JP6503281B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）を処理する基板処理装置に関する。

従来、この種の装置として、処理部と気体供給部と気体排出部を備える装置がある。処理部は、水平方向に並ぶ第１処理ユニットと第２処理ユニットを備える。気体供給部は、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットに一括して気体を供給する。気体排出部は、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットから一括して気体を排出する。

気体供給部は、給気ダンパと給気ユニットとを備えている。給気ダンパは、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットに対する気体の供給量を一律に調整する。給気ユニットは、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットの両方に気体を吹き出す。

気体排出部は、排気ユニットと排気ダンパを備えている。排気ユニットは、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットの両方から気体を排出する。排気ダンパは、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットからの気体の排出量を一律に調整する（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０−８７１１６号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。

第１処理ユニットに供給する気体の供給量と第２処理ユニットに供給する気体の供給を個別に変更できない。例えば、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットがそれぞれ基板に処理を行う期間がずれている場合、第１処理ユニットと第２処理ユニットに適時に適量の気体を供給できない。このため、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットの各処理品質を向上させることが困難である。

第１処理ユニットから排出する気体の排出量と第２処理ユニットから排出する気体の排出量を個別に変更できない。このため、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットの各処理品質を向上させることが困難である。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、複数の処理ユニットにおける処理品質をそれぞれ向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板に液処理を行う複数の液処理ユニットと、各液処理ユニットに対応して個別に設けられ、１つの前記液処理ユニットのみに供給量を可変に気体を供給する複数の個別給気部と、を備えている基板処理装置である。

［作用・効果］本発明に係る基板処理装置は、複数の液処理ユニットと、各液処理ユニットに個別に関連付けられる個別給気部を備えている。液処理ユニットは、基板に処理液を供給する液処理を行う。個別給気部は、対応する液処理ユニットに気体を供給する。さらに、個別給気部は、液処理ユニットに対する気体の供給量を調整可能である。したがって、液処理ユニットごとに、液処理ユニットに対する気体の供給量を変えることができる。これにより、各液処理ユニットに、適切なタイミングで、適切な量の気体を供給できる。よって、各液処理ユニットにおける処理品質を好適に向上させることができる。

上述した発明において、前記個別給気部は、前記液処理ユニットに対する気体の供給量を調整する給気調整部を備えていることが好ましい。個別給気部は、給気調整部を備えているので、液処理ユニットに対する気体の供給量を好適に調整できる。

上述した発明において、略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の前記液処理ユニットに対応して個別に設けられ、前記一群の前記液処理ユニットに対応する複数の前記個別給気部のみに気体を分配する分配管を備えていることが好ましい。略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の液処理ユニットに対応する複数の前記個別給気部は、同じ前記分配管と接続している。ただし、このような関係を有しない個別給気部同士は、同じ前記分配管に接続されていない。例えば、略水平方向に隣り合うように配置されている複数の前記液処理ユニットに対応する複数の前記個別給気部は、同じ前記分配管に接続されていない。よって、同じ分配管に接続される複数の個別給気部の形状、寸法、向きなどを容易に揃えることができる。その結果、同じ分配管に接続される複数の個別給気部の間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。ここで、「気体の供給量が干渉する」とは、例えば、一部の個別給気部の気体の供給量を意図的に変更したときに、他の個別給気部の気体の供給量が意図せずに変動してしまうことをいう。また、分配管は２つ以上の個別給気部に気体を供給するので、個別給気部を小型化できる。

上述した発明において、複数の前記個別給気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに分離されていることが好ましい。換言すれば、複数の前記個別給気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに直接的または間接的に接続されていないことが好ましい。このような個別給気部の構成によれば、仮に個別給気部が給気調整部を備えていなくても、外部機器（例えば、基板処理装置の外部に設置され、気体を供給するための給気用外部機器）を用いて、液処理ユニットに対する気体の供給量を液処理ユニットごとに変更できる。すなわち、個別給気部が給気調整部を備えているか否かに関わらず、気体の供給量を液処理ユニットごとに好適に変更できる。

上述した発明において、前記個別給気部は、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための給気ポートと、前記給気ポートに連結され、気体を通じる給気管と、を備えていることが好ましい。個別給気部は個別給気ポートを備えているので、外部機器と個別給気部を容易に接続できる。個別給気部は給気管を備えているので、外部機器と液処理ユニットを好適に接続できる。ここで、外部機器は、より厳密に言えば、給気用外部機器である。

上述した発明において、前記個別給気部に個別に接続され、１つの前記液処理ユニットのみに気体を吹き出す複数の吹出ユニットを備えていることが好ましい。基板処理装置は吹出ユニットを備えているので、各液処理ユニットに気体を好適に供給できる。

上述した発明において、前記個別給気部は、対応する前記吹出ユニットと接続する給気管を備え、略水平方向に隣り合う複数の前記吹出ユニットのそれぞれと接続する複数の前記給気管は、前記吹出ユニットから互いに異なる方向に向かって延びていることが好ましい。略水平方向に隣り合う複数の吹出ユニットと接続する複数の個別給気部を、好適に分離できる。その結果、略水平方向に隣り合う複数の吹出ユニットと接続する複数の個別給気部の間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。

なお、給気管と吹出ユニットは、直接的に接続されていてもよいし、間接的に接続されていてもよい。

上述した発明において、前記個別給気部が液処理ユニットに供給する気体の供給量を制御する制御部を備え、前記制御部は、各液処理ユニットに対する気体の供給量を個別に変化させることが好ましい。各液処理ユニットが基板に行う液処理の品質を好適に向上させることができる。

上述した発明において、
前記制御部は、前記液処理ユニットが液処理を行っているときに前記液処理ユニットに対する気体の供給量を変化させることが好ましい。
液処理ユニットにおける処理品質を一層好適に向上させることができる。

上述した発明において、各液処理ユニットに対応して個別に設けられ、１つの前記液処理ユニットのみから排出量を可変に気体を排出する個別排気部を備えることが好ましい。基板処理装置は、各液処理ユニットに個別に関連付けられる個別排気部を備えている。個別排気部は、対応する液処理ユニットから気体を排出する。さらに、個別排気部は、液処理ユニットからの気体の排出量を調整可能である。したがって、液処理ユニットごとに、液処理ユニットからの気体の排出量を変えることができる。これにより、各液処理ユニットから、適切なタイミングで、適切な量の気体を排出できる。よって、各液処理ユニットにおける処理品質を好適に向上させることができる。

また、本発明は、基板に液処理を行う複数の液処理ユニットと、各液処理ユニットに対応して個別に設けられ、１つの前記液処理ユニットのみから排出量を可変に気体を排出する個別排気部と、を備える基板処理装置である。

［作用・効果］本発明に係る基板処理装置は、複数の液処理ユニットと、各液処理ユニットに個別に関連付けられる個別排気部を備えている。液処理ユニットは、基板に処理液を供給する液処理を行う。個別排気部は、対応する液処理ユニットから気体を排出する。さらに、個別排気部は、液処理ユニットからの気体の排出量を調整可能である。したがって、液処理ユニットごとに、液処理ユニットからの気体の排出量を変えることができる。これにより、各液処理ユニットから、適切なタイミングで、適切な量の気体を排出できる。よって、各液処理ユニットにおける処理品質を好適に向上させることができる。

上述した発明において、前記個別排気部は、前記液処理ユニットからの気体の排出量を調整する排気調整部を備えていることが好ましい。個別排気部は、排気調整部を備えているので、液処理ユニットからの気体の排出量を好適に調整できる。

上述した発明において、略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の前記液処理ユニットに対応して個別に設けられ、前記一群の前記液処理ユニットに対応する複数の前記個別排気部のみから気体を回収する集合管を備えていることが好ましい。略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の前記液処理ユニットに対応する複数の前記個別排気部は、同じ前記集合管に接続されている。ただし、このような関係を有しない個別排気部同士は、同じ前記集合管に接続されていない。例えば、略水平方向に隣り合う複数の前記液処理ユニットに対応する複数の前記個別排気部は、同じ前記集合管に接続されていない。よって、同じ集合管に接続される複数の個別排気部の形状、寸法、向きなどを容易に揃えることができる。その結果、同じ集合管に接続される複数の個別排気部の間で、気体の排出量が干渉することを好適に防止できる。ここで、「気体の排出量が干渉する」とは、例えば、一部の個別給気部の気体の排出量を意図的に変更したときに、他の個別排出部の気体の排出量が意図せずに変動してしまうことをいう。また、集合管は２つ以上の個別排気部から気体を回収するので、個別排気部を小型化できる。

上述した発明において、複数の前記個別排気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに分離されていることが好ましい。換言すれば、複数の前記個別排気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに直接的または間接的に接続されていないことが好ましい。このような個別排気部の構成によれば、仮に個別排気部が排気調整部を備えていなくても、外部機器（例えば基板処理装置の外部に設置され、気体を排出するための排気用外部機器）を用いて、液処理ユニットからの気体の排出量を液処理ユニットごとに好適に変更できる。すなわち、個別排気部が排気調整部を備えているか否かに関わらず、気体の排出量を液処理ユニットごとに好適に変更できる。

上述した発明において、前記個別排気部は、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための排気ポートと、前記排気ポートに連結され、気体を通じる排気管と、を備えていることが好ましい。個別排気部は個別排気ポートを備えているので、外部機器と個別排気部を容易に接続できる。個別排気部は排気管を備えているので、外部機器と液処理ユニットを好適に接続できる。ここで、外部機器は、より厳密に言えば、排気用外部機器である。

上述した発明において、前記液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲むカップを備え、前記個別排気部は、対応する前記液処理ユニットが有するカップ内の気体を排出することが好ましい。これによれば、個別排気部は、液処理ユニットから気体を好適に排出できる。

上述した発明において、前記個別排気部は、対応する前記液処理ユニットのカップと接続する排気管を備え、略水平方向に隣り合う複数の前記カップのそれぞれと接続する複数の前記排気管は、前記カップから互いに異なる方向に向かって延びていることが好ましい。略水平方向に隣り合う複数のカップと接続する複数の個別排気部を、好適に分離できる。その結果、略水平方向に隣り合う複数のカップと接続する複数の個別排気部の間で、気体の排出量が干渉することを好適に防止できる。

なお、排気管とカップは、直接的に接続されていてもよいし、間接的に接続されていてもよい。

上述した発明において、前記個別排気部が液処理ユニットから排出する気体の排出量を制御する制御部を備え、前記制御部は、各液処理ユニットからの気体の排出量を個別に変化させることが好ましい。各液処理ユニットが基板に行う液処理の品質を好適に向上させることができる。

上述した発明において、前記制御部は、前記液処理ユニットが液処理を行っているときに前記液処理ユニットからの気体の排出量を変化させることが好ましい。液処理ユニットにおける処理品質を一層好適に向上させることができる。

上述した発明において、少なくとも２つ以上の前記液処理ユニットを収容するチャンバーを備えており、同じ前記チャンバーに収容されている各液処理ユニットは、基板に同種の液処理を行うことが好ましい。２以上の液処理ユニットが同じチャンバー内に配置され、同種の液処理を行う場合であっても、各液処理ユニットに対する気体の供給量または各液処理ユニットからの気体の排出量の少なくともいずれかを個別に調整する。これにより、各液処理ユニットの処理品質を一層好適に向上させることができる。ここで、「同種の液処理」とは、例えば、同じ処理液を基板に供給する処理である。

なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。

（１）上述した発明において、略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の前記吹出ユニットに対応して個別に設けられ、前記一群の前記吹出ユニットに対応する複数の前記個別給気部のみに気体を分配する分配管を備えていることが好ましい。

前記（１）に記載の発明によれば、略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の前記吹出ユニットに対応する複数の前記個別給気部は、同じ前記分配管に接続されている。ただし、このような関係を有しない個別給気部同士は、同じ前記分配管に接続されていない。例えば、略水平方向に隣り合うように配置されている複数の前記吹出ユニットに対応する複数の前記個別給気部は、同じ前記分配管に接続されていない。よって、同じ分配管に接続される複数の個別給気部の形状、寸法、向きなどを容易に揃えることができる。よって、同じ分配管に接続される複数の個別給気部の間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。

（２）上述した発明において、前記分配管は、一群の前記液処理ユニットの側方において、上下方向に延びるように設置されていることが好ましい。

前記（２）に記載の発明によれば、一群の液処理ユニットに含まれる各液処理ユニットは、一群の液処理ユニットに対応する分配管から見て略同じ方向に位置しており、かつ、分配管から略同じ距離だけ離れている。よって、同じ分配管に接続される複数の個別給気部の形状、寸法、向きなどを一層容易に揃えることができる。

（３）上述した発明において、前記制御部は、各液処理ユニットの動作に応じて、各液処理ユニットに対する気体の供給量を個別に変化させることがこのましい。

前記（３）に記載の発明によれば、各液処理ユニットの処理品質を一層好適に向上させることができる。ここで、「液処理ユニットの動作」とは、例えば、液処理を行うことや、液処理を行わずに待機することを含む。さらに、前者（すなわち、「液処理」の動作）は、例えば、液処理を開始すること、液処理を終了すること、または、液処理の実行中における各種の動作を含む。後者（すなわち、「待機」の動作）は、例えば、液処理ユニットに対して基板を搬入すること、液処理ユニットから基板を搬出すること、液処理ユニットが静止／停止することなどを含む。

（４）上述した発明において、前記液処理ユニットが液処理を行っているとき、前記制御部は、液処理の開始時刻からの経過時間および液処理の処理条件の少なくともいずれかに基づいて、前記液処理ユニットに対する気体の供給量を変化させることが好ましい。

前記（４）に記載の発明によれば、適切なタイミングで適切な量の気体を液処理ユニットに供給できる。ここで、「液処理の処理条件」は、例えば、処理液の吐出タイミング、処理液の吐出量、基板の回転速度などである。

（５）上述した発明において、略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の前記カップに対応して個別に設けられ、前記一群の前記カップに対応する複数の前記個別排気部のみから気体を回収する集合管を備えていることが好ましい。

前記（５）に記載の発明によれば、略上下方向に１列に並ぶように配置されている一群の前記カップに対応する複数の前記個別排気部は、同じ前記集合管に接続されている。ただし、このような関係を有しない個別排気部同士は、同じ前記集合管に接続されていない。例えば、略水平方向に隣り合う複数の前記カップに対応する複数の前記個別排気部は、同じ前記集合管に接続されていない。よって、同じ集合管に接続される複数の個別排気部の形状、寸法、向きなどを容易に揃えることができる。よって、同じ集合管に接続される複数の個別給気部の間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。

（６）上述した発明において、前記集合管は、一群の前記液処理ユニットの側方において上下方向に延びるように設置されていることが好ましい。

前記（６）に記載の発明によれば、一群の液処理ユニットに含まれる各液処理ユニットは、集合管から見て、略同じ方向に位置している。なおかつ、一群の液処理ユニットに含まれる各液処理ユニットは、集合管から略同じ距離だけ離れている。よって、同じ集合管と接続する複数の個別排気部の形状、寸法、向きなどを一層容易に揃えることができる。

（７）上述した発明において、前記制御部は、各液処理ユニットの動作に応じて、各液処理ユニットからの気体の排出量を個別に変化させることがこのましい。

前記（７）に記載の発明によれば、各液処理ユニットの処理品質を一層好適に向上させることができる。

（８）上述した発明において、前記液処理ユニットが液処理を行っているとき、前記制御部は、液処理の開始時刻からの経過時間および液処理の処理条件の少なくともいずれかに基づいて、前記液処理ユニットからの気体の排出量を変化させることが好ましい。

前記（８）に記載の発明によれば、適切なタイミングで適切な量の気体を液処理ユニットから排出できる。

本発明に係る基板処理装置によれば、各液処理ユニットにおける処理品質を向上させることができる。

実施例に係る基板処理装置の平面図である。 図１における矢視ａ−ａの側面図である。 図１における矢視ｂ−ｂの正面図である。 図１における矢視ｃ−ｃの側面図である。 図１における矢視ｄ−ｄの側面図である。 主搬送機構の斜視図である。 液処理ユニット、個別給気部および個別排気部を示す詳細な側面図である。 液処理ユニットに対する給気・排気の系統図である。 基板処理装置１の制御ブロック図である。 基板の搬送経路を例示する図である。 各搬送機構がアクセスする載置部および処理ユニットの順番を例示する図である。 液処理ユニットの動作と、液処理ユニットに関連する気体の供給量および排出量の関係を例示するグラフである。 変形実施例に係る個別給気部および個別排気部を示す詳細な側面図である。 変形実施例に係る個別給気部および個別排気部を示す詳細な側面図である。 変形実施例に係る個別給気部および個別排気部を示す詳細な側面図である。

以下、図面を参照して本発明に係る実施例を説明する。

基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。ここで、「基板」とは、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、プラズマディスプレイ用の基板、光ディスク用の基板、磁気ディスク用の基板、光磁気ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）をいう。

＜１．基板処理装置の概要＞
図１は、実施例に係る基板処理装置の平面図である。

基板処理装置１は、インデクサ部１１と処理部１７とインターフェイス部１９とを備える。インデクサ部１１は、処理部１７と接続しており、処理部１７に基板Ｗを供給する。処理部１７は基板Ｗに処理液を供給する液処理などを行う。インターフェイス部１９は処理部１７と接続している。インターフェイス部１９は、さらに、基板処理装置１とは別体の露光機ＥＸＰと接続している。インターフェイス部１９は、処理部１７と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う。

インデクサ部１１、処理部１７、インターフェイス部１９及び露光機ＥＸＰは、この順番で、一列に並ぶように配置されている。

本明細書では、インデクサ部１１、処理部１７およびインターフェイス部１９が並ぶ方向を「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。特に、インターフェイス部１９からインデクサ部１１に向かう方向を「前方ＸＦ」と呼び、前方ＸＦとは反対の方向を「後方ＸＢ」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平な方向を、「幅方向Ｙ」と呼ぶ。さらに、「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方ＹＲ」とよび、右方ＹＲとは反対の他方向を「左方ＹＬ」と呼ぶ。垂直な方向を「上下方向Ｚ」と呼ぶ。なお、単に「側方」や「横方向」と記載するときは、前後方向Ｘおよび幅方向Ｙのいずれにも限定されない。

処理部１７は、２つの処理ブロックＢＡ、ＢＢを備えている。処理ブロックＢＡ、ＢＢはそれぞれ、基板Ｗに液処理などを行う。処理ブロックＢＡと処理ブロックＢＢは、互いに前後方向Ｘに並ぶように配置されている。処理ブロックＢＡと処理ブロックＢＢは接続しており、相互に基板Ｗを搬送可能である。インデクサ部１１は、処理ブロックＢＡと接続している。インターフェイス部１９は、処理ブロックＢＢと接続している。

＜インデクサ部１１＞
図１、図２を参照する。図２は、図１における矢視ａ−ａの側面図である。
インデクサ部１１は、キャリア載置部１２と搬送スペースＡＩＤとインデクサ用搬送機構ＴＩＤを備えている。

キャリア載置部１２はキャリアＣを載置する。キャリアＣは、例えば不図示の外部搬送機構によってキャリア載置部１２上に搬送される。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）が例示される。

搬送スペースＡＩＤは、キャリア載置部１２の後方ＸＢに設けられている。搬送スペースＡＩＤには、インデクサ用搬送機構ＴＩＤが設置されている。インデクサ用搬送機構ＴＩＤは、キャリアＣから基板Ｗを搬出し、かつ、キャリアＣに基板Ｗを搬入する。また、インデクサ用搬送機構ＴＩＤは、処理部１７に基板Ｗを渡し、かつ、処理部１７から基板Ｗを受け取る。

インデクサ用搬送機構ＴＩＤは、いわゆる搬送ロボットである。例えば、インデクサ用搬送機構ＴＩＤは、基板Ｗを保持する２つのハンド１３と、各ハンド１３を駆動するハンド駆動機構１４とを備えている。各ハンド１３は、それぞれ１枚の基板Ｗを保持する。ハンド駆動機構１４は、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび上下方向Ｚにハンド１３を移動させ、かつ、上下方向Ｚを中心にハンド１３を回転させる。これにより、ハンド１３は、キャリアＣおよび処理ブロックＢＡにアクセスする。

＜処理ブロックＢＡの基本的な構造＞
図１を参照する。処理ブロックＢＡは、基板Ｗを搬送するための搬送スペースＡＡを備えている。搬送スペースＡＡは、平面視で、処理ブロックＢＡの幅方向Ｙ中央に配置されている。搬送スペースＡＡは平面視で、前後方向Ｘに延びている。

図２、図３を参照する。図３は、図１における矢視ｂ−ｂの正面図である。搬送スペースＡＡは、互いに上下方向Ｚに並ぶ複数の分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２に区分されている。分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。

分割搬送スペースＡＡ１には、主搬送機構ＴＡ１が設置されている。分割搬送スペースＡＡ２には、主搬送機構ＴＡ２が設置されている。主搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２はそれぞれ基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＡ１は、分割搬送スペースＡＡ１内を動き、他の分割搬送スペースＡＡ２に及ばない。同様に、主搬送機構ＴＡ２は、分割搬送スペースＡＡ２内を動き、他の分割搬送スペースＡＡ１に及ばない。

図１、図３、図４を参照する。図４は、図１における矢視ｃ−ｃの側面図である。処理ブロックＢＡは、複数（例えば８つ）の液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈを備えている。液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈは、搬送スペースＡＡの右方に配置されている。

液処理ユニットＳＵは、略水平方向（例えば前後方向Ｘ）および略上下方向Ｚに行列状に配置されている。具体的には、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂは略水平方向に並ぶ。同様に、液処理ユニットＳＵｃ、ＳＵｄは略水平方向に並び、液処理ユニットＳＵｅ、ＳＵｆは略水平方向に並び、液処理ユニットＳＵｇ、ＳＵｈは略水平方向に並ぶ。液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇは略上下方向Ｚに１列に並ぶ。液処理ユニットＳＵｂ、ＳＵｄ、ＳＵｆ、ＳＵｈは略上下方向Ｚに１列に並ぶ。液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｄは分割搬送スペースＡＡ１の側方（右方）に位置する。液処理ユニットＳＵｅ−ＳＵｈは分割搬送スペースＡＡ２の側方（右方）に位置する。

各液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈは液処理を行う。各液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈが行う液処理は、基板Ｗに処理液を塗布して、基板Ｗの表面に塗膜を形成する塗布処理である。

より詳しくは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、ＳＵｅ、ＳＵｆは、基板Ｗに反射防止膜材料を塗布し、基板Ｗの表面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成処理を行う。すなわち、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、ＳＵｅ、ＳＵｆは、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣである。液処理ユニットＳＵｃ、ＳＵｄ、ＳＵｇ、ＳＵｈは、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布し、基板Ｗの表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理を行う。すなわち、液処理ユニットＳＵｃ、ＳＵｄ、ＳＵｇ、ＳＵｈは、レジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴである。

処理ブロックＢＡは、複数の液処理ユニットＳＵを収容するチャンバーＣＨａ、ＣＨｂ、ＣＨｃ、ＣＨｄを備えている。チャンバーＣＨａ−ＣＨｄは、搬送スペースＡＡの側方（右方）に配置されている。チャンバーＣＨａ−ＣＨｄは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。チャンバーＣＨａは液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂを収容する。液処理ユニットＳＵａと液処理ユニットＳＵｂは、隔てられることなく、互いに略水平方向に隣り合う。同様に、チャンバーＣＨｂは液処理ユニットＳＵｃ、ＳＵｄを収容し、チャンバーＣＨｃは液処理ユニットＳＵｅ、ＳＵｆを収容し、チャンバーＣＨｄは液処理ユニットＳＵｇ、ＳＵｈを収容する。

同じチャンバーＣＨ内に設置されている複数の液処理ユニットＳＵはそれぞれ、同じ空間内で処理を行う。各チャンバーＣＨａ−ＣＨｄにおいては、反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理のいずれか一方のみが行われる。すなわち、同じチャンバーＣＨ内に設置されている２つの液処理ユニットＳＵが行う液処理は、同じである。

図１、図３、図５を参照する。図５は、図１における矢視ｄ−ｄの側面図である。処理ブロックＢＡは、各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬを備えている。熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬは、搬送スペースＡＡの左方に配置されている。

熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬは、前後方向Ｘおよび上下方向Ｚに行列状に配置されている。熱処理ユニットＣＰは、分割搬送スペースＡＡ１の側方に設けられる熱処理ユニットＣＰａと、分割搬送スペースＡＡ２の側方に設けられる熱処理ユニットＣＰｂを含む。熱処理ユニットＰＨＰ、ＡＨＬもそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１の側方に設けられる熱処理ユニットＰＨＰａ、ＡＨＬａと、分割搬送スペースＡＡ２の側方に設けられる熱処理ユニットＰＨＰｂ、ＡＨＬｂを含む。好ましくは、分割搬送スペースＡＡ１に対する熱処理ユニットＣＰａの配置は、分割搬送スペースＡＡ２に対する熱処理ユニットＣＰｂの配置と等しい。分割搬送スペースＡＡ１に対する熱処理ユニットＰＨＰａ、ＡＨＬａの配置もそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ２に対する熱処理ユニットＰＨＰｂ、ＡＨＬｂの配置と等しいことが好ましい。

各熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬは、基板Ｗに熱処理を行う。具体的には、熱処理ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却する冷却処理を行う。熱処理ユニットＰＨＰは、基板Ｗを加熱し、引き続いて基板Ｗを冷却する加熱冷却処理を行う。熱処理ユニットＡＨＬは、基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理する疎水化処理を行う。熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ、基板Ｗを載置するプレート２０などを備えている。

主搬送機構ＴＡ１は、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｄと熱処理ユニットＣＰａ、ＰＨＰａ、ＡＨＬａに基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＡ２は、液処理ユニットＳＵｅ−ＳＵｈと熱処理ユニットＣＰｂ、ＰＨＰｂ、ＡＨＬｂに基板Ｗを搬送する。

以上の説明から明らかなとおり、処理ブロックＢＡは、上下方向に並ぶ複数（例えば２つ）の階層Ｋａ、Ｋｂを含む階層構造を有する。階層Ｋａには、主搬送機構ＴＡ１と、主搬送機構ＴＡ１が基板Ｗを搬送する液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｄおよび熱処理ユニットＣＰａ、ＰＨＰａ、ＡＨＬａが設置されている。階層Ｋｂには、主搬送機構ＴＡ２と、主搬送機構ＴＡ２が基板Ｗを搬送する液処理ユニットＳＵｅ−ＳＵｈおよび熱処理ユニットＣＰｂ、ＰＨＰｂ、ＡＨＬｂが設置されている。各階層Ｋａ、Ｋｂは、互いに独立して、基板Ｗの搬送と基板Ｗに対する処理を行う。

図１、２を参照する。基板処理装置１は、基板Ｗを載置する載置部ＰＡａＳ、ＰＡａＲ、ＰＡｂＳ、ＰＡｂＲを備えている。載置部ＰＡａＳ、ＰＡａＲ、ＰＡｂＳ、ＰＡｂＲは、インデクサ部１１と処理ブロックＢＡとの間に配置されている。具体的には、載置部ＰＡａＳ、ＰＡａＲは、搬送スペースＡＩＤと分割搬送スペースＡＡ１に跨がって設置されている。載置部ＰＡｂＳ、ＰＡｂＲは、搬送スペースＡＩＤと分割搬送スペースＡＡ２とに跨がって設置されている。載置部ＰＡａＳ、ＰＡａＲ、ＰＡｂＳ、ＰＡｂＲはそれぞれ、基板Ｗを載置するプレート１５などを備えている。

インデクサ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構ＴＡ１は、載置部ＰＡａＳ、ＰＡａＲを使って、基板Ｗを相互に受け渡す。特に、載置部ＰＡａＳは、インデクサ用搬送機構ＴＩＤが主搬送機構ＴＡ１に基板Ｗを渡すときに使用され、載置部ＰＡａＲはインデクサ用搬送機構ＴＩＤが主搬送機構ＴＡ１から基板Ｗを受け取るときに使用される。同様に、インデクサ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構ＴＡ２は、載置部ＰＡｂＳ、ＰＡｂＲを使って、基板Ｗを相互に受け渡す。

＜処理ブロックＢＢの基本的な構造＞
処理ブロックＢＢの構成について説明する。処理ブロックＢＢは、処理ブロックＢＡと類似する構造を有するので、処理ブロックＢＢの説明を適宜に省略する。

図１を参照する。処理ブロックＢＢは搬送スペースＡＢを備えている。搬送スペースＡＢは、平面視で、処理ブロックＢＢの幅方向Ｙ中央に配置されている。搬送スペースＡＢは、搬送スペースＡＡとつながっている。

図２を参照する。搬送スペースＡＢは、互いに上下方向Ｚに並ぶ複数の分割搬送スペースＡＢ１、ＡＢ２に区分されている。分割搬送スペースＡＢ１は、分割搬送スペースＡＡ１と同じ高さ位置に配置されている。分割搬送スペースＡＢ２は、分割搬送スペースＡＡ２と同じ高さ位置に配置されている。

処理ブロックＢＢは、主搬送機構ＴＢ１、ＴＢ２を備えている。主搬送機構ＴＢ１は分割搬送スペースＡＢ１に設置されている。主搬送機構ＴＢ２は、分割搬送スペースＡＢ２に設置されている。

載置部ＰＡｃＳ、ＰＡｃＲ、ＰＡｄＳ、ＰＡｄＲは、処理ブロックＢＡと処理ブロックＢＢとの間に配置されている。具体的には、載置部ＰＡｃＳ、ＰＡｃＲは、分割搬送スペースＡＡ１と分割搬送スペースＡＢ１とに跨がって設置されている。載置部ＰＡｂＳ、ＰＡｄＳ、ＰＡｄＲは、分割搬送スペースＡＡ２と分割搬送スペースＡＢ２とに跨がって設置されている。主搬送機構ＴＡ１と主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＡｃＳ、ＰＡｃＲを使って、基板Ｗを相互に受け渡す。主搬送機構ＴＡ２と主搬送機構ＴＢ２は、載置部ＰＡｄＳ、ＰＡｄＲを使って、基板Ｗを相互に受け渡す。

図１、図４を参照する。処理ブロックＢＢは、複数（例えば８つ）の液処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊ、ＳＵｋ、…、ＳＵｐを備える。

液処理ユニットＳＵは、略水平方向（例えば前後方向Ｘ）および略上下方向Ｚに行列状に配置されている。具体的には、液処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊは略水平方向に並び、液処理ユニットＳＵｋ、ＳＵｌは略水平方向に並び、液処理ユニットＳＵｍ、ＳＵｎは略水平方向に並び、液処理ユニットＳＵｏ、ＳＵｐは略水平方向に並ぶ。液処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｋ、ＳＵｍ、ＳＵｏは略上下方向Ｚに１列に並び、液処理ユニットＳＵｊ、ＳＵｌ、ＳＵｎ、ＳＵｐは略上下方向Ｚに１列に並ぶ。

液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｌは分割搬送スペースＡＢ１の側方（右方）に位置している。液処理ユニットＳＵｍ−ＳＵｐは分割搬送スペースＡＢ２の側方（右方）に位置している。

各液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｐは、基板Ｗに処理液を供給する液処理を行う。より具体的には、各液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｐは、基板Ｗに現像液を供給する現像処理ユニットＤＥＶである。

処理ブロックＢＢは、複数の液処理ユニットＳＵを収容するチャンバーＣＨｅ、ＣＨｆ、ＣＨｇ、ＣＨｈを備えている。チャンバーＣＨｅは液処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊを収容する。同様に、チャンバーＣＨｆは液処理ユニットＳＵｋ、ＳＵｌを収容し、チャンバーＣＨｇは液処理ユニットＳＵｍ、ＳＵｎを収容し、チャンバーＣＨｈは液処理ユニットＳＵｏ、ＳＵｐを収容する。処理ブロックＢＢにおいても、同じチャンバーＣＨ内の複数の液処理ユニットＳＵが行う処理は、同じである。

以下では、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐを特に区別しない場合には、単に、「液処理ユニットＳＵ」と呼ぶ。チャンバーＣＨａ−ＣＨｈを特に区別しない場合には、単に、「チャンバーＣＨ」と呼ぶ。

図１、図５を参照する。処理ブロックＢＢは、熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＰＥＢとエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡｅＳ、ＰＡｅＲ、ＰＡｆＳ、ＰＡｆＲを備えている。これら各種のユニットおよび載置部は、搬送スペースＡＢの左方に配置されている。

熱処理ユニットＰＥＢは、露光処理後の基板Ｗに露光後熱処理（Post Exposure Bake）を行う。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗの周縁部を露光する。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部２７（図１参照）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。

熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＰＥＢはそれぞれ、分割搬送スペースＡＢ１の側方に設けられる熱処理ユニットＣＰｃ、ＰＨＰｃ、ＰＥＢｃと、分割搬送スペースＡＢ２の側方に設けられる熱処理ユニットＣＰｄ、ＰＨＰｄ、ＰＥＢｄを含む。同様に、エッジ露光ユニットＥＥＷは、分割搬送スペースＡＢ１の側方に設けられるエッジ露光ユニットＥＥＷｃと、分割搬送スペースＡＢ２の側方に設けられるエッジ露光ユニットＥＥＷｄを含む。載置部ＰＡｅＳ、ＰＡｅＲは、分割搬送スペースＡＢ１の側方（左方）に位置する。載置部ＰＡｆＳ、ＰＡｆＲは、分割搬送スペースＡＢ２の側方（左方）に位置する。

熱処理ユニットＰＥＢｃ、ＰＥＢｄと載置部ＰＡｅＳ、ＰＡｅＲ、ＰＡｆＳ、ＰＡｆＲは、処理ブロックＢＢの後部に配置され、インターフェイス部１９と接している。

主搬送機構ＴＢ１は、液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｌと熱処理ユニットＣＰｃ、ＰＨＰｃ、エッジ露光ユニットＥＥＷｃ、載置部ＰＡｃＳ、ＰＡｃＲ、ＰＡｅＳ、ＰＡｅＲに基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＢ２は、液処理ユニットＳＵｍ−ＳＵｐと熱処理ユニットＣＰｄ、ＰＨＰｄ、エッジ露光ユニットＥＥＷｄ、載置部ＰＡｄＳ、ＰＡｄＲ、ＰＡｆＳ、ＰＡｆＲに基板Ｗを搬送する。

以上の説明から明らかなとおり、処理ブロックＢＢは、上下方向に並ぶ複数（例えば２つ）の階層Ｋｃ、Ｋｄを含む階層構造を有する。階層Ｋｃには、主搬送機構ＴＢ１と、主搬送機構ＴＢ１が基板Ｗを搬送する液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｌ等が設置されている。階層Ｋｄには、主搬送機構ＴＢ２と、主搬送機構ＴＢ２が基板Ｗを搬送する液処理ユニットＳＵｍ−ＳＵｐ等が設置されている。各階層Ｋｃ、Ｋｄは、互いに独立して、基板Ｗの搬送と基板Ｗに対する処理を行う。

＜主搬送機構の詳細な構造と、搬送スペースの給気・排気に関する構成＞
主搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１、ＴＢ２の構造を説明する。主搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１、ＴＢ２は同じ構造を有する。以下では、主搬送機構ＴＡ２を例にとって説明する。

図１、２、３、６を参照する。図６は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構ＴＡ２は、一対の第１ガイドレール２１と、第２ガイドレール２２と、ベース部２３と、回転台２４と、２つのハンド２５を備えている。

２つの第１ガイドレール２１はそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ２の液処理ユニットＳＵ側に固定されている。例えば、２つの第１ガイドレール２１はそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ２の右前部と右後部に配置されている（図１参照）。

第１ガイドレール２１はそれぞれ、上下方向Ｚに延びるように設置されており、互いに前後方向Ｘに向かい合っている。第２ガイドレール２２は一対の第１ガイドレール２１に支持されている。具体的には、第２ガイドレール２２は、一対の第１ガイドレール２１の間に設置され、前後方向Ｘに延びている。第２ガイドレール２２の両端部はそれぞれ第１ガイドレール２１に接続されている。第２ガイドレール２２は、一対の第１ガイドレール２１に対して上下方向Ｚに移動可能である。ベース部２３は第２ガイドレール２２に支持されている。ベース部２３は第２ガイドレール２２に対して前後方向Ｘに移動可能である。回転台２４はベース部２３に支持されている。回転台２４は、ベース部２３に対して上下方向Ｚと平行な縦軸心Ｑ周りに回転可能である。２つのハンド２５はそれぞれ回転台２４に支持されている。各ハンド２５はそれぞれ、回転台２４に対して水平な１方向に進退移動可能である。各ハンド２５は１枚の基板Ｗを保持する。

主搬送機構ＴＡ２はさらに、第２ガイドレール２２、ベース部２３、回転台２４およびハンド２５をそれぞれ移動させるための各種の駆動機構を備えている。各種の駆動機構は、第２ガイドレール２２を上下方向Ｚに昇降させ、ベース部２３を前後方向Ｘに移動させ、回転台２４を縦軸心Ｑ回りに回転させ、ハンド２５を進退移動させる。これにより、ハンド２５は、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび上下方向Ｚに移動し、上下方向Ｚを中心に回転する。そして、ハンド２５は、載置部ＰＡｂＳ、ＰＡｂＲ、ＰＡｄＳ、ＰＡｄＲと、階層Ｋｂに設けられる液処理ユニットＳＵおよび熱処理ユニットＡＨＬ、ＣＰ、ＰＨＰにアクセスする。

搬送スペースＡＡ、ＡＢの給気に関する構成を説明する。図２、３を参照する。基板処理装置１は搬送スペース用給気部３１Ａ、３１Ｂを備えている。搬送スペース用給気部３１Ａ、３１Ｂはそれぞれ、搬送スペースＡＡ、ＡＢに気体を供給する。

搬送スペース用給気部３１Ａは、給気ファン３２Ａを備える。給気ファン３２Ａは、搬送スペースＡＡの外部（例えば、処理ブロックＢＡの上部）に設置されている。給気ファン３２Ａの一次側は、基板処理装置１の外部に開放されている。給気ファン３２Ａは、基板処理装置１の外部の気体を取り込んで、搬送スペースＡＡに送る。搬送スペース用給気部３１Ａはさらに、給気ファン３２Ａの一次側または二次側に設置されるフィルタを備えることが好ましい。フィルタは、例えば、化学吸着フィルタやＵＬＰＡフィルタ（Ultra Low Penetration Air Filter）である。これによれば、給気ファン３２Ａは清浄な気体を送ることができる。

搬送スペース用給気部３１Ａは、吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２を備える。吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２は、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２に気体を吹き出す。吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２はそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２の上部に設置されている。吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２は、その下面に、気体を吹き出す開口（吹出孔）を有する。図１では吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２を示していないが、吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２はそれぞれ、平面視で、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２と略同じ広さを有することが好ましい。給気ファン３２Ａと吹出ユニット３３Ａ１は、給気管３４Ａ１によって接続されている。給気ファン３２Ａと吹出ユニット３３Ａ２は、給気管３４Ａ２によって接続されている。

搬送スペース用給気部３１Ｂは、搬送スペース用給気部３１Ａと同様の構造を有する。搬送スペース用給気部３１Ｂは、給気ファン３２Ｂと吹出ユニット３３Ｂ１、３３Ｂ２を備える。給気ファン３２Ｂと吹出ユニット３３Ｂ１、３３Ｂ２はそれぞれ、給気ファン３２Ａと吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２に対応する。

搬送スペースＡＡ、ＡＢの排気に関する構成を説明する。基板処理装置１は搬送スペース用排気部３６Ａ、３６Ｂを備えている。搬送スペース用排気部３６Ａ、３６Ｂはそれぞれ、搬送スペースＡＡ、ＡＢから気体を排出する。

搬送スペース用排気部３６Ａは、吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２を備えている。吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２は、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２の気体を吸い込む。吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２はそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２の下部に設置されている。吸込ユニット３７Ａ１は主搬送機構ＴＡ１を挟んで吹出ユニット３３Ａ１と向かい合う。吸込ユニット３７Ａ２は主搬送機構ＴＡ２を挟んで吹出ユニット３３Ａ２と向かい合う。吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２は、その上面に、気体を吸い込む開口（吸込孔）を有する。図１では吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２を示していないが、吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２はそれぞれ、平面視で、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２と略同じ広さを有することが好ましい。

搬送スペース用排気部３６Ａは、排気ファン３８Ａを備えている。排気ファン３８Ａは、排気管３９Ａを介して、吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２と接続している。排気ファン３８Ａは、搬送スペースＡＡの気体を基板処理装置１の外部に排出する。排気ファン３８Ａは、搬送スペースＡＡの外部（例えば、処理ブロックＢＡの下部）に設置されている。排気ファン３８Ａの二次側は、基板処理装置１の外部に開放されている。

搬送スペース用排気部３６Ｂは、搬送スペース用排気部３６Ａと同様の構造を有する。搬送スペース用排気部３６Ｂは、吸込ユニット３７Ｂ１、３７Ｂ２と排気ファン３８Ｂを備える。吸込ユニット３７Ｂ１、３７Ｂ２と排気ファン３８Ｂは、吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２と排気ファン３８Ａに対応する。

＜液処理ユニットＳＵの詳細な構造と、液処理ユニットＳＵに対する給気・排気に関する構成＞
液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐの構造を説明する。図１、図７を参照する。図７は、処理部１７の液処理ユニットＳＵ側の詳細な側面図である。

液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈはそれぞれ、回転保持部４１とカップ４２とノズル４３とノズル搬送機構４４を備える。ノズル４３とノズル搬送機構４４は、図１に示される。回転保持部４１は、基板Ｗを回転可能に保持する。カップ４２は回転保持部４１の周囲に配置されている。液処理ユニットＳＵが基板Ｗに処理を行うときには少なくとも、カップ４２は、回転保持部４１によって保持されている基板Ｗの側方を囲む。これにより、カップ４２は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。同じチャンバーＣＨ内の複数のカップ４２は、略水平方向に隣り合う。複数のノズル４３は、カップ４２の側方にあたる待機位置に設置されている。各ノズル４３はそれぞれ、処理液を吐出する。より詳しくは、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣのノズル４３は、反射防止膜材料を吐出する。レジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴのノズル４３は、レジスト膜材料を吐出する。ノズル搬送機構４４は、１つのノズル４３を保持して、待機位置と基板Ｗの上方にあたる処理位置との間にわたって搬送する。

液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｐは、回転保持部４６とカップ４７とノズル４８とノズル搬送機構４９を備える。ノズル４８とノズル搬送機構４９は、図１に示される。回転保持部４６は、基板Ｗを回転可能に保持する。カップ４７は回転保持部４６の周囲に配置されている。液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｐが基板Ｗに処理を行うときには少なくとも、カップ４７は、回転保持部４６によって保持されている基板Ｗの側方を囲む。同じチャンバーＣＨ内の複数のカップ４７は、略水平方向に隣り合う。ノズル４８は、現像液を吐出する。ノズル４８は、例えばスリットノズルである。ノズル搬送機構４９はノズル４８を搬送する。

図７、８を参照して、液処理ユニットＳＵの給気に関する構成を説明する。図８は、液処理ユニットに対する給気・排気の系統図である。

基板処理装置１は、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｐに対応して個別に設けられている複数の個別給気部５１ａ、５１ｂ、…、５１ｐを備えている。例えば、個別給気部５１ａは、液処理ユニットＳＵａに対応する。個別給気部５１ａ−５１ｐの個数は、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐの個数と等しい。以下では、個別給気部５１ａ、５１ｂ、…、５１ｐを特に区別しない場合には、単に「個別給気部５１」と記載する。

各個別給気部５１は、対応する１つの液処理ユニットＳＵのみに気体を供給する。さらに、各個別給気部５１は、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を調整可能である。例えば、個別給気部５１ａは、液処理ユニットＳＵａのみに、供給量を可変に気体を供給する。ただし、例えば、個別給気部５１ａは、液処理ユニットＳＵａ以外の液処理ユニットＳＵに気体を供給しない。

基板処理装置１は、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｐに対応して個別に設けられている複数の吹出ユニット５５ａ、５５ｂ、…、５５ｐを備えている。吹出ユニット５５ａ、５５ｂ、…、５５ｐはそれぞれ、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｐの上方に設置されている。吹出ユニット５５ａ、５５ｂ、…、５５ｐはそれぞれ、個別給気部５１ａ、５１ｂ、…、５１ｐと接続されている。そして、吹出ユニット５５ａ、５５ｂ、…、５５ｐはそれぞれ、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｐに気体を吹き出す。吹出ユニット５５ａ−５５ｐを特に区別しない場合には、単に「吹出ユニット５５」と記載する。

吹出ユニット５５は、チャンバーＣＨ内に設置されている。例えば、吹出ユニット５５ａ、５５ｂはチャンバーＣＨａに設置されている。同じチャンバーＣＨ内に設置される複数の吹出ユニット５５（例えば、吹出ユニット５５ａ、５５ｂ）は、略水平方向に隣り合う。

吹出ユニット５５ａ、５５ｃ、５５ｅ、５５ｇは、略上下方向Ｚに一列に並ぶように配置されている。吹出ユニット５５ｂ、５５ｄ、５５ｆ、５５ｈは、略上下方向Ｚに一列に並ぶように配置されている。吹出ユニット５５ｉ、５５ｋ、５５ｍ、５５ｏは、略上下方向Ｚに一列に並ぶように配置されている。吹出ユニット５５ｊ、５５ｌ、５５ｎ、５５ｐは、略上下方向Ｚに一列に並ぶように配置されている。

吹出ユニット５５は、偏平な箱形状を有する。吹出ユニット５５は、その下面に、気体を吹き出す開口を有する。吹出ユニット５５は、平面視で、１つのカップ４２／４７の上方を覆うことができる広さを有することが好ましい。図１では、吹出ユニット５５ｇ、５５ｈ、５５ｏ、５５ｐを点線で示す。

個別給気部５１ａ、５１ｂ、…、５１ｐはそれぞれ、給気ダンパ５２ａ、５２ｂ、…、５２ｐと給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｐを備えている。給気ダンパ５２ａ−５２ｐを特に区別しない場合には、単に「給気ダンパ５２」と記載する。給気管５３ａ−５３ｐを特に区別しない場合には、単に「給気管５３」と記載する。

給気ダンパ５２は、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を調整する。給気ダンパ５２は、例えば、気体の流路を開閉する羽根と羽根を駆動するエアシリンダを備えている。各給気ダンパ５２の動作は、互いに独立している。

給気ダンパ５２は、吹出ユニット５５に直接的に接続している。例えば、給気ダンパ５２ａは吹出ユニット５５ａの前部に連結しており、給気ダンパ５２ｂは吹出ユニット５５ｂの後部に連結している。

給気ダンパ５２は、本発明における給気調整部の例である。

給気管５３の一端は、給気ダンパ５２と直接的に接続している。これにより、給気管５３は、給気ダンパ５２を介して、吹出ユニット５５に間接的に接続している。略水平方向に隣り合う複数の吹出ユニット５５のそれぞれと接続している複数の給気管５３は、吹出ユニット５５から異なる方向に向かって延びている。例えば、給気管５３ａ、５３ｂはそれぞれ、略水平方向に隣り合う吹出ユニット５５ａ、５５ｂと接続している。給気管５３ａは吹出ユニット５５ａから前方に延びており、給気管５３ｂは吹出ユニット５５ｂから後方に延びている。すなわち、給気管５３ａが吹出ユニット５５ａから延びている方向と給気管５３ｂが吹出ユニット５５ｂから延びている方向は、ともに略水平であるが、互いに反対向きである。

給気管５３の他端は、チャンバーＣＨを貫通して、チャンバーＣＨの外部に引き出されている。チャンバーＣＨａ−ＣＨｄの前方および後方にはそれぞれ、流体ボックス部ＢＯａ、ＢＯｂが設けられている。給気管５３ａ、５３ｃ、５３ｅ、５３ｇは流体ボックス部ＢＯａに挿入されている。給気管５３ｂ、５３ｄ、５３ｆ、５３ｈは流体ボックス部ＢＯｂに挿入されている。同様に、チャンバーＣＨｅ−ＣＨｈの前方および後方にはそれぞれ、流体ボックス部ＢＯｃ、ＢＯｄが設けられている。給気管５３ｉ、５３ｋ、５３ｍ、５３ｏは流体ボックス部ＢＯｃに挿入されている。給気管５３ｊ、５３ｌ、５３ｎ、５３ｐは流体ボックス部ＢＯｄに挿入されている。

基板処理装置１は、分配管５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄを備えている。分配管５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄはそれぞれ、流体ボックス部ＢＯａ、ＢＯｂ、ＢＯｃ、ＢＯｄに設置されている。分配管５６ａは、給気管５３ａ、５３ｃ、５３ｅ、５３ｇと接続し、個別給気部５１ａ、５１ｃ、５１ｅ、５１ｇのみに気体を分配する。同様に、分配管５６ｂは、個別給気部５１ｂ、５１ｄ、５１ｆ、５１ｈのみに気体を分配する。分配管５６ｃは、個別給気部５１ｉ、５１ｋ、５１ｍ、５１ｏのみに気体を分配する。分配管５６ｄは、個別給気部５１ｊ、５１ｌ、５１ｎ、５１ｐのみに気体を分配する。

分配管５６ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇの側方において上下方向Ｚに延びている。分配管５６ａが上下方向Ｚに延びている範囲は、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇの各高さ位置に及ぶことが好ましい。さらに好ましくは、分配管５６ａが上下方向Ｚに延びている範囲は、吹出ユニット５５ａ、５５ｃ、５５ｅ、５５ｇの各高さ位置に及ぶことが好ましい。他の分配５６ｂ−５６ｄも、分配管５６ａと同様に設置されることが好ましい。

基板処理装置１は、さらに、分配管用給気ポート５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、５７ｄを備えている。分配管用給気ポート５７ａ−５７ｄはそれぞれ、分配管５６ａ−５６ｄと接続している。分配管用給気ポート５７ａ−５７ｄはそれぞれ、基板処理装置１の外部に設置される外部機器と接続可能である。分配管用給気ポート５７ａ−５７ｄは、例えば処理部１７の底面に配置されている。

本実施例では、分配管用給気ポート５７ａ−５７ｄは、基板処理装置１の外部機器である空気制御装置５８と接続している。空気制御装置５８は、温度および湿度が調整された気体（例えば、清浄な空気）を供給する。空気制御装置５８は、本発明における外部機器（より厳密に言えば、給気用外部機器）の例である。

図７、８を参照して、液処理ユニットＳＵの排気に関する構成を説明する。
基板処理装置１は、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｐに対応して個別に設けられる複数の個別排気部６１ａ、６１ｂ、…、６１ｐを備えている。以下では、個別排気部６１ａ、６１ｂ、…、６１ｐを特に区別しない場合には、単に「個別排気部６１」と記載する。

各個別排気部６１は、対応する１つの液処理ユニットＳＵのみから気体を排出する。さらに、各個別排気部６１は、液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を調整可能である。例えば、個別排気部６１ａは、液処理ユニットＳＵａのみから、排出量を調整可能に気体を排出する。

個別排気部６１ａ、６１ｂ、…、６１ｐはそれぞれ、排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｐと排気ポート６３ａ、６３ｂ、…、６３ｐを備えている。排気管６２−６２ｐを特に区別しない場合には、単に「排気管６２」と記載する。排気ポート６３ａ−６３ｐを特に区別しない場合には、単に「排気ポート６３」と記載する。

排気管６２ａ−６２ｈはそれぞれ、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈのカップ４２と接続している。排気管６２ｉ−６２ｐはそれぞれ、液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｐのカップ４７と接続している。例えば、排気管６２ａは、液処理ユニットＳＵａのカップ４２と接続しており、液処理ユニットＳＵａのカップ４２内の気体を排出する。

略水平方向に隣り合う複数のカップ４２／４７のそれぞれと接続している複数の排気管６２は、カップ４２／４７から互いに異なる方向に向かって延びている。例えば、液処理ユニットＳＵａのカップ４２と液処理ユニットＳＵｂのカップ４２は略水平方向に隣り合い、排気管６２ａ、６２ｂは液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂのカップ４２と接続している。排気管６２ａは液処理ユニットＳＵａのカップ４２から前方に延びており、排気管６２ｂは液処理ユニットＳＵｂのカップ４２から後方に延びている。すなわち、排気管６２ａが液処理ユニットＳＵａのカップ４２から延びている方向と排気管６２ｂが液処理ユニットＳＵｂのカップ４２から延びている方向は、ともに水平であるが、互いに反対向きである。

排気管６２は、チャンバーＣＨの外部に引き出され、最寄りの流体ボックス部ＢＯａ−ＢＯｄに挿入されている。例えば、排気管６２ａ、６２ｃ、６２ｅ、６２ｇは、流体ボックス部ＢＯａに挿入されている。排気管６２は、流体ボックスＢＯａ−ＢＯｄ内において屈曲し、下方に向かって延びている。

排気ポート６３ａ−６３ｐはそれぞれ、排気管６２ａ−６２ｐと接続している。排気ポート６３は、基板処理装置１の外部に設置される外部機器と接続可能である。排気ポート６３は、例えば処理部１７の底面に配置されている。

以上のとおり、個別排気部６１ａ−６１ｐ（より厳密に言えば、個別排気部６１ａ−６１ｐがそれぞれ有する気体の流路）は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに分離された状態に保たれている。

排気ポート６３ａ−６３ｐはそれぞれ、基板処理装置１の外部機器である排気ダンパ６６ａ−６６ｐに接続されている。排気ダンパ６６ａ−６６ｐはそれぞれ液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐからの気体の排出量を調整する。排気ダンパ６６ａ−６６ｐは、基板処理装置１の外部機器である気体吸引装置６７に接続される。気体吸引装置６７は、例えば真空ポンプ、排気ブロア、エジェクタ等である。排気ダンパ６６ａ−６６ｐと気体吸引装置６７はそれぞれ、本発明における外部機器（より厳密に言えば、排気用外部機器）の例である。

＜インターフェイス部１９＞
図１を参照する。インターフェイス部１９はインターフェイス用搬送機構ＴＩＦを備えている。本実施例では、インターフェイス用搬送機構ＴＩＦは、２基の搬送機構ＴＩＦａ、ＴＩＦｂを含む。搬送機構ＴＩＦａ、ＴＩＦｂはそれぞれ、基板Ｗを搬送する。

図２を参照する。インターフェイス部１９は、載置部ＰＡ−ＣＰ、ＰＡｇＲとバッファ部ＢＦを備えている。載置部ＰＡ−ＣＰ、ＰＡｇＲとバッファ部ＢＦは、搬送機構ＴＩＦａと搬送機構ＴＩＦｂの間に設置されている。載置部ＰＡ−ＣＰは基板Ｗを載置し、かつ、基板Ｗを冷却する。載置部ＰＡｇＲは単に基板Ｗを載置する。バッファ部ＢＦは複数枚の基板Ｗを載置可能である。

搬送機構ＴＩＦａ、ＴＩＦｂはともに、載置部ＰＡ−ＣＰ、ＰＡｇＲとバッファ部ＢＦにアクセスする。搬送機構ＴＩＦａ、ＴＩＦｂは、載置部ＰＡ−ＣＰ、ＰＡｇＲを介して、基板Ｗを相互に搬送する。

搬送機構ＴＩＦａは、さらに、処理ブロックＢＢの載置部ＰＡｅＳ、ＰＡｅＲ、ＰＡｆＳ、ＰＡｆＲにアクセス可能である。搬送機構ＴＩＦａと主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＡｅＳ、ＰＡｅＲを使って、基板Ｗを相互に受け渡す。搬送機構ＴＩＦａと主搬送機構ＴＢ２は、載置部ＰＡｆＳ、ＰＡｆＲを使って、基板Ｗを相互に受け渡す。搬送機構ＴＩＦａは、処理ブロックＢＢの熱処理ユニットＰＥＢｃ、ＰＥＢｄに基板Ｗを搬送する。

搬送機構ＴＩＦｂは、さらに、露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを相互に搬送する。

搬送機構ＴＩＦａ、ＴＩＦｂはそれぞれ、基板Ｗを保持する２つのハンド７１と、各ハンド７１を駆動するハンド駆動機構７２とを備えている。各ハンド７１は、それぞれ１枚の基板Ｗを保持する。ハンド駆動機構７２は、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび上下方向Ｚにハンド７１を移動させ、かつ、上下方向Ｚを中心にハンド７２を回転させる。これにより、ハンド７１は、各種の載置部等にアクセスする。

＜制御系の構成＞
図９を参照する。図９は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、さらに、制御部７５を備えている。

制御部７５は、例えば、インデクサ部１１に設置されている。制御部７５は、基板処理装置１を統括的に制御する。具体的には、制御部７５は、各搬送機構ＴＩＤ、ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１、ＴＢ２、ＴＩＦａ、ＴＩＦｂと、液処理ユニットＳＵ、熱処理ユニットＡＨＬ、ＰＨＰ、ＣＰ、ＰＥＢ、エッジ露光ユニットＥＥＷ、給気ファン３２Ａ、３２Ｂ、排気ファン３８Ａ、３８Ｂ、給気ダンパ５２ａ−５２ｐの動作を制御する。さらに、制御部７５は、基板処理装置１の外部に設置されている空気制御装置５８、排気ダンパ６６ａ−６６ｐ、気体吸引装置６７を制御してもよい。

制御部７５は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体には、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）や、各基板Ｗを識別するための情報など各種情報を記憶されている。

＜動作例＞
次に、実施例に係る基板処理装置の動作例を説明する。図１０は、基板の搬送経路を例示する図である。

以下では、基板Ｗの搬送および基板Ｗに対する処理に関する基板処理装置１の動作を、インデクサ部１１から露光機ＥＸＰまでの往路と、露光機ＥＸＰからインデクサ部１１までの復路とに分けて説明する。

また、便宜上、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、ＳＵｅ、ＳＵｆを「反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、ＳＵｅ、ＳＵｆ」と呼び、液処理ユニットＳＵｃ、ＳＵｄ、ＳＵｇ、ＳＵｈを「レジスト膜用塗布ユニットＳＵｃ、ＳＵｄ、ＳＵｇ、ＳＵｈ」と呼び、液処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｐを「現像処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｐ」と呼ぶ。また、熱処理ユニットＡＨＬ、ＣＰ、ＰＨＰ、ＰＥＢをそれぞれ、「冷却ユニットＣＰ」、「加熱冷却ユニットＰＨＰ」、「疎水化処理ユニットＡＨＬ」、「露光後加熱処理ユニットＰＥＢ」と呼ぶ。

＜往路における基板Ｗの搬送および基板Ｗに対する処理に関する動作＞
インデクサ部１１では、インデクサ用搬送機構ＴＩＤは、キャリアＣから載置部ＰＡａＳおよび載置部ＰＡｂＳに基板Ｗを交互に搬送する。例えば、インデクサ用搬送機構ＴＩＤは、キャリアＣから載置部ＰＡａＳへ１枚の基板Ｗを搬送する動作と、キャリアＣから載置部ＰＡａＳへ１枚の基板Ｗを搬送する動作を交互に繰り返す。

階層Ｋａでは、主搬送機構ＴＡ１は、載置部ＰＡａＳ上の基板Ｗを受け取り、基板Ｗを各処理ユニットに所定の順番で搬送する。所定の順番は、例えば、以下の通りである（図１０参照）。
所定の順番の例：疎水化処理ユニットＡＨＬａ→冷却ユニットＣＰａ→反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ／ＳＵｂ→加熱冷却ユニットＰＨＰａ→冷却ユニットＣＰａ→レジスト膜用塗布ユニットＳＵｃ／ＳＵｄ→加熱冷却ユニットＰＨＰａ→冷却ユニットＣＰａ

各処理ユニットは基板Ｗに処理を行う。例えば、疎水化処理ユニットＡＨＬは疎水化処理を行い、冷却ユニットＣＰは冷却処理を行い、反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ／ＳＵｂは反射防止膜形成処理を行い、レジスト膜用塗布ユニットＳＵｃ／ＳＵｄはレジスト膜形成処理を行う。一連の処理により、基板Ｗに反射防止膜とレジスト膜が形成される。主搬送機構ＴＡ１は、一連の処理が行われた基板Ｗを載置部ＰＡｃＳに搬送する。

液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｄの動作例を、詳しく説明する。主搬送機構ＴＡ１が回転保持部４１に基板Ｗを載置し、カップ４２が回転保持部４１上の基板Ｗの側方を囲む。回転保持部４１が基板Ｗを水平姿勢で回転させる。ノズル搬送機構４４は１つのノズル４３を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル４３は処理液（反射防止膜材料／レジスト膜材料）を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから周囲に飛散する。カップ４２は、飛散した処理液を回収する。このようにして、反射防止膜／レジスト膜が基板Ｗに形成される。

主搬送機構ＴＡ１の動作例を、詳しく説明する。主搬送機構ＴＡ１は、載置部および処理ユニットに所定の順番でアクセスして、処理ユニット内の基板Ｗを入れ替える。

図１１は、各搬送機構がアクセスする載置部および処理ユニットの順番を例示する図である。例えば、主搬送機構ＴＡ１は、載置部ＰＡａＳから受け取った基板Ｗを保持して疎水化処理ユニットＡＨＬａにアクセスする。主搬送機構ＴＡ１は、疎水化処理ユニットＡＨＬａから処理済みの基板Ｗを搬出し、載置部ＰＡａＳから受け取った基板Ｗを疎水化処理ユニットＡＨＬａに搬入する。続いて、主搬送機構ＴＡ１は、疎水化処理ユニットＡＨＬａから搬出した基板Ｗを保持して、冷却ユニットＣＰａにアクセスする。主搬送機構ＴＡ１は、冷却ユニットＣＰａ内の処理済みの基板Ｗを取り出し、疎水化処理ユニットＡＨＬａから搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰａ内に入れる。引き続き、主搬送機構ＴＡ１は、冷却ユニットＣＰａから搬出した基板Ｗを保持して、反射防止膜用塗布処理ユニットＳＵａにアクセスする。主搬送機構ＴＡ１は、反射防止膜用塗布処理ユニットＳＵａ内の処理済みの基板Ｗを、冷却ユニットＣＰａから搬出した基板Ｗに入れ替える。

ここで、主搬送機構ＴＡ１は、反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ、ＳＵｂに交互にアクセスする。このため、主搬送機構ＴＡ１が反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ、ＳＵｂの基板Ｗを入れ替えるタイミングは、ずれている。よって、反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ、ＳＵｂが液処理を行う、または、待機するといった動作も、時間的にずれている。例えば、反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ、ＳＵｂが液処理を行っている期間は一致しておらず、ずれている。図１１では、反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ、ＳＵｂの間における動作のずれ時間ΔＴａを模式的に示す。

同様に、主搬送機構ＴＡ１は、レジスト膜用塗布ユニットＳＵｃ、ＳＵｄに交互に基板Ｗを搬送する。よって、レジスト膜用塗布ユニットＳＵｃ、ＳＵｄの動作も、時間的にずれる。図１１では、レジスト膜用塗布ユニットＳＵｃ、ＳＵｄの間における動作のずれ時間ΔＴｂを模式的に示す。

なお、反射防止膜用塗布ユニットＳＵａ、ＳＵｂのいずれの動作も、レジスト膜用塗布ユニットＳＵｃ、ＳＵｄの動作とずれている。

階層Ｋｃでは、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＡｃＳからエッジ露光ユニットＥＥＷｃに基板Ｗを搬送する。エッジ露光ユニットＥＥＷｃは基板Ｗの周縁部を露光する。主搬送機構ＴＢ１は、周縁部が露光された基板Ｗを、エッジ露光ユニットＥＥＷｃから載置部ＰＡｅＳに搬送する。

階層Ｋｂ、ｋｄは、階層Ｋａ、Ｋｃの動作と並行して、階層Ｋａ、Ｋｃと同じような動作を行う。すなわち、主搬送機構ＴＡ２は、載置部ＰＡａＳ上の基板Ｗを受け取り、基板Ｗを各処理ユニットに所定の順番で搬送する。各処理ユニットはそれぞれ、基板Ｗに処理を行う。これにより、基板Ｗに反射防止膜とレジスト膜が形成される。主搬送機構ＴＡ２は、一連の処理が行われた基板Ｗを載置部ＰＡｄＳに搬送する。主搬送機構ＴＢ２は、載置部ＰＡｄＳからエッジ露光ユニットＥＥＷｄに基板Ｗを搬送する。エッジ露光ユニットＥＥＷｄは基板Ｗの周縁部を露光する。主搬送機構ＴＢ２は、周縁部が露光された基板Ｗを、エッジ露光ユニットＥＥＷｄから載置部ＰＡｆＳに搬送する。

ここで、液処理ユニットＳＵｅ、ＳＵｆ、ＳＵｇ、ＳＵｈの各動作は時間的にずれている。図１１は、反射防止膜用塗布ユニットＳＵｅ、ＳＵｆの動作のずれ時間ΔＴｃと、レジスト膜用塗布ユニットＳＵｇ、ＳＵｈの動作のずれ時間ΔＴｄを例示する。

搬送機構ＴＩＦａは、載置部ＰＡｃＳ、ＰＡｄＳから載置部ＰＡ−ＣＰに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＩＦｂは、載置部ＰＡ−ＣＰから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗに露光処理を行う。

＜復路における基板Ｗの搬送および基板Ｗに対する処理に関する動作＞
搬送機構ＴＩＦｂは、露光機ＥＸＰから載置部ＰＡｇＲに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＩＦａは載置部ＰＡｇＲから露光後加熱処理ユニットＰＥＢに搬送する。露光後加熱処理ユニットＰＥＢは露光後加熱処理を基板Ｗに行う。搬送機構ＴＩＦａは露光後加熱処理が行われた基板Ｗを、露光後加熱処理ユニットＰＥＢから載置部ＰＡｅＲに搬送する。

階層Ｋｃでは、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＡｅＲ上の基板Ｗを受け取り、基板Ｗを各処理ユニットに所定の順番で搬送する。所定の順番は、例えば、以下の通りである。
所定の順番の例：冷却ユニットＣＰｃ→現像処理ユニットＳＵｉ／ＳＵｊ／ＳＵｋ／ＳＵｌ→加熱冷却ユニットＰＨＰｃ→冷却ユニットＣＰｃ

各処理ユニットは基板Ｗに処理を行う。例えば、現像処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊ、ＳＵｋ、ＳＵｌは現像処理を行う。一連の処理により、基板Ｗが現像される。主搬送機構ＴＢ１は、一連の処理が行われた基板Ｗを載置部ＰＡｃＲに搬送する。

現像処理ユニットＳＵｉ−ＳＵｌの動作例を、詳しく説明する。主搬送機構ＴＢ１が回転保持部４６に基板Ｗを載置し、カップ４７が回転保持部４６上の基板Ｗの側方を囲む。ノズル搬送機構４９はノズル４８を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル４３は処理液（現像液）を基板Ｗに供給し、基板Ｗを現像する。この際、回転保持部４６は基板Ｗを適宜に回転させてもよい。カップ４７は基板Ｗから飛散した現像液を回収する。

主搬送機構ＴＢ１は、現像処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊ、ＳＵｋ、ＳＵｌに交互にアクセスする。図１１に示すように、主搬送機構ＴＢ１が現像処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊ、ＳＵｋ、ＳＵｌの基板Ｗを入れ替えるタイミングは、ずれている。よって、現像処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊ、ＳＵｋ、ＳＵｌの各動作は、時間的にずれている。図１１は、現像処理ユニットＳＵｉ、ＳＵｊの間における動作のずれ時間Δｔｅ、現像処理ユニットＳＵｊ、ＳＵｋの間における動作のずれ時間Δｔｆ、現像処理ユニットＳＵｋ、ＳＵｌの間における動作のずれ時間Δｔｇを例示する。

階層Ｋａでは、主搬送機構ＴＡ１は、載置部ＰＡｃＲから載置部ＰＡａＲに基板Ｗを搬送する。

階層Ｋｄ、ｋｂは、階層Ｋｃ、Ｋａの動作と並行して、階層Ｋｃ、Ｋａと同じような動作を行う。

ここで、現像処理ユニットＳＵｍ、ＳＵｎ、ＳＵｏ、ＳＵｐの各動作は時間的にずれている。図１１は、現像処理ユニットＳＵｍ−ＳＵｎ、ＳＵｎ−ＳＵｏ、ＳＵｏ−ＳＵｐの動作のずれ時間ΔＴｈ、ΔＴｉ、ΔＴｊを例示する。

インデクサ用搬送機構ＴＩＤは、載置部ＰＡａＲ、ＰＡｂＲから交互に基板Ｗを受け取って、キャリアＣに搬送する。

＜搬送スペースＡＡ、ＡＢの給気、排気に関する動作＞
上述した基板Ｗの搬送および基板Ｗに対する処理に関する動作を行っているとき、搬送スペース用給気部３１Ａ、３１Ｂはそれぞれ、搬送スペースＡＡ、ＡＢに気体を供給し、搬送スペース用排気部３６Ａ、３６Ｂはそれぞれ、搬送スペースＡＡ、ＡＢから気体を排出する。

具体的には、給気ファン３２Ａは、基板処理装置１の上方の気体（例えば、清浄空気）を取り込み、吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２に気体を送る。吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２はそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２に気体を吹き出す。同様に、給気ファン３２Ｂは吹出ユニット３３Ａ１、３３Ａ２に気体を送り、吹出ユニット３３Ｂ１、３３Ｂ２はそれぞれ分割搬送スペースＡＢ１、ＡＢ２に気体を吹き出す。

排気ファン３８Ａが作動すると、吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２は分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２の気体を吸い込む。吸込ユニット３７Ａ１、３７Ａ２によって吸い込まれた気体を、排気ファン３８Ａは基板処理装置１の外部に排出する。同様に、分割搬送スペースＡＢ１、ＡＢ２内の気体は、吸込ユニット３７Ｂ１、３７Ｂ２を通じて排気ファン３８Ｂに送られ、基板処理装置１の外部に排出される。

搬送スペース用給気部３１Ａおよび搬送スペース用排気部３６Ａの各動作によって、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２には、気体が上から下に向かって流れるダウンフローが形成される。同様に、搬送スペース用給気部３１Ｂおよび搬送スペース用排気部３６Ｂの各動作によって、分割搬送スペースＡＢ１、ＡＢ２には、ダウンフローが形成される。

＜液処理ユニットＳＵの給気、排気に関する動作＞
さらに、上述した基板Ｗの搬送および基板Ｗに対する処理に関する動作を行っているとき、個別給気部５１ａ−５１ｐはそれぞれ、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐに気体を供給し、個別排気部６１ａ−６１ｐはそれぞれ、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐから気体を排出する。

具体的には、空気制御装置５８は、温度および湿度が調整された気体を、集合給気ポート５７ａ−５７ｄを介して、分配管５６ａ−５６ｄに供給する。分配管５６ａ−５６ｄはそれぞれ、個別給気部５１ａ−５１ｐに気体を分配する。各個別給気部５１ａ−５１ｐはそれぞれ、吹出ユニット５５ａ−５５ｐを通じて、液処理ユニットＳＵに気体を供給する。この際、給気ダンパ５２ａ−５２ｐはそれぞれ、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を調整する。

気体吸引装置６７が作動すると、個別排気部６１ａ−６１ｐは、各液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐから気体を基板処理装置１の外部へ排出する。具体的には、各液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐのカップ４２／４７内の気体は、排気管６２ａ−６２ｐおよび排気ポート６３ａ−６３ｐを通じて、基板処理装置１の外部に排出される。各液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｐからの気体の排出量はそれぞれ、排気ダンパ６６ａ−６６ｐによって調整される。

図１２を参照して、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂの動作と、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂに対する気体の供給量および排出量の関係を例示する。

液処理ユニットＳＵａは、時刻ｔ３ーｔ７の期間および時刻ｔ９以降の期間において基板Ｗに液処理を行い、時刻ｔ１ーｔ３、ｔ７−ｔ９の期間において待機する（液処理を行わない）。液処理ユニットＳＵａが待機しているとき、例えば、液処理ユニットＳＵａの基板Ｗの入れ替えが行われている。他方、液処理ユニットＳＵｂは、時刻ｔ４までの期間、時刻ｔ６以降の期間において基板Ｗに液処理を行い、時刻ｔ４−ｔ６の期間において待機する（液処理を行わない）。液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂの動作は、上述したずれ時間ΔＴａだけ、ずれている。

制御部７５は、給気ダンパ５２ａ／排気ダンパ６６ａを制御することによって、液処理ユニットＳＵａに対する気体の供給量／排出量を調整する。例えば、液処理を開始するとき（時刻ｔ３、ｔ９）、液処理ユニットＳＵａに関連する気体の供給量／排出量を、低流量ＱＬから高流量ＱＨに増加させる。低流量ＱＬは、例えば零以上であり、高流量ＱＨは低流量ＱＬよりも大きい。さらに、液処理を行っているときに、液処理ユニットＳＵａに関連する気体の供給量／排出量を、高流量ＱＨから中流量ＱＭに低下させる。例えば、液処理を開始したときから所定時間Δｔが経過するとき（時刻ｔ５）に、気体の供給量／排出量を高流量ＱＨから中流量ＱＭに低下してもよい。中流量ＱＭは高流量ＱＨより小さく、低流量ＱＬより大きい。液処理を終了するとき（ｔ１、ｔ７）、気体の供給量／排出量を、中流量ＱＭから低流量ＱＬに低下する。

他方、制御部７５は、給気ダンパ５２ｂ／排気ダンパ６６ｂを制御することによって、液処理ユニットＳＵｂに対する気体の供給量／排出量を調整する。液処理ユニットＳＵｂの動作と気体の供給量／排出量の関係は、例えば、液処理ユニットＳＵａと同じである。すなわち、液処理を開始するとき（時刻ｔ６）、液処理ユニットＳＵｂに関連する気体の供給量／排出量を低流量ＱＬから高流量ＱＨに増加させる。さらに、液処理を開始したときから所定時間Δｔが経過するとき（時刻ｔ８）、気体の供給量／排出量を高流量ＱＨから中流量ＱＭに低下させる。液処理を終了するとき（ｔ４）、気体の供給量／排出量を中流量ＱＭから低流量ＱＬに低下する。

＜効果＞
このように、本実施例によれば、個別給気部５１を備えているので、液処理ユニットＳＵごとに、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を変えることができる。例えば、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂに対する気体の供給量を異ならせることもできるし、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂに対する気体の供給量を等しくすることもできる。これにより、各液処理ユニットＳＵに、適切なタイミングで、適切な量の気体を供給できる。よって、各液処理ユニットＳＵにおける処理品質を好適に向上させることができる。

特に、同じチャンバー内に配置され、同種の液処理を行う２以上の液処理ユニットＳＵに対しても、個別給気部５１は気体の供給量を個別に調整可能である。これにより、各液処理ユニットＳＵの処理品質を一層好適に向上させることができる。

個別給気部５１は給気ダンパ５２を備えているので、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を好適に調整できる。

基板処理装置１は分配管５６ａ−５６ｄを備えている。各分配管５６ａ−５６ｄは、略上下方向Ｚに１列に並ぶように配置されている一群の液処理ユニットＳＵに対応して個別に設けられている。例えば、分配管５６ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇに対応して設けられており、分配管５６ｂは、液処理ユニットＳＵｂ、ＳＵｄ、ＳＵｆ、ＳＵｈに対応して設けられている。分配管５６ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇに対応する個別給気部５１ａ、５１ｃ、５１ｅ、５１ｇと接続するが、これら以外の個別給気部５１とは接続しない。同様に、分配管５６ｂは、液処理ユニットＳＵｂ、ＳＵｄ、ＳＵｆ、ＳＵｈに対応する個別給気部５１ｂ、５１ｄ、５１ｆ、５１ｈとのみ接続する。

個別給気部５１ａ、５１ｃ、５１ｅ、５１ｇの間においては、給気管５３の形状および寸法や給気管５３に対する給気ダンパ５２の配置などを容易に統一することができる。よって、個別給気部５１ａ、５１ｃ、５１ｅ、５１ｇの間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。例えば、個別給気部５１ａの気体の供給量を意図的に変更したときに、他の個別給気部５１ｃ、５１ｅ、５１ｇの気体の供給量が意図せずに変動してしまうことを好適に防止できる。よって、分配管５６ａに対応する一群の液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇにおける処理品質を好適に向上できる。同様に、分配管５６ｂ、５６ｃ、５６ｄに対応する液処理ユニットＳＵにおける処理品質も好適に向上できる。

特に、分配管５６は、略上下方向Ｚに一列に並ぶ一群の液処理ユニットＳＵの側方において、上下方向Ｚに延びている。例えば、分配管５６ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇの高さ位置に及ぶ。このため、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇは、分配管５６ａから見て略同じ方向に位置しており、分配管５６ａから略同じ距離だけ離れている。よって、個別給気部５１ａ、５１ｃ、５１ｅ、５１ｇの形状、寸法、向きなどを一層容易に揃えることができる。

さらに、分配管５６は、略上下方向Ｚに一列に並ぶ吹出ユニット５５の側方において、上下方向Ｚに延びている。例えば、分配管５６ａは、吹出ユニット５５ａ、５５ｃ、５５ｅ、５５ｇの高さ位置に及ぶ。このため、吹出ユニット５５ａ、５５ｃ、５５ｅ、５５ｇは、分配管５６ａから見て略同じ方向に位置しており、分配管５６ａから略同じ距離だけ離れている。よって、個別給気部５１ａ、５１ｃ、５１ｅ、５１ｇの形状、寸法、向きなどを一層容易に揃えることができる。

他方、略水平方向に隣り合うように配置されている液処理ユニットＳＵに対応する複数の個別給気部５１は、同じ分配管５６と接続しない。例えば、例えば、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂは略水平方向に隣り合うように配置されており、個別給気部５１ａ、５１ｂは液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂに対応しており、個別給気部５１ａ、５１ｂは同じ分配管５６に接続していない。よって、個別給気部５１ａ、５１ｂの一方の気体の供給量を意図的に変更したときに、他方の気体の供給量が意図せずに変動してしまうことを好適に防止できる。このように、略水平方向に隣り合うように配置されている液処理ユニットＳＵに対応する複数の個別給気部５１の間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。よって、略水平方向に隣り合うように配置されている液処理ユニットＳＵの処理品質を好適に向上できる。

分配管５６は複数（例えば４つ）の個別給気部５１に気体を供給するので、個別給気部５１の設置スペースを低減できる。

基板処理装置１は、１つの液処理ユニットＳＵのみに気体を吹き出す複数の吹出ユニット５５を備えているので、各液処理ユニットＳＵに気体を好適に供給できる。

略水平方向に隣り合う複数の吹出ユニット５５のそれぞれと接続している複数の給気管５３は、吹出ユニット５５から互いに異なる方向に向かって延びている。このため、略水平方向に隣り合う複数の吹出ユニット５５と接続する複数の個別給気部５１を、好適に分離できる。その結果、略水平方向に隣り合う複数の吹出ユニット５５と接続する複数の個別給気部５１の間で、気体の供給量が干渉することを一層好適に防止できる。

基板処理装置１は、個別排気部６１を備えているので、液処理ユニットＳＵごとに、液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を変えることができる。例えば、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂからの気体の排出量を異ならせることもできるし、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂからの気体の排出量を等しくすることもできる。これにより、各液処理ユニットＳＵから、適切なタイミングで、適切な量の気体を排出できる。よって、各液処理ユニットＳＵにおける処理品質を好適に向上させることができる。

特に、同じチャンバー内に配置され、同種の液処理を行う２以上の液処理ユニットＳＵに対しても、個別排気部６１は気体の排出量を個別に調整する。これにより、各液処理ユニットの処理品質を一層好適に向上させることができる。

複数の個別排気部６１は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに分離されている。言い換えれば、各個別排気部６１が有する気体の流路は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに接続されていない。このため、気体の排出量を調整する外部機器によって、個別排気部６１の気体の排出量を個別に好適に調整できる。これにより、液処理ユニットＳＵにおける処理品質を好適に向上できる。

さらに、複数の個別排気部６１は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに分離されているので、複数の個別排気部６１の間で、気体の排出量が干渉することを好適に防止できる。例えば、個別排気部６１ａの気体の排出量を意図的に変更したときに、個別排気部６１ａ以外の個別排気部６１の気体の排出量が意図せずに変動してしまうことを好適に防止できる。これにより、液処理ユニットＳＵにおける処理品質を一層好適に向上できる。

個別排気部６１は、排気ポート６３を備えているので、外部機器である排気ダンパ６６ａ−６６ｐや気体吸引装置６７と容易に接続できる。

個別排気部６１は、個別排気部６１は排気管６２を備えているので、液処理ユニットＳＵと外部機器とを好適に接続できる。

個別排気部６１は、対応する液処理ユニットＳＵが有するカップ４２／４７内の気体を排出する。これにより、個別排気部６１は、液処理ユニットＳＵから気体を好適に排出できる。

排気管６２は、カップ４２／４７と接続しているので、個別排気部６１は液処理ユニットＳＵから気体を好適に排出できる。

略水平方向に隣り合う複数のカップ４２／７２のそれぞれと接続している複数の排気管６２は、カップ４２／７２から互いに異なる方向に向かって延びている。このため、略水平方向に隣り合う複数のカップ４２／７２と接続する複数の個別排気部６１を、好適に分離できる。その結果、略水平方向に隣り合う複数のカップ４２／７２と接続する複数の個別排気部６１の間で、気体の排出量が干渉することを好適に防止できる。例えば、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂに対応する個別排気部６１ａ、６１ｂの間で、気体の排出量が干渉することを好適に防止できる。これにより、略水平方向に隣り合うように配置されている液処理ユニットＳＵの処理品質を好適に向上できる。

基板処理装置１は制御部７５を備え、制御部７５は、各液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を個別に制御する。よって、各液処理ユニットＳＵが基板Ｗに行う液処理の品質を好適に向上させることができる。

制御部７５は、液処理ユニットＳＵの動作に応じて、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を個別に調整する。例えば、液処理ユニットＳＵが液処理を行っているか、待機しているかによって、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を変更する。これにより、各液処理ユニットの処理品質を一層好適に向上させることができる。

制御部７５は、液処理ユニットＳＵが液処理を行っているときに液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を変化させる。換言すれば、液処理ユニットＳＵが液処理を行っている期間にわたって、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量は一定ではない。液処理ユニットＳＵが液処理を行っているときに、適切なタイミングで適切な量の気体を供給できるので、液処理ユニットＳＵの処理品質を一層好適に向上させることができる。

制御部７５は、液処理の開始時刻からの経過時間に基づいて、液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量を調整する。これによれば、適切なタイミングで適切な量の気体を液処理ユニットＳＵに供給できる。

制御部７５は、各液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を個別に制御させる。よって、各液処理ユニットＳＵが基板Ｗに行う液処理の品質を好適に向上させることができる。

制御部７５は、液処理ユニットＳＵの動作に応じて、液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を個別に調整する。これにより、各液処理ユニットの処理品質を一層好適に向上させることができる。

制御部７５は、液処理ユニットＳＵが液処理を行っているときに液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を変化させる。これにより、各液処理ユニットＳＵの処理品質を一層好適に向上させることができる。

制御部７５は、液処理の開始時刻からの経過時間に基づいて、液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を調整する。これによれば、適切なタイミングで適切な量の気体を液処理ユニットに供給できる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）実施例では、基板処理装置１は分配管５６を備えていたが、これに限られない。例えば、分配管５６を省略してもよい。また、実施例１では、複数の個別給気部５１が、基板処理装置１内において、分配管５６によって接続されていたが、これに限られない。例えば、個別給気部５１は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに分離されていてもよい。

図１３を参照する。図１３は、変形実施例に係る個別給気部および個別排気部を示す詳細な側面図である。なお、図１３では、便宜上、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈに関連する個別給気部５１および個別排気部６１のみを図示する。実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

図示するように、個別給気部５１ａ、５１ｂ、…、５１ｈはそれぞれ、ダンパ５２ａ、５２ｂ、…、５２ｈと給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｈと、給気ポート８１ａ、８１ｂ、…、８１ｈを備えている。

給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｈの一端はそれぞれ、吹出ユニット５５ａ、５５ｂ、…、５５ｈと直接的に接続している。給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｈの途中には、給気ダンパ５２ａ、５２ｂ、…、５２ｈが介挿されている。給気ダンパ５２は、チャンバーＣＨの外に設置されている。給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｈの他端は、給気ポート８１ａ、８１ｂ、…、８１ｈと接続している。給気ポート８１は、基板処理装置１の外部に設置される外部機器と接続可能である。給気ポート８１ａ、８１ｂ、…、８１ｈはそれぞれ、外部機器である空気制御装置５８に接続されている。

本変形実施例によれば、個別給気部５１ａ−５１ｈ（より厳密に言えば、個別給気部５１ａ−５１ｈが有する気体の流路）は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに分離された状態に保たれている。換言すれば、複数の個別給気部５１は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに直接的または間接的に接続されていない。よって、複数の個別給気部５１の間で、気体の供給量が干渉することを効果的に防止できる。これにより、各液処理ユニットＳＵにおける処理品質を好適に向上させることができる。

また、本変形実施例では、個別給気部５１は給気ポート８１を備えているので、外部機器と個別給気部５１を容易に接続できる。

（２）実施例では、個別給気部５１は給気ダンパ５２を備えていたが、これに限られない。例えば、個別給気部５１から給気ダンパ５２を省略してもよい。

図１４を参照する。図１４は、変形実施例に係る個別給気部および個別排気部を示す詳細な側面図である。図１４では、便宜上、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈに関連する個別給気部５１および個別排気部６１のみを図示する。実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

図示するように、個別給気部５１ａ、５１ｂ、…、５１ｈはそれぞれ、給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｈと、給気ポート８１ａ、８１ｂ、…、８１ｈを備えている。なお、個別給気部５１ａ、５１ｂ、…、５１ｈは、実施例１で説明した給気ダンパ５２を備えていない。

給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｈの一端はそれぞれ、吹出ユニット５５ａ、５５ｂ、…、５５ｈと直接的に接続している。給気管５３ａ、５３ｂ、…、５３ｈの他端は、給気ポート８１ａ、８１ｂ、…、８１ｈと接続している。給気ポート８１ａ、８１ｂ、…、８１ｈはそれぞれ、基板処理装置１の外部機器である給気ダンパ８３ａ−８３ｈに接続されている。給気ダンパ８３ａ−８３ｈは、気体の供給量を調整する。給気ダンパ８３ａ−８３ｈは、空気制御装置５８に接続されている。制御部７５は、給気ダンパ８３ａ−８３ｈを制御してもよい。給気ダンパ８３ａ−８３ｈは、本発明における外部機器（より厳密に言えば、給気用外部機器）の例である。

以上のとおり、個別給気部５１ａ−５１ｈ（より厳密に言えば、個別給気部５１ａ−５１ｈがそれぞれ有する流路）は、少なくとも基板処理装置１内においては、互いに分離された状態に保たれている。よって、個別給気部５１は給気ダンパ５２を備えていなくても、気体の供給量を調整する外部機器（例えば、給気ダンパ８３ａ−８３ｈ）を用いて、個別給気部５１の気体の供給量を個別に調整できる。これにより、各液処理ユニットＳＵにおける処理品質を好適に向上させることができる。

Ｃ１２、Ｃ１３
（３）実施例では、個別排気部６１は排気ダンパを備えていなかったが、これに限られない。すなわち、個別排気部６１は排気ダンパを備えてもよい。

図１３を参照して、１つの変形実施例を説明する。図示するように、個別排気部６１ａ、６１ｂ、…、６１ｐはそれぞれ、排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｈと、排気ポート６３ａ、６３ｂ、…、６３ｈと、排気ダンパ９１ａ、９１ｂ、…、９１ｈを備えている。

排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｈの一端はそれぞれ、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｈのカップ４２と接続している。排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｈの途中には、排気ダンパ９１ａ、９１ｂ、…、９１ｈが介挿されている。排気ダンパ９１ａ、９１ｂ、…、９１ｈはそれぞれ、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｈからの気体の排気量を調整する。排気ダンパ９１ａ、９１ｂ、…、９１ｈはそれぞれ、チャンバーＣＨの外部に設置されている。排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｈの他端は、排気ポート６３ａ、６３ｂ、…、６３ｈと接続している。

制御部７５は、排気ダンパ９１ａ−９１ｈを制御する。

排気ポート６３ａ−６３ｈはそれぞれ、気体吸引装置６７に接続される。なお、実施例１で説明した排気ダンパ６６ａ−６６ｈは省略されている。

図１３の変形実施例によれば、個別排気部６１は排気ダンパ９１を備えているので、液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を好適に調整できる。

図１４を参照して、他の変形実施例を説明する。図示するように、個別排気部６１ａ、６１ｂ、…、６１ｈはそれぞれ、排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｈと、排気ダンパ９１ａ、９１ｂ、…、９１ｈを備えている。排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｈの一端は、それぞれ、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、…、ＳＵｈのカップ４２と接続している。排気管６２ａ、６２ｂ、…、６２ｈの途中には、排気ダンパ９１ａ、９１ｂ、…、９１ｈが介挿されている。排気ダンパ９１ａ、９１ｂ、…、９１ｈはそれぞれ、チャンバーＣＨの内部に設置されている。

基板処理装置１は、集合管９３ａ、９３ｂを備えている。集合管９３ａは、排気管６２ａ、６２ｃ、６２ｅ、６２ｇと接続し、個別排気部６１ａ、６１ｃ、６１ｅ、６１ｇのみから気体を回収する。同様に、集合管９３ｂは、個別排気部６１ｂ、６１ｄ、６１ｆ、６１ｈのみから気体を回収する。

基板処理装置１は、さらに、集合管用排気ポート９５ａ、９５ｂを備えている。集合管用排気ポート９５ａ、９５ｂはそれぞれ、集合管９３ａ、９３ｂと接続している。集合管用排気ポート９５ａ、９５ｂはそれぞれ、基板処理装置１の外部に設置される外部機器と接続可能である。集合管用排気ポート９５ａ。９５ｂは、例えば処理部１７の底面に配置されている。集合管用排気ポート９５ａ、９５ｂは、外部機器である気体吸引装置６７と接続している。

図１４の変形実施例によっても、個別排気部６１は排気ダンパ９１を備えているので、液処理ユニットＳＵからの気体の排出量を好適に調整できる。

さらに、基板処理装置１は、集合管９３ａ、９３ｂを備えている。各集合管９３ａ、９３ｂは、略上下方向Ｚに１列に並ぶように配置されている一群の液処理ユニットＳＵに対応して個別に設けられている。例えば、集合管９３ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇに対応して設けられており、集合管９３ｂは、液処理ユニットＳＵｂ、ＳＵｄ、ＳＵｆ、ＳＵｈに対応して設けられている。集合管９３ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇに対応する個別排気部６１ａ、６１ｃ、６１ｅ、６１ｇと接続するが、これら以外の個別排気部６１とは接続しない。同様に、集合管９３ｂは、液処理ユニットＳＵｂ、ＳＵｄ、ＳＵｆ、ＳＵｈに対応する個別排気部６１ｂ、６１ｄ、６１ｆ、６１ｈとのみ接続する。

個別排気部６１ａ、６１ｃ、６１ｅ、６１ｇの間においては、排気管６２の形状および寸法や排気管６２に対する排気ダンパ９１の配置などを容易に統一することができる。よって、個別排気部６１ａ、６１ｃ、６１ｅ、６１ｇの間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。例えば、個別排気部６１ａの気体の排出量を意図的に変更したときに、他の個別排気部６１ｃ、６１ｅ、６１ｇの気体の供給量が意図せずに変動してしまうことを好適に防止できる。よって、集合管９３ａに対応する一群の液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇにおける処理品質を好適に向上できる。同様に、分配管５６ｂに対応する液処理ユニットＳＵにおける処理品質も好適に向上できる。

特に、集合管９３は、略上下方向Ｚに一列に並ぶ一群の液処理ユニットＳＵの側方において、上下方向Ｚに延びていることが好ましい。例えば、集合管９３ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇの高さ位置に及ぶことが好ましい。これによれば、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇは、集合管９３ａから見て略同じ方向に位置しており、集合管９３ａから略同じ距離だけ離れている。よって、個別排気部６１ａ、６１ｃ、６１ｅ、６１ｇの形状、寸法、向きなどを一層容易に揃えることができる。

さらに、集合管９３は、略上下方向Ｚに一列に並ぶカップ４２の側方において、上下方向Ｚに延びていることが好ましい。例えば、集合管９３ａは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇの各カップ４２の高さ位置に及ぶことが好ましい。これによれば、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｃ、ＳＵｅ、ＳＵｇの各カップ４２は、集合管９３ａから見て略同じ方向に位置しており、集合管９３ａから略同じ距離だけ離れている。よって、個別排気部６１ａ、６１ｃ、６１ｅ、６１ｇの形状、寸法、向きなどを一層容易に揃えることができる。

他方、略水平方向に隣り合うように配置されている液処理ユニットＳＵに対応する複数の個別排気部６１は、同じ集合管９３と接続しない。例えば、例えば、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂは略水平方向に隣り合うように配置されており、個別排気部６１ａ、５１ｂは液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂに対応しており、個別排気部６１ａ、６１ｂは同じ集合管９３に接続していない。よって、個別排気部６１ａ、６１ｂの一方の気体の供給量を意図的に変更したときに、他方の気体の供給量が意図せずに変動してしまうことを好適に防止できる。このように、略水平方向に隣り合うように配置されている液処理ユニットＳＵに対応する複数の個別排気部６１の間で、気体の供給量が干渉することを好適に防止できる。よって、略水平方向に隣り合うように配置されている液処理ユニットＳＵの処理品質を好適に向上できる。

集合管９３は複数（例えば４つ）の個別排気部６１から気体を回収するので、個別排気部６１を小型化できる。

（４）実施例では、空気制御装置５８および気体吸引装置６７は、外部機器であったが、これに限られない。例えば、空気制御装置５８および気体吸引装置６７を、基板処理装置１の内部に設置してもよい。

図１５は、変形実施例に係る個別給気部および個別排気部を示す詳細な側面図である。図１５では、便宜上、液処理ユニットＳＵａ−ＳＵｈに関連する個別給気部５１および個別排気部６１のみを図示する。実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

図１５に示すとおり、空気制御装置５８および気体吸引装置６７を基板処理装置１の内部（例えば、処理ブロックＢＡの下部）に設置してもよい。これによれば、個別排気部６１から排気ポート６３を省略し、個別排気部６１の構成を簡素化できる。また、分配管用給気ポート５７を省略することもできる。

（５）実施例では、液処理ユニットＳＵａに対する供給量および排出量を同じように調整したが、これに限られない。液処理ユニットＳＵａに対する供給量および排出量が互いにことなるように調整してもよい。

（６）実施例では、液処理ユニットＳＵが液処理を開始したときから所定時間Δｔが経過したときに、気体の供給量および排出量を変化させたが、これに限られない。例えば、液処理の動作に応じて、気体の供給量および排出量の少なくともいずれかを変化させてもよい。具体的には、処理液の吐出流量、処理液の吐出を開始する時刻、処理液の吐出を終了する時刻、基板Ｗの回転速度あるいは基板Ｗの回転速度を変化させる時刻に基づいて、気体の供給量および排出量の少なくともいずれかを変化させてもよい。

（７）実施例では、液処理ユニットＳＵが液処理を行っているときに気体の供給量および排出量を変化させたが、これに限られない。すなわち、液処理ユニットＳＵが液処理を行っているときには、気体の供給量および排出量の少なくともいずれかを一定に保ってもよい。

（８）実施例では、制御部７５は液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量と液処理ユニットＳＵからの気体の排出量の両方を制御したが、これに限られない。例えば、制御部７５は液処理ユニットＳＵに対する気体の供給量および液処理ユニットＳＵからの気体の排出量のいずれか一方のみを制御してもよい。

（９）実施例において、個別給気部５１が調整可能な気体の供給量は、例えば、気体の流量［ｍ３／ｓ］であってもよいし、気体の流速［ｍ／ｓ］であってもよい。個別排気部６１が調整可能な気体の排出量は、例えば、気体の流量［ｍ３／ｓ］であってもよいし、気体の流速［ｍ／ｓ］であってもよい。

（１０）実施例では、同じチャンバーＣＨ内に設置される複数の液処理ユニットＳＵは、基板Ｗに同種の液処理を行ったが、これに限られない。すなわち、同じチャンバーＣＨ内に設置される複数の液処理ユニットＳＵが、基板Ｗに異なる液処理を行ってもよい。例えば、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣとレジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴを同じチャンバーＣＨ内に収容してもよい。

（１１）実施例では、液処理として、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理、現像処理を例示したが、これに限られない。液処理は、例えば、基板Ｗに保護膜用材料と塗布し、基板Ｗの表面に保護膜を形成する保護膜形成処理であってもよい。あるいは、液処理は、基板Ｗに洗浄液またはリンス液を供給して、基板Ｗを洗浄する洗浄処理であってもよい。

（１２）実施例では、各チャンバーＣＨは、２つの液処理ユニットＳＵを収容したが、これに限られない。１つのチャンバーＣＨが、１つの液処理ユニットＳＵのみを収容してもよいし、３つ以上の液処理ユニットＳＵを収容してもよい。

（１３）上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。

１ … 基板処理装置
１１ … インデクサ部
１７ … 処理部
１９ … インターフェイス部
５１ … 個別給気部
５２ … 給気ダンパ（給気調整部）
５３ … 給気管
５５ … 吹出ユニット
５６ … 分配管
５７ … 分配管用給気ポート
５８ … 空気制御装置（外部機器（給気用外部機器））
６１ … 個別排気部
６２ … 排気管
６３ … 排気ポート
６６ａ−６６ｐ … 排気ダンパ（外部機器（排気用外部機器））
６７ … 気体吸引装置（外部機器（排気用外部機器））
７５ … 制御部
８１ … 給気ポート
８３ … 給気ダンパ（外部機器（給気用外部機器））
９１ … 排気ダンパ（排気調整部）
９３ … 集合管
ＳＵ … 液処理ユニット
Ｗ … 基板

Claims (23)

1. 基板に液処理を行う第１液処理ユニットと、
   基板に液処理を行う第２液処理ユニットと、
   前記第１液処理ユニットと前記第２液処理ユニットを収容する第１チャンバーと、
   前記第１液処理ユニットに対応して設けられ、前記第１液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第１個別給気部と、
   前記第２液処理ユニットに対応して設けられ、前記第２液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第２個別給気部と、
   を備え、
   前記第１個別給気部は、前記第１液処理ユニットに対する気体の供給量を調整する第１給気調整部を備え、
   前記第２個別給気部は、前記第２液処理ユニットに対する気体の供給量を調整する第２給気調整部を備える基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記第１液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第３液処理ユニットと、
   前記第２液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第４液処理ユニットと、
   前記第３液処理ユニットと前記第４液処理ユニットを収容する第２チャンバーと、
   前記第３液処理ユニットに対応して設けられ、前記第３液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第３個別給気部と、
   前記第４液処理ユニットに対応して設けられ、前記第４液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第４個別給気部と、
   前記第１個別給気部および前記第３個別給気部に気体を分配する第１分配管と、
   前記第２個別給気部および前記第４個別給気部に気体を分配する第２分配管と、
   を備える基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記第１個別給気部と前記第２個別給気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに分離されている基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第１個別給気部は、前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる第１給気管を備え、
   前記第２個別給気部は、前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる第２給気管を備える基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記第１給気管が前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる方向は、前記第２給気管が前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる方向と異なる基板処理装置。
6. 請求項４または５に記載の基板処理装置において、
   前記第１個別給気部は、
   前記第１給気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第１給気ポートと、
   を備え、
   前記第２個別給気部は、
   前記第２給気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第２給気ポートと、
   を備える基板処理装置。
7. 請求項４または６のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第１チャンバーに収容され、前記第１給気管に接続され、前記第１液処理ユニットに気体を吹き出す第１吹出ユニットと、
   前記第１チャンバーに収容され、前記第２給気管に接続され、前記第２液処理ユニットに気体を吹き出す第２吹出ユニットと、
   を備え、
   前記第１吹出ユニットと前記第２吹出ユニットは略水平方向に隣り合い、
   前記第１給気管が前記第１吹出ユニットから延びる方向は、前記第２給気管が前記第２吹出ユニットから延びる方向と異なる基板処理装置。
8. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第１チャンバーに収容され、前記第１個別給気部に接続され、前記第１液処理ユニットに気体を吹き出す第１吹出ユニットと、
   前記第１チャンバーに収容され、前記第２個別給気部に接続され、前記第２液処理ユニットに気体を吹き出す第２吹出ユニットと、
   を備える基板処理装置。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第１個別給気部が液処理ユニットに供給する気体の供給量と前記第２個別給気部が前記第２液処理ユニットに供給する気体の供給量を制御する制御部を備え、
   前記制御部は、前記第１液処理ユニットに対する気体の供給量と前記第２液処理ユニットに対する気体の供給量を個別に変化させる基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記第１液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第１液処理ユニットに対する気体の供給量を変化させ、前記第２液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第２液処理ユニットに対する気体の供給量を変化させる基板処理装置。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１チャンバーに収容されている前記第１液処理ユニットおよび前記第２液処理ユニットは、基板に同種の液処理を行う基板処理装置。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１液処理ユニットに対応して設けられ、前記第１液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第１個別排気部と、
    前記第２液処理ユニットに対応して設けられ、前記第２液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第２個別排気部と、
    を備える基板処理装置。
13. 基板に液処理を行う第１液処理ユニットと、
    基板に液処理を行う第２液処理ユニットと、
    前記第１液処理ユニットと前記第２液処理ユニットを収容する第１チャンバーと、
    前記第１液処理ユニットに対応して設けられ、前記第１液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第１個別排気部と、
    前記第２液処理ユニットに対応して設けられ、前記第２液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第２個別排気部と、
    を備え、
    前記第１個別排気部は、前記第１液処理ユニットからの気体の排出量を調整する第１排気調整部を備え、
    前記第２個別排気部は、前記第２液処理ユニットからの気体の排出量を調整する第２排気調整部を備える基板処理装置。
14. 請求項１３に記載の基板処理装置において、
    前記第１液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第１カップを備え、
    前記第２液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第２カップを備え、
    前記第１個別排気部は、前記第１カップ内の気体を排出し、
    前記第２個別排気部は、前記第２カップ内の気体を排出する基板処理装置。
15. 請求項１３または１４に記載の基板処理装置において、
    前記第１チャンバーに収容されている前記第１液処理ユニットおよび前記第２液処理ユニットは、基板に同種の液処理を行う基板処理装置。
16. 請求項１３から１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１個別排気部は、前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる第１排気管を備え、
    前記第２個別排気部は、前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる第２排気管を備える基板処理装置。
17. 請求項１６に記載の基板処理装置において、
    前記第１排気管が前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる方向は、前記第２排気管が前記第１チャンバーの内部から前記第１チャンバーの外部に延びる方向と異なる基板処理装置。
18. 基板に液処理を行う第１液処理ユニットと、
    基板に液処理を行う第２液処理ユニットと、
    前記第１液処理ユニットに対応して設けられ、前記第１液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第１個別排気部と、
    前記第２液処理ユニットに対応して設けられ、前記第２液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第２個別排気部と、
    を備え、
    前記第１液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第１カップを備え、
    前記第２液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第２カップを備え、
    前記第１個別排気部は、前記第１カップ内の気体を排出し、
    前記第２個別排気部は、前記第２カップ内の気体を排出し、
    前記第１個別排気部は、前記第１カップと接続する第１排気管を備え、
    前記第２個別排気部は、前記第２カップと接続する第２排気管を備え、
    前記第１カップと前記第２カップは略水平方向に隣り合い、
    前記第１排気管が前記第１カップから延びる方向は、前記第２排気管が前記第２カップから延びる方向と異なる基板処理装置。
19. 請求項１６から１８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１個別排気部は、
    前記第１排気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第１排気ポートと、
    を備え、
    前記第２個別排気部は、
    前記第２排気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第２排気ポートと、
    を備えている基板処理装置。
20. 請求項１２から１９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第３液処理ユニットと、
    前記第２液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第４液処理ユニットと、
    前記第３液処理ユニットと前記第４液処理ユニットを収容する第２チャンバーと、
    前記第３液処理ユニットに対応して設けられ、前記第３液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第３個別排気部と、
    前記第４液処理ユニットに対応して設けられ、前記第４液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第４個別排気部と、
    前記第１個別排気部および前記第３個別排気部から気体を回収する第１集合管と、
    前記第２個別排気部および前記第４排気部から気体を回収する第２集合管と、
    を備える基板処理装置。
21. 請求項１２から２０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１個別排気部と前記第２個別排気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに分離されている基板処理装置。
22. 請求項１２から２１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１個別排気部が前記第１液処理ユニットから排出する気体の排出量と前記第２個別排気部が前記第２液処理ユニットから排出する気体の排出量を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、前記第１液処理ユニットからの気体の排出量と前記第２液処理ユニットからの気体の排出量を個別に変化させる基板処理装置。
23. 請求項２２に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記第１液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第１液処理ユニットからの気体の排出量を変化させ、前記第２液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第２液処理ユニットからの気体の排出量を変化させる基板処理装置。

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