JP7148792B2 - 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7148792B2
JP7148792B2 JP2018182720A JP2018182720A JP7148792B2 JP 7148792 B2 JP7148792 B2 JP 7148792B2 JP 2018182720 A JP2018182720 A JP 2018182720A JP 2018182720 A JP2018182720 A JP 2018182720A JP 7148792 B2 JP7148792 B2 JP 7148792B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
silver
semiconductor device
alloy plating
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018182720A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020053599A (ja
Inventor
保夫 加藤
和也 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2018182720A priority Critical patent/JP7148792B2/ja
Priority to US16/584,587 priority patent/US11264546B2/en
Publication of JP2020053599A publication Critical patent/JP2020053599A/ja
Priority to US17/576,221 priority patent/US12116516B2/en
Priority to JP2022138883A priority patent/JP7348567B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7148792B2 publication Critical patent/JP7148792B2/ja
Priority to US18/828,874 priority patent/US20250002783A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232—Lead-frames
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置に関する。
発光ダイオード（Light Emitting Diode、以下「ＬＥＤ」ともいう。）やレーザーダイオード（Laser Diode、以下「ＬＤ」ともいう。）のような半導体発光素子（以下、「発光素子」ともいう。）を備える光半導体装置は、例えば車載用、一般照明用、液晶表示装置のバックライト、プロジェクターなどの光源として用いられている。
光半導体装置において、発光素子からの光に対して高い反射率を有する銀又は銀合金のめっきを表面に設けたリードフレーム又は基板が採用されている。しかしながら、銀又は銀合金は硫化物によって硫化し易く、硫化によって変色し、反射率が低下する。特許文献１又は２には、反射率は銀よりも低いが、銀よりも耐硫化性に優れた金のめっきを表面に設けた基板を備えた光半導体装置が開示されている。金又は金合金を表面に設けたリードフレーム又は基板を備えた光半導体装置は、例えば高い信頼性が要求される車載用の光半導体装置として用いられる。
特開２００３－３４７５９６号公報 特開２００６－０９３３６５号公報
しかしながら、金は、樹脂材料との密着性が低い。リードフレーム又は基板上の表面に施された金めっきと、封止用の樹脂材料又は光半導体装置のパッケージを構成する成形体用の樹脂材料との密着性が低いと、例えば光半導体装置を回路基板にリフロー実装した場合、金めっきと樹脂材料によって構成された部材との界面からリフローしたはんだが染み込み、短絡などの不具合が生じる場合がある。また、樹脂材料に用いた樹脂の種類によっては、リフロー時の熱によって溶融し、金めっきと樹脂材料によって構成された部材の界面から溶融した樹脂材料が漏れ出すなどの不具合を生じる場合がある。
そこで本発明の一態様は、反射率が高く、樹脂材料との密着性を高めた光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の実施形態に係る光半導体装置用金属材料は、基体上に、ニッケル又はニッケル合金めっきの層と、金又は金合金めっきの層と、少なくとも一部に厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の銀又は銀合金のめっきの層とを、この順に有する。
本発明の実施形態に係る光半導体装置は、前記光半導体装置用金属材料からなるリードフレーム又は基板上に発光素子が搭載された光半導体装置である。
本発明の実施形態に係る光半導体装置用金属材料の製造方法は、基体上に、ニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程と、金又は金合金めっきの層を形成する工程と、厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の銀又は銀合金めっきの層を形成する工程と、をこの順に含む。
本発明の一実施の形態によれば、反射率が高く、樹脂材料との密着性を高めた光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置を提供することができる。
図１Ａは、一実施形態に係る光半導体装置を示す概略平面図である。 図１Ｂは、図１Ａの光半導体装置の概略断面図である。 図２Ａは、一実施形態に係る光半導体装置用金属材料の一部の概略断面図である。 図２Ｂは、他の実施形態に係る光半導体装置用金属材料の一部の概略断面図である。 図３Ａは、他の実施形態に係る光半導体装置を示す概略斜視図である。 図３Ｂは、図３Ａの光半導体装置の概略断面図である。 図４Ａは、光半導体装置の製造方法を説明するための概略断面製造工程図である。 図４Ｂは、光半導体装置の製造方法を説明するための概略断面製造工程図である。 図４Ｃは、光半導体装置の製造方法を説明するための概略断面製造工程図である。 図４Ｄは、光半導体装置の製造方法を説明するための概略断面製造工程図である。
以下、発明の実施の形態について、適宜図面を参照にして説明する。ただし、以下に説明する光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、特定の記載がない限り、本発明は、以下のものに限定されない。また、実施の形態において説明するめっき液の組成及びめっき操作条件は、一例である。また、実施の形態において説明する内容は、他の実施の形態にも適用可能である。図面が示す部材の大きさや位置関係は、説明を明確にするために誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称又は符号は、原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。
実施の形態１
光半導体装置
図１Ａ及び図１Ｂに、実施形態１の光半導体装置１００の構造を示す。本実施形態の光半導体装置１００は、平面視において矩形である発光素子２と、一対の板状の光半導体装置用金属材料１からなるリードフレーム１０（以下、単に「リードフレーム１０」ともいう。）と、リードフレーム１０の一部が埋め込まれた樹脂成形体３と、を備える。
樹脂成形体３は、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物によって構成される。樹脂成形体３は、底面と側面を持つ凹部を形成しており、凹部の底面は一対のリードフレーム１０の一部で構成され、側面は、所定の傾斜角度を有する反射面３１が形成されている。一対のリードフレーム１０の間は、樹脂成形体３を構成する樹脂組成物によって埋められ、樹脂成形体３の底面の一部３２を構成する。樹脂成形体３は、平面視において横長である形状である。樹脂成形体３は、リードフレーム１０が底面に露出された横長の凹部を有する。樹脂成形体３の外面には、一対の板状のリードフレーム１０の一部が外部端子部として露出し、外部端子部は樹脂成形体３の下面に沿って折り曲げられている。発光素子２は、凹部の底面を構成する一対のリードフレーム１０の一方に搭載される。発光素子２は封止部材５により被覆されている。封止部材５は、例えば、発光素子２からの光を波長変換する蛍光体と封止材料を含む。封止材料は、透光性樹脂を含むことが好ましい。蛍光体は、発光素子２からの光により励起されて、発光素子２からの光を波長変換し、特定の波長範囲に少なくとも一つの発光ピーク波長を有する光を発する。また、発光素子２は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極は一対のリードフレーム１０とそれぞれワイヤ６を介して電気的に接続されている。一対のリードフレーム１０を介して、外部からの電力の供給を受けて光半導体装置１００を発光させることができる。
実施の形態２
光半導体装置用金属材料
図２Ａは、リードフレーム１０又は基板を構成する光半導体装置用金属材料１の一実施形態を示す概略断面図である。
光半導体装置用金属材料１は、基体１ａと、基体１ａ上に、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂと、金又は金合金めっき層１ｃ１と、銀又は銀合金めっき層１ｄとをこの順に有する。銀又は銀合金めっき層１ｄの厚さは０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下である。金又金合金めっき層１ｃ１は、銀又は銀合金めっき層１ｄの下地層を構成する。
光半導体装置用金属材料１からなるリードフレーム１０は、発光素子２を搭載する搭載部材、発光素子２から出射された光を反射する反射部材、発光素子２と電気的に接続される導電部材としての機能を兼ねている。さらに、リードフレーム１０は発光素子２から発せられる熱の放熱を行う放熱部材としての機能を兼ねていてもよい。光半導体装置用金属材料１からなるリードフレーム１０は、実施形態１のように、発光素子２の下方に設けられていてもよく、発光素子２を取り囲むリフレクタ形状に設けられていてもよい。また、リードフレーム１０は、板状のリードフレームであってもよい。光半導体装置用金属材料１は、絶縁性の基体上に形成された配線として用いてもよい。
光半導体装置用金属材料１は、表層に銀又は銀合金めっき層１ｄを有するため、反射率が高く、発光素子２からの光と、封止部材５に含まれる蛍光体によって波長変換された光と効率よく反射し、光半導体装置１００からの発光効率を高めることができる。
また、光半導体装置用金属材料１は、表層に厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の非常に薄い銀又は銀合金めっき層１ｄを有するため、金又は金合金めっきよりも樹脂との密着性が良く、光半導体装置１００においては、例えば封止部材５及び樹脂成形体３との密着性を向上することができる。光半導体装置用金属材料１からなるリードフレーム１０は、樹脂材料の密着性が高いため、このリードフレーム１０を用いた光半導体装置１００をプリント基板に半田リフロー実装する工程において、半田が光半導体装置内に浸入することや封止材料（以下、「封止樹脂」と称する場合もある。）が樹脂成形体３の外に漏れるのを防止することができる。
さらに、光半導体装置用金属材料１は、表層である銀又は銀合金めっき層１ｄの下地層として、金又は金合金めっき層１ｃ１を有するため、銀又は銀合金めっきよりも硫化物と反応し難い金又は金合金めっき層１ｃ１によって、硫化による変色を抑制することができる。光半導体装置金属材料１をリードフレーム１０に用いた光半導体装置１００は、硫化変色による光束の低下を抑制し、高い光束を維持することができる。
光半導体装置用金属材料１は、図２Ａに示すように、基体１ａを中心として、互いに対向する一対の二面において、基体１ａ上に、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂと、金又は金合金めっき層１ｃ１と、銀又は銀合金めっき層１ｄとをこの順に有する。光半導体装置用金属材料１は、板状の基体１ａを中心として互いに対向する二対の四面において、基体１ａを中心にくるむように、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂと、金又は金合金めっき層１ｃ１と、銀又は銀合金めっき層１ｄとをこの順に有していてもよい。板状の基体１ａの一対の対向する二面は上面又は底面という場合があり、板状の基体１ａの他の対向する二面は側面という場合がある。
光半導体装置用金属材料１は、４５５ｎｍに発光ピーク波長を有する光に対する反射率が２５％以上５５％以下であることが好ましい。光半導体装置用金属材料の反射率は、より好ましくは３０％以上５５％以下であり、さらに好ましくは３５％以上５５％以下である。
光半導体装置用材料１の表面は、厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下と薄い銀又は銀合金めっき層１ｄで被覆されており、下地層が金又は金合金めっき層１ｃ１であるため、ほぼ金又は金合金めっき層１ｃ１の反射率に近い反射率を有する。光半導体装置用材料１の反射率は、表層の銀又は銀合金めっき層１ｄの厚さと共に、下地層である金又は金合金めっき層１ｃ１の厚さによっても変化する。光半導体装置用金属材料１の反射率が２５％以上５５％以下の範囲であれば、薄い銀又は銀合金めっき層１ｄと金又は金合金めっき層１ｃ１との両方の反射率を合わせた値となり、表層に設けた銀又は銀合金めっき層１ｄによって、樹脂材料である封止部材５又は樹脂成形体３との密着性が良好となり、硫化を抑制して、光束を維持することができる。光半導体装置用金属材料１の反射率が２５％未満であると、下地層であると金又は金合金めっき層１ｃ１の反射率にほぼ近い値となる。また、光半導体装置用金属材料１の反射率が５５％を超えると、銀又は銀合金めっき１ｄの反射率に近い値となり、銀又は銀合金めっき層１ｄが比較的厚くなる。
光半導体装置用金属材料１は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値で表される色度が、３５以上５５以下であることが好ましい。光半導体装置用金属材料１のｂ＊値で表される色度が、より好ましくは３６以上５２以下であり、さらに好ましくは３７以上５０以下である。光半導体装置用金属材料１の表面は、厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下と薄い銀又は銀合金めっき層１ｄで被覆されており、下地層が金又は金合金めっき層１ｃ１であるため、ほぼ金又は金合金めっき層１ｃ１の色度に近い色度を有する。光半導体装置用材料１の色度は、銀又は銀合金めっき層１ｄの厚さと共に、下地層である金又は金合金めっき層１ｃ１の厚さによっても変化する。光半導体装置用金属材料１は、ｂ＊値が３５以上５５以下の範囲であれば、薄い銀又は銀合金めっき層１ｄと金又は金合金めっき層１ｃ１との両方の色度ｂ＊値を合わせた値となり、表層に設けた銀又は銀合金めっき層１ｄによって、樹脂材料である封止部材５又は樹脂成形体３との密着性が良好となり、硫化を抑制して、光束を維持することができる。光半導体装置用金属材料１の色度ｂ＊値が３５未満であると、下地層であると金又は金合金めっき層１ｃ１の色度ｂ ＊ 値にほぼ近い値となる。また、光半導体装置用金属材料１の色度ｂ＊値が５５を超えると、銀又は銀合金めっき１ｄの色度ｂ ＊ 値に近い値となり、銀又は銀合金めっき層１ｄが比較的厚くなる。
銀又は銀合金めっき層１ｄ
銀または銀合金めっき層１ｄは、光半導体装置用金属材料１の表面に設けられる。銀又は銀合金めっき層１ｄの厚みは、０．００１μｍ以上０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．００２μｍ以上０．００９μｍ以下、より好ましくは０．００３μｍ以上０．００８μｍ以下である。銀又は銀合金めっき層１ｄの厚さが０．００１μｍ未満と薄くなると、封止部材５及び樹脂成形材３との密着性が低下する場合がある。また、銀又は銀合金めっき層１ｄの厚さが０．０１μｍを超えて厚くなると、硫化により変色しやすくなり、反射率が大幅に低下するおそれがある。
銀又は銀合金めっき層１ｄの材料としては、銀単体、銀と、金、白金、ロジウム、パラジウム、インジウム及びセレンから選ばれる少なくとも一種の金属との合金を用いることができる。銀合金である場合には、銀の割合がおよそ７０質量％～９９質量％であることが好ましい。
銀又は銀合金めっき層１ｄは、光半導体装置用金属材料１の全ての表面に設けられている必要はない。つまり、光半導体装置用金属材料１の表面の少なくとも一部が銀又は銀合金めっき層１ｄであればよい。例えば、図１Ａ及び図１Ｂに示した樹脂成形体３の凹部の底面に露出していない、リードフレーム１０のうち、樹脂成形体３の側壁部の内部に埋設された埋設部や封止部材５と密着している埋没部は、樹脂との密着向上のため、その表面に銀又は銀合金めっき層１ｄを必要とするが、樹脂成形体３の外部に露出した外部端子部や光半導体装置の底面側に露出した実装部には、その表面に銀又は銀合金めっき層１ｄが設けられていなくてもよい。このように光半導体装置用金属材料１の一部に銀又銀合金めっき層１ｄを設けるためには、銀又は銀合金めっき層１ｄを形成する際に、銀又は銀合金めっき層１ｄを必要としない部分を保護テープでマスクし、銀又は銀合金めっき層１ｄを表面の一部に形成することができる。
銀又は銀合金めっき層１ｄは、樹脂成形体３又は封止部材５と直接密着してない部位であるなら、本実施形態のように板状の光半導体装置用金属材料１の一対の対向する二面、例えば上面及び底面との両方に設けられていてもよく、ある面のみに設けられ他の面には設けられていなくてもよい。また、一つ面の中で一部のみに設けられてもよい。また、銀又は銀合金めっき層１ｄは、設けられている全領域にわたって同一の厚みであってもよく、厚みが異なっていてもよい。厚みを異ならせることにより、より効果的にコストを低減することができる。例えば、銀又は銀合金めっき層１ｄが光半導体装置用金属材料１の上面と底面とに設けられ、一方の面での厚みが他方よりも厚くてもよい。樹脂成形体３又は封止部材５と直接密着している部分に比較的厚い銀又は銀合金めっき層１ｄを設けることで、光半導体装置１００をプリント基板に半田リフロー実装する工程において、半田が光半導体装置１００内に浸入することをより抑制することができる。
基体１ａ
光半導体装置用金属材料１は、銀又は銀合金めっき１ｄがその上に積層される基体１ａを有する。本実施形態においては、基体１ａは、光半導体装置用金属材料１のおおまかな形状を決定する材料として用いられる。
基体１ａの材料としては、銅、鉄、これらの合金、あるいはクラッド材（例えば銅／鉄ニッケル合金／銅の積層）などを好適に用いることができる。銅やその合金は、放熱性に優れているため、好ましく用いることができる。特に、板状の銅及び銅合金は、機械的特性、電気的特性、加工性などの面においても優れており、好ましい。クラッド材は、線膨張係数を低く抑えることができるため、光半導体装置１００の信頼性を高めることができる。
基体１ａの厚さや形状などについては、光半導体装置１００の形状などに応じて種々選択することができる。例えば、板状、塊状、膜状などの形状とすることができる。更には、セラミックなどに印刷などで設けられる配線パターンであってもよく、形成された配線パターンに銅やその合金をめっきしたものであってもよい。
光半導体装置用金属材料１の光の反射率を高めるため、基体１ａの平坦度は、なるべく高いことが好ましい。例えば、基体１ａの表面粗さＲａが０．５μｍ以下であることが好ましい。これにより、基体１ａの上に設けるニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂ、金又は金合金めっき層１ｃ１、必要に応じて設けられる後述するロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層１ｃ２、及び銀又は銀合金めっき層１ｄの平坦度を高めることができる。また、基体１ａの平坦度が高いと、表層に設けられる銀又は銀合金めっき層１ｄの厚みが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下と非常に薄くしても、光半導体装置用金属材料１の反射率を良好に高めることができる。基体１ａの平坦度は、圧延処理、物理研磨、化学研磨などの処理を行うことで高めることができる。基体１ａの平坦度は、基体１ａを構成する材料と同種類の材料のめっきを行うことによって高めることもできる。例えば、銅合金からなる基体１ａの場合は、銅合金めっきを行うことによって、基体１ａの平坦度を高めることができる。
ニッケル又はニッケル合金層１ｂ
本実施形態の光半導体装置用金属材料１は、基体１ａ上にニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂを有する。
ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂの厚さは、好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下である。ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂの厚さが０．５μｍ以上であると、基体１ａから基体１ａに含まれる金属が下地層である金又は金合金めっき層１ｃ１や、表層である銀又は銀合金めっき層１ｄへ拡散することを効果的に低減させることができる。ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂの厚さが１０μｍ以下であると、原材料や製造コストが低減することができる。ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂの材料としては、例えば、ニッケルのほか、ニッケルリン、ニッケルスズ、ニッケルコバルトなどの合金を用いることができる。
金又は金合金めっき層１ｃ1
本実施形態の光半導体装置用金属材料１は、表層である銀又は銀合金めっき層１ｄの下地層として、金又は金合金めっき層１ｃ１を備える。表層の下地層１ｃとして、種々の目的で、別の材料からなる複数の層を備えていてもよい。
銀又は銀合金めっき層１ｄに接触する下地層は、銀と密着性が高く、銀に比べて硫黄成分と反応しにくい金属である金又は金合金めっき層１ｃ１であることが好ましい。特に金が好ましい。金又は金合金めっき層１ｃ１の厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、より好ましくは０．０２μｍ以上０．９μｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以上０．８μｍ以下である。金又は金合金めっき層の厚さが０．０１μｍ以上であると、ワイヤ６によるワイヤボンディング性や発光素子とのダイボンディング性が良好となる。また、金又は金合金めっき層の厚さが１μｍ以下であると、材料コストを低減することができる。金合金として、金コバルト、金ニッケル、金インジウム、金パラジウムなどが好ましい。
実施の形態３
光半導体装置用金属材料
図２Ｂは、リードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の他の実施形態を示す概略断面図である。光半導体装置用金属材料１は、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂと、金又は金合金めっき層１ｃ１との間に、下地層１ｃとして、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層１ｃ２を有することが好ましい。
ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層１ｃ２
本実施形態の光半導体装置用金属材料１は、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂに接触する下地層として、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層１ｃ２を有することが好ましい。銅を含む材料からなる基体１ａを用いた場合、基体１ａの上にニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂを設け、その上に第２の下地層としてパラジウム、ロジウム、パラジウム合金、ロジウム合金めっき層１ｃ２を設け、その第２の下地層の上に、金又は金合金めっき層１ｃ１を第１の下地層として設け、表層に銀又は銀合金めっき層１ｄをこの順に積層させることが好ましい。このような構成とすることで、基体１ａに含まれるイオン化傾向の低い金属、例えば銅が、よりイオン化傾向が低い金属を含む第１の下地層である金又は金合金めっき層１ｃ１と、表層である銀又は銀合金めっき層１ｄに拡散するのを抑制することができ、金又は金合金めっき層１ｃ１と銀又は銀合金めっき層１ｄとの密着性を高めることができる。また、基体１ａに含まれる銅の拡散が抑制されることで、光半導体装置用金属材料１をリードフレーム１０として用いた場合に、ワイヤボンディング性を高めることができる。
ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層１ｃ２の厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上０．３μｍ以下であり、より好ましくは０．０２μｍ以上０．２μｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以上０．１μｍ以下である。ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層１ｃ２の厚さが０．０１μｍ以上０．３μｍ以下であると、基体１ａに含まれる金属の他の下地層及び表層への拡散を抑制し、各層の密着性を高めることができる。
銀又は銀合金めっき１ｄの第１の下地層１ｃ１及び第２の下地層１ｃ２を含む下地層１ｃは、硫化防止と基体１ａに含まれる金属の他の層への拡散防止の役割の両方を兼ねる層としてもよい。これにより、コストを低減することができる。例えば、金は硫黄成分と反応しにくく、拡散防止の効果も高いため、好ましく用いることができる。
光半導体装置用金属材料１は、例えば、後述する図３Ａ及び３Ｂに示すように、略平板状であることが好ましい。これにより、光半導体装置用金属材料１の信頼性を高めることができる。ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂは、銅又は銅合金の金属層より多少脆いので、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂを備える光半導体装置用金属材料１は、屈曲させずに平板状のまま用いることが好ましい。
実施の形態４
光半導体装置
図３Ａ及び図３Ｂは、実施形態４の光半導体装置２００の構造を示す。本実施形態の光半導体装置２００は、屈曲部を有さないリードフレーム１０を有する。実施形態１の光半導体装置１００と、共通する部材には、同一の符号を付した。
次に、実施形態１の光半導体装置１００及び実施形態４の光半導体装置用２００を構成する各部材について説明する。
発光素子２
発光素子２は、任意の波長の半導体発光素子を選択することができる。例えば、青色、緑色発光の発光素子２としては、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの窒化物系半導体やＧａＰを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる発光素子２を用いることもできる。用いる発光素子２の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
光半導体装置が波長変換可能な部材を備える場合には、その波長変換可能な部材を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子２とすることができる。
発光素子２は、光半導体装置用金属材料１からなるリードフレーム１０又は基板上に実装することが好ましい。これにより、光半導体装置の光取出し効率を向上させることができる。
発光素子２は、導電部材と電気的に接続される正負の電極を有している。これらの正負の電極は一面側に設けられていてもよく、発光素子２の上下両面に設けられていてもよい。導電部材との接続は、後述の接合部材４とワイヤ６によってなされてもよく、フリップチップ実装によってなされてもよい。
樹脂成形体３
樹脂成形体３は、一対のリードフレーム１０を一体的に保持する樹脂組成物からなる部材である。樹脂成形体３の平面視形状は、図１Ａに示すような一対の対向する辺が他の対向する辺よりも長い、平面が略長方形状であってもよく、図３Ａに示すような四角形であってもよい。その他、樹脂成形体３は、多角形、更にそれらを組み合わせたような形状とすることができる。樹脂成形体３が凹部を有する場合、凹部の側壁部３１は、その内側面は図３Ｂに示すような底面に対して傾斜した角度で設けた傾斜面を有してもよく、略垂直な角度であってもよく、段差面を有していてもよい。また、その高さや開口部の形状などについても、目的や用途に応じて適宜選択することができる。凹部の内部にはリードフレーム１０が設けられることが好ましい。一対のリードフレーム１０の間は、樹脂成形体３を構成する樹脂組成物によって埋められ、樹脂成形体３の底面の一部３２を構成する。
樹脂成形体３は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成することができる。特に、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂を含む組成物としては、封止部材５に用いられる樹脂に比してガス透過性の低い樹脂が好ましく、具体的にはエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ウレタン樹脂、変性ウレタン樹脂組成物などを挙げることができる。樹脂成形体３を構成する樹脂組成物には、充填材（フィラー）としてＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）２、及びＣａ（ＯＨ）２から選ばれる少なくとも１種の無機粒子を含有してもよい。樹脂成形体３を構成する樹脂組成物に、フィラーとして無機粒子を含まれることによって、樹脂成形体３の光の透過率を調整することができる。
なお、樹脂成形体３の他に、リードフレーム１０を保持する部材としては、セラミックやガラスや金属などの無機物で形成されてもよい。これにより、劣化などが少なく、信頼性の高い光半導体装置１００又は２００とすることができる。
接合部材４
接合部材４は、発光素子２をリードフレーム１０に固定し実装する部材である。導電性の接合部材４の材料として、銀、金、パラジウムを含む導電性ペースト、金－スズ、スズ－銀－銅などの共晶はんだ材料、低融点金属などのろう材、銅、銀、金粒子、銀又は銀合金めっき層１ｄと同様の材料を用いることができる。絶縁性の接合部材４としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物やその変性樹脂、ハイブリッド樹脂などを用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、発光素子２からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子２の実装面にアルミニウム膜や銀膜などの反射率の高い金属層や誘電体反射膜を設けることができる。
封止部材５
封止部材５は、発光素子２、リードフレーム１０、ワイヤ６、後述する保護膜の各部材を被覆するよう設けられる。光半導体装置は、封止部材５を備えることで、被覆した部材を塵芥や水分、更には外力などから保護することができ、光半導体装置の信頼性を高めることができる。特に、保護膜を形成した後に封止部材５を保護膜上に設けることで、保護膜を保護することができるため、光半導体装置の信頼性が高まる。
封止部材５は、発光素子２からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。封止部材５に用いる具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、フッ素樹脂組成物など、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。特にジメチルシリコーン、フェニル含有量の少ないフェニルシリコーン、フッ素系シリコーン樹脂などシロキサン骨格をベースに持つ樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂なども用いることができる。
封止部材５の形成方法は、封止部材５を構成する材料に樹脂が含まれる場合、ポッティング（滴下）法、圧縮成型法、印刷法、トランスファモールド法、ジェットディスペンス法、スプレー塗布などを用いることができる。光半導体装置が凹部を有する樹脂成形体３を備える場合は、ポッティング法が好ましく、光半導体装置が平板状の基体を用いる場合は、圧縮成型法やトランスファモールド法が好ましい。
封止部材５は、図１Ｂ又は図３Ｂに示すように、樹脂成形体３の凹部内を充填するよう設けることが好ましい。
封止部材５の外表面の形状については、光半導体装置に求められる配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状、粗面などとすることで、光半導体装置の指向特性や光取出し効率を調整することができる。
封止部材５には、着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換部材などを含有させることもできる。
波長変換部材は、発光素子２の光を波長変換させる材料である。発光素子からの発光が青色光の場合、波長変換部材としては、アルミニウム酸化物系蛍光体の一種であるイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（以下、「ＹＡＧ：Ｃｅ」と呼ぶ。）が好適に用いられる。ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体は、発光素子からの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するため、白色系の混色光を発する高出力な光半導体装置を、比較的簡単に形成することができる。
ワイヤ６
ワイヤ６は発光素子２とリードフレーム１０などの導電部材とを接続する。ワイヤ６の材料は、金、アルミニウム、銅など及びこれらの合金が好適に用いられる。また、ワイヤ６は、コアの表面にコアと別の材料で被覆層を設けたもの、例えば、銅のコアの表面にパラジウムやパラジウム金合金などを被覆層として設けたものを用いることができる。なかでも、ワイヤ６の材料は、信頼性の高い金、銀、銀合金のいずれか１種から選ばれることが好ましい。また、特に、光反射率の高い銀または銀合金であることが好ましい。この場合は特に、ワイヤ６は保護膜によって被覆されることが好ましい。これにより、銀を含むワイヤの硫化や断線を防止し、光半導体装置の信頼性を高めることができる。また、リードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の基体１ａが銅からなり、ワイヤ６が銀又は銀合金からなる場合、光半導体装置用金属材料１が、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂを備えることによって、銅と銀での間の局部電池の形成を抑制することができる。これにより、リードフレーム１０及びワイヤ６の劣化が抑制され、信頼性の高い光半導体装置とすることができる。
保護膜
光半導体装置１００又は２００はさらに、保護膜を備えてもよい。保護膜は、リードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の表面に設けられた銀又は銀合金めっき層１ｄを少なくとも被覆する。保護膜は、主としてリードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の表面の銀又は銀合金めっき層１ｄの変色または腐食を抑制する部材である。さらに、任意に、発光素子２、接合部材４、ワイヤ６、基体（樹脂成形体３）などのリードフレーム１０以外の部材の表面や、銀又は銀合金めっき層１ｄが設けられていない光半導体装置用金属材料１の表面を被覆してもよい。ワイヤ６が銀又は銀合金である場合、保護膜はワイヤ６を被覆するよう設けられることが好ましい。これにより、銀を含むワイヤの硫化や断線を防止し、光半導体装置の信頼性を高めることができる。
保護膜は、原子層堆積法（以下、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ともいう。）によって形成されることが好ましい。ＡＬＤ法によれば、非常に均一な保護膜を製膜することができるとともに、形成された保護膜が他の成膜方法で得られる保護膜に比較して緻密であるため、例えばリードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の銀又は銀合金めっき層１ｄの硫化を非常に有効に防止することができる。
保護膜の材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＳｅＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２などの酸化物や、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＦ２、ＳｒＦ２などのフッ化物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。或いは、積層させるようにしてもよい。
なお、接合部材４とリードフレーム１０との熱膨張率差により、発光素子２の周囲において保護膜にクラックが形成され、発光素子２の近傍のリードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の銀又は銀合金めっき層１ｄが硫化するおそれがある。リードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の銀又は銀合金めっき層１ｄの厚みを０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下と非常に薄くすることで硫化の進行が低減され、リードフレーム１０の反射率の低下を抑えることができる。
光半導体装置は、上記の他、種々の部材を備えることができる。例えば、保護素子としてツェナーダイオードを搭載することができる。
光半導体装置の製造方法
次に、光半導体装置の製造方法の一例として、実施形態４の光半導体装置２００の製造方法を図４Ａ乃至図４Ｄに基づき説明する。
図４Ａに示すように、本発明の実施形態２又は３の光半導体装置用金属材料１からなるリードフレーム１０を準備する。具体的には、光半導体装置用金属材料１の基体１ａを構成する例えば銅の金属板をパンチングし、後述する光半導体装置用金属材料１の製造方法で説明するように、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂ、必要に応じてロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層１ｃ２、金又は金合金めっき層１ｃ１、銀又は銀合金めっき層１ｄを形成し、リードフレームであるリードフレーム１０を形成する。
図４Ｂに示すように、リードフレーム１０に、トランスファモールド法で樹脂成形体３を形成する。樹脂成形体３は、リードとなる一対のリードフレーム１０が、それぞれに樹脂成形体３の凹部の底面に露出するように形成される。つまり、リードフレーム１０はそれぞれの樹脂成形体３の凹部の底面に露出されている。
次に、図４Ｃに示すように、樹脂成形体３が形成されたリードフレーム１０の発光素子２を搭載する領域に、図示を省略した接合部材を介して発光素子２を搭載する。そして、発光素子２とリードフレーム１０とを図示を省略したワイヤによって接続する。その後、樹脂成形体３のそれぞれの凹部内に封止部材５を設ける。
そして、図４Ｄに示すようなリードフレーム１０と樹脂成形体３を、ダイシングソーなどを用いて切断し、図３Ａ及び図３Ｂに示すような個々の光半導体装置に個片化する。この切断により、光半導体装置２００の外側面にリードフレーム１０の断面が露出する。この断面においては、リードフレーム１０を構成する光半導体装置用金属材料１の銅の基体１ａと、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂ、必要に応じてロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合めっき層１ｃ２、金又は合金めっき層１ｃ１、さらに銀又は銀合金めっき層１ｄが露出している。
実施の形態５
光半導体装置用金属材料の製造方法
次に、光半導体装置用金属材料の製造方法について説明する。
実施形態５の光半導体装置金属材料の製造方法は、基体上に、ニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程と、必要に応じて、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金のめっきの層を形成する工程と、金又は金合金めっきの層を形成する工程と、厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の銀又は銀合金めっきの層を形成する工程の各工程をこの順に含む。
基体は、ウェットエッチングにより、所定の位置に段差を形成し、段差を形成した後に、前記各工程を行ってもよい。
ニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程と、必要に応じて、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金のめっきの層を形成する工程と、金又は金合金めっきの層を形成する工程は、各めっき層の形成が容易であるため、電解めっき法又は無電解めっき法により行うことが好ましい。なかでも電解めっき法は、層の形成の速度が速く、量産性を高めることができるため、好ましい。
めっきをする前に、基体の前処理を行ってもよい。前処理としては、希硫酸、希硝酸、希塩酸などの酸処理や、水酸化ナトリウムなどのアルカリ処理が挙げられ、これらを１回又は数回、同じ処理又は異なる処理を組み合わせて行ってもよい。前処理を数回行う場合は、各処理後に純水を用いて流水洗浄するのが好ましい。基体が銅や銅を含む合金からなる金属板の場合、前処理に希硫酸を用いることが好ましい。基体が鉄や鉄を含む合金からなる金属板の場合、前処理に希塩酸を用いることが好ましい。
光半導体装置用金属材料は、各層を形成した後、２００℃以上４５０℃以下の温度、５分以上２時間以内の処理時間で、熱処理する工程をさらに含むことが好ましい。熱処理は、大気中でも良いし窒素ガスなどの不活性雰囲気や水素ガスなどの還元雰囲気でもよいが、銀又は銀合金めっき中の銀の酸化を防止するため、窒素ガス雰囲気中で熱処理することが好ましい。また、熱処理方法としては、熱風恒温器中のようなバッチ処理でもよいし、連続めっき装置の最終工程に熱風炉や赤外炉を設けて連続的に熱処理してもよい。これらの熱処理によって、非常に薄い銀又は銀合金めっき層と直下の金又は金合金めっき層が適宜相互拡散して、さらに成形樹脂又は封止樹脂との密着を向上することができるため好ましい。なお、熱処理の温度と処理時間は、各めっき層の厚さの組み合わせを勘案して決めることができる。
ニッケル又はニッケル合金のめっき層を形成する工程において、めっき層を構成する材料が、純ニッケルの場合は、例えばスルファミン酸ニッケルを含むめっき液を使用して電解めっきして形成することができる。また、ニッケルリン合金である場合は、次亜リン酸ニッケルめっき液を使用して無電解めっきして形成することができる。
パラジウム、ロジウム、パラジウム合金又はロジウム合金めっきの層を形成する工程において、めっき層を構成する材料が、パラジウム合金の場合は、例えばテトラアンミンパラジウム塩化物を含むめっき液を使用して電解めっきして形成することができる。めっき層を構成する材料がロジウム合金の場合は、例えば硫酸ロジウムを含むめっき液を使用して電解めっきして形成することができる。
金又は金合金めっき層を形成する工程において、めっき層を構成する材料が金合金場合には、例えばシアン化金カリウムを含むめっき液を使用して電解めっきして形成することができる。
銀又は銀合金めっきの層を形成する工程において、めっき層を構成する材料が銀合金の場合は、シアン化銀カリウム又はシアン化銀を銀濃度で０．１ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下と、シアン化カリウム又はシアン化ナトリウムを０．５ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下とを含む、めっき液を使用することが好ましい。また、めっき液は、炭酸塩、リン酸塩、硝酸塩、クエン酸塩及び硫酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の電気伝導塩を５ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下含むことが好ましい。めっき液に電気伝導塩を含むことによって、工業的に安定してめっき液を使用することができ、経済的に銀又は銀合金めっき液を製造することができる。
銀又は銀合金めっきの層を形成する工程において、めっき液を用いて、めっき液の液温が２０℃以上７０℃以下、陽極に銀又は銀合金からなる可溶性電極、陰極にステンレス、白金又は白金被覆チタン電極を用いて、陰極電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２以上１５Ａ／ｄｍ２以下、めっき時間が１秒間以上１分間以内の条件で、電解めっきを行うことが好ましい。この条件で銀又は銀合金めっきの層を形成することにより、工業的に安定して、経済的に、厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の薄い銀又は銀合金めっきの層を形成することができる。銀又は銀合金めっき層１ｄを電解めっきで形成する際には、Ｓｅ系光沢剤、Ｓｂ系光沢剤、Ｓ系光沢剤、有機系光沢剤などの光沢剤を併用してもよいし、光沢剤を併用しなくてもよい。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
実施例１乃至１１
図２Ａ又は図２Ｂに示すように、銅合金の基体１ａの表面に、ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂ、必要に応じて下地層であるパラジウム、ロジウム、パラジウム合金又はロジウム合金めっき層１ｃ２、下地層である金又は金合金めっき層１ｃ１、その上に表層である銀又は銀合金めっき層１ｄを、この順で、以下に示す浴組成を有する各めっき液を用いて、各条件で電解めっきにて形成した光半導体装置用金属材料１を用いて、一対のリードフレームであるリードフレーム１０を用意した。各実施例及び比較例における各層の厚さは表１に記載した。実施例９及び１０は、表１に示す温度及び時間、光半導体装置用金属材料１に熱処理を行った。めっき時間は１秒間以上１分間以内に調整した。
基体１ａ
銅の基体：三菱伸銅株式会社製のＴＡＭＡＣ１９４材をプレス金型でリードフレーム形状にしたものを使用した。
４２アロイ合金の基体：ＤＯＷＡメタニクス株式会社製４２％Ｎｉ-Ｆｅをプレス金型でリードフレーム形状にしたものを使用した。
鉄材：新日鐵住金株式会社製のＳＰＣＥ－ＳＢをプレス金型でリードフレーム形状にしたものを使用した。
ニッケル又はニッケル合金めっき層１ｂ
ニッケルめっき層１ｂは、標準的なスルファミン酸電解めっき浴として、以下の浴組成のめっき液を用いた。
スルファミン酸ニッケル：４５０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル：１０ｇ／Ｌ
ほう酸：３０ｇ／Ｌ
ｐＨ４．０
前記めっき液を用いて、めっき時間を調整し液温５５℃、陰極電流密度５Ａ／ｄｍ２で電解めっきしてニッケルめっき層を作製した。陽極は硫黄添加のニッケル板を使用した。
実施例５は、前記めっき液の浴組成にさらに、硫酸スズを適量添加して、ニッケルスズ合金めっき層１ｂを作製した。
実施例７は、前記めっき液の浴組成にさらに、スルファミン酸コバルトなどを適量添加してニッケルコバルト合金めっき層１ｂを作製した。
実施例９は、前記めっき液の浴組成にさらに、亜リン酸を適量添加して、ニッケルリンめっき層１ｂを作製した。
金又は金合金めっき層１ｃ１
実施例１、４、５、７乃至１１、及び後述する比較例１は、金めっき層１ｃ１の厚さが０．１μｍ以上であるので、弱酸性電解金めっき浴として、以下の浴組成のめっき液を用いた。
シアン化金カリウム：金として５ｇ／Ｌ
クエン酸カリウム：１２０ｇ／Ｌ
クエン酸：１０ｇ／Ｌ
リン酸カリウム：４０ｇ／Ｌ
硫酸タリウム：タリウムとして１０ｍｇ／Ｌ
ｐＨ６．３
前記めっき液を用いて、めっき時間を調整し液温６８℃、陰極電流密度０．８Ａ／ｄｍ２で電解めっきして作製した。陽極は白金被覆チタン電極を用いた。
実施例１０は、前記金めっき液の浴組成に、さらに適量の硫酸コバルトを添加して、金コバルト合金めっき層１ｃ１を作製した。
また、実施例２、３、６、及び後述する比較例２、３の金めっき層１ｃ１は、金めっき厚が０．１μｍ以下と薄いので、以下の浴組成のめっき液を用いた。
シアン化金カリウム：金として１ｇ／Ｌ
クエン酸カリウム：８０ｇ／Ｌ
クエン酸：１０ｇ／Ｌ
リン酸カリウム：５０ｇ／Ｌ
ｐＨ４．０
前記めっき液を用いて、めっき時間を調整して液温４０℃、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ２で電解めっきして作製した。陽極は白金被覆チタン電極を使用した。
銀又は銀合金めっき層１ｄ
銀めっき層１ｄは、電解シアン化銀めっき浴として、以下の浴組成のめっき液を用いた。
シアン化銀カリウム：銀として２ｇ／Ｌ
シアン化カリウム：１００ｇ／Ｌ
炭酸カリウム：１０ｇ／Ｌ
前記めっき液を用いて、めっき時間を調整し液温３０℃、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ２で電解めっきして作製した。陽極は白金被覆チタン電極を用いた。
実施例４は、前記めっき浴組成に、適量のシアン化セレンを添加して、銀セレン合金めっき層１ｄを作製した。
パラジウム、ロジウム、パラジウム合金又はロジウム合金めっき層１ｃ２
実施例２、９、１０、及び後述する比較例２、３のパラジウムめっき層１ｃ２として、以下の浴組成のめっき液を用いた。
テトラアンミンパラジウム塩化物：パラジウムとして５ｇ／Ｌ
硝酸アンモニウム：１５０ｇ／Ｌ
３－ピリジンスルホン酸ナトリウム：５ｇ／Ｌ
ｐＨ８．５
前記めっき液を用いて、めっき時間を調整して液温５０℃、陰極電流密度１Ａ／ｄｍ２で電解めっきして作製した。陽極は白金被覆チタン電極を用いた。
実施例６は、前記浴組成のめっき液に適量の硫酸ニッケルを添加してパラジウムニッケル合金めっき層１ｃ２を作製した。
実施例３のロジウム又はロジウム合金めっき層１ｃ２として、以下の浴組成のめっき液を用いた。
硫酸ロジウム：ロジウムとして２ｇ／Ｌ
硫酸：５０ｇ／Ｌ
硫酸鉛：鉛として１０ｍｇ／Ｌ
この浴組成を用いて、めっき時間を調整して液温４５℃、陰極電流密度１Ａ／ｄｍ２で電解めっきして作製した。陽極は白金被覆チタン電極を用いた。
実施例８は、前記浴組成のめっき液に、硫酸コバルトを添加してロジウムコバルト合金めっき層１ｃ２を作製した。
比較例１乃至３
比較例１として、実施例と同様の構造で、銀又は銀合金めっき層を形成しない金属材料を用意した。比較例２、３として、銀又は銀合金めっき層１ｄの厚さを変えた金属材料を用意した。この金属材料を用いて一対のリードフレームであるリードフレーム１０を用意し、このリードフレーム１０を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、図１Ａ及び図１Ｂに示す光半導体装置と実質的に同様の構造の各光半導体装置を製造した。
反射率及びＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値
実施例及び比較例の光半導体装置用金属材料について、大塚電子株式会社製の微小部反射率測定装置ＭＣＰＤを使用して、４５５ｎｍに発光ピーク波長を有する光を照射し、反射率を測定した。さらに、日本電色工業株式会社製の色差計ＶＳＳ－４００を使用して、Ｌ＊ａ＊ｂ＊色系におけるｂ＊値を測定した。その結果を表１に示した。
光半導体装置
次に、実施例及び比較例の光半導体装置用金属材料をリードフレームとして用いて、図１Ａ及び１Ｂに示す光半導体装置と実質的に同様の構造の各光半導体装置を製造した。半導体装置１００が個片化されるまでは、一対のリードフレーム１０が複数連結された状態のリードフレーム１０に、複数の樹脂成形体３が成形された集合体の状態で各工程を経るが、便宜上、図１Ａ及び１Ｂに示す１つの光半導体装置１００（単数）で説明する。このリードフレーム１０を用いて、図１Ａ及び図１Ｂに示す光半導体装置と実質的に同様の構造の各実施例及び比較例の光半導体装置を製造した。
樹脂成形体３は、凹部を有しており、凹部の底面に光半導体装置用金属材料１を用いたリードフレーム１０が露出されている。そのリードフレーム１０の上に、絶縁性の樹脂を接合部材４として、上面に正負の電極を備える平面視において矩形の発光素子２を載置し、接合した。その後、凹部内にＹＡＧ蛍光体と、透光性樹脂を含有する封止材料をポッティング法により滴下し、封止部材５を形成した。
樹脂成形体の半田浸入及び封止樹脂漏れの有無
各実施例及び比較例の光半導体装置を鉛フリー半田（Ｓｎ－０．３Ａｇ－０．７Ｃｕ）ペーストを塗布したプリント基板に設置し、リフロー温度２６０℃で１０秒間実装した後、リフロー後の光半導体装置を剥し、実体顕微鏡を用いて４０倍で樹脂成形体３内に半田浸入があるか評価するとともに、封止樹材料（封止樹脂）漏れの有無についても評価した。その評価結果を表１に示した。
耐硫化試験後の全光束維持率
耐硫化信頼性を評価するため、各実施例及び比較例の光半導体装置を温度４０℃湿度７５％ＲＨの環境下でＨ２Ｓを２ｐｐｍ及びＮＯ２を４ｐｐｍ含む混合ガスにて５００時間暴露処理前後の光半導体装置から発せられる光の全光束を測定し、暴露処理後の全光束を暴露処理前の全光束で除した割合を全光束の維持率として測定した。その結果を表１に示した。
Figure 0007148792000001
実施例１乃至１１の光半導体装置は、樹脂成形体３内への半田の浸入は見られず、また、樹脂成形体３から外部への封止樹脂漏れは見られず、樹脂とリードフレーム１０の密着性が良好であった。また、実施例１乃至１１の光半導体装置は、硫化試験後に硫化試験前とほぼ同様の全光束を維持しており、リードフレーム１０の硫化による変色が防止されていた。また、実施例１乃至１１の光半導体装置用金属材料は、４５５ｎｍに発光ピーク波長を有する光に対する反射率が２５％以上５５％以下であり、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値で表される色度が、３５以上５５以下であり、所望の反射率及び色度を有し、部材を構成する樹脂材料との密着性が良好であった。
比較例１及び２の光半導体装置は、樹脂成形体３内に半田の浸入があり、樹脂成形体３外部への封止樹脂の漏れがあったため、部材を構成する樹脂材料とリードフレーム１０の密着性が改善されていなかった。比較例３の光半導体装置は、硫化試験後の全光束維持率が９０％と低く、反射率が５５％を超えており、色度ｂ＊値も５５を超えていた。この結果から、比較例３の光半導体装置は、リードフレーム１０に用いた金属材料の表層の銀めっき層１ｄが０．０１５μｍと０．０１μｍを超えているので、硫化によりリードフレーム１０の表面が変色して、光束維持率が低下したと推測される。
１００、２００ 光半導体装置
１ 光半導体装置用金属材料
１ａ 基体
１ｂ ニッケル又はニッケル合金めっき層
１ｃ 下地層
１ｃ１ 第１下地層、金又は金合金めっき層
１ｃ２ 第２下地層、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっき層
１ｄ 表層、銀又は銀合金めっき層
２ 発光素子
３ 樹脂成形体
３１ 側壁部
３２ 底面の一部
４ 接合部材
５ 封止部材
６ ワイヤ
１０ リードフレーム

Claims (16)

  1. 基体上に、
    ニッケル又はニッケル合金めっきの層と、
    金又は金合金めっきの層と、
    少なくとも一部に厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の銀又は銀合金のめっきの層とを、この順に有し、４５５ｎｍに発光ピーク波長を有する光に対する反射率が２５％以上５５％以下である、光半導体装置用金属材料。
  2. Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値が３５以上５５以下である、請求項１に記載の光半導体装置用金属材料。
  3. 基体上に 、
    ニッケル又はニッケル合金めっきの層と、
    金又は金合金めっきの層と、
    少なくとも一部に厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の銀又は銀合金のめっきの層とを、この順に有し、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値が３５以上５５以下である、光半導体装置用金属材料。
  4. 前記ニッケル又はニッケル合金のめっき層と、金又は金合金めっきの層との間に、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっきの層を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料。
  5. 前記ニッケル又はニッケル合金めっきの層の厚さが０．５μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から４のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料。
  6. 前記金又は金合金めっきの層の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下である、請求項１から５のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料。
  7. 前記ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金めっきの層の厚さが０．０１μｍ以上０．３μｍ以下である、請求項４から６のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料。
  8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料からなるリードフレーム又は基板上に発光素子が搭載された光半導体装置。
  9. 基体上に、
    ニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程と、
    必要に応じて、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金のめっきの層を形成する工程と、
    金又は金合金めっきの層を形成する工程と、
    厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の銀又は銀合金めっきの層を形成する工程と、をこの順に含み、
    光半導体装置用金属材料の４５５ｎｍに発光ピーク波長を有する光に対する反射率が２５％以上５５％以下である、 光半導体装置用金属材料の製造方法。
  10. 前記光半導体装置用金属材料のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値が３５以上５５以下である、請求項９に記載の光半導体装置用金属材料の製造方法。
  11. 基体上に、
    ニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程と、
    必要に応じて、ロジウム、パラジウム、ロジウム合金又はパラジウム合金のめっきの層を形成する工程と、
    金又は金合金めっきの層を形成する工程と、
    厚さが０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の銀又は銀合金めっきの層を形成する工程と、をこの順に含み、
    光半導体装置用金属材料のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値が３５以上５５以下である、光半導体装置用金属材料の製造方法。
  12. ２００℃以上４５０℃以下の温度、５分以上２時間以内の処理時間で、熱処理する工程をさらに含む、請求項９から１１のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料の製造方法。
  13. 前記層を形成する工程は、電解めっき法又は無電解めっき法により行う、請求項９から１１のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料の製造方法。
  14. 前記銀又は銀合金めっきの層を形成する工程において、
    シアン化銀カリウム又はシアン化銀を銀濃度で０．１ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下と、シアン化カリウム又はシアン化ナトリウムを０．５ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下とを含む、めっき液を用いる、請求項９から１３のいずれか１項に記載の光半導体装置用金属材料の製造方法。
  15. 前記めっき液が、炭酸塩、リン酸塩、硝酸塩、クエン酸塩及び硫酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の電気伝導塩を５ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下含む、請求項１４に記載の光半導体装置用金属材料の製造方法。
  16. 前記銀又は銀合金めっきの層を形成する工程において、前記めっき液を用いて、前記めっき液の液温が２０℃以上７０℃以下、陽極に銀又は銀合金からなる可溶性電極、陰極にステンレス、白金又は白金被覆チタン電極を用いて、陰極電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２以上１５Ａ／ｄｍ２以下、めっき時間が１秒間以上１分間以内の条件で、電気めっきを行う、請求項１４又は１５に記載の光半導体装置用金属材料の製造方法。
JP2018182720A 2018-09-27 2018-09-27 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 Active JP7148792B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018182720A JP7148792B2 (ja) 2018-09-27 2018-09-27 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
US16/584,587 US11264546B2 (en) 2018-09-27 2019-09-26 Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same
US17/576,221 US12116516B2 (en) 2018-09-27 2022-01-14 Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same
JP2022138883A JP7348567B2 (ja) 2018-09-27 2022-09-01 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
US18/828,874 US20250002783A1 (en) 2018-09-27 2024-09-09 Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018182720A JP7148792B2 (ja) 2018-09-27 2018-09-27 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022138883A Division JP7348567B2 (ja) 2018-09-27 2022-09-01 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020053599A JP2020053599A (ja) 2020-04-02
JP7148792B2 true JP7148792B2 (ja) 2022-10-06

Family

ID=69946193

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018182720A Active JP7148792B2 (ja) 2018-09-27 2018-09-27 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
JP2022138883A Active JP7348567B2 (ja) 2018-09-27 2022-09-01 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022138883A Active JP7348567B2 (ja) 2018-09-27 2022-09-01 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US11264546B2 (ja)
JP (2) JP7148792B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102544296B1 (ko) * 2018-09-13 2023-06-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치
JP7148792B2 (ja) * 2018-09-27 2022-10-06 日亜化学工業株式会社 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
US20220293824A1 (en) * 2020-04-17 2022-09-15 Ningbo Sunpu Led Co., Ltd. Ultraviolet led device
KR102865927B1 (ko) * 2021-12-30 2025-10-14 주식회사 큐프럼 머티리얼즈 미세패턴에 대한 밀착성이 향상된 로듐 도금액
JP2025106660A (ja) * 2024-01-04 2025-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101159302A (zh) 2006-10-05 2008-04-09 松下电器产业株式会社 光半导体装置用引线框和使用其的光半导体装置以及它们的制造方法
US20100078669A1 (en) 2008-09-29 2010-04-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lead frame for the same
JP2011228687A (ja) 2010-03-30 2011-11-10 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法
WO2011145647A1 (ja) 2010-05-20 2011-11-24 Jx金属商事株式会社 表面に酸化層を有する電気銀めっき及び／又は電気銀合金めっき物
JP2012124364A (ja) 2010-12-09 2012-06-28 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2013197471A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用基板とその製造方法および半導体装置
JP2015023081A (ja) 2013-07-17 2015-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN104451619A (zh) 2014-12-31 2015-03-25 共青城超群科技股份有限公司 一种smd led封装基板电镀结构及其电镀工艺
JP2015124427A (ja) 2013-12-27 2015-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置用リードフレーム又は基板に用いられるめっき液、並びに、それを用いて製造されるリードフレーム又は基板、及びその製造方法、及びそれを備える発光装置
JP2016092153A (ja) 2014-10-31 2016-05-23 Ｓｈマテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
JP2016219498A (ja) 2015-05-15 2016-12-22 日亜化学工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを用いた光半導体装置
JP2018022817A (ja) 2016-08-05 2018-02-08 Ｓｈマテリアル株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置、及びリードフレームの製造方法
JP2018056457A (ja) 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置用パッケージ及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5760097A (en) 1980-09-29 1982-04-10 Hitachi Cable Ltd Heat resistant silver coated conductor
JPS6178150A (ja) 1984-09-25 1986-04-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP2004282103A (ja) 1995-09-29 2004-10-07 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームの部分貴金属めっき方法
JPH09232493A (ja) * 1995-12-20 1997-09-05 Seiichi Serizawa リードフレーム
JPH118341A (ja) 1997-06-18 1999-01-12 Mitsui High Tec Inc 半導体装置用リードフレーム
JPH1140722A (ja) 1997-07-15 1999-02-12 Mitsui High Tec Inc 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法
DE19933861A1 (de) 1999-07-23 2001-01-25 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von 2-Aminomethyl-4-cyano-thiazol
JP2001254196A (ja) 2000-03-13 2001-09-18 Hitachi Cable Ltd 電子部品用リード線の製造方法
US6567604B1 (en) * 2000-10-25 2003-05-20 Omm, Inc. Indium plated package for an optical component and process therefore
US6740906B2 (en) * 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
JP2003347596A (ja) 2002-05-24 2003-12-05 Toshiba Corp 光半導体装置
JP3940124B2 (ja) 2003-01-16 2007-07-04 松下電器産業株式会社 装置
JP3655916B2 (ja) * 2003-04-04 2005-06-02 新光電気工業株式会社 半導体装置用キャップ
JP4529041B2 (ja) 2004-09-24 2010-08-25 スタンレー電気株式会社 回路基板モジュール化方法
JP5307824B2 (ja) 2008-09-30 2013-10-02 パナソニック株式会社 光半導体装置用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法
JPWO2010052856A1 (ja) * 2008-11-06 2012-04-05 パナソニック株式会社 リード、配線部材、パッケージ部品、樹脂付金属部品及び樹脂封止半導体装置、並びにこれらの製造方法
US20120153444A1 (en) * 2009-06-18 2012-06-21 Rohm Co., Ltd Semiconductor device
WO2011122665A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法
US9102511B2 (en) * 2012-06-08 2015-08-11 Texas Instruments Incorporated Hermetic plastic molded MEMS device package and method of fabrication
KR20160003078A (ko) * 2013-05-03 2016-01-08 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 무연 솔더 접속을 위한 리드 프레임 구조체
JP6357684B2 (ja) 2015-01-29 2018-07-18 大口マテリアル株式会社 リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置
JP2017005224A (ja) 2015-06-16 2017-01-05 Ｓｈマテリアル株式会社 光学素子用リードフレームおよびその製造方法
JP6406711B2 (ja) 2015-10-28 2018-10-17 大口マテリアル株式会社 リードフレームの製造方法
JP7148792B2 (ja) 2018-09-27 2022-10-06 日亜化学工業株式会社 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101159302A (zh) 2006-10-05 2008-04-09 松下电器产业株式会社 光半导体装置用引线框和使用其的光半导体装置以及它们的制造方法
US20080083973A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Tomoyuki Yamada Lead frame for an optical semiconductor device, optical semiconductor device using the same, and manufacturing method for these
JP2008091818A (ja) 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法
US20100078669A1 (en) 2008-09-29 2010-04-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lead frame for the same
JP2011228687A (ja) 2010-03-30 2011-11-10 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法
WO2011145647A1 (ja) 2010-05-20 2011-11-24 Jx金属商事株式会社 表面に酸化層を有する電気銀めっき及び／又は電気銀合金めっき物
JP2012124364A (ja) 2010-12-09 2012-06-28 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2013197471A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用基板とその製造方法および半導体装置
JP2015023081A (ja) 2013-07-17 2015-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015124427A (ja) 2013-12-27 2015-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置用リードフレーム又は基板に用いられるめっき液、並びに、それを用いて製造されるリードフレーム又は基板、及びその製造方法、及びそれを備える発光装置
JP2016092153A (ja) 2014-10-31 2016-05-23 Ｓｈマテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
CN104451619A (zh) 2014-12-31 2015-03-25 共青城超群科技股份有限公司 一种smd led封装基板电镀结构及其电镀工艺
JP2016219498A (ja) 2015-05-15 2016-12-22 日亜化学工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを用いた光半導体装置
JP2018022817A (ja) 2016-08-05 2018-02-08 Ｓｈマテリアル株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置、及びリードフレームの製造方法
JP2018056457A (ja) 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置用パッケージ及び発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US12116516B2 (en) 2024-10-15
US20200105989A1 (en) 2020-04-02
US11264546B2 (en) 2022-03-01
JP7348567B2 (ja) 2023-09-21
JP2022168010A (ja) 2022-11-04
JP2020053599A (ja) 2020-04-02
US20220140213A1 (en) 2022-05-05
US20250002783A1 (en) 2025-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10263166B2 (en) Light emitting device
JP7348567B2 (ja) 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
JP7339566B2 (ja) 光半導体装置用金属構造の製造方法、パッケージ、及びポリアリルアミン重合体を含む溶液
JP7011142B2 (ja) 発光装置、発光装置用パッケージ及び発光装置の製造方法
KR102571291B1 (ko) 리드 프레임, 발광 장치용 패키지, 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
US10622531B2 (en) Light-emitting device
JP7148793B2 (ja) 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
JP7116308B2 (ja) 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
JP6635152B2 (ja) リードフレーム、発光装置用パッケージ、発光装置及び発光装置の製造方法
TWI796363B (zh) 發光裝置
JP2024004065A (ja) 発光装置、パッケージ及び発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220905

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7148792

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250