JP7310543B2 - 誘電体組成物および電子部品 - Google Patents
誘電体組成物および電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7310543B2 JP7310543B2 JP2019196716A JP2019196716A JP7310543B2 JP 7310543 B2 JP7310543 B2 JP 7310543B2 JP 2019196716 A JP2019196716 A JP 2019196716A JP 2019196716 A JP2019196716 A JP 2019196716A JP 7310543 B2 JP7310543 B2 JP 7310543B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- segregation phase
- phase
- segregation
- dielectric composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 83
- 238000005204 segregation Methods 0.000 claims description 158
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 125
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 105
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 75
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 52
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 35
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 claims description 34
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 41
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 28
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 13
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、誘電体組成物、および、当該誘電体組成物から構成される誘電体層を備える電子部品に関する。
電子機器に組み込まれる電子回路あるいは電源回路には、誘電体が発現する誘電特性を利用する積層セラミックコンデンサのような電子部品が多数搭載される。特許文献１には、電子部品の誘電体セラミックが２次相を有する旨が記載されており、該２次相は構成元素としてＹ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｉを含み、組成比はモル比でＹ：Ｂａ：Ｃａ：Ｓｉ＝２：１：２：１に近い比率である旨が記載されている。
しかし、誘電体セラミックの２次相が上記の構成である場合には、誘電体セラミックの密度が十分に高くなく、なおかつ、誘電体セラミックの抵抗率が十分ではないことが判明した。
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、密度が高く、なおかつ、高い抵抗率を示す誘電体組成物と、その誘電体組成物から構成される誘電体層を備える電子部品と、を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る誘電体組成物は、
主相と、第１偏析相と、第２偏析相と、を含む誘電体組成物であって、
前記主相はＡＢＯ３で表される化合物を主成分とし、
前記Ａはバリウムおよびカルシウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記Ｂはチタンおよびジルコニウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記第１偏析相は、実質的に｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物で構成され、
前記第２偏析相は、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうちの少なくともいずれか１つであり、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成され、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成され、
前記ＲＥは希土類元素を示す。
主相と、第１偏析相と、第２偏析相と、を含む誘電体組成物であって、
前記主相はＡＢＯ３で表される化合物を主成分とし、
前記Ａはバリウムおよびカルシウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記Ｂはチタンおよびジルコニウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記第１偏析相は、実質的に｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物で構成され、
前記第２偏析相は、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうちの少なくともいずれか１つであり、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成され、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成され、
前記ＲＥは希土類元素を示す。
本発明者は、本発明に係る誘電体組成物が、上記の構成であることにより、密度が高く、なおかつ、高い抵抗率を示すことができることを見出した。
本発明に係る誘電体組成物は、前記第１偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記第１偏析相には、
カルシウムが１１モル％以下含まれ、
チタンが４４～５５モル％含まれ、
希土類元素が３６～５５モル％含まれることが好ましい。
前記第１偏析相には、
カルシウムが１１モル％以下含まれ、
チタンが４４～５５モル％含まれ、
希土類元素が３６～５５モル％含まれることが好ましい。
本発明者は、本発明に係る誘電体組成物が、上記の構成であることにより、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができることを見出した。
本発明に係る誘電体組成物では、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１６～５０モル％含まれ、
バリウム、希土類元素およびケイ素が合計で９７モル％より多く含まれ、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１２～５０モル％含まれ、
チタンが３～１７モル％含まれ、
バリウム、希土類元素、ケイ素およびチタンが合計で９８モル％以上含まれることが好ましい。
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１６～５０モル％含まれ、
バリウム、希土類元素およびケイ素が合計で９７モル％より多く含まれ、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１２～５０モル％含まれ、
チタンが３～１７モル％含まれ、
バリウム、希土類元素、ケイ素およびチタンが合計で９８モル％以上含まれることが好ましい。
これにより、本発明に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本発明の第１の観点に係る誘電体組成物では、前記Ａはバリウムであってもよい。
これにより、本発明に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本発明に係る誘電体組成物では、前記Ｂはチタンであってもよい。
これにより、本発明に係る誘電体組成物は、より高い抵抗率を示すことができる。
本発明に係る誘電体組成物では、（前記第１偏析相の面積／前記第２偏析相の面積）×１００［％］の式で表される前記第１偏析相の面積比率が１～８％であることが好ましい。
これにより、本発明に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本発明の電子部品は、本発明に係る誘電体組成物を含む誘電体層を備える。
これにより、本発明の電子部品は、密度が高いことから高い強度を示すことができ、なおかつ、高い抵抗率を示すことができる。
［第１実施形態］
＜１．積層セラミックコンデンサ＞
１．１ 積層セラミックコンデンサの全体構成
本実施形態に係る電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１が図１Ａおよび図１Ｂに示される。積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と、内部電極層３と、が交互に積層された構成の素子本体１０を有する。この素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、素子本体１０の寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
＜１．積層セラミックコンデンサ＞
１．１ 積層セラミックコンデンサの全体構成
本実施形態に係る電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１が図１Ａおよび図１Ｂに示される。積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と、内部電極層３と、が交互に積層された構成の素子本体１０を有する。この素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、素子本体１０の寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
１．２ 誘電体層
誘電体層２は、後述する本実施形態に係る誘電体組成物から構成されている。
誘電体層２は、後述する本実施形態に係る誘電体組成物から構成されている。
誘電体層２の１層あたりの厚み（層間厚み）は特に限定されず、所望の特性や用途等に応じて任意に設定することができる。通常は、層間厚みは３０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ以下であり、さらに好ましくは５μｍ以下であり、特に好ましくは２μｍ以下である。また、誘電体層２の積層数は特に限定されないが、本実施形態では、たとえば２０以上であることが好ましい。
１．３ 内部電極層
本実施形態では、内部電極層３は、各端部が素子本体１０の対向する２端面の表面に交互に露出するように積層してある。
本実施形態では、内部電極層３は、各端部が素子本体１０の対向する２端面の表面に交互に露出するように積層してある。
内部電極層３の厚みは特に限定されないが、たとえば１μｍ以下であり、好ましくは０．８μｍ以下である。
内部電極層３に含有される導電材としては特に限定されない。導電材として用いられる貴金属としては、たとえばＰｄ、Ｐｔ、Ａｇ－Ｐｄ合金等が挙げられる。導電材として用いられる卑金属としては、たとえばＮｉ、Ｎｉ系合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金等が挙げられる。なお、Ｎｉ、Ｎｉ系合金、ＣｕまたはＣｕ系合金中には、Ｐおよび／またはＳ等の各種微量成分が０．１質量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層３は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層３の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
１．４ 外部電極
外部電極４に含有される導電材は特に限定されない。たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕあるいはこれらの合金、導電性樹脂等公知の導電材を用いればよい。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
外部電極４に含有される導電材は特に限定されない。たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕあるいはこれらの合金、導電性樹脂等公知の導電材を用いればよい。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
＜２．誘電体組成物＞
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、主相１４の間に第１偏析相１６および第２偏析相１８を含む。ここで、ＲＥは希土類元素を表す。
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、主相１４の間に第１偏析相１６および第２偏析相１８を含む。ここで、ＲＥは希土類元素を表す。
２．１ 主相
本実施形態の主相１４はＡＢＯ３で表される化合物を主成分として含む。なお、主相１４の主成分とは、主相１００質量部に対して、８０～１００質量部を占める成分であり、好ましくは、９０～１００質量部を占める成分である。
本実施形態の主相１４はＡＢＯ３で表される化合物を主成分として含む。なお、主相１４の主成分とは、主相１００質量部に対して、８０～１００質量部を占める成分であり、好ましくは、９０～１００質量部を占める成分である。
（Ａのモル比／Ｂのモル比）で表されるＡとＢとのモル比は１であってもよいし、１でなくてもよい。ＡとＢのモル比は０．９～１．２であることが好ましい。
なお、（Ａのモル比／Ｂのモル比）が１より大きいと、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および後述するＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相が形成され易くなる傾向となる。
Ａはバリウム（Ｂａ）およびカルシウム（Ｃａ）から選ばれる少なくともいずれか１つを含む。本実施形態では、Ａはバリウム（Ｂａ）であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
また、Ａがバリウム（Ｂａ）およびカルシウム（Ｃａ）である場合には、バリウム（Ｂａ）およびカルシウム（Ｃａ）の合計を１モル部とした場合に、バリウム（Ｂａ）の含有量が０．９～１モル部であることが好ましい。
Ｂはチタン（Ｔｉ）およびジルコニウム（Ｚｒ）から選ばれる少なくともいずれか１つを含む。本実施形態では、Ｂはチタン（Ｔｉ）であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より高い抵抗率を示すことができる。
また、Ｂがチタン（Ｔｉ）およびジルコニウム（Ｚｒ）である場合には、チタン（Ｔｉ）およびジルコニウム（Ｚｒ）の合計を１モル部とした場合に、チタン（Ｔｉ）の含有量が０．８～１モル部であることが好ましい。
本実施形態では、主相１４にマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）およびクロム（Ｃｒ）から選ばれる少なくともいずれか１つを含んでいてもよい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。本実施形態では、主相にマグネシウム（Ｍｇ）およびマンガン（Ｍｎ）を含むことが好ましい。
本実施形態では、主相１４のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対して、マグネシウム（Ｍｇ）を０．０５～２モル部含むことが好ましい。
本実施形態では、主相１４のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対して、マンガン（Ｍｎ）もしくはクロム（Ｃｒ）を０．０５～０．４モル部含むことが好ましい。
本実施形態では、主相１４のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対して、ケイ素（Ｓｉ）を０．５～５モル部含むことが好ましい。
本実施形態では、主相１４のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対して、希土類元素（ＲＥ）を０．５～５モル部含むことが好ましい。
本実施形態では、主相１４は必要に応じて、バナジウム（Ｖ）、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）等の元素を含有してもよい。
本実施形態では、主相１４のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対して、主相１４に含まれるバナジウム（Ｖ）、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）の合計は１モル部未満であることが好ましい。
２．２ 第１偏析相
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、上記の主相１４の間に、第１偏析相１６を含む。本実施形態に係る第１偏析相１６は、実質的に｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ＴｉＯ｛３＋（ｘ／２）｝で表される化合物で構成される。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、高い抵抗率を示すことができる。その理由としては、第１偏析相１６の抵抗率が高いことと、主相１４と第１偏析相１６の接合面の抵抗が高いことが考えられる。
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、上記の主相１４の間に、第１偏析相１６を含む。本実施形態に係る第１偏析相１６は、実質的に｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ＴｉＯ｛３＋（ｘ／２）｝で表される化合物で構成される。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、高い抵抗率を示すことができる。その理由としては、第１偏析相１６の抵抗率が高いことと、主相１４と第１偏析相１６の接合面の抵抗が高いことが考えられる。
ここで、「第１偏析相１６が、実質的に｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物で構成される。」とは、以下に示すことを意味する。すなわち、これは、第１偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、第１偏析相１６に含まれる希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）が合計で７０モル％以上の場合であり、好ましくは８０モル％以上の場合であり、なおかつ、バリウム（Ｂａ）のモル比が１０モル％未満であり、好ましくは５モル％の場合である。
本実施形態において、誘電体層２を構成する誘電体組成物が第１偏析相１６を有するか否かを判断する方法としては、特に限定されないが、以下に具体的な方法を例示する。
まず、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いて誘電体組成物の断面を撮影し、明視野（ＢＦ）像を得る。撮影する視野の広さは特に限定されないが、たとえば、１～１０μｍ四方程度の広さである。この明視野像において主相１４とは異なるコントラストを有する領域を異相であると認定する。異なるコントラストを有するか否か、すなわち異相を有するか否かの判断は、目視により行ってもよいし、画像処理を行うソフトウェア等により判断してもよい。
そして、上記の異相について、ＥＤＳ分析により、希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）の各量を測定する。
異相の同じ位置に希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれる希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）の合計が７０モル％以上であり、なおかつ、バリウム（Ｂａ）のモル比が１０モル％未満である場合には、その異相は実質的に｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物で構成されており、第１偏析相１６であると判断する。
この他にも、マッピング画像により第１偏析相１６の有無を判断してもよい。具体的には、希土類元素（ＲＥ）のマッピング画像と、カルシウム（Ｃａ）のマッピング画像と、チタン（Ｔｉ）のマッピング画像と、を比較して、同じ位置に希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）が存在している箇所を特定する。そして、特定された箇所に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、特定された箇所に含まれる希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびケイ素（Ｓｉ）の合計が７０モル％以上であり、バリウム（Ｂａ）のモル比が１０モル％未満である場合には、その特定された箇所は実質的に｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物で構成されており、第１偏析相１６であると判断する。
本実施形態では、第１偏析相１６の面積比率を「（第１偏析相１６の面積／第２偏析相の面積）×１００［％］」の式で表す。
本実施形態では、第１偏析相１６の面積比率が０．１～１０％であることが好ましく、１～８％であることがより好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、第１偏析相１６の円相当径が０．０５～１μｍであることが好ましく、０．１～０．５μｍであることがより好ましい。なお、円相当径とは、当該形状の面積と同じ面積を有する円の径を示す。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、第１偏析相１６は略矩形であることが好ましい。これにより、第１偏析相１６と主相１４の界面の整合性を高くすることで界面の抵抗を高くすることができ、誘電体組成物全体の抵抗率を高くすることができる。
本実施形態では、｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝において、ｘは好ましくは０．８～１であり、より好ましくは０．９～１であり、さらに好ましくは１である。
本実施形態では、｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝において、ｍは好ましくは０．８３３～１．２５０であり、より好ましくは１である。
本実施形態では、第１偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、第１偏析相１６には、希土類元素（ＲＥ）が３６～５５モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
希土類元素（ＲＥ）の種類は、特に限定されないが、たとえばイットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）またはホルミウム（Ｈｏ）を用いることができる。希土類元素（ＲＥ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
本実施形態では、第１偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、第１偏析相１６には、カルシウム（Ｃａ）が１１モル％以下含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、第１偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、第１偏析相１６には、チタン（Ｔｉ）が４４～５５モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
なお、本実施形態では、第１偏析相１６は上記の元素以外の元素を含んでいてもよく、たとえばマグネシウム（Ｍｇ）、バリウム（Ｂａ）等の元素を含有してもよい。
本実施形態では、第１偏析相１６には、バリウム（Ｂａ）が実質的に含まれないことが好ましい。第１偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、第１偏析相１６には、バリウム（Ｂａ）が１０モル％未満含まれてもよい。
本実施形態では、第１偏析相１６を実質的に構成する｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物のｘが１である場合、すなわち、カルシウム（Ｃａ）が含まれない場合は、ＲＥ２ｍＴｉＯ７で表される化合物の結晶系は立方晶であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、第１偏析相１６を実質的に構成する｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物のｘが１である場合、すなわち、カルシウム（Ｃａ）が含まれない場合は、ＲＥｍＴｉＯ２＋３ｍ／２で表される化合物の空間群は
あることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、第１偏析相１６を実質的に構成する｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物のｘが１未満である場合、すなわち、カルシウム（Ｃａ）が含まれる場合は、｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物の結晶系は斜方晶であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、第１偏析相１６を実質的に構成する｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物のｘが１未満である場合、すなわち、カルシウム（Ｃａ）が含まれる場合は、｛ＲＥｘＣａ（１－ｘ）｝ｍＴｉＯ｛２＋ｍ（１＋ｘ）｝で表される化合物の空間群は
であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
２．３ 第２偏析相
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、上記の主相１４の間に、第１偏析相１６の他に、第２偏析相１８を含む。本実施形態に係る第２偏析相１８は、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうちの少なくともいずれか１つである。Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成される。また、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される。これにより、本実施形態の誘電体組成物の密度を高くできる。
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、上記の主相１４の間に、第１偏析相１６の他に、第２偏析相１８を含む。本実施形態に係る第２偏析相１８は、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうちの少なくともいずれか１つである。Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成される。また、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される。これにより、本実施形態の誘電体組成物の密度を高くできる。
誘電体組成物の断面の１０μｍ四方におけるＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の数をＮ１とし、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の数をＮ２とする。
本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が７０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。すなわち、本実施形態の誘電体組成物は、第２偏析相１８として、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に比べて、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を多く含む。
なお、焼成後に第１偏析相１６を構成する第１添加剤にチタン（Ｔｉ）が含まれていなくても、主相１４に含まれるチタン（Ｔｉ）が拡散して、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれることがある。
ここで、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１８が、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成される。」とは、以下に示すことを意味する。すなわち、これは、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１８に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が合計で９７モル％を超える場合である。
ここで、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相が、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される。」とは、以下に示すことを示す。すなわち、これは、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれるチタン（Ｔｉ）のモル比が３モル％以上であり、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が合計で９８モル％以上含まれることである。
本実施形態において、誘電体層２を構成する誘電体組成物がＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を有するか否かを判断する方法としては、特に限定されないが、以下に具体的な方法を例示する。
まず、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いて誘電体組成物の断面を撮影し、明視野（ＢＦ）像を得る。撮影する視野の広さは特に限定されないが、たとえば、１～１０μｍ四方程度の広さである。この明視野像において主相１４とは異なるコントラストを有する領域を異相であると認定する。異なるコントラストを有するか否か、すなわち異相を有するか否かの判断は、目視により行ってもよいし、画像処理を行うソフトウェア等により判断してもよい。
そして、上記の異相について、ＥＤＳ分析により、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の各量を測定する。
異相の同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の合計が９７モル％を超える場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相であると判断する。
この他にも、マッピング画像によりＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の有無を判断してもよい。具体的には、バリウム（Ｂａ）のマッピング画像と、希土類元素（ＲＥ）のマッピング画像と、ケイ素（Ｓｉ）のマッピング画像と、を比較して、同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が存在している箇所を特定する。そして、特定された箇所に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、特定された箇所に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の合計が９７モル％を超える場合には、その特定された箇所はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相であると判断する。
Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、バリウム（Ｂａ）が１０～２５モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、希土類元素（ＲＥ）が３３～５９モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
希土類元素（ＲＥ）の種類は、特に限定されないが、たとえばイットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）またはホルミウム（Ｈｏ）を用いることができる。希土類元素（ＲＥ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、ケイ素（Ｓｉ）が１６～５０モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
なお、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相は上記の元素以外の元素を含んでいてもよく、たとえばカルシウム（Ｃａ）等の元素を含有してもよい。
Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、カルシウム（Ｃａ）が実質的に含まれないことが好ましい。Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、カルシウム（Ｃａ）は２モル％以下含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の結晶系は正方晶であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の空間群は
であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い抵抗率を示すことができる。
結晶系が正方晶であり、空間群が
であるＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物としては、たとえばＢａ５Ｙ１３Ｓｉ８Ｏ４１が挙げられる。
＜３．積層セラミックコンデンサの製造方法＞
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について以下に説明する。
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について以下に説明する。
本実施形態では、上記の誘電体組成物を構成する主相１４の主成分であるＡＢＯ３粒子の仮焼き粉末と、第１添加剤の仮焼き粉末と、第２添加剤の仮焼き粉末と、を用意する。
第１添加剤の仮焼き粉末とは、焼成後に第１偏析相１６を構成する希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）の仮焼き粉末である。
第２添加剤の仮焼き粉末とは、焼成後に第２偏析相１８を構成するバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の仮焼き粉末である。
また、第３添加剤とは、焼成後に主相１４に含まれることになるマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）およびクロム（Ｃｒ）の仮焼き粉末である。なお、第３添加剤には、さらにバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）を含めることもできる。第３添加剤に含まれたバリウム、希土類元素およびケイ素は主相１４に含まれることになる。
上記の各元素の原料としては特に限定されず、各元素の酸化物を用いることができる。また、焼成により各元素の酸化物を得ることができる各種化合物を用いることができる。各種化合物としては、たとえば炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等が例示される。本実施形態では、上記の出発原料は粉末であることが好ましい。
準備した出発原料のうち、ＡＢＯ３粒子の原料を所定の割合に秤量した後、ボールミル等を用いて所定の時間、湿式混合を行う。混合粉を乾燥後、大気中において７００～１３００℃の範囲で熱処理を行い、ＡＢＯ３粒子の仮焼き粉末を得る。また、仮焼き粉末はボールミル等を用いて所定の時間、粉砕を行ってもよい。
焼成後に第１偏析相１６を構成する希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）の酸化物等の各種化合物等を準備し、熱処理した後にボールミル等を用いて所定の時間で粉砕して第１添加剤の仮焼き粉末を得る。たとえば、粉砕時間を変えることで、第１偏析相１６の円相当径を変えることができる。
焼成後にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を構成するバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の酸化物等の各種化合物等を準備し、熱処理した後にボールミル等を用いて所定の時間で粉砕して第２添加剤の仮焼き粉末を得る。たとえば、粉砕時間を変えることで、第２偏析相１８の円相当径を変えることができる。
焼成後に主相１４に含まれることになるマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）の酸化物や炭酸塩等の各種化合物等を準備し、熱処理して第３添加剤の仮焼き粉末を得る。
続いて、グリーンチップを作製するためのペーストを調製する。得られたＡＢＯ３粒子の仮焼き粉末と、第１添加剤の仮焼き粉末と、第２添加剤の仮焼き粉末と、第３添加剤の仮焼き粉末と、バインダと、溶剤と、を混練し塗料化して誘電体層用ペーストを調製する。バインダおよび溶剤は、公知のものを用いればよい。
誘電体層用ペーストは、必要に応じて、可塑剤や分散剤等の添加物を含んでもよい。
内部電極層用ペーストは、上述した導電材の原料と、バインダと、溶剤と、を混練して得られる。バインダおよび溶剤は、公知のものを用いればよい。内部電極層用ペーストは、必要に応じて、共材や可塑剤等の添加物を含んでもよい。
外部電極用ペーストは、内部電極層用ペーストと同様にして調製することができる。
得られた各ペーストを用いて、グリーンシートおよび内部電極パターンを形成し、これらを積層してグリーンチップを得る。
得られたグリーンチップに対し、必要に応じて、脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理条件は、たとえば、保持温度を好ましくは２００～３５０℃とする。
脱バインダ処理後、グリーンチップの焼成を行い、素子本体１０を得る。本実施形態では、焼成時の雰囲気は特に限定されず、空気中であってもよいし、還元雰囲気下であってもよい。本実施形態では、焼成時の保持温度は特に限定されず、たとえば１２００～１３５０℃である。
焼成後、得られた素子本体１０に対し、必要に応じて、再酸化処理（アニール）を行う。アニール条件は、たとえば、アニール時の酸素分圧を焼成時の酸素分圧よりも高い酸素分圧とし、保持温度を１１５０℃以下とすることが好ましい。
上記のようにして得られた素子本体１０の誘電体層２を構成する誘電体組成物は、上述した誘電体組成物である。この素子本体１０に端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼き付けし、外部電極４を形成する。そして、必要に応じて、外部電極４の表面に、めっき等により被覆層を形成する。
このようにして、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１が製造される。
回路基板に搭載されている積層セラミックコンデンサ１は、回路基板の撓み等の変形により応力が印加されることがある。そのため、誘電体組成物には、機械的強度が高いことが求められる。
これに対して、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上記の通り密度が高い誘電体組成物を含む誘電体層２を備えることにより、高い強度を示すことができる。
本実施形態では、素子本体１０の縦寸法Ｌ０（図１Ａ参照）は、３．５～０．４ｍｍであることが好ましい。本実施形態では、素子本体１０の幅寸法Ｗ０（図１Ｂ参照）は、２．７～０．２ｍｍであることが好ましい。本実施形態では、素子本体１０の高さ寸法Ｈ０（図１Ｂ参照）は、２．７～０．２ｍｍであることが好ましい。素子本体１０のサイズを小さくすることで、積層セラミックコンデンサ１を実装した基板がひずんだ際に、積層セラミックコンデンサ１に機械的な故障が生じにくくなる。すなわち、本実施形態に係る誘電体組成物から構成される素子本体１０は、そのサイズを小さくすることで、機械的強度がより向上する傾向となる。
素子本体１０の具体的なサイズとしては、Ｌ０×Ｗ０が（３．２±０．３）ｍｍ×（２．５±０．２）ｍｍ、（３．２±０．３）ｍｍ×（１．６±０．２）ｍｍ、（２．０±０．２）ｍｍ×（１．２±０．１）ｍｍ、（１．６±０．２）ｍｍ×（０．８±０．１）ｍｍ、（１．０±０．１）ｍｍ×（０．５±０．０５）ｍｍ、（０．６±０．０６）ｍｍ×（０．３±０．０３）ｍｍ、（０．４±０．０４）ｍｍ×（０．２±０．０２）ｍｍの場合等が挙げられる。また、Ｈ０は特に限定されず、たとえばＷ０と同等以下程度である。
［第２実施形態］
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、以下に示す以外は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１と同様である。
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、以下に示す以外は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１と同様である。
本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。すなわち、本実施形態の誘電体組成物は、第２偏析相１８として、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に比べて、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を多く含む。
本実施形態において、誘電体層を構成する誘電体組成物がＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を有するか否かを判断する方法としては、特に限定されないが、たとえば第１実施形態と同様の方法により判断することができる。
まず、第１実施形態と同様にして、ＳＴＥＭを用いて誘電体組成物の断面中に異相を認定する。
そして、上記の異相について、ＥＤＳ分析により、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の各量を測定する。
異相の同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるチタン（Ｔｉ）のモル比が３モル％以上であり、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の合計が９８モル％以上である場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相であると判断する。
この他にも、マッピング画像によりＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の有無を判断してもよい。具体的には、バリウム（Ｂａ）のマッピング画像と、希土類元素（ＲＥ）のマッピング画像と、ケイ素（Ｓｉ）のマッピング画像と、チタン（Ｔｉ）のマッピング画像と、を比較して、同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が存在している箇所を特定する。そして、特定された箇所に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、特定された箇所に含まれるチタン（Ｔｉ）が３モル％以上であり、特定された箇所に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の合計が９８モル％以上である場合には、その特定された箇所はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相であると判断する。
本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、バリウム（Ｂａ）が１０～２５モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、希土類元素（ＲＥ）が３３～５９モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、ケイ素（Ｓｉ）が１２～５０モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、チタン（Ｔｉ）が３～１７モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
なお、本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は上記の元素以外の元素を含んでいてもよく、たとえばカルシウム（Ｃａ）等の元素を含有してもよい。
本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、カルシウム（Ｃａ）が実質的に含まれないことが好ましい。Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、カルシウム（Ｃａ）が２モル％以下含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い抵抗率を示すことができる。
本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法は特に限定されないが、たとえば第２添加剤にさらに、チタン（Ｔｉ）を含ませて、第１実施形態と同様の方法により製造することで、本実施形態の積層セラミックコンデンサを得ることができる。
この他に、たとえばＢがチタン（Ｔｉ）を含み、（Ａのモル比／Ｂのモル比）で表されるＡとＢのモル比が１未満であるＡＢＯ３を主相１４の主成分として用いる。これにより、主相１４に含まれるチタン（Ｔｉ）が第２偏析相１８に拡散するため、第２添加剤の仮焼き粉末の原料にチタン（Ｔｉ）の酸化物を含めなくてもＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を得ることができる。
［第３実施形態］
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、以下に示す以外は、第１実施形態および第２実施形態の積層セラミックコンデンサと同様である。
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、以下に示す以外は、第１実施形態および第２実施形態の積層セラミックコンデンサと同様である。
本実施形態の誘電体組成物では、第２偏析相１８として、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相と、が混在している。
本実施形態の誘電体組成物において、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相と、が混在しているか否かを判断する方法としては、特に限定されないが、たとえば以下のように、第１実施形態および第２実施形態と同様にして判断することができる。
まず、第１実施形態と同様にして、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を認定し、第２実施形態と同様にして、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を認定する。
本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が１０～９０％である場合を「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相とが混在している」と判断する。
本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％超７０％未満である場合を「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相とが混在している」と判断することが好ましい。
本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法としては、特に限定されないが、たとえばチタン（Ｔｉ）を含まない第２添加剤の仮焼き粉末と、チタン（Ｔｉ）を含む第２添加剤の仮焼き粉末と、を準備し、これらを組み合わせる。この他は第１実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法と同様にして、本実施形態の積層セラミックコンデンサを製造することができる。
［変形例］
上述した実施形態では、本発明に係る電子部品が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、本発明に係る電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、上述した誘電体組成物を有する電子部品であれば何でもよい。
上述した実施形態では、本発明に係る電子部品が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、本発明に係る電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、上述した誘電体組成物を有する電子部品であれば何でもよい。
たとえば、上述した誘電体組成物に一対の電極が形成された単板型のセラミックコンデンサであってもよい。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の態様で改変してもよい。
以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
誘電体組成物に含まれる複合酸化物粒子の出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）の粉末を準備した。焼成後の主相の主成分化合物が表１、３、５、７、９および１１に記載の通りになるように、準備した出発原料を秤量した。
次に、秤量した各粉末を、分散媒としてのイオン交換水を用いてボールミルにより１６時間湿式混合し、混合物を乾燥して混合原料粉末を得た。その後、得られた混合原料粉末を、大気中において保持温度９００℃、保持時間２時間の条件で熱処理を行い、主相の主成分化合物の仮焼き粉末を得た。
また、第１添加剤の原料として、希土類元素（ＲＥ）の酸化物、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）および酸化チタン（ＴｉＯ２）の粉末を準備した。第１添加剤の添加量が表１、３、５、７、９および１１に記載の通りになるように、準備した出発原料を秤量した。
また、第２添加剤の原料として、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、希土類元素（ＲＥ）の酸化物、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）および／または酸化チタン（ＴｉＯ２）の粉末を準備した。第２添加剤の添加量が表１、３、５、７、９および１１に記載の通りになるように、準備した出発原料を秤量した。
なお、表１、３、５、７、９および１１に記載の第２添加剤の添加量は、主相の主成分化合物を１００質量％としたときの第２添加剤の添加量を示している。
炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、希土類元素（ＲＥ）の酸化物、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）および／または酸化チタン（
ＴｉＯ２）の粉末に対して、大気中において保持温度９００℃、保持時間２時間の条件で熱処理を行い、第２添加剤の仮焼き粉末を得た。
ＴｉＯ２）の粉末に対して、大気中において保持温度９００℃、保持時間２時間の条件で熱処理を行い、第２添加剤の仮焼き粉末を得た。
また、第３添加剤の原料として、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マンガン（ＭｎＯ）および酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）の粉末を準備した。主相のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対するマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）およびクロム（Ｃｒ）の含有量が表１、３、５、７、９および１１に記載の通りになるように、準備した出発原料を秤量した。
炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マンガン（ＭｎＯ）および酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）の粉末に対して、大気中において保持温度９００℃、保持時間２時間の条件で熱処理を行い、第３添加剤の仮焼き粉末を得た。
得られた主相の主成分化合物の仮焼き粉末、第１添加剤、第２添加剤の仮焼き粉末および第３添加剤の仮焼き粉末を分散媒としてのイオン交換水を用いてボールミルにより１６時間湿式粉砕し、粉砕物を乾燥した。
粉砕物１００質量％に対して、バインダとしてのポリビニルアルコール樹脂を６質量％含む水溶液を１０質量％加えて造粒し、造粒粉を得た。
得られた造粒粉をφ１２ｍｍの金型に投入し、０．６ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力で仮プレス成形し、さらに、１．２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力で本プレス成形して、円盤状のグリーン成形体を得た。
得られたグリーン成形体を還元雰囲気下で焼成し、さらにアニール処理を行い、還元雰囲気下で焼成した焼結体（誘電体組成物）を得た。焼成条件は、昇温速度を２００℃／ｈ、保持温度を１２５０℃、保持時間を２時間とした。雰囲気ガスは、露点２０℃に加湿した窒素と水素との混合ガス（水素濃度３％）とした。また、アニール処理条件は、保持温度を１０５０℃、保持時間を２時間とした。雰囲気ガスは、露点２０℃に加湿した窒素ガスとした。
得られた焼結体の両主面にＩｎ－Ｇａ合金を塗布して、一対の電極を形成することにより、円盤状のセラミックコンデンサの試料を得た。
得られた誘電体組成物の断面の１０μｍ×１０μｍの視野について、ＳＴＥＭにより異相を認定し、ＥＤＳを用いて、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の各量を測定した。
同じ位置に希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれる希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）および（Ｔｉ）の合計が７０モル％以上であり、バリウム（Ｂａ）のモル比が１０モル％未満である場合には、その異相は第１偏析相であると判断した。
同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の合計が９７モル％を超える場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１８であると判断した。
同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるチタン（Ｔｉ）のモル比が３モル％以上であり、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の合計が９８モル％以上である場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相であると判断した。
表２、４、６、８、１０および１２では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が７０％以上の場合は、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相」と記載しており、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％以下の場合は、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相」と記載しており、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％超７０％未満の場合は、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相およびＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の混在」と記載している。
なお、希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）の第１添加剤のモル比と、第１偏析相に含まれる希土類元素（ＲＥ）、カルシウム（Ｃａ）およびチタン（Ｔｉ）の平均のモル比は一致していた。
また、バリウム（Ｂａ）、希土類元素、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の第２添加剤のモル比と、第２偏析相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の平均のモル比はそれぞれ一致していた。
得られた誘電体組成物に含まれていた第１偏析相について，電子線回折を行い、電子線回折図形を分析することで結晶系を解析した。結果を表１、３、５、７、９および１１に示す。
なお、表９および表１０の試料では、第１偏析相の面積比率を測定した。結果を表９に示す。
表１１および表１２の試料番号１１１～１１８では、第１偏析相の円相当径および第２偏析相の円相当径を測定した。結果を表１１および表１２に示す。
なお、第１添加剤の仮焼き粉末を得る際の粉砕時間は表１１に記載の通りであった。
また、第２添加剤の仮焼き粉末を得る際の粉砕時間は表１２に記載の通りであった。
コンデンサ試料の密度は以下のようにして測定した。焼成後の円盤状のコンデンサ試料の直径を３か所測定して直径Ｒを得た。次に円盤状のコンデンサ試料の厚みを３か所測定して厚みｈを得た。得られたＲとｈを使用し、円盤状のコンデンサ試料の体積Ｖ（＝１／４・π・Ｒ２・ｈ）を算出した。ここでのπは円周率を示す。続いて、円盤状のコンデンサ試料の質量ｍを測定し、ｍ／Ｖを計算することで円盤状のコンデンサ試料の密度を得た。３個の試料について評価した密度の結果の平均値を表２、４、６、８、１０および１２に示す。
表１～１２より、第１偏析相および第２偏析相を有する場合（試料番号５～３２、４１～７８、８１～８４、９１～９４、１０１、１１１～１１８）は、第１偏析相を有していない場合（試料番号１および４）に比べて、抵抗率が高いことが確認できた。
表１～１２より、第１偏析相および第２偏析相を有する場合（試料番号５～３２、４１～７８、８１～８４、９１～９４、１０１、１１１～１１８）は、第２偏析相を有していない場合（試料番号１～３）に比べて、密度が高いことが確認できた。
１… 積層セラミックコンデンサ
１０… 素子本体
２… 誘電体層
１４… 主相
１６… 第１偏析相
１８… 第２偏析相
３… 内部電極層
４… 外部電極
１０… 素子本体
２… 誘電体層
１４… 主相
１６… 第１偏析相
１８… 第２偏析相
３… 内部電極層
４… 外部電極
Claims (5)
- 主相と、第１偏析相と、第２偏析相と、を含む誘電体組成物であって、
前記主相はＡＢＯ3で表される化合物を主成分とし、
前記Ａはバリウムおよびカルシウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記Ｂはチタンおよびジルコニウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記第１偏析相は、実質的に｛ＲＥxＣａ(1-x)｝mＴｉＯ[2+m(1+x)]で表される化合物で構成され、
前記第１偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記第１偏析相には、
カルシウムが１１モル％以下含まれ、
チタンが４４～５５モル％含まれ、
希土類元素が３６～５５モル％含まれ、
前記第２偏析相は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相およびＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうちの少なくともいずれか１つであり、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成され、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成され、
前記ＲＥは希土類元素を示す誘電体組成物。 - 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１６～５０モル％含まれ、
バリウム、希土類元素およびケイ素が合計で９７モル％より多く含まれ、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１２～５０モル％含まれ、
チタンが３～１７モル％含まれ、
バリウム、希土類元素、ケイ素およびチタンが合計で９８モル％以上含まれる請求項１に記載の誘電体組成物。 - 前記Ａはバリウムである請求項１または２に記載の誘電体組成物。
- 前記Ｂはチタンである請求項１～３のいずれかに記載の誘電体組成物。
- 請求項１～４のいずれかに記載の誘電体組成物を備える電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019196716A JP7310543B2 (ja) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 誘電体組成物および電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019196716A JP7310543B2 (ja) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 誘電体組成物および電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021070596A JP2021070596A (ja) | 2021-05-06 |
| JP7310543B2 true JP7310543B2 (ja) | 2023-07-19 |
Family
ID=75712720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019196716A Active JP7310543B2 (ja) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 誘電体組成物および電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7310543B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7614013B2 (ja) * | 2021-05-26 | 2025-01-15 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および積層セラミック電子部品 |
| JP7701226B2 (ja) * | 2021-09-16 | 2025-07-01 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および積層セラミック電子部品。 |
| KR20240153829A (ko) * | 2023-04-17 | 2024-10-24 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307940A (ja) | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP2013103876A (ja) | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品 |
| JP2015046589A (ja) | 2013-07-30 | 2015-03-12 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| US20160168036A1 (en) | 2014-12-16 | 2016-06-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Low-temperature sintering dielectric composition and multilayer ceramic capacitor formed thereof |
-
2019
- 2019-10-29 JP JP2019196716A patent/JP7310543B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307940A (ja) | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP2013103876A (ja) | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品 |
| JP2015046589A (ja) | 2013-07-30 | 2015-03-12 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| US20160168036A1 (en) | 2014-12-16 | 2016-06-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Low-temperature sintering dielectric composition and multilayer ceramic capacitor formed thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021070596A (ja) | 2021-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5531863B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 | |
| JP5434407B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| CN112992538B (zh) | 电介质组合物及电子部件 | |
| JP2022143403A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| CN107793148B (zh) | 电介质组合物和层叠电子部件 | |
| JP7351205B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| CN104520950B (zh) | 层叠陶瓷电容器及其制造方法 | |
| JP2010037112A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2013180906A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2007331958A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2011162396A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP4299827B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ | |
| JP7310543B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| CN111954649A (zh) | 介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件 | |
| JP7276663B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP7276659B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP7099212B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP7196484B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP2007063040A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法、および電子部品 | |
| JP7310542B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP7575961B2 (ja) | 誘電体組成物、電子部品および積層電子部品 | |
| JP7723621B2 (ja) | 積層電子部品 | |
| JP2025028618A (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| CN119495509A (zh) | 电介质组合物及电子部件 | |
| JP2025140709A (ja) | 誘電体組成物および電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200106 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220531 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230414 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230606 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230619 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7310543 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |