JP7547578B2 - 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム - Google Patents
半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7547578B2 JP7547578B2 JP2023126470A JP2023126470A JP7547578B2 JP 7547578 B2 JP7547578 B2 JP 7547578B2 JP 2023126470 A JP2023126470 A JP 2023126470A JP 2023126470 A JP2023126470 A JP 2023126470A JP 7547578 B2 JP7547578 B2 JP 7547578B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- wafer
- scanning
- liquid
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0408—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0462—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/105—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation, Inductively Coupled Plasma [ICP]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H10P72/0414—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H10P72/0424—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0441—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0468—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3306—Horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3406—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door or cover
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7626—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/207—Electrical properties, e.g. testing or measuring of resistance, deep levels or capacitance-voltage characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/27—Structural arrangements therefor
- H10P74/277—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e.g. circuits in tested chips or circuits in testing wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0095—Semiconductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0616—Monitoring of warpages, curvatures, damages, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本願は、米国仮特許出願第62/593665号明細書(2017年12月1日出願、発明の名称("VAPOR PHASE DECOMPOSITION SYSTEM WITH CHAMBER FOR INTEGRATED DECOMPOSITION AND SCANNING"))および、米国仮特許出願62/676234号明細書(2018年5月24日出願、発明の名称("SEMICONDUCTOR WAFER DECOMPOSITION AND SCANNING SYSTEM"))に関する米国特許法第119条(e)(35U.S.C.§119(e))の利益を主張するものである。米国仮特許出願第62/593665号明細書および第62/676234号明細書は、参照によりその全体がここに組み込まれる。
内部領域およびチャンバの上部にある第1開口部を画定するチャンバ本体であって、チャンバ本体の内部領域の中に半導体ウエハを受容するチャンバ本体と、
チャンバ本体の上部とチャンバ本体の底部との間にあるチャンバ本体の中間部において内部領域内に突出しているレッジであって、中間部の内部領域内に第2開口部を画定するレッジ(ledge: 胴蛇腹)と、
半導体ウエハの少なくとも一部を保持するように構成されたウエハ支持体であって、少なくとも第1開口部に隣接する第1位置と、チャンバ本体の内部領域内の第2開口部に隣接する第2位置との間で位置決め可能であるウエハ支持体と、
ウエハ支持体に動作可能に連結されたモータシステムであって、チャンバ本体に対してウエハ支持体の垂直位置を制御し、少なくとも、走査ノズルによる半導体ウエハへのアクセスのための第1位置、および半導体ウエハの表面の分解のための第2位置に制御するように構成されたモータシステムと、
第1開口部と第2開口部との間に位置決めされたネブライザ(nebulizer: 噴霧器)であって、ウエハ支持体がモータシステムによって第2位置に位置決めされた場合、半導体ウエハの表面に分解液を噴霧するように構成されたネブライザと、を含む。
ノズルおよびノズルハウジングを備え、
ノズルは、
第1ノズルポートと流体連通している入口ポートを画定し、そして出口ポートと流体連通している第2ノズルポートを画定するノズル本体であって、入口ポートを介して流体を受け取り、第1ノズルポートを介して流体を送って、半導体ウエハの表面に流体を導入するように構成され、そして第2ノズルポートを介して半導体ウエハの表面から流体を除去し、かつ第2ノズルポートから出口ポートを介して流体を送るように構成されたノズル本体と、
第1ノズルポートおよび第2ノズルポートに隣接してノズル本体から延びており、かつ第1ノズルポートと第2ノズルポートとの間に配置されたチャネルを画定するノズルフードであって、半導体ウエハの表面に沿って第1ノズルポートから第2ノズルポートへ流体を送るように構成されたノズルフードとを含み、
ノズルハウジングは、内側部分、ならびに延長位置と後退位置との間で移行する場合にノズルの少なくとも一部が通過できる開口部を画定するハウジング本体を含む。
ネブライザを用いて半導体ウエハの表面に分解液を噴霧するステップと、
ネブライザを用いて半導体ウエハの表面に分解液を噴霧した後に、半導体ウエハの表面の上方にノズルを位置決めするステップと、
ノズルの入口ポートに走査液を導入して、第1ノズルポートを介して走査液の流れを半導体ウエハの表面へ送るステップと、
ノズルの細長チャネルを経由して、半導体ウエハの表面に沿って、ノズルの第2ノズルポートに向けて走査液の流れを送るステップと、
ノズルの出口ポートと流体連通している第2ノズルポートを介して、半導体ウエハの表面から走査液の流れを除去するステップと、を含む。
サンプル中の微量元素濃度または微量元素量を求めることにより、サンプルの純度、あるいは試薬、または反応成分などとしてその試薬を使用する際の許容性に関する指標が得られる。一例として、特定の生産または製造工程(たとえば、採掘、冶金、半導体製造、製剤過程など)では、不純物に対する許容値を、たとえば、およそ10億分の1の割合で設定するなど、非常に厳密にする可能性がある。半導体ウエハを処理するために、ウエハに対して、金属不純物など、キャリア寿命の低下、およびウエハ部品の絶縁破壊などに起因してウエハの性能を低下させるか、またはウエハを動作不能にする恐れがある不純物の検査が行われている。
図1Aから図10は、本開示の種々の実施形態による、半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム(「システム100」)の態様を示す。システム100は概して、チャンバ102と、走査アームアセンブリ104と、ウエハへの分解液の導入を通じて、かつウエハ108の表面への走査液の導入、および前記表面からの走査液の除去を通じて、少なくとも半導体ウエハ108(本明細書では「ウエハ」と呼ぶ場合もある)の分解工程および走査工程を円滑に進めるための、流体ハンドリングシステム106(図9Aから図10に少なくとも一部示している)とを含む。チャンバ102は、単一のチャンバスペースでウエハ分解およびウエハ走査をそれぞれ行うための環境を提供しており、またウエハ108を保持するためのウエハ支持体110と、分解工程および走査工程、またはシステム100の他の工程においてウエハ108を位置決めするにあたり、チャンバ102に対するウエハ支持体110の垂直位置を制御するための(たとえば、チャンバ102内、あるいはチャンバ102上など)モータシステム112とを含む。モータシステム112はさらに、システム100の種々の工程においてウエハ108を回転させるにあたり、ウエハ支持体110を回転制御しており、また走査工程中にウエハ108上の位置へと走査アームアセンブリ104のノズルを移動させ、かつノズルリンス洗浄のためにリンス洗浄部114の位置へとこれを移動させるにあたり、走査アームアセンブリ104の回転制御および垂直制御を行っている。いくつかの実装形態では、ウエハ支持体110は、ウエハ支持体110の移動中などに、ウエハ108をウエハ支持体110に固定して保持するための真空テーブルを含む。
Claims (20)
- ノズルを利用してウエハの表面を分解して走査する方法であって、
要求に応じて、複数の液体源からポンプ送給された複数の液体の特定の比率で分解液を調製するステップと、
ウエハを収容するチャンバ本体内に該分解液を噴霧して、分解液をウエハの表面に導入するステップと、
分解液をチャンバ本体内に噴霧した後、ノズルをウエハの表面に隣接して位置決めするステップと、
ノズルの入口ポートに走査液を導入し、ノズルの出口ポートを介して走査液の流れをウエハの表面へ送るステップと、
ノズルの細長チャネルを経由して、ウエハの表面に沿って、ノズルの細長いチャネルの1つ以上の端部に向けて走査液の流れを送るステップと、
ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去するステップと、を含む方法。 - 細長チャネルは、ほぼウエハの半径の長さを有する、請求項1に記載の方法。
- 表面から走査液の流れを除去した後、走査液の流れの少なくとも一部を分析して、流れの一部内にある対象の1つ以上の化学分析物の有無を判定するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 分解液をチャンバ本体内に噴霧する間にウエハを回転させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 走査液をノズルの入口ポートに導入する前に、2つ以上の液体をインラインで混合して走査液を生成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ノズルの入口ポートに走査液を導入し、ノズルの出口ポートを介して走査液の流れをウエハの表面へ送るステップは、ノズルの入口ポートに走査液を導入し、ポンプの動作により、走査液の流れをウエハの表面へ送ることを含む、請求項1に記載の方法。
- ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去するステップは、ポンプの動作により、ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- ノズルの細長チャネルを経由して、ウエハの表面に沿って、ノズルの細長いチャネルの1つ以上の端部に向けて走査液の流れを送った後、ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去する前に、ウエハを回転させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 走査液の流れは、ウエハの1回転の間にウエハのほぼ表面全体と接触する、請求項8に記載の方法。
- ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去する前に、ウエハの表面上の第1位置からウエハの表面上の第2位置までノズルを回転させるステップをさらに含み、
ノズルの入口ポートに走査液を導入し、走査液の流れをウエハの表面へ送るステップは、ノズルが第1位置にある状態で行われ、
ノズルが第2位置にある状態で、細長チャネルの一部がウエハの外側エッジを越えて延びている、請求項1に記載の方法。 - ノズルを利用してウエハの表面を分解して走査する方法であって、
ウエハを収容するチャンバ本体内に分解液を噴霧して、分解液をウエハの表面に導入するステップと、
分解液がウエハの表面に導入された状態で、ノズルをウエハの表面に隣接して位置決めするステップと、
要求に応じて、2つ以上の液体をインラインで混合して走査液を生成するステップと、
走査液をノズルに導入し、走査液の流れをウエハの表面へ送るステップと、
ノズルの細長チャネルを経由して、ウエハの表面に沿って、ノズルの細長いチャネルの1つ以上の端部に向けて走査液の流れを送るステップと、
ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去するステップと、を含む方法。 - 細長チャネルは、ほぼウエハの半径の長さを有する、請求項11に記載の方法。
- 表面から走査液の流れを除去した後、走査液の流れの少なくとも一部を分析して、流れの一部内にある対象の1つ以上の化学分析物の有無を判定するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 分解液をチャンバ本体内に噴霧する間にウエハを回転させるステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 要求に応じて、2つ以上の液体をインラインで混合して走査液を生成するステップは、所望の比率に従って2つ以上のポンプの動作を制御して、2つ以上の液体をインラインで導入することを含む、請求項11に記載の方法。
- 走査液をノズルに導入し、走査液の流れをウエハの表面へ送るステップは、ポンプの動作により、走査液をノズルに導入し、走査液の流れをウエハの表面へ送ることを含む、請求項11に記載の方法。
- ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去するステップは、ポンプの動作により、ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去することを含む、請求項11に記載の方法。
- ノズルの細長チャネルを経由して、ウエハの表面に沿って、ノズルの細長いチャネルの1つ以上の端部に向けて走査液の流れを送った後、ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去する前に、ウエハを回転させるステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 走査液の流れは、半導体ウエハの1回転の間にウエハのほぼ表面全体と接触する、請求項18に記載の方法。
- ノズルを介してウエハの表面から走査液の流れを除去する前に、ウエハの表面上の第1位置からウエハの表面上の第2位置までノズルを回転させるステップをさらに含み、
走査液をノズルに導入し、走査液の流れをウエハの表面へ送るステップは、ノズルが第1位置にある状態で行われ、
ノズルが第2位置にある状態で、細長チャネルの一部がウエハの外側エッジを越えて延びている、請求項11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762593665P | 2017-12-01 | 2017-12-01 | |
| US62/593,665 | 2017-12-01 | ||
| US201862676234P | 2018-05-24 | 2018-05-24 | |
| US62/676,234 | 2018-05-24 | ||
| US16/200,074 | 2018-11-26 | ||
| US16/200,074 US11049741B2 (en) | 2017-12-01 | 2018-11-26 | Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer |
| JP2018225034A JP7330478B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018225034A Division JP7330478B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023157916A JP2023157916A (ja) | 2023-10-26 |
| JP7547578B2 true JP7547578B2 (ja) | 2024-09-09 |
Family
ID=66657770
Family Applications (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018225023A Active JP7366533B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2018225034A Active JP7330478B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2018225026A Active JP7253767B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2023126470A Active JP7547578B2 (ja) | 2017-12-01 | 2023-08-02 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2023176186A Active JP7534510B2 (ja) | 2017-12-01 | 2023-10-11 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2024125900A Active JP7844561B2 (ja) | 2017-12-01 | 2024-08-01 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
Family Applications Before (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018225023A Active JP7366533B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2018225034A Active JP7330478B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2018225026A Active JP7253767B2 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-30 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023176186A Active JP7534510B2 (ja) | 2017-12-01 | 2023-10-11 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
| JP2024125900A Active JP7844561B2 (ja) | 2017-12-01 | 2024-08-01 | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (8) | US11244841B2 (ja) |
| JP (6) | JP7366533B2 (ja) |
| KR (7) | KR102616763B1 (ja) |
| CN (3) | CN110013922B (ja) |
| TW (7) | TWI816505B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11244841B2 (en) | 2017-12-01 | 2022-02-08 | Elemental Scientific, Inc. | Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer |
| WO2021010107A1 (ja) | 2019-07-18 | 2021-01-21 | Phcホールディングス株式会社 | 冷凍装置、温度センサ取付管及び温度センサ取付構造 |
| US11211272B2 (en) * | 2019-09-25 | 2021-12-28 | Micron Technology, Inc. | Contaminant detection tools and related methods |
| JP7631368B2 (ja) * | 2020-04-16 | 2025-02-18 | エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッド | 半導体ウエハの統合された分解と走査のためのシステム |
| KR20230130648A (ko) * | 2021-01-15 | 2023-09-12 | 엘리멘탈 사이언티픽, 인코포레이티드 | 재료 표면을 스캐닝하기 위한 성형-채널 스캐닝 노즐 |
| CN115932163B (zh) * | 2021-08-10 | 2025-03-25 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种边缘扫描装置及金属沾污检测设备 |
| JP2024532811A (ja) * | 2021-08-13 | 2024-09-10 | エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッド | 分析的決定のために流体セグメントの流れ特性を決定するためのシステムおよび方法 |
| CN114392978B (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-08 | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 | 一种晶圆加工用兆声清洗机 |
| KR102542740B1 (ko) * | 2022-04-01 | 2023-06-14 | 주식회사 위드텍 | 멀티 샘플루프가 구비되는 웨이퍼 표면 오염물 샘플링 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 샘플링 방법 |
| KR102510761B1 (ko) * | 2022-08-25 | 2023-03-16 | 한국과학기술원 | 반도체 웨이퍼 검사 장치 |
| FR3144294A1 (fr) * | 2022-12-21 | 2024-06-28 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de détermination du niveau de contamination métallique d’un container pour plaques destinées à la microélectronique |
| WO2025049470A1 (en) * | 2023-09-01 | 2025-03-06 | Elemental Scientific, Inc. | Systems and methods for recovering organic contaminants from semiconducting wafers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140909A (ja) | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 処理装置および表面処理治具 |
| JP2017053806A (ja) | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 分析前処理装置 |
Family Cites Families (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4161356A (en) * | 1977-01-21 | 1979-07-17 | Burchard John S | Apparatus for in-situ processing of photoplates |
| US4609575A (en) * | 1984-07-02 | 1986-09-02 | Fsi Corporation | Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system |
| JPH02292092A (ja) | 1989-04-28 | 1990-12-03 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 平版印刷用湿し水組成物 |
| FR2718241B1 (fr) * | 1994-03-29 | 1996-05-24 | Elf Aquitaine | Dispositif d'évaluation des caractéristiques lubrifiantes d'une boue de forage. |
| EP0884967B1 (de) | 1996-03-06 | 1999-12-29 | Pieper Innovationsgesellschaft mbH | Verfahren und maschine zum behandeln ebener flächen |
| JPH1092784A (ja) | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Toshiba Microelectron Corp | ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法 |
| JP3336898B2 (ja) | 1997-02-28 | 2002-10-21 | 三菱電機株式会社 | シリコンウエハ表面の不純物回収方法およびその装置 |
| JP2950300B2 (ja) * | 1997-11-05 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 半導体基板表面の定量汚染方法及びその定量汚染装置 |
| US6053984A (en) | 1997-11-17 | 2000-04-25 | Petvai; Steve I. | Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers |
| JP3381776B2 (ja) | 1998-05-19 | 2003-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
| EP1204139A4 (en) | 2000-04-27 | 2010-04-28 | Ebara Corp | ROTATING BRACKET AND ARRANGEMENT FOR MACHINING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES |
| WO2002015255A1 (en) | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Chem Trace Corporation | System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts |
| US7109483B2 (en) | 2000-11-17 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Method for inspecting substrate, substrate inspecting system and electron beam apparatus |
| KR100383264B1 (ko) | 2001-03-21 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 오염물질 포집장치 및 포집방법 |
| JP3603278B2 (ja) | 2001-09-06 | 2004-12-22 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光x線分析システムおよびそれに用いるプログラム |
| JP3990148B2 (ja) | 2001-12-17 | 2007-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JP2003203851A (ja) | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の現像処理装置および現像処理方法 |
| US20040247787A1 (en) * | 2002-04-19 | 2004-12-09 | Mackie Neil M. | Effluent pressure control for use in a processing system |
| US9226407B2 (en) | 2002-07-01 | 2015-12-29 | Semigear Inc | Reflow treating unit and substrate treating apparatus |
| KR100585476B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
| US6770424B2 (en) * | 2002-12-16 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms |
| KR100479308B1 (ko) | 2002-12-23 | 2005-03-28 | 삼성전자주식회사 | 기판상의 불순물을 포집하기 위한 장치 및 이를 이용한불순물 포집방법 |
| KR100532200B1 (ko) | 2003-02-21 | 2005-11-29 | 삼성전자주식회사 | 불순물 포집 장치 및 방법 |
| EP1609172B1 (en) * | 2003-03-20 | 2009-01-14 | Sez Ag | Device and method for wet treatment of disc-shaped articles |
| TW200419687A (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Ion sampling system for wafer and method thereof |
| JP2004322168A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| JP4494840B2 (ja) | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
| KR100547936B1 (ko) | 2003-08-07 | 2006-01-31 | 삼성전자주식회사 | 불순물 용출 장치 |
| EP1672682A4 (en) | 2003-10-08 | 2008-10-15 | Zao Nikon Co Ltd | SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| US20050126605A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Coreflow Scientific Solutions Ltd. | Apparatus and method for cleaning surfaces |
| US7642038B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
| JP4343022B2 (ja) | 2004-05-10 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
| JP4043455B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
| US7030395B2 (en) | 2004-08-06 | 2006-04-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Workpiece support structure for an ion beam implanter featuring spherical sliding seal vacuum feedthrough |
| JP4692785B2 (ja) | 2005-04-01 | 2011-06-01 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | 一つ又はそれ以上の処理流体を用いた、半導体ウエハー又は他のマイクロエレクトロニクス用の基板に使用されるツール用の移動かつ入れ子化できる、コンパクトなダクトシステム |
| JP4601070B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2010-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP4841376B2 (ja) | 2006-02-07 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2008027931A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR101414125B1 (ko) | 2006-10-12 | 2014-07-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조 방법 및 에칭장치 |
| US20080135070A1 (en) | 2006-12-12 | 2008-06-12 | Wei Lu | Method and apparatus for active particle and contaminant removal in wet clean processes in semiconductor manufacturing |
| US7741583B2 (en) | 2007-03-22 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Bake plate lid cleaner and cleaning method |
| JP4418486B2 (ja) | 2007-08-30 | 2010-02-17 | 株式会社Mtk | ウエット処理装置 |
| KR100901493B1 (ko) * | 2007-10-11 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 세정 설비 및 기판의 이면 세정 방법 |
| KR100970243B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-07-16 | 코리아테크노(주) | 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 스캔 스테이지 |
| KR20100000266A (ko) * | 2008-06-24 | 2010-01-06 | 세메스 주식회사 | 기판 표면을 선택적으로 에칭하기 위한 기판 처리 장치 및방법 |
| JP5557550B2 (ja) | 2009-02-20 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子線又はeuv光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法 |
| JP2011095016A (ja) | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Ias Inc | 半導体基板の分析方法 |
| KR20110106178A (ko) | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US8501025B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US20120015523A1 (en) | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Jerry Dustin Leonhard | Systems and methods for etching silicon nitride |
| US8926788B2 (en) * | 2010-10-27 | 2015-01-06 | Lam Research Ag | Closed chamber for wafer wet processing |
| JP5234847B2 (ja) | 2010-11-12 | 2013-07-10 | トクデン株式会社 | 熱媒体通流ローラ装置 |
| US9719169B2 (en) * | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
| JP5646354B2 (ja) | 2011-01-25 | 2014-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| KR101242246B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2013-03-11 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 오염 측정장치 및 웨이퍼의 오염 측정 방법 |
| US8926762B2 (en) | 2011-09-06 | 2015-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for movable megasonic wafer probe |
| KR101210910B1 (ko) | 2012-05-30 | 2012-12-11 | 대한정밀(주) | 피디피용 디스펜스 노즐 제조방법 |
| JP5881166B2 (ja) | 2012-06-14 | 2016-03-09 | 株式会社 イアス | 基板分析用ノズル |
| JP5832397B2 (ja) | 2012-06-22 | 2015-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN103801466B (zh) | 2012-11-15 | 2015-11-18 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种低冲击力均布流量的湿法处理工艺喷嘴 |
| US9085049B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for manufacturing semiconductor device |
| KR102231596B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2021-03-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 가스 주입 장치 및 가스 주입 장치를 포함한 기판 프로세스 챔버 |
| JP6025600B2 (ja) | 2013-02-19 | 2016-11-16 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
| GB201315727D0 (en) | 2013-09-04 | 2013-10-16 | Dow Corning | Coated silicon wafer |
| US9543110B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-01-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system |
| JP6296972B2 (ja) | 2014-02-17 | 2018-03-20 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、エッチング方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
| CN110060925B (zh) * | 2014-03-28 | 2023-02-17 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法 |
| KR102342131B1 (ko) | 2014-08-15 | 2021-12-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP5971289B2 (ja) * | 2014-08-20 | 2016-08-17 | 株式会社 イアス | 基板局所の自動分析装置及び分析方法 |
| WO2016136481A1 (ja) | 2015-02-27 | 2016-09-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| JPWO2016163174A1 (ja) | 2015-04-07 | 2018-02-22 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、エッチング方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
| GB2540203B (en) | 2015-07-10 | 2018-07-25 | Dyson Technology Ltd | Nozzle |
| JP6108367B1 (ja) | 2015-12-22 | 2017-04-05 | 株式会社 イアス | シリコン基板用分析装置 |
| JP6156893B1 (ja) | 2016-03-01 | 2017-07-05 | 株式会社 イアス | 基板分析用のノズル |
| US10373858B2 (en) * | 2016-04-06 | 2019-08-06 | Lam Research Corporation | Chuck for edge bevel removal and method for centering a wafer prior to edge bevel removal |
| US10710079B2 (en) | 2017-06-29 | 2020-07-14 | International Business Machines Corporation | Electro-kinectic device for species exchange |
| EP3457109B1 (en) | 2017-07-18 | 2021-09-01 | Ias Inc. | Nozzle for substrate analysis and substrate analysis method |
| US11244841B2 (en) | 2017-12-01 | 2022-02-08 | Elemental Scientific, Inc. | Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer |
| KR20230130648A (ko) | 2021-01-15 | 2023-09-12 | 엘리멘탈 사이언티픽, 인코포레이티드 | 재료 표면을 스캐닝하기 위한 성형-채널 스캐닝 노즐 |
-
2018
- 2018-11-26 US US16/200,038 patent/US11244841B2/en active Active
- 2018-11-26 US US16/200,010 patent/US11705351B2/en active Active
- 2018-11-26 US US16/200,074 patent/US11049741B2/en active Active
- 2018-11-30 TW TW111129907A patent/TWI816505B/zh active
- 2018-11-30 JP JP2018225023A patent/JP7366533B2/ja active Active
- 2018-11-30 KR KR1020180152284A patent/KR102616763B1/ko active Active
- 2018-11-30 TW TW107143022A patent/TWI692050B/zh active
- 2018-11-30 TW TW113114957A patent/TWI905726B/zh active
- 2018-11-30 KR KR1020180152296A patent/KR102616764B1/ko active Active
- 2018-11-30 JP JP2018225034A patent/JP7330478B2/ja active Active
- 2018-11-30 TW TW107142936A patent/TWI687967B/zh active
- 2018-11-30 TW TW107142937A patent/TWI705252B/zh active
- 2018-11-30 KR KR1020180152279A patent/KR102641845B1/ko active Active
- 2018-11-30 TW TW109114438A patent/TWI842883B/zh active
- 2018-11-30 TW TW109103919A patent/TWI776123B/zh active
- 2018-11-30 JP JP2018225026A patent/JP7253767B2/ja active Active
- 2018-12-03 CN CN201811466998.9A patent/CN110013922B/zh active Active
- 2018-12-03 CN CN201811466598.8A patent/CN110034043B/zh active Active
- 2018-12-03 CN CN201811466084.2A patent/CN110034042B/zh active Active
-
2021
- 2021-06-29 US US17/361,943 patent/US11476134B2/en active Active
- 2021-12-27 US US17/562,411 patent/US11804390B2/en active Active
-
2022
- 2022-10-18 US US17/968,124 patent/US11694914B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-19 US US18/320,748 patent/US12094738B2/en active Active
- 2023-06-01 US US18/327,226 patent/US20240006201A1/en active Pending
- 2023-08-02 JP JP2023126470A patent/JP7547578B2/ja active Active
- 2023-10-11 JP JP2023176186A patent/JP7534510B2/ja active Active
- 2023-12-18 KR KR1020230184290A patent/KR102830823B1/ko active Active
- 2023-12-18 KR KR1020230184283A patent/KR102912493B1/ko active Active
-
2024
- 2024-08-01 JP JP2024125900A patent/JP7844561B2/ja active Active
-
2025
- 2025-07-02 KR KR1020250088524A patent/KR20250110182A/ko active Pending
-
2026
- 2026-01-09 KR KR1020260004223A patent/KR20260010476A/ko active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140909A (ja) | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 処理装置および表面処理治具 |
| JP2017053806A (ja) | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 分析前処理装置 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7547578B2 (ja) | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム | |
| JP2025084768A (ja) | 半導体ウエハの統合された分解と走査のためのシステム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230831 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230831 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240612 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240730 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240828 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7547578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |