JP7201367B2 - ＳｉＣ基板の加工方法 - Google Patents
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Description
本発明は、１枚のＳｉＣ基板から少なくとも２枚のＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法に関する。
パワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイスは、ＳｉＣ基板の上面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されてウエーハの形態で形成される。そして、デバイスが形成されたウエーハは、レーザー加工装置等によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは制御装置、自動車部品等に利用される。
ＳｉＣ基板は、一般的に円柱形状のＳｉＣインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成され、切断されたＳｉＣ基板の表面および裏面は研磨により鏡面に仕上げられる（たとえば特許文献１参照。）。
しかし、ＳｉＣインゴットをワイヤーソーで切断し、切断したＳｉＣ基板の表面および裏面を研磨すると、高価なＳｉＣインゴットの大部分（７０～８０％）が捨てられることになるため、ＳｉＣ基板は相当の高額となり、ＳｉＣ基板を用いたデバイスチップも高額になるという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、ＳｉＣ基板の価格を低減することができると共に、デバイスチップの価格も低減することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供することである。
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のＳｉＣ基板の加工方法である。すなわち、１枚のＳｉＣ基板から少なくとも２枚のＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法であって、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣ基板の内部に位置づけてレーザー光線をＳｉＣ基板に照射して分離層を形成する分離層形成工程と、ＳｉＣ基板の表面に接着剤を介して第一のサブストレートを貼着する第一のサブストレート貼着工程と、ＳｉＣ基板の裏面に接着剤を介して第二のサブストレートを貼着する第二のサブストレート貼着工程と、該第一のサブストレート貼着工程と該第二のサブストレート貼着工程の後、該分離層に外力を付与してＳｉＣ基板を第一のＳｉＣ基板と第二のＳｉＣ基板とに分離する分離工程と、該分離工程の後に該第一のサブストレートに貼着された該第一のＳｉＣ基板の分離面および該第二のサブストレートに貼着された該第二のＳｉＣ基板の分離面を平坦に仕上げる平坦化工程と、該平坦化工程の後に該第一のＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた分離面および該第二のＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた分離面にデバイスを形成するデバイス形成工程と、該デバイス形成工程の後に、該第一のＳｉＣ基板と該第一のサブストレートとの間の接着剤をレーザー光線の照射によって破壊し該第一のＳｉＣ基板から該第一のサブストレートを除去すると共に、該第二のＳｉＣ基板と該第二のサブストレートとの間の接着剤をレーザー光線の照射によって破壊し該第二のＳｉＣ基板から該第二のサブストレートを除去するサブストレート除去工程とを含むＳｉＣ基板の加工方法である。
本発明が提供するＳｉＣ基板の加工方法は、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣ基板の内部に位置づけてレーザー光線をＳｉＣ基板に照射して分離層を形成する分離層形成工程と、ＳｉＣ基板の表面に接着剤を介して第一のサブストレートを貼着する第一のサブストレート貼着工程と、ＳｉＣ基板の裏面に接着剤を介して第二のサブストレートを貼着する第二のサブストレート貼着工程と、該第一のサブストレート貼着工程と該第二のサブストレート貼着工程の後、該分離層に外力を付与してＳｉＣ基板を第一のＳｉＣ基板と第二のＳｉＣ基板とに分離する分離工程と、該分離工程の後に該第一のサブストレートに貼着された該第一のＳｉＣ基板の分離面および該第二のサブストレートに貼着された該第二のＳｉＣ基板の分離面を平坦に仕上げる平坦化工程と、該平坦化工程の後に該第一のＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた分離面および該第二のＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた分離面にデバイスを形成するデバイス形成工程と、該デバイス形成工程の後に、該第一のＳｉＣ基板と該第一のサブストレートとの間の接着剤をレーザー光線の照射によって破壊し該第一のＳｉＣ基板から該第一のサブストレートを除去すると共に、該第二のＳｉＣ基板と該第二のサブストレートとの間の接着剤をレーザー光線の照射によって破壊し該第二のＳｉＣ基板から該第二のサブストレートを除去するサブストレート除去工程とを含むので、１枚のＳｉＣ基板から２枚のＳｉＣ基板を生成することができ、ＳｉＣ基板の価格を１／２に低減することができると共に、デバイスチップの価格も低減することができる。
以下、本発明のＳｉＣ基板の加工方法の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１には、本発明のＳｉＣ基板の加工方法が実施され得るＳｉＣ基板２が示されている。円板状のＳｉＣ基板２の周縁には結晶方位を示すオリエンテーションフラット４が形成されている。また、ＳｉＣ基板２の厚みは、たとえば５００～７００μｍ程度に形成されている。
図示の実施形態では、まず、ＳｉＣ基板２の表面に第一のサブストレートを貼着する第一のサブストレート貼着工程を実施する。図示の実施形態では図１に示すとおり、ＳｉＣ基板２の直径とほぼ同じ直径を有する円板状でガラス製の第一のサブストレート６ａを、適宜の接着剤８（たとえばポリイミド樹脂系接着剤）を介してＳｉＣ基板２の表面２ａに貼着している。第一のサブストレート６ａの厚みは、ＳｉＣ基板２を複数のＳｉＣ基板に分離し、分離後のＳｉＣ基板にデバイスを形成するための加工を施す際に、分離後の薄いＳｉＣ基板を第一のサブストレート６ａで保持して分離後のＳｉＣ基板の損傷を防止することができる程度の厚みであればよく、たとえば５００～１０００μｍ程度でよい。
第一のサブストレート貼着工程を実施した後、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣ基板２の内部に位置づけてレーザー光線をＳｉＣ基板２に照射して分離層を形成する分離層形成工程を実施する。分離層形成工程は、たとえば図２に一部を示すレーザー加工装置１０を用いて実施することができる。
レーザー加工装置１０は、被加工物を吸引保持するチャックテーブル１２と、チャックテーブル１２に吸引保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢを照射する集光器１４とを備える。チャックテーブル１２の上端部分には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の円形の吸着チャック１６が配置され、チャックテーブル１２においては、吸引手段で吸着チャック１６の上面に吸引力を生成し、上面に載せられた被加工物を吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル１２は、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、図２に矢印Ｘで示すＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図２に矢印Ｙで示す方向）とのそれぞれに進退自在に構成されている。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。
図示の実施形態の分離層形成工程では、まず、図２（ａ）に示すとおり、ＳｉＣ基板２の裏面２ｂを上に向けて、チャックテーブル１２の上面でＳｉＣ基板２を吸引保持する。次いで、レーザー加工装置１０の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器１４を昇降させ、ＳｉＣ基板２の内部に集光点を位置づける。図示の実施形態では、ＳｉＣ基板２の厚み方向中間部に集光点を位置づけている。
次いで、Ｘ軸方向にチャックテーブル１２を所定の送り速度で移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器１４からＳｉＣ基板２に照射する。そうすると、図２（ｃ）に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共に、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離した部分１８から等方的に延びるクラック２０が生成される。なお、ＳｉＣ基板２にパルスレーザー光線ＬＢを照射する際は、チャックテーブル１２に代えて集光器１４を移動させてもよい。
そして、所定インデックス量Ｌｉだけ、集光点に対してチャックテーブル１２を相対的にＹ軸方向にインデックス送りしながらパルスレーザー光線ＬＢの照射を繰り返す。これによって、Ｙ軸方向に所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて、ＳｉＣ基板２の内部に、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離した部分１８およびクラック２０からなる強度が低下した分離層２２を形成することができる。なお、便宜上の観点から、図２（ｃ）では、隣接するクラック２０同士の間に間隙を設けているが、インデックス量Ｌｉをクラック２０の幅を超えない範囲とすることにより、上下方向にみて隣接するクラック２０同士が重なるようにする。また、インデックス送りの際はチャックテーブル１２に代えて集光器１４を移動させてもよい。このような分離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で行うことができる。
パルスレーザー光線の波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：３．２Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：２５０～４００μｍ
送り速度 ：１２０～２６０ｍｍ／ｓ
パルスレーザー光線の波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：３．２Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：２５０～４００μｍ
送り速度 ：１２０～２６０ｍｍ／ｓ
分離層形成工程を実施した後、図３に示すとおり、ＳｉＣ基板２の裏面２ｂに適宜の接着剤８を介して第二のサブストレート６ｂを貼着する第二のサブストレート貼着工程を実施する。第二のサブストレート６ｂの構成は、第一のサブストレート６ａの構成と同一でよい。
第二のサブストレート貼着工程を実施した後、分離層２２に外力を付与してＳｉＣ基板２を第一のＳｉＣ基板と第二のＳｉＣ基板とに分離する分離工程を実施する。分離工程は、たとえば、図４に示す分離装置２４を用いて実施することができる。分離装置２４は、水が貯留された水槽２６と、水槽２６内の水に浸漬された超音波振動子２８とを備える。なお、図４では、水槽２６内の水面を符号Ｓで示している。
分離工程では、まず、ＳｉＣ基板２を水槽２６の水に浸漬し、圧電セラミックス等から形成され得る超音波振動子２８を作動させる。超音波振動子２８を作動させる際は、第一のサブストレート６ａまたは第二のサブストレート６ｂと超音波振動子２８とを接触させてもよく、あるいは第一のサブストレート６ａまたは第二のサブストレート６ｂと超音波振動子２８との間に間隙（たとえば２～３ｍｍ）を設けてもよい。超音波振動子２８を作動させると超音波によって分離層２２を刺激して破壊し、分離層２２を起点として、ＳｉＣ基板２を第一のＳｉＣ基板３０ａと第二のＳｉＣ基板３０ｂ（図４（ｂ）参照。）とに分離することができる。なお、分離工程は、先端に向かって厚みが薄くなるノミのような部材を用いて、分離層２２に衝撃を加えることによっても実施することができる。
分離工程を実施した後、第一のサブストレート６ａに貼着された第一のＳｉＣ基板３０ａの分離面３２ａおよび第二のサブストレート６ｂに貼着された第二のＳｉＣ基板３０ｂの分離面３２ｂを平坦に仕上げる平坦化工程を実施する。平坦化工程は、たとえば図５に一部を示す研削装置３４を用いて実施することができる。研削装置３４は、被加工物を吸引保持するチャックテーブル３６と、チャックテーブル３６に吸引保持された被加工物を研削する研削手段３８とを備える。
チャックテーブル３６は、上面で被加工物を吸引保持するように構成されていると共に、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されている。研削手段３８は、スピンドル用モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びるスピンドル４０と、スピンドル４０の下端に固定された円板状のホイールマウント４２とを含む。ホイールマウント４２の下面にはボルト４４により環状の研削ホイール４６が固定されている。研削ホイール４６の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石４８が固定されている。
平坦化工程では、まず、図５（ａ）に示すとおり、第一のＳｉＣ基板３０ａの分離面３２ａを上に向けて、チャックテーブル３６の上面で、第一のサブストレート６ａに貼着された第一のＳｉＣ基板３０ａを吸引保持する。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル３６を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル４０を回転させる。次いで、研削装置３４の昇降手段（図示していない。）でスピンドル４０を下降させ、第一のＳｉＣ基板３０ａの分離面３２ａに研削砥石４８を接触させる。その後、所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル４０を下降させる。これによって、図５（ｂ）に示すとおり、第一のサブストレート６ａに貼着された第一のＳｉＣ基板３０ａの分離面３２ａを平坦に仕上げることができる。また、第二のサブストレート６ｂに貼着された第二のＳｉＣ基板３０ｂについても上記同様の加工を施すことにより、第二のＳｉＣ基板３０ｂの分離面３２ｂを平坦に仕上げることができる。
平坦化工程を実施した後、第一のＳｉＣ基板３０ａの平坦に仕上げられた分離面３２ａおよび第二のＳｉＣ基板３０ｂの平坦に仕上げられた分離面３２ｂにデバイスを形成するデバイス形成工程を実施する。図示の実施形態では図６に示すとおり、第一のＳｉＣ基板３０ａの分離面３２ａおよび第二のＳｉＣ基板３０ｂの分離面３２ｂは、格子状の分割予定ライン５０によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはパワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイス５２が形成されている。図示の実施形態では、第一のＳｉＣ基板３０ａには第一のサブストレート６ａが貼着され、第二のＳｉＣ基板３０ｂには第二のサブストレート６ｂが貼着ているので、デバイス形成工程において第一のＳｉＣ基板３０ａおよび第二のＳｉＣ基板３０ｂの損傷が抑制される。
デバイス形成工程を実施した後、第一のＳｉＣ基板３０ａから第一のサブストレート６ａを除去すると共に、第二のＳｉＣ基板３０ｂから第二のサブストレート６ｂを除去するサブストレート除去工程を実施する。サブストレート除去工程は、たとえば図７に一部を示すレーザー加工装置５４を用いて実施することができる。レーザー加工装置５４は、被加工物を吸引保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに吸引保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する集光器５６とを備える。上面で被加工物を吸引保持するチャックテーブルは、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に進退自在に構成されている。
図７を参照して説明を続けると、サブストレート除去工程では、まず、第一のサブストレート６ａを上に向けて、チャックテーブルの上面で第一のＳｉＣ基板３０ａを吸引保持する。次いで、レーザー加工装置５４の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器５６を昇降させ、第一のサブストレート６ａと第一のＳｉＣ基板３０ａとを接着している接着剤８に集光点を位置づける。次いで、チャックテーブルを所定の送り速度でＸ軸方向に移動させながら、パルスレーザー光線ＬＢ’を集光器５６から接着材８に照射して接着剤８を破壊する。パルスレーザー光線ＬＢ’の照射は、チャックテーブルを所定インデックス量だけＹ軸方向にインデックス送りしながら適宜繰り返す。そして、第一のＳｉＣ基板３０ａから第一のサブストレート６ａを除去することができる程度に接着剤８を破壊したら、第一のＳｉＣ基板３０ａから第一のサブストレート６ａを除去することによって、図７（ｃ）に示すとおり、デバイス５２が形成された第一のＳｉＣ基板３０ａを得ることができる。また、第二のＳｉＣ基板３０ｂについても上記同様の加工を施すことによって、デバイス５２が形成された第二のＳｉＣ基板３０ｂを得ることができる。なお、接着剤８にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する際やインデックス送りの際は、チャックテーブルに代えて集光器５６を移動させてもよい。このようなサブストレート除去工程は、たとえば以下の加工条件で行うことができる。
パルスレーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：１．５Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：１００μｍ
送り速度 ：２４０ｍｍ／ｓ
パルスレーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：１．５Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：１００μｍ
送り速度 ：２４０ｍｍ／ｓ
以上のとおり図示の実施形態では、１枚のＳｉＣ基板２から第一のＳｉＣ基板３０ａおよび第二のＳｉＣ基板３０ｂを生成することができるので、ＳｉＣ基板の価格を１／２に低減することができると共に、デバイスチップの価格も低減することができる。また、図示の実施形態では、第一のＳｉＣ基板３０ａには第一のサブストレート６ａが貼着され、第二のＳｉＣ基板３０ｂには第二のサブストレート６ｂが貼着されているので、デバイス形成工程において第一のＳｉＣ基板３０ａおよび第二のＳｉＣ基板３０ｂの損傷が抑制される。
なお、図示の実施形態では、平坦化工程を実施した後に第一のＳｉＣ基板３０ａおよび第二のＳｉＣ基板３０ｂに対してデバイス形成工程を実施しているが、平坦化工程を実施した後に第一のＳｉＣ基板３０ａまたは第二のＳｉＣ基板３０ｂに対して、分離層形成工程とサブストレート貼着工程と分離工程とを実施して、第一のＳｉＣ基板３０ａまたは第二のＳｉＣ基板３０ｂを更に２枚のＳｉＣ基板に分離してもよい。すなわち、元のＳｉＣ基板２から２枚以上のＳｉＣ基板を生成するようにしてもよい。
また、図示の実施形態では、第一のサブストレート貼着工程を実施した後に分離層形成工程を実施しているが、分離層形成工程を実施した後に第一サブストレート貼着工程を実施してもよい。あるいは、第一サブストレート貼着工程および第二のサブストレート貼着工程を実施した後に分離層形成工程を実施してもよく、この場合には第一のサブストレートまたは第二のサブストレートが、分離層形成工程におけるパルスレーザー光線の波長（上述の例では１０６４ｎｍ）に対して透過性を有することが必要であり、第一のサブストレートまたは第二のサブストレートの材質としてはガラスが好ましい。
２：ＳｉＣ基板
２ａ：ＳｉＣ基板の表面
２ｂ：ＳｉＣ基板の裏面
６ａ：第一のサブストレート
６ｂ：第二のサブストレート
２２：分離層
３０ａ：第一のＳｉＣ基板
３０ｂ：第二のＳｉＣ基板
３２ａ：第一のＳｉＣ基板の分離面
３２ｂ：第二のＳｉＣ基板の分離面
５２：デバイス
２ａ：ＳｉＣ基板の表面
２ｂ：ＳｉＣ基板の裏面
６ａ：第一のサブストレート
６ｂ：第二のサブストレート
２２：分離層
３０ａ：第一のＳｉＣ基板
３０ｂ：第二のＳｉＣ基板
３２ａ：第一のＳｉＣ基板の分離面
３２ｂ：第二のＳｉＣ基板の分離面
５２：デバイス
Claims (1)
- １枚のＳｉＣ基板から少なくとも２枚のＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法であって、
ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣ基板の内部に位置づけてレーザー光線をＳｉＣ基板に照射して分離層を形成する分離層形成工程と、
ＳｉＣ基板の表面に接着剤を介して第一のサブストレートを貼着する第一のサブストレート貼着工程と、
ＳｉＣ基板の裏面に接着剤を介して第二のサブストレートを貼着する第二のサブストレート貼着工程と、
該第一のサブストレート貼着工程と該第二のサブストレート貼着工程の後、該分離層に外力を付与してＳｉＣ基板を第一のＳｉＣ基板と第二のＳｉＣ基板とに分離する分離工程と、
該分離工程の後に該第一のサブストレートに貼着された該第一のＳｉＣ基板の分離面および該第二のサブストレートに貼着された該第二のＳｉＣ基板の分離面を平坦に仕上げる平坦化工程と、
該平坦化工程の後に該第一のＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた分離面および該第二のＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた分離面にデバイスを形成するデバイス形成工程と、
該デバイス形成工程の後に、該第一のＳｉＣ基板と該第一のサブストレートとの間の接着剤をレーザー光線の照射によって破壊し該第一のＳｉＣ基板から該第一のサブストレートを除去すると共に、該第二のＳｉＣ基板と該第二のサブストレートとの間の接着剤をレーザー光線の照射によって破壊し該第二のＳｉＣ基板から該第二のサブストレートを除去するサブストレート除去工程とを含むＳｉＣ基板の加工方法。
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