JP6711657B2 - タッチパネル - Google Patents

Description

本発明の一態様は、表示装置、タッチパネル、入力装置等の半導体装置に関する。なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、表示装置、タッチパネル、入出力装置、撮像装置、発光装置、および電子機器は、半導体装置の一態様である。半導体回路や、表示装置、タッチパネル及び電子機器等の装置は、半導体装置を有している場合がある。

情報端末の大画面化、軽量化、および利便性のため、キーボードに代わる入力手段として、タッチセンサが搭載されている。このような情報端末としては、スマートフォン、ナビゲーションシステム、タブレット型情報端末、電子書籍端末などある。これらの情報端末では、表示部に重ねてタッチセンサを設けることから、情報端末が厚くなるという課題がある。

このような課題を解決するため、例えば、特許文献１では、画像表示のための駆動回路が作製されている基板と、座標検出素子が作製されている基板を対向することで、薄型化された表示装置が提供できるとされている。

特開２００３−１９６０２３

本発明の一形態の課題は、軽量なタッチパネルを提供すること、または薄いタッチパネルを提供すること、または、新規な半導体装置を提供することである。

本発明の一形態は、第１基板、第２基板、液晶層、画素電極、コモン電極、及びタッチセンサを有するタッチパネルであって、第１基板と第２基板は互いに対向し、液晶層は第１基板と第２基板との間に設けられ、画素電極およびコモン電極は第１基板に設けられ、画素電極およびコモン電極と間の電界によって、液晶層の配向を制御することが可能とされ、タッチセンサは第２基板に設けられ、タッチセンサは、第１電極、２つの第２電極、第３電極、および第４電極を有し、第１電極と２つの第２電極とは第１導電膜から形成され、第３電極と第４電極とは第２導電膜から形成され、第１電極と２つの第２電極とは、複数の開口を有するメッシュ状の電極であり、第１電極は第１方向に延伸し、２つの第２電極は、第１電極を挟んで第２方向に沿って設けられ、２つの第２電極は第３電極によって電気的に接続され、第３電極は、第１電極と重なる領域を有し、第４電極は、液晶層を挟んで、画素電極およびコモン電極と対向するように設けられているタッチパネルである。

または、上記の形態において、第２導電膜は金属酸化物膜を有することができる。

または、上記の形態において、第２基板には、遮光層およびカラーフィルタが設けられてもよい。この場合、第１電極および２つの第２電極は、それぞれ、第１導電膜でなる部位が遮光層と重なり、かつ複数の開口がカラーフィルタと重なることができる。

本発明の一形態によって、軽量なタッチパネルを提供すること、または薄いタッチパネルを提供すること、新規な半導体装置を提供することが可能である。

タッチパネルモジュールの構成例を示す図。 タッチセンサの構成例を示す図。 タッチセンサの構成例を示す図。 タッチセンサ、カラーフィルタおよびブラックマトリクスのレイアウト例を説明する図。 タッチパネルモジュールの構成例を示す断面図。 タッチパネルモジュールの構成例を示す断面図。 タッチパネルモジュールの構成例を示す断面図。 タッチパネルモジュールの構成例を示す断面図。 タッチパネルモジュールの構成例を示す断面図。 タッチパネルモジュールの構成例を示す断面図。 トランジスタの構成例を示す上面図、及び断面図。 トランジスタの構成例を示す上面図、及び断面図。 トランジスタの構成例を示す上面図、及び断面図。 トランジスタの構成例を示す上面図、及び断面図。 トランジスタの構成例を示す上面図、及び断面図。 トランジスタの構成例を示す断面図。 タッチパネルモジュールを備えた表示モジュールの構成例を示す図。 電子機器の構成例を説明する図。

以下に、本発明の実施の形態を説明する。ただし、本発明の一形態は、以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明の一形態は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

以下に示される複数の実施の形態は適宜組み合わせることが可能である。また１の実施の形態の中に、複数の構成例（作製方法例、動作方法例等も含む。）が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせること、および他の実施の形態に記載された１または複数の構成例と適宜組み合わせることも可能である。

図面において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付す場合があり、その場合は、数的に限定するものではない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、互いに入れ替えることが可能である場合がある。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することや、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

〔実施の形態１〕
本実施の形態では、入力装置（タッチセンサ）の構成例、及び本発明の一態様の入力装置と表示装置（表示パネル）を備える入出力装置（タッチパネル）の構成例について説明する。

本明細書等において、タッチパネルは、表示面に画像等を表示（出力）する表示機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、または近接することを検知するタッチセンサの機能とを有する。したがって、タッチパネルは入出力装置の一態様である。

本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が実装されたものを、タッチパネルモジュール、または単にタッチパネルと呼ぶ場合がある。

以下では、本発明の一態様のタッチセンサとして、静電容量方式のタッチセンサを適用した場合について説明する。静電容量方式には、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。投影型静電容量方式には、主に駆動方式の違いから、自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。

静電容量方式のタッチセンサは、誘電体を挟む一対の導電層を備える。これらにより、容量が形成される。一対の導電層に被検知体が触れる、または近接することにより、一対の導電層間の容量の大きさが変化することを利用して、検知を行うことができる。一対の導電層は、それぞれ開口を有することが好ましい。複数の開口を有するメッシュ状の形状を有することがより好ましい。当該開口と、表示素子とが互いに重なるように配置する構成とすることが好ましい。こうすることで、表示素子からの光が当該開口を介して外部に射出されるため、一対の導電層は透光性を有する必要がなくなる。よって、一対の導電層の材料に、透光性導電性材料よりも低抵抗な金属や合金などの材料を選択することが可能となる。したがって、検出信号の遅延が低減され、タッチパネルの検出感度を高めることができる。また、タッチセンサの大型化が容易となるため、携帯型電子機器だけでなくテレビジョン等の大画面を持つ電子機器にも、タッチセンサを好適に適用することができる。

タッチセンサの一対の導電層がメッシュ状の形状を有する場合、一対の導電層は表示素子からの光の光路を避けて配置されることとなるので、原理的にモアレが生じないという効果を奏する。そのため、極めて表示品位の高いタッチパネルを実現することができる。ここでモアレとは、２以上の周期性を有するパターンを重ねたときに生じる干渉縞のことをいう。

タッチパネルの表示装置は、アクティブマトリクス型表示装置で構成することが好ましい。表示装置の表示素子としては、液晶素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）を利用した光学素子、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子、電気泳動素子など、様々な表示素子を用いることができる。

タッチパネルの表示装置には、液晶素子を用いた反射型の液晶表示装置を適用することが好ましい。反射型の液晶表示装置を用いることで、透過型の液晶表示装置に比べて消費電力を著しく低減させることが可能となる。

さらに、タッチセンサを構成する一対の導電層を、タッチパネルが有する一対の基板の内側に配置することが好ましい。この時特に、タッチセンサを構成する導電層として複数の開口を有する形状とすることが好ましい。このような導電層はその表面積を低減することができる。そのため例えば開口を有さない透光性を有する導電膜を用いた場合に比べて、表示素子を駆動させる際の電気的なノイズがタッチセンサを構成する導電層へ伝わりにくい構成とすることができる。すなわち、一対の基板の間に表示素子とタッチセンサを構成する導電層の両方を挟持しても、高い検知感度を実現することができる。その結果、薄さと、高い検知感度が両立されたタッチパネルを実現することができる。

タッチセンサを構成する一対の導電層が設けられる基板に、定電位を供給可能な導電層を設けてもよい。このような導電層は、シールド層として機能させることができる。具体的には、当該導電層により、表示素子を駆動する回路からのノイズがタッチセンサに伝わることを防ぐことができる。当該導電層により、タッチセンサを駆動した時のノイズが、表示素子や表示素子を駆動する回路などに伝わることを防ぐこともできる。そのため、例えば表示素子を駆動するタイミングと、タッチセンサを駆動するタイミングとをずらすことによりノイズの影響を抑制するなどといった対策を講じることなく、表示パネルとタッチセンサとを両方とも駆動させることや、これらを独立して駆動することなどが可能となる。したがって、例えば表示素子の駆動周波数（フレームレートともいう）を高めることで滑らかな動画表示を行うことができる。また例えばタッチセンサの駆動周波数を高くすることで、検出精度を上げることが可能となる。表示素子の駆動周波数と、タッチセンサの駆動周波数とをそれぞれ個別に自由に設定することができる。例えば、状況によりいずれか一方、または両方の駆動周波数を低く設定する期間を設けることで、消費電力の低減を図ることも可能となる。

［タッチパネルモジュールの構成例］
図１（Ａ）は、本発明の一態様のタッチパネルモジュール１０の斜視概略図である。図１（Ｂ）は、タッチパネルモジュール１０の分解斜視概略図である。タッチパネルモジュール１０は、基板３１と基板２１とが貼り合わされた構成を有する。タッチセンサ２２は、基板２１側に設けられている。基板３１には、表示パネルを構成する回路が設けられている。

基板２１には、配線２９、ＦＰＣ４１が設けられている。基板２１の基板３１と対向する側の面に、タッチセンサ２２が設けられている。タッチセンサ２２は、電極２３―２５等を有する。配線２９はこれら電極とＦＰＣ４１とを電気的に接続する。ＦＰＣ４１によって、タッチセンサ２２に外部信号や電力が供給され、タッチセンサ２２で生成された信号が外部に出力される。なお、ＦＰＣ４１を備えない形態も、タッチパネルモジュール、またはタッチパネルと呼ぶ場合がある。

タッチセンサ２２が形成された基板２１は、単体でタッチセンサ基板、またはタッチパネルモジュールとして機能することができる。そのため、例えば、このような基板を、表示パネルの表示面側に貼り付けることで、タッチパネルを形成することもできる。

タッチセンサ２２は、複数の電極２３、複数の電極２４、及び複数の電極２５を有する。電極２３は、一方向に延伸した形状を有する。複数の電極２３は延伸方向と交差する方向に沿って配置されている。ここでは、複数の電極２３の延伸方向を「Ｙ方向」と呼び、Ｙ方向と交差する方向（複数の電極２３の配置方向）を「Ｘ方向」と呼ぶこととする。複数の電極２４は、隣接する２つの電極２３の間に位置するように設けられている。電極２５は、Ｘ方向で隣接する２つの電極２４を電気的に接続する。したがって、電極２５によって電気的に接続されている複数の電極２４はＸ方向に延伸された１の導電層を構成する。電極２３と電極２５とは互いに重なる領域を有する。電極２３と電極２５との間には絶縁層が設けられている。

隣接する電極２３と電極２４との間には容量が形成されている。例えば、投影型静電容量方式の方法を用いる場合には、電極２３と電極２４のうち一方を送信側の電極として、他方を受信側の電極として用いることができる。

なお、電極２３、電極２４、電極２５に用いることができる材料は、抵抗率が低いものが望ましい。例えば、銀、銅、アルミニウムなどの金属を用いることができる。非常に細い（例えば、直径が数ナノメール）多数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いてもよい。一例としては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤなどを用いてもよい。Ａｇナノワイヤの場合、例えば光透過率は８９％以上、シート抵抗値は４０Ω／□以上１００Ω／□以下を実現することができる。タッチパネルモジュール１０を構成する配線や電極をこれらの材料で形成することができる。なお、このような金属ナノワイヤは透過率が高いため、表示素子に用いる電極、例えば、画素電極や共通電極に、当該金属ナノワイヤを用いてもよい。

基板３１上には、表示部３２、回路３４、および配線３５が設けられている。配線３５はＦＰＣ４２と電気的に接続されている。ＦＰＣ４２、および配線３５を介して、表示部３２および回路３４に外部から信号および電力が供給される。表示部３２には、複数の画素３３がマトリックス状に配置されている。

表示部３２でカラー表示を行う場合、画素３３は、異なる色を表示する複数の副画素を含む。例えば、画素３３は、異なる色を表示する３の副画素（３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂ）から構成することができる。副画素３３Ｒ、副画素３３Ｇ、副画素３３Ｂの表示色は、それぞれ、赤、緑、青である。

回路３４は、表示部３２と同一工程で基板３１に作製される。回路３４としては、例えばゲート駆動回路を基板３１に設ければよい。また、ソース駆動回路も基板３１に設けてもよい。表示部３２を駆動するための一部の回路をＩＣチップに組み込み、このＩＣチップをＣＯＧ方式により基板３１に実装してもよいし、ＩＣチップが実装されたＦＰＣ、ＴＡＢ、またはＴＣＰ等を基板３１に取り付けることもできる。

基板２１、３１には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いたタッチパネルも軽量にすることができる。

薄い基板を用いることで、タッチパネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有するタッチパネルを実現できる。

また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用いた金属基板、セラミック基板、または半導体基板等を用いることもできる。金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、封止基板全体に熱を容易に伝導できるため、タッチパネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又はアルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。

また、導電性の基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。

可撓性を有する基板としては、上記材料を用いた層が、タッチパネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。

基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高いタッチパネルとすることができる。

例えば、ガラス層、接着層、及び有機樹脂層の順に積層した基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さは、２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂層を設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルなタッチパネルモジュール１０とすることができる。

タッチパネルモジュール１０の導電層に用いる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。

タッチパネルモジュール１０に用いられる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン結合を有する樹脂などの樹脂材料、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。

表示パネルを液晶パネルとする場合、様々なモードの液晶パネルを適用することができる。液晶パネルには、例えばＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。

また、タッチパネルモジュール１０にノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置を適用してもよい。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることができる。

液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。

また、横電界モードを採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。

図２（Ａ）、図２（Ｂ）はタッチセンサの構成例を説明するための平面図である。図２（Ａ）には、電極２３と電極２４のレイアウト例を示す。図２（Ｂ）は、電極２３と電極２５との交差部分を模式的に示した図である。

電極２３と電極２４は、基板２１の同じ絶縁表面上に設けられている。電極２３、電極２４は同一の工程で形成される。絶縁表面上に導電膜１６１を形成し、導電膜１６１を加工することで、これらが形成される。

電極２３は、タッチセンサ２２のＹ方向電極として機能する。電極２３は、複数の電極２３ＡがＹ方向に並んだ構造を有する。電極２３Ａは、四角形状であり、格子状に配置された複数の配線２３ａでなる。電極２４は電極２３Ａと同様の構造であり、格子状に配置された複数の配線２４ａで構成されている。タッチセンサ２２のＸ方向電極は、複数の電極２５によって接続された複数の電極２４ａで構成されることとなる。

電極２３および電極２４は四角形のメッシュ電極（網目状電極）と呼ぶことができる。電極２３、電極２４をこのような構造とすることで、タッチセンサ２２を介して、表示部３２で表示される画像を見ることが可能である。よって、電極２３、電極２４は光の透過性を持たなくてもよいため、導電膜１６１には、金属、合金、金属化合物などの抵抗率が低い導電体膜を適用することができる。

配線２３ａ、配線２４ａの幅は５０ｎｍ以上１００μｍ以下とすることができる。これらの幅は、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。このように、配線２３ａ、配線２４ａの幅を小さくすることで、表示部３２の画素３３の間隔を狭めることが可能となるため、表示部３２の開口率が向上される。よって、高精細な表示部３２を実現できる。電極２３の開口率（単位面積当たりの電極２３の開口面積の割合）は２０％以上１００％未満とすることができる。開口率は、３０％以上１００％未満が好ましく、５０％以上１００％未満がより好ましい。電極２４も同様である。

電極２３、２４を覆って絶縁層２７が設けられている。絶縁層２７上に、電極２５、および電極２６が形成される。電極２５と電極２６とは同一の工程で形成される。絶縁層２７上の導電膜１６２を形成し、導電膜１６２を部分的に除去し、複数の開口１６２ａを設けることで、１の電極２６に対して、複数の電極２５が形成される。

電極２５と電極２６は画素３３の表示領域と重なるため、導電膜１６２は透光性を有する膜とする。よって、導電膜１６２は、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性金属酸化物で形成することができる。また、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ酸化物等の酸化物半導体と呼ばれている金属酸化物を低抵抗化することで、導電膜１６２に用いることができる。

導電膜１６２に用いることができる金属酸化物は、酸素欠損及び／又は膜中の水素、水等の不純物濃度によって、抵抗率を制御することができる材料である。このような金属酸化物には、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）がある。金属酸化物の酸素欠損及び／又は不純物濃度が増加する処理を行うことで、金属酸化物の抵抗率を低くすることができる。例えば、導電膜１６２を金属酸化物から形成する場合、導電膜１６２の水素濃度は、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは５×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。

イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リン、または窒素を金属酸化物に注入することで、金属酸化物の低抵抗化が可能である。

また、水素を放出することが可能な絶縁膜（代表的には窒化シリコン膜）を金属酸化物膜に接して形成し、加熱処理によって、低抵抗な金属酸化物膜を形成することができる。これは、絶縁膜から金属酸化物膜に水素を供給することができるからである。水素を放出することが可能な絶縁膜は、膜中の含有水素濃度が１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であると好ましい。このような絶縁膜を金属酸化物膜に接して形成することで、金属酸化物膜に効果的に水素を含有させることができる。

金属酸化物膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。したがって、水素が含まれている絶縁膜と接して設けられた金属酸化物膜は、水素が含まれている絶縁膜と接していない金属酸化物膜よりもキャリア密度を高くすることができる。

また、プラズマ処理によって金属酸化物膜を低抵抗化することができる。例えば、プラズマ処理としては、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いたプラズマ処理が挙げられる。より具体的には、Ａｒ雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、アンモニア雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、または窒素雰囲気下でのプラズマ処理などが挙げられる。

上記プラズマ処理によって、金属酸化物膜は、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損は、キャリアを発生する要因になる場合がある。また、金属酸化物膜の近傍、より具体的には、金属酸化物膜の下側または上側に接する絶縁膜から水素が供給されると、上記酸素欠損と水素が結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。

絶縁層２７には、電極２４と電極２５とを接続するための開口２７ａが設けられている。一対の開口２７ａにおいて、電極２５は隣接する２つの電極２４を電気的に接続する。電極２６は、表示パネルの対向基板側のコモン電極として機能させることができる。

図２（Ｂ）の例では、各電極２４において、１の配線２４ａに隣接する１の電極２４との接続部を設けているが、複数の配線２４ａに、隣接する電極２４との接続部を設けてもよい。図３に３の配線２４ａに接続部を設けた例を示す。図３の例では、２の中継配線２４ｂおよび３の電極２５によって、２の電極２４間が接続されている。中継配線２４ｂは、電極２３、２４と同じ工程で作製される。

基板２１には、カラーフィルタおよびブラックマトリクスが設けられている。ブラックマトリクスは遮光層の一種であり、副画素の混色を防ぐために設けられる。図４を参照して、電極２４、カラーフィルタ、およびブラックマトリクス（ＢＭ）のレイアウトについて説明する。なお、電極２３のレイアウトも電極２４と同様である。図４（Ａ）は、電極２４とブラックマトリクスとのレイアウト例を示す模式図であり、図４（Ｂ）は、ブラックマトリクスとカラーフィルタのレイアウト例を示す模式図である。図４（Ａ）、図４（Ｂ）には、４の配線２４ａによって形成される格子部分を示している。

ＢＭ１６０の形状も、電極２４と同様に格子状である。４の配線２４ａで囲まれる領域内に、２行２列に画素３３が設けられる。画素３３は３の副画素で構成されている。画素３３の開口率を低下させないようにするため電極２４の各配線２４ａはＢＭ１６０と重なるように設けられている。ＢＭ１６０の開口部に、層ＣＲ、層ＣＧ、層ＣＢが設けられている。ＣＲ層、ＣＧ層、ＣＢ層はカラーフィルタを構成する着色層である。ＣＲ層、ＣＧ層、ＣＢ層は、赤色、緑色、青色の着色層である。

なお、電極２４、ＢＭ１６０、カラーフィルタの積層順序は適宜設定することができる。例えば、基板２１側から、ＢＭ１６０、カラーフィルタ、電極２４の順に積層することができる。あるいは、ＢＭ１６０、電極２４、カラーフィルタの順に積層することができる。

ここでは、画素３３が有する３つの副画素の面積（ＢＭ１６０の開口部の面積）は、同じにしているが、副画素の面積を異ならせてもよい。例えば青色は視感度が比較的低いため、層ＣＢの面積を最も広くしてもよい。あるいは、赤や緑は視感度が比較的高いため、層ＣＲまたは層ＣＧの面積を小さくすることもできる。

また、画素３３を構成する副画素の数は３に限定されない。例えば、４の副画素とすることができる。この場合、ＲＧＢを表示する３つの副画素に、白または黄を表示する副画素を追加することができる。

以下に、図５―図１０を参照して、タッチパネルモジュール１０の幾つかのデバイス構造について説明する。ここでは、タッチパネルモジュール１０の表示パネルが、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶パネルである例を示している。

＜構成例１＞
図５は、タッチパネルモジュール１０の断面構造の概略図である。ここでは、図５に示すタッチパネルモジュール１０を「タッチパネルモジュール１０―１」と呼ぶこととする。

図５には、ＦＰＣ４２を含む領域、回路３４を含む領域、表示部３２およびタッチセンサ２２を含む領域、ＦＰＣ４１を含む領域などの断面構造を示している。また、図５には、タッチセンサ２２の部位２２Ａ、２２Ｂの断面構造を示している。部位２２Ａは、２の電極２４が電極２５で接続されている部位であり、部位２２Ｂは、電極２４の開口部である。

画素３３は、３の副画素（３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂ）から構成されているとする。図５には、副画素３３Ｒの断面構造を示している。副画素３３Ｒは、トランジスタＱ１、容量素子Ｃ１、液晶素子ＬＣ１、および層ＣＲを有する。副画素３３Ｇ、３３Ｂも同様である。

基板２１と、基板３１とは、接着層１４１によって貼り合わされている。基板２１、基板３１、及び接着層１４１に囲まれた領域に、液晶層１５０が封止されている。なお、基板２１、基板３１に液晶層１５０の配向を制御するための配向膜が設けられていてもよい。

ここでは、回路３４が液晶層１５０と重なる領域を有しているが、回路３４が液晶層１５０と重ならないように接着層１４１を設けることもできる。接着層１４１としては、熱硬化樹脂や光硬化樹脂、２液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹脂を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。

基板３１上には、絶縁層２１０−２１５等の絶縁層、導電層１５１、１５２、２２０―２２２等の導電層、半導体層１５５が設けられている。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の導電層に同じ符号を付して説明する場合がある。また、各導電層を構成する導電膜は単層、または２層であってもよい。これは、絶縁層や半導体層についても同様である。

絶縁層２１０上にトランジスタＱ１−Ｑ３等のトランジスタが設けられている。トランジスタＱ１は液晶素子ＬＣ１を駆動するためのスイッチングトランジスタである。トランジスタＱ１はｎチャネル型トランジスタである。トランジスタＱ２、Ｑ３は回路３４を構成するトランジスタである。トランジスタＱ２はｎチャネル型トランジスタであり、トランジスタＱ３はｐチャネル型である。ここでは、トランジスタＱ２とトランジスタＱ３は直列に電気的に接続され、インバータを構成している。

導電層２２０―２２２は、液晶パネルを構成する回路の電極や配線等を構成する。例えば、トランジスタＱ１−Ｑ３のゲート電極は、導電層２２０と導電層２２１との積層で構成される。これらのソース電極およびドレイン電極は導電層２２２で構成される。

トランジスタＱ１―Ｑ３の半導体層１５５は、半導体膜から形成される。この半導体膜の結晶性は、非晶質、微結晶、多結晶または単結晶である。また、半導体層１５５の半導体材料は、特に制約はなく、例えば、第１４族の元素でなる半導体材料（シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、Ｓｉ−Ｇｅ）、化合物半導体、金属酸化物（酸化物半導体）等が挙げられる。

例えば、非晶質シリコンを成膜し、これを結晶化した多結晶シリコン膜から半導体層１５５を形成することができる。非晶質シリコン膜の結晶化方法には、波長４００ｎｍ以下のレーザを照射するレーザ結晶化法、赤外光によるランプアニール結晶化法、４００℃乃至６００℃の熱処理による固相成長法、９５０℃程度の高温アニール結晶化などがある。固相成長法では、非晶質シリコン膜に、ニッケル等の触媒元素を添加した後、加熱処理を行う方法がある。また、複数の結晶化方法を用いて、非晶質シリコン膜を結晶化してもよい。例えば、ニッケル等の触媒元素を添加して、熱処理によって固相成長させて多結晶シリコン膜を得る。しかる後、多結晶シリコン膜中の欠陥を低減するため、レーザ光をこの多結晶シリコン膜に照射する。

また、単結晶（または多結晶）シリコンウェハに水素イオン等を注入して表層部を剥離して得られた単結晶（または多結晶）シリコン膜から、半導体層１５５を形成することもできる。

トランジスタＱ２の半導体層１５５には、１のチャネル形成領域１８０、２の低濃度不純物領域１８１、および２の高濃度不純物領域１８２が形成されている。低濃度不純物領域１８１、および高濃度不純物領域１８２はｎ型の領域であり、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）等が添加されている。低濃度不純物領域１８１はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域とも呼ばれる。高濃度不純物領域１８２は、ソース領域、またはドレイン領域の機能を持つ。

トランジスタＱ３の半導体層１５５はＬＤＤ領域を持たない。半導体層１５５には、１のチャネル形成領域１９０、２の高濃度不純物領域１９２が形成されている。高濃度不純物領域１９２はｐ型の領域であり、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等が添加されている。高濃度不純物領域１９２はソース領域またはドレイン領域として機能する。

トランジスタＱ１は、１の半導体層に複数のチャネル形成領域を備えるマルチチャネル構造のトランジスタである。ゲート電極に対応して、半導体層１５５には、２のチャネル形成領域１８０、４の低濃度不純物領域１８１、３の高濃度不純物領域１８２が形成されている。マルチチャネル構造とすることで、トランジスタＱ１のオフ状態でのリーク電流を低減することができる。

基板３１の端部には、導電層２２２および導電層１５１により、端子２４３が構成されている。端子２４３は、導電層２４２によって、ＦＰＣ４２と電気的に接続されている。

画素電極ＰＩＸ（以下「電極ＰＩＸ」と呼ぶ。）は、副画素ごとに設けられており、それぞれ、トランジスタＱ１と電気的に接続されている。電極ＰＩＸは、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた平面形状を有する。電極ＰＩＸは導電層１５１で形成されている。導電層１５１は可視光を透過する材料で形成される。

電極ＣＯＭは、表示部３２で１の導電層１５２から形成されている。また、電極ＣＯＭも電極ＰＩＸと副画素ごとに分割してもよい。この場合、列方向（または行方向）に配線を設け、同じ列（または行）の電極ＣＯＭをこの配線と電気的に接続するようにしてもよい。また、電極ＣＯＭも電極ＰＩＸと同様、櫛歯状の部位、または、スリットが設けられた部位を有するようにしてもよい。

電極ＰＩＸ、ＣＯＭ、液晶層１５０により、液晶素子ＬＣ１が構成されている。電極ＰＩＸにおいて、絶縁層２１５を介して電極ＣＯＭと重なっている部位が容量素子Ｃ１を構成する。可視光を反射する材料で導電層１５２を形成することで、反射型の液晶パネルが得られ、可視光を透過する材料で導電層１５２を形成することで、透過型の液晶パネルが得られる。

基板２１には、タッチセンサ２２、カラーフィルタおよびＢＭ１６０、スペーサ１８５等が設けられている。基板２１に、指またはスタイラスなどの検知体が直接触れる基板を取り付けてもよい。なお、タッチセンサ２２が形成された基板２１は、単体でタッチセンサ基板、またはタッチパネルモジュールとして用いることもできる。例えば、このような基板を、表示パネルの表示面側に貼り付けることで、タッチパネルを形成することもできる。本実施の形態では、液晶パネルを構成する対向基板（基板２１）に、タッチセンサ２２を設けているので、薄膜化および軽量化されたタッチパネルモジュール１０―１を提供することが可能である。

図５の例では、カラーフィルタとＢＭ１６０とは同じ層内に設けられている。ここでは、ＢＭ１６０を形成する部分には、カラーフィルタを構成する少なくとも２色の着色層が積層される。ここでは、層ＣＲと層ＣＢとが積層される。カラーフィルタを形成する部位には、副画素の表示色に合わせて層ＣＲ、層ＣＢ、層ＣＧの何れか１層が設けられる。なお、図４Ｂの構成例と同様に、部位２２Ｂでもカラーフィルタが存在せず、ＢＭ１６０が設けられている領域がある。

ここでは、層ＣＲが設けられている。カラーフィルタとＢＭ１６０とをこのような構成とすることで、製造に用いる材料の種類を少なくすることができる。なお、ＢＭ１６０を金属層や、カーボンブラックを含む着色層で形成することも可能である。これらの層は導電性を持つため、タッチセンサ２２の動作に影響を与えてしまう。そのため、本実施の形態のように、導電性を持たない層（例えば、カラーフィルタ用の着色層）でＢＭ１６０を設けることは、タッチセンサ２２の検出感度の向上につながり、好ましい。

層ＣＲ、層ＣＢ、層ＣＧを覆って絶縁層１２１が設けられている。絶縁層１２１上に電極２３、２４が設けられている。電極２３、２４を覆って絶縁層１２２が設けられている。絶縁層１２２は、図２（Ｂ）に示す絶縁層２７に相当する。絶縁層１２２上に、電極２５、２６が設けられている。電極２５、２６を覆って絶縁層１３０、１２３が設けられている。絶縁層１２３上にスペーサ１８５が設けられている。

絶縁層１２１は、層ＣＲ、層ＣＢ、層ＣＧに含まれる顔料などの不純物が液晶層１５０に拡散することを防ぐオーバーコートの機能を有する。絶縁層１２２、１２３は平坦化膜の機能を有する。絶縁層１２１―１２３はアクリル樹脂などの樹脂材料で形成される。ここでは、低抵抗化した金属酸化物膜を加工することとで、電極２５、２６を形成している。絶縁層１３０は金属酸化物膜を低抵抗化するために設けられており、絶縁層１３０は例えば、水素を放出することが可能な窒化シリコン層である。

電極２６には適切な定電位が与えられる。例えば、電極２６と電極ＣＯＭを等電位とすればよい。これにより、液晶層１５０に形成される電界のうち、基板２１の表面に対して垂直方向（縦方向）の成分が低減されるため、液晶層１５０の配向の欠陥が抑制できる。また、反転駆動によって液晶素子ＬＣ１に生じる残留ＤＣ（直流）電圧を低減できるため、フリッカの抑制につながる。よって、タッチパネルモジュール１０―１の表示品位を向上することができる。また、電極２６を、タッチセンサ２２で発生したノイズから表示部３２を遮蔽する遮蔽層として機能させることができる。また、表示部３２で発生したノイズから、タッチセンサ２２を遮蔽する遮蔽層として機能させることができる。また、タッチパネルモジュール１０―１の検出感度を向上させることができる。

基板２１の端部には、配線２９が形成されている。配線２９は、電極２８、導電層２４１によって、ＦＰＣ４１と電気的に接続されている。配線２９は、電極２３、２４と同じ工程で作製される。電極２８は、電極２５、２６と同じ工程で作製される。導電層２４１には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。導電層２４２も同様である。

以下に、タッチパネルモジュール１０の他の構成例を示す。これらの構成例では、ＢＭ１６０とカラーフィルタが異なる層に形成されている。

＜構成例２＞
図６に示すタッチパネルモジュール１０−２では、電極２３、２４を形成した後、カラーフィルタを設けている。絶縁層１２１、電極２３、２４を覆って、絶縁層１３１が設けられている。絶縁層１３１上にカラーフィルタを構成する着色層が設けられる。副画素の表示色に合わせて層ＣＲ、層ＣＢ、層ＣＧの何れか１層が設けられる。カラーフィルタを覆って絶縁層１２２が形成される。絶縁層１２２上に電極２５、２６が設けられている。なお、絶縁層１３１は設けずに、電極２３、２４上にカラーフィルタを設けてもよい。

＜構成例３＞
図７に示すタッチパネルモジュール１０−３では、電極２５、２６の上方にカラーフィルタが設けられている。具体的には、絶縁層１２３上にカラーフィルタを構成する着色層が設けられている。副画素の表示色に合わせて、部位２２Ｂの絶縁層１２２上に層ＣＲ、層ＣＢ、層ＣＧの何れか１層が設けられる。カラーフィルタを覆って絶縁層１２４が形成されている。

＜構成例４＞
図８に示すタッチパネルモジュール１０−４は、タッチパネルモジュール１０−３の変形例であり、絶縁層１３０上にカラーフィルタを構成する着色層が設けられている。副画素の表示色に合わせて、絶縁層１３０上に層ＣＲ、層ＣＢ、層ＣＧの何れか１層が設けられる。カラーフィルタ、電極２５、２６を覆って、絶縁層１２３が設けられている。なお、部位２２Ｂにでもカラーフィルタが存在しない領域がある。

＜構成例５＞
図９に示すタッチパネルモジュール１０−５では、電極２５、２６の形成前にカラーフィルタが形成される。絶縁層１２２上にカラーフィルタが設けられている。副画素の表示色に合わせて、絶縁層１２２上に層ＣＲ、層ＣＢ、層ＣＧの何れか１層が設けられる。部位２２Ａには、絶縁層１２２上に、電極２５が設けられている。部位２２Ｂには、層ＣＲ上に電極２６が設けられている。なお、部位２２Ｂのカラーフィルタが存在しない領域では、電極２６は絶縁層１２２上面と接することとなる。

＜構成例６＞
図１０に示すタッチパネルモジュール１０−６は、タッチパネルモジュール１０−５と同様に、電極２５、２６の形成前にカラーフィルタが形成される。タッチパネルモジュール１０−６では、絶縁層１２３の形成後に、電極２５、２６を形成している点で、タッチパネルモジュール１０−５と異なる。電極２５が設けられる部位の絶縁層１２３は除去される。つまり、電極２５は絶縁層１２３の開口の内の絶縁層１２２上に設けられ、電極２６は絶縁層１２３上に設けられる。

なお、上記の構成例１−６において、電極２５、２６を上掲したインジウム錫酸化物、亜鉛酸化物などの導電性酸化物で形成する場合は、絶縁層１３０は形成しなくてもよい。

〔実施の形態２〕
本実施の形態では、タッチパネルモジュール１０に適用可能なトランジスタについて説明する。

図１１−図１６を参照して、薄膜の多結晶シリコン（ポリシリコン）膜を用いたｎチャネル型のトランジスタの構成例を示す。

図１１（Ａ）はトランジスタ７０Ａの上面図である。図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＬ１−Ｌ２線による断面図であり、図１１（Ｃ）は図１１（Ａ）のＷ１−Ｗ２線による断面図である。なお、図１１（Ｂ）は、チャネル長Ｌ方向のトランジスタ７０Ａの断面図であり、図１１（Ｃ）では、チャネル幅Ｗ方向のトランジスタ７０Ａの断面図である。

トランジスタ７０Ａは、絶縁表面を有する基板７２上に、ゲートとして機能する導電層７３と、導電層７３上の絶縁層７４と、絶縁層７４を間に介して導電層７３と重畳する半導体層７５と、半導体層７５上の絶縁層７６と、絶縁層７６を間に介して半導体層７５と重畳し、なおかつゲートとして機能する導電層７７と、導電層７７上の絶縁層７８と、絶縁層７８上の絶縁層７９と、絶縁層７８および絶縁層７９に設けられた開口において半導体層７５に電気的に接続され、なおかつソース電極またはドレイン電極として機能する導電層８０および導電層８１とを有する。

また、半導体層７５は、導電層７７と重畳する位置にチャネル形成領域８２と、チャネル形成領域８２を間に挟むように位置する一対のＬＤＤ領域８３と、チャネル形成領域８２、ＬＤＤ領域８３を間に挟むように位置する一対の不純物領域８４とを有する。一対の不純物領域８４はソース領域またはドレイン領域として機能する。また、ＬＤＤ領域８３、および不純物領域８４には、ｎ型の導電性を付与する不純物元素、例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等が添加されている。

トランジスタ７０Ａは、第１の導電層（導電層７３）上に第１の絶縁層（絶縁層７４）を有し、第１の絶縁層（絶縁層７４）上にチャネル形成領域８２を有する半導体層７５を有し、半導体層７５上に第２の絶縁層（絶縁層７６）を有し、第２の絶縁層（絶縁層７６）上に第２の導電層（導電層７７）を有し、第２の導電層（導電層７７）は、第２の絶縁層（絶縁層７６）を介して半導体層７５の側面を覆い、半導体層７５は、チャネル幅方向の断面において、第１の導電層（導電層７３）と第２の導電層（導電層７７）とで囲まれた構造、即ちＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する。

Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造とすることで、電流は半導体層７５の全体（バルク）を流れる。半導体層７５の内部を電流が流れることで、界面散乱の影響を受けにくいため、高いオン電流を得ることができる。なお、半導体層７５を厚くすると、オン電流を向上させることができる。

また、トランジスタをＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造とすることで、上下からの半導体層７５への不純物混入の影響を排除できる効果などを併せて有する。また、第１の導電層（導電層７３）と第２の導電層（導電層７７）は、上下からの光が半導体層に照射されることを防ぐことができるので、光励起が抑えられ、オフ電流の増加を防止できる。

ここではｎチャネル型のトランジスタの例を示しているが、ｎ型の導電型を半導体層７５に付与する不純物元素に代えてｐ型の導電型を付与する不純物元素、例えば、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）等を添加すれば、ｐチャネル型のトランジスタを作製することができる。また、ｎチャネル型のトランジスタ７０Ａのチャネル形成領域８２にｐ型の導電型を付与する不純物元素を微量に添加してもよい。

なお、半導体層７５は、様々な技術により結晶化しても良い。様々な結晶化方法として、レーザ光を用いたレーザ結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法がある。或いは、触媒元素を用いる結晶化法とレーザ結晶化法とを組み合わせて用いることもできる。また、基板７２として石英のような耐熱性に優れている基板を用いる場合、電熱炉を使用した熱結晶化方法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法、９５０℃程度の高温アニールを組み合わせた結晶化法を用いても良い。

非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して多結晶シリコン膜とし、多結晶シリコン膜をトランジスタ７０Ａのチャネル形成領域８２として用いる場合、レーザ光を照射して形成される粒界は、多結晶シリコン膜の下方まで到達しているため、半導体膜界面よりも半導体膜のバルクを電流が流れる。従ってレーザ光の照射エネルギーのバラツキによる影響が低減できる。

従来は、チャネル形成領域に低濃度の不純物元素を添加してしきい値制御を行っていたが、一対のゲート電極で半導体層を挟む構造の場合、半導体層と絶縁層の界面にキャリアが発生する確率が高く、キャリアが絶縁層や絶縁層と半導体層との界面に注入され、しきい値が上昇してしまうという問題があった。また、このチャネル領域のエネルギーバンド構造によると、キャリアの通り道は、半導体層と絶縁層との界面付近だけである。このため、ドレインに印加された電圧によって加速されたホットキャリアが絶縁層と半導体層との界面や絶縁層に注入されることによる移動度やドレイン電流の低下が大きな問題となっていた。

トランジスタ７０Ａには、半導体膜に垂直方向からのゲート電界に加えて、側面方向からのゲート電界が印加される。すなわち、半導体膜の全体にゲート電界が印加させることとなり、電流は半導体膜のバルクを流れる。これによって、トランジスタの電界効果移動度の向上を図ることが可能となる。また、不純物のバラツキもバルク全体に効くため、電気特性の変動の抑制を図ることができる。

トランジスタ７０Ａは、ゲートとして機能する導電層７７と、バックゲートとして機能する導電層７３を有する構成であるが、他の構成でもよい。例えば、用いる回路によっては、バックゲートとして機能する導電層７３を省略したトランジスタを部分的に設けてもよい。

また、ゲートとして機能する導電層７７は、テーパー部を有する構成としている。テーパー部を有するゲート電極を用い、半導体層に不純物元素をドーピングして自己整合的に不純物領域を形成すると、ホットキャリア劣化の少ない半導体装置を実現できる。

また、トランジスタ７０Ａでは、ゲートとして機能する導電層７７と、バックゲートとして機能する導電層７３とが電気的に接続されているが、それぞれに異なる電位を与えるようにすることともできる。そのような例を図１２に示す。図１２（Ａ）はトランジスタ７０Ｂの上面図である。図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＬ１−Ｌ２線による断面図であり、図１２（Ｃ）は図１２（Ａ）のＷ１−Ｗ２線による断面図である。

また、図１２に示すトランジスタ７０Ｂは、トランジスタ７０Ａとは絶縁層７４の種類が異なる。トランジスタ７０Ｂでは、絶縁層７４としてプラズマＣＶＤ法などで得られる絶縁膜が用いられている。バックゲートとして機能する導電層７３の存在により絶縁膜表面に凸部が形成され、その上に半導体膜が形成されるため、半導体膜表面にも下地の表面形状が反映されている。

トランジスタ７０Ｂも、チャネル形成領域が、ゲートとして機能する導電層７７とバックゲートとして機能する導電層７３で囲まれたＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造となっている。

また、図１３（Ａ）には、トランジスタ７０Ｃの上面図を示す。図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＬ１−Ｌ２線による断面図である。図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）のＷ１−Ｗ２線による断面図である。

トランジスタ７０Ｃは、基板７２上に形成されている。トランジスタ７０Ｃは、導電層７３、導電層７７、半導体層７５、導電層８０、導電層８１を有する。導電層７７は、ゲートとして機能し、導電層７７ａ、７７ｂを有する。

半導体層７５は絶縁層７４を間に介して導電層７３と重畳し、絶縁層７６を介して導電層７７と重畳する。絶縁層７４、７６に開口９５、９６が設けられている。開口９５、９６において、導電層７７と導電層７３とが電気的に接続されている。導電層７７は、絶縁層７８、７９に覆われている。絶縁層７９上に、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電層８０、８１が設けられている。絶縁層７８、絶縁層７９には、開口９３、９４が設けられている。開口９３において、導電層８０が、半導体層７５に電気的に接続され、開口９４において導電層８１が半導体層７５に電気的に接続されている。

半導体層７５は、チャネル形成領域８２と、ＬＤＤ領域８３と、不純物領域８４とを有する。導電層７７ｂと重なっていない導電層７７ａを介して不純物をイオンドーピングすることでＬＤＤ領域８３、不純物領域８４を自己整合的に形成することができる。よって、導電層７７ａとオーバーラップするＬＤＤ領域８３の長さを正確に制御することができるので、ホットキャリア劣化を抑制して、寿命時間を延長し、信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製できる。

トランジスタ７０Ｃでは、ゲートとして機能する導電層７７、導電層７７と電気的に接続されたバックゲートである導電層７３によって、半導体層７５のチャネル形成領域８２のチャネル幅方向を電気的に取り囲む構造としている。つまり当該構造は、チャネル形成領域の上面、下面及び側面から、チャネル形成領域を包み込む構造とすることができる。そのため、オン電流を高めることができ、チャネル幅方向のサイズ縮小を図ることができる。また、チャネル形成領域を導電膜で取り囲む構成とするため、チャネル形成領域の遮光を容易に行うことができ、チャネル形成領域に意図しない光が照射されることによる光励起を抑制することができる。

またトランジスタ７０Ｃでは、チャネル幅方向での半導体層７５の側端部における意図しない導電率の上昇による導通状態を抑制することができる。またＬＤＤ領域８３、及び不純物領域８４に添加した不純物元素の分布ばらつきの影響を小さくすることができる。

なお図１３（Ａ）―図１３（Ｃ）に示すトランジスタ７０Ｃは、一例であり他の構成とすることもできる。例えば、トランジスタ７０Ｃでは、ゲートとバックゲートとを電気的に接続する構成としたが、トランジスタ７０Ｂのように、ゲートとバックゲートとを電気的に接続せずに、これらに別々の電位を与えることができる構成も有効である。当該構成は、特にｎチャネル型トランジスタのみで構成する回路に有効である。つまり、バックゲートに電圧を印加することでトランジスタのしきい値電圧を制御できるため、しきい値電圧の異なるトランジスタでインバータ回路などのロジック回路を構成することができる。このようなロジック回路を、画素を駆動するための駆動回路に適用することで駆動回路が占める面積を縮小することができるため、表示装置の狭額縁化を実現することができる。また、バックゲートの電圧をトランジスタがオフになるような電圧にすることで、トランジスタをオフ状態にした際のオフ電流をより小さくすることができる。そのため、表示装置のリフレッシュレートを大きくしても、書き込んだ電圧を保持し続けさせることができる。そのため、書き込み回数を少なくすることによる表示装置の低消費電力化を見込むことができる。

図１４（Ａ）―図１４（Ｃ）、図１５（Ａ）―図１５（Ｃ）にトランジスタの他の構成例を示す。

図１４（Ａ）―図１４（Ｃ）に示すトランジスタ７０Ｄが、トランジスタ７０Ｃと異なる点は、ゲートとなる導電層７７を単層で形成している点にある。また開口９５、９６の位置を、チャネル形成領域８２により近づけた点にある。このようにすることで、トランジスタ７０Ｄのチャネル形成領域の上面、下面及び側面から、チャネル形成領域に向けて電界をかけやすくすることができる。また、当該構成としても、トランジスタ７０Ｃと同様にＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造であるため、その効果を奏することができる。

図１５（Ａ）―図１５（Ｃ）に示すトランジスタ７０Ｅが、トランジスタ７０Ｃと異なる点は、トランジスタ７０Ｅのバックゲートとなる導電層７３を導電層７３ａおよび導電層７３ｂで構成し、導電層７３ｂを導電層７３ａで取り囲む構造としている点にある。当該構成としても、トランジスタ７０Ｃと同様にＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造であるため、その効果を奏することができる。

加えてトランジスタ７０Ｅでは、導電層７３ｂに可動性の元素（例えば、銅（Ｃｕ））を用いた場合においても、可動性の元素が半導体膜に進入し半導体膜が劣化することを防止できる。

なお配線の被形成面にある、バリア膜として機能する導電層７３ａの材料としては、高融点材料であるタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）のいずれか、あるいはその合金（例えば、Ｗ‐Ｍｏ、Ｍｏ‐Ｃｒ、Ｔａ‐Ｍｏ）、あるいはその窒化物（例えば、窒化タングステン、窒化チタン、窒化タンタル）等を用いることができる。形成方法としてはスパッタ法、ＣＶＤ法等を用いることができる。また導電層７３ｂの材料としては、銅（Ｃｕ）が好ましいが、低抵抗材料であれば特に限られない。例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、及びそれらの合金等を用いることもできる。導電層７３ｂを形成する方法としてはスパッタ法が好ましいが、レジストマスクにダメージを与えない条件を選択することで、ＣＶＤ法を用いることもできる。

ここでは、同一基板上にｎチャネル型のトランジスタ７０と、ｐチャネル型のトランジスタ７１とを構成する一例を示す。ｎチャネル型のトランジスタと、ｐチャネル型のトランジスタを組みわせることでＣＭＯＳ回路などを作製することができる。そのような例を図１６（Ａ）に示す。

図１６（Ａ）に示すｎチャネル型のトランジスタ７０と、ｐチャネル型のトランジスタ７１とは、トランジスタ７０Ａと同様にＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造である。トランジスタ７０、７１は、絶縁表面を有する基板７２上に形成されている。

トランジスタ７０は、ゲートとして機能する導電層７３と、導電層７３上の絶縁層７４と、絶縁層７４を間に介して導電層７３と重畳する半導体層７５と、半導体層７５上の絶縁層７６と、絶縁層７６を間に介して半導体層７５と重畳し、なおかつゲートとして機能する導電層７７ａおよび導電層７７ｂと、導電層７７ａおよび導電層７７ｂ上の絶縁層７８と、絶縁層７８上の絶縁層７９と、絶縁層７８および絶縁層７９に設けられた開口において半導体層７５に電気的に接続され、なおかつソース電極またはドレイン電極として機能する導電層８０および導電層８１とを有する。

導電層７７ｂは、チャネル長方向における幅が導電層７７ａよりも短く、導電層７７ａおよび導電層７７ｂは、絶縁層７６側から順に積層されている。また、半導体層７５は、導電層７７ｂと重畳する位置にチャネル形成領域８２と、チャネル形成領域８２を間に挟むように位置する一対のＬＤＤ領域８３と、チャネル形成領域８２、ＬＤＤ領域８３を間に挟むように位置する一対の不純物領域８４とを有する。一対の不純物領域８４はソース領域またはドレイン領域として機能する。

また、トランジスタ７１は、ゲートとして機能する導電層８５と、導電層８５上の絶縁層７４と、絶縁層７４を間に介して導電層８５と重畳する半導体層８６と、半導体層８６上の絶縁層７６と、絶縁層７６を間に介して半導体層８６と重畳し、なおかつゲートとして機能する導電層８７ａおよび導電層８７ｂと、導電層８７ａおよび導電層８７ｂ上の絶縁層７８と、絶縁層７８上の絶縁層７９と、絶縁層７８および絶縁層７９に設けられた開口において半導体層８６に電気的に接続され、なおかつソース電極またはドレイン電極として機能する導電層８８および導電層８９とを有する。

導電層８７ｂは、チャネル長方向における幅が導電層８７ａよりも短く、導電層８７ａおよび導電層８７ｂは、絶縁層７６側から順に積層されている。また、半導体層８６は、導電層８７ｂと重畳する位置にチャネル形成領域９０と、チャネル形成領域９０を間に挟むように位置する一対の不純物領域９１とを有する。一対の不純物領域９１はソース領域またはドレイン領域として機能する。

図１６（Ａ）では、ゲートとして機能する導電層７７ａ、７７ｂと、バックゲートとして機能する導電層７３を有する構成を示しているが、他の構成でもよい。例えば、図１６（Ｂ）に図示するように、バックゲートとして機能する導電層７３を省略してもよい。また、図１６（Ａ）では、ゲートとして機能する導電層８７ａ、８７ｂと、バックゲートとして機能する導電層８５を有する構成を示しているが、他の構成でもよい。例えば、図１６（Ｂ）に図示するように、バックゲートとして機能する導電層８５を省略してもよい。

〔実施の形態３〕
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、または表示システムを有する表示モジュール及び電子機器について、図１７及び図１８を用いて説明を行う。

図１７に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、タッチパネル８００４、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの光学部材をさらに有していてもよい。

タッチパネル８００４に本発明の一態様のタッチパネルモジュールが適用される。タッチパネル８００４はＦＰＣ８０１２、８０１３が接続されている。上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

フレーム８００９は、タッチパネル８００４の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。商用電源を用いる場合には、バッテリ８０１１は省略可能である。

また、透過型の液晶素子を用いた場合には、図１７に示すようにバックライトユニット８００７を設ければよい。バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。なお、図１７において、バックライトユニット８００７上に光源８００８を配置する構成について例示したが、これに限定さない。例えば、端部に光源を設けた光拡散板をバックライトユニット８００７して用いてもよい。また、バックライトユニット８００７とタッチパネル８００４との間に、波長変換部材を設けてもよい。波長変換部材は、蛍光顔料、蛍光染料、量子ドット等の波長変換物質を含む。波長変換物質は、バックライトユニット８００７の光を吸収し、該光の一部または全部を別の波長の光に変換することができる。また、波長変換物質である量子ドットは、直径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒子である。量子ドットを有する波長変換部材を用いることで、表示装置の色再現性を高めることができる。さらに、波長変換部材は、導光板として機能させてもよい。

上記実施の形態１のタッチパネルモジュールは、各種電子機器の表示部に適用することができる。図１８（Ａ）―図１８（Ｈ）に電子機器の例を示す。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８等を有することができる。

図１８（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０等を有することができる。図１８（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１等を有することができる。図１８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有することができる。図１８（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１等を有することができる。図１８（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、撮像部５０１６等を有することができる。図１８（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１等を有することができる。図１８（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７等を有することができる。図１８（Ｈ）は腕時計型情報端末であり、上述したものの他に、バンド５０１８、留め金５０１９等を有することができる。ベゼル部分を兼ねる筐体５０００に搭載された表示部５００１は、非矩形状の表示領域を有している。表示部５００１は、時刻を表すアイコン５０２０、その他のアイコン５０２１等を表示することができる。

図１８（Ａ）乃至図１８（Ｈ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部に主として画像情報を表示し、別の一つの表示部に主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる。さらに、撮像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができる。なお、図１８（Ａ）乃至図１８（Ｈ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

１０ タッチパネルモジュール
２０ タッチパネル
２１ 基板
２２ タッチセンサ
２２Ａ、２２Ｂ 部位
２３ 電極
２３ａ 配線
２３Ａ 電極
２４ 電極
２４ａ 配線
２４Ａ 電極
２４ｂ 中継配線
２５ 電極
２６ 電極
２７ 絶縁層
２７ａ 開口
２８ 電極
２９ 配線
３１ 基板
３２ 表示部
３３ 画素
１２１―１２４、１３０、１３１ 絶縁層
１４１ 接着層
１５０ 液晶層
１５１ 導電層
１５２ 導電層
１５５ 半導体層
１６０ ブラックマトリクス（ＢＭ）
１６１、１６２ 導電膜
１６２ａ 開口
１８０ チャネル形成領域
１８１ 低濃度不純物領域
１８２ 高濃度不純物領域
１８５ スペーサ
１９０ チャネル形成領域
１９２ 高濃度不純物領域
２１０ 絶縁層
２１０−２１５ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２２０―２２２、２４１、２４２ 導電層
２４３ 端子

Claims (3)

1. 第１基板、第２基板、液晶層、画素電極、コモン電極、および、タッチセンサを有し、
   前記第１基板は、前記第２基板と対向し、
   前記液晶層は、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、
   前記画素電極および前記コモン電極は、前記第１基板に設けられ、
   前記画素電極と前記コモン電極との間の電界によって、前記液晶層の配向を制御するタッチパネルであって、
   前記タッチセンサは、前記第２基板に設けられ、
   前記タッチセンサは、第１電極、２つの第２電極、および、第３電極を有し、
   前記第１電極と前記第２電極とは、第１導電膜から形成され、
   前記第３電極と第４電極とは、第２導電膜から形成され、
   前記第４電極は、前記第３電極と離間し、且つ、前記第３電極の周囲を囲むように配置され、
   前記第１電極と前記第２電極とは、複数の開口を有するメッシュ状の電極であり、
   前記第１電極は、第１方向に延伸し、
   ２つの前記第２電極は、前記第１電極を挟んで第２方向に沿って設けられ、
   ２つの前記第２電極は、前記第３電極によって電気的に接続され、
   前記第３電極は、前記第１電極と重なる領域を有し、
   前記第４電極は、前記液晶層を挟んで、前記画素電極および前記コモン電極と対向するように設けられているタッチパネル。
2. 第１基板、第２基板、液晶層、画素電極、コモン電極、および、タッチセンサを有し、
   前記第１基板は、前記第２基板と対向し、
   前記液晶層は、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、
   前記画素電極および前記コモン電極は、前記第１基板に設けられ、
   前記画素電極と前記コモン電極との間の電界によって、前記液晶層の配向を制御するタッチパネルであって、
   前記タッチセンサは、前記第２基板に設けられ、
   前記タッチセンサは、第１電極、２つの第２電極、および、第３電極を有し、
   前記第３電極と第４電極とは、同じ導電膜から形成され、
   前記第４電極は、前記第３電極と離間し、且つ、前記第３電極の周囲を囲むように配置され、
   ２つの前記第２電極は、前記第３電極によって電気的に接続され、
   前記第３電極は、前記第１電極と重なる領域を有し、
   前記第４電極は、前記液晶層を挟んで、前記画素電極および前記コモン電極と対向するように設けられているタッチパネル。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１基板は、トランジスタと、絶縁膜と、を有し、
   前記画素電極は、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記トランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
   前記第３電極は、前記トランジスタのチャネル形成領域と重なる領域と、前記開口部と重なる領域と、を有するタッチパネル。

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