JP6716788B2 - ハイレート型のコバルト酸リチウム正極材料及びその調製方法 - Google Patents
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Description
本発明ではさらに好ましい多孔質コバルト酸化物の調製方法を開示する。所定の条件により、荒く多孔質のコバルト酸化物材料を調製することにより、後続の加水分解、含浸及び連続成膜を容易に実現することができる。
特に説明しない限り、本発明で用いる各種原材料、試薬、機器、装置などは全て、市販されているか、従来方法で調製し得るものである。
実施例1
本実施例において、上記ハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法は以下のステップを含む。
(3)上記ステップ(2)で得られた濾塊を120℃のオーブン中で3時間乾燥して、炭酸コバルト(粒度:5.5μm)を得る。
(6)920gの炭酸リチウムと上記ステップ(5)で得られたコバルト酸化物(PC−2)2000gを乾式で均一に混合して、混合物を得る。
実施例2
本実施例において、上記ハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法は主に以下のステップを含む。
(1)−(5)本実施例のステップ
(1)−(5)は、実施例1と同様である。
比較例1
(1)920gの炭酸リチウム、2000gのPC−1(実施例1で合成)及び10gの二酸化チタンを乾式で均一に混合して、混合物を得る。
実施例3
(3)上記ステップ(2)で得られた濾塊を120℃のオーブン中で3時間乾燥して、シュウ酸コバルト(粒度:7.5μm)を得る。
(5)120gのニオブ(V)ペンタエトキシドを、2000gの無水エタノールに溶解させ、0.5時間撹拌する。ミキサーを強力撹拌した状態でステップ(4)にて得られた多孔質コバルト酸化物(PC−3)を3000g加え、1.0時間撹拌する。更にエタノール水溶液(エタノール:水=1:20(体積比))を添加する。5時間撹拌を続けた後、吸引濾過する。濾過して得られたケーキをオーブンで乾燥した後、Nb(OH)5を含浸させ、コバルト酸化物を得る(番号:PC−4)。
(6)938gの炭酸リチウムと上記ステップ(5)で得られたコバルト酸化物(PC−4)2000gを乾式で均一に混合して、混合物を得る。
実施例4
本実施例において、上記ハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法は主に、以下のステップを含む。
(3)上記ステップ(2)で得られた濾塊を120℃のオーブン中で3時間乾燥して、シュウ酸コバルト(粒度:7.0μm)を得る。
(6)928gの炭酸リチウムと上記ステップ(5)で得られたコバルト酸化物(PC−6)2000gを乾式で均一に混合して、混合物を得る。
上記実施例1、2、3、4及び比較例1で得られた5種の試料の電気化学特性を評価した。評価方法は以下に示す。
活性材料、PVDFと導電性カーボンブラックを、95.4:2.5:2.1の質量比で混合し、NMPを加え、撹拌してスラリーを得た。上記スラリーをアルミホイルに塗布し、120℃で乾燥して正極板を作製した。負極板、セパレーター及び電解液を用いて、063048型の電池を組み立てた。室温で電池の充放電性能を評価した。定電流の後に定電圧で充電する場合、充電カットオフ電圧は4.2V及び4.35Vに設定した。定電流放電を採用する場合、カットオフ電圧は3.0Vに設定し、充電電流密度は0.5Cで、放電電流密度は0.2C/1C/10C/20C/50Cとした。
表1に、LCO−0、1、2、3及び4のレート特性を異なる電圧で評価した結果を示す。
*****
図1は、本発明のコバルト酸リチウム正極材料における充電工程のリチウムイオンの伝送ルートを示す模式図である。実線は、本発明の実施例で調製される正極材料の粒子におけるリチウムイオンの伝送ルートを表し、点線は、比較例で調製される正極材料の粒子におけるリチウムイオンの伝送ルートを表す。オルトチタン酸テトラブチルを多孔質コバルト酸化物に含浸させる工程において、上記オルトチタン酸テトラブチルは、加水分解してTi(OH)4になり、多孔質コバルト酸化物粒子内部の隙間と細孔に充填され、且つ含浸された粒子の表面に連続膜を形成する。コバルト酸リチウムを合成するための焼成工程において、Ti4+イオンの半径は、Co3+よりはるかに大きいため、コバルト酸リチウム結晶構造に固溶しにい。そのため、リチウムイオンと反応して、マルチチャンネルメッシュ構造であるLi2TiO3相を形成する。コバルト酸リチウムの一次粒子は、高速イオン伝導体マルチチャンネルメッシュ構造中に埋設され、且つそれとひとつに溶解されて二次粒子を形成する。
Claims (9)
- コバルト酸リチウム及び高速イオン伝導体を含むハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法であって、
前記高速イオン伝導体により形成されるマルチチャンネルメッシュ構造を含み、且つ一次粒子形態で、高速イオン伝導体と溶合し、二次粒子を形成する前記コバルト酸リチウムは、高速イオン伝導体の前記マルチチャンネルメッシュ構造に埋設され、前記高速イオン伝導体は、LiαM’γOβ(M’はTi、Zr、Y、V、Nb、Mo、Sn、In、La及びWから選ばれる少なくとも1種で、1≦α≦4、1≦γ≦5、及び2≦β≦12である)の化学式で表され、
M’の水酸化物を含浸したコバルト酸化物をリチウム源と均一に混合した後、高温の空気雰囲気炉にて、焼成するステップを含む、ことを特徴とするハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。 - 元素Mがドープされ、Li1+yCo1−xMxO2 ・ zLiαM’γOβ(ただし、0≦x≦0.1、−0.01≦y≦0.01、0.005≦z≦0.01であり、MはMg、Al、Si、Sc、Ni、Mn、Ga及びGeから選ばれる少なくとも1種である)の化学式で表される、ことを特徴とする請求項1に記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
- 前記M’の水酸化物を含浸したコバルト酸化物は、M’を含有する有機化合物を分離機で無水エタノールに溶解して分散し、均一に撹拌した後、多孔質コバルト酸化物に添加し、0.5〜1.5時間撹拌した後、エタノールに対して体積比5〜20の水を含有するエタノール水溶液を加え、2〜5時間撹拌を続け、吸引濾過して、乾燥するステップにより調製する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
- 前記M’を含有する有機化合物は、M’のアルコキシド、M’のアルキル化合物、M’のカルボニル化合物及びM’のカルボキシル化合物から選択される少なくとも1種であり、前記多孔質コバルト酸化物は、CoCO3・aH2O又はCoC2O4・aH2Oで、0≦a≦9である前駆体を仮焼して得られ、平均孔径は100nm〜500nmで、空隙率は0.5%〜5%である、ことを特徴とする請求項3に記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
- 前記多孔質のコバルト酸化物は、反応釜に沈殿剤溶液を入れ、pHを6〜14に制御し、不活性ガス雰囲気で撹拌しながら、並流方法により、反応釜にコバルト塩溶液、錯化剤溶液及び沈殿剤溶液を同時に加えて反応させ、撹拌反応中は、pHを6〜14に、反応釜の温度を0℃〜85℃に制御し、全てのコバルト塩溶液を添加した後、熟成し、濾過して得られる濾塊を、乾燥して前駆体を得、前記前駆体を空気雰囲気炉で仮焼した後、取り出して篩にかける、ステップで調製される、ことを特徴とする請求項4に記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
- 前記コバルト塩溶液はCoCl2・bH2O、CoSO4・bH2O及びCo(NO3)2・bH2Oから選択される少なくとも一種を水に溶解させた溶液で、0≦b≦6であり、前記コバルト塩溶液に、Co2+の濃度が70〜200g/Lとなるように制御し、前記錯化剤溶液として、アンモニア又はアミノカルボキ酸塩を用い、前記沈殿剤として炭酸塩溶液、シュウ酸又はシュウ酸塩溶液を用いる、ことを特徴とする請求項5に記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
- 熟成時間は4〜8時間で、300℃〜500℃で2〜5時間焼成した後、700℃〜800℃で2〜5時間焼成する、ことを特徴とする請求項5に記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
- 前記リチウム源は、炭酸リチウム、水酸化リチウム及び酸化リチウムから選択される少なくとも1種であり、コバルト酸リチウム正極材料を調製するための原料として、Mの酸化物、水酸化物、カルボキシオキサイド、炭酸塩及び塩基性炭酸塩から選択される少なくとも1種を含有する添加剤を混合する、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
- 850℃〜1000℃で6〜20時間を焼成する、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のハイレート型コバルト酸リチウム正極材料の調製方法。
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