JP7199563B2 - 半導体製造工程における新規なエッチングパターン形成方法 - Google Patents

半導体製造工程における新規なエッチングパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7199563B2
JP7199563B2 JP2021551910A JP2021551910A JP7199563B2 JP 7199563 B2 JP7199563 B2 JP 7199563B2 JP 2021551910 A JP2021551910 A JP 2021551910A JP 2021551910 A JP2021551910 A JP 2021551910A JP 7199563 B2 JP7199563 B2 JP 7199563B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
silicon
forming
organic
dimethylsiloxane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021551910A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022522811A (ja
Inventor
スジン イ
ギフン キム
スンフン イ
スンヒョン イ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ycchem Co Ltd
Original Assignee
Youngchang Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Youngchang Chemical Co Ltd filed Critical Youngchang Chemical Co Ltd
Publication of JP2022522811A publication Critical patent/JP2022522811A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7199563B2 publication Critical patent/JP7199563B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6342—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6684—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H10P14/6686—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/6903—Inorganic materials containing silicon
    • H10P14/6905—Inorganic materials containing silicon being a silicon carbide or silicon carbonitride and not containing oxygen, e.g. SiC or SiC:H
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
    • H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/73—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
    • H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
    • H10P76/2041—Photolithographic processes
    • H10P76/2043—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/405—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their composition, e.g. multilayer masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
    • H10P76/4085—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes characterised by the processes involved to create the masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6927—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

本発明は、半導体製造工程においてエッチングパターンを形成するために、エッチング工程前に、通常のウェーハ上にフォトレジスト膜／反射防止膜／ＳｉＯＮ膜／有機ハードマスク膜の４層を形成する従来の方法とは異なり、革新的にフォトレジスト膜／多機能有機無機マスク膜からなる２層のみを形成することにより、従来の方法と同じエッチングパターンを実現することができる方法に関する。
近年、半導体の需要の増加に伴い、半導体製造装備に対する大規模な投資と一緒に製造工程の単純化を介して生産性の効率を増大させようとする努力が切実に求められている。
半導体の小型化及び集積化により微細パターンの実現が要求されており、高解像度を実現することができるフォトレジストと、該フォトレジストの乱反射によるパターン不良を防止するための反射防止膜と、エッチング選択比を高めるための無機膜及び有機ハードマスク膜を順次ウェーハ上にコーティングすることが、従来の最適化方法として知られており、現在、ほとんどの半導体製造におけるエッチングパターン形成のためのコーティング膜構成方法である。
通常のウェーハ上にフォトレジスト膜／反射防止膜／ＳｉＯＮ膜／有機ハードマスク膜の４層を形成し、各コーティング膜の形成のためにはコーティング、熱処理、露光、現像などの最小２つの工程乃至最大６つの工程を経るので、完成のためには合計８乃至２４個の工程を経なければならない。
４つのコーティング膜のいずれか一つでも減らすか、或いはこれらのコーティング膜を形成する２つ乃至６つの工程のいずれか一つでも減らす場合には、生産時間及びコストを大幅に短縮させることができるだけでなく、製造装備の投資費用及び維持費用も大幅に節減することができる。
このような改善のために、それぞれのコーティング膜の物性を一部統合しようとする努力が着実に進められているが、それぞれのコーティング膜に要求される物性を満足する結果は、まだ微々たる状態であって、一部の発明と論文において、反射防止膜とＳｉＯＮ膜で代表される無機膜質の性質を統合した物質を開発した結果はあるものの、一つの有機膜質からなる反射防止膜とシリコン無機膜質の相反する性質に起因する限界により、無機膜質の役割は果たしても、反射防止膜の役割をきちんと果たさないか、或いは、これとは逆に、反射防止膜の役割は果たしても、無機膜質の役割を果たさない場合がほとんどであって、非常に制限的な場合にのみ使用されていることが現在の素材技術の現況である。
また、ＳｉＯＮ膜などの無機膜質と炭素から主に構成された有機ハード膜質の統合は、それぞれの物性が異なるため、酸素やフッ化ガスに対するエッチング比が異なって不可能な状況であり、有機ハード膜質の厚さを厚くしてより深くエッチングする場合は可能であるものの、これも反射防止膜と無機膜質が必須的に含まれなければならない工程であるので、改善とは認められない。
最後に、無機膜質を厚くすることが考えられるが、これは、無機膜質がガラス膜であるので、厚さを厚くすると、熱処理の際にクラックが生じるか或いは不均一な厚さの膜質が形成されるので、有機ハード膜質を代替する程度に厚さを厚くすることは不可能である。
本発明は、このような従来の問題を解決するために、フォトレジスト膜の乱反射を防止しながら、無機膜質と有機膜質のエッチングガスに対して適切なエッチング耐性を有し、クラックのように表面欠陥のない均一なコーティング性を有しながらも、十分な厚さを確保することができるコーティング組成物を用いて、反射防止膜／無機膜／有機膜からなる３つのコーティング膜を１つのコーティング膜で代替することができるエッチング前のコーティング工程技術を開発することになった。
本発明は、半導体製造工程においてエッチングパターンを形成するために、エッチング工程前に、通常のウェーハ上にフォトレジスト膜／反射防止膜／ＳｉＯＮ膜／有機ハードマスク膜の４層を形成する従来の方法とは異なり、革新的にフォトレジスト膜／多機能有機無機マスク膜からなる２層のみを形成することにより、従来の方法と同じエッチングパターンを実現することができる方法を提示することにより、従来の方法に比べて工程を絶対単純化して生産時間及び費用を大幅に改善し、従来の方法で使用していた高価なコーティング及び蒸着装備をそれ以上必要としないので、関連装備に対する投資や維持費用がそれ以上発生しなくなり、ＳｉＯＮを化学的に蒸着する方法において、高価な原料であるプリカーサー（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）や装備が必要なくなり、高価な有機ハードマスクも使用する必要がないので、製造コストも絶対的に節減される効果もある。
本発明は、半導体製造工程においてエッチングパターンを形成するために、エッチング工程前に、通常のウェーハ上にフォトレジスト膜／反射防止膜／ＳｉＯＮ膜／有機ハードマスク膜の４層を形成する従来の方法とは異なり、革新的にフォトレジスト膜／多機能有機無機マスク膜からなる２層のみを形成することにより、従来の方法と同じエッチングパターンを実現することができる方法に関する。
詳しくは、通常の半導体製造工程中のシリコン又はシリコン化合物層のエッチング工程において、エッチング対象物に有機膜と無機膜を順次適切な厚さで積層するが、まず、炭素が多量に含有されている有機炭素膜層をコーティングし、ＳｉＯＮ層を化学気相蒸着法で蒸着した後、その上に反射防止膜をコーティングし、最後にフォトレジストをコーティングしてパターニングを行う。パターニングされたフォトレジストを用いてＳｉＯＮ層をフッ化ガスでエッチングした後、酸素ガスで有機炭素膜層をエッチングし、最後にさらにフッ化ガスでシリコン又は酸化シリコン層をエッチングしてパターンを形成する。
本発明は、通常の半導体エッチング工程において、エッチング対象物に有機炭素膜層、ＳｉＯＮ層及び反射防止膜層の３層を、１つの有機無機が混在している多機能有機無機マスクコーティング膜層で代替してコーティングし、最後にフォトレジストをコーティングしてパターニングを行う。その後、パターニングされたフォトレジストを用いて、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜層をフッ化ガス、酸素ガス、又はこれらが含まれている混合ガスで一度にシリコン又は酸化シリコン層をエッチングしてパターンを形成する。
本有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜は、物理又は化学的蒸着法を使用せず、スピンコーティングと熱処理で簡単にコーティング膜を形成することができる。前記スピンコーティングが可能な、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜のスピン塗布厚さは、特に限定されないが、１００Å乃至１０，０００Åの厚さで塗布でき、１５０℃乃至４００℃の温度で１分乃至５分間ベーク工程を行うことができる。
前記１つの有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜は、フォトレジストの露光工程で反射防止膜の役割を果たすとともに、エッチングガスに対して適切なエッチング耐性を持たなければならない。
ここで、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜とは、スピンコーティング方法でウェーハ上に塗布が可能な物質であって、Ｓｉ化合物の含有量が２０％乃至８０％、炭素含有量が２０％乃至８０％、酸素、水素などのその他の元素の含有量が１乃至２０％である膜質を意味し、コーティングされた膜の波長１９３ｎｍにおけるｎ値（屈折率値）は１．４乃至１．９５、ｋ値（吸光係数値）は０．２５乃至０．８５にすることができる。
前記有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜は、炭素が含有されたＳｉ化合物３乃至５０重量％、溶媒５０乃至９７重量％、架橋剤０乃至１０重量％、添加剤０乃至５重量％、界面活性剤０乃至３重量％から構成される。
選択可能な炭素が含有されたＳｉ化合物は、水酸基、アルコキシド基、カルボキシル基など、架橋が可能な末端基が含まれている炭素シリコン化合物であって、例えば、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）メチルシロキサン］、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロリン）メチルシロキサン］、ジグリシジルエーテル末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ビス（ヒドロキシアルキル）末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ジヒドロキシ末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－ジフェニルシロキサン）、トリメチルシリル末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチルヒドロシロキサン）、ポリ（ジメチルシロキサン）－グラフト－ポリアクリレート、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチル（３－ヒドロキシプロピル）シロキサン］－グラフト－ポリ（エチレングリコール）メチルエーテルなどから選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な溶媒としては、前記炭素が含有されたＳｉ化合物に対する十分な溶解性を有する溶媒であれば特に制限がなく、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチル３－エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、乳酸エチル（ＥＬ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）などから選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な架橋剤としては、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート（Ｔｒｉｓ（２，３－ｅｐｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｉｓｏｃｙａｎｕｒａｔｅ）、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｐｒｏｐａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリエチロールエタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｏｌｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、ヘキサメチロールメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシメチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシエチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、テトラメチロール２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌ ２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメトキシメチル－２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌ－２、４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメチロールグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシメチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、テトラメトキシメチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシエチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメチロール尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｕｒｅａ）、テトラメトキシエチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、及びテトラメトキシエチル２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）よりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な添加剤は、熱酸発生剤（ＴＡＧ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｅｒ）であって、熱処理時に酸を放出する酸発生剤として、例えば、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート、ベンゾイントシラート、テトラブロモシクロヘキサジエン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、アジキュアＭＹ－Ｈ、フジキュアＦＸＲ－１０３０などよりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な界面活性剤としては、陰イオン性、非イオン性、陽イオン性、両性界面活性剤であって、単独或いはこれらの混合物よりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
本発明によれば、エッチングガスに対して適切なエッチング耐性を基本的に持っているとともに、反射防止膜の役割が含まれている新規の有機無機混在コーティング物質を用いた新規工程は、従来の有機炭素膜層、ＳｉＯＮ膜層及び反射防止膜層の３層を１つの多機能有機無機マスク膜層で代替することにより、コーティング工程と熱処理工程を絶対単純化して生産時間を大幅に短縮することができるだけでなく、生産費用も大幅に節減することができ、従来の方法で使用していた高価なコーティング及び蒸着装備がそれ以上に必要としなくなるので、それ以上関連装備に対する投資又は維持費用が発生しない効果も期待することができる。
また、ＳｉＯＮを化学的に蒸着する方法において、高価な原料であるプリカーサー（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）や蒸着装備が必要なくなり、高価な有機ハードマスクも使用する必要がないので、製造コストも絶対的に節減されるという効果もある。
以下、本発明をより詳細に説明する。
本発明は、半導体製造工程中にエッチングパターンを形成するために、エッチング工程の前に、通常のウェーハ上にフォトレジスト膜／反射防止膜／ＳｉＯＮ膜／有機ハードマスク膜の４層を形成する従来の方法とは異なり、革新的にフォトレジスト膜／多機能有機無機マスク膜からなる２層のみを形成することにより、従来の方法と同じエッチングパターンを実現することができる方法に関する。
本発明における新規なエッチングパターン形成方法は、基板層上に、有機無機が混合された多機能有機無機マスク膜をコーティングし、その上にフォトレジストをコーティングしてマスクを形成し、適正ガスでエッチングして所望のパターンを形成する。具体的には、エッチング対象物であるウェーハにフォトレジスト膜／反射防止膜／ＳｉＯＮ膜／有機ハードマスク膜の４層を形成するステップを、フォトレジスト膜／多機能有機無機マスク膜の２層を形成するステップで代替するシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法は、ｉ）エッチング対象物であるウェーハにスピンコーティングが可能な溶媒、シリコン化合物、架橋剤、添加剤、及び界面活性剤からなる液状の多機能有機無機マスク膜組成物を、スピンコーターを用いて、１００乃至４０００ｒｐｍで回転させながらコーティングし、１００乃至４００℃の温度で２０乃至６００秒間熱処理して多機能有機無機マスク膜を一次に形成するステップと、ｉｉ）前記形成された多機能有機無機マスク膜の上にパターン形成のためのフォトレジストコーティング膜を二次に形成するステップと、ｉｉｉ）露光と現像を経てフォトレジストパターンを形成するステップと、ｉｖ）前記形成されたフォトレジストパターンを用いて、エッチングが可能なガスでドライエッチングを行うことにより、シリコン又はシリコン化合物のパターンを形成するステップと、を含んでなることを特徴とする、シリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法であることができる。
本有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜は、物理又は化学的蒸着法を使用せず、スピンコーティングと熱処理で簡単にコーティング膜を形成することができる。前記スピンコーティングが可能な、有機無機が混在している膜のスピン塗布厚さは特に限定されないが、１００Å乃至１０，０００Åの厚さで塗布でき、１００℃乃至４００℃の温度で２０秒乃至５分間ベーク工程を行うことができ、好ましくは、１５０℃乃至４００℃の温度で１分乃至５分間ベーク工程を行うことができる。
ここで、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜とは、スピンコーティング方法でウェーハ上に塗布が可能な物質であって、Ｓｉ化合物の含有量が２０％乃至７９重量％、炭素の含有量が２０％乃至７９重量％、酸素、水素などのその他の元素の含有量が１乃至２０重量％である膜質を意味する。
コーティングされた膜の波長１９３ｎｍでのｎ値（屈折率値）は１．４乃至１．９５にし、ｋ値（吸光係数値）は０．２５乃至０．８５にすることができる。
前記有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜は、炭素が含有されたＳｉ化合物３乃至５０重量％、溶媒５０乃至９７重量％、架橋剤０乃至１０重量％、添加剤０乃至５重量％、及び界面活性剤０乃至３重量％から構成される。
選択可能な炭素が含有されたＳｉ化合物は、水酸基、アルコキシド基、カルボキシル基など、架橋が可能な末端基が含まれている炭素シリコン化合物であって、例えば、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）メチルシロキサン］、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロリン）メチルシロキサン］、ジグリシジルエーテル末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ビス（ヒドロキシアルキル）末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ジヒドロキシ末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－ジフェニルシロキサン）、トリメチルシリル末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチルヒドロシロキサン）、ポリ（ジメチルシロキサン）－グラフト－ポリアクリレート、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチル（３－ヒドロキシプロピル）シロキサン］－グラフト－ポリ（エチレングリコール）メチルエーテルなどから選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な溶媒としては、前記炭素が含有されたＳｉ化合物に対する十分な溶解性を有する溶媒であれば特に制限はなく、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチル３－エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、乳酸エチル（ＥＬ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）などから選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な架橋剤としては、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート（Ｔｒｉｓ（２，３－ｅｐｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｉｓｏｃｙａｎｕｒａｔｅ）、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｐｒｏｐａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリエチロールエタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｏｌｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、ヘキサメチロールメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシメチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシエチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、テトラメチロール２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌ２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメトキシメチル－２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメチロールグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシメチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、テトラメトキシメチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシエチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメチロール尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｕｒｅａ）、テトラメトキシエチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、及びテトラメトキシエチル２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）よりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な添加剤は、熱酸発生剤（ＴＡＧ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｅｒ）であって、熱処理時に酸を放出する酸発生剤として、例えば、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート、ベンゾイントシラート、テトラブロモシクロヘキサジエン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、アジキュアＭＹ－Ｈ、フジキュアＦＸＲ－１０３０などよりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な界面活性剤としては、陰イオン性、非イオン性、陽イオン性、両性界面活性剤であって、単独或いはこれらの混合物よりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
本発明の目的、技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は、以下の詳細な説明によってより明確に理解できる。
本発明は、基板層の上に、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜層をコーティングし、その上にフォトレジスト膜をコーティングし、露光してマスクを形成する。
前記スピンコーティングが可能な、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜のスピン塗布厚さは、特に限定されないが、１００Å乃至１０，０００Åの厚さで塗布でき、１５０℃乃至４００℃の温度で１分乃至５分間ベーク工程を行うことができる。前記パターン形成のための光源は、１３．５ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３６５ｎｍの波長を有するものとＥ－ｂｅａｍを含む群から選ばれるものであることができる。
前記形成されたマスクを用いて、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜をエッチングすることができるエッチングガスを用いてドライエッチングを行う。前記ドライエッチングに使用することができるガスは、アルゴン、窒素を始めとする不活性ガス；フッ素元素が１つ以上含まれている分子からなるガス；又は酸素ガス；よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合ガスであることができる。
前記有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜は、炭素が含有されたＳｉ化合物３乃至５０重量％、溶媒５０乃至９７重量％、架橋剤０乃至１０重量％、添加剤０乃至５重量％、及び界面活性剤０乃至３重量％から構成される。
選択可能な炭素が含有されたＳｉ化合物は、 水酸基、アルコキシド基、カルボキシル基など、架橋が可能な末端基が含まれている炭素シリコン化合物であって、例えば、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）メチルシロキサン］、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロリン）メチルシロキサン］、ジグリシジルエーテル末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ビス（ヒドロキシアルキル）末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ジヒドロキシ末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－ジフェニルシロキサン）、トリメチルシリル末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチルヒドロシロキサン）、ポリ（ジメチルシロキサン）－グラフト－ポリアクリレート、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチル（３－ヒドロキシプロピル）シロキサン］－グラフト－ポリ（エチレングリコール）メチルエーテルなどから選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な溶媒としては、前記炭素が含有されたＳｉ化合物に対する十分な溶解性を有する溶媒であれば特に制限はなく、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチル３－エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、乳酸エチル（ＥＬ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）などから選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な架橋剤としては、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート（Ｔｒｉｓ（２，３－ｅｐｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｉｓｏｃｙａｎｕｒａｔｅ）、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｐｒｏｐａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリエチロールエタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｏｌｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、ヘキサメチロールメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシメチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシエチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、テトラメチロール２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌ２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメトキシメチル－２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメチロールグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシメチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、テトラメトキシメチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシエチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメチロール尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｕｒｅａ）、テトラメトキシエチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、及びテトラメトキシエチル２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）よりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な添加剤は、熱酸発生剤（ＴＡＧ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｅｒ）であって、熱処理時に酸を放出する酸発生剤として、例えば、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート、ベンゾイントシラート、テトラブロモシクロヘキサジエン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、アジキュアＭＹ－Ｈ、フジキュアＦＸＲ－１０３０などよりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
選択可能な界面活性剤としては、陰イオン性、非イオン性、陽イオン性、両性界面活性剤であって、単独或いはこれらの混合物よりなる群から選ばれる１種以上を使用することができる。
以上、本発明の好適な実施方法を具体的に記述した。
以下、本発明の好適な実施例及び比較例を説明する。ところが、下記実施例は本発明の好適な一実施例に過ぎず、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
以下、本発明の好適な実施例及び比較例を説明する。ところが、下記実施例は本発明の好適な一実施例に過ぎず、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
実施例１～５及び比較例１～３
実施例１
ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロリン）メチルシロキサン］７ｇ、テトラメトキシエチルグリコールウリル０．３５ｇ、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート０．１ｇ、ポリオキシエチレンラウリルエーテル０．０７ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９３ｇを入れてよく攪拌し、孔径３０ｎｍのフィルターでフィルタリングして、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜コーティング液を製造する。
スピンコーター又は適切なコーティング装備を用いて、基板層の上にコーティング液を注射して１０００Åにコーティングし、２４０℃の温度で２分間ベーク工程を行って膜を形成した後、ＡｒＦ用フォトレジストを１５００Åの厚さにコーティングし、しかる後に、ＡＳＭＬ（ＡｒＦ装備会社）ＡｒＦ露光装備で２４ｍＪにて露光することにより、サイズ４０ｎｍのパターンを有するマスクを形成した。前記形成されたマスクを用いて、蒸着された膜に対して、ＣＦ４が含まれている混合エッチングガスを用いて、酸化シリコン層を５００Åの深さまでエッチングした。
実施例２
ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）メチルシロキサン］８．５ｇ、テトラメトキシエチルグリコールウリル０．４３ｇ、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート０．１３ｇ、ポリオキシエチレンラウリルエーテル０．０８５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９１．５ｇを入れてよく攪拌し、孔径３０ｎｍのフィルターでフィルタリングして、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜コーティング液を製造する以外は、実施例１と同様にして、パターン形成を行った。
実施例３
ジヒドロキシ末端化ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－ジフェニルシロキサン）８．５ｇ、テトラメトキシエチルグリコールウリル０．４３ｇ、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート０．１３ｇ、ポリオキシエチレンラウリルエーテル０．０８５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９１．５ｇを入れてよく攪拌し、孔径３０ｎｍのフィルターでフィルタリングして、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜コーティング液を製造する以外は、実施例１と同様にして、パターン形成を行った。
実施例４
ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロリン）メチルシロキサン］７ｇ、テトラメトキシエチルグリコールウリル０．３５ｇ、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート０．１ｇ、ポリオキシエチレンラウリルエーテル０．０８７ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９３ｇを入れてよく攪拌し、孔径３０ｎｍのフィルターでフィルタリングして、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜コーティング液を製造する。
スピンコーター又は適切なコーティング装備を用いて基板層の上にコーティング液を注射して１０００Åの厚さにコーティングし、２４０℃の温度で２分間ベーク工程を行って膜を形成した後、ＫｒＦ用フォトレジストを５４００Åの厚さにコーティングした後、Ｎｉｋｏｎ ＫｒＦ露光装備で３０ｍＪにて露光することにより、サイズ２５０ｎｍのパターンを持つマスクを形成した。前記形成されたマスクを用いて、蒸着された膜に対して、ＣＦ４が含まれている混合エッチングガスを用いて酸化シリコン層を５００Åの深さまでエッチングした。
実施例５
ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロリン）メチルシロキサン］７ｇ、テトラメトキシエチルグリコールウリル０．３５ｇ、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート０．１ｇ、ポリオキシエチレンラウリルエーテル０．０７ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９３ｇを入れてよく攪拌し、孔径３０ｎｍのフィルターでフィルタリングして、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜コーティング液を製造する。
スピンコーター又は適切なコーティング装備を用いて基板層の上にコーティング液を注射して１０００Åの厚さにコーティングし、２４０℃の温度で２分間ベーク工程を行って膜を形成した後、Ｉ－ｌｉｎｅ用フォトレジストを６５００Åの厚さにコーティングした後、Ｎｉｋｏｎ Ｉ－ｌｉｎｅ露光装備で１４０ｍＪにて露光することにより、サイズ５００ｎｍのパターンを持つマスクを形成した。前記形成されたマスクを用いて、蒸着された膜に対して、ＣＦ４が含まれている混合エッチングガスを用いて酸化シリコン層を５００Åの深さまでエッチングした。
比較例１
有機ハードマスク膜をスピンコーターを用いて基板層の上に３１００Åの厚さにコーティングし、４００℃の温度で２分間ベーク工程を行って膜を形成した後、蒸着装備を用いてＳｉＯＮ層を５００Åの厚さに形成し、スピンコーターを用いて反射防止膜を３００Åの厚さにコーティングし、２４０℃の温度で１分間ベーク工程を行って膜を形成した後、ＡｒＦ用フォトレジストを１５００Åの厚さにコーティングした後、ＡＳＭＬ（ＡｒＦ装備会社）ＡｒＦ露光装備で２４ｍＪにて露光することにより、サイズ４０ｎｍのパターンを持つマスクを形成した。前記形成されたマスクを用いて、蒸着された膜に対して、ＣＦ４が含有された混合ガスとＯ２が含有された混合エッチングガスを用いて順次エッチングすることにより、酸化シリコン層を５００Åの深さまでエッチングした。
比較例２
有機ハードマスク膜をスピンコーターを用いて基板層の上に３１００Åの厚さにコーティングし、４００℃の温度で２分間ベーク工程を行って膜を形成した後、蒸着装備を用いてＳｉＯＮ層を５００Åの厚さに形成し、スピンコーターを用いて反射防止膜を３００Åの厚さにコーティングし、２４０℃の温度で１分間ベーク工程を行って膜を形成した後、ＫｒＦ用フォトレジストを３２００Åの厚さにコーティングし、しかる後に、Ｎｉｋｏｎ ＫｒＦ露光装備で３０ｍＪにて露光することにより、サイズ２５０ｎｍのパターンを持つマスクを形成した。前記形成されたマスクを用いて、蒸着された膜に対して、ＣＦ４が含有された混合ガスとＯ２が含有された混合エッチングガスを用いて順次エッチングすることにより、酸化シリコン層を５００Åの深さまでエッチングした。
比較例３
有機ハードマスク膜をスピンコーターを用いて基板層の上に３１００Åの厚さにコーティングし、４００℃の温度で２分間ベーク工程を行って膜を形成した後、蒸着装備を用いてＳｉＯＮ層を５００Åの厚さに形成し、スピンコーターを用いて反射防止膜を３００Åの厚さにコーティングし、２４０℃の温度で１分間ベーク工程を行って膜を形成した後、Ｉ－ｌｉｎｅ用フォトレジストを６５００Åの厚さにコーティングした後、Ｎｉｋｏｎ Ｉ－ｌｉｎｅ露光装備で１４０ｍＪにて露光することにより、サイズ５００ｎｍのパターンを持つマスクを形成した。前記形成されたマスクを用いて、蒸着された膜に対して、ＣＦ４が含有された混合ガスとＯ２が含有された混合エッチングガスを用いて順次エッチングすることにより、酸化シリコン層を５００Åの深さまでエッチングした。
特性測定
＜光学物性試験＞
実施例１乃至５で形成された、有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜、及び比較例１乃至３で形成された有機ハードマスク膜層とＳｉＯＮ層に対して屈折率（ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ）ｎと吸光係数（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｃｏｆｆｉｃｉｅｎｔ）ｋをそれぞれ測定し、その結果を表１に示した。測定機器は、Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ（Ｈｏｒｉｂａ）を用いた。
Figure 0007199563000001
エッチング対象物に、有機炭素膜層、ＳｉＯＮ膜層及び反射防止膜層の３層を、１つの有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜層で代替してコーティングし、最後にフォトレジストをコーティングしてパターニングを行った実施例１乃至実施例５と、エッチング対象物に有機炭素膜層、ＳｉＯＮ膜層及び反射防止膜層の３層をコーティングし、最後にフォトレジストをコーティングしてパターニングを行った比較例１乃至比較例３とを比較した結果、屈折率値と吸光係数値の両方とも相違しないことを確認することができた。
＜パターン形成試験＞
実施例１乃至５及び比較例１乃至３で形成された膜に対してドライエッチングを行うことにより、形成されたパターンの幅と深さを測定した。走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ、Ｈｉｔａｃｈｉ）を用いて断面を確認し、測定結果を表２に示した。
Figure 0007199563000002
エッチング対象物に、有機炭素膜層、ＳｉＯＮ膜層及び反射防止膜層の３層を、１つの有機無機が混在している多機能有機無機マスク膜層で代替してコーティングし、最後にフォトレジストをコーティングしてパターニングを行った実施例１乃至実施例５と、エッチング対象物に有機炭素膜層、ＳｉＯＮ膜層及び反射防止膜層の３層をコーティングし、最後にフォトレジストをコーティングしてパターニングを行った比較例１乃至比較例３とを比較した結果は、次の通りである。
第一に、ＡｒＦ露光装備で２４ｍＪにて露光することにより、サイズ４０ｎｍのパターンを持つマスクを形成した実施例１乃至３と比較例１の場合は、パターンの幅及びパターンの深さが同一性の範疇に入ることが分かった。
第二に、ＫｒＦ露光装備で３０ｍＪにて露光することにより、サイズ２５０ｎｍのパターンを持つマスクを形成した実施例４と比較例２の場合は、パターンの幅及びパターンの深さが同じであることが分かった。
第三に、Ｉ－ｌｉｎｅ露光装備で１４０ｍＪにて露光することにより、サイズ５００ｎｍのパターンを持つマスクを形成した実施例５と比較例３の場合は、パターンの幅とパターンの深さが同じであることが分かった。
以上、本発明の特定の部分を詳細に記述したところ、当業分野における通常の知識を有する者にとって、このような具体的記述は、単に好ましい実施様態に過ぎず、これにより、本発明の範囲が制限されるものではない点は明らかである。よって、本発明の実質的な範囲は、請求項とそれらの等価物によって定義されるというべきである。

Claims (8)

  1. エッチング対象物であるウェーハにフォトレジスト膜／反射防止膜／ＳｉＯＮ膜／有機ハードマスク膜の４つの層を形成するステップをフォトレジスト膜／多機能有機無機マスク膜の２層を形成するステップで代替するシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法であって、
    ｉ）エッチング対象物であるウェーハに、スピンコーティングが可能な溶媒、シリコン化合物、架橋剤、添加剤及び界面活性剤からなる液状の多機能有機無機マスク膜組成物を、スピンコーターを用いて１００乃至４０００ｒｐｍで回転させながらコーティングし、１００乃至４００℃の温度で２０乃至６００秒間熱処理して多機能有機無機マスク膜を一次に形成するステップと、
    ｉｉ）前記形成された多機能有機無機マスク膜の上にパターン形成のためのフォトレジストコーティング膜を二次に形成するステップと、
    ｉｉｉ）露光と現像を経てフォトレジストパターンを形成するステップと、
    ｉｖ）前記形成されたフォトレジストパターンを用いて、エッチングが可能なガスでドライエッチングを行うことにより、シリコン又はシリコン化合物のパターンを形成するステップと、を含んでなる、シリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法において、
    前記シリコン化合物は、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）メチルシロキサン］、ポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－２－（９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロリン）メチルシロキサン］、ジグリシジルエーテル末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ビス（ヒドロキシアルキル）末端化ポリ（ジメチルシロキサン）、ジヒドロキシ末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－ジフェニルシロキサン）、トリメチルシリル末端化ポリ（ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチルヒドロシロキサン）、ポリ（ジメチルシロキサン）－グラフト－ポリアクリレート、又はポリ［ジメチルシロキサン－ｃｏ－メチル（３－ヒドロキシプロピル）シロキサン］－グラフト－ポリ（エチレングリコール）メチルエーテルよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合物であることを特徴とする、シリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
  2. 前記ｉ）ステップにおける多機能有機無機マスク膜は、炭素２０乃至７９重量％、シリコン２０乃至７９重量％、酸素、水素を含むその他の元素１乃至２０重量％から構成されることを特徴とする、請求項１に記載のシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
  3. 前記ｉｉｉ）ステップにおけるパターン形成のための光源は、１３．５ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３６５ｎｍの波長を有するものとＥ－ｂｅａｍを含む群から選ばれることを特徴とする、請求項１に記載のシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
  4. 前記ｉｖ）ステップでパターンを形成した後、ドライエッチングに使用することができるガスは、アルゴン、窒素を始めとする不活性ガス；フッ素元素が１つ以上含まれている分子からなるガス；又は酸素ガス；よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合ガスであることを特徴とする、請求項１に記載のシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
  5. 前記溶媒は、前記シリコン化合物に対する十分な溶解性を有するプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチル３－エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、乳酸エチル（ＥＬ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）又はガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載のシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
  6. 前記架橋剤は、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート（Ｔｒｉｓ（２，３－ｅｐｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｉｓｏｃｙａｎｕｒａｔｅ）、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｐｒｏｐａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、トリエチロールエタントリグリシジルエーテル（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｏｌｅｔｈａｎｅｔｒｉｇｌｙｃｉｄｙｌｅｔｈｅｒ）、ヘキサメチロールメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｏｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシメチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、ヘキサメトキシエチルメラミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｍｅｌａｍｉｎｅ）、テトラメチロール２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌ２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメトキシメチル－２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）、テトラメチロールグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシメチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、テトラメトキシメチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメトキシエチルグリコールウリル（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌ）、テトラメチロール尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｏｌｕｒｅａ）、テトラメトキシエチル尿素（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌｕｒｅａ）、又はテトラメトキシエチル２，４－１，３，５－トリアジン（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－１，３，５－ｔｒｉａｚｉｎｅ）よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載のシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
  7. 前記添加剤は、熱処理時に酸を放出する酸発生剤である熱酸発生剤（ＴＡＧ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｅｒ）であって、ピリジニウムＰ－トルエンスルホネート、ベンゾイントシラート、テトラブロモシクロヘキサジエン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、アジキュアＭＹ－Ｈ、又はフジキュアＦＸＲ－１０３０よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載のシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
  8. 前記界面活性剤は、陰イオン性、非イオン性、陽イオン性、及び両性界面活性剤よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載のシリコン又はシリコン化合物エッチングパターン形成方法。
JP2021551910A 2019-03-13 2020-03-06 半導体製造工程における新規なエッチングパターン形成方法 Active JP7199563B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0028812 2019-03-13
KR1020190028812A KR102053921B1 (ko) 2019-03-13 2019-03-13 반도체 제조 공정에 있어서 식각 패턴 신규 형성 방법
PCT/KR2020/003137 WO2020184904A1 (ko) 2019-03-13 2020-03-06 반도체 제조 공정에 있어서 식각 패턴 신규 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022522811A JP2022522811A (ja) 2022-04-20
JP7199563B2 true JP7199563B2 (ja) 2023-01-05

Family

ID=68837402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021551910A Active JP7199563B2 (ja) 2019-03-13 2020-03-06 半導体製造工程における新規なエッチングパターン形成方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US12094719B2 (ja)
EP (1) EP3940747B1 (ja)
JP (1) JP7199563B2 (ja)
KR (1) KR102053921B1 (ja)
CN (1) CN113557592A (ja)
TW (1) TWI722810B (ja)
WO (1) WO2020184904A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007163846A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板
WO2016080217A1 (ja) 2014-11-19 2016-05-26 日産化学工業株式会社 湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040055685A (ko) * 2002-12-20 2004-06-26 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 전자 디바이스 제조
TWI406890B (zh) 2004-06-08 2013-09-01 Sandisk Corp 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統
US7449538B2 (en) * 2005-12-30 2008-11-11 Hynix Semiconductor Inc. Hard mask composition and method for manufacturing semiconductor device
KR100712473B1 (ko) * 2006-02-13 2007-04-27 영창케미칼 주식회사 규소(Si)를 포함하는 다기능 반사방지막
KR20080025818A (ko) * 2006-09-19 2008-03-24 삼성전자주식회사 하드 마스크 형성 방법
JP5018307B2 (ja) * 2006-09-26 2012-09-05 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
KR100919564B1 (ko) * 2007-06-29 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR101078719B1 (ko) * 2007-07-03 2011-11-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
US8133659B2 (en) * 2008-01-29 2012-03-13 Brewer Science Inc. On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures
JP6399083B2 (ja) * 2014-03-12 2018-10-03 Jsr株式会社 多層レジストプロセス用組成物および該多層レジストプロセス用組成物を用いたパターン形成方法
CN107077071B (zh) * 2014-11-04 2020-10-02 日产化学工业株式会社 包含具有亚芳基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
JP6749195B2 (ja) * 2015-09-30 2020-09-02 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用薬液精製品の製造方法、及びレジストパターン形成方法
JP6603115B2 (ja) * 2015-11-27 2019-11-06 信越化学工業株式会社 ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
KR101819992B1 (ko) * 2016-06-24 2018-01-18 영창케미칼 주식회사 포토레지스트 패턴 축소 조성물과 패턴 축소 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007163846A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板
WO2016080217A1 (ja) 2014-11-19 2016-05-26 日産化学工業株式会社 湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US12094719B2 (en) 2024-09-17
EP3940747B1 (en) 2026-05-06
EP3940747A1 (en) 2022-01-19
TWI722810B (zh) 2021-03-21
WO2020184904A1 (ko) 2020-09-17
CN113557592A (zh) 2021-10-26
US20220172955A1 (en) 2022-06-02
JP2022522811A (ja) 2022-04-20
KR102053921B1 (ko) 2019-12-09
TW202101536A (zh) 2021-01-01
EP3940747A4 (en) 2022-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7008160B2 (ja) 金属酸化物ナノ粒子及び有機ポリマーを含むスピンオン材料の組成物
KR101820195B1 (ko) 반사방지 코팅 조성물 및 이의 방법
CN102124413A (zh) 形成反色调图像的硬掩模方法
JP6978594B2 (ja) 向上した熱安定性を有する、ハードマスク及び充填材料として有用なスピンオン無機酸化物含有組成物
KR101777687B1 (ko) 고내에치성 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴화 방법
EP3394675B1 (en) Materials containing metal oxides, processes for making same, and processes for using same
JP2024089633A (ja) 金属含有膜形成用重合体、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法
TWI848593B (zh) 具有高平坦化性能的旋塗式碳硬遮罩組成物及使用該組成物的圖案化方法
JP7802711B2 (ja) 金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法
KR102240213B1 (ko) 고두께 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴화 방법
JP7199563B2 (ja) 半導体製造工程における新規なエッチングパターン形成方法
KR102350590B1 (ko) 증발감량이 적은 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴화 방법
KR102854290B1 (ko) 하드마스크용 조성물 및 이를 이용하는 하드마스크층 형성방법
JPH04307545A (ja) 位相シフトマスクおよびその製造方法
JP2025176529A (ja) 金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP2025171123A (ja) 金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210831

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220810

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220815

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7199563

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250