JP7150523B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、アレイ基板と平行方向の電界によって液晶分子を回転させる液晶表示装置が種々検討されている。一例では、対向基板の表面に形成された帯電防止用透明導電膜と、アレイ基板の端子部に形成された透明導電膜とを、導電テープで接続した液晶表示装置が開示されている。

特開２０１７－１４６４５０号公報

本実施形態の目的は、歩留まりの改善が可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、
表示部を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、有機膜と、を備えた第１基板と、前記第１領域と前記第２領域との境界に沿った基板端を備え、前記第１領域に重畳する第２基板と、を備え、前記第１基板は、前記表示部に位置する配向膜と、前記第２領域に位置し信号源に接続される複数の端子と、前記第２領域において前記第２基板の前記基板端と前記複数の端子との間に位置する前記有機膜に形成された第１溝部と、を備え、前記複数の端子は、第１方向に沿って並び、前記第１溝部は、前記複数の端子に沿って前記第１方向に延出している、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示したＡ－Ｂ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。 図３は、図１に示したＩＣチップ１を含む第２領域Ａ２を拡大した平面図である。 図４は、図３に示したＣ－Ｄ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。 図５は、図４に示した端子ＴＡを示す断面図である。 図６は、図１に示した接地パッドＥＰ及び検査パッドＩＰを含む第２領域Ａ２を拡大した平面図である。 図７は、図６に示したＥ－Ｆ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。 図８は、図６に示したＧ－Ｈ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。 図９は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第２構成例を示す平面図である。 図１０は、図９に示した第２領域Ａ２を拡大した平面図である。 図１１は、図１０に示したＩ－Ｊ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。 図１２は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。 図１３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。 図１４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第３構成例を示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端側の位置を上と称し、矢印の先端とは逆側の位置を下と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、ＩＣチップ１と、配線基板Ｆ１と、を備えている。
表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡとを備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ１３及びＥ１４とを有している。第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ２１及びＥ２２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ２３及びＥ２４とを有している。第１基板ＳＵＢ１は、第２方向Ｙに並んだ第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、平面視で、第１領域Ａ１において第１基板ＳＵＢ１に重畳し、第２領域Ａ２には重畳していない。端部Ｅ２２は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界に沿った基板端に相当する。つまり、第１領域Ａ１は、平面視で、端部Ｅ１１、Ｅ２２、Ｅ１３及びＥ１４によって囲まれた領域に相当する。第２領域Ａ２は、端部Ｅ１２、Ｅ２２、Ｅ１３及びＥ１４によって囲まれた領域に相当する。

表示部ＤＡは、第１領域Ａ１に含まれる。表示部ＤＡは、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ１及びＥ２を有している。表示部ＤＡは、第１方向（列方向）Ｘ及び第２方向（行方向）Ｙにマトリクス状（行列状）に配置された複数の画素ＰＸを備えている。ここでの画素ＰＸとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。画素ＰＸは、例えば、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、青色を表示する青画素、または、白色を表示する白画素のいずれかである。

第１領域Ａ１における表示部ＤＡの外側、及び、第２領域Ａ２は、非表示部ＮＤＡに相当する。ＩＣチップ１及び配線基板Ｆ１は、表示パネルＰＮＬからの信号を読み出す場合もあるが、主として表示パネルＰＮＬに信号を供給する信号源として機能する。これらの信号源は、第２領域Ａ２に実装されている。図示した例では、配線基板Ｆ１及びＩＣチップ１は、それぞれ第２領域Ａ２に実装されている。なお、ＩＣチップ１は、配線基板Ｆ１に実装されてもよく、この例については後述する。ＩＣチップ１は、画像を表示する画像表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。また、図示した例では、ＩＣチップ１は、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラＴＣＮを内蔵している。図中において、ディスプレイドライバＤＤ及びタッチコントローラＴＣＮは点線で示している。配線基板Ｆ１は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。

第１基板ＳＵＢ１は、第２領域Ａ２において、信号源が接続される端子（後述する）の他に、接地パッドＥＰと、検査パッドＩＰと、を備えている。図示した例において、接地パッドＥＰは、検査パッドＩＰとＩＣチップ１との間に位置している。なお、検査パッドＩＰが、接地パッドＥＰとＩＣチップ１との間に位置してもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、透明導電膜ＣＬを備えている。透明導電膜ＣＬは、第１領域Ａ１と重畳するほぼ全域に亘って形成され、表示部ＤＡの各画素ＰＸとも重畳している。透明導電膜ＣＬは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。
接続部材ＣＮは、非表示部ＮＤＡに位置し、接地パッドＥＰと透明導電膜ＣＬとを電気的に接続している。接続部材ＣＮは、例えば、導電性ペーストや導電性テープである。

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面と平行な面である。

図２は、図１に示したＡ－Ｂ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、ここでは、説明に必要な構成のみを図示している。
第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１と対向する内面ＳＡと、内面ＳＡとは反対側の外面ＳＢと、を備えている。遮光層ＬＳは、第２基板ＳＵＢ２の内面ＳＡに設けられ、非表示部ＮＤＡに位置している。表示部ＤＡの端部Ｅ２は、遮光層ＬＳの内側端に相当する。シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。シールＳＥは、遮光層ＬＳと重畳する位置に設けられている。透明導電膜ＣＬは、外面ＳＢに設けられ、表示部ＤＡ及び非表示部ＮＤＡに亘って設けられている。なお、透明導電膜ＣＬは、第２基板ＳＵＢ２に含まれる絶縁基板の外面に設けられてもよいし、絶縁基板に接着された光学素子の外面に設けられてもよい。
接続部材ＣＮは、シールＳＥ及び遮光層ＬＳと重畳する位置において、透明導電膜ＣＬに接している。また、接続部材ＣＮは、第１基板ＳＵＢ１の第２領域Ａ２に設けられ、接地パッドＥＰに接している。

図３は、図１に示したＩＣチップ１を含む第２領域Ａ２を拡大した平面図である。ここでは、ＩＣチップ１及び配線基板Ｆ１は、点線で示している。第１基板ＳＵＢ１は、第２領域Ａ２において、端子群１Ａ、１Ｂ、１Ｃを備えている。端子群１Ｃは、ＩＣチップ１と端部Ｅ１２との間に設けられ、配線基板Ｆ１に重畳している。端子群１Ａ及び１Ｂは、平面視で、配線基板Ｆ１と端部Ｅ２２との間に設けられ、ＩＣチップ１に重畳している。端子群１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、それぞれ第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んだ複数の端子ＴＡ、ＴＢ、ＴＣを備えている。端子ＴＡ及びＴＢは、それぞれＩＣチップ１と電気的に接続される。端子ＴＣは、配線基板Ｆ１と電気的に接続される。

第１基板ＳＵＢ１は、第２領域Ａ２において、溝部ＧＲ１及びＧＲ２を有している。溝部ＧＲ１及びＧＲ２は、表示部ＤＡと端子群１Ａの複数の端子ＴＡとの間に位置している。あるいは、溝部ＧＲ１及びＧＲ２は、表示部ＤＡの最外周に位置する（あるいは端部Ｅ２に最も近い）画素ＰＸＥの画素電極ＰＥと端子ＴＡとの間に位置している。また、平面視で、溝部ＧＲ１及びＧＲ２は、端部Ｅ２２（あるいは第１領域Ａ１）と端子ＴＡとの間に位置している。図示した例では、溝部ＧＲ１及びＧＲ２は、第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並び、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。なお、端部Ｅ２２と端子ＴＡとの間において、さらに多くの溝部ＧＲが設けられてもよいし、溝部ＧＲ１のみでもよい。また、端部Ｅ２と端部Ｅ２２との間に他の溝部ＧＲが設けられてもよい。

第１基板ＳＵＢ１に設けられる配向膜ＡＬ１は、表示部ＤＡを含む第１領域Ａ１に亘って配置されている。配向膜ＡＬ１の端部ＡＬＥは、図中に一点鎖線で示すように、端子ＴＡに重なることはなく、表示部ＤＡと溝部ＧＲ１との間に位置している。例えば、端部ＡＬＥは、溝部ＧＲ１に位置している場合もありうるし、溝部ＧＲ１及びＧＲ２の間に位置している場合もありうるし、溝部ＧＲ２に位置している場合もありうるし、溝部ＧＲ２と最外周の画素ＰＸＥの画素電極ＰＥとの間に位置している場合もありうる。

溝部ＧＲ１は、第１方向Ｘに沿って長さＬＧ１を有している。溝部ＧＲ１は、端部ＧＥ１と、端部ＧＥ１の反対側に位置する端部ＧＥ２とを有している。ＩＣチップ１は、第１方向Ｘに沿って長さＬ１を有している。長さＬＧ１は、長さＬ１と同等以上である。図示した例では、長さＬＧ１は、長さＬ１より長い。ＩＣチップ１は、第１方向Ｘにおいて、端部ＧＥ１と端部ＧＥ２との間に位置している。つまり、端部ＧＥ１及びＧＥ２は、ＩＣチップ１よりも第１方向Ｘに沿った外側に位置している。溝部ＧＲ２は、溝部ＧＲ１の長さＬＧ１と同等の長さを有している。また、溝部ＧＲ１及びＧＲ２のそれぞれの第２方向Ｙに沿った幅は同等である。
第２方向Ｙにおいて、端子ＴＡから端部Ｅ２までの距離は、端子ＴＡから溝部ＧＲ１までの距離の数十倍に相当する。つまり、溝部ＧＲ１は、端部Ｅ２と端子ＴＡとの間において、端子ＴＡに近接した位置に形成されている。

図４は、図３に示したＣ－Ｄ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、導電層３１、配向膜ＡＬ１などを備えている。絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に位置している。絶縁膜１２は、絶縁膜１１の上に位置している。導電層３１は、絶縁膜１２の上に位置し、絶縁膜１３によって覆われている。導電層３１は、例えば、図３に示した端子ＴＡから表示部ＤＡに向かって延出する配線である。絶縁膜１４は、絶縁膜１３の上に位置している。溝部ＧＲ１及びＧＲ２は、絶縁膜１４に形成されている。図示した例では、溝部ＧＲ１及びＧＲ２は、絶縁膜１４を貫通し、絶縁膜１３まで達しているが、絶縁膜１４を貫通しない窪みであってもよい。絶縁膜１４は、溝部ＧＲ１と端子ＴＡとの間に端部１４Ｅを有している。絶縁膜１５は、溝部ＧＲ２と表示部ＤＡとの間に端部１５Ｅを有している。つまり、絶縁膜１５は、溝部ＧＲ１及びＧＲ２が形成される位置には存在しない。絶縁膜１６は、絶縁膜１４及び１５を覆うとともに、溝部ＧＲ１及びＧＲ２において絶縁膜１３を覆っている。端子ＴＡについて、詳細な構造については後述する。配向膜ＡＬ１は、絶縁膜１６の上に位置している。図示した例では、配向膜ＡＬ１の端部ＡＬＥは、溝部ＧＲ１に位置している。つまり、配向膜ＡＬ１は、端子ＴＡを覆っていない。

絶縁膜１１乃至１３、及び、絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機膜である。絶縁膜１４は、例えば、２μｍ～３μｍの膜厚を有している。絶縁膜１５は、例えば、１μｍ～２μｍの膜厚を有している。但し、絶縁膜１５は、無機絶縁膜であってもよい。

図３及び図４に示した例において、溝部ＧＲ１及びＧＲ２は第１溝部に相当し、絶縁膜１４は第１有機膜に相当し、絶縁膜１５は第２有機膜に相当する。

図５は、図４に示した端子ＴＡを示す断面図である。金属層４１は、絶縁膜１３の上に位置している。金属層４２は、金属層４１を覆っている。透明導電層５１は、金属層４２を覆っている。絶縁膜１６は、透明導電層５１まで貫通したコンタクトホールＣＨ１を有している。透明導電層５２は、絶縁膜１６の上に位置し、コンタクトホールＣＨ１において透明導電層５１に接している。端子ＴＡは、例えば金属層４１、金属層４２、透明導電層５１、透明導電層５２の何れか若しくはこれら２層以上の積層部に相当するものとする。ただし、端子Ｔの特定についてはこれに限らず、ＩＣチップとの接続箇所に相当する導電部と考えても良い。
金属層４１は、例えば、チタン（Ｔｉ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む層がこの順に積層された積層体である。金属層４２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む層がこの順に積層された積層体である。透明導電層５１及び５２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。

本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１は、第２領域Ａ２において、表示部ＤＡと端子ＴＡとの間に溝部ＧＲ１を備えている。配向膜ＡＬ１が印刷された際、例え配向膜ＡＬ１が第１領域Ａ１のみならず第２領域Ａ２に広がったとしても、配向膜ＡＬ１は、溝部ＧＲ１内に流れ込み、端子ＴＡよりも表示部ＤＡ側で堰き止められる。これにより、端子ＴＡが配向膜ＡＬ１によって覆われることに起因した、ＩＣチップ１との接触不良を抑制することができ、歩留まりを改善することができる。

また、近年では狭額縁化の要求が高まり、非表示部ＮＤＡの幅が縮小する傾向にある。信号源が実装される領域についても例外なく、狭額縁化の要求が高まっている。このため、表示部ＤＡと信号源との間隔が小さくなり、配向膜ＡＬ１の端部ＡＬＥの位置の許容範囲が小さくなる傾向にある。本実施形態では、印刷される配向膜材料の量にバラツキが生じたとしても、過剰な配向膜材料は、端子ＴＡと表示部ＤＡとの間の溝部ＧＲ１によって吸収される。このため、配向膜ＡＬ１の端子ＴＡへの広がりを抑制することができる。

また、溝部ＧＲ１は有機膜に形成されているため、無機絶縁膜に形成された溝部と比較して、溝部ＧＲ１の深さを大きくすることができ、受け入れ可能な配向膜材料の体積を増大することができる。

図６は、図１に示した接地パッドＥＰ及び検査パッドＩＰを含む第２領域Ａ２を拡大した平面図である。

検査パッドＩＰは、表示部ＤＡにおける断線等を検査するための検査信号が入力されるパッドである。複数の検査パッドＩＰは、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。図示した例では、検査パッドＩＰは、２列に並び、千鳥配列されているが、１列であってもよい。検査パッドＩＰを含む断面構造は、例えば図５に示したのと同様である。第１基板ＳＵＢ１は、第２領域Ａ２において、溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２を有している。溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２は、表示部ＤＡと複数の検査パッドＩＰとの間に位置している。あるいは、溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２は、平面視で、端部Ｅ２あるいは端部Ｅ２２あるいは第１領域Ａ１と、検査パッドＩＰとの間に位置している。図示した例では、溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２は、第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並び、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。なお、端部Ｅ２と検査パッドＩＰとの間において、さらに多くの溝部ＧＲが設けられてもよいし、溝部ＧＲ２１のみでもよい。

接地パッドＥＰは、例えば、図２に示した端子ＴＣと電気的に接続され、配線基板Ｆ１を介して接地されている。第１基板ＳＵＢ１は、第２領域Ａ２において、複数の溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４を有している。溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４は、接地パッドＥＰに重畳している。図示した例では、溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４は、接地パッドＥＰと重畳する領域のうち、端部Ｅ２２に近接する側に位置しており、端部Ｅ１２に近接する側には設けられていない。なお、ここでは、図１に示した接続部材ＣＮの図示を省略している。
溝部ＧＲ３１及びＧＲ３２は、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。同様に、溝部ＧＲ３３及びＧＲ３４は、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。溝部ＧＲ３１及びＧＲ３４は、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。また、溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４は、千鳥配列されている。すなわち、溝部ＧＲ３１は溝部ＧＲ３２に対向する端部３１Ｅを有し、溝部ＧＲ３２は溝部ＧＲ３１に対向する端部３２Ｅを有している。溝部ＧＲ３３と、端部３１Ｅ及び３２Ｅとは、第２方向Ｙに並んでいる。同様に、溝部ＧＲ３３は溝部ＧＲ３４に対向する端部３３Ｅを有し、溝部ＧＲ３４は溝部３３に対向する端部３４Ｅを有している。端部３３Ｅ及び３４Ｅと、溝部ＧＲ３２とは、第２方向Ｙに並んでいる。

絶縁膜１５は、第２領域Ａ２において、溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２に重畳し、また、接地パッドＥＰに重畳し、検査パッドＩＰには重畳していない。つまり、絶縁膜１５の端部１５Ｅは、溝部ＧＲ２１と検査パッドＩＰとの間に位置し、接地パッドＥＰと検査パッドＩＰとの間に位置し、接地パッドＥＰと端部Ｅ１２との間に位置している。

図６に示した例において、溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２は第２溝部に相当し、溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４は第３溝部に相当する。

図７は、図６に示したＥ－Ｆ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁膜１３及び１４の間に位置する導電層３２を備えている。導電層３２は、例えば図５に示した金属層４１と同一材料によって形成されている。溝部ＧＲ２１は、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜１５に形成されている。図示した例では、溝部ＧＲ２１は、絶縁膜１５を貫通し、絶縁膜１４まで達しているが、絶縁膜１５を貫通しない窪みであってもよい。絶縁膜１６は、絶縁膜１５を覆うとともに、溝部ＧＲ２１において絶縁膜１４を覆っている。図示した例では、配向膜ＡＬ１の端部ＡＬＥは、溝部ＧＲ２１に位置している。つまり、配向膜ＡＬ１は、検査パッドＩＰを覆っていない。なお、図７に示した溝部ＧＲ２２についても、図示した溝部ＧＲ２１と同様の断面構造を有している。
したがって、表示部ＤＡを検査する工程において、検査装置のプローブと検査パッドＩＰとの接続不良を抑制することができる。

図８は、図６に示したＧ－Ｈ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。なお、ここでは、図１に示した接続部材ＣＮの図示を省略している。溝部ＧＲ３１は、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜１５に形成されている。図示した例では、溝部ＧＲ３１は、絶縁膜１５を貫通し、絶縁膜１４まで達しているが、絶縁膜１５を貫通しない窪みであってもよい。絶縁膜１６は、絶縁膜１５を覆うとともに、溝部ＧＲ３１において絶縁膜１４を覆っている。接地パッドＥＰは、絶縁膜１６の上に位置している。接地パッドＥＰは、図５に示した透明導電層５２と同一材料によって形成されている。配向膜ＡＬ１は、接地パッドＥＰの上に位置し、図示した例では、配向膜ＡＬ１の端部ＡＬＥは、溝部ＧＲ３１に位置している。つまり、配向膜ＡＬ１は、溝部ＧＲ３１よりも図の左側では接地パッドＥＰを覆っているが、溝部ＧＲ３１よりも図の右側では接地パッドＥＰを覆っていない。なお、図７に示した他の溝部ＧＲ３２乃至３４についても、図示した溝部ＧＲ３１と同様の断面構造を有している。
したがって、接地パッドＥＰにおいて、接続部材ＣＮと接続される領域を確保することができ、接続部材ＣＮとの接続不良を抑制することができる。
また、図６に示したように、平面視で、接地パッドＥＰと重畳する溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４は、千鳥配列されている。このため、端部３１Ｅ及び３２Ｅの間、あるいは、端部３３Ｅ及び３４Ｅの間においては、絶縁膜１５に大きな段差が形成されず、接地パッドＥＰの断線を抑制することができる。

図９は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第２構成例を示す平面図である。図９に示した第２構成例は、図１に示した第１構成例と比較して、第１基板ＳＵＢ１の第２領域に配線基板Ｆ１が実装され、ＩＣチップ１が配線基板Ｆ１に実装された点で相違している。このような第２構成例においては、第１構成例よりも第２領域Ａ２の第２方向Ｙに沿った幅を縮小することができる。

図１０は、図９に示した第２領域Ａ２を拡大した平面図である。ここでは、配線基板Ｆ１は、点線で示している。第１基板ＳＵＢ１は、第１構成例と同様に、複数の端子ＴＣ、検査パッドＩＰ、接地パッドＥＰを備えている。溝部ＧＲ１及びＧＲ２は、表示部ＤＡと複数の端子ＴＣとの間に位置している。溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２は、表示部ＤＡと検査パッドＩＰとの間に位置している。溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４は、接地パッドＥＰに重畳し、千鳥配列されている。

絶縁膜１５は、第２領域Ａ２において、溝部ＧＲ１及びＧＲ２に重畳し、溝部ＧＲ２１及び２２に重畳し、また、接地パッドＥＰに重畳し、端子ＴＣ及び検査パッドＩＰには重畳していない。つまり、絶縁膜１５の端部１５Ｅは、溝部ＧＲ１と端子ＴＣとの間、接地パッドＥＰと端部Ｅ１２との間、溝部ＧＲ２１と検査パッドＩＰとの間、端子ＴＣと接地パッドＥＰとの間、接地パッドＥＰと検査パッドＩＰとの間にそれぞれ位置している。

溝部ＧＲ２１及び２２の断面構造は、図７を参照して説明した通りである。溝部ＧＲ３１乃至ＧＲ３４の断面構造は、図８を参照して説明した通りである。

溝部ＧＲ１は、互いに異なる断面構造を有する第１部分ＧＡ１及び第２部分ＧＢ１を有している。溝部ＧＲ２も同様に、第１部分ＧＡ２及び第２部分ＧＢ２を有している。図示した例では、溝部ＧＲ１における第１部分ＧＡ１と第２部分ＧＢ１との境界Ｂ１は、溝部ＧＲ２における第１部分ＧＡ２と第２部分ＧＢ２との境界Ｂ２とは第１方向Ｘにずれている。例えば、第２部分ＧＢ２の第１方向Ｘに沿った長さＬ１２は、第２部分ＧＢ１の第１方向Ｘに沿った長さＬ１１より短い。

第１部分ＧＡ１及びＧＡ２の断面構造は、図１１を参照して説明する。
第２部分ＧＢ１及びＧＢ２の断面構造は、溝部ＧＲ２１などと同様であり、図７を参照して説明した通りである。つまり、平面視で、第２部分ＧＢ１及びＧＢ２と重畳する領域には、導電層３２が配置されている場合がある。このため、絶縁膜１４を貫通する溝部ＧＲ１及びＧＲ２が形成された場合、導電層３２が露出するおそれがある。したがって、導電層３２が配置される領域においては、溝部ＧＲ１及びＧＲ２は絶縁層１５に形成され、導電層３２と溝部ＧＲ１及びＧＲ２との間には、絶縁層１４が介在している。

図１１は、図１０に示したＩ－Ｊ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。溝部ＧＲ１の第１部分ＧＡ１は、絶縁膜１４及び１５に形成されている。図示した例では、第１部分ＧＡ１は、絶縁膜１４に形成された貫通孔ＴＨ１と、絶縁膜１５に形成された貫通孔ＴＨ２とによって形成されている。なお、第１部分ＧＡ１は、絶縁膜１４を貫通しない凹部と、貫通孔ＴＨ２とによって形成されていてもよい。貫通孔ＴＨ１の第２方向Ｙに沿った幅Ｗ１は、貫通孔ＴＨ２の第２方向Ｙに沿った幅Ｗ２より小さい。絶縁膜１６は、絶縁膜１４及び１５を覆うとともに、第１部分ＧＡ１において絶縁膜１３を覆っている。図示した例では、配向膜ＡＬ１の端部ＡＬＥは、第１部分ＧＡ１に位置している。つまり、配向膜ＡＬ１は、端子ＴＣを覆っていない。なお、図１０に示した溝部ＧＲ２の第１部分ＧＡ２についても、図示した第１部分ＧＡ１と同様の断面構造を有している。
したがって、端子ＴＣが配向膜ＡＬ１によって覆われることに起因した、配線基板Ｆ１との接触不良を抑制することができる。

図示した例では、第１部分ＧＡ１の直下には、導電層３２が存在せず、絶縁膜１２及び１３の間に導電層３１が配置されている。つまり、平面視で、図１０の第１部分ＧＡ１及びＧＡ２と重畳する領域には、導電層３１が配置されている場合があるが、導電層３２は配置されていない。このため、絶縁膜１４及び１５を貫通する第１部分ＧＡ１及びＧＡ２が形成された場合であっても、導電層３１は露出せず、導電層３１と第１部分ＧＡ１及びＧＡ２との間には、絶縁層１３が介在している。

次に、表示部ＤＡの主要な構成について説明する。
図１２は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。複数本の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数本の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。

共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。共通電極ＣＥは、電圧供給部ＣＤ及び図１に示したタッチコントローラＴＣＮに接続されている。画像表示モードにおいては、電圧供給部ＣＤは、共通電極ＣＥにコモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する。タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラＴＣＮは、コモン電圧とは異なるタッチ駆動電圧を共通電極ＣＥに供給する。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

図１３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。

第１基板ＳＵＢ１は、半導体層ＳＣ、信号線Ｓ、金属配線ＭＬ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、配向膜ＡＬ１などを備えている。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。図１２に示した走査線Ｇは、絶縁膜１２及び１３の間に位置し、図４などに示した導電層３１と同一材料によって形成されている。信号線Ｓは、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。信号線Ｓは、図５に示した金属層４１、及び、図７などに示した導電層３２と同一材料によって形成されている。金属配線ＭＬは、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜１５によって覆われている。金属配線ＭＬは、図５に示した金属層４２と同一材料によって形成されている。金属配線ＭＬは、それぞれ信号線Ｓと平行に延出し、信号線Ｓの直上に位置している。

共通電極ＣＥは、絶縁膜１５の上に位置し、絶縁膜１６によって覆われている。共通電極ＣＥは、絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールを介して金属配線ＭＬと電気的に接続される。共通電極ＣＥは、図５に示した透明導電層５１と同一材料によって形成され、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１６を介して共通電極ＣＥと対向している。画素電極ＰＥは、図５に示した透明導電層５２と同一材料によって形成され、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタ層ＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２などを備えている。このような第２基板ＳＵＢ２は、カラーフィルタ基板と称される場合がある。絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。カラーフィルタ層ＣＦは、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、及び、青色のカラーフィルタＣＦＢを含んでいる。カラーフィルタＣＦＧは、画素電極ＰＥと対向している。他のカラーフィルタＣＦＲ及びＣＦＢも、それぞれ他の画素電極ＰＥと対向している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な有機材料によって形成された有機絶縁膜である。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。照明装置ＩＬは、白色の照明光で表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１を照明する。

このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された照明光は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの照明光の一部は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２を透過し、明表示となる。

図１４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第３構成例を示す平面図である。図１４に示した第３構成例は、図１に示した第１構成例と比較して、表示パネルＰＮＬの形状が相違している。すなわち、表示パネルＰＮＬは、第１領域Ａ１において、第２領域Ａ２とは反対側に切り欠き部ＮＴ１を有している。第１基板ＳＵＢ１は、端部Ｅ１１に対して端部Ｅ１２側に窪んだ端部Ｅ１５を有している。第２基板ＳＵＢ２は、端部Ｅ２１に対して端部Ｅ２２側に窪んだ端部Ｅ２５を有している。端部Ｅ１５及びＥ２５は、平面視で重畳し、切り欠き部ＮＴ１を形成している。
このような第３構成例の表示パネルＰＮＬにおいて、第１構成例と同様に、ＩＣチップ１及び配線基板Ｆ１が第２領域Ａ２に実装されてもよいし、第２構成例と同様に、ＩＣチップ１が実装された配線基板Ｆ１が第２領域Ａ２に実装されてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、歩留まりの改善が可能な表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＤＡ…表示部 配線基板…Ｆ１ ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ…端子 １…ＩＣチップ ＥＰ…接地パッド ＩＰ…検査パッド Ａ１乃至３…第１領域乃至第３領域 ＧＲ…溝部 ＡＬ…配向膜

Claims (10)

1. 表示部を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、第１有機膜と、前記第１有機膜の上に配置された第２有機膜と、前記第２有機膜に重畳する接地電位の接地パッドと、前記第２有機膜と前記接地パッドとの間に介在する無機絶縁膜と、を備えた第１基板と、
   前記第１領域と前記第２領域との境界に沿った基板端を備え、前記第１領域に重畳する第２基板と、を備え、
   前記接地パッドは、前記第２領域に位置し、前記第２有機膜の上に設けられた透明導電層であり、
   前記第１基板は、前記表示部に位置する配向膜と、前記第２領域に位置し信号源に接続される複数の端子と、前記第２領域の前記接地パッドと重畳する領域において前記第２有機膜に形成された複数の第３溝部と、を備え、
   前記複数の端子は、第１方向に沿って並び、
   前記複数の第３溝部は、それぞれ前記第１方向に延出し、前記第１方向に間隔をおいて並び、且つ、千鳥配列され、
   前記複数の第３溝部は、前記第１有機膜を露出し、
   前記無機絶縁膜は、前記第２有機膜を覆うとともに、前記複数の第３溝部において前記第１有機膜を覆い、
   前記接地パッドは、前記複数の第３溝部において前記無機絶縁膜に重なり、
   前記第３溝部において露出される前記第１有機膜は、全面が平坦であり、
   前記配向膜は、前記複数の第３溝部の少なくとも一つにおいて前記接地パッドに接触する、表示装置。
2. 前記第１基板は、前記第２領域において前記第２基板の前記基板端と前記複数の端子との間に位置する前記第１有機膜に形成された第１溝部を備え、
   前記第１溝部は、前記第１方向に延出しており、
   前記第１溝部と前記複数の第３溝部は、互いに重ならない、請求項１に記載の表示装置。
3. さらに、前記複数の端子と電気的に接続された信号源を備え、
   前記第１溝部の前記第１方向に沿った長さは、前記信号源の前記第１方向に沿った長さと同等以上である、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１基板は、さらに、複数の検査パッドと、前記第２領域において前記第２基板の前記基板端と前記複数の検査パッドとの間に位置する前記第２有機膜に形成された第２溝部と、を備え、
   前記複数の検査パッドは、前記第１方向に沿って並び、
   前記第２溝部は、前記複数の検査パッドに沿って前記第１方向に延出している、請求項２に記載の表示装置。
5. 前記第１基板は、前記第２基板の前記基板端と平行な基板端を備え、
   前記第２領域は、前記第１基板の前記基板端と前記第２基板の前記基板端との間の領域であり、
   前記複数の第３溝部は、前記接地パッドと重畳する領域において前記第２基板の前記基板端に近接する側に位置し、前記第１基板の前記基板端に近接する側には設けられていない、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記配向膜の端部は、前記複数の第３溝部のうちの少なくとも１つに位置し、
   前記配向膜は、前記接地パッドのうちの前記第１基板の前記基板端に近接する側を露出している、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１基板は、前記第２基板の前記基板端と平行な基板端を備え、
   前記第２領域は、前記第１基板の前記基板端と前記第２基板の前記基板端との間の領域であり、
   前記第２有機膜の端部は、前記表示部と前記第１溝部との間に位置し、前記第２溝部と前記検査パッドとの間に位置し、前記接地パッドと前記検査パッドとの間に位置し、前記接地パッドと前記第１基板の前記基板端との間に位置している、請求項４に記載の表示装置。
8. 前記第１基板は、前記第２基板の前記基板端と平行な基板端を備え、
   前記第２領域は、前記第１基板の前記基板端と前記第２基板の前記基板端との間の領域であり、
   前記第２有機膜の端部は、前記複数の端子と前記第１溝部との間に位置し、前記検査パッドと前記第２溝部との間に位置し、前記接地パッドと前記第１基板の前記基板端との間に位置し、前記複数の端子と前記接地パッドとの間に位置し、前記接地パッドと前記検査パッドとの間に位置している、請求項４に記載の表示装置。
9. 前記第１基板は、さらに、前記第１領域において前記第１有機膜と前記第２有機膜との間に位置する金属配線を有し、
   前記第２領域において、前記第１溝部は、前記第１有機膜及び前記第２有機膜に形成されている、請求項２に記載の表示装置。
10. 前記第１基板は、さらに、前記第１領域において前記第１有機膜と前記第２有機膜との間に位置する金属配線を有し、
    前記第１溝部は、前記第１有機膜及び前記第２有機膜を貫通する第１部分と、前記第１有機膜上において前記第２有機膜を貫通する第２部分と、を有している、請求項２に記載表示装置。

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