JP6808092B2 - 増幅器 - Google Patents

増幅器 Download PDF

Info

Publication number
JP6808092B2
JP6808092B2 JP2020515382A JP2020515382A JP6808092B2 JP 6808092 B2 JP6808092 B2 JP 6808092B2 JP 2020515382 A JP2020515382 A JP 2020515382A JP 2020515382 A JP2020515382 A JP 2020515382A JP 6808092 B2 JP6808092 B2 JP 6808092B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
input
transistor
amplifier transistor
matching circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020515382A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019207700A1 (ja
Inventor
修一 坂田
修一 坂田
新庄 真太郎
真太郎 新庄
圭吾 中谷
圭吾 中谷
山中 宏治
宏治 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPWO2019207700A1 publication Critical patent/JPWO2019207700A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6808092B2 publication Critical patent/JP6808092B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、ドハティ増幅器に関するものである。
非特許文献1には、従来のドハティ増幅器が開示されている。従来のドハティ増幅器は、入力端子、出力端子、キャリア増幅器、ピーク増幅器、キャリア増幅器の出力端子に接続される電気長90度を有する負荷変調線路、ピーク増幅器の出力端子に接続される電気長180度の整数(n)倍を有する周波数補償線路、負荷変調線路の出力電力と周波数補償線路の出力電力とを合成する出力合成器、出力合成器と出力端子とに接続される出力整合回路、キャリア増幅器の入力側に負荷変調線路及び周波数補償線路が有する電気長の差分(180°×n−90°)の電気長を有する入力位相調整線路、入力信号を分配する入力分配器を備える。ここでキャリア増幅器とピーク増幅器はいずれも内部にトランジスタと出力整合回路と入力整合回路を備える。
従来のドハティ増幅器では、ピーク増幅器の動作が停止しているバックオフ動作時において、キャリア増幅器の出力端子からピーク増幅器の出力端子側をみた出力インピーダンスがオープンとなるため、周波数補償線路は、出力合成器のピーク増幅器側には電気長180度の整数(n)倍を有するオープンスタブと等価となる。この等価的なオープンスタブが、出力整合回路により生じた周波数依存性を打ち消す方向に働くため、広帯域整合が実現する。
J. H. Qureshi, et. al, “A 700−W Peak Ultra−Wideband Broadcast Doherty Amplifier”, IEEE International Microwave Symposium, 2014.
従来のドハティ増幅器は上記のように構成されているので、電気長90度を有する負荷変調線路、電気長180度の整数(n)倍を有する周波数補償線路、及び負荷変調線路と周波数補償線との差分(180°×n−90°)の電気長を有する入力位相調整線路が必要であり、回路サイズが大型化するという課題があった。
本発明のドハティ増幅器は、入力信号を分配して出力する入力分配器と、キャリア増幅器用入力整合回路と、入力位相調整線路と、ピーク増幅器用入力整合回路と、入力分配器により分配された入力信号が、キャリア増幅器用入力整合回路を介して入力されるキャリア増幅器用トランジスタと、入力分配器により分配された入力信号が、入力位相調整線路及びピーク増幅器用入力整合回路を介して入力されるピーク増幅器用トランジスタと、キャリア増幅器用トランジスタの出力端子とピーク増幅器用トランジスタの出力端子との間に接続される伝送線路と、ピーク増幅器用トランジスタの出力端子に並列接続され、使用周波数帯で高周波側において容量性となり、低周波側において誘導性となるスタブと、ピーク増幅器用トランジスタの出力端子及び伝送線路と出力負荷とに接続され、出力負荷のインピーダンスを出力負荷よりも低いインピーダンスに変換する出力整合回路とを備える。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、回路サイズが大型化することなく、ドハティ動作の広帯域化が可能となる増幅器を得ることを目的とする。
この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器の一構成例を示す回路図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器における負荷変調線路10の原理を説明する等価回路図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器の出力部分を示した等価回路図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器のバックオフ動作時の動作を説明する等価回路図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器のバックオフ動作時におけるインピーダンス変成を説明する図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてオープンスタブ12の電気長を0度、180度、360度と変化させた時のインピーダンスの変化を示す図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてバックオフ時にキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力負荷側を見た反射特性(dB(Γ2,BO)))の周波数依存性を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る広帯域ドハティ増幅器においてピーク増幅器が動作している飽和動作時のインピーダンスを説明する図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器における飽和動作時のインピーダンス変成を説明した図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてオープンスタブ12の電気長を0度、180度、360度と変化させた時の飽和時のキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性(dB(Γ2,sat))の周波数依存性を説明する図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてバックオフ時にキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性の周波数依存性を、オープンスタブ12の特性インピーダンスを変化させて計算した図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器において、オープンスタブ12の電気長が325°、345°である場合のバックオフ時におけるキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性の周波数依存性を示す図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器において、オープンスタブ12の電気長が375°、395°である場合のバックオフ時におけるキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性の周波数依存性を示す図である。 この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器におけるショートスタブの例を示す図である。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器の一構成例を示す回路図である。この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器は、高周波信号入力端子1、高周波信号出力端子2、キャリア増幅器用トランジスタ3、ピーク増幅器用トランジスタ4、入力分配器5、キャリア増幅器用入力整合回路6、入力位相調整線路7、ピーク増幅器用入力整合回路、キャリア増幅器用トランジスタのドレイン端子9(キャリア増幅器用トランジスタのドレイン端子の一例)、負荷変調線路10(伝送線路の一例)、ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子11(ピーク増幅器用トランジスタの出力端子の一例、出力合成点とも言う)、オープンスタブ12(スタブの一例)、出力整合回路13を備える。
入力端子1は、本ドハティ増幅器の入力信号が入力される端子である。入力端子1は、入力分配器5に接続される。例えば、入力信号として変調帯域幅が広く、ピーク対平均電力比(Peak−to−Average Power Ratio: PAPR)が大きなWCDMA (Wideband Code Division Multiple Access:登録商標) 信号やLTE(Long Term Evolution)信号が入力される。
出力端子2は、出力負荷に接続され、本ドハティ増幅器で増幅された出力信号が出力される端子である。出力端子2は、出力整合回路13に接続される。
キャリア増幅器用トランジスタ3は、バックオフ時において入力端子1から入力される入力信号を増幅するトランジスタである。キャリア増幅器用トランジスタ3は、真性か寄生かを問わず出力容量を有する。キャリア増幅器用トランジスタ3は、一般的にA級、もしくはAB級にバイアスされる。例えば、キャリア増幅器用トランジスタ3は、バイポーラトランジスタ、電界効果型トランジスタ(FET: Field Effect Transistor)などが用いられる。
ピーク増幅器用トランジスタ4は、バックオフ時には動作せず、飽和時に動作し、飽和時において入力端子1から入力される入力信号を増幅するトランジスタである。ピーク増幅器用トランジスタ4は、真性か寄生かを問わず出力容量を有する。ピーク増幅器用トランジスタ4は、一般的にC級にバイアスされる。例えば、ピーク増幅器用トランジスタ4は、バイポーラトランジスタ、電界効果型トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)などが用いられる。
入力分配器5は、入力信号を2分配し、分配した信号をキャリア増幅器用トランジスタ3及びピーク増幅器用トランジスタ4に出力する分配器である。例えば、入力分配器5はウィルキンソン分配器が用いられる。
キャリア増幅器用入力整合回路6は、キャリア増幅器用トランジスタ3の入力整合を行う整合回路である。例えば、キャリア増幅器用入力整合回路6は直列インダクタと並列コンデンサから構成されるローパスフィルタ型整合回路、ハイパス型整合回路、バンドパス型整合回路などが用いられる。
入力位相調整線路7は、キャリア増幅器用トランジスタ3に対してピーク増幅器用トランジスタ4に入力される信号の位相を調整する線路である。例えば、入力位相調整線路7はマイクロストリップ線路が用いられる。
ピーク増幅器用入力整合回路8は、ピーク増幅器用トランジスタ4の入力整合を行う整合回路である。例えば、ピーク増幅器用入力整合回路8は直列インダクタと並列コンデンサから構成されるローパスフィルタ型整合回路、ハイパス型整合回路、バンドパス型整合回路などが用いられる。
キャリア増幅器用トランジスタのドレイン端子9は、キャリア増幅器用トランジスタ3の出力端子である。キャリア増幅器用トランジスタのドレイン端子9は、キャリア増幅器用トランジスタ3に対する出力整合回路等を介さず、直接、キャリア増幅器用トランジスタに接続される端子である。
負荷変調線路10は、本ドハティ増幅器においてキャリア増幅器用トランジスタ3の負荷変調を行う線路である。負荷変調線路10は、キャリア増幅器用トランジスタのドレイン端子9とピーク増幅器用トランジスタ4のドレイン端子とに直接、接続される。負荷変調線路10は、その電気長が90°未満であって、その特性インピーダンスは、キャリア増幅器用トランジスタ3の出力抵抗より大きい。例えば、負荷変調線路10は、マイクロストリップ線路が用いられる。
ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子11は、ピーク増幅器用トランジスタ4の出力端子である。ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子11は、ピーク増幅器用トランジスタ4に対する出力整合回路等を介さず、直接、ピーク増幅器用トランジスタ4に接続される端子である。
オープンスタブ12は、ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子11に並列に直接、接続されるスタブである。オープンスタブ12は、使用周波数においてその電気長が90°の整数倍であり、使用周波数帯において誘導性及び容量性の両方を有する。また、オープンスタブ12は、使用周波数帯においてオープンとなる周波数を有する。例えば、オープンスタブ12は、180°の整数倍のオープンスタブ、またはオープンスタブの代わりに90°の整数倍のショートスタブが用いられる。
出力整合回路13は、出力端子2に接続される出力負荷を出力負荷より低いインピーダンスに変成する整合回路である。出力整合回路13は、ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子11から出力端子2側を見たインピーダンスが使用周波数帯において誘導性及び容量性の両方を有するように、出力負荷50Ωを50Ωより低いインピーダンスに変換する。
次に実施の形態1に係るドハティ増幅器の動作について説明する。
バックオフ時の動作と飽和時の動作とに分けて説明する。
バックオフ時、つまりピーク増幅器が動作していない場合、入力端子1から入力された高周波信号は、入力分配器5により分配される。分配された信号の内、キャリア増幅器側に分配された信号はキャリア増幅器用トランジスタ3により増幅され、キャリア増幅器用トランジスタ3のドレイン端子9に出力される。
ピーク増幅器側に分配された信号はピーク増幅器が動作していないため、ピーク増幅器用トランジスタ4で反射、もしくは吸収され、ピーク増幅器用トランジスタ4のドレイン端子11に信号は出力されない。
図2は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器における負荷変調線路10の原理を説明する等価回路図である。図2の下の伝送線路(θc1、Zc1)が、負荷変調線路10に相当し、C1がキャリア増幅器用トランジスタ3及びピーク増幅器用トランジスタ4の出力容量に相当する。図2に示すように、電気長90度の伝送線路(Z)は、並列コンデンサと伝送線路で構成された回路で等価的に表すことが可能である。ここで中心周波数をf、電気長90度線路の特性インピーダンスをZC、伝送線路の電気長と特性インピーダンスをそれぞれθC1、ZC1、並列コンデンサの値をC1とした場合、θC1とZC1は以下の式で表される。
[数1]
Figure 0006808092
[数2]
Figure 0006808092
トランジスタには、寄生容量が必ず含まれるためトランジスタの寄生容量をC1、トランジスタの出力インピーダンスの実部(Ropt)をZCとするとθC1とZC1は一意に決定され、θC1は必ず90度未満、ZC1はトランジスタの出力インピーダンスの実部(Ropt=ZC)より大きくなる。言い換えれば、これは、電気長が90°未満の負荷変調線路10は、キャリア増幅器用トランジスタ3の出力容量及びピーク増幅器用トランジスタ4の出力容量を考慮すると等価的に電気長が90°の線路とみなせることを意味する。この際、等価的な伝送線路の特性インピーダンスZは、負荷変調線路10の特性インピーダンスZ c1 より低くなる。なお、トランジスタの出力容量は、厳密には真性容量と寄生容量とに分けられるが、寄生容量が大きい場合、出力容量≒寄生容量となる。
図3は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器の出力部分を示した等価回路図である。図3では、キャリア増幅器用トランジスタ3を飽和時の出力インピーダンス(Ropt)、電流源31、出力容量32で等価的に示している。図3に示すようにトランジスタの出力容量32を利用し、90度未満の電気長θC1と特性インピーダンスZC1を有する伝送線路で接続した場合、キャリア増幅器用トランジスタ3及びピーク増幅器用トランジスタ4の内部において、キャリア増幅器用トランジスタ3とピーク増幅器用トランジスタ4とをドハティ動作に必要な電気長90度線路で接続したことと等価となる。
その結果、トランジスタ間に電気長90度未満の負荷変調線路10を用いて、ドハティ動作が可能となる。
図4は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器のバックオフ動作時の動作を説明する等価回路図である。ピーク増幅器用トランジスタ4のドレイン端子11にオープンスタブ12と電気長90度未満の負荷変調線路10とが接続されているため、ピーク増幅器用トランジスタ4の出力容量42を図4に示すようにピーク増幅器用トランジスタ4の出力側からキャリア増幅器用トランジスタ3の出力側に動かしても、両者は電気的に等価である。
バックオフ時においてピーク増幅器用トランジスタ4は動作していないため、ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子11からピーク増幅器用トランジスタ4を見たインピーダンスはオープン(開放)となる。バックオフ時においてピーク増幅器用トランジスタ4は無視できるので、オープンスタブ12がない場合、出力合成点(ここでは、ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子11)から出力整合回路13を見たインピーダンス(Z 0 と負荷変調線路10の出力端子(図4の11aに対応)から出力整合回路13を見たインピーダンス(Z1,BO)は等価である。
図5は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器のバックオフ動作時におけるインピーダンス変成を説明する図である。
図5のスミスチャートは50Ωで規格化されている。出力整合回路13は、出力負荷50Ωを出力負荷50Ωより低いインピーダンスに変成するので、図5に示すように、出力合成点(ピーク増幅器用トランジスタ3のドレイン端子11)から出力負荷側を見込んだインピーダンスZは、低周波側で容量性であり、高周波側で誘導性となり、使用周波数帯の中心周波数でRopt/2となる。
オープンスタブ12(ここでは電気長180°のオープンスタブとする)は使用周波数帯で高周波側において容量性となり、低周波側において誘導性となるため、負荷変調線路10の出力端子(図4の11aに対応)からオープンスタブ12及び出力整合回路13側を見たインピーダンスZ1,BOは、オープンスタブ12により周波数特性が補償され、図7に示すようにZよりもスミスチャートの中心に近づく。このように、オープンスタブ12により、広帯域化を図ることが出来る。
図2及び図3で示したように、負荷変調線路10はキャリア増幅器用トランジスタ3の出力容量32及びピーク増幅器用トランジスタ4の出力容量42とともに90°線路を構成するので、負荷変調線路10は、Z1,BOをZ2,BO(キャリア増幅器用トランジスタの電流源31から負荷変調線路10側を見たインピーダンス)に変換する。
図5に示すように、オープンスタブ12がない場合に比べてオープンスタブ12がある場合は、Z2,BOの周波数特性を小さくなる。
このように、バックオフ動作時において、オープンスタブ12(ここでは電気長180°のオープンスタブとする)がある場合、中心周波数ではそのインピーダンスがオープンになり、高周波側で容量性、低周波側で誘導性となるため、出力整合回路13により付加された周波数依存性を補償できるので、広帯域特性を実現できる。
図6は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてオープンスタブ12の電気長を0度、180度、360度と変化させた時のインピーダンスの変化を示す図である。図6に示すように電気長を長くすることにより、補正量を増加させることができ、広帯域性が拡大する。
図7は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてバックオフ時にキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力負荷側を見た反射特性(dB(Γ2,BO)))の周波数依存性を示す図である。
図7は図6と異なり、2Roptで規格化した場合の反射特性を示している。図7より、オープンスタブ12の電気長を長くすることにより広帯域性が拡大できることがわかる。
次に、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器の飽和動作時の動作について説明する。
図8は、この発明の実施の形態1に係る広帯域ドハティ増幅器においてピーク増幅器が動作している飽和動作時のインピーダンスを説明する図である。
本実施の形態1では同じサイズのトランジスタをキャリア増幅器用トランジスタ3とピーク増幅器用トランジスタ4に使用している場合を想定しているため、両トランジスタから流れる電流は等しい。したがって、負荷変調線路10、キャリア増幅器用トランジスタの出力容量32、ピーク増幅器用トランジスタの出力容量42から等価的に構成される伝送線路の特性インピーダンス(図2、図3参照)がRoptと等しい場合、中心周波数において図8のZ0、Z1,sat、Z3,satは以下の関係となる。
[数3]
Figure 0006808092
図9は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器における飽和動作時のインピーダンス変成を説明した図である。
図9のスミスチャートは50Ωで規格化されている。図9に示すように、出力整合回路13で、Zは中心周波数で50Ωよりも低いインピーダンスRoptとなるように設計される。50Ωよりも低いインピーダンスに変性されるため、Zは高周波側では誘導性、低周波側では容量性となる。
電気長180度の整数(n)倍を有するオープンスタブ12がある場合、バックオフ動作時と同様にオープンスタブ12は中心周波数ではそのインピーダンスがオープン、高周波側で容量性、低周波側で誘導性となるため、高周波側では誘導性、低周波側では容量性となるZの周波数依存性を補償することができ、Z1,satの周波数依存性は小さくなる。
キャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力負荷を見込んだインピーダンス(Z2,sat)は、負荷変調線路10と出力容量32、42によりインピーダンス変換されるが、周波数依存性が小さくなったZ1,satを変換するので、Z2,satの周波数依存性も小さくなる。
図9に示すように、キャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見込んだインピーダンス(Z2,sat)及びピーク増幅器用トランジスタの電流源41から出力整合回路13側を見込んだインピーダンス(Z3,sat)は、オープンスタブ12があることで、周波数依存性が小さくなっている。これは、出力整合回路13が出力負荷50Ωをインピーダンス変換することにより生じるインピーダンスの周波数特性をオープンスタブ12が補償するためである。
より詳細に言えば、出力整合回路13が出力負荷50Ωをインピーダンス変換すると、そのインピーダンスは、使用周波数帯において低周波側で容量性となり、高周波側で誘導性となる。これに対してオープンスタブ12は、使用周波数帯において低周波側で誘導性となり、高周波側で容量性となる。したがって、オープンスタブ12は、出力整合回路13がインピーダンス変換することにより生じた周波数特性を補償することになる。
これにより、飽和動作時においてキャリア増幅器用トランジスタ3とピーク増幅器用トランジスタ4の両方で広帯域整合を実現することができる。
図10は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてオープンスタブ12の電気長を0度、180度、360度と変化させた時の飽和時のキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性(dB(Γ2,sat))の周波数依存性を説明する図である。
図10は、Roptで規格化した場合の反射特性を示している。図10より、オープンスタブの電気長を長くすることにより広帯域性を拡大できることが分かる。
次に本発明のドハティ増幅器のサイズについて説明する。本発明の広帯域ドハティ増幅器は従来のドハティ増幅器(非特許文献)と比較して、従来のドハティ増幅器で必要であるキャリア増幅器用出力整合回路とピーク増幅器用出力整合回路を取り除くことができる。
また、ドハティ動作に必要な負荷変調線路10と、オープンスタブ12または周波数補償線路と、入力位相調整線路7との電気長の総和(θSUM)について、従来の広帯域ドハティ増幅器の場合、式(4)に示すような値であるが、本発明のドハティ増幅器は式(5)に示す値の範囲となるため、電気長の総和(θSUM)を小さくすることができる。ここで、nは整数である。
[数4]
Figure 0006808092
[数5]
Figure 0006808092
従来のドハティ増幅器では、ピーク増幅器に対して周波数補償線路を直列に接続しなくてはならないため、n=2の場合、入力位相調整線路の電気長は270°と長くなってしまう。
これに対して、本発明は、ピーク増幅器用トランジスタ4に対してオープンスタブ12は並列(シャント)に接続されるため、入力位相調整線路の電気長は90°のままであり、従来のドハティ増幅器と比較して電気長を短くできる。また、従来のドハティ増幅器は、周波数補償線路を直列に接続しなくてはならないため、入力端子1から出力端子2までの長さが長くなってしまうが、本発明のドハティ増幅器は、オープンスタブ12はピーク増幅器用トランジスタ4に対して並列(シャント)に接続されるため、上記の長さを短くできる。
以上で明らかなように、この発明の実施の形態1によれば、出力整合回路13により生じる周波数特性をオープンスタブ12で補償できるので、バックオフ動作時と飽和動作時の両方において広帯域化を図ることができる。
なお、電気長180度の整数(n)倍を有するオープンスタブ12の特性インピーダンスはある一つの値を想定しているが、任意の値であってもよい。
図11は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器においてバックオフ時にキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性の周波数依存性を、オープンスタブ12の特性インピーダンスを変化させて計算した図である。
図11ではオープンスタブの特性インピーダンスをトランジスタの飽和時の出力インピーダンスの実部(Ropt)で規格化している。図11に示すようにオープンスタブの特性インピーダンスを小さくするほど広帯域性が拡大していることが分かる。
なお、上記実施の形態1では、オープンスタブ12の電気長は、使用数する周波数の180度の整数(n)倍を想定しているが、その電気長は使用する周波数の180度の整数(n)倍から前後35度程度増減しても、使用周波数帯域内において容量性と誘導性とを有すれば、スタブを使用しない場合と比較して広帯域性が拡大する。
図12は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器において、オープンスタブ12の電気長が325°、345°である場合のバックオフ時におけるキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性の周波数依存性を示す図である。
図12より360度より短い325度と345度の電気長を持つスタブ有りの場合とスタブなしの場合を比較すると−15dB以下の反射が取れている帯域が拡大していることがわかる。
図13は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器において、オープンスタブ12の電気長が375°、395°である場合のバックオフ時におけるキャリア増幅器用トランジスタの電流源31から出力整合回路13側を見た反射特性の周波数依存性を示す図である。
図13に示すように、360度より長い395度と375度の電気長を持つスタブ有りの場合とスタブなしの場合を比較すると−15dB以下の反射が取れている帯域が拡大していることがわかる。
さらに、上記実施の形態1では、オープンスタブ12は、電気長180度の整数(n)倍を有するオープンスタブで構成されるものを想定しているが、電気長180度の整数(n)倍から90度短い電気長を持つ伝送線路と中心周波数でショートとなる片方が短絡されたコンデンサを有するショートスタブであっても良い。
図14は、この発明の実施の形態1に係るドハティ増幅器におけるショートスタブの例を示す図である。
図14に示すショートスタブのインピーダンスは、電気長180度の整数(n)倍を有するオープンスタブと同様に、中心周波数でオープン、高周波側で容量性、低周波側で誘導性となるため、出力整合回路で付加された周波数依存性を補償し、広帯域性を実現することができる。
なお、ショートスタブの伝送線路の電気長は、使用する周波数の180度の整数(n)倍から90度短いことを想定しているが、上記で説明したようにそこから前後35度程度増減しても、使用周波数帯で誘導性及び容量性を有すれば、スタブを使用しない場合と比較して広帯域性が拡大する。
本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
1 入力端子、2 出力端子、3 キャリア増幅器用トランジスタ、4 ピーク増幅器用トランジスタ、5 入力分配器、6 キャリア増幅器用入力整合回路、7 入力位相調整線路、8 ピーク増幅器用入力整合回路、9 キャリア増幅器用トランジスタのドレイン端子、10 負荷変調線路、11 ピーク増幅器用トランジスタのドレイン端子(出力合成点)、11a 負荷変調線路の出力端子、12 オープンスタブ、13 出力整合回路、14 伝送線路、15 コンデンサ、31 キャリア増幅器用トランジスタの電流源、32 キャリア増幅器用トランジスタ3の出力容量、41 ピーク増幅器用トランジスタ4の電流源、42 ピーク増幅器用トランジスタの出力容量。

Claims (5)

  1. 入力信号を分配して出力する入力分配器と、
    キャリア増幅器用入力整合回路と、
    入力位相調整線路と、
    ピーク増幅器用入力整合回路と、
    前記入力分配器により分配された入力信号が、前記キャリア増幅器用入力整合回路を介して入力されるキャリア増幅器用トランジスタと、
    前記入力分配器により分配された入力信号が、前記入力位相調整線路および前記ピーク増幅器用入力整合回路を介して入力されるピーク増幅器用トランジスタと、
    前記キャリア増幅器用トランジスタの出力端子と前記ピーク増幅器用トランジスタの出力端子との間に接続される伝送線路と、
    前記ピーク増幅器用トランジスタの出力端子に並列接続され、使用周波数帯で、高周波側において容量性となり、低周波側において誘導性となるスタブと、
    前記ピーク増幅器用トランジスタの出力端子及び前記伝送線路と出力負荷とに接続され、前記出力負荷のインピーダンスを前記出力負荷よりも低いインピーダンスに変換する出力整合回路と、
    を備えたことを特徴とするドハティ増幅器。
  2. 前記伝送線路は、その電気長が90°未満であることを特徴とする請求項1に記載のドハティ増幅器。
  3. 前記伝送線路は、その特性インピーダンスが前記キャリア増幅器用トランジスタの出力インピーダンスの実部より高いことを特徴とする請求項2に記載のドハティ増幅器。
  4. 前記スタブは、前記使用周波数帯のうちの一つの周波数でその電気長が180°の整数倍であるオープンスタブであることを特徴とする請求項3に記載のドハティ増幅器。
  5. 前記スタブは、前記使用周波数帯うちの一つの周波数でその電気長が90°の整数倍であるショートスタブであることを特徴とする請求項3に記載のドハティ増幅器。
JP2020515382A 2018-04-26 2018-04-26 増幅器 Active JP6808092B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/016945 WO2019207700A1 (ja) 2018-04-26 2018-04-26 増幅器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019207700A1 JPWO2019207700A1 (ja) 2020-10-01
JP6808092B2 true JP6808092B2 (ja) 2021-01-06

Family

ID=68293855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020515382A Active JP6808092B2 (ja) 2018-04-26 2018-04-26 増幅器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11336233B2 (ja)
EP (1) EP3771096B1 (ja)
JP (1) JP6808092B2 (ja)
CN (1) CN112020826B (ja)
WO (1) WO2019207700A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114696747B (zh) * 2020-12-29 2023-08-18 苏州远创达科技有限公司 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器
WO2023089796A1 (ja) * 2021-11-22 2023-05-25 三菱電機株式会社 ドハティ増幅器
CN116155218A (zh) * 2023-02-21 2023-05-23 东南大学 多尔蒂功率放大器有源负载调制牵引方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6864742B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-08 Northrop Grumman Corporation Application of the doherty amplifier as a predistortion circuit for linearizing microwave amplifiers
JP4183941B2 (ja) * 2001-12-13 2008-11-19 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 高効率増幅器
CN101421916B (zh) * 2006-04-14 2011-11-09 Nxp股份有限公司 Doherty放大器
KR20090071834A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 성균관대학교산학협력단 고조파 동조를 이용한 도허티 증폭기
JP5253321B2 (ja) * 2009-08-04 2013-07-31 三菱電機株式会社 広帯域増幅器
US8314654B2 (en) * 2010-05-17 2012-11-20 Alcatel Lucent Multi-band high-efficiency Doherty amplifier
JP5924730B2 (ja) * 2012-03-05 2016-05-25 国立大学法人電気通信大学 ドハティ増幅回路
EP2698918A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-19 Nxp B.V. Amplifier circuit
JP5913442B2 (ja) * 2014-06-18 2016-04-27 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 ドハティ増幅器
JP6467956B2 (ja) * 2015-02-02 2019-02-13 日本電気株式会社 負荷インピーダンス調整回路を備えたドハティ増幅回路
US9748902B2 (en) * 2015-05-15 2017-08-29 Nxp Usa, Inc. Phase correction in a Doherty power amplifier
WO2016203512A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 株式会社日立国際電気 電力増幅器及び無線送信器
CN108702134B (zh) * 2016-02-23 2022-04-01 三菱电机株式会社 负载调制放大器
WO2017199366A1 (ja) 2016-05-18 2017-11-23 三菱電機株式会社 ドハティ増幅器
CN106301238B (zh) * 2016-07-25 2019-01-04 杭州电子科技大学 一种高功率高效率Doherty功率放大器
KR101934933B1 (ko) * 2017-08-23 2019-01-04 순천향대학교 산학협력단 도허티 결합기

Also Published As

Publication number Publication date
EP3771096A1 (en) 2021-01-27
JPWO2019207700A1 (ja) 2020-10-01
WO2019207700A1 (ja) 2019-10-31
US11336233B2 (en) 2022-05-17
EP3771096B1 (en) 2023-05-10
US20210006208A1 (en) 2021-01-07
EP3771096A4 (en) 2021-03-17
CN112020826B (zh) 2023-08-15
CN112020826A (zh) 2020-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102598591B1 (ko) 전력 증폭 회로
Kang et al. Design of bandwidth-enhanced Doherty power amplifiers for handset applications
US7170353B2 (en) Balanced amplifier circuit and high-frequency communication apparatus
CN114123982A (zh) 一种宽带Doherty功率放大器
US10608594B2 (en) Doherty amplifier
US7298205B2 (en) Amplifier and frequency converter
US7123073B2 (en) Amplifier and frequency converter
EP2660973B1 (en) Doherty amplifier
US9209760B2 (en) High-frequency, broadband amplifier circuit
JP6808092B2 (ja) 増幅器
JP4793807B2 (ja) 増幅器
JP2009182635A (ja) ドハティ増幅器
US7187231B2 (en) Apparatus, methods and articles of manufacture for multiband signal processing
JP2006157900A (ja) 増幅器
WO2021161721A1 (ja) 電力増幅回路、高周波回路及び通信装置
KR101678132B1 (ko) 능동 정합을 갖는 분산 전력 증폭기
JP2023151445A (ja) 合成回路
CN113906671B (zh) 多赫蒂放大器
CN113875150B (zh) 多赫蒂放大器和通信装置
JP7694810B2 (ja) インピーダンス検出回路、インピーダンス制御回路及びドハティ増幅回路
JP2006093857A (ja) 歪補償回路
US20240235490A1 (en) Power amplifier circuit
JP2012169703A (ja) 逓倍回路
WO2025105179A1 (ja) 電力増幅回路
WO2023027146A1 (ja) 電力増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200626

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200626

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200924

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201208

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6808092

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250