JP7002196B2 - 六方晶窒化ホウ素粉末及び化粧料 - Google Patents

Description

本発明は六方晶窒化ホウ素粉末に関する。また、本発明は該六方晶窒化ホウ素粉末を含む化粧料に関する。

六方晶窒化ホウ素は黒鉛類似の層状構造を有し、潤滑性、熱伝導性、絶縁性、化学的安定性、耐熱衝撃性などの特性に優れ、これらの特性を活かして化粧料（化粧品ともいう）原料、固体潤滑剤、離型剤、樹脂やゴムの充填材、耐熱性を有する絶縁性焼結体などに応用されている。

特に化粧料原料用の六方晶窒化ホウ素粉末については、安全性、衛生性の観点から医薬部外品原料規格２００６（以降、「外原規２００６」という）にその規格が定められており、この中で、所定の手順で六方晶窒化ホウ素粉末を水に接触させた際に、許容できる溶出ホウ素量は、濃度基準で２０ｍｇ／Ｌ以下と規定されている。水に溶出するホウ素（以降、「水溶性ホウ素化合物」という。）が、該規定を超えるように含まれる六方晶窒化ホウ素粉末は、これを原料として配合した化粧料の、肌への刺激性を高める可能性がある。

六方晶窒化ホウ素粉末から水溶性ホウ素化合物を低減する手段として、特許文献１には、六方晶窒化ホウ素粉末を低級アルコールやアセトン等の水可溶性有機溶媒またはその水溶液または界面活性剤水溶液中で攪拌洗浄し、低温かつ低酸素雰囲気下で乾燥する方法が、特許文献２には、六方晶窒化ホウ素粉末を水または熱水に分散させて水可溶性ホウ素化合物を洗浄除去し、乾燥させた後、アルコールを添加し、若しくはアルコール中に浸漬し、然る後再度乾燥させる方法が、さらに特許文献３には、六方晶窒化ホウ素粉末を、酸水溶液で洗浄し、乾燥した後、炭素と接触させないようにして、窒素雰囲気下、１８００～１９５０℃で１～５時間熱処理する方法が開示されている。

化粧料原料用に六方晶窒化ホウ素粉末を配合する目的として、滑り性、伸び性、隠ぺい性、光沢性の付与等がある。六方晶窒化ホウ素は主にファンデーションに用いられており、塗り伸び性、カバー力（隠ぺい力）が特に重要な因子である。これらの因子は六方晶窒化ホウ素の粒子形態、具体的には平均粒子径やアスペクト比（長径／厚さ）が影響し、一例として特許文献４が挙げられる。

特開昭６３－３３３１２号公報 特開平１－１５７４０９号公報 特開２００４－３５２７３号公報 特開２０１４－９４８７８号公報

しかしながら、特許文献１及び特許文献２に開示される方法では、洗浄処理で用いる界面活性剤や有機溶剤が六方晶窒化ホウ素粉末に微量残留した場合に、肌への刺激性が発現する可能性を否定できない。また、これらの技術は六方晶窒化ホウ素粉末中に存在していた水溶性ホウ素化合物を、洗浄して予め除去することを主眼としており、例えば六方晶窒化ホウ素粉末を保管している間に、水溶性ホウ素化合物が副生する傾向の大きさに着目した方法ではない。そのため、長期にわたる保管や使用を想定したような、高温かつ高湿度雰囲気中に、六方晶窒化ホウ素粉末を一定期間置いた試験を実施すると、該六方晶窒化ホウ素粉末と雰囲気中の水分とが反応して水溶性ホウ素化合物の副生が進行し、「外原規２００６」の規格を逸脱してしまう現象が見られ、実用的な耐久性に関する課題は残存していた。

また、特許文献３に示される方法は、窒化ホウ素粉末の耐加水分解性を向上させる効果があるが、長期保管性に対しては未だ改善の余地が残されている。また、高温での再焼成が必要になるため製造工程が複雑になり、六方晶窒化ホウ素粉末が高額になる問題があった

さらに特許文献４に示される六方晶窒化ホウ素粉末はアスペクト比（長径／厚さ）が５～２０と記載されている。長径に対する厚さの比率が小さいため鱗片粒子が厚みを増したものとなり、これら六方晶窒化ホウ素粉末を用いたファンデーションなどの化粧料は塗り伸び性、カバー力（隠ぺい力）が十分に発揮されない。

六方晶窒化ホウ素の耐久性、及び塗り伸び性を向上させるためには、上述に加えて六方晶窒化ホウ素の結晶性を向上させる必要がある。しかし化粧料用窒化ホウ素において、結晶性に関する知見は今まで見られなかった。

上記を鑑み、本発明は、従来に比べて塗り伸び、隠ぺい力に優れた化粧料用の窒化ホウ素粉末を提供する。

（１）アスペクト比（長径／厚さ）が２０を超え、かつ平均粒子径が３～２０μｍ、比表面積が１～１０ｍ^２／ｇ、一次粒子の粉末Ｘ線回折法による黒鉛化指数（Ｇｒａｐｈｉｔｉｚａｔｉｏｎ Ｉｎｄｅｘ）が２．０以下、タップ密度が０．５ｇ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素粉末。
（２）医薬部外品原料規格２００６に準拠して測定される溶出ホウ素が２０ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする（１）に記載の六方晶窒化ホウ素粉末。
（３）（１）または（２）に記載の六方晶窒化ホウ素粉末を含む化粧料。

本発明により、従来に比べて塗り伸び、隠ぺい力に優れた化粧料用の六方晶窒化ホウ素粉末、及び六方晶窒化ホウ素粉末を含む化粧料を得ることができるという効果を奏する。

＜六方晶窒化ホウ素粉末＞
本発明の一側面に係る六方晶窒化ホウ素粉末は、アスペクト比（長径／厚さ）が２０を超え、かつ平均粒子径が３～２０μｍ、比表面積が１～１０ｍ^２／ｇ、黒鉛化指数が２．０以下である。

以下に、本発明に係る六方晶窒化ホウ素粉末を実施するためのより詳しい説明を示す。

＜アスペクト比＞
アスペクト比はある粒子の最も長い箇所（長径）と短い箇所（短径）の比率（（長径）／（短径））で表わされる。六方晶窒化ホウ素はいわゆる「鱗片形状」の粒子であり、最も短い箇所（短径）は鱗片粒子の厚さで表すことができる。よって本発明の六方晶窒化ホウ素粉末におけるアスペクト比は、（長径）／（厚さ）で示すこととする。アスペクト比は２０を超える必要があり、望ましくは２１～３０、更に好ましくは２４～２８である。アスペクト比が２０以下では、長径が小さいため隠ぺい力が不十分となる、もしくは厚さが大きいため塗り伸び性が不十分となる。

六方晶窒化ホウ素のような「鱗片形状」の粒子においてアスペクト比を測定する際、例えば電子顕微鏡により撮影された粒子画像をそのまま解析する方法では誤差が生じ易く（例えば粒子が傾いていると誤差が生じる）、正確な測定が困難である。そこで本発明の六方晶窒化ホウ素におけるアスペクト比の測定方法は、以下の通り行った（Ｎｏｎ－Ｏｘｉｄｅ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ， ８３－９６, １９８６,Ｓｐｒｉｎｇｅｒ）。
窒化ホウ素粉末をプレス成型し、樹脂包埋後に断面ミリング加工を行うことで、窒化ホウ素粒子の断面を得た。プレス成型により窒化ホウ素粒子が一方向に配向した状態が得られ、粒子傾きによる測定誤差を抑えられる。この断面を走査型電子顕微鏡、例えば「ＪＳＭ－６０１０ＬＡ」（日本電子社製）にて撮影し、得られた粒子像を画像解析ソフトウェア、例えば「Ｍａｃ－Ｖｉｅｗ」（マウンテック社製）に取り込む。
次いで、得られた写真から粒子の長辺（＝長径）と短辺（＝厚さ）を測定し長辺短辺比(長辺／短辺)を算出し、粒子１００個に対する測定結果を得た。
得られた長径短径比より累積分布を作成し、累積相対度数の９５％に相当する長径／厚さを求め、これをアスペクト比とした。

＜平均粒子径＞
本発明の六方晶窒化ホウ素の平均粒子径は３～２０μｍ、好ましくは５～１５μｍ、更に好ましくは６～１２μｍである。平均粒子径が３μｍ未満では、塗り伸び性及び隠ぺい力が不十分となる。平均粒子径が２０μｍを超えると塗り伸び性や隠ぺい力には問題がないが、外観上のぎらつきが強くなったりするため、化粧料原料としては好ましくなくなる。なお本発明における平均粒子径は、レーザー回折散乱法による粒度分布測定において、体積基準の累積粒度分布の累積値５０％の粒子径である。一般に平均粒子径は測定条件により変わる可能性があり、本発明では、六方晶窒化ホウ素粉末６０ｍｇを、１５ｇの０．２質量％ヘキサメタリン酸水溶液に加え、ホモジナイザーにより３００Ｗの出力で１８０秒間分散処理させた後の分散液を用いて、粒度分布測定機により計測した値である。

＜比表面積＞
本発明の六方晶窒化ホウ素粉末の比表面積は１～１０ｍ^２／ｇ、好ましくは１～５ｍ^２／ｇ、更に好ましくは２～３ｍ^２／ｇである。比表面積が１ｍ^２／ｇ未満では粒子径が大きくなり、塗り伸び性や隠ぺい力には問題がないが、外観上のぎらつきが強くなったりするため、化粧料原料としては好ましくなくなる。比表面積が１０を超えると、塗り伸び性及び隠ぺい力が不十分となる上に、後述の溶出ホウ素量が２０ｍｇ／Ｌを超えてしまう。比表面積は、一般に市販されているガス吸着現象を利用した測定装置を用い、ＢＥＴ１点法により算出された値を用いることができる。

＜黒鉛化指数＞
六方晶窒化ホウ素粉末は、黒鉛と類似の結晶構造を有しており、粉末Ｘ線回折測定を利用し、黒鉛と同様の方法で、その黒鉛化指数を算出することができる。即ち、黒鉛化指数は、Ｘ線回折スペクトルの（１００）面に由来するピークの面積Ｓ１、（１０１）面に由来するピークの面積Ｓ２、及び（１０２）面に由来するピークの面積Ｓ３の各値を、（数１）に代入することによって算出できることが示され（Ｊ．Ｔｈｏｍａｓ，ｅｔ．ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．８４，４６１９（１９６２））ており、これを六方晶窒化ホウ素に適用したものである。

なお、本発明では、Ｓ１は六方晶窒化ホウ素の（１００）面のＸ線回折スペクトルに相当するピークの面積（積分強度比）であり、具体的には２θ＝４０度以上４２．５度以下のピークの面積である。同様にＳ２は六方晶窒化ホウ素の（１０１）面のＸ線回折スペクトルに相当するピークの面積（積分強度比）であり、具体的には２θ＝４３度以上４５度以下のピークの面積である。Ｓ３は六方晶窒化ホウ素の（１０２）面のＸ線回折スペクトルに相当するピークの面積（積分強度比）であり、具体的には２θ＝４８度以上５２度以下のピークの面積である。なお、各ピークの面積を求めるにあたり、２θ＝３８度及び５４度における各値を直線で結んでベースラインを作成し、ベースラインを基準として各ピーク面積を算出した。

黒鉛化指数は六方晶窒化ホウ素の結晶性の指標となり、化粧料として用いた場合の塗り伸び性に影響する。本発明の六方晶窒化ホウ素の黒鉛化指数は２．０以下、好ましくは１．５以下、更に好ましくは１．３以下である。黒鉛化指数が２．０を超えると、六方晶窒化ホウ素の結晶化が不十分となり、塗り伸び性が不十分となる。

＜溶出ホウ素＞
溶出ホウ素は肌への刺激性を示すため、所定量に低減する必要がある。溶出ホウ素は医薬部外品原料規格２００６に準拠した方法で行い、その値は２０ｍｇ／Ｌ以下である必要がある。なお好ましい値は１５ｍｇ／Ｌ以下、更に好ましくは１０ｍｇ／Ｌ以下である。溶出ホウ素が２０ｍｇ／Ｌを超えると、肌への刺激性を示す恐れがある。

＜タップ密度＞
本発明に係る六方晶窒化ホウ素粉末のタップ密度は０．５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは０．３ｇ／ｃｍ^３以下、更に好ましくは０．２５ｇ／ｃｍ^３以下である。本発明でいうタップ密度とは、タップ密度測定器（例：ホソカワミクロン社製、パウダーテスターＰＴ－Ｅ型）を用い、１００ｃｍ^３の専用容器に六方晶窒化ホウ素粉末を仮充填してから、タッピングタイム１８０秒、タッピング回数１８０回、タップリフト１８ｍｍの条件で容器をタッピングして衝撃で固めた後、容器上部の余分な六方晶窒化ホウ素粉末をブレードで擦りきり、数２の式に測定した各質量値を代入することにより求めたものである。

タップ密度の値が小さい六方晶窒化ホウ素粉末は感触がふわっとしており、肌に塗ったときの感触が軽くなる特徴がある。タップ密度が０．５ｇ／ｃｍ^３を超えると、肌に塗ったときの感触が重くなり、化粧料として好ましくはない。

＜六方晶窒化ホウ素の製造方法＞
本発明の六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法の例としては、ホウ素を含む化合物の粉末及び窒素を含む化合物の粉末（以下、ホウ素を含む化合物と窒素を含む化合物とを併せて出発原料ということもある）の合計１００質量部と、０．９質量部以上２０質量部以下のアルカリ金属化合物など、焼成時における出発原料の六方晶窒化ホウ素への変換を促進する焼結助剤の粉末と、本発明の目的を逸脱しない範囲において、必要に応じて出発原料や焼結助剤以外の、単体や化合物を含む混合粉末を、窒素、ヘリウム、アルゴン、アンモニア等の不活性雰囲気下で焼成して、粗六方晶窒化ホウ素となし、これを洗浄液で洗浄することによる不純物除去処理を加えてから乾燥する工程を含む製造方法が挙げられる。

ここでホウ素を含む化合物としては、ホウ酸、酸化ホウ素、ホウ砂などを好ましく、特にホウ酸を好ましく用いることができる。また、窒素を含む化合物としては、シアンジアミド、メラミン、尿素などを好ましく、特にメラミンを好ましく選択することができる。さらに焼結助剤の好ましい具体例としては、炭酸リチウム、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩を挙げることができる。また、出発原料や焼結助剤以外に添加できる単体や化合物の例としては、炭素などの還元性物質を挙げることができる。なお、粗六方晶窒化ホウ素を製造するための出発原料や焼結助剤として用いる各種化合物等は一種類に限定する必要はなく、複数種類の化合物等を同時に使用することもできる。また、出発原料中に含まれるホウ素原子と窒素原子のモル比率は、必ずしも５：５に固定する必要はなく、反応性や収率に応じて、ホウ素原子と窒素原子のモル比率を、好ましくは２：８～８：２の範囲で、さらに好ましくは３：７～７：３の範囲で適宜変えることが可能である。

さらに黒鉛化指数、すなわち六方晶窒化ホウ素の結晶性は、粗六方晶窒化ホウ素粉末合成時の焼結助剤の配合量、及び焼成温度によって変化する。出発原料の１００質量部に対する焼結助剤の配合割合は少なくとも０．９質量部以上、好ましくは１．０質量部以上、さらに好ましくは１．１質量部以上であることが望ましい。また、化粧料への適用を考慮すると、出発原料の１００質量部に対する焼結助剤の配合割合は多くとも２０質量部以下、好ましくは１５質量部以下、さらに好ましくは１２質量部以下であることが望ましい。焼結助剤の配合割合が０．９質量部未満であると、焼結に伴って進行するべき出発原料から六方晶窒化ホウ素への変換反応が進まずに、黒鉛化指数が２．０を超える値となりやすく、化粧料としての塗り伸び性が不十分となる。逆に、焼結助剤の配合割合が２０質量部を超えると六方晶窒化ホウ素の結晶成長が進みすぎて微粉砕が困難になり、該粉末の平均粒子径が２０μｍを超える可能性が高く、このような六方晶窒化ホウ素粉末を原料として用いた化粧料では、外観上のぎらつきが強くなり、化粧料用原料として相応しくない。

該混合粉末を焼成するときの最高温度としては、１６００℃以上２２００℃以下の範囲の温度が好ましく、１６５０℃以上１８００℃以下の範囲の温度がより好ましく設定される。焼成温度の最高値が１６００℃未満であると六方晶窒化ホウ素への変換が進み難くなるため黒鉛化指数が２．０を超える値となりやすく、化粧料としての塗り伸び性が不十分となるため好ましくない。焼成温度の最高値が２２００℃を超えると、六方晶窒化ホウ素の結晶成長が進みすぎるため微粉砕が困難になり、化粧料用原材料として実用上好ましくない。

六方晶窒化ホウ素粉末の焼成温度は一定に保持しても、連続的または不連続的に変化させても良く、昇温冷却時の速度にも制限はないが、焼成時間が短すぎると焼成が不十分となり、黒鉛化指数が２．０を超える可能性があるため、２時間以上が好ましく、４時間以上がより好ましい。また、該粉末混合物を焼成する装置類については特に制限はないが、該粉末混合物を収納する容器には、例えば六方晶窒化ホウ素製の容器を用いることができ、加熱装置には、例えば電気ヒータを用いた焼成炉を用いることができる。

また、出発原料を混合して粉末混合物となしてから焼成が終了するまでの間に、本発明の目的を逸脱しない範囲内で、さらに加熱、冷却、加湿、乾燥、及び洗浄の操作を加えることも可能である。

焼成が終了して得られた粗六方晶窒化ホウ素を粉砕する装置に特に規定はないが、粉砕条件によっては得られた六方晶窒化ホウ素の比表面積が上昇し、塗り伸び性及び隠ぺい力が不十分となる上に、後述の溶出ホウ素量が２０ｍｇ／Ｌを超えてしまう恐れがある。

粉砕した粗六方晶窒化ホウ素粉末中には、六方晶窒化ホウ素以外の不純物や水溶性ホウ素化合物（以降、まとめて不純物等という）が含まれている可能性があるため、洗浄液を用いた洗浄により不純物等を除去してから固液分離して乾燥し、最終的に本発明の六方晶窒化ホウ素粉末を得ることができる。ここでいう洗浄液とは、水、酸性物質を含む水溶液、有機溶媒、有機溶媒と水との混合液のいずれかであることが望ましい。水は、例えば５～９５℃の冷水、温水または熱水を用いることができ、この場合、不純物の二次的な混入を避ける観点から、電気伝導度が１ｍＳ／ｍ以下の水を使用することができる。酸性物質としては、例えば塩酸、硝酸等の無機酸を挙げることができる。有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコールやアセトン等の水溶性の有機溶媒を好ましく使用することができる。粗六方晶窒化ホウ素粉末と洗浄液とを接触させる方法にも特に制限はないが、粗六方晶窒化ホウ素粉末を、洗浄液中に浸漬して撹拌したり、粗六方晶窒化ホウ素粉末に、洗浄液をスプレーしたりして洗浄する方法等がある。

洗浄終了後、固液分離してから乾燥する場合、固液分離の方法にも特に限定はなく、例えばデカンテーション、吸引ろ過機、加圧ろ過機、回転式ろ過機、沈降分離機またはそれらの組み合わせた装置を用いることができる。

さらに固液分離後の粗六方晶窒化ホウ素粉末の乾燥方法にも特に制限はないが、使用できる乾燥装置の一例を示せば、棚式乾燥機、流動層乾燥機、噴霧乾燥機、回転型乾燥機、ベルト式乾燥機またはそれらの組み合わせであり、乾燥機の設定温度は３０℃以上２５０℃以下、好ましくは２００℃以下、乾燥機内の圧力は１０^－６ｋＰａＡ以上１０１．３ｋＰａＡ以下、好ましくは５ｋＰａＡ以下である。

洗浄、固液分離、乾燥はそれぞれ１回でも良いし、同じ方法または異なる方法を組み合わせて複数回実施しても構わない。

＜本発明の六方晶窒化ホウ素粉末を用いた化粧料＞
本発明は別の一側面において、本発明の六方晶窒化ホウ素粉末を含む化粧料である。化粧料の一例を示せば、ファンデーション（パウダーファンデーション、リキッドファンデーション、クリームファンデーション）、フェイスパウダー、ポイントメイク、アイシャドー、アイライナー、マニュキュア、口紅、頬紅、マスカラであるが、中でもファンデーション、アイシャドーに本発明の六方晶窒化ホウ素粉末が特に良く適合する。本発明の六方晶窒化ホウ素粉末の化粧料への好適な添加量は０．１質量％以上７０質量％以下である。

以下、本発明を実施例、比較例をあげて更に具体的に説明する。
＜実施例１＞
ホウ酸粉末（関東化学社製、純度９９．８質量％以上）１００ｇ、及びメラミン粉末（和光純薬社製、純度９９．０質量％以上）９０ｇの各出発原料をそれぞれ秤量し、アルミナ製乳鉢を用いて１０分間混合した。作製した粉末混合物を恒温恒湿機（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、ＡＧＸ－２２５）に入れ、８０℃、相対湿度９５％で１時間加湿し、その後、１２０℃で１時間乾燥した。
これを六方晶窒化ホウ素製の容器（容積約５００ｃｍ^３）に入れ、炉室内容積が約１６０００ｃｍ^３の電気炉（東海高熱工業社製、ＴＶ－２００）内に配し、炉室内への窒素ガス流量を１６Ｌ（２５℃における体積）／分として、１０℃／分の割合で室温から昇温し、１０００℃で２時間保持したのち、加熱を止めて自然冷却させ、温度が１００℃以下まで下がった時点で電気炉を開放した。
得られた焼成品１００ｇに、炭酸ナトリウム（和光純薬社製、純度９９．５質量％以上）を３ｇ秤量し、アルミナ製乳鉢を用いて１０分間混合した。さらに上述の電気炉内に配し、炉室内への窒素ガス流量を１６Ｌ（２５℃における体積）／分として、１０℃／分の割合で昇温し、焼成温度の最高値である１７００℃まで到達させてから４時間温度を保持した。その後、加熱を止めて自然冷却させ、温度が１００℃以下まで下がった時点で電気炉を開放して、粗六方晶窒化ホウ素（粉砕前）を回収した。これをアルミナ製乳鉢で３分間粉砕し、粗六方晶窒化ホウ素の粉末となした。
さらに該粗六方晶窒化ホウ素の粉末中に含まれる不純物を除くため、５質量％希硝酸５００ｇあたり３０ｇの割合で該粉末を投入し、室温で６０分攪拌した後、吸引ろ過により固液分離し、ろ液が中性になるまで水（電気伝導度１ｍＳ／ｍ）を入れ替えて洗浄した。洗浄後の粉末は乾燥機で１２０℃で３時間一旦乾燥した後、実施例１の六方晶窒化ホウ素粉末を得た。

＜アスペクト比＞
実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末をプレス成型し、樹脂包埋後に断面ミリング加工を行うことで、窒化ホウ素粒子の断面を得た。この断面を走査型電子顕微鏡（日本電子社製、ＪＳＭ－６０１０ＬＡ）にて倍率５０００倍で撮影し、得られた粒子像を画像解析ソフトウェア（マウンテック社製、Ｍａｃ－Ｖｉｅｗ）に取り込んだ。次いで、得られた写真から粒子の長辺（＝長径）と短辺（＝短径）を測定し長辺短辺比(長辺／短辺)を算出し、粒子１００個に対する測定結果を得た。得られた長径短径比より累積分布を作成し、累積相対度数の９５％に相当する長径短径比の値を求め、これをアスペクト比とした。

＜平均粒子径＞
実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末の分散液を上述した方法で作製し、粒度分布測定機（日機装社製、ＭＴ３３００ＥＸ型）で六方晶窒化ホウ素粉末の平均粒子径を測定した。水の屈折率には１．３３を用い、窒化ホウ素粉末の屈折率は１．８０として、一回当たりの測定時間は３０秒とした。

＜比表面積＞
実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末の比表面積を、比表面積測定装置（ユアサアイオニクス社製、カンターソーブ）を用いて、ＢＥＴ１点法により測定した。なお測定に際しては、試料１ｇを３００℃、１５分間乾燥脱気してから測定に供した。

＜黒鉛化指数＞
実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末の黒鉛化指数を、高出力粉末Ｘ線回折装置（ブルカー・エイエックスエス社製、Ｄ８ＡＤＶＡＮＣＥ Ｓｕｐｅｒ Ｓｐｅｅｄ）を用いて測定した。六方晶窒化ホウ素粉末を１００ｋＮでプレス成形し、１０×１５×３ｍｍのサンプルを被検体とし、Ｘ線源はＣｕＫα線を用い、管電圧は４５ｋＶ、管電流は３６０ｍＡの条件とした。

＜溶出ホウ素＞
実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末の、製造直後、及び長期保管後の水に溶出するホウ素の量は、基本的に「外原規２００６」に基づく方法で抽出し、ＩＣＰ発光分光分析装置で測定した。
即ち、製造直後の六方晶窒化ホウ素粉末２．５ｇをフッ素系樹脂製ビーカーにとり、エタノール１０ｍＬを加えてよくかき混ぜ、更に水４０ｍＬを加えてよくかき混ぜた後、フッ素系樹脂製時計皿をのせ、５０℃で１時間加温した。冷却後、該ビーカーの内容物をろ過したろ液と、少量の水による残留物の洗液とを合わせた回収液を採取した。
該回収液を、孔径０．２２μｍのメンブレンフィルターでろ過して「石英」製ビーカーにとり、この中に硫酸（４７．５質量％）２ｍＬ を加えた。さらにホットプレート上で１０分間煮沸し、冷後、この液をポリエチレン製メスフラスコに入れ、更にビーカーを少量の水で洗い、この水洗液も当該ポリエチレン製メスフラスコに移し、さらに水を追加して正確に１００ｍＬ とし、これを試料溶液とした。試料溶液のホウ素量をＩＣＰ発光分光分析装置 （島津製作所製、ＩＣＰＥ－９０００）で測定した。

＜タップ密度＞
実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末のタップ密度は、タップ密度測定器（ホソカワミクロン社製、パウダーテスター ＰＴ－Ｅ型）を用いて測定した。即ち、１００ｃｍ^３の専用容器に六方晶窒化ホウ素粉末を仮充填してから、タッピングタイム１８０秒、タッピング回数１８０回、タップリフト１８ｍｍの条件で容器をタッピングして衝撃で固めた後に余剰分を擦りきりして測定した、擦りきり後の容器含む全体質量を基に算出した値である。

＜塗り伸び＞
実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末にタルク（ヤマグチマイカ製「ＥＸ－１５」）、顔料（ヤマグチマイカ製「ＬＹ－Ｓ」）、マイカ（三信鉱工製「セリサイトＦＳＮ」）、流動パラフィン（カネダ製「ハイコールＭ－３５２」）を用いて、化粧料（ファンデーション）を作製した。配合量を以下に示す。
（成分） （配合量（質量％））
窒化ホウ素 ３５．０
タルク ８．０
顔料 ８．０
マイカ ３５．０
流動パラフィン １４．０
この化粧料について１０名の被験者に１ヶ月間使用してもらい、次の評価基準にて評価。
○：塗り伸び良好（３点）
△：塗り伸び普通（２点）
×：塗り伸び不良（１点）
全被験者の評価結果の平均値を求めた。また使用した被験者が気になった点をその他に記載した。なお気になった点がないものについては横線（－）とした。

＜隠ぺい力評価＞
ＪＩＳ Ｋ ５１０１－４：２００４ 顔料試験方法－第４部：隠ぺい力－隠ぺい率試験紙法に準拠して、実施例１で作製した六方晶窒化ホウ素粉末５０ｇを流動パラフィン１００ｇに分散させた後、隠ぺい率試験紙に塗布した。測色色差計（日本電色工業製「ＺＥ ６０００」）を用いて、隠ぺい率試験紙の白色部と黒色部との明度比から隠ぺい率を求めた。

＜実施例２～６、比較例１～６＞
実施例１の焼結助剤の出発原料に対する質量割合、焼成温度の最高値、焼成時間を変更して、実施例２～６、比較例１～６の六方晶窒化ホウ素粉末を作製した。

＜比較例７＞
焼結助剤を添加しなかった以外は、実施例１と同じ条件で行い、比較例７の六方晶窒化ホウ素粉末を作製した。

＜比較例８、９＞
焼結助剤に炭酸カルシウム（関東化学社製、純度９９．５質量％以上）を用いた以外は、実施例１又は実施例３と同じ条件で行い、それぞれ比較例８、比較例９の六方晶窒化ホウ素粉末を作製した。

本発明の実施により、従来に比べて塗り伸び、隠ぺい力に優れた化粧料用の窒化ホウ素粉末を提供することができるので、ファンデーション、アイシャドー等の化粧料の原料として好適に用いられる。

Claims (4)

1. アスペクト比（長径／厚さ）が２０を超え、かつ平均粒子径が３～２０μｍ、比表面積が１～１０ｍ^２／ｇ、一次粒子の粉末Ｘ線回折法による黒鉛化指数（Ｇｒａｐｈｉｔｉｚａｔｉｏｎ Ｉｎｄｅｘ）が２．０以下、タップ密度が０．５ｇ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素粉末。
2. 前記黒鉛化指数が１．３以下であり、前記平均粒子径が６～１８．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の六方晶窒化ホウ素粉末。
3. 医薬部外品原料規格２００６に準拠して測定される溶出ホウ素が２０ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の六方晶窒化ホウ素粉末。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の六方晶窒化ホウ素粉末を含む化粧料。