JP7332784B2 - 放射線検出器、及び放射線画像撮影装置 - Google Patents

Description

本開示は、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法に関する。

従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。

放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器のセンサ基板の基材として、可撓性の基材を用いたものが知られている。可撓性の基材を用いることにより、放射線画像撮影装置を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。

ところで、放射線画像撮影装置に荷重や衝撃等が加わった場合、可撓性の基材を用いた基板は撓み易いため、衝撃等による放射線検出器への影響を抑制するために、放射線検出器の曲げ剛性を高くする技術が知られている。

例えば、特開２０１２－１７３２７５号公報には、蛍光を電気信号として検出する薄膜部のシンチレータ側とは反対側に、補強基板となる補強部材を設ける技術が記載されている。また例えば、特開２０１４－０８１３６３号公報には、光電変換パネルの放射線入射側、または放射線入射側とは反対側に補強基板を貼り付ける技術が記載されている。

特開２０１２－１７３２７５号公報及び特開２０１４－０８１３６３号公報に記載の技術では、上記のように放射線検出器の曲げ剛性を高くすることができるものの、補強基板により、放射線検出器全体の重量が増加してしまう。そのため、特許文献１及び２に記載の技術では、可撓性の基材を用いたことにより放射線画像撮影装置を軽量化した効果が十分には得られない場合があった。

本開示は、曲げ剛性が高く、かつ軽量化された放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。

本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された基板と、基材の画素が設けられた面の側に設けられ、かつ放射線を光に変換する変換層と、変換層の基材側の面と反対側の面に設けられ、かつ複数の貫通孔を有する多孔質層を含み、基材の剛性を補強する補強基板と、を備える。

また、本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、複数の貫通孔の各々は開口径が、０．５ｍｍ以上、５０ｍｍ以下であり、ピッチが１ｍｍ以上、５０ｍｍ以下、かつ開口率が１０％以上、５０％以下である。

また、本開示の第３の態様の放射線検出器は、第１の態様または第２の態様の放射線検出器において、多孔質層は、開口が六角形状の複数の貫通孔を有する。

また、本開示の第４の態様の放射線検出器は、第３の態様の放射線検出器において、 多孔質層は、ハニカム構造を有する。

また、本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、多孔質層は、気孔率が１５％以上、５０％以下、かつ気孔径が０．３μｍ以上、５ｍｍ以下のポーラス構造を有する。

また、本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、多孔質層は、フルートの延在方向が補強基板の面内方向であるフルート構造を有する。

また、本開示の第７の態様の放射線検出器は、第６の態様の放射線検出器において、フルート構造のピッチは、フルート構造の厚み以上、厚みの３倍以下である。

また、本開示の第８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、多孔質層の材料は、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）、ＣＦＲＴＰ（Carbon Fiber Reinforced Thermo Plastics）、ＰＶＣ（Polyvinyl Chloride）、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＰＰ（PolyPropylene）、ＰＥ（PolyEthylene）、アルミニウム、及びマグネシウムの少なくとも１つを含む。

また、本開示の第９の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、多孔質層の材料の主成分は、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）である。

また、本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、多孔質層は、基材の画素が設けられた面に沿って並ぶ複数の領域における、各領域の貫通孔の密度が異なる。

また、本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第１０の態様の放射線検出器において、画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部が設けられる位置に対応する領域における貫通孔の密度が、他の領域における貫通孔の密度よりも小さい。

また、本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第１０の態様の放射線検出器において、画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部に電源を供給する電源部に対応する領域における貫通孔の密度が、他の領域における貫通孔の密度よりも大きい。

また、本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１２の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、補強基板は、複数の多孔質層が積層された積層体を含む。

また、本開示の第１４の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１３の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、多孔質層は、変換層側の面、及び変換層と反対側の面の少なくとも一方の面に設けられた保護板を有する。

また、本開示の第１５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材の画素が設けられた面と反対の面の側に設けられた帯電防止層を、さらに備える。

また、本開示の第１６の態様の放射線検出器は、第１５の態様の放射線検出器において、帯電防止層は、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜である。

また、本開示の第１７の態様の放射線画像撮影装置は、本開示の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部と、を備える。

また、本開示の第１８の態様の放射線検出器の製造方法は、支持体に、可撓性の基材を設け、基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、基材の画素が設けられた面の側に、放射線を光に変換する変換層を設ける工程と、変換層の基材側の面と反対側の面に、複数の貫通孔を有する多孔質層を含む、基材の剛性を補強する補強基板を設ける工程と、支持体から基板を剥離する工程と、を備える。

また、本開示の第１９の態様の放射線検出器の製造方法は、第１８の態様の放射線検出器の製造方法において、支持体から基板を剥離する工程は、基板に補強基板を設けた後に行われる。

本開示によれば、曲げ剛性が高く、かつ耐熱性を向上することができる。

実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。 実施形態の放射線検出器の一例を基材の第１の面側からみた平面図である。 図２に示した放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 パンチング構造を有する多孔質層の一例を、放射線検出器の上面側からみた平面図である。 図４Ａに示した多孔質層のＢ－Ｂ線断面図の一例である。 パンチング構造を有する多孔質層の他の例を、放射線検出器の上面側からみた平面図である。 パンチング構造を有する多孔質層の他の例を、放射線検出器の上面側からみた平面図である。 ハニカム構造を有する多孔質層の一例を、放射線検出器の上面側からみた平面図である。 図６Ａに示した多孔質層を、放射線検出器の側面側からみた側面図である。 ハニカム構造を有する多孔質層の他の例を、放射線検出器の側面側からみた側面図である。 フルート構造を有する多孔質層の一例を、放射線検出器の側面側からみた側面図である。 フルート構造を有する多孔質層の他の例を、放射線検出器の側面側からみた側面図である。 ポーラス構造を有する多孔質層の一例を、放射線検出器の側面側からみた側面図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線検出器の他の例のＡ－Ａ線断面図である。 実施形態の放射線検出器の他の例のＡ－Ａ線断面図である。 実施形態の放射線検出器の他の例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例１の放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例１の放射線検出器の他の例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例２の放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例３の多孔質層の一例を説明するための図である。 変形例３の多孔質層の他の例を説明するための図である。 変形例４の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 変形例４の放射線画像撮影装置の他の例の断面図である。 変形例４の放射線画像撮影装置の他の例の断面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。

本実施形態の放射線検出器は、被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力する機能を有する。本実施形態の放射線検出器は、センサ基板と、放射線を光に変換する変換層と、を備えている（図３、放射線検出器１０のセンサ基板１２及び変換層１４参照）。本実施形態のセンサ基板１２が、本開示の基板の一例である。

まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。

図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。本実施形態の制御部１００、駆動部１０２、及び信号処理部１０４の少なくとも１つが、本開示の回路部の一例である。以下、制御部１００、駆動部１０２、及び信号処理部１０４を総称する場合、「回路部」という。

放射線検出器１０は、センサ基板１２と、放射線を光に変換する変換層１４（図３参照）と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１１と、基材１１の第１の面１１Ａに設けられた複数の画素３０と、を備えている。なお、以下では、複数の画素３０について、単に「画素３０」という場合がある。

図１に示すように本実施形態の各画素３０は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部３４、及びセンサ部３４にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子３２を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子３２として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子３２を「ＴＦＴ３２」という。本実施形態では、センサ部３４及びＴＦＴ３２が形成され、さらに平坦化された層として基材１１の第１の面１１Ａに画素３０が形成された層が設けられる。

画素３０は、センサ基板１２の画素領域３５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素３０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素３０は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。

また、放射線検出器１０には、画素３０の行毎に備えられた、ＴＦＴ３２のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線３８と、画素３０の列毎に備えられた、センサ部３４に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線３６と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線３８の各々は、それぞれフレキシブルケーブル１１２Ａを介して、駆動部１０２に接続されることにより、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ３２を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線３８の各々に流れる。また、複数の信号配線３６の各々が、それぞれフレキシブルケーブル１１２Ｂを介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素３０から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。なお、本実施形態においてフレキシブルケーブル１１２に関して「接続」という場合、電気的な接続を意味する。

信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。

制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。

なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１では、画像メモリ１０６及び制御部１００等は、制御基板１１０に形成されている。

また、各画素３０のセンサ部３４には、各画素３０にバイアス電圧を印加するために、共通配線３９が信号配線３６の配線方向に設けられている。共通配線３９が、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素３０にバイアス電圧が印加される。

電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。

さらに、放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第１の面１１Ａ側からみた平面図の一例である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図の一例である。

基材１１は、可撓性を有し、例えば、ＰＩ（PolyImide：ポリイミド）等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１１の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ、すなわち第１の面１１Ａまたは第２の面１１Ｂの面積等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。可撓性を有する例としては、矩形状の基材１１単体の場合に、基材１１の１辺を固定した状態で、固定した辺より１０ｃｍ離れた位置で基材１１の自重による重力で２ｍｍ以上、基材１１が垂れ下がる（固定した辺の高さよりも低くなる）ものを指す。基材１１が樹脂シートの場合の具体例としては、厚みが５μｍ～１２５μｍのものであればよく、厚みが２０μｍ～５０μｍのものであればより好ましい。

なお、基材１１は、画素３０の製造に耐え得る特性を有しており、本実施形態では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）の製造に耐え得る特性を有している。このような、基材１１が有する特性としては、３００℃～４００℃における熱膨張率（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion)が、アモルファスシリコン（Ｓｉ）ウェハと同程度（例えば、±５ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましく、具体的には、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、基材１１の熱収縮率としては、厚みが２５μｍの状態において４００℃における熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。また、基材１１の弾性率は、３００℃～４００℃間の温度領域において、一般的なＰＩが有する転移点を有さず、５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。

また、本実施形態の基材１１は、自身による後方散乱線を抑制するために、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の、後方散乱線を吸収する無機の微粒子を含む微粒子層を有することが好ましい。なおこのような無機の微粒子としては、樹脂製の基材１１の場合、原子番号が、基材１１である有機物を構成する原子よりも大きく、かつ３０以下である無機物を用いることが好ましい。このような微粒子の具体例としては、原子番号が１４のＳｉの酸化物であるＳｉＯ_２、原子番号が１２のＭｇの酸化物であるＭｇＯ、原子番号が１３のＡｌの酸化物であるＡｌ_２Ｏ_３、及び原子番号が２２のＴｉの酸化物であるＴｉＯ_２等が挙げられる。このような特性を有する樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。

なお、本実施形態における上記の厚みについては、マイクロメーターを用いて測定した。熱膨張率については、ＪＩＳ Ｋ７１９７：１９９１に則して測定した。なお測定は、基材１１の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について熱膨張率を測定し、最も高い値を基材１１の熱膨張率とした。熱膨張率の測定は、ＭＤ（Machine Direction）方向およびＴＤ（Transverse Direction）方向のそれぞれについて、－５０℃～４５０℃において１０℃間隔で行い、（ｐｐｍ／℃）を（ｐｐｍ／Ｋ）に換算した。熱膨張率の測定には、ＭＡＣサイエンス社製 ＴＭＡ４０００Ｓ装置を用い、サンプル長さを１０ｍｍ、サンプル幅を２ｍｍ、初荷重を３４．５ｇ／ｍｍ^２、昇温速度を５℃／ｍｉｎ、及び雰囲気をアルゴンとした。

所望の可撓性を有する基材１１としては、樹脂シート等、樹脂製のものに限定されない。例えば、基材１１は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１１がガラス基板の場合の具体例としては、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．３ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．３ｍｍ以下のものであれば所望のガラス基板であってもよい。

図２及び図３に示すように、複数の画素３０は、基材１１の第１の面１１Ａに設けられている。本実施形態では、基材１１の第１の面１１Ａにおける画素３０が設けられた領域を画素領域３５としている。

また、基材１１の第１の面１１Ａには、変換層１４が設けられている。本実施形態の変換層１４は、画素領域３５を覆っている。本実施形態では、変換層１４の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ～７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。

変換層１４を気相堆積法を用いて形成した場合、図３に示すように、変換層１４は、その外縁に向けて厚さが徐々に薄くなる傾斜を有して形成される。以下において、製造誤差及び測定誤差を無視した場合の厚さが略一定とみなせる、変換層１４の中央領域を中央部１４Ａという。また、変換層１４の中央部１４Ａの平均厚さに対して例えば９０％以下の厚さを有する、変換層１４の外周領域を周縁部１４Ｂという。すなわち、変換層１４は、周縁部１４Ｂにおいてセンサ基板１２に対して傾斜した傾斜面を有する。なお、以下では、説明の便宜状、センサ基板１２において「上」、「下」という場合、変換層１４を基準としており、変換層１４のセンサ基板１２と対向する側を「下」といい、反対側を「上」という。例えば、変換層１４は、センサ基板１２の上に設けられており、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜面は、変換層１４が上側から下側に向けて徐々に広がる状態に傾斜している。

また、図３に示すように、本実施形態の変換層１４の上には、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、及び保護層６６が設けられている。

粘着層６０は、変換層１４の表面全体を覆っている。粘着層６０は、反射層６２を変換層１４上に固定する機能を有する。粘着層６０は、光透過性を有していることが好ましい。粘着層６０の材料として、例えば、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤を用いることが可能である。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン－メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。粘着層６０の厚さは、２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。粘着層６０の厚さを２μｍ以上とすることで、反射層６２を変換層１４上に固定する効果を十分に発揮することができる。更に、変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されるリスクを抑制することができる。変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されると、変換層１４から発せられた光が、空気層と変換層１４との間、及び空気層と反射層６２との間で反射を繰り返す多重反射を生じるおそれがある。また、粘着層６０の厚さを７μｍ以下とすることで、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency）の低下を抑制することが可能となる。

反射層６２は、粘着層６０の表面全体を覆っている。反射層６２は、変換層１４で変換された光を反射する機能を有する。反射層６２の材料としては、金属、または金属酸化物を含む樹脂材料によって構成されていることが好ましい。反射層６２の材料としては、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、発泡白ＰＥＴ、及び鏡面反射アルミ等を用いることができる。白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ_２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものであり、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。また、反射層６２の材料としては、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜を用いてもよい。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシートが挙げられる。反射層６２の厚さは、１０μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。このように、変換層１４の上に反射層６２を備えることにより、変換層１４で変換された光を、効率的にセンサ基板１２の画素３０に導くことができる。

接着層６４は反射層６２の表面全体を覆っている。接着層６４の端部は、基材１１の第１の面１１Ａにまで延在している。すなわち、接着層６４は、その端部においてセンサ基板１２の基材１１に接着している。接着層６４は、反射層６２及び保護層６６を変換層１４に固定する機能を有する。接着層６４の材料として、粘着層６０の材料と同じ材料を用いることが可能であるが、接着層６４が有する接着力は、粘着層６０が有する接着力よりも大きいことが好ましい。

保護層６６は、変換層１４の全体を覆うとともに、その端部がセンサ基板１２の一部を覆う状態に設けられている。保護層６６は、変換層１４への水分の浸入を防止する防湿膜として機能する。保護層６６の材料として、例えば、ＰＥＴ、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide：ポリフェニレンサルファイド）、ＯＰＰ（Oriented PolyPropylene：二軸延伸ポリプロピレンフィルム）、ＰＥＮ（PolyEthylene Naphthalate：ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ等の有機材料を含む有機膜や、パリレン（登録商標）を用いることができる。また、保護層６６として、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜を用いてもよい。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、アルペット（登録商標）のシートが挙げられる。

一方、図２及び図３に示すように、基材１１の第１の面１１Ａの外縁部には複数（図２では、１６個）の端子１１３が設けられている。端子１１３としては、異方性導電フィルム等が用いられる。図２及び図３に示すように、複数の端子１１３の各々には、フレキシブルケーブル１１２が電気的に接続されている。具体的には、図２に示すように、基材１１の一辺に設けられた複数（図２では８個）の端子１１３の各々に、フレキシブルケーブル１１２Ａが熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２Ａは、いわゆるＣＯＦ（Chip on Film）であり、フレキシブルケーブル１１２Ａには、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２１０が搭載されている。駆動ＩＣ２１０は、フレキシブルケーブル１１２Ａに含まれる複数の信号線に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ａ及び後述するフレキシブルケーブル１１２Ｂについて、各々を区別せずに総称する場合、単に「フレキシブルケーブル１１２」という。

フレキシブルケーブル１１２Ａにおける、センサ基板１２の端子１１３と電気的に接続された一端と反対側の他端は、駆動基板２００に電気的に接続される。一例として、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ａに含まれる複数の信号線は、駆動基板２００に熱圧着されることにより、駆動基板２００に搭載された回路及び素子等（図示省略）と電気的に接続される。なお、駆動基板２００とフレキシブルケーブル１１２Ａとを電気的に接続する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、コネクタにより、電気的に接続する形態としてもよい。このようなコネクタとしては、ＺＩＦ（Zero Insertion Force）構造のコネクタや、Ｎｏｎ－ＺＩＦ構造のコネクタ等が挙げられる。

本実施形態の駆動基板２００は、可撓性のＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板であり、いわゆるフレキシブル基板である。また、駆動基板２００に搭載される回路部品（図示省略）は主にデジタル信号の処理に用いられる部品（以下、「デジタル系部品」という）である。デジタル系部品は、後述するアナログ系部品よりも、比較的面積（大きさ）が小さい傾向がある。デジタル系部品の具体例としては、デジタルバッファ、バイパスコンデンサ、プルアップ／プルダウン抵抗、ダンピング抵抗、及びＥＭＣ（Electro Magnetic Compatibility）対策チップ部品、及び電源ＩＣ等が挙げられる。なお、駆動基板２００は、必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、非可撓性のリジッド基板であってもよいし、リジッドフレキ基板を用いてもよい。

本実施形態では、駆動基板２００と、フレキシブルケーブル１１２Ａに搭載された駆動ＩＣ２１０とにより、駆動部１０２が実現される。なお、駆動ＩＣ２１０には、駆動部１０２を実現する各種回路及び素子のうち、駆動基板２００に搭載されているデジタル系部品と異なる回路が含まれる。

一方、フレキシブルケーブル１１２Ａが電気的に接続された基材１１の一辺と交差する辺に設けられた複数（図２では８個）の端子１１３の各々には、フレキシブルケーブル１１２Ｂが電気的に接続されている。フレキシブルケーブル１１２Ｂは、フレキシブルケーブル１１２Ａと同様に、いわゆるＣＯＦであり、フレキシブルケーブル１１２Ｂには、信号処理ＩＣ３１０が搭載されている。信号処理ＩＣ３１０は、フレキシブルケーブル１１２Ｂに含まれる複数の信号線（図示省略）に接続されている。

フレキシブルケーブル１１２Ｂにおける、センサ基板１２の端子１１３と電気的に接続された一端と反対側の他端は、信号処理基板３００に電気的に接続される。一例として、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ｂに含まれる複数の信号線は、信号処理基板３００に熱圧着されることにより、信号処理基板３００に搭載された回路及び素子等（図示省略）と接続される。なお、信号処理基板３００とフレキシブルケーブル１１２Ｂとを電気的に接続する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、コネクタにより、電気的に接続する形態としてもよい。このようなコネクタとしては、ＺＩＦ構造のコネクタや、Ｎｏｎ－ＺＩＦ構造のコネクタ等が挙げられる。また、フレキシブルケーブル１１２Ａと駆動基板２００とを電気的に接続する方法と、フレキシブルケーブル１１２Ｂと信号処理基板３００とを電気的に接続する方法は、同様で有ってもよいし、異なっていてもよい。例えば、フレキシブルケーブル１１２Ａと駆動基板２００とは、熱圧着により電気的に接続し、フレキシブルケーブル１１２Ｂと信号処理基板３００とはコネクタにより電気的に接続する形態としてもよい。

本実施形態の信号処理基板３００は、上述した駆動基板２００と同様に、可撓性のＰＣＢ基板であり、いわゆるフレキシブル基板である。信号処理基板３００に搭載される回路部品（図示省略）は主にアナログ信号の処理に用いられる部品（以下、「アナログ系部品」という）である。アナログ系部品の具体例としては、チャージアンプ、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）、及び電源ＩＣ等が挙げられる。また、本実施形態の回路部品は、比較的部品サイズが大きい電源周りのコイル、及び平滑用大容量コンデンサも含む。なお、信号処理基板３００は、必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、非可撓性のリジッド基板であってもよいし、リジッドフレキ基板を用いてもよい。

本実施形態では、信号処理基板３００と、フレキシブルケーブル１１２Ｂに搭載された信号処理ＩＣ３１０とにより、信号処理部１０４が実現される。なお、信号処理ＩＣ３１０には、信号処理部１０４を実現する各種回路及び素子のうち、信号処理基板３００に搭載されているアナログ系部品と異なる回路が含まれる。

なお、図２では、駆動基板２００及び信号処理基板３００が各々、複数（２つずつ）設けられている形態について説明したが、駆動基板２００及び信号処理基板３００の数は、図２に示した数に限定されない。例えば、駆動基板２００及び信号処理基板３００の少なくとも一方を、１つの基板とした形態であってもよい。

一方、図３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、フレキシブルケーブル１１２を端子１１３に熱圧着することにより、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３に電気的に接続される。なお、図３は、フレキシブルケーブル１１２Ｂと放射線検出器１０との電気的な接続に関する構造の一例を示す図であるが、本実施形態のフレキシブルケーブル１１２Ａと放射線検出器１０との電気的に接続に関する構造も、図３に例示した形態と同様である。

また、図３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０のセンサ基板１２における、基材１１の第２の面１１Ｂには、第２の面１１Ｂに近い方から順に、帯電防止層４８、及び電磁シールド層４４が設けられている。

帯電防止層４８は、センサ基板１２が帯電するのを防止する機能を有し、静電気の影響を抑制する機能を有する。帯電防止層４８しては、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）、ＰＥＴ、及びＰＰ（PolyPropylene：ポリプロピレン）等を用いることができる。

電磁シールド層４４は、外部からの電磁波ノイズの影響を抑制する機能を有する。電磁シールド層４４の材料としては、例えば、アルペット（登録商標）等の樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜等を用いることができる。

また、図２及び図３に示すように、変換層１４の上、具体的には保護層６６の上に、粘着剤４２によって、多孔質層５０を含む補強基板４０が設けられている。

補強基板４０は、基材１１の剛性を補強する機能を有する。本実施形態の補強基板４０は、基材１１よりも曲げ剛性が高く、変換層１４と対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１１の第２の面１１Ｂに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。なお具体的には、補強基板４０の曲げ剛性は、基材１１の曲げ剛性の１００倍以上であることが好ましい。また、本実施形態の補強基板４０の厚みは、基材１１の厚みよりも厚い。例えば、基材１１として、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、補強基板４０の厚みは０．１ｍｍ～０．２５ｍｍ程度が好ましい。

具体的には、本実施形態の補強基板４０は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下の素材を用いることが好ましい。補強基板４０は、基材１１の撓みを抑制する観点からは、基材１１よりも曲げ剛性が高いことが好ましい。なお、曲げ弾性率が低くなると曲げ剛性も低くなり、所望の曲げ剛性を得るためには、補強基板４０の厚みを厚くしなくてはならず、放射線検出器１０全体の厚みが増大してしまう。上述の補強基板４０の材料を考慮すると、１４００００Ｐａｃｍ^４を越える曲げ剛性を得ようとする場合、補強基板４０の厚みが、比較的厚くなってしまう傾向がある。そのため、適切な剛性が得られ、かつ放射線検出器１０全体の厚みを考慮すると、補強基板４０に用いる素材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、補強基板４０の曲げ剛性は、５４０Ｐａｃｍ^４以上、１４００００Ｐａｃｍ^４以下であることが好ましい。

また、本実施形態の補強基板４０の熱膨張率は、変換層１４の材料の熱膨張率に近い方が好ましく、より好ましくは、変換層１４の熱膨張率に対する補強基板４０の熱膨張率の比（補強基板４０の熱膨張率／変換層１４の熱膨張率）が、０．５以上、２以下であることが好ましい。このような補強基板４０の熱膨張率としては、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。例えば、変換層１４がＣｓＩ：Ｔｌを材料とする場合、熱膨張率は、５０ｐｐｍ／Ｋである。この場合、変換層１４に比較的近い材料としては、熱膨張率が６０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／ＫであるＰＶＣ（Polyvinyl Chloride：ポリ塩化ビニル）、や熱膨張率が６５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／ＫであるＰＥＴ、熱膨張率が６５ｐｐｍ／ＫであるＰＣ（Polycarbonate：ポリカーボネート）、等が挙げられる。

補強基板４０は、弾力性の観点からは、降伏点を有する材料を含むことがより好ましい。なお、本実施形態において「降伏点」とは、材料を引っ張った場合に、応力が一旦、急激に下がる現象をいい、応力とひずみとの関係を表す曲線上で、応力が増えずにひずみが増える点のことをいい、材料について引っ張り強度試験を行った際の応力－ひずみ曲線における頂部を指す。降伏点を有する樹脂としては、一般的に、硬くて粘りが強い樹脂、及び柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂が挙げられる。硬くて粘りが強い樹脂としては、例えば、ＰＣ等が挙げられる。また、柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂としては、例えば、ＰＰ等が挙げられる。

また、上述したように、本実施形態の補強基板４０は、多孔質層５０を含む。図４Ａには、本実施形態の多孔質層５０の一例を、放射線検出器１０の上面側からみた平面図である。また、図４Ｂは、図４Ａにおける多孔質層５０のＢ－Ｂ線断面図の一例である。

図４Ａ及び図４Ｂに示すように、多孔質層５０は、複数の貫通孔５１を有する。図４Ａ及び図４Ｂに示した多孔質層５０は、開口部が円形状であり、上面５０Ａから下面５０Ｂへ貫通する複数の貫通孔５１が並列に並んだ、いわゆるパンチング構造を有している。このように複数の貫通孔５１を有することにより、補強基板４０が軽量化される。

なお、多孔質層５０の貫通孔５１の開口径Ｄ、ピッチＰ、及び開口率は、補強基板４０の曲げ剛性に影響を与える。例えば、貫通孔５１の開口率が大きくなるほど、補強基板４０の曲げ剛性が低くなる傾向がある。なお、開口率とは、貫通孔５１の開口部分の全体面積に占める割合のことをいい、開口径Ｄに対して、ピッチＰが小さくなれば、開口率は高くなる。例えば、図４Ａに示した多孔質層５０の場合、開口率は、下記（１）式により計算される。

開口率（％）＝（７８．５×Ｄ^２）／Ｐ^２ ・・・（１）

そのため、補強基板４０を軽量化し、かつ上述した所望の曲げ剛性を得るためには、貫通孔５１のピッチＰは、１ｍｍ以上、５０ｍｍ以下、開口径Ｄは、０．５ｍｍ以上、５０ｍｍ以下、及び開口率は１０％以上、５０％以下が好ましい。

なお、貫通孔５１の形状、例えば、貫通孔５１の開口部の形状及び配置等は、図４Ａ及び図４Ｂに示した形態に限定されない。例えば、図５Ａに示すように、貫通孔５１が互い違いに配置されていてもよい。図５Ａに示した例では、貫通孔５１が列ごとに、半ピッチずれて配置されている形態を示している。また、例えば、図５Ｂに示すように、貫通孔５１の開口部の形状が六角形状であってもよい。

また、多孔質層５０は、複数の貫通孔５１を有していればよく、パンチング構造を有するものに限定されない。また、貫通孔５１は、多孔質層５０の少なくとも一部を貫通すればよく、例えば、上面５０Ａと下面５０Ｂとを貫通するものに限定されない。

多孔質層５０の他の例として、図６Ａ及び図６Ｂには、ハニカム構造を有する多孔質層５０の一例を示す。図６Ａは、ハニカム構造を有する多孔質層５０の一例を、放射線検出器１０の上面側からみた平面図である。また、図６Ｂは、図６Ａに示した多孔質層５０を、放射線検出器１０の側面側からみた側面図の一例である。

図６Ａ及び図６Ｂに示した多孔質層５０は、ハニカム構造を形成する、複数の六角形状の貫通孔５１を有している。なお、ハニカム構造の多孔質層５０においても、貫通孔５１の開口径Ｄ及びピッチＰが、補強基板４０の曲げ剛性に影響を与えるため、貫通孔５１の開口径Ｄ及びピッチＰの値は、上述した範囲内であることが好ましい。

なお、ハニカム構造を有する多孔質層５０の場合、図６Ｃに示した一例のように、貫通孔５１を有さない保護板５０_２と保護板５０_３との間に、ハニカム構造の多孔質板５０_１をサンドイッチしたサンドイッチ構造としてもよい。また、多孔質層５０は、保護板５０_２及び保護板５０_３のいずれか一方と、多孔質板５０_１との積層体であってもよい。このように、保護板５０_２及び保護板５０_３の少なくとも一方を有することにより、接着面となる表面積が大きくなるため、例えば、多孔質層５０を変換層１４上面へ貼り合わせ易くなり、また、多孔質層５０が変換層１４に確りと固定される。

また、図７Ａには、フルート構造を有する多孔質層５０の一例を、放射線検出器１０の側面側からみた側面図の一例を示す。図７Ａに示した多孔質層５０は、いわゆる、ライナーに対応する保護板５０_５と保護板５０_６との間に、波形の中芯５０_４が挟まれたフルート構造としてもよい。なお、フルート構造を有する多孔質層５０の場合、図７Ａに示した形態に限定されず、保護板５０_５及び保護板５０_６の少なくとも一方を有していればよい。

図７Ａに示した多孔質層５０では、中芯５０_４によるフルートの延在方向は、補強基板４０の面内方向である。このようにフルート構造を有する多孔質層５０の場合、中芯５０_４により、多孔質層５０の側面から反対側の側面に貫通する複数の貫通孔５１が形成される。

フルート構造を有する多孔質層５０の場合、ピッチＰ及び厚みＴが、補強基板４０の曲げ剛性に影響を与える。例えば、厚みＴに比してピッチが大きくなるほど、曲げ剛性が低くなる傾向がある。そのため、補強基板４０を軽量化し、かつ上述した所望の曲げ剛性を得るためには、フルート構造のピッチＰは、厚みＴ以上、厚みＴの３倍以下が好ましい。また、厚みＴとしては、２ｍｍ以下が好ましい。

また、図８には、ポーラス構造を有する多孔質層５０の一例を、放射線検出器１０の側面側からみた側面図の一例を示す。ポーラス構造を有する多孔質層５０の場合、ＪＩＳ Ｈ ７００９の規格に則した気孔率、特に貫通孔５１である貫通気孔の気孔率、及び気孔径が、補強基板４０の曲げ剛性に影響を与える。例えば、気孔率が大きくなるほど、曲げ剛性が低くなる傾向がある。なお、気孔率とは、貫通気孔に限定されず全ての気孔を含むポーラス構造体の体積である、かさ体積に対する気孔の体積の比率であり、貫通気孔率とは、かさ体積に対する貫通気孔の体積の比率である。また、気孔径とは、気孔の直径であり、異方性気孔の場合は、長軸方向が垂直となる断面の気孔の直径である。そのため、補強基板４０を軽量化し、かつ上述した所望の曲げ剛性を得るためには、ポーラス構造の気孔率は１５％以上、５０％以下、かつ気孔径が０．３μｍ以上、５ｍｍ以下が好ましい。

上記のような多孔質層５０の材料として樹脂としては、例えば、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastics：炭素繊維強化プラスチック）、ＣＦＲＴＰ（Carbon Fiber Reinforced Thermo Plastics：炭素繊維強化熱可塑性樹脂）ＰＶＣ、ＰＥＴ、ＰＰ、及びＰＥの少なくとも一つが挙げられる。また、多孔質層５０の材料として金属としては、例えば、アルミニウム及びマグネシウムの少なくとも一つが挙げられる。なお、多孔質層５０は、これらのうち、ＣＦＲＰがより好ましい。特に、図６Ｃに示したハニカム構造の多孔質層５０における保護板５０_２及び５０_３、図７Ａに示したフルート構造における保護板５０_５及び５０_６の各々は、炭素繊維の延伸方向が異なる２層のＣＦＲＰを組み合わせて用いることにより、より曲げ剛性を向上させることができるため、好ましい。

なお、補強基板４０は、複数の多孔質層５０が積層された積層体を含んでいてもよい。例えば、補強基板４０は、樹脂製の多孔質層５０と、金属製の多孔質層５０が積層された積層体を含んでいてもよい。この場合の補強基板４０は、樹脂製の多孔質層５０による帯電を金属製の多孔質層５０により抑制することができる。また例えば、補強基板４０は、貫通孔５１の位置が異なる、複数の多孔質層５０が積層された積層体を含んでいてもよい。この場合の補強基板４０は、貫通孔５１、より具体的には開口の位置を各多孔質層５０でずらすことにより、熱伝導性を向上することができる。

また例えば、補強基板４０は、フルート構造のピッチＰ及び厚みＴが異なる２層の多孔質層５０が積層された積層体を含んでいてもよい。図７Ｂには、この場合のフルート構造を有する多孔質層５０の一例を、放射線検出器１０の側面側からみた側面図の一例を示す。図７Ｂに示した補強基板４０は、ピッチＰ１、かつ厚みＴ１のフルート構造を有する多孔質層５０_７と、ピッチＰ２、かつ厚みＴ２のフルート構造を有する多孔質層５０_８とが積層された積層体を含んでいる。この場合の補強基板４０は、曲げ剛性をより高くすることができる。

さらに、放射線画像撮影装置１について詳細に説明する。図９Ａは、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第２の面１１Ｂ側から放射線が照射されるＩＳＳ（Irradiation Side Sampling)方式に適用した場合の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。また、図９Ｂは、本実施形態の放射線検出器１０を、変換層１４側から放射線が照射されるＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式に適用した場合の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。

上記の放射線検出器１０を用いた放射線画像撮影装置１は、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、筐体１２０に収納された状態で使用される。図９Ａ及び図９Ｂに示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び信号処理基板３００等の回路部が放射線の入射方向に並んで設けられている。図９Ａの放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、基材１１の第２の面１１Ｂ側が対向する状態に配置されている。より具体的には、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、補強基板４０が対向する状態に配置されている。また、図９Ｂの放射線検出器１０は、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、基材１１の第１の面１１Ａ側が対向する状態に配置されている。より具体的には、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、変換層１４の上面が対向する状態に配置されている。

また、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側に中板１１６がさらに設けられている。中板１１６としては、例えば、アルミや銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射される放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層１４側への散乱を防止する機能を有する。なお、中板１１６は、少なくとも変換層１４の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層１４全体を覆うことが好ましい。また、中板１１６には、信号処理基板３００等の回路部が固定されている。

筐体１２０は、軽量であり、放射線、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましい。筐体１２０の材料として、曲げ弾性率が１００００ＭＰａ以上である材料を用いることが好ましい。筐体１２０の材料として、２００００ＭＰａ～６００００ＭＰａ程度の曲げ弾性率を有するカーボンまたはＣＦＲＰを好適に用いることができる。

放射線画像撮影装置１による放射線画像の撮影においては、筐体１２０の照射面１２０Ａに被写体からの荷重が印加される。筐体１２０の剛性が不足する場合、被写体からの荷重によりセンサ基板１２に撓みが生じ、画素３０が損傷する等の不具合が発生するおそれがある。１００００ＭＰａ以上の曲げ弾性率を有する材料からなる筐体１２０内部に、放射線検出器１０が収納されることで、被写体からの荷重によるセンサ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。

なお、筐体１２０は、筐体１２０の照射面１２０Ａと、その他の部分とで、異なる材料で形成されていてもよい。例えば、照射面１２０Ａに対応する部分は、上記のように放射線の吸収率が低く、且つ高剛性であり、弾性率が十分に高い材料で形成し、その他の部分は、照射面１２０Ａに対応する部分と異なる材料、例えば、照射面１２０Ａの部分よりも弾性率が低い材料で形成してもよい。

なお、本実施形態の多孔質層５０は、複数の貫通孔５１を有するため、貫通孔５１の部分と、貫通孔５１以外の部分とで放射線の透過量が異なることにより、変換層１４に到達する放射線量が異なる場合がある。この場合、放射線検出器１０により得られる放射線画像に画像ムラが生じる懸念がある。そのため、本実施形態の放射線検出器１０は、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１に適用することが好ましい。

本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法について図１０Ａ～図１０Ｆを参照して説明する。なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法は、本実施形態の放射線検出器１０の製造方法を含む。

図１０Ａに示すように、センサ基板１２を形成するために、基材１１に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体４００に、剥離層４０２を介して、基材１１が設けられる。例えば、ラミネート法により基材１１を形成する場合、支持体４００上に、基材１１となるシートを貼り合わせる。基材１１の第２の面１１Ｂが剥離層４０２に接する。なお、基材１１を形成する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、塗布法で基材１１を形成する形態であってもよい。

さらに、基材１１の第１の面１１Ａに、画素３０及び端子１１３が形成される。画素３０は、第１の面１１Ａの画素領域３５に、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して形成される。また、基材１１の２つの辺の各々に沿って複数の端子１１３が形成される。

また、図１０Ｂに示すように、画素３０が形成された層（以下、単に「画素３０」という）の上に、変換層１４が形成される。本実施形態では、センサ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層１４が形成される。この場合、変換層１４における画素３０と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。

なお、変換層１４としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層１４を形成することもできる。例えば、アルミやカーボンの基板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩの基板と接していない側と、センサ基板１２の画素３０とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層１４を形成してもよい。この場合、アルミ等の基板も含めた状態の変換層１４全体を保護層により覆った状態のものを、センサ基板１２の画素３０と貼り合わせることが好ましい。なお、この場合、変換層１４における画素３０と接する側が、柱状結晶の成長方向の先端側となる。

また、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層１４としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素３０とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層１４を形成することができる。なお、変換層１４にＣｓＩを用いる場合の方が、ＧＯＳを用いる場合に比べて、放射線から可視光への変換効率が高くなる。

さらに、センサ基板１２に形成された変換層１４の上に、粘着層６０を介して反射層６２を設ける。さらに、接着層６４を介して保護層６６を設ける。

次に、図１０Ｃに示すように、フレキシブルケーブル１１２を、センサ基板１２に電気的に接続する。具体的には、端子１１３に、駆動ＩＣ２１０または信号処理ＩＣ３１０が搭載されたフレキシブルケーブル１１２を熱圧着させて、端子１１３とフレキシブルケーブル１１２とを電気的に接続する。これにより、センサ基板１２にフレキシブルケーブル１１２が電気的に接続される。

次に、図１０Ｄに示すように、変換層１４の上に、補強基板４０を設ける。具体的には、保護層６６で覆われた変換層１４の上に、粘着剤４２を設けた補強基板４０を貼り合わせる。

この後、図１０Ｅに示すように変換層１４が設けられたセンサ基板１２を支持体４００から剥離する。以下、本工程を、剥離工程という。メカニカル剥離の場合、図１０Ｅに示した一例では、センサ基板１２の基材１１における、フレキシブルケーブル１１２Ｂが電気的に接続された辺と対向する辺を剥離の起点とする。そして、起点となる辺からフレキシブルケーブル１１２が電気的に接続された辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体４００から、図１０Ｅに示した矢印Ｄ方向に引きはがすことにより、センサ基板１２を支持体４００から剥離する。

なお、剥離の起点とする辺は、センサ基板１２を平面視した場合における、最長の辺と交差する辺が好ましい。換言すると、剥離により撓みが生じる撓み方向Ｙに沿った辺は、最長の辺であることが好ましい。一例として、本実施形態では、剥離の起点を、フレキシブルケーブル１１２Ｂが電気的に接続された辺と対向する辺としている。

次に、図１０Ｆに示すように、基材１１の第２の面１１Ｂに、帯電防止層４８、電磁シールド層４４、及び補強基板４０を順次、設ける。具体的には、基材１１の第２の面１１Ｂに、帯電防止層４８及び電磁シールド層４４を、塗布等により形成する。

さらに、放射線検出器１０及び回路部等を、筐体１２０に収納することにより、図９Ａまたは図９Ｂに示した放射線画像撮影装置１が製造される。具体的には、 また、基材１１の第２の面１１Ｂ側、具体的には、電磁シールド層４４が、照射面１２０Ａと対向する状態で、放射線検出器１０を筐体１２０に収納することで、図９Ａに示した放射線画像撮影装置１が製造される。また、補強基板４０が、照射面１２０Ａと対向する状態で、放射線検出器１０を筐体１２０に収納することで、図９Ｂに示した放射線画像撮影装置１が製造される。

なお、上記の工程は一例であり、例えば、図１０Ｃを用いて説明したフレキシブルケーブル１１２をセンサ基板１２に接続する工程を、図１０Ｅを参照して説明した剥離工程の後に行ってもよい。すなわち、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３に接続されていない状態のセンサ基板１２を、支持体４００から剥離した後、端子１１３にフレキシブルケーブル１１２を電気的に接続してもよい。また例えば、図１０Ｄを参照して説明した補強基板４０を設ける工程を、図１０Ｅを参照して説明した剥離工程の後に行ってもよい。すなわち、補強基板４０が設けられていない状態のセンサ基板１２を、支持体４００から剥離した後、変換層１４の上に補強基板４０を設けてもよい。なお、上記工程のように、剥離工程の前に、センサ基板１２に補強基板４０を設けておくことにより、剥離工程において、補強基板４０によって剛性が補強された状態のセンサ基板１２を支持体４００から剥離する。そのため、例えば、剥離工程において基材１１が撓むことに起因する、変換層１４の基材１からの剥離を抑制することができる。

なお、上記では、補強基板４０の大きさ（面積）がセンサ基板１２の基材１１と同様の形態について説明したが、補強基板４０の大きさ（面積）は、上述の形態に限定されない。例えば、図１１Ａに示すように、補強基板４０が基材１１よりも大きい形態としてもよい。なお、具体的な補強基板４０の大きさは、放射線検出器１０を収納する筐体１２０の内部の大きさ等に応じて定めることができる。図１１Ａに示した放射線検出器１０では、補強基板４０の端部が、基材１１、すなわちセンサ基板１２の端部よりも外側に位置している。

このように補強基板４０の大きさを基材１１よりも大きくすることにより、例えば、放射線画像撮影装置１を落下させる等して、筐体１２０に衝撃が加わり筐体１２０の側面（照射面１２０Ａと交差する面）が凹んだ場合に、筐体１２０の側面に補強基板４０が干渉する。一方、センサ基板１２は、補強基板４０よりも小さいため、筐体１２０の側面に干渉し難くなる。従って、図１１Ａに示した放射線検出器１０によれば、放射線画像撮影装置１に加わる衝撃がセンサ基板１２に与える影響を抑制することができる。

なお、補強基板４０により放射線画像撮影装置１に加わる衝撃がセンサ基板１２に与える影響を抑制する観点からは、図１１Ａに示すように、補強基板４０の端部の少なくとも一部が、基材１１の端部よりも外部に突出していればよい。例えば、補強基板４０の大きさが基材１１よりも小さい場合であっても、基材１１の端部よりも外部に突出する補強基板４０の端部が、筐体１２０の側面に干渉するため、衝撃がセンサ基板１２に与える影響を抑制することができる。

また例えば、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示すように、補強基板４０が基材１１よりも小さい形態としてもよい。図１１Ｂに示した例では、端子１１３と対向する位置には、補強基板４０が設けられていない。すなわち、放射線検出器１０における補強基板４０の面積は、基材１１の面積から端子１１３が設けられた領域の面積を減算した値よりも小さい。一方、図１１Ｃに示した例では、補強基板４０の端部が、変換層１４の周縁部１４Ｂに位置しており、変換層１４が基材１１の第１の面１１Ａ全体を覆う領域よりも狭い領域に、補強基板４０が設けられている。

不具合や位置ずれ等により、基材１１（センサ基板１２）に電気的に接続したフレキシブルケーブル１１２や部品を取り外して、新たに接続し直すことをリワークという。このように、補強基板４０を基材１１よりも小さくすることにより、補強基板４０の端部に邪魔されずに、リワークを行うことができるため、フレキシブルケーブル１１２のリワークを容易にすることができる。

なお、放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０の構成及び製造方法は、上述した形態に限定されない。例えば、以下の変形例１～変形例４に示す形態としてもよい。なお、上述した形態及び変形例１～変形例４の各々を適宜、組み合わせた形態としてもよく、また変形例１～変形例４に限定されるものでもない。

（変形例１）
本変形例では、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照し、放射線検出器１０における補強基板４０が、支持部材７２によって支持されている形態について説明する。図１２Ａ及び図１２Ｂの各々には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。

図１２Ａに示した放射線検出器１０では、補強基板４０の端部が、支持部材７２によって支持されている。すなわち、支持部材７２の一端は、フレキシブルケーブル１１２、または基材１１の第１の面１１Ａに接続され、支持部材７２の他端は、粘着剤４２により補強基板４０の端部に接続されている。なお、支持部材７２は、基材１１の外縁部全体に設けられていてもよいし、外縁の一部分に設けられていてもよい。このように基材１１との間に空間を形成しつつ延伸する補強基板４０の端部を支持部材７２によって支持することで、変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができる。また、端子１１３に接続されたフレキシブルケーブル１１２上に支持部材７２を設けることにより、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３から剥離するのを抑制することができる。

一方、図１２Ｂに示した放射線検出器１０では、補強基板４０の端部よりも内側の位置が、支持部材７２によって支持されている。図１２Ｂに示した例では、支持部材７２を設ける位置が、フレキシブルケーブル１１２及び端子１１３が設けられた領域外のみとしている。図１２Ｂに示した例では、支持部材７２の一端は、基材１１の第１の面１１Ａに接続され、支持部材７２の他端は、粘着剤４２により補強基板４０の端部に接続されている。このように、フレキシブルケーブル１１２及び端子１１３の上に支持部材７２を設けないことにより、フレキシブルケーブル１１２のリワークを容易にすることができる。

このように本変形例の放射線検出器１０によれば、補強基板４０を支持部材７２で支持することにより、基材１１の端部近傍にまで補強基板４０による剛性の補強効果が得られ、基材１１が撓むのを抑制する効果を作用させることができ、そのため、本変形例の放射線検出器１０によれば、変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができる。

（変形例２）
本変形例では、図１３を参照し、放射線検出器１０における変換層１４の周囲が封止されている形態について説明する。図１３には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。

図１３に示すように、変換層１４の周縁部１４Ｂを封止部材７０によって封止する形態としてもよい。図１３に示す例では、上記のように基材１１、変換層１４、及び補強基板４０によって生じた空間に封止部材７０が設けられている。具体的には、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層６６）と補強基板４０との間に形成された空間に封止部材７０が設けられている。封止部材７０の材料は特に限定されず、例えば、樹脂を用いることが可能である。

封止部材７０を設ける方法は特に限定されない。例えば、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、及び保護層６６で覆われた変換層１４上に、粘着剤４２によって補強基板４０を設けた後、変換層１４（保護層６６）と補強基板４０との間に形成された空間に、流動性を有する封止部材７０を注入し、補強基板４０を硬化させてもよい。また、例えば、基材１１上に変換層１４、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、及び保護層６６を順次形成した後、封止部材７０を形成し、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、及び保護層６６で覆われた変換層１４及び封止部材７０を覆う状態に、粘着剤４２によって補強基板４０を設けてもよい。

また、封止部材７０を設ける領域は、図１３に示した形態に限定されない。例えば、基材１１の第１の面１１Ａ全体に封止部材７０が設けられていてもよく、フレキシブルケーブル１１２が電気的に接続された端子１１３を、フレキシブルケーブル１１２と共に封止してもよい。

このように、変換層１４と補強基板４０との間に形成された空間に、封止部材７０を充填し、変換層１４を封止することで、補強基板４０の変換層１４からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層１４は、補強基板４０及び封止部材７０の双方によりセンサ基板１２に固定される構造となるため、基材１１の剛性がより補強される。

なお、本変形例と上記変形例１とを組み合わせる場合、換言すると、放射線検出器１０が、封止部材７０及び支持部材７２を備える場合、支持部材７２、補強基板４０、変換層１４、及び基材１１で囲われる空間の一部または全体に封止部材７０を充填して、封止部材７０により封止する形態とすることができる。

（変形例３）
上記形態では、多孔質層５０における複数の貫通孔５１の密度が均一な形態について説明したが、多孔質層５０における複数の貫通孔５１の密度が不均一な形態であってもよい。より具体的には、多孔質層５０は、基材１１の第１の面１１Ａに沿って並ぶ複数の領域における、各領域の貫通孔５１の密度が異なっていてもよい。

多孔質層５０は、大気に比べて多孔質層５０の方が熱伝導率が比較的高いため、貫通孔５１の密度が小さいほど、多孔質層５０の熱伝導率が高くなる。例えば、信号処理基板３００等の回路部は、他の部品よりも発熱量が多い傾向がある。そのため、発熱する部品の近くや、筐体１２０内において熱が高くなる位置等では、多孔質層５０における貫通孔５１の密度を他の部分よりも小さくして、熱伝導率を高くしてもよい。

この場合の多孔質層５０の一例を図１４Ａに示す。図１４Ａに示した多孔質層５０では、回路部が設けられた位置に対応する領域５２における貫通孔５１の密度が、他の領域５３における貫通孔５１の密度よりも小さい。

図１４Ａに示した放射線検出器１０では、多孔質層５０の領域５２における貫通孔５１の密度が他の領域５３における貫通孔５１の密度に比べて小さいため、領域５２における放熱性を高くすることができる。そのため、筐体１２０内における熱量が不均一になるのを抑制することができる。例えば、センサ基板１２の面方向に不均一に熱が伝わった場合、伝わった熱に応じて、画素３０のセンサ部３４において生じる暗電流が変化し、放射線画像に画像ムラが生じる場合がある。これに対して、図１４Ａに示した放射線検出器１０では、発熱量が多い位置に対応する領域５２における熱伝導率を高くすることができるため、センサ基板１２の面方向に不均一に熱が伝わるのを抑制することができ、放射線画像の画像ムラを抑制することができる。

一方、多孔質層５０は、貫通孔５１の密度が大きいほど、軽量化することができる。筐体１２０内の部品の配置により、筐体１２０全体の重量のバランスを均一にし難い場合がある。例えば、電源部１０８は、他の部品よりも重い傾向がある。そのため、重い部品の近く等では、多孔質層５０における貫通孔５１の密度を他よりも小さくして、その部分の重量を軽くしてもよい。

この場合の多孔質層５０の一例を図１４Ｂに示す。図１４Ｂに示した多孔質層５０では、電源部１０８が設けられた位置に対応する領域５４における貫通孔５１の密度が、他の領域５５における貫通孔５１の密度よりも大きい。

図１４Ｂに示した放射線検出器１０では、多孔質層５０の領域５４における貫通孔５１の密度が、他の領域５５における貫通孔５１の密度に比べて大きいため、領域５４を他の領域５５に比べて軽量化することができる。そのため、図１４Ｂに示した放射線検出器１０では、筐体１２０全体の重量のバランスを調整することができ、放射線画像撮影装置１の使い勝手を向上することができる。

（変形例４）
本変形例では、放射線画像撮影装置１の変形例について、図１５Ａ～図１５Ｃを参照して説明する。図１５Ａ～図１５Ｃの各々は、本変形例の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。

図１５Ａには、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板の内壁面に、放射線検出器１０が接しているＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例が示されている。図１５Ａに示した例では、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板の内壁面に、電磁シールド層４４が接している。この場合、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とは、接着層を介して接着されていてもよいし、接着層を介さずに単に接触しているだけでもよい。このように放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していることにより、放射線検出器１０の剛性がより確保される。

また、図１５Ｂには、放射線検出器１０、制御基板１１０及び電源部１０８等の回路部が図中横方向に並置されているＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例が示されている。換言すると、図１５Ｂに示した放射線画像撮影装置１では、放射線検出器１０と回路部とが、放射線の照射方向と交差する方向に並んで配置されている。

なお、図１５Ｂでは、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素領域３５の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部を設ける位置は図１５Ｂに示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部を、画素領域３５の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。このように、放射線検出器１０と回路部とを、放射線の照射方向と交差する方向に並んで配置することにより、筐体１２０の厚さ、より具体的には放射線が透過する方向の厚さを、より小さくすることができ、放射線画像撮影装置１の薄型化が図れる。

また、放射線検出器１０と回路部とを、放射線の照射方向と交差する方向に並んで配置する場合、図１５Ｃに示す放射線画像撮影装置１のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の厚みが異なっていてもよい。

図１５Ｂ及び図１５Ｃに示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部が、放射線検出器１０よりも厚みを有している場合がある。このような場合、図１５Ｃに示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が設けられている筐体１２０の部分の厚みよりも、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分の厚みの方が薄くてもよい。 図１５Ｃに示した放射線画像撮影装置１によれば、放射線検出器１０の厚さに応じた極薄型の放射線画像撮影装置１を構成することができる。

なお、図１５Ｃに示した例のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、厚みを異ならせる場合、両部分の境界部に段差が生じていると境界部１２０Ｂに接触した被検者に違和感等を与える懸念がある。そのため、境界部１２０Ｂの形態は傾斜を有する状態とすることが好ましい。また、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が収納される筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が収納される筐体１２０の部分とを異なる材質で形成してもよい。

以上説明したように、上記の各放射線検出器１０は、センサ基板１２と、変換層１４と、補強基板４０とを備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１１の画素領域３５に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素３０が形成されている。変換層１４は、基材１１の画素３０が設けられた第１の面１１Ａの側に設けられ、かつ放射線を光に変換する。補強基板４０は、変換層１４の基材１１側の面と反対側の面に設けられ、かつ複数の貫通孔５１を有する多孔質層５０を含み、基材１１の剛性を補強する。

従って、上記の各放射線検出器１０では、曲げ剛性が高く、かつ耐熱性を向上することができる。特に、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１では、補強基板４０の多孔質層５０が有する貫通孔５１が放射線画像に与える影響を抑制しつつ、上記効果を得ることができる。

なお、放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０の構成及びその製造方法は、図１～図１５Ｃを参照して説明した形態に限定されるものではない。例えば、上記では、補強基板４０が多孔質層５０のみを含む形態について説明したが、補強基板４０は、多孔質層５０以外の部材を含んでいてもよい。例えば、補強基板４０が、多孔質層５０と、ＣＦＲＰ等による剛性板とが積層された積層体を含んでいてもよい。また、上記の各放射線検出器１０では、変換層１４の上側に補強基板４０が設けられた形態について説明したが、基材１１の第２の面１１Ｂ側にも補強基板４０を設けてもよく、例えば、電磁シールド層４４に補強基板４０を貼り付けてもよい。また、基材１１の第２の面１１Ｂに、基材１１の剛性を補強するためのＣＦＲＰ等による剛性板が設けられていてもよい。

また例えば、上記図１に示したように画素３０がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素領域３５の形状も限定されないことはいうまでもない。

その他、上記実施形態及び各変形例における放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。

２０２０年３月５日出願の日本国特許出願２０２０－０３８１７１号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

１ 放射線画像撮影装置
１０ 放射線検出器
１１ 基材、１１Ａ 第１の面、１１Ｂ 第２の面
１２ センサ基板
１４ 変換層、１４Ａ 中央部、１４Ｂ 周縁部
３０ 画素
３２ ＴＦＴ（スイッチング素子）
３４ センサ部
３５ 画素領域
３６ 信号配線
３８ 走査配線
３９ 共通配線
４０、４０_１、４０_２ 補強基板
４２、４２_１、４２_２ 粘着剤
４４ 電磁シールド層
４８ 帯電防止層
５０、５０_７、５０_８ 多孔質層、５０Ａ 上面、５０Ｂ 下面、５０_１ 多孔質板、５０_２、５０_３、５０_５、５０_６ 保護板、５０_４ 中芯
５２、５３、５４、５５ 領域
５１ 貫通孔
６０ 粘着層
６２ 反射層
６４ 接着層
６６ 保護層
７０ 封止部材
７２ 支持部材
１００ 制御部、１００Ａ ＣＰＵ、１００Ｂ メモリ、１００Ｃ 記憶部
１０２ 駆動部
１０４ 信号処理部
１０６ 画像メモリ
１０８ 電源部
１１０ 制御基板
１１２、１１２Ａ、１１２Ｂ フレキシブルケーブル
１１３ 端子
１１６ 中板
１２０ 筐体、１２０Ａ 照射面、１２０Ｂ 境界部
２００ 駆動基板
２１０ 駆動ＩＣ
３００ 信号処理基板
３１０ 信号処理ＩＣ
４００ 支持体
４０２ 剥離層
Ｄ 開口径
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２ ピッチ
Ｔ、Ｔ１、Ｔ２ 厚み

Claims (14)

1. 可撓性の基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された基板と、
   前記基材の前記画素が設けられた面の側に設けられ、かつ前記放射線を前記光に変換する変換層と、
   前記変換層の前記基材側の面と反対側の面に設けられ、かつ複数の気孔を有するポーラス構造の多孔質層を含み、前記基材の剛性を補強する補強基板と、
   を備え、
   前記複数の気孔は、前記多孔質層を貫通した気孔と前記多孔質層を貫通していない気孔とを含み、
   前記ポーラス構造は、気孔率が１５％以上、５０％以下、かつ気孔径が０．３μｍ以上、５ｍｍ以下である、
   放射線検出器。
2. 前記多孔質層の材料は、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）、ＣＦＲＴＰ（Carbon Fiber Reinforced Thermo Plastics）、ＰＶＣ（Polyvinyl Chloride）、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＰＰ（PolyPropylene）、ＰＥ（PolyEthylene）、アルミニウム、及びマグネシウムの少なくとも１つを含む、
   請求項１に記載の放射線検出器。
3. 前記多孔質層の材料は、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）を含む、
   請求項１に記載の放射線検出器。
4. 前記多孔質層は、前記基材の前記画素が設けられた面に沿って並ぶ複数の領域における、各領域の前記気孔の密度が異なる、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
5. 前記画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部が設けられる位置に対応する領域における前記気孔の密度が、他の領域における気孔の密度よりも小さい、
   請求項４に記載の放射線検出器。
6. 前記画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部に電源を供給する電源部に対応する領域における前記気孔の密度が、他の領域における気孔の密度よりも大きい、
   請求項４に記載の放射線検出器。
7. 前記補強基板は、複数の前記多孔質層が積層された積層体を含む、
   請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
8. 前記多孔質層は、前記変換層側の面、及び前記変換層と反対側の面の少なくとも一方の面に設けられた保護板を有する、
   請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
9. 前記基材の前記画素が設けられた面と反対の面の側に設けられた帯電防止層を、さらに備えた、
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の放射線検出器。
10. 前記帯電防止層は、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜である、
    請求項９に記載の放射線検出器。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
    前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部と、
    を備えた放射線画像撮影装置。
12. 可撓性の基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された基板と、
    前記基材の前記画素が設けられた面の側に設けられ、かつ前記放射線を前記光に変換する変換層と、
    前記変換層の前記基材側の面と反対側の面に設けられ、かつ複数の貫通孔を有する多孔質層を含み、前記基材の剛性を補強する補強基板と、
    を備え、
    前記多孔質層は、気孔率が１５％以上、５０％以下、かつ気孔径が０．３μｍ以上、５ｍｍ以下のポーラス構造を有し、
    前記基材の前記画素が設けられた面に沿って並ぶ複数の領域における、各領域の前記貫通孔の密度が異なる、
    放射線検出器。
13. 前記画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部が設けられる位置に対応する領域における前記貫通孔の密度が、他の領域における貫通孔の密度よりも小さい、
    請求項１２に記載の放射線検出器。
14. 前記画素に蓄積された電荷を読み出すための回路部に電源を供給する電源部に対応する領域における前記貫通孔の密度が、他の領域における貫通孔の密度よりも大きい、
    請求項１２に記載の放射線検出器。