JP7533574B2 - ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、半導体の製造方法、液晶表示板の製造方法及び露光方法 - Google Patents
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Description
1.EUV露光用のペリクルフレームであって、該ペリクルフレームには少なくとも1個の通気部が設けられ、該通気部内には、樹脂で被覆された多孔質膜を有するフィルターが取り付けられることを特徴とするペリクルフレーム。
2.上記多孔質膜が、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂及びポリオレフィン樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の樹脂からなる樹脂製多孔質膜である上記1記載のペリクルフレーム。
3.上記多孔質膜が、ポリテトラフルオロエチレン多孔質膜である上記1記載のペリクルフレーム。
4.上記多孔質膜を被覆する樹脂が、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
5.上記フィルターが、多孔質膜を支持する通気性支持層を有する上記1又は2記載のペリクルフレーム。
6.上記多孔質膜が、複数のノードと複数のフィブリルとを有し、隣り合うノードがフィブリルにより接続されている上記1又は2記載のペリクルフレーム。
7.上記通気性支持層が、織布、不織布、ネット及びメッシュからなる群より選択される少なくとも一つである上記5記載のペリクルフレーム。
8.ペリクルフレームの厚みは、2.5mm未満である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
9.EUV露光用のペリクルであって、上記1記載のペリクルフレームにペリクル膜が張設されることを特徴とするペリクル。
10.ペリクルの高さが2.5mm以下である上記9載のペリクル。
11.上記ペリクル膜は、枠に支えられたペリクル膜である上記9又は10記載のペリクル。
12.露光原版に上記9記載のペリクルが装着されていることを特徴とするペリクル付露光原版。
13.露光原版が、EUV用露光原版である上記12記載のペリクル付露光原版。
14.EUVリソグラフィに用いられるペリクル付露光原版である上記12記載のペリクル付露光原版。
15.上記12記載のペリクル付露光原版を用いてEUV露光することを特徴とする露光方法。
16.上記12記載のペリクル付露光原版によってEUV露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
17.上記12記載のペリクル付露光原版によってEUV露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
18.水素プラズマ環境下で使用されるペリクルフレームであって、該ペリクルフレームには少なくとも1個の通気部が設けられ、該通気部内には、樹脂で被覆された多孔質膜を有するフィルターが取り付けられることを特徴とするペリクルフレーム。
19.上記多孔質膜が、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂及びポリオレフィン樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の樹脂からなる樹脂製多孔質膜である上記18記載のペリクルフレーム。
20.上記多孔質膜が、ポリテトラフルオロエチレン多孔質膜である上記18記載のペリクルフレーム。
21.上記多孔質膜を被覆する樹脂が、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂である上記18又は19記載のペリクルフレーム。
22.上記フィルターが、多孔質膜を支持する通気性支持層を有する上記18又は19記載のペリクルフレーム。
23.上記多孔質膜が、複数のノードと複数のフィブリルとを有し、隣り合うノードがフィブリルにより接続されている上記18又は19記載のペリクルフレーム。
24.上記通気性支持層が、織布、不織布、ネット及びメッシュからなる群より選択される少なくとも一つである上記22記載のペリクルフレーム。
25.ペリクルフレームの厚みは、2.5mm未満である上記18又は19記載のペリクルフレーム。
26.水素プラズマ環境下で使用されるペリクルであって、請求項18記載のペリクルフレームにペリクル膜が張設されることを特徴とするペリクル。
27.ペリクルの高さが2.5mm以下である上記26記載のペリクル。
28.上記ペリクル膜は、枠に支えられたペリクル膜である上記26又は27記載のペリクル。
29.水素プラズマ環境下で使用されるペリクル付露光原版であって、露光原版に請求項26記載のペリクルが装着されていることを特徴とするペリクル付露光原版。
30.露光原版が、EUV用露光原版である上記29記載のペリクル付露光原版。
31.EUVリソグラフィに用いられるペリクル付露光原版である上記29記載のペリクル付露光原版。
32.上記29記載のペリクル付露光原版によって、水素プラズマ環境下で露光が行われることを特徴とする露光方法。
33.上記29記載のペリクル付露光原版によって、水素プラズマ環境下で露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
34.上記29記載のペリクル付露光原版によって、水素プラズマ環境下で露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
本発明は、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームおよびそれを使用したペリクルである。
15cm角のポリテトラフルオロエチレン製の多孔質膜(PTFE製多孔質膜)及びポリプロピレン製メッシュ状支持体からなるフィルター(日東電工(株)製「TEMISH S-NTF1033-N01」)を準備した。このフィルターに以下の(1)~(6)の各樹脂の1質量%溶液を800rpm、60秒でスピンコーティングした後、12時間、室温で風乾して溶剤を揮発させた。
(1)シリコーン樹脂系粘着剤
(2)エポキシ樹脂系接着剤
(3)アクリル樹脂系粘着剤
(4)フッ素樹脂
(5)ウレタン樹脂系粘着剤
(6)未処理
(水素プラズマ照射条件)
装置:OXFORD INSTRUMENTS社製 FlexAL
プラズマ源:ICP(誘導結合型プラズマ)
処理条件:圧力 80mTorr、H2流量 50sccm
パワー:200W
処理温度:100℃
処理時間:600s
(判断基準)
A:PTEF製多孔質膜が存在し、フィルター構造に変化が無いことを確認した。
B:PTFE製多孔質膜の消失を確認した。
チタン製のペリクルフレーム(外寸150mm×118mm×1.5mm、ペリクルフレーム幅4.0mm)を準備した。図1、図2に示すように、ペリクルフレーム1の外側から下端面にかけて、L字型に通気部10を設けた。なお、図1及び図2において、符号1aはペリクルフレームの上端面を示し、1bはペリクルフレームの下端面を示す。符号20は、後述するように、ペリクルフレームの下端面開口部に設けられるフィルターであり、特に図示してはいないが所定の樹脂により被覆されている。
PTFE製多孔質膜及びポリプロピレン製メッシュ状支持体からなる縦10mm、横2.5mmのフィルター(日東電工(株)製の「TEMISH S-NTF1033-N01」)を準備した。続いて、エポキシ樹脂系接着剤(三菱ケミカル社製の「1001T75」)をトルエンに溶解させ、1質量%からなる溶液を準備した。この溶液をフィルターの中心部に1ml浸み込ませた後、室温で2時間風乾して、完全に溶剤を揮発させた。ペリクルフレームの下端面開口部に上記フィルターを両面テープで貼り付けた。そのほかは、上記実施例1と同じようにペリクルを完成させた。
1a ペリクルフレームの上端面
1b ペリクルフレームの下端面
10 通気部
20 フィルター
Claims (17)
- EUV露光用のペリクルフレームであって、該ペリクルフレームには少なくとも1個の通気部が設けられ、該通気部内には、フィルターが取り付けられ、
該フィルターは、水素ラジカルで劣化する多孔質膜を樹脂(但し、粘着剤を除く。)で被覆してなることを特徴とするペリクルフレーム。 - 水素プラズマ環境下で使用されるペリクルフレームであって、該ペリクルフレームには少なくとも1個の通気部が設けられ、該通気部内には、フィルターが取り付けられ、
該フィルターは、水素ラジカルで劣化する多孔質膜を樹脂(但し、粘着剤を除く。)で被覆してなることを特徴とするペリクルフレーム。 - 上記多孔質膜が、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂及びポリオレフィン樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の樹脂からなる樹脂製多孔質膜である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 上記多孔質膜が、ポリテトラフルオロエチレン多孔質膜である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 上記多孔質膜を被覆する樹脂が、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 上記フィルターが、多孔質膜を支持する通気性支持層を有する請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 上記多孔質膜が、複数のノードと複数のフィブリルとを有し、隣り合うノードがフィブリルにより接続されている請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 上記通気性支持層が、織布、不織布、ネット及びメッシュからなる群より選択される少なくとも一つである請求項6記載のペリクルフレーム。
- ペリクルフレームの厚みは、2.5mm未満である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 請求項1又は2記載のペリクルフレームにペリクル膜が張設されることを特徴とするペリクル。
- ペリクルの高さが2.5mm以下である請求項10記載のペリクル。
- 上記ペリクル膜は、枠に支えられたペリクル膜である請求項10記載のペリクル。
- 露光原版に請求項10記載のペリクルが装着されていることを特徴とするペリクル付露光原版。
- 請求項13記載のペリクル付露光原版を用いてEUV露光することを特徴とする露光方法。
- 請求項13記載のペリクル付露光原版によってEUV露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
- 請求項13記載のペリクル付露光原版によって、水素プラズマ環境下で露光が行われることを特徴とする露光方法。
- 請求項13記載のペリクル付露光原版によって、水素プラズマ環境下で露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024090458A JP7740430B2 (ja) | 2020-05-14 | 2024-06-04 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020085355 | 2020-05-14 | ||
| JP2020085355 | 2020-05-14 | ||
| PCT/JP2021/017960 WO2021230262A1 (ja) | 2020-05-14 | 2021-05-12 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、半導体の製造方法、液晶表示板の製造方法及び露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024090458A Division JP7740430B2 (ja) | 2020-05-14 | 2024-06-04 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021230262A1 JPWO2021230262A1 (ja) | 2021-11-18 |
| JP7533574B2 true JP7533574B2 (ja) | 2024-08-14 |
Family
ID=78524557
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022521945A Active JP7533574B2 (ja) | 2020-05-14 | 2021-05-12 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、半導体の製造方法、液晶表示板の製造方法及び露光方法 |
| JP2024090458A Active JP7740430B2 (ja) | 2020-05-14 | 2024-06-04 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024090458A Active JP7740430B2 (ja) | 2020-05-14 | 2024-06-04 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230236497A1 (ja) |
| EP (1) | EP4152094A4 (ja) |
| JP (2) | JP7533574B2 (ja) |
| KR (1) | KR20230011957A (ja) |
| CN (2) | CN215986893U (ja) |
| TW (2) | TWM621314U (ja) |
| WO (1) | WO2021230262A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP7357432B2 (ja) * | 2017-10-10 | 2023-10-06 | 信越化学工業株式会社 | Euv用ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、及び半導体の製造方法 |
| CN217821249U (zh) * | 2021-04-05 | 2022-11-15 | 信越化学工业株式会社 | 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的光掩模及系统 |
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| JP2016524184A (ja) | 2013-05-22 | 2016-08-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学素子及び当該光学素子に対する放射の影響を低減する手段を備えた光学コンポーネント |
| JP2016191902A (ja) | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| WO2018116517A1 (ja) | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 日東電工株式会社 | ポリテトラフルオロエチレン多孔質膜とこれを用いた防水通気膜及び防水通気部材 |
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- 2021-05-12 TW TW110205353U patent/TWM621314U/zh unknown
- 2021-05-12 US US17/923,039 patent/US20230236497A1/en active Pending
- 2021-05-12 JP JP2022521945A patent/JP7533574B2/ja active Active
- 2021-05-12 WO PCT/JP2021/017960 patent/WO2021230262A1/ja not_active Ceased
- 2021-05-12 TW TW110117120A patent/TW202142952A/zh unknown
- 2021-05-12 CN CN202121003533.7U patent/CN215986893U/zh active Active
- 2021-05-12 KR KR1020227041067A patent/KR20230011957A/ko active Pending
- 2021-05-12 CN CN202180032763.2A patent/CN115485618A/zh active Pending
- 2021-05-12 EP EP21805081.3A patent/EP4152094A4/en active Pending
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- 2024-06-04 JP JP2024090458A patent/JP7740430B2/ja active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230011957A (ko) | 2023-01-25 |
| JPWO2021230262A1 (ja) | 2021-11-18 |
| TWM621314U (zh) | 2021-12-21 |
| EP4152094A4 (en) | 2025-06-25 |
| CN215986893U (zh) | 2022-03-08 |
| CN115485618A (zh) | 2022-12-16 |
| JP7740430B2 (ja) | 2025-09-17 |
| JP2024103719A (ja) | 2024-08-01 |
| TW202142952A (zh) | 2021-11-16 |
| EP4152094A1 (en) | 2023-03-22 |
| US20230236497A1 (en) | 2023-07-27 |
| WO2021230262A1 (ja) | 2021-11-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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