JP7344968B2 - センサ装置 - Google Patents

Description

本発明は、タッチセンサと感圧センサを備えたセンサ装置に関する。

押圧変形に応じた静電容量の変化を検知する感圧センサを備えるタッチパネルにおいて、指などの操作子の接近による容量結合（静電結合）を遮る導電性蒸着膜（遮断体）をトッププレートの下面に設けることにより、感圧センサの誤検知を防止する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。

特許第５４４６６２６号公報

この技術においては、タッチパネルや感圧センサとは独立して導電性蒸着膜を設けるため、センサ装置の部品点数が増加する。その結果、製品の総厚が厚くなり、製品のコストも増加するという不都合がある。

本発明が解決しようとする課題は、センサ装置の部品点数を増加させることなく、感圧センサの誤検知の発生の抑制を図ることのできるセンサ装置を提供することである。

[１]本発明に係るセンサ装置は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の主面に形成され、操作面側に配置される第１面に設けられたセンサ電極を備えたタッチセンサと、前記第１面に設けられた遮断体と、前記遮断体と対向配置され、前記第１面とは異なる第２面に設けられた検知電極と、を備え、前記第１面の方が前記第２面よりも前記操作面側に位置し、前記遮断体と前記検知電極とは、前記遮断体と前記検知電極とが接近することによる静電容量値の変化を検出する感圧センサを構成し、前記遮断体は、前記操作面への操作子の接近に伴う前記操作子と前記検知電極との容量結合を遮るセンサ装置である。

[２]上記発明において、前記タッチセンサは、前記第１面に設けられた第１シールド部をさらに備え、前記第１シールド部の少なくとも一部は、前記センサ電極の周囲の少なくとも一部に形成されており、前記遮断体は、前記第１シールド部に含まれていてもよい。

[３]上記発明において、前記センサ電極は、相互に隣り合うように配置された入力電極と受信電極から構成されていてもよい。

[４]上記発明において、前記遮断体は、前記入力電極に接続され、又は、前記入力電極に含まれていてもよい。

［５］上記発明において、前記遮断体は、前記センサ装置が外部の回路装置と接続された状態において、前記入力電極の電位と実質的に同一の電位を有するように構成されていてもよい。

[６]上記発明において、前記センサ装置は、前記遮断体と前記検知電極との間の間隔を保持するスペーサをさらに備えており、前記遮断体と前記検知電極は、前記操作子の押圧に応じて相互に接近可能であってもよい。

[７]上記発明において、前記スペーサは、前記遮断体と前記検知電極との間に配置された弾性体であってもよい。

[８]上記発明において、前記スペーサは、前記遮断体と前記検知電極との間に介在する開口を有してもよい。

［９］上記発明において、前記遮断体は、平面視において、前記検知電極を覆っていてもよい。

［１０］上記発明において、前記検知電極は、導電性材料により塗りつぶされていてもよい。

［１１］上記発明において、前記センサ装置は、前記検知電極の周囲の少なくとも一部に形成された第２シールド部をさらに備えていてもよい。

［１２］上記発明において、前記検知電極は、前記絶縁性基材のうち、前記センサ電極及び前記遮断体よりも外側であって所定領域を介在させた位置に形成され、前記所定領域が屈曲されることにより、前記検知電極は前記遮断体と対向配置されていてもよい。

［１３］上記発明において、前記タッチセンサは、複数の前記センサ電極を備え、前記センサ装置は、複数の前記検知電極を備えており、前記複数の検知電極は、平面視において、前記複数のセンサ電極の周囲に配置されていてもよい。

［１４］上記発明において、前記複数の前記センサ電極は、平面視において、前記複数の検知電極を包含し且つ前記複数の検知電極に接触する仮想枠の内側に配置されていてもよい。

［１５］上記発明において、前記タッチセンサは、複数の前記センサ電極を備え、前記センサ装置は、複数の前記検知電極を備えており、前記複数の検知電極は、平面視において、前記複数のセンサ電極にそれぞれ対応するように配置されていてもよい。

［１６］上記発明において、前記検知電極は、平面視において、前記センサ電極の少なくとも一部を囲っていてもよい。

［１７］上記発明において、前記センサ装置は、前記複数のセンサ電極にそれぞれ対応するように設けられた複数の前記遮断体を備えていてもよい。

［１８］上記発明において、それぞれの前記センサ電極は、相互に隣り合うように配置された入力電極と受信電極から構成されており、前記検知電極は、前記入力電極に対向しており、前記遮断体は、前記入力電極に含まれていてもよい。

［１９］上記発明において、前記タッチセンサは、線状に延在するスリットを有する第１シールド部を備えており、前記センサ装置は、前記検知電極に接続され、前記スリットを介して前記第１シールド部を通過する引出配線を備えていてもよい。

本発明によれば、操作面への操作子の接近に伴う当該操作子と検知電極との容量結合を遮断体によって遮るので、感圧センサの誤検知の発生の抑制を図ることができる。また、本発明では、その遮断体を、感圧センサの一方の電極として利用しており、感圧センサやタッチセンサから独立した遮断体を新たに設ける必要がないので、センサ装置の部品点数が増加することもない。

図１Ａは、本発明の第１実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。 図１Ｂは、図１ＡのIB-IB線に沿ったセンサ装置の断面図である。 図２Ａは、本発明の第２実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。 図２Ｂは、図２ＡのIIB-IIB線に沿ったセンサ装置の断面図である。 図３Ａは、本発明の第３実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。 図３Ｂは、図３ＡのIIIB-IIIB線に沿ったセンサ装置の断面図である。 図４は、本発明の第４実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。 図５は、本発明の第５実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。 図６Ａは、本発明の第６実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。 図６Ｂは、図６Ａに示すセンサ装置の領域Ａ，Ｃを折り曲げた状態を示す平面図である。 図６Ｃは、図６ＢのVIC-VIC線に沿ったセンサ装置の断面図である。 図７Ａは、本発明の第６実施形態におけるセンサ装置の第１変形例を示す平面展開図である。 図７Ｂは、図７ＡのVIIB-VIIB線に沿ったセンサ装置の断面図である。 図８Ａは、本発明の第６実施形態におけるセンサ装置の第２変形例を示す平面展開図である。 図８Ｂは、図８ＡのVIIIB-VIIIB線に沿ったセンサ装置の断面図である。 図９は、本発明の第７実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。 図１０は、本発明の第８実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。

＜第１実施形態＞
本実施形態のセンサ装置１Ａは、車両に搭載されるカーナビゲーション、エアーコンディショナ、オーディオ装置等の電子機器の操作スイッチやタッチパネル式ディスプレイ等に適用可能である。なお、車載以外の用途にセンサ装置１Ａを用いてもよい。

以下、図１Ａ及び図１Ｂに基づいて、センサ装置１Ａの構成を説明する。図１Ａは本発明の第１実施形態のセンサ装置１Ａの平面展開図であり、図１Ｂは図１Ａに示す展開状態のものを組み立てたセンサ装置１ＡのIB-IB線に沿った断面図である。

図１Ａに示すように、センサ装置１Ａは、絶縁性基材１１と、センサ電極１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）と、第１シールド部１３（１３１，１３２）と、検知電極１４と、スペーサ１５と、を備えている。

同図に示す態様は一例であり、センサ電極１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）、第１シールド部１３（１３１，１３２）、検知電極１４の配置、数、形状は限定されない。例えば、同図では、検知電極１４の数が２個の例を示しているが、検知電極１４の数が１個でも３個以上でもよく、センサ電極１２の数に合わせて検知電極１４の数を３個としてもよい。或いは、絶縁性基材１１の４隅に対応させて検知電極１４を配置して、検知電極１４の数を４個としてもよい。また、センサ装置１Ａが、絶縁性基材１１上に、センサ電極１２及び検知電極１４以外の電極パターン（例えば、スライダ電極やホイール電極等）を備えていてもよい。

本実施形態の絶縁性基材１１は、図中Ｘ方向（図中横方向）に沿って領域Ａ～Ｃを有している。図１Ａに示すセンサ装置１Ａにおいては、センサ電極１２及び第１シールド部１３は領域Ｂに形成され、検知電極１４は領域Ａ，Ｃのそれぞれに一つずつ形成されている。本実施形態の第１シールド部１３は、センサ電極１２の周囲に設けられるが、各センサ電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃの間に延在させてもよい（図２Ａを参照）。図１Ａの平面展開図に示されるように、センサ電極１２、第１シールド部１３及び検知電極１４は、絶縁性基材１１の同一の主面１１ａに形成されている。

なお、図１Ａに示す例では、図中Ｘ方向がセンサ装置１Ａの長手方向と一致しているセンサ装置１Ａを例にして説明するが、図中Ｙ方向がセンサ装置１Ａの長手方向と一致するようにセンサ装置１Ａを作製してもよい。また、センサ電極１２及び第１シールド部１３を絶縁性基材１１の一方主面に形成し、検知電極１４を絶縁性基材の他方主面に形成してもよい。

本実施形態のセンサ装置１Ａにおいて、センサ電極１２と第１シールド部１３とがタッチセンサＴＳを形成し、シールド電極１３１と検知電極１４とが感圧センサを形成している。感圧センサを形成しているシールド電極１３１は、タッチセンサＴＳを形成している第１シールド部１３の一部でもある。本実施形態では、タッチセンサＴＳにおける第１シールド部１３の一部であるシールド電極１３１が、感圧センサの検知電極１４と対をなす電極の機能を兼ねている。

図１Ａに示すセンサ装置１Ａは、領域Ａと領域Ｂとの間、つまり領域Ａと領域Ｂとが連なる接続部分に所定領域Ｒを有している。同様に、センサ装置１Ａは、領域Ｂと領域Ｃとの間、つまり領域Ｂと領域Ｃとが連なる接続部分に所定領域Ｒを有している。

この二つの所定領域Ｒは、それぞれ折り曲げ部Ｆを含んでいる。領域Ａは、領域Ｂ側に折り曲げられる。本実施形態の折り曲げ部Ｆは、Ｘ軸に沿って異なる位置に設けられたＹ軸に沿った二本の折れ曲げ線Ｌ１，Ｌ２を含む。図中左側の領域Ａについては、折り曲げ線Ｌ１及び／又はＬ２に沿って、または折り曲げ線Ｌ１又はＬ２の近傍で、Ｙ軸に沿って（Ｙ軸を中心に）折り曲げられる。絶縁性基材１１は可撓性を備えた薄いシート状であるため、折り曲げられた折り曲げ部Ｆは曲面状となる。

この折り曲げ動作により、折り曲げられた領域Ａは領域Ｂと略面平行の位置関係となり、領域Ａと領域Ｂが重なり、領域Ａに形成された検知電極１４とシールド電極１３１とが対向配置された状態となる。同様に、領域Ｃも、領域Ｃが領域Ｂに重なるように折り曲げられる。この折り曲げ動作により、折り曲げられた領域Ｃは領域Ｂと略面平行の位置関係となり、領域Ｃと領域Ｂが重なり、領域Ｃに形成された検知電極１４とシールド電極１３１とが対向配置された状態となる。こうした折り曲げ動作により、センサ装置１Ａが組み立てられる。組み立てられたセンサ装置１Ａの断面を図１Ｂに示す。

図１Ｂに示すように、組み立てられたセンサ装置１Ａにおいては、センサ電極１２と第１シールド部１３とは、第１面１５ａに設けられている（形成されている）。この第１面１５ａは、センサ装置１Ａに対して入力操作等が行われる操作面側に配置されている。これに対し、検知電極１４は、第２面１５ｂに設けられている（形成されている）。この第２面１５ｂは、第１面１５ａに対して、指などの操作子ＦＩＮが接近又は接触する操作面側から－Ｚ方向（図中上側を＋Ｚ方向と定義した場合における図中下側）の位置に配置されている。従って、第１面１５ａの方が第２面１５ｂよりも操作面側に位置する。

ここで、操作面側とは、センサ装置１Ａにおいて、指などの人体を含む操作子ＦＩＮの接近又は接触による入力操作が行われる操作面に近い方(近い側)の位置を示す。第１面１５ａと第２面１５ｂとは、図中Ｚ方向で示すセンサ装置１Ａの厚さ方向の位置（高さ）が異なる。第１面１５ａの位置の方が、第２面１５ｂの位置よりも操作面に近い。

この第１面１５ａ及び第２面１５ｂは、センサ装置１Ａ中のＸＹ面に平行な仮想上の平面であり、本実施形態では、説明の便宜上、第１面１５ａと第２面１５ｂの位置をスペーサ１５の表裏面の位置を基準として設けた例を示す。しかしながら、第１面１５ａと第２面１５ｂの位置を設定するための基準は、特にスペーサ１５の表裏面に限定されない。例えば、絶縁性基材１１の一方主面又は他方主面の位置を基準として、第１面１５ａと第２面１５ｂの設定位置を定義してもよい。或いは、スペーサ１５や絶縁性基材１１に沿って設けられた他の部材の一方主面又は他方主面の位置を基準として、第１面１５ａと第２面１５ｂの設定位置を定義してもよい。本実施形態における第１面１５ａと第２面１５ｂは、センサ装置１Ａを構成する何れかの部材のＸＹ面に沿った面であり、Ｚ座標値が異なる面である。

センサ装置１Ａにおいて、第１面１５ａの方が第２面１５ｂよりも操作面側に位置しているのであれば、第１面１５ａと第２面１５ｂの形成方法は限定されない。例えば、図１Ａのように、センサ電極１２及び第１シールド部１３を絶縁性基材１１の一方の主面の領域Ｂに形成し、検知電極１４を絶縁性基材１１の一方の主面の領域Ａ，Ｃに形成し、図１Ｂのように、センサ電極１２及び第１シールド部１３と検知電極１４との間に絶縁性基材１１が介在しないように折り曲げることで、第１面１５ａと第２面１５ｂを形成してもよい。

或いは、特に図示しないが、絶縁性基材１１を逆側に折り曲げて、センサ電極１２及び第１シールド部１３の検知電極１４側、及び、検知電極１４のセンサ電極１２及び第１シールド部１３側に絶縁性基材１１が介在するように第１面１５ａと第２面１５ｂを形成してもよい。この場合においても、操作面を基準にすると、図中、Ｚ軸方向に沿って、操作面、センサ電極１２を含むタッチセンサＴＳ(第１面１５ａ)、検知電極１４（第２面１５ｂ）の順で配置される。

また、第１面１５ａと第２面１５ｂとは、異なる絶縁性基材１１の主面に形成してもよい。つまり、センサ電極１２と第１シールド部１３とが形成された絶縁性基材１１と、検知電極１４が形成された絶縁性基材１１とが異なる基材であってもよい。

図１Ａに示すセンサ装置１Ａの折り曲げ部Ｆは、絶縁性基材１１の図中Ｙ軸方向に沿った領域を切り欠いて形成されている。つまり、折り曲げ部ＦのＹ軸方向に沿った長さ（図中Ｈと垂直方向の長さ）が、領域ＡのＹ軸方向に沿った長さよりも短くなるように形成されている。折り曲げ部ＦのＹ軸方向に沿った長さは、折り曲げ線に沿った長さである。

折り曲げ部ＦのＹ軸方向に沿った長さを、領域ＡのＹ軸方向の長さよりも短くすることにより、折り曲げ部Ｆで絶縁性基材１１の可撓性が下がるので、絶縁性基材１１を折り曲げやすくなり、折り曲げ作業（センサ装置１Ａの組み立て作業）を簡易にできる。また、絶縁性基材１１を折り曲げた後においては、折り曲げ部Ｆにかかる弾性力が低下するので、第１面１５ａと第２面１５ｂの平行性を保ちやすくなる。図１Ａに示す折り曲げ部Ｆの図中Ｘ軸方向に沿った長さＨは、組み立て時における領域Ｂと領域Ａの間の距離（領域Ｃと領域Ｂの間の距離）以上とすることが好ましい。

図１Ｂに示すように、センサ装置１Ａの表面（操作面／入力面）にはカバーパネル１７を配置してもよい。カバーパネル１７は、ポリカーボネート基材、アクリル基材、ガラス基材などの透明な材質で構成することが好ましい。

また、特に限定されないが、センサ装置１Ａのカバーパネル１７の配置位置とは反対側の位置（図中下側）には、ベース部材１８を配置してもよい。ベース部材１８は、センサ装置１Ａと接触してセンサ装置１Ａを支持してもよいし、センサ装置１Ａと離間していてもよい。ベース部材１８は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ガラスエポキシ又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのシート状の部材である。このベース部材１８の絶縁性基材１１側の面には発光体としてのＬＥＤ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを配置してもよい。

図１Ｂに示すように、操作子ＦＩＮがカバーパネル１７に触れることにより信号（操作指令）が出力される。操作子ＦＩＮの具体例としては、指やタッチペン等を例示することができる。カバーパネル１７及びベース部材１８は、接着剤や粘着テープを用いてセンサ装置１Ａに接着することができる。特に限定されないが、接着剤や粘着テープの材料としては、アクリル樹脂系、ウレタン樹脂系、エポキシ樹脂系、シリコーン樹脂系等を用いることができる。なお、接着剤を、カバーパネル１７、ベース部材１８、或いはセンサ装置１Ａに塗布して用いる場合には、接着剤を熱硬化、紫外線硬化、熱溶融させることで、これらを接着することができる。

センサ電極１２を含むタッチセンサＴＳの一態様として、タッチスイッチを例示することができる。また、センサ電極１２を含むタッチセンサＴＳの別の態様として、タッチスイッチに代えて、タッチパネルを例示することができる。

図１Ｂに示すように、絶縁性基材１１の領域Ｂの主面１１ａが下側（カバーパネル１７とは反対側の方向）に向くように配置され、屈曲された領域Ａ及び領域Ｃの主面１１ａが上側（カバーパネル１７側の方向）に向くように配置されている。領域Ｂの主面１１ａに形成されたセンサ電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃは操作子ＦＩＮとの間の静電容量の変化を検知する。センサ電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、自己容量方式の一般的な静電容量センサの電極と同様の機能を備えている。

以下、センサ装置１Ａの構成部材について説明する。

絶縁性基材１１は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのシート状の基材である。本実施形態では、透明性が高く、可撓性を備えたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いている。絶縁性基材１１の厚さはどのような厚さでもよいが、折り曲げ性を考慮すると１０[μm]～２００[μm]とすることができる。

図１Ａに示すように、本実施形態のセンサ電極１２、第１シールド部１３、及び検知電極１４は、絶縁性基材１１の同一の主面１１ａに形成されている。本実施形態のセンサ電極１２、第１シールド部１３と検知電極１４とは、それぞれ、絶縁性基材１１の異なる主面に形成されていてもよい。例えば、センサ電極１２と第１シールド部１３を絶縁性基材１１の一方主面に形成し、検知電極１４を絶縁性基材１１の他方主面に形成してもよい。

センサ電極１２、第１シールド部１３、及び検知電極１４は、銀、銅、カーボンなどの導電性材料により形成されている。これらセンサ電極１２と、第１シールド部１３と、検知電極１４は、出願時に知られているスクリーン印刷やグラビアオフセット印刷などの印刷法や、サブトラクティブ法、アディテブ法（フルアディティブ法又はセミアディティブ法のいずれでもよい）などの手法を用いて形成することができる。本実施形態においては、センサ電極１２と、第１シールド部１３と、検知電極１４は、絶縁性基材１１の同一の主面１１ａに形成されているので、一回の製造工程により同時に形成することができる。

センサ電極１２は、第１センサ電極１２ａと、第２センサ電極１２ｂと、第３センサ電極１２ｃを含んでいる。第１センサ電極１２ａと、第２センサ電極１２ｂと、第３センサ電極１２ｃは、それぞれ、自己容量方式の静電容量センサであり、静電容量の変化を検知する。第１センサ電極１２ａに接続する引出配線１２１ａと、第２センサ電極１２ｂに接続する引出配線１２１ｂと、第３センサ電極１２ｃに接続する引出配線１２１ｃは、外部の回路装置に接続される。

本実施形態の第１シールド部１３は、同じく、絶縁性基材１１の一方の主面１１ａ上であって、センサ電極１２の周囲の少なくとも一部に形成されている。センサ電極１２の周囲に設けられたシールド電極１３１の数は限定されない。センサ電極１２の周囲に設けられたシールド電極１３１を、離散的に配置してもよいし、センサ電極１２を取り囲むように配置してもよい。第１シールド部１３は、グランドや定電位に接続される。

第１シールド部１３は、シールド電極１３１と、シールド電極１３１と接続されたシールド配線１３２と、を含んでいる。シールド配線１３２は、外部に引き出されてグランドや定電位に接続される。図１Ａに示す例において、シールド電極１３１及びシールド配線１３２は、センサ電極１２を取り囲むように配置されている。第１シールド部１３は、センサ電極１２と操作子ＦＩＮとの間の静電容量を正確に検知できるようにノイズを排除する。これにより、タッチセンサＴＳに接近した操作子ＦＩＮ以外の導電体との容量結合による誤検知を防止できる。

本実施形態の第１シールド部１３は、センサ電極１２の周囲に設けられるが、第１シールド部１３の態様は限定されない。例えば、第１シールド部１３が、各第１～第３センサ電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃの間を延在するシールド配線１３３，１３４（図２Ａを参照）を含んでいてもよい。この場合に、このシールド配線１３３，１３４に対向配置された検知電極１４を配置してもよく、シールド配線１３３，１３４は、感圧センサの検知電極１４と対をなす電極の機能を兼ねたシールド電極として機能する。

また、図１Ａに示す例では、線状のシールド配線１３２を設けているが、シールド配線１３２の形状は線状に限定されない。シールド電極１３１以外の第１シールド部１３は、その態様・形状にかかわらずシールド配線として機能する。例えば、図示しないが、第１シールド部１３は、第１センサ電極１２ａと、第２センサ電極１２ｂと、第３センサ電極１２ｃのそれぞれの全周囲と、絶縁性基材１１の余白を埋めるように二次元的に配置してもよい。この場合において、シールド電極１３１を除く箇所(領域)のすべてがシールド配線となる。

第１シールド部１３は、銀、銅、カーボンなどの導電性材料により形成してもよい。シールド電極１３１は、図１Ａに示すように網目形状に形成することが好ましい。シールド配線１３２も網目形状に形成してもよい。シールド電極１３１を網目形状に形成することにより、センサ電極１２に対する操作子ＦＩＮの入力操作を精度高く検知できる。

ここで、センサ電極１２は、第１シールド部１３も含めた周囲に存在する誘電体との間で発生する静電容量変化を検知することにより操作子ＦＩＮの接触を検知する。第１シールド部１３に含まれるシールド電極１３１を網目形状ではなく、塗りつぶした（ベタ）パターンとすると、センサ電極１２と第１シールド部１３との容量結合が大きくなりすぎて、操作子ＦＩＮの接近に伴う静電容量値の変化を高精度で検出しにくくなる。

これに対し、本実施形態では、シールド電極１３１を網目形状で形成することにより、センサ電極１２とシールド電極１３１の容量結合が少なくなり、操作子ＦＩＮの接近に伴う静電容量値の変化を高精度で検出することができる。さらに、シールド配線１３２も網目形状で形成することにより、センサ電極１２とシールド配線１３２の容量結合が少なくなり、操作子ＦＩＮの接近に伴う静電容量値の変化を更に高精度で検出することができる。

第１シールド部１３は、上述の通り、シールド電極１３１を含む。本実施形態のシールド電極１３１は、単にシールド機能を果たすだけではなく、検知電極１４と対を形成して感圧センサ（後述する）を構成する機能を備える。第１シールド部１３において、シールド電極１３１を設けることにより、検知電極１４との間に別のセンサ（後述する感圧センサ）を形成することができる。

本実施形態の検知電極１４は、センサ電極１２と同じく、絶縁性基材１１の主面１１ａ上に形成されている。また、検知電極１４は、第１シールド部１３よりも外側に形成されている。外側の位置は、図中Ｘ方向であってもよいし、図中Ｙ方向であってもよい。本実施形態では、検知電極１４は、シールド電極１３１の外縁１３１Ｅから図中のＸ方向に沿って所定領域Ｒを介在させた位置に形成される。なお、シールド電極１３１の外側の外縁１３１Ｅは、第１シールド部１３の図中Ｘ方向に沿って中央（本実施形態では第２センサ電極１２ｂの形成位置）に対して外側に位置している。検知電極１４に接続する引出配線１４１は外部の回路装置に接続され、検知電極１４の出力信号は当該回路装置に出力される。

本実施形態の検知電極１４を、センサ電極１２及び第１シールド部１３が形成された絶縁性基材１１の一方主面とは異なる他の主面に形成してもよい。或いは、検知電極１４を、センサ電極１２及び第１シールド部１３が形成された絶縁性基材１１とは別の絶縁性基材１１に形成してもよい。

本実施形態の検知電極１４は、銀、カーボン、銅などの導電性材料により塗りつぶされて形成されている。いわゆるベタ電極として検知電極１４が形成されている。なお、ベタパターンに代えて、検知電極１４を網目形状に形成してもよい。対となるシールド電極１３１を網目形状とし、検知電極１４を塗りつぶした状態（非網目形状）とすることにより、感圧センサの検知精度を向上させることができる。

先述したように、センサ電極１２は、第１シールド部１３も含めた周囲に存在する誘電体との間で発生する静電容量変化を検知することにより、操作子ＦＩＮの接触を検知するので、容量結合を小さくするために、検知電極１４を網目形状に形成することも一案である。しかしながら、感圧センサの精度向上の観点から検討すると、シールド電極１３１と検知電極１４との間の静電容量を大きな値として得ることにもメリットがある。そのため、検知電極１４を導電性材料で塗りつぶした態様（いわゆるベタパターン）とすることで、静電容量を増加させて、感圧センサの検知感度を上げることができる。

続いて、本実施形態のセンサ装置１Ａの機能を説明する。本実施形態のセンサ装置１Ａは、センサ電極１２により形成されるタッチセンサＴＳと、検知電極１４とシールド電極１３１により形成される感圧センサと、を有する。

タッチセンサＴＳは、センサ電極１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）により形成される。上述のように、このタッチセンサＴＳは、自己容量方式の静電容量センサである。操作子ＦＩＮがセンサ電極１２に接触すると、センサ電極１２とグランドとの間の一定の静電容量（寄生容量）に新たな静電容量が追加されるので、タッチセンサＴＳは、その静電容量変化を検出することで、操作子ＦＩＮの接触を検知する。タッチセンサＴＳは、センサ電極１２ａ，１２ｂ，１２が検知した結果として静電容量の変化値（Ｄｉｆｆ値）を出力する。シールド電極１３１及びシールド配線１３２を含む第１シールド部１３は、ノイズを排除してセンサ電極１２の検知精度を向上させる。

感圧センサは、検知電極１４とシールド電極１３１とにより形成される。感圧センサは、検知電極１４とシールド電極１３１との間の静電容量変化を検知する。感圧センサは、検知電極１４が検知した結果として静電容量の変化値（Ｄｉｆｆ値）を出力する。感圧センサが出力する静電容量の変化値は、入力操作をする操作子ＦＩＮの押圧力に応じて、検知電極１４とシールド電極１３１が相対的に接近することに伴って変化した静電容量の値である。感圧センサが検知した静電容量の変化値が所定値以上であれば、その入力操作が所定値以上の押圧力を伴うと判断できる。

本実施形態のセンサ装置１Ａは、操作子ＦＩＮにより操作されるセンサ電極１２と第１シールド部１３とにより構成されるタッチセンサＴＳだけではなく、第１シールド部１３のシールド電極１３１を感圧センサの一部としても兼用し、シールド電極１３１と検知電極１４とにより構成される感圧センサを備える。

これにより、ユーザ（操作者）がセンサ装置１Ａの操作面に接触したか否か及び接触した操作面の平面位置の信号をタッチセンサＴＳから得るだけではなく、感圧センサから出力された信号によりユーザが意思を持って入力した信号であることを判断できる。例えば、感圧センサの出力値が所定値以上である場合には、タッチセンサＴＳの出力値がユーザの意思に基づく操作であると判断し、感圧センサの出力値が所定値未満である場合には、タッチセンサＴＳの出力値がユーザの意思に基づく操作ではなく、意図しない接触であると判断することができる。

このように、本実施形態のセンサ装置１Ａは、出力された全信号の中から、ユーザの意思に基づく操作により入力された信号を判断（抽出）できる。つまり、意図せずにタッチパネルに接触してしまったことによる信号を入力信号ではないと判断（排除）できる。この結果、本実施形態のセンサ装置１Ａは、ユーザによって意図されていない入力による誤検知を防止できる。

本実施形態では、図１Ｂに示すように、第１シールド部１３のシールド電極１３１と検知電極１４とはＸＹ面に沿って平行に配置され、ＸＹ平面における少なくとも一部の領域の位置が共通／重複している。シールド電極１３１のＺ座標値（図中高さ／厚さ方向の位置）と検知電極１４のＺ座標値（図中高さ／厚さ方向の位置）とは異なる。第１シールド部１３のシールド電極１３１と検知電極１４とは対向するように配置されている。

本実施形態において、第１シールド部１３が、タッチセンサＴＳのシールド機能を果たすとともに、第１シールド部１３の一部であるシールド電極１３１が、検知電極１４と対をなして感圧センサ（圧力センサ）の電極としての機能を果たす。

また、シールド電極１３１を含む第１シールド部１３が設けられた第１面１５ａを、検知電極１４が設けられた第２面１５ｂよりもセンサ装置１Ａの操作面であるカバーパネル１７側に配置することにより、操作子ＦＩＮと検知電極１４との容量結合を遮断することができるので、シールド電極１３１が操作子ＦＩＮの接近による感圧センサの誤検知を防止する遮断体として機能する。

このように、本実施形態では、遮断体を別部材として追加するのではなく、感圧センサ（圧力センサ）の一方の電極として機能するシールド電極１３１が、遮断体としての機能をも担う。このため、感圧センサ（圧力センサ）と独立した遮断体を設ける必要がない。シールド電極１３１が、感圧センサ（圧力センサ）の一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ａの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ａの高コスト化を抑制することができる。

同図に示すように、シールド電極１３１と検知電極１４との間にはスペーサ１５が配置されている。感圧センサにおいて、シールド電極１３１とスペーサ１５を介して対向配置される検知電極１４は、Ｚ軸方向の押圧によるスペーサ１５の変形に応じた静電容量の変化を検知する。スペーサ１５の第１面１５ａ側の面は、シールド電極１３１と接しており、スペーサ１５の反対側の第２面１５ｂ側の面は検知電極１４に接している。

スペーサ１５は弾性を有する材料から構成された弾性体である。特に限定されないが、スペーサ１５としては、ウレタン、シリコーンなどのクッションフォーム等から構成された弾性体を利用できる。本実施形態では、温度特性が良好な発泡シリコーンを、スペーサ１５として用いている。なお、本実施形態では、センサ電極１２の部分の透光性を確保する観点から、センサ電極１２が形成される領域にはスペーサ１５を配置していない。

また、シールド電極１３１は、検知電極１４を覆うように形成する。シールド電極１３１のＸＹ座標における領域（図１Ａ及び図１Ｂ参照）に、検知電極１４のＸＹ座標における領域（図１Ａ及び図１Ｂ参照）が属している。同図に示すように、シールド電極１３１は、検知電極１４に接していない。また、第１シールド部１３に含まれるシールド電極１３１の幅ｄ１３１（Ｘ方向の幅）は、検知電極１４の幅ｄ１４（Ｘ方向の幅）よりも太い（幅の長さの値が大きい）ことが好ましい（ｄ１３１＞ｄ１４）。図中Ｙ方向においても同様に、シールド電極１３１の長さｙ１３１（Ｙ方向の長さ）は、検知電極１４の長さｙ１４（Ｙ方向の長さ）よりも長い（幅の長さの値が大きい）ことが好ましい（ｙ１３１＞ｙ１４）。

本実施形態では、シールド電極１３１のＸ方向の幅が検知電極１４のＸ方向の幅よりも大きく、シールド電極１３１のＹ方向の幅が検知電極１４のＹ方向の幅よりも大きくなるように、シールド電極１３１と検知電極１４の形状、大きさ、位置(組み立て時の位置)を設定している。このため、平面視において、シールド電極１３１が存在するＸＹ領域に、検知電極１４が存在するＸＹ領域が含まれ、シールド電極１３１が検知電極１４を覆っている。

シールド電極１３１は、図中ＸＹ平面において検知電極１４を覆うことで、平面視において、検知電極がシールド電極１３１から露出する部分がなくなり、操作子ＦＩＮと検知電極１４との静電結合をより確実に防止することができる。さらに、シールド電極１３１は、検知電極１４を覆いつつ、シールド電極１３１を、検知電極１４よりも大きくすることで、操作子ＦＩＮが検知電極とは重ならない位置に接近した場合においても、斜め方向における操作子ＦＩＮと検知電極１４との静電結合も防止することが可能となる。

≪第２実施形態≫
第２実施形態のセンサ装置１Ｂは、（ａ）絶縁性基材１１が領域Ｃに代えて領域Ｄを有している点、及び、（ｂ）第２シールド体２０を備えている点で、第１実施形態と相違する。なお、第２実施形態のセンサ装置１Ｂの基本的構成は、第１実施形態のセンサ装置１Ａの基本的構成と共通する。以下に、第２実施形態におけるセンサ装置１Ｂについて第１実施形態との相違点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付してその説明を省略する。

図２Ａ及び図２Ｂに基づいて第２実施形態のセンサ装置１Ｂについて説明する。図２Ａは本発明の第２実施形態のセンサ装置１Ｂの平面展開図であり、図２Ｂは図２Ａに示す展開状態のものを組み立てたセンサ装置１ＢのIIB-IIB線に沿った断面図である。

図２Ａに示すように、センサ装置１Ｂは、絶縁性基材１１と、センサ電極１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）と、第１シールド部１３（１３１，１３２，１３３，１３４）と、検知電極１４と、第２シールド部２０と、スペーサ１５と、を備えている。

本実施形態の第１シールド部１３は、センサ電極１２の周囲に設けられていると共に、各センサ電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃの間に延在するシールド配線１３３，１３４（図２Ａを参照）を含んでいる。特に図示しないが、このシールド配線１３３，１３４に対向して検知電極１４を配置してもよい。この場合には、シールド配線１３３，１３４は、タッチセンサＴＳのシールド配線として機能、感圧センサの検知電極１４と対をなす電極の機能、及び、検知電極の遮断体としての機能を兼ねる。

本実施形態の第２シールド部２０は、検知電極１４が設けられた面と同一の第２面１５ｂに設けられており、検知電極１４の周囲の少なくとも一部に設けられている。図２Ａ及び図２Ｂに示す例においては、第２シールド部２０は、検知電極１４の周囲を取り囲むように配置されている。この第２シールド部２０は、外部に引き出されてグランドや定電位に接続される。図２Ａに示す例においては、第２シールド部２０は、第１シールド部１３のシールド電極１３１と接続されている。なお、第２シールド部２０は、外部に引き出されてグランドや定電位に接続可能である限り、第１シールド部１３と接続されていなくてもよい。

図２Ｂに示すように、組み立てられたセンサ装置１Ｂにおいては、センサ電極１２と第１シールド部１３とは、センサ装置１Ｂに対して入力操作等が行われる操作面側の第１面１５ａに設けられている（形成されている）。これに対し、検知電極１４と第２シールド部２０は、第１面１５ａに対して操作面側とは反対側に位置する第２面１５ｂに設けられている（形成されている）。

本実施形態の絶縁性基材１１は、図中Ｘ方向（図中横方向）に沿って領域Ａ，Ｂ，Ｄを有している。領域ＤのＸ方向に沿った長さは、領域ＢのＸ方向に沿った長さよりも短い。領域ＤのＸ方向に沿った長さｄＤは、領域ＢのＸ方向に沿った長さｄＢから領域ＡのＸ方向に沿った長さｄＡを差し引いた長さに基づいて設定する。折り返される領域Ａの端部ＡＥと領域Ｄの端部ＤＥとの間を距離ｄＡＤとすることができる。この場合には、ｄＤ＋ｄＡＤ＋ｄＡ＝ｄＢとなるように領域Ｄの長さｄＤを設定する。

図２Ａに示すセンサ装置１Ｂにおいては、センサ電極１２及び第１シールド部１３は、領域Ｂに形成されている。一方、検知電極１４及び第２シールド部２０は領域Ａ，Ｄのそれぞれに一つずつ形成されている。図２Ａの平面展開図に示されるように、センサ電極１２、第１シールド部１３、検知電極１４及び第２シールド部２０は、絶縁性基材１１の同一の主面１１ａに形成されている。

同図に示すセンサ装置１Ｂは、領域Ａと領域Ｂとの間、つまり領域Ａと領域Ｂとが連なる接続部分に所定領域Ｒを有する。同様に、センサ装置１Ｂは、領域Ｂと領域Ｄとの間、つまり領域Ｂと領域Ｄとが連なる接続部分に所定領域Ｒを有する。

この二つの所定領域Ｒは、それぞれ折り曲げ部Ｆを含む。本実施形態の折り曲げ部Ｆは、絶縁性基材１１の図中Ｙ軸方向に沿った領域を切り欠いて形成されており、Ｘ軸に沿って異なる位置に２本の折れ曲げ線Ｌ１，Ｌ２を含む。折れ曲げ線Ｌ１，Ｌ２近傍で折り曲げられた領域Ａは領域Ｂと略面平行の位置となり、領域Ａに形成された検知電極１４とシールド電極１３１とが向かい合う。折れ曲げ線Ｌ１，Ｌ２近傍で折り曲げられた領域Ｄは領域Ｂと略面平行の位置関係となり、領域Ｄに形成された検知電極１４とシールド電極１３１とが向かい合う。こうした折り曲げ動作によりセンサ装置１Ｂを組み立てる。組み立てられたセンサ装置１Ｂの断面を図２Ｂに示す。

本実施形態においても、センサ装置１Ｂの表面（操作面／入力面）にカバーパネル１７を配置する。絶縁性基材１１の領域Ｄの主面１１ａには発光体としてのＬＥＤ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを配置してもよい。図２Ｂに示すように、操作子ＦＩＮがカバーパネル１７に触れることにより信号（操作指令）を入力する。

センサ電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃは操作子ＦＩＮとの間の静電容量の変化を検知する。センサ電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、自己容量方式の一般的な静電容量センサの電極と同様の機能を備える。

センサ電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、操作子ＦＩＮとの間の静電容量変化を検知するタッチセンサＴＳを構成し、検知結果として静電容量の変化値（Ｄｉｆｆ値）を出力する。検知電極１４とシールド電極１３１は、検知電極１４とシールド電極１３１との間の静電容量変化を検知する感圧センサを構成し、検知結果として静電容量の変化値（Ｄｉｆｆ値）を出力する。

図２Ａ及び図２Ｂに示す第２実施形態のセンサ装置１Ｂは、上述の第１実施形態のセンサ装置１Ａと同様に、操作子ＦＩＮとセンサ電極１２とにより構成されるタッチセンサＴＳだけではなく、シールド電極１３１と検知電極１４とにより構成される感圧センサを備えることにより、誤検知が抑制されたセンサ装置１Ｂを提供することができる。

また、本実施形態では、上述の第１実施形態と同様に、シールド電極１３１が、感圧センサの一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、センサ装置１Ｂの部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ｂの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ｂの高コスト化を抑制することができる。

さらに、図２Ａ及び図２Ｂに示す第２実施形態のセンサ装置１Ｂは、第２シールド部２０が、検知電極１４と同一の第２面１５ｂであって検知電極１４の周囲の少なくとも一部に設けられていることにより、ノイズを排除して検知電極１４とシールド電極１３１との間の静電容量を正確に検知できるようにすることができる。

≪第３実施形態≫
図３Ａは本発明の第３実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図であり、図３Ｂは図３ＡのIIIB-IIIB線に沿ったセンサ装置の断面図である。

本実施形態では、（ａ）タッチセンサＴＳが相互容量方式の静電容量センサである点、（ｂ）第１シールド部１３が絶縁性基材１１の領域Ｂの全面に設けられている点、及び、（ｃ）２つの検知電極１４ａ，１４ｂ（検知電極１４ｃ，１４ｄ）が絶縁性基材１１の領域Ａ（領域Ｃ）に２つずつ設けられている点で、第１実施形態と相違する。以下に、第３実施形態におけるセンサ装置１Ｃについて第１実施形態との相違点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付してその説明を省略する。

本実施形態におけるセンサ装置１Ｃは、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、絶縁性基材１１と、センサ電極３０ａ～３０ｃと、第１シールド部１３と、検知電極１４ａ～１４ｄと、スペーサ１５と、を備えている。

絶縁性基材１１は、第１実施形態と同様に、図中Ｘ方向に沿って領域Ａ～Ｃを有しており、領域Ａと領域Ｂとの間に折り曲げ部Ｆを有していると共に、領域Ｂと領域Ｃとの間にも折り曲げ部Ｆを有している。そして、領域Ａに２つの検知電極１４ａ，１４ｂが設けられ、領域Ｂにセンサ電極３０ａ～３０ｃ及び第１シールド部１３が設けられ、領域Ｃに２つの検知電極１４ｃ，１４ｄが設けられている。図３Ａに示すように、センサ電極３０ａ～３０ｃ、第１シールド部１３及び検知電極１４ａ～１４ｄは、絶縁性基材１１の同一の主面１１ａに形成されている。

３つのセンサ電極３０ａ～３０ｃは、図中Ｘ方向に沿って並べられている。そして、それぞれのセンサ電極３０ａ～３０ｃは、２つの電極から構成されている。具体的には、センサ電極３０ａは、入力電極（送信電極）（Ｔｘ）３１ａと受信電極（Ｒｘ）３２ａから構成されている。同様に、センサ電極３０ｂも入力電極３１ｂと受信電極３２ｂから構成されており、センサ電極３０ｃも入力電極３１ｃと受信電極３２ｃから構成されている。

入力電極３１ａ及び受信電極３２ａは、図中Ｙ方向に沿って間隔を空けて相互に隣り合うように配置されている。本実施形態では、入力電極３１ａ及び受信電極３２ａは、いずれも半円形状を有しており、センサ電極３０ａの全体の輪郭が略円形となるように、入力電極３１ａ及び受信電極３２ａが配置されている。なお、入力電極３１ａと受信電極３２ａが間隔を空けて相互に隣り合うように配置されている限り、入力電極３１ａ及び受信電極３２ａの形状は、特に上記に限定されない。例えば、入力電極３１ａ及び受信電極３２ａの形状は、矩形状、或いは、櫛歯状であってもよい。

センサ電極３０ｂについても同様に、入力電極３１ｂ及び受信電極３２ｂは、いずれも半円形状を有しており、センサ電極３０ｂの全体の輪郭が略円形となるように配置されている。センサ電極３０ｃについても同様に、入力電極３１ｃ及び受信電極３２ｃは、いずれも半円形状を有しており、センサ電極３０ｃの全体の輪郭が略円形となるように配置されている。

３つの入力電極３１ａ～３１ｃには、一本の引出配線３１１が分岐して接続されている。入力電極３１ａ～３１ｃは、この引出配線３１１を介して、外部の回路装置（不図示）に接続される。これに対し、３つの受信電極３２ａ～３２ｃには、３本の引出配線３２１ａ～３２１ｃがそれぞれ接続されている。この受信電極３２ａ～３２ｃは、引出配線３２１ａ～３２１ｃを介して、外部の回路装置に個別に接続される。

本実施形態では、外部の回路装置から入力電極３１ａに電圧を印加することで、当該入力電極３１ａと受信電極３２ａとの間に電界を発生させる。そして、操作子ＦＩＮが接近すると、上記の電界が変化すると共に電極３１ａ，３２ａ間の静電容量も変化するので、受信電極３２ａがその静電容量変化を検出することで、操作子ＦＩＮの接触を検知する。なお、上述のように入力電極３１ａには外部の回路装置から電圧が印加されているので、操作子ＦＩＮの接近によって当該入力電極３１ａの電位が変化することはない。

センサ電極３０ｂについても同様に、外部の回路装置から入力電極３１ｂに電圧を印加して、当該入力電極３１ｂと受信電極３２ｂとの間に電界を発生させ、電極３１ｂ，３２ｂ間の静電容量変化を受信電極３２ｂが検出することで、操作子ＦＩＮの接触を検知する。センサ電極３０ｃについても同様に、外部の回路装置から入力電極３１ｃに電圧を印加して、当該入力電極３１ｃと受信電極３２ｃとの間に電界を発生させ、電極３１ｃ，３２ｃ間の静電容量変化を受信電極３２ｃが検出することで、操作子ＦＩＮの接触を検知する。

本実施形態の第１シールド部１３は、センサ電極３０ａ～３０ｃの周囲と引出配線３１１，３２１ａ～３２１ｃの周囲を除いて、絶縁性基材１１の領域Ｂのほぼ全域に設けられている。この第１シールド部１３は、図３Ａに示すように網目形状を有しているが、特にこれに限定されず、第１シールド部１３がベタパターンあってもよい。また、上述した第１実施形態のように、第１シールド部３０の形状を、センサ電極３０ａ～３０ｃを取り囲むような枠形状としてもよい。

本実施形態では、センサ電極３０ａ～３０ｃと引出配線３１１，３２１ａ～３２１ｃのレイアウトの関係上、第１シールド部１３が４つの領域に分割されているが、個々の領域に引出配線１３５が個別に接続されており、この引出配線１３５を介して第１シールド部１３がグランドや定電位に接続される。

検知電極１４ａ，１４ｂは、絶縁性基材１１の領域Ａの図中Ｙ方向の両端に配置されている。この２つの検知電極１４ａ，１４ｂには、一本の引出配線１４１が分岐して接続されている。検知電極１４ａ，１４ｂは、この引出配線１４１を介して、外部の回路装置に接続される。

同様に、検知電極１４ｃ，１４ｄも、絶縁性基材１１の領域Ｃの図中Ｙ方向の両端に配置されている。この２つの検知電極１４ｃ，１４ｄには、一本の引出配線１４１が分岐して接続されている。検知電極１４ｃ，１４ｄは、この引出配線１４１を介して、外部の回路装置に接続される。

以上に説明したセンサ電極３０ａ～３０ｃ、第１シールド部１３、及び検知電極１４ａ～１４ｄは、第１実施形態で説明したセンサ電極１２、第１シールド部１３及び検知電極１４と同様の材料及び製法により形成されている。

第１実施形態と同様に、一方の折り曲げ部Ｆを折り曲げることで、スペーサ１５を介して領域Ａと領域Ｂが重なり、検知電極１４ａ，１４ｂが第１シールド部１３の一部１３６（対向部分１３６）と対向する。同様に、他方の折り曲げ部Ｆを折り曲げることで、スペーサ１５を介して領域Ｃと領域Ｂが重なり、検知電極１４ｃ，１４ｄと第１シールド部１３の一部１３６（対向部分１３６）と対向する。こうした折り曲げ動作により、センサ装置１Ｃが組み立てられる。組み立てられたセンサ装置１Ｃの断面を図３Ｂに示す。この状態において、センサ電極３０ａ～３０ｃと第１シールド部１３とは、第１面１５ａに設けられているのに対し、検知電極１４ａ～１４ｄは、第２面１５ｂに設けられている。

本実施形態では、センサ電極３０ａ～３０ｃと第１シールド部１３がタッチセンサＴＳを形成している。具体的には、上述のように、センサ電極３０ａ～３０ｃは、静電容量変化を検知することにより、操作子ＦＩＮの接触を検知する。この際、第１シールド部１３は、センサ電極３０ａ～３０ｃと操作子ＦＩＮとの間の静電容量を正確に検知できるようにノイズを排除する。

また、本実施形態では、検知電極１４ａ～１４ｄと第１シールド部１３の対向部分１３６が感圧センサを形成している。具体的には、操作子ＦＩＮの押圧に伴って検知電極１４ａと対向部分１３６との間の間隔が狭まるので、検知電極１４ａ～１４ｄは、当該間隔の変化に応じた静電容量の変化を検知する。

すなわち、本実施形態では、感圧センサを形成している対向部分１３６は、タッチセンサＴＳを形成している第１シールド部１３の一部でもあり、タッチセンサＴＳにおける第１シールド部１３の一部である対向部分１３６が、感圧センサの検知電極１４ａ～１４ｄと対をなす電極の機能を兼ねている。

また、本実施形態では、第１シールド部１３が設けられた第１面１５ａを、検知電極１４ａ～１４ｄが設けられた第２面１５ｂよりもセンサ装置１Ｃの操作面側に配置することにより、操作子ＦＩＮと検知電極１４ａ～１４ｄとの容量結合を遮断することができるので、第１シールド部１３が操作子ＦＩＮの接近による感圧センサの誤検知を防止する遮断体として機能する。

このように、本実施形態では、第１シールド部１３が、感圧センサの一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ｃの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ｃの高コスト化を抑制することができる。

≪第４実施形態≫
図４は本発明の第４実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。

本実施形態では、遮断電極を備えている点で、第３実施形態と相違する。以下に、第４実施形態におけるセンサ装置１Ｄについて第３実施形態との相違点についてのみ説明し、第３実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付してその説明を省略する。

本実施形態におけるセンサ装置１Ｄは、図４に示すように、絶縁性基材１１、センサ電極３０ａ～３０ｃ、第１シールド部１３、検知電極１４ａ～１４ｄ、及びスペーサ１５に加えて、４つの遮断電極４０ａ～４０ｄを備えている。

遮蔽電極４０ａ～４０ｄは、絶縁性基材１１の領域Ｂに設けられている。この遮断電極４０ａ～４０ｄは、絶縁性基材１１を折り曲げ部Ｆで折り曲げた状態において、検知電極１４ａ～１４ｄにそれぞれ対向するように、絶縁性基材１１の主面１１ａ上に配置されている。本実施形態では、遮蔽電極４０ａ～４０ｄが検知電極１４ａ～１４ｄよりも大きくなっており、絶縁性基材１１を折り曲げ部Ｆで折り曲げた状態において、遮蔽電極４０ａ～４０ｄが検知電極１４ａ～１４ｄを覆っている。４つの遮断電極４０ａ～４０ｄは、センサ電極３０ａ～３０ｃの入力電極３１ａ～３１ｃを接続する引出配線３１１によって接続されており、当該入力電極３１ａ～３１ｃと同電位となっている。

この遮断電極４０ａ～４０ｄは、第１実施形態で説明したセンサ電極１２、第１シールド部１３及び検知電極１４と同様の材料及び製法により形成されている。なお、本実施形態の第１シールド部１３は、センサ電極３０ａ～３０ｃの及び引出配線３１１，３２１ａ～３２１ｃに加えて、この遮断電極４０ａ～４０ｄの周囲にも形成されていない。

本実施形態では、センサ電極３０ａ～３０ｃと第１シールド部１３がタッチセンサＴＳを形成している。また、本実施形態では、検知電極１４ａ～１４ｄと遮断電極４０ａ～４０ｄが感圧センサを形成している。

そして、特に図示しないが、第３実施形態の図３Ｂと同様に、遮断電極４０ａ～４０ｄが設けられた第１面１５ａを、検知電極１４ａ～１４ｄが設けられた第２面１５ｂよりもセンサ装置１Ｄの操作面側に配置すると共に、遮断電極４０ａ～４０ｄが入力電極３１ａ～３１ｃに接続されて当該入力電極３１ａ～３１ｃと同電位となっている。これにより、操作子ＦＩＮと検知電極１４ａ～１４ｄとの容量結合を遮断することができるので、遮断電極４０ａ～４０ｄが操作子ＦＩＮの接近による感圧センサの誤検知を防止する遮断体として機能する。

このように、本実施形態では、遮断電極４０ａ～４０ｄが、感圧センサの一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ｄの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ｄの高コスト化を抑制することができる。

≪第５実施形態≫
図５は本発明の第５実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。

本実施形態では、遮断電極が引出配線を介して入力電極に直接接続されていない点で、第４実施形態と相違する。以下に、第５実施形態におけるセンサ装置１Ｅについて第４実施形態との相違点についてのみ説明し、第４実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付してその説明を省略する。

本実施形態では、遮断電極４０ａ～４０ｄに、入力電極３１ａ～３１ｃを接続する引出配線３１１が接続されていない。遮断電極４０ａ～４０ｄには、引出配線３１１とは別の引出配線４１が接続されており、この引出配線４１を介して、外部の回路装置に接続される。この際、外部の回路装置によって、４つの遮断電極４０ａ～４０ｄに電圧が印加され、当該遮断電極４０ａ～４０ｄがセンサ電極３０ａ～３０ｃの入力電極３１ａ～３１ｃの電位と実質的に同一の電位を有する（すなわち、遮断電極４０ａ～４０ｄが入力電極３１ａ～３１ｃと同電位となる）ように構成されている。

上述の第４実施形態と同様に、本実施形態では、遮断電極４０ａ～４０ｄが設けられた第１面１５ａを、検知電極１４ａ～１４ｄが設けられた第２面１５ｂよりもセンサ装置１Ｄの操作面側に配置すると共に、遮断電極４０ａ～４０ｄの電位が入力電極３１ａ～３１ｃの電位と実質的に同一となるように構成されている。これにより、操作子ＦＩＮと検知電極１４ａ～１４ｄとの容量結合を遮断することができるので、遮断電極４０ａ～４０ｄが操作子ＦＩＮの接近による感圧センサの誤検知を防止する遮断体として機能する。

このように、本実施形態では、遮断電極４０ａ～４０ｄが、感圧センサの一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ｅの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ｅの高コスト化を抑制することができる。

≪第６実施形態≫
図６Ａは本発明の第６実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図であり、図６Ｂは図６Ａに示すセンサ装置の領域Ａ，Ｃを折り曲げた状態を示す平面図であり、図６Ｃは図６ＢのVIC-VIC線に沿ったセンサ装置の断面図である。

本実施形態では、（ａ）４つのセンサ電極１２ａ～１２ｄがマトリクス状に配置されている点、（ｂ）第１シールド部１３が絶縁性基材１１の領域Ｂの全面に設けられている点、（ｃ）２つの検知電極１４ａ，１４ｂ（検知電極１４ｃ，１４ｄ）が絶縁性基材１１の領域Ａ（領域Ｃ）に２つずつ設けられている点、及び、（ｄ）第２シールド部２０が絶縁性基材１１の領域Ａ（領域Ｃ）に設けられている点で、第１実施形態と相違する。以下に、第６実施形態におけるセンサ装置１Ｆについて第１実施形態との相違点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付してその説明を省略する。

本実施形態のセンサ電極１２ａ～１２ｄは、第１実施形態のセンサ電極１２ａ～１２ｃと同様に、自己容量方式の静電容量センサである。図６Ａに示すように、４つのセンサ電極１２ａ～１２ｄは、絶縁性基材１１の主面１１ａ上に設けられており、２行２列に配列されている。センサ電極１２ａ～１２ｄには、４本の引出配線１２１ａ～１２１ｄがそれぞれ接続されており、このセンサ電極１２ａ～１２ｄは、引出配線１２１ａ～１２１ｄを介して、外部の回路装置に個別に接続される。

検知電極１４ａ，１４ｂは、絶縁性基材１１の領域Ａの図中Ｙ方向の両端に配置されている。この２つの検知電極１４ａ，１４ｂには、一本の引出配線１４１が分岐して接続されている。検知電極１４ａ，１４ｂは、この引出配線１４１を介して、外部の回路装置に接続される。

同様に、検知電極１４ｃ，１４ｄも、絶縁性基材１１の領域Ｃの図中Ｙ方向の両端に配置されている。この２つの検知電極１４ｃ，１４ｄには、一本の引出配線１４１が分岐して接続されている。検知電極１４ｃ，１４ｄは、この引出配線１４１を介して、外部の回路装置に接続される。

本実施形態の第１シールド部１３は、センサ電極１２ａ～１２ｄの周囲と引出配線１２１ａ～１２１ｄ，１４１の周囲を除いて、絶縁性基材１１の領域Ｂのほぼ全域に設けられている。この第１シールド部１３は、図６Ａに示すように網目形状を有しているが、特にこれに限定されず、第１シールド部１３がベタパターンであってもよい。また、上述した第１実施形態のように、第１シールド部３０の形状を、センサ電極１２ａ～１２ｄを取り囲むような枠形状としてもよい。

本実施形態では、第１シールド部１３が２本のスリット１３７を有している。このスリット１３７は線状に延在しており、第１シールド部１３を３つの領域１３ａ～１３ｃに分割している。そして、検出電極１４ａ，１４ｂに接続された引出配線１４１は、一方のスリット１３７を介して第１シールド部１３を通過しており、当該引出配線１４１は第１シールド１３の２つの領域１３ａ，１３ｂの間に挟まれている。同様に、検出電極１４ｃ，１４ｄに接続された引出配線１４１は、他方のスリット１３７を介して第１シールド部１３を通過しており、当該引出配線１４１は第１シールド１３の２つの領域１３ｂ，１３ｃの間に挟まれている。

第２シールド部２０は、絶縁性基材１１の領域Ａ，Ｃの主面１１ａ上にそれぞれ設けられており、検知電極１４ａ～１４ｄの周囲を取り囲んでいる。この第２シールド部２０は、第１シールド部１３に接続されており、第１シールド部１３を介してグランドや定電位に接続される。

以上に説明したセンサ電極１２ａ～１２ｄ、第１シールド部１３、及び検知電極１４ａ～１４ｄは、第１実施形態で説明したセンサ電極１２、第１シールド部１３及び検知電極１４と同様の材料及び製法により形成されている。

図６Ｂに示すように、一方の折り曲げ部Ｆを折り曲げることで、スペーサ１５を介して領域Ａと領域Ｂが重なり、検知電極１４ａ，１４ｂが第１シールド部１３の一部１３６（対向部分１３６）と対向する。同様に、他方の折り曲げ部Ｆを折り曲げることで、スペーサ１５を介して領域Ｃと領域Ｂが重なり、検知電極１４ｃ，１４ｄと第１シールド部１３の一部１３６（対向部分１３６）と対向する。こうした折り曲げ動作により、センサ装置１Ｆが組み立てられる。組み立てられたセンサ装置１Ｆの断面を図６Ｃに示す。この状態において、センサ電極１２ａ～１２ｄと第１シールド部１３とは、第１面１５ａに設けられているのに対し、検知電極１４ａ～１４ｄと第２シールド部２０とは、第２面１５ｂに設けられている。

なお、折り曲げ部Ｆで絶縁性基材１１を折り曲げた状態において、検知電極１４ａ，１４ｂは、第１シールド部１３の領域１３ｂ，１３ａにそれぞれ対向しているため、当該領域１３ｂ，１３ａの間を通過する一方の引出配線１４１が検知電極１４ａ，１４ｂと重なることはない。同様に、折り曲げ部Ｆで絶縁性基材１１を折り曲げた状態において、検知電極１４ｃ，１４ｄは、第１シールド部１３の領域１３ｂ，１３ｃに対向しているため、当該領域１３ｂ，１３ｃの間を通過する他方の引出配線１４１が検知電極１４ｃ，１４ｄと重なることもない。

なお、スペーサ１５の形状は、絶縁性基材１１の領域Ａ又は領域Ｃに対応した矩形板状の形状に限定されない。

図７Ａは本発明の第６実施形態におけるセンサ装置の第１変形例を示す平面展開図であり、図７Ｂは図７ＡのVIIB-VIIB線に沿ったセンサ装置の断面図である。

例えば、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、スペーサ１５Ａの形状を、開口１５１を有する略Ｕ字形状としてもよい。この場合には、開口１５１が検知電極１４ａ，１４ｂと第１シールド１３の間に介在するように、一方のスペーサ１５Ａを絶縁性基材１１の領域Ａと領域Ｂとの間に挟む。同様に、開口１５１が検知電極１４ｃ，１４ｄと第１シールド１３の間に介在するように、他方のスペーサ１５Ａを絶縁性基材１１の領域Ｃと領域Ｂとの間に挟む。

図８Ａは本発明の第６実施形態におけるセンサ装置の第２変形例を示す平面展開図であり、図８Ｂは図８ＡのVIIIB-VIIIB線に沿ったセンサ装置の断面図である。

或いは、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、スペーサ１５Ｂの形状を、開口１５２を有する矩形枠形状としてもよい。この場合にも、開口１５２が検知電極１４ａ，１４ｂと第１シールド１３の間に介在するように、一方のスペーサ１５Ｂを絶縁性基材１１の領域Ａと領域Ｂとの間に挟む。同様に、開口１５２が検知電極１４ｃ，１４ｄと第１シールド１３の間に介在するように、他方のスペーサ１５Ｂを絶縁性基材１１の領域Ｃと領域Ｂとの間に挟む。

なお、上記のスペーサ１５Ａ，１５Ｂは、弾性体である必要はなく、比較的高いヤング率を有する絶縁性材料（例えば樹脂材料）で構成することができる。

なお、図８Ｂに示すように、クッション部材５１がスペーサ１５Ｂの開口１５２と重なるように、当該クッション部材５１をセンサ装置１Ｆの下側に配置し、当該クッション部材５１を介して支持部材５０（例えば製品の筐体）によってセンサ装置１Ｆを支持してもよい。この場合には、操作子ＦＩＮによりセンサ装置１Ｅが押圧されると、図中の矢印で示すように、クッション部材５１によって絶縁性基材１１の領域Ａ，Ｃが撓むことで、検知電極１４ａ～１４ｄと第１シールド部１３とが相互に接近する。

図６Ａ～図６Ｃに戻り、本実施形態では、センサ電極１２ａ～１２ｄと第１シールド部１３がタッチセンサＴＳを形成している。具体的には、センサ電極１２ａ～１２ｄは、静電容量変化を検知することにより、操作子ＦＩＮの接触を検知する。この際、第１シールド部１３は、センサ電極１２ａ～１２ｄと操作子ＦＩＮとの間の静電容量を正確に検知できるようにノイズを排除する。

また、本実施形態では、検知電極１４ａ～１４ｄと第１シールド部１３の対向部分１３６が感圧センサを形成している。具体的には、操作子ＦＩＮの押圧に伴って検知電極１４ａと対向部分１３６との間の間隔が狭まるので、検知電極１４ａ～１４ｄは、当該間隔の変化に応じた静電容量の変化を検知する。この際、第２シールド部２０は、検知電極１４ａ～１４ｄと第１シールド部１３との間の静電容量を正確に検知できるようにノイズを排除する。

本実施形態では、図６Ｂに示すように、平面視において、４つの検知電極１４ａ～１４ｄは、４つのセンサ電極１２ａ～１２ｄの周囲に配置されている。より具体的には、４つのセンサ電極１２ａ～１２ｄは、全ての検知電極１４ａ～１４ｄを包含し且つ全ての検知電極１４ａ～１４ｄに接触する仮想枠ＶＦの内側に配置されている。これにより、いずれのセンサ電極１２ａ～１２ｄが押圧された場合であっても、感圧センサにより圧力を確実に検知することができる。

また、本実施形態では、検知電極１４ａ～１４ｄの引出配線１４１も、第１シールド部１３で挟まれているので、感圧センサの検知精度の向上を更に図ることができる。

本実施形態では、感圧センサを形成している対向部分１３６は、タッチセンサＴＳを形成している第１シールド部１３の一部でもあり、タッチセンサＴＳにおける第１シールド部１３の一部である対向部分１３６が、感圧センサの検知電極１４ａ～１４ｄと対をなす電極の機能を兼ねている。

また、本実施形態では、第１シールド部１３が設けられた第１面１５ａを、検知電極１４ａ～１４ｄが設けられた第２面１５ｂよりもセンサ装置１Ｅの操作面側に配置することにより、操作子ＦＩＮと検知電極１４ａ～１４ｄとの容量結合を遮断することができるので、第１シールド部１３が操作子ＦＩＮの接近による感圧センサの誤検知を防止する遮断体として機能する。

このように、本実施形態では、第１シールド部１３が、感圧センサの一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ｆの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ｆの高コスト化を抑制することができる。

≪第７実施形態≫
図９は、本発明の第７実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。

本実施形態では、複数の検知電極が複数のセンサ電極にそれぞれ対応するように配置されている点で第１実施形態と相違する。以下に、第７実施形態におけるセンサ装置１Ｇについて第１実施形態との相違点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付してその説明を省略する。

本実施形態におけるセンサ装置１Ｇは、図９に示すように、絶縁性基材１１と、センサ電極１２ａ～１２ｄと、第１シールド部１３と、検知電極１４ａ～１４ｄと、スペーサ１５と、を備えている。

絶縁性基材１１は、第１実施形態と同様に、図中Ｘ方向に沿って領域Ａ～Ｃを有しており、領域Ａと領域Ｂとの間に折り曲げ部Ｆを有していると共に、領域Ｂと領域Ｃとの間にも折り曲げ部Ｆを有している。そして、領域Ａに２つの検知電極１４ａ，１４ｂが設けられ、領域Ｂにセンサ電極１２ａ～１２ｄ及び第１シールド部１３が設けられ、領域Ｃに２つの検知電極１４ｃ，１４ｄが設けられている。図９に示すように、センサ電極１２ａ～１２ｄ、第１シールド部１３及び検知電極１４ａ～１４ｄは、絶縁性基材１１の同一の主面１１ａに形成されている。

本実施形態のセンサ電極１２ａ～１２ｄは、第１実施形態のセンサ電極１２ａ～１２ｃと同様に、自己容量方式の静電容量センサである。図９に示すように、４つのセンサ電極１２ａ～１２ｄは、絶縁性基材１１の主面１１ａ上で２行２列に配列されている。センサ電極１２ａ～１２ｄには、４本の引出配線１２１ａ～１２１ｄがそれぞれ接続されており、このセンサ電極１２ａ～１２ｄは、引出配線１２１ａ～１２１ｄを介して、外部の回路装置に個別に接続される。

本実施形態の第１シールド部１３は、センサ電極１２ａ～１２ｄの周囲と引出配線１２１ａ～１２１ｄの周囲を除いて、絶縁性基材１１の領域Ｂのほぼ全域に設けられている。この第１シールド部１３は、図９に示すように網目形状を有しているが、特にこれに限定されず、第１シールド部１３がベタパターンあってもよい。この第１シールド部２０には引出配線１３５が接続されており、この引出配線１３５を介して第１シールド部１３がグランドや定電位に接続される。

特に図示しないが、第１シールド部３０の形状を、センサ電極１２ａ～１２ｄを個別に取り囲むような４つの枠形状としてもよい。なお、この場合には、検出電極１４ａ～１４ｄにそれぞれ対向するように、４つの枠状の第１シールド部を配置する。

検知電極１４ａ，１４ｂは、絶縁性基材１１の領域Ａの図中Ｙ方向の両端に配置されている。それぞれの検知電極１４ａ，１４ｂは、開口１４２を持つ矩形枠状の形状を有している。検知電極１４ａの開口１４２は、センサ電極１２ａの外形を包含する大きさを有しており、検知電極１４ｂの開口１４２も、センサ電極１２ｂの外形を包含する大きさを有している。そして、折り曲げ部Ｆで絶縁性基材１１を折り曲げた状態において、検知電極１４ａの開口１４２がセンサ電極１２ａに対向していると共に、センサ電極１２ｂの開口１４２がセンサ電極１２ｂに対向している。

この２つの検知電極１４ａ，１４ｂには、２本の引出配線１４１ａ，１４１ｂがそれぞれ接続されている。検知電極１４ａ，１４ｂは、この引出配線１４１ａ，１４１ｂを介して、外部の回路装置に個別的に接続される。

同様に、検知電極１４ｃ，１４ｄも、絶縁性基材１１の領域Ｃの図中Ｙ方向の両端に配置されている。それぞれの検知電極１４ｃ，１４ｄは、開口１４２を持つ矩形枠状の形状を有している。検知電極１４ｃの開口１４２は、センサ電極１２ｃの外形を包含する大きさを有しており、検知電極１４ｄの開口１４２も、センサ電極１２ｄの外形を包含する大きさを有している。そして、折り曲げ部Ｆで絶縁性基材１１を折り曲げた状態において、検知電極１４ｃの開口１４２がセンサ電極１２ｃに対向していると共に、センサ電極１２ｄの開口１４２がセンサ電極１２ｄに対向している。

この２つの検知電極１４ｃ，１４ｄには、２本の引出配線１４１ｃ，１４１ｄがそれぞれ接続されている。検知電極１４ｃ，１４ｄは、この引出配線１４１ｃ，１４１ｄを介して、外部の回路装置に個別的に接続される。

以上に説明したセンサ電極１２ａ～１２ｄ、第１シールド部１３、及び検知電極１４ａ～１４ｄは、第１実施形態で説明したセンサ電極１２、第１シールド部１３及び検知電極１４と同様の材料及び製法により形成されている。

第１実施形態と同様に、一方の折り曲げ部Ｆを折り曲げることで、スペーサ１５を介して領域Ａと領域Ｂが重なり、検知電極１４ａ，１４ｂが第１シールド部１３の一部１３６（対向部分１３６）と対向する。同様に、他方の折り曲げ部Ｆを折り曲げることで、スペーサ１５を介して領域Ｃと領域Ｂが重なり、検知電極１４ｃ，１４ｄと第１シールド部１３の一部１３６（対向部分１３６）と対向する。こうした折り曲げ動作により、センサ装置１Ｆが組み立てられる。特に図示しないが、第１実施形態の図１Ｂと同様に、この状態において、センサ電極１２ａ～１２ｄと第１シールド部１３とは、第１面１５ａに設けられているのに対し、検知電極１４ａ～１４ｄは、第２面１５ｂに設けられている。

なお、本実施形態では、平板状のスペーサ１５が、検知電極１４ａ～１４ｄに対応する部分のみに設けられており、領域Ａ（領域Ｃ）の全域に設けられていない。しかしながら、スペーサ１５の配置は特にこれに限定されず、スペーサ１５を領域Ａ（領域Ｃ）の全域に設けてもよい。スペーサ１５の形状も特に上記に限定されず、スペーサ１５の形状を検知電極１４ａ～１４ｄに対応した枠形状としてもよい。

本実施形態では、センサ電極３０ａ～３０ｄと第１シールド部１３がタッチセンサＴＳを形成している。また、本実施形態では、検知電極１４ａ～１４ｄと第１シールド部１３の対向部分１３６が感圧センサを形成している。

そして、第１シールド部１３が設けられた第１面１５ａを、検知電極１４ａ～１４ｄが設けられた第２面１５ｂよりもセンサ装置１Ｆの操作面側に配置することで、操作子ＦＩＮと検知電極１４ａ～１４ｄとの容量結合を第１シールド部１３により遮断することができるので、当該第１シールド部１３が操作子ＦＩＮの接近による感圧センサの誤検知を防止する遮断体として機能する。

このように、本実施形態では、第１シールド部１３が、感圧センサの一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、センサ装置１Ｇの部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ｇの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ｆの高コスト化を抑制することができる。

また、本実施形態では、４つの検知電極１４ａ～１４ｄが４つのセンサ電極１２ａ～１２ｄにそれぞれ対応するように配置されているので、個々のセンサ電極１２ａ～１２ｄ毎に押圧力を検出することができる。

≪第８実施形態≫
図１０は、本発明の第８実施形態におけるセンサ装置を示す平面展開図である。

本実施形態では、（ａ）タッチセンサＴＳが相互容量方式の静電容量センサである点、（ｂ）第１シールド部１３が設けられていない点、及び、（ｃ）検知電極１４ａ～１４ｄの形状が半円形状である点で、第７実施形態と相違する。以下に、第８実施形態におけるセンサ装置１Ｈについて第７実施形態との相違点についてのみ説明し、第７実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付してその説明を省略する。

４つのセンサ電極３０ａ～３０ｄは、第３実施形態で説明したセンサ電極３０ａ～３０ｃと同様に、相互に隣り合うように配置された入力電極３１ａ～３１ｄ及び受信電極３２ａ～３２ｄからそれぞれ構成されている。そして、４つの入力電極３１ａ～３１ｄには、一本の引出配線３１１が分岐して接続されている。入力電極３１ａ～３１ｄは、この引出配線３１１を介して、外部の回路装置（不図示）に接続される。これに対し、４つの受信電極３２ａ～３２ｄには、４本の引出配線３２１ａ～３２１ｄがそれぞれ接続されている。この受信電極３２ａ～３２ｄは、引出配線３２１ａ～３２１ｄを介して、外部の回路装置に個別に接続される。

本実施形態の検知電極１４ａ～１４ｄは、入力電極３１ａ～３１ｄに対応した半円形状をそれぞれ有している。折り曲げ部Ｆで絶縁性基材１１を折り曲げた状態において、検知電極１４ａ～１４ｄが入力電極３１ａ～３１ｂにそれぞれ対向している。この状態において、特に図示しないが、第１実施形態の図１Ｂと同様に、センサ電極３０ａ～３０ｄは、第１面１５ａに設けられているのに対し、検知電極１４ａ～１４ｄは、第２面１５ｂに設けられている。なお、検知電極１４ａ～１４ｄが入力電極３１ａ～３１ｄに覆われるように、検知電極１４ａ～１４ｄを入力電極３１ａ～３１ｄよりも小さくしてもよい。

本実施形態では、センサ電極３０ａ～３０ｃがタッチセンサＴＳを形成している。また、本実施形態では、検知電極１４ａ～１４ｄと入力電極３１ａ～３１ｄが感圧センサを形成している。

そして、入力電極３１ａ～３１ｄが設けられた第１面１５ａを、検知電極１４ａ～１４ｄが設けられた第２面１５ｂよりもセンサ装置１Ｆの操作面側に配置すると共に、入力電極３１ａ～３１ｄには外部の回路装置から電圧が印加される。このため、操作子ＦＩＮと検知電極１４ａ～１４ｄとの容量結合を入力電極３１ａ～３１ｄにより遮断することができるので、当該入力電極３１ａ～３１ｄが操作子ＦＩＮの接近による感圧センサの誤検知を防止する遮断体として機能する。

このように、本実施形態では、入力電極３１ａ～３１ｄが、感圧センサの一方の電極としての機能と、遮断体としての機能との両方を果たすので、センサ装置１Ｈの部品点数の増加を抑制することができる。このため、センサ装置１Ｈの総厚を薄くしたり、当該センサ装置１Ｈの高コスト化を抑制することができる。

また、本実施形態では、４つの検知電極１４ａ～１４ｄが４つのセンサ電極３０ａ～３０ｄにそれぞれ対応するように配置されているので、個々のセンサ電極３０ａ～３０ｄ毎に押圧力を検出することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、第１～第７実施形態において、絶縁性基材１１の領域Ｂにおいて第１シールド部１３が、前記センサ電極の周囲に加えて、前記センサ電極の周囲以外の部分に設けられていてもよい。一例を挙げれば、センサ装置が、絶縁性基材１１の領域Ｂ上に、センサ電極以外の電極パターン（例えば、スライダ電極やホイール電極等）を備えている場合に、第１シールド部１３が、センサ電極の周囲に加えて、電極パターンを介して当該センサ電極から離れた位置にも設けられていてもよい。

また、第８実施形態で説明したセンサ装置１Ｈが、第１シールド部１３を備えていてもよい。また、第１、第３～第５、第７及び第８形態で説明したセンサ装置１Ａ，１Ｃ～１Ｅ，１Ｇ，１Ｈが第２シールド部２０を備えていてよい。

また、第１～第５、第７及び第８実施形態で説明したセンサ装置１Ａ～１Ｅ，１Ｇ，１Ｈが、図７Ａ及び図７Ｂに示すスペーサ１５Ａ、或いは、図８Ａ及び図８Ｂに示すスペーサ１５Ｂを備えてもよい。

１Ａ～１Ｈ…センサ装置
１１…絶縁性基材
１２，１２ａ～１２ｄ…センサ電極
１２１ａ～１２１ｄ…引出配線
１３…第１シールド部
１３ａ～１３ｃ…領域
１３１，１３３，１３４…シールド電極
１３２…シールド配線
１３５…引出配線
１３６…対向部分
１３７…スリット
１４，１４ａ～１４ｄ…検知電極
１４１，１４１ａ～１４１ｄ…引出配線
１４２…開口
１５，１５Ａ，１５Ｂ…スペーサ
１５１，１５２…開口
１５ａ…第１面
１５ｂ…第２面
１６，１６ａ～１６ｃ…ＬＥＤ
１７…カバーパネル
１８…ベース基材
２０…第２シールド部
３０ａ～３０ｃ…センサ電極
３１ａ～３１ｄ…入力電極
３１１…引出配線
３１ａ～３１ｄ…受信電極
３２１ａ～３２１ｄ…引出配線
４０ａ～４０ｄ…遮断電極
４１…引出配線
５０…支持部材
５１…クッション部材
Ｒ…所定領域
Ｆ…折り曲げ部
Ｌ１，Ｌ２…折り曲げ線
ＦＩＮ…操作子
ＶＦ…仮想枠

Claims (12)

1. 絶縁性基材と、
   前記絶縁性基材の一方の主面に形成され、操作面側に配置される第１面に設けられたセンサ電極を備えたタッチセンサと、
   前記第１面に設けられた遮断体と、
   前記遮断体と対向配置され、前記第１面とは異なる第２面に設けられた検知電極と、を備え、
   前記第１面の方が前記第２面よりも前記操作面側に位置し、
   前記遮断体と前記検知電極とは、前記遮断体と前記検知電極とが接近することによる静電容量値の変化を検出する感圧センサを構成し、
   前記遮断体は、前記操作面への操作子の接近に伴う前記操作子と前記検知電極との容量結合を遮り、
   前記タッチセンサは、前記第１面に設けられた第１シールド部をさらに備え、
   前記第１シールド部の少なくとも一部は、前記センサ電極の周囲の少なくとも一部に形成されており、
   前記第１シールド部は、前記センサ電極を取り囲むように配置されており、
   前記遮断体は、前記第１シールド部に含まれているセンサ装置。
2. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記センサ装置は、前記遮断体と前記検知電極との間の間隔を保持するスペーサをさらに備えており、
   前記遮断体と前記検知電極は、前記操作子の押圧に応じて相互に接近可能であるセンサ装置。
3. 請求項２に記載のセンサ装置であって、
   前記スペーサは、前記遮断体と前記検知電極との間に配置された弾性体であるセンサ装置。
4. 請求項２に記載のセンサ装置であって、
   前記スペーサは、前記遮断体と前記検知電極との間に介在する開口を有するセンサ装置。
5. 請求項１～４のいずれか一項に記載のセンサ装置であって、
   前記遮断体は、平面視において、前記検知電極を覆っているセンサ装置。
6. 請求項１～５のいずれか一項に記載のセンサ装置であって、
   前記検知電極は、導電性材料により塗りつぶされているセンサ装置。
7. 絶縁性基材と、
   前記絶縁性基材の一方の主面に形成され、操作面側に配置される第１面に設けられたセンサ電極を備えたタッチセンサと、
   前記第１面に設けられた遮断体と、
   前記遮断体と対向配置され、前記第１面とは異なる第２面に設けられた検知電極と、を備え、
   前記第１面の方が前記第２面よりも前記操作面側に位置し、
   前記遮断体と前記検知電極とは、前記遮断体と前記検知電極とが接近することによる静電容量値の変化を検出する感圧センサを構成し、
   前記遮断体は、前記操作面への操作子の接近に伴う前記操作子と前記検知電極との容量結合を遮り、
   前記タッチセンサは、前記第１面に設けられた第１シールド部をさらに備え、
   前記第１シールド部の少なくとも一部は、前記センサ電極の周囲の少なくとも一部に形成されており、
   前記遮断体は、前記第１シールド部に含まれており、
   前記センサ装置は、前記検知電極の周囲の少なくとも一部に形成された第２シールド部をさらに備えたセンサ装置。
   
8. 請求項１～７のいずれか一項に記載のセンサ装置であって、
   前記検知電極は、前記絶縁性基材のうち、前記センサ電極及び前記遮断体よりも外側であって所定領域を介在させた位置に形成され、
   前記所定領域が屈曲されることにより、前記検知電極は前記遮断体と対向配置されるセンサ装置。
9. 請求項１～８のいずれか一項に記載のセンサ装置であって、
   前記タッチセンサは、複数の前記センサ電極を備え、
   前記センサ装置は、複数の前記検知電極を備えており、
   前記複数の検知電極は、平面視において、前記複数のセンサ電極の周囲に配置されているセンサ装置。
10. 請求項９に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の前記センサ電極は、平面視において、前記複数の検知電極を包含し且つ前記複数の検知電極に接触する仮想枠の内側に配置されているセンサ装置。
11. 絶縁性基材と、
    前記絶縁性基材の一方の主面に形成され、操作面側に配置される第１面に設けられたセンサ電極を備えたタッチセンサと、
    前記第１面に設けられた遮断体と、
    前記遮断体と対向配置され、前記第１面とは異なる第２面に設けられた検知電極と、を備え、
    前記第１面の方が前記第２面よりも前記操作面側に位置し、
    前記遮断体と前記検知電極とは、前記遮断体と前記検知電極とが接近することによる静電容量値の変化を検出する感圧センサを構成し、
    前記遮断体は、前記操作面への操作子の接近に伴う前記操作子と前記検知電極との容量結合を遮り、
    前記タッチセンサは、前記第１面に設けられた第１シールド部をさらに備え、
    前記第１シールド部の少なくとも一部は、前記センサ電極の周囲の少なくとも一部に形成されており、
    前記遮断体は、前記第１シールド部に含まれており、
    前記タッチセンサは、複数の前記センサ電極を備え、
    前記センサ装置は、複数の前記検知電極を備えており、
    前記複数の検知電極は、平面視において、前記複数のセンサ電極にそれぞれ対応するように配置されているセンサ装置。
    
12. 絶縁性基材と、
    前記絶縁性基材の一方の主面に形成され、操作面側に配置される第１面に設けられたセンサ電極を備えたタッチセンサと、
    前記第１面に設けられた遮断体と、
    前記遮断体と対向配置され、前記第１面とは異なる第２面に設けられた検知電極と、を備え、
    前記第１面の方が前記第２面よりも前記操作面側に位置し、
    前記遮断体と前記検知電極とは、前記遮断体と前記検知電極とが接近することによる静電容量値の変化を検出する感圧センサを構成し、
    前記遮断体は、前記操作面への操作子の接近に伴う前記操作子と前記検知電極との容量結合を遮り、
    前記タッチセンサは、前記第１面に設けられた第１シールド部をさらに備え、
    前記第１シールド部の少なくとも一部は、前記センサ電極の周囲の少なくとも一部に形成されており、
    前記遮断体は、前記第１シールド部に含まれており、
    前記タッチセンサは、線状に延在するスリットを有する第１シールド部を備えており、
    前記センサ装置は、前記検知電極に接続され、前記スリットを介して前記第１シールド部を通過する引出配線を備えたセンサ装置。

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