１１ｄは、移動軌跡Ｔｘと直交し且つ紙面に直交する平面である。

第１の磁石１１は、移動軌跡Ｔｘに直交する方向であるＺ方向に向けて着磁されており、対向面１１ａと背面１１ｂは互いに逆極性となる着磁面である。対向面１１ａがＮ極に着磁され、背面１１ｂがＳ極に着磁されている。

第１の磁石１１と第２の磁石１２は大きさと形状が同じである。第２の磁石１２も対向面１２ａと背面１２ｂおよび側面１２ｃ，１２ｄを有している。各面の形状と寸法は第１の磁石１１と同じである。対向面１２ａと移動軌跡Ｔｘとの対向距離δａ，δｃ，δｄも第１の磁石１１と同じである。

第２の磁石１２もＺ方向に着磁されて、対向面１２ａと背面１２ｂが着磁面となっている。ただし、第２の磁石１２の着磁方向は第１の磁石１１の着磁方向と１８０度反転しており、対向面１２ａがＳ極で背面１２ｂがＮ極である。

検知部２０には、少なくとも２個の磁気センサが搭載されている。第１の磁気センサは、感度軸Ｓｘが移動軌跡Ｔｘと平行に向けられており、移動軌跡Ｔｘと平行な向きの磁束密度を検知することができる。第２の磁気センサは、感度軸Ｓｚが移動軌跡Ｔｘと直交して向けられており、移動軌跡Ｔｘと直交する向きの磁束密度を検知することができる。磁気センサは、ホール素子または磁気抵抗効果素子などで構成されている。

検知部２０に設けられている第１の磁気センサと第２の磁気センサからの出力は検知回路２で検知され、それぞれの出力がＡ／Ｄ変換されて演算部３に与えられる。演算部３はＣＰＵとメモリなどから構成されている。

図１（Ｂ）に、本発明の位置検知装置１の検知動作の説明のためと比較のために従来の位置検知装置１０１が示されている。

この位置検知装置１０１は、第１の磁石１１１と第２の１１２が共に立方体形状であり、対向面１１１ａと対向面１１２ａが、共に移動軌跡Ｔｘと平行で且つ紙面に垂直な平面である。背面１１１ｂと背面１１２ｂは、対向面１１１ａと対向面１１２と平行な平面である。

第１の磁石１１１と第２の磁石１１２は共にＺ方向に着磁されており、第１の磁石１１１の対向面１１１ａがＮ極で、第２の磁石１１２の対向面１１２ａがＳ極である。そして、対向面１１１ａ，１１２ａと移動軌跡Ｔｘとの対向距離δａは、図１（Ａ）に示す各磁石１１，１２の対向面１１ａ，１２ａの中央部での対向距離δａと同じである。

図１（Ａ）に示す位置検知装置１では、第１の磁石１１の対向面１１ａから第２の磁石１２の対向面１２ａに至る磁場Ｈが形成され、図１（Ｂ）に示す位置検知装置１０１でも、第１の磁石１１１の対向面１１１ａから第２の磁石１１２の対向面１１２ａに至る磁場Ｈが形成されている。図１（Ａ）（Ｂ）では、磁場Ｈを形成する磁力線を破線で示している。

前記磁場Ｈの内部において、検知部２０が移動軌跡Ｔｘに沿って相対的に移動すると、検知部２０に搭載された感度軸Ｓｘを有する第１の磁気センサの検知出力と、感度軸Ｓｚを有する第２の磁気センサの検知出力が、正弦曲線と余弦曲線に近似した波形を示す。演算部３では、正弦曲線と余弦曲線に近似した変化出力からアークタンジェントが演算される。アークタンジェントの演算値はほぼ一次関数で変化するため、移動部１０と検知部２０の移動相対位置を測定することができる。

ここで、各磁石は高温になると発生する磁場が低下する減磁が生じることが知られている。本発明は、磁石が高温になると、磁石から出る磁界の磁束密度のうちのＸ方向に向かう成分（Ｂｘ）の減磁率と、Ｚ方向に向かう成分（Ｂｚ）の減磁率に相違が生じていることに着目してなされたものである。後に実施例と比較例を用いて説明するが、高温になったときの前記成分（Ｂｘ）の減磁率と前記成分（Ｂｚ）の減磁率との差は、対向面１１１ａ，１１１２ａのＸ方向の中央部から両端部に向かうにしたがって徐々に増大していく。

そのため、高温環境下において、演算部３で正弦曲線と余弦曲線との比から演算される前記アークタンジェントの計算値の誤差は、検知部２０の対向位置が、磁石１１１，１１２の中央部よりも両端部付近に至るにしたがって大きくなり、その結果、検知部２０の位置の測定値の直線性が低下することになる。

そこで、図１（Ａ）に示すように、本発明の実施の形態の位置検知装置１では、磁石１１，１２の対向面１１ａ，１２ａの形状として、Ｘ方向の両端部と移動軌跡Ｔｘとの対向距離δｃ，δｄを、中央部での対向距離δａよりも長くなるよう形成している。

図１（Ａ）に示す位置検知装置１では、検知部２０が、例えば第１の磁石１１の側面１１ｄの前方に対向する位置に至ると、対向面１１ａと移動軌跡Ｔｘとの対向距離δｄが広がるため、検知部２０で検出される磁束密度のＺ方向の成分（Ｂｚ）の感度が、対向面１１ａの中心部に対向しているときよりも低下する。この成分（Ｂｚ）の低下率は、検知部２０が側面１１ｄの前方に対向したときの磁束密度のＸ方向の成分（Ｂｘ）の感度の低下率よりも大きくなる。

さらに、対向面１１ａは、中央部から側面１１ｄに向かうにしたがって移動軌跡Ｔｘから徐々に後退する傾斜曲面となっている。そのため、第１の磁石１１の対向面１１ａから第２の磁石１２の対向面１２ａに向かう磁場Ｈは、対向面１１ａの右側の端部に向かうにしたがってＸ方向に傾きやすくなる。これによっても、検知部２０が側面１１ｄの前方に対向したときの、磁束密度のＺ方向の成分（Ｂｚ）の感度の低下率が、Ｘ方向の成分（Ｂｘ）の感度の低下率よりも大きくなる。

その結果、磁石が高温にさられて、側面１１ｄの前方における磁束密度のＸ方向の成分（Ｂｘ）が減衰したときに、これに伴うように、対向面１１ａの形状によって検知部２０で検知される磁束密度のＺ方向の成分（Ｂｚ）を低下させることができるようになる。よって、検知部２０で検知される感度軸Ｓｘを有する第１の磁気センサの検知出力と、感度軸Ｓｚを有する第２の磁気センサの検知出力との比に基づいて演算されるアークタンジェントの計算値は、検知部２０が対向面１１ａ，１２ａのＸ方向の中央部に対向しているときと、Ｘ方向の両端部に対向しているときとで、直線性を維持できるようになる。

そのためには、磁石１１，１２の対向面１１ａ，１２ａは、Ｘ方向の両端部が、中央部よりも移動軌跡Ｔｘから徐々に離れるように傾斜させることが必要である。さらに、対向面１１ａ，１２ａを突曲面形状とすることで、高温環境下で、両端部に向かうにしたがって磁束密度のＸ方向の成分（Ｂｘ）が減衰するときの減衰率と、Ｚ方向の成分（Ｂｚ）の減衰率を一致させやすくなる。

図２は本発明の第２の実施の形態の位置検知装置１Ａを示している。
この位置検知装置１Ａに使用されている第１の磁石１１と第２の磁石１２は図１（Ａ）に示した位置検知装置１に設けられているものと同じである。図２に示す位置検知装置１Ａは、磁石１１，１２を有する移動部１０が回転し、移動部１０と検知部２０との相対的な移動軌跡Ｔｘが円弧に沿っている。なお、この位置検知装置１Ａにおいても、磁石１１，１２が固定され、検知部２０が円弧の移動軌跡Ｔｘに沿って移動してもよい。

図２に示す位置検知装置１Ａでは、それぞれの磁石１１，１２の対向面１１ａ，１２ａは、中央部における円弧の移動軌跡Ｔｘとの対向距離δａよりも、移動軌跡に沿う両端部と移動軌跡Ｔｘとの対向距離δｃ，δｄの方が長くなっている。この実施の形態においても、高温環境下において、移動軌跡Ｔｘに沿う向きの検知出力と移動軌跡Ｔｘと直交する向きの検知出力の減少率の差を小さくすることができ直線性を維持できるようになる。

図３（Ａ）は本発明の第３の実施の形態の位置検知装置１Ｂを示している。この位置検知装置１Ｂに使用されている磁石１１Ｂは、対向面１１ａが、移動軌跡Ｔｘと平行な中央部の平面部（ｉ）と、その両側の傾斜平面（ｉｉ）とから構成されている。

図３（Ｂ）は本発明の第４の実施の形態の位置検知装置１Ｃを示している。この位置検知装置１Ｃに使用されている磁石１１Ｃは、対向面１１ａが、中央部の突曲面部（ｉｉｉ）と、その両側の傾斜平面（ｉｉ）とから構成されている。

この位置検知装置１Ｂ，１Ｃも、検知部２０が移動軌跡Ｔｘに沿って相対的に移動したときに、検知出力の直線性の誤差を小さくできる。

なお、本発明の位置検知装置は、図４（Ａ）に示すように磁石が１個のみ使用されているものであってもよいし、図４（Ｃ）に示すように磁石が３個以上使用されているものであってもよい。

図４（Ａ）は実施例１であり、１個の磁石１１が検知部２０の相対的な移動軌跡Ｔｘに対向している。図４（Ｂ）は実施例２であり、２個の磁石１１，１２が検知部２０の相対的な移動軌跡Ｔｘに対向している。図４（Ｃ）は実施例３であり、３個の磁石１１，１２，１３が検知部２０の相対的な移動軌跡Ｔｘに対向している。

磁石１１，１２，１３の対向面１１ａ，１２ａ，１３ａは、移動軌跡Ｔｘに沿う方向へ曲率を有する突曲面であり、その曲率半径がＲで示されている。

図５（Ａ）は比較例１であり、１個の磁石１１１が検知部２０の相対的な移動軌跡Ｔｘに対向している。図５（Ｂ）は比較例２であり、２個の磁石１１１，１１２が検知部２０の相対的な移動軌跡Ｔｘに対向している。図５（Ｃ）は比較例３であり、３個の磁石１１１，１１２，１１３が検知部２０の相対的な移動軌跡Ｔｘに対向している。

磁石１１１，１１２，１１３の対向面１１１ａ，１１２ａ，１１３ａは、全て平面である。

実施例の磁石１１，１２，１３と比較例の磁石１１１，１１２，１１３は、希土類系（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系）の射出成型磁石である。

実施例の磁石１１，１２，１３と比較例の磁石１１１，１１２，１１３の寸法は、いずれも高さＨｍが６ｍｍ、移動軌跡Ｔｘに沿う方向の長さＬが９ｍｍ、移動軌跡Ｔｘと直交する方向の幅寸法Ｗが９ｍｍである。磁石１１，１２，１３の対向面１１ａ，１２ａ，１３ａの曲率半径Ｒは９ｍｍである。実施例の磁石１１，１２，１３の対向面の中心部と移動軌跡Ｔｘの対向距離δａおよび比較例の磁石１１１，１１２，１１３の各対向面と移動軌跡Ｔｘとの対向距離δａ、すなわち、それぞれの磁石と移動軌跡Ｔｘとの対向距離の最短値はいずれも３．５５ｍｍである。

図４（Ｂ）の実施例２と図５（Ｂ）の比較例２における磁石間距離Ｓ１は１７ｍｍであり、図４（Ｃ）の実施例３と図５（Ｃ）の比較例３における磁石間距離Ｓ２は１８ｍｍである。

図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は各実施例における検知部２０の移動位置と出力の直線性の誤差を示している。図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は各比較例における検知部２０の移動位置と出力の直線性の誤差を示している。

図６の各図と図７の各図の横軸は、移動軌跡Ｔｘに沿う磁石と検知部２０との相対位置を示している。

図６（Ａ）は実施例１のシミュレーション結果であり、横軸の原点「０」は、図４（Ａ）に示すように検知部２０が磁石１１の中心に対向する位置である。図６（Ｂ）は実施例２の測定結果であり、横軸の原点「０」は、図４（Ｂ）に示すように検知部２０が２つの磁石１１，１２の中間に対向する位置である。図６（Ｃ）は実施例３の測定結果であり、横軸の原点「０」は、図４（Ｃ）に示すように検知部２０が中央の磁石１１の中心に対向する位置である。

図７（Ａ）は比較例１の測定結果であり、横軸の原点「０」は、図５（Ａ）に示すように検知部２０が磁石１１１の中心に対向する位置である。図７（Ｂ）は比較例２の測定結果であり、横軸の原点「０」は、図５（Ｂ）に示すように検知部２０が２つの磁石１１１，１１２の中間に対向する位置である。図７（Ｃ）は比較例３の測定結果であり、横軸の原点「０」は、図５（Ｃ）に示すように検知部２０が中央の磁石１１１の中心に対向する位置である。

図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）と図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）では、環境温度が１５０℃での特性が実線で示され、環境温度が−４０℃での特性が破線で示されている。

図６の各図と図７の各図の縦軸は、検知部２０に搭載された感度軸Ｓｘを有する第１の磁気センサの検知出力と、感度軸Ｓｚを有する第２の磁気センサの検知出力に基づいて演算されたアークタンジェントの計算値（ＡＴＡＮ）の誤差を示している。すなわち、２０℃の常温でのアークタンジェントの計算値（ＡＴＡＮ）と１５０℃でのアークタンジェントの計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が実線で示され、２０℃の常温でのアークタンジェントの計算値（ＡＴＡＮ）と−４０℃でのアークタンジェントの計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が破線で示されている。

図７の各比較例では、高温環境になると、検知部２０が磁石の両端部に対向するときにアークタンジェントの計算値の誤差が大きくなり、位置検出の直線性が損なわれるのに対し、図８の各実施例では、誤差を抑えることができ直線性が改善されているのが分かる。

図６（Ａ）と図７（Ａ）において、検知部２０の相対的な移動量を±３．５ｍｍの範囲とすると、図７（Ａ）に示す比較例１では、計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が０．２４ｄｅｇなのに対し、図６（Ａ）に示す実施例１では、計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が０．０３ｄｅｇ程度である。

図６（Ｂ）と図７（Ｂ）において、検知部２０の相対的な移動量を±７．５ｍｍの範囲とすると、図７（Ｂ）に示す比較例２では、計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が０．２１ｄｅｇなのに対し、図７（Ｂ）に示す実施例２では、計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が０．０６ｄｅｇである。

図６（Ｃ）と図７（Ｃ）において、検知部２０の相対的な移動量を±１７ｍｍの範囲とすると、図７（Ｃ）に示す比較例３では、計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が０．２５ｄｅｇなのに対し、図６（Ｃ）に示す実施例３では、計算値（ＡＴＡＮ）との差（ｄｅｇ）が０．０７ｄｅｇである。

図８は、図４（Ｂ）に示す実施例２を変形させた実施例２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄに関するシミュレーション結果である。図８（Ａ）の実施例２Ａは、磁石の対向面の曲率半径Ｒが４．５ｍｍ、図８（Ｂ）の実施例２ＢはＲが６．０ｍｍ、図（Ｃ）の実施例２ＣはＲが９．０ｍｍ、図８（Ｄ）の実施例２Ｄは、Ｒが１２ｍｍである。

実施例２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄは、いずれも図７に示す比較例２に比較してアークタンジェントの計算値の直線性が改善されている。ただし、Ｒを６．０ｍｍの範囲から１２ｍｍの範囲にすると計算値の直線性の改善効果が非常に高くなる。磁石の対向面と移動軌跡Ｔｘとの距離は３．５５ｍｍであるから、Ｒ／δａの比は、１．７以上で３．４以下の範囲が好ましい。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ 位置検知装置
１０ 移動部
１１ 第１の磁石
１１ａ 対向面
１２ 第２の磁石
１２ａ 対向面
１３ 磁石
１３ａ 対向面
２０ 検知部
１１１，１１２，１１３ 磁石
１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ 対向面

Claims (5)

1. 検知部と、前記検知部に対向する磁石とを有し、前記検知部と前記磁石とが相対的に移動する位置検知装置において、
   前記磁石は、前記検知部の相対的な移動軌跡と直交する向きに着磁されて、前記検知部には、前記磁石から出る磁束のうちの前記移動軌跡と平行な成分を検知する磁気センサと前記移動軌跡と直交する成分を検知する磁気センサとが設けられており、
   前記磁石は、前記移動軌跡に沿って複数個設けられ、それぞれ前記移動軌跡に対向する対向面を有し、前記対向面は、前記移動軌跡に沿う方向の両端部が、中央部よりも前記移動軌跡から遠ざかる位置に形成され、隣り合う前記磁石の前記対向面が逆極性に着磁されていることを特徴とする位置検知装置。
2. 前記対向面は、前記移動軌跡に沿う方向に曲率を有する突曲面である請求項１記載の位置検知装置。
3. 前記曲率の半径は、前記対向面と前記移動軌跡との最短距離の１．７倍以上で３．４倍以下である請求項１または２記載の位置検知装置。
4. 前記移動軌跡は直線である請求項１ないし３のいずれかに記載の位置検知装置。
5. 前記移動軌跡は円弧である請求項１ないし３のいずれかに記載の位置検知装置。

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