JP6967433B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、ホスト材料としてアントラセン系化合物およびジベンゾクリセン系化合物の両方を含む発光層を有する有機電界発光素子、これを用いた表示装置および照明装置に関する。

従来、電界発光する発光素子を用いた表示装置は、省電力化や薄型化が可能なことから、種々研究され、さらに、有機材料から成る有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子）は、軽量化や大型化が容易なことから活発に検討されてきた。特に、光の三原色の一つである青色などの発光特性を有する有機材料の開発、および最適な発光特性となる複数材料の組み合わせについては、高分子化合物、低分子化合物を問わずこれまで活発に研究されてきた。

有機ＥＬ素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、当該一対の電極間に配置され、有機化合物を含む一層または複数の層とからなる構造を有する。有機化合物を含む層には、発光層や、正孔、電子などの電荷を輸送または注入する電荷輸送／注入層などがあるが、これらの層に適当な種々の有機材料が開発されている。

発光層は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とを再結合させることにより発光する層である。一般的な青色素子の発光層としては、一種類のピレン系ドーパントと一種類のアントラセン系ホストからなる単一発光層の構成が広く採用されている。一般的にアントラセン系化合物はホスト材料として知られ（国際公開第2014/141725号公報、国際公開第2016/152544号公報）、またジベンゾクリセン系化合物もホスト材料として知られている（特開2011-6397号公報）。

国際公開第2014/141725号公報 国際公開第2016/152544号公報 特開2011-006397号公報

しかしながら、このような単一発光層の構成においては、ドーパントとホストとでキャリアバランスを整え、発光層中心で発光させることは難しい場合も多く、通常は正孔輸送層側または電子輸送層側に再結合領域が偏ることが多いといわれている。その結果、正孔輸送層や電子輸送層へキャリアの流れ込みが起こり、素子効率や素子寿命の低下につながると考えられている。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、発光層を二種類以上のホスト材料を用いて例えば二層構造とすることにより、再結合領域を発光層と隣接層との界面から遠ざけて、隣接層へのキャリアの流れ込みを抑制し、キャリアバランスを向上させることができると考えた。そして、本願の実施例において、このような素子構成が素子効率や素子寿命の向上につながることが実証され、これは、キャリアバランスが向上し、キャリア輸送層への負担を抑制できるようになったためと考えられる。

項１．
陽極層および陰極層からなる一対の電極層と、該一対の電極層間に配置される発光層とを有する有機電界発光素子であって、前記発光層は、ホスト材料として、下記一般式（１）で表されるアントラセン系化合物および下記一般式（２）で表されるジベンゾクリセン系化合物を含み、さらにドーパント材料を含む、有機電界発光素子。

（上記式（１）中、
ＸおよびＡｒ^４は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいジアリールアミノ、置換されていてもよいジヘテロアリールアミノ、置換されていてもよいアリールヘテロアリールアミノ、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアルケニル、置換されていてもよいアルコキシ、置換されていてもよいアリールオキシ、置換されていてもよいアリールチオまたは置換されていてもよいシリルであり、全てのＸおよびＡｒ^４は同時に水素になることはなく、
式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素または置換されていてもよいヘテロアリールで置換されていてもよい。）
（上記式（２）中、
Ｒ¹からＲ^1６は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
また、Ｒ^１からＲ^１６のうち隣接する基同士は結合して縮合環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して当該形成された環と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、そして、
式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい。）

項２．
前記発光層は、ホスト材料として、下記一般式（１）で表されるアントラセン系化合物を含む、項１に記載する有機電界発光素子。

（上記式（１）中、
Ｘはそれぞれ独立して上記式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基であり、式（１−Ｘ１）および式（１−Ｘ２）におけるナフチレン部位は１つのベンゼン環で縮合されていてもよく、式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基は＊において式（１）のアントラセン環と結合し、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ^３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ）で表される基であり、Ａｒ^３における少なくとも１つの水素は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ）で表される基で置換されていてもよく、
Ａｒ^４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ターフェニリル、ナフチル、または炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリルであり、そして、
式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素または上記式（Ａ）で表される基で置換されていてもよく、
上記式（Ａ）中、Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ｒ^２９であり、Ｒ^２１〜Ｒ^２８はそれぞれ独立して水素、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルコキシ、置換されていてもよいアリールオキシ、置換されていてもよいアリールチオ、トリアルキルシリル、置換されていてもよいアミノ、ハロゲン、ヒドロキシまたはシアノであり、Ｒ^２１〜Ｒ^２８のうち隣接する基は互いに結合して炭化水素環、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、Ｒ^２９は水素または置換されていてもよいアリールであり、式（Ａ）で表される基は＊において式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）のナフタレン環、式（１−Ｘ３）の単結合、式（１−Ｘ３）のＡｒ^３と結合し、また式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素と置換し、式（Ａ）の構造においてはいずれかの位置でこれらと結合する。）

項３．
前記発光層は、ホスト材料として、下記一般式（１）で表されるアントラセン系化合物を含む、項１に記載する有機電界発光素子。

（上記式（１）中、
Ｘはそれぞれ独立して上記式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基であり、式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基は＊において式（１）のアントラセン環と結合し、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ^３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）のいずれかで表される基であり、Ａｒ^３における少なくとも１つの水素は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）のいずれかで表される基で置換されていてもよく、
Ａｒ^４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素で置換されていてもよく、
上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）中、Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ｒ^２９であり、Ｒ^２９は水素またはアリールであり、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）で表される基における少なくとも１つの水素はアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、トリアルキルシリル、ジアリール置換アミノ、ジヘテロアリール置換アミノ、アリールヘテロアリール置換アミノ、ハロゲン、ヒドロキシまたはシアノで置換されていてもよく、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）で表される基は＊において式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）のナフタレン環、式（１−Ｘ３）の単結合、式（１−Ｘ３）のＡｒ^３と結合し、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）の構造においてはいずれかの位置でこれらと結合する。）

項４．
上記式（１）中、
Ｘはそれぞれ独立して上記式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基であり、式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基は＊において式（１）のアントラセン環と結合し、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ^３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−４）のいずれかで表される基であり、Ａｒ^３における少なくとも１つの水素は、さらにフェニル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−４）のいずれかで表される基で置換されていてもよく、
Ａｒ^４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素で置換されていてもよい、
項３に記載する有機電界発光素子。

項５．
上記式（１）で表される化合物が下記構造式で表される化合物である、項１に記載する有機電界発光素子。

項６．
上記式（２）中、
Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１６は水素であり、
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、そして、
上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、項１〜５のいずれかに記載する有機電界発光素子。

項７．
上記式（２）中、
Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１６は水素であり、
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、炭素数８〜３０のジアリールアミノ、炭素数４〜３０のジヘテロアリールアミノ、炭素数４〜３０のアリールヘテロアリールアミノ、炭素数１〜３０のアルキル、炭素数１〜３０のアルケニル、炭素数１〜３０のアルコキシまたは炭素数１〜３０のアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素は炭素数６〜１４のアリール、炭素数２〜２０のヘテロアリールまたは炭素数１〜１２のアルキルで置換されていてもよく、そして、
上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、項１〜６のいずれかに記載する有機電界発光素子。

項８．
上記式（２）中、
Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１６は水素であり、
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、下記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）もしくは式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基（当該構造を有する１価の基は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介して、上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであり、これらにおける少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、下記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）もしくは式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよく、そして、
上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、項１〜７のいずれかに記載する有機電界発光素子。

（上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）中、Ｙ^１は、それぞれ独立して、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒであり、Ｒはフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニルまたは水素であり、
上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）の構造における少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよく、そして、
上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）で表される構造における少なくとも１つの水素は、上記式（２）中のＲ^１からＲ^１６のいずれかと結合して単結合を形成していてもよい。）

項９．
上記式（２）中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１５およびＲ^１６は水素であり、
Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^１１およびＲ^１４の少なくとも１つは、単結合、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介した、下記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）または式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基であり、
前記少なくとも１つ以外は水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであり、これらにおける少なくとも１つの水素は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、あるいは、ブチルで置換されていてもよく、そして、
上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、項１〜８のいずれかに記載する有機電界発光素子。

（上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）中、Ｙ^１は、それぞれ独立して、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒであり、Ｒはフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニルまたは水素であり、そして、
上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）の構造における少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよい。）

項１０．
上記式（２）中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１５およびＲ^１６は水素であり、
Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^１１およびＲ^１４の少なくとも１つは、単結合、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介した、上記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）または式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基であり、
前記少なくとも１つ以外は水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであり、
上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよく、
上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）中、Ｙ^１は、それぞれ独立して、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒであり、Ｒはフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニルまたは水素であり、そして、
上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）の構造における少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよい、
項９に記載する有機電界発光素子。

項１１．
上記式（２）で表される化合物が下記いずれかの構造式で表される化合物である、項１に記載する有機電界発光素子。

項１２．
前記発光層が少なくとも第１発光層と第２発光層を積層して構成され、前記第１発光層が前記アントラセン系化合物を含有し、前記第２発光層が前記ジベンゾクリセン系化合物を含有する、項１〜１１のいずれかに記載する有機電界発光素子。

項１３．
前記第１発光層と前記第２発光層との間に前記アントラセン系化合物および前記ジベンゾクリセン系化合物を含む混合領域を有し、該混合領域においてアントラセン系化合物の濃度が第１発光層から第２発光層の方向に減少するか、ジベンゾクリセン系化合物の濃度が第２発光層から第１発光層の方向に減少するか、またはその両方である、項１２に記載する有機電界発光素子。

項１４．
前記発光層において、当該発光層を挟持する一方の層から他方の層の方向に前記アントラセン系化合物の濃度が減少するか、前記一方の層から前記他方の層の方向に前記ジベンゾクリセン系化合物の濃度が増加するか、またはその両方である、項１〜１１のいずれかに記載する有機電界発光素子。

項１５．
前記ドーパント材料がホウ素含有化合物またはピレン系化合物を含む、項１〜１４のいずれかに記載する有機電界発光素子。

項１６．
さらに、前記陰極層と該発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、フルオランテン誘導体、ＢＯ系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ピリミジン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、およびキノリノール系金属錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、項１〜１５のいずれかに記載する有機電界発光素子。

項１７．
前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、項１６に記載の有機電界発光素子。

項１８．
項１〜１７のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。

項１９．
項１〜１７のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。

本発明の好ましい態様によれば、有機電界発光素子において、ホスト材料としてアントラセン系化合物およびジベンゾクリセン系化合物の両方を含有させた発光層とすることで、素子効率および素子寿命のいずれか、特に好ましくは素子効率および素子寿命を向上させることができる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。

１．有機ＥＬ素子における特徴的な発光層
本発明は、陽極層および陰極層からなる一対の電極層と、該一対の電極層間に配置される発光層とを有する有機ＥＬ素子であって、前記発光層は、ホスト材料として、上記一般式（１）で表されるアントラセン系化合物および上記一般式（２）で表されるジベンゾクリセン系化合物を含み、さらにドーパント材料を含む、有機ＥＬ素子である。

発光層においては、ホスト材料として前記アントラセン系化合物および前記ジベンゾクリセン系化合物の両方が含まれていればよく、発光層内における含有形態（含有量や濃度勾配など）としては、例えば、
（１）発光層中で両化合物が混在している形態、
（２）発光層中でアントラセン系化合物の濃度が、発光層を挟持する一方の層から他方の層の方向に向かって連続的に変化する形態、
（３）発光層中でジベンゾクリセン系化合物の濃度が、発光層を挟持する一方の層から他方の層の方向に向かって連続的に変化する形態、
（４）発光層中でアントラセン系化合物の濃度が、発光層を挟持する一方の層から他方の層の方向に向かって減少し、かつ、発光層中でジベンゾクリセン系化合物の濃度が、発光層を挟持する一方の層から他方の層の方向に向かって増加する形態、
（５）発光層が少なくとも第１発光層と第２発光層を積層して構成され、第１発光層がアントラセン系化合物を含有し、第２発光層がジベンゾクリセン系化合物を含有する形態、
（６）前記（５）の第１発光層と第２発光層とを有し、かつこれらの発光層の間にアントラセン系化合物およびジベンゾクリセン系化合物を含む混合領域を有する形態、
（７）前記（５）の第１発光層と第２発光層とを有し、かつこれらの発光層の間にアントラセン系化合物およびジベンゾクリセン系化合物を含む混合領域を有し、該混合領域においてアントラセン系化合物の濃度が第１発光層から第２発光層の方向に向かって連続的に変化する形態、
（８）前記（５）の第１発光層と第２発光層とを有し、かつこれらの発光層の間にアントラセン系化合物およびジベンゾクリセン系化合物を含む混合領域を有し、該混合領域においてジベンゾクリセン系化合物の濃度が第１発光層から第２発光層の方向に向かって連続的に変化する形態、
（９）前記（５）の第１発光層と第２発光層とを有し、かつこれらの発光層の間にアントラセン系化合物およびジベンゾクリセン系化合物を含む混合領域を有し、該混合領域においてアントラセン系化合物の濃度が第１発光層から第２発光層の方向に向かって減少し、かつ、ジベンゾクリセン系化合物の濃度が第１発光層から第２発光層の方向に向かって増加する形態、
などが挙げられる。
連続的な濃度変化の濃度勾配は特に限定されず、連続的ではなく段階的に変化してもよい。

アントラセン系化合物は、発光層を挟持する２つの層、例えば正極や正孔層（正孔輸送層や正孔注入層）側の層と、陰極や電子層（電子輸送層や電子注入層）側の層との関係で、発光層中で正極や正孔層側に偏って存在していてもよいし、発光層中で陰極や電子層側に偏って存在していてもよい。また、ジベンゾクリセン系化合物は、発光層中で正極や正孔層側に偏って存在していてもよいし、発光層中で陰極や電子層側に偏って存在していてもよい。発光層内の電子量が正孔量に対して相対的に豊富に存在する場合は、アントラセン系化合物が陰極や電子層側に偏って存在し、ジベンゾクリセン系化合物が正極や正孔層側に偏って存在することが好ましい。発光層内の正孔量が電子量に対して相対的に豊富に存在する場合は、アントラセン系化合物が正極や正孔層側に偏って存在し、ジベンゾクリセン系化合物が陰極や電子層側に偏って存在することが好ましい。

１−１．式（１）で表されるアントラセン系化合物
本発明におけるホスト材料としての必須成分であるアントラセン系化合物は以下の構造を有する。

式（１）中、
ＸおよびＡｒ^４は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいジアリールアミノ、置換されていてもよいジヘテロアリールアミノ、置換されていてもよいアリールヘテロアリールアミノ、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアルケニル、置換されていてもよいアルコキシ、置換されていてもよいアリールオキシ、置換されていてもよいアリールチオまたは置換されていてもよいシリルであり、全てのＸおよびＡｒ^４は同時に水素になることはなく、
式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素または置換されていてもよいヘテロアリールで置換されていてもよい。

上記アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオまたはシリルの詳細は、以下の好ましい態様の欄で説明する。また、これらへの置換基としては、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオまたはシリルなどが挙げられ、これらの詳細も以下の好ましい態様の欄で説明する。

上記アントラセン系化合物の好ましい態様を以下に説明する。下記構造における符号の定義は上述する定義と同じである。

式（１）では、Ｘはそれぞれ独立して上記式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基であり、式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基は＊において式（１）のアントラセン環と結合する。好ましくは、２つのＸが同時に式（１−Ｘ３）で表される基になることはなく、さらに好ましくは２つのＸが同時に式（１−Ｘ２）で表される基になることもない。

式（１−Ｘ１）および式（１−Ｘ２）におけるナフチレン部位は１つのベンゼン環で縮合されていてもよい。このようにして縮合した構造は以下のとおりである。

Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ）で表される基（カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基およびフェニル置換カルバゾリル基も含む）である。なお、Ａｒ^１またはＡｒ^２が式（Ａ）で表される基である場合は、式（Ａ）で表される基はその＊において式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）中のナフタレン環と結合する。

Ａｒ^３は、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ）で表される基（カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基およびフェニル置換カルバゾリル基も含む）である。なお、Ａｒ^３が式（Ａ）で表される基である場合は、式（Ａ）で表される基はその＊において式（１−Ｘ３）中の直線で表される単結合と結合する。すなわち、式（１）のアントラセン環と式（Ａ）で表される基が直接結合する。

また、Ａｒ^３は置換基を有していてもよく、Ａｒ^３における少なくとも１つの水素はさらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ）で表される基（カルバゾリル基およびフェニル置換カルバゾリル基も含む）で置換されていてもよい。なお、Ａｒ^３が有する置換基が式（Ａ）で表される基である場合は、式（Ａ）で表される基はその＊において式（１−Ｘ３）中のＡｒ^３と結合する。

Ａｒ^４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ターフェニリル、ナフチル、または炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリルである。

シリルに置換する炭素数１〜４のアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチルなどがあげられ、シリルにおける３つの水素が、それぞれ独立して、これらのアルキルで置換されている。

具体的な「炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリル」としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリｉ−プロピルシリル、トリブチルシリル、トリｓｅｃ−ブチルシリル、トリｔ−ブチルシリル、エチルジメチルシリル、プロピルジメチルシリル、ｉ−プロピルジメチルシリル、ブチルジメチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジエチルシリル、プロピルジエチルシリル、ｉ−プロピルジエチルシリル、ブチルジエチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジエチルシリル、ｔ−ブチルジエチルシリル、メチルジプロピルシリル、エチルジプロピルシリル、ブチルジプロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジプロピルシリル、ｔ−ブチルジプロピルシリル、メチルジｉ−プロピルシリル、エチルジｉ−プロピルシリル、ブチルジｉ−プロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジｉ−プロピルシリル、ｔ−ブチルジｉ−プロピルシリルなどがあげられる。

また、一般式（１）で表されるアントラセン系化合物の化学構造中の水素は上記式（Ａ）で表される基で置換されていてもよい。式（Ａ）で表される基で置換される場合は、式（Ａ）で表される基はその＊において式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素と置換する。

式（Ａ）で表される基は、式（１）で表されるアントラセン系化合物が有しうる置換基の１つである。

上記式（Ａ）中、Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ｒ^２９であり、Ｒ^２１〜Ｒ^２８はそれぞれ独立して水素、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルコキシ、置換されていてもよいアリールオキシ、置換されていてもよいアリールチオ、トリアルキルシリル、置換されていてもよいアミノ、ハロゲン、ヒドロキシまたはシアノであり、Ｒ^２１〜Ｒ^２８のうち隣接する基は互いに結合して炭化水素環、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、Ｒ^２９は水素または置換されていてもよいアリールである。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「置換されていてもよいアルキル」の「アルキル」としては、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分岐鎖アルキルがあげられる。炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分岐鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）が特に好ましい。

具体的な「アルキル」としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。

具体的な「アリール」としては、単環系であるフェニル、二環系であるビフェニリル、縮合二環系であるナフチル、三環系であるテルフェニリル（ｍ−テルフェニリル、ｏ−テルフェニリル、ｐ−テルフェニリル）、縮合三環系である、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントレニル、縮合四環系であるトリフェニレニル、ピレニル、ナフタセニル、縮合五環系であるペリレニル、ペンタセニルなどがあげられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１〜５個含有する複素環などがあげられる。

具体的な「ヘテロアリール」としては、例えば、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサチイニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、インドリジニル、フリル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、チエニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ジベンゾチエニル、フラザニル、オキサジアゾリル、チアントレニル、ナフトベンゾフラニル、ナフトベンゾチエニルなどがあげられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「置換されていてもよいアルコキシ」の「アルコキシ」としては、例えば、炭素数１〜２４の直鎖または炭素数３〜２４の分岐鎖のアルコキシがあげられる。炭素数１〜１８のアルコキシ（炭素数３〜１８の分岐鎖のアルコキシ）が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ（炭素数３〜１２の分岐鎖のアルコキシ）がより好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ（炭素数３〜６の分岐鎖のアルコキシ）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ（炭素数３〜４の分岐鎖のアルコキシ）が特に好ましい。

具体的な「アルコキシ」としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシなどがあげられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「置換されていてもよいアリールオキシ」の「アリールオキシ」としては、−ＯＨ基の水素がアリールで置換された基であり、このアリールは上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における「アリール」として説明した基を引用することができる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「置換されていてもよいアリールチオ」の「アリールチオ」としては、−ＳＨ基の水素がアリールで置換された基であり、このアリールは上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における「アリール」として説明した基を引用することができる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「トリアルキルシリル」としては、シリル基における３つの水素がそれぞれ独立してアルキルで置換された基があげられ、このアルキルは上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における「アルキル」として説明した基を引用することができる。置換するのに好ましいアルキルは、炭素数１〜４のアルキルであり、具体的にはメチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチルなどがあげられる。

具体的な「トリアルキルシリル」としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリｉ−プロピルシリル、トリブチルシリル、トリｓｅｃ−ブチルシリル、トリｔ−ブチルシリル、エチルジメチルシリル、プロピルジメチルシリル、ｉ−プロピルジメチルシリル、ブチルジメチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジエチルシリル、プロピルジエチルシリル、ｉ−プロピルジエチルシリル、ブチルジエチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジエチルシリル、ｔ−ブチルジエチルシリル、メチルジプロピルシリル、エチルジプロピルシリル、ブチルジプロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジプロピルシリル、ｔ−ブチルジプロピルシリル、メチルジｉ−プロピルシリル、エチルジｉ−プロピルシリル、ブチルジｉ−プロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジｉ−プロピルシリル、ｔ−ブチルジｉ−プロピルシリルなどがあげられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「置換されていてもよいアミノ」の「置換されたアミノ」としては、例えば２つの水素がアリールやヘテロアリールで置換されたアミノ基があげられる。２つの水素がアリールで置換されたアミノがジアリール置換アミノであり、２つの水素がヘテロアリールで置換されたアミノがジヘテロアリール置換アミノであり、２つの水素がアリールとヘテロアリールで置換されたアミノがアリールヘテロアリール置換アミノである。このアリールやヘテロアリールは上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における「アリール」や「ヘテロアリール」として説明した基を引用することができる。

具体的な「置換されたアミノ」としては、ジフェニルアミノ、ジナフチルアミノ、フェニルナフチルアミノ、ジピリジルアミノ、フェニルピリジルアミノ、ナフチルピリジルアミノなどがあげられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８における「ハロゲン」としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があげられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８として説明した基のうち、いくつかは上述するように置換されてもよく、この場合の置換基としてはアルキル、アリールまたはヘテロアリールがあげられる。このアルキル、アリールまたはヘテロアリールは上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における「アルキル」、「アリール」または「ヘテロアリール」として説明した基を引用することができる。

Ｙとしての「＞Ｎ−Ｒ^２９」におけるＲ^２９は水素または置換されていてもよいアリールであり、このアリールとしては上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における「アリール」として説明した基を引用することができ、またその置換基としてはＲ^２１〜Ｒ^２８に対する置換基として説明した基を引用することができる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８のうち隣接する基は互いに結合して炭化水素環、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよい。環を形成しない場合が下記式（Ａ−１）で表される基であり、環を形成した場合としては例えば下記式（Ａ−２）〜式（Ａ−１１）で表される基があげられる。なお、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）のいずれかで表される基における少なくとも１つの水素はアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、トリアルキルシリル、ジアリール置換アミノ、ジヘテロアリール置換アミノ、アリールヘテロアリール置換アミノ、ハロゲン、ヒドロキシまたはシアノで置換されていてもよく、これらは上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における各基の説明を引用することができる。

隣接する基が互いに結合してできた環としては、炭化水素環であれば例えばシクロヘキサン環があげられ、アリール環やヘテロアリール環としては上述したＲ^２１〜Ｒ^２８における「アリール」や「ヘテロアリール」で説明した環構造があげられ、これらの環は上記式（Ａ−１）における１つ又は２つのベンゼン環と縮合するように形成される。

式（Ａ）で表される基としては、例えば上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）のいずれかで表される基があげられ、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−４）のいずれかで表される基が好ましく、上記式（Ａ−１）、式（Ａ−３）および式（Ａ−４）のいずれかで表される基がより好ましく、上記式（Ａ−１）で表される基がさらに好ましい。

式（Ａ）で表される基は、式（Ａ）中の＊において、式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）中のナフタレン環、式（１−Ｘ３）中の単結合、式（１−Ｘ３）中のＡｒ^３と結合し、また式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素と置換することは上述したとおりだが、これらの結合形態の中でも式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）中のナフタレン環、式（１−Ｘ３）中の単結合および／または式（１−Ｘ３）中のＡｒ^３と結合した形態が好ましい。

また、式（Ａ）で表される基の構造中で、式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）中のナフタレン環、式（１−Ｘ３）中の単結合、式（１−Ｘ３）中のＡｒ^３が結合する位置、また、式（Ａ）で表される基の構造中で、式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素と置換する位置は、式（Ａ）の構造中のいずれの位置であってもよく、例えば式（Ａ）の構造中の２つのベンゼン環のいずれかや、式（Ａ）の構造中のＲ^２１〜Ｒ^２８のうち隣接する基が互いに結合して形成されたいずれかの環や、式（Ａ）の構造中のＹとしての「＞Ｎ−Ｒ^２９」におけるＲ^２９中のいずれかの位置で結合することができる。

式（Ａ）で表される基としては、例えば以下の基があげられる。式中のＹおよび＊は上記と同じ定義である。

また、一般式（１）で表されるアントラセン系化合物の化学構造中の水素は、その全てまたは一部がハロゲン、シアノまたは重水素であってもよい。

アントラセン系化合物の具体的な例としては、例えば、国際公開第２０１６／１５２５４４号公報の段落［０１３９］〜［０１４１］で開示された化合物および下記式（１−１０１）〜式（１−１２７）で表される化合物があげられる。

また、アントラセン系化合物の他の具体的な例としては、例えば、下記式（１−１３１−Ｙ）〜式（１−１７９−Ｙ）で表される化合物、下記式（１−１８０−Ｙ）〜式（１−１８２−Ｙ）で表される化合物、および下記式（１−１８３−Ｎ）で表される化合物があげられる。各式中のＹは−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ｒ^２９（Ｒ^２９は上記と同じ定義）のいずれでもよく、Ｒ^２９は例えばフェニル基である。式番号は、例えばＹがＯの場合は、式（１−１３１−Ｙ）は式（１−１３１−Ｏ）とし、Ｙが−Ｓ−または＞Ｎ−Ｒ^２９の場合はそれぞれ式（１−１３１−Ｓ）または式（１−１３１−Ｎ）とする。

式（１）で表されるアントラセン系化合物は、アントラセン骨格の所望の位置に反応性基を有する化合物と、Ｘ、Ａｒ^４および式（Ａ）の構造などの部分構造に反応性基を有する化合物を出発原料として、鈴木カップリング、根岸カップリング、その他の公知のカップリング反応を応用して製造することができる。これらの反応性化合物の反応性基としては、ハロゲンやボロン酸などがあげられる。具体的な製造方法としては、例えば国際公開第2014/141725号公報の段落[0089]〜[0175]における合成法を参考にすることができる。

１−２．式（２）で表されるジベンゾクリセン系化合物
本発明におけるホスト材料として必須成分であるジベンゾクリセン系化合物は以下の構造を有する。

上記式（２）中、
Ｒ¹からＲ^1６は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
また、Ｒ^１からＲ^１６のうち隣接する基同士が結合して縮合環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して当該形成された環と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、そして、
式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素がハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい。

Ｒ¹からＲ^1６における「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１４のアリールがより好ましく、炭素数６〜１２のアリールがさらに好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。

具体的なアリールとしては、単環系であるフェニル、二環系であるビフェニリル、縮合二環系であるナフチル、三環系であるテルフェニリル（ｍ−テルフェニリル、ｏ−テルフェニリル、ｐ−テルフェニリル）、縮合三環系である、アントラセニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントレニル、縮合四環系であるトリフェニレニル、ナフタセニル、縮合五環系であるペリレニル、ペンタセニルなどがあげられる。

Ｒ¹からＲ^1６における「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１〜５個含有する複素環などがあげられる。

具体的なヘテロアリールとしては、例えば、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサチイニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、インドリジニル、フリル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、チエニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ジベンゾチエニル、フラザニル、オキサジアゾリル、チアントレニル、ナフトベンゾフラニル、ナフトベンゾチエニルなどがあげられる。

また、ヘテロアリールの具体例として、下記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）または式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基もあげられる。

式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）中、Ｙ^１は、それぞれ独立して、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒであり、Ｒはフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニルまたは水素であり、
上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）の構造における少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよい。

これらのヘテロアリールは、連結基を介して、上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい。すなわち、式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と上記ヘテロアリールとが直接結合するだけでなく、それらの間に連結基を介して結合してもよい。この連結基としては、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−などがあげられる。

Ｒ¹からＲ^1６における「ジアリールアミノ」、「ジヘテロアリールアミノ」および「アリールヘテロアリールアミノ」は、それぞれアミノ基に２つのアリール基、２つのヘテロアリール基、１つのアリール基と１つのヘテロアリール基が置換した基であり、ここでのアリールおよびヘテロアリールは上記「アリール」や「ヘテロアリール」の説明を引用することができる。

Ｒ¹からＲ^1６における「アルキル」としては、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜３０の直鎖アルキルまたは炭素数３〜３０の分岐鎖アルキルがあげられる。炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分岐鎖アルキルが好ましく、炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分岐鎖アルキル）が特に好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）がことさら好ましく、炭素数１〜３のアルキル（炭素数３の分岐鎖アルキル）が最も好ましい。

具体的なアルキルとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。

Ｒ¹からＲ^1６における「アルケニル」としては、例えば、炭素数２〜３０のアルケニルがあげられ、炭素数２〜２０のアルケニルが好ましく、炭素数２〜１０のアルケニルがより好ましく、炭素数２〜６のアルケニルがさらに好ましく、炭素数２〜４のアルケニルが特に好ましい。

好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。

Ｒ¹からＲ^1６における「アルコキシ」としては、例えば、炭素数１〜３０の直鎖または炭素数３〜３０の分岐鎖のアルコキシがあげられる。炭素数１〜２４のアルコキシ（炭素数３〜２４の分岐鎖のアルコキシ）が好ましく。炭素数１〜１８のアルコキシ（炭素数３〜１８の分岐鎖のアルコキシ）がより好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ（炭素数３〜１２の分岐鎖のアルコキシ）がさらに好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ（炭素数３〜６の分岐鎖のアルコキシ）が特に好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ（炭素数３〜４の分岐鎖のアルコキシ）が最も好ましい。

具体的なアルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシなどがあげられる。

Ｒ¹からＲ^1６における「アリールオキシ」は、ヒドロキシル基の水素がアリールで置換された基であり、ここでのアリールは上記「アリール」の説明を引用することができる。

Ｒ¹からＲ^1６であるアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、当該置換するアリール、ヘテロアリールまたはアルキルとしては上記「アリール」、「ヘテロアリール」または「アルキル」の説明を引用することができる。

また、式（２）中のＲ^１からＲ^１６のうち隣接する基同士が結合して縮合環を形成していてもよい。このようにして形成された縮合環は、Ｒ^１とＲ^１６同士、Ｒ^４とＲ^５同士、Ｒ^８とＲ^９同士、Ｒ^１２とＲ^１３同士が結合して形成される環か、または、それ以外の組合せが結合して形成される、式（２）における外側の４つのベンゼン環に縮合する環であり、脂肪族環または芳香族環である。好ましくは芳香族環であり、式（２）における外側のベンゼン環を含めた構造としてはナフタレン環やフェナントレン環などがあげられる。

このように形成された縮合環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して当該形成された環と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよい。これらの置換基については上記「アリール」、「ヘテロアリール」、「ジアリールアミノ」、「ジヘテロアリールアミノ」、「アリールヘテロアリールアミノ」、「アルキル」、「アルケニル」、「アルコキシ」または「アリールオキシ」の説明を引用することができる。

一般式（２）で表される化合物は、好ましくは、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１６は水素である。この場合、式（２）中のＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、上記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）もしくは式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基（当該構造を有する１価の基は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介して、上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであることが好ましい。

一般式（２）で表される化合物は、より好ましくは、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１５およびＲ^１６は水素である。この場合、式（２）中のＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^１１およびＲ^１４の少なくとも１つ（好ましくは１つまたは２つ、より好ましくは１つ）は、単結合、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介した、上記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）または式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基であり、
前記少なくとも１つ以外（すなわち、前記構造を有する１価の基が置換した位置以外）は水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであり、これらにおける少なくとも１つの水素は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、あるいは、ブチルで置換されていてもよい。

また、式（２）中のＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５として、上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）で表される構造を有する１価の基が選択された場合には、当該構造における少なくとも１つの水素は式（２）中のＲ^１からＲ^１６のいずれかと結合して単結合を形成していてもよい。

また、式（２）で表される化合物における水素は、その全てまたは一部がハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい。例えば、式（２）においては、Ｒ^１からＲ^１６におけるアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシにおける水素、それらへの置換基における水素がハロゲン、シアノまたは重水素で置換されうるが、これらの中でもアリールやヘテロアリールにおける全てまたは一部の水素がハロゲン、シアノまたは重水素で置換された態様があげられる。ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であり、好ましくはフッ素、塩素または臭素、より好ましくは塩素である。

式（２）で表される化合物のさらに具体的な例としては、例えば、下記構造式で表される化合物があげられる。

上記の化合物の中では、式（２−１０１）〜式（２−１３２）、式（２−１３７）〜式（２−１４０）、式（２−１４６）〜式（２−１６７）、式（２−１７０）〜式（２−１７２）、式（２−２０１）〜式（２−２０３）、式（２−２７７）〜式（２−２８１）、式（２−３０１）〜式（２−３３２）、式（２−３３７）〜式（２−３４０）、式（２−３４６）〜式（２−３６７）、式（２−３７１）、式（２−３７２）、式（２−３８１）〜式（２−３８３）、式（２−４０１）〜式（２−４９０）、式（２−５７５）、式（２−５７７）、式（２−５７８）、式（２−５８０）、式（２−５８２）、式（２−５８４）、式（２−５８６）、式（２−５８７）、式（２−５８９）、式（２−５９１）、式（２−５９３）、式（２−５９５）、式（２−５９６）、式（２−５９８）、式（２−６００）、式（２−６０２）、式（２−６０４）、式（２−６０５）、式（２−６０７）、式（２−６０９）、式（２−６１１）、式（２−６１３）〜式（２−６２３）、式（２−６２５）〜式（２−６３２）、式（２−６３４）〜式（２−６４４）、式（２−６４６）〜式（２−６５３）および式（２−６５５）〜式（２−６７０）のいずれかで表される化合物が好ましい。
また、式（２−１０１）〜式（２−１０３）、式（２−２０１）〜式（２−２０３）、式（２−３０１）〜式（２−３０３）、式（２−３８１）〜式（２−３８３）、式（２−４０１）〜式（２−４９０）および式（２−６１１）〜式（２−６７０）のいずれかで表される化合物がより好ましい。
また、式（２−３０１）〜式（２−３０３）、式（２−４０１）、式（２−４１１）、式（２−４１９）、式（２−４２７）、式（２−４３５）、式（２−４３７）および式（２−６６０）のいずれかで表される化合物が特に好ましい。
なお、本発明は上記の具体的な構造の開示によって限定されることはない。

式（２）で表される化合物は、ジベンゾクリセン骨格などに各種置換基を結合させた構造を有し、公知の方法を用いて製造することができる。例えば、特開2011-006397号公報に記載された製造方法（段落[0066]〜[0075]）や実施例での合成例（段落[0115]〜[0131]）を参考にして製造することができる。

１−３．本発明で好適なドーパント材料（ホウ素含有化合物）
ホウ素含有化合物としては、下記一般式（３）で表される化合物および一般式（３）で表される構造を複数有する化合物の多量体があげられる。当該化合物およびその多量体は、好ましくは、下記一般式（３’）で表される化合物、または下記一般式（３’）で表される構造を複数有する化合物の多量体である。なお式（３）において中心原子の「Ｂ」はホウ素原子を意味し、「Ａ」および「Ｃ」と共にリング内の「Ｂ」はそれぞれリングで示される環構造を示す符号である。

一般式（３）におけるＡ環、Ｂ環およびＣ環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換基で置換されていてもよい。この置換基は、置換または無置換のアリール、置換または無置換のヘテロアリール、置換または無置換のジアリールアミノ、置換または無置換のジヘテロアリールアミノ、置換または無置換のアリールヘテロアリールアミノ（アリールとヘテロアリールを有するアミノ基）、置換または無置換のアルキル、置換または無置換のアルコキシまたは置換または無置換のアリールオキシが好ましい。これらの基が置換基を有する場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルがあげられる。また、上記アリール環またはヘテロアリール環は、「Ｂ」、「Ｘ^１」および「Ｘ^２」から構成される一般式（３）中央の縮合２環構造と結合を共有する５員環または６員環を有することが好ましい。

ここで、「縮合２環構造」とは、一般式（３）の中央に示した、「Ｂ」、「Ｘ^１」および「Ｘ^２」を含んで構成される２つの飽和炭化水素環が縮合した構造を意味する。また、「縮合２環構造と結合を共有する６員環」とは、例えば上記一般式（３’）で示すように前記縮合２環構造に縮合したａ環（ベンゼン環（６員環））を意味する。また、「（Ａ環である）アリール環またはヘテロアリール環がこの６員環を有する」とは、この６員環だけでＡ環が形成されるか、または、この６員環を含むようにこの６員環にさらに他の環などが縮合してＡ環が形成されることを意味する。言い換えれば、ここで言う「６員環を有する（Ａ環である）アリール環またはヘテロアリール環」とは、Ａ環の全部または一部を構成する６員環が、前記縮合２環構造に縮合していることを意味する。「Ｂ環（ｂ環）」、「Ｃ環（ｃ環）」、また「５員環」についても同様の説明が当てはまる。

一般式（３）におけるＡ環（またはＢ環、Ｃ環）は、一般式（３’）におけるａ環とその置換基Ｒ^１〜Ｒ^３（またはｂ環とその置換基Ｒ^８〜Ｒ^１１、ｃ環とその置換基Ｒ^４〜Ｒ^７）に対応する。すなわち、一般式（３’）は、一般式（３）のＡ〜Ｃ環として「６員環を有するＡ〜Ｃ環」が選択された構造に対応する。その意味で、一般式（３’）の各環を小文字のａ〜ｃで表した。

一般式（３’）では、ａ環、ｂ環およびｃ環の置換基Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよい。したがって、一般式（３’）で表される化合物は、ａ環、ｂ環およびｃ環における置換基の相互の結合形態によって、下記式（３’−１）および式（３’−２）に示すように、化合物を構成する環構造が変化する。各式中のＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環は、一般式（３）におけるそれぞれＡ環、Ｂ環およびＣ環に対応する。また、各式中のＲ^１〜Ｒ^１１、ａ、ｂ、ｃ、Ｘ^１およびＸ^２の定義は一般式（３’）における定義と同じである。

上記式（３’−１）および式（３’−２）中のＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環は、一般式（３’）で説明すれば、置換基Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合して、それぞれａ環、ｂ環およびｃ環と共に形成したアリール環またはヘテロアリール環を示す（ａ環、ｂ環またはｃ環に他の環構造が縮合してできた縮合環ともいえる）。なお、式では示してはいないが、ａ環、ｂ環およびｃ環の全てがＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環に変化した化合物もある。また、上記式（３’−１）および式（３’−２）から分かるように、例えば、ｂ環のＲ^８とｃ環のＲ^７、ｂ環のＲ^１１とａ環のＲ^１、ｃ環のＲ^４とａ環のＲ^３などは「隣接する基同士」には該当せず、これらが結合することはない。すなわち、「隣接する基」とは同一環上で隣接する基を意味する。

上記式（３’−１）や式（３’−２）で表される化合物は、例えば後述する具体的化合物として列挙した式（３−２）〜式（３−９）や式（３−２９０）〜式（３−３７５）で表されるような化合物などに対応する。すなわち、例えばａ環（またはｂ環またはｃ環）であるベンゼン環に対してベンゼン環、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環またはベンゾチオフェン環などが縮合して形成されるＡ’環（またはＢ’環またはＣ’環）を有する化合物であり、形成されてできた縮合環Ａ’（または縮合環Ｂ’または縮合環Ｃ’）はそれぞれナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環などである。

一般式（３）におけるＸ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリールまたはアルキルであり、前記Ｎ−ＲのＲは連結基または単結合により前記Ｂ環および／またはＣ環と結合していてもよく、連結基としては、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｃ（−Ｒ）_２−が好ましい。なお、前記「−Ｃ（−Ｒ）_２−」のＲは水素またはアルキルである。この説明は一般式（３’）におけるＸ^１およびＸ^２でも同じである。

ここで、一般式（３）における「Ｎ−ＲのＲは連結基または単結合により前記Ａ環、Ｂ環および／またはＣ環と結合している」との規定は、一般式（３’）では「Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により前記ａ環、ｂ環および／またはｃ環と結合している」との規定に対応する。
この規定は、下記式（３’−３−１）で表される、Ｘ^１やＸ^２が縮合環Ｂ’および縮合環Ｃ’に取り込まれた環構造を有する化合物で表現できる。すなわち、例えば一般式（３’）におけるｂ環（またはｃ環）であるベンゼン環に対してＸ^１（またはＸ^２）を取り込むようにして他の環が縮合して形成されるＢ’環（またはＣ’環）を有する化合物である。この化合物は、例えば後述する具体的化合物として列挙した、式（３−４０）〜（３−１１４）で表されるような化合物などに対応し、形成されてできた縮合環Ｂ’（または縮合環Ｃ’）は例えばフェノキサジン環、フェノチアジン環またはアクリジン環である。
また、上記規定は、下記式（３’−３−２）や式（３’−３−３）で表される、Ｘ^１および／またはＸ^２が縮合環Ａ’に取り込まれた環構造を有する化合物でも表現できる。すなわち、例えば一般式（３’）におけるａ環であるベンゼン環に対してＸ^１（および／またはＸ^２）を取り込むようにして他の環が縮合して形成されるＡ’環を有する化合物である。この化合物は、例えば後述する具体的化合物として列挙した式（３−１１５）〜（３−１２６）で表されるような化合物などに対応し、形成されてできた縮合環Ａ’は例えばフェノキサジン環、フェノチアジン環またはアクリジン環である。なお、下記式（３’−３−１）、式（３’−３−２）および式（３’−３−３）中のＲ^１〜Ｒ^１１、ａ、ｂ、ｃ、Ｘ^１およびＸ^２の定義は一般式（３’）における定義と同じである。

一般式（３）のＡ環、Ｂ環およびＣ環である「アリール環」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリール環があげられ、炭素数６〜１６のアリール環が好ましく、炭素数６〜１２のアリール環がより好ましく、炭素数６〜１０のアリール環が特に好ましい。なお、この「アリール環」は、一般式（３’）で規定された「Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたアリール環」に対応し、また、ａ環（またはｂ環、ｃ環）がすでに炭素数６のベンゼン環で構成されているため、これに５員環が縮合した縮合環の合計炭素数９が下限の炭素数となる。

具体的な「アリール環」としては、単環系であるベンゼン環、二環系であるビフェニル環、縮合二環系であるナフタレン環、三環系であるテルフェニル環（ｍ−テルフェニル、ｏ−テルフェニル、ｐ−テルフェニル）、縮合三環系である、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環、縮合四環系であるトリフェニレン環、ピレン環、ナフタセン環、縮合五環系であるペリレン環、ペンタセン環などがあげられる。

一般式（３）のＡ環、Ｂ環およびＣ環である「ヘテロアリール環」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリール環があげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリール環が好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリール環がより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリール環がさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、「ヘテロアリール環」としては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などがあげられる。なお、この「ヘテロアリール環」は、一般式（３’）で規定された「Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたヘテロアリール環」に対応し、また、ａ環（またはｂ環、ｃ環）がすでに炭素数６のベンゼン環で構成されているため、これに５員環が縮合した縮合環の合計炭素数６が下限の炭素数となる。

具体的な「ヘテロアリール環」としては、例えば、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、インドール環、イソインドール環、１Ｈ−インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、１Ｈ−ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、インドリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラザン環、オキサジアゾール環、チアントレン環などがあげられる。

上記「アリール環」または「ヘテロアリール環」における少なくとも１つの水素は、第１の置換基である、置換または無置換の「アリール」、置換または無置換の「ヘテロアリール」、置換または無置換の「ジアリールアミノ」、置換または無置換の「ジヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アリールヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アルキル」、置換または無置換の「アルコキシ」、または、置換または無置換の「アリールオキシ」で置換されていてもよいが、この第１の置換基としての「アリール」や「へテルアリール」、「ジアリールアミノ」のアリール、「ジヘテロアリールアミノ」のヘテロアリール、「アリールヘテロアリールアミノ」のアリールとヘテロアリール、また「アリールオキシ」のアリールとしては上述した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の一価の基があげられる。

また第１の置換基としての「アルキル」としては、直鎖および分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分枝鎖アルキルがあげられる。炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分枝鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）が特に好ましい。

具体的なアルキルとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。

また第１の置換基としての「アルコキシ」としては、例えば、炭素数１〜２４の直鎖または炭素数３〜２４の分枝鎖のアルコキシがあげられる。炭素数１〜１８のアルコキシ（炭素数３〜１８の分枝鎖のアルコキシ）が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ（炭素数３〜１２の分枝鎖のアルコキシ）がより好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ（炭素数３〜６の分枝鎖のアルコキシ）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ（炭素数３〜４の分枝鎖のアルコキシ）が特に好ましい。

具体的なアルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシなどがあげられる。

第１の置換基である、置換または無置換の「アリール」、置換または無置換の「ヘテロアリール」、置換または無置換の「ジアリールアミノ」、置換または無置換の「ジヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アリールヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アルキル」、置換または無置換の「アルコキシ」、または、置換または無置換の「アリールオキシ」は、置換または無置換と説明されているとおり、それらにおける少なくとも１つの水素が第２の置換基で置換されていてもよい。この第２の置換基としては、例えば、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルがあげられ、それらの具体例は、上述した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の一価の基、また第１の置換基としての「アルキル」の説明を参照することができる。また、第２の置換基としてのアリールやヘテロアリールには、それらにおける少なくとも１つの水素がフェニルなどのアリール（具体例は上述した基）やメチルなどのアルキル（具体例は上述した基）で置換された基も第２の置換基としてのアリールやヘテロアリールに含まれる。その一例としては、第２の置換基がカルバゾリル基の場合には、９位における少なくとも１つの水素がフェニルなどのアリールやメチルなどのアルキルで置換されたカルバゾリル基も第２の置換基としてのヘテロアリールに含まれる。

一般式（３’）のＲ^１〜Ｒ^１１におけるアリール、へテルアリール、ジアリールアミノのアリール、ジヘテロアリールアミノのヘテロアリール、アリールヘテロアリールアミノのアリールとヘテロアリール、またはアリールオキシのアリールとしては、一般式（３）で説明した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の一価の基があげられる。また、Ｒ^１〜Ｒ^１１におけるアルキルまたはアルコキシとしては、上述した一般式（３）の説明における第１の置換基としての「アルキル」や「アルコキシ」の説明を参照することができる。さらに、これらの基への置換基としてのアリール、ヘテロアリールまたはアルキルも同様である。また、また、Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成した場合の、これらの環への置換基であるヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシまたはアリールオキシ、および、さらなる置換基であるアリール、ヘテロアリールまたはアルキルについても同様である。

一般式（３）のＸ^１およびＸ^２におけるＮ−ＲのＲは上述した第２の置換基で置換されていてもよいアリール、ヘテロアリールまたはアルキルであり、アリールやヘテロアリールにおける少なくとも１つの水素は例えばアルキルで置換されていてもよい。このアリール、ヘテロアリールやアルキルとしては上述する基があげられる。特に炭素数６〜１０のアリール（例えばフェニル、ナフチルなど）、炭素数２〜１５のヘテロアリール（例えばカルバゾリルなど）、炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど）が好ましい。この説明は一般式（３’）におけるＸ^１およびＸ^２でも同じである。

一般式（３）における連結基である「−Ｃ（−Ｒ）_２−」のＲは水素またはアルキルであるが、このアルキルとしては上述する基があげられる。特に炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど）が好ましい。この説明は一般式（３’）における連結基である「−Ｃ（−Ｒ）_２−」でも同じである。

また、発光層には、一般式（３）で表される単位構造を複数有する化合物の多量体、好ましくは、一般式（３’）で表される単位構造を複数有する化合物の多量体が含まれてもよい。多量体は、２〜６量体が好ましく、２〜３量体がより好ましく、２量体が特に好ましい。多量体は、一つの化合物の中に上記単位構造を複数有する形態であればよく、例えば、上記単位構造が単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基などの連結基で複数結合した形態に加えて、上記単位構造に含まれる任意の環（Ａ環、Ｂ環またはＣ環、ａ環、ｂ環またはｃ環）を複数の単位構造で共有するようにして結合した形態であってもよく、また、上記単位構造に含まれる任意の環（Ａ環、Ｂ環またはＣ環、ａ環、ｂ環またはｃ環）同士が縮合するようにして結合した形態であってもよい。

このような多量体としては、例えば、下記式（３’−４）、式（３’−４−１）、式（３’−４−２）、式（３’−５−１）〜式（３’−５−４）または式（３’−６）で表される多量体化合物があげられる。下記式（３’−４）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（３−２１）で表されるような化合物に対応する。すなわち、一般式（３’）で説明すれば、ａ環であるベンゼン環を共有するようにして、複数の一般式（３’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（３’−４−１）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（３−２１８）で表されるような化合物に対応する。すなわち、一般式（３’）で説明すれば、ａ環であるベンゼン環を共有するようにして、二つの一般式（３’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（３’−４−２）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（３−２１９）で表されるような化合物に対応する。すなわち、一般式（３’）で説明すれば、ａ環であるベンゼン環を共有するようにして、三つの一般式（３’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（３’−５−１）〜式（３’−５−４）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（３−１９）、式（３−２０）、式（３−２２）または式（３−２３）で表されるような化合物に対応する。すなわち、一般式（３’）で説明すれば、ｂ環（またはｃ環）であるベンゼン環を共有するようにして、複数の一般式（３’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（３’−６）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（３−２４）〜（３−２８）で表されるような化合物に対応する。すなわち、一般式（３’）で説明すれば、例えばある単位構造のｂ環（またはａ環、ｃ環）であるベンゼン環とある単位構造のｂ環（またはａ環、ｃ環）であるベンゼン環とが縮合するようにして、複数の一般式（３’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。なお下記構造式中の各符号の定義は一般式（３’）における定義と同じである。

多量体化合物は、式（３’−４）、式（３’−４−１）または式（３’−４−２）で表現される多量化形態と、式（３’−５−１）〜式（３’−５−４）のいずれかまたは式（３’−６）で表現される多量化形態とが組み合わさった多量体であってもよく、式（３’−５−１）〜式（３’−５−４）のいずれかで表現される多量化形態と、式（３’−６）で表現される多量化形態とが組み合わさった多量体であってもよく、式（３’−４）、式（３’−４−１）または式（３’−４−２）で表現される多量化形態と式（３’−５−１）〜式（３’−５−４）のいずれかで表現される多量化形態と式（３’−６）で表現される多量化形態とが組み合わさった多量体であってもよい。

また、一般式（３）または（３’）で表される化合物およびその多量体の化学構造中の水素は、その全てまたは一部がハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい。例えば、式（３）においては、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環（Ａ〜Ｃ環はアリール環またはヘテロアリール環）、Ａ〜Ｃ環への置換基、ならびに、Ｘ^１およびＸ^２であるＮ−ＲにおけるＲ（＝アルキル、アリール）における水素がハロゲン、シアノまたは重水素で置換されうるが、これらの中でもアリールやヘテロアリールにおける全てまたは一部の水素がハロゲン、シアノまたは重水素で置換された態様があげられる。ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であり、好ましくはフッ素、塩素または臭素、より好ましくは塩素である。

式（３）で表される化合物およびその多量体のさらに具体的な例としては、例えば、下記構造式で表される化合物があげられる。

１−４．式（３）で表される化合物およびその多量体の製造方法
一般式（３）や（３’）で表される化合物およびその多量体は、基本的には、まずＡ環（ａ環）とＢ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）とを結合基（Ｘ^１やＸ^２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、その後に、Ａ環（ａ環）、Ｂ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）を結合基（中心原子「Ｂ」（ホウ素）を含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応では、アミノ化反応であればブッフバルト−ハートウィッグ反応といった一般的反応が利用できる。また、第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応（連続的な芳香族求電子置換反応、以下同様）が利用できる。なお、後述するスキーム（１）〜（１３）では、Ｘ^１やＸ^２としてＮ−Ｒの場合について説明しているが、Ｏの場合についても同様である。また、スキーム（１）〜（１３）における構造式中の各符号の定義は式（３）および式（３’）における定義と同じである。

第２反応は、下記スキーム（１）や（２）に示すように、Ａ環（ａ環）、Ｂ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）を結合する中心原子「Ｂ」（ホウ素）を導入する反応であり、まず、Ｘ^１とＸ^２（＞Ｎ−Ｒ）の間の水素原子をｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムまたはｔ−ブチルリチウム等でオルトメタル化する。次いで、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等を加え、リチウム−ホウ素の金属交換を行った後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン等のブレンステッド塩基を加えることで、タンデムボラフリーデルクラフツ反応させ、目的物を得ることができる。第２反応においては反応を促進させるために三塩化アルミニウム等のルイス酸を加えてもよい。

なお、上記スキーム（１）や（２）は、一般式（３）や（３’）で表される化合物の製造方法を主に示しているが、その多量体については、複数のＡ環（ａ環）、Ｂ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）を有する中間体を用いることで製造することができる。詳細には下記スキーム（３）〜（５）で説明する。この場合、使用するブチルリチウム等の試薬の量を２倍量、３倍量とすることで目的物を得ることができる。

上記スキームにおいては、オルトメタル化により所望の位置へリチウムを導入したが、下記スキーム（６）および（７）のようにリチウムを導入したい位置に臭素原子等を導入し、ハロゲン−メタル交換によっても所望の位置へリチウムを導入することができる。

また、スキーム（３）で説明した多量体の製造方法についても、上記スキーム（６）および（７）のようにリチウムを導入したい位置に臭素原子や塩素原子等のハロゲンを導入し、ハロゲン−メタル交換によっても所望の位置へリチウムを導入することができる（下記スキーム（８）、（９）および（１０））。

この方法によれば、置換基の影響でオルトメタル化ができないようなケースでも目的物を合成することができ有用である。

以上の反応で用いられる溶媒の具体例は、ｔ−ブチルベンゼンやキシレンなどである。

上述の合成法を適宜選択し、使用する原料も適宜選択することで、所望の位置に置換基を有する化合物およびその多量体を合成することができる。

また、一般式（３’）では、ａ環、ｂ環およびｃ環の置換基Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリールまたはヘテロアリールで置換されていてもよい。したがって、一般式（３’）で表される化合物は、ａ環、ｂ環およびｃ環における置換基の相互の結合形態によって、下記スキーム（１１）および（１２）の式（３’−１）および式（３’−２）に示すように、化合物を構成する環構造が変化する。これらの化合物は下記スキーム（１１）および（１２）に示す中間体に上記スキーム（１）〜（１０）で示した合成法を適用することで合成することができる。

上記式（３’−１）および式（３’−２）中のＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環は、置換基Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合して、それぞれａ環、ｂ環およびｃ環と共に形成したアリール環またはヘテロアリール環を示す（ａ環、ｂ環またはｃ環に他の環構造が縮合してできた縮合環ともいえる）。なお、式では示してはいないが、ａ環、ｂ環およびｃ環の全てがＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環に変化した化合物もある。

また、一般式（３’）における「Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により前記ａ環、ｂ環および／またはｃ環と結合している」との規定は、下記スキーム（１３）の式（３’−３−１）で表される、Ｘ^１やＸ^２が縮合環Ｂ’および縮合環Ｃ’に取り込まれた環構造を有する化合物や、式（３’−３−２）や式（３’−３−３）で表される、Ｘ^１やＸ^２が縮合環Ａ’に取り込まれた環構造を有する化合物で表現することができる。これらの化合物は下記スキーム（１３）に示す中間体に上記スキーム（１）〜（１０）で示した合成法を適用することで合成することができる。

また、上記スキーム（１）〜（１３）の合成法では、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等を加える前に、Ｘ^１とＸ^２の間の水素原子（またはハロゲン原子）をブチルリチウム等でオルトメタル化することで、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応させた例を示したが、ブチルリチウム等を用いたオルトメタル化を行わずに、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等の添加により反応を進行させることもできる。

なお、上記スキーム（１）〜（１３）で使用するオルトメタル化試薬としては、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペリジド、リチウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジドなどの有機アルカリ化合物があげられる。

なお、上記スキーム（１）〜（１３）で使用するメタル−「Ｂ」（ホウ素）の金属交換試薬としては、ホウ素の三フッ化物、ホウ素の三塩化物、ホウ素の三臭化物、ホウ素の三ヨウ化物などのホウ素のハロゲン化物、ＣＩＰＮ（ＮＥｔ_２）_２などのホウ素のアミノ化ハロゲン化物、ホウ素のアルコキシ化物、ホウ素のアリールオキシ化物などがあげられる。

なお、上記スキーム（１）〜（１３）で使用するブレンステッド塩基としては、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、トリエチルアミン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン、２，６−ルチジン、テトラフェニルホウ酸ナトリウム、テトラフェニルホウ酸カリウム、トリフェニルボラン、テトラフェニルシラン、Ａｒ_４ＢＮａ、Ａｒ_４ＢＫ、Ａｒ_３Ｂ、Ａｒ_４Ｓｉ（なお、Ａｒはフェニルなどのアリール）などがあげられる。

上記スキーム（１）〜（１３）で使用するルイス酸としては、ＡｌＣｌ_３、ＡｌＢｒ_３、ＡｌＦ_３、ＢＦ_３・ＯＥｔ_２、ＢＣｌ_３、ＢＢｒ_３、ＧａＣｌ_３、ＧａＢｒ_３、ＩｎＣｌ_３、ＩｎＢｒ_３、Ｉｎ（ＯＴｆ）_３、ＳｎＣｌ_４、ＳｎＢｒ_４、ＡｇＯＴｆ、ＳｃＣｌ_３、Ｓｃ（ＯＴｆ）_３、ＺｎＣｌ_２、ＺｎＢｒ_２、Ｚｎ（ＯＴｆ）_２、ＭｇＣｌ_２、ＭｇＢｒ_２、Ｍｇ（ＯＴｆ）_２、ＬｉＯＴｆ、ＮａＯＴｆ、ＫＯＴｆ、Ｍｅ_３ＳｉＯＴｆ、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２、ＣｕＣｌ_２、ＹＣｌ_３、Ｙ（ＯＴｆ）_３、ＴｉＣｌ_４、ＴｉＢｒ_４、ＺｒＣｌ_４、ＺｒＢｒ_４、ＦｅＣｌ_３、ＦｅＢｒ_３、ＣｏＣｌ_３、ＣｏＢｒ_３などがあげられる。

上記スキーム（１）〜（１３）では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応の促進のためにブレンステッド塩基またはルイス酸を使用してもよい。ただし、ホウ素の三フッ化物、ホウ素の三塩化物、ホウ素の三臭化物、ホウ素の三ヨウ化物などのホウ素のハロゲン化物を用いた場合は、芳香族求電子置換反応の進行とともに、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素といった酸が生成するため、酸を捕捉するブレンステッド塩基の使用が効果的である。一方、ホウ素のアミノ化ハロゲン化物、ホウ素のアルコキシ化物を用いた場合は、芳香族求電子置換反応の進行とともに、アミン、アルコールが生成するために、多くの場合、ブレンステッド塩基を使用する必要はないが、アミノ基やアルコキシ基の脱離能が低いために、その脱離を促進するルイス酸の使用が効果的である。

また、式（３）で表される化合物やその多量体には、少なくとも一部の水素原子が重水素で置換されている化合物などやフッ素や塩素などのハロゲンまたはシアノで置換されている化合物なども含まれるが、このような化合物などは所望の箇所が重水素化、フッ素化、塩素化またはシアノ化された原料を用いることで、上記と同様に合成することができる。

１−５．本発明で好適なドーパント材料（ピレン系化合物）
ピレン系化合物としては、下記一般式（４）で表される化合物があげられる。

上記式（４）中、
Ｒ¹からＲ^1０は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（４）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
また、Ｒ^１からＲ^１０のうち隣接する基同士が結合して縮合環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して当該形成された環と結合していてもよい）、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、そして、
式（４）で表される化合物における少なくとも１つの水素がハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい。

式（４）における置換基Ｒ¹からＲ^1０の定義は、上述したホスト材料としてのジベンゾクリセン系化合物を表す一般式（２）におけるすべての説明を引用することができる。

式（４）で表される化合物の具体的な例としては、例えば、下記構造式で表される化合物があげられる。

式（４）で表される化合物は、ピレン骨格などに各種置換基を結合させた構造を有し、公知の方法を用いて製造することができる。例えば、特開2013-080961号公報に記載された製造方法や実施例での合成例を参考にして製造することができる。

２．有機電界発光素子
以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子について図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。

＜有機電界発光素子の構造＞
図１に示された有機ＥＬ素子１００は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陽極１０２と、陽極１０２の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた陰極１０８とを有する。

なお、有機ＥＬ素子１００は、作製順序を逆にして、例えば、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陰極１０８と、陰極１０８の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた陽極１０２とを有する構成としてもよい。

上記各層すべてがなくてはならないわけではなく、最小構成単位を陽極１０２と発光層１０５と陰極１０８とからなる構成として、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、電子輸送層１０６、電子注入層１０７は任意に設けられる層である。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。

有機ＥＬ素子を構成する層の態様としては、上述する「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」の構成態様の他に、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子注入層／陰極」の構成態様であってもよい。

＜有機電界発光素子における基板＞
基板１０１は、有機ＥＬ素子１００の支持体であり、通常、石英、ガラス、金属、プラスチックなどが用いられる。基板１０１は、目的に応じて板状、フィルム状、またはシート状に形成され、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどが用いられる。なかでも、ガラス板、および、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂製の板が好ましい。ガラス基板であれば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、例えば、０．２ｍｍ以上あればよい。厚さの上限値としては、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ_２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することができる。また、基板１０１には、ガスバリア性を高めるために、少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などのガスバリア膜を設けてもよく、特にガスバリア性が低い合成樹脂製の板、フィルムまたはシートを基板１０１として用いる場合にはガスバリア膜を設けるのが好ましい。

＜有機電界発光素子における陽極＞
陽極１０２は、発光層１０５へ正孔を注入する役割を果たす。なお、陽極１０２と発光層１０５との間に正孔注入層１０３および／または正孔輸送層１０４が設けられている場合には、これらを介して発光層１０５へ正孔を注入することになる。

陽極１０２を形成する材料としては、無機化合物および有機化合物があげられる。無機化合物としては、例えば、金属（アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、クロムなど）、金属酸化物（インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など）、ハロゲン化金属（ヨウ化銅など）、硫化銅、カーボンブラック、ＩＴＯガラスやネサガラスなどがあげられる。有機化合物としては、例えば、ポリ（３−メチルチオフェン）などのポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどがあげられる。その他、有機ＥＬ素子の陽極として用いられている物質の中から適宜選択して用いることができる。

透明電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、例えば１００〜５Ω／□、好ましくは５０〜５Ω／□の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常５０〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。

＜有機電界発光素子における正孔注入層、正孔輸送層＞
正孔注入層１０３は、陽極１０２から移動してくる正孔を、効率よく発光層１０５内または正孔輸送層１０４内に注入する役割を果たす。正孔輸送層１０４は、陽極１０２から注入された正孔または陽極１０２から正孔注入層１０３を介して注入された正孔を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たす。正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４は、それぞれ、正孔注入・輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔注入・輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。また、正孔注入・輸送材料に塩化鉄（III）のような無機塩を添加して層を形成してもよい。

正孔注入・輸送性物質としては電界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率よく注入・輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率よく輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。

正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４を形成する材料としては、光導電材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、ｐ型半導体、有機ＥＬ素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知の材料の中から任意の材料を選択して用いることができる。それらの具体例は、カルバゾール誘導体（Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど）、ビス（Ｎ−アリールカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体（芳香族第３級アミノを主鎖あるいは側鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ^４，Ｎ^４’−ジフェニル−Ｎ^４，Ｎ^４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ^４，Ｎ^４，Ｎ^４’，Ｎ^４’−テトラ［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、スターバーストアミン誘導体など）、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシアニンなど）、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体（例えば、１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリルなど）、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリシランなどである。ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されない。

また、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性の良好な化合物、または、電子受容性の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）または２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの強い電子受容体が知られている（例えば、文献「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)」および文献「J.Blochwitz,M.Pheiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73（6）,729-731（1998）」を参照）。これらは、電子供与型ベース物質（正孔輸送物質）における電子移動プロセスによって、いわゆる正孔を生成する。正孔の数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。正孔輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばベンジジン誘導体（ＴＰＤなど）またはスターバーストアミン誘導体（ＴＤＡＴＡなど）、あるいは、特定の金属フタロシアニン（特に、亜鉛フタロシアニンＺｎＰｃなど）が知られている（特開2005-167175号公報）。

＜有機電界発光素子における発光層＞
発光層１０５は、電界を与えられた電極間において、陽極１０２から注入された正孔と、陰極１０８から注入された電子とを再結合させることにより発光する層である。発光層１０５を形成する材料としては、正孔と電子との再結合によって励起されて発光する化合物（発光性化合物）であればよく、安定な薄膜形状を形成することができ、かつ、固体状態で強い発光（蛍光）効率を示す化合物であるのが好ましい。本発明における発光層では、ホスト材料として上記一般式（１）のアントラセン系化合物および上記一般式（２）のジベンゾクリセン系化合物を必須成分として含有し、ドーパント材料として好ましくは上述したホウ素含有化合物やピレン系化合物を含有することができる。これらの詳細は上述したとおりであり、以下では発光層の一般的な説明をする。

発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光層用材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成される。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。

ホスト材料の使用量はホスト材料の種類によって異なり、そのホスト材料の特性に合わせて決めればよい。ホスト材料の使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の５０〜９９．９９９重量％であり、より好ましくは８０〜９９．９５重量％であり、さらに好ましくは９０〜９９．９重量％である。

ドーパント材料の使用量はドーパント材料の種類によって異なり、そのドーパント材料の特性に合わせて決めればよい。ドーパントの使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の０．００１〜５０重量％であり、より好ましくは０．０５〜２０重量％であり、さらに好ましくは０．１〜１０重量％である。上記の範囲であれば、例えば、濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。

＜有機電界発光素子における電子注入層、電子輸送層＞
電子注入層１０７は、陰極１０８から移動してくる電子を、効率よく発光層１０５内または電子輸送層１０６内に注入する役割を果たす。電子輸送層１０６は、陰極１０８から注入された電子または陰極１０８から電子注入層１０７を介して注入された電子を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たす。電子輸送層１０６および電子注入層１０７は、それぞれ、電子輸送・注入材料の一種または二種以上を積層、混合するか、電子輸送・注入材料と高分子結着剤の混合物により形成される。

電子注入・輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することをつかさどる層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本実施形態における電子注入・輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる層の機能も含まれてもよい。

電子輸送層１０６または電子注入層１０７を形成する材料（電子輸送材料）としては、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機ＥＬ素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。

電子輸送層または電子注入層に用いられる材料としては、炭素、水素、酸素、硫黄、ケイ素およびリンの中から選ばれる一種以上の原子で構成される芳香環もしくは複素芳香環からなる化合物、ピロール誘導体およびその縮合環誘導体および電子受容性窒素を有する金属錯体の中から選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。具体的には、ナフタレン、アントラセンなどの縮合環系芳香環誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体などがあげられる。電子受容性窒素を有する金属錯体としては、例えば、ヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。

また、他の電子伝達化合物の具体例として、ピリジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体（１，３−ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなど）、チオフェン誘導体、トリアゾール誘導体（Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなど）、チアジアゾール誘導体、オキシン誘導体の金属錯体、キノリノール系金属錯体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ガリウム錯体、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、ベンゾキノリン誘導体（２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなど）、イミダゾピリジン誘導体、ボラン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体（トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼンなど）、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、テルピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、テルピリジン誘導体（１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−テルピリジニル））ベンゼンなど）、ナフチリジン誘導体（ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなど）、アルダジン誘導体、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、リンオキサイド誘導体、ビススチリル誘導体などがあげられる。

また、電子受容性窒素を有する金属錯体を用いることもでき、例えば、キノリノール系金属錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。

上述した材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。

上述した材料の中でも、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、フルオランテン誘導体、ＢＯ系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ピリミジン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、およびキノリノール系金属錯体が好ましい。

＜ボラン誘導体＞
ボラン誘導体は、例えば下記一般式（ＥＴＭ−１）で表される化合物であり、詳細には特開2007-27587号公報に開示されている。

上記式（ＥＴＭ−１）中、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘは、置換されていてもよいアリーレンであり、Ｙは、置換されていてもよい炭素数１６以下のアリール、置換されているボリル、または置換されていてもよいカルバゾリルであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。

上記一般式（ＥＴＭ−１）で表される化合物の中でも、下記一般式（ＥＴＭ−１−１）で表される化合物や下記一般式（ＥＴＭ−１−２）で表される化合物が好ましい。

式（ＥＴＭ−１−１）中、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｒ^２１およびＲ^２２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｘ^１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数であり、そして、ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数である。

式（ＥＴＭ−１−２）中、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ^１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。

Ｘ^１の具体的な例としては、下記式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−９）で表される２価の基があげられる。

（各式中、Ｒ^ａは、それぞれ独立してアルキル基または置換されていてもよいフェニル基である。）

このボラン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このボラン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜ピリジン誘導体＞
ピリジン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−２）で表される化合物であり、好ましくは式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）で表される化合物である。

φは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数である。

上記式（ＥＴＭ−２−１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１８は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）である。

上記式（ＥＴＭ−２−２）において、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）であり、Ｒ^１１およびＲ^１２は結合して環を形成していてもよい。

各式において、「ピリジン系置換基」は、下記式（Ｐｙ−１）〜式（Ｐｙ−１５）のいずれかであり、ピリジン系置換基はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキルで置換されていてもよい。また、ピリジン系置換基はフェニレン基やナフチレン基を介して各式におけるφ、アントラセン環またはフルオレン環に結合していてもよい。

ピリジン系置換基は、上記式（Ｐｙ−１）〜式（Ｐｙ−１５）のいずれかであるが、これらの中でも、下記式（Ｐｙ−２１）〜式（Ｐｙ−４４）のいずれかであることが好ましい。

各ピリジン誘導体における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよく、また、上記式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）における２つの「ピリジン系置換基」のうちの一方はアリールで置き換えられていてもよい。

Ｒ^１１〜Ｒ^１８における「アルキル」としては、直鎖および分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分枝鎖アルキルがあげられる。好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）である。より好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）である。さらに好ましい「アルキル」は、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分枝鎖アルキル）である。特に好ましい「アルキル」は、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）である。

具体的な「アルキル」としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。

ピリジン系置換基に置換する炭素数１〜４のアルキルとしては、上記アルキルの説明を引用することができる。

Ｒ^１１〜Ｒ^１８における「シクロアルキル」としては、例えば、炭素数３〜１２のシクロアルキルがあげられる。好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜１０のシクロアルキルである。より好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜８のシクロアルキルである。さらに好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜６のシクロアルキルである。
具体的な「シクロアルキル」としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどがあげられる。

Ｒ^１１〜Ｒ^１８における「アリール」としては、好ましいアリールは炭素数６〜３０のアリールであり、より好ましいアリールは炭素数６〜１８のアリールであり、さらに好ましくは炭素数６〜１４のアリールであり、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。

具体的な「炭素数６〜３０のアリール」としては、単環系アリールであるフェニル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどがあげられる。

好ましい「炭素数６〜３０のアリール」は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、クリセニルまたはトリフェニレニルなどがあげられ、さらに好ましくはフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルまたはフェナントリルがあげられ、特に好ましくはフェニル、１−ナフチルまたは２−ナフチルがあげられる。

上記式（ＥＴＭ−２−２）におけるＲ^１１およびＲ^１２は結合して環を形成していてもよく、この結果、フルオレン骨格の５員環には、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキサン、フルオレンまたはインデンなどがスピロ結合していてもよい。

このピリジン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このピリジン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜フルオランテン誘導体＞
フルオランテン誘導体は、例えば下記一般式（ＥＴＭ−３）で表される化合物であり、詳細には国際公開第２０１０／１３４３５２号公報に開示されている。

上記式（ＥＴＭ−３）中、Ｘ^１２〜Ｘ^２１は水素、ハロゲン、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル、直鎖、分岐もしくは環状のアルコキシ、置換もしくは無置換のアリール、または置換もしくは無置換のヘテロアリールを表す。

このフルオランテン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

＜ＢＯ系誘導体＞
ＢＯ系誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−４）で表される多環芳香族化合物、または下記式（ＥＴＭ−４）で表される構造を複数有する多環芳香族化合物の多量体である。

Ｒ^１〜Ｒ^１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよい。

また、Ｒ^１〜Ｒ^１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよい。

また、式（ＥＴＭ−４）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素がハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。

式（ＥＴＭ−４）における置換基や環形成の形態、また式（ＥＴＭ−４）の構造が複数合わさってできる多量体の説明については、上記一般式（３）や式（３’）で表される化合物やその多量体の説明を引用することができる。

このＢＯ系誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このＢＯ系誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜アントラセン誘導体＞
アントラセン誘導体の一つは、例えば下記式（ＥＴＭ−５−１）で表される化合物である。

Ａｒは、それぞれ独立して、２価のベンゼンまたはナフタレンであり、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、炭素数３から６のシクロアルキルまたは炭素数６〜２０のアリールである。

Ａｒは、それぞれ独立して、２価のベンゼンまたはナフタレンから適宜選択することができ、２つのＡｒが異なっていても同じであってもよいが、アントラセン誘導体の合成の容易さの観点からは同じであることが好ましい。Ａｒはピリジンと結合して、「Ａｒおよびピリジンからなる部位」を形成しており、この部位は例えば下記式（Ｐｙ−１）〜式（Ｐｙ−１２）のいずれかで表される基としてアントラセンに結合している。

これらの基の中でも、上記式（Ｐｙ−１）〜式（Ｐｙ−９）のいずれかで表される基が好ましく、上記式（Ｐｙ−１）〜式（Ｐｙ−６）のいずれかで表される基がより好ましい。アントラセンに結合する２つの「Ａｒおよびピリジンからなる部位」は、その構造が同じであっても異なっていてもよいが、アントラセン誘導体の合成の容易さの観点からは同じ構造であることが好ましい。ただし、素子特性の観点からは、２つの「Ａｒおよびピリジンからなる部位」の構造が同じであっても異なっていても好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４における炭素数１〜６のアルキルについては直鎖および分枝鎖のいずれでもよい。すなわち、炭素数１〜６の直鎖アルキルまたは炭素数３〜６の分枝鎖アルキルである。より好ましくは、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）である。具体例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、または２−エチルブチルなどがあげられ、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、またはｔ−ブチルが好ましく、メチル、エチル、またはｔ−ブチルがより好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４における炭素数３〜６のシクロアルキルの具体例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどがあげられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４における炭素数６〜２０のアリールについては、炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。

「炭素数６〜２０のアリール」の具体例としては、単環系アリールであるフェニル、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリル、（２，３−，２，４−，２，５−，２，６−，３，４−，３，５−）キシリル、メシチル（２，４，６−トリメチルフェニル）、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）クメニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アントラセン−（１−，２−，９−）イル、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、テトラセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イルなどがあげられる。

好ましい「炭素数６〜２０のアリール」は、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリルまたはナフチルであり、より好ましくは、フェニル、ビフェニリル、１−ナフチル、２−ナフチルまたはｍ−テルフェニル−５’−イルであり、さらに好ましくは、フェニル、ビフェニリル、１−ナフチルまたは２−ナフチルであり、最も好ましくはフェニルである。

アントラセン誘導体の一つは、例えば下記式（ＥＴＭ−５−２）で表される化合物である。

Ａｒ^１は、それぞれ独立して、単結合、２価のベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、またはフェナレンである。

Ａｒ^２は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリールであり、上記式（ＥＴＭ−５−１）における「炭素数６〜２０のアリール」と同じ説明を引用することができる。炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。具体例としては、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、テルフェニリル、アントラセニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、テトラセニル、ペリレニルなどがあげられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、炭素数３から６のシクロアルキルまたは炭素数６〜２０のアリールであり、上記式（ＥＴＭ−５−１）における説明を引用することができる。

これらのアントラセン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

これらのアントラセン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜ベンゾフルオレン誘導体＞
ベンゾフルオレン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−６）で表される化合物である。

Ａｒ^１は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリールであり、上記式（ＥＴＭ−５−１）における「炭素数６〜２０のアリール」と同じ説明を引用することができる。炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。具体例としては、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、テルフェニリル、アントラセニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、テトラセニル、ペリレニルなどがあげられる。

Ａｒ^２は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）であり、２つのＡｒ^２は結合して環を形成していてもよい。

Ａｒ^２における「アルキル」としては、直鎖および分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分枝鎖アルキルがあげられる。好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）である。より好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）である。さらに好ましい「アルキル」は、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分枝鎖アルキル）である。特に好ましい「アルキル」は、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）である。具体的な「アルキル」としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシルなどがあげられる。

Ａｒ^２における「シクロアルキル」としては、例えば、炭素数３〜１２のシクロアルキルがあげられる。好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜１０のシクロアルキルである。より好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜８のシクロアルキルである。さらに好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜６のシクロアルキルである。具体的な「シクロアルキル」としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどがあげられる。

Ａｒ^２における「アリール」としては、好ましいアリールは炭素数６〜３０のアリールであり、より好ましいアリールは炭素数６〜１８のアリールであり、さらに好ましくは炭素数６〜１４のアリールであり、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。

具体的な「炭素数６〜３０のアリール」としては、フェニル、ナフチル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペリレニル、ペンタセニルなどがあげられる。

２つのＡｒ^２は結合して環を形成していてもよく、この結果、フルオレン骨格の５員環には、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキサン、フルオレンまたはインデンなどがスピロ結合していてもよい。

このベンゾフルオレン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このベンゾフルオレン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜ホスフィンオキサイド誘導体＞
ホスフィンオキサイド誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−７−１）で表される化合物である。詳細は国際公開第２０１３／０７９２１７号公報にも記載されている。

Ｒ^５は、置換または無置換の、炭素数１〜２０のアルキル、炭素数６〜２０のアリールまたは炭素数５〜２０のヘテロアリールであり、
Ｒ^６は、ＣＮ、置換または無置換の、炭素数１〜２０のアルキル、炭素数１〜２０のヘテロアルキル、炭素数６〜２０のアリール、炭素数５〜２０のヘテロアリール、炭素数１〜２０のアルコキシまたは炭素数６〜２０のアリールオキシであり、
Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ独立して、置換または無置換の、炭素数６〜２０のアリールまたは炭素数５〜２０のヘテロアリールであり、
Ｒ^９は酸素または硫黄であり、
ｊは０または１であり、ｋは０または１であり、ｒは０〜４の整数であり、ｑは１〜３の整数である。

ホスフィンオキサイド誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−７−２）で表される化合物でもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^３は、同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、および隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。

Ａｒ^１は、同じでも異なっていてもよく、アリーレン基またはヘテロアリーレン基であり、Ａｒ^２は、同じでも異なっていてもよく、アリール基またはヘテロアリール基である。ただし、Ａｒ^１およびＡｒ^２のうち少なくとも一方は置換基を有しているか、または隣接置換基との間に縮合環を形成している。ｎは０〜３の整数であり、ｎが０のとき不飽和構造部分は存在せず、ｎが３のときＲ¹は存在しない。

これらの置換基の内、アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。置換されている場合の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基、複素環基等をあげることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常、１〜２０の範囲である。

また、シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、３〜２０の範囲である。

また、アラルキル基とは、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換されていてもかまわない。脂肪族部分の炭素数は特に限定されないが、通常、１〜２０の範囲である。

また、アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。

また、シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。

また、アルキニル基とは、例えば、アセチレニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。

また、アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１〜２０の範囲である。

また、アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換された基である。

また、アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシ基などのエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６〜４０の範囲である。

また、アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換された基である。

また、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、フェナントリル基、テルフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示す。アリール基は、無置換でも置換されていてもかまわない。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、６〜４０の範囲である。

また、複素環基とは、例えば、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜３０の範囲である。

ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。

アルデヒド基、カルボニル基、アミノ基には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換された基も含むことができる。

また、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかまわない。

シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３〜２０の範囲である。また、ケイ素数は、通常、１〜６である。

隣接置換基との間に形成される縮合環とは、例えば、Ａｒ^１とＲ^２、Ａｒ^１とＲ^３、Ａｒ^２とＲ^２、Ａｒ^２とＲ^３、Ｒ^２とＲ^３、Ａｒ^１とＡｒ^２等の間で形成された共役または非共役の縮合環である。ここで、ｎが１の場合、２つのＲ^１同士で共役または非共役の縮合環を形成してもよい。これら縮合環は、環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と縮合してもよい。

このホスフィンオキサイド誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このホスフィンオキサイド誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜ピリミジン誘導体＞
ピリミジン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−８）で表される化合物であり、好ましくは下記式（ＥＴＭ−８−１）で表される化合物である。詳細は国際公開第２０１１／０２１６８９号公報にも記載されている。

Ａｒは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリール、または置換されていてもよいヘテロアリールである。ｎは１〜４の整数であり、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは２または３である。

「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、好ましくは炭素数６〜２４のアリール、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。

具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル（５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニリル）、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどがあげられる

「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などがあげられる。

具体的なヘテロアリールとしては、例えば、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサジアゾリル、フラザニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェノキサチイニル、チアントレニル、インドリジニルなどがあげられる。

また、上記アリールおよびヘテロアリールは置換されていてもよく、それぞれ例えば上記アリールやヘテロアリールで置換されていてもよい。

このピリミジン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このピリミジン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜カルバゾール誘導体＞
カルバゾール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−９）で表される化合物、またはそれが単結合などで複数結合した多量体である。詳細は米国公開公報２０１４／０１９７３８６号公報に記載されている。

Ａｒは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリール、または置換されていてもよいヘテロアリールである。ｎは独立して０〜４の整数であり、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０または１である。

「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、好ましくは炭素数６〜２４のアリール、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。

具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル（５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニリル）、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどがあげられる

「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などがあげられる。

具体的なヘテロアリールとしては、例えば、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサジアゾリル、フラザニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェノキサチイニル、チアントレニル、インドリジニルなどがあげられる。

また、上記アリールおよびヘテロアリールは置換されていてもよく、それぞれ例えば上記アリールやヘテロアリールで置換されていてもよい。

カルバゾール誘導体は、上記式（ＥＴＭ−９）で表される化合物が単結合などで複数結合した多量体であってもよい。この場合、単結合以外に、アリール環（好ましくは多価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）で結合されていてもよい。

このカルバゾール誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このカルバゾール誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜トリアジン誘導体＞
トリアジン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１０）で表される化合物であり、好ましくは下記式（ＥＴＭ−１０−１）で表される化合物である。詳細は米国公開公報２０１１／０１５６０１３号公報に記載されている。

Ａｒは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアリール、または置換されていてもよいヘテロアリールである。ｎは１〜４の整数であり、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは２または３である。

「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、好ましくは炭素数６〜２４のアリール、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。

具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル（５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニリル）、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどがあげられる

「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などがあげられる。

具体的なヘテロアリールとしては、例えば、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサジアゾリル、フラザニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェノキサチイニル、チアントレニル、インドリジニルなどがあげられる。

また、上記アリールおよびヘテロアリールは置換されていてもよく、それぞれ例えば上記アリールやヘテロアリールで置換されていてもよい。

このトリアジン誘導体の具体例としては、例えば以下の化合物があげられる。

このトリアジン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜ベンゾイミダゾール誘導体＞
ベンゾイミダゾール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１１）で表される化合物である。

φは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数であり、「ベンゾイミダゾール系置換基」は、上記式（ＥＴＭ−２）、式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）における「ピリジン系置換基」の中のピリジル基がベンゾイミダゾール基に置き換わった置換基であり、ベンゾイミダゾール誘導体における少なくとも１つの水素は重水素で置換されていてもよい。

上記ベンゾイミダゾール基におけるＲ^１１は、水素、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキルまたは炭素数６〜３０のアリールであり、上記式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）におけるＲ^１１の説明を引用することができる。

φは、さらに、アントラセン環またはフルオレン環であることが好ましく、この場合の構造は上記式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）を引用することができ、各式中のＲ^１１〜Ｒ^１８は上記式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）で説明した基を引用することができる。また、上記式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）では２つのピリジン系置換基が結合した形態で説明されているが、これらをベンゾイミダゾール系置換基に置き換えるときには、両方のピリジン系置換基をベンゾイミダゾール系置換基で置き換えてもよいし（すなわちｎ＝２）、いずれか１つのピリジン系置換基をベンゾイミダゾール系置換基で置き換えて他方のピリジン系置換基をＲ^１１〜Ｒ^１８で置き換えてもよい（すなわちｎ＝１）。さらに、例えば上記式（ＥＴＭ−２−１）におけるＲ^１１〜Ｒ^１８の少なくとも１つをベンゾイミダゾール系置換基で置き換えて「ピリジン系置換基」をＲ^１１〜Ｒ^１８で置き換えてもよい。

このベンゾイミダゾール誘導体の具体例としては、例えば１−フェニル−２−（４−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル）−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（３−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾールなどがあげられる。

このベンゾイミダゾール誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜フェナントロリン誘導体＞
フェナントロリン誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１２）または式（ＥＴＭ−１２−１）で表される化合物である。詳細は国際公開２００６／０２１９８２号公報に記載されている。

φは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数である。

各式のＲ^１１〜Ｒ^１８は、それぞれ独立して、水素、アルキル（好ましくは炭素数１〜２４のアルキル）、シクロアルキル（好ましくは炭素数３〜１２のシクロアルキル）またはアリール（好ましくは炭素数６〜３０のアリール）である。また、上記式（ＥＴＭ−１２−１）においてはＲ^１１〜Ｒ^１８のいずれかがアリール環であるφと結合する。

各フェナントロリン誘導体における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。

Ｒ^１１〜Ｒ^１８におけるアルキル、シクロアルキルおよびアリールとしては、上記式（ＥＴＭ−２）におけるＲ^１１〜Ｒ^１８の説明を引用することができる。また、φは上記した構造のほかに、例えば、以下の構造式があげられる。なお、下記構造式中のＲは、それぞれ独立して、水素、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニリルまたはテルフェニリルである。

このフェナントロリン誘導体の具体例としては、例えば４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、９，１０−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）アントラセン、２，６−ジ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ピリジン、１，３，５−トリ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ベンゼン、９，９’−ジフルオル−ビス（１，１０−フェナントロリン−５−イル）、バソクプロインや１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどがあげられる。

このフェナントロリン誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜キノリノール系金属錯体＞
キノリノール系金属錯体は、例えば下記一般式（ＥＴＭ−１３）で表される化合物である。

式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は水素または置換基であり、ＭはＬｉ、Ａｌ、Ｇａ、ＢｅまたはＺｎであり、ｎは１〜３の整数である。

キノリノール系金属錯体の具体例としては、８−キノリノールリチウム、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン）ベリリウムなどがあげられる。

このキノリノール系金属錯体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

＜チアゾール誘導体およびベンゾチアゾール誘導体＞
チアゾール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１４−１）で表される化合物である。

ベンゾチアゾール誘導体は、例えば下記式（ＥＴＭ−１４−２）で表される化合物である。

各式のφは、ｎ価のアリール環（好ましくはｎ価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環）であり、ｎは１〜４の整数であり、「チアゾール系置換基」や「ベンゾチアゾール系置換基」は、上記式（ＥＴＭ−２）、式（ＥＴＭ−２−１）および式（ＥＴＭ−２−２）における「ピリジン系置換基」の中のピリジル基がチアゾール基やベンゾチアゾール基に置き換わった置換基であり、チアゾール誘導体およびベンゾチアゾール誘導体における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。

φは、さらに、アントラセン環またはフルオレン環であることが好ましく、この場合の構造は上記式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）を引用することができ、各式中のＲ^１１〜Ｒ^１８は上記式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）で説明した基を引用することができる。また、上記式（ＥＴＭ−２−１）または式（ＥＴＭ−２−２）では２つのピリジン系置換基が結合した形態で説明されているが、これらをチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）に置き換えるときには、両方のピリジン系置換基をチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）で置き換えてもよいし（すなわちｎ＝２）、いずれか１つのピリジン系置換基をチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）で置き換えて他方のピリジン系置換基をＲ^１１〜Ｒ^１８で置き換えてもよい（すなわちｎ＝１）。さらに、例えば上記式（ＥＴＭ−２−１）におけるＲ^１１〜Ｒ^１８の少なくとも１つをチアゾール系置換基（またはベンゾチアゾール系置換基）で置き換えて「ピリジン系置換基」をＲ^１１〜Ｒ^１８で置き換えてもよい。

これらのチアゾール誘導体またはベンゾチアゾール誘導体は公知の原料と公知の合成方法を用いて製造することができる。

電子輸送層または電子注入層には、さらに、電子輸送層または電子注入層を形成する材料を還元できる物質を含んでいてもよい。この還元性物質は、一定の還元性を有する物質であれば、様々な物質が用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを好適に使用することができる。

好ましい還元性物質としては、Ｎａ（仕事関数２．３６ｅＶ）、Ｋ（同２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（同２．１６ｅＶ）またはＣｓ（同１．９５ｅＶ）などのアルカリ金属や、Ｃａ（同２．９ｅＶ）、Ｓｒ（同２．０〜２．５ｅＶ）またはＢａ（同２．５２ｅＶ）などのアルカリ土類金属があげられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下の物質が特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性物質は、Ｋ、ＲｂまたはＣｓのアルカリ金属であり、さらに好ましくはＲｂまたはＣｓであり、最も好ましいのはＣｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性物質として、これら２種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ、またはＣｓとＮａとＫとの組み合わせが好ましい。Ｃｓを含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。

＜有機電界発光素子における陰極＞
陰極１０８は、電子注入層１０７および電子輸送層１０６を介して、発光層１０５に電子を注入する役割を果たす。

陰極１０８を形成する材料としては、電子を有機層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されないが、陽極１０２を形成する材料と同様の材料を用いることができる。なかでも、スズ、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金、鉄、亜鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムおよびマグネシウムなどの金属またはそれらの合金（マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、フッ化リチウム／アルミニウムなどのアルミニウム−リチウム合金など）などが好ましい。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は一般に大気中で不安定であることが多い。この点を改善するために、例えば、有機層に微量のリチウム、セシウムやマグネシウムをドーピングして、安定性の高い電極を使用する方法が知られている。その他のドーパントとしては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、酸化リチウムおよび酸化セシウムのような無機塩も使用することができる。ただし、これらに限定されない。

さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例としてあげられる。これらの電極の作製法も、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。

＜各層で用いてもよい結着剤＞
以上の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層に用いられる材料は単独で各層を形成することができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。

＜有機電界発光素子の作製方法＞
有機ＥＬ素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などの方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲である。膜厚は通常、水晶発振式膜厚測定装置などで測定できる。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、材料の種類、膜の目的とする結晶構造および会合構造などにより異なる。蒸着条件は一般的に、ボート加熱温度＋５０〜＋４００℃、真空度１０^−６〜１０^−３Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚２ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定することが好ましい。

次に、有機ＥＬ素子を作製する方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料とドーパント材料からなる発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法などにより形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上にホスト材料とドーパント材料を共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に電子輸送層、電子注入層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法などにより形成させて陰極とすることにより、目的の有機ＥＬ素子が得られる。なお、上述の有機ＥＬ素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。

このようにして得られた有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として印加すればよく、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、透明または半透明の電極側（陽極または陰極、および両方）より発光が観測できる。また、この有機ＥＬ素子は、パルス電流や交流電流を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

＜有機電界発光素子の応用例＞
また、本発明は、有機ＥＬ素子を備えた表示装置または有機ＥＬ素子を備えた照明装置などにも応用することができる。
有機ＥＬ素子を備えた表示装置または照明装置は、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子と公知の駆動装置とを接続するなど公知の方法によって製造することができ、直流駆動、パルス駆動、交流駆動など公知の駆動方法を適宜用いて駆動することができる。

表示装置としては、例えば、カラーフラットパネルディスプレイなどのパネルディスプレイ、フレキシブルカラー有機電界発光（ＥＬ）ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイなどがあげられる（例えば、特開平10-335066号公報、特開2003-321546号公報、特開2004-281086号公報など参照）。また、ディスプレイの表示方式としては、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式などがあげられる。なお、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。

マトリクスでは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されており、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。

セグメント方式（タイプ）では、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などがあげられる。

照明装置としては、例えば、室内照明などの照明装置、液晶表示装置のバックライトなどがあげられる（例えば、特開2003-257621号公報、特開2003-277741号公報、特開2004-119211号公報など参照）。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式が蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本実施形態に係る発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されない。まず、実施例で使用する化合物の合成例について、以下に説明する。

合成例（１）
化合物（１−１３４−Ｏ）：２−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ナフト［２，３−ｂ］ベンゾフランの合成

化合物（１−１３４−Ｏ）は、国際公開第2014/141725号公報の段落[0106]に記載された方法に準じて合成した。

合成例（２）
化合物（２−３０１）、化合物（２−３０２）、化合物（２−３８３）、化合物（２−３８１）、化合物（２−３８２）、化合物（２−１０１）、化合物（２−２０２）および化合物（２−３０３）は、特開2011-006397号公報に記載された方法に準じて合成した。

合成例（３）
化合物（２−４０１）：２−（ジベンゾ[ｇ，ｐ]クリセン−２−イル）ナフト[２，３−ｂ]ベンゾフランの合成

窒素雰囲気下、２−ブロモジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン（１４ｇ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）懸濁液に、１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム／ｎ−ヘキサン溶液（２８ｍｌ）を−７０℃で滴下した。０．５ｈ撹拌後、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１２．８ｇ）を加えた。室温まで昇温し１時間撹拌後、希塩酸を加え、次いでトルエンを加え抽出した。有機層を濃縮して得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）で精製して２−（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２−イル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１０ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ^３）： δ＝１．４４（ｓ，１２Ｈ）、７．６１〜７．７１（ｍ，６Ｈ）、８．０３（ｄｄ，１Ｈ）、８．６６〜８．７２（ｍ，６Ｈ）、８．８７（ｄｄ，１Ｈ）、９．１９（ｓ，１Ｈ）．

窒素雰囲気下、２−（ジベンゾ[ｇ，ｐ]クリセン−２−イル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１．０ｇ）、２−ブロモナフト［２，３−ｂ］ベンゾフラン（０．６３ｇ）、リン酸カリウム（０．９ｇ）、キシレン（１０ｍｌ）、ｔ−ブチルアルコール（３ｍｌ）、水（２ｍｌ）にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（６２ｍｇ）を加え、１１０℃で１時間加熱撹拌した。室温まで冷却後、水、酢酸エチルを加えてしばらく撹拌した後、析出物をろ過した。この固体をクロロベンゼンから再結晶して式（２−４０１）で表される化合物（０．８３ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： δ＝７．５１（ｔ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ）、７．６５〜７．７６（ｍ，７Ｈ）、７．９８〜８．０２（ｍ，４Ｈ）、８．０９（ｄ，１Ｈ）、８．５１（ｄ，１Ｈ）、８．５６（ｓ，１Ｈ）、８．７３〜８．７９（ｍ，５Ｈ）、８．８３（ｄ，１Ｈ）、８．８８（ｄｄ，１Ｈ）、９．０２（ｄ，１Ｈ）．

合成例（４）
化合物（２−４２７）：８−（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２−イル）ナフト［１，２−ｂ］ベンゾフランの合成

２−ブロモナフト［２，３−ｂ］ベンゾフランを８−ブロモナフト［１，２−ｂ］ベンゾフランに、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムをＰｄ−１３２（ジョンソン・マッセイ）（１６ｍｇ）に代えた以外は合成例（３）に準じた方法で合成し、式（２−４２７）で表される化合物（１．０ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： δ＝７．６１（ｔ，１Ｈ）、７．６５〜７．７５（ｍ，７Ｈ）、７．８６（ｄ，１Ｈ）、７．８８（ｄ，１Ｈ）、７．９６（ｄｄ，１ｈ）、８．０１（ｄｄ，１ｈ）、８．０４（ｄ，１Ｈ）、８．１４（ｄ，１Ｈ）、８．４５（ｄｄ，１ｈ）、８．５１（ｄ，１Ｈ）、８．７３〜８．７６（ｍ，４Ｈ）、８．７８（ｄｄ，１Ｈ）、８．８３（ｄ，１Ｈ）、８．８７（ｄｄ，１Ｈ）、９．０３（ｄ，１Ｈ）．

合成例（５）
化合物（２−４１９）：３−（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２−イル）ナフト［２，３−ｂ］ベンゾフランの合成

２−ブロモナフト［２，３−ｂ］ベンゾフランを３−ブロモナフト［２，３−ｂ］ベンゾフランに、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムをＰｄ−１３２（ジョンソン・マッセイ）（１６ｍｇ）に代えた以外は合成例（３）に準じた方法で合成し、式（２−４１９）で表される化合物（１．０ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： δ＝７．４９〜７．５７（ｍ，２Ｈ）、７．６４〜７．７６（ｍ，６Ｈ）、７．８９（ｄｄ，１Ｈ）、７．９８〜８．０２（ｍ，３Ｈ）、８．０５（ｄ，１Ｈ）、８．０７（ｄ，１Ｈ）、８．２２（ｄ，１Ｈ）、８．４９（ｓ，１Ｈ）、８．７３〜８．７７（ｍ，５Ｈ）、８．８２〜８．８６（ｍ，２Ｈ）、９．０４（ｄ，１Ｈ）．

合成例（６）
化合物（２−４１１）：９−（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２−イル）ナフト［１，２−ｂ］ベンゾフランの合成

２−ブロモナフト［２，３−ｂ］ベンゾフランを９−ブロモナフト［１，２−ｂ］ベンゾフランに、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムをＰｄ−１３２（ジョンソン・マッセイ）（１６ｍｇ）に代えた以外は合成例（３）に準じた方法で合成し、式（２−４１１）で表される化合物（１．０ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： δ＝７．６０（ｔ，１Ｈ）、７．６４〜７．７６（ｍ，７Ｈ）、７．８４（ｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄｄ，１Ｈ）、８．０１〜８．０４（ｍ，２Ｈ）、８．０８（ｄ，１Ｈ）、８．１６（ｄ，１Ｈ）、８．２０（ｄ，１Ｈ）、８．５１（ｄｄ，１Ｈ）、８．７３〜８．７６（ｍ，４Ｈ）、８．７７（ｄｄ，１Ｈ）、８．８３（ｄ，１Ｈ）、８．８６（ｄｄ，１Ｈ）、９．０５（ｄ，１Ｈ）．

合成例（７）
化合物（２−６６０）：９−（４−（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２−イル）ナフタレン−１−イル）−９Ｈ−カルバゾールの合成

２−ブロモナフト［２，３−ｂ］ベンゾフランを９−（４−ブロモナフタレン−１−イル）−９Ｈ−カルバゾールにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムをジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）に代えた以外は合成例（３）に準じた方法で合成し、式（２−６６０）で表される化合物（０．９ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： δ＝７．１６（ｄ，２Ｈ）、７．３２〜７．４３（ｍ，６Ｈ）、７．５４（ｔ，１Ｈ）、７．６６〜７．７６（ｍ，６Ｈ）、７．７８（ｄ，１Ｈ）、７．８３（ｄ，１Ｈ）、７．９１（ｄｄ，１Ｈ）、８．２２〜８．２６（ｍ，３Ｈ）、８．７５〜８．７８（ｍ，５Ｈ）、８．８６（ｄｄ，１Ｈ）、８．９１（ｄ，１Ｈ）、８．９６（ｄ，１Ｈ）．

合成例（８）
化合物（２−６４３）：５−（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２−イル）−７，９−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［ｃ］カルバゾールの合成

窒素雰囲気下、２−ブロモジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン（０．６３ｇ）、７，９−ジフェニル−５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−７Ｈ−ベンゾ［ｃ］カルバゾール（０．８ｇ）、リン酸カリウム（０．７ｇ）、キシレン（１０ｍｌ）、ｔ−ブチルアルコール（３ｍｌ）、水（２ｍｌ）にジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２３ｍｇ）を加え、１１０℃で１時間加熱撹拌した。室温まで冷却後、水、次いでトルエンを加えた。有機層を濃縮して得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘプタン＝３／７（容量比））で精製し、得られたオイルにヘプタンを加え再沈殿することで、式（２−６４３）で表される化合物（０．７ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： δ＝７．４３〜７．５７（ｍ，８Ｈ）、７．６３〜７．７３（ｍ，１０Ｈ）、７．８０（ｔ，１Ｈ）、７．９０（ｄ，１Ｈ）、７．９５〜７．９７（ｍ，２Ｈ）、８．０４（ｄｄ，１Ｈ）、８．７２〜８．８３（ｍ，８Ｈ）、８．９９〜９．０１（ｍ，２Ｈ）．

合成例（９）
化合物（２−６６２）：９−（ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２−イル）−３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾールの合成

窒素雰囲気下、２−ブロモジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン（０．６ｇ）、３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール（０．５２ｇ）、ナトリウムｔ-ブトキシド（０．２ｇ）、１，２，４−トリメチルベンゼン（１０ｍｌ）にビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（２５ｍｇ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（２７ｍｇ）を加え１６０℃で１時間加熱撹拌した。室温まで冷却後、水、次いで酢酸エチルを加えた。有機層を濃縮して得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘプタン＝３／７（容量比））で精製し、得られたオイルを酢酸エチルに溶かしヘプタンを加え再沈殿することで、式（２−６６２）で表される化合物（０．７ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）： δ＝７．３７（ｔ，２Ｈ）、７．５１（ｔ，４Ｈ）、７．６６〜７．７８（ｍ，１４Ｈ）、７．８９（ｄｄ，１Ｈ）、８．４８（ｄ，２Ｈ）、８．６５〜８．６７（ｍ，１Ｈ）、８．７５〜８．７８（ｍ，４Ｈ）、８．８０（ｄｄ，１Ｈ）、８．９６（ｄ，１Ｈ）、８．９８（ｄ，１Ｈ）．

合成例（１０）
化合物（３−１３１）：９−（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−５，１２−ジフェニル−５，９−ジヒドロ−５，９−ジアザ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセンの合成

窒素雰囲気下、ジフェニルアミン（３７．５ｇ）、１−ブロモ−２，３−ジクロロベンゼン（５０．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．８ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（３２．０ｇ）およびキシレン（５００ｍｌ）の入ったフラスコを８０℃で４時間加熱撹拌した後、１２０℃まで昇温して更に３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝１／２０（容量比））で精製し、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（６３．０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（１６．２ｇ）、ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミン（１５．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．３ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（６．７ｇ）およびキシレン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルショートパスカラム（溶離液：加熱したトルエン）で精製し、更に混合溶媒（へプタン／酢酸エチル＝１（容量比））で洗浄することで、Ｎ^１，Ｎ^１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−クロロ−Ｎ^３，Ｎ^３−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２２．０ｇ）を得た。

Ｎ^１，Ｎ^１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−クロロ−Ｎ^３，Ｎ^３−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２２．０ｇ）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１３０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、−３０℃で、１．６Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（３７．５ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して１時間撹拌した後、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（６．２ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１２．８ｍｌ）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルショートパスカラム（溶離液：加熱したクロロベンゼン）で精製した。還流したへプタンおよび還流した酢酸エチルで洗浄後、更にクロロベンゼンから再沈殿させることで、式（３−１３１）で表される化合物（５．１ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ＝９．１７（ｓ，１Ｈ）、８．９９（ｄ，１Ｈ）、７．９５（ｄ，２Ｈ）、７．６８−７．７８（ｍ，７Ｈ）、７．６０（ｔ，１Ｈ）、７．４０−７．５６（ｍ，１０Ｈ）、７．３６（ｔ，１Ｈ）、７．３０（ｍ，２Ｈ）、６．９５（ｄ，１Ｈ）、６．７９（ｄ，１Ｈ）、６．２７（ｄ，１Ｈ）、６．１８（ｄ，１Ｈ）．

合成例（１１）
化合物（３−２５０）：９−（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−Ｎ，Ｎ，５，１２−テトラフェニル−５，９−ジヒドロ−５，９−ジアザ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセン−３−アミンの合成

窒素雰囲気下、Ｎ^１，Ｎ^１，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（５１．７ｇ）、１−ブロモ−２，３−ジクロロベンゼン（３５．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．６ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（２２．４ｇ）およびキシレン（３５０ｍｌ）の入ったフラスコを９０℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝５／５（容量比））で精製することで、Ｎ^１−（２，３−ジクロロフェニル）−Ｎ^１，Ｎ^３，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（６１．８ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、Ｎ^１−（２，３−ジクロロフェニル）−Ｎ^１，Ｎ^３，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１５．０ｇ）、ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミン（１０．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．２ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（４．５ｇ）およびキシレン（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加えて分液した。次いで、シリカゲルショートパスカラム（溶離液：トルエン）で精製した。得られた油状物を酢酸エチル／へプタン混合溶媒で再沈殿させることで、Ｎ^１，Ｎ^１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−クロロ−Ｎ^３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ^３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１８．５ｇ）を得た。

Ｎ^１，Ｎ^１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−クロロ−Ｎ^３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ^３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１８．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（１３０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．７Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（２７．６ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して３時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（４．５ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（８．２ｍｌ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。次いで、加熱したクロロベンゼンに溶解させ、シリカゲルショートパスカラム（溶離液：加熱したトルエン）で精製した。更にクロロベンゼンから再結晶させることで、式（３−２５０）で表される化合物（３．０ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ＝９．０９（ｍ，１Ｈ）、８．７９（ｄ，１Ｈ）、７．９３（ｄ，２Ｈ）、７．７５（ｄ，２Ｈ）、７．７２（ｄ，２Ｈ）、７．６７（ｍ，１Ｈ）、７．５２（ｔ，２Ｈ）、７．４０−７．５０（ｍ，７Ｈ）、７．２７−７．３８（ｍ，２Ｈ）、７．１９−７．２６（ｍ，７Ｈ）、７．１１（ｍ，４Ｈ）、７．０３（ｔ，２Ｈ）、６．９６（ｄｄ，１Ｈ）、６．９０（ｄ，１Ｈ）、６．２１（ｍ，２Ｈ）、６．１２（ｄ，１Ｈ）．

合成例（１２）
化合物（３−２３８）：９−（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−Ｎ，Ｎ，５，１１−テトラフェニル−５，９−ジヒドロ−５，９−ジアザ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセン−３−アミンの合成

窒素雰囲気下、［１，１’−ビフェニル］−３−アミン（１９．０ｇ）、４−ブロモ−１，１’−ビフェニル（２５．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．８ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（１５．５ｇ）およびキシレン（２００ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝５／５（容量比））で精製した。溶媒を減圧留去して得られた固体をへプタンで洗浄し、ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）アミン（３０．０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、Ｎ^１−（２，３−ジクロロフェニル）−Ｎ^１，Ｎ^３，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１５．０ｇ）、ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）アミン（１０．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．２ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（４．５ｇ）およびキシレン（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝５／５（容量比））で精製した。目的物を含むフラクションを減圧留去することで再沈殿させ、Ｎ^１，Ｎ^１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−２−クロロ−Ｎ^３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ^３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２０．３ｇ）を得た。

Ｎ^１，Ｎ^１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−２−クロロ−Ｎ^３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ^３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２０．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．６Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（３２．６ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して２時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（５．０ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（９．０ｍｌ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して１．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝５／５）で精製した。更に、トルエン／へプタン混合溶媒、クロロベンゼン／酢酸エチル混合溶媒で再沈殿させることで、式（３−２３８）で表される化合物（５．０ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ＝８．９３（ｄ，１Ｈ）、８．７７（ｄ，１Ｈ）、７．８４（ｍ，１Ｈ）、７．７７（ｔ，１Ｈ）、７．６８（ｍ，３Ｈ）、７．３３−７．５０（ｍ，１２Ｈ）、７．３０（ｔ，１Ｈ）、７．２２（ｍ，７Ｈ）、７．１１（ｍ，４Ｈ）、７．０３（ｍ，３Ｈ）、６．９７（ｄｄ，１Ｈ）、６．２０（ｍ，２Ｈ）、６．１１（ｄ，１Ｈ））．

合成例（１３）
化合物（３−２５１）：Ｎ^３，Ｎ^３，Ｎ^１１，Ｎ^１１，５，９−ヘキサフェニル−５，９−ジアザ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセン−３，１１−ジアミンの合成

窒素雰囲気下、３−ニトロアニリン（２５．０ｇ）、ヨードベンゼン（８１．０ｇ）、ヨウ化銅（３．５ｇ）、炭酸カリウム（１００．０ｇ）およびオルトジクロロベンゼン（２５０ｍｌ）の入ったフラスコを還流温度で１４時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、アンモニア水を加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝３／７（容量比））で精製することで、３−ニトロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（４４．０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、酢酸（４４０ｍＬ）の入ったフラスコを氷浴で冷却し、亜鉛（５０．０ｇ）を加えて撹拌した。この溶液に、３−ニトロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（４４．０ｇ）を反応温度が著しく上昇しない程度に分割して添加した。添加終了後、室温で３０分間撹拌し、原料の消失を確認した。反応終了後、上澄みをデカンテーションにて採取して炭酸ナトリウムで中和し、酢酸エチルで抽出した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝９／１（容量比））で精製した。目的物の入ったフラクションから溶媒を減圧留去し、へプタンを加えることで再沈殿させ、Ｎ^１，Ｎ^１−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（３６．０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、Ｎ^１，Ｎ^１−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（６０．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（１．３ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（３３．５ｇ）およびキシレン（３００ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で加熱撹拌した。この溶液に、ブロモベンゼン（３６．２ｇ）のキシレン（５０ｍｌ）溶液をゆっくり滴下し、滴下終了後、１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝５／５（容量比））で精製することで、Ｎ^１，Ｎ^１，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（７３．０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、Ｎ^１，Ｎ^１，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２０．０ｇ）、１−ブロモ−２，３−ジクロロベンゼン（６．４ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．２ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（６．８ｇ）およびキシレン（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝４／６（容量比））で精製することで、Ｎ^１，Ｎ^１’−（２−クロロ−１，３−フェニレン）ビス（Ｎ^１，Ｎ^３，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン）（１５．０ｇ）を得た。

Ｎ^１，Ｎ^１’−（２−クロロ−１，３−フェニレン）ビス（Ｎ^１，Ｎ^３，Ｎ^３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン）（１２．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（１００ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．７Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（１８．１ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して２時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（２．９ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（５．４ｍｌ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加え、不溶性の固体を濾別した後、分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へプタン＝５／５（容量比））で精製した。更に加熱したへプタン、酢酸エチルで洗浄後、トルエン／酢酸エチル混合溶媒で再沈殿させることで、式（３−２５１）で表される化合物（２．０ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ＝８．６５（ｄ，２Ｈ）、７．４４（ｔ，４Ｈ）、７．３３（ｔ，２Ｈ）、７．２０（ｍ，１２Ｈ）、７．１３（ｔ，１Ｈ）、７．０８（ｍ，８Ｈ）、７．００（ｔ，４Ｈ）、６．８９（ｄｄ，２Ｈ）、６．１６（ｍ，２Ｈ）、６．０３（ｄ，２Ｈ）．

合成例（１４）
化合物（３−１５１）：２，１２−ジ−ｔ−ブチル−５，９−ビス（４−（ｔ−ブチル）フェニル）−５，９−ジヒドロ−５，９−ジアザ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセンの合成

前述した合成例と同様の方法を用い、式（３−１５１）で表される化合物を合成した。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ＝１．４６（ｓ，１８Ｈ）、１．４７（ｓ，１８Ｈ）、６．１４（ｄ，２Ｈ）、６．７５（ｄ，２Ｈ）、７．２４（ｔ，１Ｈ）、７．２９（ｄ，４Ｈ）、７．５２（ｄｄ，２Ｈ）、７．６７（ｄ，４Ｈ）、８．９９（ｄ，２Ｈ）．

合成例（１５）
化合物（３−１３９）：２，１２−ジ−ｔ−ブチル−５，９−ビス（４−（ｔ−ブチル）フェニル）−７−メチル−５，９−ジヒドロ−５，９−ジアザ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセンの合成

前述した合成例と同様の方法を用い、式（３−１３９）で表される化合物を合成した。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ＝１．４７（ｓ，３６Ｈ）、２．１７（ｓ，３Ｈ）、５．９７（ｓ，２Ｈ）、６．６８（ｄ，２Ｈ）、７．２８（ｄ，４Ｈ）、７．４９（ｄｄ，２Ｈ）、７．６７（ｄ，４Ｈ）、８．９７（ｄ，２Ｈ）．

合成例（１６）
化合物（３−３４０）：１５，１５−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−１５Ｈ−５，９−ジオキサ−１６ｂ−ボラインデノ［１，２−ｂ］ナフト［１，２，３−ｆｇ］アントラセン−１３−アミンの合成

窒素雰囲気下、４−メトキシサリチル酸メチル（５０．０ｇ）、ピリジン（脱水）（３５０ｍｌ）の入ったフラスコを、氷浴で冷却した。次いで、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（１５４．９ｇ）をこの溶液に滴下した。滴下終了後に氷浴を外し、室温で２時間撹拌し、水を加えて反応を停止した。トルエンを加えて分液した後、シリカゲルショートパスカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）で精製することで、メチル ４−メトキシ−２−（（（トリフルオロメチル）スルホニル）オキシ）ベンゾアート（８６．０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、メチル ４−メトキシ−２−（（（トリフルオロメチル）スルホニル）オキシ）ベンゾアート（２３．０ｇ）、（４−（ジフェニルアミノ）フェニル）ボロン酸（２５．４ｇ）、リン酸三カリウム（３１．１ｇ）、トルエン（１８４ｍｌ）、エタノール（２７．６ｍｌ）および水（２７．６ｍｌ）の懸濁溶液に、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（２．５ｇ）を加え、還流温度で３時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、水およびトルエンを加えて分液し、有機層の溶媒を減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン混合溶媒）で精製し、メチル ４’−（ジフェニルアミノ）−５−メトキシ−［１，１’−ビフェニル］−２−カルボキシラート（２９．７ｇ）を得た。この際、「有機化学実験のてびき（１）−物質取扱法と分離精製法−」株式会社化学同人出版、９４頁に記載の方法を参考にして、展開液中のトルエンの比率を徐々に増加させて目的物を溶出させた。

窒素雰囲気下、メチル ４’−（ジフェニルアミノ）−５−メトキシ−［１，１’−ビフェニル］−２−カルボキシラート（１１．４ｇ）を溶解したＴＨＦ（１１１．４ｍｌ）溶液を水浴で冷却し、その溶液に、メチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１．０Ｍ、２９５ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、水浴を外して還流温度まで昇温して４時間撹拌した。その後、氷浴で冷却し、塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し、酢酸エチルを加えて分液した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）で精製し、２−（５’−（ジフェニルアミノ）−５−メトキシ−［１，１’−ビフェニル］−２−イル）プロパン−２−オール（８．３ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、２−（５’−（ジフェニルアミノ）−５−メトキシ−［１，１’−ビフェニル］−２−イル）プロパン−２−オール（２７．０ｇ）、固体酸触媒（テイカ株式会社製のＴＡＹＣＡＣＵＲＥ−１５、酸価35mgKOH/g、比表面積260m²/g、平均細孔径15nm）（１３．５ｇ）およびトルエン（１６２ｍｌ）の入ったフラスコを還流温度で２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、シリカゲルショートパスカラム（溶離液：トルエン）を通過させることで、ＴＡＹＣＡＣＵＲＥ−１５を除去した後、溶媒を減圧留去することで、６−メトキシ−９，９’−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（２５．８ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、６−メトキシ−９，９’−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（２５．０ｇ）、ピリジン塩酸塩（３６．９ｇ）およびＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）（２２．５ｍｌ）の入ったフラスコを還流温度で６時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、水および酢酸エチルを加えて分液した。溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）で精製することで、７−（ジフェニルアミノ）−９，９’−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オール（２２．０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、７−（ジフェニルアミノ）−９，９’−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オール（２０．０ｇ）、２−ブロモ−１−フルオロ−３−フェノキシベンゼン（１５．６ｇ）、炭酸カリウム（１８．３ｇ）およびＮＭＰ（５０ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で４時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでソルミックスで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝１／１（容量比））で精製して、６−（２−ブロモ−３−フェノキシフェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミンを３０．０ｇ（収率：９０．６％）得た。

窒素雰囲気下、６−（２−ブロモ−３−フェノキシフェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（２８．０ｇ）およびキシレン（２００ｍｌ）の入ったフラスコを−３０℃まで冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（３０．８ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、室温で０．５時間撹拌した。その後、反応液を減圧して低沸点の成分を留去した後、−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（１６．８ｇ）を加えた。室温まで昇温して０．５時間撹拌した後、０℃まで冷却してＮ−エチル−Ｎ−イソプロピルプロパン−２−アミン（１２．６ｇ）を添加し、室温で１０分間撹拌した。次に、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ_３）（１２．０ｇ）を加え、９０℃で２時間加熱した。反応液を室温まで冷却し、酢酸カリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、析出した沈殿物を吸引ろ過にて粗製品１として採取した。ろ液を酢酸エチルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、乾燥剤を除去し、溶媒を減圧留去し、粗製品２を得た。粗製品１と２を合わせて、ソルミックスおよびヘプタンでそれぞれ数回、再沈殿を行った後、ＮＨ２シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル→トルエン）で精製した。さらに、昇華精製をして、式（３−３４０）で表される化合物を６．４ｇ（収率：２５．６％）得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．７２（ｄ，１Ｈ）、８．６０（ｓ，１Ｈ）、７．７９〜７．６８（ｍ，４Ｈ）、７．５５（ｄ，１Ｈ）、７．４１（ｔ，１Ｈ）、７．３１〜７．１７（ｍ，１１Ｈ）、７．０９〜７．０５（ｍ，３Ｈ）、１．５７（ｓ，６Ｈ）．

また、得られた化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は１１６.６℃であった。
［測定機器：Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣ （ＰＥＲＫＩＮ−ＥＬＭＥＲ社製）；測定条件：冷却速度２００℃／Min.、昇温速度１０℃／Min.］

合成例（１７）
化合物（３−３５０）：１５，１５−ジメチル−Ｎ，Ｎ，５−トリフェニル−５Ｈ，１５Ｈ−９−オキサ−５−アザ−１６ｂ−ボラインデノ［１，２−ｂ］ナフト［１，２，３−ｆｇ］アントラセン−１３−アミンの合成

窒素雰囲気下、７−（ジフェニルアミノ）−９，９’−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オール（１００ｇ）、１−ブロモ−２−クロロ−３−フルオロベンゼン（５８．３ｇ）、炭酸カリウム（９１．５ｇ）およびＮＭＰ（５００ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で４時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでメタノールで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）で精製して、中間体の６−（３−ブロモ−２−クロロフェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１５０ｇ）を得た。

窒素雰囲気下、上記の中間体６−（３−ブロモ−２−クロロフェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（４０ｇ）、ジフェニルアミン（１２．５ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソン・マッセイ）（１．５ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（１７．０ｇ）およびキシレン（２００ｍｌ）の入ったフラスコを加熱し、８５℃で２時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加え分液し、有機層の溶媒を減圧留去した。得られた固体をソルミックスＡ−１１（商品名：日本アルコール販売株式会社）を用いて数回洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘプタン＝１／２（容量比））で精製し、中間体の６−（２−クロロ−３−（ジフェニルアミノ）フェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（３５.６ｇ）を得た。

中間体の６−（２−クロロ−３−（ジフェニルアミノ）フェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１８．９ｇ）およびトルエン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを、窒素雰囲気下で、７０℃まで昇温して、完全に溶解させた。フラスコを０℃まで冷却した後、２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１４．４ｍｌ）を加えた。６５℃まで昇温し、３時間撹拌した。その後、フラスコを−１０℃まで冷却し、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１３．４ｇ）を加え、室温で２時間攪拌した。水およびトルエンを加え分液し、有機層をＮＨ２シリカゲルショートカラム（溶離液：トルエン）に通した。溶媒を減圧留去した後、中間体の６−（３−（ジフェニルアミノ）−２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（２２ｇ）を得た。

中間体の６−（３−（ジフェニルアミノ）−２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（２１．５ｇ）およびトルエン（２１５ｍｌ）の入ったフラスコに塩化アルミニウム（１９．２ｇ）およびＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（ＤＩＰＥＡ）（３．７ｇ）を加え、３時間還流した。その後、室温まで冷却した反応混合液を氷水（２５０ｍｌ）に注ぎ、トルエンを加え有機層を抽出した。有機層の溶媒を減圧留去し得られた固体をＮＨ２シリカゲルでショートカラム精製（溶離液：トルエン／ヘプタン＝１／４（容量比））を行った後、メタノールで数回再沈殿した。得られた粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶離液：トルエン／ヘプタン＝１／２（容量比））を行い、更に昇華精製をして、式（３−３５０）で表される化合物（４．１ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．９４（ｄｄ，１Ｈ）、８．７０（ｓ，１Ｈ）、７．７４〜７．６９（ｍ，４Ｈ）、７．６２（ｔ，１Ｈ）、７．５３〜７．４７（ｍ，２Ｈ）、７．３８（ｄｄ，２Ｈ）、７．３３〜７．２８（ｍ，５Ｈ）、７．２４（ｄ，１Ｈ）、７．１８（ｄｄ，４Ｈ）、７．０９〜７．０５（ｍ，４Ｈ）、６．８０（ｄ，１Ｈ）、６．３０（ｄ，１Ｈ）、１．５８（ｓ，６Ｈ）．

合成例（１８）
化合物（３−２９０）：１６，１６，１９，１９−テトラメチル−Ｎ^２，Ｎ^２，Ｎ^１４，Ｎ^１４−テトラフェニル−１６，１９−ジヒドロ−６，１０−ジオキサ−１７ｂ−ボラインデノ［１，２−ｂ］インデノ［１’，２’：６，７］ナフト［１，２，３−ｆｇ］アントラセン−２，１４−ジアミンの合成

窒素雰囲気下、７−（ジフェニルアミノ）−９，９’−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オール（１４．１ｇ）、２−ブロモ−１，３−ジフルオロベンゼン（３．６ｇ）、炭酸カリウム（１２．９ｇ）およびＮＭＰ（３０ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で５時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでメタノールで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン混合溶媒）で精製して、６，６’−（（２−ブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン）（１２．６ｇ）を得た。この際、溶離液中のトルエンの比率を徐々に増加させて目的物を溶出させた。

窒素雰囲気下、６，６’−（（２−ブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン）（１１．０ｇ）およびキシレン（６０．５ｍｌ）の入ったフラスコを−４０℃まで冷却し、２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（５．１ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、この温度で０．５時間撹拌した後、６０℃まで昇温して３時間撹拌した。その後、反応液を減圧して低沸点の成分を留去した後、−４０℃まで冷却して三臭化ホウ素（４．３ｇ）を加えた。室温まで昇温して０．５時間撹拌した後、０℃まで冷却してＮ−エチル−Ｎ−イソプロピルプロパン−２−アミン（３．８ｇ）を添加し、１２５℃で８時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、酢酸ナトリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、トルエンを加えて分液した。有機層をシリカゲルショートパスカラム、次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝４／１（容量比））、更に活性炭カラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）で精製して、式（３−２９０）で表される化合物（１．２ｇ）を得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．６４（ｓ，２Ｈ）、７．７５（ｍ，３Ｈ）、７．６９（ｄ，２Ｈ）、７．３０（ｔ，８Ｈ）、７．２５（ｓ，２Ｈ）、７．２０（ｍ，１０Ｈ）、７．０８（ｍ，６Ｈ）、１．５８（ｓ，１２Ｈ）．

合成例（１９）
化合物（３−２９２）：１６，１６，１９，１９−テトラメチル−Ｎ^２，Ｎ^２，Ｎ^１４，Ｎ^１４−テトラ−ｐ−トリル−１６Ｈ，１９Ｈ−６，１０−ジオキサ−１７ｂ−ボラインデノ［１，２−ｂ］インデノ［１’，２’：６，７］ナフト［１，２，３−ｆｇ］アントラセン−２，１４−ジアミンの合成

窒素雰囲気下、ジ−ｐ−トリルアミン（２０．０ｇ）、２−クロロ−６−メトキシ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン（２５．２ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソン・マッセイ）（０．７ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（１４．０ｇ）およびトルエン（１３０ｍｌ）の入ったフラスコを加熱し、２時間還流した。反応液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加えて分液した。次に、活性炭カラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）で精製して、更に、ソルミックスで洗浄を行い、４−（６−メトキシ−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−９Ｈ−フルオレン−２−アミンを２６．８ｇ（収率：６６．１％）得た。

窒素雰囲気下、４−（６−メトキシ−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（２１．５ｇ）、ピリジン塩酸塩（２９．６ｇ）、およびＮＭＰ（２１．５ｍｌ）をフラスコに入れ、１８５℃で５時間加熱した。加熱終了後、反応液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加えて分液した。次に、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、乾燥剤を除去し、溶媒を減圧留去して得られた粗製品をショートカラム（溶離液：トルエン）で精製し、７−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オールを２０．８ｇ（収率：１００％）得た。

窒素雰囲気下、７−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オール（２０．６ｇ）、２−ブロモ−１，３−ジフルオロベンゼン（４．９ｇ）、炭酸カリウム（１７．５ｇ）およびＮＭＰ（３９ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で２時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでソルミックスで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝２／１（容量比）の混合溶媒）で精製して、６，６’−（（２−ブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン）を１７．３ｇ（収率：７０．７％）得た。

窒素雰囲気下、６，６’−（（２−ブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン）（１５．０ｇ）およびキシレン（１００ｍｌ）の入ったフラスコを−４０℃まで冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１０．７ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、この温度で０．５時間撹拌した後、室温まで昇温した。その後、反応液を減圧して低沸点の成分を留去した後、−４０℃まで冷却して三臭化ホウ素（５．１ｇ）を加えた。室温まで昇温して０．５時間撹拌した後、０℃まで冷却してＮ−エチル−Ｎ−イソプロピルプロパン−２−アミン（４．０ｇ）を添加し、１２０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、酢酸ナトリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、トルエンを加えて分液した。有機層をシリカゲルショートパスカラム（溶離液：トルエン）、次いで、ＮＨ２シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル→トルエン）で精製し、ソルミックスで数回、再沈殿を行った。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝３／１（容量比））で精製した。さらに、昇華精製をして、式（３−２９２）で表される化合物を１．５ｇ（収率：１１％）得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．６２（ｓ，２Ｈ）、７．７４（ｔ，１Ｈ）、７．７２（ｓ，２Ｈ）、７．６５（ｄ，２Ｈ）、７．２５〜７．０６（ｍ，２０Ｈ）、７．００（ｄｄ，２Ｈ）、２．３５（ｓ，１２Ｈ）、１．５７（ｓ，１２Ｈ）．

また、得られた化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は１７９.２℃であった。
［測定機器：Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣ （ＰＥＲＫＩＮ−ＥＬＭＥＲ社製）；測定条件：冷却速度２００℃／Min.、昇温速度１０℃／Min.］

合成例（２０）
化合物（３−３３０）：８，１６，１６，１９，１９−ペンタメチル−Ｎ^２，Ｎ^２，Ｎ^１４，Ｎ^１４−テトラフェニル−１６Ｈ，１９Ｈ−６，１０−ジオキサ−１７ｂ−ボラインデノ［１，２−ｂ］インデノ［１’，２’：６，７］ナフト［１，２，３−ｆｇ］アントラセン−２，１４−ジアミンの合成

窒素雰囲気下、７−（ジフェニルアミノ）−９，９’−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オール（３９．０ｇ）、１，３−ジフルオロ−５−メチルベンゼン（６．６ｇ）、リン酸三カリウム（５４．８ｇ）およびＮＭＰ（９８ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で１４時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでソルミックスで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：：へプタン／トルエン＝４／１→２／１（容量比））で精製して、６，６’−（（５−メチル−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン）を４１．０ｇ（収率：９４．１％）得た。

窒素雰囲気下、６，６’−（（５−メチル−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン）（４１．０ｇ）およびキシレン（２４６ｍｌ）の入ったフラスコを−１０℃まで冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（３３．４ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、この温度で０．５時間撹拌した後、７０℃まで昇温して２時間撹拌した。その後、反応液を減圧して低沸点の成分を留去した後、−４０℃まで冷却して三臭化ホウ素（１８．３ｇ）を加えた。室温まで昇温して０．５時間撹拌した後、０℃まで冷却してＮ−エチル−Ｎ−イソプロピルプロパン−２−アミン（１２．６ｇ）を添加し、室温で１０分間撹拌した。次に、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ_３）（１３．０ｇ）を加え、１１０℃で３時間加熱した。反応液を室温まで冷却し、酢酸カリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、トルエンを加えて分液した。有機層をシリカゲルショートパスカラム（溶離液：トルエン）、次いで、ＮＨ２シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル→トルエン）で精製し、ソルミックス／ヘプタン（１／１の容量比）の混合溶剤で数回、再沈殿を行った。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝３／１（容量比））で精製した。さらに、昇華精製をして、式（３−３３０）で表される化合物を３．４ｇ（収率：８．２％）得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．６２（ｓ，２Ｈ）、７．７２（ｓ，２Ｈ）、７．６８（ｄ，２Ｈ）、７．３０（ｔ，８Ｈ）、７．２５（ｓ，２Ｈ）、７．１８（ｄ，８Ｈ）、７．０８〜７．０３（ｍ，８Ｈ）、２．５８（ｓ，３Ｈ）、１．５７（ｓ，１２Ｈ）．

また、得られた化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は１８２.５℃であった。
［測定機器：Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣ （ＰＥＲＫＩＮ−ＥＬＭＥＲ社製）；測定条件：冷却速度２００℃／Min.、昇温速度１０℃／Min.］

合成例（２１）
化合物（３−３５１）：５−（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−１５，１５−ジメチル−Ｎ，Ｎ，２−トリフェニル−５Ｈ，１５Ｈ−９−オキサ−５−アザ−１６ｂ−ボラインデノ［１，２−ｂ］ナフト［１，２，３−ｆｇ］アントラセン−１３−アミンの合成

窒素雰囲気下、７−（ジフェニルアミノ）−９，９’−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−オール（９．０ｇ）、１，２−ジブロモ−３−フルオロベンゼン（７．９ｇ）、炭酸カリウム（８．２ｇ）およびＮＭＰ（４５ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で２時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでソルミックスで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝３／１（容量比））で精製して、６−（２，３−ジブロモフェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミンを１２．４ｇ（収率：８４．８％）得た。

窒素雰囲気下、６−（２，３−ジブロモフェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１０．０ｇ）、ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミン（５．３ｇ）、酢酸パラジウム（０．１５ｇ）、ジシクロヘキシル（２’，６’−ジイソプロポキシ−［１，１’−ビフェニル］−２−イル）ホスファン（０．６１ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（２．４ｇ）およびトルエン（３５ｍｌ）の入ったフラスコを８０℃で６時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加えて分液した。更にシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝２／１（容量比））で精製して、６−（２−ブロモ−３−（ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）フェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミンを７．４ｇ（収率：５３．１％）得た。

窒素雰囲気下、６−（２−ブロモ−３−（ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）フェノキシ）−９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（７.９ｇ）およびテトラヒドロフラン（４２ｍｌ）をフラスコに入れ、−４０℃まで冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（６ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、この温度で１時間撹拌した後、トリメチルボレート（１．７ｇ）を加えた。室温まで昇温して２時間撹拌した。その後、水（１００ｍｌ）をゆっくり滴下した。次に、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、乾燥剤を除去して、ジメチル（２−（ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）−６−（（７−（ジフェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−イル）オキシ）フェニル）ボロネートを７．０ｇ（収率：１００％）得た。

窒素雰囲気下、ジメチル（２−（ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）−６−（（７−（ジフェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−イル）オキシ）フェニル）ボロネート（６．５ｇ）、塩化アルミニウム（１０．３ｇ）およびトルエン（３９ｍｌ）をフラスコに入れて３分間攪拌した。その後、Ｎ−エチル−Ｎ−イソプロピルプロパン−２−アミン（２.５ｇ）を加え、１０５℃で１時間加熱撹拌した。加熱終了後に反応液を冷却し、氷水（２０ｍｌ）を添加した。その後、反応混合液をトルエンで抽出し、有機層をシリカゲルショートパスカラム（溶離液：トルエン）、次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：へプタン／トルエン＝３／１（容量比））で精製した後、ヘプタンで再沈殿を行い、さらに、ＮＨ２シリカゲルでカラム（溶媒：ヘプタン／トルエン＝１／１（容量比））で精製した。最後に、昇華精製をして、式（３−３５１）で表される化合物を０．７４ｇ（収率：１２．３％）得た。

ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝９．２２（ｓ，１Ｈ）、８．７８（ｓ，１Ｈ）、７．９６（ｄ，２Ｈ）、７．８０〜７．７７（ｍ，６Ｈ）、７．７１（ｄ，１Ｈ）、７．５９〜７．４４（ｍ，８Ｈ）、７．３９（ｔ，１Ｈ）、７．３２〜７．２９（ｍ，４Ｈ）、７．７１（ｄ，１Ｈ）、７．１９（ｄｄ，４Ｈ）、７．１２〜７．０６（ｍ，４Ｈ）、７．００（ｄ，１Ｈ）、６．４５（ｄ，１Ｈ）、１．５７（ｓ，６Ｈ）．

また、得られた化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は１６５.６℃であった。
［測定機器：Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣ （ＰＥＲＫＩＮ−ＥＬＭＥＲ社製）； 測定条件：冷却速度２００℃／Min.、昇温速度１０℃／Min.］

合成例（２２）
ピレン系化合物（４−１）は、特開2013-080961号公報（段落[0102]の製造例８）に記載された方法に準じて合成した。

原料の化合物を適宜変更することにより、上述した合成例に準じた方法で、本発明の他の化合物を合成することができる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために、本発明の化合物を用いた有機ＥＬ素子の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

実施例１〜１０および比較例１〜１４に係る有機ＥＬ素子を作製し、それぞれ特定の輝度発光時の電圧（Ｖ）、発光波長（ｎｍ）、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）、外部量子効率（％）を測定した。また特定の輝度を保持する時間（素子寿命）も測定した。

発光素子の量子効率には、内部量子効率と外部量子効率とがあるが、内部量子効率は、発光素子の発光層に電子（または正孔）として注入される外部エネルギーが純粋に光子に変換される割合を示している。一方、外部量子効率は、この光子が発光素子の外部にまで放出された量に基づいて算出され、発光層において発生した光子は、その一部が発光素子の内部で吸収されたりまたは反射され続けたりして、発光素子の外部に放出されないため、外部量子効率は内部量子効率よりも低くなる。

外部量子効率の測定方法は次の通りである。アドバンテスト社製電圧／電流発生器Ｒ６１４４を用いて、素子の輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２、１００ｃｄ／ｍ^２および１０ｃｄ／ｍ^２になる電圧を印加して素子を発光させた。ＴＯＰＣＯＮ社製分光放射輝度計ＳＲ−３ＡＲを用いて、発光面に対して垂直方向から可視光領域の分光放射輝度を測定した。発光面が完全拡散面であると仮定して、測定した各波長成分の分光放射輝度の値を波長エネルギーで割ってπを掛けた数値が各波長におけるフォトン数である。次いで、観測した全波長領域でフォトン数を積算し、素子から放出された全フォトン数とした。印加電流値を素電荷で割った数値を素子へ注入したキャリア数として、素子から放出された全フォトン数を素子へ注入したキャリア数で割った数値が外部量子効率である。

作製した実施例１〜１０および比較例１〜１４に係る有機ＥＬ素子における各層の材料構成、およびＥＬ特性データを下記表１〜４に示す。

表１〜４において、「ＨＩ」（正孔注入層材料）はＮ^４，Ｎ^４’−ジフェニル−Ｎ^４，Ｎ^４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミンであり、「ＨＡＴ−ＣＮ」（正孔注入層材料）は１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルであり、「ＨＴ−１」（正孔輸送層材料）はＮ−（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−Ｎ−（４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミンであり、「ＨＴ−２」（正孔輸送層材料）はＮ，Ｎ−ビス（４−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）フェニル）−［１，１’：４’，１”−テルフェニル］−４−アミンであり、「ＥＴ−１」（電子輸送層材料）は４，６，８，１０−テトラフェニル［１，４］ベンゾキサボリニノ［２，３，４−ｋｌ］フェノキサボリニンであり、「ＥＴ−２」（電子輸送層材料）は９−（４−（５，９−ジオキサ−１３ｂ−ボラナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセン−７イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾールであり、「ＥＴ−３」（電子輸送層材料）は３，３’−（（２−フェニルアントラセン−９，１０−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（４−メチルピリジン）である。「Ｌｉｑ」と共に以下に化学構造を示す。

＜実施例１＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１９）および化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１、ＨＴ−２、化合物（２−４１９）、化合物（１−１３４−Ｏ）、化合物（３−１３９）、ＥＴ−１およびＥＴ−３をそれぞれ入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀をそれぞれ入れた窒化アルミニウム製蒸着用ボートを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を５×１０^−４Ｐａまで減圧し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１およびＨＴ−２の順に蒸着して、正孔注入層１（膜厚４０ｎｍ）、正孔注入層２（膜厚５ｎｍ）、正孔輸送層１（膜厚１５ｎｍ）および正孔輸送層２（膜厚１０ｎｍ）を形成した。次に、化合物（２−４１９）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚１２．５ｎｍになるように蒸着して発光層１を形成した。化合物（２−４１９）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚１２．５ｎｍになるように蒸着して発光層２を形成した。化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ−１を加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層１を形成した。次に、ＥＴ−３とＬｉｑを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層２を形成した。ＥＴ−３とＬｉｑの重量比がおよそ５０対５０になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム／銀電極を陰極として直流電圧を印加し、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．７Ｖ、外部量子効率は７．２％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．０９９）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は７．３％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は７．０％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、９２５時間であった。

＜実施例２＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１１）および化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
発光層１のホスト材料を化合物（２−４１１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．７Ｖ、外部量子効率は７．１％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１２９，０．０９１）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．８％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．３％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、７９５時間であった。

＜実施例３＞
＜ホスト材料：化合物（２−４２７）および化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
発光層１のホスト材料を化合物（２−４２７）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．５Ｖ、外部量子効率は７．６％であり、波長４６２ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．０８６）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は７．３％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．９％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、６８８時間であった。

＜実施例４＞
＜ホスト材料：化合物（２−３０１）および化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
発光層１のホスト材料を化合物（２−３０１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．９Ｖ、外部量子効率は６．６％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３３，０．０８１）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．３％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．０％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、６７０時間であった。

＜実施例５＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１９）および化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
発光層１および発光層２のドーパント材料を化合物（３−１５１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．７Ｖ、外部量子効率は７．１％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３２，０．１０２）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は７．２％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は７．１％であった。

＜実施例６＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）および化合物（２−４１９）の素子＞
発光層１のホスト材料を化合物（１−１３４−Ｏ）に替え、発光層１のドーパント材料を化合物（４−１）に替え、発光層２のホスト材料を化合物（２−４１９）に替え、発光層２のドーパント材料を化合物（４−１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．７Ｖ、外部量子効率は６．９％であり、波長４５９ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３４，０．１１６）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．７％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．２％であった。

＜実施例７＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１１）および化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１、化合物（２−４１１）、化合物（１−１３４−Ｏ）、化合物（３−１３９）、ＥＴ−１およびＥＴ−３をそれぞれ入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀をそれぞれ入れた窒化アルミニウム製蒸着用ボートを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を５×１０^−４Ｐａまで減圧し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮおよびＨＴ−１の順に蒸着して、正孔注入層１（膜厚４０ｎｍ）、正孔注入層２（膜厚５ｎｍ）および正孔輸送層（膜厚２５ｎｍ）を形成した。次に、化合物（２−４１１）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚１２．５ｎｍになるように蒸着して発光層１を形成した。化合物（２−４１１）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚１２．５ｎｍになるように蒸着して発光層２を形成した。化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ−１を加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層１を形成した。次に、ＥＴ−３とＬｉｑを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層２を形成した。ＥＴ−３とＬｉｑの重量比がおよそ５０対５０になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム／銀電極を陰極として直流電圧を印加し、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．５Ｖ、外部量子効率は６．６％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．０９１）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．７％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．６％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、６０４時間であった。

＜実施例８＞
＜ホスト材料：化合物（２−４２７）および化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
発光層１のホスト材料を化合物（２−４２７）に替えた以外は実施例７に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．５Ｖ、外部量子効率は７．１％であり、波長４６２ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．０９０）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．９％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．６％であった。

＜実施例９＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）および化合物（２−４１９）の素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１、ＨＴ−２、化合物（１−１３４−Ｏ）、化合物（２−４１９）、化合物（３−１３９）およびＥＴ−２をそれぞれ入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀をそれぞれ入れた窒化アルミニウム製蒸着用ボートを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を５×１０^−４Ｐａまで減圧し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１およびＨＴ−２の順に蒸着して、正孔注入層１（膜厚４０ｎｍ）、正孔注入層２（膜厚５ｎｍ）、正孔輸送層１（膜厚１５ｎｍ）および正孔輸送層２（膜厚１０ｎｍ）を形成した。次に、化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚１２．５ｎｍになるように蒸着して発光層１を形成した。化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、化合物（２−４１９）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚１２．５ｎｍになるように蒸着して発光層２を形成した。化合物（２−４１９）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ−２とＬｉｑを同時に加熱して膜厚３５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層を形成した。ＥＴ−２とＬｉｑの重量比がおよそ５０対５０になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム／銀電極を陰極として直流電圧を印加し、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．６Ｖ、外部量子効率は７．２％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３３，０．０７９）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．０％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．４％であった。

＜実施例１０＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）および化合物（２−４２７）の素子＞
発光層２のホスト材料を化合物（２−４２７）に替えた以外は実施例９に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．６Ｖ、外部量子効率は７．４％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．０８２）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．４％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．０％であった。

＜比較例１＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１、ＨＴ−２、化合物（１−１３４−Ｏ）、化合物（３−１３９）、ＥＴ−１およびＥＴ−３をそれぞれ入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀をそれぞれ入れた窒化アルミニウム製蒸着用ボートを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を５×１０^−４Ｐａまで減圧し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１およびＨＴ−２の順に蒸着して、正孔注入層１（膜厚４０ｎｍ）、正孔注入層２（膜厚５ｎｍ）、正孔輸送層１（膜厚１５ｎｍ）および正孔輸送層２（膜厚１０ｎｍ）を形成した。次に、化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ−１を加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層１を形成した。次に、ＥＴ−３とＬｉｑを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層２を形成した。ＥＴ−３とＬｉｑの重量比がおよそ５０対５０になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム／銀電極を陰極として直流電圧を印加し、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．５Ｖ、外部量子効率は６．６％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．０８５）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．９％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．８％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、５６５時間であった。

＜比較例２＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１９）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４１９）に替えた以外は比較例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．４Ｖ、外部量子効率は７．１％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３２，０．０８０）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．７％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．５％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、５３０時間であった。

＜比較例３＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１１）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４１１）に替えた以外は比較例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は４．０Ｖ、外部量子効率は６．０％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．０９５）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．７％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は３．０％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、４００時間であった。

＜比較例４＞
＜ホスト材料：化合物（２−４２７）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４２７）に替えた以外は比較例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．８Ｖ、外部量子効率は７．０％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．０８７）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は７．５％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は７．５％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、４３時間であった。

＜比較例５＞
＜ホスト材料：化合物（２−３０１）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−３０１）に替えた以外は比較例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は４．２Ｖ、外部量子効率は６．５％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３３，０．０８０）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．９％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．６％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、６１１時間であった。

＜比較例６＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
発光層のドーパント材料を化合物（３−１５１）に替えた以外は比較例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．６Ｖ、外部量子効率は６．３％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１２９，０．０８８）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．３％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．９％であった。

＜比較例７＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１９）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４１９）に替え、発光層のドーパント材料を化合物（４−１）に替えた以外は比較例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．９Ｖ、外部量子効率は５．４％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３５，０．１３２）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．７％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．１％であった。

＜比較例８＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
発光層のドーパント材料を化合物（４−１）に替えた以外は比較例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．５Ｖ、外部量子効率は６．１％であり、波長４５９ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３３，０．１３４）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．５％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．６％であった。

＜比較例９＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１、化合物（１−１３４−Ｏ）、化合物（３−１３９）、ＥＴ−１およびＥＴ−３をそれぞれ入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀をそれぞれ入れた窒化アルミニウム製蒸着用ボートを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を５×１０^−４Ｐａまで減圧し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮおよびＨＴ−１の順に蒸着して、正孔注入層１（膜厚４０ｎｍ）、正孔注入層２（膜厚５ｎｍ）および正孔輸送層（膜厚２５ｎｍ）を形成した。次に、化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ−１を加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層１を形成した。次に、ＥＴ−３とＬｉｑを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層２を形成した。ＥＴ−３とＬｉｑの重量比がおよそ５０対５０になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム／銀電極を陰極として直流電圧を印加し、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．５Ｖ、外部量子効率は５．０％であり、波長４６２ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．０９３）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．４％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．０％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、４４７時間であった。

＜比較例１０＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１１）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４１１）に替えた以外は比較例９に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．８Ｖ、外部量子効率は６．３％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．０９３）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．２％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．９％であった。次に、作製した素子を低電流駆動試験（電流密度＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）した。初期値の９０％以上の輝度を保持する時間は、１９０時間であった。

＜比較例１１＞
＜ホスト材料：化合物（２−４２７）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４２７）に替えた以外は比較例９に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．７Ｖ、外部量子効率は６．４％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．０８６）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は６．２％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．８％であった。

＜比較例１２＞
＜ホスト材料：化合物（１−１３４−Ｏ）の素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１、ＨＴ−２、化合物（１−１３４−Ｏ）、化合物（３−１３９）およびＥＴ−２をそれぞれ入れたモリブデン製蒸着用ボート、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀をそれぞれ入れた窒化アルミニウム製蒸着用ボートを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を５×１０^−４Ｐａまで減圧し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１およびＨＴ−２の順に蒸着して、正孔注入層１（膜厚４０ｎｍ）、正孔注入層２（膜厚５ｎｍ）、正孔輸送層１（膜厚１５ｎｍ）および正孔輸送層２（膜厚１０ｎｍ）を形成した。次に、化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）を同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。化合物（１−１３４−Ｏ）と化合物（３−１３９）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ−２とＬｉｑを同時に加熱して膜厚３５ｎｍになるように蒸着して電子輸送層を形成した。ＥＴ−２とＬｉｑの重量比がおよそ５０対５０になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム／銀電極を陰極として直流電圧を印加し、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．５Ｖ、外部量子効率は５．８％であり、波長４６１ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．０８８）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．４％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．８％であった。

＜比較例１３＞
＜ホスト材料：化合物（２−４１９）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４１９）に替えた以外は比較例１２に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．８Ｖ、外部量子効率は６．１％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．１０２）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．１％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．１％であった。

＜比較例１４＞
＜ホスト材料：化合物（２−４２７）の素子＞
発光層のホスト材料を化合物（２−４２７）に替えた以外は比較例１２に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定したところ、駆動電圧は３．８Ｖ、外部量子効率は６．１％であり、波長４６３ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．１３０，０．０９５）の青色発光が得られた。また、１００ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は５．２％であり、１０ｃｄ／ｍ^２発光時の外部量子効率は４．４％であった。

本発明の好ましい態様によれば、有機電界発光素子において、ホスト材料としてアントラセン系化合物およびジベンゾクリセン系化合物の両方を含有させた発光層とすることで、素子効率および素子寿命のいずれか、特に好ましくは素子効率および素子寿命を向上させることができる。

１００ 有機電界発光素子
１０１ 基板
１０２ 陽極
１０３ 正孔注入層
１０４ 正孔輸送層
１０５ 発光層
１０６ 電子輸送層
１０７ 電子注入層
１０８ 陰極

Claims (19)

1. 陽極層および陰極層からなる一対の電極層と、該一対の電極層間に配置される発光層とを有する有機電界発光素子であって、前記発光層は、ホスト材料として、下記一般式（１）で表されるアントラセン系化合物および下記一般式（２）で表されるジベンゾクリセン系化合物を含み、さらにドーパント材料を含む、有機電界発光素子。
   

   

   （上記式（１）中、
   ＸおよびＡｒ^４は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいジアリールアミノ、置換されていてもよいジヘテロアリールアミノ、置換されていてもよいアリールヘテロアリールアミノ、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアルケニル、置換されていてもよいアルコキシ、置換されていてもよいアリールオキシ、置換されていてもよいアリールチオまたは置換されていてもよいシリルであり、全てのＸおよびＡｒ^４は同時に水素になることはなく、
   式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素または置換されていてもよいヘテロアリールで置換されていてもよい。）
   （上記式（２）中、
   Ｒ^１からＲ^１６は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、そして、
   式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい。）
2. 前記発光層は、ホスト材料として、下記一般式（１）で表されるアントラセン系化合物を含む、請求項１に記載する有機電界発光素子。
   

   

   （上記式（１）中、
   Ｘはそれぞれ独立して上記式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基であり、式（１−Ｘ１）および式（１−Ｘ２）におけるナフチレン部位は１つのベンゼン環で縮合されていてもよく、式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基は＊において式（１）のアントラセン環と結合し、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ^３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ）で表される基であり、Ａｒ^３における少なくとも１つの水素は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ）で表される基で置換されていてもよく、
   Ａｒ^４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ターフェニリル、ナフチル、または炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリルであり、そして、
   式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素または上記式（Ａ）で表される基で置換されていてもよく、
   上記式（Ａ）中、Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ｒ^２９であり、Ｒ^２１〜Ｒ^２８はそれぞれ独立して水素、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアルコキシ、置換されていてもよいアリールオキシ、置換されていてもよいアリールチオ、トリアルキルシリル、置換されていてもよいアミノ、ハロゲン、ヒドロキシまたはシアノであり、Ｒ^２１〜Ｒ^２８のうち隣接する基は互いに結合して炭化水素環、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、Ｒ^２９は水素または置換されていてもよいアリールであり、式（Ａ）で表される基は＊において式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）のナフタレン環、式（１−Ｘ３）の単結合、式（１−Ｘ３）のＡｒ^３と結合し、また式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素と置換し、式（Ａ）の構造においてはいずれかの位置でこれらと結合する。）
3. 前記発光層は、ホスト材料として、下記一般式（１）で表されるアントラセン系化合物を含む、請求項１に記載する有機電界発光素子。
   

   

   

   （上記式（１）中、
   Ｘはそれぞれ独立して上記式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基であり、式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基は＊において式（１）のアントラセン環と結合し、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ^３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）のいずれかで表される基であり、Ａｒ^３における少なくとも１つの水素は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）のいずれかで表される基で置換されていてもよく、
   Ａｒ^４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
   式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素で置換されていてもよく、
   上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）中、Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−または＞Ｎ−Ｒ^２９であり、Ｒ^２９は水素またはアリールであり、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）で表される基における少なくとも１つの水素はアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、トリアルキルシリル、ジアリール置換アミノ、ジヘテロアリール置換アミノ、アリールヘテロアリール置換アミノ、ハロゲン、ヒドロキシまたはシアノで置換されていてもよく、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）で表される基は＊において式（１−Ｘ１）または式（１−Ｘ２）のナフタレン環、式（１−Ｘ３）の単結合、式（１−Ｘ３）のＡｒ^３と結合し、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１１）の構造においてはいずれかの位置でこれらと結合する。）
4. 上記式（１）中、
   Ｘはそれぞれ独立して上記式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基であり、式（１−Ｘ１）、式（１−Ｘ２）または式（１−Ｘ３）で表される基は＊において式（１）のアントラセン環と結合し、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ^３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−４）のいずれかで表される基であり、Ａｒ^３における少なくとも１つの水素は、さらにフェニル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、または、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−４）のいずれかで表される基で置換されていてもよく、
   Ａｒ^４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
   式（１）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノ、重水素で置換されていてもよい、
   請求項３に記載する有機電界発光素子。
5. 上記式（１）で表される化合物が下記構造式で表される化合物である、請求項１に記載する有機電界発光素子。
   

   
6. 上記式（２）中、
   Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１６は水素であり、
   Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、そして、
   上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、請求項１〜５のいずれかに記載する有機電界発光素子。
7. 上記式（２）中、
   Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１６は水素であり、
   Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール（当該ヘテロアリールは連結基を介して上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、炭素数１〜３０のアルキル、炭素数１〜３０のアルケニル、炭素数１〜３０のアルコキシまたは炭素数１〜３０のアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素は炭素数６〜１４のアリール、炭素数２〜２０のヘテロアリールまたは炭素数１〜１２のアルキルで置換されていてもよく、そして、
   上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、請求項１〜６のいずれかに記載する有機電界発光素子。
8. 上記式（２）中、
   Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１６は水素であり、
   Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、下記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）もしくは式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基（当該構造を有する１価の基は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介して、上記式（２）におけるジベンゾクリセン骨格と結合していてもよい）、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであり、これらにおける少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、下記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）もしくは式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよく、そして、
   上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、請求項１〜７のいずれかに記載する有機電界発光素子。
   

   

   （上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）中、Ｙ^１は、それぞれ独立して、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒであり、Ｒはフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニルまたは水素であり、
   上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）の構造における少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよく、そして、
   上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）で表される構造における少なくとも１つの水素は、上記式（２）中のＲ^１からＲ^１６のいずれかと結合して単結合を形成していてもよい。）
9. 上記式（２）中、
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１５およびＲ^１６は水素であり、
   Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^１１およびＲ^１４の少なくとも１つは、単結合、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介した、下記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）または式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基であり、
   前記少なくとも１つ以外は水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであり、これらにおける少なくとも１つの水素は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、あるいは、ブチルで置換されていてもよく、そして、
   上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよい、請求項１〜８のいずれかに記載する有機電界発光素子。
   

   

   （上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）中、Ｙ^１は、それぞれ独立して、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒであり、Ｒはフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニルまたは水素であり、そして、
   上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）の構造における少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよい。）
10. 上記式（２）中、
    Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１５およびＲ^１６は水素であり、
    Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^１１およびＲ^１４の少なくとも１つは、単結合、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン、メチレン、エチレン、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、または、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を介した、上記式（２−Ａｒ１）、式（２−Ａｒ２）、式（２−Ａｒ３）、式（２−Ａｒ４）または式（２−Ａｒ５）の構造を有する１価の基であり、
    前記少なくとも１つ以外は水素、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルであり、
    上記式（２）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲン、シアノまたは重水素で置換されていてもよく、
    上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）中、Ｙ^１は、それぞれ独立して、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒであり、Ｒはフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニルまたは水素であり、そして、
    上記式（２−Ａｒ１）から式（２−Ａｒ５）の構造における少なくとも１つの水素はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルで置換されていてもよい、
    請求項９に記載する有機電界発光素子。
11. 上記式（２）で表される化合物が下記いずれかの構造式で表される化合物である、請求項１に記載する有機電界発光素子。
    

    
12. 前記発光層が少なくとも第１発光層と第２発光層を積層して構成され、前記第１発光層が前記アントラセン系化合物を含有し、前記第２発光層が前記ジベンゾクリセン系化合物を含有する、請求項１〜１１のいずれかに記載する有機電界発光素子。
13. 前記第１発光層と前記第２発光層との間に前記アントラセン系化合物および前記ジベンゾクリセン系化合物を含む混合領域を有し、該混合領域においてアントラセン系化合物の濃度が第１発光層から第２発光層の方向に減少するか、ジベンゾクリセン系化合物の濃度が第２発光層から第１発光層の方向に減少するか、またはその両方である、請求項１２に記載する有機電界発光素子。
14. 前記発光層において、当該発光層を挟持する一方の層から他方の層の方向に前記アントラセン系化合物の濃度が減少するか、前記一方の層から前記他方の層の方向に前記ジベンゾクリセン系化合物の濃度が増加するか、またはその両方である、請求項１〜１１のいずれかに記載する有機電界発光素子。
15. 前記ドーパント材料がホウ素含有化合物またはピレン系化合物を含む、請求項１〜１４のいずれかに記載する有機電界発光素子。
16. さらに、前記陰極層と該発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、フルオランテン誘導体、ＢＯ系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ピリミジン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、およびキノリノール系金属錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１〜１５のいずれかに記載する有機電界発光素子。
17. 前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１６に記載の有機電界発光素子。
18. 請求項１〜１７のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。
19. 請求項１〜１７のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。

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