JP7138652B2 - 混合ガス流中の触媒反応性ガスの質量流量を制御するシステム、デバイスおよび方法 - Google Patents
混合ガス流中の触媒反応性ガスの質量流量を制御するシステム、デバイスおよび方法 Download PDFInfo
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Description
本出願は、米国特許法第119条(e)に基づき、2017年3月17日に出願された米国出願第62/472,711号、および2017年8月30日に出願された米国出願第62/552,305号の優先権の利益を主張する。
上記方程式において、Ptotは2成分溶液の全蒸気圧、Paは成分Aの純溶液の蒸気圧、xaは2成分溶液中の成分Aのモル分率、Pbは成分Bの純溶液の蒸気圧、xbは2成分溶液中の成分Bのモル分率である。このため、各成分の相対モル分率は、液相と、液体の上の気相とでは異なる。具体的には、揮発性の高い成分(すなわち、蒸気圧が高い成分)は、液相よりも気相の相対モル分率が高くなる。さらに、バブラーなどの一般的なガス供給装置の気相はキャリアガスによって連続的に流されるため、2成分の液体溶液の組成、ひいては液体上のヘッドスペースのガスが動的なものとなる。
図1Aおよび図1Bは、抵抗熱デバイスに固定された触媒材料を使用して、真空下でのH2O2蒸気分解の熱応答を試験するための例示的な試験装置を示している。なお、図1Aおよび図1Bに示すシステムは、僅かな変更により、H2O2、ヒドラジン(N 2 H 4 )またはオゾンの何れかの制御された供給を提供するために使用され得ることを理解されたい。この試験では、300mgのCarulite-300をRTD2の周りに詰め、RTD2の各側にある2つの80メッシュのステンレス鋼スクリーンで閉じ込めた。充填層の直径は0.35インチであり、スクリーンを有する充填層の全長は~0.31インチであった。RTD1は入口キャリアガスの温度を測定し、RTD3は充填層での分解後のキャリアガスの温度を測定した。この試験装置では、RTD3は、熱伝導が最小限に抑えられるように、充填層との間に3/8インチのギャップを有していた。
図10は、H2O2蒸気分解の特定の圧力範囲で機能する調整されたセンサを準備するための試験装置を示している。上述したように、僅かな変更により、図10に示すシステムを使用して、H2O2、ヒドラジン(N 2 H 4 )またはオゾンの何れかの制御された送達を提供できることを理解されたい。この試験では、20℃で、様々なBRUTE(登録商標)Peroxide Vaporizer(BPV)ヘッドスペース/アンプル圧力で、70、200、350および500トールの圧力下において、センサを動作させた。熱分解センサ(10)は、NV-1の下流とM3の上流に設置した。
この実施例では、Watlow加熱ロッド、熱電対および熱スイッチ(ミズーリ州セントルイスのWatlow Electric Manufacturing Co.)の追加により、熱分解センサに変更を加えた。変更を加えたセンサは、Watlow加熱器を制御するWatlowコントローラと組み合わせて使用した。センサは、(加熱器を介して制御により)設定温度に調整した。
Claims (29)
- 混合ガス流中の触媒反応性ガスの質量流量を制御する質量流量制御システムであって、
(a)触媒反応性ガスおよびキャリアガスを含む混合ガス流を提供する混合ガス源であって、触媒反応性ガスが、キャリアガスよりも低いモル流量を有する、混合ガス源と、
(b)混合ガス流の第1の温度を測定するように構成された第1のプローブを含む第1のセンサと、
(c)混合ガス流の一部を受け入れるように構成された分解チャンバであって、触媒反応性ガスを分解するように構成された触媒を含む分解チャンバと、
(d)前記分解チャンバ内に配置されるとともに、触媒と触媒反応性ガスとの間の反応後の混合ガス流の第2の温度を測定するように構成された第2のプローブを含む第2のセンサと、
(e)第1および第2のセンサと電気的に接続されたコントローラであって、混合ガス流と触媒との接触前後の温度の変化を測定することにより、触媒反応性ガスの質量流量を求めるように構成されたコントローラと、
(f)コントローラと電気的に接続されたエフェクタであって、触媒反応性ガスの質量流量を変化させるように構成されたエフェクタとを備えることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
触媒反応性ガスが液体源から生成され、前記エフェクタが、液体源の温度、液体源のヘッドスペースの圧力、キャリアガスの流量、またはそれらの任意の組合せを調整するように構成されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
触媒反応性ガスの露点を超える温度まで触媒を加熱するように構成された第1の加熱器と、前記分解チャンバに配置されて、加熱された触媒の第3の温度を測定するように構成された第3のプローブを含む第3のセンサとをさらに備えることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
触媒が、銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、酸化マンガン、二酸化マンガン、酸化銅、およびそれらの任意の組合せからなる群のなかから選択されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
触媒反応性ガスが、過酸化水素ガスおよびヒドラジン(N 2 H 4 )からなる群のなかから選択されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項2に記載の質量流量制御システムにおいて、
液体源が、無水過酸化水素および無水ヒドラジンからなる群のなかから選択されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
キャリアガスが、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、蒸気、清浄乾燥空気、酸素、NH3、二酸化炭素、およびそれらの任意の組合せからなる群のなかから選択されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
混合ガス流が、約10トール~2バールの圧力で提供されることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項2に記載の質量流量制御システムにおいて、
前記エフェクタが、前記液体源の上流に配置された圧力調整弁、前記液体源の下流に配置された圧力調整弁、前記液体源の温度を調節するように構成された加熱器、および前記液体源の温度を調節するように構成された冷却器からなる群のなかから選択されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
当該システムによって供給される触媒反応性ガスの濃度が、約100パーツパーミリオン(ppm)~100,000ppmであることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
真空下で動作するとき、当該システムに対して供給される混合ガス流の圧力が、約10.0~100.0トールであることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
当該システムに対して供給される触媒反応性ガスの温度が、約15℃~80℃であることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1乃至12の何れか一項に記載の質量流量制御システムにおいて、
前記温度の変化が、触媒反応性ガスの質量流量の変化にほぼ比例し、かつ前記温度の変化が、混合ガス流の圧力または流量から相対的に独立していることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
前記第1のセンサ、第2のセンサおよび分解チャンバがハウジング内に配置されており、
当該ハウジングが、
(a)入口と、
(b)前記入口と前記分解チャンバとの間の流体連通を提供するように構成された第1の管と、
(c)出口と、
(d)前記分解チャンバと前記出口との間の流体連通を提供するように構成された第2の管とを備え、
前記第1のセンサが、前記第1の管内に配置されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項14に記載の質量流量制御システムにおいて、
前記第2のセンサが、前記分解チャンバ内に配置されていることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項3に記載の質量流量制御システムにおいて、
前記分解チャンバに入る前に混合ガス流を加熱するように構成された第2の加熱器をさらに備えることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項14に記載の質量流量制御システムにおいて、
前記ハウジングが、前記分解チャンバと接触して配置された第1の加熱器であって、触媒反応性ガスの露点より高い温度まで触媒を加熱するように構成された第1の加熱器と、前記分解チャンバに配置されて、触媒の第3の温度を測定するように構成された第3のプローブを含む第3のセンサとをさらに備えることを特徴とする質量流量制御システム。 - 請求項1に記載の質量流量制御システムにおいて、
混合ガス流が約15℃~150℃で供給されることを特徴とする質量流量制御システム。 - 混合ガス流中の希薄触媒反応性ガスの質量流量を制御する方法であって、
(a)混合ガス源から混合ガス流を提供するステップであって、混合ガス流が、液体源から生成された希薄触媒反応性ガスとキャリアガスとを含む、ステップと、
(b)混合ガス流の第1の温度を測定するステップと、
(c)触媒反応性ガスと反応するように構成された触媒に、混合ガス流の少なくとも一部を曝すステップと、
(d)触媒と触媒反応性ガスとの間の反応後の混合ガス流の第2の温度を測定するステップと、
(e)混合ガス流と触媒との接触後の温度の変化を測定することにより、触媒反応性ガスの質量流量を測定するステップであって、温度の変化が、混合ガス流の圧力または流量から相対的に独立している、ステップと、
(f)希釈触媒反応性ガスの所望の質量流量を達成するために、液体源の温度、液体源のヘッドスペースの圧力およびキャリアガスの流量のうちの1または複数を調整するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
調整するステップが、液体源の上流に配置された圧力調整弁、液体源の下流に配置された圧力調整弁、液体源の温度を調節するように構成された加熱器、および液体源の温度を調節するように構成された冷却器からなる群のなかから選択されているエフェクタを使用して達成されることを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
触媒が、銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、酸化マンガン、二酸化マンガン、酸化銅およびそれらの任意の組合せからなる群のなかから選択されることを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
触媒反応性ガスが、過酸化水素ガスおよびN 2 H 4 からなる群のなかから選択されることを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
キャリアガスが、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、蒸気、清浄乾燥空気、酸素、NH3、二酸化炭素、およびそれらの任意の組合せからなる群のなかから選択されることを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
混合ガス流に曝す前に、触媒反応性ガスの露点を超える温度まで触媒を加熱するステップをさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項24に記載の方法において、
触媒に曝す前に、混合ガス流を加熱するステップをさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
混合ガス流が約0.076トール~800トールで提供されることを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
希釈触媒反応性ガスの所望の質量流量を達成するために調整するステップの後に、さらにステップ(d)-(f)を繰り返すことを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
混合ガス流が約15℃~150℃で提供されることを特徴とする方法。 - 請求項19に記載の方法において、
混合ガス流中の希薄触媒反応性ガスの濃度が、約500ppm~約25,000ppmであることを特徴とする方法。
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