JP6563706B2 - コンディショニング許容度を有する化学機械研磨層組成物 - Google Patents
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Description
従来の化学機械研磨工程においては、コンディショニングディスクの選択が、研磨のために化学機械研磨パッドのポリウレタン研磨層の研磨面上で適切なテキスチャの形成及び維持を促進するのに不可欠であるといえる。従来のポリウレタン研磨層の場合、コンディショニングディスクの選択が、研磨中に実現される除去速度に対して大きな影響を及ぼす。すなわち、従来のポリウレタン研磨層は、限られたコンディショニング許容度しか有しないことがよく知られている。したがって、実際に安定な除去速度を得ることは困難といえる。本出願人は、驚くことに、≧0.5mg(KOH)/gの酸価を示すように選択されたポリウレタン研磨層組成が≧80%のコンディショニング許容度を提供することを見いだした。
CT=[(TEOSA/TEOSM)*100%]
に従って測定される。
式中、CTは、コンディショニング許容度(%単位)であり、TEOSAは、実施例に記載された手順に従ってアグレッシブなコンディショニングディスクを使用して計測されるポリウレタン研磨層のTEOS除去速度(Å/min単位)であり、TEOSMは、実施例に記載された手順に従ってマイルドなコンディショニングディスクを使用して計測されるポリウレタン研磨層のTEOS除去速度(Å/min単位)である。
(式中、m及びnは、独立して、0〜100、好ましくは1〜50、より好ましくは2〜25、最も好ましくは4〜10からなる群より選択される整数である)
によって示される、ペンダントカルボン酸官能基を有する直鎖状飽和ポリエステルジオールからなる材料の群より選択される。
(式中、m及びnは、独立して、1〜100、好ましくは1〜50、より好ましくは2〜25、最も好ましくは4〜10からなる群より選択される整数である)
によって示される材料より選択される。好ましくは、使用されるポリカプロラクトンジオールは、1,000〜10,000(より好ましくは1,000〜5,000、最も好ましくは1,500〜3,000)の数平均分子量MNを有する。
(式中、m及びnは、独立して、0〜100、好ましくは1〜50、より好ましくは2〜25、最も好ましくは4〜10からなる群より選択される整数である)
によって示される、ペンダントカルボン酸官能基を有する直鎖状飽和ポリエステルジオールからなる材料の群より選択される。
ポリウレタン研磨層の調製
表3に記す(a)51℃のイソシアネート末端ウレタンプレポリマー、(b)硬化剤系、及び(c)複数の微小エレメント(すなわちExpancel(登録商標)551DE20d60気孔形成剤)の制御された混合によって調製された流し込み成型ポリウレタンケーキから比較例Cのポリウレタン研磨層を調製した。イソシアネート末端ウレタンプレポリマーと硬化剤系との比は、イソシアネート末端ウレタンプレポリマー中の未反応イソシアネート(NCO)基に対する硬化剤系中の活性水素基(すなわち、−OH基と−NH2基との合計)の比によって決まる化学量論比が表3に示された比になるように設定した。硬化剤系の添加の前に、複数の微小エレメントをイソシアネート末端ウレタンプレポリマーに混合した。次いで、高剪断混合ヘッドを使用して、複数の微小エレメントが組み込まれたイソシアネート末端ウレタンプレポリマーと硬化剤系とを混合した。混合ヘッドから出たのち、混合物を直径86.4cm(34インチ)の円形型の中に5分かけて分配して、約8cm(3インチ)の全注入厚さを得た。分配された混合物を15分かけてゲル化させたのち、型を硬化オーブンに入れた。そして、型を、硬化オーブン中、以下のサイクルを使用して硬化させた。周囲温度から104℃までオーブン設定値温度への30分間の上昇、次いで104℃のオーブン設定値温度で15.5時間保持、次いで104℃から21℃までオーブン設定値温度への2時間の下降。
比較例C及び実施例1〜5に従って、気孔形成剤(Expancel(登録商標)材料)の添加なしで調製した溝なしポリウレタン研磨層材料を分析して、表4に報告する物性を測定した。報告する比重は、ASTM D1622に従って純水に対して測定したものであり、報告するショアD硬度は、ASTM D2240に従って測定したものであることに留意すること。
マイルドコンディショニング研磨例
比較例MPC及び実施例MP1〜MP5のそれぞれのために、比較例C及び実施例1〜5に従って調製したポリウレタン研磨層を感圧接着剤によってSuba(商標)IVサブパッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販)に貼り合わせた。
アグレッシブコンディショニング研磨例
比較例APC及び実施例AP1〜AP5のそれぞれのために、比較例C及び実施例1〜5に従って調製したポリウレタン研磨層を感圧接着剤によってSuba(商標)IVサブパッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販)に貼り合わせた。
Claims (4)
- 組成及び研磨面を有するポリウレタン研磨層を含み、
前記ポリウレタン研磨層組成が0.5〜25mg(KOH)/gの酸価を示し、
前記ポリウレタン研磨層が、
(a)多官能イソシアネート;
(b)(i)1分子あたり平均で少なくとも2個の活性水素及び少なくとも1個のカルボン酸官能基を有するカルボン酸含有多官能硬化剤を含む硬化剤系、及び
(c)任意選択で、複数の微小エレメント;
を含む成分の反応生成物であり、
前記カルボン酸含有多官能硬化剤が、下記式:
(式中、m及びnは、独立して、1〜100の整数である)を有し、
前記研磨面が基材を研磨するように適合されている、化学機械研磨パッド。 - 前記研磨面が80%以上のコンディショニング許容度を示す、請求項1に記載の化学機械研磨パッド。
- 前記ポリウレタン研磨層が、0.6〜1.5の比重、5〜80のショアD硬度及び100〜450%の破断点伸びを示す、請求項1または2記載の化学機械研磨パッド。
- 前記硬化剤系が、
ジアミン、
ジオール、
アミン開始ポリオール硬化剤、及び
2,000〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均で3〜10個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤
の少なくとも一つをさらに含む、請求項1または2記載の化学機械研磨パッド。
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|---|---|---|---|---|
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| US9484212B1 (en) * | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
| JP6940495B2 (ja) | 2015-10-30 | 2021-09-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 所望のゼータ電位を有する研磨用物品を形成するための装置及び方法 |
| US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
| US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
| KR102629800B1 (ko) | 2016-01-19 | 2024-01-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다공성 화학적 기계적 연마 패드들 |
| SG11201704554SA (en) * | 2016-04-06 | 2017-11-29 | Kpx Chemical Co Ltd | Method of manufacturing polishing pad |
| US10086494B2 (en) * | 2016-09-13 | 2018-10-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High planarization efficiency chemical mechanical polishing pads and methods of making |
| US10208154B2 (en) | 2016-11-30 | 2019-02-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Formulations for chemical mechanical polishing pads and CMP pads made therewith |
| US20180304539A1 (en) | 2017-04-21 | 2018-10-25 | Applied Materials, Inc. | Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus |
| US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
| US11072050B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and manufacturing methods thereof |
| WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
| US10464187B2 (en) | 2017-12-01 | 2019-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High removal rate chemical mechanical polishing pads from amine initiated polyol containing curatives |
| WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
| US10464188B1 (en) * | 2018-11-06 | 2019-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and polishing method |
| KR102603370B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2023-11-16 | 주식회사 쿠라레 | 연마층용 폴리우레탄, 연마층, 연마 패드 및 연마층의 개질 방법 |
| US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
| US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
| KR102421208B1 (ko) * | 2020-09-10 | 2022-07-14 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마 패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
| US20240399530A1 (en) * | 2021-09-30 | 2024-12-05 | Kuraray Co., Ltd. | Thermoplastic polyurethane for polishing layer, polishing layer, and polishing pad |
| KR102594068B1 (ko) | 2021-10-12 | 2023-10-24 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5605760A (en) * | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
| US6325706B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-12-04 | Lam Research Corporation | Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection |
| US6994607B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US6638143B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Ion exchange materials for chemical mechanical polishing |
| US6416685B1 (en) | 2000-04-11 | 2002-07-09 | Honeywell International Inc. | Chemical mechanical planarization of low dielectric constant materials |
| KR100726303B1 (ko) | 2000-05-31 | 2007-06-13 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 연마체 |
| US6641471B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-11-04 | Rodel Holdings, Inc | Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto |
| JP2003062748A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Inoac Corp | 研磨用パッド |
| US6821897B2 (en) | 2001-12-05 | 2004-11-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for copper CMP using polymeric complexing agents |
| US6784248B2 (en) * | 2002-02-15 | 2004-08-31 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Thermosetting compositions containing alternating copolymers of isobutylene type monomers |
| JP2004042189A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Inoac Corp | 研磨用パッド |
| JP2004123975A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Kuraray Co Ltd | ポリウレタン発泡体およびそれからなる研磨パッド |
| KR20070001955A (ko) | 2004-01-26 | 2007-01-04 | 티비더블유 인더스트리즈, 인코포레이티드 | 화학적 연마를 위한 다단계 패드 처리 시스템 및 방법 |
| KR100661445B1 (ko) * | 2004-02-05 | 2006-12-27 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드, 그의 제조 방법 및 화학 기계 연마방법 |
| JP4420761B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2010-02-24 | 日華化学株式会社 | 研磨用シートの製造方法及び研磨用シート |
| US20070037491A1 (en) | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Yuzhuo Li | Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing |
| JP2007118106A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法 |
| US20090093202A1 (en) * | 2006-04-19 | 2009-04-09 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method for manufacturing polishing pad |
| US7169030B1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-01-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
| WO2008029725A1 (en) | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Nitta Haas Incorporated | Polishing pad |
| US8167690B2 (en) * | 2006-09-08 | 2012-05-01 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
| US7569268B2 (en) * | 2007-01-29 | 2009-08-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
| JP2008258574A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 |
| WO2010138724A1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Rogers Corporation | Polishing pad, polyurethane layer therefor, and method of polishing a silicon wafer |
| US8697239B2 (en) | 2009-07-24 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-functional polishing pad |
| US8420758B2 (en) * | 2010-03-11 | 2013-04-16 | Itaconix Corporation | Regulated and continuous polymerization of polycarboxylic acid polymers |
| CN102310366B (zh) * | 2010-07-08 | 2014-03-05 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 具有低缺陷整体窗的化学机械抛光垫 |
| KR101532990B1 (ko) * | 2011-09-22 | 2015-07-01 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
| KR101631974B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2016-06-20 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 패드 |
| US9144880B2 (en) * | 2012-11-01 | 2015-09-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad |
| US9238295B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad |
| US8980749B1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-03-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing silicon wafers |
| US20150375361A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
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