JP7380953B2 - 多層基板及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、複数の絶縁体層が積層された構造を有する多層基板に関する。

従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のフレキシブルプリント基板が知られている。このフレキシブルプリント基板は、２本の折れ線において折れ曲がっている。２本の折れ線は、異なる方向に延びている。

特開２００６－５１３４号公報

ところで、特許文献１に記載のフレキシブルプリント基板は、その内部に導電材を備えている。このようなフレキシブルプリント基板では、フレキシブルプリント基板が折れ曲がった際に、導電材が破損することを抑制することが望まれている。

そこで、本発明の目的は、金属箔層の破損を抑制できる多層基板及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層が積層された構造を有し、かつ、前記複数の絶縁体層の積層方向に並ぶ第１主面及び第２主面を有している積層体と、
前記積層体に設けられている第１金属箔層であって、前記積層方向に見て、第１方向に延びる複数本の筋が前記第１金属箔層の主面に設けられている、第１金属箔層と、
前記積層体に設けられている第２金属箔層であって、前記積層方向に見て、前記第１方向とは異なる第２方向に延びる複数本の筋が前記第２金属箔層の主面に設けられている、第２金属箔層と、
を備えており、
前記積層体は、前記第１主面が前記第２主面より外周側に位置するように第１折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第１領域と、前記第１主面が前記第２主面より内周側に位置するように第２折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第２領域と、を有しており、
前記第２折れ線は、前記第１折れ線と平行ではなく、
前記第１領域において、前記第１金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
前記第２領域において、前記第２金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第１方向が前記第１折れ線と形成する角度は、前記第１方向が前記第２折れ線と形成する角度より大きく、
前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第２方向が前記第２折れ線と形成する角度は、前記第２方向が前記第１折れ線と形成する角度より大きい。

本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられている第１金属箔層であって、前記積層方向に見て、第１方向に延びる複数本の筋が前記第１金属箔層の主面に設けられている、第１金属箔層と、
前記積層体に設けられている第２金属箔層であって、前記積層方向に見て、前記第１方向とは異なる第２方向に延びる複数本の筋が前記第２金属箔層の主面に設けられている、
第２金属箔層と、
を備えており、
前記積層体は、前記積層方向に折れ曲がっている。

本発明に係る多層基板によれば、金属箔層の破損を抑制できる。

図１は、多層基板１０の分解斜視図である。 図２は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。 図３は、信号導体層２０及びリファレンス導体層２２の上主面の拡大図である。 図４は、リファレンス導体層２４の下主面の拡大図である。 図５は、リファレンス導体層２２，２４の表面の断面プロファイルである。 図６は、積層体１２が折り曲げられた状態の多層基板１０を備える電子機器１００の斜視図である。 図７は、積層体１２が平面に展開された状態の多層基板１０の上面図である。 図８は、第１領域Ａ１１の断面図である。 図９は、第２領域Ａ１２の断面図である。 図１０は、第１領域Ａ１１の断面図である。 図１１は、第２領域Ａ１２の断面図である。 図１２は、多層基板１０ｂの分解斜視図である。 図１３は、第１領域Ａ１１の断面図である。 図１４は、多層基板１０ｃの上面図である。 図１５は、第３領域Ａ１３の断面図である。 図１６は、第４領域Ａ１４の断面図である。 図１７は、多層基板１０ｄの上面図である。 図１８は、多層基板１０ｅの上面図である。 図１９は、多層基板１０ｅの第１折れ線Ｌ１における断面図である。 図２０は、多層基板１０ｅの第２折れ線Ｌ２における断面図である。 図２１は、多層基板１０ｇの上面図である。

（実施形態）
［多層基板の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２の内の代表的な層間接続導体ｖ１，ｖ２にのみ参照符号を付した。図２は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。図３は、信号導体層２０及びリファレンス導体層２２の上主面の拡大図である。図４は、リファレンス導体層２４の下主面の拡大図である。図５は、リファレンス導体層２２，２４の表面の断面プロファイルである。図６は、積層体１２が折り曲げられた状態の多層基板１０を備える電子機器１００の斜視図である。図７は、積層体１２が平面に展開された状態の多層基板１０の上面図である。図８は、第１領域Ａ１１の断面図である。図９は、第２領域Ａ１２の断面図である。

本明細書において、方向を以下のように定義する。複数の絶縁体層１４ａ～１４ｃ，１６ａ，１６ｂが積層される積層方向を上下方向と定義する。左右方向は、上下方向に直交している。左右方向及び上下方向に直交する方向を前後方向と定義する。なお、本実施形態における上下方向、前後方向及び左右方向は、多層基板１０の使用時における上下方向、前後方向及び左右方向と一致していなくてもよい。

以下では、Ｘは、多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

まず、図１を参照しながら、多層基板１０の構造について説明する。多層基板１０は、高周波信号を伝送する。多層基板１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、信号導体層２０（第３金属箔層）、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）、信号端子２６、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３を備えている。

積層体１２は、上下方向（複数の絶縁体層の積層方向）に並ぶ上主面（第１主面）及び下主面（第２主面）を有する板形状を有している。積層体１２は、第１区間Ａ１ないし第４区間Ａ４を有している。第１区間Ａ１ないし第４区間Ａ４は、この順に並ぶように接続されている。第１区間Ａ１は、左右方向に延びる帯形状を有している。第２区間Ａ２は、第１区間Ａ１の右端部に接続されている。第２区間Ａ２は、第１区間Ａ１の右端部から後方向に延びる帯形状を有している。第３区間Ａ３は、第２区間Ａ２の後端部に接続されている。第３区間Ａ３は、第２区間Ａ２の後端部から右方向に延びる帯形状を有している。第４区間Ａ４は、第３区間Ａ３の右端部に接続されている。第４区間Ａ４は、上下方向に見て、長方形状を有している。第４区間Ａ４の前後方向の幅は、第３区間Ａ３の前後方向の幅より大きい。

積層体１２は、絶縁体層１４ａ～１４ｃ，１６ａ，１６ｂ（複数の絶縁体層）が積層方向に積層された構造を有している。本実施形態では、絶縁体層１６ａ，１４ａ～１４ｃ，１６ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１４ａ～１４ｃは、上下方向に見て、積層体１２と同じ形状を有している。絶縁体層１４ａ～１４ｃの材料は、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等の熱可塑性樹脂である。絶縁体層１４ａ～１４ｃの材料は、ポリイミドであってもよい。

リファレンス導体層２２（第１金属箔層）は、積層体１２に設けられている。リファレンス導体層２２は、絶縁体層１４ａの上主面に位置している。リファレンス導体層２２は、絶縁体層１４ａの上主面に固定されている。これにより、図２に示すように、リファレンス導体層２２と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ１は、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）と下主面（第２主面）との距離Ｄ２より短い。リファレンス導体層２２は、絶縁体層１４ａの上主面の略全面を覆っている。ただし、リファレンス導体層２２は、後述する信号端子２６とは接していない。

リファレンス導体層２４（第２金属箔層）は、積層体１２に設けられている。リファレンス導体層２４は、絶縁体層１４ｃの下主面に位置している。リファレンス導体層２４は、絶縁体層１４ｃの下主面に固定されている。これにより、図２に示すように、リファレンス導体層２４と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ４は、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）と上主面（第１主面）との距離Ｄ３より短い。リファレンス導体層２４は、絶縁体層１４ｃの下主面の略全面を覆っている。以上のようなリファレンス導体層２２，２４，は、リファレンス電位に接続される。リファレンス電位は、例えば、グランド電位である。

信号導体層２０（第３金属箔層）は、積層体１２に設けられている。信号導体層２０は、絶縁体層１４ｂの上主面に位置している。信号導体層２０は、絶縁体層１４ｂの上主面に固定されている。これにより、図２に示すように、信号導体層２０（第３金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ５は、信号導体層２０（第３金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ６より短い。信号導体層２０は、上下方向に見て、積層体１２に沿って延びる線形状を有している。信号導体層２０は、第１区間Ａ１の前後方向の中央及び第３区間Ａ３の前後方向の中央において左右方向に延びている。信号導体層２０は、第２区間Ａ２の左右方向の中央において前後方向に延びている。信号導体層２０の右端部は、第４区間Ａ４の前後方向の中央及び左右方向の中央に位置している。

以上のような信号導体層２０は、上下方向に見て、リファレンス導体層２２，２４と重なっている。その結果、信号導体層２０及びリファレンス導体層２２，２４は、ストリップライン構造を形成している。以上のような信号導体層２０には、高周波信号が伝送される。

信号端子２６は、積層体１２に設けられている。信号端子２６は、図１に示すように、絶縁体層１４ａの上主面に位置している。信号端子２６は、絶縁体層１４ａの上主面に固定されている。信号端子２６は、上下方向に見て、長方形状を有している。信号端子２６は、上下方向に見て、信号導体層２０の右端部と重なっている。

信号導体層２０、リファレンス導体層２２，２４及び信号端子２６は、例えば、絶縁体層１４ｂ，１４ａ，１４ｃの上主面又は下主面に設けられた金属箔にエッチングが施されることにより形成されている。金属箔は、例えば、銅箔である。このような金属箔は、ドラムに金属を析出させることにより作製される。一方向に延びる筋状の凹凸がドラムの表面に存在すると、筋状の凹凸がドラム上に形成された金属箔に転写される。多層基板１０では、筋状の凹凸（以下、筋と呼ぶ）が延びる方向を特定している。言い換えると、多層基板１０の金属箔の表面には、一方向に延びる凹凸が設けられている。本明細書における筋とは、一方向に延びる線状の窪みである。筋の幅は、筋の長さより十分に小さい。筋の長さとは、一方向における筋のサイズである。筋の幅とは、一方向に直交する方向における筋のサイズである。十分に小さいとは、例えば、筋の幅が筋の長さの１／１０以下である。このような筋は、例えば、特開２０１９－１４３２４７号公報に記載されている。

図３に示すように、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２２（第１金属箔層）の上主面及び信号端子２６の上主面に設けられている。本実施形態では、第１方向ＤＩＲ１は、左右方向である。複数本の筋は、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）の上主面の全体及び信号端子２６の上主面の全体に設けられている。図４に示すように、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１とは異なる第２方向ＤＩＲ２に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２４（第２金属箔層）の下主面に設けられている。本実施形態では、第２方向ＤＩＲ２は、前後方向である。複数本の筋は、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）の下主面の全体に設けられている。図３に示すように、上下方向（積層方向）に見て、第３方向ＤＩＲ３に延びる複数本の筋が信号導体層２０（第３金属箔層）の上主面に設けられている。本実施形態では、第３方向ＤＩＲ３は、左右方向である。複数本の筋は、信号導体層２０（第３金属箔層）の上主面の全体に設けられている。

本明細書では、リファレンス導体層２２，２４に設けられた複数本の筋を以下の方法により確認できる。リファレンス導体層２２，２４をレーザー顕微鏡により２０倍の倍率で観察する。このとき、複数本の筋は、以下のサイズを有する。

筋の幅：５μｍ
筋の深さ：１μｍ～２μｍ
筋の長さ：５μｍ～６０μｍ
隣り合う筋同士の間隔：ランダム
また、リファレンス導体層２２，２４の表面の断面プロファイルは、図５に示すような構造を取る。リファレンス導体層２２，２４の表面は、基準高さに対して±１μｍの範囲で凹凸を有している。

層間接続導体ｖ３は、図１に示すように、信号導体層２０と信号端子２６とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１４ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３の上端は、信号端子２６に接している。層間接続導体ｖ３の下端は、信号導体層２０に接している。

複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２は、リファレンス導体層２２とリファレンス導体層２４とを電気的に接続している。複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２は、絶縁体層１４ａ～１４ｃを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１の上端及び複数の層間接続導体ｖ２の上端は、リファレンス導体層２２に接している。複数の層間接続導体ｖ１の下端及び複数の層間接続導体ｖ２の下端は、リファレンス導体層２４に接している。

複数の層間接続導体ｖ１は、信号導体層２０に沿って等間隔に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ１は、第１区間Ａ１及び第３区間Ａ３において、信号導体層２０の前に位置している。複数の層間接続導体ｖ１は、第２区間Ａ２において、信号導体層２０の右に位置している。

複数の層間接続導体ｖ２は、信号導体層２０に沿って等間隔に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ２は、第１区間Ａ１及び第３区間Ａ３において、信号導体層２０の後に位置している。複数の層間接続導体ｖ２は、第２区間Ａ２において、信号導体層２０の左に位置している。

複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１４ａ～１４ｃに設けられた貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固化することにより形成される。

絶縁体層１６ａは、絶縁体層１４ａの上に積層されている。絶縁体層１６ａは、リファレンス導体層２２を覆うことにより、リファレンス導体層２２を保護している。絶縁体層１６ａの上主面は、積層体１２の上主面である。ただし、絶縁体層１６ａの第４区間Ａ４には、開口ｈａ～ｈｃが設けられている。開口ｈｂ，ｈａ，ｈｃは、前から後へとこの順に並んでいる。信号端子２６は、開口ｈａを介して積層体１２から外部に露出している。リファレンス導体層２２の一部は、開口ｈｂ，ｈｃを介して積層体１２から外部に露出している。信号端子２６は、図示しない回路基板の信号端子と半田により接続される。リファレンス導体層２２の一部は、図示しない回路基板のリファレンス端子と半田により接続される。

絶縁体層１６ｂは、絶縁体層１４ｃの下に積層されている。絶縁体層１６ｂは、リファレンス導体層２４を覆うことにより、リファレンス導体層２４を保護している。絶縁体層１６ｂの下主面は、積層体１２の下主面である。

絶縁体層１６ａ，１６ｂの材料は、絶縁体層１４ａ～１４ｃの材料とは異なる。絶縁体層１６ａ，１６ｂは、絶縁性を有するペーストが印刷されることにより形成されてもよいし、絶縁性を有するシートが貼り付けられることにより形成されてもよい。

以上のような多層基板１０は、図６に示すように、複数個所において折り曲げて用いられる。より詳細には、積層体１２は、図７に示すように、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２を有している。第１領域Ａ１１は、図８に示すように、積層体１２の上主面（第１主面）が積層体１２の下主面（第２主面）より外周側に位置するように第１折れ線Ｌ１において積層体１２が折れ曲がる構造を有している。第１折れ線Ｌ１は、前後方向に延びている。従って、第１折れ線Ｌ１は、多層基板１０が展開された状態において、第１区間Ａ１が延びる左右方向と直交している。また、本明細書において、積層体１２が折れ曲がるとは、積層体１２に外力が加わって変形することを意味する。変形は、塑性変形であってもよいし、弾性変形であってもよいし、塑性変形及び弾性変形であってもよい。

第２領域Ａ１２は、図９に示すように、積層体１２の上主面（第１主面）が積層体１２の下主面（第２主面）より内周側に位置するように第２折れ線Ｌ２において積層体１２が折れ曲がる構造を有している。第２折れ線Ｌ２は、図７に示すように、第１折れ線Ｌ１と平行ではない。本実施形態では、第２折れ線Ｌ２は、左右方向に延びている。従って、第２折れ線Ｌ２は、多層基板１０が展開された状態において、第２区間Ａ２が延びる前後方向と直交している。

図８及び図９に示すように、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２において、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ１は、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ２より短い。これにより、第１領域Ａ１１において、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。図８及び図９に示すように、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２において、リファレンス導体層２４と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ４は、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）と上主面（第１主面）との距離Ｄ３より短い。これにより、第２領域Ａ１２において、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。

また、図８及び図９に示すように、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２において、信号導体層２０（第３金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ５は、信号導体層２０（第３金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ６より短い。これにより、第１領域Ａ１１において、信号導体層２０（第３金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。第２領域Ａ１２において、信号導体層２０（第３金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より内周側に位置している。

また、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２２（第１金属箔層）の上主面に設けられている。複数本の筋は、リファレンス導体層２２の上主面の全体に設けられている。第１方向ＤＩＲ１は、左右方向である。第１折れ線Ｌ１は、前後方向に延びている。第２折れ線Ｌ２は、左右方向に延びている。従って、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１は、第１折れ線Ｌ１と交差している。積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２は、第２折れ線Ｌ２と交差している。積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ１１は、９０°である。一方、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ１２は、０°である。以上より、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ１１は、第１方向ＤＩＲ１が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ１２より大きい。リファレンス導体層２２の上主面に位置し、かつ、第１折れ線Ｌ１に平行な線は、リファレンス導体層２２の上主面に設けられている複数本の筋と交差しやすい。一方、リファレンス導体層２２の上主面に位置し、かつ、第２折れ線Ｌ２に平行な線は、リファレンス導体層２２に設けられている複数本の筋と交差しにくい。そこで、表面粗さの測定範囲となる線は、リファレンス導体層２２の上主面に設けられている複数本の筋と交差する長さに設定される。これにより、リファレンス導体層２２の上主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さは、リファレンス導体層２２の上主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さより大きい。表面粗さは、例えば、接触式の触針段差計、非接触のレーザー顕微鏡で測定可能である。

表面粗さの測定は、次の手順により行われる。まず、サンプルを準備する。絶縁体層１６ａ，１６ｂを除去して、リファレンス導体層２２，２４を露出させる。絶縁体層１６ａ，１６ｂの除去は、溶剤により絶縁体層１６ａ，１６ｂを溶かすことによって行われてもよいし、絶縁体層１６ａ，１６ｂを削り取ることによって行われてもよい。

サンプルをステージに吸引により固定する。そして、サンプルのリファレンス導体層２２，２４の表面をレーザー顕微鏡により観察する。リファレンス導体層２２，２４の異なる３０本の観測線における表面粗さを測定する。観測線の長さは、１０μｍ～１５０μｍである。３０本の観測線の平均値を算出する。解析ソフトにより、傾き補正を行う。そして、測定面の全体での高さの平均値を０μｍ（図５参照）に設定する。

また、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２４（第２金属箔層）の下主面に設けられている。複数本の筋は、リファレンス導体層２４の下主面の全体に設けられている。第２方向ＤＩＲ２は、前後方向である。第１折れ線Ｌ１は、前後方向に延びている。第２折れ線Ｌ２は、左右方向に延びている。従って、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ２２は、９０°である。積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ２１は、０°である。以上より、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ２２は、第２方向ＤＩＲ２が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ２１より大きい。これにより、リファレンス導体層２４の下主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さは、リファレンス導体層２４の下主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さより大きい。

また、上下方向（積層方向）に見て、第３方向ＤＩＲ３に延びる複数本の筋が信号導体層２０（第３金属箔層）の上主面に設けられている。複数本の筋は、信号導体層２０の上主面の全体に設けられている。第３方向ＤＩＲ３は、左右方向である。第１折れ線Ｌ１は、前後方向に延びている。第２折れ線Ｌ２は、左右方向に延びている。従って、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第３方向ＤＩＲ３が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ３１は、９０°である。積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第３方向ＤＩＲ３が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ３２は、０°である。積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第３方向ＤＩＲ３が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ３１は、第３方向ＤＩＲ３が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ３２より大きい。これにより、信号導体層２０の上主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さより大きい。

また、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）の主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４（第２金属箔層）の主面の表面粗さは、信号導体層２０（第３金属箔層）の主面の表面粗さより小さい。より詳細には、リファレンス導体層２２の上主面の表面粗さ、リファレンス導体層２２の下主面の表面粗さ、リファレンス導体層２４の上主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４の下主面の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の表面粗さ及び信号導体層２０の下主面の表面粗さより小さい。特に、リファレンス導体層２２の上主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４の下主面の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の表面粗さより小さい。ここでの表面粗さは、所定のサイズを有する正方形内の表面粗さである。

以上のような多層基板１０は、図６に示すように、電子機器１００の一部として用いられる。電子機器１００は、多層基板１０及び筐体１０２を備えている。筐体１０２は、多層基板１０を収容している。電子機器１００は、スマートフォン等の無線通信端末である。

［効果］
多層基板１０によれば、リファレンス導体層２２，２４の破損を抑制できる。より詳細には、リファレンス導体層２２の上主面及びリファレンス導体層２４の下主面には、一方向に延びる複数の筋が設けられている。リファレンス導体層２２，２４の折れ線と複数の筋が延びる方向とが形成する角度が小さくなると、リファレンス導体層２２，２４が破損しやすくなる。特に、リファレンス導体層２２，２４の内の外周側に位置するリファレンス導体には、大きな引っ張り応力が加わる。そのため、リファレンス導体層２２，２４の内の外周側に位置するリファレンス導体に設けられている複数の筋が延びる方向と、リファレンス導体層２２，２４の折れ線とが形成する角度が小さくなると、リファレンス導体層２２，２４の内の外周側に位置するリファレンス導体がより破損しやすくなる。

ここで、多層基板１０では、積層体１２が積層方向に折れ曲がっている。第１折れ線Ｌ１及び第２折れ線Ｌ２において積層体１２が折れ曲がる。具体的には、第１領域Ａ１１では、積層体１２の上主面が積層体１２の下主面より外周側に位置するように第１折れ線Ｌ１において積層体１２が折れ曲がっている。第２領域Ａ１２では、積層体１２の上主面が積層体１２の下主面より内周側に位置するように第２折れ線Ｌ２において積層体１２が折れ曲がっている。第１領域Ａ１１において、リファレンス導体層２２と積層体１２の上主面との距離Ｄ１は、リファレンス導体層２２と積層体１２の下主面との距離Ｄ２より短い。第１領域Ａ１１において、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。そのため、第１領域Ａ１１では、リファレンス導体層２２に大きな引っ張り応力が加わる。第２領域Ａ１２において、リファレンス導体層２４と積層体１２の下主面との距離Ｄ４は、リファレンス導体層２４と積層体１２の上主面との距離Ｄ３より短い。第２領域Ａ１２において、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。そのため、第２領域Ａ１２では、リファレンス導体層２４に大きな引っ張り応力が加わる。

そこで、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第１方向ＤＩＲ１が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ１１は、第１方向ＤＩＲ１が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ１２より大きい。これにより、第１領域Ａ１１において、リファレンス導体層２２に大きな引っ張り応力が加わったとしても、リファレンス導体層２２の破損が抑制される。同様に、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第２方向ＤＩＲ２が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ２２は、第２方向ＤＩＲ２が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ２１より大きい。これにより、第２領域Ａ１２において、リファレンス導体層２４に大きな引っ張り応力が加わったとしても、リファレンス導体層２４の破損が抑制される。リファレンス導体層２２，２４の破損が抑制されると、リファレンス導体層２２，２４にクラックが発生することが抑制される。その結果、リファレンス導体層２２，２４によるノイズ抑制効果の低下が抑制される。

なお、第１方向ＤＩＲ１の確認及び第２方向ＤＩＲ２の確認並びにリファレンス導体層２２の上主面の表面粗さの計測及びリファレンス導体層２４の下主面の表面粗さの計測は、例えば、絶縁体層１６ａ，１６ｂを溶剤により溶かして除去することにより行われる。

また、多層基板１０によれば、信号導体層２０の破損が抑制される。より詳細には、第１領域Ａ１１において、信号導体層２０と積層体１２の上主面との距離Ｄ５は、信号導体層２０と積層体１２の下主面との距離Ｄ６より短い。第１領域Ａ１１において、信号導体層２０（第３金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。そのため、第１領域Ａ１１では、信号導体層２０に大きな引っ張り応力が加わる。特に、信号導体層２０は、細い線幅を有しているので、断線しやすい。そこで、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第３方向ＤＩＲ３が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ３１は、第３方向ＤＩＲ３が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ３２より大きい。これにより、第１領域Ａ１１において、信号導体層２０に大きな引っ張り応力が加わったとしても、細い線幅を有する信号導体層２０の破損が効果的に抑制される。

また、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）の主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４（第２金属箔層）の主面の表面粗さは、信号導体層２０（第３金属箔層）の主面の表面粗さより小さい。特に、リファレンス導体層２２の上主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４の下主面の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の表面粗さより小さい。これにより、多層基板１０が折り曲げられたときに、リファレンス導体層２２，２４が破損しにくい。

また、多層基板１０によれば、絶縁体層１４ａ～１４ｃの材料は、熱可塑性樹脂である。そのため、積層体１２を塑性変形させることが容易である。

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１０は、第１領域Ａ１１の断面図である。図１１は、第２領域Ａ１２の断面図である。

多層基板１０ａは、信号導体層２０の位置、及び、信号導体層２０の下主面に設けられている複数本の筋が延びる第３方向ＤＩＲ３において多層基板１０と相違する。より詳細には、信号導体層２０は、絶縁体層１４ｂの下主面に位置している。信号導体層２０は、絶縁体層１４ｂの下主面に固定されている。これにより、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２において、信号導体層２０（第３金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ６は、信号導体層２０（第３金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ５より短い。第１領域Ａ１１において、信号導体層２０（第３金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より内周側に位置している。第２領域Ａ１２において、信号導体層２０（第３金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。

また、上下方向（積層方向）に見て、第３方向ＤＩＲ３に延びる複数本の筋が信号導体層２０（第３金属箔層）の下主面に設けられている。複数本の筋は、信号導体層２０の下主面の全体に設けられている。第３方向ＤＩＲ３は、前後方向である。そして、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第３方向ＤＩＲ３が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ３２は、第３方向ＤＩＲ３が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ３１より大きい。これにより、信号導体層２０の下主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さは、信号導体層２０の下主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さより大きい。多層基板１０ａのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ａは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することできる。

また、多層基板１０ａによれば、信号導体層２０の破損が抑制される。より詳細には、第２領域Ａ１２において、信号導体層２０と積層体１２の下主面との距離Ｄ６は、信号導体層２０と積層体１２の上主面との距離Ｄ５より短い。第２領域Ａ１２において、信号導体層２０は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。そのため、第２領域Ａ１２では、信号導体層２０に大きな引っ張り応力が加わる。そこで、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第３方向ＤＩＲ３が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ３２は、第３方向ＤＩＲ３が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ３１より大きい。これにより、信号導体層２０に大きな引っ張り応力が加わったとしても、信号導体層２０の破損が抑制される。

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１２は、多層基板１０ｂの分解斜視図である。図１３は、第１領域Ａ１１の断面図である。積層体１２が平面に展開された状態の多層基板１０ｂの上面図については、図７を援用する。 多層基板１０ｂは、絶縁体層１４ａの一部分が欠損している点において多層基板１０と相違する。より詳細には、第１区間Ａ１の一部分において絶縁体層１４ａ及びリファレンス導体層２２が存在しない。そして、第１折れ線Ｌ１及び第１領域Ａ１１は、第１区間Ａ１において絶縁体層１４ａ及びリファレンス導体層２２が存在しない部分に位置している。

第１領域Ａ１１において、信号導体層２０（第１金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ１は、信号導体層２０（第１金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ２より短い。第１領域Ａ１１において、信号導体層２０（第１金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１に延びる複数本の筋が信号導体層２０（第１金属箔層）の上主面に設けられている。複数本の筋は、信号導体層２０の上主面の全体に設けられている。第１方向ＤＩＲ１は、左右方向である。そして、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ１１は、第１方向ＤＩＲ１が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ１２より大きい。これにより、信号導体層２０の上主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さより大きい。多層基板１０ｂのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。

また、多層基板１０ｂによれば、信号導体層２０の破損が抑制される。より詳細には、第１領域Ａ１１において、信号導体層２０と積層体１２の上主面との距離Ｄ１は、信号導体層２０と積層体１２の下主面との距離Ｄ２より短い。第１領域Ａ１１において、信号導体層２０（第１金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。そのため、第１領域Ａ１１では、信号導体層２０に大きな引っ張り応力が加わる。そこで、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第１方向ＤＩＲ１が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ１１は、第１方向ＤＩＲ１が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ１２より大きい。これにより、信号導体層２０に大きな引っ張り応力が加わったとしても、信号導体層２０の破損が抑制される。

また、多層基板１０ｂによれば、第１領域Ａ１１における積層体１２の上下方向（積層方向）の厚みは、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２を除く領域の少なくとも一部分における積層体１２の上下方向（積層方向）の厚みより小さい。従って、積層体１２を第１領域Ａ１１において折り曲げることが容易となる。

なお、多層基板１０ｂにおいて、上下方向（積層方向）に見て、第５方向ＤＩＲ５に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２２の上主面に設けられている。複数本の筋は、リファレンス導体層２２の上主面の全体に設けられている。第５方向ＤＩＲ５は、前後方向である。これにより、第２領域Ａ１２においてリファレンス導体層２２の破損が抑制される。このように、リファレンス導体層２２が第１領域Ａ１１に設けられていないので、リファレンス導体層２２に設けられている複数本の筋が延びる第５方向ＤＩＲ５は、第２折れ線Ｌ２においてリファレンス導体層２２に破損が生じることが抑制される方向に設定される。

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１４は、多層基板１０ｃの上面図である。図１５は、第３領域Ａ１３の断面図である。図１６は、第４領域Ａ１４の断面図である。

多層基板１０ｃは、第１折れ線Ｌ１、第２折れ線Ｌ２、第３折れ線Ｌ３及び第４折れ線Ｌ４において折れ曲がっている点において多層基板１０と相違する。より詳細には、積層体１２は、第３領域Ａ１３及び第４領域Ａ１４を有している。第３領域Ａ１３は、積層体１２の下主面（第２主面）が積層体１２の上主面（第１主面）より外周側に位置するように第３折れ線Ｌ３において積層体１２が折れ曲がる構造を有している。第３折れ線Ｌ３及び第３領域Ａ１３は、第１区間Ａ１に位置している。第３折れ線Ｌ３は、前後方向に延びている。ただし、第３領域Ａ１３の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい。すなわち、第３領域Ａ１３は、第１領域Ａ１１より緩やかに折れ曲がっている。また、第３領域Ａ１３の曲率半径は、第２領域Ａ１２の曲率半径より大きい。すなわち、第３領域Ａ１３は、第２領域Ａ１２より緩やかに折れ曲がっている。

第４領域Ａ１４は、積層体１２の上主面（第１主面）が積層体１２の下主面（第２主面）より外周側に位置するように第４折れ線Ｌ４において積層体１２が折れ曲がる構造を有している。第４折れ線Ｌ４及び第４領域Ａ１４は、第２区間Ａ２に位置している。第４折れ線Ｌ４は、左右方向に延びている。第４領域Ａ１４の曲率半径は、第２領域Ａ１２の曲率半径より大きい。すなわち、第４領域Ａ１４は、第２領域Ａ１２より緩やかに折れ曲がっている。第４領域Ａ１４の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい。すなわち、第４領域Ａ１４は、第１領域Ａ１１より緩やかに折れ曲がっている。

また、第３領域Ａ１３において、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ４は、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ３より短い。第３領域Ａ１３において、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。第４領域Ａ１４において、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ１は、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ２より短い。第４領域Ａ１４において、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。

上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２２（第１金属箔層）の上主面及び信号端子２６の上主面に設けられている。複数本の筋は、リファレンス導体層２２の上主面の全体及び信号端子２６の上主面の全体に設けられている。本実施形態では、第１方向ＤＩＲ１は、左右方向である。上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２４（第２金属箔層）の下主面に設けられている。複数本の筋は、リファレンス導体層２４の下主面の全体に設けられている。本実施形態では、第２方向ＤＩＲ２は、前後方向である。従って、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２が第３折れ線Ｌ３と形成する角度θ２３は、第２方向ＤＩＲ２が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ２２より小さい。これにより、リファレンス導体層２４の下主面の第３折れ線Ｌ３に平行な方向の表面粗さは、リファレンス導体層２４の下主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さより小さい。

積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１が第４折れ線Ｌ４と形成する角度θ１４は、第１方向ＤＩＲ１が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ１１より小さい。これにより、リファレンス導体層２２の上主面の第４折れ線Ｌ４に平行な方向の表面粗さは、リファレンス導体層２２の上主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さより小さい。多層基板１０ｃのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。

多層基板１０ｃによれば、リファレンス導体層２４の破損を抑制できる。より詳細には、第３領域Ａ１３において、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ４は、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ３より短い。第３領域Ａ１３において、リファレンス導体層２４（第２金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。そのため、第３領域Ａ１３では、リファレンス導体層２４に大きな引っ張り応力が加わる。そして、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２４（第２金属箔層）の下主面に設けられている。複数本の筋は、リファレンス導体層２４の下主面の全体に設けられている。第２方向ＤＩＲ２は、前後方向である。第２折れ線Ｌ２は、左右方向に延びている。第３折れ線Ｌ３は、前後方向に延びている。そのため、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２が第３折れ線Ｌ３と形成する角度θ２３は、第２方向ＤＩＲ２が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ２２より小さい。従って、第３領域Ａ１３においてリファレンス導体層２４が破損する可能性がある。そこで、多層基板１０ｃでは、第３領域Ａ１３の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい。また、第３領域Ａ１３の曲率半径は、第２領域Ａ１２の曲率半径より大きい。これにより、第３領域Ａ１３においてリファレンス導体層２４に加わる引っ張り応力が低減される。その結果、多層基板１０ｃによれば、リファレンス導体層２４の破損を抑制できる。同様に、多層基板１０ｃでは、第４領域Ａ１４の曲率半径は、第２領域Ａ１２の曲率半径より大きい。また、第４領域Ａ１４の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい。これにより、第４領域Ａ１４においてリファレンス導体層２２に加わる引っ張り応力が低減される。その結果、多層基板１０ｃによれば、リファレンス導体層２２の破損を抑制できる。

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１７は、多層基板１０ｄの上面図である。

多層基板１０ｄは、第１折れ線Ｌ１が延びている方向及び第２折れ線Ｌ２が延びている方向において多層基板１０と相違する。より詳細には、第１折れ線Ｌ１は、前後方向に対して時計回り方向に傾いている。第２折れ線Ｌ２は、左右方向に対して反時計回り方向に傾いている。ただし、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第１方向ＤＩＲ１が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ１１は、第１方向ＤＩＲ１が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ１２より大きい。これにより、リファレンス導体層２２の上主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さは、リファレンス導体層２２の上主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さより大きい。積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第２方向ＤＩＲ２が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ２２は、第２方向ＤＩＲ２が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ２１より大きい。これにより、リファレンス導体層２４の下主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さは、リファレンス導体層２４の下主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さより大きい。多層基板１０ｄのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｄは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１８は、多層基板１０ｅの上面図である。図１９は、多層基板１０ｅの第１折れ線Ｌ１における断面図である。図２０は、多層基板１０ｅの第２折れ線Ｌ２における断面図である。

多層基板１０ｅは、信号導体層１２０及び複数の層間接続導体ｖ１１を更に備えている点において多層基板１０と相違する。信号導体層１２０は、積層体１２に設けられている。信号導体層１２０は、絶縁体層１４ｂの上主面に位置している。信号導体層１２０は、絶縁体層１４ｂの上主面に固定されている。信号導体層１２０は、信号導体層２０と平行である。第１区間Ａ１では、信号導体層１２０は、信号導体層２０の後に位置している。

第２区間Ａ２では、信号導体層１２０は、信号導体層２０の左に位置している。第３区間Ａ３では、信号導体層１２０は、信号導体層２０の後に位置している。

複数の層間接続導体ｖ１１は、リファレンス導体層２２とリファレンス導体層２４とを電気的に接続している。複数の層間接続導体ｖ１１は、絶縁体層１４ａ～１４ｃを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１１の上端は、リファレンス導体層２２に接している。複数の層間接続導体ｖ１１の下端は、リファレンス導体層２４に接している。

複数の層間接続導体ｖ１１は、信号導体層２０，１２０に沿って等間隔に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ１１は、上下方向に見て、信号導体層２０と信号導体層１２０との間に位置している。

以上のような多層基板１０ｅでは、第１折れ線Ｌ１における多層基板１０ｅの前後方向の幅は、第２折れ線Ｌ２における多層基板１０ｅの左右方向の幅より大きい。そのため、第１折れ線Ｌ１における信号導体層２０と層間接続導体ｖ１，ｖ１１との距離は、第２折れ線Ｌ２における信号導体層２０と層間接続導体ｖ１，ｖ１１との距離より長くなるように配置可能である。その結果、第１折れ線Ｌ１において信号導体層２０と層間接続導体ｖ１，ｖ１１との間に形成される容量は、第２折れ線Ｌ２において信号導体層２０と層間接続導体ｖ１，ｖ１１との間に形成される容量より小さくなる。そこで、第１折れ線Ｌ１における信号導体層２０，１２０の前後方向の幅は、第２折れ線Ｌ２における信号導体層２０，１２０の左右方向の幅より大きい。これにより、信号導体層２０に発生する容量の変動が抑制され、信号導体層２０に発生する特性インピーダンスの変動が抑制される。同じ理由により、信号導体層１２０に発生する容量の変動が抑制され、信号導体層１２０に発生する特性インピーダンスの変動が抑制される。多層基板１０ｅのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｅは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る多層基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。多層基板１０ｆの断面図については、図８及び図１１を援用する。

多層基板１０ｆは、信号導体層２０，２０ａを備えている点において多層基板１０と相違する。信号導体層２０（第３金属箔層）は、第１区間Ａ１に設けられている。すなわち、信号導体層２０（第３金属箔層）は、第１領域Ａ１１に設けられている。信号導体層２０は、絶縁体層１４ｂの上主面に位置している。

信号導体層２０ａ（第４金属箔層）は、積層体１２に設けられている。信号導体層２０ａは、第２区間Ａ２、第３区間Ａ３及び第４区間Ａ４に設けられている。すなわち、信号導体層２０ａは、第２領域Ａ１２に設けられている。信号導体層２０ａは、絶縁体層１４ｂの下主面に位置している。信号導体層２０ａは、絶縁体層１４ｂの下主面に固定されている。第２領域Ａ１２において、信号導体層２０ａ（第４金属箔層）と積層体１２の下主面（第２主面）との距離Ｄ６は、信号導体層２０ａ（第４金属箔層）と積層体１２の上主面（第１主面）との距離Ｄ５より短い。第２領域Ａ１２において、信号導体層２０ａ（第４金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。信号導体層２０と信号導体層２０ａとは、第１区間Ａ１と第２区間Ａ２との境界において層間接続導体により接続されている。

上下方向（積層方向）に見て、第４方向ＤＩＲ４に延びる複数本の筋が信号導体層２０ａ（第４金属箔層）の下主面に設けられている。複数本の筋は、信号導体層２０ａの下主面の全体に設けられている。第４方向ＤＩＲ４は、前後方向である。これにより、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第４方向ＤＩＲ４が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ４２は、第４方向ＤＩＲ４が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ４１より大きい。よって、信号導体層２０ａの下主面の第２折れ線Ｌ２に平行な方向の表面粗さは、信号導体層２０ａの下主面の第１折れ線Ｌ１に平行な方向の表面粗さより大きい。多層基板１０ｆのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｆは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。

また、多層基板１０ｆによれば、信号導体層２０ａの破損が抑制される。より詳細には、第２領域Ａ１２において、信号導体層２０ａと積層体１２の下主面との距離Ｄ６は、信号導体層２０ａと積層体１２の上主面との距離Ｄ５より短い。第２領域Ａ１２において、信号導体層２０ａ（第４金属箔層）は、積層体１２の積層方向の中央より外周側に位置している。そのため、第２領域Ａ１２では、信号導体層２０ａに大きな引っ張り応力が加わる。そこで、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向（積層方向）に見て、第４方向ＤＩＲ４が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ４２は、第４方向ＤＩＲ４が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ４１より大きい。これにより、信号導体層２０ａに大きな引っ張り応力が加わったとしても、信号導体層２０ａの破損が抑制される。

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る多層基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図２１は、多層基板１０ｇの上面図である。

多層基板１０ｇは、第４折れ線Ｌ４の位置において多層基板１０ｃと相違する。より詳細には、第４折れ線Ｌ４は、第３区間Ａ３に位置している。多層基板１０ｇのその他の構造は、多層基板１０ｃと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｇは、多層基板１０ｃと同じ作用効果を奏することができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｇに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｇの構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｇにおいて、信号導体層２０，２０ａ，１２０は、必須の構成要件ではない。

なお、多層基板１０ｂにおいて、第２領域Ａ１２における積層体１２の積層方向の厚みは、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２を除く領域の少なくとも一部分における積層体１２の積層方向の厚みより小さくてもよい。また、第１領域Ａ１１における積層体１２の積層方向の厚み及び第２領域Ａ１２における積層体１２の積層方向の厚みは、第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２を除く領域の少なくとも一部分における積層体１２の積層方向の厚みより小さくてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｇは、上下方向に見て、帯形状を有していなくてもよい。多層基板１０，１０ａ～１０ｇは、例えば、上下方向に見て、長方形状を有していてもよい。

なお、複数本の筋は、リファレンス導体層２２の下主面に設けられていてもよい。複数本の筋は、リファレンス導体層２４の上主面に設けられていてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｇにおいて、絶縁体層１６ａ，１６ｂは、必須の構成要件ではない。絶縁体層１４ａの材料と同じ材料の絶縁体層が絶縁体層１４ａの上に積層されてもよい。

なお、多層基板１０において、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第３方向ＤＩＲ３が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ３１は、第３方向ＤＩＲ３が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ３２以下であってもよい。

なお、多層基板１０ａにおいて、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第３方向ＤＩＲ３が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ３２は、第３方向ＤＩＲ３が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ３１以下であってもよい。

なお、多層基板１０ｆにおいて、積層体１２が平面に展開された状態において、上下方向に見て、第４方向ＤＩＲ４が第２折れ線Ｌ２と形成する角度θ４２は、第４方向ＤＩＲ４が第１折れ線Ｌ１と形成する角度θ４１以下であってもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｇの信号導体層２０，２０ａ，１２０は、電源電圧が印加される電源導体層やリファレンス電位が接続されるリファレンス導体層等であってもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｇのリファレンス導体層２２，２４は、電源電圧が印加される電源導体層や高周波信号が伝送される信号導体層等であってもよい。

なお、信号導体層２０，２０ａ，１２０及びリファレンス導体層２２，２４の形成には、金属が圧延されることにより形成された金属箔が用いられてもよい。圧延により形成された金属箔にも、複数本の筋が形成されている。圧延により形成された金属箔に形成される筋については、例えば、特開２０１０－２２７９７１号公報に記載されている。

なお、絶縁体層１４ａ～１４ｃの材料は、熱可塑性樹脂以外の樹脂であってもよい。

なお、層間接続導体ｖ１～ｖ３，ｖ１１は、絶縁体層１４ａ～１４ｃの形成された貫通孔の内周面にメッキにより導体が形成された構造を有するスルーホール導体であってもよい。

なお、多層基板１０ｂにおいて、上下方向（積層方向）に見て、第５方向ＤＩＲ５に延びる複数本の筋がリファレンス導体層２２の主面に設けられている。第５方向ＤＩＲ５は、前後方向以外の方向であってもよい。第５方向ＤＩＲ５は、例えば、左右方向であってもよい。

なお、本明細書において、角度は、２本の線が交差して形成される鈍角及び鋭角の内の鋭角を指す。

なお、多層基板１０ｃ，１０ｇにおいて、「第３領域Ａ１３の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい」ことと、「第３領域Ａ１３の曲率半径は、第２領域Ａ１２の曲率半径より大きい」ことと、「第４領域Ａ１４の曲率半径は、第２領域Ａ１２の曲率半径より大きい」ことと、「第４領域Ａ１４の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい」こととの少なくとも一つが満たされていればよい。ただし、「第３領域Ａ１３の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい」ことと、「第４領域Ａ１４の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい」こととが満たされていることが好ましい。また、「第３領域Ａ１３の曲率半径は、第２領域Ａ１２の曲率半径より大きい」ことと、「第４領域Ａ１４の曲率半径は、第１領域Ａ１１の曲率半径より大きい」こととが満たされていることが好ましい。

なお、多層基板１０において、リファレンス導体層２２（第１金属箔層）の主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４（第２金属箔層）の主面の表面粗さは、信号導体層２０（第３金属箔層）の主面の表面粗さより大きくてもよい。より詳細には、リファレンス導体層２２の上主面の表面粗さ、リファレンス導体層２２の下主面の表面粗さ、リファレンス導体層２４の上主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４の下主面の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の表面粗さ及び信号導体層２０の下主面の表面粗さより大きい。特に、リファレンス導体層２２の下主面は、絶縁体層１４ａに接しており、リファレンス導体層２４の上主面は、絶縁体層１４ｃに接している。従って、リファレンス導体層２２の下主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４の上主面の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の表面粗さ及び信号導体層２０の下主面の表面粗さより大きい。これにより、リファレンス導体層２２が絶縁体層１４ａから剥離しにくくなる。同様に、リファレンス導体層２４が絶縁体層１４ｃから剥離しにくくなる。ただし、リファレンス導体層２２の上主面は、絶縁体層に接しており、リファレンス導体層２４の下主面は、絶縁体層に接している場合がある。この場合、リファレンス導体層２２の上主面の表面粗さ及びリファレンス導体層２４の下主面の表面粗さは、信号導体層２０の上主面の表面粗さ及び信号導体層２０の下主面の表面粗さより大きくてもよい。

１０，１０ａ～１０ｇ：多層基板
１２：積層体
１４ａ～１４ｃ，１６ａ，１６ｂ：絶縁体層
２０，２０ａ，１２０：信号導体層
２２，２４：リファレンス導体層
２６：信号端子
１００：電子機器
１０２：筐体
Ａ１：第１区間
Ａ２：第２区間
Ａ３：第３区間
Ａ４：第４区間
Ａ１１：第１領域
Ａ１２：第２領域
Ａ１３：第３領域
Ａ１４：第４領域
Ｌ１：第１折れ線
Ｌ２：第２折れ線
Ｌ３：第３折れ線
Ｌ４：第４折れ線

Claims (16)

1. 複数の絶縁体層が積層された構造を有し、かつ、前記複数の絶縁体層の積層方向に並ぶ第１主面及び第２主面を有している積層体と、
   前記積層体に設けられている第１金属箔層であって、前記積層方向に見て、第１方向に延びる複数本の筋が前記第１金属箔層の主面に設けられている、第１金属箔層と、
   前記積層体に設けられている第２金属箔層であって、前記積層方向に見て、前記第１方向とは異なる第２方向に延びる複数本の筋が前記第２金属箔層の主面に設けられている、第２金属箔層と、
   を備えており、
   前記積層体は、前記第１主面が前記第２主面より外周側に位置するように第１折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第１領域と、前記第１主面が前記第２主面より内周側に位置するように第２折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第２領域と、を有しており、
   前記第２折れ線は、前記第１折れ線と平行ではなく、
   前記第１領域において、前記第１金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
   前記第２領域において、前記第２金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
   前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第１方向が前記第１折れ線と形成する角度は、前記第１方向が前記第２折れ線と形成する角度より大きく、
   前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第２方向が前記第２折れ線と形成する角度は、前記第２方向が前記第１折れ線と形成する角度より大きい、
   多層基板。
2. 前記多層基板は、
   前記積層体に設けられている第３金属箔層であって、前記積層方向に見て、第３方向に延びる複数本の筋が前記第３金属箔層の主面に設けられている、第３金属箔層を、
   更に備えており、
   前記第１領域において、前記第３金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
   前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第３方向が前記第１折れ線と形成する角度は、前記第３方向が前記第２折れ線と形成する角度より大きい、
   請求項１に記載の多層基板。
3. 前記多層基板は、
   前記積層体に設けられている第４金属箔層であって、前記積層方向に見て、第４方向に延びる複数本の筋が前記第４金属箔層の主面に設けられている、第４金属箔層を、
   更に備えており、
   前記第２領域において、前記第４金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
   前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第４方向が前記第２折れ線と形成する角度は、前記第４方向が前記第１折れ線と形成する角度より大きい、
   請求項２に記載の多層基板。
4. 前記第１金属箔層の主面の表面粗さ及び前記第２金属箔層の主面の表面粗さは、前記第３金属箔層の主面の表面粗さより小さい、
   請求項３に記載の多層基板。
5. 前記第１金属箔層の主面の表面粗さ及び前記第２金属箔層の主面の表面粗さは、前記第３金属箔層の主面の表面粗さより大きい、
   請求項３に記載の多層基板。
6. 前記第３金属箔層は、信号が伝送される信号導体層である、
   請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
7. 前記第１金属箔層及び前記第２金属箔層は、リファレンス電位に接続されるリファレンス導体層である、
   請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
8. 前記第１領域における前記積層体の前記積層方向の厚み及び／又は前記第２領域における前記積層体の前記積層方向の厚みは、前記第１領域及び前記第２領域を除く領域の少なくとも一部分における前記積層体の前記積層方向の厚みより小さい、
   請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
9. 前記積層体は、前記第２主面が前記第１主面より外周側に位置するように第３折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第３領域を更に有しており、
   前記第３領域において、前記第２金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
   前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第２方向が前記第３折れ線と形成する角度は、前記第２方向が前記第２折れ線と形成する角度より小さく、
   前記第３領域の曲率半径は、前記第１領域の曲率半径より大きい、
   請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
10. 前記積層体は、前記第１主面が前記第２主面より外周側に位置するように第４折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第４領域を更に有しており、
    前記第４領域において、前記第１金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
    前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第１方向が前記第４折れ線と形成する角度は、前記第１方向が前記第１折れ線と形成する角度より小さく、
    前記第４領域の曲率半径は、前記第２領域の曲率半径より大きい、
    請求項９に記載の多層基板。
11. 前記積層体は、前記第２主面が前記第１主面より外周側に位置するように第３折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第３領域を更に有しており、
    前記第３領域において、前記第２金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
    前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第２方向が前記第３折れ線と形成する角度は、前記第２方向が前記第２折れ線と形成する角度より小さく、
    前記第３領域の曲率半径は、前記第２領域の曲率半径より大きい、
    請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
12. 前記積層体は、前記第１主面が前記第２主面より外周側に位置するように第４折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第４領域を更に有しており、
    前記第４領域において、前記第１金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
    前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第１方向が前記第４折れ線と形成する角度は、前記第１方向が前記第１折れ線と形成する角度より小さく、
    前記第４領域の曲率半径は、前記第１領域の曲率半径より大きい、
    請求項１１に記載の多層基板。
13. 複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられている第１金属箔層であって、前記積層方向に見て、第１方向に延びる複数本の筋が前記第１金属箔層の主面に設けられている、第１金属箔層と、
    前記積層体に設けられている第２金属箔層であって、前記積層方向に見て、前記第１方向とは異なる第２方向に延びる複数本の筋が前記第２金属箔層の主面に設けられている、第２金属箔層と、
    を備えており、
    前記積層体は、前記積層方向に折れ曲がっている、
    多層基板。
14. 前記積層体は、第１折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第１領域と、第２折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有している第２領域とを有しており、
    前記第２折れ線は、前記第１折れ線と平行ではない、
    請求項１３に記載の多層基板。
15. 前記積層体は、前記複数の絶縁体層の積層方向に並ぶ第１主面及び第２主面を有しており、
    前記第１領域は、前記第１主面が前記第２主面より外周側に位置するように前記第１折れ線において前記積層体が折れ曲がる構造を有しており、
    前記第１領域において、前記第１金属箔層は、前記積層体の前記積層方向の中央より外周側に位置しており、
    前記積層体が平面に展開された状態において、前記積層方向に見て、前記第１方向は、前記第１折れ線と交差している、
    請求項１４に記載の多層基板。
16. 請求項１ないし請求項５及び請求項１３ないし請求項１５のいずれかに記載の多層基板を、
    備える、
    電子機器。

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