JP7299728B2

JP7299728B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

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Publication number: JP7299728B2
Application number: JP2019055460A
Authority: JP
Inventors: 英晴小橋; 浩二保坂
Original assignee: Fasford Technology Co Ltd
Current assignee: Fasford Technology Co Ltd
Priority date: 2019-03-22
Filing date: 2019-03-22
Publication date: 2023-06-28
Anticipated expiration: 2039-03-22
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Description

本開示は半導体製造装置に関し、例えばダイを認識するカメラを備えるダイボンダに適用可能である。

半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ（以下、単にダイという。）を配線基板やリードフレーム等（以下、単に基板という。）に搭載してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウェハ（以下、単にウェハという。）からダイを分割する工程（ダイシング工程）と、分割したダイを基板の上に搭載するボンディング工程とがある。ボンディング工程に使用される半導体製造装置がダイボンダである。

ダイボンダは、はんだ、金メッキ、樹脂を接合材料として、ダイを基板または既にボンディングされたダイの上にボンディング（搭載して接着）する装置である。ダイを、例えば、基板の表面にボンディングするダイボンダにおいては、コレットと呼ばれる吸着ノズルを用いてダイをウェハから吸着してピックアップし、基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作（作業）が繰り返して行われる。コレットは、吸着孔を有し、エアを吸引して、ダイを吸着保持する保持具であり、ダイと同程度の大きさを有する。

ダイをウェハからピックアップする前やダイを基板等にボンディングした後にウェハまたはダイのクラック等の傷や異物の有無を検査するため、照明装置を用いてカメラにより撮像が行われる。

特開２０１７－１１７９１６号公報

一般に微細な傷を検査する場合は暗視野方式のほうがよい。ウェハ表面は鏡面に近く、暗視野方式による検査を行うには、光を斜めから当てる照明方式である斜光照明がよい。暗視野方式の検査では背景となるウェハやダイ表面が照明の光を反射してカメラに入力させないようにすることが求められる。ウェハやダイの表面の平坦度が維持できている場合に照明の光を反射してカメラに入力させないようにしても、ウェハやダイに反りがある等ウェハやダイの表面の平坦度が維持できていない場合に照明の光が反射してカメラに入力されることがある。
本開示の課題は、ウェハやダイの表面の平坦度が維持できていない場合でも照明の光を反射してカメラに入力させないようにすることが可能な技術を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、ダイを撮像する撮像装置と、前記ダイを前記撮像装置の光学軸に対して所定の角度で光を照射する照明装置と、前記撮像装置および前記照明装置を制御する制御部と、を備える。前記所定の角度は、前記ダイが平坦な場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射しても前記撮像装置に入らない角度である。前記制御部は、前記ダイが平坦でない場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置、前記照明装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される。

上記半導体製造装置によれば、ウェハやダイの表面の平坦度が維持できていない場合でも照明の光を反射してカメラに入力させないようにすることが可能である。

同軸照明を模式的に示す図である。斜光照明を模式的に示す図である。斜光照明の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図３の入射角よりも小さい場合の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図４の斜光バー照明を用いた撮像画像例である。斜光照明の課題を説明する図である。実施形態の技術について説明する図である。第一方法を説明するフローチャートである。第二方法を説明するフローチャートである。視野を移動させても直接光反射の領域が取りきれない場合を説明する図である。実施例のダイボンダの構成例を示す概略上面図である。図１１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。図１１のダイ供給部の構成を示す外観斜視図である。図１３のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。基板認識カメラの照明装置の配置を示す図である。図１１のダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。図１１のダイボンダにおけるダイボンディング工程を説明するフローチャートである。ウェハ認識カメラにより撮像を行う工程を中心に示したフローチャートである。基板認識カメラにより撮像を行う工程を中心に示したフローチャートである。ダイの反り位置（正反射領域）の測定方法を説明する図である。図７の斜光照明とは光学軸に対して鏡面対象に位置する斜光照明の影響を説明する図である。第一変形例における基板認識カメラおよび照明装置を示す模式斜視図である。第二変形例における基板認識カメラおよび照明装置を示す模式斜視図である。第三変形例におけるウェハ認識カメラおよび照明装置を示す模式斜視図である。

以下、実施形態および実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

ダイのクラックを斜光照明の暗視野にて検査する際、照明とカメラ（撮像装置）とダイの相対位置関係は検出率を高く保つ上で重要である。後述するように斜光照明では、入射角をできるだけダイ表面に対して鉛直になるように照明装置を配置し、かつ、入射角を直接反射した光（直接光）がカメラに入射しないぎりぎりの角度にするのがよい。それを超えてしまうと、ダイ表面で鏡面反射した光源の光は直接光となってカメラに入射する。このため、クラック検査においてダイ表面は明視野となる。クラックと背景のコントラストの確保が難しくなってしまい、結果として検出率を悪化させてしまう。

照明の入射角について図１～４を用いて説明する。図１は同軸照明を模式的に示す図である。図２は斜光照明を模式的に示す図である。図３は斜光照明の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図４は図３の入射角よりも小さい場合の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図５は図４の斜光バー照明を用いた撮像画像例である。

図１に示すように、同軸照明では、照明装置ＣＥＩはカメラＣＭＲおよびレンズＬＮＳの光学軸ＯＡおよびハーフミラーＨＭに沿って光がダイＤの表面に照射するよう構成される。ここで、光学軸ＯＡはダイＤの表面に対して略垂直であり、入射角は略０度である。よって、照明装置ＣＥＩを用いてカメラＣＭＲで撮像するとダイＤの表面はクラックに対して明視野となり、反射率も近く、コントラストがとりにくく、結果的に検出感度が良くならない。

図２に示すように、斜光照明では、照明装置ＯＢＬはカメラＣＭＲおよびレンズＬＮＳの光学軸ＯＡに対し所定の角度で光がダイＤの表面に照射するよう構成される。ここで、光学軸に対する入射角をθとする。照明装置ＯＢＬを用いてカメラＣＭＲで撮像するとダイＤの表面はクラックに対し暗視野となり、反射率も異なり、コントラストがとりやすい。この照明装置ＯＢＬの入射角が鉛直に近くなる（θが小さくなる）ほど、クラックと背景のコントラスト差が大きくなり、画像上の分類（２値化など）を行いやすくなり、結果的に検出感度が良くなる。

このとき、図３に示すように、検査したいダイＤの表面で鏡面反射した光ＲＬがレンズＬＮＳに直接入光しないように配置される。このときの入射角をθ１とする。しかし、照明装置ＯＢＬの入射角を鉛直に近づけすぎると、図４に示すように、ダイＤの表面で鏡面反射した光ＲＬがレンズＬＮＳ内に入光する。このときの入射角をθ２とすると、０＜θ２＜θ１である。このため、図５に示すように、反射したエリアＲＡは明視野になってしまい、検出感度を劣化させてしまう。よって照明装置、カメラ、ダイの位置関係は重要となる。

次に、斜光照明の課題について図６を用いて説明する。図６（ａ）は積層スタックしたダイへの斜光照明の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図６（ｂ）は図６（ａ）の積層スタックしたダイの拡大図である。図６（ｃ）は図６（ａ）の積層スタックしたダイの撮像画像例である。

上述した照明、カメラ、ダイの位置関係はダイの表面の平坦度がある程度平坦とした場合に成り立つ。しかし、ＮＡＮＤフラッシュなどの積層を行うダイの種類によっては平坦度を維持できなくなる。例えば、図６（ｂ）に示すように、ダイＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４をスタックさせながら積層する方法の場合、下層の支えがない領域ＮＳＡは反り上がる場合がある。これにより、図６(ａ)に示すように、照明装置ＯＢＬの照射光の入射角が図３と同じθ１であっても、ダイＤ４の反り上がった領域ＷＡにおいて直接反射した光（反射角が変わってしまった光）ＲＬ１がレンズＬＮＳに入り、図６（ｃ）に示すように、下層の支えがない領域ＮＳＡ（反り上がった領域ＷＡ）明視野となってしまい、検出感度を悪化させる。

次に、上記課題を解決する実施形態の技術について図７を用いて説明する。図７（ａ）は積層スタックしたダイへの斜光照明の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図７（ｂ）は図７（ａ）の積層スタックしたダイを視野中心で撮像した撮像画像例である。図７（ｃ）は図７（ａ）の積層スタックしたダイを視野中心からずれた位置で撮像した撮像画像例である。

実施形態では、ダイＤの反り上がった面の反射光をレンズＬＮＳに取り込まないようカメラＣＭＲ、照明装置ＯＢＬおよびダイＤの少なくとも何れか一つを移動させる。
例えば、図７（ａ）に示すように、カメラＣＭＲと照明装置ＯＢＬを同時に同じ方向（矢印の方向）へ動かすことで、ダイＤの反り上がった面で反射した光ＲＬ１をレンズに取り込まないようにする。ここで、当初（移動前）の照明装置ＯＢＬ、カメラＣＭＲ、ダイＤ（平坦度が維持されているもの）の位置関係は、図３に示すように、ダイＤの表面に明視野が出現しない位置とする。

すなわち、図７（ａ）の破線で示すように、照明装置ＯＢＬ、カメラＣＭＲ、ダイＤが配置され、カメラＣＭＲの視野ＶＦの中心（光学軸ＯＡ）にダイＤの中心が置かれる。ダイＤに反り上がりがある場合、ダイＤの反り上がった領域において直接反射した光ＲＬ１がレンズＬＮＳに入り、図７（ｂ）に示すように、明視野となっている。

一方、図７（ａ）に示すように、カメラＣＭＲと斜光照明装置ＯＢＬを移動させ、視野ＶＦの中心（光学軸ＯＡ）をダイＤの中心からずらすことにより、ダイＤの反り上がった領域ＷＡにおいて直接反射した光ＲＬ１がレンズＬＮＳに入らず、図７（ｃ）に示すように、明視野が出現しなくなる。

移動はカメラＣＭＲと照明装置ＯＢＬを同時に行うのが好ましい。カメラＣＭＲと照明装置ＯＢＬの位置関係を維持することが容易であるからである。ダイが反っていない領域に明視野が出現してしまわないようにして、照明装置ＯＢＬのみを動かしてもよいし、カメラＣＭＲのみを動かしてもよい。

また、カメラＣＭＲおよび／または照明装置ＯＢＬの移動に代えて、撮像対象物である被写体を動かしてもよい。例えば、ダイシングテープ上でダイが反っている場合にダイシングテープを動かしたり、ボンドステージ上で基板を動かしたりする。

また、カメラＣＭＲと照明装置ＯＢＬを移動する場合は明るく光っている面と反対方向とするのが好ましい。被写体を移動する場合は明るく光っている面と同じ方向とするのが好ましい。また、視野はダイサイズの２倍程度を持つものが好ましい。

ダイの反りを考慮してカメラ位置、照明位置または被写体位置を変更する。検査感度を保つには、鏡面反射した直接光を受けないぎりぎりの入射角にするのが好ましく、被写体の変形にあわせて位置調整できるようになるため、ダイクラック検査の検査感度において、ダイの反りの影響での悪化を最小限に抑えることが可能である。

なお、斜光照明は通常対面ペアとなって構成され、例えば二方向の斜光バー照明または四方向の斜光バー照明が用いられる。図７（ａ）の斜光照明とは光学軸ＯＡに対して鏡面対象に位置する斜光照明（以下、反対側斜光照明という。）の影響について図２１を用いて説明する。図２１（ａ）は視野移動前の反りのあるダイへの反対側斜光照明の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図２１（ｂ）は反りのないダイへの反対側斜光照明の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。図２１（ｃ）は視野移動前後の反りのあるダイへの反対側斜光照明の入射光および反射光の様子を模式的に示す図である。

対面ペアとなっている斜光照明はこれまでの説明による視野移動を行うと、図２１（ｂ）に示すように、反りのないダイＤでは直接反射した光（以下、正反射光という。）がカメラに入射され、結果としてダイＤが白く写ってしまう。しかし、図２１（ｃ）に示すように、反りのあるダイＤではその反射光の傾きも大きくなるために、影響を受けにくい。また、照明が四方向の場合、直交方向の光源はもともとこの反りの影響は受けない。

次に、撮像対象物に対して視野を相対的に移動する場合の方法について図８，９を用いて説明する。図８は第一方法を説明するフローチャートである。図９は第二方法を説明するフローチャートである。

第一方法は反りによる照射光の直接反射があるかを確認してからダイＤに対する視野を相対的に移動する方法である。直接光反射が発生したときに相対的な視野移動および再検査を行う。直接反射光が発生したダイ上の位置から視野の移動方向を決定する。反りあがる位置が不明なウェハ上のダイでの対応に適している。ここで、相対的な視野移動とは、カメラＣＭＲおよびダイＤの少なくとも一つを移動することにより、ダイＤに対するカメラＣＭＲの視野が移動することである。相対的な視野移動により、カメラＣＭＲの視野中心とダイＤの中心とがずれる。

図８に示すように、部材搬送（ステップＳ１１）、パターンマッチングなどによるダイ位置決め（ステップＳ１２）の後、カメラＣＭＲに内蔵される照度計を用いてダイＤの表面照度を確認し、光源の直接光の鏡面反射（照射光の直接反射）の有無を確認する（ステップＳ１３）。光源の直接光の鏡面反射がある場合は、相対的な視野移動を行う（ステップＳ１４）。光源の直接光の鏡面反射がない場合は、ダイＤのクラックおよび異物の検査を行う（ステップＳ１５）。なお、ダイクラック検査を先に発動してから光源光の直接反射があるかを確認してもよい。また、カメラＣＭＲと別の照度計を設置してダイＤの表面照度を確認するようにしてもよい。

第二方法はダイが積層される場合は反り方向が決まっており、ダイの積層段数から先に倣いなどで移動量オフセットを取り決めておき、事前に相対的な視野移動を行っておく方法である。

図９に示すように、部材搬送（ステップＳ１１）、パターンマッチングなどによるダイ位置決め（ステップＳ１２）の後、位置決めダイの段数に基づいて相対的な視野移動を行う（ステップＳ２４）。下層のダイは反りが少なく、上層のダイは反りが大きくなるため、上層になるに従って移動量を増やす。その後、ダイＤのクラックおよび異物の検査を行う（ステップＳ２５）。この方法はさらに光源光の直接反射があるかの確認処理を追加して移動量を再調整しても良い。

なお、相対的な視野移動を行っても直接光反射の領域が取りきれない場合がある。これについて図１０を用いて説明する。図１０（ａ）は視野移動前の撮像画像である。図１０（ｂ）は視野移動後の撮像画像である。

図１０（ａ）に示すように、視野移動前は、白く塗り潰れた領域（検査不可領域）がリング状に出現している。図１０（ｂ）に示すように、視野移動前は、白く塗り潰れた領域（検査不可領域）が減少しているが、ダイの隅に残っている。白く塗りつぶれた領域は、都度マスクとして扱い、視野を相対的に移動させて、トータルとして検査エリアを確保する。例えば、図１０（ａ）の検査不可領域をマスクして検査することにより、ダイの隅の検査可能領域を検査エリアとして確保でき、図１０（ｂ）の検査不可領域をマスクすることで、図１０（ａ）の検査不可領域を検査エリアとして確保できる。よって、ダイ全体が検査エリアとして確保することが可能になる。

図１１は実施例のダイボンダの構成を示す概略上面図である。図１２は図１１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。

ダイボンダ１０は、大別して、一つ又は複数の最終１パッケージとなる製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）をプリントした基板Ｓに実装するダイＤを供給するダイ供給部１と、ピックアップ部２、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５、基板供給部６と、基板搬出部７と、各部の動作を監視し制御する制御部８と、を有する。Ｙ軸方向がダイボンダ１０の前後方向であり、Ｘ軸方向が左右方向である。ダイ供給部１がダイボンダ１０の手前側に配置され、ボンディング部４が奥側に配置される。

まず、ダイ供給部１は基板ＳのパッケージエリアＰに実装するダイＤを供給する。ダイ供給部１は、ウェハ１１を保持するウェハ保持台１２と、ウェハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突上げユニット１３と、を有する。ダイ供給部１は図示しない駆動手段によってＸＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。

ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップするピックアップヘッド２１と、ピックアップヘッド２１をＹ方向に移動させるピックアップヘッドのＹ駆動部２３と、コレット２２を昇降、回転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。ピックアップヘッド２１は、突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２（図１２も参照）を有し、ダイ供給部１からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。ピックアップヘッド２１は、コレット２２を昇降、回転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部を有する。

中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識する為のステージ認識カメラ３２を有する。

ボンディング部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンディングし、又は既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部４は、ピックアップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２（図１２も参照）を備えるボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１をＹ方向に移動させるＹ駆動部４３と、基板ＳのパッケージエリアＰの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ４４と、基板認識カメラ４４をＸ軸方向およびＹ軸方向に駆動するＸＹ駆動部４５と、を有する。
このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、ステージ認識カメラ３２の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＳにダイＤをボンディングする。

搬送部５は、基板Ｓを掴み搬送する基板搬送爪５１と、基板Ｓが移動する搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた基板搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。
このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６から搬送レーン５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部７まで移動して、基板搬出部７に基板Ｓを渡す。

制御部８は、ダイボンダ１０の各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。

次に、ダイ供給部１の構成について図１３、１４を用いて説明する。図１３は図１１のダイ供給部の構成を示す外観斜視図である。図１４は図１３のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。

ダイ供給部１は、水平方向（ＸＹ方向）に移動するウェハ保持台１２と、上下方向に移動する突上げユニット１３と、を備える。ウェハ保持台１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤが接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１７の内側に配置される。

ダイ供給部１は、ダイＤの突き上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイＤの間隔が広がり、突上げユニット１３によりダイＤ下方よりダイＤを突き上げ、ダイＤのピックアップ性を向上させている。なお、薄型化に伴いダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ１１とダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハ１１では、ダイシングは、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離する。なお、以降では、ダイアタッチフィルム１８の存在を無視して、説明する。

ダイボンダ１０は、ウェハ１１上のダイＤの姿勢と位置を認識するウェハ認識カメラ２４と、中間ステージ３１に載置されたダイＤの姿勢と位置を認識するステージ認識カメラ３２と、ボンディングステージＢＳ上の実装位置を認識する基板認識カメラ４４とを有する。認識カメラ間の姿勢ずれを補正しなければならないのは、ボンディングヘッド４１によるピックアップに関与するステージ認識カメラ３２と、ボンディングヘッド４１による実装位置へのボンディングに関与する基板認識カメラ４４である。本実施例ではウェハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４と共に後述する照明装置を用いてダイＤの表面検査を行う。

次に、表面検査の照明について図１５を用いて説明する。図１５は基板認識カメラの照明装置の配置を示す図である。

基板認識カメラ４４をダイＤの表面に対して垂直に配置する。すなわち、光学軸をダイＤの表面に対して垂直にする。斜光照明装置４６は斜光バー照明装置４６ａ，４６ｂによる二方向の斜光照明であり、光学軸に対して所定の角度（θ１）でダイＤに照射する。基板認識カメラ４４および斜光照明装置４６ａ，４６ｂは可動部４５ａに固定され、可動部４５ａはＸ駆動部４５ｂによってＸ軸方向に移動可能であり、Ｘ駆動部４５ｂはＹ駆動部４５ｃによってＹ軸方向に移動可能である。ここで、入射角（θ１）は図６と同様である。制御部８はＸＹ駆動部４５により基板認識カメラ４４と斜光照明装置４６を移動させ、視野中心をダイＤの中心からずらすことにより、ダイＤの反り上がった領域において直接反射した光が基板認識カメラ４４に入らず、明視野が出現しなくすることが可能になる。

ウェハ認識カメラ２４およびステージ認識カメラ３２の照明装置も基板認識カメラ４４の照明装置と同様である。ただし、ウェハ認識カメラ２４とその照明装置およびステージ認識カメラ３２とその照明装置はＸＹ駆動部４５と同様な駆動部により移動するように構成しなくてもよい。制御部８はウェハ認識カメラ２４とその照明装置を移動させず、ウェハ保持台１２または中間ステージ３１を移動させ、視野中心をダイＤの中心からずらすことにより、ダイＤの反り上がった領域において直接反射した光がウェハ認識カメラ２４またはステージ認識カメラ３２に入らず、明視野が出現しなくすることが可能になる。

次に、制御部８について図１６を用いて説明する。図１６は図１１のダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。

制御系８０は制御部８と駆動部８６と信号部８７と光学系８８とを備える。制御部８は、大別して、主としてＣＰＵ（Central Processor Unit）で構成される制御・演算装置８１と、記憶装置８２と、入出力装置８３と、バスライン８４と、電源部８５とを有する。記憶装置８２は、処理プログラムなどを記憶しているＲＡＭで構成されている主記憶装置８２ａと、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているＨＤＤやＳＳＤ等で構成されている補助記憶装置８２ｂとを有する。入出力装置８３は、装置状態や情報等を表示するモニタ８３ａと、オペレータの指示を入力するタッチパネル８３ｂと、モニタを操作するマウス８３ｃと、光学系８８からの画像データを取り込む画像取込装置８３ｄと、を有する。また、入出力装置８３は、ダイ供給部１のＸＹテーブル（図示せず）やボンディングヘッドテーブルのＺＹ駆動軸、基板認識カメラのＸＹ駆動軸等の駆動部８６を制御するモータ制御装置８３ｅと、種々のセンサ信号や照明装置などのスイッチ等の信号部８７から信号を取り込み又は制御するＩ／Ｏ信号制御装置８３ｆとを有する。光学系８８には、ウェハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２、基板認識カメラ４４が含まれる。制御・演算装置８１はバスライン８４を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド２１等の制御や、モニタ８３ａ等に情報を送る。

制御部８は画像取込装置８３ｄを介してウェハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４で撮像した画像データを記憶装置８２に保存する。保存した画像データに基づいてプログラムしたソフトウェアにより、制御・演算装置８１を用いてダイＤおよび基板ＳのパッケージエリアＰの位置決め、並びにダイＤおよび基板Ｓの表面検査を行う。制御・演算装置８１が算出したダイＤおよび基板ＳのパッケージエリアＰの位置に基づいてソフトウェアによりモータ制御装置８３ｅを介して駆動部８６を動かす。このプロセスによりウェハ上のダイの位置決めを行い、ピックアップ部２およびボンディング部４の駆動部で動作させダイＤを基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンディングする。使用するウェハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４はグレースケール、カラー等であり、光強度を数値化する。

次に、ダイボンディング工程について図１７～１９を用いて説明する。図１７は図１１のダイボンダにおけるダイボンディング工程を説明するフローチャートである。図１８はウェハ認識カメラにより撮像を行う工程を中心に示したフローチャートである。図１９は基板認識カメラにより撮像を行う工程を中心に示したフローチャートである。

実施例のダイボンディング工程では、まず、図１７に示すように、制御部８は、ウェハ１１を保持しているウェハリング１４をウェハカセットから取り出してウェハ保持台１２に載置し、ウェハ保持台１２をダイＤのピックアップが行われる基準位置まで搬送する（ウェハローディング（工程Ｐ１））。次いで、制御部８は、ウェハ認識カメラ２４によって取得した画像から、ウェハ１１の配置位置がその基準位置と正確に一致するように微調整（アライメント）を行う。

次に、制御部８は、ウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を所定ピッチでピッチ移動させ、水平に保持することによって、最初にピックアップされるダイＤをピックアップ位置に配置する（ダイ搬送（工程Ｐ２））。なお、ダイＤのピックアップ位置はウェハ認識カメラ２４によるダイＤの認識位置でもある。ウェハ１１は、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイ毎に良、不良を示すマップデータが生成され、制御部８の記憶装置８２に記憶される。ピックアップ対象となるダイＤが良品であるか、不良品であるかの判定はマップデータにより行われる。制御部８は、ダイＤが不良品である場合は、ウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を所定ピッチでピッチ移動させ、次にピックアップされるダイＤをピックアップ位置に配置し、不良品のダイＤをスキップする。

次に、図１８に示すように、制御部８は、ウェハ認識カメラ２４の照明出力をダイ位置決め用の値に設定する（ステップＳ３１）。制御部８は、ウェハ認識カメラ２４によってピックアップ対象のダイＤの主面（上面）を撮影し、画像を取得する（ステップＳ３２）。取得した画像からピックアップ対象のダイＤの上記ピックアップ位置からの位置ずれ量を算出し、ダイＤの位置を測定する（ステップＳ３３）。制御部８は、この位置ずれ量を基にウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を移動させ、ピックアップ対象のダイＤをピックアップ位置に正確に配置する（ダイ位置決め（工程Ｐ３））。

次いで、図１８に示すように、制御部８は、ウェハ認識カメラ２４の照明出力をダイクラック検査用の値に変更する（ステップＳ４１）。制御部８は、ウェハ認識カメラ２４によってピックアップ対象のダイＤの主面を撮影し、画像を取得する（ステップＳ４２）。制御部８は、後述するように、取得した画像から、ダイＤの表面濃淡を確認し、正反射している領域の有無を検出する（ステップＳ４３）。正反射領域がある場合、制御部８は、正反射領域の方向へウェハ保持台１２を移動する（ステップＳ４４）。なお、照明装置がウェハ認識カメラ２４とは別の駆動テーブルに載せてある場合は、照明装置のみを動かしてもよい。照明装置がバータイプの斜光照明の場合、影響を与えている側を消灯させてもよい。制御部８は、再度、カメラ画像を取得する。ステップＳ４３において、正反射領域がない場合はダイクラックおよび異物検査（表面検査）を行う（工程Ｐ４）。ここで、制御部８は、ダイＤの表面に問題なしと判定した場合には次工程（後述する工程Ｐ９）へ進むが、問題ありと判定した場合には、スキップ処理またはエラー停止する。スキップ処理は、ダイＤの工程Ｐ９以降をスキップし、ウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を所定ピッチでピッチ移動させ、次にピックアップされるダイＤをピックアップ位置に配置する。

制御部８は、基板供給部６で基板Ｓを搬送レーン５２に載置する（基板ローディング（工程Ｐ５））。制御部８は、基板Ｓを掴み搬送する基板搬送爪５１をボンディング位置まで移動させる（基板搬送（工程Ｐ６））。

次に、図１９に示すように、制御部８は、基板認識カメラ４４をボンディング対象のパッケージエリアＰの撮像位置（ボンディングタブ撮像位置）へ移動する（ステップＳ７１）。制御部８は、基板認識カメラ４４の照明出力を基板位置決め用の値に設定する（ステップＳ７２）。制御部８は、基板認識カメラ４４によって基板Ｓを撮影し、画像を取得する（ステップＳ７３）。取得した画像から基板ＳのパッケージエリアＰの位置ずれ量を算出して位置を測定する（ステップＳ７４）。制御部８は、この位置ずれ量を基に基板Ｓを移動させ、ボンディング対象のパッケージエリアＰをボンディング位置に正確に配置する位置決めを行う（基板位置決め（工程Ｐ７））。

次いで、図１７に示すように、制御部８は、基板認識カメラ４４によって取得した画像から、基板ＳのパッケージエリアＰの表面検査を行う（工程Ｐ８）。ここで、制御部８は、表面検査で問題があるかどうかを判定し、基板ＳのパッケージエリアＰの表面に問題なしと判定した場合には次工程（後述する工程Ｐ９）へ進むが、問題ありと判定した場合には、表面画像を目視で確認するか、さらに高感度の検査や照明条件などを変えた検査を行い、問題がある場合はスキップ処理し、問題がない場合は次工程の処理を行う。スキップ処理は、基板ＳのパッケージエリアＰの該当タブへの工程Ｐ１０以降をスキップし、基板着工情報に不良登録を行う。

制御部８は、ダイ供給部１によってピックアップ対象のダイＤを正確にピックアップ位置に配置した後、コレット２２を含むピックアップヘッド２１によってダイＤをダイシングテープ１６からピックアップし（ダイハンドリング（工程Ｐ９））、中間ステージ３１に載置する（工程Ｐ１０）。制御部８は、中間ステージ３１に載置したダイの姿勢ずれ（回転ずれ）の検出をステージ認識カメラ３２にて撮像して行う（ダイの位置検査（工程Ｐ１１））。制御部８は、姿勢ずれがある場合は中間ステージ３１に設けられた旋回駆動装置（不図示）によって実装位置を有する実装面に平行な面で中間ステージ３１を旋回させて姿勢ずれを補正する。

制御部８は、ステージ認識カメラ３２によって取得した画像から、ダイＤの表面検査を行う（工程Ｐ１２）。ここで、制御部８は、ダイＤの表面に問題なしと判定した場合には次工程（後述する工程Ｐ１３）へ進むが、問題ありと判定した場合には、スキップ処理またはエラー停止する。スキップ処理は、そのダイを図示しない不良品トレーなどに載置して、ダイＤの工程Ｐ１３以降をスキップし、ウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を所定ピッチでピッチ移動させ、次にピックアップされるダイＤをピックアップ位置に配置する。

制御部８は、コレット４２を含むボンディングヘッド４１によって中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板ＳのパッケージエリアＰまたは既に基板ＳのパッケージエリアＰにボンディングされているダイにダイボンディングする（ダイアタッチ（（工程Ｐ１３））。

次に、図１９に示すように、制御部８は、基板認識カメラ４４をボンディング後のダイＤの撮像位置へ移動する（ステップＳ１４１）。制御部８は、基板認識カメラ４４の照明出力をダイ位置決め用の値に設定する（ステップＳ１４２）。制御部８は、基板認識カメラ４４によってダイＤを撮影し、画像を取得する（ステップＳ１４３）。取得した画像からダイＤの位置を測定する（ステップＳ１４４）。制御部８は、ダイＤをボンディングした後、そのボンディング位置が正確になされているかを検査する（ダイと基板の相対位置検査（工程Ｐ１４））。このとき、ダイの位置合わせと同様にダイの中心と、タブの中心を求め、相対位置が正しいかを検査する。

次いで、制御部８は、基板認識カメラ４４をダイクラック検査用撮像位置へ移動させる（ステップＳ１５１）。積層製品の場合、上段を積むにしたがいオフセットさせる方向は事前に決定されている。その場合は反り方向も決まっているため、事前に反り方向に対し、正反射しない視野移動量をティーチングしておき検査時は最初からそのオフセットを含む位置に移動すれば、反射の有無を確認した後の視野移動の発動回数を少なくすることもできる。制御部８は、基板認識カメラ４４の照明出力をダイクラック検査用の値に変更する（ステップＳ１５２）。制御部８は、基板認識カメラ４４によってダイＤを撮影し、画像を取得する（ステップＳ１５３）。制御部８は、後述するように、取得した画像からダイＤの表面濃淡を確認し、正反射している領域の有無を検出する（ステップＳ１５４）。正反射領域がある場合、制御部８は、正反射領域と反対方向へ基板認識カメラ４４を移動する（ステップＳ１５５）。なお、後述する第二変形例のように照明装置が基板認識カメラ４４とは別駆動のテーブルに載せてある場合は、照明装置のみを動かしてもよい。照明装置がバータイプの斜光照明の場合、影響を与えている側を消灯させてもよい。制御部８は、再度、カメラ画像を取得する。ステップＳ１５４において、正反射領域がない場合はダイクラックおよび異物検査（ダイＤおよび基板Ｓの表面検査）を行う（工程Ｐ１５）。ここで、制御部８は、ダイＤの表面に問題なしと判定した場合には次工程（後述する工程Ｐ９）へ進むが、問題ありと判定した場合には、スキップ処理またはエラー停止する。スキップ処理では、基板着工情報に不良登録を行う。

以後、同様の手順に従ってダイＤが１個ずつ基板ＳのパッケージエリアＰにボンディングする。１つの基板のボンディングが完了すると、基板搬送爪５１で基板Ｓを基板搬出部７まで移動して（基板搬送（工程Ｐ１６））、基板搬出部７に基板Ｓを渡す（基板アンローディング（工程Ｐ１７））。

以後、同様の手順に従ってダイＤが１個ずつダイシングテープ１６から剥がされる（工程Ｐ９）。不良品を除くすべてのダイＤのピックアップが完了すると、それらダイＤをウェハ１１の外形で保持していたダイシングテープ１６およびウェハリング１４等をウェハカセットへアンローディングする（工程Ｐ１８）。

次に、ダイの反り位置（正反射領域）の測定方法について図２０を用いて説明する。図２０（ａ）はダイの検査画像である。図２０（ｂ）はダイのリファレンス画像である。図２０（ｃ）は図２０（ａ）の検査画像と図２０（ｂ）のリファレンス画像との差分画像である。図２０（ｄ）は図２０（ｃ）の差分画像を二値化した画像である。図２０（ｅ）はダイの反りの有無の判断を説明する図である。

制御部８は、図２０（ａ）のダイの検査画像と図２０（ｂ）のダイのリファレンス画像との差分を算出して差分画像を算出する。図２０（ｃ）に示すように、差分画像の正反射領域以外は黒くなり、正反射領域は白くなり、境界領域はぼやける。制御部８は、差分画像をある濃淡閾値を基に二値化して、図２０（ｄ）に示す画像を得る。このときの画像の縁付近に、例えば図２０（ｅ）に示すような四つの検査領域を設ける。各検査領域にて一定の面積閾値以上に白領域が存在していれば反りがあると判断し、その白領域の位置から反り方向を判断する。この場合、ダイの下側が反っていると判断する。

クラックの表面検査は、ダイ位置認識を行う場所であるダイ供給部、中間ステージ、およびボンディングステージの少なくとも１か所で行ってもよいが、すべての箇所で行うのがより好ましい。ダイ供給部で行えば、早くクラックを検出することができる。中間ステージに行えば、ダイ供給部で検出できなかったクラックまたはピックアップ工程以降で発生したクラック（ボンディング工程よりも前に顕在化しなかったクラック）をボンディング前に検出することができる。また、ボンディングステージに行えば、ダイ供給部および中間ステージで検出できなかったクラック（ボンディング工程よりも前に顕在化しなかったクラック）またはボンディング工程以降で発生したクラックを、次のダイを積層するボンディング前に、または基板排出前に検出することができる。

＜変形例＞
以下、代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施例にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施例と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施例における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

（第一変形例）
図２２は第一変形例における基板認識カメラおよび照明装置を示す模式斜視図である。

実施例の場合、斜光照明装置４６は二方向の斜光バー照明であるが、図２２に示すように、四方向の斜光バー照明であってもよい。斜光照明装置４６は、斜光バー照明装置４６ａ～４６ｃおよび斜光バー照明装置４６ｃと基板認識カメラ４４に対して反対側に位置する斜光バー照明装置（不図示）が基板認識カメラ４４に側面に取り付けられて構成される。基板認識カメラ４４は可動部４５ａに固定され、可動部４５ａはＸ駆動部４５ｂによってＸ軸方向に移動可能であり、Ｘ駆動部４５ｂはＹ駆動部４５ｃによってＹ軸方向に移動可能である。

図２２（ｂ）に示すように、ダイＤがＹ軸方向にずらして積層する場合、Ｙ軸の正側（図面における右側）にダイＤの反り上がった領域による直接反射が発生するので、制御部８は基板認識カメラ４４および斜光照明装置４６は矢印の方向（Ｙ軸の負側（図面における左側））に移動させてダイＤを撮像する。
図２２（ｃ）に示すように、ダイＤがＸ軸方向にオフセットして積層する場合、Ｘ軸の負側（図面における右側）にダイＤの反り上がった領域による直接反射が発生するので、制御部８は基板認識カメラ４４および斜光照明装置４６は矢印の方向（Ｘ軸の正側（図面における左側））に移動させてダイＤを撮像する。

（第二変形例）
図２３は第二変形例における基板認識カメラおよび照明装置を示す模式斜視図である。

実施例および第一変形例の場合、斜光照明装置４６は基板認識カメラ４４と同じ位置関係で移動するように構成されているが、図２３に示すように、基板認識カメラ４４とは独立に移動するように構成してもよい。斜光照明装置４６の斜光バー照明装置４６ａ～４６ｄは可動部４７ａに固定され、可動部４７ａはＸ駆動部４７ｂによってＸ軸方向に移動可能であり、Ｘ駆動部４７ｂはＹ駆動部４７ｃによってＹ軸方向に移動可能である。基板認識カメラ４４は可動部４５ａに固定され、可動部４５ａはＸ駆動部４５ｂによってＸ軸方向に移動可能であり、Ｘ駆動部４５ｂはＹ駆動部４５ｃによってＹ軸方向に移動可能である。

（第三変形例）
図２４は第三変形例におけるウェハ認識カメラおよび照明装置を示す模式斜視図である。

実施例の場合、ウェハ認識カメラ２４の照明装置は斜光照明装置４６と同様に二方向の斜光バー照明であるが、図２４に示すように、四方向の斜光バー照明であってもよい。斜光照明装置２６は、斜光バー照明装置２６ａ～２６ｄで構成される。ウェハ保持台１２はＸ駆動部１９ｂに固定され、Ｘ駆動部１９ｂはＸ軸方向に移動可能であり、Ｘ駆動部１９ｂはＹ駆動部１９ｃによってＹ軸方向に移動可能である。
さらに、多方向の斜光バー照明の反射光の影響を与えている側を消灯させるようにしてもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を実施形態および実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、実施例では斜光照明装置として二方向の斜光バー照明を用いる例を説明したが、四方向の斜光バー照明を用いてもよいし、一方向の斜光バー照明を用いてもよい。

また、実施例では予めカメラ画像認識でダイの反り位置（正反射領域）の測定を行っているが、レーザ変位系などのセンサを用いて反りの方向を検出し、それに基づいて照明装置やカメラを動作させるようにしてもよい。また、格子状の模様をダイ表面に投影し、その格子の乱れ具合により反り方向を判断してもよい。

また、実施例ではダイ位置認識の後にダイ外観検査認識を行っているが、ダイ外観検査認識の後にダイ位置認識を行ってもよい。

また、実施例ではウェハの裏面にＤＡＦが貼付されているが、ＤＡＦはなくてもよい。

また、実施例ではピックアップヘッドおよびボンディングヘッドをそれぞれ１つ備えているが、それぞれ２つ以上であってもよい。また、実施例では中間ステージを備えているが、中間ステージがなくてもよい。この場合、ピックアップヘッドとボンディングヘッドは兼用してもよい。

また、実施例ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この場合、中間ステージは設けなくてもよい。この装置はフリップチップボンダという。

また、実施例ではボンディングヘッドを備えるが、ボンディングヘッドがなくてもよい。この場合は、ピックアップされたダイは容器等に載置される。この装置はピックアップ装置という。さらに、この場合のクラックの表面検査はピックアップされたダイを載置した容器等でも実施してもよい。

１０・・・ダイボンダ（半導体製造装置）
８・・・制御部
Ｄ・・・ダイ
Ｓ・・・基板
ＣＭＲ・・・カメラ（撮像装置）
ＯＢＬ・・・照明装置
ＯＡ・・・光学軸
ＶＦ・・・視野

Claims

ダイを撮像する撮像装置と、
前記ダイを前記撮像装置の光学軸に対して所定の角度で光を照射する照明装置と、
前記撮像装置および前記照明装置を制御する制御部と、
を備え、
前記所定の角度は、前記ダイが平坦な場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射しても前記撮像装置に入らない角度であり、
前記撮像装置と前記照明装置との位置関係は固定されており、
前記制御部は、前記ダイが平坦でない場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置、前記照明装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させ、
前記ダイが前記撮像装置の視野の中心よりもずれるように前記撮像装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記ダイを移動させる場合、前記ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハリングホルダ、または、前記ダイが載置されている基板を移動させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記ダイの表面照度を確認し、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射されていると判断する場合、前記撮像装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される半導体製造装置。
請求項１または３の半導体製造装置において、
前記ダイの反りを検出する手段を設け、
前記制御部は、前記反りを検出した場合、検出した前記反り方向の前後いずれか、または前後両方に前記撮像装置の視野を移動させる半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記ダイはダイの上に積層されるダイであり、
前記制御部は、積層される段数に基づいて前記撮像装置の視野を移動させるよう構成される半導体製造装置。
請求項５の半導体製造装置において、
前記撮像装置の視野を移動させる方向は、前記ダイの上に積層される前記ダイのオフセットされる方向と同一方向で前後いずれか、または前後両方に移動させる半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記撮像装置の視野を移動させても前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射される場合、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射されない領域が前記ダイの全領域になるように前記撮像装置の視野中心と前記ダイの中心とをずらしながら撮像するよう構成される半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、さらに、
前記ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを有するダイ供給部を備え、
前記制御部は前記撮像装置および前記照明装置を用いて前記ダイシングテープに貼り付けられた前記ダイを撮像する半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、さらに、
前記ダイを基板または既にボンディングされているダイ上にボンディングするボンディングヘッドを備え、
前記制御部は前記撮像装置および前記照明装置を用いて前記基板またはダイ上にボンディングされたダイを撮像する半導体製造装置。
請求項１の半導体製造装置において、さらに、
前記ダイをピックアップするピックアップヘッドと、
前記ピックアップされたダイが載置される中間ステージと、
を備え、
前記制御部は前記撮像装置および前記照明装置を用いて前記中間ステージの上に載置されたダイを撮像する半導体製造装置。
（ａ）ダイを撮像する撮像装置と、前記ダイを前記撮像装置の光学軸に対して所定の角度で光を照射する照明装置と、前記撮像装置および前記照明装置を制御する制御部と、を備え、前記所定の角度は、前記ダイが平坦な場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射しても前記撮像装置に入らない角度であり、前記撮像装置と前記照明装置との位置関係は固定されており、前記制御部は、前記ダイが平坦でない場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置、前記照明装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させ、前記ダイが前記撮像装置の視野の中心よりもずれるように前記撮像装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される半導体製造装置に基板を搬入する工程と、
（ｂ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
（ｃ）前記ダイをピックアップする工程と、
（ｄ）前記ピックアップしたダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
請求項１１の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は前記ピックアップされたダイを中間ステージに載置し、
前記（ｄ）工程は前記中間ステージに載置されたダイをピックアップする半導体装置の製造方法。
（ａ）ダイを撮像する撮像装置と、前記ダイを前記撮像装置の光学軸に対して所定の角度で光を照射する照明装置と、前記撮像装置および前記照明装置を制御する制御部と、を備え、前記所定の角度は、前記ダイが平坦な場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射しても前記撮像装置に入らない角度であり、前記制御部は、前記ダイが平坦でない場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置、前記照明装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される半導体製造装置に基板を搬入する工程と、
（ｂ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
（ｃ）前記ダイをピックアップする工程と、
（ｄ）前記ピックアップしたダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
（ｆ）前記（ｃ）工程の前に、前記ダイの表面照度を確認し、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射されていると判断する場合、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記ダイの中心と前記撮像装置の視野の中心とをずらして前記ダイの表面検査を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）ダイを撮像する撮像装置と、前記ダイを前記撮像装置の光学軸に対して所定の角度で光を照射する照明装置と、前記撮像装置および前記照明装置を制御する制御部と、を備え、前記所定の角度は、前記ダイが平坦な場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射しても前記撮像装置に入らない角度であり、前記制御部は、前記ダイが平坦でない場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置、前記照明装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される半導体製造装置に基板を搬入する工程と、
（ｂ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
（ｃ）前記ダイをピックアップする工程と、
（ｄ）前記ピックアップしたダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
（ｇ）前記（ｄ）工程の後に、前記ダイの表面照度を確認し、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射されていると判断する場合、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置の視野の中心と前記ダイの中心とをずらして前記ダイの表面検査を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）ダイを撮像する撮像装置と、前記ダイを前記撮像装置の光学軸に対して所定の角度で光を照射する照明装置と、前記撮像装置および前記照明装置を制御する制御部と、を備え、前記所定の角度は、前記ダイが平坦な場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射しても前記撮像装置に入らない角度であり、前記制御部は、前記ダイが平坦でない場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置、前記照明装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される半導体製造装置に基板を搬入する工程と、
（ｂ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
（ｃ）前記ダイをピックアップする工程と、
（ｄ）前記ピックアップしたダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
（ｇ）前記（ｄ）工程の後に、前記撮像装置の視野の中心を前記ダイの中心から前記ダイが積層される段数に基づいた量をずらして前記ダイの表面検査を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）ダイを撮像する撮像装置と、前記ダイを前記撮像装置の光学軸に対して所定の角度で光を照射する照明装置と、前記撮像装置および前記照明装置を制御する制御部と、を備え、前記所定の角度は、前記ダイが平坦な場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射しても前記撮像装置に入らない角度であり、前記制御部は、前記ダイが平坦でない場合に、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置、前記照明装置および前記ダイのうち少なくとも一つを移動させるよう構成される半導体製造装置に基板を搬入する工程と、
（ｂ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
（ｃ）前記ダイをピックアップする工程と、
（ｄ）前記ピックアップしたダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
（ｈ）前記（ｃ）工程の後であって前記（ｄ）工程の前に、前記ダイの表面照度を確認し、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射されていると判断する場合、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射されて前記撮像装置に入らないように前記撮像装置の視野の中心と前記ダイの中心とをずらして前記ダイの表面検査を行う工程と、
を含み、
前記（ｃ）工程は前記ピックアップされたダイを中間ステージに載置し、
前記（ｄ）工程は前記中間ステージに載置されたダイをピックアップする
半導体装置の製造方法。
請求項１３、１４、１６の何れか一つの半導体装置の製造方法において、
前記ダイを前記撮像装置の中心から視野を移動させても前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射される場合、前記照明装置から照射される光が前記ダイで直接反射して前記撮像装置に入射されない領域が前記ダイの全領域になるように前記撮像装置の視野中心と前記ダイの中心とをずらしながら撮像する半導体装置の製造方法。