JP7085194B2 - 物質生成方法 - Google Patents
物質生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7085194B2 JP7085194B2 JP2018095608A JP2018095608A JP7085194B2 JP 7085194 B2 JP7085194 B2 JP 7085194B2 JP 2018095608 A JP2018095608 A JP 2018095608A JP 2018095608 A JP2018095608 A JP 2018095608A JP 7085194 B2 JP7085194 B2 JP 7085194B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse laser
- laser light
- raw material
- base material
- substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/121—Coherent waves, e.g. laser beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/356—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by shock processing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/28—After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
- C30B1/06—Recrystallisation under a temperature gradient
- C30B1/08—Zone recrystallisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0873—Materials to be treated
- B01J2219/0879—Solid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Lasers (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
第1実施形態に係る物質生成方法は、透明材料の内部欠陥の再結晶化(相転移)を介した補修に適用可能な方法(すなわち、内部欠陥補修方法)である。特に、図1に示される物質生成方法は、宝石2の内部における欠陥3の補修に適用される。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点について説明する。
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点について説明する。
以上、本発明の一形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られない。本発明において、母材及び原料の材料の組合せは、上記実施形態に特に限定されず、種々の組合せを採用できる。スキャンは、ジャイアントパルスレーザ光GL自体を移動させるものに限定されず、母材及び原料を移動することでジャイアントパルスレーザ光GLを相対的に移動させるものも含む。当接には、欠陥又は微粒子と母材とが接触する状態も含む。
Claims (5)
- 母材の内部にジャイアントパルスレーザ光を吸収する原料が配置された状態あるいは前記母材と前記原料とが当接され且つ挟持された状態において、前記ジャイアントパルスレーザ光を照射し、前記ジャイアントパルスレーザ光を前記原料に吸収させることにより、衝撃波を発生させて少なくとも前記原料を相転移させて、新たな物質を生成する生成ステップを備え、
前記母材は、前記ジャイアントパルスレーザ光に対して透明な透明材料で形成され、
前記原料は、前記透明材料の内部に配置された欠陥であり、
前記生成ステップでは、前記ジャイアントパルスレーザ光を照射し、前記ジャイアントパルスレーザ光を前記欠陥に吸収させることにより、衝撃波を発生させて前記欠陥を相転移及び再結晶化させて、前記透明材料としての前記物質を生成する、物質生成方法。 - 母材の内部にジャイアントパルスレーザ光を吸収する原料が配置された状態あるいは前記母材と前記原料とが当接され且つ挟持された状態において、前記ジャイアントパルスレーザ光を照射し、前記ジャイアントパルスレーザ光を前記原料に吸収させることにより、衝撃波を発生させて少なくとも前記原料を相転移させて、新たな物質を生成する生成ステップを備え、
前記母材及び前記原料は、薄膜状であり、
前記生成ステップでは、
前記母材と前記原料とを交互に積層して積層体を形成し、前記積層体をその積層方向に挟持し、
前記ジャイアントパルスレーザ光を照射し、前記ジャイアントパルスレーザ光を前記原料に吸収させることにより、衝撃波を発生させて前記原料及び前記母材を相転移させて、前記ジャイアントパルスレーザ光に対して透明な前記物質を生成する、物質生成方法。 - 前記生成ステップでは、
前記ジャイアントパルスレーザ光をスキャンすることにより、前記積層体の所定領域における前記原料及び前記母材を相転移させて、前記ジャイアントパルスレーザ光に対して透明な前記物質を生成する、請求項2に記載の物質生成方法。 - 母材の内部にジャイアントパルスレーザ光を吸収する原料が配置された状態あるいは前記母材と前記原料とが当接され且つ挟持された状態において、前記ジャイアントパルスレーザ光を照射し、前記ジャイアントパルスレーザ光を前記原料に吸収させることにより、衝撃波を発生させて少なくとも前記原料を相転移させて、新たな物質を生成する生成ステップを備え、
前記原料は、前記母材の内部に分散するように配置された微粒子であり、
前記生成ステップでは、
前記ジャイアントパルスレーザ光を照射し、前記ジャイアントパルスレーザ光を前記微粒子に吸収させることにより、衝撃波を発生させて前記微粒子及び前記母材を相転移させて、前記ジャイアントパルスレーザ光に対して透明な前記物質を生成する、物質生成方法。 - 前記生成ステップでは、
前記ジャイアントパルスレーザ光をスキャンすることにより、前記母材の所定領域において、前記微粒子及び前記母材を相転移させて、前記ジャイアントパルスレーザ光に対して透明な前記物質を生成する、請求項4に記載の物質生成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018095608A JP7085194B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 物質生成方法 |
| US17/055,170 US12059664B2 (en) | 2018-05-17 | 2019-05-14 | Method of producing substance |
| PCT/JP2019/019179 WO2019221147A1 (ja) | 2018-05-17 | 2019-05-14 | 物質生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018095608A JP7085194B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 物質生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019199382A JP2019199382A (ja) | 2019-11-21 |
| JP7085194B2 true JP7085194B2 (ja) | 2022-06-16 |
Family
ID=68540348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018095608A Active JP7085194B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 物質生成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12059664B2 (ja) |
| JP (1) | JP7085194B2 (ja) |
| WO (1) | WO2019221147A1 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159696A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sumco Corp | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US20110210479A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Yingling Yang | Confined pulsed laser deposition method for depositing metastable thin film |
| JP2015506887A (ja) | 2011-06-26 | 2015-03-05 | レイ テクニクス リミテッド | ナノダイヤモンドの制御された合成のための方法およびシステム |
| JP2018001068A (ja) | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 株式会社Ihi | 材料製造装置、および、材料製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3585088A (en) | 1968-10-18 | 1971-06-15 | Ibm | Methods of producing single crystals on supporting substrates |
| US3763532A (en) * | 1972-06-05 | 1973-10-09 | Dayco Corp | Drafting roller construction |
| RU2083272C1 (ru) * | 1995-06-07 | 1997-07-10 | Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН | Способ выращивания алмаза из графита |
| US6203865B1 (en) * | 1998-07-20 | 2001-03-20 | Qqc, Inc. | Laser approaches for diamond synthesis |
-
2018
- 2018-05-17 JP JP2018095608A patent/JP7085194B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-14 US US17/055,170 patent/US12059664B2/en active Active
- 2019-05-14 WO PCT/JP2019/019179 patent/WO2019221147A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159696A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sumco Corp | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US20110210479A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Yingling Yang | Confined pulsed laser deposition method for depositing metastable thin film |
| JP2015506887A (ja) | 2011-06-26 | 2015-03-05 | レイ テクニクス リミテッド | ナノダイヤモンドの制御された合成のための方法およびシステム |
| JP2018001068A (ja) | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 株式会社Ihi | 材料製造装置、および、材料製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US12059664B2 (en) | 2024-08-13 |
| US20210221692A1 (en) | 2021-07-22 |
| JP2019199382A (ja) | 2019-11-21 |
| WO2019221147A1 (ja) | 2019-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Danson et al. | Petawatt and exawatt class lasers worldwide | |
| Phipps | Laser ablation and its applications | |
| Singh et al. | Nanomaterials: processing and characterization with lasers | |
| US10593590B2 (en) | Combined wafer production method with laser treatment and temperature-induced stresses | |
| Stafe et al. | Pulsed laser ablation of solids | |
| KR101416630B1 (ko) | 펨토초 레이저 장치 및 이를 포함한 펨토초 레이저 시스템 | |
| KR20250011236A (ko) | 재료의 전환을 이용한 고체의 분할 | |
| WO2018045898A1 (zh) | 一种超连续相干光源 | |
| JP2019129252A (ja) | 光学素子の製造方法及び光学素子 | |
| US20190115711A1 (en) | Pulse compression in chirped pulse laser systems | |
| CN107206626B (zh) | 不平坦的晶片和用于制造不平坦的晶片的方法 | |
| JP7085194B2 (ja) | 物質生成方法 | |
| KR101004425B1 (ko) | 회절 격자의 레이저 손상 임계치를 증가시키는 방법 | |
| Tcherniega et al. | Nonlinear-optical properties of photonic crystals | |
| Ishizawa et al. | High-order harmonic generation from a solid surface plasma by using a picosecond laser | |
| JP2007287643A5 (ja) | ||
| US20080111085A1 (en) | Method and device for generating ultra-high pressure | |
| Bryukvina et al. | Structural changes accompanying color center formation in lithium fluoride exposed to femtosecond laser pulses | |
| Vanda et al. | Qualification of 1030 nm ultra-short-pulsed laser for glass sheet treatment in TGV process | |
| Popovici et al. | Effects of pump laser chirp in high-order harmonics generated from various solid surfaces using femtosecond lasers | |
| JP6062798B2 (ja) | ダイヤモンド工具の製造方法および製造装置 | |
| US8236674B2 (en) | Substrate processing method and semiconductor device manufacturing method including a proton injection step and a laser irradiation step | |
| US20030089861A1 (en) | Method and device for generating ultra-high pressure | |
| Zvorykin et al. | Effects of anomalous high penetration rate of high-power KrF laser radiation throughout the solid matter and shock-induced graphite-diamond phase transformation | |
| Garanin | High-power lasers at RFNC-VNIIEF |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210407 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220407 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220530 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7085194 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |