JP6983084B2

JP6983084B2 - 有機ｅｌ表示装置

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Publication number: JP6983084B2
Application number: JP2018020264A
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Inventors: 政光古家
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Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2018-02-07
Filing date: 2018-02-07
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Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。

近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、例えば、液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような照明装置を要しないため、薄型化が可能となっている。

有機ＥＬ表示装置は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを備える。このような有機ＥＬ表示装置において、発光素子を水分等から保護するため、発光素子含む表示領域を封止する方法が採用されている。封止方法としては、例えば、下記特許文献１に開示されるように、無機材料膜と樹脂材料層とを組み合わせる方法が用いられている。

特開２０１５−１７６７１７号公報

しかし、無機材料膜と樹脂材料層との密着性が低く、機械的強度の低下につながる場合がある。

本発明は、上記に鑑み、機械的強度に優れた有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、画像を表示する表示領域を有する基板と、前記基板の前記表示領域に位置する複数の画素と、前記複数の画素を覆う封止層と、を有し、前記封止層は、前記画素が配置される側から、第１無機材料膜、第２無機材料膜、樹脂材料層および第３無機材料膜をこの順で含み、前記第２無機材料膜は、前記樹脂材料層に接し、前記第１無機材料膜とは異なる組成を有し、前記第１無機材料膜よりも酸素元素の含有割合が高い。

本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。図２のIII−III断面の一例を示す概略図である。図２のI−I断面の一例を示す概略図である。実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。図２のI−I断面の変形例を示す概略図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、本発明の１つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成されて構成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。

画素アレイ部４には、画素回路８及びＯＬＥＤ６をそれぞれ有する画素がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。

上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。

走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、スイッチングＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にてスイッチングＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。

駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。なお、駆動電源線３２は、図１では画素列ごとに設けられているが、画素行ごとに設けられていても良いし、その両方に設けられていても良い。

ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。表示領域４２の周囲には、額縁領域４４が設けられ、前述した走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６等が設けられる。

矩形である表示パネル４０の額縁領域４４の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。

図３は、図２のIII−III断面の一例を示す概略図である。図３では、断面構造を見易くするため、一部の層のハッチングを省略している。

表示パネル４０は、例えば、基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基材７０は、例えば、ガラス、石英等の透明基板の他、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜で構成される。樹脂膜で構成される場合、基材７０は、例えば、図示しない支持基板上に樹脂材料を塗布により成膜して形成され、後に支持基板を剥離することで可撓性が付与される。封止層１０６の上には、例えば、保護層（図示せず）が配置される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６と保護層（図示せず）との間、または、対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。

表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０の端子は、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に、電気的に接続される。

図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）およびこれらの複合体が用いられる。

表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。

ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。

ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮ_ｙ等の無機絶縁材料で形成される。

ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。

図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。

上記構造上には、画素を分離するバンク１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。有機材料層１０２は、代表的には、アノード側から順に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層を積層して形成されている。また、有機材料層１０２は、その他の層を有し得る。その他の層としては、例えば、アノードと発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。有機材料層１０２は、図３に示すように複数の下部電極１００上及びバンク１１２上に亘って連続的に形成されても良いし、それぞれの下部電極１００上に選択的に形成されても良い。また、前述の通り有機材料層１０２は複数の層を有し得るが、一部の層は複数の下部電極１００上及びバンク１１２上に亘って連続的に形成され、他の一部の層はそれぞれの下部電極１００上に選択的に形成されても良い。

上部電極１０４は、透過性導電膜で構成される。透過性導電膜は、例えば、金属（例えば、ＭｇとＡｇとの極薄合金）やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明金属酸化物で形成される。

上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。一方、部品実装領域４６には、封止層１０６は配置されていない。封止層１０６の外側には、配線１１６が露出した端子部１１８が形成されている。また、図示しないが、例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面には保護層が配置される。具体的には、封止層１０６の上に接着層を介してシート状あるいはフィルム状の保護層を貼り合わせる。この場合、部品実装領域４６には、ＩＣやＦＰＣを接続し易くするため、通常、保護層は設けない。

封止層１０６は、第１無機材料膜１６１、第２無機材料膜１６２、樹脂材料層１６０および第３無機材料膜１６３をこの順で含む積層構造を有している。第１無機材料膜１６１は、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法によりＳｉＮ_ｙ膜を成膜することにより形成される。第１無機材料膜１６１の厚みは、例えば、１μｍ程度である。樹脂材料層１６０は、例えば、アクリル系、エポキシ系等の樹脂材料で形成される。樹脂材料層１６０は、例えば、硬化性樹脂組成物をインクジェット方式やスクリーン印刷方式等の任意の適切な方法で塗布し、得られた塗布層を硬化させることで形成される。樹脂材料層１６０の厚みは、例えば、１０μｍ程度である。第３の無機材料膜１６３は、第１の無機材料膜１６１と同様、ＣＶＤ法によりＳｉＮ_ｙ膜を成膜することにより形成される。第３無機材料膜１６１の厚みは、例えば１μｍ程度である。

第２無機材料膜１６２は、第１無機材料膜１６１とは異なる組成を有する。１つの実施形態においては、第２無機材料膜１６２は、第１無機材料膜１６１よりも酸素元素の含有割合が高い。具体的には、第１無機材料膜１６１がＳｉＮ_ｙを主成分として含む場合、第２無機材料膜１６２は、ＳｉＯ_ｘを主成分として含む。このような第２無機材料膜１６２を配置することで、樹脂材料層１６０の表面に結合が生じ、樹脂材料層１６０と無機材料膜との密着性を向上させることができる。その結果、機械的強度が向上し得る。樹脂材料層１６０の表面に生じ得る結合としては、代表的には、水酸基と酸素原子との水素結合が挙げられる。この他にも、例えば、樹脂材料層１６０に含まれる有機基と第２無機材料膜の表面の酸素原子および／または水酸基との間で結合が生じ得る。ここで、樹脂材料層１６０に含まれる有機基は、樹脂材料層１６０を形成する樹脂組成物に含まれる硬化剤に由来するものであってもよい。具体例としては、樹脂材料層１６０（例えば、エポキシ系樹脂）に含まれるアミノ基と第２無機材料膜の水酸基とのイオン結合、樹脂材料層１６０（例えば、エポキシ系樹脂）と第２無機材料膜の水酸基との間で生成されるアルコキシ結合が挙げられる。

第２無機材料膜１６２による密着性向上の効果は、基材７０側に配置される第１無機材料膜１６１と樹脂材料層１６０との間に第２無機材料膜１６２を配置させることにより顕著に得られ得る。第２無機材料膜１６２は、例えば、第１無機材料膜１６１の上面の少なくとも一部に配置されていればよい。例えば、表示特性への影響を低減する観点から、第２無機材料膜１６２は、少なくも表示領域４２においては均一に配置される。

第２無機材料膜１６２の厚みは、例えば、０．１μｍ程度である。また、第２無機材料膜１６２の厚みは第１無機材料膜１６１の厚みの、例えば、１／５０〜１／５に設定することができる。第２無機材料膜１６２の表面（樹脂材料層１６０が配置される側の面）は、平滑（膜厚が均一）であってもよいし、凹凸形状を備えた状態（膜厚が不均一）であってもよい。表面に凹凸形状を備えることで、樹脂材料層１６０との接触面積が増えて、密着性をさらに向上させ得る。第２無機材料膜１６２は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。表面に凹凸形状を備える第２無機材料膜１６２は、例えば、メッシュ状のマスクを介して、ＣＶＤ法による成膜を行うことで形成される。表面の凹凸形状が表示パネル４０の表示特性に影響を及ぼす場合等は、表示領域４２を囲む領域（額縁領域４４）に選択的に凹凸形状が形成されていてもよい。

図４は、図２のI−I断面の一例を示す概略図であり、表示領域４２と額縁領域４４との境界部分の一例を拡大して示す図である。額縁領域４４は、表示領域４２を囲む領域であり、表示領域４２と比較して、例えば、ＯＬＥＤ６を含まない点で異なっている。なお、図４においては、図３に示す基材７０から配線１１６までの層を基板１１４と、層間絶縁膜９２から封止層１０６より下に配置される構造を下部構造層１０８と簡略化して示している。

図４に示すように、例えば、封止層１０６内への水分の侵入を防止する観点から、樹脂材料層１６０の上面および端面は第３無機材料膜１６３に覆われており、封止層１０６の端部では、樹脂材料層１６０は存在せず、第１無機材料膜（ＳｉＮ_ｙ膜）１６１と第３無機材料膜（ＳｉＮ_ｙ膜）１６３とが直に接している。第２無機材料膜（ＳｉＯ_ｘ膜）１６２の端部は樹脂材料層１６０よりも外方に延出しており、樹脂材料層１６０と第１無機材料膜１６１との接触を低減して、封止層１０６端部においても密着性を向上させている。

第２無機材料膜１６２の端部（樹脂材料層１６０よりも外方に延び出た延出部）は、第３無機材料膜１６３に覆われており、第２無機材料膜１６２は封止層１０６内部に収容され、封止層１０６の表面には露出していない。このような構成によれば、例えば、封止層１０６内への水分の侵入を防止することができる。

第１無機材料膜１６１と第３無機材料膜１６３とが直に接触して積層された積層部の端面（封止層１０６の端面）の傾斜は、第２無機材料膜１６２の端面の傾斜よりも急峻である。

図５Ａ〜図５Ｇは、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。なお、図５においては、図３に示す基材７０から配線１１６までの層を基板１１４と、層間絶縁膜９２から封止層１０６より下に配置される構造を下部構造層１０８と簡略化して示している。

図５Ａは、基板１１４（基材７０）上に、ＯＬＥＤ６までを含む下部構造層１０８の形成が完了した状態を示している。次に、図５Ｂに示すように、基板１１４の表示領域４２全体を覆うように第１無機材料膜１６１をＣＶＤ法により形成する。その際、所定の領域に第１無機材料膜１６１が形成されないようにマスクするマスク材は配置しない。したがって、第１無機材料膜１６１は、後に端子部１１８が形成される箇所にも形成される。

図５Ｃは、第２無機材料膜１６２を形成する工程を示している。第１無機材料膜１６１とは異なり、後に端子部１１８が形成される箇所には第２無機材料膜１６２が形成されないように、マスク材１２０を所定の位置に配置し、第２無機材料膜１６２をＣＶＤ法により形成する。ここで、図示するように、マスク材１２０の内側に回り込んで第２無機材料膜１６２が形成され得るため、この回り込み量（例えば、内側に２００μｍ程度）を考慮してマスク材１２０を配置する。第２無機材料膜１６２の端部は、マスク材１２０の内側への回り込み部に相当し、その上面は緩やかな傾斜を有している。

図５Ｄは、樹脂材料層１６０を形成する工程を示している。樹脂材料層１６０は表示領域４２において形成され、表示領域４２において平坦化膜として機能し得る。ここでは、樹脂材料層１６０は、その外縁が、第２無機材料膜１６２の外縁よりも表示領域４２側に位置するように形成されている。

図５Ｅは、第３無機材料膜１６３を形成する工程を示している。第３無機材料膜１６３は、基板１１４の表示領域４２全体を覆うようにＣＶＤ法により形成する。第２無機材料膜１６２および樹脂材料層１６０は、第２無機材料膜１６２および樹脂材料層１６０の外縁よりも外側で第１無機材料膜１６１と第３無機材料膜１６３とが密着することによって封止されている。

図５Ｆは、保護膜１２２を形成する工程を示している。ここで、保護膜１２２は表示領域４２を覆うように形成され、保護膜１２２の外縁は、端子部１１８が形成される箇所よりも表示領域４２側に位置している。保護膜１２２は、例えば、有機材料（代表的には、樹脂材料）で形成される。具体的には、感光性樹脂組成物を用いたパターン形成、インクジェット方式による樹脂組成物の塗布による形成、フィルムの貼付などにより保護膜１２２を設ける。保護膜１２２は、例えば、表示領域４２における平坦度を向上させるとともに、次工程の周辺部１２４の除去に利用される。

図５Ｇは、周辺部１２４を除去する（端子出し）工程を示している。周辺部１２４の除去は、保護膜１２２をマスクとして、エッチング（例えば、ドライエッチング）により行われる。２層の無機材料膜１６１，１６３は、保護膜１２２の外縁の位置で切断され、端子部１１８が形成される。第１無機材料膜１６１と第３無機材料膜１６３とが直に接触して積層された積層部の端面１ｓの傾斜は、例えば、第２無機材料膜１６２の端面２ｓの傾斜よりも急峻となる。なお、周辺部１２４を除去した後、保護膜１２２を除去（図４に示す状態に）してもよいし、そのまま残して表示パネル４０の保護層として用いてもよい。

図６は、図２のI−I断面の変形例を示す概略図である。上記実施形態に限られず、図６に示されるように、第２無機材料膜１６２は、その外縁が、樹脂材料層１６０の外縁よりも表示領域４２側に位置するように形成されてもよい。端子部１１８（ドライエッチングを行う領域）と表示領域４２との距離が短い設計の場合は、上述の第２無機材料膜１６２の形成時に用いるマスク材の内側への回り込み量を見込んで、このような形態が採用され得る。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

２有機ＥＬ表示装置、４画素アレイ部、６ＯＬＥＤ、８画素回路、１０スイッチングＴＦＴ、１２駆動ＴＦＴ、１４キャパシタ、２０走査線駆動回路、２２映像線駆動回路、２４駆動電源回路、２６制御装置、２８走査信号線、３０映像信号線、３２駆動電源線、４０表示パネル、４２表示領域、４４額縁領域、４６部品実装領域、４８ドライバＩＣ、５０ＦＰＣ、７０基材、７２ＴＦＴ、７４回路層、８０下地層、８２半導体領域、８４ゲート絶縁膜、８６ゲート電極、８８層間絶縁層、９０ａソース電極、９０ｂドレイン電極、９２層間絶縁膜、９４配線、９６平坦化膜、９８パッシベーション膜、１００下部電極、１０２有機材料層、１０４上部電極、１０６封止層、１０８下部構造層、１１０コンタクトホール、１１２バンク、１１４基板、１１６配線、１１８端子部、１２０マスク材、１２２保護膜、１２４周辺部、１６０樹脂材料層、１６１第１無機材料膜、１６２第２無機材料膜、１６３第３無機材料膜。

Claims

画像を表示する表示領域を有する基板と、
前記基板の前記表示領域に位置する複数の画素と、
前記複数の画素を覆う封止層と、を有し、
前記封止層は、前記画素が配置される側から、第１無機材料膜、第２無機材料膜、樹脂材料層および第３無機材料膜をこの順で含み、
前記第２無機材料膜は、前記樹脂材料層に接し、前記第１無機材料膜とは異なる組成を有し、前記第１無機材料膜よりも酸素元素の含有割合が高く、
前記第２無機材料膜は、前記表示領域を覆い、
前記第２無機材料膜の一部は、前記表示領域の外側に位置し、
前記第２無機材料膜の外縁は、前記樹脂材料層の外縁よりも前記表示領域側に位置する、
有機ＥＬ表示装置。
前記樹脂材料層の外縁及び前記第２無機材料膜の外縁よりも外側で前記第１無機材料膜と前記第３無機材料膜とが接して積層された積層部を有する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
画像を表示する表示領域を有する基板と、
前記基板の前記表示領域に位置する複数の画素と、
前記複数の画素を覆う封止層と、を有し、
前記封止層は、前記画素が配置される側から、第１無機材料膜、第２無機材料膜、樹脂材料層および第３無機材料膜をこの順で含み、
前記第２無機材料膜は、前記樹脂材料層に接し、前記第１無機材料膜とは異なる組成を有し、前記第１無機材料膜よりも酸素元素の含有割合が高く、
前記第１無機材料膜、前記樹脂材料層および前記第３無機材料膜は、前記表示領域を覆い、
前記第１無機材料膜の一部は、前記表示領域の外側に位置し、
前記第３無機材料膜の一部は、前記表示領域の外側に位置し、
前記樹脂材料層の外縁及び前記第２無機材料膜の外縁よりも外側で前記第１無機材料膜と前記第３無機材料膜とが接して積層された積層部が形成されている、
有機ＥＬ表示装置。
前記第２無機材料膜は、前記表示領域を覆い、
前記第２無機材料膜の一部は、前記表示領域の外側に位置し、
前記第２無機材料膜の外縁は、前記樹脂材料層の外縁よりも外側に位置する、
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第２無機材料膜は、前記表示領域を覆い、
前記第２無機材料膜の一部は、前記表示領域の外側に位置し、
前記第２無機材料膜の外縁は、前記樹脂材料層の外縁よりも前記表示領域側に位置する、
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記積層部の端面の傾斜は、前記第２無機材料膜の端面の傾斜よりも急峻である、
請求項２から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記積層部の外縁に隣接して、前記基板に含まれる配線が露出した領域が形成されている、
請求項２から６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第１無機材料膜はＳｉＮｙを主成分として含む、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第２無機材料膜はＳｉＯｘを主成分として含む、請求項１から８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第３無機材料膜はＳｉＮｙを主成分として含む、請求項１から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記樹脂材料層はエポキシ系樹脂を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。