JP6879224B2

JP6879224B2 - プリント配線基板および半導体装置

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Publication number: JP6879224B2
Application number: JP2018011934A
Authority: JP
Inventors: 裕幸 ▲高▼山; 浩儀山下; 岡本　拓也; 拓也岡本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2018-01-26
Filing date: 2018-01-26
Publication date: 2021-06-02
Anticipated expiration: 2038-01-26
Also published as: JP2019129297A

Description

本発明は、プリント配線基板および半導体装置に関する。

特許文献１には、４方向リードフラットパッケージＩＣを装着するためのはんだ付ランド群を有するプリント配線基板が開示されている。はんだ付ランド群は、前方はんだ付ランド群および後方はんだ付ランド群からなる。はんだ付ランド群は、はんだフロー進行方向に対して傾斜している。また、このプリント配線基板は、後方はんだ付ランド群に隣接し、はんだフロー進行方向に対して水平方向に２分割された後方はんだ引きランドを備える。２分割された各ランドは、線対称の関係にある。噴流はんだ槽を用いたはんだ付け工程において、後方はんだ引きランドには、後方はんだ付けランド群からはんだが引き込まれる。

特開２０１２−１４６９３６号公報

部品実装密度の細密化のため、狭ピッチの４方向リードフラットパッケージＩＣのプリント配線基板への実装が必要となる場合がある。この際、４方向リードフラットパッケージＩＣのリード端子間において、一般にはんだによる短絡を防止することが必要となる。

ここで、プリント配線基板が、はんだ槽を通過する間にはんだの熱で変形することが考えられる。この変形の抑制を目的に、はんだ付け進行方向に沿って、はんだ槽にプリント配線基板の支持器具が設けられることがある。支持器具を使用する場合、支持器具から跳ね返るはんだ噴流の影響で、後方はんだ付ランド群の支持器具側においてはんだブリッジが発生し易くなる可能性がある。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、はんだブリッジの発生を抑制できるプリント配線基板および半導体装置を得ることを目的とする。

本発明に係るプリント配線基板は、主面に実装禁止領域が設けられた基板と、該主面に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた四角形の４辺上に並んだ複数のはんだ付けランドを有するはんだ付けランド群と、該主面のうち、該進行方向に対して該はんだ付けランド群よりも後方に設けられた後方はんだ引きランドと、を備え、該後方はんだ引きランドは、該４辺のうち該進行方向の後方の２辺をそれぞれ形成する一対の後方はんだ付けランド群の中心を通り該進行方向に平行な仮想線を挟んで、互いに分離された第１後方はんだ引きランドと第２後方はんだ引きランドとを有し、該第２後方はんだ引きランドは、該第１後方はんだ引きランドよりも該実装禁止領域に近く、該仮想線に近い。

本発明に係る半導体装置は、主面に実装禁止領域が設けられた基板と、該主面に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた四角形の４辺上に並んだ複数のはんだ付けランドを有するはんだ付けランド群と、該主面のうち、該進行方向に対して該はんだ付けランド群よりも後方に設けられた後方はんだ引きランドと、該はんだ付けランド群に接合された４方向リードフラットパッケージＩＣと、を備え、該後方はんだ引きランドは、該４方向リードフラットパッケージＩＣの該進行方向に対して最後尾の頂点を通り該進行方向に平行な仮想線を挟んで、互いに分離された第１後方はんだ引きランドと第２後方はんだ引きランドとを有し、該第２後方はんだ引きランドは、該第１後方はんだ引きランドよりも該実装禁止領域に近く、該仮想線に近い。

本発明に係るプリント配線基板および半導体装置では、はんだブリッジの発生を抑制できる。

実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。実施の形態１に係る半導体装置の４方向リードフラットパッケージＩＣ近傍の拡大図である。実施の形態１に係る半導体装置の後方はんだ引きランド近傍の拡大図である。実施の形態１に係る後方はんだ引きランドの平面図である。実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。実施の形態１のはんだ付け装置の正面図である。実施の形態１のはんだ付け装置の平面図である。実施の形態１の変形例に係る半導体装置の平面図である。

本発明の実施の形態に係るプリント配線基板および半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体装置１０１の平面図である。半導体装置１０１はプリント配線基板１００と、プリント配線基板１００に配設された回路部品を備える。回路部品は、プリント配線基板１００の表面または裏面に自動実装される部品と手挿入される部品とを含む。自動実装される部品は例えば、ＳＯＰパッケージＩＣ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅＩＣ）１２、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップダイオード、ディスクリート抵抗、ディスクリートコンデンサ、ディスクリートダイオード等である。手挿入される部品は例えば、大容量抵抗、トランス、コイル、大容量半導体、大型コンデンサ等である。

プリント配線基板１００は、基板１０と、基板１０の主面１１に設けられた複数のランドを備える。基板１０は例えば紙から形成される。基板１０の材料はこれに限らない。複数のランドは、後述するはんだ付けランド群と後方はんだ引きランドとを含む。複数のランドは例えば銅箔から形成される。

はんだ付けランド群には４方向リードフラットパッケージＩＣ１４が接合されている。４方向リードフラットパッケージＩＣ１４は、図１に示されるはんだ付けの進行方向３１に対して、１つの角部が先頭となり対角の角部が最後尾となるよう４５°傾斜してプリント配線基板１００に設けられる。はんだ付けの進行方向３１は、噴流式はんだ付けにおけるプリント配線基板１００の進行方向である。進行方向３１はＤＩＰ方向とも呼ばれる。本実施の形態では進行方向３１は、基板１０の長辺と平行である。

なお、本実施の形態において、「前方」は、はんだ付けの進行方向３１を示し、「後方」は、進行方向３１と逆の方向を示すものとする。

基板１０は長方形である。基板１０の主面１１には、実装禁止領域１６が設けられる。実装禁止領域１６は、基板１０をはんだ噴流の中を移動させる際に、後述する支持器具に支持される部分である。実装禁止領域１６は、主面１１のうち回路部品が設けられない部分である。実装禁止領域１６は帯状であり、進行方向３１と平行である。また、実装禁止領域１６は、主面１１の中心部に設けられる。

図２は、実施の形態１に係る半導体装置１０１の４方向リードフラットパッケージＩＣ１４近傍の拡大図である。主面１１にははんだ付けランド群２０が設けられる。はんだ付けランド群２０は、はんだ付けの進行方向３１に対して傾いた四角形の４辺上に並んだ複数のはんだ付けランド２３を有する。各々のはんだ付けランド２３は長方形である。複数のはんだ付けランド２３には、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４の複数のリードがそれぞれ接合される。ここで、図２においては便宜上、複数のリードは省略されている。

はんだ付けランド群２０は、一対の前方はんだ付けランド群２１と、一対の後方はんだ付けランド群２２とを含む。一対の前方はんだ付けランド群２１は、４辺のうち進行方向３１の前方の２辺をそれぞれ形成する。一対の後方はんだ付けランド群２２は、４辺のうち進行方向３１の後方の２辺をそれぞれ形成する。

前方はんだ付けランド群２１と後方はんだ付けランド群２２との間には側方はんだ引きランド２４が設けられる。側方はんだ引きランド２４は例えば正方形である。

また、主面１１のうち進行方向３１に対してはんだ付けランド群２０よりも後方には、後方はんだ引きランド２５が設けられる。後方はんだ引きランド２５は、第１後方はんだ引きランド２６と第２後方はんだ引きランド２７とを有する。第２後方はんだ引きランド２７は、第１後方はんだ引きランド２６よりも実装禁止領域１６に近い。第１後方はんだ引きランド２６と第２後方はんだ引きランド２７は、進行方向３１に沿って延びる。

図３は、実施の形態１に係る半導体装置１０１の後方はんだ引きランド２５近傍の拡大図である。第１後方はんだ引きランド２６と第２後方はんだ引きランド２７は、一対の後方はんだ付けランド群２２の中心を通り進行方向３１に平行な仮想線３２を挟んで、互いに分離されている。４方向リードフラットパッケージＩＣ１４がはんだ付けランド群２０に接合された状態では、仮想線３２は４方向リードフラットパッケージＩＣ１４の進行方向３１に対して最後尾の頂点を通る。

後方はんだ引きランド２５は、複数のはんだ付けランド２３のうち最後尾のはんだ付けランド２３と隣接して設けられる。第１後方はんだ引きランド２６と第２後方はんだ引きランド２７の前端は、隣接するはんだ付けランド２３の長手方向と並行または略並行に設けられる。第１後方はんだ引きランド２６と第２後方はんだ引きランド２７の前端の長さは、隣接するはんだ付けランド２３の長手方向の長さと同程度またはそれ以上である。また、第１後方はんだ引きランド２６と第２後方はんだ引きランド２７の前端は、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４の最後尾のリード１５とそれぞれ接続されている。

次に、リード１５およびはんだ付けランド２３の寸法の一例を説明する。４方向リードフラットパッケージＩＣ１４の各リード１５の幅Ａは０．３５ｍｍである。また、リード１５のピッチＢは０．６５ｍｍである。なお、はんだ付けランド２３の短手方向の幅およびピッチは、ほぼリード１５の幅ＡおよびピッチＢと同じである。また、はんだ付けランド２３の長手方向の長さＣは、リード１５の長手方向の長さよりも長く、３．１ｍｍである。これにより、はんだ付けを行い易くできる。

図４は、実施の形態１に係る後方はんだ引きランド２５の平面図である。第２後方はんだ引きランド２７は、第１後方はんだ引きランド２６よりも仮想線３２に近い。つまり、本実施の形態では、後方はんだ引きランド２５は仮想線３２に対して非対称である。

また、第２後方はんだ引きランド２７は、第１後方はんだ引きランド２６よりも進行方向３１と垂直な方向の幅が大きい。第２後方はんだ引きランド２７のうち前端側の部分は、仮想線３２に近づくように後端側よりも幅が広く設けられている。また、第１後方はんだ引きランド２６は、第２後方はんだ引きランド２７よりも進行方向３１に長い。

次に、後方はんだ引きランド２５の寸法の一例を説明する。第１後方はんだ引きランド２６と第２後方はんだ引きランド２７の前端の幅Ｆは３．１ｍｍである。第１後方はんだ引きランド２６の進行方向３１の長さＪは１３．６ｍｍである。第２後方はんだ引きランド２７の進行方向３１の長さＫは１０．８ｍｍである。第１後方はんだ引きランド２６および第２後方はんだ引きランド２７の間隔のうち、はんだの引き込み部である前端側の間隔Ｌは０．８ｍｍである。第１後方はんだ引きランド２６および第２後方はんだ引きランド２７のうち、はんだの逃がし部である後端側の幅Ｍは２．０ｍｍである。第２後方はんだ引きランド２７のうち、前端側の幅が広く設けられた部分の長さＨは５．０ｍｍである。第２後方はんだ引きランド２７のうち、前端側の幅が広く設けられた部分の幅Ｎは２．２ｍｍである。

図５は、実施の形態１に係る半導体装置１０１の製造方法を説明するフローチャートである。図５に従い、噴流式はんだ付け装置を用いて４方向リードフラットパッケージＩＣ１４をプリント配線基板１００にはんだ付けする手順を説明する。まず、基板１０の主面１１に複数のランドを形成する。複数のランドは、例えば印刷形成される。

ここでは、主面１１において複数のはんだ付けランド２３を、はんだ付けの進行方向３１に対して傾いた四角形の４辺上に並べ、はんだ付けランド群２０を形成する。また、主面１１のうち、進行方向３１に対してはんだ付けランド群２０よりも後方に後方はんだ引きランド２５を形成する。これにより、プリント配線基板１００が形成される。

次に、図５のステップＳ１に示すように、自動実装機による部品実装を行う。ここでは、プリント配線基板１００の表面および裏面に、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４、ＳＯＰパッケージＩＣ１２およびその他の自動実装される部品が自動実装機によって実装される。このとき、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４等とプリント配線基板１００とは例えば接着剤で互いに固定されても良い。

次に、図５のステップＳ２に示すように、手挿入による部品実装を行う。ここでは、プリント配線基板１００の表面および裏面に、手挿入される部品を手挿入実装する。

次に、図５のステップＳ３に示されるように、フラックスの塗布を行う。ここでは、自動実装される部品および手挿入される部品が実装された状態のプリント配線基板１００の裏面に対し、フラックス活性剤を塗布する。フラックス活性剤は、はんだと複数のランドとをなじませる。ここで、プリント配線基板１００の裏面は、基板１０の主面１１に対応する。

次に、図５のステップＳ４に示されるように、プリヒートを行う。ここでは、フラックス活性剤が最良の活性温度となるようにプリント配線基板１００を加熱する。

次に、図５のステップＳ５に示される一次はんだ噴流工程およびステップＳ６に示される二次はんだ噴流工程を実施する。これらの工程では、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４の上にはんだ付けランド群２０を設け、実装禁止領域１６に後述する支持器具を接触させた状態で、基板１０を進行方向３１に沿ってはんだ噴流の中を移動させる。これにより、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４と、はんだ付けランド群２０とをはんだ付けする。

図６は、実施の形態１のはんだ付け装置５０の正面図である。図７は、実施の形態１のはんだ付け装置５０の平面図である。はんだ付け装置５０は噴流式はんだ付け装置である。図６、７を用いて、ステップＳ５およびステップＳ６ではんだ付けに使用するはんだ付け装置５０の構造を説明する。はんだ付け装置５０ははんだ槽５１を備える。はんだ槽５１には熱で溶かされたはんだが収容されている。

はんだ付け装置５０は、複数の穴が形成されたノズルからはんだを噴水のように噴出させる噴出部を備える。噴出部により、はんだ噴流である一次噴流５４と二次噴流５５が形成される。さらに、はんだ槽５１の上方にはコンベア５２が設けられる。コンベア５２ははんだ付けの進行方向３１に沿って設けられ、進行方向３１に沿ってプリント配線基板１００を搬送する。コンベア５２は、はんだ噴流が形成される領域を挟んで進行方向３１と垂直な方向の両側に設けられた一対のレールを備える。

一対のレールの間には、支持器具５３が設けられる。支持器具５３は、はんだ噴流が形成される領域において、進行方向３１に沿って設けられる。支持器具５３は進行方向３１に沿って基板１０を支持する。支持器具５３は、センターバーとも呼ばれる。コンベア５２および支持器具５３は、進行方向３１に対して前方ほどはんだ槽５１から離れるように傾斜している。

ステップＳ５において、まず、プリント配線基板１００をコンベア５２に載せる。このとき、図７の破線に示される位置にプリント配線基板１００を配置する。また、プリント配線基板１００のうち４方向リードフラットパッケージＩＣ１４が設けられた面を下方に向ける。

次に、プリント配線基板１００を進行方向３１に向かってコンベア５２上を移動させる。これにより、プリント配線基板１００および４方向リードフラットパッケージＩＣ１４が、一次噴流５４、二次噴流５５の順にはんだ噴流の中を通過する。一次噴流５４では、はんだを満遍なく回路部品のリード部分に噴射する。これにより、プリント配線基板１００と回路部品とがはんだ付けされる。

ここで、一次はんだ噴流工程を実行した直後の状態では、一般に、回路部品のリード間にはんだブリッジが発生している。続いて、ステップＳ６に示されるように、一次噴流５４と比較して平らな液面を有する二次噴流５５の中をプリント配線基板１００を通過させる。これにより、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４のリード１５間等でブリッジした状態のはんだを除去できる。

ここで、プリント配線基板１００に対する４方向リードフラットパッケージＩＣ１４のはんだ付けについてさらに詳細に説明する。４方向リードフラットパッケージＩＣ１４が、一次噴流５４へ進入すると、はんだは一対の前方はんだ付けランド群２１およびそれに対応するリード１５を伝って後方へ流れる。このとき、はんだは前方はんだ付けランド群２１とリード１５との表面張力および界面張力の作用により、次々とブリッジを作りながら後方へ移動する。そして、前方はんだ付けランド群２１の後方へ移動したはんだは隣接する側方はんだ引きランド２４に引き込まれる。

また、後方はんだ付けランド群２２でも同様に、はんだは一対の後方はんだ付けランド群２２およびそれに対応するリード１５を伝って後方へ流れる。この時、はんだは後方はんだ付けランド群２２とリード１５との表面張力および界面張力の作用により、次々とブリッジを作りながら後方へ移動する。そして、後方はんだ付けランド群２２の後方へ移動したはんだは隣接する後方はんだ引きランド２５に引き込まれる。

つまり、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４の最後尾において余ったはんだは、後方はんだ引きランド２５に引き込まれる。このとき、一対の後方はんだ付けランド群２２のうち支持器具５３に近い側からのはんだは第２後方はんだ引きランド２７に引き込まれる。また、一対の後方はんだ付けランド群２２のうち支持器具５３から遠い側からのはんだは第１後方はんだ引きランド２６に引き込まれる。これにより、余剰はんだによるはんだブリッジを抑制できる。

また、プリント配線基板１００がはんだ噴流の中を通過している間、支持器具５３は、基板１０の実装禁止領域１６に接触し、基板１０を支持する。これにより、プリント配線基板１００の熱による変形を抑制できる。プリント配線基板１００の変形は、例えばプリント配線基板１００の反り等である。特に、プリント配線基板１００の材料に熱で変形し易いものを使用する場合に、熱による変形を抑制できる。さらに、支持器具５３が基板１０の中心部を長手方向に沿って支持することで、プリント配線基板１００の変形を安定して抑制できる。

次に、図５のステップＳ７に示されるように、基板冷却を行う。ここでは、はんだ付けされたプリント配線基板１００を冷却する。以上から、プリント配線基板１００に対して４方向リードフラットパッケージＩＣ１４を含む回路部品をはんだ付けする工程が終了する。

ここで、支持器具５３を使用すると、プリント配線基板１００の熱変形を抑制できる一方で、プリント配線基板１００は支持器具５３からの一次噴流５４、二次噴流５５の跳ね返りの影響を受ける。このため、一対の後方はんだ付けランド群２２のうち支持器具５３に近い側では、支持器具５３が無い場合よりもはんだの供給量が大きくなり易い。この場合、はんだブリッジを抑制するためには、一対の後方はんだ付けランド群２２のうち支持器具５３に近い側において遠い側よりも、後方はんだ引きランド２５に多くのはんだを逃がす必要が生じる。

これに対し、本実施の形態では、支持器具５３側の第２後方はんだ引きランド２７は、第１後方はんだ引きランド２６よりも仮想線３２に近い。本実施の形態では、第２後方はんだ引きランド２７の前端側を第１後方はんだ引きランド２６に近づけることで、はんだを第２後方はんだ引きランド２７から第１後方はんだ引きランド２６に逃がし易くできる。これにより、一対の後方はんだ付けランド群２２のうち支持器具５３に近い側において遠い側よりも、後方はんだ引きランド２５に多くのはんだを逃がすことができる。従って、支持器具５３を使用しても、はんだブリッジを抑制できる。また、支持器具５３からの一次噴流５４、二次噴流５５の跳ね返りの影響を第２後方はんだ引きランド２７の配置によって抑制できるため、容易な管理の下ではんだブリッジを抑制できる。

また、後方はんだ引きランド２５に引き込まれたはんだには、はんだの表面張力および界面張力の作用により、後方はんだ付けランド群２２側に戻る力が働く。これに対し、本実施の形態では、第２後方はんだ引きランド２７の後端側が前端側よりも細く形成されている。後方の逃がし部を細くすることで、はんだの戻り量を抑制できる。また、第２後方はんだ引きランド２７は、進行方向３１に対して前方ほど仮想線３２に近い。これにより、はんだの引き込み部において、はんだを効率的に第１後方はんだ引きランド２６に逃がせる。

本実施の形態では、第２後方はんだ引きランド２７の前方の一部のみが太く形成されている。これに限らず、第２後方はんだ引きランド２７は、進行方向３１に対して後方ほど進行方向３１と垂直な方向の幅が小さければ良い。

さらに、第１後方はんだ引きランド２６を第２後方はんだ引きランド２７よりも長くすることで、第２後方はんだ引きランド２７から第１後方はんだ引きランド２６へのはんだの引きこみ量を増加させることができる。これにより、第２後方はんだ引きランド２７から第１後方はんだ引きランド２６へはんだを引き込み易くでき、後方はんだ付けランド群２２におけるブリッジの発生をさらに抑制できる。

なお、発明者は、本実施の形態と、後方はんだ引きランド２５を仮想線３２に対して対称に配置した場合とを検証により比較した。この結果、後方はんだ引きランド２５を仮想線３２に対して対称に配置した場合、本実施の形態と比較して、後方はんだ付けランド群２２のはんだブリッジが非常に多く発生することが確認された。

さらに、第２後方はんだ引きランド２７の後方側を細くすることにより、はんだが後方はんだ付けランド群２２側へ戻る力を抑制でき、後方はんだ付けランド群２２のはんだブリッジを大幅に減少させることができることを検証によって確認した。また、第１後方はんだ引きランド２６の進行方向３１の全長を第２後方はんだ引きランド２７より長くすることにより、第２後方はんだ引きランド２７からのはんだの引き込み力が増大し、はんだブリッジを減少させる効果が大きくなることを確認した。

また、第１後方はんだ引きランド２６は、支持器具５３からの距離が近いほど進行方向に長く形成すると良い。また、第１後方はんだ引きランド２６の進行方向３１と垂直な方向の幅は、支持器具５３からの距離が近いほど大きく形成すると良い。さらに、第１後方はんだ引きランド２６を、支持器具５３からの距離が近いほど仮想線３２の近くに形成すると良い。このように、第１後方はんだ引きランド２６を形成することで、はんだブリッジを減少させる効果が得られることを検証により確認した。

本実施の形態の変形例として、後方はんだ引きランド２５の形状は図１から４に示されるものに限らない。後方はんだ引きランド２５の形状として、第２後方はんだ引きランド２７が第１後方はんだ引きランド２６よりも仮想線３２に近いあらゆる形状を採用できる。例えば、本実施の形態では、第２後方はんだ引きランド２７と仮想線３２が重なっているが、第２後方はんだ引きランド２７と仮想線３２は離れていても良い。また、後方はんだ引きランド２５は、リード１５と離れていても良い。

また、一般に、噴流式はんだ付け装置によってプリント配線基板１００に４方向リードフラットパッケージＩＣ１４を実装する場合、はんだ付けの進行方向３１が決定されてから、はんだ付けランド群２０の配置が決められる。本実施の形態では、進行方向３１に対して４方向リードフラットパッケージＩＣ１４が４５°傾くように、はんだ付けランド群２０が設けられる。これに限らず、進行方向３１に対して４方向リードフラットパッケージＩＣ１４が傾いていれば良い。また、進行方向３１は基板１０の短辺と平行であっても良い。

また、本実施の形態では、実装禁止領域１６は、主面１１のうち短手方向の中心部である。これに限らず、実装禁止領域１６は、主面１１のうち支持器具５３に支持される部分であれば別の部分でも良い。例えば、実装禁止領域１６は、主面１１のうち長手方向の中心部であっても良い。また、実装禁止領域１６にはランドが設けられないものとしても良い。

図８は、実施の形態１の変形例に係る半導体装置２０１の平面図である。半導体装置２０１はプリント配線基板２００と、プリント配線基板２００に接合された４方向リードフラットパッケージＩＣ１４を備える。プリント配線基板２００は、基板１０と基板１０の主面１１に設けられた複数のランドを備える。複数のランドは、はんだ付けランド群２０と後方はんだ引きランド２２５とを含む。変形例において、後方はんだ引きランド２２５の形状が実施の形態１と異なる。これ以外は実施の形態１と同様である。

後方はんだ引きランド２２５は、第１後方はんだ引きランド２２６と、第２後方はんだ引きランド２７とを有する。また、後方はんだ引きランド２２５は、第１後方はんだ引きランド２２６に対して第２後方はんだ引きランド２７と反対側に、独立した第３後方はんだ引きランド２２８をさらに有する。

第３後方はんだ引きランド２２８を設けることで、第２後方はんだ引きランド２７から第１後方はんだ引きランド２２６および第３後方はんだ引きランド２２８に、実施の形態１よりも多くのはんだを引き込める。また、プリント配線基板１００の部品レイアウトの関係で、第１後方はんだ引きランド２２６の全長を長くできない等の制約がある場合が考えられる。この場合にも、第３後方はんだ引きランド２２８により、第１後方はんだ引きランド２２６の全長を長くするのと同様の効果を得ることができる。

また、第１後方はんだ引きランド２２６は、進行方向３１に対して後方ほど進行方向３１と垂直な方向の幅が小さい。これにより、第１後方はんだ引きランド２２６においても、はんだの戻り量を抑制できる。

本実施の形態で示した各種寸法は一例を示したもので、これに限定されず、４方向リードフラットパッケージＩＣ１４の大きさまたは支持器具５３との位置条件等により効果を有する範囲で適宜変えることができる。なお、本実施の形態で説明した技術的特徴のうち、１つの部分を実施しても構わない。また、本実施の形態で説明した技術的特徴をどのように組み合わせて実施しても構わない。

１００、２００プリント配線基板、１０１、２０１半導体装置、１０基板、１１主面、１４４方向リードフラットパッケージＩＣ、１６実装禁止領域、２０はんだ付けランド群、２２後方はんだ付けランド群、２３はんだ付けランド、２５、２２５後方はんだ引きランド、２６、２２６第１後方はんだ引きランド、２７第２後方はんだ引きランド、２２８第３後方はんだ引きランド、３１進行方向、３２仮想線、５３支持器具、５４一次噴流、５５二次噴流

Claims

主面に実装禁止領域が設けられた基板と、
前記主面に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた四角形の４辺上に並んだ複数のはんだ付けランドを有するはんだ付けランド群と、
前記主面のうち、前記進行方向に対して前記はんだ付けランド群よりも後方に設けられた後方はんだ引きランドと、
を備え、
前記後方はんだ引きランドは、前記４辺のうち前記進行方向の後方の２辺をそれぞれ形成する一対の後方はんだ付けランド群の中心を通り前記進行方向に平行な仮想線を挟んで、互いに分離された第１後方はんだ引きランドと第２後方はんだ引きランドとを有し、
前記第２後方はんだ引きランドは、前記第１後方はんだ引きランドよりも前記実装禁止領域に近く、前記仮想線に近いことを特徴とするプリント配線基板。
前記実装禁止領域は帯状であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
前記実装禁止領域は前記進行方向と平行であることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線基板。
前記進行方向は、前記基板の長辺と平行であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記実装禁止領域は、前記主面の中心部に設けられることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記第２後方はんだ引きランドは、前記第１後方はんだ引きランドよりも前記進行方向と垂直な方向の幅が大きいことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記第２後方はんだ引きランドは、前記進行方向に対して後方ほど前記進行方向と垂直な方向の幅が小さいことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記第２後方はんだ引きランドは、前記進行方向に対して前方ほど前記仮想線に近いことを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記第１後方はんだ引きランドは、前記第２後方はんだ引きランドよりも前記進行方向に長いことを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記第１後方はんだ引きランドは、前記進行方向に対して後方ほど前記進行方向と垂直な方向の幅が小さいことを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記後方はんだ引きランドは、前記第１後方はんだ引きランドに対して前記第２後方はんだ引きランドと反対側に、独立した第３後方はんだ引きランドをさらに有することを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載のプリント配線基板。
前記実装禁止領域にはランドが設けられないことを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載のプリント配線基板。
主面に実装禁止領域が設けられた基板と、
前記主面に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた四角形の４辺上に並んだ複数のはんだ付けランドを有するはんだ付けランド群と、
前記主面のうち、前記進行方向に対して前記はんだ付けランド群よりも後方に設けられた後方はんだ引きランドと、
前記はんだ付けランド群に接合された４方向リードフラットパッケージＩＣと、
を備え、
前記後方はんだ引きランドは、前記４方向リードフラットパッケージＩＣの前記進行方向に対して最後尾の頂点を通り前記進行方向に平行な仮想線を挟んで、互いに分離された第１後方はんだ引きランドと第２後方はんだ引きランドとを有し、
前記第２後方はんだ引きランドは、前記第１後方はんだ引きランドよりも前記実装禁止領域に近く、前記仮想線に近いことを特徴とする半導体装置。
前記実装禁止領域には回路部品が設けられないことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。