JP7143251B2 - ダンパー制御システムおよびダンパー制御方法 - Google Patents
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Description
一態様では、前記ダンパー制御システムは、前記排気ダクトに配置された第2圧力センサをさらに備えており、前記制御装置は、前記シャッターが閉じられていることを条件として、前記第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御し、前記シャッターが開かれていることを条件として、監視対象を前記第1圧力センサから前記第2圧力センサに切り替える。
一態様では、前記制御装置は、前記シャッターが開かれた後、閉じられる直前に前記第2圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御する。
一態様では、前記シャッターが閉じられていることを条件として、前記第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御し、前記シャッターが開かれていることを条件として、監視対象を前記第1圧力センサから前記排気ダクトに配置された第2圧力センサに切り替える。
一態様では、前記シャッターが開かれた後、閉じられる直前に前記第2圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御する。
1a,1b 隔壁
2 ロード/アンロードユニット
3 研磨ユニット
4 洗浄ユニット
6 第1リニアトランスポータ
7 第2リニアトランスポータ
10 研磨パッド
11 リフタ
12 スイングトランスポータ
20 フロントロード部
21 走行機構
22 搬送ロボット
30A,30B,30C,30D 研磨テーブル
31A,31B,31C,31D トップリング
32A,32B,32C,32D 研磨液供給ノズル
33A,33B,33C,33D ドレッサ
34A,34B,34C,34D アトマイザ
180 仮置き台
190 第1洗浄室
191 第1搬送室
192 第2洗浄室
193 第2搬送室
194 乾燥室
201A 上側一次洗浄モジュール
201B 下側一次洗浄モジュール
202A 上側二次洗浄モジュール
202B 下側二次洗浄モジュール
203 仮置き台
205A 上側乾燥モジュール
205B 下側乾燥モジュール
207 ファンフィルタユニット
207a ファン
209 第1搬送ロボット
210 第2搬送ロボット
211,212 支持軸
215 開口
216 隔壁
217 シャッター
220 ファンフィルタユニット
300 ダンパー制御システム
305 排気ダクト
305a 排気口
310 排気ダンパー
310a 仕切板
310b モータ
311 第1圧力センサ
312 第2圧力センサ
313 第3圧力センサ
315 制御装置
315a 記憶装置
315b 処理装置
316 開閉センサ
Claims (6)
- 処理モジュールの隔壁に取り付けられた排気ダクトに接続され、かつ全開と全閉との間で開度を調整可能な排気ダンパーと、
前記隔壁の内部空間に配置された第1圧力センサと、
前記排気ダクトに配置された第2圧力センサと、
前記第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記隔壁に形成された開口を開閉するシャッターが開かれていることを条件として、前記排気ダンパーの開度を全開よりも小さな開度に切り替え、
前記制御装置は、
前記シャッターが閉じられていることを条件として、前記第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御し、
前記シャッターが開かれていることを条件として、監視対象を前記第1圧力センサから前記第2圧力センサに切り替える、システム。 - 前記制御装置は、
前記シャッターが閉じられていることを条件として、前記第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御し、
前記シャッターが開かれていることを条件として、前記排気ダンパーの開度を所定の開度に固定する、請求項1に記載のシステム。 - 前記制御装置は、前記シャッターが開かれた後、閉じられる直前に前記第2圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御する、請求項1に記載のシステム。
- 処理モジュールの隔壁に取り付けられた排気ダクトに接続された排気ダンパーの制御方法であって、
前記隔壁の内部空間に配置された第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御し、
前記隔壁に形成された開口を開閉するシャッターが開かれていることを条件として、前記排気ダンパーの開度を全開よりも小さな開度に切り替え、
前記シャッターが閉じられていることを条件として、前記第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御し、
前記シャッターが開かれていることを条件として、監視対象を前記第1圧力センサから前記排気ダクトに配置された第2圧力センサに切り替える、方法。 - 前記シャッターが閉じられていることを条件として、前記第1圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御し、
前記シャッターが開かれていることを条件として、前記排気ダンパーの開度を所定の開度に固定する、請求項4に記載の方法。 - 前記シャッターが開かれた後、閉じられる直前に前記第2圧力センサによって測定された圧力に基づいて、前記排気ダンパーの開度を制御する、請求項4に記載の方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019101611A JP7143251B2 (ja) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | ダンパー制御システムおよびダンパー制御方法 |
| PCT/JP2020/021418 WO2020241848A1 (ja) | 2019-05-30 | 2020-05-29 | ダンパー制御システムおよびダンパー制御方法 |
| SG11202112567WA SG11202112567WA (en) | 2019-05-30 | 2020-05-29 | Damper control system and damper control method |
| US17/607,999 US11967508B2 (en) | 2019-05-30 | 2020-05-29 | Damper control system and damper control method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019101611A JP7143251B2 (ja) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | ダンパー制御システムおよびダンパー制御方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020198324A JP2020198324A (ja) | 2020-12-10 |
| JP2020198324A5 JP2020198324A5 (ja) | 2021-12-09 |
| JP7143251B2 true JP7143251B2 (ja) | 2022-09-28 |
Family
ID=73552853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019101611A Active JP7143251B2 (ja) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | ダンパー制御システムおよびダンパー制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11967508B2 (ja) |
| JP (1) | JP7143251B2 (ja) |
| SG (1) | SG11202112567WA (ja) |
| WO (1) | WO2020241848A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2019
- 2019-05-30 JP JP2019101611A patent/JP7143251B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-29 WO PCT/JP2020/021418 patent/WO2020241848A1/ja not_active Ceased
- 2020-05-29 SG SG11202112567WA patent/SG11202112567WA/en unknown
- 2020-05-29 US US17/607,999 patent/US11967508B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220319874A1 (en) | 2022-10-06 |
| JP2020198324A (ja) | 2020-12-10 |
| US11967508B2 (en) | 2024-04-23 |
| WO2020241848A1 (ja) | 2020-12-03 |
| SG11202112567WA (en) | 2021-12-30 |
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