JP7140432B2 - 芳香族カルボン酸を含む導体被覆用ポリイミドワニスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
1種以上のジアンヒドリド単量体と1種以上のジアミン単量体が有機溶媒中で重合されて製造されるポリアミック酸溶液;
4個以上のカルボキシル基を有する芳香族カルボン酸;
アルコキシシランカップリング剤;および
酸化防止剤を含み、
ポリイミドワニスの全体重量を基準として固形分の含量が15~38重量%であり、
23℃での粘度が500~9,000cPであり、
前記ポリイミドワニスから製造される被覆物の耐軟化度が520℃以上であり、絶縁破壊電圧(BDV)が8kV/mm以上であるポリイミドワニスを提供する。
本発明に係るポリイミドワニスは、導体被覆用ポリイミドワニスであって、
1種以上のジアンヒドリド単量体と1種以上のジアミン単量体が有機溶媒中で重合されて製造されるポリアミック酸溶液;
4個以上のカルボキシル基を有する芳香族カルボン酸;
アルコキシシランカップリング剤;および
酸化防止剤を含み、
ポリイミドワニスの全体重量を基準として固形分の含量が15~38重量%であり、
23℃での粘度が500~9,000cPであり、
前記ポリイミドワニスから製造される被覆物の耐軟化度が520℃以上であり、絶縁破壊電圧(BDV)が8kV/mm以上であることを特徴とする。
nは、1~4の整数であり、
R1~R6が複数である場合、互いに同一でも異なっていてもよく、
m1~m6は、それぞれ独立して、0~3の整数である。
2)4,4’-ジアミノジフェニルエーテル(またはオキシジアニリン、ODA)、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル等のジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルメタン(メチレンジアミン)、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ビス(トリフルオロメチル)-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジカルボキシ-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’,5,5’-テトラメチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、ビス(4-アミノフェニル)スルフィド、4,4’-ジアミノベンズアニリド、3,3’-ジクロロベンジジン、3,3’-ジメチルベンジジン(またはo-トリジン)、2,2’-ジメチルベンジジン(またはm-トリジン)、3,3’-ジメトキシベンジジン、2,2’-ジメトキシベンジジン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,3’-ジアミノ-4,4’-ジクロロベンゾフェノン、3,3’-ジアミノ-4,4’-ジメトキシベンゾフェノン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、2,2-ビス(3-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(3-アミノフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’-ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4’-ジアミノジフェニルスルホキシド等のように、構造上ベンゼン核2個を有するジアミン;
3)1,3-ビス(3-アミノフェニル)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,4-ビス(3-アミノフェニル)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(またはTPE-Q)、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(またはTPE-Q)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)-4-トリフルオロメチルベンゼン、3,3’-ジアミノ-4-(4-フェニル)フェノキシベンゾフェノン、3,3’-ジアミノ-4,4’-ジ(4-フェニルフェノキシ)ベンゾフェノン、1,3-ビス(3-アミノフェニルスルフィド)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェニルスルフィド)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェニルスルフィド)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェニルスルホン)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェニルスルホン)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェニルスルホン)ベンゼン、1,3-ビス〔2-(4-アミノフェニル)イソプロピル〕ベンゼン、1,4-ビス〔2-(3-アミノフェニル)イソプロピル〕ベンゼン、1,4-ビス〔2-(4-アミノフェニル)イソプロピル〕ベンゼン等のように、構造上ベンゼン核3個を有するジアミン;
4)3,3’-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、3,3’-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔3-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔3-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔3-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔3-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕ケトン、ビス〔3-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔3-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔3-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔3-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔3-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔3-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、2,2-ビス〔3-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2-ビス〔3-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2-ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン(BAPP)、2,2-ビス〔3-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔3-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン等のように、構造上ベンゼン核4個を有するジアミン。
本発明に係るポリイミドワニスの製造方法は、
(a)1種以上のジアンヒドリド単量体および1種以上のジアミン単量体を有機溶媒中で重合してポリアミック酸溶液を製造する過程;
(b)前記ポリアミック酸溶液にアルコキシシランカップリング剤および酸化防止剤を混合して混合物を製造する過程;および
(c)前記混合物と4個以上のカルボキシル基を有する芳香族カルボン酸を混合する過程を含むことができる。
(1)ジアミン単量体の全量を溶媒中に入れ、その後、ジアンヒドリド単量体をジアミン単量体と略等モルになるように添加して重合する方法;
(2)ジアンヒドリド単量体の全量を溶媒中に入れ、その後、ジアミン単量体をジアンヒドリド単量体と略等モルになるように添加して重合する方法;
(3)ジアミン単量体のうち一部の成分を溶媒中に入れた後、反応成分に対してジアンヒドリド単量体のうち一部の成分を約80~120モル%の割合で混合した後、残りのジアミン単量体成分を添加し、これに続いて残りのジアンヒドリド単量体成分を添加して、ジアミン単量体およびジアンヒドリド単量体が略等モルになるようにして重合する方法;
(4)ジアンヒドリド単量体を溶媒中に入れた後、反応成分に対してジアミン化合物のうち一部の成分を90~110モル%の割合で混合した後、他のジアンヒドリド単量体成分を添加し、これに続いて残りのジアミン単量体成分を添加して、ジアミン単量体およびジアンヒドリド単量体が略等モルになるようにして重合する方法;
(5)溶媒中で一部のジアミン単量体成分と一部のジアンヒドリド単量体成分をいずれか一つが過量になるように反応させて、第1組成物を形成し、さらに他の溶媒中で一部のジアミン単量体成分と一部のジアンヒドリド単量体成分をいずれか一つが過量になるように反応させて第2組成物を形成した後、第1、第2組成物を混合し、重合を完結する方法であって、この際、第1組成物を形成するとき、ジアミン単量体成分が過剰の場合、第2組成物では、ジアンヒドリド単量体成分を過量とし、第1組成物においてジアンヒドリド単量体成分が過剰の場合、第2組成物では、ジアミン単量体成分を過量として、第1、第2組成物を混合して、これらの反応に使用される全体ジアミン単量体成分とジアンヒドリド単量体成分が略等モルになるようにして重合する方法等を挙げることができる。
本発明に係るポリイミド被覆物の製造方法は、
(1)ポリイミドワニスを導体の表面にコーティングする過程;および
(2)前記導体の表面にコーティングされたポリイミドワニスをイミド化する過程を含み、
前記過程(1)および(2)を連続的に4~20回繰り返し行うことを特徴とする。
前記過程(2)は、300~750℃で行われ得る。
-ピロメリト酸二無水物:PMDA
-ピロメリト酸:PMA
-オキシジアニリン:ODA
-N-メチルピロリドン:NMP
製造例1:ポリアミック酸溶液の製造
撹拌機および窒素注入・排出管を具備した500ml反応器に窒素を注入させながら364.6gのNMPを投入し、反応器の温度を30℃に設定した後、61.4gのODAおよび63.5gのPMDAを投入して、完全に溶解したことを確認する。
反応器の温度を50℃に設定した後、前記製造例1のポリアミック酸溶液にアルコキシシランカップリング剤としてOFS-6011、酸化防止剤として5重量%分解温度が約402℃である下記化学式1-1の化合物、シリコーン系添加物としてBYK-378を1:50:1の重量比で投入し、30分間徐々に撹拌して、アルコキシシランカップリング剤、酸化防止剤およびシリコーン系添加物を含む混合液を製造した。
コーティング硬化炉内で前記製造例2のポリイミドワニスを導体径1mmの銅線に1回当たりコーティング厚さを2~6μmの間に調節し、コーティング硬化炉の最高温度を500℃に調節し、銅線の被覆速度を12m/分に調節した状態で、総7回コーティング、乾燥および硬化する過程を繰り返して被覆厚さが35μmのポリイミド被覆物を含む電線を製造した。
実施例1において、単量体、添加物、硬化炉最高温度、ポリイミドワニスの固形分の含量および粘度をそれぞれ下記表1のように変更したことを除いて、実施例1と同じ方法で電線を製造した。
実施例1において、酸化防止剤として化学式1-1の化合物の代わりに5重量%分解温度が約377℃である下記化学式Aの化合物を投入したことを除いて、実施例1と同じ方法で電線を製造した。
実施例1において、酸化防止剤として化学式1-1の化合物の代わりに5重量%分解温度が約338℃である下記化学式Bの化合物を投入したことを除いて、実施例1と同じ方法で電線を製造した。
実施例1~10、比較例1~14で製造された電線のポリイミド被覆物の外観を肉眼で観察して、不良有無を判断し、その結果を下記表2に示した。
実施例1~10、比較例1~14で製造された電線のポリイミド被覆物に対して耐熱衝撃を評価した。耐熱衝撃は、電線が拡張された状態またはマンドリルの周辺に巻かれたり曲がった状態で温度露出に耐えることができるかを示す指標である。
実施例1~10、比較例1~14で製造された電線のポリイミド被覆物の物性を下記方式を利用して測定し、その結果を下記表3に示した。
DSE社TD300 Tan Delta Testerを使用してポリイミド被覆物のtanδ値を測定した。
耐軟化度は、絶縁体の分解温度を示すものであり、規定された負荷が交差点に加えられた状態で直角に互いに交差する2個の電線の間で短絡が発生する温度を測定して決定する。
試験片を4時間の間150℃のオーブンで前処理した後、圧力容器に配置する。圧力容器を1400gの冷媒で満たし、圧力容器を72時間の間加熱した後、圧力容器を冷却させ、試験片を150℃オーブンに移して、10分間維持し、室温に冷却させる。電線の両末端を連結し、電線導体の間に試験電圧(60Hz)公称周波数の交流電圧を0から一定の速度で増加させて、BDVを測定した。
電線のポリイミド被覆物に対して絶縁体の欠陥が存在するか否かを確認するためにピンホール試験を実施した。具体的に、約1.5mの長さの電線試験片を取って、空気循環オーブン(125℃)で10分間放置し、その後、どんな屈曲や伸長なく常温で冷却させた。冷却された電線試験片を、直流試験電圧を有する電気回路に接続された状態でフェノールフタレインアルコールが添加された塩化ナトリウム電解液に浸漬した後、取り出して、肉眼でピンホールの個数を確認した。
実施例1~10、比較例1~14で製造された電線のポリイミド被覆物に対して、導体と被覆物間の接着力を確認するために、引張試験を実施し、その結果を下記表3に示した。
Claims (18)
- 導体被覆用ポリイミドワニスであって、
1種以上のジアンヒドリド単量体と1種以上のジアミン単量体が有機溶媒中で重合されて製造されるポリアミック酸溶液;
4個以上のカルボキシル基を有する芳香族カルボン酸;
アルコキシシランカップリング剤;
シリコーン系添加物;および
酸化防止剤を含み、
ポリイミドワニスの全体重量を基準として固形分の含量が15~38重量%であり、
23℃での粘度が500~9,000cPであり、
前記ポリイミドワニスから製造される被覆物の耐軟化度が520℃以上であり、絶縁破壊電圧(BDV)が8kV/mm以上であり、
前記アルコキシシランカップリング剤の量が、ポリイミドワニスの固形分100重量部に対して0.01~0.05重量部であり、
前記シリコーン系添加物の量が、ポリイミドワニスの固形分100重量部に対して0.01~0.05重量部であり、
前記酸化防止剤の量が、ポリイミドワニスの固形分100重量部に対して0.1~2重量部である、ポリイミドワニス。 - 前記芳香族カルボン酸が、ピロメリト酸(pyromellitic acid,PMA)、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸(3,3’,4,4’-biphenyltetracarboxylic acid,BPTA)、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸(1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid)、ベンゾフェノン-3,3’,4,4’-テトラカルボン酸(benzophenone-3,3’,4,4’-tetracarboxylic acid)、ピラジンテトラカルボン酸(pyrazinetetracarboxylic acid)、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸(2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid)およびナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid)よりなる群から選ばれた1種以上を含む、請求項1に記載のポリイミドワニス。
- 前記ジアミン単量体100モル%を基準として、前記ジアンヒドリド単量体の投入量が80~99.9モル%であり、前記芳香族カルボン酸の投入量が0.1~20モル%である、請求項1に記載のポリイミドワニス。
- 前記アルコキシシランカップリング剤は、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3-(2-アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、2-アミノフェニルトリメトキシシラン、および3-アミノフェニルトリメトキシシランよりなる群から選ばれた1種以上を含む、請求項1に記載のポリイミドワニス。
- 前記シリコーン系添加物は、ジメチルポリシロキサン(dimethylpolysiloxane)、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン(Polyether modified polydimethysiloxane)、ポリメチルアルキルシロキサン(Polymethylalkylsiloxane)、およびヒドロキシル基(-OH)および炭素-炭素二重結合構造(C=C)を含むシリコーン系化合物よりなる群から選ばれた1種以上を含む、請求項1に記載のポリイミドワニス。
- 前記酸化防止剤は、5重量%分解温度が380℃以上である、請求項1に記載のポリイミドワニス。
- 前記酸化防止剤は、5重量%分解温度が400℃以上である、請求項1に記載のポリイミドワニス。
- 前記化学式1で、nが1であり、m1~m6が0である、請求項8に記載のポリイミドワニス。
- 請求項1に記載のポリイミドワニスを製造する方法であって、
(a)1種以上のジアンヒドリド単量体および1種以上のジアミン単量体を有機溶媒中で重合してポリアミック酸溶液を製造する過程;
(b)前記ポリアミック酸溶液にアルコキシシランカップリング剤および酸化防止剤を混合して混合物を製造する過程;および
(c)前記混合物と4個以上のカルボキシル基を有する芳香族カルボン酸を混合する過程を含む、ポリイミドワニスの製造方法。 - 前記過程(a)は、30~80℃で行われ、
前記ポリアミック酸溶液は、23℃での粘度が500~9,000cPの範囲であり、
前記過程(b)は、ポリアミック酸溶液にシリコーン系添加物をさらに混合し、40~90℃で行われ、
前記過程(c)は、40~90℃で行われる、請求項10に記載のポリイミドワニスの製造方法。 - (1)請求項1に記載のポリイミドワニスを導体の表面にコーティングする過程;および
(2)前記導体の表面にコーティングされたポリイミドワニスをイミド化する過程を含み、
前記過程(1)および(2)を連続的に4~20回繰り返し行う、ポリイミド被覆物の製造方法。 - 前記過程(1)および(2)の繰り返し行う1回当たり前記ポリイミドワニスがコーティングされる厚さは、2~6μmであり、
前記過程(2)は、300~750℃で行われ、
前記導体の被覆速度は、2~30m/分である、請求項12に記載のポリイミド被覆物の製造方法。 - 前記導体は、直径0.1~5mmの電線である、請求項12に記載のポリイミド被覆物の製造方法。
- 請求項12に記載のポリイミド被覆物の製造方法で製造されたポリイミド被覆物。
- 前記ポリイミド被覆物の厚さが16~50μmの範囲であり、
tanδが250℃以上である、請求項15に記載のポリイミド被覆物。 - 請求項1に記載のポリイミドワニスを電線の表面にコーティングし、イミド化して製造されたポリイミド被覆物を含む電線。
- 請求項17に記載の電線を含む電子装置。
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