JP7467657B2 - 深度取得部品および電子デバイス - Google Patents

Description

本出願は、電気技術の分野に関し、特に、深度取得部品および電子デバイスに関する。

端末デバイスの発展に伴い、端末デバイスは、深度画像撮影を段階的に実施することができる。端末デバイスによって深度画像撮影を実施する原理を図１に示すことができる。端末デバイス１１は、光を発し、光は、撮影対象１２に到達した後に端末デバイス１１に戻り、端末デバイス１１は、光の往復時間に基づいて深度情報収集を実施する。

概して、深度画像撮影機能を有する端末デバイスは、光送信端と光受信端とを含み得る。光送信端は、通常、光を出力するように構成されたレーザ源を含む。レーザ源の走査を実施するために、微小電気機械システムミラー（ｍｉｃｒｏ ｅｌｅｃｔｒｏ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ ｍｉｒｒｏｒ，ＭＥＭＳ ｍｉｒｒｏｒ）が送信端に配置される必要がある。レーザ源によって放出された光ビームは、微小電気機械システムミラーを使用することによって角度走査を実施し、次いで、異なる角度で測定対象物に照射されて、特定の視野において深度測距を実施する。

しかしながら、従来技術における微小電気機械システムミラーのサイズは大きい。その結果、光送信端のサイズが大きくなり、電力消費およびコストが高くなる。

本出願の実施形態は、小型で電力効率の良い光送信端を実施するための回路支持体を提供するために、深度取得部品および電子デバイスを提供する。

第１の態様によれば、本出願の一実施形態は、レーザドライバアレイとレーザアレイとを含む深度取得部品を提供する。レーザアレイは、複数のレーザを含み、レーザドライバアレイは１つ以上の制御ユニットを含み、各制御ユニットは、レーザアレイ内の１つ以上のレーザの選択を制御するように構成される。制御ユニットは、第１のスイッチモジュールと、容量性モジュールと、第１の接続端とを含む。第１の接続端は、レーザの正電極に接続するように構成される。第１のスイッチモジュールは、第１の制御信号に基づいて、制御ユニットに対応するレーザを選択するように構成される。第１のスイッチモジュールの一端は、レーザドライバアレイの電圧入力端に電気的に接続され、第１のスイッチモジュールの他端は、第１の接続端に電気的に接続される。容量性モジュールの一端は、第１の接続端に電気的に接続され、容量性モジュールの他端は、接地される。本出願のこの実施形態では、１つ以上の制御ユニットは、レーザドライバアレイの充電ループ内に配置され、制御ユニットに対応するレーザは、制御ユニット内の第１のスイッチモジュールおよび容量性モジュールに基づいて柔軟に選択することができる。このようにして、レーザドライバアレイに基づいてレーザアレイの走査レーザ放出を実施することができ、微小電気機械システムミラーなどの走査デバイスを追加的に配置する必要がなく、で電力効率が高く費用効率が高い光送信端を実施するための回路支持体を提供することができる。

可能な設計では、第１のスイッチモジュールは、電界効果トランジスタと、誘導性電気部品と、一方向導通電気部品とを含む。電界効果トランジスタ、誘導性電気部品、および一方向導通電気部品は、直列に接続される。電界効果トランジスタのゲートは、第１の制御信号を受信するように構成され、一方向導通電気部品の負電極は、第１の接続端に接続される。誘導性電気部品は、充電ループに直列に接続されてＬＣ回路モデルを形成し、その結果、充電効率を改善することができ、電圧入力端の入力電圧に対する要件も低減することができる。

可能な設計では、深度取得部品は、１つ以上の第１のパルス電流生成ユニットをさらに含む。第１のパルス電流生成ユニットは、第２の接続端を含み、第１のパルス電流生成ユニットは、第２の制御信号のパルス周期に基づいて、第２の接続端を制御して周期的に放電させるように構成され、第２の接続端は、レーザの負電極に接続するように構成される。これにより、レーザにパルス電流が発生し、レーザからパルス光が出射され得る。

可能な設計では、第１のパルス電流生成ユニットは、第１の電界効果モジュールと、第１の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールとをさらに含む。第１の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールは、第２の制御信号を受信するように構成される。第１の電界効果モジュールは、第２の制御信号のパルス周期に基づいて、第２の接続端を制御して周期的に放電させるように構成される。

可能な設計では、複数のレーザの負電極は電気的に接続され、各制御ユニットは、１つのレーザを制御するように構成される。各制御ユニットが１つのレーザを制御するための制御ロジックは単純であり、レーザを好適に制御することができる。

可能な設計では、各制御ユニットは、レーザの１つの行を選択するように構成され、レーザの行の正電極は、電気的に接続される。レーザ駆動回路は、１つ以上の第２のスイッチモジュールをさらに含む。各第２のスイッチモジュールは、レーザの１つの列を選択するように構成され、第２のスイッチモジュールは、レーザの列の負電極に電気的に接続される。１つ以上の制御ユニットの１つ以上の第２のスイッチモジュールおよび第１のスイッチモジュールは、互いに協働して任意のレーザを選択するように構成される。このようにして、任意のレーザが、第１のスイッチモジュールと第２のスイッチモジュールとの間の協働に基づいて選択され得る。

可能な設計では、レーザ駆動回路は、１つ以上の第２のパルス電流生成ユニットをさらに含む。第２のパルス電流生成ユニットは、１つ以上の第２のスイッチモジュールに接続され、第２のパルス電流生成ユニットは、第３の制御信号のパルス周期に基づいて、１つ以上の第２のスイッチモジュールに対応するレーザを制御して周期的に放電させるように構成される。

可能な設計では、第２のパルス電流生成ユニットは、第２の電界効果モジュールと、第２の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールとをさらに含む。第２の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールは、第３の制御信号を受信するように構成される。第２の電界効果モジュールは、第３の制御信号のパルス周期に基づいて、１つ以上の第２のスイッチモジュールに接続されたレーザ制御して周期的に放電させるように構成される。これにより、レーザを行単位で柔軟に制御することができる。

可能な設計では、第２のスイッチモジュールは、第３の電界効果モジュールと、第３の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールとを含む。第３の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールは、第４の制御信号を受信するように構成される。第３の電界効果モジュールは、第４の制御信号のパルス周期に基づいて、第３の電界効果モジュールに対応するレーザを制御して周期的に放電させるように構成される。

可能な設計では、容量性モジュールはキャパシタを含む。

第２の態様によれば、本出願の一実施形態は、１つ以上の制御ユニットと、電圧入力端とを含むレーザ駆動回路を提供する。

制御ユニットは、第１のスイッチモジュールと、容量性モジュールと、第１の接続端とを含む。第１の接続端は、レーザの正電極に接続するように構成される。第１のスイッチモジュールは、第１の制御信号に基づいて、制御ユニットに対応するレーザを選択するように構成される。第１のスイッチモジュールの一端は、電圧入力端に電気的に接続され、第１のスイッチモジュールの他端は、第１の接続端に電気的に接続される。容量性モジュールの一端は、第１の接続端に電気的に接続され、容量性モジュールの他端は、接地される。本出願のこの実施形態では、１つ以上の制御ユニットは、レーザ駆動回路の充電ループ内に配置され、制御ユニットに対応するレーザは、制御ユニット内の第１のスイッチモジュールおよび容量性モジュールに基づいて柔軟に選択することができる。このようにして、レーザ駆動回路に基づいてレーザアレイの走査レーザ放出を実施することができ、微小電気機械システムミラーなどの走査デバイスを追加的に配置する必要がなく、で電力効率が高く費用効率が高い光送信端を実施するための回路支持体を提供することができる。

可能な設計では、第１のスイッチモジュールは、電界効果トランジスタと、誘導性電気部品と、一方向導通電気部品とを含む。電界効果トランジスタ、誘導性電気部品、および一方向導通電気部品は、直列に接続される。電界効果トランジスタのゲートは、第１の制御信号を受信するように構成され、一方向導通電気部品の負電極は、第１の接続端に接続される。誘導性電気部品は、充電ループに直列に接続されてＬＣ回路モデルを形成し、その結果、充電効率を改善することができ、電圧入力端の入力電圧に対する要件を低減することができる。

可能な設計において、レーザ駆動回路は、１つ以上の第１のパルス電流生成ユニットをさらに含む。第１のパルス電流生成ユニットは、第２の接続端を含み、第１のパルス電流生成ユニットは、第２の制御信号のパルス周期に基づいて、第２の接続端を制御して周期的に放電させるように構成され、第２の接続端は、レーザの負電極に接続するように構成される。これにより、レーザにパルス電流が発生し、レーザからパルス光が出射され得る。

可能な設計では、第１のパルス電流生成ユニットは、第１の電界効果モジュールと、第１の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールとをさらに含む。第１の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールは、第２の制御信号を受信するように構成される。第１の電界効果モジュールは、第２の制御信号のパルス周期に基づいて、第２の接続端を制御して周期的に放電させるように構成される。

可能な設計では、複数のレーザの負電極は電気的に接続され、各制御ユニットは、１つのレーザを制御するように構成される。各制御ユニットが１つのレーザを制御するための制御ロジックは単純であり、レーザを好適に制御することができる。

可能な設計では、各制御ユニットは、レーザの１つの行を選択するように構成され、レーザの行の正電極は、電気的に接続される。レーザ駆動回路は、１つ以上の第２のスイッチモジュールをさらに含む。各第２のスイッチモジュールは、レーザの１つの列を選択するように構成され、第２のスイッチモジュールは、レーザの列の負電極に電気的に接続される。１つ以上の制御ユニットの１つ以上の第２のスイッチモジュールおよび第１のスイッチモジュールは、互いに協働して任意のレーザを選択するように構成される。このようにして、任意のレーザが、第１のスイッチモジュールと第２のスイッチモジュールとの間の協働に基づいて選択され得る。

可能な設計では、レーザ駆動回路は、１つ以上の第２のパルス電流生成ユニットをさらに含む。第２のパルス電流生成ユニットは、１つ以上の第２のスイッチモジュールに接続され、第２のパルス電流生成ユニットは、第３の制御信号のパルス周期に基づいて、１つ以上の第２のスイッチモジュールに対応するレーザを制御して周期的に放電させるように構成される。

可能な設計では、第２のパルス電流生成ユニットは、第２の電界効果モジュールと、第２の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールとをさらに含む。第２の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールは、第３の制御信号を受信するように構成される。第２の電界効果モジュールは、第３の制御信号のパルス周期に基づいて、１つ以上の第２のスイッチモジュールに接続されたレーザ制御して周期的に放電させるように構成される。これにより、レーザを行単位で柔軟に制御することができる。

可能な設計では、第２のスイッチモジュールは、第３の電界効果モジュールと、第３の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールとを含む。第３の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールは、第４の制御信号を受信するように構成される。第３の電界効果モジュールは、第４の制御信号のパルス周期に基づいて、第３の電界効果モジュールに対応するレーザを制御して周期的に放電させるように構成される。

可能な設計では、容量性モジュールはキャパシタを含む。

第３の態様によれば、本出願は、第１の態様、および第１の態様の可能な実施による深度取得部品を含む電子デバイスを提供する。

電子デバイスは、携帯電話、タブレットコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ノートブックコンピュータ、カメラ、またはウェアラブルデバイスなどの端末デバイスを含んでもよいが、これらに限定されない。

第３の態様において提供される電子デバイスの有益な効果および第３の態様の可能な設計については、第１の態様によってもたらされる有益な効果および第１の態様の可能な実施を参照されたい。ここでは詳細を繰り返さない。

深度画像取得シナリオの概略図である。 可能な走査構造の概略図である。 深度測定技術の概略走査図である。 照射シナリオの概略的な走査図である。 別の照射シナリオの概略走査図である。 さらに別の照射シナリオの概略走査図である。 第１のレーザ選択シナリオの概略図である。 第２のレーザ選択シナリオの概略図である。 第３のレーザ選択シナリオの概略図である。 第４のレーザ選択シナリオの概略図である。 第５のレーザ選択シナリオの概略図である。 レーザアレイの構造を示す模式図である。 レーザアレイ駆動回路の概略図である。 レーザアレイの別の構造の概略図である。 可能なレーザアレイ駆動回路の概略図である。 本発明の一実施形態によるレーザ駆動回路の概略図である。 本出願の一実施形態による別のレーザ駆動回路の概略図である。 本発明の一実施形態によるさらに別のレーザ駆動回路の概略図である。 本出願の一実施形態によるレーザ駆動回路の動作時間シーケンスの図である。 方形波パルス信号の概略図である。 本出願の一実施形態によるさらに別のレーザ駆動回路の概略図である。 本出願の一実施形態によるさらに別のレーザ駆動回路の概略図である。 本出願の一実施形態による第１のスイッチモジュールの概略回路図である。 第１のスイッチモジュールの可能な概略回路図である。 本出願の一実施形態による深度取得部品の動作原理の概略図である。

この出願の実施形態の目的、技術的解決策、および、利点をさらに明確にするために、以下は、この出願の実施形態における添付図面を参照して、この出願の実施形態における技術的解決策を明確に且つ完全に説明する。説明される実施形態は、この出願の実施形態の全てではなく単なる一部にすぎないことは明らかである。本出願の実施形態に基づいて当業者によって難なく得られる全ての他の実施形態は、本出願の保護範囲に入るものとする。

本出願の実施形態では、「少なくとも１つ」は１つ以上を意味し、「複数」は２つ以上を意味する。用語「および／または」は関連付けられた対象間の関連付け関係を記述し、３つの関係を示し得る。例えば、Ａおよび／またはＢは、Ａのみが存在する、ＡとＢの両方が存在する、およびＢのみが存在する場合を表すことができる。ＡおよびＢは、単数形であっても複数形であってもよい。記号「／」は通常、関連付けられた対象間の「または」関係を示す。

加えて、本出願の実施形態では、「第１」、「第２」、「第３」などの用語（もしあれば）は、同様の対象を区別することを意図しているが、必ずしも特定の順序または順番を示すものではない。そのように呼ばれるデータは、本明細書に記載される本出願の実施形態が本明細書に例示され、または記載される順序以外の順序でも実施されることができるように、しかるべき状況において相互に交換可能であることが理解されるべきである。

端末デバイスによって深度画像を取得する方式は、レーザ源が必要とされるかどうかに基づいて、２つのタイプ、すなわち、パッシブ測距センシングおよびアクティブ深度センシングに分類され得る。パッシブ測距センシングの方式では、端末デバイスは、レーザ光源を使用することによって光を送信する必要がない。アクティブ深度センシングの方式では、端末デバイスは、レーザ光源を使用することによって光を送信する必要がある。

パッシブ測距センシングでは、両眼立体視（または赤緑青（ｒｅｄ ｇｒｅｅｎ ｂｌｕｅ，ＲＧＢ）両眼と称される）技術を使用することができる。可能な実施では、同じシナリオにおける２つの画像が、互いから特定の距離にある２つのカメラを使用することによって同時にキャプチャされてよく、２つの画像における対応する画素が、ステレオマッチングアルゴリズムにしたがって見つけられ、視差情報が、三角形原理にしたがって計算される。視差情報は、シナリオにおける物体の深度情報を変換して表してもよい。別の可能な実施では、シナリオの深度画像は、ステレオマッチングアルゴリズムにしたがって、同じシナリオにおいて異なる角度で画像のグループを撮影することによって取得され得る。また、映像の明るさ特徴、輝度特徴などの特徴を分析して間接的に推定して深度情報を獲得することもできる。

パッシブ測距センシングの方式において、深度画像の計算は、通常、画像の画素に関連することが理解され得る。したがって、深度画像は、通常、カラー画像に基づいて取得される。

アクティブ深度センシング方式において、測定原理は、図１に対応して説明することができ、深度映像の獲得は、カラー映像の獲得と独立的である。飛行時間（ｔｉｍｅ ｏｆ ｆｌｉｇｈｔ，ＴＯＦ）技術、構造化光技術などの技術が、能動深度センシングの方式で使用され得る。ＴＯＦ技術は、間接飛行時間（ｉｎｄｉｒｅｃｔ ｔｉｍｅ ｏｆ ｆｌｉｇｈｔ，ＩＴＯＦ）技術および直接飛行時間（ｄｉｒｅｃｔ ｔｉｍｅ ｏｆ ｆｌｉｇｈｔ，ＤＴＯＦ）技術を含み得る。

表１は、深度映像の獲得において、ＩＴＯＦ技術、ＤＴＯＦ技術、ＲＧＢ両眼技術、および構造化光技術の間の比較を示す。

低消費電力でハードウェアサイズが小さいＩＴＯＦ技術、ＲＧＢ両眼技術、および構造化光技術の測定距離は、短いことが分かる。測定距離が長いＤＴＯＦ技術は、消費電力が高く、ハードウェアサイズが大きい。

携帯電話などのモバイル端末のサイズおよび電力消費の制限により、高い電力消費および大きなハードウェアサイズを有する現在のＤＴＯＦ技術は、携帯電話などのモバイル端末に適用することができない。

携帯電話などのモバイル端末の発展に伴い、携帯電話などのモバイル端末は、深度画像における距離に対してますます高い要求を有する。したがって、ＤＴＯＦ技術は携帯電話などのモバイル端末に実施されることが予想され、ハードウェアサイズおよび電力消費に関する携帯電話などのモバイル端末の要件を満たすために、ＤＴＯＦ技術を実施するためのハードウェアのサイズおよび消費電力を小さくする必要がある。

ＤＴＯＦ技術の実現において、より重要な部分は、レーザ光源による測定対象物の走査を実現することである。

例えば、ＤＴＯＦ技術が、自己駆動光検出および測距（ｌｉｇｈｔ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｒａｎｇｉｎｇ，ＬＩＤＡＲ）システムの深度測距に適用されるとき、レーザ源によって放出される光は、特定の空間角度を走査する必要がある。

例えば、図２は、ＬＩＤＡＲシステムにおけるＤＴＯＦ技術の実施の概略図である。レーザ源の走査を実施するために、レーザ源からの光ビームが最初にＭＥＭＳ ｍｉｒｒｏｒを通過し、ＭＥＭＳ ｍｉｒｒｏｒを使用することによって角度走査が実施され、異なる角度の測定対象が光ビームによって照射され、次いで、光ビームが受信端センサに戻る。このようにして、特定の視野における深度測距が実施される。

例えば、図３は、自己駆動ＤＴＯＦ技術における走査プロセスにおける３回の走査の概略図である。各走査において、レーザ光源から出射されたレーザ光が走査する空間角をθ、レーザ光の広がり角をφとする。したがって、レーザおよびＤＴＯＦシステムの視野（Ｆｉｅｌｄ ｏｆ Ｖｉｅｗ，ＦＯＶ）は、両方ともθ×φである。

しかしながら、図２のＤＴＯＦ技術の実施では、微小電気機械システムミラーを配置する必要があるため、ハードウェアサイズが大きい。加えて、微小電気機械システムミラーは頻繁に回転する必要があるため、デバイスの高い電力消費、低い信頼性、および短い耐用年数という問題がさらに存在し得る。したがって、ＤＴＯＦ技術は、ハードウェアサイズおよび電力消費の両方について低い要件を有するデバイスに適用することができない。

さらに、ＤＴＯＦ技術におけるレーザ源走査の実施が分析される。レーザ源走査の本質は、刺激型シナリオに対してブロック走査を実施することである。

例えば、図４、図５、および図６は、刺激型シナリオの３つの走査プロセスの概略図である。

図４から図６に示されるように、刺激型シナリオ０３００内のＭ＊Ｎ（ＭおよびＮは両方とも正の整数）個のブロックが走査されるとき、Ｍ＊Ｎ個のシナリオブロックは、送信端００６によって放出される出力光００５の角度を調整することによって別々に走査され得る。走査のたびに、送信端００６のレーザ源によって送信された出力光００５は、Ｍ＊Ｎ個のシナリオブロックのうちの１つを走査して刺激することができ、受信端０１３は、シナリオブロックのうちの１つから戻された入力光０１２を受信して、出力光００５および入力光０１２の往復持続時間に基づいてシナリオブロックのうちの１つの深度を計算することができる。

刺激型シナリオにおいてＭ＊Ｎ個のブロックの走査を実施するための可能な方法は、レーザアレイ内のＭ＊Ｎ個のレーザを別個にオンにすることであってもよく、各レーザは、シナリオブロックのうちの１つに対して走査および刺激を実施してもよい。

例えば、図７、図８、図９、図１０、および図１１は、Ｍ＊Ｎレーザアレイに基づいて刺激型シナリオの走査を実施する概略図である。

図７～図１１に示すように、ドライバアレイ００３は、レーザアレイ００２内の１つ以上のレーザを個別に駆動してオンにすることができ、オンにされたレーザは、レーザに対応する領域の走査を実施することができる。例えば、図７、図８、および図９において、１つのレーザを毎回オンにして、１つのシナリオブロックを走査することができる。図１０では、シナリオブロックの行に対して走査および刺激を実施するために、レーザの行が同時にオンにされ得る。図１１では、刺激型シナリオに対して完全な走査および刺激を実施するために、全てのレーザを同時にオンにすることができる。

すなわち、レーザアレイ内のレーザの柔軟な選択に基づいて、刺激型シナリオに対する柔軟な走査および刺激が実施される。

レーザの柔軟な選択が実施されるとき、考えられ得る解決策は、レーザアレイ内のＭ＊Ｎ個のレーザが独立して配置されることである。図１２に示すレーザアレイにおいて、白抜きの接続点は、電気的に接続されていない十字であり、各レーザのＰ電極とＮ電極は独立している。したがって、異なる電界効果トランジスタをスイッチとして使用して、レーザを別々に制御し、レーザの柔軟な選択を実施することができる。

例えば、図１２に対応するレーザアレイと駆動回路を図１３に示す。レーザ１３０のうちの１つに関して、電界効果トランジスタ１３１および電界効果トランジスタ１３１のゲートドライバ１３２は、レーザの放電ループ内に配置されてもよい（レーザの一方向導通特性に起因して、レーザの正電極に接続された電気部品によって形成されるループは概して充電ループと称され、レーザの負電極に接続された電気部品によって形成されるループは放電ループと称される）。電界効果トランジスタ１３１は、制御信号生成モジュールによって生成された制御信号に基づいてオンまたはオフに制御されてもよい。電界効果トランジスタ１３１がオンになると、レーザ１３０が接地され、レーザ１３０に電流が流れてレーザがオンになる。

しかしながら、図１３に示すレーザアレイおよび駆動回路では、独立したレーザを用いているため、Ｍ＊Ｎ個の領域におけるレーザおよびＭ＊Ｎ個の電界効果トランジスタのサイズが非常に大きい。したがって、レーザアレイおよび駆動回路は、携帯電話がサイズに対して非常に高い要件を有する適用シナリオには適していない。

サイズに対する要求が高い携帯電話に使用されるレーザアレイについては、概して、レーザアレイ内の全てのレーザのＮ個の電極が互いに接続される。図１４は、Ｎ個の電極が接続されたレーザアレイを示す。白抜きの接続点は電気的接続のない十字を表し、黒塗りの接続点は電気的接続のある十字を表す。

図１４のレーザアレイについて、図１３のレーザ制御概念を参照すると、理解され得る解決策は、図１５に示されるように、電界効果トランジスタおよび対応するゲートドライバが、各レーザの放電ループ内に配置され、制御信号に基づいて、電界効果トランジスタがオンまたはオフにされるように制御することである。

しかしながら、レーザのＮ個の電極は互いに接続される。したがって、電界効果トランジスタをオンにすると、全てのレーザに電流が流れ、全てのレーザがオンになる。したがって、図１５の駆動の解決策は、レーザの柔軟な選択を実施することができない。

これに基づいて、本出願の実施形態は、レーザ駆動回路を提供する。レーザは、放電ループにおいて制御されない。代わりに、１つ以上の制御ユニットがレーザ駆動回路の充電ループ内に配置される。制御ユニット内の第１のスイッチモジュールおよび容量性モジュールは、充放電ループを形成することができ、その結果、レーザの柔軟な選択が実施される。したがって、このレーザ駆動回路に基づいてレーザアレイを走査することができ、微小電気機械システムミラーなどの走査デバイスを別途配置する必要がない。このようにして、小型で、電力効率が高く、費用効率が高い光送信端を実施するための回路支持体を提供することができる。

特定の用途において、充電ループ内に制御ユニットを設定することは、レーザの柔軟な選択を実施することができるだけでなく、他の態様において放電ループ内のレーザを制御することよりも良好である可能性がある。

例えば、ＤＴＯＦ実施では、放電ループのパルス電流は、ピーク値（例えば、最大６０Ａ）、高繰り返し率（例えば、最大５ＭＨｚ）、および短い立ち上がり／立ち下がり時間周期（例えば、１ｎｓ未満）である。これは、放電ループ内に配置された電気スイッチに非常に高い要件を課す。これらの性能要件に起因して、スイッチの選択のためにＧａＮベースのＭＯＳトランジスタを使用する必要があり、スイッチのコストが高くなり、体積が大きくなる。特に、Ｍ＊Ｎアレイが大きいとき、競合はより顕著である。

しかしながら、非常に高い繰り返し率（例えば、典型的には３０Ｈｚ～１２０Ｈｚ）は、充電ループにおいて必要とされない。充電ループのピーク電流は、実際の動作パルス電流よりもはるかに低くなるように調整することができる。充電時間は、ナノ秒レベルである必要はなく、要件を満たすためにミリ秒レベルであればよい。したがって、充電ループ内に制御ユニットを設置することは、スイッチに対する要件を大幅に低減し、スイッチ回路のサイズおよびコストを低減することができる。

まず、本出願の実施の形態における用語について説明する。

本出願の実施形態で説明される電気接続は、ワイヤ、電磁気、電気部品などを通して実施される接続を含んでもよい。電流は、電気的に接続された２つのデバイスの間をことができる。

本出願の実施形態で説明されるスイッチモジュールは、電界効果トランジスタ（ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＦＥＴ）であってもよい。例えば、電界効果トランジスタは、接合型電界効果トランジスタ（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＪＦＥＴ）、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＥＴ，ＭＯＳＦＥＴ）、およびＶ溝金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（Ｖ－ｇｒｏｏｖｅ ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＥＴ，ＶＭＯＳＦＥＴ）の３つのタイプを含んでもよい。ＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＮＭＯＳＦＥＴ、略してＮＭＯＳトランジスタ）およびＰ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＰＭＯＳＦＥＴ、略してＰＭＯＳトランジスタ）の２つのタイプを含み得る。代替的に、スイッチモジュールは、集積チップなど、電界効果トランジスタの同様の機能を実施するように構成されたデバイスであってもよい。これは、本出願の実施形態では特に限定されない。

本出願の実施形態で説明される容量性モジュールは、エネルギー貯蔵機能を有し、回路状態に基づいて充電または放電され得る。例えば、容量性モジュールは、キャパシタ、キャパシタ部品、またはキャパシタと同様の機能を実現可能なチップ、部品などであってもよい。これは、本出願の実施形態では特に限定されない。

本出願の実施形態で説明される誘導性電気部品は、インダクタ、インダクタ部品、またはインダクタの機能と同様の機能を実施することができるチップ、部品などであってもよい。これは、本出願の実施形態では特に限定されない。

本出願の実施形態で説明される一方向導通部品は、一方向導通機能を実施することができるダイオード、ダイオード部品、またはチップ、部品などであってもよい。これは、本出願の実施形態では特に限定されない。

図１６は、本発明の一実施形態によるレーザ駆動回路の概略回路図である。図１６は、制御ユニット１６０および電圧入力端１６１を含むレーザ駆動回路の概略図である。

制御ユニットは、第１のスイッチモジュール１６０１と、容量性モジュール１６０２と、第１の接続端１６０３とを含む。第１の接続端１６０３は、レーザの正電極に接続するように構成される。

制御ユニット１６０は、レーザ駆動回路の充電ループ内に配置される。具体的には、第１のスイッチモジュール１６０１の一端は、電圧入力端１６１に電気的に接続され、第１のスイッチモジュール１６０１の他端は、第１の接続端１６０３に電気的に接続される。第１のスイッチモジュール１６０１は、第１の制御信号に基づいて、制御ユニットに対応するレーザ１６２を選択するように構成される。容量性モジュール１６０２の一端は、第１の接続端１６０３に電気的に接続され、容量性モジュール１６０２の他端は、接地される。

レーザ１６２は、レーザドライバアレイに対応するレーザアレイに含まれ得ることが理解され得る。本出願のこの実施形態におけるレーザ駆動回路は、レーザ１６２を含まなくてもよい。図１６に示されるレーザ１６２の目的は、本出願の本実施形態の動作原理をより明確に説明することであり、本出願の本実施形態におけるレーザ駆動回路に対する限定を構成しない。

本出願のこの実施形態では、第１のスイッチモジュール１６０１は、ゲート、ドレイン、およびソースを含み得る。ゲートは、第１の制御信号を受信するように構成され得る。第１の制御信号は、第１のスイッチモジュール１６０１をオンまたはオフに制御することができる情報、例えば方形波または正弦波であってもよい。ゲートおよびソースは、実際のアプリケーションに基づいて、電圧入力端１６１および第１の接続端１６０３に適応的に接続されてもよい。

図１６に対応するレーザ駆動回路の動作原理は以下の通りである。第１の制御信号が第１のスイッチモジュール１６０１をオンにするように制御するとき、容量性モジュール１６０２が充電される。第１の接続端１６０３の電圧がレーザ１６２のターンオン電圧より大きい場合、電流がレーザ１６２を通過し、レーザ１６２がオンにされるように選択される。

所望により、図１６に示されるように、レーザ駆動回路は、第１のパルス電流生成ユニット１６３をさらに含む。

第１のパルス電流生成ユニット１６３は、第２の接続端１６３１を含み、第１のパルス電流生成ユニットは、第２の制御信号のパルス周期に基づいて、第２の接続端１６３１を制御して周期的に放電させるように構成される。第２の接続端１６３１は、レーザの負電極に接続するように構成される。

レーザをオンにすると、通常、パルス電流を用いてパルス光を発生させる。したがって、本出願のこの実施形態では、レーザ駆動回路は、第１のパルス電流生成ユニット１６３をさらに含み得る。第１のパルス電流生成ユニット１６３は、第２の接続端１６３１を周期的に放電させることができる。第２の接続端１６３１が周期的に放電するとき、第２の接続端１６３１に接続されたレーザ１６２が選択されると、レーザ１６２に周期的に電流が流れ、すなわちレーザ１６２にパルス電流が流れ、レーザ１６２はパルス光を発生することができる。

所望により、第１のパルス電流生成ユニット１６３は、第１の電界効果モジュール１６３２と、第１の電界効果モジュールに対応する駆動モジュール１６３３とをさらに含む。第１の電界効果モジュールに対応する駆動モジュール１６３３は、第２の制御信号を受信するように構成される。第１の電界効果モジュール１６３２は、第２の制御信号のパルス周期に基づいて、第２の接続端を制御して周期的に放電させるように構成される。

本出願のこの実施形態では、第２の制御信号は、パルス信号であってもよく、第２の制御信号は、第１の電界効果モジュール１６３２が周期的にオフまたはオンにされるように制御してもよい。第１の電界効果モジュール１６３２がオンになると、第２の接続端１６３１が接地されて放電する。

特定の用途では、第１の電界効果モジュール１６３２がオンにされるときにレーザ１６２を通って流れる電流を低減するために、実際の用途シナリオに基づいて第１の電界効果モジュール１６３２と接地端子との間に抵抗器などがさらに追加され得ることが理解され得る。これは、本出願のこの実施形態では特に限定されない。

図１７は、本発明の一実施形態による別のレーザ駆動回路の概略回路図である。図１７は、Ｍ＊Ｎ個の制御ユニット１７０を含むレーザ駆動回路の概略図である。ＭおよびＮは、実際の適用シナリオに基づいて設定されてもよい。これは、本出願のこの実施形態では特に限定されない。

図１７に示すように、各制御ユニット１７０は、１つのレーザを制御するように構成され、Ｍ＊Ｎ個のレーザは、Ｍ＊Ｎ個の制御ユニット１７０に対応し、Ｍ＊Ｎ個のレーザの負電極（またはＮ電極と称される）は、全て接続される。

スイッチモジュール、容量性モジュール、および制御ユニット１７０内のレーザの正電極に接続するように構成された接続端については、図１６の実施形態の説明を参照されたく、ここでの細部を繰り返し説明しない。

特定のプロセス実施において、本出願のこの実施形態における制御ユニット１７０の容量性モジュールは、容量性モジュールアレイとして設定されてよく、スイッチモジュールは、スイッチアレイとして設定されてよく、本出願のこの実施形態における電気的接続関係は、適応プロセスを使用することによって実施される。レーザ駆動回路の具体的な形態は、本出願のこの実施形態では限定されない。

第１の制御信号０００２は、レーザの選択を制御するために、各制御ユニット１７０内のスイッチモジュールをオンまたはオフにするように制御し得る。

本出願のこの実施形態では、制御ユニット１７０は、レーザ駆動回路の充電ループ内に配置され、任意の制御ユニット１７０内のスイッチモジュールをオンにすることは、誤った電流が別のレーザ内に生成されることを引き起こさない。したがって、複数のレーザを柔軟に駆動することができる。

また、図１７に示すように、レーザ駆動回路は、パルス電流生成ユニット１７２をさらに含み得る。パルス電流生成ユニット１７２については、特に、図１６における実施形態の説明を参照されたく、ここでの細部を繰り返し説明しない。

第２の制御信号０００１は、パルス電流生成ユニット１７２の電界効果トランジスタが周期的にオンになるように制御することができ、その結果、選択されたレーザにおいて、入力電圧０１０２、オンにされた制御ユニット１７０内の容量性モジュール、およびオンにされた制御ユニット１７０によって制御されたレーザが放電ループを形成し、パルス電流がレーザを通して流れ、レーザが選択されてオンにされ得る。

また、図１８に示すように、レーザ駆動回路は、複数のパルス電流生成ユニット１７２をさらに含み得る。

特定の用途では、複数のレーザを同時にオンにすることができる。この場合、パルス電流生成ユニット１７２の電界効果トランジスタにおいて複数の電流が収束する。これにより、パルス電流生成ユニット１７２の過電流が発生し、パルス電流生成ユニット１７２が破損するおそれがある。

したがって、本出願のこの実施形態では、複数のパルス電流生成ユニット１７２がレーザ駆動回路に配置され、複数のパルス電流生成ユニット１７２は、第２の制御信号０００１によって共同で制御され、その結果、シャント機能が達成されてパルス電流生成ユニット１７２を保護することができる。

実際の適用では、パルス電流生成ユニット１７２の数は、実際の適用シナリオに基づいて設定され得ることが理解され得る。これは、本出願のこの実施形態では特に限定されない。

図１９は、図１７または図１８に対応するレーザ駆動回路の動作時系列図を示す。

図１９に示すように、第２の制御信号０００１はパルス信号であってもよく、レーザがパルス電流を生成するのを助けるために使用される。第１の制御信号０００２は矩形波であってもよく、レーザを選択し、レーザの走査周波数を制御し、異なる走査方式を選択するために使用されてもよい。第１の制御信号０００２の各周期のハイレベルは、制御ユニット内のスイッチモジュールＳＮをオンにすることができ、パルス電流は、ＳＮによって制御されるレーザＬＤＮに流れることができ、電圧入力端の電圧は、パルス電流のピーク値を制御することができる。したがって、レーザＬＤＮは、パルス光００１６を放出することができる。

例えば、第２の制御信号０００１は、方形波パルス信号であってもよい。図２０は、方形波パルス信号の概略図である。

方形波パルス信号において、パルス繰り返し周波数ｆは１ｋＨｚ～１ＧＨｚの範囲で任意であり得、例えば２００ｋＨｚであり得、パルス幅τは１ｎｓ～１ｍｓの範囲で任意であり得、例えば５ｎｓであり得、パルスデューティ比は０．０１％～５０％の範囲で任意であり得、例えば１％であり得る。パルス電流の振幅Ｉｐｅａｋは、０～５０Ａの範囲で任意であり得、例えば２０Ａであってもよい。デューティ比は、τ／（１／ｆ）、すなわちτ×ｆであってもよい。

第１の制御信号０００２は、プログラム設定、回路構築などを通じて実際の適用シナリオに基づいて複数の制御ユニット内のスイッチモジュールをオンにするために使用され得ることに留意されたい。これは、本出願のこの実施形態では特に限定されない。

図２１は、本発明の一実施形態による別のレーザ駆動回路の概略回路図である。図２１は、Ｍ個の制御ユニット２１０およびＮ個の第２のスイッチモジュール２１１を含むレーザ駆動回路の概略図である。ＭおよびＮは、実際の適用シナリオに基づいて設定されてもよい。これは、本出願のこの実施形態では特に限定されない。

本出願のこの実施形態では、レーザ駆動回路によって駆動されるレーザアレイにおいて、レーザの各行の正電極が電気的に接続され、各制御ユニット２１０は、レーザの１つの行を選択することができる。各列のレーザの負電極は電気的に接続され、各第２のスイッチモジュール２１１は、１列のレーザを選択することができる。任意のレーザが、Ｍ個の制御ユニット２１０とＮ個の第２のスイッチモジュール２１１との間の協働に基づいて選択され得る。

所望により、図２１のレーザ駆動回路は、１つ以上の第２のパルス電流生成ユニット２１２をさらに含み得る。１つ以上の第２のパルス電流生成ユニット２１２は、１つ以上の第２のスイッチモジュール２１１に連結され、選択されたレーザにパルス電流が流れるようにする。

図２１に対応するレーザ駆動モジュールの動作原理は、前述の実施形態の動作原理と同様であり、違いは、図２１のレーザが、Ｍ個の制御ユニット２１０とＮ個の第２のスイッチモジュール２１１との間の協働に基づいて選択されることにある。図２１のレーザ駆動モジュールの動作原理は、ここでは再び説明されない。

図２２は、本発明の一実施形態による別のレーザ駆動回路の概略回路図である。図２１とは異なり、図２２では、列選択を実施するように構成されたスイッチモジュールが省略されている。レーザの各列の負電極が電気的に接続された後、レーザの各列の負電極は、行単位でレーザの柔軟な制御を実施するために、パルス電流生成ユニットに接続され得る。あるいは、図２２のレーザ駆動回路において、１行以上のレーザを毎回制御することも考えられる。

図２３は、本出願の一実施形態による第１のスイッチモジュールの概略図である。図２３に示すように、第１のスイッチモジュール２３０は、電界効果トランジスタ２３０１と、誘導性電気部品２３０２と、一方向導通電気部品２３０３とを含む。

電界効果トランジスタ２３０１、誘導性電気部品２３０２、および一方向導通電気部品２３０３は、直列に接続されている。電界効果トランジスタのゲートは、第１の制御信号を受信するように構成され、一方向導通電気部品の負電極は、第１の接続端に接続される。

本出願のこの実施形態では、第１のスイッチモジュールは、レーザ駆動回路の充電ループ内に配置され、これは、充電ループの大きな電力損失を引き起こし得る。したがって、充電ループの電力損失を低減するために、第１のスイッチモジュールに対して適応処理が実行され得る。

電力損失を低減するために考えられる方法は、以下の通りであり得る。すなわち、図２４に示すように、充電ループの充電ピーク電流を低減するために、抵抗器が充電ループに直列に接続される。しかし、抵抗器Ｒにも消費電力がある。したがって、充電ループの電力消費は依然として大きい。

したがって、本出願のこの実施形態では、図２３に示すように、誘導性電気部品は、充電ループに直列に接続されてＬＣ回路モデルを形成し、その結果、充電効率を改善することができ、電圧入力端の入力電圧に対する要件も低減することができる。ＬＣ回路の逆発振を抑制するために、一方向導通電気部品を直列に接続してパルス電流の一方向の流れを確保する。

本出願のこの実施形態におけるレーザ駆動回路は、端末デバイスの深度取得部品において使用され得る。

深度取得部品は、図１７、図１８、図２１、または図２２のレーザドライバアレイおよびレーザアレイを含んでもよい。レーザアレイは、複数のレーザを含む。レーザドライバアレイは、１つ以上の制御ユニットを含み、各制御ユニットは、レーザアレイ内の１つ以上のレーザの選択を制御するように構成される。制御ユニットは、第１のスイッチモジュールと、容量性モジュールと、第１の接続端とを含む。第１の接続端は、レーザの正電極に接続するように構成される。第１のスイッチモジュールは、第１の制御信号に基づいて、制御ユニットに対応するレーザを選択するように構成される。第１のスイッチモジュールの一端は、レーザドライバアレイの電圧入力端に電気的に接続され、第１のスイッチモジュールの他端は、第１の接続端に電気的に接続される。容量性モジュールの一端は、第１の接続端に電気的に接続され、容量性モジュールの他端は、接地される。本出願のこの実施形態では、１つ以上の制御ユニットは、レーザドライバアレイの充電ループ内に配置され、制御ユニットに対応するレーザは、制御ユニット内の第１のスイッチモジュールおよび容量性モジュールに基づいて柔軟に選択することができる。このようにして、レーザドライバアレイに基づいてレーザアレイの走査レーザ放出を実施することができ、微小電気機械システムミラーなどの走査デバイスを追加的に配置する必要がなく、で電力効率が高く費用効率が高い光送信端を実施するための回路支持体を提供することができる。

端末デバイスは、携帯電話、タブレットコンピュータ、無線通信機能を有するウェアラブル電子デバイス（スマートウォッチなど）、カメラなどを含み得る。

図２５は、深度取得部品の動作原理の概略図である。図２５に示されるように、深度取得部品は、送信端００６および受信端０１３を含み得る。

送信端００６は、ドライバアレイ００３、レーザアレイ００２、およびレンズ００４を含み得る。ドライバアレイ００３、レーザアレイ００２、およびレンズ００４は、送信端のベース上に配置することができる。

ドライバアレイ００３は、前述の実施形態における任意のレーザ駆動回路を含んでもよい。

動作中、トランシーバ同期および制御回路００１は、パルス電気信号をドライバアレイ００３に送信する。ドライバアレイ００３は、パルス電気信号をパルス電流００１５に増幅した後、パルス電流００１５をレーザアレイ００２に出力する。レーザアレイ００２は、パルス電流をパルス光００１６に変換する。パルス光００１６はレンズ００４を通過する。光ビームは、期待される光ビーム形状（発散角、光パターンサイズ、および光ビーム角度を含む）に調整され、次いで、出力光００５が放出される。

受信端０１３におけるセンサは、レンズ０１１と、光学フィルタ０１０と、単一光子アバランシェダイオード（ｓｉｎｇｌｅ ｐｈｏｔｏｎ ａｖａｌａｎｃｈｅ ｄｉｏｄｅ，ＳＰＡＤ）アレイ００８と、消光および時間デジタル変換回路（ｔｉｍｅ ｔｏ ａｎａｌｏｇ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ，ＴＤＣ）００７とを含む。本出願のこの実施形態は、受信端の改善に関係しなくてもよく、受信端０１３の具体的な構造および内容は、本明細書では説明されない。

本出願のこの実施形態における深度取得部品が携帯電話において使用されるとき、深度画像を取得するための距離は１０ｍより大きくてもよく、電力消費は１Ｗ未満であってもよく、その結果、携帯電話におけるハードウェアサイズおよび電力消費に関する要件を満たすことができる。加えて、本出願のこの実施形態における深度取得部品は、微小電気機械システムミラーを含まないので、微小電気機械システムミラー解決策の信頼性問題がなく、信頼性が高い。

本出願のこの実施形態では、レーザは、特定のアプリケーションシナリオを参照して柔軟に選択され得ることが理解され得る。例えば、建物、風景、または置かれた物体などの静止物体の深度画像が撮影されるとき、ブロックごとの走査を実施するために、１つのレーザが毎回オンにされ得る。移動物体、例えば、移動する人物または物体を撮影するとき、複数のレーザを毎回オンにして複数のブロックの走査を実施することができ、または全てのレーザを一度にオンにして迅速な深度取得を実施することができる。このようにして、移動物体の変位によって引き起こされる深度取得誤差が回避される。

前述の実施、概略構造図、または概略エミュレーション図は、本出願の技術的解決策を説明するための例にすぎない。それらのサイズ比率は、技術的解決策の保護範囲に対するいかなる限定も構成しない。前述の実施の趣旨および原理内で行われる任意の修正、同等の置換、改良などは、技術的解決策の保護範囲内に入るものとする。

１１ 端末デバイス
１２ 撮影対象
１３０ レーザ
１３１ 電界効果トランジスタ
１３２ ゲートドライバ
１６０ 制御ユニット
１６１ 電圧入力端
１６２ レーザ
１６３ 第１のパルス電流生成ユニット
１７０ 制御ユニット
１７２ パルス電流生成ユニット
２１０ 制御ユニット
２１１ 第２のスイッチモジュール
２１２ 第２パルス電流生成ユニット
２３０ 第１のスイッチモジュール
１６０１ 第１のスイッチモジュール
１６０２ 容量性モジュール
１６０３ 第１の接続端
１６３１ 第２の接続端
１６３２ 第１の電界効果モジュール
１６３３ 駆動モジュール
２３０１ 電界効果トランジスタ
２３０２ 誘導性電気部品
２３０３ 一方向導通電気部品
００１ トランシーバ同期および制御回路
００２ レーザアレイ
００３ ドライバアレイ
００４ レンズ
００５ 出力光
００６ 送信端
００７ 消光およびＴＤＣ回路
００８ 単一光子アバランシェダイオードアレイ
０１０ 光学フィルタ
０１１ レンズ
０１２ 入力光
０１３ 受信端
０００１ 第２の制御信号
０００２ 第１の制御信号
００１５ パルス電流
００１６ パルス光
０１０２ 入力電圧
０３００ 刺激型シナリオ

Claims (9)

1. レーザドライバアレイおよびレーザアレイを備える深度取得部品であって、前記レーザアレイは、複数のレーザを備え、前記レーザドライバアレイは、１つ以上の制御ユニットを備え、各制御ユニットは、前記レーザアレイにおける１つ以上のレーザの選択を制御するように構成され、
   前記制御ユニットは、第１のスイッチモジュールと、容量性モジュールと、第１の接続端と、を備え、
   前記第１の接続端は、前記レーザアレイ内の前記１つ以上のレーザの正電極を接続するように構成され、
   前記第１のスイッチモジュールは、第１の制御信号に基づいて、前記制御ユニットに対応する前記レーザを選択するように構成され、前記第１のスイッチモジュールの一端は、前記レーザドライバアレイの電圧入力端に電気的に接続され、前記第１のスイッチモジュールの他端は、前記第１の接続端に電気的に接続され、
   前記容量性モジュールの一端は、前記第１の接続端に電気的に接続され、前記容量性モジュールの他端は、接地され、
   各制御ユニットは、前記レーザアレイ内のレーザの行を選択するように構成され、前記レーザの行の正電極は、電気的に接続され、
   レーザ駆動回路は、１つ以上の第２のスイッチモジュールをさらに備え、
   各第２のスイッチモジュールは、前記レーザアレイ内の１つの列のレーザを選択するように構成され、前記第２のスイッチモジュールは、前記レーザの列の負電極に電気的に接続され、
   前記１つ以上の制御ユニットの前記１つ以上の第２のスイッチモジュールおよび前記第１のスイッチモジュールは、互いに協働して任意のレーザを選択するように構成される、
   深度取得部品。
2. 前記第１のスイッチモジュールは、電界効果トランジスタと、誘導性電気部品と、一方向導通電気部品と、を備え、
   前記電界効果トランジスタ、前記誘導性電気部品、および前記一方向導通電気部品は、直列に接続され、
   前記電界効果トランジスタのゲートは、前記第１の制御信号を受信するように構成され、
   前記一方向導通電気部品の負電極は、前記第１の接続端に接続される、
   請求項１に記載の深度取得部品。
3. １つ以上の第１のパルス電流生成ユニットをさらに備え、
   前記第１のパルス電流生成ユニットは、第２の接続端を備え、前記第１のパルス電流生成ユニットは、第２の制御信号のパルス周期に基づいて、前記第２の接続端を制御して周期的に放電させるように構成され、前記第２の接続端は、前記レーザの負電極に接続するように構成される、請求項１または２に記載の深度取得部品。
4. 前記第１のパルス電流生成ユニットは、第１の電界効果モジュールと、前記第１の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールと、をさらに備え、
   前記第１の電界効果モジュールに対応する前記駆動モジュールは、前記第２の制御信号を受信するように構成され、
   前記第１の電界効果モジュールは、前記第２の制御信号の前記パルス周期に基づいて、前記第２の接続端を制御して周期的に放電させるように構成される、
   請求項３に記載の深度取得部品。
5. 前記複数のレーザの負電極は、電気的に接続され、前記制御ユニットの各々は、１つのレーザを制御するように構成される、請求項１から４のいずれか一項に記載の深度取得部品。
6. 前記レーザ駆動回路は、１つ以上の第２のパルス電流生成ユニットをさらに備え、
   前記第２のパルス電流生成ユニットは、前記１つ以上の第２のスイッチモジュールに接続され、前記第２のパルス電流生成ユニットは、第３の制御信号のパルス周期に基づいて、１つ以上の第２のスイッチモジュールに対応するレーザを制御して周期的に放電させるように構成される、
   請求項１に記載の深度取得部品。
7. 前記第２のパルス電流生成ユニットは、第２の電界効果モジュールと、前記第２の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールと、をさらに備え、
   前記第２の電界効果モジュールに対応する前記駆動モジュールは、前記第３の制御信号を受信するように構成され、
   前記第２の電界効果モジュールは、前記第３の制御信号の前記パルス周期に基づいて、前記１つ以上の第２のスイッチモジュールに接続された前記レーザを制御して周期的に放電させるように構成される、
   請求項６に記載の深度取得部品。
8. 前記第２のスイッチモジュールは、第３の電界効果モジュールと、前記第３の電界効果モジュールに対応する駆動モジュールと、を備え、
   前記第３の電界効果モジュールに対応する前記駆動モジュールは、第４の制御信号を受信するように構成され、
   前記第３の電界効果モジュールは、前記第４の制御信号のパルス周期に基づいて、前記第３の電界効果モジュールに対応するレーザを制御して周期的に放電させるように構成される、
   請求項１に記載の深度取得部品。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の深度取得部品を備える電子デバイスであって、前記電子デバイスは、携帯電話、タブレットコンピュータ、ウェアラブル電子デバイス、およびカメラのうちの１つ以上を備える、電子デバイス。

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