JP7086592B2 - 過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール - Google Patents
過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP7086592B2 JP7086592B2 JP2017243949A JP2017243949A JP7086592B2 JP 7086592 B2 JP7086592 B2 JP 7086592B2 JP 2017243949 A JP2017243949 A JP 2017243949A JP 2017243949 A JP2017243949 A JP 2017243949A JP 7086592 B2 JP7086592 B2 JP 7086592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- radio frequency
- wave filter
- surface acoustic
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
- H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
- H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/129—Indexing scheme relating to amplifiers there being a feedback over the complete amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/447—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being protected to temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
本願は、2016年12月21日に出願された「温度センサを備えた弾性表面波フィルタ」との名称の米国仮特許出願第62/437,519号の米国特許法第119条(e)項の利益を主張し、その開示は、全体がここに参照として組み入れられる。本願は、2016年12月21日に出願された「過温度保護を備えたフィルタ」との名称の米国仮特許出願第62/437,544号の、米国特許法第119条(e)項の利益を主張し、その開示は、全体がここに参照として組み入れられる。
Claims (23)
- 過温度保護を備えた無線周波数システムであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波フィルタであって、温度に伴い変化するべく構成された1kΩから10kΩの範囲の抵抗を有する抵抗温度デバイスを含む統合型温度センサを含む弾性表面波フィルタと、
前記無線周波数信号を前記弾性表面波フィルタに与えるように構成された無線周波数信号経路と、
前記統合型温度センサにより与えられた温度表示がしきい値を満たすことに応答して前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成された過温度回路と
を含む無線周波数システム。 - 前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波フィルタの少なくとも一つの弾性表面波共振器のための格子として配列される請求項1の無線周波数システム。
- 前記抵抗温度デバイスは、互いに直列に配列された複数の金属片を含む請求項1の無線周波数システム。
- 前記無線周波数信号経路は、前記弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み、
前記過温度回路は、前記電力増幅器への入力信号の電力レベルを低減することにより前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される請求項1の無線周波数システム。 - 前記無線周波数信号経路は、前記弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み、
前記過温度回路は、前記電力増幅器の出力信号を減衰させることにより前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される請求項1の無線周波数システム。 - 過温度保護を備えた無線周波数システムであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波フィルタであって、統合型温度センサを含む弾性表面波フィルタと、
前記無線周波数信号を前記弾性表面波フィルタに与えるように構成された無線周波数信号経路と、
前記統合型温度センサにより与えられた温度表示がしきい値を満たすことに応答して前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成された過温度回路と
を含み、
前記無線周波数信号経路は、前記弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器を含み、
前記過温度回路は、前記電力増幅器の出力を、スイッチを使用して前記弾性表面波フィルタへの入力から切り離すことにより、前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される無線周波数システム。 - 前記統合型温度センサは、温度に伴い変化する抵抗を有する抵抗温度デバイスを含む請求項6の無線周波数システム。
- 前記抵抗温度デバイスは1kΩから10kΩの範囲の抵抗を有する請求項7の無線周波数システム。
- 前記抵抗温度デバイスは、前記無線周波数信号を受信するように構成されたフィルタの入力ポートとグランドとの間に接続される請求項7の無線周波数システム。
- 前記抵抗温度デバイスはグランドと前記フィルタのアンテナポートとの間に接続される請求項9の無線周波数システム。
- 弾性表面波フィルタであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波共振器と、
温度に伴い変化する抵抗を有する抵抗温度デバイスと
を含み、
前記抵抗は少なくとも500Ωであり、
前記抵抗温度デバイスは、互いに直列に配列された金属片を含むとともに、前記弾性表面波共振器の一の弾性表面波共振器の反射格子として構成され、
前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波フィルタの他のエリアよりも電力散逸が高い前記弾性表面波フィルタの一のエリアに隣接して位置決めされる弾性表面波フィルタ。 - 弾性表面波フィルタであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波共振器と、
温度に伴い変化する抵抗を有する抵抗温度デバイスと
を含み、
前記抵抗は少なくとも500Ωであり、
前記抵抗温度デバイスは、互いに直列に配列された金属片を含むとともに、前記弾性表面波共振器の一の弾性表面波共振器の反射格子として構成され、
前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波共振器の第2の弾性表面波共振器のための反射格子として構成される弾性表面波フィルタ。 - 前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波フィルタの専用温度センシングポートに接続される請求項11又は12の弾性表面波フィルタ。
- 前記抵抗温度デバイスは1kΩから10kΩの範囲の抵抗を有する請求項11又は12の弾性表面波フィルタ。
- パッケージ状モジュールであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波フィルタであって、前記弾性表面波フィルタは統合型温度センサを含み、前記統合型温度センサは、互いに直列に配列された複数の金属片を含むとともに前記弾性表面波フィルタの少なくとも一つの弾性表面波共振器のための反射格子として構成される抵抗温度デバイスを含み、前記抵抗温度デバイスは少なくとも500Ωの抵抗を有する弾性表面波フィルタと、
前記統合型温度センサに動作可能に結合された過温度回路と、
前記弾性表面波フィルタ及び前記過温度回路を封止するパッケージと
を含み、
前記過温度回路は、前記統合型温度センサにより与えられる温度表示がしきい値を満たすことに応答して前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成されるパッケージ状モジュール。 - 前記過温度回路は、前記弾性表面波フィルタに動作可能に結合された電力増幅器の出力を、スイッチを使用して前記弾性表面波フィルタへの入力から切り離すことにより、前記無線周波数信号の電力レベルを低減するように構成される請求項15のパッケージ状モジュール。
- 前記抵抗は1kΩから10kΩの範囲にある請求項15のパッケージ状モジュール。
- 前記弾性表面波フィルタは、デュプレクサの送信フィルタである請求項15のパッケージ状モジュール。
- 前記パッケージの中に封止された第2の弾性波フィルタと、
前記弾性表面波フィルタに結合された第1投、及び前記第2の弾性波フィルタに結合された第2投を有する多投スイッチと
をさらに含む請求項15のパッケージ状モジュール。 - 弾性表面波フィルタであって、
無線周波数信号をフィルタリングするように構成された弾性表面波共振器と、
温度に伴い変化する抵抗を有する抵抗温度デバイスと
を含み、
前記抵抗温度デバイスは前記弾性表面波フィルタの入力ポートとグランドとの間に接続され、
前記抵抗温度デバイスは、互いに直列に配列された金属片を含むとともに、前記弾性表面波共振器の一の弾性表面波共振器の反射格子として構成される弾性表面波フィルタ。 - 前記抵抗温度デバイスは、少なくとも500Ωの抵抗を有する請求項20の弾性表面波フィルタ。
- 前記抵抗温度デバイスの抵抗は1kΩから10kΩの範囲にある請求項20の弾性表面波フィルタ。
- 前記抵抗温度デバイスは、前記弾性表面波共振器の第2の弾性表面波共振器のための反射格子として構成される請求項20の弾性表面波フィルタ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662437519P | 2016-12-21 | 2016-12-21 | |
| US201662437544P | 2016-12-21 | 2016-12-21 | |
| US62/437,544 | 2016-12-21 | ||
| US62/437,519 | 2016-12-21 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018110383A JP2018110383A (ja) | 2018-07-12 |
| JP2018110383A5 JP2018110383A5 (ja) | 2021-02-04 |
| JP7086592B2 true JP7086592B2 (ja) | 2022-06-20 |
Family
ID=62845194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017243949A Active JP7086592B2 (ja) | 2016-12-21 | 2017-12-20 | 過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US10284177B2 (ja) |
| JP (1) | JP7086592B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7086592B2 (ja) | 2016-12-21 | 2022-06-20 | スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド | 過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール |
| CN110114975B (zh) * | 2016-12-26 | 2023-02-24 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端模块以及通信装置 |
| TWI829722B (zh) | 2018-07-18 | 2024-01-21 | 美商天工方案公司 | 與諧振(lc)濾波器級聯之混合式聲音諧振(lc)濾波器 |
| EP3849278B1 (en) * | 2018-09-07 | 2025-08-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Rf energy radiation device |
| JP2021158554A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| JP2021158556A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| JP2022002364A (ja) * | 2020-06-19 | 2022-01-06 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
| US12381532B2 (en) * | 2020-10-15 | 2025-08-05 | Texas Instruments Incorporated | Bulk acoustic wave device with integrated temperature sensor and heater |
| CN113075894A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-06 | 中国科学院空天信息创新研究院 | 一种基于射频电源的co2激光器智能开发控制系统 |
| US11606228B2 (en) * | 2021-04-30 | 2023-03-14 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Methods and systems for filter frequency response shift compensation for WLAN traffic |
| US12603634B2 (en) | 2021-07-20 | 2026-04-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave devices with improved heat management |
| US12323169B2 (en) | 2021-08-25 | 2025-06-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Out-of-band rejection for acoustic-wave filters |
| US12542568B2 (en) | 2021-11-08 | 2026-02-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Power rugged filter module |
| US12587969B2 (en) | 2021-11-11 | 2026-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for reducing power consumption in wireless communication |
| US12597890B2 (en) | 2022-04-15 | 2026-04-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Over temperature protection of LDO controlling the RF power amplifier collector voltage |
| US12574061B2 (en) * | 2022-08-22 | 2026-03-10 | Ge Vernova Infrastructure Technology Llc | Systems, apparatuses, and methods for transceiver filters |
| WO2024216525A1 (en) * | 2023-04-19 | 2024-10-24 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Method and apparatus for monitoring sparking of rf filter in transmitter circuit |
| CN120433748B (zh) * | 2025-07-10 | 2025-09-09 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 硅基恒温式声表面波滤波器及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000324022A (ja) | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Kenwood Corp | 無線送信機 |
| US20060199547A1 (en) | 2005-02-26 | 2006-09-07 | Lg Electronics Inc. | Power compensation in a mobile station |
| JP2006279604A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2009105510A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01288003A (ja) | 1988-05-14 | 1989-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波発振器 |
| FR2661292B1 (fr) | 1990-04-24 | 1995-07-21 | Thomson Csf | Filtre a ondes de surface et a faibles pertes. |
| US5587620A (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
| JP3365070B2 (ja) | 1994-09-05 | 2003-01-08 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
| US5696423A (en) * | 1995-06-29 | 1997-12-09 | Motorola, Inc. | Temperature compenated resonator and method |
| US5992215A (en) | 1997-05-29 | 1999-11-30 | Sensor Research And Development Corp. | Surface acoustic wave mercury vapor sensors |
| JPH11298285A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子 |
| US6378370B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-04-30 | Sensor Research & Development Corp. | Temperature compensated surface-launched acoustic wave sensor |
| DE10152777A1 (de) * | 2001-10-29 | 2003-05-15 | Hydac Electronic Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Qualität eines Mediums, insbesondere eines Schmier- und/oder Kühlmittels |
| DE102004016399B4 (de) | 2003-03-27 | 2013-06-06 | Kyocera Corp. | Hochfrequenzmodul und Funkvorrichtung |
| JP2004297619A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP4697528B2 (ja) | 2004-06-02 | 2011-06-08 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波装置 |
| US20060118539A1 (en) | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Motorola, Inc. | System and method for thermal management in a device |
| US7378781B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-05-27 | Nokia Corporation | Acoustic wave resonator with integrated temperature control for oscillator purposes |
| US7434989B2 (en) | 2005-09-07 | 2008-10-14 | Applied Sensor Research & Development Corporation | SAW temperature sensor and system |
| DE102005043037B4 (de) * | 2005-09-09 | 2009-04-09 | Siemens Ag | Vorrichtung mit piezoakustischem Resonatorelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren zur Ausgabe eines Signals in Abhängigkeit einer Resonanzfrequenz |
| US8680947B1 (en) | 2009-07-24 | 2014-03-25 | Rf Micro Devices, Inc. | Passive multi-band duplexer |
| US8838045B2 (en) | 2009-12-03 | 2014-09-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Sub-band duplexer with active frequency tuning |
| US9246536B2 (en) * | 2009-12-03 | 2016-01-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Duplexer with active temperature compensation |
| US9232315B2 (en) * | 2011-03-16 | 2016-01-05 | Phonon Corporation | Monolithically applied heating elements on saw substrate |
| US8903340B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-12-02 | Broadcom Corporation | Low noise amplifier protection using a peak detector |
| US9118300B2 (en) | 2013-01-15 | 2015-08-25 | Phonon Corporation | SAW device with heat efficient temperature controller |
| US10027287B1 (en) * | 2013-02-20 | 2018-07-17 | Micro Mobio Corporation | World band frequency front end module, system and method thereof |
| US9178555B2 (en) * | 2013-02-20 | 2015-11-03 | Micro Mobio Corporation | World band radio frequency front end module, system and method thereof |
| US8970287B1 (en) * | 2013-08-15 | 2015-03-03 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus and method of adjusting analog parameters for extended temperature operation |
| US9438224B2 (en) * | 2014-06-25 | 2016-09-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Devices with signal characteristic dependent control circuitry and methods of operation therefor |
| US10756625B2 (en) * | 2016-06-29 | 2020-08-25 | Win Semiconductors Corp. | Integrated module of acoustic wave device with active thermal compensation and an active thermal compensating method thereof |
| JP7086592B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2022-06-20 | スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド | 過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール |
-
2017
- 2017-12-20 JP JP2017243949A patent/JP7086592B2/ja active Active
- 2017-12-20 US US15/848,768 patent/US10284177B2/en active Active
- 2017-12-20 US US15/848,977 patent/US10263602B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-08 US US16/296,986 patent/US11088675B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-30 US US17/364,567 patent/US11973491B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000324022A (ja) | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Kenwood Corp | 無線送信機 |
| US20060199547A1 (en) | 2005-02-26 | 2006-09-07 | Lg Electronics Inc. | Power compensation in a mobile station |
| JP2006279604A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2009105510A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10263602B2 (en) | 2019-04-16 |
| JP2018110383A (ja) | 2018-07-12 |
| US20190267971A1 (en) | 2019-08-29 |
| US11088675B2 (en) | 2021-08-10 |
| US20210344327A1 (en) | 2021-11-04 |
| US11973491B2 (en) | 2024-04-30 |
| US20180226949A1 (en) | 2018-08-09 |
| US10284177B2 (en) | 2019-05-07 |
| US20180226950A1 (en) | 2018-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11973491B2 (en) | Over temperature protection for acoustic wave filter | |
| JP7802237B2 (ja) | 無線周波数信号をフィルタリングする方法、マルチプレクサ、及びパッケージ状モジュール | |
| US20230231541A1 (en) | Filter including acoustic wave resonator in parallel with circuit element | |
| US10483942B2 (en) | Acoustic wave device with acoustically separated multi-channel feedback | |
| Ruby | A snapshot in time: The future in filters for cell phones | |
| CN106797222B (zh) | 轮廓调谐电路 | |
| US20210119650A1 (en) | Multiplexer with acoustic wave resonators | |
| US10181829B2 (en) | Amplification circuit | |
| US20240364290A1 (en) | Method of manufacturing acoustic wave device with multi-layer piezoelectric substrate | |
| JP2019216414A (ja) | スピネル層を有する弾性波デバイス | |
| TW202005019A (zh) | 具有熱耗散之多層壓電基板 | |
| JP2018110383A5 (ja) | 過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール | |
| JP7015215B2 (ja) | 弾性表面波デバイス、無線周波数モジュール及び無線通信デバイス | |
| CN215072399U (zh) | 高频模块和通信装置 | |
| CA3061862A1 (en) | High durability solder terminals | |
| Aigner | BAW filters and duplexers for Mobile communication | |
| US20240405750A1 (en) | Packaged acoustic wave devices with multilayer piezoelectric substrate | |
| US20240396518A1 (en) | Packaged acoustic wave devices with multilayer piezoelectric substrate having quartz substrate | |
| HK1234223B (zh) | 輪廓調諧電路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201218 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201218 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210929 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211012 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220608 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7086592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |