JP7477660B2 - 誘電体基板及びその形成方法 - Google Patents

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Description

本開示は、誘電体基板及びその形成方法に関する。具体的には、本開示は、銅張積層板構造にて使用するための誘電体基板及びその形成方法に関する。
銅張積層板（Copper-clad laminate、ＣＣＬ）は、導電性銅箔の２つの層の上に又はそれらの間に積層された誘電体材料を含む。その後の作業が、そのようなＣＣＬをプリント回路基板（printed circuit board、ＰＣＢ）に変換する。ＰＣＢを形成するために使用される場合、導電性銅箔は選択的にエッチングされてスルーホールを有する回路が形成され、スルーホールは、層間に穿孔され金属化、すなわちめっきされて、多層ＰＣＢ内の層間に導電性を確立する。したがって、ＣＣＬは優れた熱機械的安定性を呈しなければならない。ＰＣＢはまた、製造作業中に、例えばはんだ付け、並びに使用中に、過度に高い温度に日常的に曝される。その結果、ＰＣＢは、変形することなく２００℃を超える連続的な温度で機能しなければならず、水分吸収に抵抗しながら非常に大きな温度変動に耐えなければならない。ＣＣＬの誘電体層は、導電層間のスペーサとして機能し、導電性を遮断することによって電気信号損失及びクロストークを最小限に抑えることができる。誘電体層の誘電定数（誘電率）が低いほど、層を通る電気信号の速度は速くなる。したがって、温度及び周波数、並びに材料の分極率に依存する低い損失係数が、高周波用途にとって非常に重要である。それに応じて、ＰＣＢ及び他の高周波用途で使用することができる改善された誘電体材料及び誘電体層が望まれる。
第１の態様によれば、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい。セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含んでもよい。第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を有してもよい。
別の態様によれば、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい。セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含んでもよい。第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（particle size distribution span、ＰＳＤＳ）を更に有してもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
更に別の態様によれば、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい。セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含んでもよい。第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約８．０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有してもよい。
別の態様によれば、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含んでもよい。誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい。セラミック充填剤成分は、シリカを含んでもよい第１の充填剤材料を含んでもよい。第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を有してもよい。
更に別の態様によれば、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含んでもよい。誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい。セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含んでもよい。第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に有してもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
更に別の態様によれば、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含んでもよい。誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい。セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含んでもよい。第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約８．０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有してもよい。
別の態様によれば、誘電体基板を形成する方法は、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から誘電体基板を形成することと、を含んでもよい。セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を有してもよい。
別の態様によれば、誘電体基板を形成する方法は、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から誘電体基板を形成することと、を含んでもよい。セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に有してもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
更に別の態様によれば、誘電体基板を形成する方法は、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から誘電体基板を形成することと、を含んでもよい。セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約８．０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有してもよい。
別の態様によれば、銅張積層板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔の上を覆う誘電体基板に形成することと、を含んでもよい。セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を有してもよい。
更に別の態様によれば、銅張積層板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔の上を覆う誘電体基板に形成することと、を含んでもよい。セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に有してもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
更に別の態様によれば、銅張積層板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔の上を覆う誘電体基板に形成することと、を含んでもよい。セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径、及び約８．０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有してもよい。
実施形態は、例として示されており、添付の図面に限定されない。
本明細書に記載される実施形態による、誘電体層の形成方法を示す図を含む。 本明細書に記載される実施形態により形成される誘電体層の構成を示す図を含む。 本明細書に記載される実施形態による、銅張積層板の形成方法を示す図を含む。 本明細書に記載される実施形態により形成される銅張積層板の構成を示す図を含む。 本明細書に記載される実施形態による、プリント回路基板の形成方法を示す図を含む。 本明細書に記載される実施形態により形成されるプリント回路基板の構成を示す図を含む。
当業者は、図中の要素が簡略化及び明瞭化を目的として示されており、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解されたい。
以下の説明は、教示の特定の実施態様及び実施形態に焦点を当てている。詳細な説明は、特定の実施形態を説明するのを助けるために提供されており、本開示又は教示の範囲又は適用性に関する限定として解釈されるべきではない。本明細書で提供される本開示及び教示に基づいて、他の実施形態を使用することができることが理解されよう。
用語「備える（comprises）」、「備える（comprising）」、「含む（includes）」、「含む（including）」、「有する（has）」、「有する（having）」、又はそれらの任意の他の変形は、非排他的包含を網羅することを意図している。例えば、特徴のリストを含む方法、物品、又は装置は、必ずしもそれらの特徴に限定されるものではないが、明示的に列挙されていない他の特徴、あるいはそのような方法、物品、又は装置に固有の他の特徴を含み得る。更に、矛盾する記載がない限り、「又は」は、包含的なｏｒを指し、排他的なｏｒを指すのではない。例えば、条件Ａ又はＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａが真であり（又は存在し）、Ｂが偽である（又は存在しない）、Ａが偽であり（又は存在せず）、Ｂが真である（又は存在する）、及び、ＡとＢとの両方が真である（又は存在する）。
また、「１つの（a）」又は「１つの（an）」の使用は、本明細書に記載の要素及び部品を説明するために用いられる。これは、単に便宜上、及び本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われる。この説明は、そうでないことを意味することが明らかでない限り、１つ、少なくとも１つ、又は単数形が複数形も含むものとして、又はその逆として理解されるべきである。例えば、単一の物品が本明細書に記載されている場合、単一の物品の代わりに２つ以上の物品を使用することができる。同様に、２つ以上の物品が本明細書に記載されている場合、その２つ以上の物品を単一の物品に置き換えることができる。
本明細書に記載される実施形態は、全般的には、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい誘電体基板に関する。
最初に誘電体基板を形成する方法を参照すると、図１は、本明細書に記載される実施形態による、誘電体基板を形成するための形成方法１００を示す図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法１００は、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成する第１のステップ１１０と、形成混合物から誘電体基板を形成する第２のステップ１２０とを含んでもよい。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、形成方法１００によって形成される誘電体基板の性能を改善することができる特定の特性を有することができる第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。
特定の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載される実施形態の目的で、材料の粒径分布、例えば、第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載できる。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的で、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０は、少なくとも約０．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ１０は、約１．６マイクロメートル以下、例えば、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＤ１０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０は、少なくとも約０．８マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ５０は、約２．７マイクロメートル以下、例えば、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＤ５０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０は、少なくとも約１．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ９０は、約８．０マイクロメートル以下、例えば、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＤ９０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、レーザー回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料の平均粒径は、約１０マイクロメートル以下、例えば、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料の平均粒径は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料の平均粒径は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして記載されてもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＰＳＤＳは、約５以下、例えば、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析法（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして説明することができる。例えば、第１の充填剤前駆体材料は、約８ｍ２／ｇ以下、例えば、約７．９ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、少なくとも約１．２ｍ２／ｇ、例えば、少なくとも約２．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１の充填剤前駆体材料の平均表面積は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定の材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、シリカ系化合物から構成されてもよい。他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料はシリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、シリカから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、形成混合物は、特定の含有量のセラミック充填剤前駆体成分を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、約５７体積％以下、例えば、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下であってもよい。セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、特定の含有量の第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％、例えば、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約１００体積％以下、例えば、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、第２の充填剤前駆体材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤前駆体材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、ＴｉＯ２から構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、特定の含有量の第２の充填剤前駆体材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％、例えば、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は更には少なくとも約１０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約２０体積％以下、例えば、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下であってもよい。第２の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第２の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、特定の含有量の非晶質材料を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤前駆体成分は、少なくとも約９７％、例えば、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％の非晶質材料を含んでもよい。非晶質材料の含有量は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。非晶質材料の内容物の含有量は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分は、特定の材料を含んでもよい。例えば、樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、形成混合物は、特定の含有量の樹脂マトリックス前駆体成分を含んでもよい。例えば、樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、形成混合物は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して、約６３体積％以下、例えば、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
ここで、形成方法１００に従って形成された誘電体基板の実施形態を参照すると、図２は誘電体基板２００の図を含む。図２に示すように、誘電体基板２００は、樹脂マトリックス成分２１０及びセラミック充填剤成分２２０を含んでもよい。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０は、誘電体基板２００の性能を改善することができる特定の特性を有することができる第１の充填剤材料を含んでもよい。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載される実施形態の目的で、材料の粒径分布、例えば、第１の充填剤材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載できる。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的で、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料のＤ１０は、少なくとも約０．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ１０は、約１．６マイクロメートル以下、例えば、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料のＤ１０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＤ１０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料のＤ５０は、少なくとも約０．８マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ５０は、約２．７マイクロメートル以下、例えば、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料のＤ５０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＤ５０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料のＤ９０は、少なくとも約１．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ９０は、約８．０マイクロメートル以下、例えば、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料のＤ９０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＤ９０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、レーザー回折分光法により測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料の平均粒径は、約１０マイクロメートル以下、例えば、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料の平均粒径は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料の平均粒径は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして記載されてもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１の充填剤材料のＰＳＤＳは、約５以下、例えば、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下であってもよい。第１の充填剤材料のＰＳＤＳは、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＰＳＤＳは、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析法（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして説明することができる。例えば、第１の充填剤材料は、約８ｍ２／ｇ以下、例えば、約７．９ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、少なくとも約１．２ｍ２／ｇ、例えば、少なくとも約２．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１の充填剤材料の平均表面積は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料の平均表面積は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第１の充填剤材料は、特定の材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、シリカ系化合物から構成されてもよい。他の実施形態によれば、第１の充填剤材料はシリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、シリカから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、特定の含有量のセラミック充填剤成分２２０を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤成分２２０の含有量は、誘電体基板２００の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の含有量は、誘電体基板２００の総体積に対して、約５７体積％以下、例えば約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下であってもよい。セラミック充填剤成分２２０の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。セラミック充填剤成分２２０の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０は、特定の含有量の第１の充填剤材料を含んでもよい。例えば、第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分２２０の総体積に対して、少なくとも約８０体積％、例えば、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分２２０の総体積に対して、約１００体積％以下、例えば、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下であってもよい。第１の充填剤材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０は、第２の充填剤材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第２の充填剤材料は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０の第２の充填剤材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤材料は、ＴｉＯ２から構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０は、特定の含有量の第２の充填剤材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分２２０の総体積に対して、少なくとも約１体積％、例えば、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分２２０の総体積に対して、約２０体積％以下、例えば、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下であってもよい。第２の充填剤材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第２の充填剤材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分２２０は、特定の含有量の非晶質材料を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤成分２２０は、少なくとも約９７％、例えば、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％の非晶質材料を含んでもよい。非晶質材料の含有量は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。非晶質材料の内容物の含有量は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０は、特定の材料を含んでもよい。例えば、樹脂マトリックス成分２１０は、ペルフルオロポリマーを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０は、ペルフルオロポリマーから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、特定の含有量の樹脂マトリックス成分２１０を含んでもよい。例えば、樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、誘電体基板２００の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、誘電体基板２００の総体積に対して、約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板２００の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板２００の総体積に対して、約６３体積％以下、例えば、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、Ｘ線回折を使用して測定される特定の多孔率を有してもよい。例えば、基板２００の多孔率は、約１０体積％以下、例えば、約９体積％以下、又は約８体積％以下、又は約７体積％以下、又は約６体積％以下、又は更には約５体積％以下であってもよい。誘電体基板２００多孔率は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００多孔率は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、特定の平均厚さを有してもよい。例えば、誘電体基板２００の平均厚さは、少なくとも約１０マイクロメートル、例えば、少なくとも約１５マイクロメートル、又は少なくとも約２０マイクロメートル、又は少なくとも約２５マイクロメートル、又は少なくとも約３０マイクロメートル、又は少なくとも約３５マイクロメートル、又は少なくとも約４０マイクロメートル、又は少なくとも約４５マイクロメートル、又は少なくとも約５０マイクロメートル、又は少なくとも約５５マイクロメートル、又は少なくとも約６０マイクロメートル、又は少なくとも約６５マイクロメートル、又は少なくとも約７０マイクロメートル、又は更には少なくとも約７５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００の平均厚さは、約２０００マイクロメートル以下、例えば、約１８００マイクロメートル以下、約１６００マイクロメートル以下、約１４００マイクロメートル以下、約１２００マイクロメートル以下、又は約１０００マイクロメートル以下、又は約８００マイクロメートル以下、又は約６００マイクロメートル以下、又は約４００マイクロメートル以下、又は約２００マイクロメートル以下、又は約１９０マイクロメートル以下、又は約１８０マイクロメートル以下、又は約１７０マイクロメートル以下、又は約１６０マイクロメートル以下、又は約１５０マイクロメートル以下、又は約１４０マイクロメートル以下、又は約１２０マイクロメートル以下、又は更には約１００マイクロメートル以下であってもよい。誘電体基板２００の平均厚さは、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の平均厚さは、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、２０％ＲＨにて５ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（dissipation factor、Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、８０％ＲＨにて５ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、２０％ＲＨにて１０ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、８０％ＲＨにて１０ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、２０％ＲＨにて２８ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、８０％ＲＨにて２８ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、２０％ＲＨにて３９ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、８０％ＲＨにて３９ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、２０％ＲＨにて７６～８１ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、８０％ＲＨにて７６～８１ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板２００の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板２００の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃ Ｇｌａｓｓ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ Ｚ－Ａｘｉｓ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｂｙ ＴＭＡに従って測定される、特定の熱膨張係数を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有してもよい。
本明細書に記載されるいかなる誘電体基板（例えば、誘電体基板２００）も、最初に記載された誘電体基板の外面上に追加のポリマーベースの層を含んでもよいこと、及び追加のポリマーベースの層は、本明細書に記載される充填剤を含んでもよく（すなわち、充填ポリマー層であってもよく）、又は充填剤を含まなくてもよい（すなわち、非充填ポリマー層）ことが理解されるであろう。
ここで、本明細書に記載される誘電体基板を含んでもよい銅張積層板の実施形態を参照する。本明細書に記載されるそのような追加の実施形態は、全般的には、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含んでもよい、銅張積層板に関する。特定の実施形態によれば、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含んでもよい。
次に銅張積層板を形成する方法を参照すると、図３は、本明細書に記載される実施形態による銅張積層板を形成するための形成方法３００を示す図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法３００は、銅箔層を提供する第１のステップ３１０と、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成する第２のステップ３２０と、形成混合物を銅箔層を覆う誘電体基板に形成して銅張積層板を形成する第３のステップ３３０と、を含んでもよい。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、形成方法３００によって形成される誘電体基板の性能を改善することができる特定の特性を有することができる第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。
特定の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載される実施形態の目的で、材料の粒径分布、例えば、第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載できる。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的で、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０は、少なくとも約０．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ１０は、約１．６マイクロメートル以下、例えば、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＤ１０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０は、少なくとも約０．８マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ５０は、約２．７マイクロメートル以下、例えば、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＤ５０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０は、少なくとも約１．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ９０は、約８．０マイクロメートル以下、例えば、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＤ９０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、レーザー回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料の平均粒径は、約１０マイクロメートル以下、例えば、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料の平均粒径は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料の平均粒径は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして記載されてもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１の充填剤前駆体材料のＰＳＤＳは、約５以下、例えば、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析法（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして説明することができる。例えば、第１の充填剤前駆体材料は、約８ｍ２／ｇ以下、例えば、約７．９ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、少なくとも約１．２ｍ２／ｇ、例えば、少なくとも約２．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１の充填剤前駆体材料の平均表面積は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、特定の材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、シリカ系化合物から構成されてもよい。他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料はシリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料は、シリカから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、形成混合物は、特定の含有量のセラミック充填剤前駆体成分を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、約５７体積％以下、例えば、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下であってもよい。セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、特定の含有量の第１の充填剤前駆体材料を含んでもよい。例えば、第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％、例えば、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約１００体積％以下、例えば、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下であってもよい。第１の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、第２の充填剤前駆体材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤前駆体材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料は、ＴｉＯ２から構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、特定の含有量の第２の充填剤前駆体材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％、例えば、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は更には少なくとも約１０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約２０体積％以下、例えば、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下であってもよい。第２の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第２の充填剤前駆体材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤前駆体成分は、特定の含有量の非晶質材料を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤前駆体成分は、少なくとも約９７％、例えば、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％の非晶質材料を含んでもよい。非晶質材料の含有量は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。非晶質材料の内容物の含有量は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
ここで、形成方法３００に従って形成された銅張積層板の実施形態を参照すると、図４は、銅張積層板４００の図を含む。図４に示すように、銅張積層板４００は、銅箔層４０２と、銅箔層４０２の表面の上を覆う誘電体基板４０５とを含んでもよい。特定の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、樹脂マトリックス成分４１０及びセラミック充填剤成分４２０を含んでもよい。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０は、銅張積層板４００の性能を改善することができる特定の特性を有することができる第１の充填剤材料を含んでもよい。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載される実施形態の目的で、材料の粒径分布、例えば、第１の充填剤材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載できる。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的で、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料のＤ１０は、少なくとも約０．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ１０は、約１．６マイクロメートル以下、例えば、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料のＤ１０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＤ１０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料のＤ５０は、少なくとも約０．８マイクロメートル、例えば、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ５０は、約２．７マイクロメートル以下、例えば、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料のＤ５０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＤ５０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料のＤ９０は、少なくとも約１．５マイクロメートル、例えば、少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料のＤ９０は、約８．０マイクロメートル以下、例えば、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料のＤ９０は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＤ９０は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、レーザー回折分光法により測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１の充填剤材料の平均粒径は、約１０マイクロメートル以下、例えば、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下であってもよい。第１の充填剤材料の平均粒径は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料の平均粒径は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして記載されてもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１の充填剤材料のＰＳＤＳは、約５以下、例えば、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下であってもよい。第１の充填剤材料のＰＳＤＳは、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料のＰＳＤＳは、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析法（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして説明することができる。例えば、第１の充填剤材料は、約８ｍ２／ｇ以下、例えば、約７．９ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、少なくとも約１．２ｍ２／ｇ、例えば、少なくとも約２．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１の充填剤材料の平均表面積は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料の平均表面積は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第１の充填剤材料は、特定の材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、シリカ系化合物から構成されてもよい。他の実施形態によれば、第１の充填剤材料はシリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料は、シリカから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、特定の含有量のセラミック充填剤成分４２０を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤成分４２０の含有量は、誘電体基板４０５の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の含有量は、誘電体基板４００の総体積に対して、約５７体積％以下、例えば約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下であってもよい。セラミック充填剤成分４２０の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。セラミック充填剤成分４２０の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０は、特定の含有量の第１の充填剤材料を含んでもよい。例えば、第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分４２０の総体積に対して、少なくとも約８０体積％、例えば、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分２２０の総体積に対して、約１００体積％以下、例えば、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下であってもよい。第１の充填剤材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第１の充填剤材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０は、第２の充填剤材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第２の充填剤材料は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料を含んでもよい。特定の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０の第２の充填剤材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤材料は、ＴｉＯ２から構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０は、特定の含有量の第２の充填剤材料を含んでもよい。例えば、第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分４２０の総体積に対して、少なくとも約１体積％、例えば、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は更には少なくとも約１０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分２２０の総体積に対して、約２０体積％以下、例えば、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下であってもよい。第２の充填剤材料の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。第２の充填剤材料の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、セラミック充填剤成分４２０は、特定の含有量の非晶質材料を含んでもよい。例えば、セラミック充填剤成分４２０は、少なくとも約９７％、例えば、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％の非晶質材料を含んでもよい。非晶質材料の含有量は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。非晶質材料の内容物の含有量は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０は、特定の材料を含んでもよい。例えば、樹脂マトリックス成分４１０は、ペルフルオロポリマーを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０は、ペルフルオロポリマーから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成されてもよい。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４００は、特定の含有量の樹脂マトリックス成分４１０を含んでもよい。例えば、樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、誘電体基板４００の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、誘電体基板４００の総体積に対して、約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板４０５の総体積に対して、少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板２００の総体積に対して、約６３体積％以下、例えば、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、Ｘ線回折を使用して測定される特定の多孔率を有してもよい。例えば、基板４０５の多孔率は、約１０体積％以下、例えば、約９体積％以下、又は約８体積％以下、又は約７体積％以下、又は約６体積％以下、又は更には約５体積％以下であってもよい。誘電体基板４０５多孔率は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５多孔率は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、特定の平均厚さを有してもよい。例えば、誘電体基板４０５の平均厚さは、少なくとも約１０マイクロメートル、例えば、少なくとも約１５マイクロメートル、又は少なくとも約２０マイクロメートル、又は少なくとも約２５マイクロメートル、又は少なくとも約３０マイクロメートル、又は少なくとも約３５マイクロメートル、又は少なくとも約４０マイクロメートル、又は少なくとも約４５マイクロメートル、又は少なくとも約５０マイクロメートル、又は少なくとも約５５マイクロメートル、又は少なくとも約６０マイクロメートル、又は少なくとも約６５マイクロメートル、又は少なくとも約７０マイクロメートル、又は更には少なくとも約７５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５の平均厚さは、約２０００マイクロメートル以下、例えば、約１８００マイクロメートル以下、約１６００マイクロメートル以下、約１４００マイクロメートル以下、約１２００マイクロメートル以下、又は約１０００マイクロメートル以下、又は約８００マイクロメートル以下、又は約６００マイクロメートル以下、又は約４００マイクロメートル以下、又は約２００マイクロメートル以下、又は約１９０マイクロメートル以下、又は約１８０マイクロメートル以下、又は約１７０マイクロメートル以下、又は約１６０マイクロメートル以下、又は約１５０マイクロメートル以下、又は約１４０マイクロメートル以下、又は約１２０マイクロメートル以下、又は更には約１００マイクロメートル以下であってもよい。誘電体基板４０５の平均厚さは、上記の任意の最小値と最大値との間の任意の値であって、上記の任意の最小値及び最大値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の平均厚さは、上記の最小値と最大値との間の範囲内の任意の値であって、最小値と最大値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２０％ＲＨにて５ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、８０％ＲＨにて５ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば約、０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２０％ＲＨにて１０ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、８０％ＲＨにて１０ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２０％ＲＨにて２８ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、８０％ＲＨにて２８ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２０％ＲＨにて３９ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、８０％ＲＨにて３９ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２０％ＲＨにて７６～８１ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、８０％ＲＨにて７６～８１ＧＨｚの範囲で測定される特定の損失係数（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の損失係数を有してもよい。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の任意の値の間の任意の値であって、上記の任意の値を含む値であってもよいことが理解されるであろう。誘電体基板４０５の損失係数は、上記の値の間の範囲内の任意の値であって、上記の値を含む値であってもよいことが更に理解されるであろう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃ Ｇｌａｓｓ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ Ｚ－Ａｘｉｓ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｂｙ ＴＭＡに従って測定される、特定の熱膨張係数を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有してもよい。
本明細書に記載されるいかなる銅張積層板も、最初に記載された誘電体基板の外面上において、基板と銅張積層板の任意の銅箔層との間に、追加のポリマーベースの層を含んでもよいことが理解されるであろう。また本明細書で述べたように、追加のポリマーベースの層は、本明細書に記載されるような充填剤を含んでもよく（すなわち、充填ポリマー層であってもよく）、又は充填剤を含まなくてもよい（すなわち、非充填ポリマー層であってもよい）。
次に、プリント回路基板を形成する方法を参照すると、図５は、本明細書に記載される実施形態による、プリント回路基板を形成するための形成方法５００を示す図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法５００は、銅箔層を提供する第１のステップ５１０と、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成する第２のステップ５２０と、形成混合物を銅箔層を覆う誘電体基板に形成して銅張積層板を形成する第３のステップ５３０と、銅張積層板をプリント回路基板に形成する第４のステップ５４０と、を含んでもよい。
形成方法１００及び／又は形成方法３００を参照して本明細書で提供される全ての説明、詳細、及び特徴は、形成方法５００の対応する態様に更に適用されてもよく又はそれを説明してもよいことが理解されるであろう。
ここで、形成方法５００に従って形成されたプリント回路基板の実施形態を参照すると、図６はプリント回路基板６００の図を含む。図６に示すように、プリント回路基板６００は、銅箔層６０２と、銅箔層６０２の表面の上を覆う誘電体基板６０５とを含んでもよい、銅張積層板６０１を含んでもよい。特定の実施形態によれば、誘電体基板６０５は、樹脂マトリックス成分６１０及びセラミック充填剤成分６２０を含んでもよい。
ここでも、誘電体基板２００（４０５）及び／又は銅張積層板４００に関して本明細書で提供される全ての説明は、プリント回路基板６００の全ての構成要素を含むプリント回路基板６００の修正態様に更に適用できることが理解されるであろう。
多くの異なる態様及び実施形態が可能である。これらの態様及び実施形態のいくつかを本明細書に記載する。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの態様及び実施形態が単なる例示であり、本発明の範囲を限定するものではないことを理解するであろう。実施形態は、以下に列挙される実施形態のうちのいずれか１つ以上に従うことができる。
実施形態１．
樹脂マトリックス成分と、セラミック充填剤成分とを含む、誘電体基板であって、セラミック充填剤成分は第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、誘電体基板。
実施形態２．樹脂マトリックス成分とセラミック充填剤成分とを含む誘電体基板であって、セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、誘電体基板。
実施形態３．樹脂マトリックス成分とセラミック充填剤成分とを含む誘電体基板であって、セラミック充填剤成分は第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、誘電体基板。
実施形態４．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０を含む、実施形態２又は３に記載の誘電体基板。
実施形態５．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０を含む、実施形態２又は３に記載の誘電体基板。
実施形態６．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態２又は３に記載の誘電体基板。
実施形態７．第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態８．第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下、又は約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は約２マイクロメートル以下の平均粒径を含む、実施形態２、３及び７のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態９．第１の充填剤材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１又は３に記載の誘電体基板。
実施形態１０．第１の充填剤材料は、約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態１又は２に記載の誘電体基板。
実施形態１１．第１の充填剤材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態１２．第１の充填剤材料は、シリカを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態１３．樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態１４．ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３に記載の誘電体基板。
実施形態１５．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３に記載の誘電体基板。
実施形態１６．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成される、実施形態１３に記載の誘電体基板。
実施形態１７．樹脂マトリックス成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態１８．樹脂マトリックス成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態１９．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１３に記載の誘電体基板。
実施形態２０．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態１３に記載の誘電体基板。
実施形態２１．セラミック充填剤成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態２２．セラミック充填剤成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約５７体積％以下である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態２３．第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態２４．第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、約１００体積％以下である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態２５．セラミック充填剤成分は、第２の充填剤材料を更に含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態２６．第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態２５に記載の誘電体基板。
実施形態２７．高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態２６に記載の誘電体基板。
実施形態２８．セラミック充填剤成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４又はこれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態２６に記載の誘電体基板。
実施形態２９．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％である、実施形態２５に記載の誘電体基板。
実施形態３０．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、約２０体積％以下である、実施形態２５に記載の誘電体基板。
実施形態３１．セラミック充填剤成分は、少なくとも約９７％非晶質である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３２．誘電体基板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３３．誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３４．誘電体基板は、約２０００マイクロメートル以下の平均厚さを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３５．誘電体基板は、約０．００５以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３６．誘電体基板は、約０．００１４以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３７．誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３８．誘電体基板は、約０．０５％以下の水分吸収を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態３９．銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含む、銅張積層板であって、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含み、セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、銅張積層板。
実施形態４０．銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含む、銅張積層板であって、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含み、セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、銅張積層板。
実施形態４１．銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含む、銅張積層板であって、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含み、セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、銅張積層板。
実施形態４２．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０を含む、実施形態４０又は４１に記載の銅張積層板。
実施形態４３．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０を含む、実施形態４０又は４１に記載の銅張積層板。
実施形態４４．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態４０又は４１に記載の銅張積層板。
実施形態４５．第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、実施形態３９に記載の銅張積層板。
実施形態４６．第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態４７．第１の充填剤材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態３９又は４１に記載の銅張積層板。
実施形態４８．第１の充填剤材料は、約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態３９又は４０に記載の銅張積層板。
実施形態４９．第１の充填剤材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態５０．第１の充填剤材料は、シリカを含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態５１．樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態５２．ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態５１に記載の銅張積層板。
実施形態５３．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態５１に記載の銅張積層板。
実施形態５４．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成される、実施形態５１に記載の銅張積層板。
実施形態５５．樹脂マトリックス成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態５６．樹脂マトリックス成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態５７．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態５１に記載の銅張積層板。
実施形態５８．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態５１に記載の銅張積層板。
実施形態５９．セラミック充填剤成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態６０．セラミック充填剤成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約５７体積％以下である、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態６１．第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％である、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態６２．第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、約１００体積％以下である、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態６３．セラミック充填剤成分は、第２の充填剤材料を更に含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態６４．第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態６３に記載の誘電体基板。
実施形態６５．高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態６４に記載の誘電体基板。
実施形態６６．セラミック充填剤成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４又はこれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態６４に記載の誘電体基板。
実施形態６７．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％である、実施形態６３に記載の誘電体基板。
実施形態６８．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、約２０体積％以下である、実施形態６３に記載の誘電体基板。
実施形態６９．セラミック充填剤成分は、少なくとも約９７％非晶質である、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７０．誘電体基板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７１．誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７２．誘電体基板は、約２０００マイクロメートル以下の平均厚さを含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７３．誘電体基板は、約０．００５以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７４．誘電体基板は、約０．００１４以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７５．誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７６．誘電体基板は、約０．０５％以下の水分吸収を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７７．銅張積層板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７８．銅張積層板は、銅箔層と誘電体基板との間に少なくとも約６ポンド／インチの剥離強度を含む、実施形態３９、４０、及び４１のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７９．銅張積層板を含むプリント回路基板であって、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含み、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含み、セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、プリント回路基板。
実施形態８０．銅張積層板を含むプリント回路基板であって、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含み、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含み、セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、プリント回路基板。
実施形態８１．銅張積層板を含むプリント回路基板であって、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体基板とを含み、誘電体基板は、樹脂マトリックス成分及びセラミック充填剤成分を含み、セラミック充填剤成分は、第１の充填剤材料を含み、第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、プリント回路基板。
実施形態８２．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０を含む、実施形態８０又は８１に記載のプリント回路基板。
実施形態８３．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０を含む、実施形態８０又は８１に記載のプリント回路基板。
実施形態８４．第１の充填剤材料の粒径分布は、少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態８０又は８１に記載のプリント回路基板。
実施形態８５．第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、実施形態７９に記載のプリント回路基板。
実施形態８６．第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態８７．第１の充填剤材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態７９又は８１に記載のプリント回路基板。
実施形態８８．第１の充填剤材料は、約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態７９又は８０に記載のプリント回路基板。
実施形態８９．第１の充填剤材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態９０．第１の充填剤材料は、シリカを含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態９１．樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態９２．ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態９１に記載のプリント回路基板。
実施形態９３．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態９１に記載のプリント回路基板。
実施形態９４．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成される、実施形態９１に記載のプリント回路基板。
実施形態９５．樹脂マトリックス成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態９６．樹脂マトリックス成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態９７．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態９１に記載のプリント回路基板。
実施形態９８．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態９１に記載のプリント回路基板。
実施形態９９．セラミック充填剤成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１００．セラミック充填剤成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約５７体積％以下である、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１０１．第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％である、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１０２．第１の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、約１００体積％以下である、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１０３．セラミック充填剤成分は、第２の充填剤材料を更に含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１０４．第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態１０３に記載のプリント回路基板。
実施形態１０５．高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態１０４に記載のプリント回路基板。
実施形態１０６．セラミック充填剤成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４又はこれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態１０４に記載のプリント回路基板。
実施形態１０７．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％である、実施形態１０３に記載のプリント回路基板。
実施形態１０８．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤成分の総体積に対して、も約２０体積％以下である、実施形態１０３に記載のプリント回路基板。
実施形態１０９．セラミック充填剤成分は、少なくとも約９７％非晶質である、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１０．誘電体基板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１１．誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１２．誘電体基板は、約２０００マイクロメートル以下の平均厚さを含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１３．誘電体基板は、約０．００５以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１４．誘電体基板は、約０．００１４以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１５．誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１６．誘電体基板は、約０．０５％以下の水分吸収を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１７．銅張積層板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１８．銅張積層板は銅箔層とプリント回路基板との間に少なくとも約６ポンド／インチの剥離強度を含む、実施形態７９、８０、及び８１のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１１９．誘電体基板を形成する方法であって、方法は、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、方法。
実施形態１２０．誘電体基板を形成する方法であって、方法は、樹脂前駆体マトリックス成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、方法。
実施形態１２１．誘電体基板を形成する方法であって、方法は、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、方法。
実施形態１２２．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０を含む、実施形態１２０又は１２１に記載の方法。
実施形態１２３．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０を含む、実施形態１２０又は１２１に記載の方法。
実施形態１２４．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態１２０又は１２１に記載の方法。
実施形態１２５．第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、実施形態１１９に記載の方法。
実施形態１２６．第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を含む、実施形態１２０、１２１、及び１２５のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２７．第１の充填剤前駆体材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１１９又は１２１に記載の方法。
実施形態１２８．第１の充填剤前駆体材料は、約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態１１９又は１２０に記載の方法。
実施形態１２９．第１の充填剤前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３０．第１の充填剤前駆体材料は、シリカを含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３１．樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３２．ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３１に記載の方法。
実施形態１３３．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３１に記載の方法。
実施形態１３４．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成される、実施形態１３１に記載の方法。
実施形態１３５．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３６．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３７．ペルフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１３１に記載の方法。
実施形態１３８．ペルフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態１３１に記載の方法。
実施形態１３９．セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４０．セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、約５７体積％以下である、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４１．第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％である、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４２．第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約１００体積％以下である、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４３．セラミック充填剤前駆体成分は、第２の充填剤前駆体材料を更に含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４４．第２の充填剤前駆体材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態１４３に記載の方法。
実施形態１４５．高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態１４４に記載の方法。
実施形態１４６．セラミック充填剤前駆体成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４又はこれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態１４４に記載の方法。
実施形態１４７．第２の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％である、実施形態１４３に記載の方法。
実施形態１４８．第２の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約２０体積％以下である、実施形態１４３に記載の方法。
実施形態１４９．セラミック充填剤前駆体成分は、少なくとも約９７％非晶質である、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５０．誘電体基板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５１．誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５２．誘電体基板は、約２０００マイクロメートル以下の平均厚さを含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５３．誘電体基板は、約０．００５以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５４．誘電体基板は、約０．００１４以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５５．誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５６．誘電体基板は、約０．０５％以下の水分吸収を含む、実施形態１１９、１２０、及び１２１のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５７．銅張積層板を形成する方法であって、方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から、銅箔層を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、方法。
実施形態１５８．銅張積層板を形成する方法であって、方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から、銅箔層を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、方法。
実施形態１５９．銅張積層板を形成する方法であって、方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から、銅箔層を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、方法。
実施形態１６０．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０を含む、実施形態１５８又は１５９に記載の方法。
実施形態１６１．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０を含む、実施形態１５８又は１５９に記載の方法。
実施形態１６２．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態１５８又は１５９に記載の方法。
実施形態１６３．第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、実施形態１６２に記載の方法。
実施形態１６４．第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６５．第１の充填剤前駆体材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１５７又は１５９に記載の方法。
実施形態１６６．第１の充填剤前駆体材料は、約３５０平方マイクロメートル以下の平均表面積を更に含む、実施形態１５７又は１５９に記載の方法。
実施形態１６７．第１の充填剤前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６８．第１の充填剤前駆体材料は、シリカを含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６９．樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１７０．ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１７１．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１７２．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成される、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１７３．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１７４．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１７５．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１７６．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１７７．セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１７８．セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約５７体積％以下である、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１７９．第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％である、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１８０．第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約１００体積％以下である、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１８１．セラミック充填剤前駆体成分は、第２の充填剤材料を更に含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１８２．第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１８３．高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態１７０に記載の方法。
実施形態１８４．セラミック充填剤前駆体成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４又はこれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態１７０に記載の方法。
実施形態１８５．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％である、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１８６．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約２０体積％以下である、実施形態１６９に記載の方法。
実施形態１８７．セラミック充填剤前駆体成分は、少なくとも約９７％非晶質である、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１８８．誘電体基板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１８９．誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９０．誘電体基板は、約２０００マイクロメートル以下の平均厚さを含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９１．誘電体基板は、約０．００５以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９２．誘電体基板は、約０．００１４以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９３．誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９４．誘電体基板は、約０．０５％以下の水分吸収を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９５．銅張積層板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９６．銅張積層板は、銅箔層と誘電体基板との間に少なくとも約６ポンド／インチの剥離強度を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１９７．プリント回路基板を形成する方法であって、方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から、銅箔層を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、方法。
実施形態１９８．プリント回路基板を形成する方法であって、方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から、銅箔層を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、方法。
実施形態１９９．プリント回路基板を形成する方法であって、方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミック充填剤前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物から、銅箔層を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、セラミック充填剤前駆体成分は、第１の充填剤前駆体材料を含み、第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、方法。
実施形態２００．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０を含む、実施形態１９８又は１９９に記載の方法。
実施形態２０１．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０を含む、実施形態１９８又は１９９に記載の方法。
実施形態２０２．第１の充填剤前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態１９８又は１９９に記載の方法。
実施形態２０３．第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、実施形態２０２に記載の方法。
実施形態２０４．第１の充填剤前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２０５．第１の充填剤前駆体材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１の充填剤前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１９７又は１９９に記載の方法。
実施形態２０６．第１の充填剤前駆体材料は、約３５０平方マイクロメートル以下の平均表面積を更に含む、実施形態１９７又は１９９に記載の方法。
実施形態２０７．第１の充填剤前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２０８．第１の充填剤前駆体材料は、シリカを含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２０９．樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２１０．ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２１１．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２１２．ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はこれらの任意の組み合わせから構成される、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２１３．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２１４．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２１５．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２１６．ペルフルオロポリマーの含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約６３体積％以下である、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２１７．セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％である、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２１８．セラミック充填剤前駆体成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して、約５７体積％以下である、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２１９．第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％である、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２２０．第１の充填剤前駆体材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約１００体積％以下である、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２２１．セラミック充填剤前駆体成分は、第２の充填剤材料を更に含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２２２．第２の充填剤材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２２３．高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２４．セラミック充填剤前駆体成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４又はこれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２５．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約１体積％である、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２２６．第２の充填剤材料の含有量は、セラミック充填剤前駆体成分の総体積に対して、約２０体積％以下である、実施形態２０９に記載の方法。
実施形態２２７．セラミック充填剤前駆体成分は、少なくとも約９７％非晶質である、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２２８．誘電体基板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２２９．誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３０．誘電体基板は、約２０００マイクロメートル以下の平均厚さを含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３１．誘電体基板は、約０．００５以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３２．誘電体基板は、約０．００１４以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３３．誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態１５７、１５８、及び１５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３４．誘電体基板は、約０．０５％以下の水分吸収を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３５．銅張積層板は、約１０体積％以下の多孔率を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３６．銅張積層板は、銅箔層と誘電体基板との間に少なくとも約６ポンド／インチの剥離強度を含む、実施形態１９７、１９８、及び１９９のいずれか１つに記載の方法。
実施例
本明細書中に記載される概念は、以下の実施例において更に記載され、これは、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定しない。
実施例１
サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ１２を、本明細書に記載される特定の実施形態に従って構成し形成した。
各サンプル誘電体基板をキャストフィルムプロセスを使用して形成した。このプロセスでは、フルオロポリマーで前処理されたポリイミドキャリアベルトが、コーティングタワーの基部において、水性形成混合物（すなわち、樹脂マトリックス成分とセラミック充填剤成分との組み合わせ）を含有するディップパンを通過する。次いで、コーティングされたキャリアベルトが、計量バーがコーティングされたキャリアベルトから過剰な分散液を除去する計量ゾーンを通過する。計量ゾーンの後、コーティングされたキャリアベルトは、水を蒸発させるために８２℃～１２１℃の温度に維持された乾燥ゾーンを通過する。次いで、乾燥したフィルムを有するコーティングされたキャリアベルトは、３１５℃～３４３℃の温度に維持されたベークゾーンを通過する。最後に、キャリアベルトは、３４９℃～３９９℃の温度に維持された溶融ゾーンを通過して、樹脂マトリックス材料を焼結、すなわち合体させる。次いで、コーティングされたキャリアベルトは、冷却プレナムを通過し、そこから、フィルムの更なる層の形成を開始するために、後続の浸漬パンに又はストリッピング装置のいずれかに導くことができる。所望のフィルム厚さが達成されると、フィルムはキャリアベルトから剥離される。
各サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ１２の樹脂マトリックス成分は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。各誘電体基板Ｓ１～Ｓ１２の更なる構成及び組成の詳細を以下の表１に要約する。
サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ１２で使用されるシリカ系成分タイプの粒径分布測定値（すなわち、Ｄ１０、Ｄ５０、及びＤ９０）、粒径分布スパン、平均粒径、及びＢＥＴ表面積を含む特性を以下の表２に要約する。
各サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ１２の性能特性を以下の表３に要約する。要約された性能特性は、５ＧＨｚにて測定されたサンプル誘電体基板の誘電率（「Ｄｋ（５ＧＨｚ）」）、２０％ＲＨにて５ＧＨｚで測定された基板の損失係数（「Ｄｆ（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）」）、８０％ＲＨにて５ＧＨｚで測定されたサンプル誘電体基板の損失係数（「Ｄｆ（５ＧＨｚ，８０％ＲＨ）」）、及びサンプル誘電体基板の熱膨張係数（「ＣＴＥ」）を含む。
実施例２
比較のために、比較サンプル誘電体基板ＣＳ１～ＣＳ１０を構成し形成した。
各比較サンプル誘電体基板をキャストフィルムプロセスを使用して形成した。このプロセスでは、フルオロポリマーで前処理されたポリイミドキャリアベルトが、コーティングタワーの基部において、水性形成混合物（すなわち、樹脂マトリックス成分とセラミック充填剤成分との組み合わせ）を含有するディップパンを通過する。次いで、コーティングされたキャリアベルトが、計量バーがコーティングされたキャリアベルトから過剰な分散液を除去する計量ゾーンを通過する。計量ゾーンの後、コーティングされたキャリアベルトは、水を蒸発させるために８２℃～１２１℃の温度に維持された乾燥ゾーンを通過する。次いで、乾燥したフィルムを有するコーティングされたキャリアベルトは、３１５℃～３４３℃の温度に維持されたベークゾーンを通過する。最後に、キャリアベルトは、３４９℃～３９９℃の温度に維持された溶融ゾーンを通過して、樹脂マトリックス材料を焼結、すなわち合体させる。次いで、コーティングされたキャリアベルトは、冷却プレナムを通過し、そこから、フィルムの更なる層の形成を開始するために、後続の浸漬パンに又はストリッピング装置のいずれかに導くことができる。所望のフィルム厚さが達成されると、フィルムはキャリアベルトから剥離される。
各比較サンプル誘電体基板ＣＳ１～ＣＳ１０の樹脂マトリックス成分は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。各誘電体基板ＣＳ１～ＣＳ１０の更なる構成及び組成の詳細を以下の表４に要約する。
サンプル誘電体基板ＣＳ１～ＣＳ９で使用されるシリカ系成分タイプの粒径分布測定値（すなわち、Ｄ１０、Ｄ５０、及びＤ９０）、粒径分布スパン、平均粒径、及びＢＥＴ表面積を含む特性を以下の表２に要約する。
各サンプル誘電体基板ＣＳ１～ＣＳ９の性能特性を以下の表６に要約する。要約された性能特性は、５ＧＨｚにて測定されたサンプル誘電体基板の誘電率（「Ｄｋ（５ＧＨｚ）」）、２０％ＲＨにて５ＧＨｚで測定された基板の損失係数（「Ｄｆ（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）」）、８０％ＲＨにて５ＧＨｚで測定されたサンプル誘電体基板の損失係数（「Ｄｆ（５ＧＨｚ，８０％ＲＨ）」）、及びサンプル誘電体基板の熱膨張係数（「ＣＴＥ」）を含む。
一般的な説明又は実施例で上述した活動の全てが必要とされるわけではなく、特定の活動の一部が必要とされなくてもよく、記載した活動に加えて１つ以上の更なる活動が行われてもよいことに留意されたい。更に、活動が列挙される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。
一般的な説明又は実施例で上述した活動の全てが必要とされるわけではなく、特定の活動の一部が必要とされなくてもよく、記載した活動に加えて１つ以上の更なる活動が行われてもよいことに留意されたい。更に、活動が列挙される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。
利点、他の利点、及び問題の解決策は、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、利益、利点、問題の解決策、及び任意の利益、利点、又は解決策をもたらすかより顕著にする可能性がある任意の特徴は、請求項のいずれか又は全ての重要な、必要な、又は本質的な特徴として解釈されるべきではない。
本明細書に記載の実施形態の明細書及び図面は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図している。明細書及び図面は、本明細書に記載の構造又は方法を使用する装置及びシステムの全ての要素及び特徴の網羅的かつ包括的な説明として役立つことを意図するものではない。別個の実施形態が単一の実施形態中に組み合わせて提供されてもよく、逆に、簡潔にするために単一の実施形態の文脈において説明されている様々な特徴が、別々に又は任意の部分的組み合わせで提供されてもよい。更に、範囲に記載された値への言及は、その範囲内の各々の値全てを含む。多くの他の実施形態が、本明細書を読んだ後にのみ当業者に明らかとなってもよい。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、又は別の変更を行うことができるように、他の実施形態を使用し、本開示から導出することができる。したがって、本開示は、限定的ではなく例示的なものと見なされるべきである。

Claims (15)

  1. 樹脂マトリックス成分と、
    セラミック充填剤成分と、を含む、誘電体基板であって、
    前記セラミック充填剤成分は第１の充填剤材料を含み、
    前記第１の充填剤材料の粒径分布は、
    少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０と、
    少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０と、
    少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０と、を含む、誘電体基板。
  2. 前記第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、請求項１に記載の誘電体基板。
  3. 前記第１の充填剤材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、前記第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、前記第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、前記第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、請求項１に記載の誘電体基板。
  4. 前記第１の充填剤材料は、約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、請求項１に記載の誘電体基板。
  5. 前記第１の充填剤材料は、シリカ系化合物を含む、請求項１に記載の誘電体基板。
  6. 前記樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、請求項１に記載の誘電体基板。
  7. 前記樹脂マトリックス成分の含有量は、前記誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％かつ約６３体積％以下である、請求項１に記載の誘電体基板。
  8. 前記セラミック充填剤成分の含有量は、前記誘電体基板の総体積に対して、少なくとも約４５体積％かつ約５７体積％以下である、請求項１に記載の誘電体基板。
  9. 前記第１の充填剤材料の含有量は、前記セラミック充填剤成分の総体積に対して、少なくとも約８０体積％かつ約１００体積％以下である、請求項１に記載の誘電体基板。
  10. 前記誘電体基板は、約０．００５以下の損失係数（５ＧＨｚ，２０％ＲＨ）を含む、請求項１に記載の誘電体基板。
  11. 銅箔層と、前記銅箔層を覆う誘電体基板と、を含む、銅張積層板であって、
    前記誘電体基板は、
    樹脂マトリックス成分と、
    セラミック充填剤成分と、を含み、
    前記セラミック充填剤成分は第１の充填剤材料を含み、
    前記第１の充填剤材料の粒径分布は、
    少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約１．６マイクロメートル以下のＤ１０と、
    少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０と、
    少なくとも約１．５マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０と、を含む、銅張積層板。
  12. 前記第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に含む、請求項１１に記載の銅張積層板。
  13. 前記第１の充填剤材料は、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、前記第１の充填剤材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、前記第１の充填剤材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、前記第１の充填剤材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、請求項１１に記載の銅張積層板。
  14. 前記第１の充填剤材料は、約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、請求項１１に記載の銅張積層板。
  15. 銅張積層板を含むプリント回路基板であって、前記銅張積層板は、
    銅箔層と、前記銅箔層を覆う誘電体基板と、を含み、
    前記誘電体基板は、
    樹脂マトリックス成分と、
    セラミック充填剤成分と、を含み、
    前記セラミック充填剤成分は第１の充填剤材料を含み、
    前記第１の充填剤材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径及び約８ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、プリント回路基板。

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