JP7165019B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、基板処理装置100の全体構成を示す図である。基板処理装置100は、基板Wに対して処理液を供給して基板Wに対する処理を行う装置である。基板Wは、例えば半導体基板である。この基板Wは略円板形状を有している。
次に、処理ユニット1について説明する。以下、基板処理装置100に搭載された12個の処理ユニット1のうちの1つを説明するが、他の処理ユニット1についても同様である。図2は、処理ユニット1の平面図である。また、図3は、処理ユニット1の縦断面図である。
チャンバー10は、鉛直方向に沿う側壁11、側壁11によって囲まれた空間の上側を閉塞する天井壁12および下側を閉塞する床壁13を備える。側壁11、天井壁12および床壁13によって囲まれた空間が基板Wの処理空間となる。また、チャンバー10の側壁11の一部には、チャンバー10に対して主搬送ロボット103が基板Wを搬出入するための搬出入口およびその搬出入口を開閉するシャッターが設けられている(いずれも図示省略)。
基板保持部20は例えばスピンチャックである。この基板保持部20は、鉛直方向に沿って延びる回転軸24の上端に水平姿勢で固定された円板形状のスピンベース21を備える。スピンベース21の下方には回転軸24を回転させるスピンモータ22が設けられている。スピンモータ22は、回転軸24を介してスピンベース21を水平面内にて回転させる。また、スピンモータ22および回転軸24の周囲を取り囲むように筒状のカバー部材23が設けられている。
処理液供給部30は吐出ノズル31と固定部材32と移動機構33とを備えている。固定部材32は吐出ノズル31を固定する部材であり、例えばノズルアーム321とノズル基台322とを備えている。ノズルアーム321の先端には吐出ノズル31が取り付けられている。ノズルアーム321の基端側はノズル基台322に固定して連結されている。移動機構33はこの固定部材32を変位させることで、吐出ノズル31を移動させる。例えば移動機構33はモータであって、ノズル基台322を、鉛直方向に沿った軸のまわりで回動させる。ノズル基台322が回動することにより、図2中の矢印AR34にて示すように、吐出ノズル31は基板Wの端部の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動する。
処理カップ40は、基板保持部20を取り囲むように設けられている。処理カップ40は内カップ41、中カップ42および外カップ43を備えている。内カップ41、中カップ42および外カップ43は昇降可能に設けられている。具体的には、処理ユニット1には、昇降機構44が設けられており、昇降機構44は内カップ41、中カップ42および外カップ43を個別に昇降させることができる。昇降機構44は例えばボールねじ機構を有している。
仕切板15は、処理カップ40の周囲においてチャンバー10の内側空間を上下に仕切るように設けられている。仕切板15は、処理カップ40を取り囲む1枚の板状部材であっても良いし、複数の板状部材をつなぎ合わせたものであっても良い。また、仕切板15には、厚さ方向に貫通する貫通孔や切り欠きが形成されていても良く、本実施形態では処理液供給部30,60,65のノズル基台322,622,672を支持するための支持軸を通すための貫通孔(不図示)が形成されている。
カメラ70は、チャンバー10内であって仕切板15よりも上方に設置されている。カメラ70は、例えば撮像素子(例えばCCD(Charge Coupled Device))と、電子シャッター、レンズなどの光学系とを備える。カメラ70は、次で説明する撮像領域を撮像することができる。すなわち、撮像領域は、基板Wに対して上方の撮像位置から見た領域であって、吐出ノズル31から基板Wに向かって流下する処理液Lq1と、基板Wの上面に写る処理液Lq1とを含む領域である。
図3に示すように、チャンバー10内であって仕切板15よりも上方には、照明部71が設けられている。照明部71は例えばLED(Light Emitting Diode)等の光源を含む。照明部71が照射する光の波長は特に制限されないものの、例えば可視光または近赤外光を採用できる。図3の例では、照明部71はカメラ70よりも上方に配置されている。例えば、照明部71は平面視においてカメラ70と重なる位置に配置される(図2参照)。照明部71はカメラ保持部73によって保持されてもよい。例えば照明部71はカメラ保持部73の上面部材732の上面に固定されてもよい。通常、チャンバー10内は暗室であるため、カメラ70が撮像を行うときには照明部71が撮像領域に光を照射する。
制御部9は基板処理装置100の各種構成を制御して基板Wに対する処理を進行する。また制御部9はカメラ70によって取得された撮像画像IM1に対して画像処理を行う。よって、制御部9は画像処理部として機能する。カメラ70は基板Wの上方の撮像位置から吐出ノズル31の先端を撮像するので、カメラ70によって取得される撮像画像IM1には、吐出ノズル31から吐出される略液柱状の処理液Lq1が適切に含まれている。制御部9はこの撮像画像IM1に対する画像処理により、吐出ノズル31から吐出された処理液Lq1の着液位置を監視する(ベベル監視)。この監視処理の一例は後に詳述する。
報知部93は例えば音声出力部(例えばスピーカ)またはディスプレイなどである。報知部93は作業者に対して種々の報知を行うことができる。例えば音声出力部が報知音(ブザーまたは音声)を出力したり、あるいは、ディスプレイが報知情報を表示することにより、作業者に対して種々の報知を行うことができる。報知部93の報知は制御部9によって制御される。
図6は、基板処理の一例を示すフローチャートである。まずステップS1にて、主搬送ロボット103によって基板Wが基板保持部20上に搬送される。基板保持部20は、搬送された基板Wを保持する。
基板Wの上面には、例えば金属パターン、半導体パターン、絶縁層パターンおよびレジストパターンなどの種々のパターンが形成され得る。よって、基板Wの上面に写る処理液Lq1(つまり鏡像Lqm1)は、これらのパターンの影響を受ける。つまり、処理液Lq1の鏡像Lqm1にノイズが含まれる。
また上述の例では、カメラ70は、吐出ノズル61と同様に固定部材62に固定されている。つまり、カメラ70を移動させる機構と吐出ノズル61を移動させる機構とを兼用している。よって、各々に専用の機構を設ける場合に比して、製造コストおよびサイズを低減できる。
処理液Lq1がフッ酸を含む場合、カメラ70の筐体の下面もしくはカメラ保持部73の下面部材734の下端面は、耐薬品性の材料で形成されているとよい。要するに、カメラ70を保護する保護部材74がカメラ70の下面側に設けられているとよい。保護部材74としては、フッ酸に対する薬品性が高い、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂または塩化ビニル樹脂などの耐薬品性樹脂またはステンレスなどの金属を採用することができる。
上述の例では、制御部9は、吐出ノズル31の位置を基準とした判定領域R2内の画素に基づいて処理液Lq1の着液位置を求めた。つまり、吐出ノズル31の位置を基準とした着液位置を求めることで、その着液位置を監視した。これは、例えば、移動機構33による吐出ノズル31の位置精度が高い場合に特に有効である。しかるに、その位置精度が比較的低い場合もある。そこで、制御部9は基板Wの周縁の位置を基準とした処理液Lq1の着液位置を監視してもよい。
上述の例では、制御部9は直線成分LC1と直線成分LC2との屈曲位置に基づいて着液位置を求めた。しかるに、必ずしもこれに限らない。
図11は、処理ユニット1Bの構成の一例を概略的に示す図である。処理ユニット1Bは撮像光学系を除いて、処理ユニット1と同様の構成を有している。処理ユニット1Bにおいては、ミラー75が設けられている。ミラー75は基板Wの上方の撮像位置に配置され、カメラ70は基板Wの上方以外の領域に配置されている。図11に例示するように、カメラ70は平面視において処理カップ40の上方に位置してもよい。ミラー75は撮像領域からの光をカメラ70の受光面に向かって反射させる。よって、カメラ70は、基板Wの上方の撮像位置から見た撮像領域を撮像することができる。
上述の例では、制御部9は撮像画像IM1に対して画像処理を行って、処理液Lq1の着液位置を求め、これが適切な範囲内にあるか否かを判定した。しかしながら、制御部9は機械学習を用いて判定を行ってもよい。
上述の例では、分類器91への入力データとして、撮像画像IM1の全領域を採用しているものの、必ずしもこれに限らない。例えば制御部9は、撮像画像IM1のうち判定領域R2の画像を切り出して、その画像を分類器91に入力してもよい。この場合、機械学習部92に入力される学習データとしても、判定領域R2を示す画像を採用する。
上述の例では、基板処理装置100に設けられた制御部9が機械学習によって分類器91を生成し、その分類器91によりフレームを分類した。しかるに、この制御部9による機械学習機能(分類器91および機械学習部92)の少なくとも一部の機能がサーバに設けられていてもよい。
20 基板保持部
31 ノズル(吐出ノズル)
33 移動機構
40 カップ部材(処理カップ)
44 昇降機構
70 カメラ
91 分類器
93 報知部
100 基板処理装置
W 基板
Claims (10)
- 基板保持部に基板を保持させる保持工程と、
前記基板保持部を回転させて、前記基板を回転させる回転工程と、
前記基板保持部の外周を囲むカップ部材を上昇させて、前記カップ部材の上端を、前記基板保持部に保持された前記基板の上面よりも高い上端位置に位置させる上昇工程と、
前記上端位置よりも低い位置にあるノズルの吐出口から、前記基板保持部に保持された前記基板の上面の端部に、処理液を吐出するベベル処理工程と、
前記ノズルの前記吐出口から吐出される処理液と、前記基板の上面に写る前記処理液である鏡像とを含む撮像領域であって、前記基板保持部に保持された前記基板の上方の撮像位置から見た撮像領域を、カメラに撮像させて、撮像画像を取得する撮像工程と、
前記撮像画像における前記処理液と前記鏡像とに基づいて、前記処理液の着液位置を監視する監視工程と
を備える、基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記撮像画像において、前記処理液および前記鏡像を含む全体像が前記処理液と前記鏡像との境界において屈曲しており、
前記監視工程においては、前記処理液の前記全体像の屈曲位置に基づいて前記着液位置を求める、基板処理方法。 - 請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記監視工程において、
前記撮像画像に対してエッジ検出処理および二値化処理を行って得られた二値化画像から、前記処理液の吐出方向に沿って延びる第1直線成分と、前記鏡像の吐出方向に沿って延びる第2直線成分とを検出し、前記第1直線成分と前記第2直線成分との交点を前記屈曲位置として求める、基板処理方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記カメラの露光時間は基板が1回転するのに要する時間以上に設定される、基板処理方法。 - 請求項2または請求項3に記載の基板処理方法であって、
基板が1回転するのに要する時間以上の時間内に前記カメラによって取得された複数の撮像画像を積分または平均して得られた撮像画像における前記全体像に基づいて、前記着液位置を求める、基板処理方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記監視工程においては、
前記撮像画像における前記基板の周縁の位置を特定し、
前記基板の周縁の位置を基準とした前記処理液の前記着液位置を求める、基板処理方法。 - 請求項1から請求項6のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記監視工程は、
求めた前記着液位置が所定の範囲内にないときに、その旨を報知部に報知させる工程を含む、基板処理方法。 - 請求項1から請求項7のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記監視工程において、
機械学習済みの分類器によって、前記撮像画像を、着液位置の異常なしのカテゴリ、および、着液位置の異常ありのカテゴリのいずれかに分類する、基板処理方法。 - 請求項8に記載の基板処理方法であって、
前記監視工程において、
前記撮像画像から、前記ノズルの直下に位置し、前記処理液のおよび前記鏡像を含む領域を切り出し、切り出した領域の画像を前記分類器に入力する、基板処理方法。 - 基板を保持し、前記基板を回転させる基板保持部と、
前記基板保持部の外周を囲むカップ部材と、
前記カップ部材を上昇させて、前記カップ部材の上端を、前記基板保持部に保持された前記基板の上面よりも高い上端位置に位置させる昇降機構と、
前記上端位置よりも低い位置にある吐出口を有し、前記吐出口から、前記基板保持部に保持された前記基板の上面の端部に、処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルの前記吐出口から吐出される処理液と、前記基板の上面に写る前記処理液である鏡像とを含む撮像領域であって、前記基板保持部に保持された前記基板の上方の撮像位置から見た撮像領域を、カメラに撮像させて、撮像画像を取得するカメラと、
前記撮像画像における前記処理液と前記鏡像とに基づいて、前記処理液の着液位置を監視する画像処理部と
を備える、基板処理装置。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7443163B2 (ja) | 2020-05-27 | 2024-03-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7718906B2 (ja) * | 2021-08-18 | 2025-08-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| JP2023122222A (ja) * | 2022-02-22 | 2023-09-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理システム並びに基板処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009812A (ja) | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2015152475A (ja) | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 変位検出装置、基板処理装置、変位検出方法および基板処理方法 |
| JP2016136572A (ja) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH115056A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置 |
| US6680078B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-01-20 | Micron Technology, Inc. | Method for dispensing flowable substances on microelectronic substrates |
| JP2004179185A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-24 | Sharp Corp | 半導体デバイスの開封装置及び開封方法 |
| JP5045218B2 (ja) | 2006-10-25 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
| DE102010015944B4 (de) * | 2010-01-14 | 2016-07-28 | Dusemund Pte. Ltd. | Dünnungsvorrichtung mit einer Nassätzeinrichtung und einer Überwachungsvorrichtung sowie Verfahren für ein in-situ Messen von Waferdicken zum Überwachen eines Dünnens von Halbleiterwafern |
| JP6026362B2 (ja) | 2013-07-09 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、及び記憶媒体 |
| KR102247118B1 (ko) * | 2013-09-26 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 토출 검사 장치 |
| JP6278759B2 (ja) | 2014-03-11 | 2018-02-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20150262848A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for discharge of processing liquid from nozzle |
| JP6423672B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-11-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2016096303A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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