JP7600742B2 - 発光部品及びこれを用いた光書込装置、画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光部品及びこれを用いた光書込装置、画像形成装置に関する。

従来この種の画像形成装置としては、感光体や誘電体上に光書込装置によって光による画像を書き込む方式が多く採用されている。
この種の光書込装置としては例えば特許文献１に記載のものが既に知られている。
特許文献１には、光書込装置に用いられる発光部品として、主走査方向に沿って発光素子を配列した発光素子アレイが提供されている。この発光素子アレイは発光素子による発光点が主走査方向に一列には並ばず、千鳥状に二列に並んだ態様として構成されている。

特許第５８６２４０４号公報（発明を実施するための形態、図４）

本発明が解決しようとする技術的課題は、主走査方向に並ぶ発光素子の発光面積を確保しつつ、主走査方向に並ぶ発光素子による隣接する発光点の配列間隔を狭めることを可能とする発光部品及びこれを用いた光書込装置、画像形成装置を提供することにある。

請求項１に係る発明は、主走査方向に配列される発光素子からなる第１の発光素子列と、前記第１の発光素子列に対して副走査方向に偏倚し且つ前記第１の発光素子列の各発光素子の間に位置するように主走査方向に配列される第２の発光素子列と、を含み、前記第１の発光素子列の各発光素子による発光点と、前記第２の発光素子列の各発光素子による発光点との間の主走査方向に沿う配列ピッチは、前記第１、第２の発光素子列の各発光素子による発光点間の主走査方向の配列ピッチの１／２以下であり、前記第１の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域と、前記第２の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域とを主走査方向に対して重なり合うように配置し、前記第１、第２の発光素子列の間で隣り合う発光素子の発光点領域は、主走査方向において３０～７０％の範囲で重なり合い、前記第１の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域のうち周囲に配置された非透過性の電極以外の箇所から対象物に向けて光が出射される発光ビーム領域と、前記第２の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域のうち周囲に配置された非透過性の電極以外の箇所から対象物に向けて光が出射される発光ビーム領域とを主走査方向に対して隙間がないように配置し、前記第１、第２の発光素子列の間で隣り合う発光素子の発光ビーム領域は、主走査方向において０～１０％の範囲で重なり合うことを特徴とする発光部品である。

請求項２に係る発明は、請求項１に係る発光部品において、前記第１の発光素子列の各発光素子による発光点と、前記第２の発光素子列の各発光素子による発光点との間の副走査方向に沿う配列ピッチは、作像ライン間隔の整数Ｎ倍であることを特徴とする発光部品である。

請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る発光部品と、前記発光部品の各発光素子から出射される光を、光による画像が保持可能な画像保持手段に結像させる結像手段と、を備え、前記画像保持手段に光による画像を書き込むことを特徴とする光書込装置である。
請求項４に係る発明は、請求項３に係る光書込装置において、前記結像手段は、前記第１の発光素子列の各発光素子と前記第２の発光素子列の各発光素子との副走査方向の差よりも大きい直径の屈折率分布型レンズを主走査方向に配列したものであることを特徴とする光書込装置である。
請求項５に係る発明は、請求項４に係る光書込装置において、前記第１の発光素子列と前記第２の発光素子列とは、前記屈折率分布型レンズに対し副走査方向に異なる位置に出射光が入射することを特徴とする光書込装置である。
請求項６に係る発明は、請求項５に係る光書込装置において、前記第１の発光素子列と前記第２の発光素子列とを含む発光素子チップが複数あり、前記複数の発光素子チップは、副走査方向及び主走査方向に偏倚して配置され、前記結像手段は前記屈折率分布型レンズを複数列に隣接して主走査方向に配列したものであり、同じ発光素子チップの各発光素子からの光は主走査方向に並ぶ同列の屈折率分布型レンズに入射し、隣り合う発光素子チップの各発光素子からの光は異なる列の屈折率分布型レンズに入射することを特徴とする光書込装置である。

請求項７に係る発明は、請求項３乃至６いずれかに係る光書込装置と、前記光書込装置に対向して設けられ、前記光書込装置によって書き込まれた光による画像を保持する画像保持手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置である。
請求項８に係る発明は、請求項７に係る画像形成装置において、前記光書込装置は、前記第１の発光素子列及び前記第２の発光素子列の各発光素子から出射される光で前記画像保持手段に主走査方向に沿う線状画像を書き込んだときに、主走査方向に隣り合う発光点に対応する結像ビーム領域を重ね合うように配置することを特徴とする画像形成装置である。

請求項１に係る発明によれば、主走査方向に並ぶ発光素子の発光面積を確保しつつ、主走査方向に並ぶ発光素子による隣接する発光点の配列間隔を狭めることができる。
特に、発光部品の発光点の実質的な配列ピッチを、第１、第２の発光素子列の各発光素子による発光点間の主走査方向の配列ピッチの１／２以下に狭めることができる。
また、発光点領域の重なり合いを適切に選定することで、光出力を維持しつつ、解像度を高めることができる。
更に、発光ビーム領域の重なり合いを適切に選定することで、光出力を維持しつつ、解像度を高めることができる。
請求項２に係る発明によれば、第１の発光素子列、第２の発光素子列による副走査方向に沿う偏倚量を適切に選定することができる。
請求項３に係る発明によれば、主走査方向に並ぶ発光素子の発光面積を確保しつつ、主走査方向に並ぶ発光素子による隣接する発光点の配列間隔を狭めることを可能とする発光部品を含む光書込装置を提供することができる。
請求項４に係る発明によれば、結像手段に傾きや配置公差があったとしても、第１、第２の発光素子列の各発光素子からの光経路のばらつきを緩和することができる。
請求項５に係る発明によれば、第１の発光素子列と第２の発光素子列の光が屈折率分布型レンズの同じ位置に入射する場合に比較して、入射位置のばらつきによる影響を抑制することができる。
請求項６に係る発明によれば、偏倚配置した各発光素子列チップからの光経路につき、複数列の屈折率分布型レンズを割り当てない場合に比べて、屈折率分布型レンズが列ごとにばらついてしまったことによる影響を抑制することができる。
請求項７に係る発明によれば、主走査方向に並ぶ発光素子の発光面積を確保しつつ、主走査方向に並ぶ発光素子による隣接する発光点の配列間隔を狭めることを可能とする発光部品を含む光書込装置を備えた画像形成装置を提供することができる。
請求項８に係る発明によれば、主走査方向に隣り合う発光点に対応する結像ビーム径を重ね合わないように配置する態様に比べて、各発光素子の発光特性のばらつきによる影響を抑制することができる。

（ａ）は本発明が適用された画像形成装置の実施の形態の概要を示す説明図、（ｂ）は（ａ）で用いられる発光部品の構成例を示す説明図、（ｃ）は発光部品の要部を示す説明図である。 実施の形態１に係る画像形成装置の全体構成を示す説明図である。 実施の形態１に係る画像形成装置で用いられる光書込装置の一例を示す説明図である。 図３に示す光書込装置の構成例を示す斜視説明図である。 （ａ）は光書込装置で用いられる発光素子アレイを示す説明図、（ｂ）は発光素子アレイで用いられる発光チップの構成例を示す説明図である。 （ａ）は比較の形態１で用いられる発光素子アレイの発光チップの構成例を示す説明図、（ｂ）は比較の形態１で用いられる発光素子アレイの発光チップの構成例で、（ａ）で示す発光チップの発光素子列の配列ピッチを狭くした一例を示す説明図である。 （ａ）は図５（ｂ）の要部を示す説明図、（ｂ）は発光素子から出射されるビームを模式的に示す説明図である。 実施の形態１で用いられる発光素子の構成例を示す説明図である。 （ａ）は実施の形態１で用いられる発光素子の配線構造の一例を示す説明図、（ｂ）は（ａ）中Ｂ－Ｂ線断面説明図、（ｃ）は（ａ）中Ｃ－Ｃ線断面説明図である。 発光素子アレイの駆動制御例を示すフローチャートである。 （ａ）は実施の形態１で用いられる光書込装置の結像レンズの構成例を示す説明図、（ｂ）は（ａ）中Ｂ方向から見た矢視図である。 実施の形態１で用いられる光書込装置の物点（発光素子の発光点）及び像点（結像レンズによる結像画像）を模式的に示す説明図である。 （ａ）は実施の形態１で用いられる光書込装置による結像画像の一例を示す説明図、（ｂ）は比較の形態１で用いられる光書込装置による結像画像の一例を示す説明図である。 （ａ）は結像レンズが理想位置に設置された場合における実施の形態１、比較の形態１の発光素子アレイから出射された光の入射状態を示す説明図、（ｂ）は結像レンズが理想位置からずれた場合における実施の形態１、比較の形態１の発光素子アレイから出射された光の入射状態を示す説明図である。 （ａ）は実施の形態１で用いられる発光素子アレイにおいて、偏倚配置された発光チップから出射される光の結像レンズへの入射状態を示す説明図、（ｂ）は比較の形態１で用いられる発光素子アレイにおいて、偏倚配置された発光チップから出射される光の結像レンズへの入射状態を示す説明図である。 変形の形態１で用いられる発光素子アレイの要部を示す説明図である。 （ａ）は実施例１に係る光書込装置を用いて感光体上に２４００ｄｐｉの画像を形成した場合の光量プロファイルを示す説明図、（ｂ）はその印字サンプルの拡大写真を示す説明図である。

◎実施の形態の概要
図１（ａ）は本発明が適用された画像形成装置の実施の形態の概要を示す。
同図において、画像形成装置１０は、光書込装置１１と、光書込装置１１に対向して設けられ、光書込装置１１によって書き込まれた光による画像を保持する画像保持手段１２と、を備えたものである。
ここで、光書込装置１１は、発光部品１と、発光部品１の各発光素子４から出射される光を、光による画像が保持可能な画像保持手段１２に結像させる結像手段６と、を備え、画像保持手段１２に光による画像を書き込むものである。
ここでいう画像保持手段１２としては感光体に限られず、誘電体等も含まれ、その形態はドラム状、ベルト状等適宜選定して差し支えない。また、光による画像とは、例えば所定レベルに帯電した後、画像パターンに応じた光により除電することで電位差を持って形成される静電潜像などが挙げられる。
また、結像手段６については、発光部品１の各発光素子４から出射される光を画像保持手段１２に結像させるものであれば、表面で光を屈折させるレンズ（例えばシリンドリカルレンズ）でもよいし、内部で光を屈折させるレンズ（例えば屈折率分布型レンズ）等適宜選定して差し支えない。

また、発光部品１は、図１（ｂ）に示すように、主走査方向に配列される発光素子４からなる第１の発光素子列２と、第１の発光素子列２に対して副走査方向に偏倚し且つ第１の発光素子列２の各発光素子４間に位置するように主走査方向に配列される第２の発光素子列３とからなる。また、図１(ｃ)に示すように、第１の発光素子列２の各発光素子４が発光する領域である発光点領域ＷＡ１と、第２の発光素子列３の各発光素子４が発光する領域である発光点領域ＷＡ２とは主走査方向に対して重なり合うように配置されている。
ここで、発光素子４としては、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：light Emitting Diode）が挙げられる。この場合、発光素子４の具体的構成は、発光ダイオードＬＥＤを構成するｐアノード層、発光層、ｎカソード層が積層されたものであり、発光素子４が別々の発光点となるように、積層された層に溝が形成されている。本例では発光点領域ＷＡ１、ＷＡ２は発光ダイオードＬＥＤのカソード層の幅と同じになっているが、これに限られるものではなく、ｐアノード層に設けられた電流狭窄層でより狭い領域で発光するように構成することも可能である。
尚、発光素子４としては、ＬＥＤに限定されず、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER（垂直共振器面発光レーザ））等でもよい。

このような技術的手段において、本件は、主走査方向に発光素子４を一列に配置するだけでは実現できないことから、第１の発光素子列２と第２の発光素子列３とを含む態様を前提とする。但し、第１の発光素子列２と第２の発光素子列３とを千鳥状に配列する態様に限定するものではなく、更に、図示外の第３の発光素子列を含む態様をも想定するものである。
尚、本例においては、光書込装置１１の発光部品１が画像を複数のラインに分割して書込む際、ライン方向への移動を主走査、次のライン方向への移動を副走査という。
また、第１、第２の発光素子列２、３の配列態様は主走査方向に沿って一直線上に並んで配列される態様が代表的であるが、一直線上に並んでいない態様も含む。例えば第１の発光素子列２及び第２の発光素子列３を含む発光素子アレイが複数の発光素子チップからなり、複数の発光素子チップが例えば千鳥状に配置される態様にあっては、奇数番目の発光素子チップと偶数番目の発光素子チップとでは、第１、第２の発光素子列２、３は一直線上に並ばない状態になるが、これらの態様も含む趣旨である。

更に、発光部品１の第１の発光素子列２と、第２の発光素子列３とを用いて直線画像を作製する場合には、例えば画像保持手段１２の副走査方向への移動速度や、第１の発光素子列２と第２の発光素子列３との副走査方向の配列ピッチを考慮し、遅延回路を用いたり、あるいは、画像書込みタイミングを適宜ずらして描画するようにすればよい。尚、複数の発光素子チップを採用する態様では、更に、発光素子チップの副走査方向の配列ピッチをも考慮し、奇数番目の発光素子列と偶数番目の発光素子列との画像書込みタイミングを調整するようにすることが必要である。

また、本実施の形態では、図１（ｃ）に示すように、第１、第２の発光素子列２、３の各発光素子４の表面に光を通さない電極５が配置されている。このため、本例では、電極５の内側の領域が発光素子４で発光し対象物に向け出射される発光ビーム領域になっている。そして、第１の発光素子列２の各発光素子４による発光ビーム領域ｗ１と、第２の発光素子列３の各発光素子４による発光ビーム領域ｗ２とが主走査方向に対して隙間がないように配置されている。
また、発光点領域や発光ビーム領域は、発光素子４の多層構造から発光部島を分離するための幅寸法、エッチング処理のための幅寸法、電極幅を差し引き、光出射可能な開口部として確保される大きさによって決まる。
このように、発光部品１の発光素子４の主走査方向における配列を工夫すると、画像保持手段１２上に形成される結像手段６による結像画像は、発光部品１の各発光素子４の発光点に対応したビームの画像になる。

次に、本実施の形態に係る発光部品の代表的態様又は好ましい態様について説明する。
先ず、第１、第２の発光素子列２、３の発光点の配列ピッチの代表的な選定法については、第１の発光素子列２の各発光素子４による発光点と、第２の発光素子列３の各発光素子４による発光点との間の主走査方向に沿う配列ピッチｈｐは、第１、第２の発光素子列２、３の各発光素子４による発光点間の主走査方向の配列ピッチの１／２以下であることが挙げられる。
ここで、発光部品１が第１、第２の発光素子列２、３のみを備えている態様にあっては、最大１／２の配列ピッチになるものであるが、例えば第１、第２の発光素子列２、３に加えて図示外の第３の発光素子列を付加した態様にあっては、１／２未満の配列ピッチにすることが可能である。

また、主走査方向に対する発光点の好ましい配列態様としては、第１、第２の発光素子列２、３間で隣り合う発光素子４の発光点領域は、主走査方向において３０～７０％の範囲で重なり合う態様が挙げられる。これは、重なりが多すぎると、わざわざ副走査方向にずらしてまで解像度をあげたのにその解像度向上の影響が少なかったり、また副走査方向に２列で構成する前提を加えた際には配線や発光素子と発光素子の間が十分確保できず電流状態が不安定になってしまったり、また３列以上にすると発光装置が副走査方向に大型化してしまったりしたからであり、そのような不具合は６５％を超えたあたりから生じはじめることが、一方、重なりが少なすぎると十分な発光点領域が確保できず、光量が足りなくなったりすることが重なりが３０％をきるところから生じることがシミュレーションの結果分かった。
図１（ｃ）の例では、２４００ｄpiで発光素子を配置したので、第１の発光素子列２の発光素子４と第２の発光素子列３の発光素子４とは１０．５μｍ間隔となっている。発光素子のカソード層の幅を１５．４μｍとしたので、第１列の１つの発光素子４に対して、第２列の隣り合う２つの発光素子４が重なるので、重なっている領域を６３．６％とした。なお、これは適正値のうち中央値ではなく、重なりが多い側にしたことの理由として、本件実施例では発光点領域で発光した光を覆うように電極を配置していることも関係している。
また、図１（ｃ）に示すように、電極５を配置した場合の電極の内側の寸法は、１０．６μｍとほぼ２４００ｄpiのピッチと等しくした。発光素子４では発光点領域の全域が光るといっても、側面近くの光量は弱く中央部分の光量が強い分布になっている。発光領域は重なりが多くなるようにして、ピッチに対して幅が広くなるようにしておいて、電極５で安定した光量が得られる部分を抜き出している状態ともいえる。ただし、ピッチよりも小さくすると、特に２４００ｄpi以上のような間隔が狭い場合は、やはり光量が足りなくなる可能性が高く、隙間のちょうどない重なり０よりもわずかに重なりがある状態にした方がよい。しかしながら、解像度の観点から１０％以内としたほうがよい。
更に、副走査方向に対する発光点の好ましい配列態様としては、第１の発光素子列２の各発光素子４による発光点と、第２の発光素子列３の各発光素子４による発光点との間の副走査方向に沿う配列ピッチは、作像ライン間隔の整数Ｎ倍であることが挙げられる。本例によれば、作像ライン間隔の整数Ｎ倍に選定しておけば、Ｎライン分だけ書込みタイミングをずらすことで、第１、第２の発光素子列２、３により同一ラインの画像を書き込むことが可能である。

また、光書込装置１１の結像手段６の好ましい態様としては、第１の発光素子列２の各発光素子４と第２の発光素子列３の各発光素子４との副走査方向の差よりも大きい直径の屈折率分布型レンズを主走査方向に配列したものが挙げられる。本例は、結像手段６として屈折率分布型レンズを用い、第１の発光素子列２、第２の発光素子列３の各発光素子４からの光を同一の屈折率分布型レンズに入射させる態様である。
ここで、結像手段６として屈折率分布型レンズを採用する態様にあっては、第１の発光素子列２と第２の発光素子列３とは、屈折率分布型レンズに対し副走査方向に異なる位置に出射光が入射するようにすればよい。
また、第１の発光素子列２と第２の発光素子列３とを含む図示外の発光素子チップが複数あり、複数の発光素子チップは、副走査方向及び主走査方向に偏倚して配置され、結像手段６は屈折率分布型レンズを複数列に隣接して主走査方向に配列したものであり、同じ発光素子チップの各発光素子４からの光は主走査方向に並ぶ同列の屈折率分布型レンズに入射し、隣り合う発光素子チップの各発光素子４からの光は異なる列の屈折率分布型レンズに入射するようにすればよい。本例は、複数の発光素子チップを偏倚配置し、複数列の屈折率分布型レンズを使用する態様において、偏倚配置した発光素子チップからの光経路につき、複数列の屈折率分布型レンズを割り当てる態様である。両方の発光素子チップから出射される光を同じ列の屈折率分布型レンズに入射させる場合には、両方の発光素子チップからの光経路長の違いが大きくなり、その分、結像特性がばらつき易くなるのに対し、本態様では、このような影響が抑えられる点で好ましい。

以下、添付図面に示す実施の形態に基づいて本発明を更に詳細に説明する。
◎実施の形態１
＜画像形成装置の全体構成＞
図２は実施の形態１に係る画像形成装置の全体構成を示す。
同図において、画像形成装置２０は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置である。この画像形成装置２０は、各色の画像データに対応して画像形成を行なう画像形成プロセス部２１、画像形成プロセス部２１を制御する画像出力制御部４０、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）６１や画像読取装置６２に接続され、これらから受信された画像データに対して予め定められた画像処理を施す画像処理部５０を備えている。

画像形成プロセス部２１は、一定の間隔を置いて並列的に配置される画像形成部２２を備えている。この画像形成部２２は、四色（本例ではイエロ（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黒（Ｋ））のトナー像を形成させるトナー像形成手段の一例である４つの作像エンジン２３（２３ａ～２３ｄ）にて構成されている。作像エンジン２３（２３ａ～２３ｄ）は、それぞれ、静電潜像を形成してトナー像を保持する画像保持手段の一例としての例えばドラム状の感光体２４、感光体２４の表面を予め定められた電位で一様に帯電する帯電器２５、帯電器２５によって帯電された感光体２４を露光し静電潜像を形成する光書込装置２６、光書込装置２６によって形成された静電潜像を現像する現像器２７を備えている。そして、作像エンジン２３（２３ａ～２３ｄ）は、それぞれがイエロ（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ） 、黒（Ｋ）のトナー像を形成する。
また、画像形成プロセス部２１は、各作像エンジン２３（２３ａ～２３ｄ）の感光体２４にて形成された各色のトナー像を記録媒体の一例としての記録用紙２９に多重転写させるために、この記録用紙を搬送する用紙搬送ベルト３０と、感光体２４のトナー像を記録用紙に転写させる転写器（本例では転写ロールを使用）３１と、記録用紙にトナー像を定着させる定着器３２とを備えている。

この画像形成装置２０において、画像形成プロセス部２１は、画像出力制御部４０から供給される各種の制御信号に基づいて画像形成動作を行う。そして、画像出力制御部４０ による制御の下で、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）６１や画像読取装置６２から受信された画像データは、画像処理部５０によって画像処理が施され、作像エンジン２３に供給される。そして、例えば黒（Ｋ）色の作像エンジン２３ｄでは、感光体２４が矢印方向に回転しながら、帯電器２５により予め定められた電位に帯電され、画像処理部５０から供給された画像データに基づいて発光する光書込装置２６により露光される。これにより、感光体２４上には、黒（Ｋ）色画像に関する静電潜像が形成される。そして、感光体２４上に形成された静電潜像は現像器２７により現像され、感光体２４上には黒（Ｋ）色のトナー像が形成される。同様に、各作像エンジン２３（２３ａ～２３ｃ）においても、それぞれイエロ（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）の各色トナー像が形成される。

各作像エンジン２３（２３ａ～２３ｄ）で形成された感光体２４上の各色トナー像は、矢印方向に移動する用紙搬送ベルト３０の移動に伴って供給された記録用紙２９に、転写器３１（転写ロール）に印加された転写電界により、順次静電転写され、記録用紙２９上に各色トナーが重畳された合成トナー像が形成される。
その後、合成トナー像が静電転写された記録用紙２９は、定着器３２まで搬送される。定着器３２に搬送された記録用紙２９上の合成トナー像は、定着器３２によって熱および圧力による定着処理を受けて記録用紙２９上に定着され、画像形成装置２０から排出される。

＜光書込装置の構成例＞
図３は本実施の形態が適用される光書込装置２６の構成例を示し、図４はその斜視説明図を示す。
同図において、光書込装置２６は、装置筐体７１と、装置筐体７１に保持され、発光素子として複数のＬＥＤを備えた発光素子アレイ７２と、装置筐体７１に保持され、発光素子アレイ７２の発光素子から出射された光出力を結像させて感光体２４を露光し静電潜像を形成させるための結像手段の一例としての結像レンズ７３とを備えている。
本例において、装置筐体７１は、例えば金属で形成され、発光素子アレイ７２及び結像レンズ７３を保持し、発光素子アレイ７２の発光素子８０の発光点Ｌと結像レンズ７３の焦点面とを一致させるようになっている。また、結像レンズ７３は感光体２４の軸方向（主走査方向に相当）に沿って配置されている。
尚、発光素子アレイ７２は、フレキシブル基板７４を介して信号発生回路７６（図９（ａ）参照）が搭載された制御基板７５に接続されている。

＜発光素子アレイの構成例＞
図５（ａ）は発光素子アレイ７２の構成例を示す。
同図において、発光素子アレイ７２は、回路基板９０上に複数の発光素子チップＣ（Ｃ１～Ｃｎ）を、主走査方向に二列に向かい合わせて千鳥状に配置し、各発光素子チップＣ（Ｃ１～Ｃｎ）には主走査方向に発光素子８０を並べて配列し、更に、制御基板７５に搭載された信号発生回路７６と複数の発光素子チップＣの各発光素子８０とを直接接続することで、信号発生回路７６によって各発光素子８０の発光を個々的に制御するようになっている。
尚、本例において、発光素子チップＣを千鳥状に配置しているのは、複数の発光素子チップＣを一方向に配列すると、発光素子チップＣの端部で発光素子８０の間隔を一定にできないことを避けるためである。

－発光素子チップ－
図５（ｂ）は発光素子チップＣ（Ｃｉ～Ｃｉ＋２）の構成例を示す。
同図において、発光素子チップＣは、発光素子アレイ７２に搭載される発光素子チップＣのうち、奇数番目の発光素子チップＣ（本例ではＣｉ、Ｃｉ＋２:ｉは奇数）は、チップ基板８１上の偶数番目の発光素子チップＣ（本例ではＣｉ＋１：ｉは奇数）寄りの領域に、主走査方向に配列される発光素子８０なる第１の発光素子列８２と、第１の発光素子列８２に対して副走査方向に偏倚し且つ第１の発光素子列８２の各発光素子８０間に位置するように主走査方向に配列される第２の発光素子列８３と、を具備している。
一方、偶数番目の発光素子チップＣ（本例ではＣｉ＋１：ｉは奇数）は、チップ基板８１上の奇数番目の発光素子チップＣ（本例ではＣｉ、Ｃｉ＋２:ｉは奇数）寄りの領域に、主走査方向に配列される発光素子８０なる第１の発光素子列８２と、第１の発光素子列８２に対して副走査方向に偏倚し且つ第１の発光素子列８２の各発光素子８０間に位置するように主走査方向に配列される第２の発光素子列８３と、を具備している。

本例において、第１の発光素子列８２及び第２の発光素子列８３の各発光素子８０の主走査方向の配列ピッチ（隣り合う発光素子８０の主走査方向中心線間の距離に相当）をＰとすると、第１の発光素子列８２の発光素子８０と、これに隣り合う第２の発光素子列８３の発光素子８０との主走査方向に沿う配列ピッチはＰ／２である。
更に、本例では、奇数番目の発光素子チップＣ（例えばＣｉ）の最後尾（図中右端）に位置する発光素子８０の主走査方向中心線位置と、これに隣接する偶数番目の発光素子チップＣ（例えばＣｉ＋１）の最初（図中左端）に位置する発光素子８０の主走査方向中心線位置との間の距離ｘｃは、配列ピッチＰ／２に合うように選定されている。また、奇数番目の発光素子チップＣ（例えばＣｉ＋２）の最初に位置する発光素子８０の主走査方向中心線位置と、これに隣接する偶数番目の発光素子チップＣ（例えばＣｉ＋１）の最後尾に位置する発光素子８０の主走査方向中心線位置との間の距離ｘｃも配列ピッチＰ／２に合うように選定されている。
また、奇数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ、Ｃｉ＋２）の第１の発光素子列８２と第２の発光素子列８３との間の副走査方向の中心位置を結ぶ発光点Ｌの重心位置をｍ１、また、偶数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ＋１）の第１の発光素子列８２と第２の発光素子列８３との間の副走査方向の中心位置を結ぶ発光点Ｌの重心位置をｍ２とすると、隣接する発光素子チップＣの副走査方向の偏倚距離ｙｃは｜ｍ１－ｍ２｜に選定されている。

＜第１、第２の発光素子列の発光素子の配置例＞
第１、第２の発光素子列８２、８３の発光素子８０の配置例を説明するに当たって、先に、比較の形態１に係る発光素子アレイの発光素子の配置例において、配列ピッチを狭める場合について説明する。
◎比較の形態１
比較の形態１に係る発光素子アレイ７２’は、例えば発光素子チップを千鳥状に配置するにしても、各発光素子チップは、図６（ａ）に示すように、主走査方向に対し配列ピッチＰで発光素子８０を一列に配置したものである。
このとき、発光素子８０の発光点Ｌは、等間隔の配列ピッチＰで主走査方向ｘに並んでいる。ここで、隣り合う発光素子８０の発光点領域に相当する発光部島９１を分離するには幅２ａが必要であり、発光素子８０をウエットエッチングで素子分離を行う場合にはエッチング深さをｅとすると、ａ＞ｅであることが必要になる。更に、本例では、発光素子８０の表面に光を通さない電極９２が配置されている。電極９２下の発光は取り出せないことから、電極９２の幅２ｂが非発光領域として確保することが必要である。このため、発光素子８０の発光部島９１の領域のうち、実際に発光可能な領域（発光ビーム領域に相当）ＷはＰ－２ａ－２ｂであることが理解される。
今、１２００ｄｐｉ（dots per inch）では、Ｐ＝２１－２μｍ、ａ＝２μｍ、ｂ＝２．５μｍとすると、Ｗ＝２１．２－４－５＝１２．２μｍになる。

次に、比較の形態１に係る発光素子アレイ７２’において、発光素子８０間の配列ピッチをＰ／２（２４００ｄｐｉに相当）にする場合を想定すると、図６（ｂ）に示すように、Ｐ／２＝１０．６μｍであるため、発光部島９１の分離用の幅２ａ、電極９２の幅２ｂを差し引くと、発光点Ｌの実際に発光可能な領域（発光ビーム領域）Ｗの幅寸法＝１０．６－４－５＝１．６μｍになってしまう。このように、発光点Ｌの実際に発光可能な領域Ｗの幅寸法が図６（ａ）に示す場合に比べて、１．６／１２．２＝１／７．６に小さくなってしまう。この場合、発光部島９１に対する電極９２の隠す割合も増えて、発光効率が低下する。このため、発光効率低下分の電流増加、発光面積減少により電流密度増大となり、発光素子８０の劣化を促進させる要因につながり、発光素子８０の信頼性が低下する。

これに対し、実施の形態にあっては、各発光素子チップＣは、図７（ａ）に示すように、第１の発光素子列８２及び第２の発光素子列８３とを有するものであり、第１、第２の発光素子列８２、８３の各発光素子８０の主走査方向に沿う配列ピッチはＰである。
そして、第１の発光素子列８２の発光素子８０とこれに隣り合う第２の発光素子列８３の発光素子８０との間の主走査方向に沿う配列ピッチはＰ／２であり、また、両者間の副走査方向に沿う距離（本例では各発光素子８０の副走査方向中心線位置間の距離）ｐはライン間隔の整数Ｎ倍として選定されている。
更に、本例において、第１、第２の発光素子列８２、８３の各発光素子８０の発光点Ｌ（Ｌ１、Ｌ２）のうち、実際に発光可能な領域は、いずれも、比較の形態１で用いられる発光素子アレイ７２’と同程度に確保される。つまり、発光点Ｌ（Ｌ１、Ｌ２）のうち、電極９２の内側の領域が本例における発光ビーム領域Ｗ（具体的にはＷ１、Ｗ２：本例ではＷ１＝Ｗ２）となっている。
そして、本例では、第１の発光素子列８２の各発光素子８０による発光ビーム領域Ｗ１と、第２の発光素子列８３の各発光素子８０による発光ビーム領域Ｗ２とが主走査方向に対して隙間がないように配置されている。
また、第１の発光素子列８２の発光素子８０の発光点Ｌ（Ｌ１）の発光ビーム領域Ｗ１は、第２の発光素子列８３の発光素子８０の発光点Ｌの発光ビーム領域Ｗ２に対して主走査方向にΔＷだけ重なり合うように選定されている。本例において、ΔＷは発光点Ｌの発光ビーム領域Ｗ（Ｗ１、Ｗ２）の例えば０．０５％に選定されている。ここで、ΔＷが０より小さいマイナス側の値であると、第１の発光素子列８２と第２の発光素子列８３との間で隣り合う発光点Ｌの主走査方向の重なり合いが不安定になり易く、また、ΔＷがＷの１０％を超えると、発光点Ｌから出射される光が重なり合い過ぎて、発光点Ｌ単位の解像度に影響し易くなる懸念がある。
このため、本例では、第１の発光素子列８２と第２の発光素子列８３との間で隣り合う発光点Ｌから出射された光を円で模式的に示したビーム径ｄ（具体的にはｄ１、ｄ２）は、主走査方向において発光点Ｌの重なり合いΔＷに略対応して領域ＯＬだけ重なり合う。
尚、第１の発光素子列８２と第２の発光素子列８３との間で隣り合う発光素子８０は、副走査方向にｐだけ離れているため、感光体２４上で一直線に並ぶ画像を作製するには、Ｎライン分ずれた作像タイミング又は遅延回路を用いて画像を描画するようにすればよい。

－発光素子チップの断面構造例－
本例において、発光素子チップＣは、自己走査型発光素子（ＳＬＥＤ：self Scanning Light Emitting Diode）が使用されており、ｐ型の基板１００上に発光ダイオードＬＥＤを構成するｐアノード層１０１、発光層１０２、ｎカソード層１０３が積層され、発光素子８０が別々の発光点となるように積層された層に溝が形成されていると共に、トンネル接合層１０４を介して、設定サイリスタＳを構成するｐアノード層１０５、ｎゲート層１０６、ｐゲート層１０７、ｎカソード層１０８が積層されている。
そして、設定サイリスタＳは、ｎカソード層１０８上に設けられたｎオーミック電極１１１をカソード電極とし、ｎカソード層を除去して露出させたｐゲート層１０７上に設けられたｐ型のオーミック電極１１２をゲート電極とするものである。尚、ｐアノード層１０１は、下側ｐアノード層１０１ａ、電流狭窄層１０１ｂ、上側ｐアノード層１０１ｃで構成されている。
本例では、発光点領域ＷＡ１、ＷＡ２は発光ダイオードＬＥＤのｎカソード層１０３の幅と同じになっている。つまり、一つ一つの発光素子８０の外周部分に相当するようなｎカソード層１０３の幅全体が発光するようにしてｎカソード層１０３の幅を発光点領域ＷＡ１、ＷＡ２とみなすように構成されているが、これに限られるものではなく、例えば電流狭窄層１０１ｂでより狭い領域にして、発光素子８０の中心部分のみが発光するようにして発光点領域ＷＡ１、ＷＡ２を小さくするように構成してもよい。
また、発光ダイオードＬＥＤは、矢印で示すように、光を基板１００と直交する方向に出射する。よって、基板１００と直交する方向に出射された光を利用する場合に用いることが可能である。そして、ｎオーミック電極１１１は中央部が開口になっているため、光はトンネル接合層１０４を通過して出射する。
尚、設定サイリスタＳのｐアノード層１０５に電流狭窄層を設けてもよいし、また、発光ダイオードＬＥＤのｎカソード層１０３、設定サイリスタＳのｎカソード層１０８に電流狭窄層を設けてもよい。
このように、本例では、発光素子８０の発光点Ｌの発光ビーム領域Ｗ（Ｗ１、Ｗ２）は、電流狭窄層１０１ｂの幅寸法や、ｎオーミック電極１１１による光出射方向の開口部の径によって決定されるものである。

－発光素子への配線構造－
本例では、第１、第２の発光素子列８２、８３の各発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ１、Ｌ２）には、図９（ａ）に示すように、信号発生回路７６から発光開始信号を与えるためのゲート電極１２０が夫々接続されている。
ここで、第１の発光素子列８２の発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ１）はゲート半導体層１２１上のゲート電極１２０を介して接続されている。
また、第２の発光素子列８３の発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ２）は、第１の発光素子列８２の発光素子８０間の領域を通すようにゲート電極を配線することが必要になるが、第１の発光素子列８２と同様に、各発光素子８０間にゲート電極を配線しようとすると、当該ゲート電極が第１の発光素子列８２の発光素子８０に接触してしまう懸念がある。
そこで、本例では、図９（ｂ）（ｃ）に示すように、第１の発光素子列８２の各発光素子８０及び各発光素子８０間の領域を透過性の絶縁膜１２２（例えばシリコン）で覆い、この絶縁膜１２２の下方には第２の発光素子列８３の各発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ２）に接続される電極端子１２３を設けると共に、絶縁膜１２２のうち第１の発光素子列８２の発光素子８０間の領域で分断されている分断ゲート電極１２４を設置し、電極端子１２３及び分断ゲート電極１２４の発光素子８０側端部には夫々コンタクトホール１２５、１２６を開設し、絶縁膜１２２上のコンタクトホール１２５、１２６間には金属配線１２７を這わせ、コンタクトホール１２５、１２６を通じて金属配線１２７と電極端子１２３及び分断ゲート電極１２４を接続するようにしたものである。
本例においては、第１、第２の発光素子列８２、８３の各発光素子８０の発光点Ｌ（Ｌ１、Ｌ２）の発光点領域の幅寸法を狭くすることなく、第２の発光素子列８３の各発光素子８０に対する配線構造を施すことが可能である。

＜発光素子アレイの駆動制御＞
図１０は本例における発光素子アレイを駆動制御するためのフローチャートを示す。
先ず、制御基板７５の信号発生回路７６には主走査ラインｊの画像データＤＴが読み込まれる。この画像データＤＴは発光素子アレイ７２の各発光素子チップＣの各発光素子８０に与えられ信号開始信号である。
先ず、発光素子チップＣは奇数列か否かを判断し、次いで、各発光素子８０の発光点Ｌが一列目（第１の発光素子列８２）か否かを判断する。これにより、信号発生回路７６からの画像データＤＴが以下の四つに区分された発光素子８０に供給される。
（１）発光素子チップＣが奇数列、発光点一列目
（２）発光素子チップＣが奇数列、発光点二列目
（３）発光素子チップＣが偶数列、発光点一列目
（４）発光素子チップＣが偶数列、発光点二列目
ここで、（１）の場合には、図５（ｂ）に示すように、奇数番目の発光素子チップＣの一列目の発光素子８０の発光点Ｌ１を対象として駆動するものであり、発光タイミングをＡ設定する。
また、（２）の場合には、図５（ｂ）に示すように、奇数番目の発光素子チップＣの二列目の発光素子８０の発光点Ｌ２を対象として駆動するものであり、発光タイミングをＢ設定する。本例のＢ設定は、Ａ設定に対し、第１、第２の発光素子列８２、８３間の発光素子８０の副走査方向の距離ｐ（ライン距離の整数Ｎ倍）を考慮し、発光タイミングを調整するようにすればよい。
更に、（３）の場合には、図５（ｂ）に示すように、偶数番目の発光素子チップＣの一列目の発光素子８０の発光点Ｌ１を対象として駆動するものであり、発光タイミングをＣ設定する。本例のＣ設定は、Ａ設定に対し、奇数番目の発光素子チップＣの一列目の発光素子８０と、偶数番目の発光素子チップＣの一列目の発光素子８０との間の副走査方向の距離ｇ（図５（ｂ）中ｙｃに相当）を考慮し、発光タイミングを調整するようにすればよい。
更にまた、（４）の場合には、図５（ｂ）に示すように、偶数番目の発光素子チップＣの二列目の発光素子８０の発光点Ｌ２を対象として駆動するものであり、発光タイミングをＤ設定する。本例のＤ設定は、Ａ設定に対し、奇数番目の発光素子チップＣの一列目の発光素子８０と、偶数番目の発光素子チップＣの二列目の発光素子８０との間の副走査方向の距離ｈを考慮し、発光タイミングを調整するようにすればよい。

＜結像レンズ＞
本例において、結像レンズ７３は、図３、図４及び図１１（ａ）（ｂ）に示すように、感光体２４の軸方向に沿って延びる対構成の側板１３１と、側板１３１間の両端を塞ぐ当て板１３２とでレンズホルダ１３０を構成し、このレンズホルダ１３０の空間部には発光素子アレイ７２と感光体２４との間に延びる円柱状の屈折率分布型レンズ１３５を感光体２４の軸方向（主走査方向に相当）に沿って二列隣接させて配置してアレイ状に構成したものである。尚、屈折率分布型レンズ１３５の周壁は樹脂等の保護層で覆われている。また、屈折率分布型レンズ１３５の配列数については二列に限られるものではなく、三列以上であってもよいし、また、一例であっても差し支えない。
本例において、屈折率分布型レンズ１３５は、発光素子アレイ７２の発光点Ｌ（物点に相当）と、感光体２４上の像点との間を共役長ＴＣとするものであり、発光点Ｌから出射される光を入射し、屈折率分布によりレンズ内部を通過して出射し、像点に収束するようにしたものである。
本例では、屈折率分布型レンズ１３５は、長さＺ０であって、発光点Ｌまでの距離をＬ０、像点までの距離をＬｉとするものであり、レンズ直径Ｄは発光点Ｌのビーム径ｄ（例えば１０μｍ）に比べて４倍以上大きい値（例えば４０～４５μｍ）に選定されている。
また、結像レンズ７３は、屈折率分布型レンズ１３５を二列に配列したレンズアレイは全幅Ｗｔを有しており、この全幅Ｗｔは画像有効幅Ｗｉ以上に選定されている。

＜発光点と像点との関係＞
本例において、発光素子アレイ７２の各発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ１、Ｌ２）は、図１２に示すように、第１、第２の発光素子列８２、８３間で隣り合う発光素子８０の主走査方向に沿う配列ピッチＰ／２で発光する。
この状態において、発光点Ｌから出射された光は、結像レンズ７３を介して感光体２４上に結像される。
このとき、発光素子アレイ７２が主走査方向に延びる直線状の光による画像（線状画像）を描画したとすると、感光体２４上の結像画像Ｇは、図１２に示すように、Ｐ／２の配列ピッチでドット形成されるが、ドット状の結像画像Ｇは隣り合う箇所で相互に重なり合っている。この状態において、ドット状の結像画像Ｇは、発光素子アレイ７２の発光点Ｌの主走査方向におけるビーム径ｄの重なり合いと略同程度の重なり合いで描画されており、ドッド状の結像画像Ｇの重なり合いにより、ドット状の結像画像Ｇの光量分布が大きくなっている。
尚、本例において、Ｐは例えば１２００ｄｐｉであり、Ｐ／２は２４００ｄｐｉを示す。

＜結像画像の品質＞
－実施の形態１－
実施の形態１において、隣り合う発光点Ｌ（Ｌ１、Ｌ２）から出射された光は、結像レンズ７３を介して感光体２４上に結像される。
このとき、隣り合う発光点Ｌ（Ｌ１、Ｌ２）に対応する隣り合うドット状の結像画像Ｇは、図１３（ａ）に示すように、結像ビーム領域が一部重なり合って描画され、ドット状の結像画像Ｇの光量分布が増加し、正常な濃度画像を描く。
今、発光点Ｌの一部の発光特性がばらついている場合を想定すると、図１３（ａ）に示すように、一方の発光点Ｌの発光特性のばらつきは、隣り合う正常な発光特性の発光点Ｌによる結像画像Ｇの重なり合いによって光量が増加することから、発光特性のばらついた発光点Ｌに対応する結像画像Ｇの品質はある程度補正される。
－比較の形態１－
これに対し、比較の形態１に係る発光素子アレイ（図６参照）を使用する場合には、主走査方向に隣り合う発光点Ｌのビーム径が重ならないことから、発光点Ｌに対応する結像画像Ｇは発光点の発光特性にそのまま依存する。つまり、発光点Ｌの発光特性が正常な場合には、図１３（ｂ）に示すように、ドット状の結像画像Ｇは正常な濃度画像を描画することになるが、発光点Ｌの発光特性がばらついている場合には、図１３（ｂ）に示すように、ドット状の結像画像Ｇの光量分布が不足し、例えば十分な画像濃度が得られないという懸念がある。

－結像レンズのレイアウトによる影響－
今、結像レンズ７３が理想位置に設置されていると仮定すると、実施の形態１、比較の形態１のいずれも、発光素子アレイ７２で主走査方向に延びる直線画像を描画した場合には、結像レンズ７３を構成する屈折率分布型レンズ１３５の配列方向の中心位置に沿って発光素子アレイ７２の発光点Ｌから出射される光を入射する。
このとき、実施の形態１では、発光素子アレイ７２は、第１の発光素子列８２、第２の発光素子列８３において、配列ピッチＰで配列された発光点Ｌにより光画像を書き込み、主走査方向に対し実質的にＰ／２の配列ピッチで描画するため、図１４（ａ）に示すように、発光点Ｌの発光面積を大きく確保しながら、かつ、発光点Ｌから出射されたビーム径を一部重ね合わせることで大きな光量の光画像を感光体２４側に結像させることが可能になる。
尚、比較の形態１に係る発光素子アレイにあっては、図６（ｂ）に示すように、発光点ＬをＰ／２の配列ピッチで配列する場合には、発光点Ｌの発光面積が小さく、発光点Ｌからの発光量も少ない。
－結像レンズの倒れ、ずれ－
また、結像レンズ７３を設置するに際し、結像レンズ７３が傾いたり、オアセットしてしまうことがあり得る。
このような場合、発光素子アレイ７２の発光点Ｌから出射される光は、図１４（ｂ）に示すように、屈折率分布型レンズ１３５の配列方向中心線から偏倚した位置に入射される。
このとき、実施の形態１に係る発光素子アレイ７２にあっては、発光点Ｌの発光面積を大きく確保しながら、かつ、発光点Ｌから出射されたビーム径を一部重ね合わせることで大きな光量の光画像を感光体２４側に結像させることが可能になるため、結像レンズ７３の傾きθやオフセットにより拾える光量が若干減少したとしても、ビーム径の重なり合いによる光量の増加分で補填されることから、光画像の光量減少が緩和される。
この点、比較の形態１に係る発光素子アレイにあっては、実施の形態１のように、光量補填がないことから、結像レンズ７３の傾きやオフセットにより拾える光量の減少すると、そのまま結像画像の品質に影響してしまう懸念がある。

－発光素子チップの千鳥配置による結像レンズへの入射態様－
本実施の形態では、発光素子アレイ７２は、複数の発光素子チップＣを千鳥状に配置し、各発光素子チップＣには第１、第２の発光素子列８２、８３を配列ピッチＰで主走査方向に配列し、更に、第１の発光素子列８２と第２の発光素子列８３との間で隣り合う発光素子８０の発光点Ｌを主走査方向にＰ／２の配列ピッチで配列し、かつ、発光点Ｌから出射されたビーム径を一部重ね合わせるようにしている。
従って、本実施の形態にあっては、図１５（ａ）に示すように、発光素子チップＣのうち奇数番目に位置する発光素子チップＣの発光点Ｌから出射される光Ｂｍ１は、第１列目の屈折率分布型レンズ１３５を通過し、一方、偶数番目に位置する発光素子チップＣの発光点Ｌから出射される光Ｂｍ２は、第２列目の屈折率分布型レンズ１３５を通過する。
このように、千鳥配置された発光素子チップＣから出射される光は、第１列目、第２列目の屈折率分布型レンズ１３５に振り分けられて入射する。このときの入射光量は、比較の形態１に係る発光素子アレイの場合（図１５（ｂ）参照）に比べて、発光点Ｌからのビーム径が一部重なり合っている分、多く確保されている。
また、結像レンズ７３が傾いたり、オフセットした場合であっても、屈折率分布型レンズ１３５のレンズ直径Ｄはビーム径よりも十分に大きいため、千鳥配置された発光素子チップＣから出射される光は、第１列目、第２列目の屈折率分布型レンズ１３５に振り分けられて入射し、結像レンズ７３による結像特性を得ることが可能である。

◎変形の形態１
図１６は変形の形態１に係る発光素子アレイの要部を示す。
同図において、発光素子アレイ７２は、実施の形態１と同様に、千鳥配置される複数の発光素子チップＣを有しているが、実施の形態１と異なり、各発光素子チップＣには第１、第２、第３の発光素子列８２、８３、８４を有するものである。
本例において、奇数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ、Ｃｉ＋２：ｉ＝奇数）は、偶数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ＋１：ｉ＝奇数）から離れた位置から接近する位置に向かって、第１の発光素子列８２、第２の発光素子列８３及び第３の発光素子列８４を有している。
本例において、第１乃至第３の発光素子列８２、８３、８４は、主走査方向に沿って配列ピッチＰで発光素子８０を配列したものである。
そして、第１の発光素子列８２の発光素子８０と、第２の発光素子列８３の発光素子８０とは主走査方向に対してＰ／３の配列ピッチで配置され、第２の発光素子列８３の発光素子８０と、第３の発光素子列８４の発光素子８０とは主走査方向に対してＰ／３の配列ピッチで配置されている。

また、第１の発光素子列８２の発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ１）と第２の発光素子列８３の発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ２）とは主走査方向において一部重なり合うように配置され、また、第２の発光素子列８３の発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ２）と第３の発光素子列８４の発光素子８０の発光点Ｌ（具体的にはＬ３）とは主走査方向において一部重なり合うように配置されている。
また、第１乃至第３の発光素子列８２、８３、８４は副走査方向に対してライン間隔の整数Ｎ倍離れて配置されている。
また、偶数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ＋１：ｉ＝奇数）は、奇数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ、Ｃｉ＋２：ｉ＝奇数）に接近した位置から離れた位置に向かって、第１の発光素子列８２、第２の発光素子列８３及び第３の発光素子列８４を有している。
ここで、第１乃至第３の発光素子列８２、８３、８４の構成については、奇数番目の発光素子チップＣと略同様である。
尚、図１６において、ｘｃは奇数番目の発光素子チップＣ（例えばＣｉ＋２）の最初に位置する発光素子８０の主走査方向中心線位置と、これに隣接する偶数番目の発光素子チップＣ（例えばＣｉ＋１）の最後尾に位置する発光素子８０の主走査方向中心線位置との間の距離を示し、本例では配列ピッチＰ／３に合うように選定されている。
また、奇数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ、Ｃｉ＋２）の第２の発光素子列８３の副走査方向の中心位置を結ぶ発光点Ｌの重心位置をｍ１、また、偶数番目の発光素子チップＣ（Ｃｉ＋１）の第２の発光素子列８３の副走査方向の中心位置を結ぶ発光点Ｌの重心位置をｍ２とすると、隣接する発光素子チップＣの副走査方向の偏倚距離ｙｃは｜ｍ１－ｍ２｜に選定されている。

本実施の形態によれば、発光素子アレイ７２の各発光素子チップＣでは、３列の発光素子列８２～８４が設けられ、第１の発光素子列８２が１、４、７……の発光点Ｌ（具体的にはＬ１）、第２の発光素子列８３が２、５、８……の発光点Ｌ（具体的にはＬ２）、第３の発光素子列８４が３、６、９……の発光点Ｌ（具体的にはＬ３）に夫々振り分けられている。
よって、本例では、各発光素子チップＣにおいて、３列の発光素子列８２～８４の発光点Ｌの発光タイミングを調整することで、感光体２１上に結像画像を形成するようにすればよい。
特に、本例では、例えばＰを８００ｄｐｉとすれば、Ｐ／３＝２４００ｄｐｉになることから、実施の形態１と同様に、２４００ｄｐｉの画像を形成することが可能である。
尚、本例では、発光素子チップＣに３列の発光素子列８２～８４を具備させるようにしたが、これに限られるものではなく、例えば４列以上の発光素子列を用いるようにすることも可能である。

◎実施例１
本例は、実施の形態１に係る画像形成装置を具現化したものを用い、光書込装置の発光素子アレイの光量プロファイル及び印字サンプルを採取したものである。
図１７（ａ）は実施例１に係る光書込装置（図中ＬＰＨで表記）の発光素子アレイの光量分布を示す。
同図においては、発光素子アレイの発光素子の発光点から出射されるビームの輝度を示したものである。
ここでは、比較のために、面発光型レーザ（図中ＲＯＳで表記）による光量プロファイルを対比したところ、実施例に係る発光素子アレイの光量分布が大きいことが確認された。
尚、図１７（ａ）の光量分布は副走査方向のものを示しているが、主走査方向についても略同様の傾向が見られた。
また、図１７（ｂ）に示すように、２４００ｄｐｉの文字の印字サンプルを採取したところ、高精細な画像再現が確認された。ここで、評価条件としては、ベストピント時、ラダーは６００ｄｐｉ／２ｏｎ２ｏｆｆ、文字は明朝４ｐｔである。尚、比較のために、面発光型レーザを用いた印字サンプルを採取したところ、実施例による印字サンプルの方が精細であった。

１…発光部品、２…第１の発光素子列、３…第２の発光素子列、４…発光素子、５…電極、６…結像手段、１０…画像形成装置、１１…光書込装置、１２…画像保持手段、ＷＡ１、ＷＡ２…発光点領域、Ｗ１、Ｗ２…発光ビーム領域

Claims (8)

1. 主走査方向に配列される発光素子からなる第１の発光素子列と、
   前記第１の発光素子列に対して副走査方向に偏倚し且つ前記第１の発光素子列の各発光素子の間に位置するように主走査方向に配列される第２の発光素子列と、を含み、
   前記第１の発光素子列の各発光素子による発光点と、前記第２の発光素子列の各発光素子による発光点との間の主走査方向に沿う配列ピッチは、前記第１、第２の発光素子列の各発光素子による発光点間の主走査方向の配列ピッチの１／２以下であり、
   前記第１の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域と、前記第２の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域とを主走査方向に対して重なり合うように配置し、
   前記第１、第２の発光素子列の間で隣り合う発光素子の発光点領域は、主走査方向において３０～７０％の範囲で重なり合い、
   前記第１の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域のうち周囲に配置された非透過性の電極以外の箇所から対象物に向けて光が出射される発光ビーム領域と、前記第２の発光素子列の各発光素子が発光する領域である発光点領域のうち周囲に配置された非透過性の電極以外の箇所から対象物に向けて光が出射される発光ビーム領域とを主走査方向に対して隙間がないように配置し、
   前記第１、第２の発光素子列の間で隣り合う発光素子の発光ビーム領域は、主走査方向において０～１０％の範囲で重なり合うことを特徴とする発光部品。
2. 請求項１に記載の発光部品において、
   前記第１の発光素子列の各発光素子による発光点と、前記第２の発光素子列の各発光素子による発光点との間の副走査方向に沿う配列ピッチは、作像ライン間隔の整数Ｎ倍であることを特徴とする発光部品。
3. 請求項１又は２に記載の発光部品と、
   前記発光部品の各発光素子から出射される光を、光による画像が保持可能な画像保持手段に結像させる結像手段と、を備え、前記画像保持手段に光による画像を書き込むことを特徴とする光書込装置。
4. 請求項３に記載の光書込装置において、
   前記結像手段は、前記第１の発光素子列の各発光素子と前記第２の発光素子列の各発光素子との副走査方向の差よりも大きい直径の屈折率分布型レンズを主走査方向に配列したものであることを特徴とする光書込装置。
5. 請求項４に記載の光書込装置において、
   前記第１の発光素子列と前記第２の発光素子列とは、前記屈折率分布型レンズに対し副走査方向に異なる位置に出射光が入射することを特徴とする光書込装置。
6. 請求項５に記載の光書込装置において、
   前記第１の発光素子列と前記第２の発光素子列とを含む発光素子チップが複数あり、
   前記複数の発光素子チップは、副走査方向及び主走査方向に偏倚して配置され、
   前記結像手段は前記屈折率分布型レンズを複数列に隣接して主走査方向に配列したものであり、
   同じ発光素子チップの各発光素子からの光は主走査方向に並ぶ同列の屈折率分布型レンズに入射し、隣り合う発光素子チップの各発光素子からの光は異なる列の屈折率分布型レンズに入射することを特徴とする光書込装置。
7. 請求項３乃至６いずれかに記載の光書込装置と、
   前記光書込装置に対向して設けられ、前記光書込装置によって書き込まれた光による画像を保持する画像保持手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
8. 請求項７に記載の画像形成装置において、
   前記光書込装置は、前記第１の発光素子列及び前記第２の発光素子列の各発光素子から出射される光で前記画像保持手段に主走査方向に沿う線状画像を書き込んだときに、主走査方向に隣り合う発光点に対応する結像ビーム領域を重ね合うように配置することを特徴とする画像形成装置。

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