JP7125246B2 - Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 108
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 23
- 238000007716 flux method Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Description
本発明は、フラックス法を用いたIII 族窒化物半導体の製造方法に関する。
III 族窒化物半導体を結晶成長させる方法として、アルカリ金属とＧａなどのIII 族元素の混合融液に窒素を溶解させ、液相でIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させるフラックス法が知られている。アルカリ金属としてはナトリウム（Ｎａ）が一般に用いられており、Ｎａフラックス法と呼ばれている。
Ｎａフラックス法では、サファイアなどの下地基板上にＭＯＣＶＤ法などによってＧａＮ層を成長させた種基板（テンプレート基板）が用いられ、種基板上にＮａフラックス法によりＧａＮを育成する。このような種基板を用いる場合、ＧａＮ層の一部を除去して周期的な配列のドット状としたり、あるいはＧａＮ層上をマスクで覆い、マスクに周期的なドット状の配列の窓を空けることでＧａＮ層表面を露出させることが行われている。このように種結晶領域（ＧａＮの結晶成長の起点とする領域）を点在させることにより、次のような利点がある。第１に、下地基板とＧａＮとの線膨張係数差などで発生する応力または歪を利用して種基板と育成したＧａＮとを分離することが容易となる。第２に、育成初期において、点在する種結晶領域からＧａＮを横方向成長させ、その後点在したＧａＮを合体させて１つとなるように成長させることにより、横方向成長時に転位が曲げられるため、転位密度を低減してＧａＮの結晶性の向上を図ることができる。
特許文献１には、下地基板上に、三角格子状に種結晶領域であるＧａＮを点在させた種基板を用いることが記載されている。種結晶領域をこのような配置とすることで、結晶の歪みを低減し、結晶の反りを低減できることが記載されている。
しかし、種結晶領域がドット状に点在された種基板を用いると、未成長領域や異常粒成長領域の発生率が高くなり、種基板が大口径になるほど歩留りが著しく悪化する問題があった。ここで、未成長領域は、種基板上に全くＧａＮが育成せず存在していない領域であり、育成したＧａＮ中に空孔を形成したり、場合によっては種基板の下地基板が露出した状態となる。また、異常粒成長領域は、他の領域に比べて結晶粒が極端に大きい領域である。また、異常粒成長や未成長ではないとしても、各種結晶領域からの成長が均一でなく、大きさや形状にばらつきがあることも品質上の大きな問題であった。
そこで本発明の目的は、種結晶領域がドット状に点在された種基板を用いて、フラックス法によりIII 族窒化物半導体を結晶成長させる場合に、未成長領域や異常粒成長領域を低減してIII 族窒化物半導体の結晶性や歩留りを向上させることである。
本発明は、エピタキシャル成長の起点となる種結晶領域がドット状に点在された種基板の上に、アルカリ金属とIII 族金属の混合融液を用いたフラックス法によってIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、種基板は、下地基板と、下地基板上に位置するIII 族窒化物半導体層と、III 族窒化物半導体層上に位置し、複数の窓を有したマスクと、を有し、混合融液は、アルカリ金属に対して０ｍｏｌ％より大きく０．３ｍｏｌ％以下の炭素を含み、窓に露出するIII 族窒化物半導体層から成長速度を抑制してIII 族窒化物半導体を成長させ、その成長させる起点となる面は、III 族窒化物半導体層の主面に平行な面である、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法である。
種結晶領域をドット状に点在させる構成として、たとえば以下の構成の種基板を用いることができる。種基板は、下地基板と、下地基板上に位置するIII 族窒化物半導体層と、III 族窒化物半導体層上に位置するマスクと、を有し、マスクは、三角格子状に配列された複数の窓を有する構成とすることができる。窓の直径は２００μｍ以下とすることが好ましく、各窓の面積の総計は、種基板の主面の面積に対して２５％以下とするのがよい。これよりも窓の直径が大きいと、あるいは各窓の面積の総計がこれよりも大きいと、種基板と育成したIII 族窒化物半導体との分離がしにくくなる。また、分離した際に育成したIII 族窒化物半導体にクラックや割れが発生してしまう。
マスクの形成方法は、ＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができるが、ＡＬＤ法が好ましい。マスクを緻密で均一な厚さに形成することができるので、フラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の育成初期において、マスクがメルトバックにより消失したり、マスク中のピンホールを介して種基板のIII 族窒化物半導体層がメルトバックしてしまうのをより防止することができる。また、マスクの材料には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、またはＺｒＯ2 を用いることができる。
また、種基板は、直径が２インチ以上であることが好ましい。種基板が大きいほど未成長領域や異常粒成長領域の発生する率が高くなり、直径が２インチ以上ではそれが顕著となるが、本発明によれば、直径が２インチ以上の種基板を用いた場合であっても、未成長領域や異常粒成長領域を低減することができる。特に望ましいのは、直径が３インチ以上の種基板を用いる場合である。
本発明によれば、未成長領域や異常粒成長領域を低減することができ、III 族窒化物半導体の結晶性を向上させることができ、歩留りも向上させることができる。特に本発明は、大口径の結晶育成において、未成長領域や異常粒成長領域の低減に効果的である。また、各種結晶領域からのIII 族窒化物半導体の成長が均一となり、育成後のIII 族窒化物半導体結晶の表面の平坦性を向上させることができる。
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、フラックス法によってIII 族窒化物半導体を育成する。まず、フラックス法の概要について説明する。
（フラックス法の概要）
本発明に用いるフラックス法は、フラックスとなるアルカリ金属と、原料であるIII 族金属とを含む混合融液に、窒素を含むガスを供給して溶解させ、液相でIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる方法である。本発明では、混合融液中に種基板１を配置し、その種基板１上にIII 族窒化物半導体を結晶成長させる。
本発明に用いるフラックス法は、フラックスとなるアルカリ金属と、原料であるIII 族金属とを含む混合融液に、窒素を含むガスを供給して溶解させ、液相でIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる方法である。本発明では、混合融液中に種基板１を配置し、その種基板１上にIII 族窒化物半導体を結晶成長させる。
原料であるIII 族金属は、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）の少なくともいずれか１つであり、その割合によって成長させるIII 族窒化物半導体の組成を制御することができる。特にＧａのみを用いることが好ましい。
フラックスであるアルカリ金属は、通常ナトリウム（Ｎａ）を用いるが、カリウム（Ｋ）を用いてもよく、ＮａとＫの混合物であってもよい。さらには、リチウム（Ｌｉ）やアルカリ土類金属を混合してもよい。
混合融液には、アルカリ金属に対して０ｍｏｌ％より大きく０．３ｍｏｌ％以下の炭素（Ｃ）を添加する。Ｃの添加により、結晶成長速度を速めることができる。
さらに、Ｃの添加量をアルカリ金属に対して０．３ｍｏｌ％以下とすることで、種基板１上に育成するIII 族窒化物半導体の未成長領域（III 族窒化物半導体が成長しない領域）や異常粒成長（他の結晶粒に比べて著しく結晶粒の大きな領域）が低減され、結晶品質や歩留りを向上させることができる。Ｃ添加量のより望ましい上限は、アルカリ金属に対して０．１ｍｏｌ％以下、より望ましくは０．０５ｍｏｌ％以下である。
ただし、混合融液に全くＣを添加しない場合、III 族窒化物半導体育成の再現性が低下するため望ましくない。そこで、アルカリ金属に対して０．００１ｍｏｌ％以上とすることが望ましい。より望ましくは０．０１ｍｏｌ％以上である。
また、混合融液には、結晶成長させるIII 族窒化物半導体の伝導型、磁性などの物性の制御や、結晶成長の促進、雑晶の抑制、成長方向の制御、などの目的でＣ以外のドーパントを添加してもよい。たとえばｎ型ドーパントしてゲルマニウム（Ｇｅ）などを用いることができ、ｐ型ドーパントとしてマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カルシウム（Ｃａ）などを用いることができる。
また、窒素を含むガスとは、窒素分子や、アンモニア等の窒素を構成元素として含む化合物の気体であり、それらの混合ガスでもよく、さらには、窒素を含むガスが希ガス等の不活性ガスに混合されていてもよい。
（種基板の構成）
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、混合融液中に種基板（種結晶）１を配置し、その種基板１上にIII 族窒化物半導体を育成する。この種基板１には、以下の構成のものを用いる。
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、混合融液中に種基板（種結晶）１を配置し、その種基板１上にIII 族窒化物半導体を育成する。この種基板１には、以下の構成のものを用いる。
種基板１は、図１に示すように、下地となる下地基板２上に、バッファ層（図示しない）を介してIII 族窒化物半導体層３が形成され、III 族窒化物半導体層３上にマスク４が形成された構成である。マスク４には、ドット状に複数の窓５が空けられており、この窓５からIII 族窒化物半導体層３表面を露出させることで、種結晶領域（すなわちIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる起点となるIII 族窒化物半導体層３の表面）をドット状に点在させている。
このように種結晶領域をドット状に点在させることで、結晶育成初期においてIII 族窒化物半導体を横方向成長させ、転位を曲げることで転位密度を低減して結晶品質を向上させることができる。また、結晶育成終了後に種基板１と育成したIII 族窒化物半導体結晶との分離を容易とすることができる。
なお、III 族窒化物半導体層３をエッチング等して溝を形成することにより、種結晶領域をドット状に点在させてもよい。
マスク４は、ＡＬＤ法（原子層堆積法）、ＣＶＤ法（化学気相成長法）、スパッタなど任意の方法によって形成することができるが、特にＡＬＤ法により形成することが望ましい。緻密で均一な厚さに形成することができ、フラックス法による育成中においてマスクが溶解してしまうのを抑制することができる。マスク４の材料は、フラックスに対して耐性を有し、そのマスク４からはIII 族窒化物半導体が成長しないような材料であればよい。たとえば、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 などを用いることができる。マスク４の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが望ましい。
マスク４の窓５の配置パターンは、周期的なパターンが望ましい。特に、図２のように正三角形の三角格子状のパターンが望ましく、正三角形の各辺の方位は、III 族窒化物半導体層３のｍ軸＜１０－１０＞とすることが望ましい。窓５をこのような配置パターンとすることで、各種結晶領域からIII 族窒化物半導体が均質に育成し、III 族窒化物半導体の結晶品質の向上を図ることができる。
各窓５の形状は、円、三角形、四角形、六角形など任意の形状でよいが、円または正六角形とすることが好ましい。また、正六角形とする場合、その各辺の方位はIII 族窒化物半導体層３のｍ面とすることが望ましい。
窓５の直径Ｗ１（窓５の形状が円以外の場合は、窓５の外接円の直径）は、１０μｍ以上２０００μｍ以下とすることが望ましい。また、窓５の間隔（輪郭と輪郭の最近接距離）Ｗ２は、１０μｍ以上２０００μｍ以下とすることが望ましい。Ｗ１、Ｗ２をこのような範囲とすることで、III 族窒化物半導体結晶の育成終了後の種基板との分離が容易となる。窓５の直径Ｗ１を２００μｍ以下とし、各窓５の面積の総計は、種基板１の主面の面積（III 族窒化物半導体層３表面全体の面積）に対して２５％以下とするのがよい。これよりも窓５の直径Ｗ１が大きいと、あるいは各窓５の面積の総計がこれよりも大きいと、種基板１と育成したIII 族窒化物半導体との分離がしにくくなる。また、分離した際に育成したIII 族窒化物半導体にクラックや割れが発生してしまう。
下地基板２の材料は、その表面にIII 族窒化物半導体を育成可能な任意の材料でよい。ただし、Ｓｉを含まない材料が好ましい。混合融液中にＳｉが溶けだすと、III 族窒化物半導体の結晶成長を阻害してしまうためである。たとえば、サファイア、ＺｎＯ、スピネルなどを用いることができる。
下地基板２の大きさは、直径２インチ以上が好ましい。下地基板２が大きくなるほど未成長領域や異常粒成長領域が発生しやすくなるため、本発明によってそれらの領域を抑制する効果が高まる。直径３インチ以上とする場合に本発明は特に効果的である。
下地基板２上のIII 族窒化物半導体層３は、結晶成長させるIII 族窒化物半導体と同一組成の材料とすることが望ましい。特に、ＧａＮとすることが望ましい。また、III 族窒化物半導体層３はＭＯＣＶＤ法、ＨＶＰＥ法、ＭＢＥ法など、任意の方法によって成長させたものでよいが、結晶性や成長時間などの点でＭＯＣＶＤ法やＨＶＰＥ法が好ましい。
III 族窒化物半導体層３の厚さは任意であるが、２μｍ以上とすることが望ましい。フラックス法では、結晶育成初期においてIII 族窒化物半導体層３がメルトバックしてしまうため、III 族窒化物半導体層３が完全に除去されて下地基板２が露出しない厚さとする必要があるためである。ここでメルトバックは、III 族窒化物半導体が混合融液中に融解して除去されることをいう。ただし、III 族窒化物半導体層３が厚すぎると、種基板１に反りが発生してしまうため１０μｍ以下の厚さとすることが望ましい。
（結晶製造装置の構成）
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、たとえば以下の構成の結晶製造装置を用いる。
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、たとえば以下の構成の結晶製造装置を用いる。
図３は、フラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造に用いる結晶製造装置１０の構成を示した図である。図３のように、結晶製造装置１０は、圧力容器２０と、反応容器１１と、坩堝１２と、加熱装置１３と、供給管１４、１６と、排気管１５、１７と、を有している。
圧力容器２０は、円筒形のステンレス製であり、耐圧性を有している。また、圧力容器２０には、供給管１６、排気管１７が接続されている。圧力容器２０の内部には、反応容器１１と加熱装置１３とが配置されている。このように反応容器１１を圧力容器２０の内部に配置しているため、反応容器１１にさほど耐圧性が要求されない。そのため、反応容器１１として低コストのものを使用することができ、再利用性も向上する。
反応容器１１はＳＵＳ製であり耐熱性を有している。反応容器１１内には、坩堝１２が配置される。坩堝１２の材質は、たとえばＷ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、ＢＮ（窒化ホウ素）、アルミナ、ＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）などである。坩堝１２には、アルカリ金属とIII 族金属の混合融液２１が保持され、混合融液２１中には種基板１が収容される。
反応容器１１には、供給管１４、排気管１５が接続されており、供給管１４、排気管１５に設けられた弁（図示しない）により反応容器１１内の換気、窒素を含むガスの供給、反応容器１１内の圧力の制御、を行う。また、圧力容器２０にも供給管１６より窒素を含むガスが供給され、供給管１６、排気管１７の弁（図示しない）でガスの供給量、排気量を調整することで、圧力容器２０内の圧力と反応容器１１内の圧力とがほぼ同じになるよう制御する。また、加熱装置１３により、反応容器１１内の温度を制御する。
また、結晶製造装置１０には、坩堝１２を回転させて坩堝１２中に保持される混合融液２１を攪拌することができる装置が設けられている。そのため、III 族窒化物半導体結晶の育成中に混合融液２１を撹拌して混合融液２１中のアルカリ金属、III 族金属、窒素の濃度分布が均一となるようにすることができる。これにより、III 族窒化物半導体結晶を均質に育成することができる。坩堝１２を回転させる装置は、反応容器１１内部から圧力容器２０外部まで貫通する回転軸２２と、反応容器１１の内部に回転軸２２と連結されて配置され、坩堝１２を保持するターンテーブル２３と、回転軸２２の回転を制御する駆動装置２４と、によって構成されている。この駆動装置２４による回転軸２２の回転によってターンテーブル２３を回転させ、ターンテーブル２３上に保持されている坩堝１２を回転させる。
なお、反応容器１１として耐圧性を有したものを使用すれば、必ずしも圧力容器２０は必要ではない。また、結晶育成中のアルカリ金属の蒸発を防止するために、坩堝１２には蓋を設けてもよい。また、坩堝１２の回転に替えて、あるいは加えて、坩堝１２を揺動させる装置を設けてもよい。また、圧力容器２０と反応容器１１の二重容器としているが、三重容器として育成条件（温度、圧力など）のさらなる安定化を図ってもよい。
（III 族窒化物半導体の製造方法）
次に、本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法について、図４を参照に説明する。
次に、本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法について、図４を参照に説明する。
まず、酸素や露点など雰囲気が制御されたグローブボックス内で所定量のアルカリ金属、III 族金属、炭素を計量する。坩堝１２内に種基板１を配置した後、計量した所定量のアルカリ金属、III 族金属、炭素を坩堝１２に投入する。その坩堝１２を、搬送容器に格納して、大気に晒すことなく反応容器１１内のターンテーブル２３上に配置し、反応容器１１を密閉し、さらに反応容器１１を圧力容器２０内に密閉する。そして、圧力容器２０内を真空引きした後、昇圧、昇温する。このとき、窒素を含むガスを反応容器１１内部に供給する。
次に、反応容器１１内を結晶成長温度、結晶成長圧力まで上昇する。結晶成長温度は７００℃以上１０００℃以下、結晶成長圧力は２ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である。このとき、坩堝１２内のアルカリ金属、III 族金属は融解し、混合融液２１を形成する。また、坩堝１２を回転させることで混合融液２１を攪拌し、混合融液２１中のアルカリ金属とIII 族金属の分布が均一になるようにする。
窒素が混合融液２１に溶解していき、過飽和状態となると、種基板１の窓５に露出するIII 族窒化物半導体層３表面から、III 族窒化物半導体結晶６が六角錐状もしくは六角錐台状にエピタキシャル成長する（図４（ａ）参照）。その後、III 族窒化物半導体結晶６は横方向成長を主体として六角柱状に成長し、隣接する六角柱状の結晶同士が合体し、平坦な表面を有する１つのIII 族窒化物半導体結晶６となる（図４（ｂ）参照）。このとき、成長は横方向が支配的であるため、III 族窒化物半導体中の転位は横方向に曲げられる。そのため、転位密度が低減され、結晶性が向上する。
以上のIII 族窒化物半導体結晶６の育成では、Ｃの添加量をアルカリ金属に対して０．３ｍｏｌ％以下としている。そのため、種基板１上のIII 族窒化物半導体結晶６は、未成長領域や異常粒成長領域が低減されている。その理由は、以下のように推察される。
種結晶領域がドット状に点在された種基板１では、種基板１の全面を種結晶領域とする場合に比べて種結晶領域が小さく、種結晶領域とそうでない領域が混在している。そのため、混合融液２１中に局所的な原料の濃度分布が発生していることが考えられる。その結果、全面を種結晶領域とする場合とはIII 族窒化物半導体の結晶育成に適した条件が異なっていると考えられる。
そこで本発明では、Ｃの添加量をアルカリ金属に対して０．３ｍｏｌ％以下とし、全面を種結晶領域とする場合に比べてＣの添加量を低減している。これにより、III 族窒化物半導体の結晶成長初期の過飽和度、あるいは成長の駆動力となる過剰な自由エネルギーが抑制され、種基板１の面積当たりの結晶成長の駆動力を適正に保つことができる。成長速度が抑制される結果、各種結晶領域からの各III 族窒化物半導体結晶６の成長速度は均一化して異常粒成長する結晶がなくなり、混合融液中の原料（III 族金属、窒素）の濃度分布が均一となる。以上のように、混合融液２１中の原料の濃度分布が減少し、かつIII 族窒化物半導体の成長レートが抑えられて均一化するため、種基板１上にIII 族窒化物半導体が結晶成長しない領域がなくなり、異常粒成長領域も減少したと考えられる。
その後、反応容器１１の加熱を停止して温度を室温まで低下させ、圧力も常圧まで低下させ、III 族窒化物半導体の育成を終了する。ここで、種基板１のIII 族窒化物半導体層３上は窓５を空けたマスク４に覆われているため、育成したIII 族窒化物半導体結晶６は、窓５を介して部分的にIII 族窒化物半導体層３と接触しており、他の部分はマスク４と接触している。また、種基板１のマスク４と育成したIII 族窒化物半導体結晶６には線膨張係数差がある。そのため、育成終了時の降温において種基板１と育成したIII 族窒化物半導体結晶６とが自然に剥離する場合がある。また、剥離しなかったとしても、軽い衝撃を加えることで、種基板１と育成したIII 族窒化物半導体結晶６とを剥離させることができる（図４（ｃ）参照）。また、III 族窒化物半導体結晶６を厚く成長させる場合は、成長中の応力で剥離させることもできる。
なお、各種結晶領域からのIII 族窒化物半導体が合体して１つになるまで育成する必要はなく、各種結晶領域から六角錐状、六角錐台状または六角柱状に成長してまだ合体していない段階で育成を終了してもよい。そして、六角錐状、六角錐台状または六角柱状のIII 族窒化物半導体を種結晶として、再度フラックス法によってIII 族窒化物半導体を育成してもよい。
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
実施例１のＧａＮの製造方法について、図５、６を参照に説明する。まず、育成に用いる種基板１００を、次のようにして作製した。直径２インチ、厚さ１ｍｍのサファイアからなる下地基板１０２を用意し、その下地基板１０２上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ＡｌＮからなるバッファ層（図示しない）、ＧａＮ層１０３を順に形成した（図５（ａ）参照）。ＧａＮ層１０３の厚さは５μｍとした。ＭＯＣＶＤ法においては、窒素源には、アンモニア、Ｇａ源には、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ：ＴＭＧ）、Ａｌ源には、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ：ＴＭＡ）、キャリアガスには水素を用いた。
次に、ＡＬＤ法を用いて、ＧａＮ層１０３上にＡｌ2 Ｏ3 からなるマスク１０４を形成した（図５（ｂ）参照）。マスク１０４の厚さは０．１μｍとした。
次に、フォトリソグラフィ、ウェットエッチングによってマスク１０４をパターニングし、三角格子状の配列パターンの窓１０５を形成した。これにより、窓１０５にＧａＮ層１０３表面を露出させた（図５（ｃ）参照）。これにより、種結晶領域であるＧａＮ層１０３表面をドット状に点在させた。窓１０５は直径Ｗ１が０．１ｍｍの円とし、窓１０５と窓１０５の間隔Ｗ２は０．１２ｍｍとした。以上のようにして種基板１を作製した。
次に、フラックス法を用いて、種基板１００上にIII 族窒化物半導体を育成した。結晶成長温度は８６０℃、結晶成長圧力は３ＭＰａとし、アルカリ金属としてＮａを１６．６ｇ、III 族金属としてＧａを１１．０ｇ用い、供給するガスは窒素とした。また、Ｎａに対して０．３ｍｏｌ％のＣを添加した。また、育成時間は４０時間とした。また、坩堝１２はアルミナ製のものを用いた。これにより、種基板１００の各窓１０５に露出する各ＧａＮ層１０３からＧａＮ結晶１０６を育成し、各ＧａＮ結晶１０６を合体させて一体とし、種基板１００上に平坦な表面を有した１つのＧａＮ結晶１０６を育成した（図６（ａ）参照）。
育成終了後、エタノール等でＮａ、Ｇａを取り除き、種基板１００を取り出し、軽い衝撃を加えることによって種基板１００からＧａＮ結晶１０６を剥離させて分離した（図６（ｂ）参照）。育成したＧａＮ結晶１０６の厚さは０．３ｍｍであった。
（比較例）
比較例として、実施例１と同一構成の種基板１００を用い、炭素の添加量を変えた以外は同一の育成条件のフラックス法によって、種基板１００上にＧａＮ結晶を育成した。炭素の添加量は、Ｎａに対して０．６ｍｏｌ％とし、実施例１に比べてＣの添加量を増やした。育成したＧａＮ結晶の厚さは０．５５ｍｍであった。
比較例として、実施例１と同一構成の種基板１００を用い、炭素の添加量を変えた以外は同一の育成条件のフラックス法によって、種基板１００上にＧａＮ結晶を育成した。炭素の添加量は、Ｎａに対して０．６ｍｏｌ％とし、実施例１に比べてＣの添加量を増やした。育成したＧａＮ結晶の厚さは０．５５ｍｍであった。
実施例１の製造方法により育成したＧａＮ結晶１０６と、比較例の製造方法により育成したＧａＮ結晶を、目視により比較した。比較例のＧａＮ結晶は、表面の凹凸が大きく、一部に結晶が育成していない未成長領域が見られた。一方、実施例１のＧａＮ結晶１０６は、全体的に均一な凹凸となっており、未成長領域や異常粒成長領域は見られなかった。
次に、実施例１の製造方法により育成したＧａＮ結晶１０６と、比較例の製造方法により育成したＧａＮ結晶を、表面側、裏面側双方から光学顕微鏡により観察した。
比較例では、種基板１００上にＧａＮ結晶が育成していない未成長領域が多数存在した。また、育成したＧａＮ結晶の一部は異常粒成長しており、他の領域に比べて結晶粒が極めて大きくなっていた。また、育成したＧａＮ表面は凹凸が大きかった。
これに対して実施例１では、種基板１００上にＧａＮ結晶１０６が育成していない未成長領域はほとんど見られず、比較例に比べて極端に未成長領域は少なかった。また、ＧａＮ結晶１０６の結晶粒はほぼ均一な大きさであり、異常粒成長した領域は見られなかった。
実施例１と比較例から、混合融液２１へのＣの添加量を低減したことにより、未成長領域や異常粒成長領域が低減されたＧａＮ結晶１０６を育成できることがわかり、歩留りが劇的に向上することがわかった。また、窓１０５に露出する各種結晶領域からのＧａＮ結晶１０６の成長が均一となり、育成したＧａＮ結晶１０６の表面平坦性や結晶品質が向上することがわかった。
本発明により育成したIII 族窒化物半導体は、III 族窒化物半導体からなる半導体素子の成長基板として利用することができる。
１：種基板
２：下地基板
３：III 族窒化物半導体層
４：マスク
５：窓
６：III 族窒化物半導体結晶
２：下地基板
３：III 族窒化物半導体層
４：マスク
５：窓
６：III 族窒化物半導体結晶
Claims (6)
- エピタキシャル成長の起点となる種結晶領域がドット状に点在された種基板の上に、アルカリ金属とIII 族金属の混合融液を用いたフラックス法によってIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
前記種基板は、下地基板と、前記下地基板上に位置するIII 族窒化物半導体層と、前記III 族窒化物半導体層上に位置し、複数の窓を有したマスクと、を有し、
前記混合融液は、アルカリ金属に対して０ｍｏｌ％より大きく０．３ｍｏｌ％以下の炭素を含み、
前記窓に露出する前記III 族窒化物半導体層から成長速度を抑制してIII 族窒化物半導体を成長させ、その成長させる起点となる面は、前記下地基板上の前記III 族窒化物半導体層の主面に平行な面である、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記炭素は、アルカリ金属に対して０．００１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下である、ことを特徴とする請求項１に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 転位を横方向に成長させながらIII 族窒化物半導体を成長させる、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記窓は、三角格子状に配列されている、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記窓は、直径２００μｍ以下であり、各前記窓の面積の総計は、前記種基板の主面の面積に対して２５％以下である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種基板は、直径が３インチ以上である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2018016497A JP2018016497A (ja) | 2018-02-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP7125246B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111886368B (zh) * | 2018-03-29 | 2022-07-26 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物层、自立基板、功能元件以及13族元素氮化物层的制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013147326A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 日本碍子株式会社 | １３族元素窒化物結晶の製造方法および融液組成物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5754191B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-07-29 | 株式会社リコー | １３族窒化物結晶の製造方法および１３族窒化物結晶基板の製造方法 |
| JP6015566B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2016-10-26 | 豊田合成株式会社 | ＩＩＩ 族窒化物半導体のエッチング方法およびＩＩＩ 族窒化物半導体結晶の製造方法およびＧａＮ基板の製造方法 |
| JP6183317B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2017-08-23 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体ウエハ |
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2013147326A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 日本碍子株式会社 | １３族元素窒化物結晶の製造方法および融液組成物 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018016497A (ja) | 2018-02-01 |
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| A02 | Decision of refusal |
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|
| C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
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|
| C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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|
| C13 | Notice of reasons for refusal |
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|
| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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|
| C23 | Notice of termination of proceedings |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| C03 | Trial/appeal decision taken |
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|
| C30A | Notification sent |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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