JP7206521B2 - 発光素子及び発光装置 - Google Patents
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Description
本発明は、発光素子及び発光装置に関する。
従来から、ｎ型半導体層とｎ型半導体層の一部を露出するように積層された発光層及びｐ型半導体層とを有する半導体構造と、半導体構造上に設けられた複数の開口部を有する絶縁膜と、複数の開口部のうち発光層及びｐ型半導体層から露出したｎ型半導体層上に設けられた開口部を通して接続されたｎ電極と、複数の開口部のうちｐ型半導体層上に設けられた開口部を通して接続されたｐ電極と、ｐ電極に接続されたｐ側外部接続部と、ｎ電極に接続されたｎ側外部接続部とを備える発光素子が提案されている（例えば、特許文献１）。
このような発光素子を基板に接合する際、放熱性を向上させるために、ｎ側外部接続部及びｐ側外部接続部を配置する面積を大きくすることが好ましい。一方、大面積のｎ側外部接続部及びｐ側外部接続部が配置された発光素子を基板に接合する際には、接合時の外部接続部の拡がりによって、外部接続部と基板の配線との間に短絡を生じる懸念がある。
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、接合時に生じる外部接続部と基板の配線との間の短絡を抑制することができる発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、接合時に生じる外部接続部と基板の配線との間の短絡を抑制することができる発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
本開示は、以下の発明を含む。
（１）支持基板と、前記支持基板上に設けられ、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有し、平面形状が矩形である半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部とを含む発光素子であって、
前記第１半導体層は、前記第２半導体層及び前記発光層から露出し、平面視において前記第２半導体層に囲まれた複数の露出部を有し、
前記第１発光部及び前記第２発光部のそれぞれは、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第２半導体層に接続された第２電極と、
前記第１電極と接続され、平面視において、前記露出部と離隔して配置された第１外部接続部と、
前記第２電極と接続された第２外部接続部とを含み、
平面視において、
前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部を通り、前記半導体積層体の一辺に平行な第１方向において、前記第１発光部及び前記第２発光部にそれぞれ設けられた前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部とは隣り合って配置されており、
前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１発光部に設けられた前記第１外部接続部と、前記第２発光部に設けられた前記第１外部接続部とは隣り合って配置され、前記第１発光部に設けられた前記第２外部接続部と、前記第２発光部に設けられた前記第２外部接続部とは隣り合って配置され、
前記第１発光部に設けられた前記第１外部接続部は、前記第１方向において前記第１発光部の前記第２外部接続部に隣り合って設けられ、かつ前記第２方向において前記第２発光部の前記第１外部接続部に隣り合って設けられた第１部分を有し、
前記第１部分は、前記第２発光部に設けられた前記第１外部接続部に対向する側に前記半導体積層体の一辺に対して傾斜する傾斜部を備える形状である発光素子。
（２）上面に複数の配線を有する基板と、
前記配線上に、複数の第１外部接続部と第２外部接続部とを介してフリップチップ実装された上述した発光素子と、
前記発光素子と、前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部と、前記基板とを被覆し、光反射性物質を含む被覆部材とを備える発光装置。
（１）支持基板と、前記支持基板上に設けられ、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有し、平面形状が矩形である半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部とを含む発光素子であって、
前記第１半導体層は、前記第２半導体層及び前記発光層から露出し、平面視において前記第２半導体層に囲まれた複数の露出部を有し、
前記第１発光部及び前記第２発光部のそれぞれは、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第２半導体層に接続された第２電極と、
前記第１電極と接続され、平面視において、前記露出部と離隔して配置された第１外部接続部と、
前記第２電極と接続された第２外部接続部とを含み、
平面視において、
前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部を通り、前記半導体積層体の一辺に平行な第１方向において、前記第１発光部及び前記第２発光部にそれぞれ設けられた前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部とは隣り合って配置されており、
前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１発光部に設けられた前記第１外部接続部と、前記第２発光部に設けられた前記第１外部接続部とは隣り合って配置され、前記第１発光部に設けられた前記第２外部接続部と、前記第２発光部に設けられた前記第２外部接続部とは隣り合って配置され、
前記第１発光部に設けられた前記第１外部接続部は、前記第１方向において前記第１発光部の前記第２外部接続部に隣り合って設けられ、かつ前記第２方向において前記第２発光部の前記第１外部接続部に隣り合って設けられた第１部分を有し、
前記第１部分は、前記第２発光部に設けられた前記第１外部接続部に対向する側に前記半導体積層体の一辺に対して傾斜する傾斜部を備える形状である発光素子。
（２）上面に複数の配線を有する基板と、
前記配線上に、複数の第１外部接続部と第２外部接続部とを介してフリップチップ実装された上述した発光素子と、
前記発光素子と、前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部と、前記基板とを被覆し、光反射性物質を含む被覆部材とを備える発光装置。
本発明の一実施形態の発光素子及び発光装置によれば、放熱性を向上させながら、接合時に生じる外部接続部と基板の配線との間の短絡を抑制することができる。
以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケール及び間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケール及び間隔が一致しない場合もある。以下の説明では、同一の名称及び符号は、原則として同一又は同質の部材あるいは同じ機能を有する部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することがある。本願明細書及び図面において、第１方向とは、第１外部接続部及び第２外部接続部を通り、半導体積層体の一辺に平行な方向を意味し、矢印Ｆが指す方向及びその反対側の方向を含む。同様に、第２方向とは、第１方向に直交する方向を意味し、矢印Ｓが指す方向及びその反対側の方向を含む。
〔発光素子１０〕
本開示の一実施形態における発光素子１０は、例えば、図１Ａから１Ｃに示すように、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの２つの発光部を含む。これら第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙは、支持基板１５上に設けられ、平面形状が矩形の半導体積層体１３を含み、隣り合って配置されている。半導体積層体１３は、支持基板１５側から第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐをこの順に有する。第１半導体層１３ｎは、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３aから露出し、平面視において第２半導体層１３ｐに囲まれた複数の露出部１３ｂを有する。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙのそれぞれは、絶縁膜１４、第１電極１１、第２電極１２、第１外部接続部１及び第２外部接続部２を含む。絶縁膜１４は、半導体積層体１３を覆い、複数の露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有する。第１電極１１は、開口部１４ａにて露出部１３ｂと接続している。また、第１電極１１は、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層１３ｐ上に配置されている。第２電極１２は、第２半導体層１３ｐに接続されている。第１外部接続部１は、第１電極１１と接続され、平面視において、露出部１３ｂと離隔して配置されている。第２外部接続部２は、第２電極１２と接続されている。
平面視において、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにそれぞれ設けられた第１外部接続部１と、第２外部接続部２とは、第１方向Ｆにおいて隣り合って配置されている。また、第１発光部１０Ｘに設けられた第１外部接続部１と、第２発光部１０Ｙに設けられた第１外部接続部１とは、第２方向Ｓにおいて隣り合って配置されている。第２方向Ｓは、第１方向Ｆに直交している。
第１発光部１０Ｘに設けられた第１外部接続部１は、第１方向Ｆにおいて第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２に隣り合って設けられ、かつ第２方向Ｓにおいて、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に隣り合って設けられた第１部分１－１を有する。第１部分１－１は、第２発光部１０Ｙに設けられた第１外部接続部１に対向する側に半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｍを備える形状を有する。
発光素子１０が、このような傾斜部ｍを備えることにより、後述するような、傾斜を備えた配線を有する基板に発光素子１０を実装する場合に、第１外部接続部１を配線に沿って配置することが可能となるため、第１外部接続部１と配線との間の短絡を抑制することができる。
また、１つの支持基板１５上に、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを隣り合って配置することにより、第１発光部１０Ｘと第２発光部１０Ｙとの距離を近接して配置することができる。
本開示の一実施形態における発光素子１０は、例えば、図１Ａから１Ｃに示すように、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの２つの発光部を含む。これら第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙは、支持基板１５上に設けられ、平面形状が矩形の半導体積層体１３を含み、隣り合って配置されている。半導体積層体１３は、支持基板１５側から第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐをこの順に有する。第１半導体層１３ｎは、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３aから露出し、平面視において第２半導体層１３ｐに囲まれた複数の露出部１３ｂを有する。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙのそれぞれは、絶縁膜１４、第１電極１１、第２電極１２、第１外部接続部１及び第２外部接続部２を含む。絶縁膜１４は、半導体積層体１３を覆い、複数の露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有する。第１電極１１は、開口部１４ａにて露出部１３ｂと接続している。また、第１電極１１は、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層１３ｐ上に配置されている。第２電極１２は、第２半導体層１３ｐに接続されている。第１外部接続部１は、第１電極１１と接続され、平面視において、露出部１３ｂと離隔して配置されている。第２外部接続部２は、第２電極１２と接続されている。
平面視において、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにそれぞれ設けられた第１外部接続部１と、第２外部接続部２とは、第１方向Ｆにおいて隣り合って配置されている。また、第１発光部１０Ｘに設けられた第１外部接続部１と、第２発光部１０Ｙに設けられた第１外部接続部１とは、第２方向Ｓにおいて隣り合って配置されている。第２方向Ｓは、第１方向Ｆに直交している。
第１発光部１０Ｘに設けられた第１外部接続部１は、第１方向Ｆにおいて第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２に隣り合って設けられ、かつ第２方向Ｓにおいて、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に隣り合って設けられた第１部分１－１を有する。第１部分１－１は、第２発光部１０Ｙに設けられた第１外部接続部１に対向する側に半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｍを備える形状を有する。
発光素子１０が、このような傾斜部ｍを備えることにより、後述するような、傾斜を備えた配線を有する基板に発光素子１０を実装する場合に、第１外部接続部１を配線に沿って配置することが可能となるため、第１外部接続部１と配線との間の短絡を抑制することができる。
また、１つの支持基板１５上に、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを隣り合って配置することにより、第１発光部１０Ｘと第２発光部１０Ｙとの距離を近接して配置することができる。
（支持基板１５）
支持基板１５は、半導体層の成長用に用いられる基板であり、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物系の半導体基板等が挙げられる。半導体層として窒化物半導体を用いる場合、Ｃ面を成長面とするサファイア基板を用いることが好ましい。支持基板１５は、表面に凹凸を有するものであってもよい。また、Ｃ面、Ａ面等の所定の結晶面に対して０～１０°程度のオフ角を有するものであってもよい。
支持基板１５は、半導体層の成長用に用いられる基板であり、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物系の半導体基板等が挙げられる。半導体層として窒化物半導体を用いる場合、Ｃ面を成長面とするサファイア基板を用いることが好ましい。支持基板１５は、表面に凹凸を有するものであってもよい。また、Ｃ面、Ａ面等の所定の結晶面に対して０～１０°程度のオフ角を有するものであってもよい。
（半導体積層体１３）
半導体積層体１３は、第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐがこの順に、支持基板１５上に積層されて構成されている。支持基板１５と半導体積層体１３との間には、ＡｌＧａＮ等からなるバッファ層を設けてもよい。
半導体積層体１３は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
半導体積層体１３は、平面視において、第２半導体層１３ｐの外周の全部又はその一部に、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周部（図１Ａ中、１３ｎо）をさらに備えていてもよい。
発光素子１０において、１つの支持基板１５上に、それぞれが半導体積層体１３を含む第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの２つの発光部を有する。発光部とは、発光層１３ａを含むものである。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの平面形状は、矩形であるものが挙げられる。なお、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの平面形状は、矩形から一部が欠けているものも包含される。なかでも、第１発光部１０Ｘ、第２発光部１０Ｙの平面形状は、第１方向Ｆに沿った長辺を有する長方形であることがより好ましい。図１Ａ中において、距離Ｄ３で示す第１発光部１０Ｘと第２発光部１０Ｙとの間の最短距離は、例えば、３０μｍ以下が挙げられる。第１発光部１０Ｘと第２発光部１０Ｙとの間においても、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周部１３ｎоを備えている。
半導体積層体１３は、第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐがこの順に、支持基板１５上に積層されて構成されている。支持基板１５と半導体積層体１３との間には、ＡｌＧａＮ等からなるバッファ層を設けてもよい。
半導体積層体１３は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
半導体積層体１３は、平面視において、第２半導体層１３ｐの外周の全部又はその一部に、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周部（図１Ａ中、１３ｎо）をさらに備えていてもよい。
発光素子１０において、１つの支持基板１５上に、それぞれが半導体積層体１３を含む第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの２つの発光部を有する。発光部とは、発光層１３ａを含むものである。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの平面形状は、矩形であるものが挙げられる。なお、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの平面形状は、矩形から一部が欠けているものも包含される。なかでも、第１発光部１０Ｘ、第２発光部１０Ｙの平面形状は、第１方向Ｆに沿った長辺を有する長方形であることがより好ましい。図１Ａ中において、距離Ｄ３で示す第１発光部１０Ｘと第２発光部１０Ｙとの間の最短距離は、例えば、３０μｍ以下が挙げられる。第１発光部１０Ｘと第２発光部１０Ｙとの間においても、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周部１３ｎоを備えている。
（露出部１３ｂ）
発光層１３ａと、発光層１３ａの上面に設けられた第２半導体層１３ｐとは、第１半導体層１３ｎの上面のうち所定の領域に設けられている。つまり、第１半導体層１３ｎ上の一部の領域には、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａが存在しない。このように、第１半導体層１３ｎが、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐから露出し、平面視において、第２半導体層１３ｐに囲まれた領域を露出部１３ｂと称する。言い換えると、半導体積層体１３は、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３aを貫通する孔を有している。半導体積層体１３には、複数の露出部１３ｂが配置されている。平面視において、半導体積層体１３に設けられた複数の露出部１３ｂは、互いに離隔して配置されている。半導体積層体１３に設けられた孔の側面は、第１半導体層１３ｎ、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａの側面を含む。
発光層１３ａと、発光層１３ａの上面に設けられた第２半導体層１３ｐとは、第１半導体層１３ｎの上面のうち所定の領域に設けられている。つまり、第１半導体層１３ｎ上の一部の領域には、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａが存在しない。このように、第１半導体層１３ｎが、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐから露出し、平面視において、第２半導体層１３ｐに囲まれた領域を露出部１３ｂと称する。言い換えると、半導体積層体１３は、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３aを貫通する孔を有している。半導体積層体１３には、複数の露出部１３ｂが配置されている。平面視において、半導体積層体１３に設けられた複数の露出部１３ｂは、互いに離隔して配置されている。半導体積層体１３に設けられた孔の側面は、第１半導体層１３ｎ、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａの側面を含む。
露出部１３ｂの形状、大きさ、位置、数は、意図する発光素子の大きさ、形状、電極形状等によって適宜設定することができる。
露出部１３ｂの形状は、例えば、平面視において、円形又は楕円形、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形が好ましい。複数の露出部１３ｂは、すべてが略同じ平面形状、略同じ大きさであってもよいし、全部又は一部が異なる平面形状、大きさであってもよい。同程度の大きさの複数の露出部１３ｂを規則的に整列して配置することにより、電流密度分布の偏りを抑制することができる。その結果、発光素子全体として、輝度ムラを抑制することができる。
露出部１３ｂの大きさは、半導体積層体１３の大きさ、求められる発光素子の出力、輝度等によって適宜設定することができる。平面視において、露出部１３ｂは、例えば、直径が５μｍ以上３０μｍ以下の大きさであることが好ましい。別の観点から、露出部１３ｂの直径は、半導体積層体１３の一辺の０．５％以上３％以下の大きさであることが好ましい。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、半導体積層体１３の一辺の１／１５以上１／４以下が挙げられる。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、露出部１３ｂの直径よりも大きいことが好ましい。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、全部が同じであってもよいし、一部又は全部が異なっていてもよい。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、電流密度分布の偏りを抑制するという観点から、全部が略同じであることが好ましい。なお、隣り合う露出部１３ｂ間の距離とは、平面視における露出部１３ｂの中心間の距離である。
特に、露出部１３ｂは、平面視で略円形状であり、その大きさは、例えば、直径５μｍ以上３０μｍ以下であり、上面側に一定の間隔、例えば、露出部１３ｂの直径の１．５倍以上６倍以下の間隔で配置されていることが好ましい。
露出部１３ｂの形状は、例えば、平面視において、円形又は楕円形、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形が好ましい。複数の露出部１３ｂは、すべてが略同じ平面形状、略同じ大きさであってもよいし、全部又は一部が異なる平面形状、大きさであってもよい。同程度の大きさの複数の露出部１３ｂを規則的に整列して配置することにより、電流密度分布の偏りを抑制することができる。その結果、発光素子全体として、輝度ムラを抑制することができる。
露出部１３ｂの大きさは、半導体積層体１３の大きさ、求められる発光素子の出力、輝度等によって適宜設定することができる。平面視において、露出部１３ｂは、例えば、直径が５μｍ以上３０μｍ以下の大きさであることが好ましい。別の観点から、露出部１３ｂの直径は、半導体積層体１３の一辺の０．５％以上３％以下の大きさであることが好ましい。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、半導体積層体１３の一辺の１／１５以上１／４以下が挙げられる。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、露出部１３ｂの直径よりも大きいことが好ましい。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、全部が同じであってもよいし、一部又は全部が異なっていてもよい。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、電流密度分布の偏りを抑制するという観点から、全部が略同じであることが好ましい。なお、隣り合う露出部１３ｂ間の距離とは、平面視における露出部１３ｂの中心間の距離である。
特に、露出部１３ｂは、平面視で略円形状であり、その大きさは、例えば、直径５μｍ以上３０μｍ以下であり、上面側に一定の間隔、例えば、露出部１３ｂの直径の１．５倍以上６倍以下の間隔で配置されていることが好ましい。
露出部１３ｂは、１つの発光素子において規則的に配置していることが好ましく、例えば、複数の露出部１３ｂが、行列状に配置されていることが好ましい。これによって、発光素子１０における電流密度分布の偏りを抑制し、輝度ムラを抑制することができる。具体的には、第１方向Ｆに沿って規則的に１列以上配置されていることが好ましく、２列以上配置されていてもよい。また、露出部１３ｂは、第２方向Ｓにも１行以上配置されていることが好ましく、２行以上配置されていることがより好ましい。露出部１３ｂが第１方向Ｆ及び第２方向Ｓに、それぞれ複数配列されていることにより、後述する第１外部接続部１を、第１方向Ｆ及び第２方向Ｓに沿って配列された露出部１３ｂの行間及び列間に、互いに離隔して配置させることができる。なお、露出部１３ｂは、第１方向Ｆ及び第２方向Ｓにおいて直線上に配置されていてもよいし（例えば、図１Ａ等参照）、第２方向Ｓにおいて互い違いに配列されていてもよい（例えば、図５参照）。
露出部１３ｂが第１方向Ｆ及び第２方向Ｓにおいて直線上に配置されている場合、第１方向Ｆに沿って配列された露出部１３ｂの数は、２以上であることが好ましく、３以上、５以上又は７以上であってもよい。第１方向Ｆに並ぶ露出部１３ｂの数は、第２方向Ｓに並ぶ露出部１３ｂの数と同じでもよいし、少なくても、多くてもよい。なかでも、第１方向Ｆに並ぶ露出部１３ｂの数は、第２方向Ｓに並ぶ露出部１３ｂの数よりも多いことが好ましい。
第２方向Ｓに沿って配列された露出部１３ｂは、平面視において、後述する第２電極１２に隣り合って配置されている列を含むことが好ましい。
露出部１３ｂが第１方向Ｆ及び第２方向Ｓにおいて直線上に配置されている場合、第１方向Ｆに沿って配列された露出部１３ｂの数は、２以上であることが好ましく、３以上、５以上又は７以上であってもよい。第１方向Ｆに並ぶ露出部１３ｂの数は、第２方向Ｓに並ぶ露出部１３ｂの数と同じでもよいし、少なくても、多くてもよい。なかでも、第１方向Ｆに並ぶ露出部１３ｂの数は、第２方向Ｓに並ぶ露出部１３ｂの数よりも多いことが好ましい。
第２方向Ｓに沿って配列された露出部１３ｂは、平面視において、後述する第２電極１２に隣り合って配置されている列を含むことが好ましい。
露出部１３ｂは、半導体積層体１３の内側に複数配置されていることが好ましい。平面視において、半導体積層体１３の内側に配置される露出部１３ｂの総平面積が、半導体積層体１３の面積の３０％以下、２５％以下、２０％以下、１８％以下、１５％以下、１０％以下が好ましい。このような範囲とすることで、発光層１３ａの面積を確保しつつ、半導体積層体１３における電流密度分布の偏りにより生じる輝度ムラを抑制することができる。
また、第１半導体層１３ｎは、平面視において、第２半導体層１３ｐの外周に、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周露出部１３ｃをさらに備えていてもよい。この外周露出部１３ｃは、上述したように、半導体積層体１３が外周に第１半導体層１３ｎを露出する外周部１３ｎоを備える場合には、その一部として配置されていてもよい。また、半導体積層体１３が、複数の発光部を構成する場合、発光部の間においても、外周露出部１３ｃが配置されていてもよい。
露出部１３ｂ及び外周露出部１３ｃは、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓにおいて、半導体積層体１３の面積又は発光部の面積を２等分する２等分線に対して、対称に配置されていることが好ましい。
また、第１半導体層１３ｎは、平面視において、第２半導体層１３ｐの外周に、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周露出部１３ｃをさらに備えていてもよい。この外周露出部１３ｃは、上述したように、半導体積層体１３が外周に第１半導体層１３ｎを露出する外周部１３ｎоを備える場合には、その一部として配置されていてもよい。また、半導体積層体１３が、複数の発光部を構成する場合、発光部の間においても、外周露出部１３ｃが配置されていてもよい。
露出部１３ｂ及び外周露出部１３ｃは、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓにおいて、半導体積層体１３の面積又は発光部の面積を２等分する２等分線に対して、対称に配置されていることが好ましい。
（絶縁膜１４）
絶縁膜１４は、半導体積層体１３の上面及び側面を被覆する。また、絶縁膜１４は、複数の露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有する。さらに、絶縁膜１４は、第２半導体層１３ｐの上方に開口部１４ｂを有する。絶縁膜１４は、第１電極１１及び第２半導体層１３ｐ、第２電極１２及び第１半導体層１３ｎが電気的に接続されることを防止するために設けられる。絶縁膜１４が半導体積層体１３の上面を被覆し、かつ露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有することにより、第２半導体層１３ｐの上面を覆う絶縁膜１４の上面の広範囲に第１電極１１を形成することができる。
絶縁膜１４は、当該分野で公知の材料によって、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されていることが好ましい。具体的には、絶縁膜１４は、金属酸化物及び金属窒化物等、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物によって形成することができる。絶縁膜は、絶縁性を確保し得る膜厚を有するものであればよい。
絶縁膜１４は、半導体積層体１３の上面及び側面を被覆する。また、絶縁膜１４は、複数の露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有する。さらに、絶縁膜１４は、第２半導体層１３ｐの上方に開口部１４ｂを有する。絶縁膜１４は、第１電極１１及び第２半導体層１３ｐ、第２電極１２及び第１半導体層１３ｎが電気的に接続されることを防止するために設けられる。絶縁膜１４が半導体積層体１３の上面を被覆し、かつ露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有することにより、第２半導体層１３ｐの上面を覆う絶縁膜１４の上面の広範囲に第１電極１１を形成することができる。
絶縁膜１４は、当該分野で公知の材料によって、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されていることが好ましい。具体的には、絶縁膜１４は、金属酸化物及び金属窒化物等、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物によって形成することができる。絶縁膜は、絶縁性を確保し得る膜厚を有するものであればよい。
（第１電極１１及び第２電極１２）
第１電極１１及び第２電極１２は、半導体積層体１３の上面側に配置されている。
第１電極１１は、露出部１３ｂの上方における絶縁膜１４の開口部１４ａにて、露出部１３ｂと接続している。この場合、第１電極１１は、複数の露出部１３ｂを覆い、複数の露出部１３ｂそれぞれと接続されることが好ましく、全ての露出部１３ｂを覆い、全ての露出部１３ｂと接続されることがより好ましい。第１電極は、第１半導体層１３ｎ上のみならず、第２半導体層１３ｐ上方にも配置される。つまり、第１電極１１は絶縁膜１４を介して、発光層１３ａの側面、第２半導体層１３ｐの側面、及び第２半導体層１３ｐ上面に配置される。
なお、半導体積層体１３が、外周部１３ｎｏを備える場合、第１電極は、外周部１３ｎｏの一部と接続されていることが好ましい。また、第１半導体層１３ｎが外周露出部１３ｃを備える場合、第１電極１１は、外周露出部１３ｃと接続されていることが好ましい。
第１電極１１及び第２電極１２は、半導体積層体１３の上面側に配置されている。
第１電極１１は、露出部１３ｂの上方における絶縁膜１４の開口部１４ａにて、露出部１３ｂと接続している。この場合、第１電極１１は、複数の露出部１３ｂを覆い、複数の露出部１３ｂそれぞれと接続されることが好ましく、全ての露出部１３ｂを覆い、全ての露出部１３ｂと接続されることがより好ましい。第１電極は、第１半導体層１３ｎ上のみならず、第２半導体層１３ｐ上方にも配置される。つまり、第１電極１１は絶縁膜１４を介して、発光層１３ａの側面、第２半導体層１３ｐの側面、及び第２半導体層１３ｐ上面に配置される。
なお、半導体積層体１３が、外周部１３ｎｏを備える場合、第１電極は、外周部１３ｎｏの一部と接続されていることが好ましい。また、第１半導体層１３ｎが外周露出部１３ｃを備える場合、第１電極１１は、外周露出部１３ｃと接続されていることが好ましい。
第２電極１２は、第２半導体層１３ｐ上に配置され、第２半導体層１３ｐの上方にある絶縁膜１４の開口部１４ｂにて第２半導体層１３ｐと接続されている。
第１電極１１及び第２電極１２は、第１半導体層１３ｎ及び第２半導体層１３ｐと、それぞれ接触しておらず、後述する光反射性電極１６等の導電性部材を介して電気的に接続されていてもよい。
第１電極１１及び第２電極１２は、第１半導体層１３ｎ及び第２半導体層１３ｐと、それぞれ接触しておらず、後述する光反射性電極１６等の導電性部材を介して電気的に接続されていてもよい。
第１電極１１及び第２電極１２の平面形状は、半導体積層体１３の平面形状が矩形の場合、同様にその外縁形状が矩形又は略矩形であることが好ましい。平面視において、１つの半導体積層体１３に設けられる第１電極１１及び第２電極１２は、第１方向Ｆにおいて交互に配置されていることが好ましい。例えば、平面視において、第２電極１２が第１電極１１間に配置されていることが好ましい。特に、半導体積層体１３が第１方向Ｆに沿った長辺を有する長方形である場合、平面視において、第２電極１２は、第２方向Ｓに沿った長辺を有する長方形であり、第１電極１１は、第１方向Ｆにおいて、第２電極１２を挟んで配置されていることが好ましい。ただし、平面視において、第２電極１２が第１電極１１間に配置されている場合、第１電極１１は、第２電極１２の側方において繋がっていてもよい。
第１電極１１及び第２電極１２は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、第１電極１１及び第２電極１２は、半導体積層体１３側から順に積層された、Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈなどの積層膜によって形成することができる。第１電極１１及び第２電極１２の膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。なお、半導体積層体１３側から順に積層された「Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ」とは、半導体積層体１３側から順に、Ｔｉ、Ｒｈ、Ａｕが積層されていることを意味する。
第１電極１１及び第２電極１２は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、第１電極１１及び第２電極１２は、半導体積層体１３側から順に積層された、Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈなどの積層膜によって形成することができる。第１電極１１及び第２電極１２の膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。なお、半導体積層体１３側から順に積層された「Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ」とは、半導体積層体１３側から順に、Ｔｉ、Ｒｈ、Ａｕが積層されていることを意味する。
（光反射性電極１６）
発光素子１０は、第１電極１１及び／又は第２電極１２と第２半導体層１３ｐとの間に介在する光反射性電極１６を有することが好ましい。
光反射性電極１６としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができ、特に発光層１３ａから発せられる光に対して高い光反射性を有する銀又は銀合金を用いることがより好ましい。光反射性電極１６は、発光層１３ａから出射される光を効果的に反射することができる厚みを有することが好ましく、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下が挙げられる。光反射性電極１６と第２半導体層１３ｐとの接触面積は大きいほど好ましい。具体的には、光反射性電極１６の総平面積は、半導体積層体の平面積の５０％以上、６０％以上、７０％以上が挙げられる。光反射性電極１６は、例えば、発光層１３ａからの光のピーク波長に対して７０％以上、好ましくは８０％以上の反射率を示す金属材料を用いることが好ましい。
発光素子１０は、第１電極１１及び／又は第２電極１２と第２半導体層１３ｐとの間に介在する光反射性電極１６を有することが好ましい。
光反射性電極１６としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができ、特に発光層１３ａから発せられる光に対して高い光反射性を有する銀又は銀合金を用いることがより好ましい。光反射性電極１６は、発光層１３ａから出射される光を効果的に反射することができる厚みを有することが好ましく、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下が挙げられる。光反射性電極１６と第２半導体層１３ｐとの接触面積は大きいほど好ましい。具体的には、光反射性電極１６の総平面積は、半導体積層体の平面積の５０％以上、６０％以上、７０％以上が挙げられる。光反射性電極１６は、例えば、発光層１３ａからの光のピーク波長に対して７０％以上、好ましくは８０％以上の反射率を示す金属材料を用いることが好ましい。
光反射性電極１６が銀を含む場合には、銀のマイグレーションを防止するために、光反射性電極１６の上面、好ましくは、上面及び側面を被覆する保護層１７を設けてもよい。保護層１７としては、上述した絶縁膜１４と同様の材料が挙げられる。なかでも、保護膜１７としてＳｉＮを用いることが好ましい。ＳｉＮからなる膜は緻密な膜を形成しやすいため、水分の侵入を抑制する材料として優れている。保護層１７の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、１００ｎｍ以上１μｍ以下が挙げられる。保護層１７を絶縁性部材で形成する場合、保護層１７が光反射性電極１６の上方に開口を有することで光反射性電極１６と第２電極１２とを電気的に接続することができる。なお、発光素子１０が第２半導体層１３ｐ上に光反射性電極１６及び保護層１７を有する場合、半導体積層体１３を覆う絶縁膜１４は光反射性電極１６及び保護層１７を覆い、かつ、第２電極１２の直下の領域に開口を有し、これにより第２電極１２と光反射性電極１６とが電気的に接続される。
（第１外部接続部１及び第２外部接続部２）
第１外部接続部１及び第２外部接続部２は、後述する配線と接続するために設けられる。
第１外部接続部１は、第２半導体層１３ｐの上方において、絶縁膜１４の上面に設けられた第１電極１１上に設けられて、第１電極１１と接続されている。第１外部接続部１は、平面視において、露出部１３ｂと離隔して配置されていることが好ましい。また、外周露出部１３ｃが存在する場合には、第１外部接続部１は、外周露出部１３ｃとも離隔して配置されていることが好ましい。
第１外部接続部１は、第１電極１１上に複数配置されていることが好ましい。第１外部接続部１は、第１方向Ｆ及び第２方向Ｓに沿って、それぞれ複数配置されていることが好ましい。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２は、後述する配線と接続するために設けられる。
第１外部接続部１は、第２半導体層１３ｐの上方において、絶縁膜１４の上面に設けられた第１電極１１上に設けられて、第１電極１１と接続されている。第１外部接続部１は、平面視において、露出部１３ｂと離隔して配置されていることが好ましい。また、外周露出部１３ｃが存在する場合には、第１外部接続部１は、外周露出部１３ｃとも離隔して配置されていることが好ましい。
第１外部接続部１は、第１電極１１上に複数配置されていることが好ましい。第１外部接続部１は、第１方向Ｆ及び第２方向Ｓに沿って、それぞれ複数配置されていることが好ましい。
第２方向Ｓにおいて、第１発光部１０Ｘに設けられた第１外部接続部１は、第２発光部１０Ｙに設けられた第１外部接続部は隣り合って設けられる。また、第１発光部１０Ｘに設けられた第１外部接続部１は、第１方向Ｆにおいて第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２に隣り合って設けられ、かつ第２方向Ｓにおいて第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に隣り合って設けられた第１部分１－１を有する。第１部分１－１は、第２発光部に設けられた第１外部接続部１に対向する側に、半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｍを備える形状である。第１部分１－１は、隣り合う発光部の第１外部接続部１に隣り合って配置されている限り、図１Ａ、図４及び図５に示すように、１つのみ配置されていてもよいし、図６から図８に示すように、隣り合って２以上配置された部分を１つの第１部分１－１としてもよい。２以上の部分を含む第１部分１－１は、それぞれの傾斜部ｍが直線上に配置されることが好ましい。半導体積層体１３の外周に近い第１部分１－１は、外周に遠い第１部分１－１よりも小さいことが好ましい。傾斜部ｍは、半導体積層体１３の一辺に対して、３０°以上８５°以下（図３Ｅ中、α）傾斜していることが好ましく、３０°以上６０°以下傾斜していることがより好ましく、４５°以上から６０°以下傾斜していることがさらに好ましい。傾斜部ｍは、第２電極１２側に対向するように傾斜していることが好ましい。第１部分１－１が傾斜部ｍを備えることにより、後述する基板２３の配線の形状と対応させることができるので、外部接続部１と配線との間の短絡を抑制することができる。また、上述したように、第１電極１１が、第２電極１２を挟んで配置されている場合には、第１部分１－１は、第２電極１２を挟んで２つ以上又は４以上配置されていてもよい。この場合、第１部分１－１は、大きさ及び形状が一部又は全部が同じでもよいし、異なっていてもよい。第１部分１－１は、第１発光部１０Ｘにのみ配置されていてもよい。第１部分１－１は、第２発光部１０Ｙにも配置されていることが好ましい。第１部分１－１の平面積は、１００μｍ２以上１０００μｍ２以下であることが好ましい。また、第１部分１－１が互いに隣り合って配置されている場合には、互いに隣り合う第１部分１－１は、１６μｍ以上の間隔で配置されていることが好ましく、１６μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、１６μｍ以上３０μｍ以下であることがさらに好ましい。
第１部分１－１は、傾斜部ｍを有する限り、平面視において、例えば、三角形、四角形等の多角形、扇形、半円形、円形、楕円形、円環形状等、種々の形状を含んでいてもよい。なかでも、第１部分１－１は、四角形の角の一部が面取りされた形状が好ましい。
第１部分１－１は、傾斜部ｍを有する限り、平面視において、例えば、三角形、四角形等の多角形、扇形、半円形、円形、楕円形、円環形状等、種々の形状を含んでいてもよい。なかでも、第１部分１－１は、四角形の角の一部が面取りされた形状が好ましい。
第１外部接続部１は、さらに、複数の第４部分１－４を有していることが好ましい。第４部分１－４は、第２方向Ｓにおいて露出部１３ｂ間に位置していない。ただし、第４部分１－４は、第１方向Ｆにおいては露出部１３ｂ間に位置していてもよい。例えば、第１方向Ｆにおいて、２つ又は４つの第４部分１－４で１つの露出部１３ｂを挟んでいてもよい。第４部分１－４は、露出部１３ｂとは隔離している。第４部分１－４は、規則的又はランダムに配置されたものを含んでいてもよい。第４部分１－４は、１５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されていることが好ましい。第４部分１－４は、１５０個／ｍｍ２以上４００個／ｍｍ２以下の密度で配置されていることがより好ましく、２００個／ｍｍ２以上３００個／ｍｍ２以下の密度で配置されていることがさらに好ましい。互いに隣り合う第４部分１－４は、１６μｍ以上の間隔で配置されていることが好ましい。互いに隣り合う第４部分１－４は、１６μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、１６μｍ以上３０μｍ以下であることがさらに好ましい。このように、第１外部接続部１の平面積小さくすることによって、基板上の配線への接合の際に負荷する外力を低減することができるため、露出部１３ｂ近傍の絶縁膜１４及び電極の破損を抑制することができる。その結果、発光素子１０と基板上の配線との接合性を向上させることが可能となる。また、第１外部接続部１である複数の部分の平面積が、発光素子１０の平面積に比較して非常に小さいために、その配置を密にすることができる。これによって、第１外部接続部１の総平面積を大きくすることができ、放熱性を向上させることが可能となる。さらに、第１外部接続部１間の間隔を１６μｍ以上とすることで、例えば、発光素子１０を基板上の配線に接合する際、第１外部接続部１等の平面積が広がっても、隣り合う第１外部接続部１同士が接触することを回避することができる。後述するように、基板にフリップチップ実装された発光素子１０に対して、発光素子１０と基板との間に光反射性を有する樹脂部材３２となる未硬化の樹脂材料を流し込む際、隣り合う露出部１３ｂ間の直下にまで、樹脂部材３２を配置しやすくなる。これにより、発光装置の光取出し効率を向上することができる。第４部分１－４の平面積は、第１部分１－１の平面積よりも小さいことが好ましい。
第４部分１－４は、複数の行及び複数の列で、規則的又はランダムに配置されていればよい。第４部分１－４は、１５０個／ｍｍ２以上の密度で配置される限り、その数、形状等は適宜設定することができる。例えば、第４部分１－４の平面形状は、一部又は全部が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
第１外部接続部１は、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓに沿って、外周露出部１３ｃに隣り合って配置された第５部分１－５、露出部１３ｂに隣り合って配置された第６部分１－６、半導体積層体１３の角部に配置された第７部分１－７及び半導体積層体１３の角部近傍領域に配置された第８部分１－８を含むことができる。
第４部分１－４は、複数の行及び複数の列で、規則的又はランダムに配置されていればよい。第４部分１－４は、１５０個／ｍｍ２以上の密度で配置される限り、その数、形状等は適宜設定することができる。例えば、第４部分１－４の平面形状は、一部又は全部が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
第１外部接続部１は、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓに沿って、外周露出部１３ｃに隣り合って配置された第５部分１－５、露出部１３ｂに隣り合って配置された第６部分１－６、半導体積層体１３の角部に配置された第７部分１－７及び半導体積層体１３の角部近傍領域に配置された第８部分１－８を含むことができる。
第５部分１－５は、半導体積層体１３が、外周露出部１３ｃを備える場合に、外周露出部１３ｃに隣り合って配置されている。従って、外周露出部１３ｃが複数存在する場合には、第５部分１－５も複数配置される。第５部分１－５は、外周露出部１３ｃに対して１つが隣り合って配置されていてもよいし、２以上で、外周露出部１３ｃの形状に沿うように、隣り合って配置されていてもよい。第５部分１－５は、第１方向Ｆ及び第２方向Ｓに沿って配置された全ての外周露出部１３ｃに対して、それぞれ１以上配置されていることが好ましい。第５部分１－５は、平面視において、外周露出部１３ｃと対向する側に曲線部を備える平面形状を有していることが好ましい。第５部分１－５が外周露出部１３ｃと対向する側に外周露出部１３ｃの形状に対応した曲線部ｒを備えることにより、外周露出部１３ｃに近接して配置された第１外部接続部１の面積をより広くすることができる。複数の第５部分１－５を配置する場合、第５部分１－５が備える曲線部ｒは、外周露出部１３ｃの形状及び位置等によって、その形状がそれぞれ異なっていてもよい。
第６部分１－６は、第２方向Ｓにおいて、露出部１３ｂに隣り合って配置されている。露出部１３ｂが複数配置される場合には、第６部分１－６も複数配置される。第６部分１－６は、露出部１３ｂに対して１つが隣り合って配置されていてもよいし、２つ又はそれ以上で、露出部１３ｂに隣り合って配置されていてもよい。第６部分１－６は、全ての露出部１３ｂに対して、第２方向Ｓにそれぞれ１以上隣り合って配置されていることが好ましい。例えば、第２方向Ｓにおいて、２つの第６部分１－６は、１つの露出部１３ｂを挟むように配置されていることがより好ましい。第６部分１－６は、露出部１３ｂとは離隔している。第２方向Ｓにおいて、露出部１３ｂ間に複数の第６部分１－６を配置する場合においても、第６部分１－６は互いに離隔していることが好ましい。第６部分１－６と露出部１３ｂとの第２方向Ｓにおける間隔は、例えば、１２μｍ以上２８μｍ以下とすることが挙げられる。このように第６部分１－６と露出部１３ｂとを近接させることによって、露出部１３ｂの周辺で生じる熱を、効率的に逃がすことができる。また、第６部分１－６と露出部１３ｂとは平面視において重ならないため、接合時に生じる露出部１３ｂ周辺の半導体積層体１３へのダメージを抑制することができる。第２方向Ｓにおいて、互いに離隔する第６部分１－６同士は、例えば、１６μｍ以上離隔していることが好ましく、１６μｍ以上５０μｍ以下離隔していることがより好ましく、１６μｍ以上３０μｍ以下離隔していることがさらに好ましい。このような距離に設定されることにより、接合時において第１外部接続部１が広がった場合においても、隣り合う第１外部接続部１同士が接触することを回避することができる。そして、樹脂部材３２を構成する未硬化の樹脂材料を、第１外部接続部１間に空隙などの発生を抑制しつつ流動させることができる。これにより、発光素子と基板との間に存在する気体の熱膨張に起因する発光素子の剥がれ等を効果的に防止することができる。
第６部分１－６は、平面視において、露出部１３ｂと対向する側に曲線部ｋを備える平面形状を有していることが好ましい。第６部分１－６が露出部１３ｂと対向する側に露出部１３ｂの形状に対応した曲線部ｋを備えることにより、露出部１３ｂに近接して配置された第１外部接続部１の面積をより広くすることができる。例えば、平面において、露出部１３ｂの形状が円形である場合、第６部分１－６を露出部１３ｂの円形に対応した曲線部ｋを備える形状とすることが好ましい。複数の第６部分１－６を配置する場合、第６部分１－６が備える曲線部ｋは、露出部１３ｂの形状及び位置、露出部１３ｂに対する位置等によって、その形状がそれぞれ異なっていてもよい。
第５部分１－５及び第６部分１－６の数は、半導体積層体１３に形成された外周露出部１３ｃ及び露出部１３ｂの数によって、適宜設定することができる。例えば、第５部分１－５及び第６部分１－６の数は、１つの露出部１３ｂ又は外周露出部１３ｃに対して、２つ以上であればよく、例えば、３つ、４つ以上等が挙げられる。ただし、露出部１３ｂ及び外周露出部１３ｃの位置によって、第５部分１－５及び第６部分１－６の数及び／又は形状が異なっていてもよい。例えば、半導体積層体１３の外縁に対向する位置、第２電極１２に対向する位置、半導体積層体１３の内側の位置等で、第５部分１－５及び第６部分１－６の数、大きさ及び／又は形状がそれぞれ一部又は全部異なっていてもよいし、同じでもよい。
第５部分１－５及び第６部分１－６の数は、半導体積層体１３に形成された外周露出部１３ｃ及び露出部１３ｂの数によって、適宜設定することができる。例えば、第５部分１－５及び第６部分１－６の数は、１つの露出部１３ｂ又は外周露出部１３ｃに対して、２つ以上であればよく、例えば、３つ、４つ以上等が挙げられる。ただし、露出部１３ｂ及び外周露出部１３ｃの位置によって、第５部分１－５及び第６部分１－６の数及び／又は形状が異なっていてもよい。例えば、半導体積層体１３の外縁に対向する位置、第２電極１２に対向する位置、半導体積層体１３の内側の位置等で、第５部分１－５及び第６部分１－６の数、大きさ及び／又は形状がそれぞれ一部又は全部異なっていてもよいし、同じでもよい。
第７部分１－７は、平面視において、半導体積層体１３の少なくとも１以上の角部周辺に配置されていることが好ましい。第７部分１－７は、第５部分１－５、第６部分１－６及び／又は第２部分２－２の平面積よりも大きな平面積を有することが好ましい。第７部分１－７の平面積は、例えば、第５部分１－５、第６部分１－６及び／又は第２部分２－２の平面積の２倍以上又は３倍以上とすることが好ましい。このような平面積の比較的大きな第７部分１－７を半導体積層体１３の角部周辺に配置することにより、製造過程及びその後において電流及び電圧の確認のためのプローブを第７部分１－７に容易に接触させることができる。
互いに隣り合う第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び／又は第７部分１－７は、１６μｍ以上の間隔で配置されていることが好ましく、１６μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、１６μｍ以上３０μｍ以下であることがさらに好ましい。このような間隔とすることで、例えば、発光素子を基板上の配線に接合する際、第１外部接続部１等の平面積が広がっても、隣り合う第１外部接続部１同士が接触することを回避することができる。このような間隔とすることにより、後述するように、発光装置を構成する光反射性を有する樹脂部材３２を、第１外部接続部１の間に入り込ませることが容易となる。
互いに隣り合う第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び／又は第７部分１－７は、１６μｍ以上の間隔で配置されていることが好ましく、１６μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、１６μｍ以上３０μｍ以下であることがさらに好ましい。このような間隔とすることで、例えば、発光素子を基板上の配線に接合する際、第１外部接続部１等の平面積が広がっても、隣り合う第１外部接続部１同士が接触することを回避することができる。このような間隔とすることにより、後述するように、発光装置を構成する光反射性を有する樹脂部材３２を、第１外部接続部１の間に入り込ませることが容易となる。
第８部分１－８は、第４部分１－４に隣接して配置されており、第１方向Ｆにおいて露出部１３ｂ間に位置せず、第１部分１－１と異なる形状又は異なる大きさの平面形状を有する。第８部分１－８の大きさは、任意に設定することができる。第８部分１－８は、第２方向Ｓにおいて露出部１３ｂ間に位置していてもよい。第８部分１－８は、１つの発光部において少なくとも１つ配置され、１つの発光素子において少なくとも４つ配置されていることが好ましい。本実施形態では、１つの発光部に２つの第８部分１－８が配置されている。特に、発光素子１０の平面形状が四角形である場合、第８部分１－８は、発光素子１０の全面積に対して、四角形の角を含む１／９以下の面積の領域内（以下、「角部近傍領域」ということがある。）にそれぞれ配置されることが好ましい。角部近傍領域は、発光素子の全領域を、同じ面積で、例えば、９以上で分割した１つの領域を意味する。第８部分１－８の平面形状は、円形又は略円形であることが好ましい。
このような第８部分１－８を配置することにより、発光素子を、配線を有する基板上に配置し、接合する場合に、接合後の第８部分１－８の平面形状から発光素子１０と配線との接合性を確認することができる。特に、第８部分１－８の平面形状が円形又は略円形とすることで、第８部分１－８が同心円状に広がるようにつぶれるため、第８部分１－８の平面形状が四角形である場合に比較して、接合後に第８部分１－８が広がった量の判断が容易となる。また、第８部分１－８を発光素子１０の中央領域よりも第１外部接続部１がつぶれにくい傾向がある角部近傍領域に配置し、接合性の判断を行うことで、発光素子１０における第１外部接続部１のつぶしむらの判断が容易となる。これにより、より精度の高い接合性の評価を可能とすることができる。
このような第８部分１－８を配置することにより、発光素子を、配線を有する基板上に配置し、接合する場合に、接合後の第８部分１－８の平面形状から発光素子１０と配線との接合性を確認することができる。特に、第８部分１－８の平面形状が円形又は略円形とすることで、第８部分１－８が同心円状に広がるようにつぶれるため、第８部分１－８の平面形状が四角形である場合に比較して、接合後に第８部分１－８が広がった量の判断が容易となる。また、第８部分１－８を発光素子１０の中央領域よりも第１外部接続部１がつぶれにくい傾向がある角部近傍領域に配置し、接合性の判断を行うことで、発光素子１０における第１外部接続部１のつぶしむらの判断が容易となる。これにより、より精度の高い接合性の評価を可能とすることができる。
第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７の形状は、平面視において、例えば、三角形、四角形等の多角形、扇形、半円形、円形、楕円形、円環形状、これらの形状の一部が欠けたような形状、多角形の一部に曲線を含む等、種々の形状が挙げられる。
具体的には、第５部分１－５は、外周露出部１３ｃと対向する側に曲線部ｒ１を備える平面形状が挙げられる。第６部分１－６は、露出部１３ｂと対向する側に曲線部ｋを備える平面形状が挙げられる。第７部分１－７は、四角形の平面形状が挙げられる。外周露出部１３ｃの平面形状が円形である場合に、第５部分１－５が外周露出部１３ｃに対向する側に外周露出部１３ｃの形状に対応した曲線部ｒ１を備えることにより、外周露出部１３ｃに近接して配置された第１外部接続部１の面積をより広くすることができる。これにより、発光素子１０の放熱性を向上させることが可能となる。露出部１３ｂの平面形状が円形である場合に、第６部分１－６が露出部１３ｂと対向する側に露出部１３ｂの形状に対応した曲線部ｋを備えることにより、露出部１３ｂに近接して配置された第１外部接続部１の面積をより広くすることができる。これによって、発光素子１０の放熱性を向上させることが可能となる。
具体的には、第５部分１－５は、外周露出部１３ｃと対向する側に曲線部ｒ１を備える平面形状が挙げられる。第６部分１－６は、露出部１３ｂと対向する側に曲線部ｋを備える平面形状が挙げられる。第７部分１－７は、四角形の平面形状が挙げられる。外周露出部１３ｃの平面形状が円形である場合に、第５部分１－５が外周露出部１３ｃに対向する側に外周露出部１３ｃの形状に対応した曲線部ｒ１を備えることにより、外周露出部１３ｃに近接して配置された第１外部接続部１の面積をより広くすることができる。これにより、発光素子１０の放熱性を向上させることが可能となる。露出部１３ｂの平面形状が円形である場合に、第６部分１－６が露出部１３ｂと対向する側に露出部１３ｂの形状に対応した曲線部ｋを備えることにより、露出部１３ｂに近接して配置された第１外部接続部１の面積をより広くすることができる。これによって、発光素子１０の放熱性を向上させることが可能となる。
第１外部接続部１の１つの部分の平面積は、半導体積層体１３の平面積の大きさに応じて適宜設定することができる。例えば、半導体積層体１３の平面の大きさが、０．８ｍｍ～１．２ｍｍ×０．８ｍｍ～１．２ｍｍの場合、第１外部接続部１の１つの部分の平面積は、１００μｍ２以上１００００μｍ２以下が挙げられ、５００μｍ２以上８０００μｍ２以下が好ましい。例えば、第１部分１－１、第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７は、５００μｍ２以上１０００μｍ２以下が挙げられる。具体的には、２０μｍ×４０μｍ又はそれよりも大きな平面積が挙げられる。第７部分１－７は、３０００μｍ２以上７０００μｍ２以下が挙げられる。具体的には、６０μｍ×６０μｍ又はそれよりも大きな平面積が挙げられる。
発光素子１０における第１外部接続部１の総平面積は、半導体積層体１３の大きさ、露出部１３ｂの数及び大きさ等によって適宜設定することができる。例えば、第１外部接続部の総平面積は、半導体積層体１３の平面積の４０％以上で配置されていればよく、７０％以下が好ましい。このような範囲とすることにより、放熱性を確保しながら、第１外部接続部１を形成する材料が高価な金属である場合等において、その製造コストを低減することができる。
例えば、第１外部接続部１は、１５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されていることが好ましく、１５０個／ｍｍ２以上４００個／ｍｍ２以下の密度で配置されていることがより好ましく、２００個／ｍｍ２以上３００個／ｍｍ２以下の密度で配置されていることがさらに好ましい。
発光素子１０における第１外部接続部１の総平面積は、半導体積層体１３の大きさ、露出部１３ｂの数及び大きさ等によって適宜設定することができる。例えば、第１外部接続部の総平面積は、半導体積層体１３の平面積の４０％以上で配置されていればよく、７０％以下が好ましい。このような範囲とすることにより、放熱性を確保しながら、第１外部接続部１を形成する材料が高価な金属である場合等において、その製造コストを低減することができる。
例えば、第１外部接続部１は、１５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されていることが好ましく、１５０個／ｍｍ２以上４００個／ｍｍ２以下の密度で配置されていることがより好ましく、２００個／ｍｍ２以上３００個／ｍｍ２以下の密度で配置されていることがさらに好ましい。
第２外部接続部２は、第２電極１２と接続されている。第２外部接続部２は、平面視において、第１外部接続部１間に配置されていることが好ましい。
第２外部接続部２は、第２電極１２上に複数配置されていることが好ましい。例えば、第２外部接続部２は、複数の第２部分２－２と複数の第３部分２－３を含むことが好ましい。
第２部分２－２は、平面視において、行列状に複数配置されていることが好ましい。
第２部分２－２は、平面視で、例えば、三角形、四角形等の多角形、扇形、半円形、円形、楕円形、環形状、環状扇形、これらの形状の一部が欠けたような形状等、種々の形状が挙げられる。第２部分の平面積は、１００μｍ２以上１０００μｍ２以下であることが好ましい。
第２外部接続部２は、第２電極１２上に複数配置されていることが好ましい。例えば、第２外部接続部２は、複数の第２部分２－２と複数の第３部分２－３を含むことが好ましい。
第２部分２－２は、平面視において、行列状に複数配置されていることが好ましい。
第２部分２－２は、平面視で、例えば、三角形、四角形等の多角形、扇形、半円形、円形、楕円形、環形状、環状扇形、これらの形状の一部が欠けたような形状等、種々の形状が挙げられる。第２部分の平面積は、１００μｍ２以上１０００μｍ２以下であることが好ましい。
第３部分２－３は、半導体積層体１３の外周に隣り合って配置されている。例えば、第２方向Ｓにおいて、複数の第２部分２－２の両側に配置されたものが挙げられる。第３部分２－３は、１つの第２電極１２に対して複数配置されていることが好ましく、２つ配置されていることがより好ましい。第３部分２－３は、平面視で、例えば、三角形、四角形等の多角形、扇形、半円形、円形、楕円形、環形状、環状扇形、これらの形状の一部が欠けたような形状等、種々の形状が挙げられる。第３部分２－３は、例えば、半導体積層体１３の外周に対向する側に半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｔを備える形状を有する。傾斜部ｔは、第３部分２－３の半導体積層体１３の外周に対向する少なくとも１つの角部に配置されていればよく、２つの角部に配置されていることが好ましい。また、傾斜部ｔは、第２部分２－２の両側に配置された２つの第３部分２－３に配置（図１Ａ等）されていてもよいし、いずれか一方の第３部分２－３にのみ配置（図６から８等）されていてもよい。第３部分２－３の傾斜部ｔは、対向する半導体積層体１３の一辺に対して、３０°以上８５°以下（図３Ｅ中、β）傾斜していることが好ましく、３０°以上６０°以下傾斜していることがより好ましく、４５°以上６０°以下傾斜していることがさらに好ましい。傾斜部ｔは、第１電極１１側に対向するように傾斜していることが好ましい。第３部分２－３が傾斜部ｔを備えることにより、後述する基板２３の配線との短絡を抑制することができる。なお、第２方向Ｓにおいて、傾斜部ｔは、傾斜部ｍと同じ側に配置されていることが好ましい。
第３部分２－３は、第２部分２－２の平面積よりも大きな平面積を有することが好ましい。第３部分２－３は、第１方向Ｆに長い形状であり、第１方向Ｆにおいて第２電極１２よりも短い長さを有するものが挙げられる。例えば、第２方向Ｓにおける第２電極１２の一辺の長さの７０％以上９０％以下の長さを有するものが挙げられる。第３部分２－３は、それぞれ、大きさ及び／又は形状が異なっていてもよいし、同じでもよい。
第３部分２－３は、第２部分２－２の平面積よりも大きな平面積を有することが好ましい。第３部分２－３は、第１方向Ｆに長い形状であり、第１方向Ｆにおいて第２電極１２よりも短い長さを有するものが挙げられる。例えば、第２方向Ｓにおける第２電極１２の一辺の長さの７０％以上９０％以下の長さを有するものが挙げられる。第３部分２－３は、それぞれ、大きさ及び／又は形状が異なっていてもよいし、同じでもよい。
第３部分２－３の平面積は、１００μｍ２以上１０００μｍ２以下であることが好ましい。第３部分２－３の平面積は、第１外部接続部１の第７部分１－７の平面積よりも大きいことが好ましい。また、第３部分の平面積は、第１部分の平面積よりも大きいことが好ましい。例えば、第３部分２－３の平面積は、第７部分１－７の平面積の１２０％以上２５０％以下が挙げられ、１３０％以上２００％以下が好ましい。具体的には、第７部分１－７の平面積が６０μｍ×６０μｍ又はそれよりも大きな平面積（例えば、６０μｍ×８８μｍ）である場合、第３部分２－３の平面積は、６５μｍ×６５μｍ又はそれよりも大きな平面積（６５μｍ×１３０μｍ）が挙げられる。第３部分２－３の平面積は、第２部分２－２の平面積よりも大きいことが好ましい。このような平面積の比較的大きな第３部分２－３を半導体積層体１３の一端に配置することにより、製造過程及びその後において電流及び電圧の試験のためのプローブを第３部分２－３に容易に接触させることができる。
互いに隣り合う第２部分の間隔及び互いに隣り合う第２部分と第３部分との間隔は、それぞれ、１６μｍ以上であることが好ましい。また、１６μｍ以上５０μｍ以下であるものが好ましく、１６μｍ以上３０μｍ以下であるものより好ましい。このような間隔とすることで、上述したように、発光素子を基板上の配線に接合する際、第２外部接続部２同士が接触することを回避することができる。ただし、互いに隣り合う第２部分２－２の間隔及び第２部分２－２と第３部分２－３との間隔は、全て同じとしてもよいし、全て同じでなくてもよい。
第２部分２－２及び第３部分２－３は、半導体積層体１３上に配置される場所によって、その形状及び／又は大きさが異なっていてもよい。例えば、第２外部接続部２の大きさは、第１外部接続部１の８０％以上５００％以下、８０％以上２００％以下、８０％以上１５０％以下とすることができる。
互いに隣り合う第２部分の間隔及び互いに隣り合う第２部分と第３部分との間隔は、それぞれ、１６μｍ以上であることが好ましい。また、１６μｍ以上５０μｍ以下であるものが好ましく、１６μｍ以上３０μｍ以下であるものより好ましい。このような間隔とすることで、上述したように、発光素子を基板上の配線に接合する際、第２外部接続部２同士が接触することを回避することができる。ただし、互いに隣り合う第２部分２－２の間隔及び第２部分２－２と第３部分２－３との間隔は、全て同じとしてもよいし、全て同じでなくてもよい。
第２部分２－２及び第３部分２－３は、半導体積層体１３上に配置される場所によって、その形状及び／又は大きさが異なっていてもよい。例えば、第２外部接続部２の大きさは、第１外部接続部１の８０％以上５００％以下、８０％以上２００％以下、８０％以上１５０％以下とすることができる。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２は、それぞれ、当該分野で公知の方法で形成することができる。例えば、めっき法、スパッタリング法、蒸着法等が挙げられる。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属又はこれらの金属を含む合金を単層又は積層構造で用いることができる。
なお、第１外部接続部１及び第２外部接続部２の厚みは、発光素子の大きさ等によって、適宜設定することができ、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下が挙げられ、１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
半導体積層体１３が、１つの支持基板１５上に１つの半導体積層体１３を有する場合、第１外部接続部１及び第２外部接続部２は、それぞれ、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓにおいて、半導体積層体１３の面積又は発光部の面積を２等分する２等分線に対して対称に配置されていることが好ましい。
半導体積層体１３が、上述したように複数の発光部を有する場合、第１発光部における第１外部接続部１及び第２外部接続部２の配置と、第２発光部における第１外部接続部１及び第２外部接続部２の配置と、支持基板１５の面積を２等分する２等分線に対して対称であることが好ましい。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属又はこれらの金属を含む合金を単層又は積層構造で用いることができる。
なお、第１外部接続部１及び第２外部接続部２の厚みは、発光素子の大きさ等によって、適宜設定することができ、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下が挙げられ、１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
半導体積層体１３が、１つの支持基板１５上に１つの半導体積層体１３を有する場合、第１外部接続部１及び第２外部接続部２は、それぞれ、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓにおいて、半導体積層体１３の面積又は発光部の面積を２等分する２等分線に対して対称に配置されていることが好ましい。
半導体積層体１３が、上述したように複数の発光部を有する場合、第１発光部における第１外部接続部１及び第２外部接続部２の配置と、第２発光部における第１外部接続部１及び第２外部接続部２の配置と、支持基板１５の面積を２等分する２等分線に対して対称であることが好ましい。
〔発光装置３３〕
本開示の一実施形態における発光装置３３は、図２Ａ及び２Ｂに示すように、上面に複数の配線２４、２５、２６を有する基板２３と、上述した発光素子１０（又は後述する発光素子）と、被覆部材２７とを含む。発光素子１０は、基板２３上に１つのみ配置されていてもよいし、２以上配置されていてもよい。発光素子１０は、配線２４、２５、２６上に、複数の第１外部接続部１と複数の第２外部接続部２とを介してフリップチップ実装されている。第１配線２４及び第３配線２６の一部は被覆部材２７から露出している。
本開示の一実施形態における発光装置３３は、図２Ａ及び２Ｂに示すように、上面に複数の配線２４、２５、２６を有する基板２３と、上述した発光素子１０（又は後述する発光素子）と、被覆部材２７とを含む。発光素子１０は、基板２３上に１つのみ配置されていてもよいし、２以上配置されていてもよい。発光素子１０は、配線２４、２５、２６上に、複数の第１外部接続部１と複数の第２外部接続部２とを介してフリップチップ実装されている。第１配線２４及び第３配線２６の一部は被覆部材２７から露出している。
（基板２３）
基板２３は、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等によって形成されたものを利用することができる。なかでも、基板２３の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどが挙げられる。また、アルミニウム等の金属部材の上に、セラミックス材料が積層されたもの等であってもよい。
基板２３は、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等によって形成されたものを利用することができる。なかでも、基板２３の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどが挙げられる。また、アルミニウム等の金属部材の上に、セラミックス材料が積層されたもの等であってもよい。
配線２４、２５、２６は、発光素子１０に電流を供給し得るものであればよく、当該分野で通常使用されている材料、厚み、形状等で形成されている。具体的には、配線２４、２５、２６は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、鉄、ニッケル等の金属又はこれらの金属を含む合金等によって形成することができる。特に、基板２３の上面に形成される配線２４、２５、２６は、発光素子１０からの光を効率よく取り出すために、その最表面が銀又は金などの反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。配線２４、２５、２６は、電解めっき法、無電解めっき法、蒸着法、スパッタリング法等によって形成される。例えば、発光素子１０の第１外部接続部１及び第２外部接続部２の最表面が金によって形成されている場合、配線２４、２５、２６の最表面も金とすることが好ましい。これによって、発光素子１０と基板２３上の配線との接合性を向上することができる。
配線２４、２５、２６上に、発光素子１０の第１外部接続部１及び第２外部接続部２が形成された面を下面として基板２３上にフリップチップ実装する場合、下面と反対側の上面が発光素子１０の主な光取り出し面となる。配線２４、２５、２６は、基板２３の上面のみならず、内部及び／又は下面に配置されていてもよい。
配線は、図３Ａ及び３Ｂに示すように、第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１に接続された第１配線２４と、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２及び第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に接続された第２配線２５と、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２に接続された第３配線２６とを含むものが好ましい。発光素子１０は、第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１が第１配線２４に接続され、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が第２配線２５に接続される。また、発光素子１０は、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１が第２配線２５に接続され、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が第３配線２６に接続される。
第１方向Ｆにおいて、第２配線２５のうち第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が接続される部分は、第１配線２４の間に位置し、第３配線２６のうち第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が接続される部分は、第２配線２５の間に位置していることが好ましい。平面視において、第１配線２４は、第２方向Ｓにおいて第２配線２５と対向する側の一部に凹状領域を有し、第２配線２５は、第２方向Ｓにおいて第３配線２６と対向する側の一部に凹状領域を有している。第２配線２５は、第２方向Ｓにおいて第１配線２４と対向する側の一部に凸状領域を有し、第３配線２６は、第２方向Ｓにおいて第２配線２５と対向する側の一部に凸状領域を有している。そして、第１配線２４の凹状領域に第２配線２５の凸状領域が位置し、第２配線２５の凹状領域に、第３配線２６の凸状領域が位置している。
配線は、図３Ａ及び３Ｂに示すように、第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１に接続された第１配線２４と、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２及び第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に接続された第２配線２５と、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２に接続された第３配線２６とを含むものが好ましい。発光素子１０は、第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１が第１配線２４に接続され、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が第２配線２５に接続される。また、発光素子１０は、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１が第２配線２５に接続され、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が第３配線２６に接続される。
第１方向Ｆにおいて、第２配線２５のうち第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が接続される部分は、第１配線２４の間に位置し、第３配線２６のうち第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が接続される部分は、第２配線２５の間に位置していることが好ましい。平面視において、第１配線２４は、第２方向Ｓにおいて第２配線２５と対向する側の一部に凹状領域を有し、第２配線２５は、第２方向Ｓにおいて第３配線２６と対向する側の一部に凹状領域を有している。第２配線２５は、第２方向Ｓにおいて第１配線２４と対向する側の一部に凸状領域を有し、第３配線２６は、第２方向Ｓにおいて第２配線２５と対向する側の一部に凸状領域を有している。そして、第１配線２４の凹状領域に第２配線２５の凸状領域が位置し、第２配線２５の凹状領域に、第３配線２６の凸状領域が位置している。
例えば、図３Ｂに示すように、第１配線２４の凹状領域Ｇは、第２配線２５の凸状領域の角部が対向する位置に傾斜部Ｇ１、Ｇ２を有する。第１配線２４の凹状領域Ｇは、第３配線２６の凸状領域の角部が対向する位置に傾斜部Ｇ３、Ｇ４を有する。第２配線２５の凸状領域Ｈは、傾斜部Ｇ１、Ｇ２と対向する位置に、傾斜部Ｇ１、Ｇ２との距離が一定である傾斜部Ｈ１、Ｈ２を有する。第２配線２５の凸状領域は、傾斜部Ｇ３、Ｇ４との距離が一定である傾斜部Ｈ３及びＨ４を有する。第２配線２５の凹状領域及び第３配線２６の凸状領域も、第１配線２４の凹状領域と第２配線２５の凸状領域との間の関係と同様の形状を有することが好ましい。
第２方向における、第１配線２４と第２配線２５との間の距離Ｄ１及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離Ｄ２は、平面視において、３０μｍ以上７０μｍ以下であるものが挙げられる。第１方向における第１配線２４と第２配線２５との間の距離及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離も同様である。つまり、第１配線２４と第２配線２５との間の距離及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離は、全長にわたって一定であることが好ましい。
このような配線によって、２つの発光部を直列に接続することができる。このような配線形状とし、第１配線２４と第２配線２５との間及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離を近づけることにより、２つの発光部間の距離をより狭くすることができる。
特に、図３Ｂに示す基板２３に、発光素子１０を配置する場合、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が第２配線２５の凸状領域に対向し、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が第３配線２６の凸状領域に対向する。図３Ｄに示すように、第２配線２５の凸状領域における傾斜部Ｈ１、Ｈ２に対応して、第２外部接続部２の第３部分２－３の傾斜部ｔが配置する。第１配線２４の凹状領域Ｇにおける傾斜部Ｇ３、Ｇ４に対応して、第１外部接続部１の第１部分１－１の傾斜部ｍが配置する。このように、第１外部接続部１の第１部分１－１及び／又は第２外部接続部２の第３部分２－３の形状を、配線２４、２５に対応した形状とすることにより、２つの発光部間における短絡の発生を回避することが可能となる。図３Ｄは、配線の形状と第１外部接続部１及び第２外部接続部２の配置との関係を説明するための概略図であるため構成部材をすべて実線で示している。
第２方向における、第１配線２４と第２配線２５との間の距離Ｄ１及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離Ｄ２は、平面視において、３０μｍ以上７０μｍ以下であるものが挙げられる。第１方向における第１配線２４と第２配線２５との間の距離及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離も同様である。つまり、第１配線２４と第２配線２５との間の距離及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離は、全長にわたって一定であることが好ましい。
このような配線によって、２つの発光部を直列に接続することができる。このような配線形状とし、第１配線２４と第２配線２５との間及び第２配線２５と第３配線２６との間の距離を近づけることにより、２つの発光部間の距離をより狭くすることができる。
特に、図３Ｂに示す基板２３に、発光素子１０を配置する場合、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が第２配線２５の凸状領域に対向し、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が第３配線２６の凸状領域に対向する。図３Ｄに示すように、第２配線２５の凸状領域における傾斜部Ｈ１、Ｈ２に対応して、第２外部接続部２の第３部分２－３の傾斜部ｔが配置する。第１配線２４の凹状領域Ｇにおける傾斜部Ｇ３、Ｇ４に対応して、第１外部接続部１の第１部分１－１の傾斜部ｍが配置する。このように、第１外部接続部１の第１部分１－１及び／又は第２外部接続部２の第３部分２－３の形状を、配線２４、２５に対応した形状とすることにより、２つの発光部間における短絡の発生を回避することが可能となる。図３Ｄは、配線の形状と第１外部接続部１及び第２外部接続部２の配置との関係を説明するための概略図であるため構成部材をすべて実線で示している。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２と、配線２４、２５、２６との接合は、例えば、超音波接合法を用いて接合することができる。第１外部接続部１及び第２外部接続部２と、配線２４、２５、２６とを接合する際、超音波振動を印加しながら、加熱及び／又は加圧してもよい。
（被覆部材２７）
被覆部材２７は、発光素子１０と、第１外部接続部１と、第２外部接続部２と、基板２３とを被覆する。つまり、被覆部材２７は、発光素子１０の側面と、発光素子１０と基板２３との間と、第１外部接続部１及び第２外部接続部２の側面を被覆する。被覆部材２７は、発光素子１０の下面において、露出部１３ｂの直下にも配置されることが好ましい。後述するように、発光装置３３が、発光素子１０の上面に透光部材２８を有する場合には、被覆部材２７は、透光部材２８の側面も被覆することが好ましい。
被覆部材２７は、発光素子１０と、第１外部接続部１と、第２外部接続部２と、基板２３とを被覆する。つまり、被覆部材２７は、発光素子１０の側面と、発光素子１０と基板２３との間と、第１外部接続部１及び第２外部接続部２の側面を被覆する。被覆部材２７は、発光素子１０の下面において、露出部１３ｂの直下にも配置されることが好ましい。後述するように、発光装置３３が、発光素子１０の上面に透光部材２８を有する場合には、被覆部材２７は、透光部材２８の側面も被覆することが好ましい。
被覆部材２７は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有した樹脂等によって形成することができる。なかでも、被覆部材２７は、光反射性及び／又は遮光性を有することが好ましい。被覆部材２７を構成する樹脂、光反射性物質等は、当該分野で通常使用されているもののいずれをも利用することができる。例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等が挙げられる。
被覆部材２７を構成する材料における光反射性物質等の含有量等によって光の反射量、透過量等を変動させることができる。被覆部材２７は、例えば、光反射性物質を２０ｗｔ％以上含有することが好ましい。
被覆部材２７は、例えば、射出成形、ポッティング成形、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
被覆部材２７を配置する前に、例えば、発光素子１０の側面、発光素子１０の電極の側面、第１外部接続部１及び第２外部接続部２の側面、発光素子１０と基板２３との間に、樹脂部材３２を配置してもよい。この樹脂部材３２は、光反射性を有するものが好ましい。このような樹脂部材３２を設けることにより、発光素子１０から基板２３に向かう光を発光素子１０側に反射し、光取り出し効率を向上させることができる。
被覆部材２７は、例えば、射出成形、ポッティング成形、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
被覆部材２７を配置する前に、例えば、発光素子１０の側面、発光素子１０の電極の側面、第１外部接続部１及び第２外部接続部２の側面、発光素子１０と基板２３との間に、樹脂部材３２を配置してもよい。この樹脂部材３２は、光反射性を有するものが好ましい。このような樹脂部材３２を設けることにより、発光素子１０から基板２３に向かう光を発光素子１０側に反射し、光取り出し効率を向上させることができる。
（透光部材２８）
発光装置３３は、発光素子１０の上面に透光部材２８を有することが好ましい。透光部材２８は、発光素子１０の光取り出し面を被覆して配置されている。透光部材２８は、発光素子１０から出射される光の５０％以上又は６０％以上、好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材２８は、発光素子１０から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。透光部材２８は、発光素子１０から出射される光を拡散する光拡散材を含有してもよい。透光部材２８は板状であることが好ましく、透光部材２８の厚みは、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下が挙げられる。
発光装置３３は、発光素子１０の上面に透光部材２８を有することが好ましい。透光部材２８は、発光素子１０の光取り出し面を被覆して配置されている。透光部材２８は、発光素子１０から出射される光の５０％以上又は６０％以上、好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材２８は、発光素子１０から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。透光部材２８は、発光素子１０から出射される光を拡散する光拡散材を含有してもよい。透光部材２８は板状であることが好ましく、透光部材２８の厚みは、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下が挙げられる。
透光部材２８は、例えば、樹脂、ガラス、無機物等により形成することができる。蛍光体を含有する透光部材２８は、蛍光体を焼結させた焼結体、樹脂、ガラス又は他の無機物に蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。平板状の樹脂、ガラス、無機物等の成形体の表面に蛍光体を含有する樹脂層を形成したものでもよい。
透光部材２８に含有させる蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）、α系サイアロン蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ，Ａｌ）Ｆ６：Ｍｎ）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体（例えば、ＣｓＰｂ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３）、又は、量子ドット蛍光体（例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＡｇＩｎＳ２又はＡｇＩｎＳｅ２）等が挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子との組み合わせにより、所望の発光色の発光装置を得ることができる。このような蛍光体を透光部材２８に含有する場合、蛍光体の含有量は、例えば５ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とすることが好ましい。
透光部材２８は、発光素子１０の光取り出し面を被覆するように接合されている。透光部材２８と発光素子１０との接合は、接着材を介して又は直接接合することができる。接着材は、例えば、エポキシ又はシリコーン等の透光性の樹脂材料を用いたものが利用できる。透光部材２８と発光素子１０との接合には、圧着、焼結、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合による直接接合法を用いてもよい。
透光部材２８の上面には、透光部材２８を保護するため、光反射を防止するため等の目的で、被覆層２９を配置してもよい。被覆層２９としては、例えば、ＡＲ（Anti Reflection）層等が挙げられる。
透光部材２８の上面には、透光部材２８を保護するため、光反射を防止するため等の目的で、被覆層２９を配置してもよい。被覆層２９としては、例えば、ＡＲ（Anti Reflection）層等が挙げられる。
発光装置３３は、任意に、保護素子等の別の素子又は電子部品等を有していてもよい。これらの素子及び電子部品は、被覆部材２７内に埋設されていることが好ましい。具体的には、図３Ｃに示すように、第１配線２４と第３配線２６とを電気的に接続する保護素子３１を配置してもよい。
実施形態１
実施形態１の発光素子１０は、図１Ａから１Ｃに示すように、支持基板１５と、半導体積層体１３と、絶縁膜１４と、第１電極１１及び第２電極１２と、第１外部接続部１及び第２外部接続部２とを含む。
半導体積層体１３は、支持基板１５上に、支持基板１５側から第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐがこの順に積層されて構成されている。支持基板１５は、サファイアからなり、上面に凹凸構造を有する。支持基板１５の平面視形状は略正方形状であり、例えば、一辺の長さが１．１ｍｍである。半導体積層体１３は、第２方向Ｓに沿った短辺を有する長方形状の第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙが、第２方向Ｓに並んで配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙは、それぞれ、第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐを備える。
実施形態１の発光素子１０は、図１Ａから１Ｃに示すように、支持基板１５と、半導体積層体１３と、絶縁膜１４と、第１電極１１及び第２電極１２と、第１外部接続部１及び第２外部接続部２とを含む。
半導体積層体１３は、支持基板１５上に、支持基板１５側から第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐがこの順に積層されて構成されている。支持基板１５は、サファイアからなり、上面に凹凸構造を有する。支持基板１５の平面視形状は略正方形状であり、例えば、一辺の長さが１．１ｍｍである。半導体積層体１３は、第２方向Ｓに沿った短辺を有する長方形状の第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙが、第２方向Ｓに並んで配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙは、それぞれ、第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐを備える。
第１半導体層１３ｎは、半導体積層体１３の第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから露出し、平面視において第２半導体層１３ｐに囲まれた複数の露出部１３ｂを有する。露出部１３ｂは平面視において円形であり、行列状に配置されている。具体的には、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙはそれぞれ、露出部１３ｂが、第１方向Ｆに沿って４行配列され、第２方向Ｓに沿って、３列配列されている。露出部１３ｂは、平面視において、直径１２μｍの円形である。隣り合う露出部１３ｂ間の距離は、第２方向Ｓ及び第１方向Ｆにそれぞれ１２０μｍである。
平面視において、半導体積層体１３は、外周に第１半導体層１３ｎを露出する外周部１３ｎоを備え、外周部１３ｎоは、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの間にも配置されている。第２半導体層１３ｐの外周には、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周露出部１３ｃをさらに備えている。外周露出部１３ｃは、外周部１３ｎоの一部として配置されている。外周露出部１３ｃは、第２方向Ｓに沿って、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにそれぞれ３つ、第１方向Ｆに沿って、露出部１３ｂと同じ位置に４つ配置されている。
平面視において、半導体積層体１３は、外周に第１半導体層１３ｎを露出する外周部１３ｎоを備え、外周部１３ｎоは、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙの間にも配置されている。第２半導体層１３ｐの外周には、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する外周露出部１３ｃをさらに備えている。外周露出部１３ｃは、外周部１３ｎоの一部として配置されている。外周露出部１３ｃは、第２方向Ｓに沿って、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにそれぞれ３つ、第１方向Ｆに沿って、露出部１３ｂと同じ位置に４つ配置されている。
図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、半導体積層体１３は、ＳｉＯ２からなる絶縁膜１４に被覆されている。絶縁膜１４は、少なくとも複数の露出部１３ｂの上方及び第２半導体層１３ｐの第２電極１２が接続される領域の上方に、それぞれ開口部１４ａ、１４ｂを有する。
断面視において、第２半導体層１３ｐと第１電極１１及び／又は第２電極１２との間には、銀からなる光反射性電極１６が配置されている。第２半導体層１３ｐの上面の略全面には、光反射性電極１６が配置されている。光反射性電極１６は、上面及び側面がＳｉＮ又はＳｉＯ２からなる保護層１７によって被覆されている。
断面視において、第２半導体層１３ｐと第１電極１１及び／又は第２電極１２との間には、銀からなる光反射性電極１６が配置されている。第２半導体層１３ｐの上面の略全面には、光反射性電極１６が配置されている。光反射性電極１６は、上面及び側面がＳｉＮ又はＳｉＯ２からなる保護層１７によって被覆されている。
発光素子１０は、半導体積層体１３の上面側に、光反射性電極１６を介して、第２半導体層１３ｐに接続する第２電極１２を備える。第２電極１２は、平面視において発光素子１０の第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙのそれぞれ中央を含む領域に配置されている。第２電極１２の平面視形状は、第２方向Ｓに沿った長辺を有する長方形で、１８０μｍ×４６０μｍの大きさで形成されている。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙは、平面視において、第２電極１２を第１方向Ｆに挟んで配置された第１電極１１をそれぞれ備える。第１電極１１は、絶縁膜１４の開口部１４ａにて露出部１３ｂと接続され、さらに、絶縁膜１４を介して第２半導体層１３ｐ上に形成されている。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙは、平面視において、第２電極１２を第１方向Ｆに挟んで配置された第１電極１１をそれぞれ備える。第１電極１１は、絶縁膜１４の開口部１４ａにて露出部１３ｂと接続され、さらに、絶縁膜１４を介して第２半導体層１３ｐ上に形成されている。
第１電極１１上には、第１外部接続部１が配置されている。第１外部接続部１は、露出部１３ｂと離隔している。
第１外部接続部１は、複数配置されており、第１部分１－１と、第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６、第７部分１－７をそれぞれ複数含む。
特に、第１部分１－１は、第１発光部１０Ｘに２つ配置されている。第１部分１－１は、第２方向Ｓにおいて第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に隣り合って設けられている。第１部分１－１は、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に対向する側に、半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｍを備える。傾斜部ｍの角度（図３Ｅ中、α）は、半導体積層体１３の一辺に対して４５°である。また、第１部分１－１は、平面視において、露出部１３ｂと対向する側に、露出部１３ｂの形状に対応する曲線部を備える。なお、第２発光部１０Ｙにおいても、同様に、第２方向Ｓにおいて第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１に隣り合って設けられた第１部分１－１を２つ有する。
第１外部接続部１は、複数配置されており、第１部分１－１と、第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６、第７部分１－７をそれぞれ複数含む。
特に、第１部分１－１は、第１発光部１０Ｘに２つ配置されている。第１部分１－１は、第２方向Ｓにおいて第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に隣り合って設けられている。第１部分１－１は、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１に対向する側に、半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｍを備える。傾斜部ｍの角度（図３Ｅ中、α）は、半導体積層体１３の一辺に対して４５°である。また、第１部分１－１は、平面視において、露出部１３ｂと対向する側に、露出部１３ｂの形状に対応する曲線部を備える。なお、第２発光部１０Ｙにおいても、同様に、第２方向Ｓにおいて第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１に隣り合って設けられた第１部分１－１を２つ有する。
第４部分１－４は、第１方向Ｆ及び第２方向Ｓに沿って配列され、第１部分１－１と異なる形状及び異なる大きさの平面形状を有している。例えば、第４部分１－４は、第２方向Ｓに長い長方形であって、２０μｍ×４０μｍの大きさを有する。第４部分１－４は、第２方向Ｓにおいて８個配置されており、露出部１３ｂ間に３行配置されている。また、第４部分１－４は、第１方向Ｆにおける露出部１３ｂと半導体積層体１３の外周との間に、４行、３行又は２行配置されている。第１方向Ｆにおける露出部１３ｂと半導体積層体１３の外周との間に配置された第４部分１－４は、第２方向Ｓに長い長方形であって、３０μｍ×４０μｍの大きさを有する。
第５部分１－５は、第１方向Ｆ及び第２方向Ｓに沿った半導体積層体１３の外周に配置された外周露出部１３ｃに隣り合って、それぞれ１つ又は２つ配置されている。第５部分１－５は、第１方向Ｆに沿った半導体積層体１３の外周に配置された外周露出部１３ｃに隣り合って、それぞれ１つ配置されている。外周露出部１３ｃに隣り合って配置される第５部分１－５は、外周露出部１３ｃと対面する側に、それぞれ異なる曲線部ｒ１、ｒ２又はｒ３を有する。第２方向Ｓに沿って配置された１つの外周露出部１３ｃに２つの第５部分１－５が対向する場合、それらの第５部分１－５は長方形の外周露出部１３ｃに対向する角に曲線部ｒ１を有する形状である。第２方向Ｓに沿って配置された１つの外周露出部１３ｃに対して、１つの第５部分１－５が対向する場合、第５部分１－５は長方形の外周露出部１３ｃに対向する短辺の１つが曲線部ｒ２を有する形状である。第１方向Ｆに沿って配置された１つの外周露出部１３ｃに対して、１つの第５部分１－５が対向する場合、第５部分１－５は長方形の外周露出部１３ｃに対向する長辺の１つが曲線部ｒ３を有する形状である。第２電極１２に最も近い外周露出部１３ｃに対向する第５部分１－５は、長方形の外周露出部１３ｃに対向する長辺に曲線部ｒ４を有し、曲線部ｒ３を有する第５部分１－５の平面積よりも小さい形状である。
第６部分１－６は、１つの露出部１３ｂを第２方向Ｓにおいて２つで挟むように配置されている。第６部分１－６は、隣り合う露出部１３ｂ間に２つ、互いに離隔して配置されている。第６部分１－６と露出部１３ｂとの第２方向Ｓにおける間隔は、例えば、１６μｍである。互いに離隔する第６部分１－６同士は、例えば、１６μｍ離隔している。第６部分１－６は、第１方向Ｆに長い長方形であって、露出部１３ｂに対向する側に曲線部ｋを有する形状である。曲線部ｋは、露出部１３ｂの平面形状に対応した曲線を備える。第６部分１－６は、例えば、４０μｍ×２０μｍの大きさを有する。
第７部分１－７は、平面視において、第２半導体層１３ｐの４つの角部に配置されている。平面視における第７部分１－７の大きさは、例えば、６０μｍ×８８．５μｍである。
第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７は、第１部分１－１と異なる形状及び異なる大きさの平面形状を有している。
第７部分１－７は、平面視において、第２半導体層１３ｐの４つの角部に配置されている。平面視における第７部分１－７の大きさは、例えば、６０μｍ×８８．５μｍである。
第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７は、第１部分１－１と異なる形状及び異なる大きさの平面形状を有している。
第２電極１２上には、複数の第２外部接続部２が配置されている。第２外部接続部２は、複数の第２部分２－２と、複数の第３部分２－３とを含む。
第２部分２－２は、第２電極１２上に、行列状に、例えば、３×５個配置されている。第２部分２－２は、略正方形の平面形状を有する。第２部分２－２は、例えば、３０μｍ×３０μｍの大きさを有する。
第３部分２－３は、第２方向Ｓにおいて、複数の第２部分２－２の両側にそれぞれ１つずつ配置されている。第３部分２－３は、第１方向Ｆに長い長方形の平面形状を有する。第３部分２－３は、例えば、６５μｍ×１３３μｍの大きさを有する。第３部分２－３は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおける半導体積層体１３の外周に対向する側の２つに、半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｔを備える形状である。傾斜部ｔの角度（図３Ｅ中、β）は、半導体積層体１３の一辺に対して４５°である。なお、傾斜部ｔは、第２部分２－２の両側に配置する第３部分２－３の半導体積層体１３の外周に対向する側に配置されている。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２の各部分は、隣り合う部分との距離が約１６μｍである。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、２５個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２の厚みは１９μｍである。
第１発光部１０Ｘに配置される第１外部接続部１及び第２外部接続部２と、第２発光部１０Ｙに配置される第１外部接続部１及び第２外部接続部２とは、支持基板１５の面積を２等分する２等分線に対して対称に配置されている。また、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙそれぞれにおいて、第１外部接続部１は、第１方向Ｆにおいて半導体積層体１３の面積を２等分する２等分線に対して、対称に配置されている。
なお、第１部分１－１から第７部分１－７については、それぞれ以下のような別称を用いてもよい。第１部分１－１は、傾斜接続部である。第２部分２－２は、内側接続部である。第３部分２－３は、外側接続部である。第４部分１－４は、中間接続部である。第５部分１－５は、内側角部接続部である。第６部分１－６は、露出部間接続部である。第７部分１－７は、外側角部接続部である。
第２部分２－２は、第２電極１２上に、行列状に、例えば、３×５個配置されている。第２部分２－２は、略正方形の平面形状を有する。第２部分２－２は、例えば、３０μｍ×３０μｍの大きさを有する。
第３部分２－３は、第２方向Ｓにおいて、複数の第２部分２－２の両側にそれぞれ１つずつ配置されている。第３部分２－３は、第１方向Ｆに長い長方形の平面形状を有する。第３部分２－３は、例えば、６５μｍ×１３３μｍの大きさを有する。第３部分２－３は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおける半導体積層体１３の外周に対向する側の２つに、半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｔを備える形状である。傾斜部ｔの角度（図３Ｅ中、β）は、半導体積層体１３の一辺に対して４５°である。なお、傾斜部ｔは、第２部分２－２の両側に配置する第３部分２－３の半導体積層体１３の外周に対向する側に配置されている。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２の各部分は、隣り合う部分との距離が約１６μｍである。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、２５個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２の厚みは１９μｍである。
第１発光部１０Ｘに配置される第１外部接続部１及び第２外部接続部２と、第２発光部１０Ｙに配置される第１外部接続部１及び第２外部接続部２とは、支持基板１５の面積を２等分する２等分線に対して対称に配置されている。また、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙそれぞれにおいて、第１外部接続部１は、第１方向Ｆにおいて半導体積層体１３の面積を２等分する２等分線に対して、対称に配置されている。
なお、第１部分１－１から第７部分１－７については、それぞれ以下のような別称を用いてもよい。第１部分１－１は、傾斜接続部である。第２部分２－２は、内側接続部である。第３部分２－３は、外側接続部である。第４部分１－４は、中間接続部である。第５部分１－５は、内側角部接続部である。第６部分１－６は、露出部間接続部である。第７部分１－７は、外側角部接続部である。
このような発光素子１０は、第１部分１－１に傾斜部ｍを備えることにより、後述するような、傾斜を備えた配線を有する基板２３に接合する場合に、第１外部接続部１を配線に沿って配置することが可能となるため、第１外部接続部１と配線との間の短絡を抑制することができる。
また、１つの支持基板１５上に、２つの発光部を隣り合って配置することにより、両者の距離を近接して配置することができる。
さらに、発光素子１０においては、小さい平面積を有する複数の第１外部接続部１及び第２外部接続部２を高密度で配置することによって、基板２３との接合性を確保しながら、第１外部接続部１等によって接合時に負荷される電極、絶縁膜、半導体積層体等へ負荷される外力を低減することができる。
第１外部接続部１間の間隔を１６μｍ以上とすることで、発光素子１０を基板２３上の配線上に接合する際、第１外部接続部１が広がるが、隣り合う第１外部接続部１同士が接触することを抑制することができる。その結果、発光装置を構成する光反射性の樹脂部材３２を形成する未硬化の樹脂材料を第１外部接続部１間に流し込みやすくできる。これにより、発光装置の光取出し効率を向上させることができるとともに、第１外部接続部１間に空隙が存在することによる生じる気体の熱膨張に起因する発光素子１０の剥がれを回避することができる。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙそれぞれに配置されている第１外部接続部１及び第２外部接続部２が第１方向Ｆ及び第２方向において対称又は略対称に配置されていることにより、発光素子１０を基板２３にフリップチップ実装する際に第１外部接続部１および第２外部接続部２にかかる力の偏りを緩和することができる。これにより、発光素子１０と基板２３との接合精度を安定させることができる。その結果、高い放熱性及び高い信頼性を備える発光装置を提供することが可能となる。
また、１つの支持基板１５上に、２つの発光部を隣り合って配置することにより、両者の距離を近接して配置することができる。
さらに、発光素子１０においては、小さい平面積を有する複数の第１外部接続部１及び第２外部接続部２を高密度で配置することによって、基板２３との接合性を確保しながら、第１外部接続部１等によって接合時に負荷される電極、絶縁膜、半導体積層体等へ負荷される外力を低減することができる。
第１外部接続部１間の間隔を１６μｍ以上とすることで、発光素子１０を基板２３上の配線上に接合する際、第１外部接続部１が広がるが、隣り合う第１外部接続部１同士が接触することを抑制することができる。その結果、発光装置を構成する光反射性の樹脂部材３２を形成する未硬化の樹脂材料を第１外部接続部１間に流し込みやすくできる。これにより、発光装置の光取出し効率を向上させることができるとともに、第１外部接続部１間に空隙が存在することによる生じる気体の熱膨張に起因する発光素子１０の剥がれを回避することができる。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙそれぞれに配置されている第１外部接続部１及び第２外部接続部２が第１方向Ｆ及び第２方向において対称又は略対称に配置されていることにより、発光素子１０を基板２３にフリップチップ実装する際に第１外部接続部１および第２外部接続部２にかかる力の偏りを緩和することができる。これにより、発光素子１０と基板２３との接合精度を安定させることができる。その結果、高い放熱性及び高い信頼性を備える発光装置を提供することが可能となる。
実施形態２
実施形態２の発光素子１０Ａは、図４に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第７部分１－７及び第５部分１－５の形状が異なる以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
外周露出部１３ｃは、平面視において、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙそれぞれの半導体積層体１３の角部にそれぞれ配置されている。外周露出部１３ｃは、第１方向Ｆに沿って６つ、第２方向Ｓに沿って４つ配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３には、合計３２個の外周露出部１３ｃが配置されている。
第７部分１－７は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３の角に配置された外周露出部１３ｃに対向する部分において、曲線部ｕを有する。
第２方向Ｓに沿って配置された１つの外周露出部１３ｃに対向して２つの第５部分１－５が配置されており、それらの第５部分１－５は長方形の外周露出部１３ｃに対向する角に曲線部ｒ１を有する。
このような発光素子１０Ａにおいても、上述した発光素子１０と同様の効果を有する。
実施形態２の発光素子１０Ａは、図４に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第７部分１－７及び第５部分１－５の形状が異なる以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
外周露出部１３ｃは、平面視において、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙそれぞれの半導体積層体１３の角部にそれぞれ配置されている。外周露出部１３ｃは、第１方向Ｆに沿って６つ、第２方向Ｓに沿って４つ配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３には、合計３２個の外周露出部１３ｃが配置されている。
第７部分１－７は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３の角に配置された外周露出部１３ｃに対向する部分において、曲線部ｕを有する。
第２方向Ｓに沿って配置された１つの外周露出部１３ｃに対向して２つの第５部分１－５が配置されており、それらの第５部分１－５は長方形の外周露出部１３ｃに対向する角に曲線部ｒ１を有する。
このような発光素子１０Ａにおいても、上述した発光素子１０と同様の効果を有する。
実施形態３
実施形態３の発光素子１０Ｂは、図５に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５の形状と、露出部１３ｂの位置とが異なる以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、外周露出部１３ｃは、それぞれ、第２方向Ｓに沿って２つ、第１方向Ｆに沿って４つ配置されている。外周露出部１３ｃは、合計２４個配置されている。
第２方向沿って配置された外周露出部１３ｃに対向して、２つの異なる大きさ及び形状の第５部分１－５が配置されている。これらはそれぞれ曲線部ｒ１、ｒ２を有する。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、露出部１３ｂは、それぞれ、第１方向Ｆに沿って３列配列され、１つの列に４つずつ配置されている。このうち、第１方向Ｆに沿って配列された真中の列の露出部１３ｂは、第１方向Ｆの露出部１３ｂ間距離の１／２分、両側の列の露出部１３ｂから、第１方向Ｆに半導体積層体１３の外周にずれた位置に配置されている。
第１方向Ｆに沿って配列された真中の列の露出部１３ｂの周囲には、６つの第６部分１－６が配置されている。これら６つの第６部分１－６の曲線部ｋ１は、異なる形状を有する。
第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７は、その位置によって、隣り合う部分の形状によって、異なる形状及び大きさである。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、２５個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
この発光素子１０Ｂにおいても、発光素子１０、１０Ａと同様の効果を有する。
実施形態３の発光素子１０Ｂは、図５に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５の形状と、露出部１３ｂの位置とが異なる以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、外周露出部１３ｃは、それぞれ、第２方向Ｓに沿って２つ、第１方向Ｆに沿って４つ配置されている。外周露出部１３ｃは、合計２４個配置されている。
第２方向沿って配置された外周露出部１３ｃに対向して、２つの異なる大きさ及び形状の第５部分１－５が配置されている。これらはそれぞれ曲線部ｒ１、ｒ２を有する。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、露出部１３ｂは、それぞれ、第１方向Ｆに沿って３列配列され、１つの列に４つずつ配置されている。このうち、第１方向Ｆに沿って配列された真中の列の露出部１３ｂは、第１方向Ｆの露出部１３ｂ間距離の１／２分、両側の列の露出部１３ｂから、第１方向Ｆに半導体積層体１３の外周にずれた位置に配置されている。
第１方向Ｆに沿って配列された真中の列の露出部１３ｂの周囲には、６つの第６部分１－６が配置されている。これら６つの第６部分１－６の曲線部ｋ１は、異なる形状を有する。
第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７は、その位置によって、隣り合う部分の形状によって、異なる形状及び大きさである。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、２５個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
この発光素子１０Ｂにおいても、発光素子１０、１０Ａと同様の効果を有する。
実施形態４
実施形態４の発光素子１０Ｃは、図６に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５の形状と、露出部１３ｂの位置と、露出部１３ｂに対向する第６部分１－６の形状とが異なる以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、露出部１３ｂは、それぞれ、第１方向Ｆに沿って２列配列され、第２方向Ｓに沿って４行配列されている。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、外周露出部１３ｃは、それぞれ、第１方向Ｆに沿って４つ配置され、第２方向Ｓに沿って２つ配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３には、合計２４個の外周露出部１３ｃが配置されている。
第１外部接続部１は、複数配置されており、第１部分１－１、第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７をそれぞれ複数含む。
実施形態４の発光素子１０Ｃは、図６に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５の形状と、露出部１３ｂの位置と、露出部１３ｂに対向する第６部分１－６の形状とが異なる以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、露出部１３ｂは、それぞれ、第１方向Ｆに沿って２列配列され、第２方向Ｓに沿って４行配列されている。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、外周露出部１３ｃは、それぞれ、第１方向Ｆに沿って４つ配置され、第２方向Ｓに沿って２つ配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３には、合計２４個の外周露出部１３ｃが配置されている。
第１外部接続部１は、複数配置されており、第１部分１－１、第４部分１－４、第５部分１－５、第６部分１－６及び第７部分１－７をそれぞれ複数含む。
第１部分１－１は、第２方向Ｓにおいて隣り合う発光部の第１外部接続部１の第１部分１－１に隣り合って、それぞれ２つずつ配置されている。第１部分１－１は、互いに隣り合う発光部の第１部分１－１に対向する側に、半導体積層体１３の一辺に対して傾斜する傾斜部ｍ１、ｍ２をそれぞれ備える形状である。そして、半導体積層体１３の外周に近い第１部分１－１は、半導体積層体１３の外周に近い第１部分１－１よりも内側の第１部分１－１よりも小さい。傾斜部ｍ１、ｍ２は、対向する半導体積層体１３の一辺に対して、それぞれ４５°（図３Ｅ中、α）傾斜している。
第４部分１－４は、第１方向Ｆに沿った長辺を有し、第２方向Ｓに種々の長さの短辺を有する長方形であって、１０～３０μｍ×４０μｍの大きさを有する。第４部分１－４は、第２方向Ｓにおいて１２個配置しており、第１方向Ｆにおいて露出部１３ｂ間に２行配置している。また、第４部分１－４は、第１方向Ｆにおける露出部１３ｂと半導体積層体１３の外周との間に、３行、２行又は１行配置している。
第５部分１－５の形状は、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓに長い長方形状であり、外周露出部１３ｃに対向する側に曲線部ｒ１を有する。
第６部分１－６の形状は、第２方向Ｓに長い長方形状であり、露出部１３ｂに対向する側に曲線部ｋを有する。
第４部分１－４は、第１方向Ｆに沿った長辺を有し、第２方向Ｓに種々の長さの短辺を有する長方形であって、１０～３０μｍ×４０μｍの大きさを有する。第４部分１－４は、第２方向Ｓにおいて１２個配置しており、第１方向Ｆにおいて露出部１３ｂ間に２行配置している。また、第４部分１－４は、第１方向Ｆにおける露出部１３ｂと半導体積層体１３の外周との間に、３行、２行又は１行配置している。
第５部分１－５の形状は、第１方向Ｆ又は第２方向Ｓに長い長方形状であり、外周露出部１３ｃに対向する側に曲線部ｒ１を有する。
第６部分１－６の形状は、第２方向Ｓに長い長方形状であり、露出部１３ｂに対向する側に曲線部ｋを有する。
第２電極１２上の第２部分２－２は、３×４個配置されている。第２部分２－２は、略正方形の平面形状を有する。第２部分２－２は、例えば、３５μｍ×３５μｍの大きさを有する。
第３部分２－３は、第２方向Ｓにおいて、複数の第２部分２－２の両側にそれぞれ１つずつ配置されている。第３部分２－３は、第１方向Ｆに長い長方形の平面形状を有する。第３部分２－３は、例えば、７５μｍ×１４０μｍの大きさを有する。第３部分２－３は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙが対向する側に位置する長方形の角部が傾斜した傾斜部ｔを有する。傾斜部ｔは、対向する半導体積層体１３の一辺に対して、それぞれ４５°（図３Ｅ中、β）傾斜している。
第４部分１－４、第５部分１－５及び第６部分１－６は、その位置によって、隣り合う部分の形状によって、必ずしもを同じ形状、大きさでない。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
この発光素子１０Ｃにおいても、発光素子１０、１０Ａ等と同様の効果を有する。
第３部分２－３は、第２方向Ｓにおいて、複数の第２部分２－２の両側にそれぞれ１つずつ配置されている。第３部分２－３は、第１方向Ｆに長い長方形の平面形状を有する。第３部分２－３は、例えば、７５μｍ×１４０μｍの大きさを有する。第３部分２－３は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙが対向する側に位置する長方形の角部が傾斜した傾斜部ｔを有する。傾斜部ｔは、対向する半導体積層体１３の一辺に対して、それぞれ４５°（図３Ｅ中、β）傾斜している。
第４部分１－４、第５部分１－５及び第６部分１－６は、その位置によって、隣り合う部分の形状によって、必ずしもを同じ形状、大きさでない。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
この発光素子１０Ｃにおいても、発光素子１０、１０Ａ等と同様の効果を有する。
実施形態５
実施形態５の発光素子１０Ｄは、図７に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第７部分１－７及び第５部分１－５の形状が異なる以外、発光素子１０又は１０Ｃの構成と実質的に同様である。
外周露出部１３ｃは、平面視において、半導体積層体１３の角部にそれぞれ配置されている。外周露出部１３ｃは、第１方向Ｆに沿って６つ、第２方向Ｓに沿って３つ配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３には、合計２８個の外周露出部１３ｃが配置されている。
第７部分１－７は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３の角に配置された外周露出部１３ｃに対向する部分において、曲線部ｕを有する。
第２方向Ｓに沿って配置された１つの外周露出部１３ｃに対向して２つの第５部分１－５が配置されており、それらの第５部分１－５は長方形の外周露出部１３ｃに対向する角に曲線部ｒ１を有する。
第４部分１－４、第５部分１－５及び第６部分１－６は、その位置によって、隣り合う部分の形状によって、必ずしもを同じ形状、大きさでない。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
この発光素子１０Ｄにおいても、発光素子１０、１０Ａ、１０Ｃ等と同様の効果を有する。
実施形態５の発光素子１０Ｄは、図７に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第７部分１－７及び第５部分１－５の形状が異なる以外、発光素子１０又は１０Ｃの構成と実質的に同様である。
外周露出部１３ｃは、平面視において、半導体積層体１３の角部にそれぞれ配置されている。外周露出部１３ｃは、第１方向Ｆに沿って６つ、第２方向Ｓに沿って３つ配置されている。第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３には、合計２８個の外周露出部１３ｃが配置されている。
第７部分１－７は、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを構成する半導体積層体１３の角に配置された外周露出部１３ｃに対向する部分において、曲線部ｕを有する。
第２方向Ｓに沿って配置された１つの外周露出部１３ｃに対向して２つの第５部分１－５が配置されており、それらの第５部分１－５は長方形の外周露出部１３ｃに対向する角に曲線部ｒ１を有する。
第４部分１－４、第５部分１－５及び第６部分１－６は、その位置によって、隣り合う部分の形状によって、必ずしもを同じ形状、大きさでない。
第１外部接続部１は、２５０個／ｍｍ２以上の密度で配置され、第２外部接続部２は、５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されている。
この発光素子１０Ｄにおいても、発光素子１０、１０Ａ、１０Ｃ等と同様の効果を有する。
実施形態６
実施形態６の発光素子１０Ｅは、図８に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５の形状が異なる以外、発光素子１０Ｄの構成と実質的に同様である。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、外周露出部１３ｃは、それぞれ、第２方向Ｓに沿って２つ、第１方向Ｆに沿って４つ配置されている。外周露出部１３ｃは、合計２４個配置されている。
第２方向Ｓ沿って配置された外周露出部１３ｃに対向して、第５部分１－５が配置されている。第５部分１－５は、外周露出部１３ｃに対応する曲線部ｒ２を有する。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２のそれぞれは、半導体積層体１３の大きさに応じて、それらの数及び／又は形状が異なっている。
この発光素子１０Ｅおいても、発光素子１０、１０Ａ、１０Ｃ、１０Ｅ等と同様の効果を有する。
実施形態６の発光素子１０Ｅは、図８に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５の形状が異なる以外、発光素子１０Ｄの構成と実質的に同様である。
第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙにおいて、外周露出部１３ｃは、それぞれ、第２方向Ｓに沿って２つ、第１方向Ｆに沿って４つ配置されている。外周露出部１３ｃは、合計２４個配置されている。
第２方向Ｓ沿って配置された外周露出部１３ｃに対向して、第５部分１－５が配置されている。第５部分１－５は、外周露出部１３ｃに対応する曲線部ｒ２を有する。
第１外部接続部１及び第２外部接続部２のそれぞれは、半導体積層体１３の大きさに応じて、それらの数及び／又は形状が異なっている。
この発光素子１０Ｅおいても、発光素子１０、１０Ａ、１０Ｃ、１０Ｅ等と同様の効果を有する。
実施形態７
実施形態７の発光素子１０Ｆは、図９に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５及び第７部分１－７の形状とが異なる。さらに、発光素子１０Ｆにおける角部近傍領域、つまり、半導体積層体の全面積に対して、角を含む１／９以下の面積の領域内であって、第７部分１－７以外の領域のそれぞれに、第８部分１－８が配置されている以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５及び第７部分１－７の形状とは、実質的に発光素子１０Ａと同様である。
この発光素子１０Ｆおいても、発光素子１０及び１０Ａと同様の効果を有する。
実施形態７の発光素子１０Ｆは、図９に示すように、外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５及び第７部分１－７の形状とが異なる。さらに、発光素子１０Ｆにおける角部近傍領域、つまり、半導体積層体の全面積に対して、角を含む１／９以下の面積の領域内であって、第７部分１－７以外の領域のそれぞれに、第８部分１－８が配置されている以外、発光素子１０の構成と実質的に同様である。
外周露出部１３ｃの位置と、外周露出部１３ｃに対向する第１外部接続部１の第５部分１－５及び第７部分１－７の形状とは、実質的に発光素子１０Ａと同様である。
この発光素子１０Ｆおいても、発光素子１０及び１０Ａと同様の効果を有する。
実施形態８
実施形態８の発光装置３３は、図２Ａ及び２Ｂ、図３Ａ～３Ｄに示すように、上面に配線２４、２５、２６を有する基板２３と、上述した発光素子１０と、被覆部材２７と、透光部材２８とを備える。
基板２３は、窒化アルミニウムからなり、その上面に配線２４、２５、２６を有する。配線２４、２５、２６は、最表面がＡｕによって形成されている。配線２４、２５、２６間の距離Ｄ１及びＤ２は、例えば、５０μｍである。基板２３上には、発光素子１０が、第１外部接続部１及び第２外部接続部２が形成された面を実装面としてフリップチップ実装されている。
つまり、発光素子１０を配置する場合、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が第２配線２５の凸状領域に対向し、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が第３配線２６の凸状領域に対向する。そして、図３Ｄに示すように、第２配線２５の凸状領域における傾斜部Ｈ１、Ｈ２に対応して、第２外部接続部２の第３部分２－３の傾斜部ｔが配置される。また、第１配線２４の凹状領域Ｇにおける傾斜部Ｇ３、Ｇ４に対応して、第１外部接続部１の第１部分１－１の傾斜部ｍが配置される。
実施形態８の発光装置３３は、図２Ａ及び２Ｂ、図３Ａ～３Ｄに示すように、上面に配線２４、２５、２６を有する基板２３と、上述した発光素子１０と、被覆部材２７と、透光部材２８とを備える。
基板２３は、窒化アルミニウムからなり、その上面に配線２４、２５、２６を有する。配線２４、２５、２６は、最表面がＡｕによって形成されている。配線２４、２５、２６間の距離Ｄ１及びＤ２は、例えば、５０μｍである。基板２３上には、発光素子１０が、第１外部接続部１及び第２外部接続部２が形成された面を実装面としてフリップチップ実装されている。
つまり、発光素子１０を配置する場合、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２が第２配線２５の凸状領域に対向し、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２が第３配線２６の凸状領域に対向する。そして、図３Ｄに示すように、第２配線２５の凸状領域における傾斜部Ｈ１、Ｈ２に対応して、第２外部接続部２の第３部分２－３の傾斜部ｔが配置される。また、第１配線２４の凹状領域Ｇにおける傾斜部Ｇ３、Ｇ４に対応して、第１外部接続部１の第１部分１－１の傾斜部ｍが配置される。
発光素子１０の上面には、セラミックスに蛍光体が約１５ｗｔ％含有された透光部材２８が接合されている。透光部材２８の厚みは、１８０μｍ程度であり、平面視において、透光部材２８の下面の外縁は、発光素子１０の外縁にほぼ一致して配置されている。
発光素子１０の側方には、例えば、図３Ｃに示すように、配線２４と配線２６とを電気的に接続する保護素子３１が配置されている。保護素子３１は、例えば、ツェナーダイオードである。
発光素子１０の側方には、例えば、図３Ｃに示すように、配線２４と配線２６とを電気的に接続する保護素子３１が配置されている。保護素子３１は、例えば、ツェナーダイオードである。
発光素子１０の側面と、発光素子１０と基板２３との間とに、被覆部材２７が配置されている。被覆部材２７は、さらに、基板２３の上面、第１外部接続部１及び第２外部接続部２の側面の全てを被覆するとともに、保護素子３１をその内部に埋設している。また、被覆部材２７は、透光部材２８の上面に配置された被覆層２９の表面を露出し、透光部材２８及び被覆層２９の側面も被覆している。
被覆部材２７は、約３０ｗｔ％の酸化チタンを含有する変性シリコーン樹脂によって形成されており、光反射性を有する。
被覆部材２７は、約３０ｗｔ％の酸化チタンを含有する変性シリコーン樹脂によって形成されており、光反射性を有する。
このような構成を有する発光装置では、発光素子１０が基板２３に高い放熱性が確保された状態で接合されるとともに、露出部１３ｂ近傍において、接合時に負荷される外力による電極等の破損を効果的に防止することができる。また、２つの発光部間の距離をより狭くしながら、２つの発光部間における短絡の発生を回避することが可能となる。従って、高い信頼性を有し、高い光取出し効率を発揮し得る発光装置を得ることができる。
実施形態９
実施形態９の発光装置は、発光素子１０と、第１基板２３Ａと、第２基板２３Ａａと、導電部材３４とを有する。第１基板２３Ａは、図１０Ａに示すように、上面に複数の外部端子、例えば、第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３、第４外部端子４４を有する。第２基板２３Ａａは、第１基板２３Ａ上に配置され、上面に複数の配線、例えば、第１配線２６Ａ、第２配線２５Ａ１、第３配線２４Ａ、第４配線２５Ａ２を有する。第１基板２３Ａは、例えばアルミニウム基板である。第２基板２３Ａａは、例えば窒化アルミニウム基板である。
第２基板２３Ａａ上には、発光素子１０が、第１外部接続部１及び第２外部接続部２が形成された面を実装面として、フリップチップ実装される。
第１配線２６Ａは、発光素子１０における第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１と電気的に接続される。第２配線２５Ａ１は、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２と電気的に接続される。第３配線２４Ａは、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１と電気的に接続される。第４配線２５Ａ２は、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２と電気的に接続される。
第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３、第４外部端子４４は、第１配線２６Ａ、第２配線２５Ａ１、第３配線２４Ａ、第４配線２５Ａ２と、それぞれ導電部材３４により電気的に接続されている。導電部材３４は、例えば金属ワイヤーを用いることができる。具体的には、第１外部端子４１及び第１配線２６Ａ、第２外部端子４２及び第２配線２５Ａ１、第３外部端子４３及び第３配線２４Ａ、第４外部端子４４及び第４配線２５Ａ２は、導電部材３４により電気的に接続されている。
第１発光部１０Ｘを直列に接続する回路は、第１外部端子４１と、第１配線２６Ａと、第２配線２５Ａ１と、第２外部端子４２とを電気的に接続することにより構成されている。第２発光部１０Ｙを直列に接続する回路は、第３外部端子４３と、第３配線２４Ａと、第４配線２５Ａ２と、第４外部端子４４とを電気的に接続することにより構成されている。それぞれの回路に流す電流の値を適宜変更することにより、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを個別に点灯制御することができる。例えば、第１発光部１０Ｘに流す電流の値を第２発光部１０Ｙに流す電流の値よりも低くすれば、発光素子１０において、第１発光部１０Ｘ側の光出力を相対的に低くすることができる。
実施形態９の発光装置は、発光素子１０と、第１基板２３Ａと、第２基板２３Ａａと、導電部材３４とを有する。第１基板２３Ａは、図１０Ａに示すように、上面に複数の外部端子、例えば、第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３、第４外部端子４４を有する。第２基板２３Ａａは、第１基板２３Ａ上に配置され、上面に複数の配線、例えば、第１配線２６Ａ、第２配線２５Ａ１、第３配線２４Ａ、第４配線２５Ａ２を有する。第１基板２３Ａは、例えばアルミニウム基板である。第２基板２３Ａａは、例えば窒化アルミニウム基板である。
第２基板２３Ａａ上には、発光素子１０が、第１外部接続部１及び第２外部接続部２が形成された面を実装面として、フリップチップ実装される。
第１配線２６Ａは、発光素子１０における第１発光部１０Ｘの第１外部接続部１と電気的に接続される。第２配線２５Ａ１は、第１発光部１０Ｘの第２外部接続部２と電気的に接続される。第３配線２４Ａは、第２発光部１０Ｙの第１外部接続部１と電気的に接続される。第４配線２５Ａ２は、第２発光部１０Ｙの第２外部接続部２と電気的に接続される。
第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３、第４外部端子４４は、第１配線２６Ａ、第２配線２５Ａ１、第３配線２４Ａ、第４配線２５Ａ２と、それぞれ導電部材３４により電気的に接続されている。導電部材３４は、例えば金属ワイヤーを用いることができる。具体的には、第１外部端子４１及び第１配線２６Ａ、第２外部端子４２及び第２配線２５Ａ１、第３外部端子４３及び第３配線２４Ａ、第４外部端子４４及び第４配線２５Ａ２は、導電部材３４により電気的に接続されている。
第１発光部１０Ｘを直列に接続する回路は、第１外部端子４１と、第１配線２６Ａと、第２配線２５Ａ１と、第２外部端子４２とを電気的に接続することにより構成されている。第２発光部１０Ｙを直列に接続する回路は、第３外部端子４３と、第３配線２４Ａと、第４配線２５Ａ２と、第４外部端子４４とを電気的に接続することにより構成されている。それぞれの回路に流す電流の値を適宜変更することにより、第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを個別に点灯制御することができる。例えば、第１発光部１０Ｘに流す電流の値を第２発光部１０Ｙに流す電流の値よりも低くすれば、発光素子１０において、第１発光部１０Ｘ側の光出力を相対的に低くすることができる。
実施形態１０
実施形態１０の発光装置は、発光素子１０と、第１基板２３Ｂと、第２基板２３Ｂａと、導電部材３４とを有する。第１基板２３Ｂは、図１０Ｂに示すように、上面に複数の外部端子、例えば、第１外部端子４１Ｂと、第２外部端子４２Ｂとを有する。第２基板２３Ｂａは、第１基板２３Ｂ上に配置され、上面に複数の配線、例えば、第１配線２６Ｂと、第２配線２５Ａ１と、第３配線２４Ａと、第４配線２５Ａ２と、導電層２６Ｃとを有する。導電層２６Ｃは、第１配線２６Ｂに隣接し、第１配線２６Ｂと電気的に絶縁された状態で配置されている。定電流ダイオード３５は、第１配線２６Ｂと導電層２６Ｃとに直列に接続されている。
第１外部端子４１Ｂは、導電層２６Ｃ及び第３配線２４Ａと、導電部材３４により電気的に接続されている。第２外部端子４２Ｂは、第２配線２５Ａ１及び第４配線２５Ａ２と、導電部材３４によりそれぞれ電気的に接続されている。第１外部端子４１Ｂと第２外部端子４２Ｂとの間で、発光素子１０における第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを、並列に接続した回路が構成されている。定電流ダイオード３５は、第１発光部１０Ｘと直列に接続されている。
第１発光部１０Ｘを直列に接続する回路は、第１外部端子４１Ｂと、導電層２６Ｃと、定電流ダイオード３５と、第１配線２６Ｂと、第２配線２５Ａ１と、第２外部端子４２Ｂとを電気的に接続することにより構成されている。第２発光部１０Ｙを直列に接続する回路は、第１外部端子４１Ｂと、第３配線２４Ａと、第４配線２５Ａ２と、第２外部端子４２Ｂとを電気的に接続することにより構成されている。
これらの構成以外は、実質的に実施形態９と同様の構成を有する。
このように、定電流ダイオード３５を配置することにより、２つの回路で発光部をそれぞれ個別に制御することなく１つの回路によって、第１発光部１０Ｘの光出力を、第２発光部１０Ｙの光出力よりも、相対的に低くすることができる。
なお、実施形態１０では、定電流ダイオード３５を配置する例を説明したが、第２発光部１０Ｙを直列に接続する回路が第２発光部１０Ｙに一定の電流が流れる回路であればよく、定電流ダイオード３５を配置しなくてもよい。
実施形態１０の発光装置は、発光素子１０と、第１基板２３Ｂと、第２基板２３Ｂａと、導電部材３４とを有する。第１基板２３Ｂは、図１０Ｂに示すように、上面に複数の外部端子、例えば、第１外部端子４１Ｂと、第２外部端子４２Ｂとを有する。第２基板２３Ｂａは、第１基板２３Ｂ上に配置され、上面に複数の配線、例えば、第１配線２６Ｂと、第２配線２５Ａ１と、第３配線２４Ａと、第４配線２５Ａ２と、導電層２６Ｃとを有する。導電層２６Ｃは、第１配線２６Ｂに隣接し、第１配線２６Ｂと電気的に絶縁された状態で配置されている。定電流ダイオード３５は、第１配線２６Ｂと導電層２６Ｃとに直列に接続されている。
第１外部端子４１Ｂは、導電層２６Ｃ及び第３配線２４Ａと、導電部材３４により電気的に接続されている。第２外部端子４２Ｂは、第２配線２５Ａ１及び第４配線２５Ａ２と、導電部材３４によりそれぞれ電気的に接続されている。第１外部端子４１Ｂと第２外部端子４２Ｂとの間で、発光素子１０における第１発光部１０Ｘ及び第２発光部１０Ｙを、並列に接続した回路が構成されている。定電流ダイオード３５は、第１発光部１０Ｘと直列に接続されている。
第１発光部１０Ｘを直列に接続する回路は、第１外部端子４１Ｂと、導電層２６Ｃと、定電流ダイオード３５と、第１配線２６Ｂと、第２配線２５Ａ１と、第２外部端子４２Ｂとを電気的に接続することにより構成されている。第２発光部１０Ｙを直列に接続する回路は、第１外部端子４１Ｂと、第３配線２４Ａと、第４配線２５Ａ２と、第２外部端子４２Ｂとを電気的に接続することにより構成されている。
これらの構成以外は、実質的に実施形態９と同様の構成を有する。
このように、定電流ダイオード３５を配置することにより、２つの回路で発光部をそれぞれ個別に制御することなく１つの回路によって、第１発光部１０Ｘの光出力を、第２発光部１０Ｙの光出力よりも、相対的に低くすることができる。
なお、実施形態１０では、定電流ダイオード３５を配置する例を説明したが、第２発光部１０Ｙを直列に接続する回路が第２発光部１０Ｙに一定の電流が流れる回路であればよく、定電流ダイオード３５を配置しなくてもよい。
１ 第１外部接続部
１－１ 第１部分
ｍ、ｍ１、ｍ２ 傾斜部
１－４ 第４部分
１－５ 第５部分
ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４ 曲線部
１－６ 第６部分
ｋ、ｋ１ 曲線部
１－７ 第７部分
１－８ 第８部分
ｕ 曲線部
２ 第２外部接続部
２－２ 第２部分
２－３ 第３部分
ｔ 傾斜部
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ 発光素子
１０Ｘ 第１発光部
１０Ｙ 第２発光部
１１ 第１電極
１２ 第２電極
１３ 半導体積層体
１３ｎ 第１半導体層
１３ａ 発光層
１３ｐ 第２半導体層
１３ｂ 露出部
１３ｃ 外周露出部
１３ｎо 外周部
１４ 絶縁膜
１４ａ 開口部
１４ｂ 開口部
１５ 支持基板
１６ 光反射性電極
１７ 保護層
２３ 基板
２３Ａ、２３Ｂ 第１基板
２３Ａａ、２３Ｂａ 第２基板
２４、２５、２６ 配線
２４Ａ 第３配線
２５Ａ１ 第２配線
２５Ａ２ 第４配線
２６Ａ、２６Ｂ 第１配線
２６Ｃ 導電層
２７ 被覆部材
２８ 透光部材
２９ 被覆層
３１ 保護素子
３２ 樹脂部材
３３ 発光装置
３４ 導電部材
３５ 定電流ダイオード
４１、４１Ｂ 第１外部端子
４２、４２Ｂ 第２外部端子
４３ 第３外部端子
４４ 第４外部端子
１－１ 第１部分
ｍ、ｍ１、ｍ２ 傾斜部
１－４ 第４部分
１－５ 第５部分
ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４ 曲線部
１－６ 第６部分
ｋ、ｋ１ 曲線部
１－７ 第７部分
１－８ 第８部分
ｕ 曲線部
２ 第２外部接続部
２－２ 第２部分
２－３ 第３部分
ｔ 傾斜部
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ 発光素子
１０Ｘ 第１発光部
１０Ｙ 第２発光部
１１ 第１電極
１２ 第２電極
１３ 半導体積層体
１３ｎ 第１半導体層
１３ａ 発光層
１３ｐ 第２半導体層
１３ｂ 露出部
１３ｃ 外周露出部
１３ｎо 外周部
１４ 絶縁膜
１４ａ 開口部
１４ｂ 開口部
１５ 支持基板
１６ 光反射性電極
１７ 保護層
２３ 基板
２３Ａ、２３Ｂ 第１基板
２３Ａａ、２３Ｂａ 第２基板
２４、２５、２６ 配線
２４Ａ 第３配線
２５Ａ１ 第２配線
２５Ａ２ 第４配線
２６Ａ、２６Ｂ 第１配線
２６Ｃ 導電層
２７ 被覆部材
２８ 透光部材
２９ 被覆層
３１ 保護素子
３２ 樹脂部材
３３ 発光装置
３４ 導電部材
３５ 定電流ダイオード
４１、４１Ｂ 第１外部端子
４２、４２Ｂ 第２外部端子
４３ 第３外部端子
４４ 第４外部端子
Claims (15)
- 支持基板と、前記支持基板上に設けられ、それぞれが第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有し、平面形状が矩形である半導体積層体を含み、隣り合って配置される第１発光部及び第２発光部とを含む発光素子であって、
前記第１半導体層は、前記第２半導体層及び前記発光層から露出し、平面視において前記第２半導体層に囲まれた複数の露出部を有し、
前記第１発光部及び前記第２発光部のそれぞれは、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第２半導体層に接続された第２電極と、
前記第１電極と接続され、平面視において、前記露出部と離隔して配置された第１外部接続部と、
前記第２電極と接続された第２外部接続部とを含み、
平面視において、
前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部を通り、前記半導体積層体の一辺に平行な第１方向において、前記第１発光部及び前記第２発光部にそれぞれ設けられた前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部とは隣り合って配置されており、
前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１発光部に設けられた前記第１外部接続部と、前記第２発光部に設けられた前記第１外部接続部とは隣り合って配置され、前記第１発光部に設けられた前記第２外部接続部と、前記第２発光部に設けられた前記第２外部接続部とは隣り合って配置され、
前記第１発光部に設けられた前記第１外部接続部は、前記第１方向において前記第１発光部の前記第２外部接続部に隣り合って設けられ、かつ前記第２方向において前記第２発光部の前記第１外部接続部に隣り合って設けられた第１部分を有し、
前記第１部分は、前記第２発光部に設けられた前記第１外部接続部に対向する側に前記半導体積層体の一辺に対して傾斜する傾斜部を備える形状である発光素子。 - 平面視において、前記第２外部接続部は、行列状に配置された複数の第２部分と、前記半導体積層体の外周に隣り合って配置され、前記半導体積層体の前記外周に対向する側に前記半導体積層体の一辺に対して傾斜する傾斜部を備える形状である第３部分とを有する請求項１に記載の発光素子。
- 前記第１外部接続部は、複数の第４部分をさらに有し、
前記第４部分は、１５０個／ｍｍ２以上の密度で配置されている請求項２に記載の発光素子。 - 互いに隣り合う前記第２部分の間隔及び互いに隣り合う前記第４部分の間隔が、１６μｍ以上である請求項３に記載の発光素子。
- 前記第１部分、前記第２部分、前記第３部分及び前記第４部分の平面積は、それぞれ１００μｍ２以上１０００μｍ２以下である請求項４に記載の発光素子。
- 前記第３部分の平面積は、前記第２部分の平面積よりも大きい請求項２～５のいずれか１つに記載の発光素子。
- 前記第３部分の平面積は、前記第１部分の平面積よりも大きい請求項２～６のいずれか１つに記載の発光素子。
- 前記第４部分の平面積は、前記第１部分の平面積よりも小さい請求項３～５のいずれか１つに記載の発光素子。
- 前記第１半導体層は、平面視において、前記第２半導体層の外周に配置され、前記第２半導体層及び前記発光層から前記第１半導体層が露出する外周露出部をさらに備え、
前記第１電極は、前記外周露出部の一部と接続され、
前記第１外部接続部は、前記第１方向及び第２方向において前記外周露出部に隣り合って配置された第５部分を含み、
前記第５部分は、平面視において、前記外周露出部と対向する側に曲線部を備える形状である請求項１に記載の発光素子。 - 複数の前記露出部は、行列状に配置されている請求項１～９のいずれか１つに記載の発光素子。
- 第１外部接続部は、前記第１方向において前記露出部間に位置せず、平面形状が円形である第８部分をさらに備える請求項１～１０のいずれか１つに記載の発光素子。
- 上面に複数の配線を有する基板と、
前記配線上に、複数の第１外部接続部と第２外部接続部とを介してフリップチップ実装された請求項１～１０のいずれか１つに記載された発光素子と、
前記発光素子と、前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部と、前記基板とを被覆し、光反射性物質を含む被覆部材とを備える発光装置。 - 前記配線は、
前記第１発光部の前記第１外部接続部に接続された第１配線部と、
前記第１発光部の前記第２外部接続部及び前記第２発光部の前記第１外部接続部に接続された第２配線部と、
前記第２発光部の前記第２外部接続部に接続された第３配線部とを含む請求項１２に記載の発光装置。 - 前記第１方向において、前記第２配線部のうち前記第１発光部の前記第２外部接続部が接続される部分は、前記第１配線部の間に位置し、前記第３配線部のうち前記第２発光部の前記第２外部接続部が接続される部分は、前記第２配線部の間に位置している請求項１３に記載の発光装置。
- 平面視において、前記第１方向及び第２方向における前記第１配線部と前記第２配線部との間の距離及び前記第２配線部と前記第３配線部との間の距離は、３０μｍ以上７０μｍ以下である請求項１３又は１４に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/666,159 US12155011B2 (en) | 2021-02-08 | 2022-02-07 | Light emitting element and light emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021018625 | 2021-02-08 | ||
| JP2021018625 | 2021-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022121373A JP2022121373A (ja) | 2022-08-19 |
| JP7206521B2 true JP7206521B2 (ja) | 2023-01-18 |
Family
ID=82849507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021197690A Active JP7206521B2 (ja) | 2021-02-08 | 2021-12-06 | 発光素子及び発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7206521B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007287912A (ja) | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子と半導体発光装置 |
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| CN107017320A (zh) | 2011-08-31 | 2017-08-04 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件 |
| US20190088196A1 (en) | 2017-09-21 | 2019-03-21 | Innolux Corporation | Display device |
| JP2019149474A (ja) | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| JP2019153777A (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
-
2021
- 2021-12-06 JP JP2021197690A patent/JP7206521B2/ja active Active
Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007287912A (ja) | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子と半導体発光装置 |
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| JP2019153777A (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
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|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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