JP6563674B2 - コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法 - Google Patents

コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6563674B2
JP6563674B2 JP2015084703A JP2015084703A JP6563674B2 JP 6563674 B2 JP6563674 B2 JP 6563674B2 JP 2015084703 A JP2015084703 A JP 2015084703A JP 2015084703 A JP2015084703 A JP 2015084703A JP 6563674 B2 JP6563674 B2 JP 6563674B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
absorption
barrier layer
sapphire
sapphire substrate
molten
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2015084703A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015205344A (ja
Inventor
エム リー マイケル
エム リー マイケル
ジェイ リヒター アンソニー
ジェイ リヒター アンソニー
サン ユーレイ
サン ユーレイ
エイ モリーナ ラウル
エイ モリーナ ラウル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apple Inc
Original Assignee
Apple Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apple Inc filed Critical Apple Inc
Publication of JP2015205344A publication Critical patent/JP2015205344A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6563674B2 publication Critical patent/JP6563674B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/009Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a non-absorbing, e.g. transparent, reflective or refractive, layer on the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/142Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/1462Nozzles; Features related to nozzles
    • B23K26/1464Supply to, or discharge from, nozzles of media, e.g. gas, powder, wire
    • B23K26/147Features outside the nozzle for feeding the fluid stream towards the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/34Coated articles ; Surface treated articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic materials other than metals or composite materials
    • B23K2103/54Glass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

本発明は、一般的に、サファイア部品の製造に関するもので、より詳細には、レーザを使用して、吸収及び/又はバリア層を有するサファイア基板をカッティングして、サファイア部品を形成することに関する。
(関連出願の相互参照)
本願は、2014年4月18日に出願された“Coated Substrate and Process for Cutting a Coated Substrate”と題する米国プロビジョナル特許出願第61/981,637号の、35U.S.C.§119(e)のもとでの利益を主張するもので、ここに完全に開示されるかのように参考として援用される。
鋼玉石は、酸化アルミニウムの結晶形態で、種々の異なる色で発見され、そのほとんどは、一般的に、サファイアと称される。サファイアは、モース硬度で9.0の硬度をもつ硬くて強い材料であり、従って、ほぼ全ての他の鉱物にかき傷を付けることができる。その硬度及び強度のために、サファイアは、ガラス又はポリカーボネートのような他の半透明材料に取って代わる魅力的なものである。又、サファイアは、薄いシートで製造され、著しい光学的性能を達成するように研磨される。
しかしながら、ある場合には、慣習的な技術を使用してサファイア材料の薄くて高度に研磨したシートを処理することが困難である。例えば、研磨したサファイアシートにおいて融合レーザカットを行うと、溶融サファイアの跳ね掛けが研磨面に堆積する。その跳ね掛けは、冷えて固まると、研磨面に付着し、それを除去するために更に別の処理を必要とする。更に、ある場合には、レーザエネルギーを容易に吸収しない高度に研磨した面を有するサファイアシートにおいてレーザカットを開始することが困難である。
ここに述べる実施形態は、1つ又は複数の層が1つ以上の表面に配置されたサファイアコンポーネントに向けられる。層は、レーザカットプロセスを容易にするように構成されたバリア及び/又は吸収層を形成する。例えば、層は、レーザカット動作又はプロセスの副産物である溶融サファイアの付着を防止又は制限するバリアを形成する。それに加えて又はそれとは別に、層は、レーザから放射された光を吸収するように構成された吸収層としても機能してサファイア材料の局部的加熱を生じ、サファイアコンポーネントを通してレーザカットを開始し易くする。
1つの例示的実施形態は、サファイアコンポーネントを形成する方法において、サファイア基板の第1表面に吸収・バリア層を配置することを含む方法に関する。吸収・バリア層に入射するレーザビームを使用して、サファイア基板のカッティングが遂行される。レーザカッティング動作の一部分として溶融サファイアが生じ、カット部から除去される。又、この方法は、カット部に隣接した第1表面の領域を、吸収・バリア層を使用して溶融サファイアからシールドすることも含む。ある実施形態では、吸収・バリア層は、レーザカッティング動作が完了した後にサファイア基板の第1表面から除去される。
ある実施形態では、吸収・バリア層は、サファイア基板の第1表面に直接付着される。例えば、吸収・バリア層は、サファイア基板の第1表面に噴霧、印刷及び/又は塗布される。ある実施形態では、吸収・バリア層が個別に形成され、そしてサファイア基板の第1表面において吸収・バリア層に付着される。ある実施形態では、吸収・バリア層がサファイア基板の第1表面にディスペンスされる。吸収・バリア層は、サファイア基板シートの片側又は両側に形成されてもよい。
ある実施形態では、サファイア基板のカットを遂行することは、融合レーザカッティングプロセスを遂行することを含む。ある場合に、融合レーザカッティングプロセス中に、ガス流を使用して溶融サファイアがカット部から除去される。ある実施形態では、吸収・バリア層は、サファイア基板内のレーザビーム放射の吸収を増加して、サファイア基板の第1表面に熱エネルギーの局部領域を生成するよう構成される。熱エネルギーの局部領域は、基板の表面付近でサファイア材料の溶融を助けることによりレーザカッティング動作を容易にする。ある場合には、熱エネルギーの局部領域を使用してサファイアのカッティングが開始され、溶融サファイアの領域を形成する。
ある実施形態では、吸収・バリア層を配置することは、サファイア基板の第1表面にバリアを形成することを含む。バリアは、溶融サファイアから第1表面をシールドするように構成される。溶融サファイアは、融合レーザカッティングプロセス又は動作の結果として吸収・バリア層の表面へ搬送又は噴霧される。ある場合には、溶融材料は、吸収・バリア層の表面に小滴として堆積し、冷えて固まる。
ある実施形態では、吸収・バリア層は、溶融温度がサファイア基板の溶融温度より低い材料から形成される。ある場合には、吸収・バリア層を形成する材料の溶融温度は、200℃以上である。ある実施形態では、吸収・バリア層は、ポリマー材料から形成される。ある実施形態では、吸収・バリア層は、ポリエステルシート、プラスチック膜、物理的蒸着(PVD)プロセスにより形成されたコーティング、インク印刷材料、及び塗装材料を含む。ある場合には、吸収・バリア層は、拡散表面仕上げの不透明材料を含む。
ある例示的実施形態では、サファイア基板は、サファイア基板の第1表面に対して配置された吸収・バリア層に入射するレーザビームを使用して照射される。ある場合には、吸収・バリア層を使用して熱エネルギーの局部領域を形成することによりサファイア基板においてカッティングが開始される。サファイア基板は、カッティングが開始された後にレーザの使用を通してカッティングされる。
本発明は、同じ構造要素が同じ参照番号で示された添付図面を参照した以下の詳細な説明により容易に理解されよう。
例示的な電子装置の前面図である。 例示的な電子装置の後面図である。 実施形態によるサファイア基板及び吸収・バリア層の断面図である。 サファイアコンポーネントを形成する例示的なプロセスのフローチャートである。 図1A−Bに示す電子装置のサファイアコンポーネントを形成するプロセスを受けるサファイア基板及び吸収・バリア層の断面図である。 図1A−Bに示す電子装置のサファイアコンポーネントを形成するプロセスを受けるサファイア基板及び吸収・バリア層の断面図である。 図1A−Bに示す電子装置のサファイアコンポーネントを形成するプロセスを受けるサファイア基板及び吸収・バリア層の断面図である。 図1A−Bに示す電子装置のサファイアコンポーネントを形成するプロセスを受けるサファイア基板及び吸収・バリア層の断面図である。 図1A−Bに示す電子装置のサファイアコンポーネントを形成するプロセスを受けるサファイア基板及び吸収・バリア層の断面図である。 図1A−Bに示す電子装置のサファイアコンポーネントを形成するプロセスを受けるサファイア基板及び吸収・バリア層の断面図である。 1つ以上の吸収・バリア層を有するサファイア基板の他の例示的実施形態の断面図である。 1つ以上の吸収・バリア層を有するサファイア基板の他の例示的実施形態の断面図である。 1つ以上の吸収・バリア層を有するサファイア基板の他の例示的実施形態の断面図である。
添付図面は、必ずしも正しい縮尺でないことに注意されたい。添付図面は、本発明の典型的な態様のみを示し、それ故、本発明の範囲を限定すると考えてはならない。添付図面にわたって同じ要素は同じ番号で示されている。
一般的に、消費者向け装置又は非消費者向け装置にとってサファイアのような硬い材料で形成された保護カバー、窓及び/又は表面を含むことが好都合である。慣習的な珪酸ガラスのような他の光学的に透明な材料に比して、サファイアは、改善された耐スクラッチ性及び強度を与える。しかしながら、光学的に透明なサファイアの薄いシートは、慣習的な技術を使用して製造することが困難である。特に、非常に薄く且つ高度に研磨されたシートにおいてレーザカッティングを開始することは困難である。更に、研磨されたシートのレーザカッティングは、研磨面の表面仕上げに影響し、その修復のために更なるラッピング及び/又は研磨(polishing)を必要とする。ここに述べるように、種々の実施形態によれば、サファイアコンポーネントは、吸収・バリア層を有するサファイア基板をレーザカッティングすることにより製造でき、薄いサファイアコンポーネントの製造に関連した幾つかの問題を軽減又は排除する。
ある実施形態では、サファイア基板は、その表面に形成された吸収・バリア層を有し、レーザベース製造プロセスを容易にする。特に、吸収・バリア層は、レーザ融合カッティング動作を容易にする。ある場合には、融合カッティング動作中に、レーザビームを使用して、サファイア基板の一部分を加熱し、特に、それを溶融する。誘導ガス流を使用して溶融サファイアを除去し、サファイア基板に空所又はくぼみを残す。融合カッティングにより生じる効率及び縁仕上げは、例えば、物理的エッチング、切除レーザカッティング、又はレーザ罫書きを含む他の形式のレーザカッティング技術より優れている。
しかしながら、ある環境では、高度に研磨された薄いサファイアシートに融合カッティングプロセスを使用することが困難である。特に、融合カッティング動作中に、ガス流により除去される溶融サファイアがサファイア基板の表面に跳ね掛け路を形成する。溶融サファイアが冷えて固まると、表面に接着し、除去が困難になる。サファイア基板が既に研磨されている場合には、融合カッティングにより生じる跳ね掛けを除去するために更に別のラッピング又は表面研磨が必要になる。以下の幾つかの実施形態で述べるように、サファイア基板に配置された吸収・バリア層は、融合カッティング中に生じる溶融サファイアから基板の表面をシールド又は保護する。ある場合に、吸収・バリア層は、溶融サファイアに対して有効なバリアを形成するため充分に高い融点をもつように構成される。更に、吸収・バリア層の融点及び熱特性は、レーザカット部から材料が後退してそのカット部の付近のサファイアの一部分を露出するのを最小にし又は防止するように構成される。
更に、ある場合には、微細な表面仕上げ(例えば、研磨表面)へと研磨されたサファイア基板において融合カッティングを開始することが困難である。例えば、微細な表面仕上げのサファイア基板は、レーザ光を充分に拡散し又は内部結合(in-couple)してレーザカッティングを開始するに必要な熱を発生するには透明過ぎる。以下の幾つかの実施形態で述べるように、サファイア基板に配置された吸収・バリア層は、基板の表面付近でレーザビームの吸収を高めることによりレーザカッティング動作を容易にする。ある場合には、吸収・バリア層は、サファイア基板の第1表面における熱エネルギーの局部領域の形成を容易にし、そしてサファイア材料のレーザカッティングを開始する上で助けとなる。ある場合には、開始されたカットを使用して、サファイア材料を通る又は一部分通るレーザカットを前進させる。ある場合には、吸収・バリア層を使用してレーザカットが開始されると、吸収・バリア層によってカバーされていないサファイア基板の領域へレーザカットが前進される。
ここに述べるシステム及び技術は、サファイアコンポーネント又は部品を製造するためのレーザカッティング動作を容易にするために使用される。以下の例は、レーザ融合カッティング動作に関して示されるが、このシステム及び技術は、例えば、レーザ切除、レーザエッチング、レーザストレスクラッキング、等を含む他の形式のレーザベース動作にも適用することができる。更に、ここに述べる実施形態及びプロセスは、サファイア基板に関するものであるが、サファイアと同様の特性(例えば、高い溶融温度、高い硬度、光学的透明性、等)を有する付加的な材料が同じ処理を受けてもよいことを理解されたい。以下に述べる種々の実施形態によれば、吸収・バリア層を有するサファイア基板は、優れた表面仕上げの薄いシートサファイアコンポーネントを形成するのに使用できる。
種々の実施形態によれば、図1A−Bは、複数の硬い保護シートを外部に有する装置を示す。ここに示す例では、保護シートは、優れた耐スクラッチ性を与えそして且つ装置の機械的完全性を向上させる1つ以上のサファイアコンポーネントから形成される。又、この保護シートは、光学的な透過窓としても働き、その下に横たわるコンポーネント、例えば、ディスプレイスクリーン又はグラフィックエレメントが目に見えるようにする。典型的な実施形態では、保護シートの光学的及び機械的特性は、装置の品質及び性能を認識するのに重要である。
図1Aに示すように、装置10は、サファイアコンポーネントから形成されて光学的に透過な保護層として働く保護カバーシート11を備えている。カバーシート11は、典型的に、光学的に透過な接着剤又は他の接合技術を使用して装置10に取り付けられる。この例において、カバーシート11は、感圧接着剤(PSA)の膜を使用して取り付けられる。カバーシート11は、ディスプレイスクリーン20の面に取り付けられ、そしてディスプレイスクリーン20をスクラッチ又は他の物理的ダメージから保護する。ディスプレイスクリーン20は、液晶ディスプレイ(LCD)、誘起発光ダイオード(OLED)ディスプレイ、又は同様のディスプレイエレメントを含む。カバーシート11は、ディスプレイスクリーン20の上に横たわるので、光学的透明性、研磨面仕上げ、材料厚み、及び物理的強度は、カバーシート11の機能単独でも、或いはそのような他の観点に関しても有用な特性である。又、カバーシート11は、ディスプレイスクリーン20上に横たわる透明の電子センサに取り付けられてもよいし、又はそれと一体化されてもよい。ある場合には、電子センサが、全ディスプレイスクリーン20をカバーし、そしてユーザのためのメイン入力装置として使用される。ある実施形態では、カバーシート11は、カバーシート11の表面への指又はスタイラスのタッチを検出するように構成されたタッチセンサ、カバーシート11に作用する力を決定するように構成された力センサ、又はカバーシート11との相互作用を検出する他のセンサと一体化される。
ある実施形態では、図1Aに示すカバーシート11は、全厚みが3mm以下のサファイアコンポーネントから形成される。ある実施形態では、サファイアコンポーネントは、厚みが3mmより大きい。典型的に、カバーシート11の全厚みは、1mm未満であるが、この厚みは、装置及び/又は実施形態の間で変化してもよい。ある場合には、全厚みは、0.3mm未満である。1つの非限定例では、サファイアコンポーネントの全厚みは、約0.25mmであり、それより小さくてもよい。サファイア材料の非常に薄いシートでは(例えば、約0.5mm以下)、ある実施形態による吸収・バリア層の追加で、レーザカッティング及び製造プロセスが改善される。
カバーシート11は、アルミナ、コランダム又は他の形態の酸化アルミニウム(Al23)を含むサファイア材料から形成される。従って、サファイア又はサファイア材料とは、アルミニウム酸化物の1つ以上の形態も含み又は包含する。ある実施形態では、カバーシート11は、サファイア材料の単一シートから形成されてもよいし、或いは複数の層から形成され且その少なくとも1つの層がサファイアのシートから形成されたラミネート材料から形成されてもよい。ここに示す例では、カバーシート11の片面に太い不透明の境界が周囲部分を取り巻いて印刷される。カバーシート11の中央部分は、光学的に透過状態に保たれる。カバーシート11の印刷面とは、典型的に、印刷部分がスクラッチ傷やダメージを受けるのを防止するために装置10の外面とは反対の面である。装置に対して外部のカバーシート11の面は、カバーシート11の光学的特性を向上させるために反射防止又は他の形式のコーティングを含む。
図1Aに示すように、装置10の前面は、コントロールボタン22の表面を保護するのに使用されるボタンシート12も含む。この例では、ボタンシート12は、サファイアコンポーネントで形成され、そして光学的に透過な保護層として使用される。ボタンシート12は、コントロールボタン22の表面を保護し、そしてコントロールボタン22に印刷されたグラフィックエレメントが見えるようにする。ある場合には、ボタンシート12が光学的に透過である必要はない。例えば、ボタンシート12は、不透明であって、それ自体にグラフィックエレメント又は記号が印刷されてもよい。この場合、ボタンシート12は、フラットなシートであるが、他の実施形態では、ボタンシート12は、輪郭に合う又はカーブした表面として形成される。
ボタンシート12は、装置10への入力として使用されるコントロールボタン22の機械的強度を向上させる。ここに示す例では、コントロールボタン22は、コントロールボタン22を押圧することにより作動される触覚スイッチを含む。又、コントロールボタン22は、容量性タッチセンサ又はバイオメトリックセンサのような電子タッチセンサも含むか又はそれに関連付けされる。ボタンシート12は、コントロールボタン22のハウジングに直接取り付けられてもよいし、或いは又、コントロールボタン22の電子タッチセンサに取り付けられるか又はそれと一体的にされてもよい。同様に、サファイアコンポーネントは、スライド、ホイール、キー、等を含む種々の入力メカニズムのための保護カバーとして使用することができる。
ある実施形態では、図1Aに示すボタンシート12は、全厚みが3mm以下のサファイアコンポーネントから形成される。ある実施形態では、サファイアコンポーネントは、厚みが3mmより大きい。典型的に、サファイアコンポーネントの厚みは、1mm未満である。ある場合には、サファイアコンポーネントの全厚みは、0.3mm未満である。1つの非限定例では、全厚みが約0.25mmであり、それ未満でもよい。カバーシート11と同様に、ボタンシート12は、サファイア材料の単一シートから形成されてもよいし、或いはサファイアのシートから形成された少なくとも1つの層を有するラミネート材料から形成されてもよい。ある場合には、ボタンシート12は、カバーシート11と同じ材料から形成されるが、それは、必要なことではない。ボタンシート12の片面又は両面も、サファイア部品の光学的特性を向上させるために印刷又はコーティングされる。
図1Bに示すように、装置10の裏面は、バックシート13で保護される。カバーシート11と同様に、バックシート13もサファイアコンポーネントで形成され、そして光学的に透過な保護層として使用される。この場合に、バックシート13は、装置10の裏面に印刷されたグラフィックエレメントが見えるようにする。又、カバーシート11と同様に、バックシート13は、サファイア材料の単一シートから形成されてもよいし、或いはサファイアのシートから形成された少なくとも1つの層を有するラミネート材料から形成されてもよい。この場合に、バックシート13は、カメラレンズ24付近のエリアを除いて、装置10の裏面全体をカバーする。カメラレンズ24を保護するのに、個別のサファイアコンポーネントが使用されてもよい。別の実施形態では、バックシート13は、カメラレンズ24もカバーし、個別のサファイアコンポーネントは使用されない。
この例では、保護カバーシート(11、12、13)は、コランダムとも称されるアルミナの結晶形態(Al23)から形成されたサファイアシートコンポーネントで形成される。図1A−Bは、一例として設けられたもので、サファイアコンポーネントは、実質上外面の上に保護カバーを形成するために使用される。サファイアシートは、厚みが3mmから0.1mmの範囲で、硬度がモース硬度で約9.0であるが、別の実施形態では、異なる厚みのシートを有してもよい。上述したように、保護カバーシート(11、12、13)の1つは、複数の材料シートのラミネートとして形成され、そして部品の光学的又は機械的特性を向上させるために1つ以上の材料でコーティングされる。ある場合には、製造プロセスを簡単化するために全ての保護カバーシート(11、12、13)を同じサファイア基板から形成するのが有利である。しかしながら、部品ごとに望ましい光学的及び/又は機械的特性に基づいて、カバーシートごとに異なる形式のサファイア基板が使用されてもよい。
図1A−Bに示されたように、装置10は、ポータブル電子装置である。装置10は、硬質の基板をカバー、窓、及び/又は表面として使用する種々の装置のいずれの1つでもよい。例えば、装置10は、移動電話、ポータブルメディアプレーヤ、ウェアラブル電子装置、ヘルスモニタリング装置、及び/又は他のポータブル機器のようなポータブル電子装置である。例えば、タブレットコンピュータ、ノートブックコンピュータ、及び種々のウェアラブル装置を含む他の電子装置に同様の形式の保護カバーが適用されてもよい。更に、ダイヤルの上に光学的透過面を使用する機械式の時計のような非電子装置を含む他の形式の装置に保護カバーが適用されてもよい。或いは又、特に、表面にディスプレイスクリーン、カメラ又は他の光学的エレメントが含まれる場合には、硬質の外面を含む装置と保護カバーが一体化されてもよい。
図1A−Bを参照して上述したように、電子装置の種々のコンポーネント(例えば、カバーシート11、ボタンシート12及びバックシート13)は、種々の形態のアルミニウム酸化物を含むサファイア材料で形成される)。図2に示されて、以下に述べるように、電子装置10の種々のコンポーネントは、サファイア基板100から形成される。即ち、図2、3及び4A−Fを参照して以下に述べるように、サファイア基板は、電子装置10の保護シートとして使用される1つ以上のサファイアコンポーネントを形成するために、複数の処理(例えば、レーザカッティング)を受ける。更に、ここに述べるように、サファイア基板100の処理を改善し、最終的に、サファイア基板100から形成されるサファイアコンポーネントを改善するために、吸収・バリア層102が、処理の前に、サファイア基板100の第1表面104に配置される。
図2に示して、ここに述べるように、サファイア基板100は、電子装置10のサファイアコンポーネントを形成するのに使用される人工的に成長されたコランダムを含む。サファイア基板100の1つ以上の表面は、表面104に微細な表面仕上げを達成するために、グラインディング、ラッピング及び研磨(polishing)のような1つ以上の表面処理を受ける。更に、サファイア基板100は、図2に示したように、吸収・バリア層102を追加する前に前処理手順を受け、そして後続処理(例えば、レーザカッティング)を受ける。非限定例では、サファイア基板100は、ブール(boule)からスライスされ、望ましい厚みにグラインディングされ、及び/又は望ましい表面仕上げとなるよう研磨される。ある場合には、サファイア基板100は、最終表面仕上げを達成するよう処理される。
図2に示すように、サファイア基板100の第1表面104に吸収・バリア層102が配置される。一例において、吸収・バリア層102は、サファイア基板100の処理中にサファイア基板100の第1表面104を実質的にシールドするためにポリマー材料から形成される。ある場合には、吸収・バリア層102は、図2に示したように、ポリエステルシート、プラスチックフィルム、ペイント(例えば、インク)、硬化性不透明材料(ポリマー噴霧)、又は他の適当な材料から形成され、これは、サファイア基板100の第1表面104上に保護バリア及び/又は光学的吸収層を実質的に形成する。ある場合には、吸収・バリア層102は、サファイア基板100上に吸収・バリア層102を形成するためのラミネーションプロセス、物理的蒸着(PVD)プロセス、印刷プロセス、塗装プロセス又は他の技術を使用して形成される。
ある場合には、吸収・バリア層102は、その溶融温度がサファイア基板100の溶融温度より低い。非限定例において、吸収・バリア層102を形成する材料は、溶融温度が約200℃であり、そしてサファイア基板100の溶融温度は、約2000℃である。ある場合には、吸収・バリア層102は、溶融温度が200℃以上であり、且つサファイア基板100の溶融温度以下である。
又、吸収・バリア層102を形成するのに使用される材料は、サファイア基板100上で遂行されるレーザベースの動作を容易にするように調整される。非限定例において、ここに述べるように、吸収・バリア層102を形成する材料は、サファイア基板100上で遂行されるレーザカッティングプロセスを容易にするか又は改善する特定の光学的特性を有する。一例において、吸収・バリア層102は、拡散表面仕上げで実質的に不透明である。特に、吸収・バリア層102は、カッティングレーザで発生する光の波長に対して実質的に不透明である。一般的に、吸収・バリア層102の透明特性(例えば、不透明)は、サファイア基板100をカッティングするのに使用されるレーザビームの動作特性又はパラメータ(例えば、波長、電力、パルス長さ、スポットサイズ)に対して調整される。又、ある場合には、吸収・バリア層102の表面仕上げは、レーザを吸収し易くするように調整される。即ち、吸収・バリア層102は、図4A−Fを参照して以下に述べるように、サファイア基板100を処理及び/又はカッティングするレーザの吸収を助けるために実質的に粗い又はざらざらした表面仕上げを含む。
ここに述べるように、特定の光学的品質を有する吸収・バリア層102は、サファイア基板100に配置され、サファイア基板100のレーザカットを開始するためにレーザビームを吸収し易くする。より詳細には、吸収・バリア層102は、レーザ放射を吸収し、サファイア基板の表面付近に熱エネルギーの局部領域を形成して、その領域内でのサファイアの溶融又は蒸発を容易にする。サファイア材料の薄いシートごとに(例えば、約0.5mm以下)、適当な光学的特性の吸収・バリア層を追加すると、レーザカッティングプロセスが実質的に改善される。1つの非限定例では、サファイアコンポーネントの全厚みが約0.25mmである。別の非限定例では、サファイアコンポーネントの全厚みが0.25mm未満である。
図3は、吸収・バリア層及びレーザベースのカッティング動作を使用してサファイアコンポーネントを形成するための例示的なプロセスを示す。より詳細には、図3は、サファイアコンポーネントを形成するための1つの例示的なプロセス300を示すフローチャートである。ある場合には、サファイアコンポーネントは、図1A−Bを参照して上述したように、電子装置に1つ以上の保護シートを形成するのに使用される。
動作302において、1つ以上の吸収・バリア層がサファイア基板に配置される。1つの例において、サファイア基板の第1(光学的)表面に少なくとも1つの吸収・バリア層が配置される。サファイア基板の第1表面に吸収・バリア層を配置する方法は、吸収・バリア層に使用される材料に少なくとも一部分依存する。非限定例において、吸収・バリア層を配置することは、サファイア基板の第1表面に吸収・バリア層を付着し、噴霧し、印刷し、塗装し、接着し及び/又はディスペンスすることを含む。吸収・バリア層がサファイア基板に接着される非限定例では、吸収・バリア層をサファイア基板に接着するためサファイア基板の第1表面に接着剤層を付着する。動作302における吸収・バリア層の配置は、吸収・バリア層上又は内に不透明又は光吸収性の材料を形成することを含む。配置された吸収・バリア層上又は内に形成された不透明又は光吸収性の材料は、レーザベースのカッティング動作を容易にする。ある場合には、吸収・バリア層は、別の材料を追加せずに望ましい不透明さ又は光吸収特性を有する材料から形成される。以下に詳細に述べるように、吸収・バリア層は、サファイア基板のその後の処理中にサファイア基板の第1表面をシールド又は保護する。
動作302のある実施形態では、サファイア基板に対して複数の吸収・バリア層が配置される。より詳細には、ある吸収・バリア層がサファイア基板の第1表面に配置され、そしてその第1表面に配置された吸収・バリア層とは反対のサファイア基板の第2表面に別の吸収・バリア層が配置される。更に、複数の吸収・バリア層は、サファイア基板のある表面上に両層が配置されるように互いに配置されてもよい。
例示的なプロセス300に関して、ある実施形態では、吸収・バリア層が1つ以上の表面に既に形成されたサファイア基板が準備される。即ち、ある実施形態では、動作302は、材料が上流の製造プロセスで準備され又は処理される仕方により任意となる。例えば、ある場合には、吸収・バリア層は、サファイア基板の取り扱い又は操作によるスクラッチ又はダメージの機会を減少するための最終的な研磨プロセスの直後にサファイア基板の表面に形成される。ある場合には、吸収・バリア層は、レーザカッティング動作304の前後にサファイア基板の1つ以上の表面を保護する。
動作304において、サファイア基板のカッティングが遂行される。このカッティングは、吸収・バリア層に入射するレーザビームを使用して遂行される。1つの例では、サファイア基板をカッティングして電子装置のサファイアコンポーネントを形成するためにサファイア基板において融合レーザカッティングプロセスが遂行される。ある場合には、動作304のカッティングプロセス中に、吸収・バリア層は、入射するレーザビームからエネルギーを吸収し、そして熱エネルギーの局部領域を形成する。上述したように、エネルギーの局部集中は、サファイア基板のカッティングを開始する上で助けとなる。カッティングが開始すると、レーザは、材料を通して及び/又はカッティング路に沿ってカッティングを進め、プロフィールカットを形成する。ある実施形態では、吸収・バリア層は、カッティングの開始中にのみ使用され、そしてレーザは、吸収・バリア層によりコーティング又はカバーされていないサファイア基板の領域へカットを進める。ある実施形態では、カットは、サファイア基板を完全に貫通して進むのではなく、サファイア基板の表面に溝、チャンネル又は他の形式のくぼみを形成する。
動作306において、ある量の溶融サファイアが形成され、サファイア基板のカット部から除去される。1つの例では、動作304において、融合カッティングプロセスが遂行される。融合カッティングプロセスの一部分として、サファイア基板のカット部内にある量の溶融サファイアが形成される。溶融サファイアは、次いで、カッティングされている基板の部分に向けられたガスの噴射又は流れを使用してサファイア基板のカット部から除去される。ある場合には、ガスの噴射又は流れが溶融サファイアを押し出すか又は吹き出し、サファイア基板に空所又はカット部を生成する。
ある場合には、空気の噴射又は流れを使用してカット部から溶融サファイアを除去することで溶融サファイアが小滴の柱へと推進される。ある場合には、溶融サファイアの小滴が基板上のカッティングレーザ付近の領域に戻される。上述したように、溶融サファイアがサファイア基板の研磨表面に堆積される場合には、小滴を除去しそしてサファイア基板を適当な表面仕上げレベルに復帰させるために更に別の処理が要求される。動作308を参照して以下に述べるように、サファイア基板の表面に配置される吸収・バリア層の使用は、この望ましからぬ結果を防止する。
動作308において、サファイア基板の第1表面の領域は、動作306においてカット部に形成されて除去される溶融サファイアからシールドされ又は保護される。1つの例では、サファイア基板の第1表面に配置された吸収・バリア層は、バリアを形成し、及び/又はカット部付近に位置するサファイア基板の第1表面の領域を、ガス流を使用してカット部から除去される溶融サファイアからシールドする。ある場合には、吸収・バリア層により与えられるシールド作用のために、カット部から除去されてガス流により上方に投射される溶融サファイアの全部又はほぼ全部がサファイア基板の第1表面に堆積されるのではない。更に、サファイア基板のカット部から除去される溶融サファイアは、むしろ、吸収・バリア層及び/又はサファイア基板の更なる処理まで吸収・バリア層に堆積される。
ある場合には、動作308で遂行されるプロセスを助けるか又はそれを可能にする融点及び熱特性を有する材料から吸収・バリア層が形成される。特に、吸収・バリア層の融点及び熱特性は、吸収・バリア層がサファイア基板の第1表面のカバレージを維持する上で助けとなる。ある場合には、吸収・バリア層は、カッティングレーザビームに接近したときに溶融するのに抵抗する。例えば、吸収・バリア層は、レーザカット部付近の領域から吸収・バリア層が後退する機会を防止又は減少する上で助けとなる融点及び/又は熱特性を有する。
動作310において、吸収・バリア層は、サファイア基板の第1表面から除去される。より詳細には、吸収・バリア層、及び吸収・バリア層に堆積される以前に溶融したサファイア小滴は、サファイア基板の第1表面から除去される。動作302における吸収・バリア層を配置する方法と同様に、除去プロセスも、吸収・バリア層に使用される材料に少なくとも一部分依存する。非限定例では、吸収・バリア層は、溶融サファイアを含む吸収・バリア層を研磨し、バフィングし、グラインディングし、分解し、及び/又はサファイア基板の第1表面から洗浄することにより、除去される。ある場合には、吸収・バリア層を除去するために超音波クリーニングプロセスが使用される。サファイア基板からサファイア小滴を含む吸収・バリア層を除去すると、サファイア基板の第1表面に形成される溶融サファイアにより生じる表面的、構造的及び/又は光学的欠陥が実質的にない最終的なサファイアコンポーネントが形成される。図1A−Bを参照して上述したように、そのサファイアコンポーネントは、電子装置の1つ以上の保護シートを形成するのに使用される。
図4A−4Fを参照すれば、サファイア基板100及び吸収・バリア層102が図3のプロセス300により遂行される種々の動作を受けるところが示されている。同様の番号をもつコンポーネントは、実質的に同様の機能を果たすことを理解されたい。明瞭化のためそれらコンポーネントの冗長な説明は省く。
図4Aに示すように、吸収・バリア層102は、前記のように、サファイア基板100の第1表面104に配置される。ある場合には、吸収・バリア層102は、サファイア基板100の第1表面104に直接付着され及び/又は位置される不透明のポリマー材料を含む。更に、ここに述べるように、吸収・バリア層102を形成するポリマー材料は、その溶融温度(例えば、200℃)がサファイア基板100の溶融温度(例えば、2000℃)より低い。図4Aに示すように吸収・バリア層102を配置することは、図3の動作302に対応する。
図4B及び4Cを参照すれば、上述したように、サファイア基板100にカット部106(図4Cを参照)が設けられる。より詳細には、図4B及び4Cは、レーザビーム108を使用してサファイア基板100にカット部106を形成するところを順次に示す。図4B及び4Cに示すように、サファイア基板100にカット部106を形成することは、図3の動作304に対応する。非限定例では、図4Bに示すように、サファイア基板100内にカット部106を形成する融合レーザカッティングプロセスを遂行するためにレーザ110が使用される。レーザ110は、上述したように、サファイア基板100にカット部106を形成できるレーザビーム108を与えるのに適した種々のレーザの1つを含む。ある実施形態では、約1070nmを中心とする波長及び0.2から10nmの範囲のパルス巾のレーザビームを発生するように構成されたファイバーレーザを使用してレーザカッティングが遂行される。ある場合には、レーザは、10ワットから150ワットの平均電力の範囲の電力で(最大1500ワットの最大電力で)レーザビームを発生するように構成される。更に、図示して以下に詳細に述べるように、融合レーザ110を含む融合レーザシステムは、融合レーザ110に隣接配置されたガス供給ノズル112も備えている。ガス供給ノズル112は、上述したように、融合レーザ110の動作中にカット部106からサファイア基板100の部分を除去するためのガス116の噴射又は流れを与える。
融合レーザ110は、上述したように、吸収・バリア層102に入射及び/又はそれを貫通するレーザビーム108を与える。一部分は、吸収・バリア層102の光学的特性、材料組成、及び/又は低い溶融温度のために、吸収・バリア層102は、レーザビーム108により生じる放射の吸収を高めるように構成される。高められた吸収で、サファイア基板100の第1表面104に熱エネルギーの局部領域又は集中が生じ、サファイア基板100の初期カッティングを容易にする。非限定例では、図4B及び4Cに示して以下に述べるように、サファイア基板100は、研磨されたサファイアシートから形成される。サファイア基板100の研磨特性の結果として、レーザビーム108の光子は、サファイア基板100を充分に加熱し及び溶融することなく、裸のサファイア100の領域を実質的に貫通する。しかしながら、ここに述べるように、これは、第1表面104に配置され又は位置される吸収・バリア層102を使用することにより回避される。
一部分は、吸収・バリア層102を形成するポリマー材料の不透明な光学的特性及び/又は低い溶融温度のために、レーザビーム108により発生される放射の吸収は、吸収・バリア層102を使用することにより高められる。その後、ある場合には、吸収・バリア層102は、最終的に、レーザビーム108の放射を転送して、第1表面104に、そして最終的には、サファイア基板100を貫通して、熱エネルギーの局部領域114を生成する(図4Cを参照)。図4Cに示すように、熱エネルギーのこの局部領域114は、サファイア基板100においてカッティングを開始する。
図4Cに示すように、レーザ110を使用してカット部106を形成する結果として、カット部106から溶融サファイアの小滴118も形成する。より詳細には、サファイア基板100にカット部106を形成する間に、カット部106から溶融され及び/又は除去されたサファイア基板100の残り物から溶融サファイアの小滴118が形成される。ある場合には、ガス供給ノズル112は、カット部106付近の領域にガス流116を与え、カット部106から溶融サファイア118を除去又は押し出す。ある量の溶融サファイア118がガス流116によりカット部106及びサファイア基板100から推進される。ある場合に、カット部106から除去されたある量の溶融サファイア118は、吸収・バリア層102に堆積される。図4Cに示すように、溶融サファイア118を形成しそして除去することは、図3の動作306に対応する。
図4Dに示すように、カット部106がサファイア基板100に完全に形成され、そしてサファイア基板100が融合レーザ110から取り出される。図4Cを参照して述べるように、吸収・バリア層102に堆積した以前に溶融されたサファイア118は、硬化したサファイア小滴として吸収・バリア層102に残される。ここに述べるように、吸収・バリア層102は、溶融サファイア118から第1表面104をシールドするためにサファイア基板100の第1表面104にバリアを形成する。より詳細には、吸収・バリア層102は、カット部106付近に位置する第1表面104の領域を溶融サファイア118からシールドし、サファイア基板100におけるカット部106の形成中及び/又は形成後に溶融サファイア118が第1表面104に接触及び/又は接着しないようにする。図4Dに示すように、サファイア基板100の第1表面104をシールドすることは、図3の動作308に対応する。
最終的に、図4E及び4Fに示すように、吸収・バリア層102は、サファイア基板100の第1表面104から除去される。1つの例では、図4Eに示すように、吸収・バリア層102及び(以前の)溶融サファイア118(仮想線で示す)は、その溶融サファイア118が第1表面104に接触及び/又は接合しないように、サファイア基板100の第1表面104から除去される。前記非限定例に続いて、吸収・バリア層102を形成する不透明なポリマー材料、及び吸収・バリア層102に接触又は接合された溶融サファイア118は、研磨又は超音波クリーニング技術を使用することにより除去される。図4E及び4Fに示すように、吸収・バリア層102、及び吸収・バリア層102に形成された溶融サファイア118を除去することは、図3の動作310に対応する。
図4Fに示すように、サファイアコンポーネント200は、サファイア基板100から形成され、そして電子装置10のコンポーネントに含まれる。一例では、図4Fに示すように、サファイア基板100が大きなサファイアシートを含む場合には、図3及び4A−Fを参照して述べたプロセス及び/又は動作を使用して、複数のサファイアコンポーネント200が形成される。上述したように、サファイアコンポーネント200は、電子装置10(図1A−Bを参照)に1つ以上の保護シート(例えば、カバーシート11、ボタンシート12、及びバックシート13)を形成するのに使用される。
上述したように、吸収・バリア層102は、シールド保護層及び光学的吸収層の両方として働く。しかしながら、別の実施形態では、吸収・バリア層102は、それらの2つの機能のうちの1つしか果たさない。例えば、ある場合には、吸収・バリア層102は、光学的吸収品質だけのためにサファイア基板100に適用される。このシナリオでは、吸収・バリア層102は、光学的(例えば、レーザ)エネルギーを吸収し易くし且つサファイア基板100をレーザカッティングし易くするためサファイア基板100に配置される。しかしながら、吸収・バリア層102は、必ずしも、溶融サファイアからの実質的なシールドを与えなくてもよい。
1つの非限定例では、吸収・バリア層102は、第1表面104に塗装又は噴霧されるインクから形成される。吸収・バリア層102を形成するインクは、サファイア基板100の第1表面104に薄い不透明な材料層を形成し、これは、ここに述べるように、サファイア基板100においてレーザカットを開始するためのレーザビームの吸収を容易にする。インクだけでは、必ずしも、溶融サファイア118がカッティングプロセス中に第1表面104に接触又は接合するのをシールド及び/又は防止しないことがある。しかしながら、溶融サファイアからのシールド又は保護を与えるためにインクコーティングを別のコーティング又は層と結合してもよい。ある場合には、インクコーティングが単独で使用され、基板の表面に付着される付加的な保護層がない。ある場合には、インク層による表面の光学的特性の向上は、レーザビームの吸収を容易にし、且つサファイア基板100内でレーザカットを開始及び安定化する上で助けとなる。ある場合には、溶融サファイア118の量又は広がりは、ガス供給ノズル112により減少され及び/又はカット部106から容易に除去され、散乱又はスパッタ量も減少される。
吸収・バリア層は、ここに述べる種々の例示的実施形態において構成される。より詳細には、ここに述べるように、カッティングを遂行する前に複数の吸収・バリア層がサファイア基板に配置され又は位置される。サファイア基板に複数の吸収・バリア層を含ませることは、更なる支持を与え、及び/又はここに述べるように、カッティングプロセス中に溶融サファイアからサファイア基板をシールドする上で更なる助けとなる。加えて、サファイア基板に複数の吸収・バリア層を含ませることは、サファイア基板の第1表面に熱エネルギーの局部領域を形成する上で助けとなり、且つサファイア基板のレーザカットを開始する上でも助けとなる。同様の番号をもつコンポーネントは、実質的に同様の機能を果たすことを理解されたい。それらコンポーネントの冗長な説明は、明瞭化のために省略する。
図5Aは、付加的な実施形態によるサファイア基板500の断面図である。図2及び図4A−Fを参照してここに同様に述べるように、サファイア基板500は、該サファイア基板500のバリアを形成するために第1表面504に配置及び/又は位置された吸収・バリア層502aを含む。図2及び図4A−Fのサファイア基板とは異なり、図5Aのサファイア基板500は、該サファイア基板500の第2表面520に形成された個別の又は第2の吸収・バリア層502bを含む。より詳細には、サファイア基板500は、サファイア基板500の第1表面504とは反対に位置する第2表面520に配置された個別の吸収・バリア層502bを含む。図5Aに示すように、サファイア基板500の両面に配置された吸収・バリア層502a、502bは、同じ材料から形成される。非限定例では、吸収・バリア層502a、502bは、図2及び図4A−Fを参照して同様に述べたように、不透明なポリマー材料から形成される。しかしながら、ここに述べるように、吸収・バリア層502a、502bは、同様の特性又はプロパティ(例えば、不透明な材料、サファイアの溶融温度より低い溶融温度、粗面又はざらざら面、等)を有する個別の材料から形成されてもよいことを理解されたい。吸収・バリア層502bは、ここに述べる適当な配置技術を使用してサファイア基板500の第2表面520に配置され、その配置技術は、吸収・バリア層502bに使用される材料に少なくとも一部分依存する。
図5Aと同様に、図5Bは、吸収・バリア層203a、503bを含むサファイア基板500の断面図である。しかしながら、図5Aとは異なり、図5Bは、吸収・バリア層503a上に吸収・バリア層503bが配置又は位置された構成を示す。より詳細には、吸収・バリア層503aは、ここに述べるように、サファイア基板500の第1表面504に配置され、そして吸収・バリア層503bは、吸収・バリア層503a上に直接配置され、サファイア基板500の第1表面504に隣接して位置される。図5Bに示すように、吸収・バリア層503a、503bは、異なる材料で形成されてもよい。即ち、別の非限定例では、サファイア基板500の第1表面504に配置される吸収・バリア層503aは、ポリエステルシートで形成され、そしてその吸収・バリア層503a上に配置される吸収・バリア層503bは、プラスチックフィルムから形成される。別の例では、第1の層503aは、レーザカッティング中に生じる溶融サファイアからの実質的な保護又はシールドを与える。第2の層503bは、レーザを吸収し易くし且つレーザカットを開始する上で助けとなる実質的な光学的吸収度を与える。従って、2枚の層503a、503bは、一緒に、レーザベースのカッティング動作を容易にするための望ましい光学的特性をもつバリア層を形成する。吸収・バリア層503bは、ここに述べる適当な配置技術を使用して吸収・バリア層503a上に配置され、その配置技術は、吸収・バリア層503bに使用される材料に少なくとも一部分依存する。
図5Cは、別の実施形態によるサファイア基板500の断面図である。図5Cに示すように、吸収・バリア層524は、接着剤522を使用してサファイア基板の第1表面504に配置又は位置される。より詳細には、吸収・バリア層524は、第1表面504に施される接着剤522を経てサファイア基板500に接着される。接着剤522は、吸収・バリア層524をサファイア基板500に接着するのに使用され、吸収・バリア層524は、第1表面504に自然に接着しない材料から作られる。吸収・バリア層524が予め製造されたプラスチックフィルムを含む非限定例では、接着剤522がサファイア基板500の第1表面504に直接施され、そして接着剤522に吸収・バリア層524(例えば、プラスチックフィルム)が接着される。接着剤522に接合すると、吸収・バリア層524は、ここに述べるように、サファイア基板500においてカッティングプロセスを遂行する前に第1表面504に配置又は位置される。
ここに述べる実施形態を完全に理解するために、以上の説明は、例示の目的で、特定の術語を使用した。しかしながら、当業者であれば、ここに述べる実施形態を具現化するのに特定の細部は要求されないことが明らかであろう。従って、ここに述べる特定の実施形態の前記説明は、例示及び説明のためのものである。それらは、余すところのないものでもないし、又はここに開示する正確な形態に実施形態を制限するためのものでもない。当業者であれば、前記教示に鑑み多数の変更や修正が可能であることが明らかであろう。
10:装置
11:保護カバーシート
12:ボタンシート
13:バックシート
20:ディスプレイスクリーン
22:コントロールボタン
24:カメラレンズ
100:サファイア基板
102:吸収・バリア層
104:第1表面
106:カット部
108:レーザビーム
110:融合レーザ
112:ガス供給ノズル
114:熱エネルギーの局部領域
116:ガス流
118:溶融サファイア

Claims (20)

  1. サファイアコンポーネントを形成する方法において、
    レーザビームに対して透過性を有するサファイア基板の研磨面に、ポリマー材料を含む吸収・バリア層を付着し;
    前記吸収・バリア層に前記レーザビームが入射する融合カッティングプロセスを使用して前記サファイア基板をカッティングして貫通し;
    カッティングの間にガス流を使用してカット部から溶融サファイアを除去し;
    前記カット部に隣接する第1表面の領域を、前記吸収・バリア層を使用して前記溶融サファイアからシールドし;及び
    前記サファイア基板の第1表面から前記吸収・バリア層を除去する;
    ことを含む方法。
  2. 前記第1表面に対して吸収・バリア層を配置することは、前記サファイア基板の第1表面に吸収・バリア層を付着することを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記吸収・バリア層を付着することは、
    前記サファイア基板の表面に吸収・バリア層を噴霧し;
    前記サファイア基板の表面に吸収・バリア層を印刷し;
    前記サファイア基板の表面に吸収・バリア層を塗布し;
    前記サファイア基板の表面に吸収・バリア層をディスペンスし;及び
    前記サファイア基板の表面に吸収・バリア層を接着する;
    のうちの1つ以上を含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記吸収・バリア層は、サファイア基板内のレーザビーム放射の吸収量を増加して、サファイア基板の第1表面に熱エネルギーの局部領域を生成するように構成された、請求項に記載の方法。
  5. 前記熱エネルギーの局部領域を使用して前記サファイアのカッティングを開始し、溶融サファイアを生成することを更に含む、請求項に記載の方法。
  6. 前記吸収・バリア層に対して第2の吸収・バリア層が配置される、請求項1に記載の方法。
  7. 前記吸収・バリア層に対して別の層が配置される、請求項1に記載の方法。
  8. 保護シートを形成する方法において、
    透明なサファイアシートの研磨面に、ポリマー材料を含む吸収・バリア層を付着し;
    前記吸収・バリア層に入射するレーザビームを使用して前記透明なサファイアシートを照射して、前記透明なサファイアシートを貫通する融合カットを開始し;
    前記カット部から溶融サファイアを除去するために前記カット部にガス流を向け;及び
    前記吸収・バリア層に溶融サファイアを堆積してサファイア小滴を形成する;
    ことを含み、前記溶融サファイアは、前記カット部からの溶融サファイアの形成及び除去により吸収・バリア層に堆積される、方法。
  9. 前記サファイアシートの第1表面に配置された吸収・バリア層を除去して、研磨面を露出することを更に含む、請求項に記載の方法。
  10. 溶融温度が前記サファイアシートの溶融温度より低く且つ200℃以上である材料から前記吸収・バリア層が形成される、請求項に記載の方法。
  11. 前記吸収・バリア層は、不透明のポリマー材料のフィルムから形成される、請求項に記載の方法。
  12. 前記吸収・バリア層は、物理的蒸着(PVD)プロセスを使用して前記サファイアシートの第1表面を塗布することにより形成される、請求項に記載の方法。
  13. 前記吸収・バリア層は、前記サファイアシートの第1表面にインクを堆積することにより形成される、請求項に記載の方法。
  14. 前記吸収・バリア層は、拡散表面仕上げの不透明材料を含む、請求項に記載の方法。
  15. サファイアコンポーネントをカッティングする方法において、
    透明なサファイア基板の研磨面に、ポリマー材料を含む吸収・バリア層を付着し;
    前記吸収・バリア層に入射するレーザビームを使用して前記透明なサファイア基板を照射し;
    前記吸収・バリア層を使用して熱エネルギーの局部領域を形成することにより前記透明なサファイア基板の融合カットを開始し;
    レーザを使用して前記透明なサファイア基板にプロフィール形状をカッティングするために、ガス流を使用してカット部から溶融物質を除去し;及び
    前記吸収・バリア層を使用して前記透明なサファイア基板の研磨面を前記溶融物質からシールドする、
    ことを含む方法。
  16. 前記吸収・バリア層は、前記サファイア基板内のレーザビーム放射の吸収を増加して、前記サファイア基板の第1エリア内に熱エネルギーの局部領域を生成し、そして該熱エネルギーの局部領域を使用して、溶融サファイアを形成するように構成される、請求項1に記載の方法。
  17. 前記吸収・バリア層に対して配置されていないサファイア基板の第2エリアへ前記レーザカットを続けることを更に含む、請求項1に記載の方法。
  18. 前記サファイア基板にプロフィール形状をカッティングすることは、
    前記サファイア基板にレーザを照射して溶融サファイアの一部分を形成し;及び
    ガス流を使用して前記サファイア基板から前記溶融サファイアを除去する;
    ことを含む融合レーザカッティングプロセスを含む、請求項1に記載の方法。
  19. 透明なサファイア基板と、
    前記透明なサファイア基板の研磨面に対して配置された、ポリマー材料を含む吸収・バリア層と、
    を備え、
    前記吸収・バリア層は、レーザビームを使用する融合レーザカッティング動作中に前記透明なサファイア基板の領域を溶融サファイアからシールドするように構成され、及び
    前記吸収・バリア層は、レーザビームの放射にさらされたときに、前記透明なサファイア基板内のレーザビーム放射の吸収を増加して、熱エネルギーの局部領域を生成し、前記透明なサファイア基板のカッティングが開始されるように構成されている、コンポーネント。
  20. 前記吸収・バリア層とサファイア基板との間に別の層が形成されている、請求項19に記載のコンポーネント。
JP2015084703A 2014-04-18 2015-04-17 コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法 Expired - Fee Related JP6563674B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461981637P 2014-04-18 2014-04-18
US61/981,637 2014-04-18
US14/575,754 2014-12-18
US14/575,754 US10537963B2 (en) 2014-04-18 2014-12-18 Coated substrate and process for cutting a coated substrate

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017048598A Division JP2017114761A (ja) 2014-04-18 2017-03-14 コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015205344A JP2015205344A (ja) 2015-11-19
JP6563674B2 true JP6563674B2 (ja) 2019-08-21

Family

ID=54321205

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015084703A Expired - Fee Related JP6563674B2 (ja) 2014-04-18 2015-04-17 コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法
JP2017048598A Pending JP2017114761A (ja) 2014-04-18 2017-03-14 コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017048598A Pending JP2017114761A (ja) 2014-04-18 2017-03-14 コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10537963B2 (ja)
JP (2) JP6563674B2 (ja)
CN (1) CN105033456B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106808091B (zh) * 2015-11-27 2018-12-07 南京魔迪多维数码科技有限公司 针对二维和三维脆性材料基板进行加工的激光系统
EP3606309B1 (en) * 2017-03-30 2023-09-06 FUJIFILM Corporation Electromagnetic wave absorber and method for producing electromagnetic wave absorber
CN110560923A (zh) * 2019-08-23 2019-12-13 福建华清电子材料科技有限公司 一种氮化铝陶瓷激光加工工艺
CN113031325B (zh) * 2021-03-09 2022-10-11 厦门天马微电子有限公司 异形显示面板及显示装置
CN114131182A (zh) * 2021-12-21 2022-03-04 苏州沃特维自动化系统有限公司 一种散热膜辅助激光切割电池片结构及其工艺

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52111097A (en) * 1976-03-13 1977-09-17 Toshiba Corp Laser processing method
JPS55151351A (en) 1979-05-16 1980-11-25 Mitsubishi Electric Corp Cutting method of semiconductor chip
JPS62183984A (ja) * 1986-02-07 1987-08-12 Nippon Kokan Kk <Nkk> レ−ザ−クラツデイング方法
US5178725A (en) * 1990-04-04 1993-01-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for working ceramic material
JP2682230B2 (ja) 1990-11-14 1997-11-26 三菱電機株式会社 レーザ加工方法
US20020072252A1 (en) * 2000-09-05 2002-06-13 Hideharu Nakajima Process for production of thin film semiconductor thin film, semiconductor device, process for production of semiconductor thin film, and apparatus for production of semiconductor thin film
JP2004042140A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Hitachi Zosen Corp 薄膜除去方法及び装置
JP4471632B2 (ja) * 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20050156353A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-21 Watts Michael P. Method to improve the flow rate of imprinting material
JP4683989B2 (ja) 2004-04-20 2011-05-18 昭和電工株式会社 化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法
US7700413B2 (en) * 2004-04-20 2010-04-20 Showa Denko K.K. Production method of compound semiconductor light-emitting device wafer
US20060032841A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Tan Kee C Forming features in printhead components
JP4854061B2 (ja) * 2005-01-14 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP2006231628A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Murata Mfg Co Ltd セラミックグリーンシートの加工方法
WO2008114470A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha プラスチック基板の切断方法、及びプラスチック基板の切断装置
FR2935916B1 (fr) * 2008-09-12 2011-08-26 Air Liquide Procede et installation de coupage laser avec modification du facteur de qualite du faisceau laser
JP2013006200A (ja) 2011-06-27 2013-01-10 Disco Corp レーザ加工装置
EP2564999A1 (en) * 2011-08-31 2013-03-06 Asahi Glass Company, Limited A method of generating a high quality hole or recess or well in a substrate
CN103645818A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 浙江上城科技有限公司 一种蓝宝石触摸屏及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105033456A (zh) 2015-11-11
JP2015205344A (ja) 2015-11-19
US20150298251A1 (en) 2015-10-22
CN105033456B (zh) 2018-04-27
JP2017114761A (ja) 2017-06-29
US10537963B2 (en) 2020-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10406634B2 (en) Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
JP6563674B2 (ja) コーティング基板及びコーティング基板のカッティング方法
EP3126089B1 (en) Laser welding of transparent and opaque materials
TWI730945B (zh) 用於雷射處理材料的方法與設備
JP6585050B2 (ja) 超高速レーザビーム光学系、破壊層および他の層を用いたスタック透明材料の切断
TWI593649B (zh) Cutting method of composite board, glass plate cutting method
US20080050888A1 (en) Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications
US9844833B2 (en) System and method for laser cutting sapphire using multiple gas media
TW200303296A (en) Method and apparatus for cutting apart a glass substrate, liquid crystal panel, and apparatus for fabricating a liquid crystal panel
JP2017502901A5 (ja)
JP2016513024A (ja) フラット基板のレーザベースの機械加工方法および装置
CN105705468B (zh) 激光加工方法以及激光加工装置
WO2017181860A1 (zh) 柔性基板的剥离方法
WO2016143522A1 (ja) 防曇防汚積層体、及びその製造方法、物品、及びその製造方法、並びに防汚方法
CN102815861B (zh) 触摸屏切割加工方法
JP5737134B2 (ja) 粘着シート、表示器用部品および粘着シート製造方法
JP4399170B2 (ja) 接着用の表面の処理方法
JP2017114761A5 (ja)
TWI656937B (zh) 用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之方法
US10494739B2 (en) Laser polishing ceramic material
JP7191320B2 (ja) カバーガラス
JP7561089B2 (ja) 複合材の分断方法
JP2010090344A (ja) 両面粘着テープ、表示装置、貼り合わせ基板の製造方法及び表示装置の製造方法
WO2018216600A1 (ja) 加工対象物切断方法
JP7013279B2 (ja) 偏光板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160302

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160704

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170314

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170502

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20170519

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190418

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190725

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6563674

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees