JP7601049B2 - 樹脂組成物 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
(A)有機充填材の平均粒径が、5μm以下である、樹脂組成物。
Raは、それぞれ独立に、水素原子又は1価の飽和炭化水素基を表し、
Rbは、水素原子、又は、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表す。)
<2> (C)無機充填材を更に含む、<1>に記載の樹脂組成物。
<3> (B)硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、活性エステル樹脂、シアネート樹脂、(メタ)アクリル樹脂、スチリル樹脂、プロペニル樹脂、及び、マレイミド樹脂、からなる群より選ばれる1種類以上を含む、<1>又は<2>に記載の樹脂組成物。
<4> (A)有機充填材の粒子が、当該(A)有機充填材の粒子の表面に露出したシェル部を含み、
前記シェル部が、前記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む、<1>~<3>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<5> (A)有機充填材の平均粒径が、1μm以下である、<1>~<4>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<6> (B)硬化性樹脂が、活性エステル樹脂を含む、<1>~<5>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<7> Df(25℃)に対するDf(100℃)の上昇率が、20%未満であり、
Df(25℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の25℃での誘電正接を表し、
Df(100℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の100℃での誘電正接を表す、<1>~<6>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<8> (A)有機充填材の量が、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、0.2質量%以上5質量%以下である、<1>~<7>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<9> 絶縁層形成用である、<1>~<8>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<10> <1>~<9>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物。
<11> <1>~<9>の何れか1項に記載の樹脂組成物を含む、シート状積層材料。
<12> 支持体と、当該支持体上に形成された樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、<1>~<9>の何れか1項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
<13> <1>~<9>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
<14> <1>~<9>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、半導体チップパッケージ。
<15> <13>に記載の回路基板を備える、半導体装置。
<16> <14>に記載の半導体チップパッケージを備える、半導体装置。
<I-1> (A)前記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む有機充填材と、(B)硬化性樹脂と、を含み、
(A)有機充填材の平均粒径が、5μm以下である、樹脂組成物。
<I-2> (C)無機充填材を更に含む、<I-1>に記載の樹脂組成物。
<I-3> (B)硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、活性エステル樹脂、シアネート樹脂、(メタ)アクリル樹脂、スチリル樹脂、プロペニル樹脂、及び、マレイミド樹脂、からなる群より選ばれる1種類以上を含む、<I-1>又は<I-2>に記載の樹脂組成物。
<I-4> (A)有機充填材の粒子が、当該(A)有機充填材の粒子の表面に露出したシェル部を含み、
前記シェル部が、前記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む、<I-1>~<I-3>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<I-5> (A)有機充填材の平均粒径が、1μm以下である、<I-1>~<I-4>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<I-6> 絶縁層形成用である、<I-1>~<I-5>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<I-7> <I-1>~<I-6>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物。
<I-8> <I-1>~<I-6>の何れか1項に記載の樹脂組成物を含む、シート状積層材料。
<I-9> 支持体と、当該支持体上に形成された樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、<I-1>~<I-6>の何れか1項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
<I-10> <I-1>~<I-6>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
<I-11> <I-1>~<I-6>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、半導体チップパッケージ。
<I-12> <I-10>に記載の回路基板又は<I-11>に記載の半導体チップパッケージを備える、半導体装置。
<II-1> (A)前記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む有機充填材と、(B)硬化性樹脂と、を含み、
(A)有機充填材の平均粒径が、5μm以下である、樹脂組成物。
<II-2> (C)無機充填材を更に含む、<II-1>に記載の樹脂組成物。
<II-3> (B)硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、活性エステル樹脂、シアネート樹脂、(メタ)アクリル樹脂、スチリル樹脂、プロペニル樹脂、及び、マレイミド樹脂、からなる群より選ばれる1種類以上を含む、<II-1>又は<II-2>に記載の樹脂組成物。
<II-4> (A)有機充填材の粒子が、当該(A)有機充填材の粒子の表面に露出したシェル部を含み、
前記シェル部が、前記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む、<II-1>~<II-3>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<II-5> (B)硬化性樹脂が、活性エステル樹脂を含む、<II-1>~<II-4>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<II-6> Df(25℃)に対するDf(100℃)の上昇率が、20%未満であり、
Df(25℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の25℃での誘電正接を表し、
Df(100℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の100℃での誘電正接を表す、<II-1>~<II-5>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<II-7> (A)有機充填材の量が、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、0.2質量%以上5質量%以下である、<II-1>~<II-6>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<II-8> 絶縁層形成用である、<II-1>~<II-7>のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
<II-9> <II-1>~<II-8>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物。
<II-10> <II-1>~<II-8>の何れか1項に記載の樹脂組成物を含有する、シート状積層材料。
<II-11> 支持体と、当該支持体上に形成された樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、<II-1>~<II-8>の何れか1項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
<II-12> <II-1>~<II-8>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
<II-13> <II-1>~<II-8>の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、半導体チップパッケージ。
<II-14> <II-12>に記載の回路基板又は<II-13>に記載の半導体チップパッケージを備える、半導体装置。
第一に、本発明によれば、誘電正接が低く、クラック耐性及びブリスター耐性に優れる絶縁層を得ることができる樹脂組成物;当該樹脂組成物を含むシート状積層材料及び樹脂シート;当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板、半導体チップパッケージ及び半導体装置;を提供できる。
第二に、本発明によれば、クラック耐性、誘電正接の高温での温度安定性及び絶縁信頼性に優れる絶縁層を得ることができる樹脂組成物;当該樹脂組成物を含むシート状積層材料及び樹脂シート;当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板、半導体チップパッケージ及び半導体装置;を提供できる。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、(A)有機充填材と(B)硬化性樹脂とを組み合わせて含む。(A)有機充填材は、下記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む。そして、(A)有機充填材は、特定範囲の平均粒径を有する。以下、式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを、適宜「ポリマー(1)」ということがある。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、(A)成分としての(A)有機充填材を含む。この(A)有機充填材は、樹脂組成物中に粒子状の形態で存在し、通常は、その粒子状の形態を維持したまま硬化物に含まれる。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、(B)成分としての(B)硬化性樹脂を含む。(B)硬化性樹脂には、上述した(A)成分に該当するものは含めない。(B)硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂であってもよく、光硬化性樹脂であってもよく、これらの組み合わせであってもよい。また、硬化性樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、(C)無機充填材を更に含んでいてもよい。(C)成分としての(C)無機充填材には、上述した(A)~(B)成分に該当するものは含めない。(C)無機充填材は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、(D)硬化促進剤を更に含んでいてもよい。(D)成分としての(D)硬化促進剤には、上述した(A)~(C)成分に該当するものは含めない。(D)硬化促進剤は、(B)硬化性樹脂の硬化を促進させる硬化触媒としての機能を有する。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、(E)熱可塑性樹脂を更に含んでいてもよい。(E)成分としての(E)熱可塑性樹脂には、上述した(A)~(D)成分に該当するものは含めない。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の不揮発成分として、(F)任意の添加剤を更に含んでいてもよい。(F)成分としての(F)任意の添加剤には、上述した(A)~(E)成分に該当するものは含めない。(F)任意の添加剤としては、例えば、過酸化物系ラジカル重合開始剤、アゾ系ラジカル重合開始剤等のラジカル重合開始剤;有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物;フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤;ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤;シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤;ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤;シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤;ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤;尿素シラン等の接着性向上剤;トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤;ヒンダードフェノール系酸化防止剤等の酸化防止剤;スチルベン誘導体等の蛍光増白剤;フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤;リン系難燃剤(例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン)、窒素系難燃剤(例えば硫酸メラミン)、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤(例えば三酸化アンチモン)等の難燃剤;リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の分散剤;ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤;が挙げられる。(F)任意の添加剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、上述した(A)~(F)成分といった不揮発成分に組み合わせて、更に任意の揮発性成分として、(G)溶剤を含んでいてもよい。(G)溶剤としては、通常、有機溶剤を用いる。有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステル系溶剤;テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソール等のエーテル系溶剤;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶剤;酢酸2-エトキシエチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルジグリコールアセテート、γ-ブチロラクトン、メトキシプロピオン酸メチル等のエーテルエステル系溶剤;乳酸メチル、乳酸エチル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステルアルコール系溶剤;2-メトキシプロパノール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(ブチルカルビトール)等のエーテルアルコール系溶剤;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶剤;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤;アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤;ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等を挙げることができる。(G)溶剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、例えば、樹脂組成物に含まれうる成分を混合することによって、製造することができる。上述した成分は、一部又は全部を同時に混合してもよく、順に混合してもよい。各成分を混合する過程で、温度を適宜設定してもよく、よって、一時的に又は終始にわたって、加熱及び/又は冷却してもよい。また、各成分を混合する過程において、撹拌又は振盪を行ってもよい。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物を硬化することにより、硬化物が得られる。前記の効果の際、通常は、樹脂組成物には熱が加えられる。よって、通常、樹脂組成物に含まれる成分のうち、(G)溶剤等の揮発成分は硬化時の熱によって揮発しうるが、(A)~(F)成分といった不揮発成分は、硬化時の熱によっては揮発しない。よって、樹脂組成物の硬化物は、樹脂組成物の不揮発成分又はその反応生成物を含みうる。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、(A)有機充填材と(B)硬化性樹脂とを組み合わせて含む。(A)有機充填材は、式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマー(1)を含む。そして、(A)有機充填材が、特定範囲の平均粒径を有する。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、(A)成分としての(A)有機充填材を含む。この(A)有機充填材は、樹脂組成物中に粒子状の形態で存在し、通常は、その粒子状の形態を維持したまま硬化物に含まれる。(A)有機充填材は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。第二実施形態に係る(A)有機充填材としては、第一実施形態で説明した(A)有機充填材と同じものを用いうる。したがって、第二実施形態に係る(A)有機充填材の範囲は、第一実施形態に係る(A)有機充填材の範囲と同じでありうる。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、(B)成分としての(B)硬化性樹脂を含む。(B)硬化性樹脂には、上述した(A)成分に該当するものは含めない。(B)硬化性樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。第二実施形態に係る(B)硬化性樹脂としては、第一実施形態で説明した(B)硬化性樹脂と同じものを用いうる。したがって、第二実施形態に係る(B)硬化性樹脂の範囲は、第一実施形態に係る(B)硬化性樹脂の範囲と同じでありうる。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、(C)無機充填材を更に含んでいてもよい。(C)成分としての(C)無機充填材には、上述した(A)~(B)成分に該当するものは含めない。(C)無機充填材は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。(C)無機充填材は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。第二実施形態に係る(C)無機充填材としては、第一実施形態で説明した(C)無機充填材と同じものを用いうる。したがって、第二実施形態に係る(C)無機充填材の範囲は、第一実施形態に係る(C)無機充填材の範囲と同じでありうる。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、(D)硬化促進剤を更に含んでいてもよい。(D)成分としての(D)硬化促進剤には、上述した(A)~(C)成分に該当するものは含めない。(D)硬化促進剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。第二実施形態に係る(D)硬化促進剤としては、第一実施形態で説明した(D)硬化促進剤と同じものを用いうる。したがって、第二実施形態に係る(D)硬化促進剤の範囲は、第一実施形態に係る(D)硬化促進剤の範囲と同じでありうる。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、(E)熱可塑性樹脂を更に含んでいてもよい。(E)成分としての(E)熱可塑性樹脂には、上述した(A)~(D)成分に該当するものは含めない。(E)熱可塑性樹脂は、1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。第二実施形態に係る(E)熱可塑性樹脂としては、第一実施形態で説明した(E)熱可塑性樹脂と同じものを用いうる。したがって、第二実施形態に係る(E)熱可塑性樹脂の範囲は、第一実施形態に係る(E)熱可塑性樹脂の範囲と同じでありうる。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の不揮発成分として、(F)任意の添加剤を更に含んでいてもよい。(F)成分としての(F)任意の添加剤には、上述した(A)~(E)成分に該当するものは含めない。(F)任意の添加剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。第二実施形態に係る(F)任意の添加剤としては、第一実施形態で説明した(F)任意の添加剤と同じものを用いうる。したがって、第二実施形態に係る(F)任意の添加剤の範囲は、第一実施形態に係る(F)任意の添加剤の範囲と同じでありうる。
本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、上述した(A)~(F)成分といった不揮発成分に組み合わせて、更に任意の揮発性成分として、(G)溶剤を含んでいてもよい。(G)溶剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。第二実施形態に係る(G)溶剤としては、第一実施形態で説明した(G)溶剤と同じものを用いうる。したがって、第二実施形態に係る(G)溶剤の範囲は、第一実施形態に係る(G)溶剤の範囲と同じでありうる。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、例えば、第一実施形態に係る樹脂組成物と同じく、当該樹脂組成物に含まれうる成分を混合することによって、製造することができる。
本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物を硬化することにより、硬化物が得られる。前記の硬化の際、通常は、樹脂組成物には熱が加えられる。よって、通常、樹脂組成物に含まれる成分のうち、(G)溶剤等の揮発成分は硬化時の熱によって揮発しうるが、(A)~(F)成分といった不揮発成分は、硬化時の熱によっては揮発しない。よって、樹脂組成物の硬化物は、樹脂組成物の不揮発成分又はその反応生成物を含みうる。
上昇率={Df(100℃)-Df(25℃)}/Df(25℃) (X)
(式(X)において、Df(25℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の25℃での誘電正接を表し、Df(100℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の100℃での誘電正接を表す。)
硬化物の誘電正接は、後述する実施例の<試験例II-1:比誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)の測定>に記載の方法で測定できる。
以下の説明では、別に断らない限り、「樹脂組成物」とは、上述した第一実施形態に係る樹脂組成物及び第二実施形態に係る樹脂組成物の両方を包括して示す。樹脂組成物は、絶縁用途の樹脂組成物として使用でき、特に、絶縁層を形成するための樹脂組成物(絶縁層形成用の樹脂組成物)として好適に使用することができる。例えば、本実施形態に係る樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物(半導体チップパッケージの絶縁層用の樹脂組成物)、及び、回路基板(プリント配線板を含む。)の絶縁層を形成するための樹脂組成物(回路基板の絶縁層用の樹脂組成物)として、好適に使用することができる。特に、樹脂組成物は、導体層と導体層との間に設けられる層間絶縁層を形成するために好適である。
樹脂組成物は、ワニス状態で塗布して使用してもよいが、工業的には、該樹脂組成物を含むシート状積層材料の形態で用いることが好適である。
本発明の一実施形態に係る回路基板は、樹脂組成物の硬化物を含む。通常、回路基板は、樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含む。絶縁層は、上述した樹脂組成物の硬化物を含み、好ましくは上述した樹脂組成物の硬化物のみを含む。この回路基板は、例えば、下記の工程(I)及び工程(II)を含む製造方法によって、製造できる。
(I)内層基板上に、樹脂組成物層を形成する工程。
(II)樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成する工程。
本発明の一実施形態に係る半導体チップパッケージは、樹脂組成物の硬化物を含む。通常、半導体チップパッケージは、樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含む。絶縁層は、上述した樹脂組成物の硬化物を含み、好ましくは上述した樹脂組成物の硬化物のみを含む。この半導体チップパッケージとしては、例えば、下記のものが挙げられる。
(A)基材に仮固定フィルムを積層する工程、
(B)半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
(C)半導体チップ上に封止層を形成する工程、
(D)基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
(E)半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層を形成する工程、
(F)再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
(G)再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
(H)複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。
工程(A)は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。
工程(B)は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体チップパッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。
工程(C)は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、例えば、感光性樹脂組成物又は熱硬化性樹脂組成物によって形成しうる。この封止層を、上述した実施形態に係る樹脂組成物の硬化物によって形成してもよい。封止層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成できる。
工程(D)は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。
工程(E)は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。通常、この再配線形成層は、半導体チップ及び封止層上に形成される。再配線形成層は、上述した実施形態に係る樹脂組成物の硬化物によって形成しうる。再配線形成層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を硬化させて再配線形成層を形成する工程とを含む方法で形成できる。半導体チップ上への樹脂組成物層の形成は、例えば、内層基板の代わりに半導体チップを用いること以外は、前記の回路基板の製造方法で説明した内層基板上への樹脂組成物層の形成方法と同じ方法で行いうる。
工程(F)は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、回路基板の製造方法における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程(E)及び工程(F)を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて(ビルドアップ)もよい。
工程(G)は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂組成物が好ましい。ソルダーレジスト層は、上述した実施形態に係る樹脂組成物の硬化物によって形成してもよい。
半導体チップパッケージの製造方法は、工程(A)~(G)以外に、工程(H)を含んでいてもよい。工程(H)は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。
半導体装置は、上述した回路基板又は半導体チップパッケージを備える。半導体装置としては、例えば、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。
温度計、撹拌機及び冷却管を備えた内容量1Lの反応容器に、メタノール410g、水酸化ナトリウム48.0g、及び、ビフェノールを205.0g仕込み、40℃で塩化アリル91.8gを発熱に注意しながら3時間かけて滴下した。その後、メタノールが還流する温度(約60℃)まで昇温し、アリルエーテル化反応を4時間行った。次いで、水洗で塩を除去後、180℃まで昇温し、10時間転移反応を行った。転移反応後、100℃まで温度を下げ、ブタノールを205.0g添加して樹脂を溶解させ、さらに水酸化カリウムを70.5g添加し、115℃で6時間プロペニル化反応を行った。その後、水洗し、濃縮して、前記の式(b1)で表されるプロペニル樹脂(ビフェノールのプロペニル体、水酸基当量133g/eq.)を得た。
<実施例I-1>
ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269g/eq.)20部と、ビスフェノール型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品、エポキシ当量約169g/eq.)10部を、ソルベントナフサ25部に撹拌しながら加熱溶解させて、溶液を得た。この溶液を室温にまで冷却し、エポキシ樹脂の溶解組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)の量を5部から20部に増量した。さらに、活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8150-62T」、活性エステル基当量約220g/eq.、不揮発成分率62質量%のトルエン溶液)100部の代わりに活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性エステル基当量約223g/eq.、不揮発成分率65%のトルエン溶液)100部を用いた。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン/アクリル共重合微粒子(根上工業社製「SEP-03T3A」、平均粒径0.3μm)5部を用いた。また、シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス社製「SO-C2」、平均粒径0.5μm、比表面積5.8m2/g)の量を300部から210部に減量した。さらに、樹脂組成物に更に中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、中空無機充填材、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)を6部追加した。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン微粒子(積水化成工業社製「XX-6283Z」、平均粒径0.3μm)5部を用いた。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、カルボキシ基が付与されたポリスチレン微粒子(積水化成工業社製「XX-6288Z」、平均粒径0.3μm)5部を用いた。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン微粒子(アイカ工業社製「GS-0305」、平均粒径3.0μm)5部を用いた。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリエチレン微粒子(森本ケミカル社製「SB-25」、平均粒径2.5μm)5部を用いた。以上の事項以外は、実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269g/eq.)20部及びビスフェノール型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品、エポキシ当量約169g/eq.)10部の代わりに、ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP-4032-SS」、1,6-ビス(グリシジルオキシ)ナフタレン、エポキシ当量約145g/eq.)20部及びビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量190g/eq.)10部を用いた。さらに、樹脂組成物に、ビフェニルアラルキルノボラック型マレイミド(日本化薬社製「MIR-3000-70MT」、不揮発成分率70%のMEK/トルエン混合溶液)を3部追加した。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ビフェニルアラルキルノボラック型マレイミド(日本化薬社製「MIR-3000-70MT」、不揮発成分率70%のMEK/トルエン混合溶液)3部の代わりに、ビニルベンジル変性ポリフェニレンエーテル(三菱瓦斯化学社製「OPE-2St 2200」、不揮発成分率65%のトルエン溶液)5部を用いた。以上の事項以外は実施例I-8と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン/アクリル共重合微粒子(根上工業社製「SEP-03T3A」、平均粒径0.3μm)3部及びポリスチレン微粒子(積水化成工業社製「XX-6283Z」、平均粒径0.3μm)2部を用いた。また、ビフェニルアラルキルノボラック型マレイミド(日本化薬社製「MIR-3000-70MT」、不揮発成分率70%のMEK/トルエン混合溶液)を3部の代わりに、合成例1で得られたプロペニル樹脂を3部用いた。以上の事項以外は、実施例I-8と同様にして、樹脂組成物を調製した。
活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8150-62T」、活性エステル基当量約220g/eq.、不揮発成分率62質量%のトルエン溶液)100部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、活性基当量約151g/eq.、不揮発成分率50%の2-メトキシプロパノール溶液)10部及びカルボジイミド系硬化剤(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216g/eq.、不揮発成分率50%のトルエン溶液)15部の代わりに、ノボラック型フェノール系硬化剤(DIC社製「TD-2090」、活性基当量約105g/eq.、不揮発成分率60%の溶液)40部を使用した。また、シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス社製「SO-C2」、平均粒径0.5μm、比表面積5.8m2/g)の量を300部から50部に減量した。さらに、硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP))0.2部の代わりにイミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業社製「1B2PZ」、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール)0.1部を使用した。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8150-62T」、活性エステル基当量約220g/eq.、不揮発成分率62質量%のトルエン溶液)100部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、活性基当量約151g/eq.、不揮発成分率50%の2-メトキシプロパノール溶液)10部及びカルボジイミド系硬化剤(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216g/eq.、不揮発成分率50%のトルエン溶液)15部の代わりに、活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性エステル基当量約223g/eq.、不揮発成分率65%のトルエン溶液)15部とビスフェノールAジシアネートのプレポリマー(ロンザジャパン社製「Primaset BA230S75」、シアネート当量約232g/eq.、不揮発成分75質量%のMEK溶液)20部を用いた。また、シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス社製「SO-C2」、平均粒径0.5μm、比表面積5.8m2/g)の量を300部から60部に減量した。さらに、樹脂組成物にコバルト(III)アセチルアセトナート(東京化成社製、Co(III)AcAc)0.01部を追加した。以上の事項以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)を用いなかったこと以外は実施例I-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、コアシェル構造ゴム粒子(アイカ工業社製「スタフィロイドAC3816N」、コア部がアクリル樹脂、シェル部がポリメタクリレート樹脂、平均粒径0.3μm)5部を用いた。ビフェニルアラルキルノボラック型マレイミド(日本化薬社製「MIR-3000-70MT」、不揮発成分率70%のMEK/トルエン混合溶液)を用いなかった。以上の事項以外は実施例I-8と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン粒子(根上工業社製「G-800T」、平均粒径6.0μm)5部を用いた。また、ビフェニルアラルキルノボラック型マレイミド(日本化薬社製「MIR-3000-70MT」、不揮発成分率70%のMEK/トルエン混合溶液)を用いなかった。以上の事項以外は実施例I-8と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)を用いなかったこと以外は実施例I-12と同様にして、樹脂組成物を調製した。
支持体として、離型層を備えたポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。この支持体の離型層上に、上述した実施例及び比較例で得られた樹脂組成物を、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるように均一に塗布した。その後、樹脂組成物を80℃~100℃(平均90℃)で4分間乾燥させて、支持体及び樹脂組成物層を含む樹脂シートを得た。
前記の樹脂シートを200℃にて90分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させた後、支持体を剥離することで、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化物フィルムを得た。硬化物フィルムを、幅2mm、長さ80mmに切り出し、評価用硬化物Aを得た。
(1)樹脂シートのラミネート:
L/S=8μm/8μmの配線パターンとして形成された回路導体(銅)を両面に有する内層基板(日立化成社製「MCL-E700G」、導体層の厚さ35μm、計0.4mm厚、残銅率40%)を用意した。この内層基板の両面に、樹脂組成物層が内層基板と接するように、樹脂シートをラミネートした。かかるラミネートは、真空加圧式ラミネーター(名機製作所社製「MVLP-500」)を用い、温度120℃にて30秒間真空吸引後、温度120℃、圧力7.0kg/cm2の条件で、支持体上から、耐熱ゴムを介して30秒間プレスすることにより行った。次に、大気圧下で、SUS鏡板を用いて、温度120℃、圧力5.5kg/cm2の条件で60秒間プレスを行った。
130℃で30分間加熱し、次いで170℃で30分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させて、樹脂組成物の硬化物からなる硬化物層としての絶縁層を得た。その後、支持体を剥離して、絶縁層/内層基板/絶縁層の層構成を有する試料基板を得た。
試料基板の絶縁層に、粗化処理を施した。具体的には、試料基板を、膨潤液であるアトテックジャパン社製のスエリングディップ・セキュリガントPに60℃で10分間浸漬した。次に、粗化液であるアトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトP(KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬した。最後に、中和液であるアトテックジャパン社製のリダクションソリューション・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。
粗化処理後の絶縁層表面のうち、内層基板の配線パターン上の部分を観察した。100個の内層基板のパターン形状に沿って絶縁層の表面にクラック(割れ)が発生しているか確認し、クラックの発生していないパターン上の部分の数の割合を数えた。この割合を「歩留まり」として算出した。また、算出した歩留まりを以下の基準で点数をつけた。
1点:0%以上20%未満。
2点:20%以上40%未満。
3点:40%以上60%未満。
4点:60%以上80%未満。
5点:80%以上。
5点以上を「○」、3~4点を「△」、2点以下を「×」として評価した。
(1)内装基板の下地処理:
内層基板として、表面に銅箔を有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.8mm、パナソニック社製「R1515A」)を用意した。この内層基板の表面の銅箔を、マイクロエッチング剤(メック社製「CZ8101」)を用いて、銅エッチング量1μmにてエッチングして、粗化処理を行った。その後、190℃にて30分乾燥を行った。
樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が前記の内層基板と接合するように、内層基板の両面にラミネートした。このラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、温度100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより、実施した。次いで、ラミネートされた樹脂シートを、大気圧下、100℃、圧力0.5MPaにて60秒間、熱プレスして平滑化した。
中間基板を、膨潤液であるアトテックジャパン社製のスエリングディップ・セキュリガントPに60℃で10分間浸漬した。次に、粗化液であるアトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトP(KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬した。最後に、中和液であるアトテックジャパン社製のリダクションソリューション・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。得られた中間基板を評価基板Aとした。
絶縁層の表面に回路を形成するために、評価基板Aを、PdCl2を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成を行った。その後、硫酸銅電解メッキを行い、30±5μmの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を180℃にて60分間行った。これにより、絶縁層上に導体層を備える回路基板としての評価基板Bを得た。
評価用基板Bを切断して、100mm×50mmの小片を得た。この小片を、ピーク温度260℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置(日本アントム社製「HAS-6116」)に5回通す試験を行った(リフロー温度プロファイルは、IPC/JEDEC J-STD-020Cに準拠)。前記の試験を5つの小片で行い、試験後の小片を目視観察した。目視観察の結果、3つ以上の小片において導体層にふくれ等の異常があるもののブリスター耐性を「×」と判定した。また、1~2つの小片で導体層にふくれ等の異常があるもののブリスター耐性を「△」と判定した。さらに、全ての小片で全く異常のないもののブリスター耐性を「○」と判定した。
上述した実施例I-1からI-12及び比較例I-1からI-4の結果を、下記の表1~表3に示す。下記の表において、「化合物1」は、合成例1で製造したプロペニル樹脂を表す。
<実施例II-1>
ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269g/eq.)20部及びビスフェノール型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品、エポキシ当量約169g/eq.)10部を、ソルベントナフサ25部に撹拌しながら加熱溶解させて、溶液を得た。この溶液を室温にまで冷却し、エポキシ樹脂の溶解組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)の量を5部から15部に増量した。さらに、活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8150-62T」、活性エステル基当量約220g/eq.、不揮発成分率62質量%のトルエン溶液)100部の代わりに、活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性エステル基当量約223g/eq.、不揮発成分率65%のトルエン溶液)100部を用いた。以上の事項以外は実施例II-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン/アクリル共重合微粒子(根上工業社製「SEP-03T3A」、平均粒径0.3μm)5部を用いた。さらに、シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス社製「SO-C2」、平均粒径0.5μm、比表面積5.8m2/g)の量を300部から210部に減量した。また、樹脂組成物に中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、中空無機充填材、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)6部を追加した。以上の事項以外は実施例II-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、カルボキシ基が付与されたポリスチレン微粒子(積水化成工業社製「XX-6288Z」、平均粒径0.3μm)5部を用いた。さらに、樹脂組成物にビフェニルアラルキルノボラック型マレイミド(日本化薬社製「MIR-3000-70MT」、不揮発成分率70%のMEK/トルエン混合溶液)を3部追加した。以上の事項以外は実施例II-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン微粒子(アイカ工業社製「GS-0305」、平均粒径3.0μm)5部を用いた。加えて、ビスフェノール型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品、エポキシ当量約169g/eq.)10部の代わりに、ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP-4032-SS」、1,6-ビス(グリシジルオキシ)ナフタレン、エポキシ当量約145g/eq.)10部を用いた。さらに、樹脂組成物に、ビニルベンジル変性ポリフェニレンエーテル(三菱瓦斯化学社製「OPE-2St 2200」、不揮発成分率65%のトルエン溶液)を5部追加した。以上の事項以外は実施例II-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(アイカ工業社製「GS-0305」、平均粒径3.0μm)5部の代わりに、ポリエチレン微粒子(森村ケミカル社製「SB-25」、平均粒径2.5μm)5部を用いた。また、ビニルベンジル変性ポリフェニレンエーテル(三菱瓦斯化学社製「OPE-2St 2200」、不揮発成分率65%のトルエン溶液)5部の代わりに、合成例1で得られたプロペニル樹脂を3部用いた。以上の事項以外は、実施例II-5と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(アイカ工業社製「GS-0305」、平均粒径3.0μm)5部の代わりに、ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部を用いた。また、活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8150-62T」、活性エステル基当量約220g/eq.、不揮発成分率62質量%のトルエン溶液)の量を100部から80部に減量した。さらに、シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス社製「SO-C2」、平均粒径0.5μm、比表面積5.8m2/g)の量を300部から250部に減量した。以上の事項以外は実施例II-5と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)を用いなかったこと以外は実施例II-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ポリスチレン微粒子(根上工業社製「SEP-03T3」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、コアシェル構造ゴム粒子(アイカ工業社製「スタフィロイドAC3816N」、コア部がアクリル樹脂、シェル部がポリメタクリレート樹脂、平均粒径0.3μm)5部を用いた。また、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269g/eq.)20部及びビスフェノール型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品、エポキシ当量約169g/eq.)10部に代わりに、ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP-4032-SS」、1,6-ビス(グリシジルオキシ)ナフタレン、エポキシ当量約145g/eq.)20部及びビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量190g/eq.)10部を用いた。以上の事項以外は実施例II-1と同様にして、樹脂組成物を調製した。
ゴム粒子(アイカ工業社製「スタフィロイドAC3816N」、平均粒径0.3μm)5部の代わりに、ポリスチレン粒子(根上工業社製「G-800T」、平均粒径6.0μm)5部を用いた。以上の事項以外は、比較例II-2と同様にして、樹脂組成物を調製した。
支持体として、離型層を備えたポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。この支持体の離型層上に、上述した実施例及び比較例で得られた樹脂組成物を、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるように均一に塗布した。その後、樹脂組成物を80℃~100℃(平均90℃)で4分間乾燥させて、支持体及び樹脂組成物層を含む樹脂シートを得た。
前記の樹脂シートを200℃にて90分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させた後、支持体を剥離することで、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化物フィルムを得た。硬化物フィルムを、62mm×75mmに切り出し、評価用硬化物Aを得た。
実施例群Iに係る説明の<試験例I-2:クラック耐性の評価>において説明した方法によって、各実施例及び比較例で製造した樹脂組成物を用いた絶縁層の形成及びクラックの評価を行った。
樹脂シートをバッチ式真空ラミネーター(ニチゴーモートン社製「VP160」)を用いて、L/S=20μm/20μmのTABテープ(tape automated bondigに用いられるテープ)にラミネートした。支持体を剥離した後、バッチ式オーブンにて180℃、90分間加熱し、樹脂組成物層を硬化させて、TABテープ/絶縁層の層構成を有するサンプルを得た。絶縁層の抵抗値を7カ所で測定した。こうして測定された絶縁層の抵抗値を「初期抵抗値」という。
○:初期抵抗値及びHAST後抵抗値ともに、絶縁性良好なサンプルが6か所以上。
△:初期抵抗値及びHAST後抵抗値ともに、絶縁性良好なサンプルが5か所。
×:初期抵抗値及びHAST後抵抗値ともに、絶縁性良好なサンプルが5か所未満。
上述した実施例II-1からII-7及び比較例II-1からII-3の結果を、下記の表4及び表5に示す。
110 半導体チップ
120 封止層
130 再配線形成層
140 再配線層
150 ソルダーレジスト層
160 バンプ
Claims (15)
- (A)下記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む有機充填材と、(B)硬化性樹脂と、を含み、
(A)有機充填材の平均粒径が、5μm以下であり、
(B)硬化性樹脂が、エポキシ樹脂及び活性エステル樹脂を含み、
(A)有機充填材の量が、樹脂組成物の樹脂成分100質量%に対して、0.2質量%以上40質量%以下であり、
エポキシ樹脂の量が、樹脂組成物の樹脂成分100質量%に対して、5質量%以上80質量%以下であり、
活性エステル樹脂の量が、樹脂組成物の樹脂成分100質量%に対して、1質量%以上80質量%以下である、樹脂組成物。
(式(1)において、
Raは、それぞれ独立に、水素原子又は1価の飽和炭化水素基を表し、
Rbは、置換基を有していてもよい1価の芳香族炭化水素基を表す。) - (C)無機充填材を更に含む、請求項1に記載の樹脂組成物。
- (B)硬化性樹脂が、フェノール樹脂、シアネート樹脂、(メタ)アクリル樹脂、スチリル樹脂、プロペニル樹脂、及び、マレイミド樹脂、からなる群より選ばれる1種類以上を含む、請求項1に記載の樹脂組成物。
- (A)有機充填材の粒子が、当該(A)有機充填材の粒子の表面に露出したシェル部を含み、
前記シェル部が、前記式(1)で表される繰り返し単位を含有するポリマーを含む、請求項1に記載の樹脂組成物。 - (A)有機充填材の平均粒径が、1μm以下である、請求項1に記載の樹脂組成物。
- Df(25℃)に対するDf(100℃)の上昇率が、20%未満であり、
Df(25℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の25℃での誘電正接を表し、
Df(100℃)は、樹脂組成物を200℃で90分間熱処理して得られる硬化物の100℃での誘電正接を表す、請求項1に記載の樹脂組成物。 - (A)有機充填材の量が、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して、0.2質量%以上5質量%以下である、請求項1に記載の樹脂組成物。
- 絶縁層形成用である、請求項1に記載の樹脂組成物。
- 請求項1~8の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物。
- 請求項1~8の何れか1項に記載の樹脂組成物を含む、シート状積層材料。
- 支持体と、当該支持体上に形成された樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、請求項1~8の何れか1項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。 - 請求項1~8の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
- 請求項1~8の何れか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、半導体チップパッケージ。
- 請求項12に記載の回路基板を備える、半導体装置。
- 請求項13に記載の半導体チップパッケージを備える、半導体装置。
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