JP6732932B2 - 撮像素子実装用基体、撮像装置および撮像モジュール - Google Patents

撮像素子実装用基体、撮像装置および撮像モジュール Download PDF

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Description

本発明は、撮像素子、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device：以下、ＣＣＤと示す）型またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：以下、ＣＭＯＳと示す）型等が実装される撮像素子実装用基体および撮像装置ならびに撮像モジュールに関するものである。
従来、絶縁層からなる基体を有する撮像素子実装用基体が知られている。また、このような撮像素子実装用基体は撮像素子が実装された撮像装置が知られている（特開２０１６−９２４３６号公報参照）。
特開２０１６−９２４３６号公報に開示された技術では、近年の撮像素子実装用基体は多機能化の要求に伴い、撮像素子が２個実装される場合があり、２個の撮像素子はそれぞれ画素数が異なる場合、または求められる特性が異なる場合がある。このとき、各撮像素子の上面に実装されるレンズ鏡筒は撮像素子の機能または求められる特性によって、必要とされるレンズの枚数・機構等が異なってくる。
本発明の１つの態様に係る撮像素子実装用基体は、基体と、第１電極パッドと、第２電極パッドと、第３電極パッドと、第４電極パッドと、を備える。基体は、上面および上面に開口した第１の凹部と、上面に位置し、第１撮像素子が実装される第１実装領域と、第１の凹部に位置し、第２撮像素子が実装される第２実装領域と、上面視で第１実装領域と第２実装領域との間に位置する第１部と、を有する。第１電極パッドおよび第２電極パッドは、上面に位置し、第１撮像素子にそれぞれ繋がる。第３電極パッドおよび第４電極パッドは、第１の凹部の周囲に位置し、第２撮像素子にそれぞれ繋がる。第１部は、基体の下面からの距離が、下面から第１実装領域までの距離と同等の部分を有する。
本発明の１つの態様に係る撮像装置は、上記撮像素子実装用基体と、前記撮像素子実装用基体の前記第１実装領域に実装された第１撮像素子と、前記撮像素子実装用基体の前記第２実装領域に実装された第２撮像素子とを備えている。
本発明の１つの態様に係る撮像モジュールは、上記撮像装置と、前記撮像装置の上面に接合された、前記第１実装領域を取り囲む第１レンズ鏡筒と、前記撮像装置の上面に接合された、前記第２実装領域を取り囲む第２レンズ鏡筒とを備えている。
図１Ａは本発明の第１の実施形態に係る撮像素子実装用基体および撮像装置の外観を示す上面図であり、図１Ｂは図１ＡのＡ−Ａ線に対応する縦断面図である。 図２Ａは本発明の第１の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像装置の外観を示す上面図であり、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線に対応する縦断面図である。 図３Ａは本発明の第１の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図３Ｂは図３ＡのＣ−Ｃ線に対応する縦断面図である。 図４Ａは本発明の第１の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図４Ｂは図４ＡのＤ−Ｄ線に対応する縦断面図である。 図５Ａは本発明の第１の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像装置の外観を示す上面図であり、図５Ｂは図５ＡのＥ−Ｅ線に対応する縦断面図である。 図６Ａは本発明の第１の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図６Ｂは図６ＡのＦ−Ｆ線に対応する縦断面図である。 図７Ａは本発明の第２の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す縦断面図であり、図７Ｂは本発明の第２の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す縦断面図である。 図８Ａは本発明の第２の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す縦断面図であり、図８Ｂは本発明の第２の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す縦断面図である。 図９Ａは本発明の第３の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図９Ｂは図９ＡのＧ−Ｇ線に対応する縦断面図である。 図１０Ａは本発明の第４の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体および撮像装置の外観を示す上面図であり、図１０Ｂは図１０ＡのＨ−Ｈ線に対応する縦断面図である。 図１１Ａは本発明の第４の実施形態に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図１１Ｂは図１１ＡのＪ−Ｊ線に対応する縦断面図である。 図１２Ａは本発明の第５の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図１２Ｂは図１２ＡのＫ−Ｋ線に対応する縦断面図である。 図１３Ａは本発明の第６の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図１３Ｂは図１３ＡのＬ−Ｌ線に対応する縦断面図である。 図１４Ａは本発明の第７の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図１４Ｂは図１４ＡのＭ−Ｍ線に対応する縦断面図である。 図１５Ａは本発明の第８の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す上面図であり、図１５Ｂは図１５ＡのＮ−Ｎ線に対応する縦断面図である。 図１６は本発明の第９の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体を備えた撮像モジュールの外観を示す縦断面図である。 図１７Ａは本発明の第１０の実施形態の態様に係る撮像素子実装用基体および撮像装置の外観を示す上面図であり、図１７Ｂは図１７ＡのＰ−Ｐ線に対応する縦断面図である。
＜撮像素子実装用基体および撮像装置の構成＞
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、撮像素子実装用基体の第１実装領域に第１撮像素子、および第２実装領域に第２撮像素子が実装された構成を撮像装置とする。また、撮像素子実装用基体のそれぞれの撮像素子の上面側に位置したそれぞれのレンズ鏡筒を有する構成を撮像モジュールとする。撮像素子実装用基体、撮像装置および撮像モジュールは、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方とする。
（第１の実施形態）
図１Ａ〜図６Ｂを参照して本発明の第１の実施形態における撮像装置２１、および撮像素子実装用基体１について説明する。図１Ａおよび図１Ｂでは、蓋体１２及びそれに付随する図面を削除した撮像装置２１を、図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａおよび図５Ｂでは、蓋体１２およびそれに付随する部品を記載した撮像装置２１を、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図６Ａ及び図６Ｂでは撮像モジュール３１を示している。
撮像素子実装用基体１の基体２は、上面に第１撮像素子１０ａが実装される第１実装領域４ａと、第１実装領域４ａと間を空けて位置した第２撮像素子１０ｂが実装される第２実装領域４ｂとを有する。基体２は上面に、第１実装領域４ａが間に位置した、第１電極パッド３ａおよび第２電極パッド３ｂを有する。基体２は上面に、第１電極パッド３ａおよび第２電極パッド３ｂと間を空けるとともに第２実装領域４ｂが間に位置した、第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄを有する。基体２の上面には、第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄとの間に凹部２ｃを有しており、第２実装領域４ｂの一部は凹部２ｃの底面に位置している。
撮像素子実装用基体１の基体２は、上面に第１撮像素子１０ａが実装される第１実装領域４ａと、第１実装領域４ａと間を空けて位置した第２撮像素子１０ｂが実装される第２実装領域４ｂとを有する。基体２を構成する絶縁層の材料は例えば、電気絶縁性セラミックスまたは樹脂（例えば、プラスティックス）等が含まれる。
基体２を形成する材料として使用される電気絶縁性セラミックスとしては例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等が含まれる。基体２を形成する材料として使用される樹脂としては例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂またはフッ素系樹脂等である。フッ素系樹脂としては例えば、四フッ化エチレン樹脂等が含まれる。
基体２は、前述した材料を含む絶縁層を複数上下に積層していてもよい。基体２は、図１Ｂに示すように６層の絶縁層から形成されていてもよいし、単層、２層〜５層または７層以上の絶縁層から形成されていてもよい。基体２を形成する絶縁層が６層以上であると、基体２に十分な厚みと配線エリアを確保することが可能となる。よって、基体２の電気的特性を向上するとともに基体２の反り、クラックまたは割れを低減することが可能となる。また、基体２を形成する絶縁層が５層以下であるとき、基体２の薄型化が可能となる。
基体２は例えば、1辺の大きさは３ｍｍ〜１０ｃｍ程度であり、平面視において基体２が四角形状であるとき正方形であってもよいし長方形であってもよい。また例えば、基体２の厚みは０．２ｍｍ以上であってもよい。
また、基体２の上面、側面または下面に、外部回路接続用パッドが位置していてもよい。外部回路接続用パッドは、基体２と外部回路基体、あるいは撮像装置２１と外部回路基体とを電気的に接続するものである。
撮像素子実装用基体１は第１撮像素子１０ａが実装される第１実装領域４ａと第２撮像素子１０ｂが実装される第２実装領域４ｂを有する。ここで、第１実装領域４ａまたは第２実装領域４ｂは少なくとも１つの第１撮像素子１０ａまたは第２撮像素子１０ｂが実装される領域であり、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂ以外の電子部品、または半導体素子等が実装されていてもよい。
撮像素子実装用基体１の基体２は、上面に、第１実装領域４ａが間に位置した、第１電極パッド３ａおよび第２電極パッド３ｂを有する。また、撮像素子実装用基体１の基体２は上面に、第１電極パッド３ａおよび第２電極パッド３ｂと間を空けるとともに第２実装領域４ｂが間に位置した、第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄを有する。
第１実装領域４ａは第１電極パッド３ａおよび第２電極パッド３ｂの間に位置している。言い換えると、第１電極パッド３ａおよび第２電極パッド３ｂの内側端部または外側端部に囲まれた領域が第１実装領域４ａとなる。また、第１実装領域４ａは少なくとも第１撮像素子１０ａと同程度もしくはそれ以上の大きさであればよい。
第２実装領域４ｂは第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄの間に位置している。言い換えると、第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄの内側端部または外側端部に囲まれた領域が第２実装領域４ｂとなる。また、第２実装領域４ｂは少なくとも第２撮像素子１０ｂと同程度もしくはそれ以上の大きさであればよい。
第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄとは、第１撮像素子１０ａまたは第２撮像素子１０ｂとワイヤーボンディングで電気的に接合される領域のことであり、基体２の外側または内側へ伸びていてもよい。例えば第２電極パッド３ｂと第３電極パッド３ｃとは配線上はつながっているが、上述したワイヤーボンディングされる領域が間を位置していれば、それぞれ領域を第２電極パッド３ｂと第３電極パッド３ｃとしてもよい。
基体２の内部には、内部または各絶縁層の間に、内部配線、内部配線同士を上下に接続する貫通導体が位置していてもよく、これら内部配線または貫通導体は、基体２の表面に露出していてもよい。この内部配線または貫通導体によって、外部回路接続用パッド、第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄが電気的に接続されていてもよい。
第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、外部回路接続用パッド、内部配線および貫通導体は、基体２が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）若しくは銅（Ｃｕ）またはこれらから選ばれる少なくとも１種以上の金属材料を含有する合金等から成っていてもよい。また、第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、外部回路接続用パッド、内部配線および貫通導体は、基体２が樹脂から成る場合には、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）若しくはチタン（Ｔｉ）またはこれらから選ばれる少なくとも１種以上の金属材料を含有する合金等から成っていてもよい。
第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、外部回路接続用パッド、内部配線および貫通導体の露出表面には、めっき層が位置している。この構成によれば、第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、外部回路接続用パッド、内部配線および貫通導体の露出表面を保護して酸化を低減させることができる。また、この構成によれば、第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄと第１撮像素子１０ａまたは、第２撮像素子１０ｂとをワイヤーボンディング等の第１接合材１３を介して良好に電気的接続することができる。また、接合強度を向上させることが可能となる。めっき層は、例えば、厚さ０．５μｍ〜１０μｍのＮｉめっき層を被着させるか、またはこのＮｉめっき層および厚さ０．５μｍ〜３μｍの金（Ａｕ）めっき層を順次被着させてもよい。
撮像素子実装用基体１の基体２は、基体２の上面には、第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄとの間に凹部２ｃを有しており、第２実装領域４ｂの一部は凹部２ｃの底面に位置している。凹部２ｃを含む基体２は、図１Ａ〜図２Ｂに示す例の様に、開口部を有する枠部２ａとその下面に接合され、または焼結等で一体化している基部２ｂとを有することで形成されていてもよい。
ここで、凹部２ｃは、例えば基体２の絶縁層に開口部を位置させることで形成することが可能となる。このとき、図１Ａ〜図４Ｂに示す例の様に凹部２ｃを形成する絶縁層の開口部の大きさを異ならせ上面に段差部を形成してもよいし、図５Ａ〜図６Ｂに示す例の様に、開口部の大きさは１つだけであってもよい。また、凹部２ｃ内部または凹部２ｃの底面に第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄが位置していてもよい。また、例えば凹部２ｃを形成する絶縁層の開口部の大きさを異ならせて段差部を形成し、段差部の一部に第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄが位置していてもよいし、第３電極パッド３ｃおよび第４電極パッド３ｄは基体２の上面に位置していてもよい。
本実施形態では、基体２の上面には、第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄとの間に凹部２ｃを有しており、第２実装領域４ｂの一部は凹部２ｃの底面に位置している。これにより、要求された画像数が第１撮像素子１０ａと第２撮像素子１０ｂで異なっていたとしても、レンズとの各撮像素子１０との距離を異なるものにすることができる。このため、凹部２ｃに実装された第２撮像素子１０ｂの上面から第２レンズ鏡筒１９ｂまでの距離を第１撮像素子１０ａと比較して大きく設けることが可能となる。このことで、第２撮像素子１０ｂにおいて第２レンズ鏡筒１９ｂの枚数を多くする、第２レンズ鏡筒１９ｂの厚みを厚くする、または第２レンズ鏡筒１９ｂに機構をつける等しても、高さ方向の大きさの増加を低減させる事が可能となる。よって、それぞれのレンズ鏡筒１９の厚みを最小限にすることができ、撮像モジュール３１の低背化が可能となる。
また、それぞれの撮像素子１０（第１撮像素子１０ａ、第２撮像素子１０ｂ）において求められる放熱性が異なる場合がある。そのため、撮像素子実装用基体１は部分的でも放熱性をより向上させることが求められていた。さらに、撮像素子実装用基体１は電気特性の向上も放熱性と同様に求められる場合があった。
これに対し、本実施形態では、基体２の上面には、第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄとの間に凹部２ｃを有しており、第２実装領域４ｂの一部は凹部２ｃの底面に位置している。このことで、第１撮像素子１０ａの下面から基体２の下面までの直線距離と第２撮像素子１０ｂの下面から基体２の下面までの直線距離は、第２撮像素子１０ｂの方が小さくなる。これにより、撮像素子１０を複数（２個）用いる場合に、より発熱量の多い第２撮像素子１０ｂを凹部２ｃに実装することで、撮像モジュール３１が外部機器などに接するように設置された場合に、第１実装領域４ａと比較すると第２実装領域４ｂの方が外部機器へ熱を逃がし易くなる。その結果として撮像モジュール３１としての放熱性の向上が可能となる。よって、撮像モジュール３１を使用した際の発熱で画像にノイズが発生する等のおそれを低減させることが可能となる。
また、第１実装領域４ａの高さ方向の大きさは第２実装領域４ｂの高さ方向の大きさと比較すると大きくなる。これにより、より多くの電源またはグランドと接合される内部配線をより多く設けることが可能となる。その結果撮像素子実装用基体１における電気特性の向上を図ることが可能となる。
上述した２点の効果により、本発明に示す撮像素子実装用基体１では、複数の撮像素子１０が実装される撮像素子実装用基体１において、部分的に放熱性を向上させつつ電気特性の維持向上が可能となる。よって、撮像モジュール３１で撮像した画像にノイズが発生する等の可能性を低減させることが可能となる。
なお、本実施形態において、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂの機能性、求められる特性等は指定しないが、第２撮像素子１０ｂが第１撮像素子１０ａと比較して高い機能性の要求、または高機能により熱量が大きい素子を採用することにより本発明の効果を十分に発揮することが可能となる。
撮像素子実装用基体１の第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄは図１Ａ〜図４Ｂに示す例の様に凹部２ｃの段差部に位置していても良いし、図５Ａ〜図６Ｂに示す例の様に基体２の上面に位置していてもよいし、凹部２ｃの底面に位置していてもよい。第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄは図１Ａ〜図４Ｂに示す例の様に凹部２ｃの段差部に位置していることで、基体２の上面から蓋体１２までの高さをより小さくすることが可能となる。これにより、使用する第２接合材１４の量の低下および蓋体１２の高さの安定化が可能となる。また、第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄは図５Ａ〜図６Ｂに示す例の様に基体２の上面に位置している。これにより、使用する第１接合材１３の量を低減させることが可能となり、コストの低減が可能となる。また、第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄは凹部２ｃの底面に位置していることで、第３電極パッド３ｃと第４電極パッド３ｄを第２電子素子１０ｂの近傍に設けることが可能となる。よって。基体２の小型化が可能となる。
＜撮像装置の構成＞
図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａおよび図５Ｂに撮像装置２１の例を示す。撮像装置２１は、撮像素子実装用基体１と、撮像素子実装用基体１の第１実装領域４ａに実装された第１撮像素子１０ａと、撮像素子実装用基体１の第２実装領域４ｂに実装された第２撮像素子１０ｂとを備えている。第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂは、例えばＣＭＯＳ、ＣＣＤ等である。
撮像装置２１は、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂを覆うとともに撮像素子実装用基体１と接合された蓋体１２とを備えていてもよい。ここで、撮像素子実装用基体１は上面に蓋体１２を支え、撮像素子１０を取り囲むように位置した枠状体を設けてもよいし、枠状体を設けなくてもよい。また、枠状体は基体２と同じ材料から構成されていてもよいし、別の材料で構成されていてもよい。
枠状体と基体２とが同じ材料から構成されている例として例えば電気絶縁性セラミックスから成る場合がある。このとき、枠状体と基体２とは焼結して構成されるため非常に接合強度が高くなる。
また、枠状体と基体２とが別の材料から成る例として例えば枠状体が蓋体１２と基体２とを接合する第２接合材１４と同じ材料から成る場合がある。このとき、第２接合材１４を厚く設けることで、接着の効果と枠状体（蓋体１２を支える部材）としての効果を併せ持つことが可能となる。このときの第２接合材１４は例えば熱硬化性樹脂または低融点ガラスまたは金属成分を含むろう材等が挙げられる。また、枠状体と蓋体１２とが同じ材料から成る場合もあり、このときは枠状体と蓋体１２は同一個体として構成されていてもよい。
蓋体１２は、例えば、平板形状である。また、蓋体１２は、例えば撮像素子１０がＣＭＯＳ、ＣＣＤ等の撮像素子である場合ガラス材料等の透明度の高い部材、またはＩＲカットフィルタ（赤外線カットフィルタ）等が用いられる。なお、第１撮像素子１０ａの上面に位置した蓋体１２と第２撮像素子１０ｂの上面に位置した蓋体１２との高さ方向の位置は、図２Ｂ〜図３Ｂに示す例の様に、それぞれ異なる高さに位置していてもよいし、図４Ｂ〜図６Ｂに示す例の様に、同じ高さに位置していてもよい。
撮像装置２１が図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａおよび図５Ｂに示すような撮像素子実装用基体１を有することで、第１撮像素子１０ａと第２撮像素子１０ｂとが異なる画素数、または異なる機能（特性）を要求された場合においても、部分的に放熱性を向上させつつ電気特性の維持向上が可能となる。よって、よって、撮像モジュール３１で撮像した画像にノイズが発生する等のおそれを低減させることが可能となる。
ここで、第１撮像素子１０ａまたは第２撮像素子１０ｂと基体２とは樹脂等の弾性の大きい第２接合材で接着していてもよい。弾性の大きい第２接合材で接着することで、撮像装置２１の外部からかかる応力を第２接合材で吸収する事が可能となり、第１撮像素子１０ａまたは第２撮像素子１０ｂにクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。
＜撮像モジュールの構成＞
図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図６Ａおよび図６Ｂに、撮像素子実装用基体１を用いた撮像モジュール３１を示す。撮像モジュール３１は、撮像装置２１と、撮像装置２１の上面に接合された、第１実装領域４ａを取り囲む第１レンズ鏡筒１９ａと、撮像装置２１の上面に接合された、第２実装領域４ｂを取り囲む第２レンズ鏡筒１９ｂを有している。
図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図６Ａおよび図６Ｂに示す例では、撮像モジュール３１は撮像装置２１の上面に接合された、第１実装領域４ａを取り囲む第１レンズ鏡筒１９ａと、撮像装置２１の上面に接合された、第２実装領域４ｂを取り囲む第２レンズ鏡筒１９ｂを有している。
撮像モジュール３１は第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂを有することでより気密性の向上が可能となる。第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂは、例えば樹脂または金属材料等から成る鏡筒と、樹脂、液体、ガラスまたは水晶等からなる凹レンズまたは凸レンズが１個以上組み込まれているものである。また、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂは、上下左右の駆動を行う駆動装置等が付いていて、基体２と電気的に接続されていてもよい。
なお、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂは上面視において４方向の少なくとも一つの辺において開口部が位置していてもよい。そして、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂの開口部から外部回路が挿入され基体２と電気的に接続していてもよい。また第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂの開口部は、外部回路が基体２と電気的に接続された後、樹脂等の封止材等で開口部の隙間を閉じて撮像モジュール３１の内部が気密されていてもよい。
第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂを第１実装領域４ａの周囲および第２実装領域４ｂの周囲に固定する材料として例えば熱硬化性樹脂、ハンダ等のろう材が上げられる。また、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂを第１実装領域４ａおよび第２実装領域４ｂに固定する材料は導電性であってもよいし非導電性であってもよい。固定領域２ｃに固定する材料は導電性あるとき、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂに上下左右の駆動を行う駆動装置が組み込まれている場合において、基体２を介して電源および信号を外部から取り込む事が可能となる。
撮像モジュール３１は図３Ａおよび図３Ｂに示す例の様に、蓋体１２が基体２と接続していても良いし、図４Ａおよび図４Ｂに示す例の様に蓋体１２は第１のレンズ鏡筒１９ａおよび第２のレンズ鏡筒１９ｂに組み込まれていても良い。図３Ａおよび図３Ｂに示す例の様に、蓋体１２が基体２と接続していることで、蓋体１２と、第１撮像素子１０ａまたは第２撮像素子１０ｂと、基体２とで囲まれた封止空間をより気密にすることが可能となり、塵等が混入することを低減させることが可能となる。図４Ａおよび図４Ｂに示す例の様に蓋体１２は第１のレンズ鏡筒１９ａおよび第２のレンズ鏡筒１９ｂに組み込まれていることで、蓋体１２と基体２とを接合する工程における熱履歴を省略することが可能となるため、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂにかかる熱履歴によるストレスを低減させることが可能となる。
第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂとは構造、構成、性能または機構はそれぞれ異なっていても良いが、撮像素子実装用基体１に実装後の第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂの上面は断面視において同じ高さ位置に位置していることがよい。これにより、撮像モジュール３１の低背化が可能となる。また、外部機器に取り付ける際、高さ方向の調整が容易にすることが可能となり、さらに撮像モジュール３１を組み込んだ後の外部機器の低背化が可能となる。また、第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂの上面が外部機器と接するとき、例えば外部機器が落下した際等にかかる外部機器からの応力を第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂとの２つで受けることになる。よって、応力を受ける面積が大きくなることで、応力の集中を緩和することができ、第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂから応力が伝わり撮像素子実装用基体１にクラックまたは割れ等が発生することを低減させることが可能となる。
撮像モジュール３１が図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａおよび図５Ｂに示す例の様な撮像装置２１を有することにより、第２撮像素子１０ｂから第２レンズ鏡筒１９ｂの距離を大きくすることが可能となるため、第２実装領域４ｂを取り囲む第２レンズ鏡筒１９ｂはより多くの駆動装置、厚いレンズ、またはより多くのレンズを設けることができ、撮像モジュール３１の性能を向上させつつ、低背化が可能となる。
＜撮像素子実装用基体および撮像装置および撮像モジュールの製造方法＞
次に、本実施形態の撮像素子実装用基体１および撮像装置２１および撮像モジュール３１の製造方法の一例について説明する。なお、下記で示す製造方法の一例は、基体２を多数個取り配線基体を用いた製造方法である。
（１）まず、基体２を構成するセラミックグリーンシートを形成する。例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体である基体２を得る場合には、Ａｌ２Ｏ３の粉末に焼結助材としてシリカ（ＳｉＯ２）、マグネシア（ＭｇＯ）またはカルシア（ＣａＯ）等の粉末を添加し、さらに適当なバインダー、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、ドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。
なお、基体２が、例えば樹脂から成る場合は、所定の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等で成形することによって基体２を形成することができる。また、基体２は、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。この場合には、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって基体２を形成できる。
（２）次に、スクリーン印刷法等によって、上記（１）の工程で得られたセラミックグリーンシートに第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、外部回路接続用パッド、内部配線および貫通導体となる部分に、金属ペーストを塗布または充填する。この金属ペーストは、前述した金属材料から成る金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、基体２との接合強度を高めるために、ガラスまたはセラミックスを含んでいても構わない。
（３）次に、前述のグリーンシートを金型等によって加工する。基体２となるグリーンシートに、基体２の凹部２ｃとなる位置に開口部を形成する。なお、開口部を形成する工程の前に複数のセラミックグリーンシート積層体を積層した物に開口部を形成しても良いし、複数のセラミックグリーンシートに開口部を形成し、次に記載の工程によりセラミックグリーンシート積層体を作製してもよい。
（４）次に、各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層して加圧する。このことにより基体２となるセラミックグリーンシート積層体を作製する。
（５）次に、このセラミックグリーンシート積層体を約１５００℃〜１８００℃の温度で焼成して、基体２が複数配列された多数個取り配線基体を得る。なお、この工程によって、前述した金属ペーストは、基体２となるセラミックグリーンシートと同時に焼成され、第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、外部回路接続用パッド、内部配線および貫通導体となる。
（６）次に、基体２の表面に露出した第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、外部回路接続用パッド、内部配線および貫通導体に、電解めっき法または無電解めっき法を用いてめっき層を被着してもよい。めっき層として、例えば厚さ０．５μｍ〜１０μｍのＮｉめっき層を被着させるか、またはこのＮｉめっき層および厚さ０．５μｍ〜３μｍの金（Ａｕ）めっき層を順次被着させてもよい。
（７）次に、焼成して得られた多数個取り配線基体を複数の基体２に分断する。この分断においては、基体２の外縁となる箇所に沿って多数個取り配線基体に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法またはスライシング法等により基体２の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り配線基体の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り配線基体用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。
（８）次に、基体２の第１実装領域４ａに第１撮像素子１０ａを、第２実装領域４ｂに第２撮像素子１０ｂを実装し、撮像装置２１を作製する。第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂはワイヤーボンディング等で基体２と電気的に接合させる。またこのとき、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂまたは基体２に第２接合材等を設け、基体２に固定しても構わない。また、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂを基体２を実装した後、蓋体１２を第２接合材１４で接合してもよい。
（９）基体２の上面に、第１実装領域４ａを取り囲むように第１レンズ鏡筒１９ａを、第２実装領域４ｂを取り囲むように第２レンズ鏡筒１９ｂを実装する。第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂは基体２とハンダ、導電性の樹脂、非導電性の樹脂等で接合される。
以上のようにして、撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１を作製することができる。上記（１）〜（９）の工程によって、撮像装置２１および撮像モジュール３１が得られる。なお、上記（１）〜（９）の工程順番は指定されない。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による撮像モジュール３１について、図７Ａ〜図８Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像モジュール３１において、第１の実施形態の撮像モジュール３１と異なる点は、縦断面視において凹部２ｃの形状が異なっている点である。
図７Ａに凹部２ｃの最上層の端部が内側へ張り出している実施形態を示す。本実施形態の撮像素子実装用基体１は、基体２は複数の層からなり、基体２の凹部２ｃの端部は、上面から１層目が、２層目よりも凹部２ｃの内側に張り出している。
本実施形態では、撮像モジュール３１の上面から光が入射し、凹部２ｃの底面または側面で反射が起きた場合でも、凹部２ｃの端部の上面から１層目が内側に張り出していることで、反射した光が第２撮像素子１０ｂの受光面で受光される可能性を低減させることが可能となる。よって、本発明の主目的である、撮像モジュール３１の低背化を可能としつつ、撮像モジュール３１で撮像した画像に光の乱反射によるノイズの発生を低減させることができる。なお、図７Ａに示す例では、凹部は２層で構成されているが３層以上で構成されていてもよい。このとき、２層目以降の層の凹部２ｃの側面については縦断面視において２層目の凹部２ｃの側面と同じ位置に位置していても良いし、２層目の凹部２ｃの側面より内側または外側に位置していても良い。とくに、２層目以降の層にパッド等が位置しない場合は、１層目の凹部２ｃの側面よりも外側に位置させることで光の反射によるノイズの発生をより低減させることが可能となる。
ここで、内側に張り出している１層目は、例えば基体２が電気絶縁性セラミックス材から成るとき、複数層を積層し同じ位置に凹部２ｃの端部を有したブロック体（積層体）であっても良い。尚このとき、１層目の凹部２ｃの端部と２層目以降の凹部２ｃの端部とは例えば１５μｍ以上の差をもうけることで、本発明の効果をより向上させることが可能となる。
また、図７Ａに示す例の様に基体２の凹部２ｃの端部において上面から１層目が内側に張り出していることで、撮像モジュール３１において凹部２ｃに塵等が混入した場合においても、塵が第２撮像素子１０ｂの上面へ付着することを低減させることができる。よって、撮像モジュール３１で撮像した画像に塵の付着によるノイズの発生の低減が可能となる。
図７Ａに示す例の様な撮像素子実装用基体１を製造する方法としては次のような方法がある。例えば基体２が電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、基体２となるセラミックグリーンシートの所定の位置に凹部２ｃとなる部分に開口部を設ける工程において、２層目またはそれ以降の層となるセラミックグリーンシートに１層目となるセラミックグリーンシートに設けた開口部よりもより大きな開口部を設けたあと、それぞれのセラミックグリーンシートを加圧して積層し、焼成する。なお、この場合他の工程については第１の実施形態と同じである。
このとき、図７Ａに示す例の様に基体２の凹部２ｃの端部において上面から１層目が内側に張り出すように作製することで、例えば基体２が電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、上記した積層して加圧する工程において、工程誤差によりズレが発生したとしても１層目の凹部２ｃの側面より２層目以降の凹部２ｃの側面が内側へ飛び出すことを低減させることが可能となる。よって、凹部２ｃの上面視における面積（各寸法）を一定以上保つことができる為、第２電子素子１０ｂを実装する工程において、凹部２ｃに第２電子素子１０ｂが実装できなくなることを低減することが可能となる。
図７Ｂに凹部２ｃの端部の角部が円くなっている実施形態を示す。本実施形態の撮像素子実装用基体１は、基体２の凹部２ｃの端部の角部が丸くなっている。このとき、基体２の凹部２ｃの端部の角部が丸くなっていることで、第２電子素子１０ｂと基体２とが接触した場合においても第２撮像素子１０ｂにクラックが発生することを低減させることができる。または、基体２の凹部２ｃの端部が欠けてしまい、塵が発生することを低減させることが可能となる。
図７Ｂに示す例の様な撮像素子実装用基体１を製造する方法としては次のような方法がある。例えば基体２が電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、基体２となるセラミックグリーンシートの所定の位置に凹部２ｃとなる部分に開口部を設ける工程において端部が丸くなるような金型を用いて押圧して作製する方法である。また、例えば基体２が電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、基体２となるセラミックグリーンシートの所定の位置に凹部２ｃとなる部分に開口部を設ける工程、積層して加圧する工程の後、端部が丸くなるような金型を用いて押圧する工程を追加して作製する方法である。また、基体２となるセラミックグリーンシートの所定の位置に凹部２ｃとなる部分に開口部を設ける工程において使用する金型の上パンチよりも凹となっている金型の臼を大きく設ける事でも作製することが可能となる。なお、これらの場合、他の工程については第１の実施形態と同じである。
図８Ａに凹部２ｃの壁部が上面から下面に向かって小さくなるように傾斜している実施形態を示す。図８Ｂに凹部２ｃの壁部が上面から下面に向かって大きくなるように傾斜している実施形態を示す。
本実施形態の撮像素子実装用基体１は、基体２の凹部２ｃは、側壁が上端から下端にかけて傾斜している。このように、基体２の凹部２ｃの側壁が傾斜していることで、上面から入射した光が凹部２ｃの側壁で反射し第２撮像素子１０ｂの受光面に到達することを低減させることが可能となる。
図８Ａおよび図８Ｂに示す例の様な撮像素子実装用基体１を製造する方法としては次のような方法がある。例えば基体２が電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、基体２となるセラミックグリーンシートの所定の位置に凹部２ｃとなる部分に開口部を設ける工程の後に側壁が傾斜になるように作製した金型で押圧する工程を追加する方法である。なお、このとき、図８Ａに示す例については基体２の上面側から、図８Ｂに示す例については基体２の下面側からそれぞれ押圧することで、作製することが可能となる。
また、図８Ａおよび図８Ｂに示す例の様な撮像素子実装用基体１は、基体２の凹部２ｃは、図７Ａおよび図７Ｂと同様に作製されてもよい。
また、図８Ａに示す例の様な撮像素子実装用基体１は基体２となるセラミックグリーンシートの所定の位置に凹部２ｃとなる部分に開口部を設ける工程において使用する金型の凸となっている金型の上パンチよりも凹となっている金型の臼を大きく設け、基体２の上面側から打抜き、加工する事でも作成することが可能となる。
また、図８Ｂに示す例の様な撮像素子実装用基体１は基体２となるセラミックグリーンシートの所定の位置に凹部２ｃとなる部分に開口部を設ける工程において使用する金型の凸となっている金型の上パンチよりも凹となっている金型の臼を大きく設け、基体２の下面側から打抜き、加工する事でも作成することが可能となる。
また、これらの場合、他の工程については第１の実施形態と同じである。
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態による撮像モジュール３１について、図９Ａおよび図９Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像モジュール３１において、第１の実施形態の撮像モジュール３１と異なる点は、第１撮像素子１０ａと第２撮像素子１０ｂとの大きさが異なる点である。
本実施形態の撮像装置２１は、第２撮像素子１０ｂの厚み方向の大きさは第１撮像素子１０ａの厚み方向の大きさよりも大きい。つまり、第２撮像素子１０ｂは第１撮像素子１０ａと比較すると、厚み方向において大きく、かつ基体２の凹部２ｃに収まっている。凹部２ｃに第２撮像素子１０ｂが収まることで、凹部２ｃの高さの分だけ第２撮像素子１０ｂの上面の高さを低くすることが可能となり、第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂとの高さをより低い位置で揃えることが可能となる。よって、撮像モジュール３１において低背化が可能となる。
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態による撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１について、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａおよび図１１Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１において、第１の実施形態の撮像モジュール３１と異なる点は、基体２を構成する部材の１つに金属基板が使用されている点である。
図１０Ａおよび図１０Ｂに基体２の最下層が金属基板である撮像素子実装用基体１および撮像装置２１の実施形態を示す。図１１Ａおよび図１１Ｂに基体２の最下層が金属基板である撮像モジュール３１の実施形態を示す。
本実施形態の撮像素子実装用基板１の基体２は、複数の層から成っており、基体２の最下層は金属基板２ｄである。以下、複数の層からなる基体２の凹部２ｃの側面となる開口部を有する部分を枠部２ａ、金属基板を金属基板２ｄとする。なおここで、複数の層からなる基体２とは枠部２ａと金属基板２ｄの２つの層を有する物であっても良い。そのため、例えば薄膜基板等の単層からなる枠部２ａと金属基板２ｄとから成るもの、または射出形成若しくはモールディングで形成された枠部２ａと金属基板２ｄとから成るものも複数の層から成る基体２となる。
一般的に、無機材料または有機材料と比較すると金属材料は熱伝導率が高く、また無機材料または有機材料と比較すると延性が高いためより厚みを小さく設けることが可能となる。また外部機器と撮像モジュール３１が接する場合においては、撮像素子１０と外部機器との間の距離が小さい方がより放熱性を向上させることが可能となる。そのため本実施形態のように、基体２の最下層を金属基板２ｄとすることで、撮像モジュール３１が作動し第２電子素子１０ｂで発生した熱を放熱する場合、放熱するための熱伝導率を向上させつつ、第２撮像素子１０ｂから外部機器までの距離をより短くすることが可能となる。これにより、部分的（第２実装領域４ｂ）に放熱性をより向上させつつ電気特性の維持向上が可能となる。よって、撮像モジュール３１で撮像した画像にノイズが発生する等の可能性を低減させることが可能となる。
また、一般的に近年撮像素子実装用基体１は薄型化が要求されてきており、その薄型化の要求により凹部２ｃの底面も薄くなっている。このため、撮像素子実装用基体１の凹部２ｃの底面を金属基板２ｄとすることで、第２レンズ鏡筒１９ｂから応力がかかった場合においても、金属基板２ｄは延性が高いため撮像素子実装用基体１の凹部２Ｃの底面にクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。よって、撮像装置２１または撮像モジュール３１が正常に作動しないことを低減させることが可能となる。
また、撮像素子実装用基体１は撮像素子１０を複数個実装する場合があるため、１方向（例えば本実施形態ではｘ軸方向）に対しては大きくなる傾向がある。また、撮像モジュールを外部機器に搭載後、その外部機器が落下すると、その落下の振動により撮像モジュールまたは撮像素子実装用基体にうねりが発生しやすくなる場合がる。これに対して、本実施形態では撮像素子実装用基体１の凹部２ｃの底面を金属基板２ｄとすることで、撮像素子実装用基体１に発生するうねりを低減させることが可能となり、撮像素子実装用基体１にクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。
金属基板２ｄを構成する材料は例えば、高い熱伝導率を有する材料が使用される。高い熱伝導率を有する材料を使用することによって、撮像素子１０を使用する際に発生する熱または枠部２ａと金属基板２ｄとを第３接合材１５によって接合させる際に加わる熱を、金属基板２ｄ全体に広がりやすくすることができる。このことによって、第３接合材１５を硬化する工程においてむらなく硬化することが可能となる。また、撮像装置２１で発生した熱を外部に放熱しやすくすることが可能となる。
また、金属基板２ｄの材料として例えば、ステンレス（ＳＵＳ：Steel Use Stainless）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、４２アロイ、銅（Ｃｕ）または銅合金等が挙げられる。例えば、枠部２ａが約５×１０−６／℃〜１０×１０−６／℃の熱膨張率を有する酸化アルミニウム質焼結体である場合、金属基板２ｄは約１０×１０−６／℃〜１７×１０−６／℃の熱膨張率を有するステンレス（ＳＵＳ４１０またはＳＵＳ３０４等）を用いることができる。
この場合には、枠部２ａと金属基板２ｄとの熱収縮差・熱膨張差が小さくなるので、枠部２ａと金属基板２ｄとの間にかかる応力を小さくすることができ、枠部２ａまたは金属基板２ｄが変形することを低減することができる。その結果、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂと枠部２ａに固定された第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂの光軸ズレを低減することができ、画像の鮮明度を良好に維持することができる。また、枠部２ａにクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。
また、金属基板２ｄは、その材料が非磁性体であることで金属基板２ｄが第１撮像素子１０ａまたは第２撮像素子１０ｂまたはそれ以外の基体２に搭載される電子部品により磁化することを低減させることが可能となる。よって、レンズ駆動等の第１レンズ鏡筒１９ａまたは第２レンズ鏡筒１９ｂの動作を金属基板２ｄが妨げることを低減させることが可能となる。
金属基板２ｄは例えば、1辺の大きさは３ｍｍ〜１０ｃｍ程度であり、枠部２ａの大きさに追従する。また例えば、金属基板２ｄの厚みは０．０５ｍｍ以上である。
金属基板２ｄの外縁は、枠部２ａの外縁より上面視において内側または重なるに位置していても良いし、上面視において外側に位置（張り出して）していても良い。金属基板２ｄの外縁が、枠部２ａの外縁より上面視において内側または重なる位置に位置していることで、撮像素子実装用基体１の小型化が可能となる。また、金属基板２ｄの外縁が、枠部２ａの外縁より上面視において外側に位置していることで、枠部２ａに側面から応力がかかることを低減させることが可能となり、側面からの応力によるクラック等の発生を低減させることが可能となる。また、金属基板２ｄの外縁が、枠部２ａの外縁より上面視において外側に位置しているとき、第１レンズ鏡筒１９ａまたは第２レンズ鏡筒１９ｂ若しくは両方の一部は金属基板２ｄ上と接合されていてもよい。このことで、第１レンズ鏡筒１９ａまたは第２レンズ鏡筒１９ｂ若しくは両方から応力がかかったとしても、金属基板２ｄに応力を逃がすことができる為、枠部２ａにクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。
枠部２ａと金属基板２ｄとは第３接合材１５によって接合されていてもよい。第３接合材１５を構成する材料として例えば、熱硬化性樹脂またはろう材等が使用される。第３接合材１５を形成する材料として使用される熱硬化性樹脂としては例えば、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂等である。また、第３接合材１５を形成する材料として使用されるろう材としては例えば、ハンダ、鉛またはガラス等である。
第３接合材１５は例えば導電性を有していてもよい。導電性を有する第３接合材１５として例えば、銀エポキシ、はんだ、異方性導電樹脂（ＡＣＰ：Anisotropic conductive paste）または異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）等である。第３接合材１５が導電性を有することで、枠部２ａと金属基板２ｄとを電気的に接合することが可能となる。例えば枠部２ａと金属基板２ｄとを接地（グランド）電極と同電位で電気的に接合させることで、撮像素子１０を外部からのノイズから保護するシールドの役割を金属基板２ｄに持たせることが可能となる。
撮像素子実装用基体１は、枠部２ａと金属基板２ｄとの間に、樹脂材料から成る第３接合材１５を備えていてもよい。一般的に樹脂材料からなる第３接合材１５は金属材料から成るろう材と比較して柔らかい傾向にある。そのため、枠部２ａに第１レンズ鏡筒１９ａまたは第２レンズ鏡筒１９ｂから応力が加わったとしても、樹脂材料からなる第３接合材１５でその衝撃を緩和することができ、枠部２ａにクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。
また、樹脂材料から成る第３接合材１５は、比較的柔らかい傾向にある。これにより、撮像素子実装用基体１に外部機器からうねりが伝達したとしてもその動きに追従する。このため、金属基板２ｄと枠部２ａとの剥離の可能性を低減させることが可能となる。
図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａおよび図１１Ｂに示す例の様な撮像素子実装用基体１、撮像装置２１、撮像モジュール３１を製造する方法としては次のような方法がある。まず、枠部２ａが電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、枠部２ａは第１の実施形態に記載の製造方法で作成することが可能となる。
次に、金属基板２ｄは、金属材料から成る板材に、スタンピング金型を用いた打ち抜き加工またはエッチング加工等によって作製される。また、金属基板２ｄが金属材料であるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、４２アロイ、Ｃｕまたは銅合金等の金属から成る場合には、その表面にニッケルめっき層および金めっき層を被着してもよい。これにより、金属基板２ｄの表面の酸化腐食を有効に低減することができる。
次に、枠部２ａと金属基板２ｄとを第３接合材１５を用いて接合する。第３接合材１５は、ペースト状の熱硬化性樹脂（接着部材）をスクリーン印刷法またはディスペンス法等で、絶縁基板２または金属基板２ｄのいずれか一方または両方の接合面に塗布する。そして、熱硬化性樹脂を乾燥させた後、絶縁基板２と金属基板２ｄとを重ねた状態で、トンネル式の雰囲気炉またはオーブン等に通炉させ、加圧し加熱することで接合材を熱硬化させ、絶縁基板２と金属基板２ｄとを強固に接着させる。
第３接合材１５は、例えばビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型液状樹脂等からなる主剤に、球状の酸化珪素等から成る充填材、テトラヒドロメチル無水フタル酸等の酸無水物などを主とする硬化剤および着色剤としてカーボン紛末等を添加し遠心攪拌機等を用いて混合または混練してペースト状とすることによって得られる。また、第３接合材１５としては、この他にも例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、特殊ノボラック型エポキシ樹脂、フェノール誘導体エポキシ樹脂、ビスフェノール骨格型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にイミダゾール系、アミン系、リン系、ヒドラジン系、イミダゾールアダクト系、アミンアダクト系、カチオン重合系またはジシアンジアミド系等の硬化剤を添加したもの等を使用することができる。
その後、第１の実施形態に記載と同様に、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂを実装し、撮像装置２１を作製することが可能となる。最後に、第１の実施形態に記載と同様に、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂを実装し、撮像モジュール３１を作製することが可能となる。
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態による撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１について、図１２Ａおよび図１２Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１において、第４の実施形態の撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１と異なる点は、基体２の下面に金属基板２ｄが使用されている点である。
本実施形態の撮像素子実装用基体１は、基体２は複数の層からなり、枠部２ａと、枠部２ａの下面に位置した基部２ｂと、基部２ｂの下面に位置した金属基板２ｄと、から構成されている。以下、複数の層からなる基体２の凹部２ｃの側面となる開口部を有する部分を枠部２ａ、２ａの下面に位置した平板状の層を基部２ｂ、金属基板を金属基板２ｄとする。
本実施形態のように、基体２が枠部２ａと、基部２ｂと、金属基板２ｄと、から構成されていることで、第４の実施形態と比較すると、基部２ｂがあることで内部配線、特に電源またはグランドとつながる配線およびパターンをより大きく設けることが可能となる。よって、金属基板２ｄで放熱性を向上させつつ、電気特性の向上が可能となる。これにより、部分的（第２実装領域４ｂ）に放熱性を向上させつつ電気特性の維持または向上が可能となる。よって、撮像モジュール３１で撮像した画像にノイズが発生する等の可能性を低減させることが可能となる。
また、金属基板２ｄを基部２ｂの下面に設けることで、第２レンズ鏡筒１９ｂから応力がかかった場合においても、金属基板２ｄが補強の効果を有すことが可能となる。よって、撮像素子実装用基体１の凹部２ｃの底面となる基部２ｂの強度を向上させることが可能となる。よって、凹部２ｃの底面となる基部２ｂにクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。
図１２に示す例の様な撮像素子実装用基体１、撮像装置２１、撮像モジュール３１を製造する方法としては次のような方法がある。まず、枠部２ａおよび基部２ｂが電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、枠部２ａおよび基部２ｂは第１の実施形態に記載の製造方法で作成することが可能となる。次に金属基板２ｄを第４実施形態に記載の製造方法で作成する。
次に枠部２ａ、基部２ｂ、金属基板２ｄを第４実施形態に記載の製造方法で接合する。なお、枠部２ａと基部２ｂとは第１の実施形態に記載のように先に積層して加圧し、同時焼結して一体化していてもよい。
その後、第１の実施形態に記載と同様に、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂを実装し、撮像装置２１を作製することが可能となる。最後に、第１の実施形態に記載と同様に、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂを実装し、撮像モジュール３１を作製することが可能となる。
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態による撮像素子実装用基体１について、図１３Ａおよび図１３Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像モジュール３１において、第１の実施形態の撮像モジュール３１と異なる点は、基体２の一部にフレキシブル基板２ｅが使用されている点である。
本実施形態の撮像モジュール３１は、基体２は複数の層からなり、基体２の最下層はフレキシブル基板２ｅである。本実施形態のように撮像モジュール３１の基体２の最下層がフレキシブル基板２ｅであることにより、フレキシブル基板２ｅを撮像素子実装用基体１の上面で接続することに比べて小型化が可能となる。また、第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄ、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂが位置する撮像素子実装用基体１の上面と比較して下面は接続領域が確保しやすく、より低抵抗で撮像素子実装用基体１とフレキシブル基板２ｅとを接続することが可能となる。フレキシブル基板２ｅは外部機器と電気的に接続していてもよい。
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態による撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１について、図１４Ａおよび図１４Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１において、第４の実施形態の撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１と異なる点は、基体２は枠部２ａと金属基板２ｄとの間にフレキシブル基板２ｅが位置している点である。
本実施形態の撮像素子実装用基体１の基体２は複数の層から成っており、凹部２ｃの側面となる開口部を有する枠部２ａと凹部２ｃの底面となる金属基板２ｄとを有しており、枠部２ａと金属基板２ｄとの間に、凹部２ｃとなる箇所に貫通孔を有するフレキシブル基板２ｅが位置している。
本実施形態のように、基体２がその一部に凹部２ｃとなる箇所に貫通孔を有するフレキシブル基板２ｅを有していることで、外部機器と撮像素子実装用基体１とを電気的に接続しつつ、かつフレキシブル基板２ｅを介することなく第２撮像素子１０ｂと外部機器との直線距離を小さくすることが可能となる。よって、撮像モジュール３１が作動し第２電子素子１０ｂで発生した熱を放熱する場合、放熱するための熱伝導率を向上さることが可能となる。また、フレキシブル基板２ｅは一般的に内部配線として銅材料が使用されることが多い。そのため、第２撮像素子１０ｂから枠部２ａに伝わり、枠部２ａに熱がたまった場合においても、フレキシブル基板２ｅの内部配線を介して外部筐体へ放熱することも可能となる。また、銅材料からなる内部配線を有するフレキシブル基板２ｅを基体２が有することによって、基体２電気特性をより向上させることが可能となる。これにより、放熱性をより向上させつつ電気特性の維持向上が可能となる。よって、撮像モジュール３１で撮像した画像にノイズが発生することを低減させることが可能となる。
また、一般的にフレキシブル基板２ｅは柔軟性がある。よって、撮像素子実装用基体１の下面から応力がかかった場合においても、その応力をフレキシブル基板２ｅで吸収する事が可能となる。よって、枠部２ａにクラックまたは割れ等が発生することを低減させることが可能となる。また、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂからかかる応力により、金属基板２ｄが変形する事を低減することが可能となる。
本実施形態では、金属基板２ｄが補強する役割を持ち、基体２のうねりを低減させることが可能となる。よって、撮像素子実装用基板１にクラックまたは割れが発生することを低減させることが可能となる。さらに枠部２ａとフレキシブル基板２ｅとの剥離の発生を低減させることが可能となる。なお、フレキシブル基板２ｅは枠体２ａと電気的に接合しており、外部機器と電気的に接続する外部回路の役割を持っていてもよい。
フレキシブル基板２ｅは例えばベースフィルムを有している。ベースフィルムを形成する材料として例えばポリイミドフィルム等の樹脂から成る絶縁体が用いられる。また、フレキシブル基板２ｅは、ベースフィルムの上面に導電層を有している。導電層は、銅、アルミニウム、金、ニッケルまたはこれらから選ばれる少なくとも１種類以上の金属材料を含有する合金からなる。
また、導電層の露出表面に、めっき層が位置してもよい。この構成によれば、導電層の露出表面を保護して酸化を低減できる。また、この構成によれば、絶縁基板２と導電層との電気的接続の電気的接続を良好にできる。めっき層は、例えば、厚さ０．５μｍ〜１０μｍのＮｉめっき層を被着させるか、またはこのＮｉめっき層および厚さ０．５μｍ〜３μｍの金（Ａｕ）めっき層を順次被着させてもよい。さらにはめっき層上にＳｎメッキが施されていてもよい。
フレキシブル基板２ｅは、導電層の上面に位置したカバーフィルムを有している。カバーフィルムは導電層の表面保護用のフィルムであり、ポリイミドフィルム等の樹脂材料からなるフィルムの片面に第２接合材を塗布し、枠部２ａと電気的に接合される箇所以外の導電層の表面に位置している。なおこのとき、フレキシブル基板２ｅと枠部２ａとは導電性の第３接合材１５で接続されていてもよい。
また、枠部２ａとフレキシブル基板２ｅと金属基板２ｄとを接合する第３接合材１５は、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂの実装工程において加えられる熱によって変性しにくい材料からなっていてもよい。このような第３接合材１５としては、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等である。この場合には、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂの実装工程において枠部２ａと、フレキシブル基板２ｅと、金属基板２ｄと、が剥離することを良好に低減させることができる。
第３接合材１５は導電性であってもよく、枠体２ａとフレキシブル基板２ｅ、またはフレキシブル基板２ｅと金属基板２ｄとは電気的に接合していてもよい。このとき、フレキシブル基板２ｅの一部の内部配線を介して枠部２ａのグランド電位と金属基板２ｄとを同じグランド電位とすることで、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂを外部からのノイズから守るシールドの役割を金属基板２ｄに持たせることが可能となる。なお、導電性の第３接合材１５として例えば、銀エポキシ、はんだ、異方性導電樹脂（ＡＣＰ）または異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等である。また、枠体２ａとフレキシブル基板２ｅを接合する第３接合材１５と、フレキシブル基板２ｅと金属基板２ｄを接合する第３接合材１５は異なるものであってもよいし、同じものであってもよい。
また、図１４Ａおよび図１４Ｂに示す例ではフレキシブル基板２ｅの外縁の一部は上面視において枠部２ａの外縁より内側に位置している。フレキシブル基板２ｅの外縁の一部が枠部２ａの外縁と同じ位置または内側に位置していることで、撮像素子実装用基体１の外形のすべての基準を枠部２ａの外縁で統一することが可能となる。よって、撮像素子実装用基体１をより小型化することが可能となると同時に撮像素子実装用基体１の外寸を統一することが容易となる。また、フレキシブル基板２ａの外縁の一部は上面視において枠部２ａの外縁より外側に位置していてもよい。
図１４Ａおよび図１４Ｂに示す例の様な撮像素子実装用基体１、撮像装置２１、撮像モジュール３１を製造する方法としては次のような方法がある。まず、枠部２ａが電気絶縁性セラミックス材料からなるとき、枠部２ａは第１の実施形態に記載の製造方法で作製することが可能となる。次に金属基板２ｄを第４実施形態に記載の製造方法で作製する。
次に、フレキシブル基板２ｅを作製する。フレキブル基板５は、例えば、ポリイミドから成る基板の上にフォトレジスト層を形成する工程およびＤＥＳ（Development Etching Stripping）工程等で基板上に形成した回路パターンの上面にポリイミドカバーフィルムを接着する工程を経ることで作成することができる。
次に枠部２ａ、金属基板２ｄ、フレキシブル基板２ｅを接合する。その後、第１の実施形態に記載と同様に、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂを実装し、撮像装置２１を作製することが可能となる。最後に、第１の実施形態に記載と同様に、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂを実装し、撮像モジュール３１を作製することが可能となる。
（第８の実施形態）
次に、本発明の第８の実施形態による撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１について、図１５Ａおよび図１５Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１において、第１の実施形態の撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１と異なる点は、基体２は上面に第２の基体５が位置している点である。
本実施形態の撮像素子実装用基体１の基体２は上面に第２の基体５が位置しており、第２の基体５は第１実装領域４ａまたは第２実装領域４ｂもしくは第１実装領域４ａおよび第２実装領域４と上面視で重なる位置に貫通孔が位置している。このような構成においても、第２撮像素子１０ｂは第１撮像素子１０ａよりも断面視において低い位置に位置するため、凹部２ｃに実装された第２撮像素子１０ｂの上面から第２レンズ鏡筒１９ｂまでの距離を第１撮像素子１０ａと比較して大きく設けることが可能となる。このことで、第２撮像素子１０ｂにおいて第２レンズ鏡筒１９ｂの枚数を多くする、第２レンズ鏡筒１９ｂの厚みを厚くする、または第２レンズ鏡筒１９ｂに機構をつける等しても、高さ方向の大きさの増加を低減させる事が可能となる。よって、それぞれのレンズ鏡筒１９の厚みを最小限にすることができ、撮像モジュール３１の低背化が可能となる。
本実施形態のように、基体２の上面に第２の基体５を設けることで、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂの上面から、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂの距離を第２の基体５を用いて調整することが可能となる。よって、第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂの画素又は種類等が異なったとしても、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂを共通することが可能となる。よって、撮像モジュール３１のコストが増大することを低減することが可能となる。
第２の基体５を形成する材料として使用される電気絶縁性セラミックスとしては例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等が含まれる。第２の基体５を形成する材料として使用される樹脂としては例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂またはフッ素系樹脂等が含まれる。フッ素系樹脂としては例えば、ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂等が含まれる。
第２の基体５は、前述した材料から成る絶縁層を複数上下に積層して形成されていてもよい。第２の基体５を形成する絶縁層は、図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように２層の絶縁層から形成されていてもよいし、単層、３層以上の絶縁層から形成されていてもよい。
第２の基体５は、図１５Ａおよび図１５Ｂに示す例の様に基体２と同程度の大きさ且つ第１実装領域４ａおよび第２実装領域４ｂと重なる位置に貫通孔を有する構成であってもよい。この構成により、第１レンズ鏡筒１９ａおよび第２レンズ鏡筒１９ｂの両方の高さを調整することが可能となる。なおこのとき、第１レンズ鏡筒１９ａと上面視で重なる位置の第２の基体５と第２レンズ鏡筒１９ｂと上面視で重なる位置の第２の基体５との上面の位置は縦断面視において異ならせていてもよい。この構成により、共通させる第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂとをより柔軟に選択することが可能となる。
また、第２の基体５は基体２よりも小さく且つ第１実装領域４ａまたは第２実装領域４ｂのどちらかと重なる位置に貫通孔を有する構成であってもよい。この構成により、共通させる第１レンズ鏡筒１９ａと第２レンズ鏡筒１９ｂとをより柔軟に選択することが可能となる。
基体２と第２の基体５とが同じ材料から構成されていてもよく、異なる材料から構成されていてもよい。基体２と第２の基体５とが同じ材料から構成さていることで、例えば電気絶縁性セラミックスからなるとき、焼結によりより強固に接合することが可能となる。また、基体２と第２の基体５との物性を異ならせることが可能となり、製造上の効率を向上させることが可能となる。
第２の基体５は上面に補助電極パッド３ｅを有しており、基体２の上面に位置した第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄのそれぞれと電気的に接続されていてもよい。このとき、第２の基体５の内部には、内部または各絶縁層の間に形成される内部配線、内部配線同士を上下に接続する貫通導体が位置していてもよく、これら内部配線または貫通導体は、第２の基体５の表面に露出していてもよい。この内部配線または貫通導体によって、補助電極パッド３ｅと第１電極パッド３ａ、第２電極パッド３ｂ、第３電極パッド３ｃ、第４電極パッド３ｄのそれぞれと電気的に接続されていてもよい。なお、第２の基体５に補助パッド３ｅが位置するとき、第１実装領域４ａおよび第２実装領域４ｂは対応する補助パッド３ｅにより取り囲まれた部分であると考えてよい。
補助電極パッド３ｅ、第２の基体５に位置した内部配線および第２の基体５に位置した貫通導体は、第２の基体５が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）若しくは銅（Ｃｕ）またはこれらから選ばれる少なくとも１種以上の金属材料を含有する合金等から成っていてもよい。また、補助電極パッド３ｅ、第２の基体５に位置した内部配線および第２の基体５に位置した貫通導体は、第２の基体５が樹脂から成る場合には、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）若しくはチタン（Ｔｉ）またはこれらから選ばれる少なくとも１種以上の金属材料を含有する合金等から成っていてもよい。
補助電極パッド３ｅ、第２の基体５に位置した内部配線および第２の基体５に位置した貫通導体の露出表面には、めっき層が位置している。この構成によれば補助電極パッド３ｅ、第２の基体５に位置した内部配線および第２の基体５に位置した貫通導体の露出表面を保護して酸化を低減できる。また、この構成によれば、補助電極パッド３ｅと第１撮像素子１０ａまたは、第２撮像素子１０ｂとをワイヤーボンディング等の第１接合材１３を介して良好に電気的接続することができると共に、接合強度を向上させることが可能となる。めっき層は、例えば、厚さ０．５μｍ〜１０μｍのＮｉめっき層を被着させるか、またはこのＮｉめっき層および厚さ０．５μｍ〜３μｍの金（Ａｕ）めっき層を順次被着させてもよい。
図１５Ａおよび図１５Ｂに示す例の様な撮像素子実装用基体１、撮像装置２１、撮像モジュール３１を製造する方法としては次のような方法がある。基体２と第２の基体５とが同じ材料から構成されるときは、基体２と第２の基体５とを第１の実施形態に記載の製造方法で作成する。なお、このとき、基体２と第２の基体５とが電気絶縁性セラミックスであるとき、積層して加圧する工程において基体２となるセラミックグリーンシートと、第２の基体５となるセラミックグリーンシートと、を積層して加圧したのち同時に焼結して形成してもよい。またそれぞれを焼結し、作成した後で他の部材等を介して接合しても良い。なおこの時、補助電極パッド３ｅを有する場合は他の部材は導電性の物を用いることで基体２と第２の基体５とを電気的に接続することが可能となる。
基体２と第２の基体５とが異なる材料から構成されるときは、それぞれを作製した後で、他の部材等を介して接合することで作製することが可能となる。なおこのとき、補助電極パッド３ｅを有する場合は他の部材は導電性の材料を用いることで基体２と第２の基体５とを電気的に接続することが可能となる。
（第９の実施形態）
次に、本発明の第９の実施形態による撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１について、図１６を参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１において、第１の実施形態の撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１と異なる点は、基体２の第１実装領域４ａと重なる位置に第１実装領域４ａよりも小さい第２の凹部２ｆが位置しており、第２の凹部２ｆには電子部品１１が実装されている点である。
本実施形態の撮像素子実装用基体１の基体２は第１実装領域４ａと重なる位置に第１実装領域４ａよりも小さい第２の凹部２ｆが位置している。また、本実施形態の撮像装置２１は、第２の凹部２ｆには電子部品１１が収納されており、第１撮像素子１０ａは第２の凹部２ｆの一部を塞ぐように実装されている。一般的に、撮像装置３１および撮像モジュール３１は第１撮像素子１０ａおよび第２撮像素子１０ｂの他に電子部品１１を搭載されることを要求される。本構造のように、第１実装領域４ａと重なり、かつ第１実装領域４ａよりも小さい第２の凹部２ｆを基体２に設けることで、電子部品１１を第２の凹部２ｆに収めることが可能となる。よって、電子部品１１を基体２の上面に設けたときと比較して撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１の小型化が可能となる。
また、このような構成においても、第１撮像素子１０ａは基体２の上面に実装され、第２撮像素子１０ｂは第１撮像素子１０ａよりも断面視において低い位置に位置する。このため、凹部２ｃに実装された第２撮像素子１０ｂの上面から第２レンズ鏡筒１９ｂまでの距離を第１撮像素子１０ａと比較して大きく設けることが可能となる。このことで、第２撮像素子１０ｂにおいて第２レンズ鏡筒１９ｂの枚数を多くする、第２レンズ鏡筒１９ｂの厚みを厚くする、または第２レンズ鏡筒１９ｂに機構をつける等しても、高さ方向の大きさの増加を低減させる事が可能となる。よって、それぞれのレンズ鏡筒１９の厚みを最小限にすることができ、撮像モジュール３１の低背化と小型化が可能となる。
電子部品１１は例えばチップコンデンサ、インダクタ、抵抗等の受動部品、またはＯＩＳ（Optical Image Stabilization）、信号処理回路、ジャイロセンサ等の能動部品などである。これら電子部品１１はハンダ、導電性樹脂、ワイヤーボンディグ等の接合材により、基体２に位置した配線に接続されている。なお、これら電子部品１１は基体２に位置した内部配線等を介して第１撮像素子１０ａ第２撮像素子１０ｂと接続していても構わない。
撮像装置２１は、電子部品１１を実装した後、第２の凹部２ｆを封止材等を充填してもよい。このことで、第１撮像素子１０ａを実装する工程において、第１撮像素子１０ａと第２の凹部２ｆとが上面視において重なる位置で第１撮像素子１０ａが変形し、実装不良または実装時の位置ずれが発生することを低減させることが可能となる。図１５に示す例の様な撮像素子実装用基体１、撮像装置２１、撮像モジュール３１を製造する方法としては第１の実施形態に記載の製造方法における、凹部２ｃと同様の方法で第２の凹部２ｆを作製することで製造することが可能となる。
（第１０の実施形態）
次に、本発明の第１０の実施形態による撮像素子実装用基体１および撮像装置２１について、図１７Ａおよび図１７Ｂを参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基体１および撮像装置２１において、第９の実施形態の撮像素子実装用基体１および撮像装置２１と異なる点は、基体２の第１実装領域４ａと重なる位置に第１実装領域４ａよりも大きい第２の凹部２ｆが位置しており、第２の凹部２ｆと重なる位置に凹部２ｃが位置している点である。
本実施形態の撮像素子実装用基体１の基体２は第１実装領域４ａと第２実装領域４ｂと重なる位置に第２の凹部２ｆが位置しており、凹部２ｃは第２の凹部２ｆの内側に位置している。また、本実施形態の撮像装置２１は、第２の凹部２ｆには電子部品１１が収納されており、第１撮像素子１０ａは第２の凹部２ｆの一部を塞ぐように実装されている。本実施形態においても、電子部品１１を基体２の上面に設けたときと比較して撮像素子実装用基体１、撮像装置２１および撮像モジュール３１の小型化が可能となる。また、このような構成においても、第１撮像素子１０ａは基体２の上面に実装され、第２撮像素子１０ｂは第１撮像素子１０ａよりも断面視において低い位置に位置するため、凹部２ｃに実装された第２撮像素子１０ｂの上面から第２レンズ鏡筒１９ｂまでの距離を第１撮像素子１０ａと比較して大きく設けることが可能となる。このことで、第２撮像素子１０ｂにおいて第２レンズ鏡筒１９ｂの枚数を多くする、第２レンズ鏡筒１９ｂの厚みを厚くする、または第２レンズ鏡筒１９ｂに機構をつける等しても、高さ方向の大きさの増加を低減させる事が可能となる。よって、それぞれのレンズ鏡筒１９の厚みを最小限にすることができ、撮像モジュール３１の低背化と小型化が可能となる。
なお、本発明は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、数値などの種々の変形は可能である。なお、本実施形態における特徴部の種々の組み合わせは上述の実施形態の例に限定されるものではなく、各実施形態は内容に矛盾をきたさない限り組み合わせ可能である。
１・・・・撮像素子実装用基体
２・・・・基体
２ａ・・・枠部
２ｂ・・・基部
２ｃ・・・凹部
２ｄ・・・金属基板
２ｅ・・・フレキシブル基板
２ｆ・・・第２の凹部
３・・・・電極パッド
３ａ・・・第１電極パッド
３ｂ・・・第２電極パッド
３ｃ・・・第３電極パッド
３ｄ・・・第４電極パッド
３ｅ・・・補助電極パッド
４・・・・実装領域
４ａ・・・第１実装領域
４ｂ・・・第２実装領域
５・・・・第２の基体
９・・・・外部回路接続用パッド
１０・・・撮像素子
１０ａ・・第１撮像素子
１０ｂ・・第２撮像素子
１１・・・電子部品
１２・・・蓋体
１３・・・第１接合材
１４・・・第２接合材
１５・・・第３接合材
１９・・・レンズ鏡筒
１９ａ・・第１レンズ鏡筒
１９ｂ・・第２レンズ鏡筒
２１・・・撮像装置
３１・・・撮像モジュール

Claims (10)

  1. 上面および該上面に開口した第１の凹部を有し、
    前記上面に位置し、第１撮像素子が実装される第１実装領域と、前記第１の凹部の底面に位置し、第２撮像素子が実装される第２実装領域と、上面視で前記第１実装領域と前記第２実装領域との間に位置する第１部と、を有する基体と、
    前記上面に位置し、それぞれ第１撮像素子に繋がる第１電極パッドおよび第２電極パッドと、
    前記第１の凹部の周囲に位置し、それぞれ第２撮像素子に繋がる第３電極パッドおよび第４電極パッドと、を備え、
    前記第１部は、前記基体の下面からの距離が、前記下面から前記第１実装領域までの距離と同等の部分を有することを特徴とする、撮像素子実装用基体。
  2. 前記基体は、複数の層を含んでおり、前記基体の最下層は金属基板であることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子実装用基体。
  3. 前記基体の前記第１の凹部の端部の角部が丸いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像素子実装用基体。
  4. 前記基体は複数の層を含んでおり、前記基体の前記第１の凹部の端部は、上面から１層目が、２層目よりも前記第１の凹部の内側に張り出していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の撮像素子実装用基体。
  5. 前記第１の凹部は、側壁が上端から下端にかけて傾斜していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の撮像素子実装用基体。
  6. 前記基体は、前記基体の上面に第３の凹部を更に有するとともに、前記第１の凹部は、前記第３の凹部の底面に位置しており、
    前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドは、前記基体の上面に位置し、前記第３電極パッドおよび前記第４電極パッドは、前記第３の凹部の底面に位置することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の撮像素子実装用基体。
  7. 前記基体は、前記第１実装領域と重なる位置に第２の凹部を有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の撮像素子実装用基体。
  8. 前記第２の凹部の底面には、電子部品が実装されることを特徴とする請求項７に記載の撮像素子実装用基体。
  9. 請求項１〜８のいずれか１つに記載の撮像素子実装用基体と、
    前記撮像素子実装用基体の前記第１実装領域に実装された第１撮像素子と、
    前記撮像素子実装用基体の前記第２実装領域に実装された第２撮像素子と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
  10. 請求項９に記載の撮像装置と、
    前記撮像装置の上面に接合された、前記第１実装領域を取り囲む第１レンズ鏡筒と、
    前記撮像装置の上面に接合された、前記第２実装領域を取り囲む第２レンズ鏡筒と、を備えたことを特徴とする撮像モジュール。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018120299A1 (zh) * 2016-12-27 2018-07-05 华为技术有限公司 一种摄像头基板组件、摄像头模组及终端设备
KR20190029171A (ko) * 2017-09-12 2019-03-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 모듈
CN112189260A (zh) * 2018-05-28 2021-01-05 索尼半导体解决方案公司 成像装置
TWI754098B (zh) * 2018-09-21 2022-02-01 先進光電科技股份有限公司 光學成像模組
US10917544B2 (en) * 2019-04-30 2021-02-09 Gopro, Inc. Heat transfer between integrated sensor-lens assemblies in an image capture device
JP7242870B2 (ja) * 2019-08-29 2023-03-20 京セラ株式会社 実装基板および電子装置
US11778293B2 (en) * 2019-09-02 2023-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Mounting substrate to which image sensor is mounted, sensor package and manufacturing method thereof
US12087874B2 (en) * 2019-10-30 2024-09-10 Kyocera Corporation Mounting board, electronic device, and electronic module
JP7551304B2 (ja) * 2020-03-05 2024-09-17 キヤノン株式会社 半導体装置及び機器
WO2021260863A1 (ja) * 2020-06-24 2021-12-30 オリンパス株式会社 電子モジュール、電子モジュールの製造方法および内視鏡
US12426392B1 (en) * 2021-01-15 2025-09-23 Apple Inc. Substrate with recesses for components placement
TWI819452B (zh) * 2021-12-30 2023-10-21 同欣電子工業股份有限公司 感測器封裝結構
US20250221079A1 (en) * 2022-03-30 2025-07-03 Kyocera Corporation Wiring board and semiconductor device
JP7842644B2 (ja) * 2022-06-07 2026-04-08 日本放送協会 半導体デバイス及びその製造方法
US20240072002A1 (en) * 2022-08-23 2024-02-29 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices, assemblies, and associated methods
JPWO2024053466A1 (ja) * 2022-09-09 2024-03-14

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4359072B2 (ja) * 2002-05-07 2009-11-04 三井化学株式会社 固体撮像素子装着用パッケージ
JP2005135977A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2005292242A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置および撮像装置の製造方法
JP2007150034A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Kyocera Corp 絶縁基体および該絶縁基体を備える電子装置
JP2007306282A (ja) 2006-05-11 2007-11-22 Citizen Electronics Co Ltd カメラモジュール
JP5964858B2 (ja) 2011-11-30 2016-08-03 京セラ株式会社 撮像素子収納用パッケージおよび撮像装置
WO2014115766A1 (ja) * 2013-01-22 2014-07-31 京セラ株式会社 電子素子搭載用パッケージ、電子装置および撮像モジュール
CN104412381B (zh) * 2013-01-31 2018-01-09 京瓷株式会社 电子元件搭载用基板、电子装置以及摄像模块
JP6151572B2 (ja) 2013-05-30 2017-06-21 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板および電子装置
JP2015185622A (ja) * 2014-03-22 2015-10-22 京セラ株式会社 電子素子実装用基板及び電子装置
JP6408341B2 (ja) 2014-10-29 2018-10-17 京セラ株式会社 撮像素子実装用基板、撮像装置および撮像モジュール
JP6363495B2 (ja) 2014-12-25 2018-07-25 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
US10750071B2 (en) * 2016-03-12 2020-08-18 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module with lens array arrangement, circuit board assembly, and image sensor and manufacturing method thereof

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