JP7331107B2 - 半導体製造装置用部材 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体製造装置用部材に関する。
エッチング装置やＣＶＤ装置等の半導体製造装置において、表面がウエハ載置面である円盤状のセラミックプレートの裏面に円筒状のセラミックシャフトを繋いだ構造の半導体製造装置用部材が使用されることがある。こうした半導体製造装置用部材としては、セラミックプレートに高周波電極（ＲＦ電極）が埋設され、このＲＦ電極を利用してプラズマを発生させるものが知られている。例えば、特許文献１の半導体製造装置用部材では、ＲＦ電極に複数のＲＦロッドが接続されており、複数のＲＦロッドはセラミックシャフトの中空内部に配置された１つのＲＦコネクタから分岐している。特許文献１では、１本のＲＦロッドではなく複数のＲＦロッドを備えているため、ＲＦロッド１本当たりに流れる電流を小さくすることができ、それに伴いＲＦロッド１本当たりの発熱量も減少する。したがって、セラミックプレートにホットスポットが生じにくくなる。
特開２０１６－１８４６４２号公報
しかしながら、特許文献１のようにセラミックシャフトの中空内部にＲＦコネクタが配置されていると、ＲＦコネクタが発熱することによりセラミックシャフトの中空内部の温度が高くなることがあった。その場合、ＲＦロッドの発熱量が小さくても、ＲＦロッドの温度が上がりやすくなり、セラミックプレートにホットスポットが生じるおそれがあった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、複数のＲＦロッドを備えた半導体製造装置用部材において、セラミックプレートにホットスポットが生じるのを確実に防止することを主目的とする。
本発明の半導体製造装置用部材は、
表面がウエハ載置面であるセラミックプレートの裏面に中空のセラミックシャフトを設けた構造の半導体製造装置用部材であって、
前記セラミックプレートに埋設されたＲＦ電極と、
前記セラミックシャフトの中空内部の外側に配置されたＲＦコネクタと、
前記ＲＦコネクタと前記ＲＦ電極との間に設けられたＲＦリンク部材と、
を備え、
前記ＲＦリンク部材は、複数のＲＦロッドで構成された分岐部を有し、前記分岐部は、前記セラミックシャフトの外側まで続いている、
ものである。
この半導体製造装置用部材では、ＲＦリンク部材は、複数のＲＦロッドで構成された分岐部を有している。これにより、ＲＦリンク部材の電流流路の表面積が増加するため、表皮効果による抵抗の増加を抑えることができる。また、ＲＦロッド１本当たりに流れる電流が小さくなるため、ＲＦロッド１本当たりの発熱量が減少する。一方、ＲＦコネクタは、セラミックシャフトの中空内部の外側に配置される。これにより、ＲＦコネクタが発熱したとしてもそれによってセラミックシャフトの中空内部の温度が高くなることはない。そのため、セラミックシャフトの中空内部に配置されたＲＦロッドの温度が上がりやすいという状況を招くことはない。したがって、本発明の半導体製造装置用部材によれば、セラミックプレートにホットスポットが生じるのを確実に防止することができる。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記複数のＲＦロッドは、前記セラミックプレートの裏面の手前の第１集約部で１つにまとめられて前記ＲＦ電極に接続されていてもよい。こうすれば、ＲＦリンク部材をＲＦ電極に接続する際、セラミックプレートに設ける穴を少なくすることができる。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記複数のＲＦロッドは、個別に前記ＲＦ電極に接続されていてもよい。こうすれば、複数のＲＦロッドの１つが何らかの理由でＲＦ電極から外れたとしても、他のＲＦロッドからＲＦ電極に電力を供給することができる。
本発明の半導体製造装置用部材において、ＲＦ電極は、セラミックプレートの内部で高さの異なる複数の面に亘って設けられていてもよい。こうすれば、ＲＦ電極の高さの異なる面ごとにプラズマの密度を変えることができる。この場合、複数のＲＦロッドは、ＲＦ電極の各面に個別に接続されていてもよい。こうすれば、ＲＦロッド間の距離を確保できる。例えば、発熱するＲＦロッド間の距離を大きくすることにより、ＲＦロッド同士が互いに加熱し合うことを防止できる。また、セラミックプレートの裏面に近いＲＦ電極とセラミックプレートの裏面から遠いＲＦ電極のそれぞれにＲＦロッドが接続されるため、セラミックプレートの裏面に近いＲＦ電極に接続されるＲＦロッドの穴の深さが浅くなり、セラミックプレートの加工負荷が小さくなり破損リスクを抑えられる。これに対して、セラミックプレートの裏面から遠いＲＦ電極に複数本のＲＦロッドが接続される場合には、複数本のＲＦロッドの穴の深さが深くなり、セラミックプレートの加工負荷が大きくなり破損リスクが高まる。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記複数のＲＦロッドは、前記ＲＦコネクタの手前の第２集約部で１つにまとめられて前記ＲＦコネクタに接続されていてもよい。こうすれば、ＲＦリンク部材をＲＦコネクタに接続する際、ＲＦリンク部材とＲＦコネクタとの接続箇所を少なくすることができる。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記ＲＦロッドを長手方向に対して垂直方向に切断したときの断面は、外周部に少なくとも１つの凹部を有する形状であってもよい。こうすれば、ＲＦロッドの表面積は凹部を有さない場合に比べて大きくなるため、表皮効果による抵抗の増加をより抑えることができ、ＲＦロッド１本当たりの発熱量がより減少する。
本発明の半導体製造装置用部材は、前記セラミックプレートに埋設された抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に接続され、前記セラミックシャフトの中空内部を通って前記セラミックシャフトの外側まで設けられた一対のヒータロッドと、を備えていてもよく、前記ＲＦリンク部材の基端は、前記ヒータロッドの基端よりも前記セラミックシャフトに近い位置にあってもよい。こうすれば、ＲＦリンク部材の発熱する部分が短くなるので、結果として発熱量が少なくなる。さらに、ＲＦリンク部材の基端に対して行う作業とヒータロッドの基端に対して行う作業とは干渉しにくいため、それぞれの作業をスムーズに行いやすくなる。また、ＲＦリンク部材の長さを比較的短くすることができるため、ＲＦリンク部材の抵抗を低く抑えることができ、ＲＦリンク部材の発熱量を低く抑えることができる。
本発明の半導体製造装置用部材は、前記セラミックプレートに埋設された抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に接続され、前記セラミックシャフトの中空内部を通って前記セラミックシャフトの外側まで設けられた一対のヒータロッドと、を備えていてもよく、ＲＦロッドは、ヒータロッドよりも太いことが好ましい。つまり、ＲＦロッドの直径は、ヒータロッドの直径よりも大きいことが好ましい。こうすれば、ＲＦロッドの表面積が大きくなるため、ＲＦロッドを流れるＲＦ電流の抵抗が低くなる。そのため、ＲＦロッド１本当たりの発熱量が更に減少する。なお、半導体製造装置用部材が第１集約部を備えている場合には、第１集約部の直径はヒータロッドの直径よりも大きいことが好ましい。半導体製造装置用部材が第２集約部を備えている場合には、第２集約部の直径はヒータロッドの直径よりも大きいことが好ましい。
セラミックヒータ１０の縦断面図。 ＲＦリンク部材１４０の周辺部分の縦断面図。 ＲＦリンク部材２４０の周辺部分の縦断面図。 ＲＦリンク部材３４０の周辺部分の縦断面図。 ＲＦロッド４２の変形例の断面図。 ＲＦ電極４１６を備えたセラミックヒータの縦断面図。
次に、本発明の好適な実施形態につき、図面を参照しながら以下に説明する。図１はセラミックヒータ１０の縦断面図である。
なお、本明細書において、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、セラミックヒータ１０の向きによって「上」「下」は「下」「上」になったり「左」「右」になったり「前」「後」になったりする。
セラミックヒータ１０は、半導体製造装置用部材の一つである。セラミックヒータ１０は、プラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどの処理を施すウエハを支持して加熱するために用いられるものであり、図示しない半導体プロセス用のチャンバの内部に取り付けられる。このセラミックヒータ１０は、セラミックプレート１２と、セラミックシャフト２０と、ヒータロッド２４と、ＲＦコネクタ３０と、ＲＦリンク部材４０とを備えている。
セラミックプレート１２は、ＡｌＮを主成分とする円盤状の部材である。このセラミックプレート１２は、ウエハを載置可能なウエハ載置面１２ａを備えている。セラミックプレート１２のウエハ載置面１２ａとは反対側の面（裏面）１２ｂには、セラミックシャフト２０が接合されている。セラミックプレート１２には、抵抗発熱体１４とＲＦ電極１６とが埋設されている。抵抗発熱体１４は、Ｍｏを主成分とするコイルをセラミックプレート１２の全面にわたってウエハ載置面１２ａと実質的に平行になるように一筆書きの要領で配線したものである。ＲＦ電極１６は、セラミックプレート１２よりもやや小径の円盤状の薄層電極であり、Ｍｏを主成分とする細い金属線を網状に編み込んでシート状にしたメッシュで形成されている。このＲＦ電極１６は、セラミックプレート１２のうち抵抗発熱体１４とウエハ載置面１２ａとの間にウエハ載置面１２ａと実質的に平行になるように埋設されている。抵抗発熱体１４やＲＦ電極１６の材質をＭｏとしたのは、セラミックプレート１２の主成分であるＡｌＮと熱膨張係数が近く、セラミックプレート１２の製造時にクラックが生じにくいからである。抵抗発熱体１４やＲＦ電極１６は、Ｍｏ以外の材質であっても、ＡｌＮと熱膨張係数が近い導電性材料であれば使用することができる。なお、セラミックプレート１２の裏面１２ｂのうちセラミックシャフト２０に囲まれた領域には、セラミックプレート１２の温度を検出する熱電対（図示せず）が差し込まれている。
セラミックシャフト２０は、ＡｌＮを主成分とする円筒状の部材であり、上部開口の周囲に第１フランジ２０ａ、下部開口の周囲に第２フランジ２０ｂを有している。第１フランジ２０ａの端面は、セラミックプレート１２の裏面１２ｂに固相接合法により接合されている。第２フランジ２０ｂの端面は、図示しないチャンバに固定される。
ヒータロッド２４は、Ｍｏなどの金属で形成された断面円形のロッドである。一対のヒータロッド２４のうちの一方のヒータロッド２４の上端は抵抗発熱体１４の一端に接合され、他方のヒータロッド２４の上端は抵抗発熱体１４の他端に接合されている。一対のヒータロッド２４の下端は、セラミックシャフト２０の中空内部２２の外側に露出しており、ケーブル２６を介してヒータ電源２８に接続されている。ヒータ電源２８は、本実施形態ではＡＣ電源であるが、ＤＣ電源を採用してもよい。
ＲＦコネクタ３０は、セラミックシャフト２０の中空内部２２の外側（下側）に配置されている。このＲＦコネクタ３０は、ソケット３２とＲＦベースロッド３６とを備えている。ソケット３２は、Ｎｉなどの導電性金属で形成された略直方体又は略円柱形の部材である。ソケット３２の上面には、ＲＦリンク部材４０のＲＦロッド４２を差し込むための２つの差込穴３４が設けられている。差込穴３４は、差し込まれたＲＦロッド４２を保持する。ＲＦベースロッド３６は、Ｎｉなどの導電性金属で形成されたロッドであり、ソケット３２の下面に一体化されている。ＲＦベースロッド３６は、ケーブル３７を介してＲＦ電源３８に接続されている。
ＲＦリンク部材４０は、複数（ここでは２本）のＲＦロッド４２で構成された分岐部４４を有している。ＲＦロッド４２は、Ｎｉなどの導電性金属で形成された断面円形のロッドである。複数のＲＦロッド４２は、分岐したまま、上端がセラミックプレート１２の裏面１２ｂに設けられた穴１３を通してＲＦ電極１６に接続されている。また、複数のＲＦロッド４２は、分岐したまま、下端がＲＦコネクタ３０の差込穴３４に差し込まれている。本実施形態では、ＲＦリンク部材４０は、分岐部４４であり、ＲＦ電極１６からセラミックシャフト２０の中空内部２２を経てＲＦコネクタ３０に達している。そのため、分岐部４４の一部は、セラミックシャフト２０の中空内部２２に配置されている。ＲＦリンク部材４０は、ＲＦコネクタ３０及びケーブル３７を介してＲＦ電源３８に接続されている。ＲＦロッド４２の下端は、ヒータロッド２４の下端よりもセラミックシャフト２０に近い位置にある。ＲＦロッド４２同士の間にはヒータロッド２４が配置されていない。ＲＦロッド４２同士の間隔は、ＲＦロッド４２の直径以上である。
次に、セラミックヒータ１０の使用例について説明する。図示しないチャンバ内にセラミックヒータ１０を配置し、ウエハ載置面１２ａにウエハを載置する。そして、ケーブル２６及びヒータロッド２４を介して抵抗発熱体１４にヒータ電源２８の電圧を印加することにより、ウエハを加熱する。具体的には、図示しない熱電対の検出信号に基づいてウエハの温度を求め、その温度が設定温度（例えば３５０℃とか３００℃）になるように抵抗発熱体１４へ印加する電圧を制御する。また、ケーブル３７、ＲＦコネクタ３０及びＲＦリンク部材４０を介してＲＦ電極１６にＲＦ電源３８の交流高周波電圧を印加することにより、チャンバ内の上方に設置された図示しない対向水平電極とセラミックプレート１２に埋設されたＲＦ電極１６とからなる平行平板電極間にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。ＲＦ電極１６に直流電圧を印加すれば静電電極（ＥＳＣ電極）として使用することができる。
以上詳述したセラミックヒータ１０では、ＲＦリンク部材４０は、複数のＲＦロッド４２で構成された分岐部４４を有している。これにより、ＲＦリンク部材４０の電流流路の表面積が増加するため、表皮効果による抵抗の増加を抑えることができる。また、ＲＦロッド１本当たりに流れる電流が小さくなるため、ＲＦロッド１本当たりの発熱量が減少する。一方、ＲＦコネクタ３０は、セラミックシャフト２０の中空内部２２の外側に配置される。これにより、ＲＦコネクタ３０が発熱したとしてもそれによってセラミックシャフト２０の中空内部２２の温度が高くなることはない。そのため、セラミックシャフト２０の中空内部２２に配置されたＲＦロッド４２の温度が上がりやすいという状況を招くことはない。したがって、セラミックヒータ１０によれば、セラミックプレート１２にホットスポットが生じるのを確実に防止することができる。また、セラミックシャフト２０の中空内部２２の外側にＲＦコネクタ３０が配置されるため、ＲＦリンク部材４０とＲＦコネクタ３０との接続作業をスムーズに行うことができる。
また、複数のＲＦロッド４２は、個別にＲＦ電極１６に接続されているため、複数のＲＦロッド４２のうちの１つが何らかの理由でＲＦ電極１６から外れたとしても、他のＲＦロッド４２からＲＦ電極１６に電力を供給することができる。また、複数のＲＦロッド４２がＲＦ電極１６に接続されるため、表皮効果による抵抗増を生じることなく、発熱量を抑えることができる。
更に、ＲＦリンク部材４０の基端（下端）は、ヒータロッド２４の基端（下端）よりもセラミックシャフト２０に近い位置にある。これにより、ＲＦリンク部材４０の基端に対して行う作業とヒータロッド２４の基端に対して行う作業とは干渉しにくいため、それぞれの作業をスムーズに行いやすくなる。またＲＦリンク部材４０の長さを比較的短くすることができるため、ＲＦリンク部材４０の抵抗を低く抑えることができ、ＲＦリンク部材４０の発熱量を低く抑えることができる。更に、ヒータロッド２４は、高周波電流が流れないため表皮効果がなく、ＲＦロッド４２よりも低抵抗なため、長くしてもヒータロッド２４の発熱量はほとんど増えることはない。
更にまた、ノイズの影響はノイズ発信源との距離が遠いほど弱くなるため、ＲＦロッド４２間にヒータロッド２４を配置しないことで、ヒータロッド２４に印加される電圧がＲＦロッド４２に印加される高周波電圧の影響を受けて変動するおそれが少なくなる。
そして、ＲＦロッド４２同士の間隔は、ＲＦロッド４２の直径以上であり、複数のＲＦロッド４２は十分な間隔を持って配置されるため、１つのＲＦロッド４２が他のＲＦロッド４２の発熱の影響を受けるおそれが少ない。
そしてまた、ＲＦロッド４２はヒータロッド２４よりも太い（ＲＦロッド４２の直径はヒータロッド２４の直径よりも大きい）ことが好ましい。こうすれば、ＲＦロッド４２の表面積が大きくなるため、ＲＦロッド４２を流れるＲＦ電流の抵抗が低くなる。そのため、ＲＦロッド１本当たりの発熱量が更に減少する。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態のＲＦリンク部材４０の代わりに、図２のＲＦリンク部材１４０を採用してもよい。図２では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。ＲＦリンク部材１４０は、複数（ここでは２本）のＲＦロッド１４２で構成された分岐部１４４と、セラミックプレート１２の裏面１２ｂの手前で複数のＲＦロッド１４２が１つにまとめられた円柱状の集約部１４５とを備えている。ＲＦロッド１４２は、分岐したまま、下端がＲＦコネクタ３０の差込穴３４に差し込まれている。ＲＦロッド１４２の上端は、集約部１４５で１つのロッドに集約されてＲＦ電極１６に接続されている。ＲＦリンク部材１４０は、ＲＦ電極１６からセラミックシャフト２０の中空内部２２を経てＲＦコネクタ３０に達している。分岐部１４４の一部は、セラミックシャフト２０の中空内部２２に配置されている。ＲＦリンク部材１４０の下端は、ヒータロッド２４（図１参照）の下端よりもセラミックシャフト２０に近い位置にある。図２では、ＲＦリンク部材１４０のほとんどの部分が複数のＲＦロッド１４２で構成されているため、発熱を抑制することができる。また、ＲＦリンク部材１４０をＲＦ電極１６に接続する際、セラミックプレート１２に設ける穴１３を少なくすることができる。ＲＦロッド１４２や集約部１４５はヒータロッド２４よりも太いことが好ましい。こうすれば、ＲＦロッド１４２や集約部１４５の表面積が大きくなるため、ＲＦロッド１４２や集約部１４５を流れるＲＦ電流の抵抗が低くなり、それらの発熱量が小さくなる。
上述した実施形態のＲＦリンク部材４０の代わりに、図３のＲＦリンク部材２４０を採用してもよい。図３では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。ＲＦリンク部材２４０は、複数（ここでは２本）のＲＦロッド２４２で構成された分岐部２４４と、セラミックプレート１２の裏面１２ｂの手前で複数のＲＦロッド２４２が１つにまとめられた円柱状の第１集約部２４５と、ＲＦコネクタ３０の手前で複数のＲＦロッド２４２が１つにまとめられた円柱状の第２集約部２４６とを備えている。ＲＦロッド２４２の上端は、第１集約部２４５で１つのロッドに集約されてＲＦ電極１６に接続されている。ＲＦロッド２４２の下端は、第２集約部２４６で１つのロッドに集約されてＲＦコネクタ３０の差込穴３４に差し込まれている。ＲＦリンク部材２４０は、ＲＦ電極１６からセラミックシャフト２０の中空内部２２を経てＲＦコネクタ３０に達している。分岐部２４４の一部は、セラミックシャフト２０の中空内部２２に配置されている。ＲＦリンク部材２４０の下端は、ヒータロッド２４（図１参照）の下端よりもセラミックシャフト２０に近い位置にある。図３では、ＲＦリンク部材２４０をＲＦ電極１６に接続する際、セラミックプレート１２に設ける穴１３を少なくすることができる。また、ＲＦリンク部材２４０をＲＦコネクタ３０に接続する際、上述した実施形態に比べて接続箇所（差込穴３４）を少なくすることができる。なお、ＲＦ電極１６とＲＦコネクタ３０との間に、複数のＲＦリンク部材２４０を設けてもよい。ＲＦロッド２４２や第１及び第２集約部２４５，２４６はヒータロッド２４よりも太いことが好ましい。こうすれば、ＲＦロッド２４２や第１及び第２集約部２４５，２４６の表面積が大きくなるため、ＲＦロッド２４２や第１及び第２集約部２４５，２４６を流れるＲＦ電流の抵抗が低くなり、それらの発熱量が小さくなる。
上述した実施形態のＲＦリンク部材４０の代わりに、図４のＲＦリンク部材３４０を採用してもよい。図４では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。ＲＦリンク部材３４０は、複数（ここでは２本）のＲＦロッド３４２で構成された分岐部３４４と、ＲＦコネクタ３０の手前で複数のＲＦロッド３４２が１つにまとめられた集約部３４６とを備えている。ＲＦロッド３４２は、分岐したまま、上端がＲＦ電極１６に接続されている。ＲＦロッド３４２の下端は、集約部３４６で１つのロッドに集約されてＲＦコネクタ３０の差込穴３４に差し込まれている。ＲＦリンク部材３４０は、ＲＦ電極１６からセラミックシャフト２０の中空内部２２を経てＲＦコネクタ３０に達している。分岐部３４４の一部は、セラミックシャフト２０の中空内部２２に配置されている。ＲＦリンク部材３４０の下端は、ヒータロッド２４（図１参照）の下端よりもセラミックシャフト２０に近い位置にある。図４では、ＲＦリンク部材３４０をＲＦコネクタ３０に接続する際、上述した実施形態に比べて接続箇所（差込穴３４）を少なくすることができる。なお、ＲＦ電極１６とＲＦコネクタ３０との間に、複数のＲＦリンク部材３４０を設けてもよい。ＲＦロッド３４２や集約部３４６はヒータロッド２４よりも太いことが好ましい。こうすれば、ＲＦロッド３４２や集約部３４６の表面積が大きくなるため、ＲＦロッド３４２や集約部３４６を流れるＲＦ電流の抵抗が低くなり、それらの発熱量が小さくなる。
上述した実施形態では、ＲＦロッド４２の断面（長手方向に対して垂直方向に切断したときの断面）を円形としたが、図５に示すように、ＲＦロッド４２の断面の外周部に少なくとも１つ（ここでは５つ）の凹部４２ａを有する形状としてもよい。具体的には、ＲＦロッド４２は、長手方向に沿って延びる溝を少なくとも１つ（ここでは５つ）備えていてもよい。こうすれば、ＲＦロッド４２の表面積は凹部４２ａを有さない場合に比べて大きくなるため、表皮効果による抵抗の増加をより抑えることができ、ＲＦロッド１本当たりの発熱量がより減少する。
上述した実施形態では、ＲＦ電極１６の形状をメッシュとしたが、その他の形状であってもよい。例えば、コイル状や平面状であってもよいし、パンチングメタルであってもよい。
上述した実施形態では、セラミック材料としてＡｌＮを採用したが、特にこれに限定されるものではなく、例えばアルミナや窒化珪素、炭化珪素などを採用してもよい。その場合、抵抗発熱体１４やＲＦ電極１６の材質はそのセラミックの熱膨張係数に近いものを使用するのが好ましい。
上述した実施形態では、セラミックプレート１２に抵抗発熱体１４とＲＦ電極１６とを埋設したが、更に静電電極を埋設してもよい。こうすれば、セラミックヒータ１０は静電チャックとしての機能も果たすようになる。
上述した実施形態では、セラミックプレート１２の全面にわたって抵抗発熱体１４を一筆書きの要領で配線する１ゾーンヒータを例示したが、特にこれに限定されない。例えば、セラミックプレート１２の全面を複数のゾーンに分けてゾーンごとに抵抗発熱体を一筆書きの要領で配線する多ゾーンヒータを採用してもよい。この場合、各ゾーンの抵抗発熱体につき一対のヒータロッドを設けるようにすればよい。
上述した実施形態のＲＦ電極１６の代わりに、図６のＲＦ電極４１６を採用してもよい。図６では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。ＲＦ電極４１６は、内側円形電極４１６ａの外周縁と外側円環電極４１６ｂの内周縁とを円筒状の連結部４１６ｃで繋いだものである。内側円形電極４１６ａと外側円環電極４１６ｂとは高さの異なる面に上下二段になるように配置されている。ＲＦリンク部材４０（分岐部４４）を構成する２本のＲＦロッド４２のうち１本は内側円形電極４１６ａの裏面に接続され、もう１本は外側円環電極４１６ｂの裏面に接続されている。つまり、２本のＲＦロッド４２はＲＦ電極４１６の高さの異なる各面に接続されている。このようにしても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。また、ＲＦ電極４１６は、セラミックプレート１２の内部で高さの異なる複数の面に亘って設けられているため、ＲＦ電極４１６の高さの異なる面ごとにプラズマの密度を変えることができる。更に、２本のＲＦロッド４２は、ＲＦ電極４１６の各面に個別に接続されているため、２本のＲＦロッド４２間の距離を確保できる。例えば、発熱する２本のＲＦロッド４２間の距離を大きくすることにより、ＲＦロッド４２同士が互いに加熱し合うことを防止できる。更にまた、セラミックプレート１２の裏面１２ｂに近い外側円環電極４１６ｂと裏面１２ｂから遠い内側円形電極４１６ａのそれぞれにＲＦロッド４２が接続されるため、裏面１２ｂに近い外側円環電極４１６ｂに接続されるＲＦロッド４２の穴の深さが浅くなり、セラミックプレート１２の加工負荷が小さくなり破損リスクを抑えられる。これに対して、裏面１２ｂから遠い内側円形電極４１６ａに２本のＲＦロッド４２が接続される場合には、２本のＲＦロッド４２の穴の深さが深くなり、セラミックプレート１２の加工負荷が大きくなり破損リスクが高まる。なお、図６において、上述した実施形態と同様の抵抗発熱体１４やヒータロッド２４を設けてもよい。また、図６において、ＲＦリンク部材４０の代わりに図４のＲＦリンク部材３４０を採用してもよい。
本出願は、２０１９年８月８日に出願された日本国特許出願第２０１９－１４６４１３号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
本発明は、例えばエッチング装置やＣＶＤ装置等の半導体製造装置に用いられる部材として利用可能である。
１０ セラミックヒータ、１２ セラミックプレート、１２ａ ウエハ載置面、１２ｂ 裏面、１３ 穴、１４ 抵抗発熱体、１６ ＲＦ電極、２０ セラミックシャフト、２０ａ 第１フランジ、２０ｂ 第２フランジ、２２ 中空内部、２４ ヒータロッド、２６ ケーブル、２８ ヒータ電源、３０ ＲＦコネクタ、３２ ソケット、３４ 差込穴、３６ ＲＦベースロッド、３７ ケーブル、３８ ＲＦ電源、４０ ＲＦリンク部材、４２ ＲＦロッド、４２ａ 凹部、４４ 分岐部、１４０ ＲＦリンク部材、１４２ ＲＦロッド、１４４ 分岐部、１４５ 集約部、２４０ ＲＦリンク部材、２４２ ＲＦロッド、２４４ 分岐部、２４５ 第１集約部、２４６ 第２集約部、３４０ ＲＦリンク部材、３４２ ＲＦロッド、３４４ 分岐部、３４６ 集約部、４１６ ＲＦ電極、４１６ａ 内側円形電極、４１６ｂ 外側円環電極、４１６ｃ 連結部。

Claims (8)

  1. 表面がウエハ載置面であるセラミックプレートの裏面に中空のセラミックシャフトを設けた構造の半導体製造装置用部材であって、
    前記セラミックプレートに埋設されたＲＦ電極と、
    前記セラミックシャフトの中空内部の外側に配置されたＲＦコネクタと、
    前記ＲＦコネクタと前記ＲＦ電極との間に設けられたＲＦリンク部材と、
    を備え、
    前記ＲＦリンク部材は、複数のＲＦロッドで構成された分岐部を有し、前記分岐部は、前記セラミックシャフトの外側まで続いているものであり、
    前記複数のＲＦロッドは、前記セラミックプレートの裏面の手前の第１集約部で１つにまとめられて前記ＲＦ電極に接続されている、
    半導体製造装置用部材。
  2. 表面がウエハ載置面であるセラミックプレートの裏面に中空のセラミックシャフトを設けた構造の半導体製造装置用部材であって、
    前記セラミックプレートに埋設されたＲＦ電極と、
    前記セラミックシャフトの中空内部の外側に配置されたＲＦコネクタと、
    前記ＲＦコネクタと前記ＲＦ電極との間に設けられたＲＦリンク部材と、
    を備え、
    前記ＲＦリンク部材は、複数のＲＦロッドで構成された分岐部を有し、前記分岐部は、前記セラミックシャフトの外側まで続いているものであり、
    前記複数のＲＦロッドは、前記ＲＦコネクタの手前の第２集約部で１つにまとめられて前記ＲＦコネクタに接続されている、
    半導体製造装置用部材。
  3. 前記複数のＲＦロッドは、前記セラミックプレートの裏面の手前の第１集約部で１つにまとめられて前記ＲＦ電極に接続されている、
    請求項２に記載の半導体製造装置用部材。
  4. 前記複数のＲＦロッドは、個別に前記ＲＦ電極に接続されている、
    請求項２に記載の半導体製造装置用部材。
  5. 前記ＲＦ電極は、前記セラミックプレートの内部で高さの異なる複数の面に亘って設けられ、
    前記複数のＲＦロッドは、前記ＲＦ電極の各面に個別に接続されている、
    請求項３に記載の半導体製造装置用部材。
  6. 前記ＲＦロッドを長手方向に対して垂直方向に切断したときの断面は、外周部に少なくとも１つの凹部を有する形状である、
    請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
  7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材であって、
    前記セラミックプレートに埋設された抵抗発熱体と、
    前記抵抗発熱体に接続され、前記セラミックシャフトの中空内部を通って前記セラミックシャフトの外側まで設けられた一対のヒータロッドと、
    を備え、
    前記ＲＦリンク部材の基端は、前記ヒータロッドの基端よりも前記セラミックシャフトに近い位置にある、
    半導体製造装置用部材。
  8. 請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材であって、
    前記セラミックプレートに埋設された抵抗発熱体と、
    前記抵抗発熱体に接続され、前記セラミックシャフトの中空内部を通って前記セラミックシャフトの外側まで設けられた一対のヒータロッドと、
    を備え、
    前記ＲＦロッドは、前記ヒータロッドよりも太い、
    半導体製造装置用部材。
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