JP6590445B2 - 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 - Google Patents

硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6590445B2
JP6590445B2 JP2016547680A JP2016547680A JP6590445B2 JP 6590445 B2 JP6590445 B2 JP 6590445B2 JP 2016547680 A JP2016547680 A JP 2016547680A JP 2016547680 A JP2016547680 A JP 2016547680A JP 6590445 B2 JP6590445 B2 JP 6590445B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
mass
formula
composition
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016547680A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016038836A1 (ja
Inventor
亮介 山▲崎▼
亮介 山▲崎▼
数也 市川
数也 市川
宏明 吉田
宏明 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Toray Co Ltd
Original Assignee
Dow Toray Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Toray Co Ltd filed Critical Dow Toray Co Ltd
Publication of JPWO2016038836A1 publication Critical patent/JPWO2016038836A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6590445B2 publication Critical patent/JP6590445B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置に関する。
光半導体装置には、光半導体素子から出る光を効率よく反射するために光反射材が設けられている。この光反射材を形成するための硬化性シリコーン組成物としては、例えば、ビニル基およびアリル基のいずれか一方と、水素原子が、直接ケイ素原子に結合してなる構造を有するヒドロシリル化反応性シリコーン樹脂、白金系触媒、および白色顔料からなる硬化性シリコーン組成物（特許文献１参照）、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０,０００以上であるビニル基含有オルガノポリシロキサン、一分子中にケイ素原子結合水素原子を少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、白色顔料、白色顔料以外の無機充填剤、白金金属系触媒、および反応制御剤からなる硬化性シリコーン組成物（特許文献２参照）、ケイ素原子結合全有機基の３０〜８０モル％がフェニル基であり、かつ５〜２０モル％がアルケニル基である分岐鎖状のオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合全有機基の３０〜６０モル％がアルケニル基である、ケイ素原子数が１０以下のオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合全有機基の２０〜７０モル％がフェニル基であるオルガノポリシロキサン、白色顔料、非球状シリカまたはガラスファイバー、球状シリカ、およびヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性シリコーン組成物（特許文献３参照）が挙げられる。
近年、光半導体装置において、光反射材が基板上に薄膜で使用される場合には、光反射材と基板の熱膨張率の差によるクラックが発生しにくく、また、基板から剥離しにくいことが求められている。また、このような光反射材には、十分な光反射性能の他、薄膜でも光を透過させない十分な隠蔽性能も求められている。
しかし、光反射性能に優れ、薄膜における遮蔽性能を向上させるため、白色顔料を硬化性シリコーン組成物中に多量に配合すると、得られる組成物の取り扱い作業性が低下し、また、基板に対する接着性が低下するという課題がある。
特開２００９−０２１３９４号公報 特開２０１１−１４０５５０号公報 特開２０１３−０７６０５０号公報
本発明は、チキソ性を有し、取り扱い作業性が良好であり、硬化して、熱膨張率が低く、隠蔽率が高く、機械的強度が高く、さらには各種基材に対する接着性が良好な硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物、熱膨張率が低く、隠蔽率が高く、機械的強度が高い硬化物、および信頼性に優れる光半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、平均粒子径０.０５〜１０μｍの酸化チタン粉末および平均粒子径０.１〜２０μｍの酸化チタン以外の無機粉末を含有し、前記酸化チタン粉末の含有量が本組成物中の５０〜９０質量％であり、前記無機粉末の含有量が本組成物中の５〜４０質量％である熱硬化性シリコーン組成物であって、前記酸化チタン粉末および前記無機粉末が、一般式：
Ｒ１ (４−ａ)Ｓi(ＯＲ２)ａ
（式中、Ｒ１は炭素数６〜２０の非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ａは１〜３の整数である。）
で表されるオルガノシランおよび／または一般式：
Figure 0006590445
 （式中、Ｒ３は非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ４は同種または異種の脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基、Ｒ５は酸素原子または二価炭化水素基、Ｒ６はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ｂは１〜３の整数、ｐは１以上の整数である。）
で表されるオルガノシロキサンにより表面処理されていることを特徴とする。
また、本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。
さらに、本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物からなる光反射材を有することを特徴とする。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、チキソ性を有し、取り扱い作業性が良好であり、硬化して、熱膨張率が低く、隠蔽率が高く、機械的強度が高く、さらには各種基材に対する接着性が良好な硬化物を形成するという特徴がある。また、本発明の硬化物は、熱膨張率が低く、隠蔽率が高く、機械的強度が高いという特徴がある。さらに、本発明の光半導体装置は、信頼性が優れるという特徴がある。
本発明の光半導体装置の一例であるチップオンボード（ＣＯＢ）型の光半導体装置の断面図である。 本発明の光半導体装置の一例である他のチップオンボード（ＣＯＢ）型の光半導体装置の断面図である。
はじめに、本発明の硬化性シリコーン組成物を説明する。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、平均粒子径０.０５〜１０μｍの酸化チタン粉末および平均粒子径０.１〜２０μｍの酸化チタン以外の無機粉末を含有し、前記酸化チタン粉末の含有量が本組成物中の５０〜９０質量％であり、前記無機粉末の含有量が本組成物中の５〜４０質量％である。
この酸化チタン粉末は本組成物の硬化物に光反射性能を付与するための白色顔料である。このような酸化チタン粉末としては、アナタース型酸化チタン粉末、ルチル型酸化チタン粉末が例示され、硬化物の光反射性能及び隠蔽力が高いことから、ルチル型酸化チタン粉末が好ましい。この酸化チタンの平均粒子径は０.０５〜１０μｍの範囲内であり、好ましくは、０.０１〜５μｍの範囲内、または０.０１〜３μｍの範囲内である。この酸化チタンは、予めその表面をシランカップリング剤、シリカ、アルミナ、ジルコニア等で表面処理したものを使用してもよい。
この酸化チタン粉末の含有量は、本組成物中の５０〜９０質量％の範囲内であり、好ましくは、５０〜８５質量％の範囲内、５０〜８０質量％の範囲内、５５〜９０質量％の範囲内、５５〜８５質量％の範囲内、または５５〜８０質量％の範囲内である。これは、本組成物において、酸化チタン粉末の含有量が、上記範囲の下限以上であると、得られる硬化性シリコーン組成物のチキソ性が良好で、また、得られる硬化物の隠蔽性や強度が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化性シリコーン組成物の取り扱い作業性が良好であるからである。一般に、酸化チタン粉末の含有量は硬化性シリコーン組成物に対して１０〜３０質量％であるが、本発明では５０質量％以上含有することにより、得られる硬化物の隠蔽性を向上させるばかりか、機械的強度も向上することができる。また、本組成物では、煙霧状シリカ等のチキソ性付与成分を配合しなくても、本組成物に適度なチキソ性を付与することができる。
酸化チタン以外の無機粉末は、上記の酸化チタン粉末と併用することで、硬化物の線膨張率を小さくし、寸法安定性を改善するための成分である。このような無機粉末としては、球状シリカ、非球状シリカ、もしくはガラスファイバーが例示されるが、得られる硬化性シリコーン組成物の粘度上昇が少ないことから、球状シリカが好ましい。球状シリカとしては、乾式シリカ、湿式シリカ、溶融シリカ、爆燃シリカが例示されるが、本組成物への充填性が良好であることから、溶融シリカが好ましい。この無機粉末の平均粒子径は０.１〜２０μｍの範囲内であり、スクリーン印刷による塗布工程を用いたときのメッシュの通りやすさや薄膜の形成しやすさから、好ましくは、０.１〜１５μｍの範囲内、０.１〜１０μｍの範囲内、０.２〜２０μｍの範囲内、０.２〜１５μｍの範囲内、または０.２〜１０μｍの範囲内である。
この無機粉末の含有量は、本組成物中の５〜４０質量％の範囲内であり、好ましくは、５〜３５質量％の範囲内、または５〜３０質量％の範囲内である。これは、無機粉末の含有量が、上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の線膨張率が低く、寸法安定性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化性シリコーン組成物の粘度が高くなりすぎず、取り扱い作業性が良好であるからである。
本組成物では、前記酸化チタン粉末および前記無機粉末が、一般式：
Ｒ１ (４−ａ)Ｓi(ＯＲ２)ａ
（式中、Ｒ１は炭素数６〜２０の非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ａは１〜３の整数である。）
で表されるオルガノシランおよび／または一般式：
Figure 0006590445
 （式中、Ｒ３は非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ４は同種または異種の脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基、Ｒ５は酸素原子または二価炭化水素基、Ｒ６はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ｂは１〜３の整数、ｐは１以上の整数である。）
で表されるオルガノシロキサンにより表面処理されていることを特徴とする。
上記オルガノシランにおいて、式中、Ｒ１は炭素数６〜２０の非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基である。これは、Ｒ１の炭素数が６未満である場合、得られる硬化性シリコーン組成物の粘度を低下させる効果が乏しく、一方、炭素数が２０を超えるとオルガノポリシロキサン成分との相溶性が低下するからである。Ｒ１の一価炭化水素基としては、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等のアルキル基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；これらのアルキル基またはアラルキル基中の水素原子の一部または全部をフッ素、塩素等のハロゲン原子で置換した基が例示され、好ましくは、炭素数６〜２０のアルキル基である。
また、式中、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基等のアルコキシアルキル基；イソプロピレン基、イソブテニル基等のアルケニル基；アセトキシ基等のアシル基が例示され、好ましくは、アルキル基であり、特には、メチル基、エチル基である。また、式中、ａは１〜３の整数であり、好ましくは、３である。
このようなオルガノシランとしては、次の化合物が例示される。
Ｃ６Ｈ１３Ｓi(ＯＣＨ３)３
Ｃ８Ｈ１７Ｓi(ＯＣ２Ｈ５)３
Ｃ１０Ｈ２１Ｓi(ＯＣＨ３)３
Ｃ１２Ｈ２５Ｓi(ＯＣＨ３)３
Ｃ１４Ｈ２９Ｓi(ＯＣ２Ｈ５)３
Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２ＣＨ２Ｓi(ＯＣＨ３)３
このオルガノシランの配合量は、本組成物１００質量部に対して０.１〜１０質量部の範囲内であり、好ましくは、０.１〜５質量部の範囲内、０.５〜５質量部の範囲内、または０.５〜１０質量部の範囲内である。これは、オルガノシランの配合量が上記範囲の下限以上であると、酸化チタンおよび無機粉末の表面を十分に処理できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的強度や接着力を向上できるからである。
一方、上記のオルガノシロキサンにおいて、式中、Ｒ３は非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基であり、例えば、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基が挙げられる。直鎖状アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基が例示される。分岐鎖状アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、２−エチルヘキシル基が例示される。環状アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が例示される。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基が例示される。アリール基としては、フェニル基、トリル基が例示される。アラルキル基としては、２−フェニルエチル基、２−メチル−２−フェニルエチル基が例示される。ハロゲン化アルキル基としては、例えば、３,３,３−トリフルオロプロピル基、２−(ノナフルオロブチル)エチル基、２−(ヘプタデカフルオロオクチル)エチル基が例示される。Ｒ３としては、メチル基、ビニル基が好ましい。
また、式中、Ｒ４は同種または異種の脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基であり、例えば、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基が挙げられる。直鎖状アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基が例示される。分岐鎖状アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｔert−ブチル基、２−エチルヘキシル基が例示される。環状アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が例示される。アリール基としては、フェニル基、トリル基が例示される。アラルキル基としては、２−フェニルエチル基、２−メチル−２−フェニルエチル基が例示される。ハロゲン化アルキル基としては、３,３,３−トリフルオロプロピル基、２−(ノナフルオロブチル)エチル基、２−(ヘプタデカフルオロオクチル)エチル基が例示される。Ｒ４としては、メチル基、フェニル基が好ましい。
また、式中、Ｒ５は酸素原子または二価炭化水素基である。Ｒ５の二価炭化水素基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等のアルキレン基；エチレンフェニレンエチレン基、エチレンフェニレンプロピレン基等のアルキレンアリーレンアルキレン基が例示される。
また、式中、Ｒ６はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基等のアルコキシアルキル基；イソプロピレン基、イソブテニル基等のアルケニル基；アセトキシ基等のアシル基が例示され、好ましくは、アルキル基であり、特には、メチル基、エチル基である。また、式中、ｂは１〜３の整数であり、好ましくは、３である。また、式中、ｐは１以上の整数であり、好ましくは、１〜２００の範囲内の整数、５〜２００の範囲内の整数、または５〜１５０の範囲内の整数である。
このようなオルガノシロキサンとしては、次の化合物が例示される。なお、式中、Ｍe、Ｐh、Ｖiは、それぞれメチル基、フェニル基、ビニル基を表す。
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１５Ｓi(ＯＭe)３
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２３Ｓi(ＯＭe)３
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１１０Ｓi(ＯＭe)３
ＶiＭe２ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２９Ｓi(ＯＭe)３
ＶiＭe２ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１０Ｓi(ＯＭe)３
ＶiＭe２ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)５Ｓi(ＯＭe)３
Ｍe３ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１０Ｓi(ＯＭe)３
このオルガノシロキサンの配合量は、本組成物１００質量部に対して０.１〜１０質量部の範囲内であり、好ましくは、０.１〜５質量部の範囲内、０.５〜５質量部の範囲内、または０.５〜１０質量部の範囲内である。これは、オルガノシロキサンの配合量が上記範囲の下限以上であると、酸化チタンおよび無機粉末の表面を十分に処理できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の硬度の低下を抑制したり、線膨張係数の増加を抑制したり、機械的強度や接着力を向上できるからである。
本組成物においては、上記オルガノシランまたは上記オルガノシロキサンを単独で使用してもよく、また、これらを併用してもよい。これらを併用することにより、上記酸化チタン粉末および無機粉末の表面処理を効率良く行うことができ、得られる硬化物に高い機械的強度、低い線膨張率、および高い接着能力を同時に付与することができる。上記オルガノシランと上記オルガノシロキサンの質量比は、好ましくは、３：７〜７：３の範囲内であり、特には、１：１である。
本組成物は熱硬化性であって、その硬化機構は特に限定されず、例えば、ヒドロシリル化反応、有機過酸化物によるラジカル反応、縮合反応が例示され、好ましくは、ヒドロシリル化反応である。ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物としては、例えば、
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分中のアルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜１０モルとなる量｝、
（Ｃ）平均粒子径０.０５〜１０μｍの酸化チタン粉末（本組成物中、５０〜９０質量％となる量）、
（Ｄ）平均粒子径０.１〜２０μｍの酸化チタン以外の無機粉末（本組成物中、５〜４０質量％となる量）、
（Ｅ）（Ｅ−１）一般式：
Ｒ１ (４−ａ)Ｓi(ＯＲ２)ａ
（式中、Ｒ１は炭素数６〜２０の非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ａは１〜３の整数である。）
で表されるオルガノシラン（本組成物１００質量部に対して０.１〜１０質量部）および／または（Ｅ−２）一般式：
Figure 0006590445
 （式中、Ｒ３は非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ４は同種または異種の脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基、Ｒ５は酸素原子または二価炭化水素基、Ｒ６はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ｂは１〜３の整数、ｐは１以上の整数である。）
で表されるオルガノシロキサン（本組成物１００質量部に対して０.１〜１０質量部）、および
（Ｆ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物のヒドロシリル化反応を促進する量）
から少なくともなる硬化性シリコーン組成物が好ましい。
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有する。このアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素原子数２〜１０のアルケニル基が例示される。（Ａ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素原子数１〜６のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素原子数６〜１２のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素原子数７〜１２のアラルキル基；これらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。
（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンは一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有する。（Ｂ）成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素原子数１〜６のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素原子数６〜１２のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素原子数７〜１２のアラルキル基；これらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。
本組成物では、得られる硬化物の熱膨張率を著しく低下できることから、（Ａ）成分は、（Ａ−１）一般式：
−(Ｒ７Ｒ８ＳiＯ２/２)ｍ−
で表される直鎖状シロキサンブロックを少なくとも有するオルガノポリシロキサンであり、（Ｂ）成分は、（Ｂ−１）一般式：
−(Ｒ９ＨＳiＯ２/２)ｎ−
で表される直鎖状シロキサンブロックを少なくとも有するオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
（Ａ−１）成分において、式中、Ｒ７は炭素原子数１〜６のアルキル基またはフェニル基である。Ｒ７のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が例示される。また、式中、Ｒ８は炭素原子数２〜１０のアルケニル基であり、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示される。
また、式中、ｍは５〜５０の範囲内の整数であり、好ましくは、５〜３０の範囲内の整数である。これは、ｍが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の熱膨張率が著しく低下し、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的強度が向上するからである。
（Ａ−１）成分は、上記の直鎖状シロキサンブロックのみからなり、その分子鎖両末端が封鎖された鎖状のオルガノポリシロキサンが例示される。この分子鎖末端の基としては、水酸基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基；トリメチルシロキシ基、ジメチルビニルシロキシ基、ジメチルフェニルシロキシ基、メチルフェニルビニルシロキシ基等のオルガノシロキシ基が例示される。また、（Ａ−１）成分は、上記直鎖状シロキサンブロック（Ｘ）と他のシロキサンブロック（Ｙ）とが連結したブロック共重合体であってもよい。このようなブロック共重合体としては、Ｘ、Ｙが１個ずつ連結したＸＹ共重合体、Ｙの両端にＸを連結したＸＹＸ共重合体、Ｘ、Ｙが交互にｚ回繰り返して連結した（ＸＹ）ｚ共重合体が例示される。このシロキサンブロック（Ｙ）としては、一般式：
−(Ｒ７ ｃＳiＯ(４−ｃ)/２)−
（式中、Ｒ７は前記と同じであり、ｃは０.５〜２の数である。）
で表されるシロキサンもしくはその繰り返しからなるポリシロキサンが例示される。なお、このブロック共重合体の分子鎖末端の基としては、水酸基、上記と同様のアルコキシ基、または上記と同様のオルガノシロキシ基が例示される。
オルガノポリシロキサンは、一般には、環状ジオルガノシロキサンを、塩基触媒もしくは酸触媒の存在下、再平衡化反応により重合して調製するが、このような方法では、上記直鎖状シロキサンブロックを保持したブロック共重合体を調製することは難しい。このため、上記のようなブロック共重合体を調製する方法としては、上記直鎖状シロキサンブロック（Ｘ）を有するポリシロキサンと、他のシロキサンブロック（Ｙ）を有するシロキサンもしくはポリシロキサンを縮合反応する方法が例示される。
本組成物において、（Ａ−１）成分の含有量は、上記直鎖状シロキサンブロックの含有量が本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の２０〜６０質量％となる量であり、好ましくは、３０〜５０質量％となる量である。これは、上記の直鎖状シロキサンブロックの含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の熱膨張率が著しく低下し、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の柔軟性と機械的強度が向上するからである。
本組成物には、（Ａ）成分として、上記（Ａ−１）成分以外に、（Ａ−２）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有する直鎖状あるいは分岐鎖状のオルガノポリシロキサンを併用してもよい。（Ａ−２）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基が例示される。また、（Ａ−２）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１２のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜１２のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示される。
（Ａ−２）成分の直鎖状のオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンランダム共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンランダム共重合体が例示される。
また、（Ａ−２）成分の分岐鎖状のオルガノポリシロキサンとしては、式：ＳiＯ４/２で表されるシロキサン単位、一般式：Ｒ７ ２Ｒ８ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位、および一般式：Ｒ７ ３ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位からなるものが挙げられる。式中、Ｒ７は炭素原子数１〜６のアルキル基またはフェニル基であり、前記と同様の基が例示される。また、Ｒ８は炭素原子数２〜１０のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示される。このオルガノポリシロキサンにおいて、式：ＳiＯ４/２で表されるシロキサン単位１個に対する、一般式：Ｒ７ ２Ｒ８ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位および一般式：Ｒ７ ３ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位の合計は、０.５〜１.５の範囲内であることが好ましい。また、このオルガノポリシロキサンには、分子中のケイ素原子にごく少量の水酸基、アルコキシ基等を結合していてもよい。
（Ａ−２）成分の含有量は特に限定されないが、（Ａ−１）成分中のアルケニル基と本成分中のアルケニル基の合計に対して、本成分中のアルケニル基が多くとも１０モル％となる量であることが好ましい。これは、本成分の含有量が上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の熱膨張率が著しく低下するからである。
また、（Ｂ−１）成分において、式中、Ｒ９は炭素原子数１〜６のアルキル基またはフェニル基であり、前記Ｒ７と同様の基が例示される。また、式中、ｎは１０〜１００の範囲内の整数であり、好ましくは、２０〜８０の範囲内の整数である。これは、ｎが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の熱膨張率が著しく低下し、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的強度が向上するからである。
（Ｂ−１）成分としては、上記直鎖状シロキサンブロックのみからなり、その分子鎖両末端が封鎖されたオルガノポリシロキサンが例示される。この分子鎖末端の基としては、水酸基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基；トリメチルシロキシ基、ジメチルハイドロジェンシロキシ基、ジメチルフェニルシロキシ基、メチルフェニルハイドロジェンシロキシ基等のオルガノシロキシ基が例示される。また、（Ｂ）成分は、上記直鎖状シロキサンブロック（Ｘ'）と他のシロキサンブロック（Ｙ'）とが連結したブロック共重合体であってもよい。このようなブロック共重合体としては、Ｘ'、Ｙが１個ずつ連結したＸ'Ｙ共重合体、Ｙの両端にＸ'を連結したＸ'ＹＸ'共重合体、Ｘ'、Ｙが交互にｚ回繰り返して連結した（Ｘ'Ｙ）ｚ共重合体が例示される。このシロキサンブロック（Ｙ）としては、前記と同様のものが例示される。なお、このブロック共重合体の分子鎖末端の基としては、水酸基、上記と同様のアルコキシ基、または上記と同様のオルガノシロキシ基が例示される。
（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分中のアルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜１０モルの範囲内となる量であり、好ましくは、０.５〜１０モルの範囲内となる量、０.５〜５モルの範囲内となる量、または、０.７〜２モルの範囲内となる量である。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の熱膨張率が著しく低下し、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的強度が向上するからである。
（Ｃ）成分の酸化チタン粉末および（Ｄ）成分の無機粉末については前記の通りである。また、（Ｅ）成分のオルガノシランおよびオルガノシロキサンについても前記の通りである。
本組成物において、（Ｃ）成分および（Ｄ）成分の表面処理をin-situ処理する場合には、（Ａ）成分の一部または全部に（Ｃ）成分および（Ｄ）成分を混合し、次いで、これに（Ｅ）成分を混合して、必要に応じて加熱する方法、（Ａ）成分の一部に（Ｃ）成分を混合し、次いで、これに（Ｅ）成分の一部を混合して、必要に応じて加熱したものと、（Ａ）成分の一部に（Ｄ）成分を混合し、次いで、これに（Ｅ）成分の一部を混合して、必要に応じて加熱したものとを混合する方法が例示される。また、（Ｅ）成分を（Ｃ）成分および（Ｄ）成分と共に本組成物中に単に配合させてもよい。
（Ｆ）成分は、本組成物の硬化反応を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒である。（Ｆ）成分としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示される。本組成物の硬化を著しく促進できることから、（Ｆ）成分は白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示される。このアルケニルシロキサンとしては、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等で置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等で置換したアルケニルシロキサンが例示される。
また、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上できることから、この錯体に１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジアリル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,３−ジメチル−１,３−ジフェニルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラフェニルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーを添加することが好ましい。
（Ｆ）成分の含有量は、本組成物のヒドロシリル化反応を促進するに十分な量であれば特に限定されないが、好ましくは、本組成物に対して、本成分中の金属原子が質量単位で０.０１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量、０.０１〜１００ｐｐｍの範囲内となる量、または０.０１〜５０ｐｐｍの範囲内となる量である。これは、（Ｆ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の硬化が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物に着色を生じ難くいからである。
また、本組成物には、本組成物の硬化速度を適切に制御するために（Ｇ）反応抑制剤を含有してもよい。このような（Ｇ）成分としては、１−エチニルシクロヘキサノール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾールが例示される。（Ｇ）成分の含有量は限定されないが、本組成物に対して、質量単位で１〜５,０００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。
また、本組成物には、硬化途上で接触している基材への接着性を更に向上させるために（Ｈ）接着促進剤を含有してもよい。（Ｈ）成分としては、トリアルコキシシロキシ基（例えば、トリメトキシシロキシ基、トリエトキシシロキシ基）もしくはトリアルコキシシリルアルキル基（例えば、トリメトキシシリルエチル基、トリエトキシシリルエチル基）と、ヒドロシリル基もしくはアルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基）を有するオルガノシランまたはケイ素原子数４〜２０程度の直鎖状、分岐鎖状または環状のオルガノシロキサンオリゴマー；トリアルコキシシロキシ基もしくはトリアルコキシシリルアルキル基とメタクリロキシアルキル基（例えば、３−メタクリロキシプロピル基）を有するオルガノシランまたはケイ素原子数４〜２０程度の直鎖状、分岐鎖状または環状のオルガノシロキサンオリゴマー；トリアルコキシシロキシ基もしくはトリアルコキシシリルアルキル基とエポキシ基結合アルキル基（例えば、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基）を有するオルガノシランまたはケイ素原子数４〜２０程度の直鎖状、分岐鎖状または環状のオルガノシロキサンオリゴマー；アミノアルキルトリアルコキシシランとエポキシ基結合アルキルトリアルコキシシランの反応物、エポキシ基含有エチルポリシリケートが例示される。具体的には、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ハイドロジェントリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランと３−アミノプロピルトリエトキシシランの反応物、分子鎖両末端水酸基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの縮合反応物、分子鎖両末端水酸基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランの縮合反応物、トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレートが例示される。（Ｈ）成分の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１００質量部に対して、０.１〜１０質量部の範囲内であることが好ましい。
本組成物は酸化チタンを高充填するため、他の無機充填剤を用いた時には見られないような高いチキソ性を示す。せん断速度１ｓ−１における２５℃の粘度は１０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、せん断速１０ｓ−１における２５℃の粘度は１００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。これは、上記のような粘度であると、硬化物を形成する際に、様々な生産プロセスに対応しやすいためである。また、使用時に液だれしにくいことから、下記式により求められるチキソ指数の値が５.０以上であることが好ましい。
Figure 0006590445
また、本組成物には、その塗布作業性を向上させるために、有機溶剤やシリコーンオイル等の希釈剤を配合して、粘度を調整してもよい。この希釈剤は、本組成物の硬化あるいはポストキュア工程において揮発しやすく、硬化物に残存しにくいことから、沸点が１５０〜２５０℃の範囲内であるものが好ましい。このような希釈剤としては、出光興産株式会社製のＩＰソルベント等のイソパラフィン系の有機溶剤、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル系の有機溶剤、あるいは東レ・ダウコーニング株式会社製のＯＳ−２０等のシリコーン系の溶剤が例示される。この希釈剤の含有量は特に限定されないが、本組成物の硬化あるいはポストキュア工程において揮発しやすく、硬化物に残存しにくいことから、本組成物１００質量部に対して、０.１〜１０質量部の範囲内であることが好ましい。
次に、本発明の硬化物について詳細に説明する。
本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。本発明の硬化物の線膨張率は特に限定されないが、２５〜２００℃における平均線膨張率が１００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、さらには５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。また、本発明の硬化物は薄膜状でも隠蔽性能が優れることから、それを１００μｍのフィルム状硬化物とした場合のＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８「プラスチック 全光線透過率及び全光線反射率の求め方」における全光線反射率が９０％以上であることが好ましい。
本発明の硬化物の形状は特に限定されないが、支持体上に板状または膜状に形成されたものであってもよい。本発明の硬化物は熱膨張率が極めて低いため、支持体を被覆する塗膜やフィルムとして好適である。
このような本発明の硬化物の形成方法としては、上記の硬化性シリコーン組成物を成型工程により、支持体上に膜状又は板状の硬化物を形成する方法や、上記の硬化性シリコーン組成物を塗布工程により、支持体上に膜状又は板状の硬化物を形成する方法が挙げられる。
この支持体としては、イミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ガラス繊維含有エポキシ樹脂、紙フェノール樹脂、ベークライト、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーンゴム、シリコーン樹脂等の樹脂製支持体；アルミニウム箔、銅箔、ニッケル箔、又は窒化アルミニウム箔等の金属製支持体が例示される。
支持体上に硬化物を形成する方法としては、成型工程、塗布工程が例示され、成型工程としては金型を用いたプレス成型や圧縮成型が例示され、塗布工程としては、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコーター、リバースコーター、グラビアコーター、エアナイフコーター、スプレーコーター、カーテンコーターが例示され、特に、薄膜に塗工する場合には、高精度のオフセットコーター、多段ロールコーター等の公知の塗布方法を用いることができる。
本発明の硬化物は前記の様な方法により支持体上に板状又は膜状で形成されることが好ましい。本発明の硬化物は高い光反射性を示すため、光半導体装置に用いられる光反射材として利用できる。特に、本発明の材料を光半導体装置に用いる場合、チップオンボードタイプ（ＣＯＢ）の光半導体装置に使用するのが好適である。
次に、本発明の光半導体装置について詳細に説明する。
本発明の光半導体装置は、上記組成物の硬化物からなる光反射材を有することを特徴とする。このような本発明の光半導体装置を図１および図２を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の光半導体装置の一例であるチップオンボード（ＣＯＢ）型の光半導体装置の断面図を示す。図１のＣＯＢ型光半導体装置では、光半導体素子１がＣＯＢ用の基板２にダイボンドにより搭載され、この光半導体素子１と回路３、４とをボンディングワイヤ５により電気的に接続している。また、基板２上の光半導体素子１周囲には、光半導体素子１から出る光を効率よく反射するように光反射材６が形成されている。
図２は、本発明の光半導体装置の一例である他のチップオンボード（ＣＯＢ）型の光半導体装置の断面図を示す。図２のＣＯＢ型光半導体装置では、光半導体素子１がＣＯＢ用の基板２上の回路３、４とボンディングパッドにより電気的に接続されている。また、基板２上の光半導体素子１周囲には、光半導体素子１から出る光を効率よく反射するように光反射材６が形成されている。
図１および図２の光半導体装置において、基板２はアルミニウムや銅等の金属製基板であってもよい、その金属製基板の表面に絶縁層（図示せず）を介して回路３、４が形成されている。また、基板２として非金属製基板を用いる場合には、絶縁層を形成する必要はない。このような非金属製基板としては、ガラスエポキシ基板、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）基板、ポリイミド基板、ポリエステル基板、窒化アルミニウム基板、窒化ホウ素基板、窒化ケイ素基板、アルミナセラミックス基板、ガラス基板、フレキシブルガラス基板が例示され。さらには、この基板２として、絶縁樹脂層を有するアルミニウム製基板または銅製基板からなるハイブリッド基板や、プリント配線したシリコン基板、炭化ケイ素基板、サファイア基板を用いることもできる。
この回路３、４は、電気伝導性の高い、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属、または、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む合金が用いられる。さらに、この基板２には、光半導体素子１を搭載する部分を露出するように光反射材６が形成されていることが好ましい。
図１および図２では、光半導体素子１および光反射材６が封止材７により封止されているが、光半導体素子１のみを封止材７でドーム状に封止してもよい。なお、図１および図２では、光半導体素子１が基板２上に１個のみ図示されているが、この光半導体素子１を基板２上に複数搭載してもよい。
本発明の硬化性シリコーン組成物、硬化物、および光半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中、粘度は２５℃における各シェアレートでの値である。また、式中、Ｍe、Ｐh、およびＶiは、それぞれメチル基、フェニル基、およびビニル基を表す。
また、硬化物の硬さ、曲げ強さ、線膨張率、金属に対する接着力、および全光線反射率を次のようにして測定した。
［硬化物の硬さ］
硬化性シリコーン組成物を１５０℃で２時間加熱して硬化物を作製した。この硬化物の硬さを、ＪＩＳ Ｋ ７２１５-1986「プラスチックのデュロメータ硬さ試験方法」に規定のタイプＤデュロメータにより測定した。
［硬化物の曲げ強度］
硬化性シリコーン組成物を１５０℃で２時間加熱して硬化物を作製した。この硬化物の曲げ強度を、ＪＩＳ Ｋ ６９１１-1995「熱硬化性プラスチック一般試験方法」に規定の方法により測定した。
［硬化物の線膨張率］
硬化性シリコーン組成物を１５０℃で２時間加熱して硬化物を作製した。この硬化物の線膨張率を、ＪＩＳ Ｋ ７１９７-1991「プラスチックの熱機械分析による線膨張率の試験方法」に規定の方法により測定した。
［硬化物の全光線反射率］
硬化性シリコーン組成物を１５０℃で２時間加熱して、厚さ１００μｍの硬化物を作製した。この硬化物の全光線反射率を、ＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８「プラスチック 全光線透過率及び全光線反射率の求め方」に規定の方法により測定した。
［硬化物の金属に対する接着力］
２５ｍｍ×７５ｍｍのアルミニウム板上に、硬化性シリコーン組成物をディスペンサーにより約１００ｍｇづつを５ヶ所に塗布した。次に、この組成物に厚さ１ｍｍの６ｍｍ角のアルミニウム製チップを被せ、１ｋｇの板により圧着した状態で、１５０℃で２時間加熱して硬化させた。その後、室温に冷却し、シェア強度測定装置（西進商事株式会社製のボンドテスターＳＳ−１００ＫＰ）によりダイシェア強度を測定した。また、上記と同様にして、銅板に対する銅板製チップのダイシェア強度についても測定した。
［実施例１］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.４質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.１質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ６０質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ２１.８質量部、およびｎ−オクチルトリエトキシシラン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンとジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（Ｉ）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３２.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例２］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.４質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.１質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ５１.８質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ３０質量部、および粘度２４ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２９Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（II）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３２.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例３］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ５.８質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ５.９質量部、平均一次粒子径０.２４μｍの酸化チタン（石原産業製のタイペークＲ−６３０） ７２質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ６質量部、ｎ−デシルトリメトキシシラン １質量部、および粘度１２５ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１１０Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ３質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ５.９質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.４モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（III）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例４］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)６−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.２質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.０質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ７２質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） １０質量部、ｎ−オクチルトリエトキシシラン ３質量部、および粘度２２ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２３Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン １質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭｅＨＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.５質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.３モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １.５質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で３００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（IV）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.５質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例５］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)６−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.４質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)４６ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.１質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ６５質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） １７質量部、ｎ−オクチルトリエトキシシラン ２質量部、および粘度１２５ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１１０Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ２質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（Ｖ）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.７質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例６］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)６−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロック５個と式：
−(ＭeＰhＳiＯ)６−
で表される直鎖状メチルフェニルシロキサンブロック５個が交互に連結し、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサンブロック共重合体 ５.８質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ５.９質量部、平均一次粒子径０.２４μｍの酸化チタン（石原産業製のタイペークＲ−６３０） ７０質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ８質量部、ｎ−デシルトリメトキシシラン ２質量部、および粘度２２ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２３Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ２質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭｅＨＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ５.９質量部（シリコーンベース中のメチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサンブロック共重合体と分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（VI）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例７］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.４質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.１質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ６０質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ２１.８質量部、およびｎ−オクチルトリエトキシシラン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合し、最後に、イソパラフィン系溶剤（出光興産社製のＩＰソルベント１６２０、沸点＝１６２〜２０２℃）を本組成物の固形分量が９５質量％となるように混合して、硬化性シリコーン組成物（VII）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３２.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例８］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ５.８質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ５.９質量部、平均一次粒子径０.２４μｍの酸化チタン（石原産業製のタイペークＲ−６３０） ７２質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ６質量部、ｎ−デシルトリメトキシシラン １質量部、および粘度１２５ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１１０Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ３質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ５.９質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.４モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合し、最後に、シリコーン系溶剤（東レ・ダウコーング社製のＯＳ−２０、沸点＝１５２℃）を本組成物の固形分量が９５質量％となるように混合して、硬化性シリコーン組成物（VIII）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
［実施例９］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ７.２質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン １６.６質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ５５.０質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ７質量部、および粘度２４ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２９Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ８.２質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 ２質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（IX）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の２３.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表１に示した。
Figure 0006590445
［比較例１］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.４質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.１質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ２５質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ５６.３質量部、およびｎ−オクチルトリエトキシシラン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンとジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（Ｘ）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３２.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例２］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.４質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.１質量部、平均一次粒子径０.４４μｍのアルミナ（住友化学製のＡＥＳ−１２） ６０質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ２１.８質量部、およびｎ−オクチルトリエトキシシラン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンとジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XI）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３２.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例３］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ５.８質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ５.９質量部、平均一次粒子径０.２４μｍの酸化チタン（石原産業製のタイペークＲ−６３０） ７８質量部、および粘度２４ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２９Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ５.９質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.４モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XII）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例４］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ７.６質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ７.７質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ５６質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ４質量部、および粘度２４ｍＰａ・ｓである、式：
Ｍe３ＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１１０Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ５.２質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ７.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.４モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １.３質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XIII）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例５］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)６−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.２質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ７２質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） １０質量部、およびメチルトリメトキシシラン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭｅＨＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.５質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンとジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.３モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １.５質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で３００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XIV）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.５質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例６］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)６−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ４.４質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)４６ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ４.１質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ６５質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） １７質量部、メチルトリメトキシシラン ２質量部、およびフェニルトリメトキシシラン ２質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ４.７質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンとジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.２モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XV）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の３４.７質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例７］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)−
で表されるメチルビニルシロキサン３個と式：
−(Ｍe２ＳiＯ２/２)−
で表されるジメチルシロキサン６個がランダムに連結し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンランダム共重合体 ８.５質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ５.９質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ６５質量部、および平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） １６.３質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ５.７質量部（シリコーンベース中のジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンランダム共重合体とジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が２.６モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １.１質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XVI）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の１５.１質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例８］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ３.７質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン ５.９質量部、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３） ６５質量部、および平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） １６.３質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(Ｍe２ＳiＯ２/２)−
で表されるジメチルシロキサン３個と式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)−
で表されるメチルハイドロジェンシロキサン７個とがランダムに連結し、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサンランダム共重合体 ８.１質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンとジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.７モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 １.１質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XVII）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の２０.６質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
［比較例９］
式：
−(ＭeＶiＳiＯ２/２)２０−
で表される直鎖状メチルビニルシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン ７.２質量部、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)１６０ＳiＭe２Ｖi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン １６.６質量部、平均一次粒子径０.４４μｍのアルミナ（住友化学製のＡＥＳ−１２） ５５.０質量部、平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ マイクロン社製のＨＳ−２０２） ７質量部、および粘度２４ｍＰa・ｓである、式：
Ｍe２ＶiＳiＯ(Ｍe２ＳiＯ)２９Ｓi(ＯＭe)３
で表される分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン ４質量部をロスミキサーに投入し、室温で混合した後、減圧下、１５０℃に加熱しながら混練して、シリコーンベースを調製した。
次に、室温下、このシリコーンベースに、式：
−(ＭeＨＳiＯ２/２)５０−
で表される直鎖状メチルハイドロジェンシロキサンブロックを有し、分子鎖両末端がトリメチルシロシキ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン ８.２質量部（シリコーンベース中のメチルビニルポリシロキサンと分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.５モルとなる量）、粘度２０ｍＰa・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物 ２質量部、および１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して、質量単位で２００ｐｐｍとなる量）を混合した後、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンの１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して、白金原子が質量単位で３.５ｐｐｍとなる量）を混合して、硬化性シリコーン組成物（XVIII）を調製した。なお、上記の直鎖状メチルビニルシロキサンブロックの含有量は本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の２３.４質量％である。この硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物の特性を表２に示した。
Figure 0006590445
表１および表２の結果から、酸化チタンの含有量が多いと、硬化性シリコーン組成物のチキソ性が高くなり、また、硬化物の強度が高くなることが分かった。また、特定のオルガノポリシロキサン成分を用いることで、硬化物の線膨張係数を低下させることができ、さらに、特定のフィラー処理剤を用いることで、硬化性シリコーン組成物の粘度を効果的に低下させ、硬化物の強度、線膨張係数、金属への接着力の全ての物性を改善できることが分かった。
［実施例１０〜１２、比較例１０〜１２］
ＰＥＴフィルム、アルミニウム板、または銅板のいずれかの支持体の内側に、厚みが１００μｍのスペーサーを５ｃｍ×５ｃｍの空間が取れるように設置し、スペーサーで囲まれた範囲内に上記で調製した硬化性シリコーン組成物０.８ｇを注入した。次に、硬化性シリコーン組成物の上に離型フィルムを被せ、１５０℃、プレス圧５Ｋｇにて、１５分間加熱して、硬化物からなる光反射材と前記支持体との一体成形物を作製した。硬化物の外観を目視により観察し、その結果を表３に示した。
Figure 0006590445
［実施例１３〜１５、比較例１３〜１５］
テスター産業社製のフィルムコーター（ＰＩ−１２１０）を用いて、アルミニウム板、銅板、ＰＥＴフィルム、またはガラス板のいずれかの支持体上に、上記で調製した硬化性シリコーン組成物をギャップサイズ１００μｍにて塗布した。塗布の状態を目視により観察した。その後、１５０℃のオーブンで１時間加熱して、硬化物からなる光反射材と前記支持体との一体成形物を作製した。硬化物の外観を目視により観察し、その結果を表４に示した。
Figure 0006590445
［実施例１６〜１８、比較例１６〜１８］
ニューロング精密工業社製の自動スクリーン印刷機（ＤＰ−３２０）を用いて、ＰＥＴフィルムを支持体として、上記で調製した硬化性シリコーン組成物をスクリーン印刷した。スクリーン板としてＳＵＳ製のメッシュサイズ＃１００、線径が４０μｍのものを用いた。スクリーン印刷の状態を目視により観察した。その後、１５０℃のオーブンで１時間加熱して、硬化物からなる光反射材と前記支持体との一体成形物を作製した。硬化物の外観を目視により観察し、その結果を表５に示した。
Figure 0006590445
プレス成型、フィルムコーター、スクリーン印刷のいずれの方法を用いても、本発明の硬化性シリコーン組成物を用いると、支持体との接着性が良好で、硬化物にクラック等の発生がないことが分かった。また、本発明の硬化性シリコーン組成物はチキソ性を有するので、塗布工程から熱硬化までの間に液だれを起こしにくく、形状の変化は観察されなかった。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、硬化して得られる硬化物の熱膨張率が小さく、薄膜での光反射性が高いので、他部材と一体化して使用する複合用光反射材料として好適である。
１ 光半導体素子
２ 基板
３ 回路
４ 回路
５ ボンディングワイヤ
６ 光反射材
７ 封止材

Claims (11)

  1. 平均粒子径０.０５〜１０μｍの酸化チタン粉末および平均粒子径０.１〜２０μｍの球状シリカ粉末を含有し、前記酸化チタン粉末の含有量が本組成物中の５０〜９０質量％であり、前記球状シリカ粉末の含有量が本組成物中の５〜４０質量％である熱硬化性シリコーン組成物であって、前記酸化チタン粉末および前記球状シリカ粉末が、一般式：
    Ｒ１ ａＳi(ＯＲ２)(４−ａ)
    （式中、Ｒ１は炭素数６〜２０の非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ａは１〜３の整数である。）
    で表されるオルガノシランおよび／または一般式：
    Figure 0006590445
     （式中、Ｒ３は非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ４は同種または異種の脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基、Ｒ５は酸素原子または二価炭化水素基、Ｒ６はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ｂは１〜３の整数、ｐは１以上の整数である。）
    で表されるオルガノシロキサンにより表面処理されていることを特徴とする硬化性シリコーン組成物。
  2. 硬化性シリコーン組成物が、
    （Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
    （Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分中のアルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜１０モルとなる量｝、
    （Ｃ）平均粒子径０.０５〜１０μｍの酸化チタン粉末（本組成物中、５０〜９０質量％となる量）、
    （Ｄ）平均粒子径０.１〜２０μｍの球状シリカ粉末（本組成物中、５〜４０質量％となる量）、
    （Ｅ）（Ｅ−１）一般式：
    Ｒ１ (４−ａ)Ｓi(ＯＲ２)ａ
    （式中、Ｒ１は炭素数６〜２０の非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ａは１〜３の整数である。）
    で表されるオルガノシラン（本組成物１００質量部に対して０.１〜１０質量部）および／または（Ｅ−２）一般式：
    Figure 0006590445
     （式中、Ｒ３は非置換またはハロゲン置換の一価炭化水素基、Ｒ４は同種または異種の脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基、Ｒ５は酸素原子または二価炭化水素基、Ｒ６はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ｂは１〜３の整数、ｐは１以上の整数である。）
    で表されるオルガノシロキサン（本組成物１００質量部に対して０.１〜１０質量部）、および
    （Ｆ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物のヒドロシリル化反応を促進する量）
    から少なくともなるヒドロリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項１に記載の硬化性シリコーン組成物。
  3. （Ａ）成分が、（Ａ−１）一般式：
    −(Ｒ７Ｒ８ＳiＯ２/２)ｍ−
    （式中、Ｒ７は炭素原子数１〜６のアルキル基またはフェニル基、Ｒ８は炭素原子数２〜１０のアルケニル基、ｍは５〜５０の整数である。）
    で表される直鎖状ポリシロキサンブロックを少なくとも有するオルガノポリシロキサン｛ただし、上記直鎖状ポリシロキサンブロックの含有量が本組成物中のオルガノポリシロキサンの合計の２０〜６０質量％｝であり、（Ｂ）成分が、（Ｂ−１）一般式：
    −(Ｒ９ＨＳiＯ２/２)ｎ−
    （式中、Ｒ９は炭素原子数１〜６のアルキル基またはフェニル基、ｎは１０〜１００の整数である。）
    で表される直鎖状ポリシロキサンブロックを少なくとも有するオルガノポリシロキサンである、請求項２に記載の硬化性シリコーン組成物。
  4. さらに、（Ａ）成分として（Ａ−２）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン｛ただし、（Ａ−１）成分を除く｝を、（Ａ−１）成分中のアルケニル基と本成分中のアルケニル基の合計に対して、本成分中のアルケニル基が多くとも１０モル％となる量を含有する、請求項３に記載の硬化性シリコーン組成物。
  5. 下記式により求められるチキソ指数の値が５.０以上である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物。
    Figure 0006590445
  6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物を硬化してなる硬化物。
  7. ２５〜２００℃における平均線膨張率が１００ｐｐｍ／℃以下である、請求項６に記載の硬化物。
  8. １００μｍのフィルム状硬化物における全光線反射率が９０％以上である、請求項６に記載の硬化物。
  9. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物を成型工程により、支持体上に膜状又は板状の硬化物を形成する方法。
  10. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物を塗布工程により、支持体上に膜状又は板状の硬化物を形成する方法。
  11. 請求項６乃至８のいずれか１項に記載の硬化物からなる光反射材を有する光半導体装置。
JP2016547680A 2014-09-10 2015-08-28 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 Active JP6590445B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014183912 2014-09-10
JP2014183912 2014-09-10
PCT/JP2015/004355 WO2016038836A1 (ja) 2014-09-10 2015-08-28 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016038836A1 JPWO2016038836A1 (ja) 2017-06-22
JP6590445B2 true JP6590445B2 (ja) 2019-10-16

Family

ID=55458610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016547680A Active JP6590445B2 (ja) 2014-09-10 2015-08-28 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6590445B2 (ja)
KR (1) KR20170052649A (ja)
CN (1) CN106661329B (ja)
TW (1) TWI690553B (ja)
WO (1) WO2016038836A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230041620A (ko) 2021-09-17 2023-03-24 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 열전도성 실리콘 조성물
DE102022125716A1 (de) 2021-10-21 2023-04-27 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Wärmeleitende silikonzusammensetzung

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018030286A1 (ja) 2016-08-08 2018-02-15 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる光反射材、およびその製造方法
EP3498779A4 (en) 2016-08-08 2020-01-15 Dow Toray Co., Ltd. HARDENABLE PARTICULAR SILICONE COMPOSITION, SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH HARDENABLE PARTICLE SHAPED SILICONE COMPOSITION AND MOLDING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH HARDENABLE PARTICLE SHAPED SILICONE COMPOSITION
CN110088206B (zh) * 2016-09-01 2021-08-20 陶氏东丽株式会社 固化性有机聚硅氧烷组合物以及电气电子零部件的保护剂或粘合剂组合物
WO2018235491A1 (ja) * 2017-06-19 2018-12-27 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法
JP6782366B2 (ja) 2017-09-11 2020-11-11 富士フイルム株式会社 音響波プローブ用組成物、音響波プローブ用シリコーン樹脂、音響波プローブ、超音波プローブ、音響波測定装置、超音波診断装置、光音響波測定装置および超音波内視鏡
WO2019181713A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 信越化学工業株式会社 シリコーン組成物
JP7419251B2 (ja) 2018-10-30 2024-01-22 ダウ・東レ株式会社 硬化反応性シリコーン組成物及びその硬化物並びにそれらの用途
WO2020138410A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
JP7644605B2 (ja) * 2018-12-27 2025-03-12 ダウ・東レ株式会社 トランスファー成型用硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
US12173157B2 (en) 2018-12-27 2024-12-24 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and method for producing same
JP7456938B2 (ja) 2018-12-27 2024-03-27 ダウ・東レ株式会社 ホットメルト性を有する硬化性シリコーンシートの製造方法
JP7103974B2 (ja) * 2019-02-25 2022-07-20 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、光反射材用シリコーン硬化物、光反射材及び光半導体装置
EP3950844B1 (en) 2019-03-29 2026-03-11 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product of same, and method for producing same
KR102952088B1 (ko) 2019-03-29 2026-04-15 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 그의 경화물 및 그의 제조 방법
JP7560442B2 (ja) 2019-03-29 2024-10-02 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
CN114008140B (zh) 2019-05-31 2023-11-07 陶氏东丽株式会社 固化性聚有机硅氧烷组合物以及由该固化性聚有机硅氧烷组合物的固化物形成的光学构件
CN113993956B (zh) 2019-05-31 2023-11-07 陶氏东丽株式会社 固化性聚有机硅氧烷组合物以及由该固化性聚有机硅氧烷组合物的固化物形成的光学构件
EP3986968B1 (en) 2019-06-21 2025-09-03 Dow Silicones Corporation Thermal conductive silicone composition
JP7675026B2 (ja) 2019-06-21 2025-05-12 ダウ シリコーンズ コーポレーション チキソトロピック性の硬化性シリコーン組成物の製造方法
EP4083140A4 (en) 2019-12-27 2024-01-10 Dow Toray Co., Ltd. CURTAINABLE HOT-MEL SILICONE COMPOSITION, HARDENED MATERIAL THEREOF AND LAMINATE HAVING CURED HOT-MEL SILICONE COMPOSITION OR HARDENED MATERIAL THEREOF
JP7529424B2 (ja) * 2020-03-31 2024-08-06 住友化学株式会社 粒子、粉体組成物、固体組成物、液体組成物及び成形体
CN115885381A (zh) * 2020-08-21 2023-03-31 陶氏东丽株式会社 固化性聚有机硅氧烷组合物、导热性构件以及散热结构体
TW202334318A (zh) * 2022-02-24 2023-09-01 美商陶氏有機矽公司 可固化聚矽氧組成物
JP2025507537A (ja) * 2022-02-24 2025-03-21 ダウ シリコーンズ コーポレーション 硬化性シリコーン組成物及びその硬化物
JP2025101779A (ja) * 2023-12-26 2025-07-08 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、該組成物の製造方法、光反射材用シリコーン硬化物、光反射材及び光半導体装置
WO2025248861A1 (ja) * 2024-05-29 2025-12-04 Jnc株式会社 オルガノポリシロキサンとその製造方法、ならびに、オルガノポリシロキサンを含む組成物
WO2026010801A1 (en) * 2024-07-02 2026-01-08 Dow Silicones Corporation Curable silicone composition, cured product and composite
CN119307225A (zh) * 2024-12-10 2025-01-14 株洲沃顿科技有限公司 一种用于cob表面处理的覆膜及其制备工艺

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4788897B2 (ja) * 2006-03-02 2011-10-05 信越化学工業株式会社 室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物
EP2448026A4 (en) * 2009-06-26 2013-08-14 Asahi Rubber Inc MATERIAL FOR REFLEXING WHITE COLOR AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
WO2011118109A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
WO2011125753A1 (ja) * 2010-04-02 2011-10-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
JP5749543B2 (ja) * 2010-06-18 2015-07-15 株式会社カネカ 熱硬化性樹脂組成物タブレットおよびそれを用いた半導体のパッケージ
JP5912600B2 (ja) * 2011-09-16 2016-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
US9068049B2 (en) * 2011-09-29 2015-06-30 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition and cured product thereof
JP2013159670A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013159671A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6046395B2 (ja) * 2012-06-29 2016-12-14 東レ・ダウコーニング株式会社 反応性シリコーン組成物、反応性熱可塑体、硬化物、および光半導体装置
JP5685284B2 (ja) * 2013-04-17 2015-03-18 株式会社カネカ 発光ダイオード用パッケージおよび発光ダイオード

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230041620A (ko) 2021-09-17 2023-03-24 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 열전도성 실리콘 조성물
US12338348B2 (en) 2021-09-17 2025-06-24 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Thermal conductive silicone composition
DE102022125716A1 (de) 2021-10-21 2023-04-27 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Wärmeleitende silikonzusammensetzung
KR20230057268A (ko) 2021-10-21 2023-04-28 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 열전도성 실리콘 조성물
US12509585B2 (en) 2021-10-21 2025-12-30 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Thermal conductive silicone composition

Also Published As

Publication number Publication date
TW201615714A (zh) 2016-05-01
TWI690553B (zh) 2020-04-11
CN106661329B (zh) 2020-06-23
KR20170052649A (ko) 2017-05-12
WO2016038836A1 (ja) 2016-03-17
CN106661329A (zh) 2017-05-10
JPWO2016038836A1 (ja) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6590445B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6652917B2 (ja) ホットメルト性シリコーンおよび硬化性ホットメルト組成物
CN111295422B (zh) 有机聚硅氧烷组成物
US9068049B2 (en) Curable silicone composition and cured product thereof
JP5534977B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
JP6532986B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物
EP2721108B1 (en) Cross-linkable silicone composition and cross-linked product thereof
JP5922463B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TWI765925B (zh) 填充有反應性熱熔聚矽氧之容器及反應性熱熔聚矽氧之製造方法
KR20110053470A (ko) 경화성 오가노폴리실록산 조성물, 광반도체 소자 봉지제 및 광반도체 장치
WO2018030288A1 (ja) 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法
CN106103594A (zh) 有机硅凝胶组合物
JP2009242627A (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物
KR20120105528A (ko) 실리콘 엘라스토머 조성물
JP2012082300A (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
CN110382625B (zh) 可固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体器件
EP3076443A1 (en) Silicone material, curable silicone composition, and optical device
CN115315487A (zh) 固化性液态有机硅组合物、其固化物、包含该组合物的光学填充剂、以及包含由该固化物形成的层的显示装置
CN113025055A (zh) 固化性白色有机硅组合物、光半导体装置用反射材料以及光半导体装置
KR102763788B1 (ko) 부가 경화형 실리콘 조성물 및 반도체 장치
KR20250076589A (ko) 전극층 형성성 경화성 오가노폴리실록산 조성물, 전극층을 구비한 적층체, 그의 용도 및 그의 제조 방법
CN114106770A (zh) 固化性有机硅组合物、密封材料以及光半导体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180820

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20190329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190911

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190913

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6590445

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250