JP6942660B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理液によって処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１に記載されている基板処理装置は、基板を１枚ずつ処理する枚葉型である。そして、基板処理装置は、室温のリン酸水溶液と、リン酸水溶液の沸点よりも高い温度を有する高温の硫酸水溶液とを供給配管内で混合して、リン酸と硫酸と水との混合液を生成する。硫酸水溶液と混合されたリン酸水溶液は、硫酸水溶液の熱によって加熱される。さらに、リン酸水溶液と硫酸水溶液とが混合されることにより、希釈熱が発生する。そして、硫酸水溶液と混合されたリン酸水溶液は、硫酸水溶液の熱だけでなく、希釈熱によっても加熱される。従って、混合液に含まれるリン酸水溶液が沸点付近まで加熱され、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液（以下、「処理液」と記載する。）が基板に吐出される。その結果、シリコン窒化膜が形成された基板をエッチング処理する場合に、高い選択比と、高いエッチングレートとを得ることができる。エッチング処理が所定時間にわたって行われると、バルブが閉じられて、ノズルからの処理液の吐出が停止する。

特開２０１２−７４６０１号公報

しかしながら、特許文献１に記載された基板処理装置では、処理開始時の処理液の温度（以下、「処理開始時温度」と記載する。）が複数の基板間で相違する場合、複数の基板間で処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。近年、特に、処理結果の若干のバラツキでさえも抑制することを要求される場合がある。換言すれば、複数の基板間で、処理結果の均一性の更なる向上が要求される場合がある。

特に、高温の処理液を使用する場合は、基板処理装置に収容された基板の周囲環境の温度（以下、「環境温度」と記載する。）と処理液の温度との差が大きいため、複数の基板間での処理開始時温度の相違は、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなる。

例えば、一般的に、基板処理装置では、処理液を貯蔵する処理液タンク、および、処理液を基板に供給する準備段階において処理液を循環させる循環配管において、処理液を所定の温度に調整する措置が行われている。しかしながら、例えば循環配管から分岐して処理液をノズルに供給する供給配管の温度が複数の基板間で相違し得ることに起因して、処理開始時温度は複数の基板間で微妙に変動する。その結果、従来装置、特に高温の処理液による処理を行う従来装置においては、処理液タンクおよび循環配管の温度調整を行ったりするにも関わらず、複数の基板間で処理液による処理結果にバラツキが生じるという問題が生じていた。

そこで、本願の発明者は、プリディスペンス処理における処理液の温度に着目して、複数の基板間で処理結果にバラツキが生じる原因を詳細に検討した。

図１３を参照して、一般的なプリディスペンス処理における処理液の温度について説明する。図１３は、一般的な基板処理装置における処理液の温度推移を示す図である。図１３に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。時刻ｔ０は、プリディスペンス処理における処理液の吐出開始時刻を示す。時刻ｔ１は、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時刻を示す。つまり、時刻ｔ１は、プリディスペンス処理の終了時刻を示す。時刻ｔ２は、処理液による基板処理の開始時刻を示す。温度Ｔｃは環境温度を示す。

曲線Ｃａ１は、１枚目の基板に対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線Ｃａ２は、２枚目の基板に対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線Ｃａ３は、３枚目の基板に対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。

時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間ＰＤにおいて、プリディスペンス処理が実行される。そして、時刻ｔ２以降の期間ＳＰにおいて、処理液による基板処理が実行される。

ここで、１枚目の基板に対しては、曲線Ｃａ１に示すように、プリディスペンス処理の終了時刻ｔ１での処理液の温度は、温度Ｔａ１である。２枚目の基板に対しては、曲線Ｃａ２に示すように、プリディスペンス処理の終了時刻ｔ１での処理液の温度は、温度Ｔａ２である。３枚目の基板に対しては、曲線Ｃａ３に示すように、プリディスペンス処理の終了時刻ｔ１での処理液の温度は、温度Ｔａ３である。

温度Ｔａ１は温度Ｔａ２及び温度Ｔａ３より低く、温度Ｔａ２は温度Ｔａ３よりも低い。なぜなら、循環配管から分岐する供給配管の温度が、１枚目の基板のために処理液を供給する場合に最も低く、その後、徐々に上昇するためである。特に、基板処理装置の待機時間が比較的長い場合、１枚目の基板に対するプリディスペンス処理時では、２枚目以降の基板に対するプリディスペンス処理時と比較して、供給配管の温度は低い。そして、プリディスペンス処理時の供給配管の温度が複数の基板間で相違することの影響は、高温の処理液を使用する場合に特に顕著である。

プリディスペンス処理の終了時刻ｔ１での処理液の温度Ｔａ１〜温度Ｔａ３が３枚の基板間で相違すると、基板処理の開始時刻ｔ２での処理液の温度も、３枚の基板間で相違する。その結果、３枚の基板間で処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。

以上、図１３を参照して説明したように、本願の発明者は、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が複数の基板間で相違すると、複数の基板間で処理結果に若干のバラツキが生じる可能性があることを突き止めた。

そこで、本願の発明者は、プリディスペンス処理の観点から、基板処理装置及び基板処理方法について鋭意研究を行った。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の基板間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板を処理液によって処理する。基板処理装置は、基板保持部と、ノズルと、供給調節部と、液受け部と、温度検出部と、制御部とを備える。基板保持部は、前記基板を保持して回転する。ノズルは、前記保持された基板に前記処理液を吐出する。供給調節部は、前記ノズルへの前記処理液の供給量を調節する。液受け部は、前記基板保持部よりも外側に位置し、前記ノズルによって吐出される前記処理液を受ける。温度検出部は、プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する。制御部は、プリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行する。前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、前記液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示す。前記制御部は、目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する。前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示す。前記検出温度は、前記温度検出部によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示す。前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められる。前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す。

本発明の基板処理装置において、前記制御部は、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出することが好ましい。前記所定温度は、前記目標温度より低いことが好ましい。前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出することが好ましい。前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示すことが好ましい。前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記制御部は、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択されたプリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行することが好ましい。前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じであることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示すことが好ましい。前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、１枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が前記基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置は、複数のチャンバーをさらに備えることが好ましい。前記チャンバーごとに、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とが備えられることが好ましい。前記複数のチャンバーの各々は、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とを収容することが好ましい。前記制御部は、前記チャンバーごとに、前記目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定することが好ましい。

本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板を処理液によって処理する基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行するプリディスペンス工程を含む。前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示す。前記プリディスペンス工程は、前記プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する検出工程と、目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する設定工程とを含む。前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示す。前記検出温度は、前記検出工程によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示す。前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められる。前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す。

本発明の基板処理方法において、前記設定工程では、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定することが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出することが好ましい。前記所定温度は、前記目標温度より低いことが好ましい。前記プリディスペンス工程は、前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含むことが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出することが好ましい。前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示すことが好ましい。前記プリディスペンス工程は、前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含むことが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記プリディスペンス工程では、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択したプリディスペンス処理条件に従って、前記プリディスペンス処理を実行することが好ましい。前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じであることが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示すことが好ましい。前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、１枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含むことが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記プリディスペンス工程は、複数の前記基板をそれぞれ収容する複数のチャンバーごとに実行されることが好ましい。

本発明によれば、複数の基板間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置の処理ユニットの内部を示す平面図である。 実施形態１に係る基板処理装置の温度プロファイルを示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置における処理液の温度推移を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置における処理液の温度推移を示す図である。 実施形態２に係る基板処理装置の温度プロファイルを示す図である。 実施形態２に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態３に係る基板処理装置の記憶部に記憶されたプリディスペンス処理条件及び温度プロファイルを示す概念図である。 本発明の実施形態４に係る基板処理装置の記憶部に記憶された基板処理装置の状態情報及び温度プロファイルを示す概念図である。 本発明の実施形態５に係る基板処理装置を示す平面図である。 実施形態５に係る基板処理装置の配管を示す図である。 一般的な基板処理装置における処理液の温度推移を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

（実施形態１）
図１〜図５を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００について説明する。まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液によって処理する。具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。以下、処理液による基板Ｗの処理を「基板処理」と記載する場合がある。

基板処理装置１００は、処理ユニット１と、供給調節部２と、制御装置３とを備える。

処理ユニット１は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。具体的には、処理ユニット１は、チャンバー１０と、スピンチャック１１と、ノズル１２と、供給配管１３と、ノズル移動ユニット１４と、液受け部１５と、カップ１６と、温度検出部１７とを含む。

チャンバー１０は略箱形状を有する。チャンバー１０は、基板Ｗ、スピンチャック１１、ノズル１２、供給配管１３の一部、ノズル移動ユニット１４、液受け部１５、カップ１６、及び温度検出部１７を収容する。スピンチャック１１は、基板Ｗを保持して回転する。スピンチャック１１は「基板保持部」の一例に相当する。具体的には、スピンチャック１１は、チャンバー１０内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線Ａ１の回りに基板Ｗを回転させる。スピンチャック１１は、複数のチャック部材１１０と、スピンベース１１１と、スピンモーター１１２とを含む。複数のチャック部材１１０は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース１１１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材１１０を支持する。スピンモーター１１２は、スピンベース１１１を回転させることによって、複数のチャック部材１１０に保持された基板Ｗを回転軸線Ａ１の回りに回転させる。

ノズル１２は、基板Ｗに向けて処理液を吐出する。処理液は薬液である。例えば、基板処理装置１００が、シリコン窒化膜が形成された基板に対してエッチング処理を実行する場合は、処理液は燐酸を含む。例えば、基板処理装置１００が、レジストの除去処理を実行する場合は、処理液は硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）を含む。燐酸又はＳＰＭを含む処理液は、高温で使用される処理液の一例である。

供給配管１３はノズル１２に接続される。供給配管１３はノズル１２に処理液を供給する。供給配管１３に供給される処理液の温度は、供給配管１３よりも上流に配置される循環配管（不図示）において、室温よりも高い規定温度（以下、「規定温度ＴＭ」と記載する。）以上の特定温度に維持されている。規定温度ＴＭは、基板Ｗに対して規定の処理レート（例えば、規定のエッチングレート又は規定の対象物除去レート）を実現できる温度を示す。換言すれば、規定温度ＴＭは、基板Ｗに対して、規定時間内に規定の処理結果（例えば、規定のエッチング量又は規定の対象物除去量）を達成できる温度を示す。規定温度ＴＭは、燐酸を含む処理液では、例えば、１７５℃である。規定温度ＴＭは、ＳＰＭを含む処理液では、例えば、２００℃である。

供給調節部２は、ノズル１２への処理液の供給量を調節する。供給調節部２は、チャンバー１０の外部において供給配管１３に配置される。なお、供給調節部２は、チャンバー１０の内部において供給配管１３に配置されてもよい。

具体的には、供給調節部２は、ノズル１２への処理液の供給量をゼロにして、ノズル１２への処理液の供給を停止する。供給調節部２は、ノズル１２への処理液の供給量をゼロより多くして、ノズル１２へ処理液を供給する。供給調節部２は、ノズル１２へ供給する処理液の流量を調節する。

更に具体的には、供給調節部２は、バルブ２０と、流量計２１と、流量調整バルブ２２とを含む。ノズル１２に対する処理液の供給開始及び供給停止は、バルブ２０によって切り替えられる。具体的には、バルブ２０は、開閉バルブであり、開状態と閉状態とに切り替え可能である。開状態とは、ノズル１２に向かって供給配管１３内を流れる処理液を通過させる状態のことである。閉状態とは、供給配管１３からノズル１２への処理液の供給を停止する状態のことである。

流量計２１は、ノズル１２に供給される処理液の流量を検出する。流量調整バルブ２２は、ノズル１２に供給される処理液の流量を調整する。バルブ２０が開状態になると、処理液が、流量調整バルブ２２の開度に対応する流量で供給配管１３からノズル１２に供給される。その結果、ノズル１２から処理液が吐出される。開度は、流量調整バルブ２２が開いている程度を示す。

カップ１６は略筒形状を有する。カップ１６は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。

温度検出部１７は、チャンバー１０内の処理液の温度を検出する。そして、温度検出部１７は、処理液の温度を示す情報を制御装置３に出力する。実施形態１では、温度検出部１７は、供給配管１３内の処理液の温度を検出する。具体的には、温度検出部１７の測温部（不図示）が供給配管１３内の処理液に接触して、処理液の温度を検出する。温度検出部１７は、ノズル１２の近傍で供給配管１３内の処理液の温度を検出してもよいし、ノズル１２から比較的離れた位置で供給配管１３内の処理液の温度を検出してもよい。

例えば、温度検出部１７は温度センサーを含む。温度センサーは、例えば、熱電対及び計測器を含む。具体的には、熱電対が供給配管１３に挿入される。そして、熱電対が、供給配管１３内の処理液の温度を検出して、温度に対応する電圧信号を計測器に出力する。計測器は、電圧信号を温度に変換して、温度を示す情報を制御装置３に出力する。計測器は、チャンバー１０内に配置されていてもよいし、チャンバー１０外に配置されていてもよい。熱電対の測温接点は、供給配管１３内において、ノズル１２の近傍に配置されてもよいし、ノズル１２から比較的離れた位置に配置されてもよい。測温接点は温度検出部１７の測温部に相当する。なお、温度検出部１７は、供給配管１３の外面の温度を検出することによって、処理液の温度を間接的に検出してもよい。また、例えば、温度検出部１７は、ノズル１２の内部で処理液の温度を検出してもよいし、ノズル１２の外面の温度を検出することによって処理液の温度を間接的に検出してもよい。

温度検出部１７がチャンバー１０内で処理液の温度を検出する限りにおいては、供給配管１３以外の位置及びノズル１２以外の位置で処理液の温度を検出してもよい。例えば、温度検出部１７は、処理液が基板Ｗに吐出された後に基板Ｗ上の処理液の温度を検出してもよい。基板Ｗ上の処理液の温度を検出する場合、例えば、温度検出部１７は、放射温度計又は赤外線サーモグラフィーを含む。放射温度計は、基板Ｗに吐出された処理液から放射される赤外線又は可視光線の強度を測定して、基板Ｗに吐出された処理液の温度を測定する。そして、放射温度計は、処理液の温度を示す情報を制御装置３に出力する。赤外線サーモグラフィーは赤外線カメラを含む。赤外線サーモグラフィーは、基板Ｗに吐出された処理液から放射される赤外線を赤外線カメラによって検出する。さらに、赤外線サーモグラフィーは、検出された赤外線を表す画像を解析して、基板Ｗに吐出された処理液の温度を算出する。そして、赤外線サーモグラフィーは、処理液の温度を示す情報を制御装置３に出力する。

次に、図１及び図２を参照して、ノズル移動ユニット１４、液受け部１５、及びプリディスペンス処理について説明する。図２は、処理ユニット１の内部を示す平面図である。図１及び図２に示すように、ノズル移動ユニット１４は、回動軸線Ａ２の回りに回動して、ノズル１２を水平に移動させる。具体的には、ノズル移動ユニット１４は、ノズル１２の処理位置ＰＳ１と待機位置ＰＳ２との間で、ノズル１２を水平に移動させる。処理位置ＰＳ１は、基板Ｗの上方の位置を示す。図２では、処理位置ＰＳ１に位置するノズル１２が二点鎖線で示される。待機位置ＰＳ２は、スピンチャック１１及びカップ１６よりも外側の位置を示す。また、ノズル移動ユニット１４は、ノズル１２を鉛直に移動させることもできる。

液受け部１５は、スピンチャック１１及びカップ１６よりも外側に位置する。具体的には、液受け部１５は、ノズル１２の待機位置ＰＳ２の下方に位置する。液受け部１５は、プリディスペンス処理において、ノズル１２によって吐出される処理液を受ける。

プリディスペンス処理は、基板Ｗに処理液を吐出する前に、液受け部１５に向けて処理液を吐出する処理を示す。具体的には、基板処理装置１００がプリディスペンス処理を実行するときに、ノズル移動ユニット１４は、ノズル１２を待機位置ＰＳ２から下降させて、ノズル１２を液受け部１５まで移動させる。そして、ノズル１２は、液受け部１５に向けて処理液を吐出する。

引き続き図１を参照して、制御装置３及びプリディスペンス処理について詳細に説明する。図１に示すように、制御装置３は、制御部３０と、記憶部３１とを含む。制御部３０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部３１は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部３１は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部３１は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部３０のプロセッサーは、記憶部３１の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、処理ユニット１及び供給調節部２を制御する。

制御部３０は、プリディスペンス処理条件に従って供給調節部２及びノズル移動ユニット１４を制御して、プリディスペンス処理を実行する。プリディスペンス処理条件は、プリディスペンスを実行するときの処理液に関する条件を示す。プリディスペンス処理条件は、例えば、ノズル１２から吐出する処理液の流量、及び／又は、処理液の種類を含む。

温度検出部１７は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度（以下、「目標温度Ｔｔ」と記載する場合がる。）に到達する前に、処理液の温度を検出する。目標温度Ｔｔは、規定温度ＴＭ以上処理液の飽和温度以下の値に設定される。

制御部３０は、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。目標温度予測時間は、処理液の温度が検出温度（以下、「検出温度Ｔｄ」と記載する場合がある。）から目標温度Ｔｔに到達するまでの予測時間を示す。検出温度Ｔｄは、温度検出部１７によって目標温度Ｔｔに到達する前に検出された処理液の温度を示す。また、目標温度予測時間は、温度プロファイル（以下、「温度プロファイルＰＦ」と記載する場合がある。）に基づいて定められる。温度プロファイルＰＦは、プリディスペンス処理条件に従って過去にプリディスペンス処理を実行したときの処理液の温度の時間推移の記録を示す。温度プロファイルＰＦにおける温度の時間推移を記録する際のプリディスペンス処理条件は、実行中のプリディスペンス処理に対するプリディスペンス処理条件と同じである。記憶部３１は温度プロファイルＰＦを記憶している。

以上、図１を参照して説明したように、実施形態１によれば、制御部３０は、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。従って、プリディスペンス処理において、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達するまで、処理液が吐出される。その結果、処理ユニット１によって基板Ｗを１枚ずつ処理する場合において、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。

プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が複数の基板Ｗ間で相違することを抑制できると、基板Ｗの処理開始時の処理液の温度（以下、「処理開始時温度」と記載する場合がある。）が、複数の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。その結果、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。換言すれば、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果のバラツキを抑制できる。

具体的には、制御部３０は、目標温度予測時間を、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間に設定する。処理液の吐出停止時間は、検出温度Ｔｄの検出時刻からプリディスペンス処理における処理液の吐出停止時刻までの時間を示す。プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時刻は、プリディスペンス処理の終了時刻を示す。

次に、図３を参照して、温度プロファイルＰＦについて詳細に説明する。図３は、温度プロファイルＰＦを示す図である。図３に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。処理液の温度は温度検出部１７によって検出されている。温度プロファイルＰＦは、過去のプリディスペンス処理における処理液の温度推移の記録である。そして、時刻ｔ０は、プリディスペンス処理による処理液の吐出開始時刻を示す。つまり、時刻ｔ０は、プリディスペンス処理の開始時刻を示す。時刻ｔ１は、プリディスペンス処理による処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達した時刻を示す。実施形態１では、プリディスペンス処理による処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達した時刻に、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止する。従って、時刻ｔ１は、処理液の吐出停止時刻であり、プリディスペンス処理の終了時刻を示す。つまり、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間ＰＤにおいてプリディスペンス処理が実行される。

時刻ｔｘは、プリディスペンス処理において、処理液の温度が目標温度Ｔｔよりも低い温度Ｔｘに到達した時刻を示す。そして、処理液の温度が温度Ｔｘから目標温度Ｔｔに到達するまでの時間ｔＲ（以下、「目標温度到達時間ｔＲ」と記載する場合がある。）は、温度プロファイルＰＦから特定できる。目標温度到達時間ｔＲは、温度プロファイルＰＦにおける時刻ｔｘから時刻ｔ１までの時間を示す。

実施形態１では、制御部３０は、過去のプリディスペンス処理の記録である温度プロファイルＰＦから特定される目標温度到達時間ｔＲを、実行中のプリディスペンス処理における目標温度予測時間に決定する。つまり、実行中のプリディスペンス処理における処理液の検出温度Ｔｄが温度プロファイルＰＦにおける温度Ｔｘと略一致する場合は、実行中のプリディスペンス処理における処理液の温度は、検出温度Ｔｄの検出時刻から温度プロファイルＰＦにおける目標温度到達時間ｔＲの経過時に、検出温度Ｔｄから目標温度Ｔｔに到達すると予測できる。

以上、図３を参照して説明したように、実施形態１によれば、制御部３０は、温度プロファイルＰＦに基づいて、処理液の検出温度Ｔｄに応じた目標温度予測時間を決定する。従って、目標温度予測時間を精度良く決定できる。

なお、温度プロファイルＰＦは、過去にプリディスペンス処理を実行したときの処理液の温度の時間推移の記録に加えて、プリディスペンス処理の終了時刻ｔ１から処理液による基板Ｗの処理の開始時刻ｔ２までの処理液の温度の時間推移の記録と、過去に処理液によって基板Ｗを処理したときの処理液の温度の時間推移の記録とを含んでいてもよい。

すなわち、プリディスペンス処理が終了すると、時刻ｔ１から時刻ｔ２までに、ノズル１２が待機位置ＰＳ２から処理位置ＰＳ１まで移動する。従って、温度プロファイルＰＦにおいて、時刻ｔ１から時刻ｔ２までに処理液の温度が下降している。そして、時刻ｔ２で、ノズル１２は、基板Ｗに向けて処理液の吐出を開始する。従って、温度プロファイルＰＦにおいて、時刻ｔ２以降、処理液の温度が上昇し、その後、飽和している。時刻ｔ２は、処理液による基板Ｗの処理の開始時刻を示す。つまり、時刻ｔ２以降の期間ＳＰにおいて、処理液によって基板Ｗが処理される。

次に、図１、図３、及び図４を参照して、実行中のプリディスペンス処理における処理液の吐出の制御について詳細に説明する。図４は、処理ユニット１における処理液の温度推移を示す図である。図４に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。

図４では、３枚の基板Ｗを一枚ずつ処理する際の処理液の温度推移が示される。すなわち、曲線Ｃ１は、１枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線Ｃ２は、２枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線Ｃ３は、３枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。時刻ｔ０は、プリディスペンス処理における処理液の吐出開始時刻を示す。

曲線Ｃ１〜曲線Ｃ３によって示されるように、時刻ｔ０では、１枚目の基板Ｗに対する処理液の温度が最も低く、２枚目の基板Ｗに対する処理液の温度が次に低く、３枚目の基板Ｗに対する処理液の温度が最も高い。なぜなら、循環配管（不図示）から分岐する供給配管１３の温度が、１枚目の基板Ｗのために処理液を供給する場合に最も低く、その後、徐々に上昇するためである。特に、処理ユニット１の待機時間が比較的長い場合、１枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理時では、２枚目以降の基板Ｗに対するプリディスペンス処理時と比較して、供給配管１３の温度は低い。

そこで、制御部３０は、温度検出部１７の検出結果に基づいて、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が３枚の基板Ｗ間で揃うように、基板Ｗごとに、プリディスペンス処理における処理液の吐出時間を制御する。

具体的には、温度検出部１７は、基板Ｗごとに、プリディスペンス処理を実行中に処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達したことを検出する。所定温度Ｔｙは目標温度Ｔｔより低い。１枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ１に示すように、時刻ｔａで処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達している。２枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ２に示すように、時刻ｔｂで処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達している。３枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ３に示すように、時刻ｔｃで処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達している。

制御部３０は、図３に示す温度プロファイルＰＦを参照して、所定温度Ｔｙと一致する温度Ｔｘに基づいて目標温度到達時間ｔＲを特定する。そして、制御部３０は、目標温度到達時間ｔＲを目標温度予測時間ｔＰに決定する。つまり、制御部３０は、温度プロファイルＰＦに基づいて、検出温度Ｔｄである所定温度Ｔｙに応じた目標温度予測時間ｔＰを決定する。

そして、処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達したことが検出された時刻から目標温度予測時間ｔＰが経過した時に、制御部３０は、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部２（具体的にはバルブ２０）を制御する。具体的には、１枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ１に示すように、ノズル１２は、時刻ｔａから目標温度予測時間ｔＰが経過した時刻ｔＡで処理液の吐出を停止する。２枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ２に示すように、ノズル１２は、時刻ｔｂから目標温度予測時間ｔＰが経過した時刻ｔＢで処理液の吐出を停止する。３枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ３に示すように、ノズル１２は、時刻ｔｃから目標温度予測時間ｔＰが経過した時刻ｔＣで処理液の吐出を停止する。

従って、実施形態１によれば、３枚の基板Ｗに対するプリディスペンス処理の終了時刻ｔＡ〜終了時刻ｔＣでの処理液の温度が、目標温度Ｔｔと略同一である。つまり、プリディスペンス処理の終了時刻ｔＡ〜終了時刻ｔＣでの処理液の温度が、３枚の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。従って、基板Ｗの処理開始時温度が、３枚の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。具体的には、曲線Ｃ１〜曲線Ｃ３に示すように、１枚目の基板Ｗの処理開始時刻ｔｐでの処理開始時温度と、２枚目の基板Ｗの処理開始時刻ｔｑでの処理開始時温度と、３枚目の基板Ｗの処理開始時刻ｔｒでの処理開始時温度とは、温度Ｔｓであり、略同一である。その結果、３枚の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。

また、実施形態１では、１枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理の終了時刻ｔＡから処理開始時刻ｔｐまでの時間と、２枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理の終了時刻ｔＢから処理開始時刻ｔｑまでの時間と、３枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理の終了時刻ｔＣから処理開始時刻ｔｒまでの時間とは、略同一である。そして、処理液による１枚目の基板Ｗの処理は、処理開始時刻ｔｐ以降の期間ＳＰ１において実行される。処理液による２枚目の基板Ｗの処理は、処理開始時刻ｔｑ以降の期間ＳＰ２において実行される。処理液による３枚目の基板Ｗの処理は、処理開始時刻ｔｒ以降の期間ＳＰ３において実行される。そして、期間ＳＰ１の長さと期間ＳＰ２の長さと期間ＳＰ３の長さとは略同一である。従って、３枚の基板Ｗは、それぞれ、略同一の長さの期間ＳＰ１〜期間ＳＰ３において、略同一の処理開始時温度Ｔｓの処理液によって処理される。その結果、３枚の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。

さらに、実施形態１では、プリディスペンス処理における処理液の吐出開始時刻ｔ０での処理液の温度が低い程、プリディスペンス処理を実行する期間を長くしている。曲線Ｃ１及び曲線Ｃ２に示すように、１枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理を実行する期間ＰＤ１は、２枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理を実行する期間ＰＤ２よりも長い。また、曲線Ｃ２及び曲線Ｃ３に示すように、２枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理を実行する期間ＰＤ２は、３枚目の基板Ｗに対するプリディスペンス処理を実行する期間ＰＤ３よりも長い。従って、プリディスペンス処理の終了時刻ｔＡ〜終了時刻ｔＣでの処理液の温度が、３枚の基板Ｗ間で相違することを更に抑制できる。その結果、３枚の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。

以上、図３及び図４を参照して説明したように、実施形態１によれば、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。

また、実施形態１に係るプリディスペンス処理は、高温の処理液（例えば、燐酸を含む処理液又はＳＰＭを含む処理液）を使用する場合に特に有効である。一般的には、高温の処理液を使用する場合は、環境温度と処理液の温度との差が大きいため、プリディスペンス処理の終了時刻において複数の基板Ｗ間での処理液の温度の相違が、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなるためである。実施形態１では、高温の処理液を使用する場合でも、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板Ｗ間で相違することを抑制できるため、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。

ここで、一般的な基板処理装置を例に挙げて、基板の環境温度の変動について説明する。一般的な基板処理装置では、環境温度の変動によって、複数の基板間で、処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。具体的には、処理中の基板の環境温度の変動が、処理液の温度に若干の影響を及ぼす可能性がある。特に、高温の処理液を使用する場合は、環境温度と処理液の温度との差が大きいため、環境温度の変動の影響は、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなる。環境温度の変動が処理液の温度に若干でも影響を及ぼすと、複数の基板間で、処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。特に、近年、処理結果の若干のバラツキでさえも抑制することを要求される場合がある。換言すれば、複数の基板間で、処理結果の均一性の更なる向上が要求される場合がある。

これに対して、実施形態１に係る基板処理装置１００では、目標温度予測時間に基づいてプリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定することで、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。従って、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。

また、実施形態１によれば、目標温度Ｔｔよりも低い検出温度Ｔｄに基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出を制御している。従って、実施形態１では、検出した目標温度Ｔｔに基づいてプリディスペンス処理における処理液の吐出を制御する場合と比較して、次のような利点を有する。

すなわち、実施形態１では、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する時刻よりも前の時刻で処理液の吐出の制御を開始するため、処理液の吐出の制御を確実に行うことができる。なお、検出した目標温度Ｔｔに基づいて処理液の吐出を制御する場合は、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達して直ちに制御を開始する必要があるところ、バルブの動作が制御に追随せずに、目標温度Ｔｔを超えてから処理液の吐出が停止される可能性がある。

また、実施形態１では、目標温度Ｔｔよりも低い検出温度Ｔｄに基づいて処理液の吐出の制御を実行するため、温度検出部１７の性能に好適な温度帯を選択して処理液の温度を検出できる。特に、高温の処理液を使用する場合、高温域では温度検出部１７による検出精度が十分でない場合があり得るが、実施形態１では、温度検出部１７の性能に好適な温度帯で処理液の温度を検出できる。

次に、図１、図４、及び図５を参照して、基板処理装置１００が実行する基板処理方法について説明する。図５は、基板処理方法を示すフローチャートである。図５に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１と、工程Ｓ２とを含む。基板処理方法は、基板Ｗを処理液によって処理する基板処理装置１００によって実行される。

図１及び図５に示すように、工程Ｓ１において、基板処理装置１００は、プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行する。工程Ｓ１は「プリディスペンス工程」の一例に相当する。次に、工程Ｓ２において、基板処理装置１００は、処理液によって基板Ｗを処理する。工程Ｓ２は「基板処理工程」の一例に相当する。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ、基板Ｗごとに、工程Ｓ１及び工程Ｓ２を実行する。

具体的には、工程Ｓ１は、工程Ｓ１１〜工程Ｓ１６を含む。

工程Ｓ１１において、制御部３０は、基板処理装置１００の状態情報（以下、「状態情報ＳＴ」と記載する。）によって示される基板処理装置１００の状態を認識する。基板処理装置１００の状態情報ＳＴは、直近での基板Ｗの処理完了時からの経過時間を示す情報と、１枚ずつ基板Ｗを処理するときに何枚目の基板Ｗがスピンチャック１１に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む。工程Ｓ１１の後、処理は工程Ｓ１２に進む。

工程Ｓ１２において、制御部３０は、プリディスペンス処理条件を基板処理装置１００に設定する。具体的には、制御部３０は、互いに異なる複数のプリディスペンス処理条件から選択したプリディスペンス処理条件を、基板処理装置１００に設定する。工程Ｓ１２の後、処理は工程Ｓ１３に進む。

工程Ｓ１３において、制御部３０は、ノズル１２が液受け部１５に向かって処理液の吐出を開始するように、プリディスペンス処理条件に従って供給調節部２を制御する。その結果、ノズル１２が液受け部１５に向かって処理液の吐出を開始する。工程Ｓ１３の後、処理は工程Ｓ１４に進む。

工程Ｓ１４において、温度検出部１７は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前に、処理液の温度を検出する。具体的には、工程Ｓ１４では、プリディスペンス処理を実行中に処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達したことを検出する。所定温度Ｔｙは目標温度Ｔｔより低い。工程Ｓ１４は「検出工程」の一例に相当する。

更に具体的には、工程Ｓ１４は、工程Ｓ１４１と、工程Ｓ１４２と、工程Ｓ１４３とを含む。

工程Ｓ１４１において、温度検出部１７は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前から、処理液の温度を検出して、処理液の温度を示す情報を制御部３０に出力する。従って、制御部３０は、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前から、処理液の温度を監視している。工程Ｓ１４１の後、処理は工程Ｓ１４２に進む。

工程Ｓ１４２において、制御部３０は、処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達したか否かを判定する。

処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達していないと判定されると（工程Ｓ１４２でＮｏ）、処理は工程Ｓ１４１に戻る。

一方、処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達したと判定されると（工程Ｓ１４２でＹｅｓ）、処理は工程Ｓ１４３に進む。なお、処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達したと判定された後においても、温度検出部１７は処理液の温度を検出し、制御部３０は処理液の温度を監視する。

工程Ｓ１４３において、制御部３０は、処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達した時刻（例えば時刻ｔａ）を記憶するように、記憶部３１を制御する。その結果、記憶部３１は、処理液の温度が所定温度Ｔｙに到達した時刻を記憶する。工程Ｓ１４３の後、処理は工程Ｓ１５に進む。

工程Ｓ１５において、制御部３０は、目標温度予測時間ｔＰに基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。具体的には、制御部３０は、温度プロファイルＰＦに基づいて、所定温度Ｔｙに応じた目標温度予測時間ｔＰを決定する。そして、制御部３０は、目標温度予測時間ｔＰを処理液の吐出停止時間に設定する。所定温度Ｔｙは検出温度Ｔｄに一致する。検出温度Ｔｄは、工程Ｓ１４によって目標温度Ｔｔに到達する前に検出された処理液の温度を示す。工程Ｓ１５は「設定工程」の一例に相当する。工程Ｓ１５の後、処理は工程Ｓ１６に進む。

工程Ｓ１６において、所定温度Ｔｙに到達したことが検出された時刻（例えば時刻ｔａ）から目標温度予測時間ｔＰが経過した時（例えば時刻ｔＡ）に、制御部３０は、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部２を制御する。その結果、ノズル１２は、処理液の吐出を停止する。そして、プリディスペンス処理が終了する。工程Ｓ１６は「プリディスペンス終了工程」の一例に相当する。工程Ｓ１６の後、処理は工程Ｓ２に進む。そして、工程Ｓ２を完了すると、１枚の基板Ｗに対するプリディスペンス処理及び処理液による処理が終了する。

（実施形態２）
図１及び図６〜図８を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００について説明する。実施形態２が所定検出時刻（以下、「所定検出時刻ｔｙ」と記載する場合がある。）で検出した処理液の温度に応じて目標温度予測時間を決定する点で、実施形態２は実施形態１と異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

まず、図１、図６、及び図７を参照して、実行中のプリディスペンス処理における処理液の吐出の制御について説明する。図６は、処理ユニット１における処理液の温度推移を示す図である。図６に示す曲線Ｃ１〜曲線Ｃ３は、それぞれ、図４に示す曲線Ｃ１〜曲線Ｃ３と同様であり、適宜説明を省略する。

図１及び図６に示すように、温度検出部１７は、基板Ｗごとに、プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻ｔｙで処理液の温度を検出する。所定検出時刻ｔｙで検出された処理液の温度が検出温度Ｔｄである。所定検出時刻ｔｙは、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前の時刻を示し、予め定められる。

１枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ１に示すように、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度は温度Ｔｙ１である。２枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ２に示すように、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度は温度Ｔｙ２である。３枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ３に示すように、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度は温度Ｔｙ３である。

制御部３０は、温度プロファイルＰＦを参照して、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度Ｔｙ１〜温度Ｔｙ３のそれぞれに対して、目標温度予測時間ｔＰ１〜目標温度予測時間ｔＰ３を決定する。つまり、制御部３０は、温度プロファイルＰＦに基づいて、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度Ｔｙ１〜温度Ｔｙ３に応じた目標温度予測時間ｔＰ１〜目標温度予測時間ｔＰ３を決定する。

目標温度予測時間ｔＰ１〜目標温度予測時間ｔＰ３の具体的な決定手順について図６及び図７を参照して説明する。図７は、温度プロファイルＰＦを示す図である。図７に示す温度プロファイルＰＦは、図３に示す温度プロファイルＰＦと同様であり、適宜説明を省略する。

図６及び図７に示すように、１枚目の基板Ｗに対して、制御部３０は、温度プロファイルＰＦを参照して、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度Ｔｙ１と一致する温度Ｔｘ１に基づいて時間ｔＲ１を特定する。時間ｔＲ１は、処理液の温度が温度Ｔｘ１から目標温度Ｔｔに到達するまでの時間を示す。従って、実行中のプリディスペンス処理における処理液の温度Ｔｙ１が温度プロファイルＰＦにおける温度Ｔｘ１と略一致する場合は、実行中のプリディスペンス処理における処理液の温度は、所定検出時刻ｔｙから温度プロファイルＰＦにおける時間ｔＲ１の経過時に、温度Ｔｙ１から目標温度Ｔｔに到達すると予測できる。そこで、制御部３０は、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度Ｔｙ１に対して、温度プロファイルＰＦから特定される時間ｔＲ１を、実行中のプリディスペンス処理における目標温度予測時間ｔＰ１に決定する。

２枚目の基板Ｗに対しても同様に、制御部３０は、温度プロファイルＰＦを参照して、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度Ｔｙ２と一致する温度Ｔｘ２に基づいて時間ｔＲ２を特定する。時間ｔＲ２は、処理液の温度が温度Ｔｘ２から目標温度Ｔｔに到達するまでの時間を示す。そして、制御部３０は、処理液の温度Ｔｙ２に対して、時間ｔＲ２を目標温度予測時間ｔＰ２に決定する。

３枚目の基板Ｗに対しても同様に、制御部３０は、温度プロファイルＰＦを参照して、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度Ｔｙ３と一致する温度Ｔｘ３に基づいて時間ｔＲ３を特定する。時間ｔＲ３は、処理液の温度が温度Ｔｘ３から目標温度Ｔｔに到達するまでの時間を示す。そして、制御部３０は、処理液の温度Ｔｙ３に対して、時間ｔＲ３を目標温度予測時間ｔＰ３に決定する。

以上、図６及び図７を参照して説明したように、制御部３０は、温度プロファイルＰＦに基づいて目標温度予測時間ｔＰ１〜目標温度予測時間ｔＰ３を決定した。そして、図６に示すように、１枚目〜３枚目の基板Ｗのそれぞれに対して、所定検出時刻ｔｙから目標温度予測時間ｔＰ１〜目標温度予測時間ｔＰ３が経過した時に、制御部３０は、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部２（具体的にはバルブ２０）を制御する。

具体的には、１枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ１に示すように、ノズル１２は、所定検出時刻ｔｙから目標温度予測時間ｔＰ１が経過した時刻ｔＡで処理液の吐出を停止する。２枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ２に示すように、ノズル１２は、所定検出時刻ｔｙから目標温度予測時間ｔＰ２が経過した時刻ｔＢで処理液の吐出を停止する。３枚目の基板Ｗでは、曲線Ｃ３に示すように、ノズル１２は、所定検出時刻ｔｙから目標温度予測時間ｔＰ３が経過した時刻ｔＣで処理液の吐出を停止する。

従って、実施形態２によれば、３枚の基板Ｗに対するプリディスペンス処理の終了時刻ｔＡ〜終了時刻ｔＣでの処理液の温度が、目標温度Ｔｔと略同一である。つまり、プリディスペンス処理の終了時刻ｔＡ〜終了時刻ｔＣでの処理液の温度が、３枚の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。従って、基板Ｗの処理開始時温度が、３枚の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。具体的には、１枚目〜３枚目の基板Ｗの処理開始時温度は、温度Ｔｓであり、略同一である。その結果、３枚の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。つまり、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。その他、実施形態２では、実施形態１と同様の効果を有する。

次に、図１、図６、及び図８を参照して、基板処理装置１００が実行する基板処理方法について説明する。図８は、基板処理方法を示すフローチャートである。図８に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ５１と、工程Ｓ５２とを含む。基板処理方法は、基板Ｗを処理液によって処理する基板処理装置１００によって実行される。

図１及び図８に示すように、工程Ｓ５１において、基板処理装置１００は、プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行する。工程Ｓ５１は「プリディスペンス工程」の一例に相当する。次に、工程Ｓ５２において、基板処理装置１００は、処理液によって基板Ｗを処理する。工程Ｓ５２は「基板処理工程」の一例に相当する。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ、基板Ｗごとに、工程Ｓ５１及び工程Ｓ５２を実行する。

具体的には、工程Ｓ５１は、工程Ｓ５１１〜工程Ｓ５１６を含む。

工程Ｓ５１１において、制御部３０は、基板処理装置１００の状態情報ＳＴによって示される基板処理装置１００の状態を認識する。工程Ｓ５１１の後、処理は工程Ｓ５１２に進む。

工程Ｓ５１２において、制御部３０は、プリディスペンス処理条件を基板処理装置１００に設定する。工程Ｓ５１２の後、処理は工程Ｓ５１３に進む。

工程Ｓ５１３において、制御部３０は、ノズル１２が液受け部１５に向かって処理液の吐出を開始するように、プリディスペンス処理条件に従って供給調節部２を制御する。その結果、ノズル１２が液受け部１５に向かって処理液の吐出を開始する。工程Ｓ５１３の後、処理は工程Ｓ５１４に進む。

なお、工程Ｓ５１１〜工程Ｓ５１３は、それぞれ、図５に示す工程Ｓ１１〜工程Ｓ１３と同様である。

工程Ｓ５１４において、温度検出部１７は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前に、処理液の温度を検出する。具体的には、工程Ｓ５１４では、プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻ｔｙで処理液の温度を検出する。所定検出時刻ｔｙは、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前の時刻を示す。工程Ｓ５１４は「検出工程」の一例に相当する。

更に具体的には、工程Ｓ５１４は、工程Ｓ５１４１と、工程Ｓ５１４２と、工程Ｓ５１４３とを含む。

工程Ｓ５１４１において、温度検出部１７は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前から、処理液の温度を検出して、処理液の温度を示す情報を制御部３０に出力する。従って、制御部３０は、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前から、処理液の温度を監視している。工程Ｓ５１４１の後、処理は工程Ｓ５１４２に進む。

工程Ｓ５１４２において、制御部３０は、時刻が所定検出時刻ｔｙになったか否かを判定する。

時刻が所定検出時刻ｔｙになっていないと判定されると（工程Ｓ５１４２でＮｏ）、処理は工程Ｓ５１４１に戻る。

一方、時刻が所定検出時刻ｔｙになったと判定されると（工程Ｓ５１４２でＹｅｓ）、処理は工程Ｓ５１４３に進む。なお、時刻が所定検出時刻ｔｙになったと判定された後においても、温度検出部１７は処理液の温度を検出し、制御部３０は処理液の温度を監視する。

工程Ｓ５１４３において、制御部３０は、所定検出時刻ｔｙで検出された処理液の温度（例えば温度Ｔｙ１）を記憶するように、記憶部３１を制御する。その結果、記憶部３１は、所定検出時刻ｔｙでの処理液の温度を記憶する。工程Ｓ５１４３の後、処理は工程Ｓ５１５に進む。

工程Ｓ５１５において、制御部３０は、目標温度予測時間ｔＰに基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。具体的には、制御部３０は、温度プロファイルＰＦに基づいて、所定検出時刻ｔｙで検出した処理液の温度（例えば温度Ｔｙ１）に応じた目標温度予測時間（例えば目標温度予測時間ｔＰ１）を決定する。そして、制御部３０は、目標温度予測時間を処理液の吐出停止時間に設定する。所定検出時刻ｔｙで検出した処理液の温度は、検出温度Ｔｄである。検出温度Ｔｄは、工程Ｓ５１４によって目標温度Ｔｔに到達する前に検出された処理液の温度を示す。工程Ｓ５１５は「設定工程」の一例に相当する。工程Ｓ５１５の後、処理は工程Ｓ５１６に進む。

工程Ｓ５１６において、所定検出時刻ｔｙから目標温度予測時間が経過した時（例えば時刻ｔＡ）に、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部２を制御する。その結果、ノズル１２は、処理液の吐出を停止する。そして、プリディスペンス処理が終了する。工程Ｓ５１６は「プリディスペンス終了工程」の一例に相当する。工程Ｓ５１６の後、処理は工程Ｓ５２に進む。そして、工程Ｓ５２を完了すると、１枚の基板Ｗに対するプリディスペンス処理及び処理液による処理が終了する。

（実施形態３）
図１及び図９を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理装置１００について説明する。実施形態３が複数のプリディスペンス処理条件にそれぞれ対応する複数の温度プロファイルＰＦを有する点で、実施形態３は実施形態１と異なる。以下、実施形態３が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図９は、実施形態３に係る基板処理装置１００の記憶部３１に記憶されたプリディスペンス処理条件ＰＣ及び温度プロファイルＰＦを示す概念図である。図９に示すように、記憶部３１は、互いに異なる複数のプリディスペンス処理条件ＰＣを記憶する。さらに、記憶部３１は、複数のプリディスペンス処理条件ＰＣにそれぞれ関連付けて、互いに異なる複数の温度プロファイルＰＦを記憶する。

図１及び図９に示すように、制御部３０は、複数のプリディスペンス処理条件ＰＣから１つのプリディスペンス処理条件ＰＣ（以下、「プリディスペンス処理条件ＰＣＡ」と記載する。）を選択する。そして、制御部３０は、複数のプリディスペンス処理条件ＰＣから選択されたプリディスペンス処理条件ＰＣＡに従って供給調節部２及びノズル移動ユニット１４を制御して、プリディスペンス処理を実行する。

そして、制御部３０は、複数の温度プロファイルＰＦから、プリディスペンス処理条件ＰＣＡに関連付けられた温度プロファイル（以下、「温度プロファイルＰＦＡ」と記載する。）を特定する。温度プロファイルＰＦＡにおける温度の時間推移を記録する際のプリディスペンス処理条件は、温度プロファイルＰＦＡに関連付けられたプリディスペンス処理条件ＰＣＡと同じである。つまり、温度プロファイルＰＦＡにおける温度の時間推移を記録する際のプリディスペンス処理条件は、選択されたプリディスペンス処理条件ＰＣＡと同じである。

従って、実施形態３によれば、実行中のプリディスペンス処理に更に適合する温度プロファイルＰＦＡに基づいて、目標温度予測時間を決定できる。その結果、目標温度予測時間を更に精度良く決定できる。そして、制御部３０は、更に精度の良い目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出終了時間を設定する。従って、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板Ｗ間で相違することを更に抑制できる。その結果、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。その他、実施形態３では、実施形態１と同様の効果を有する。

例えば、あるプリディスペンス処理条件ＰＣ（以下、「プリディスペンス処理条件ＰＣ１」と記載する。）と別のプリディスペンス処理条件ＰＣ（以下、「プリディスペンス処理条件ＰＣ２」と記載する。）とに着目する。プリディスペンス処理条件ＰＣ１は、Ｐ（リットル／分）の流量を示し、プリディスペンス処理条件ＰＣ２は、Ｑ（リットル／分）の流量を示す。流量Ｐと流量Ｑとは異なる。従って、流量Ｐに対応する温度プロファイルＰＦと流量Ｑに対応する温度プロファイルＰＦとは異なる。その結果、例えば、実行中のプリディスペンス処理に対するプリディスペンス処理条件がプリディスペンス処理条件ＰＣ１である場合には、流量Ｑに対応する温度プロファイルＰＦに基づく目標温度予測時間の精度よりも、流量Ｐに対応する温度プロファイルＰＦに基づく目標温度予測時間の精度が高い。

（実施形態４）
図１及び図１０を参照して、本発明の実施形態４に係る基板処理装置１００について説明する。実施形態４が複数の状態情報ＳＴにそれぞれ対応する複数の温度プロファイルＰＦを有する点で、実施形態４は実施形態１と異なる。以下、実施形態４が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図１０は、実施形態４に係る基板処理装置１００の記憶部３１に記憶された基板処理装置１００の状態情報ＳＴ及び温度プロファイルＰＦを示す概念図である。図１０に示すように、記憶部３１は、互いに異なる複数の状態情報ＳＴを記憶する。さらに、記憶部３１は、複数の状態情報ＳＴにそれぞれ関連付けて、互いに異なる複数の温度プロファイルＰＦを記憶する。基板処理装置１００の状態情報ＳＴは、直近での基板Ｗの処理完了時からの経過時間を示す情報と、１枚ずつ基板Ｗを処理するときに何枚目の基板Ｗがスピンチャック１１に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む。

例えば、ある状態情報ＳＴは、直近での基板Ｗの処理完了時からの経過時間が３時間であることを示し、別の状態情報ＳＴは、直近での基板Ｗの処理完了時からの経過時間が１０分であることを示す。例えば、ある状態情報ＳＴは、１枚目の基板Ｗがスピンチャック１１に保持されたことを示し、別の状態情報ＳＴは、３枚目の基板Ｗがスピンチャック１１に保持されたことを示す。

図１及び図１０に示すように、制御部３０は、複数の状態情報ＳＴから、現在の基板処理装置１００の状態を示す状態情報ＳＴ（以下、「状態情報ＳＴＡ」と記載する。）を特定する。

そして、制御部３０は、複数の温度プロファイルＰＦから、状態情報ＳＴＡに関連付けられた温度プロファイルＰＦ（以下、「温度プロファイルＰＦＡ」と記載する。）を特定する。温度プロファイルＰＦＡは、基板処理装置１００の状態が状態情報ＳＴＡによって示される状態のときに、プリディスペンス処理条件に従って過去にプリディスペンス処理を実行したときの処理液の温度の時間推移の記録を示す。

従って、実施形態４によれば、プリディスペンス処理を実行中の基板処理装置１００の状態に更に適合する温度プロファイルＰＦＡに基づいて、目標温度予測時間を決定できる。その結果、目標温度予測時間を更に精度良く決定できる。そして、制御部３０は、更に精度の良い目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出終了時間を設定する。従って、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板Ｗ間で相違することを更に抑制できる。その結果、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。その他、実施形態４では、実施形態１と同様の効果を有する。

例えば、ある状態情報ＳＴ（以下、「状態情報ＳＴ１」と記載する。）と別の状態情報ＳＴ（以下、「状態情報ＳＴ２」と記載する。）とに着目する。状態情報ＳＴ１は、直近での基板Ｗの処理完了時からの経過時間が３時間であることを示し、状態情報ＳＴ２は、直近での基板Ｗの処理完了時からの経過時間が１０分であることを示す。従って、状態情報ＳＴ１に対応する温度プロファイルＰＦと状態情報ＳＴ２に対応する温度プロファイルＰＦとは異なる。その結果、例えば、状態情報ＳＴ１によってプリディスペンス処理を実行中の基板処理装置１００の状態が示される場合は、状態情報ＳＴ２に対応する温度プロファイルＰＦに基づく目標温度予測時間の精度よりも、状態情報ＳＴ１に対応する温度プロファイルＰＦに基づく目標温度予測時間の精度が高い。

（実施形態５）
図１１及び図１２を参照して、本発明の実施形態５に係る基板処理装置１００Ａについて説明する。実施形態５が複数の処理ユニット１を備えている点で、実施形態５は実施形態１と異なる。以下、実施形態５が実施形態１と異なる点を主に説明する。

まず、図１１を参照して、基板処理装置１００Ａについて説明する。図１１は、基板処理装置１００Ａを示す平面図である。図１１に示すように、基板処理装置１００Ａは、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット１と、複数の流体ボックス４と、処理液キャビネット５と、制御装置３とを備える。制御装置３は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び処理ユニット１を制御する。制御装置３は、制御部３０と、記憶部３１とを含む。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。流体ボックス４の各々は流体機器を収容する。処理液キャビネット５は処理液を収容する。

具体的には、複数の処理ユニット１は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（実施形態５では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット１（実施形態５では３つの処理ユニット１）を含む。複数の流体ボックス４は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット５内の処理液は、いずれかの流体ボックス４を介して、流体ボックス４に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に供給される。

制御部３０は、図１〜図５を参照して説明した実施形態１に係る制御部３０と同様に動作する。つまり、制御部３０は、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。従って、実施形態５によれば、実施形態１と同様に、１つのチャンバー１０で１枚ずつ処理される複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。

また、実施形態５では、基板処理装置１００Ａは、チャンバー１０ごとに、スピンチャック１１とノズル１２と供給調節部２と液受け部１５と温度検出部１７とを備える。チャンバー１０の各々は、スピンチャック１１とノズル１２と供給調節部２と液受け部１５と温度検出部１７と収容する。

制御部３０は、チャンバー１０ごとに、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。従って、複数のチャンバー１０にわたって、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板Ｗ間で相違することを抑制できる。その結果、複数のチャンバー１０で処理される複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。例えば、１つのタワーＴＷ内の複数のチャンバー１０間で、複数の基板Ｗに対して、処理液による処理結果の均一性を向上できる。例えば、複数のタワーＴＷ間で、複数の基板Ｗに対して、処理液による処理結果の均一性を向上できる。なお、基板処理装置１００Ａは、図５に示す基板処理方法をチャンバー１０ごとに実行する。つまり、工程Ｓ１及び工程Ｓ２は、複数の基板Ｗをそれぞれ収容する複数のチャンバー１０ごとに実行される。

次に、図１２を参照して、ノズル１２への処理液の供給について説明する。図１２は、基板処理装置１００Ａの配管を示す図である。図１２に示すように、基板処理装置１００Ａは、各タワーＴＷにおいて、処理ユニット１ごとに、供給配管１３と供給調節部２とを備えている。供給調節部２は、タワーＴＷに対応する流体ボックス４に収容される。各供給配管１３の一部はチャンバー１０に収容され、各供給配管１３の他の一部は流体ボックス４に収容される。

また、基板処理装置１００Ａは、処理液タンク５０と、循環配管５１と、ポンプ５５と、フィルター５６と、温度調節器５７とを備える。処理液タンク５０とポンプ５５とフィルター５６と温度調節器５７とは、処理液キャビネット５に収容される。循環配管５１の一部は処理液キャビネット５に収容され、循環配管５１の他の一部は流体ボックス４に収容される。

循環配管５１は、処理液タンク５０から下流に延びる上流配管５２と、上流配管５２から分岐した複数の個別配管５３と、各個別配管５３から処理液タンク５０まで下流に延びる下流配管５４とを含む。

上流配管５２の上流端は、処理液タンク５０に接続されている。下流配管５４の下流端は、処理液タンク５０に接続されている。上流配管５２の上流端は、循環配管５１の上流端に相当し、下流配管５４の下流端は、循環配管５１の下流端に相当する。各個別配管５３は、上流配管５２の下流端から下流配管５４の上流端に延びている。

複数の個別配管５３は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。１つのタワーＴＷに含まれる３つの処理ユニット１に対応する３つの供給配管１３は、１つの個別配管５３に接続されている。

ポンプ５５は、処理液タンク５０内の処理液を循環配管５１に送る。フィルター５６は、循環配管５１を流れる処理液から異物を除去する。温度調節器５７は、処理液タンク５０内の処理液の温度を調節する。温度調節器５７は、例えば、処理液を加熱するヒーターである。

ポンプ５５、フィルター５６、及び温度調節器５７は、上流配管５２に配置されている。処理液タンク５０内の処理液は、ポンプ５５によって上流配管５２に送られ、上流配管５２から複数の個別配管５３に流れる。個別配管５３内の処理液は、下流配管５４に流れ、下流配管５４から処理液タンク５０に戻る。処理液タンク５０内の処理液は、規定温度ＴＭ以上の特定温度になるように温度調節器５７によって加熱されて上流配管５２に送り込まれる。従って、循環配管５１を循環する処理液の温度は、規定温度ＴＭ以上の特定温度に維持される。そして、循環配管５１内で特定温度に維持されている処理液が、供給配管１３に供給される。

以上、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、下記に示す（１）〜（３））。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる３実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

（１）実施形態１〜実施形態５では、温度プロファイルＰＦを参照して目標温度予測時間を決定した。この場合、温度プロファイルＰＦは、例えば、テーブルによって表されていてもよいし、関数によって表されていてもよい。また、温度プロファイルＰＦに基づく目標温度予測時間を決定できる限りにおいては、目標温度予測時間の導出形態は特に限定されない。例えば、実施形態１において、記憶部３１が、所定温度Ｔｙと、温度プロファイルＰＦから予め導出した目標温度予測時間ｔＰとを関連付けて記憶していてもよい（図４）。そして、制御部３０は、記憶部３１から目標温度予測時間ｔＰを取得する。この場合は、検出温度Ｔｄの検出前においても、制御部３０は目標温度予測時間ｔＰを取得できる。

例えば、実施形態２において、記憶部３１は、所定検出時刻ｔｙでの温度Ｔｔ１〜温度Ｔｔ３と目標温度予測時間ｔＰ１〜目標温度予測時間ｔＰ３とをそれぞれに関連付けたテーブルを記憶していてもよい（図６）。そして、制御部３０は、テーブルから目標温度予測時間を取得する。例えば、所定検出時刻ｔｙでの温度Ｔｔ１〜温度Ｔｔ３と目標温度予測時間ｔＰ１〜目標温度予測時間ｔＰ３との関係を関数により表すこともできる。そして、制御部３０は、関数から目標温度予測時間を導出する。

（２）実施形態２に係る記憶部３１が、実施形態３に係る複数のプリディスペンス処理条件ＰＣ及び複数の温度プロファイルＰＦを記憶していてもよい（図９）。また、実施形態２に係る記憶部３１が、実施形態４に係る複数の状態情報ＳＴ及び複数の温度プロファイルＰＦを記憶していてもよい（図１０）。さらに、実施形態５に係る基板処理装置１００Ａの制御部３０が、実施形態２に係る制御部３０と同様に動作してもよい。また、基板処理装置１００Ａの記憶部３１が、実施形態３又は実施形態４に係る記憶部３１と同様の情報を記憶していてもよい。

（３）実施形態１〜実施形態５において、処理液の温度が目標温度Ｔｔに到達する前である限りにおいては、温度検出部１７は、任意の時刻に処理液の温度を検出することができる。そして、制御部３０は、処理液の検出時刻と検出温度とから、逐次、温度プロファイルＰＦに基づいて目標温度予測時間を決定することができる。

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

１ 処理ユニット
２ 供給調節部
３ 制御装置
１０ チャンバー
１１ スピンチャック（基板保持部）
１２ ノズル
１５ 液受け部
１７ 温度検出部
３０ 制御部
３１ 記憶部
１００、１００Ａ 基板処理装置
Ｗ 基板

Claims (16)

1. 基板を処理液によって処理する基板処理装置であって、
   前記基板を保持して回転する基板保持部と、
   前記保持された基板に前記処理液を吐出するノズルと、
   前記ノズルへの前記処理液の供給量を調節する供給調節部と、
   前記基板保持部よりも外側に位置し、前記ノズルによって吐出される前記処理液を受ける液受け部と、
   プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する温度検出部と、
   プリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行する制御部と
   を備え、
   前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、前記液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示し、
   前記制御部は、目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定し、
   前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示し、
   前記検出温度は、前記温度検出部によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示し、
   前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められ、
   前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す、基板処理装置。
2. 前記制御部は、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出し、
   前記所定温度は、前記目標温度より低く、
   前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出し、
   前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示し、
   前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択されたプリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行し、
   前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じである、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示し、
   前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、１枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が前記基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 複数のチャンバーをさらに備え、
   前記チャンバーごとに、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とが備えられ、
   前記複数のチャンバーの各々は、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とを収容し、
   前記制御部は、前記チャンバーごとに、前記目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 基板を処理液によって処理する基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
   プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行するプリディスペンス工程を含み、
   前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示し、
   前記プリディスペンス工程は、
   前記プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する検出工程と、
   目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する設定工程と
   を含み、
   前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示し、
   前記検出温度は、前記検出工程によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示し、
   前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められ、
   前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す、基板処理方法。
10. 前記設定工程では、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定する、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出し、
    前記所定温度は、前記目標温度より低く、
    前記プリディスペンス工程は、
    前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含む、請求項９又は請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出し、
    前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示し、
    前記プリディスペンス工程は、
    前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含む、請求項９又は請求項１０に記載の基板処理方法。
13. 前記プリディスペンス工程では、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択したプリディスペンス処理条件に従って、前記プリディスペンス処理を実行し、
    前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じである、請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
14. 前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示し、
    前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、１枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む、請求項９から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
15. 前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項９から請求項１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
16. 前記プリディスペンス工程は、複数の前記基板をそれぞれ収容する複数のチャンバーごとに実行される、請求項９から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。

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