JP6572800B2 - 真空装置 - Google Patents
真空装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6572800B2 JP6572800B2 JP2016036436A JP2016036436A JP6572800B2 JP 6572800 B2 JP6572800 B2 JP 6572800B2 JP 2016036436 A JP2016036436 A JP 2016036436A JP 2016036436 A JP2016036436 A JP 2016036436A JP 6572800 B2 JP6572800 B2 JP 6572800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- workpiece
- processed
- groove
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 43
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 36
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3476—Testing and control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
この発明は、真空装置に関するものであり、特に電子部品などの被処理物に、スパッタ処理やプラズマ処理などを施す際に用いられる真空装置に関する。
近年、多機能携帯電話機などの電子機器に使用される電子部品の増加、および電子機器の小型化による電子部品の実装密度の上昇により、電子部品間におけるノイズ干渉が問題となっている。そのため、上記の電子部品の一つである通信用モジュール製品（以後、単に製品と呼称することがある）には、ノイズから機能部を保護するためのシールド膜の形成が求められていることが多くなっている。そのようなシールド膜の形成には、例えばスパッタ装置が用いられる。スパッタ処理は高真空中で行なわれ、またスパッタ処理中の製品は高温になる。
スパッタ処理中の製品の温度を下げるため、冷却手段を備えた被処理物載置部上に製品を載置してスパッタ処理を施すことが提案されている。その場合、製品を被処理物載置部に密着させ、熱伝導を確実にするために、例えば両面接着テープなどを用いて製品を被処理物載置部上に貼り付けることがある。しかしながら、両面接着テープを被処理物載置部に貼り付ける際、被処理物載置部と両面接着テープとの間に、部分的に空気が残ることがある。その状態のまま高真空中でスパッタ処理を施すと、被処理物載置部と両面接着テープとの間に残った空気が体積膨張して、製品を所望の位置に正確に保持できないという問題が発生する。
上記の問題に対しては、例えば、特開平１１−２５１４１３号公報（特許文献１）に記載されているように、基板載置部の上面に空気抜きのための溝を被処理物載置部に設けることにより解決できる可能性がある。
図８は、特許文献１に記載されている真空装置２００の断面図である。真空装置２００では、基板載置部である電極２０２と、蓋部材２０６と、ベース部材２０７とにより、真空チャンバ２０１が構成されている。電極２０２は、高周波電源２１２と接続されている。ベース部材２０７には管部２０８が設けられており、真空チャンバ２０１には管部２０８を介して排気手段としての真空排気部２０９とプラズマガス供給部２１０とが接続されている。基板２０５は、ガイド部材２０４により電極２０２の上面に固定されている。
図８における真空装置２００では、高真空となった真空チャンバ２０１内にプラズマ発生ガスが供給され、電極２０２に高周波電圧が印加されることにより、真空チャンバ２０１内にプラズマが発生する。その結果発生したイオンや電子が基板２０５の表面に衝突することにより、基板２０５の表面がプラズマ処理される。
ここで、電極２０２の上面には、基板２０５が搬送される方向に直線状に連続して配列された複数の溝２０３が設けられている。この場合、電極２０２の上面と基板２０５の下面との隙間に空気が残っていたとしても、溝２０３により隙間内の空気を速やかに抜くことができるため、基板２０５の上面と下面との間に圧力差が生じることがない。したがって、真空装置２００では、そのような圧力差による真空排気時の基板２０５の位置ずれを防止できるとされている。
すなわち、両面接着テープなどを用いて製品を被処理物載置部上に貼り付ける場合にも、被処理物載置部上に溝を設けることにより、被処理物載置部と両面接着テープとの間に残った空気を抜くことができる。その結果、製品を所望の位置に正確に保持できると考えられる。
一方、特許文献１の記載中には、溝２０３の幅についての言及はない。近年、通信用モジュール製品の小型化が進んでいるため、製品のサイズが溝の幅よりも小さくなる可能性がある。例えば、図９に示すように、幅ｗ１の溝３０３が設けられた被処理物載置部３０２上に、幅ｗ１より狭い幅ｗ２の製品３０５が両面接着テープ３０４を用いて貼り付けられると、溝３０３上に位置する製品３０５が存在するようになる。すなわち、そのような製品３０５は、被処理物載置部３０２をその上方から見たとき、被処理物載置部３０２の溝３０３が形成されていない部分と重ならない状態となっている。
その場合、被処理物載置部３０２と製品３０５との間の熱伝導が不十分となるため、スパッタ処理中に製品３０５が高温になってしまう虞がある。製品３０５が高温になると、例えばモールド樹脂などの製品３０５が備えた樹脂部分の熱膨張による変形や、製品３０５中で電子部品を基板に接続しているはんだの再溶融などが発生し、製品３０５が不良品となる虞がある。
そこで、この発明の目的は、小型の通信用モジュールであっても温度の上昇が十分に抑制された状態でスパッタ処理やプラズマ処理などの表面処理を施すことができる、真空装置を提供することである。
この発明では、小型の通信用モジュールであっても温度の上昇が十分に抑制された状態で真空中での表面処理を施すことができるようにするため、被処理物を載置する被処理物載置部に設けられた溝の形態の改良が図られる。
この発明に係る真空装置の第１の形態は、真空チャンバの内部に配置された被処理物載置部と、真空チャンバに接続された真空排気部とを備える。被処理物載置部は、被処理物が載置される一方主面と、一方主面に接続された側面とを有し、かつ一方主面に開口を有する溝が複数本設けられている。そして、被処理物載置部を一方主面側から見たとき、一方主面における溝の開口の最も短い幅は、被処理物の最も短い幅の半分以下である。
上記の真空装置では、被処理物載置部を一方主面から見たときに、小型の被処理物であっても、被処理物載置部の溝が形成されていない部分と十分重なった状態となる。したがって、被処理物と被処理物載置部との間、また被処理物に付与されている接着部材がある場合には、その接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が排出され、かつ被処理物と被処理物載置部との間の熱伝導が進む。
そのため、小型の被処理物であっても、スパッタ処理やプラズマ処理などを施す場合に、被処理物の温度上昇が十分抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物中の樹脂部分の熱膨張による変形や、被処理物中で電子部品を基板に接続しているはんだの再溶融などが抑制され、被処理物の歩留まりが向上する。
この発明に係る真空装置の第１の形態における第１の好ましい形態は、以下の特徴を備える。すなわち、溝は、一端が被処理物載置部の側面に到達している。
上記の真空装置では、被処理物と被処理物載置部との間、また被処理物に付与されている接着部材がある場合には、その接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が、被処理物載置部の側面から効果的に排出される。
この発明に係る真空装置の第１の形態における第２の好ましい形態は、以下の特徴を備える。すなわち、上記の溝は、格子状に設けられている。
上記の真空装置では、被処理物と被処理物載置部との間、また被処理物に付与されている接着部材がある場合には、その接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が溝に捉えられやすく、効果的に排出される。
この発明に係る真空装置の第１の形態ならびにその第１および第２の好ましい形態における第３の好ましい形態は、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、被処理物載置部を一方主面側から見たとき、一方主面における溝の開口の面積の総和は、一方主面の面積の半分以下である。
上記の真空装置では、被処理物載置部を一方主面から見たときに、小型の被処理物であっても、被処理物載置部の溝が形成されていない部分と確実に重なった状態となる。したがって、被処理物と被処理物載置部との間、また被処理物に付与されている接着部材がある場合には、その接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が排出され、かつ被処理物と被処理物載置部との間の熱伝導が確実に進む。
そのため、小型の被処理物であっても、スパッタ処理やプラズマ処理などを施す場合に、被処理物の温度上昇が確実に抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物中の樹脂部分の熱膨張による変形や、被処理物中で電子部品を基板に接続しているはんだの再溶融などが確実に抑制され、被処理物の歩留まりがさらに向上する。
この発明に係る真空装置の第２の形態は、真空チャンバの内部に配置された被処理物載置部と、真空チャンバに接続された真空排気部とを備える。被処理物載置部は、被処理物が載置される一方主面と、他方主面と、一方主面および他方主面に接続された側面とを有し、かつ一方主面に開口を有する凹部が複数箇所に設けられている。被処理物載置部は、被処理物載置部の他方主面および側面の少なくとも一方に開口を有する流路をさらに備えている。凹部は、上記の流路に接続されている。そして、被処理物載置部を一方主面側から見たとき、一方主面における凹部の開口の最も短い幅は、被処理物の最も短い幅の半分以下である。
上記の真空装置では、被処理物載置部を一方主面から見たときに、小型の被処理物であっても、被処理物載置部の凹部が形成されていない部分と十分重なった状態となる。したがって、被処理物と被処理物載置部との間、また被処理物に付与されている接着部材がある場合には、その接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が排出され、かつ被処理物と被処理物載置部との間の熱伝導が進む。
そのため、この発明に係る真空装置の第２の形態では、前述の第１の形態と同様の効果が得られる。
この発明に係る真空装置の第２の形態における第１の好ましい形態は、以下の特徴を備える。すなわち、被処理物載置部を一方主面側から見たとき、一方主面における凹部は溝状であり、一方主面における溝状の凹部の開口の最も短い幅は、被処理物の最も短い幅の半分以下である。
上記の真空装置では、凹部が溝状であるため、被処理物と被処理物載置部との間、また被処理物に付与されている接着部材がある場合には、その接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が効果的に排出される。
この発明に係る真空装置の第２の形態およびその第１の好ましい形態における第２の好ましい形態は、以下の特徴を備える。すなわち、被処理物載置部を一方主面側から見たとき、一方主面における凹部の開口の面積の総和は、一方主面の面積の半分以下である。
上記の真空装置では、被処理物載置部を一方主面から見たときに、小型の被処理物であっても、被処理物載置部の凹部が形成されていない部分と確実に重なった状態となる。したがって、被処理物と被処理物載置部との間、また被処理物に付与されている接着部材がある場合には、その接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が排出され、かつ被処理物と被処理物載置部との間の熱伝導が確実に進む。
そのため、この発明に係る真空装置の第２の形態における第２の好ましい形態では、前述の第１の形態における第２の好ましい形態と同様の効果が得られる。
この発明に係る真空装置の第１の形態および第２の形態、ならびにそれらの好ましい形態における別の好ましい形態は、以下の特徴を備える。すなわち、被処理物の最も短い幅は、０．２５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。
上記の真空装置では、上記で規定したような小型の被処理物であっても、第１の形態および第２の形態、ならびにそれらの好ましい形態の説明で述べた効果が得られる。
この発明に係る真空装置では、被処理物と被処理物載置部との間、または被処理物に付与されている接着部材と被処理物載置部との間に残った空気が排出され、かつ被処理物と被処理物載置部との間の熱伝導が進む。そのため、小型の被処理物であっても、スパッタ処理やプラズマ処理などを施す場合に、被処理物の温度の上昇が十分抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物中の樹脂部分の熱膨張による変形や、被処理物中で電子部品を基板に接続しているはんだの再溶融などが抑制され、被処理物の歩留まりが向上する。
以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この発明が適用される真空装置としては、例えば電子部品などの被処理物に、スパッタ処理やプラズマ処理などを施す際に用いられる真空装置などが挙げられるが、これらに限られるものではない。
−真空装置の実施形態−
この発明に係る真空装置の実施形態である真空装置１００について、図１を用いて説明する。ここでは、真空装置１００が電子部品にスパッタ処理を施す際に用いられる真空装置である場合を例として取り上げる。
この発明に係る真空装置の実施形態である真空装置１００について、図１を用いて説明する。ここでは、真空装置１００が電子部品にスパッタ処理を施す際に用いられる真空装置である場合を例として取り上げる。
図１は、真空装置１００の断面図である。真空装置１００は、真空チャンバ１の内部に配置された被処理物載置部２、ターゲット部材１１および磁石１２、ならびに真空チャンバ１に接続された真空排気部９、ガス供給部１０および直流電源１３を備える。真空チャンバ１は、蓋部材６と、ベース部材７と、真空排気部９およびガス供給部１０との接続配管である管部８とを含んで構成されている。なお、図１では、被処理物載置部２がベース部材７の上に載置され、真空チャンバ１の内部に配置された構成となっているが、被処理物載置部２が真空チャンバ１の構成要素となっていてもよい。
被処理物載置部２は電極を兼ねており、直流電源１３は、被処理物載置部２とターゲット部材１１との間に接続されている。真空排気部９により１×１０-3Ｐａ以上１×１０-1Ｐａ以下の真空状態となった真空チャンバ１内に、ガス供給部１０により例えばＡｒガスが３０ｓｃｃｍ以上３００ｓｃｃｍ以下の流量で供給される。そして、直流電源１３により被処理物載置部２とターゲット部材１１との間に直流電圧が印加されることにより、真空チャンバ１内にプラズマが発生する。磁石１２が発生する磁力線により、ターゲット部材１１付近に引き付けられたプラズマは、ターゲット部材１１に効率的に衝突する。その結果、効率的にスパッタ処理が進む。
また、被処理物載置部２には不図示の冷却機構が備えられており、スパッタ処理時の被処理物５の温度上昇を抑制するようになっている。被処理物載置部２およびそれに関連する事物については、後でさらに詳細な説明を行なう。
ターゲット部材１１の材質は、目的に応じて適宜選択される。例えば、後述するように被処理物５が電子部品である場合、密着層をスパッタ処理により形成する際には、ターゲット部材１１の材質としては、ステンレス鋼、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＡｌ合金、パーマロイなどが用いられる。シールド層をスパッタ処理により形成する際には、ターゲット部材１１の材質としては、Ｃｕなどが用いられる。耐食層をスパッタ処理により形成する際には、ターゲット部材１１の材質としては、ステンレス鋼、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＡｌ合金、パーマロイなどが用いられる。
この発明の特徴は、被処理物載置部２の形態にある。以下、被処理物載置部２の実施形態について、各図を用いて説明する。
−被処理物載置部の第１の実施形態−
第１の実施形態に係る被処理物載置部２について、図２を用いて説明する。図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る被処理物載置部２の上面図である。図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る被処理物載置部２に接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）のＡ１−Ａ１線に沿った切断面における断面図である。
第１の実施形態に係る被処理物載置部２について、図２を用いて説明する。図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る被処理物載置部２の上面図である。図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る被処理物載置部２に接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）のＡ１−Ａ１線に沿った切断面における断面図である。
被処理物５としては、例えば基板５ａに回路素子（不図示）がはんだにより接続され、その回路素子がモールド樹脂５ｂにより被覆されている、前述の通信用モジュール製品などの電子部品が挙げられる。基板５ａには、例えばガラスやシリカなどの織布または不織布と、エポキシ樹脂などの絶縁性の樹脂とを含んでなる複合材料や、低温焼成セラミック材料などが用いられる。基板５ａは、内部および表面に配線導体（不図示）を備えていてもよい。モールド樹脂５ｂには、例えばフィラーとしてガラス材料やＳｉ酸化物などを分散させた絶縁性の樹脂材料が用いられる。
上記のような被処理物５は、公知の方法によって作製される。また、この発明は、最も短い幅が０．２５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であるような、小型の電子部品が被処理物である場合に、特に優れた効果を奏する。
被処理物載置部２の材質は、例えばＡｌのような、熱伝導率の高い金属材料が好ましい。被処理物載置部２の表面粗さは、被処理物載置部２と被処理物５との間の接触面積が大きくなって、熱伝導が効率的に進むようにするため、できるだけ小さい方が好ましい。被処理物載置部２の表面粗さをＲａで表した場合、例えばＲａが０．３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
図２において、被処理物５は、前述したように、接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物載置部２に載置されている。被処理物５は、予め被処理物載置部２に貼付された両面接着テープ４に載置されることが好ましい。その際、できるだけ被処理物載置部２と両面接着テープ４との間に残る空気量を少なくするため、両面接着テープ４は、減圧環境下で被処理物載置部２に貼付されることが好ましい。両面接着テープ４の貼付は、公知の方法によって行なうことができる。また、接着力を高めるため、貼付時に両者が例えば５０℃以上８０℃以下となるように加熱されることも好ましい。
被処理物載置部２は、被処理物５が載置される一方主面２ａと、一方主面２ａに接続された側面２ｂとを有し、かつ一方主面２ａに開口を有する溝３が複数本設けられている。溝３は、図２に示されるように、被処理物載置部２と両面接着テープ４との間に残った空気を排出しやすくするため、少なくとも一端が被処理物載置部２の側面２ｂに到達していることが好ましい。一方、溝３の一端が被処理物載置部２の側面２ｂに到達していなくとも、溝３の形状や両面接着テープ４の貼付の仕方などを調整することにより、残った空気を排出させることができる。例えば、溝３の開口に両面接着テープ４により被覆されない箇所を設けることにより、そこから空気を排出させることもできる。
溝３の深さは、両面接着テープ４の糊厚よりも大きくすることが好ましい。溝３の深さが浅いと、両面接着テープ４を被処理物載置部２に貼付するときの圧力によっては、両面接着テープ４の糊が溝３を埋めてしまい、両者の間に残った十分に空気を排出することができない虞がある。一般的に糊厚は１００μｍ以上２００μｍ以下である。そのため、溝３の深さは、３００μｍ以上１０００μｍ以下が好ましい。
そして、被処理物載置部２を一方主面２ａ側から見たとき、一方主面における溝３の開口の最も短い幅ｗ１（図２の場合、溝３の開口の任意の箇所の幅）は、被処理物５の最も短い幅ｗ２の半分以下である。
被処理物載置部２が上記の形態である場合、小型の被処理物５であっても、被処理物載置部２の溝３が形成されていない部分と十分重なった状態となる。したがって、被処理物載置部２と両面接着テープ４との間に残った空気が排出され、かつ被処理物載置部２と被処理物５との間の熱伝導が進む。
そのため、小型の被処理物５であっても、スパッタ処理を施す場合に、被処理物５の温度上昇が十分抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物５中のモールド樹脂５ｂの熱膨張による変形や、被処理物５中で電子部品を基板５ａに接続しているはんだの再溶融などが抑制され、被処理物５の歩留まりが向上する。
なお、被処理物載置部２を一方主面２ａ側から見たとき、一方主面２ａにおける溝３の開口の面積の総和は、一方主面２ａの面積の半分以下であることが好ましい。この場合、小型の被処理物５であっても、被処理物載置部２の溝３が形成されていない部分と確実に重なった状態となる。したがって、被処理物載置部２と被処理物５との間の熱伝導が確実に進む。そのため、小型の被処理物５であっても、スパッタ処理を施す場合に、被処理物５の温度上昇が確実に抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物５の歩留まりがさらに向上する。
−被処理物載置部の第１の実施形態の第１の変形例および第２の変形例−
第１の実施形態の第１の変形例および第２の変形例に係る被処理物載置部２について、図３を用いて説明する。図３（Ａ）は、第１の実施形態の第１の変形例に係る被処理物載置部２の断面図である。図３（Ｂ）は、第１の実施形態の第２の変形例に係る被処理物載置部２の、図２（Ｃ）に相当する断面図である。
第１の実施形態の第１の変形例および第２の変形例に係る被処理物載置部２について、図３を用いて説明する。図３（Ａ）は、第１の実施形態の第１の変形例に係る被処理物載置部２の断面図である。図３（Ｂ）は、第１の実施形態の第２の変形例に係る被処理物載置部２の、図２（Ｃ）に相当する断面図である。
図３（Ａ）に示した被処理物載置部２では、溝３の長手方向に直交する断面がＶ字状となっている。この場合、溝３の被処理物載置部２の一方主面２ａにおける開口は広くなる一方、溝３の被処理物載置部２における体積が小さく抑えられているため、被処理物載置部２の熱容量が高くなっている。したがって、被処理物載置部２と両面接着テープ４との間に残った空気が効果的に排出され、かつ被処理物載置部２による被処理物５の温度上昇の抑制が効果的に進められる。
図３（Ｂ）に示した被処理物載置部２では、溝３の長手方向に直交する断面がＵ字状となっている。この場合も、図３（Ａ）に示した被処理物載置部２と同様の効果を得ることができる。
−被処理物載置部の第１の実施形態の第３の変形例−
第１の実施形態の第３の変形例に係る被処理物載置部２について、図４を用いて説明する。図４（Ａ）は、第１の実施形態の第３の変形例に係る被処理物載置部２の上面図である。図４（Ｂ）は、第１の実施形態の第３の変形例に係る被処理物載置部２に接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）のＡ２−Ａ２線に沿った切断面における断面図である。
第１の実施形態の第３の変形例に係る被処理物載置部２について、図４を用いて説明する。図４（Ａ）は、第１の実施形態の第３の変形例に係る被処理物載置部２の上面図である。図４（Ｂ）は、第１の実施形態の第３の変形例に係る被処理物載置部２に接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）のＡ２−Ａ２線に沿った切断面における断面図である。
図４に示した被処理物載置部２では、被処理物載置部２の一方主面２ａに設けられた溝３が第１の方向に延びる溝３ａと、第１の方向と直交する第２の方向に延びる溝３ｂとを含む格子状となっている。溝３ａと溝３ｂとは、直交以外の角度で交わっていてもよい。また、図４（Ａ）では、溝３ａおよび溝３ｂは共に幅ｗ１を有しているが、互いに異なる幅を有していてもよい。この場合、被処理物載置部２と両面接着テープ４との間に残った空気が効果的に排出される。
また、被処理物載置部２を一方主面２ａ側から見たとき、一方主面２ａにおける格子状の溝３の開口の面積の総和は、一方主面２ａの面積の半分以下であることが好ましい。この場合も、小型の被処理物５であっても、被処理物載置部２の溝３が形成されていない部分と確実に重なった状態となる。そのため、スパッタ処理を施す場合に、被処理物５の温度上昇が確実に抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物５の歩留まりがさらに向上する。
ここまで、この発明に係る真空装置１００において、被処理物５が接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物載置部２に載置されている場合について説明してきた。一方、この発明に係る真空装置１００において、被処理物５は、両面接着テープ４を介さずに被処理物載置部２に載置されていてもよい。
そのような事例について、図５を用いて説明する。図５（Ａ）は、接着部材である接着剤１４が個別に塗布されている被処理物５が、第１の実施形態に係る被処理物載置部２に載置されている場合を示す断面図である。図５（Ｂ）は、接着部材が付与されていない被処理物５が、第１の実施形態に係る被処理物載置部２に載置されている場合を示す断面図である。
図５（Ａ）に示した接着剤１４が個別に塗布されている被処理物５であっても、溝３の開口の最も短い幅ｗ１が、被処理物５の最も短い幅ｗ２の半分以下である場合、空気の排出と熱伝導の確保との両立というこの発明の効果が得られる。この場合、溝３の端部が被処理物載置部２の側面２ｂに到達していなくとも、溝３の被処理物載置部２の一方主面２ａにおける開口の、被処理物５により覆われていない箇所から、残った空気の排出が行なわれる。また、接着部材が付与されていない被処理物５であっても、同様にこの発明の効果が得られる。
−被処理物載置部の第２の実施形態−
第２の実施形態に係る被処理物載置部２について、図６を用いて説明する。図６（Ａ）は、第２の実施形態に係る被処理物載置部２の上面図である。図６（Ｂ）は、第２の実施形態に係る被処理物載置部２に接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図６（Ｃ）は、図６（Ｂ）のＡ３−Ａ３線に沿った切断面における断面図である。
第２の実施形態に係る被処理物載置部２について、図６を用いて説明する。図６（Ａ）は、第２の実施形態に係る被処理物載置部２の上面図である。図６（Ｂ）は、第２の実施形態に係る被処理物載置部２に接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図６（Ｃ）は、図６（Ｂ）のＡ３−Ａ３線に沿った切断面における断面図である。
第２の実施形態に係る被処理物載置部２の材質は、第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、図６では、被処理物５が接着部材である両面接着テープ４を介して被処理物載置部２に載置されている。一方、図５を用いて説明したように、被処理物５に接着剤１４が塗布されている場合、または被処理物５に接着部材が付与されていない場合であっても、以下に説明する効果が同様に得られる。
図６に示した被処理物載置部２は、被処理物５が載置される一方主面２ａと、他方主面２ｃと、一方主面および他方主面に接続された側面２ｂとを有し、かつ一方主面２ａに開口を有する凹部１５が複数箇所に設けられている。また、被処理物載置部２は、他方主面２ｃに開口を有する流路１５ａをさらに備えている。凹部１５は、上記の流路１５ａに接続されている。流路１５ａの開口は、被処理物載置部２の他方主面２ｃおよび側面２ｂの少なくとも一方にあればよい。なお、図６に示した被処理物載置部２では、凹部１５の開口は円形であり、凹部１５と流路１５ａとは一体となっており、一方主面から他方主面に到達する１本の円筒状の貫通孔となっている。ただし、凹部１５の開口の形状は、これに限られない。
そして、被処理物載置部２を一方主面２ａ側から見たとき、一方主面２ａにおける凹部１５の開口の最も短い幅ｗ１（図６の場合、円形の凹部１５の開口の直径）は、被処理物５の最も短い幅ｗ２の半分以下である。
被処理物載置部２が上記の形態である場合も、第１の実施形態の場合と同様に、小型の被処理物５であっても、被処理物載置部２の凹部１５が形成されていない部分と十分重なった状態となる。したがって、被処理物載置部２と両面接着テープ４との間に残った空気が排出され、かつ被処理物載置部２と被処理物５との間の熱伝導が進む。
そのため、この発明に係る真空装置の第２の形態でも、前述の第１の形態と同様の効果が得られる。
なお、被処理物載置部２が上記の形態である場合も、第１の実施形態の場合と同様に、一方主面２ａにおける凹部１５の開口の面積の総和は、一方主面２ａの面積の半分以下であることが好ましい。この場合も、小型の被処理物５であっても、被処理物載置部２の凹部１５が形成されていない部分と確実に重なった状態となる。そのため、スパッタ処理を施す場合に、被処理物５の温度上昇が確実に抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物５の歩留まりがさらに向上する。
−被処理物載置部の第２の実施形態の変形例−
第２の実施形態の変形例に係る被処理物載置部２について、図７を用いて説明する。図７（Ａ）は、第２の実施形態の変形例に係る被処理物載置部２の上面図である。図７（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例に係る被処理物載置部２に両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）のＡ４−Ａ４線に沿った切断面における断面図である。
第２の実施形態の変形例に係る被処理物載置部２について、図７を用いて説明する。図７（Ａ）は、第２の実施形態の変形例に係る被処理物載置部２の上面図である。図７（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例に係る被処理物載置部２に両面接着テープ４を介して被処理物５を載置した状態を示す上面図である。図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）のＡ４−Ａ４線に沿った切断面における断面図である。
図７に示した被処理物載置部２では、被処理物載置部２を一方主面２ａ側から見たとき、一方主面２ａにおける凹部１５は溝状であり、一方主面２ａにおける溝状の凹部１５の開口の最も短い幅ｗ１は、被処理物５の最も短い幅ｗ２の半分以下である。この場合、凹部１５が溝状であるため、被処理物載置部２と両面接着テープ４との間に残った空気が効果的に排出される。
なお、被処理物載置部２が上記の形態である場合も、第２の実施形態の場合と同様に、一方主面２ａにおける溝状の凹部１５の開口の面積の総和は、一方主面２ａの面積の半分以下であることが好ましい。この場合も、小型の被処理物５であっても、被処理物載置部２の溝状の凹部１５が形成されていない部分と確実に重なった状態となる。そのため、スパッタ処理を施す場合に、被処理物５の温度上昇が確実に抑制され、高温となることがない。すなわち、被処理物５の歩留まりがさらに向上する。
−実験例−
次に、この発明を実験例に基づいてより具体的に説明する。この実験例では、種々の溝幅および溝本数を有する被処理物載置部を備えた真空装置を用いたスパッタ装置により、被処理物の表面にＣｕ膜を形成し、各条件における被処理物の表面温度の違いを調べた。
次に、この発明を実験例に基づいてより具体的に説明する。この実験例では、種々の溝幅および溝本数を有する被処理物載置部を備えた真空装置を用いたスパッタ装置により、被処理物の表面にＣｕ膜を形成し、各条件における被処理物の表面温度の違いを調べた。
被処理物は、厚さ０．４ｍｍのＰＣＢ基板に、シリカをフィラーとした絶縁性樹脂をモールド樹脂として付与したものである。また、被処理物の大きさは、長さ１０ｍｍ、幅６ｍｍ、高さ１．５ｍｍである。被処理物は、両面接着テープにより、被処理物載置部に接着載置された状態でスパッタ処理された。その際、被処理物が溝の上に位置するようにした。
スパッタ処理は、電力が２５ｋＷ、Ｃｕの成膜時間が９００秒、圧力１．５Ｐａ、ターゲット部材と被処理物との間隔が５０ｍｍの条件で行なった。なお、被処理物の表面温度の測定は、被処理物の表面にサーモラベルを貼り付け、スパッタ処理後に温度確認することにより行なった。各条件における被処理物の表面温度の測定結果を表１に示す。
表１に示されるように、被処理物の幅を分母とし、溝の幅を分子としたときの比を百分率で表したものが５０％以下の場合（条件１ないし６）、被処理物の表面温度は１５０℃以下となった。さらに溝本数が少なく、被処理物載置部の一方主面の面積を分母とし、溝の面積の総和を分子としたときの比を百分率で表したものが５０％以下の場合（条件１ないし５）、被処理物の表面温度は１２０℃以下となった。すなわち、被処理物にスパッタ処理を施す場合に、この発明を適用することにより、被処理物の温度上昇が確実に抑制されることが分かった。
なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。また、この明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
１００ 真空装置
１ 真空チャンバ
２ 被処理物載置部
３ 溝
４ 両面接着テープ（接着部材）
５ 被処理物
６ 蓋部材
７ ベース部材
８ 管部
９ 真空排気部（排気手段）
１０ ガス供給部
１１ ターゲット部材
１２ 磁石
１３ 直流電源
１４ 接着剤
１５ 凹部
１５ａ 流路
１ 真空チャンバ
２ 被処理物載置部
３ 溝
４ 両面接着テープ（接着部材）
５ 被処理物
６ 蓋部材
７ ベース部材
８ 管部
９ 真空排気部（排気手段）
１０ ガス供給部
１１ ターゲット部材
１２ 磁石
１３ 直流電源
１４ 接着剤
１５ 凹部
１５ａ 流路
Claims (10)
- 真空チャンバの内部に配置され、被処理物が載置される一方主面と、前記一方主面に接続された側面とを有し、かつ前記一方主面に開口を有する溝が複数本設けられている被処理物載置部と、前記被処理物載置部の前記一方主面上に設けられた接着部材と、前記真空チャンバに接続された排気手段とを備える真空装置であって、
前記被処理物として、基板に接続された回路素子が樹脂に覆われているモジュール部品が載置され、当該モジュール部品に対して、ひとつ以上の前記溝が重なっており、
前記溝の深さは、前記接着部材の糊厚よりも大きくされており、
前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記溝の開口の最も短い幅は、前記被処理物の最も短い幅の半分以下であることを特徴とする、真空装置。 - 前記被処理物載置部の前記一方主面の算術平均粗さは、０．３μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の真空装置。
- 前記溝は、一端が前記被処理物載置部の側面に到達していることを特徴とする、請求項１または２に記載の真空装置。
- 前記溝は、格子状に設けられていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の真空装置。
- 前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記溝の開口の面積の総和は、前記一方主面の面積の半分以下であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の真空装置。
- 真空チャンバの内部に配置され、被処理物が載置される一方主面と、他方主面と、前記一方主面および前記他方主面に接続された側面とを有し、かつ前記一方主面に開口を有する凹部が複数箇所に設けられている被処理物載置部と、前記被処理物載置部の前記一方主面上に設けられた接着部材と、前記真空チャンバに接続された排気手段とを備える真空装置であって、
前記被処理物として、基板に接続された回路素子が樹脂に覆われているモジュール部品が載置され、当該モジュール部品に対して、ひとつ以上の前記凹部が重なっており、
前記凹部の深さは、前記接着部材の糊厚よりも大きくされており、
前記被処理物載置部は、前記被処理物載置部の他方主面および側面の少なくとも一方に開口を有する流路をさらに備えており、
前記凹部は、前記流路に接続されており、
前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記凹部の開口の最も短い幅は、前記被処理物の最も短い幅の半分以下であることを特徴とする、真空装置。 - 前記被処理物載置部の前記一方主面の算術平均粗さは、０．３μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項６に記載の真空装置。
- 前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記凹部は溝状であり、
前記一方主面における前記溝状の凹部の開口の最も短い幅は、前記被処理物の最も短い幅の半分以下であることを特徴とする、請求項６または７に記載の真空装置。 - 前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記凹部の開口の面積の総和は、前記一方主面の面積の半分以下であることを特徴とする、請求項６ないし８のいずれか１項に記載の真空装置。
- 前記被処理物の最も短い幅は、０．２５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の真空装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016036436A JP6572800B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 真空装置 |
| US15/427,721 US10861683B2 (en) | 2016-02-26 | 2017-02-08 | Vacuum device |
| KR1020170024338A KR101897394B1 (ko) | 2016-02-26 | 2017-02-23 | 진공 장치 |
| CN201710102611.0A CN107275252A (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-24 | 真空装置 |
| CN202210185473.8A CN114566414A (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-24 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016036436A JP6572800B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 真空装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017150060A JP2017150060A (ja) | 2017-08-31 |
| JP6572800B2 true JP6572800B2 (ja) | 2019-09-11 |
Family
ID=59680080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016036436A Active JP6572800B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 真空装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10861683B2 (ja) |
| JP (1) | JP6572800B2 (ja) |
| KR (1) | KR101897394B1 (ja) |
| CN (2) | CN107275252A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11167893B2 (en) | 2017-08-02 | 2021-11-09 | Hosokawa Yoko Co., Ltd. | Spout cap, spout, and container with spout |
| CN114516536A (zh) * | 2020-11-19 | 2022-05-20 | 日本电产三协（浙江）有限公司 | 吸附垫和工业用机器人 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189372A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | マグネトロンスパツタ装置 |
| US5650378A (en) * | 1992-10-02 | 1997-07-22 | Fujikura Ltd. | Method of making polycrystalline thin film and superconducting oxide body |
| US5597458A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Advanced Micro Devices | Method for producing alloy films using cold sputter deposition process |
| US6077357A (en) * | 1997-05-29 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Orientless wafer processing on an electrostatic chuck |
| JPH11251413A (ja) | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
| US6634882B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
| JP2002270681A (ja) | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Anelva Corp | 基板処理用静電吸着機構 |
| JP4905934B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-03-28 | サムコ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ装置 |
| US20080173541A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Eal Lee | Target designs and related methods for reduced eddy currents, increased resistance and resistivity, and enhanced cooling |
| JP5131762B2 (ja) | 2008-05-09 | 2013-01-30 | サムコ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置並びにプラズマ処理用トレイ |
| JP2011009007A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Texas Instr Japan Ltd | イオン注入装置のウエハ温度補償システム |
| GB2485603B (en) * | 2010-11-22 | 2017-06-14 | Flexenable Ltd | Segmented target for vapour deposition process |
| JP5886625B2 (ja) * | 2010-12-29 | 2016-03-16 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 非晶質炭素膜積層部材及びその製造方法 |
| JP6285620B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2018-02-28 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及び半導体・液晶製造装置 |
| JP2013129723A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Lintec Corp | 粘着シートおよび半導体チップの製造方法 |
| WO2013175987A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | リンテック株式会社 | ダイシングシート |
| KR101324711B1 (ko) | 2013-03-15 | 2013-11-05 | 쿠어스텍아시아 유한회사 | 반경 방향으로 순차적으로 배치되는 진공 공간에 진공 흡입홀이 교번하여 형성되는 웨이퍼 척 장치 |
| JP2015198157A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電気光学装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016036436A patent/JP6572800B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-08 US US15/427,721 patent/US10861683B2/en active Active
- 2017-02-23 KR KR1020170024338A patent/KR101897394B1/ko active Active
- 2017-02-24 CN CN201710102611.0A patent/CN107275252A/zh active Pending
- 2017-02-24 CN CN202210185473.8A patent/CN114566414A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101897394B1 (ko) | 2018-09-10 |
| US20170250061A1 (en) | 2017-08-31 |
| US10861683B2 (en) | 2020-12-08 |
| JP2017150060A (ja) | 2017-08-31 |
| KR20170101142A (ko) | 2017-09-05 |
| CN107275252A (zh) | 2017-10-20 |
| CN114566414A (zh) | 2022-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20160126125A1 (en) | Electrostatic chuck | |
| US10026634B2 (en) | Electrostatic chuck and base member for use in the same | |
| EP2763166A1 (en) | Heat dissipation structure, power module, method for manufacturing heat dissipation structure and method for manufacturing power module | |
| JPWO2018038044A1 (ja) | ウエハ載置台 | |
| JP6325424B2 (ja) | 静電チャック | |
| WO2008013279A1 (en) | Electronic component storing package and electronic device | |
| JP6572800B2 (ja) | 真空装置 | |
| KR20210106354A (ko) | 스테이지, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
| CN106537580A (zh) | 陶瓷电路基板及其制造方法 | |
| JP6105983B2 (ja) | 放熱基板の製造方法 | |
| TWI394222B (zh) | 真空處理設備 | |
| JP6489717B2 (ja) | 面状発熱体およびそれを備える半導体製造装置 | |
| JPWO2020004565A1 (ja) | 回路基板およびこれを備える電子装置 | |
| JP6280012B2 (ja) | 試料保持具 | |
| WO2022264922A1 (ja) | プラズマ処理装置用部材 | |
| EP3629362B1 (en) | Plasma treatment apparatus and driving method thereof | |
| JP6911101B2 (ja) | 接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー | |
| JP2006319192A (ja) | 電極および該電極を用いたプラズマプロセス装置 | |
| JP6465948B1 (ja) | 基板処理装置及び成膜装置 | |
| JP2016225579A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP2011099127A (ja) | マスクを用いた成膜品の製造方法 | |
| JP2007227442A (ja) | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ | |
| US20250079235A1 (en) | Wafer support table and rf rod | |
| JP4515171B2 (ja) | 真空処理方法 | |
| JP2025035149A (ja) | プラズマエッチング用静電チャック及びプラズマエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160909 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170803 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180724 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190408 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190716 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190729 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6572800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |