JP7147751B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本技術は、磁気記録媒体に関する。

ＬＴＯ（Linear Tape Open）６対応の高密度記録の磁気記録媒体では、針状磁性粉に代えて六方晶バリウムフェライト磁性粉が用いられている。高密度記録化を実現するための磁性粉としては、バリウムフェライト磁性粉以外にも、立方晶のＣｏＭｎ系スピネルフェライト磁性粉（例えば特許文献１参照）、ε－Ｆｅ₂Ｏ₃磁性粉（例えば特許文献２参照）などが報告されている。

特許第４６８７１３６号公報 特許第５０１３５０５号公報

ところで、高記録密度を実現するためには、高トラック密度を実現する必要がある。高トラック密度化により記録トラック同士の間隔が狭くなると、記録ヘッドからの漏れ磁界（フリンジ磁界）により、隣接する記録トラックに記録された磁化信号が劣化してしまうサイドライトが発生してしまい、ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）が悪化してしまう虞がある。

本技術の目的は、良好なＳＮＲを得ることができる磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本技術は、記録トラック幅が２μｍ以下である磁気記録媒体であって、ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、保磁力が、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、活性化体積が、８０００ｎｍ³以下であり、ＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上である磁気記録媒体である。

本技術によれば、良好なＳＮＲを得ることができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。

磁気記録媒体の記録トラックを示す模式図である。 本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。 図３Ａは、ナノ粒子に含まれるε酸化鉄の結晶配向の方向を示す模式図である。図３Ｂは、ε酸化鉄を含むナノ粒子の構成を示す断面図である。 図４Ａは、走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２の比率Ｓ１／Ｓ２がＳ１／Ｓ２＞１である場合における、ε酸化鉄の結晶配向の方向を示す模式図である。図４Ｂは、走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２の比率Ｓ１／Ｓ２がＳ１／Ｓ２＜１である場合における、ε酸化鉄の結晶配向の方向を示す模式図である。 ＳＦＤ曲線の一例を示すグラフである。 磁性粒子の構成を示す断面図である。 磁気記録媒体の構成を示す断面図である。 磁気記録媒体の構成を示す断面図である。 磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
概要
磁気記録媒体の構成
磁気記録媒体の製造方法
効果
変形例

［概要］
図１に示すように、記録ヘッド１０１の磁界分布１０２は、通常、記録ヘッドが位置するデータトラックに隣接するデータトラックまで漏れ広がるため、隣接するデータトラックに記録されている磁化が減少してしまい、ＳＮＲが劣化する虞がある。特に、記録トラック幅が２μｍ以下である磁気記録媒体では、漏れ磁界によるＳＮＲの劣化が顕著になる虞がある。

そこで、本発明者らは、漏れ磁界による磁化の減少を抑制し、良好なＳＮＲを得ることができる磁気記録媒体について鋭意検討した。その結果、（ａ）ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、（ｂ）走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、（ｃ）走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２の比率Ｓ１／Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、（ｄ）保磁力が、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、（ｅ）活性化体積が、８０００ｎｍ³以下であり、（ｆ）ＳＦＤ曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上である磁気記録媒体を見出すに至った。

［磁気記録媒体の構成］
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、記録トラック幅が２μｍ以下の高トラック密度を有する垂直磁気記録方式の磁気記録媒体であって、図２に示すように、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた記録層（磁性層）１３とを備える。なお、下地層１２は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気記録媒体が、必要に応じて、記録層１３上に設けられた保護層（図示せず）および潤滑剤層（図示せず）などをさらに備えるようにしてもよい。また、必要に応じて、基体１１の他方の主面上に設けられたバックコート層１４をさらに備えるようにしてもよい。本技術において、“記録トラック幅”とは、データトラックのトラック幅を意味する。

一実施形態に係る磁気記録媒体は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。また、一実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば７５ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されており、最短記録波長が７５ｎｍ以下である記録再生装置に用いられる。上記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備え、リング型ヘッドにより最短記録波長７５ｎｍ以下で信号を磁気記録媒体に記録する。

（基体）
支持体となる基体１１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚みは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体１１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースブチレートなどのセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金などの軽金属、アルミナガラスなどのセラミックなどを用いることができる。

（記録層）
記録層１３は、複数のサーボバンドと複数のデータバンドとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドは、磁気記録媒体の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドの間には、データバンドが設けられている。サーボバンドには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。記録層１３は、データバンドに複数のデータトラックを形成可能に構成されている。データバンドには、ユーザデータが記録される。

データトラック幅の上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、２μｍ以下、好ましくは１．６μｍ以下、より好ましくは０．９５μｍ以下、さらにより好ましくは０．５１μｍ以下である。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは０．０２μｍ以上である。

データトラック幅は、以下のようにして求められる。まず、記録層１３の表面を磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、取得したＭＦＭ像から、磁気記録媒体の幅方向における、データバンド内の磁化パターン列の寸法を測定し、データトラック幅とする。

記録層１３は、いわゆる垂直記録層であり、例えば、磁性粉、結着剤および導電性粒子を含んでいる。記録層１３が、必要に応じて、潤滑剤、研磨剤、防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

（磁性粉）
磁性粉は、ε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含んでいる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。図３Ａに示すように、ε酸化鉄粒子２０に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）２４に優先的に結晶配向している。なお、図３Ａでは、ε酸化鉄の結晶配向の方向を矢印２５により示している。

ε酸化鉄粒子２０は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子２０が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子２０を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲを得ることができる。

ε酸化鉄粒子２０は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子２０は、図３Ｂに示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。

コア部２１は、ε酸化鉄を含んでいる。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ₂Ｏ₃からなるものがより好ましい。

第１シェル部２２ａは、軟磁性層であり、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金などの軟磁性体を含んでいる。α－Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含んでいる。α酸化鉄は、例えばＦｅ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含んでいる。第１シェル部２２ａがα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子２０が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保するためにコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子２０（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子２０が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子２０が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子２０の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体の特性劣化を抑制することができる。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄは、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、更により好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。

上記の磁性粉の平均粒子サイズＤは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などにより加工して薄片を作製し、ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５００個のε酸化鉄粒子２０を無作為に選び出し、それぞれの粒子の最大粒子サイズｄ_maxを測定して、磁性粉の最大粒子サイズｄ_maxの粒度分布を求める。ここで、“最大粒子サイズｄ_max”とは、いわゆる最大フェレ径を意味し、具体的には、ε酸化鉄粒子２０の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のものをいう。その後、求めた最大粒子サイズｄ_maxの粒度分布から最大粒子サイズｄ_maxのメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを粒子の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄとする。

記録層１３の平均厚みが、好ましくは３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、更により好ましくは４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、最も好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。

記録層１３の平均厚み［ｎｍ］は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体をＦＩＢ法などにより加工して、磁気記録媒体の幅方向に平行な主面を有する薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。観察倍率としては、記録層１３の厚みが明瞭に観察できるよう、少なくとも１０万倍以上で行うのが好ましい。断面ＴＥＭの観察は、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）に１００ｍごとに合計５か所の位置で行われる。一視野あたり均等に５０ポイントにおいて記録層１３の厚みを観察し、５視野全ての厚みを単純に平均（算術平均）して記録層１３の平均厚み［ｎｍ］を求める。

（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴムなどが挙げられる。

また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ₃Ｍ、－ＯＳＯ₃Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、あるいはリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３⁺Ｘ^-の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２⁺Ｘ^-の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ^-は弗素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基なども挙げられる。

（添加剤）
記録層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。

（下地層）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を主成分として含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤および防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

（下地層の平均厚み）
下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、上記の下地層１２の平均厚みの算出方法は、記録層１３の平均厚みの算出方法と同様である。

（非磁性粉）
非磁性粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、非磁性粉は、カーボンブラックなどでもよい。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物などが挙げられる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状などの各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。

（結着剤）
結着剤は、上述の記録層１３と同様である。

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下、好ましくは２３０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは２４０ｋＡ／ｍ以上２９０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ未満であると、保磁力Ｈｃが小さすぎるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。一方、保磁力Ｈｃが３１０ｋＡ／ｍ以下を超えると、記録ヘッドによる飽和記録が困難になるため、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体から測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの厚み方向（磁気記録媒体の厚み方向）に測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残してバックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体１１の厚み方向（磁気記録媒体の厚み方向）に基体１１のＭ－Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループから基体１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比Ｓ１、Ｓ２）
走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たしている。角形比Ｓ１、Ｓ２がＳ１≧Ｓ２の関係を満たすと、図４Ａに示すように、ε酸化鉄粒子２０に含まれるε酸化鉄の面内配向成分（磁気記録媒体の面内配向成分）としては、磁気記録媒体の走行方向１０Ａの配向成分が優先的になるか、または磁気記録媒体の走行方向１０Ａと幅方向１０Ｂの配向成分が同等になるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。一方、角形比Ｓ１、Ｓ２がＳ１＜Ｓ２の関係を満たすと、図４Ｂに示すように、ε酸化鉄粒子２０に含まれるε酸化鉄の面内配向成分（磁気記録媒体の面内配向成分）としては、磁気記録媒体の幅方向１０Ｂの配向成分が優先的になるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。

磁気記録媒体の走行方向（長手方向）に測定した角形比Ｓ１と磁気記録媒体の幅方向に測定した角形比Ｓ２の比率Ｓ１／Ｓ２が、好ましくは１．０以上２．０以下、より好ましくは１．０を超え２．０以下、更により好ましくは１．１以上２．０以下、特に好ましくは１．２以上２．０以下、最も好ましくは１．３以上２．０以下である。比率Ｓ１／Ｓ２が１．０以上であると、角形比Ｓ１、Ｓ２がＳ１≧Ｓ２の関係を満たすので、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。比率Ｓ１／Ｓ２が２．０を超えると、垂直配向成分が少なくなり、電磁変換特性が劣化する虞がある。

磁気記録媒体の走行方向（長手方向）に測定した角形比Ｓ１が、３０％以下、好ましくは２５％以下、より好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３０％を超えると、記録層１３の垂直配向性が低くなり、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。

磁気記録媒体の幅方向に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ２が３０％を超えると、記録層１３の垂直配向性が低くなり、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。

磁気記録媒体の任意の面内方向に測定した角形比Ｓが、好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓが３０％を超えると、記録層１３の垂直配向性が低くなり、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。

上記の角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体の走行方向（長手方向）に対応する測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残して、バックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体１１の走行方向（磁気記録媒体の走行方向）に対応する基体１１のＭ－Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループから基体１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

上記の角形比Ｓ２は、磁気記録媒体の幅方向に対応する測定サンプル全体および基体１１のＭ－Ｈループを測定する以外のことは上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして求められる。

上記の角形比Ｓは、磁気記録媒体の任意の面内方向に対応する測定サンプル全体および基体１１のＭ－Ｈループを測定する以外のことは上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして求められる。

（ＳＦＤ）
磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上、好ましくは５．０以上、より好ましくは７．０以上、更により好ましくは１０．０以上、特に好ましくは２０．０以上である（図５参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０未満であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子２０の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子など）が磁性粉中に多く含まれる虞がある。このような粒子が磁性粉中に多く含まれると、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。

上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ－Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。なお、Ｍ－Ｈループの測定は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様に２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（活性化体積Ｖ_act）
活性化体積Ｖ_actが、８０００ｎｍ³以下、好ましくは６０００ｎｍ³以下、より好ましくは５０００ｎｍ³以下、更により好ましくは４０００ｎｍ³以下、特に好ましくは３０００ｎｍ³以下である。活性化体積Ｖ_actが８０００ｎｍ³を超えると、磁性粉の分散状態が悪いため、ビット反転領域を急峻にすることができなくなり、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。

上記の活性化体積Ｖ_actは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_act（ｎｍ³）＝ｋ_B×Ｔ×Χ_irr／（μ₀×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_B：ボルツマン定数（１．３８×１０^-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_irr：非可逆磁化率、μ₀：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ³））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_irr、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_irr）
非可逆磁化率Χ_irrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_irrとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
まず、磁気記録媒体の厚み方向に磁気記録媒体（測定サンプル）全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンおよびエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残して、バックグラウンド補正用として、基体１１のＭ－Ｈループを同様に厚み方向に測定する。その後、磁気記録媒体全体のＭ－Ｈループから基体１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の記録層１３の体積（ｃｍ³）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ³）を算出する。なお、記録層１３の体積は測定サンプルの面積に記録層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。記録層１３の体積の算出に必要な記録層１３の平均厚みの算出方法については、上述した通りである。

（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気記録媒体（測定サンプル）全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

［磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。まず、非磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。記録層１３の形成後、必要に応じて、記録層１３上に保護層および潤滑剤層を形成してもよいし、基体１１の他方の主面にバックコート層１４を形成してもよい。

その後、下地層１２および記録層１３が形成された基体１１を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、下地層１２および記録層１３が形成された基体１１に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体が得られる。

［効果］
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、（ａ）ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、（ｂ）走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、（ｃ）走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、（ｄ）保磁力が、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、（ｅ）活性化体積が、８０００ｎｍ³以下であり、（ｆ）ＳＦＤ曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上であるので、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、良好なＳＮＲを得ることができる。

［変形例］
（変形例１）
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子２０が２層構造のシェル部２２を有している場合について説明したが、図６に示すように、ε酸化鉄粒子２０が単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子２０の特性劣化を抑制する観点からすると、上述した一実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子２０が２層構造のシェル部２２を有していることが好ましい。

（変形例２）
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子２０がコアシェル構造を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子２０が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子２０のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子２０が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子２０全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性が高まる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_2-xＭ_xＯ₃結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

（変形例３）
磁気記録媒体が、図７に示すように、基体１１の両主面のうち、バックコート層１４側となる他方の主面（以下「裏面」という。）に設けられた強化層１５をさらに備えていてもよい。この場合、強化層１５上にバックコート層１４が設けられる。

なお、強化層１５は、基体１１の両主面のうちのいずれに設けられていてもよく、基体１１の両主面のうち、記録層１３側となる一方の主面（以下「表面」という。）に強化層１５が設けられていてもよい。この場合、強化層１５上に下地層１２が設けられる。

強化層１５は、磁気記録媒体の機械的強度を高めて、優れた寸法安定性を得るためのものである。強化層１５は、例えば、金属および金属化合物のうちの少なくとも１種を含んでいる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属は、例えば、アルミニウムおよび銅のうちの少なくとも１種であり、好ましくは銅である。銅は、安価で蒸気圧が比較的低いため、安価に強化層１５を成膜が可能であるからである。金属化合物は、例えば、金属酸化物である。金属酸化物は、例えば、酸化アルミニウム、酸化銅および酸化シリコンのうちの少なくとも１種であり、好ましくは酸化銅である。蒸着法などにより安価に強化層１５を成膜が可能であるからである。強化層１５は、例えば、真空斜方蒸着法により形成される蒸着膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。

強化層１５は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。強化層１５の厚みを厚くしていくと、外力に対する基体１１の伸縮をより抑えることができる。しかしながら、蒸着法やスパッタリングなどの真空薄膜の作製技術を用いて強化層１５を形成する場合、上記のように強化層１５の厚みを厚くしていくと、強化層１５中に空隙が生じやすくなる虞がある。上記のように強化層１５を２層以上の積層構造とすることで、真空薄膜の作製技術を用いて強化層１５を形成する際に強化層１５中に生じる空隙を抑制し、強化層１５の緻密性を向上できる。したがって、強化層１５の水蒸気透過率を低減できるので、基体１１の膨張をさらに抑制し、磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できる。強化層１５が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。

強化層１５の平均厚みは、好ましくは１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。強化層１５の平均厚みが１５０ｎｍ以上であると、強化層１５として良好な機能（すなわち磁気記録媒体の良好な寸法安定性）が得られる。一方、強化層１５の平均厚みを５００ｎｍを超えて厚くしなくとも、強化層１５として十分な機能が得られる。なお、上記の強化層１５の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。

磁気記録媒体が強化層１５を有する場合、長尺状の磁気記録媒体の長手方向のヤング率が、好ましくは７ＧＰａ以上１４ＧＰａ以下である。ヤング率が７ＧＰａ以上であると、良好な磁気ヘッド当たりを得ることができ、かつ、エッジダメージを抑制することができる。一方、ヤング率が１４ＧＰａ以下であると、良好な磁気ヘッド当たりを得ることができる。

また、磁気記録媒体の湿度膨張係数が、好ましくは０．５ｐｐｍ／％ＲＨ以上、４ｐｐｍ／％ＲＨ以下である。湿度膨張係数が上記範囲であると、磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できる。

（変形例４）
磁気記録媒体が、図８に示すように、強化層１５上に設けられたカッピング抑制層１６をさらに備えていてもよい。なお、下地層１２およびカッピング抑制層１６が基体１１の裏面側に設けられた場合、バックコート層１４はカッピング抑制層１６上に設けられる。一方、下地層１２およびカッピング抑制層１６が基体１１の表面側に設けられた場合、下地層１２はカッピング抑制層１６上に設けられる。

カッピング抑制層１６は、基体１１上に強化層１５を形成したことにより発生するカッピングを抑制するためのものである。ここで、カッピングとは、長尺状の基体１１の幅方向に発生する湾曲を意味する。強化層１５には内部応力として引っ張り応力、すなわち基体１１の両主面のうち強化層１５が設けられた主面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力が働く。これに対して、カッピング抑制層１６には、内部応力として圧縮応力、すなわち基体１１の両主面のうちカッピング抑制層１６が設けられた主面側を幅方向に且つ凸形状に湾曲させる応力が働く。このため、強化層１５とカッピング抑制層１６との内部応力が相殺し合って、磁気記録媒体にカッピングが発生することを抑制できる。したがって、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触状態を良好な状態に保持でき、かつトラック幅方向における高い寸法安定性を有する、オフトラック特性に優れた磁気記録媒体を提供できる。

カッピング抑制層１６は、例えば、炭素薄膜である。炭素薄膜は、ダイヤモンドライクカーボン（以下「ＤＬＣ」という。）を含む硬質炭素薄膜であることが好ましい。カッピング抑制層１６は、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法により形成されるＣＶＤ膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。

カッピング抑制層１６は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できるからである。なお、その原理は、強化層１５を２層以上の積層構造とする場合と同様である。カッピング抑制層１６が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。

カッピング抑制層１６の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。カッピング抑制層１６の平均厚みが１０ｎｍ未満であると、カッピング抑制層１６の圧縮応力が小さくなりすぎる虞がある。一方、カッピング抑制層１６の平均厚みが２００ｎｍを超えると、カッピング抑制層１６の圧縮応力が大きくなりすぎる虞がある。なお、カッピング抑制層１６の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。

（変形例５）
磁気記録媒体は、図９に示すように、基体１１の表面上に設けられた第１強化層１７と、基体１１の裏面上に設けられた第２強化層１８と、第２強化層１８上に設けられた凝着抑制層１９とをさらに備えていてもよい。この場合、バックコート層１４は、凝着抑制層１９上に設けられる。基体１１、第１強化層１７、第２強化層１８および凝着抑制層１９により積層体１０が構成される。

なお、凝着抑制層１９は、第１、第２強化層１７、１８のうちいずれかの層上に設けられていればよく、第１強化層１７上に凝着抑制層１９が設けられていてもよい。この場合、下地層１２は、凝着抑制層１９上に設けられる。この場合、凝着抑制層１９が炭素薄膜である場合には、表面改質処理により凝着抑制層１９の表面の濡れ性を改善することが好ましい。炭素薄膜に対する下地層形成用塗料の塗布性を改善できるからである。

第１、第２強化層１７、１８は、磁気記録媒体の機械的強度を高めて、優れた寸法安定性を得るためのものである。第１、第２強化層１７、１８の材料としては、変形例３の強化層１５と同様の材料を例示することができる。なお、第１、第２強化層１７、１８の材料は同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。第１、第２強化層１７、１８はそれぞれ、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できるからである。なお、その原理は、変形例３において強化層１５を２層以上の積層構造とする場合と同様である。

第１、第２強化層１７、１８の平均厚みは、好ましくは７５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。第１、第２強化層１７、１８の平均厚みが７５ｎｍ以上であると、第１、第２強化層１７、１８として良好な機能（すなわち磁気記録媒体の良好な寸法安定性）が得られる。一方、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みを３００ｎｍを超えて厚くすると、磁気記録媒体の厚みが厚くなってしまう虞がある。また、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みを３００ｎｍを超えて厚くしなくとも、第１、第２強化層１７、１８として十分な機能が得られる。なお、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。

第１、第２強化層１７、１８は、内部応力として引っ張り応力が働くものである。具体的には、第１強化層１７は、基体１１の表面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力が働くものであり、第２強化層１８は、基体１１の裏面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力が働くものである。したがって、第１、第２強化層１７、１８の内部応力が相殺し合って、磁気記録媒体にカッピングが発生することを抑制できる。ここで、カッピングとは、長尺状の基体１１の幅方向に発生する湾曲を意味する。

第１、第２強化層１７、１８の平均厚みは、同一であってもよいし、異なっていてもよいが、同一またはほぼ同一であることが好ましい。基体１１の両面に設けられた第１、第２強化層１７、１８の内部応力（引っ張り応力）が同一またはほぼ同一となり、カッピングの発生をより抑制できるからである。ここで、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みがほぼ同一とは、第１、第２強化層１７、１８の平均厚み差が５ｎｍ以内であることを意味する。

凝着抑制層１９は、積層体１０をロール状に巻き取った場合に、第１、第２強化層１７、１８が金属凝着して貼り付くことを抑制するためのものである。凝着抑制層１９は、導電性を有していてもよいし、絶縁性を有していてもよい。凝着抑制層１９は、内部応力として圧縮応力（すなわち基体１１の両主面のうち、凝着抑制層１９が設けられた面側を幅方向に且つ凸形状に湾曲させる応力）が働くものであってもよいし、内部応力として引っ張り応力（すなわち基体１１のうち、凝着抑制層１９が設けられた面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力）が働くものであってもよい。

第１、第２強化層１７、１８の引っ張り応力（内部応力）が異なる場合には、第１、第２強化層１７、１８のうち、より引っ張り応力が大きい強化層上に、内部応力として圧縮応力が働く凝着抑制層１９を設けるようにしてもよい。第１、第２強化層１７、１８の引っ張り応力の違いにより相殺仕切れなかった引っ張り応力を、凝着抑制層１９の圧縮応力により相殺することができるからである。また、第１、第２強化層１７、１８のうち、より引っ張り応力が小さい強化層上に、内部応力として引っ張り応力が働く凝着抑制層１９を設けるようにしてもよい。第１、第２強化層１７、１８の引っ張り応力の違いにより発生した圧縮応力を、凝着抑制層１９の引っ張り応力により相殺することができるからである。

凝着抑制層１９の平均厚みは、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、更により好ましくは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。凝着抑制層１９の平均厚みが１ｎｍ以上であると、凝着抑制層１９の平均厚みが薄くなりすぎ、凝着抑制層１９としての機能が低下することを抑制できる。一方、凝着抑制層１９の平均厚みが１００ｎｍ以下であると、凝着抑制層１９の平均厚みが厚くなりすぎる、すなわち凝着抑制層１９の内部応力が大きくなりすぎることを抑制できる。凝着抑制層１９の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。

第２強化層１８の平均厚みＤ２が７５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である場合、第２強化層１８の平均厚みＤ２に対する凝着抑制層１９の平均厚みＤ４の比率（Ｄ４／Ｄ２）が、０．００５以上０．３５以下であることが好ましい。比率（Ｄ４／Ｄ２）が０．００５以上であると、第２強化層１８の平均厚みＤ２に対して凝着抑制層１９の平均厚みＤ４が薄くなりすぎ、凝着抑制層１９としての機能が低下することを抑制できる。一方、比率（Ｄ４／Ｄ２）が０．３５以下であると、第２強化層１８の平均厚みＤ２に対して凝着抑制層１９の平均厚みＤ４が厚くなりすぎる、すなわち第２強化層１８の引っ張り応力に対して凝着抑制層１９の圧縮応力が大きくなりすぎることを抑制できる。したがって、カッピングの発生をより抑制できる。

凝着抑制層１９は、例えば、炭素および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含んでいる。凝着抑制層１９は、炭素を主成分とする炭素薄膜または金属酸化物を主成分とする金属酸化物膜であることが好ましい。炭素は、ダイヤモンドライクカーボン（以下「ＤＬＣ」という。）であることが好ましい。金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化銅および酸化コバルトのうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。凝着抑制層１９は、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法により形成されるＣＶＤ膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。

凝着抑制層１９は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できるからである。なお、その原理は、変形例３において強化層１５を２層以上の積層構造とする場合と同様である。凝着抑制層１９が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。

上述の構成を有する磁気記録媒体では、第１、第２強化層１７、１８の内部応力（引っ張り応力）が相殺し合って、磁気記録媒体にカッピングが発生することを抑制できる。したがって、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触状態を良好な状態に保持でき、かつトラック幅方向における高い寸法安定性を有する、オフトラック特性に優れた磁気記録媒体を提供できる。また、磁気記録媒体の製造工程において、積層体１０をロール状に巻き取った際に、凝着抑制層１９が第１、第２強化層１７、１８の間に介在するため、第１、第２強化層１７、１８の金属凝着を抑制することができる。

（変形例６）
磁気記録媒体が、リング型ヘッド以外の記録ヘッド（例えばSingle Pole Type（ＳＰＴ）の記録ヘッドなど）を備える記録再生装置を用いて、７５ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてもよい。

（変形例７）
記録トラック幅が２μｍを超える磁気記録媒体に本技術を適用してもよい。但し、記録トラック幅が２μｍ以下である磁気記録媒体において、漏れ磁界によるＳＮＲの劣化が特に顕著になる虞があるため、上述の一実施形態におけるように、記録トラック幅が２μｍ以下である磁気記録媒体に本技術を適用することが特に好ましい。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例１～１６、比較例１～１０において、平均粒子サイズ、保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ１、Ｓ２、ＳＦＤ曲線のピーク比Ｘ／Ｙ、活性化体積Ｖ_act、記録層の平均厚みおよび下地層の平均厚みは、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められたものである。

記録層用の磁性粉として、以下の粒子Ａ１～Ａ８、粒子Ｂ～Ｆの粉末を準備した。

［粒子Ａ１～Ａ８の粉末］
粒子Ａ１～Ａ８の粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子（ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶粒子）の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対して還元処理および徐酸化処理を施すことにより、２層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。

（還元処理）
まず、ε酸化鉄ナノ粒子の粉末を石英ボートに載せ、管状炉へ投入した。投入後、管状炉を一度Ｎ₂雰囲気に置換した後、所定の温度まで昇温させた。昇温後、１００％Ｈ₂を流量１００ｍｌ／ｍｉｎでフローさせながら、３５０℃で加熱処理を行った。これにより、ε酸化鉄ナノ粒子の表面が還元されα－Ｆｅに変態し、ε酸化鉄ナノ粒子の表面にα－Ｆｅ層が形成された。この際、３５０℃での加熱処理（還元処理）の時間を、表１に示すように０．０７ｈ～０．４５ｈの範囲で調整することにより、α－Ｆｅ層の厚みを０．５ｎｍ～３．５ｎｍの範囲で変化させた。その後、再びＮ₂雰囲気に置換して、室温まで冷却した。これにより、α－Ｆｅ層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末が得られた。

（徐酸化処理）
続いて、所定の温度まで加熱し、微量酸素を含むＮ₂ガスを流量１００ｍｌ／ｍｉｎでフローさせながら、３００℃で５分間加熱処理を行った。これにより、α－Ｆｅ層の表面が酸化され、α－Ｆｅ層の表面にα－Ｆｅ₂Ｏ₃層が形成された。その後、再びＮ₂雰囲気に置換して、室温まで冷却した。以上により、α－Ｆｅ₂Ｏ₃層（酸化被膜）およびα－Ｆｅ層（軟磁性層）を表面に有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末（粒子Ａ１～Ａ８の粉末）が得られた。

［粒子Ｂの粉末］
粒子Ｂの粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子（ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶粒子）の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対して還元処理およびスパッタリング処理を施すことにより、２層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。

（還元処理）
まず、粒子Ａ２の粉末と同様の還元処理を行うことにより、厚み２ｎｍのα－Ｆｅ層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。

（スパッタリング処理）
続いて、還元処理後の粒子が大気中に暴露されないように、スパッタリング処理を行うチャンバー内に搬送した。そして、粒子を振動させながら、Ａｌ₂Ｏ₃ターゲットを用いたスパッタリング処理を施すことにより、Ａｌ₂Ｏ₃層（酸化被膜）およびα－Ｆｅ層（軟磁性層）を表面に有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末（粒子Ｂの粉末）が得られた。

［粒子Ｃの粉末］
粒子Ｃの粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子（ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶粒子）の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対してスパッタリング処理を施すことにより、２層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。

（スパッタリング処理（Ｎｉ－Ｆｅ合金層））
まず、ε酸化鉄ナノ粒子をスパッタリング処理を行うチャンバー内に搬送した。そして、粒子を振動させながら、Ｎｉ－Ｆｅターゲットを用いたスパッタリング処理を施すことにより、Ｎｉ－Ｆｅ合金層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。

（スパッタリング処理（Ａｌ₂Ｏ₃層））
次に、粒子Ｂの粉末と同様のスパッタリング処理を行うことにより、Ａｌ₂Ｏ₃層（酸化被膜）およびＮｉ－Ｆｅ合金層（軟磁性層）を表面に有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末（粒子Ｃの粉末）を得た。

［粒子Ｄの粉末］
ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのε酸化鉄ナノ粒子（ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶粒子）の粉末を準備し、還元処理および徐酸化処理を施さずにそのままの状態で粒子Ｄの粉末とした。

［粒子Ｅの粉末］
粒子Ｅの粉末として、Ａｌが添加された、ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ１７ｎｍのε酸化鉄ナノ粒子の粉末を準備した。

［粒子Ｆの粉末］
粒子Ｆの粉末として、Ｇａが添加された、ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ１７ｎｍのε酸化鉄ナノ粒子の粉末を準備した。

上記の粒子Ａ１～Ａ８、粒子Ｂ～Ｆの粉末、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）粒子の粉末およびメタル粒子の粉末を用いて、実施例１～１６、比較例１～１０の磁気テープを以下のようにして作製した。

［実施例１～５、８、９、１４～１６、比較例１～３、６、８］
（記録層形成用塗料の調製工程）
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
粒子Ａ１～Ａ８の粉末（表１、２参照）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した記録層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バックコート層形成用塗料の調製工程）
バックコート層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バックコート層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、非磁性支持体である厚み６．２μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）上に平均厚み１．２μｍの下地層、および平均厚み７５ｎｍの記録層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルム上に、下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＮフィルム上に下地層を形成した。次に、下地層上に、記録層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向（垂直方向）に磁場配向させた。続いて、下地層、および記録層が形成されたＰＥＮフィルムに対してカレンダー処理を行い、記録層表面を平滑化した。その後、記録層とは反対側の面に、バックコート層形成用塗料を膜厚０．６μｍに塗布し乾燥することにより、バックコート層を形成した。

（裁断の工程）
上述のようにして下地層、記録層およびバックコート層が形成されたＰＥＮフィルムを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、表２に示す保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ１、Ｓ２および活性化体積Ｖ_actを有する磁気テープを得た。

なお、保磁力Ｈｃは、上記の粒子Ａ１～Ａ８の還元処理の工程において、α－Ｆｅ層の厚みを調整すると共に、上記の記録層の成膜工程において、記録層の成膜時の配向磁場中、乾燥風の風量を調整することで、表２に示す値に設定された。また、角形比Ｓ１、Ｓ２は、上記の記録層の成膜工程において、記録層の成膜時の配向磁場中、乾燥風の風量を調整し、表２に示す値に設定された。さらに、活性化体積Ｖ_actは、上記の記録層形成用塗料の調製工程において、磁性粉（粒子Ａ１～Ａ８）の分散状態を調整することで、表２に示す値に設定された。また、ＳＦＤ曲線のピーク比Ｘ／Ｙは、磁性粉（粒子Ａ１～Ａ８）を分級することで、表２に示す値に設定された。

［実施例６、７、比較例５］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、粒子Ａ２の粉末を用いた。また、上記の記録層の成膜工程において、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの長手方向（磁気テープの走行方向）に磁場配向させたのちに、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向（垂直方向）に磁場配向させた。さらに、記録層の成膜工程において、磁場配向の際の磁場の強度、および乾燥風の風量を調整することにより、角形比Ｓ１、Ｓ２を表２に示す値に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例４］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、粒子Ａ２の粉末を用いた。また、上記の記録層の成膜工程において、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの幅方向に磁場配向させたのちに、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向（垂直方向）に磁場配向させた。さらに、記録層の成膜工程において、磁場配向の際の磁場の強度、および乾燥風の風量を調整することにより、角形比Ｓ１、Ｓ２を表２に示す値に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［実施例１０～１３、比較例７］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、粒子Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの粉末を用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例９］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、六角板状を有するバリウムフェライト（ＢａＦｅ）粒子の粉末を用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例１０］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、針状を有するＦｅ－Ｃｏ合金系のメタル粒子の粉末を用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［磁気テープの評価］
上述のようにして得られた実施例１～１６、比較例１～１０の磁気テープに以下の評価を行った。

（ＳＮＲ）
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、実施例１のＳＮＲを０ｄＢとする相対値で表２に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)

（フリンジ量）
フリンジ量は磁気力顕微鏡（Digital Instruments社製、Nanoscope IV）を用いて観察された記録磁化パターン像から算出した。上述の記録再生ヘッド、及び、１/２インチ走行装置を用いて、記録波長２μｍで記録された磁化パターンを有するテープ片を作製し、磁気力顕微鏡を用いて記録磁化パターンの観察を行った。フリンジ量は、記録ヘッドのトラック幅を超えて位相ずれを伴って広がっているパターン幅から記録ヘッド幅を減じた量と定義した。

表１は、実施例１～１６、比較例１～８の磁気テープの作製に用いた磁性粉の構成を示す。

表２は、実施例１～１６、比較例１～１０の磁気テープの構成および評価結果を示す。

Ｈｃ：環境温度２５℃にて磁気テープの厚み方向（垂直方向）に測定された保磁力
Ｓ１：環境温度２５℃にて磁気テープの長手方向に測定された角形比
Ｓ２：環境温度２５℃にて磁気テープの幅方向に測定された角形比
Ｘ／Ｙ：磁気テープのＳＦＤ曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙ（図５参照）
Ｖ_act：磁性粉の活性化体積

上記の評価により以下のことがわかった。
実施例１～１６では、（ａ）記録層がε酸化鉄粒子の粉末を含み、（ｂ）磁気テープの走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、（ｃ）磁気テープの走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、（ｄ）保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、（ｅ）活性化体積Ｖ_actが、８０００ｎｍ³以下であり、（ｆ）ＳＦＤ曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上であるため、フリンジ量を低減し、良好なＳＮＲを得ることができる。
比較例１では、フリンジ量を低減することはできるが、保磁力Ｈｃが３２０ｋＡ／ｍを超えるため、記録ヘッドによる飽和記録が困難になり、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。
比較例２では、保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ未満であり、保磁力Ｈｃが小さすぎるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、フリンジ量が増加し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。
比較例３では、長手方向、幅方向の角形比Ｓ１、Ｓ２がいずれも３０％を超えるため、垂直配向性が低く、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、フリンジ量が増加し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。
比較例４では、Ｓ１＜Ｓ２であるため、ε酸化鉄の面内配向成分として磁気テープの幅方向の配向成分が優先的になるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、フリンジ量が増加し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。
比較例５では、磁気テープの走行方向に測定した角形比Ｓ１が３０％を超えるため、垂直配向性が低い。また、比率Ｓ１／Ｓ２が２．０を超えているため、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。これにより、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、フリンジ量が増加し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。
比較例６では、ピーク比Ｘ／Ｙが、３．０未満であるため、磁性粉がε酸化鉄特有の低保磁力成分を多く含む虞がある。このような成分を磁性粉が多く含むと、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、フリンジ量が増加し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。
比較例７では、シェル層を形成していないため、保磁力Ｈｃが高すぎ、信号の記録が困難である。
比較例８では、活性化体積Ｖ_actが８０００ｎｍ³を超えるため、磁性粉の分散性が悪いため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、フリンジ量が増加し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。
比較例９、１０では、磁性粉としてバリウムフェライト（ＢａＦｅ）粒子の粉末、Ｆｅ－Ｃｏ合金系のメタル粒子の粉末を用いているため、保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ未満であり、保磁力Ｈｃが小さすぎ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化する虞がある。したがって、フリンジ量が増加し、良好なＳＮＲが得られなくなる虞がある。また、比較例６では、粒子が針状を有するため、長手方向、幅方向の角形比Ｓ１、Ｓ２がいずれも３０％を大きく超えるため、垂直配向性が非常に低く、ＳＮＲが大きく悪化する虞がある。

以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
記録トラック幅が２μｍ以下である磁気記録媒体であって、
ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、
走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、
保磁力が、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、
活性化体積が、８０００ｎｍ³以下であり、
ＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上である磁気記録媒体。
（２）
前記粒子は、コアシェル構造を有している（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記粒子は、ε酸化鉄を含むコア部と、軟磁性層とを備える（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記粒子は、ε酸化鉄を含むコア部と、軟磁性層と、酸化被膜とを備える（２）に記載の磁気記録媒体。
（５）
前記粒子は、鉄以外の金属をさらに含む（１）に記載の磁気記録媒体。
（６）
前記金属は、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムのうちの少なくとも１種である（５）に記載の磁気記録媒体。
（７）
前記角形比Ｓ１と前記角形比Ｓ２との比率Ｓ１／Ｓ２が、１．０以上２．０以下である（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記ピーク比Ｘ／Ｙが、１０．０以上である（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
最短記録波長が７５ｎｍ以下である記録再生装置に用いられる（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える（９）に記載の磁気記録媒体。
（１１）
垂直磁気記録方式である（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
前記記録層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、前記データトラックの幅が２μｍ以下であり、
走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、
走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、
保磁力が、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、
活性化体積が、８０００ｎｍ³以下であり、
ＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上である磁気記録媒体。

１０Ａ 走行方向
１０Ｂ 幅方向
１１ 基体
１２ 下地層
１３ 記録層
１４ バックコート層
１５ 強化層
１６ カッピング抑制層
１７ 第１強化層
１８ 第２強化層
１９ 凝着抑制層
２０ ε酸化鉄粒子
２１ コア部
２２、２３ シェル部
２２ａ 第１シェル部
２２ｂ 第２シェル部
２４ 厚み方向（垂直方向）

Claims (13)

1. 記録トラック幅が２μｍ以下である磁気記録媒体であって、
   ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
   走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、
   走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、
   保磁力が、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、
   活性化体積が、８０００ｎｍ^３以下であり、
   ＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上である磁気記録媒体。
2. 前記粒子は、コアシェル構造を有している請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記粒子は、ε酸化鉄を含むコア部と、軟磁性層とを備える請求項２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記粒子は、ε酸化鉄を含むコア部と、軟磁性層と、酸化被膜とを備える請求項２に記載の磁気記録媒体。
5. 前記粒子は、鉄以外の金属をさらに含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
6. 前記金属は、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムのうちの少なくとも１種である請求項５に記載の磁気記録媒体。
7. 前記角形比Ｓ１と前記角形比Ｓ２との比率Ｓ１／Ｓ２が、１．０以上２．０以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
8. 前記ピーク比Ｘ／Ｙが、１０．０以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
9. 最短記録波長が７５ｎｍ以下である記録再生装置に用いられる請求項１に記載の磁気記録媒体。
10. 前記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える請求項９に記載の磁気記録媒体。
11. 垂直磁気記録方式である請求項１に記載の磁気記録媒体。
12. 前記活性化体積が、２５００ｎｍ ^３ 以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
13. ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
    前記記録層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、前記データトラックの幅が２μｍ以下であり、
    走行方向に測定した角形比が、３０％以下であり、
    走行方向に測定した角形比Ｓ１と幅方向に測定した角形比Ｓ２とが、Ｓ１≧Ｓ２の関係を満たし、
    保磁力が、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下であり、
    活性化体積が、８０００ｎｍ^３以下であり、
    ＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上である磁気記録媒体。

Images