JP7604355B2 - ブランキングアパーチャアレイシステム及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

Description

実施形態は、概してブランキングアパーチャアレイシステム及び荷電粒子ビーム描画装置に関する。

半導体装置の製造にマスクが使用される。微細な素子を形成するために、マスクのパターンも微細であることが要求される。微細なパターンを有するマスクを形成するために、マスクの材料に対して、電子ビームを使用してパターンが描画される。マスクを効率的に形成するために、複数の電子ビームを使用する描画方式（マルチビーム描画方式）が使用され得る。

マルチビーム描画方式では、電子ビームが、複数のアパーチャを有するマスク（成形アパーチャアレイプレート）を通過させられて、マルチビームが形成される。マルチビームは、複数のアパーチャを有するブランキングアパーチャアレイ機構に向かう。各ビームは、ブランキングアパーチャアレイ機構によって、個別に偏向され、偏向されたビームは遮蔽物に当たることにより、マスクに到達しない。

ブランキングアパーチャアレイ機構は、各アパーチャの周囲に、当該アパーチャを通過するビームを偏向させるための機構を含む。この機構は電極、及び電極に電圧を印加するための電子回路の素子を含む。電子回路は、ブランキングアパーチャアレイ機構の外部から供給された、ブランキングアパーチャアレイ機構のブランカを制御するためのデータを伝送するとともに、電極に印加される電圧を生成する。

特開２０１４－０３９０１１号公報

描画のための電子ビームの放射により、ブランキングアパーチャアレイ機構中の電子回路の素子がダメージを受け得る。ダメージの蓄積により、素子の特性は劣化し得る。特性の劣化が、或る臨界点を超えると、電子回路の素子は故障し得、この場合、ブランキングアパーチャアレイ機構は正確に動作できなくなる。例として、電子回路の故障により、ブランキングアパーチャを制御するためのデータが正しく伝送されない。また、微細化に伴い大容量データを高速で転送するため、ビットエラーレートが低くてもまれに転送異常が発生する可能性がある。マスクは非常に微細なパターンを有するため、わずか１ビットのデータの伝送の失敗でさえマスクに欠陥を生成し得る。

これを回避するために、描画の前にブランキングアパーチャアレイ機構が診断され得る。診断の時点で故障が発見された場合、描画の前に対処することが可能である。しかしながら、描画装置はほぼ常時稼働しているので、確率的に上記異常は描画の最中に発生する場合が多い。描画の最中に故障が検出されれば、例えば、故障を補償するように制御データを変更することにより、故障に対処することが可能である。このため、描画中に故障を検出する技術が望まれる。

一方、描画は大量のデータが高速で伝送されることを要し、また、故障の検出ための描画の中断は望まれない。よって、描画中に、描画をできるだけ阻害しない形で故障を検出できる荷電粒子ビーム装置が望まれる。また、マルチビーム方式では大容量のデータを高速で送るため、ビットエラーレートが低くてもデータ変化することが起こり得る。

一実施形態による、マルチ荷電粒子ビーム照射装置に用いられるブランキングアパーチャアレイシステムは、データ出力回路と、シフトレジスタと、バッファと、電極と、誤り検出回路と、を含む。上記データ出力回路は、ビーム照射に使用される制御データの１つである第１データ及び上記第１データから生成された上記第１データの誤りを検出するための第１誤り検出符号を出力する。上記シフトレジスタは、直列に接続された複数のレジスタを含み、上記データ出力回路から入力された上記第１データ及び上記第１誤り検出符号を転送する。上記バッファは、上記複数のレジスタのうちの１つである第１レジスタから出力された上記第１データを上記第１レジスタから受け取る。上記電極は、上記バッファから出力された上記第１データに基づく電圧を受ける。上記誤り検出回路は、上記複数のレジスタのうちの最終段のレジスタから上記第１データ及び上記第１誤り検出符号を受け取り、上記最終段のシフトレジスタから受け取った上記第１データから、上記第１データの誤りを検出するための第２誤り検出符号を生成し、上記最終段のレジスタからの上記第１誤り検出符号と、上記第２誤り検出符号とが一致する場合に一致を示し、不一致である場合に不一致を示す検出信号を生成する。

描画の進捗を大きく妨げることなく、描画中に制御データを転送する経路を検査することが可能なブランキングアパーチャアレイシステム及び荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

図１は、第１実施形態に係る描画装置の要素を示す。 図２は、第１実施形態の制御装置のハードウェアによる構成を示す。 図３は、第１実施形態の成形アパーチャアレイプレートの構造をｘｙ面に沿って示す。 図４は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構の構造をｘｚ面に沿って示す。 図５は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構の構造をｘｙ面に沿って示す。 図６は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構の回路及び関連する要素を示す。 図７は、第１実施形態の制御回路の一部の要素及び接続、並びに関連する要素を示す。 図８は、図７の一部を示す。 図９は、第１実施形態の描画装置中のデータの転送及び生成を概略的に示す。 図１０は、第２実施形態の制御回路の一部の要素及び接続、並びに関連する要素を示す。 図１１は、第２実施形態の描画装置中のデータの転送及び生成を概略的に示す。

以下に実施形態が図面を参照して記述される。以下の記述において、略同一の機能及び構成を有する構成要素は同一の参照符号を付され、繰返しの説明は省略される場合がある。略同一の機能及び構成を有する複数の構成要素が相互に区別されるために、参照符号の末尾にさらなる数字又は文字が付される場合がある。

或る実施形態についての記述は全て、明示的に又は自明的に排除されない限り、別の実施形態の記述としても当てはまる。また、各機能ブロックは、ハードウェア、コンピュータソフトウェアのいずれか又は両者を組み合わせたものとして実現されることが可能である。各機能ブロックが、以下の例のように区別されていることは必須ではない。例えば、一部の機能が例示の機能ブロックとは別の機能ブロックによって実行されてもよい。さらに、例示の機能ブロックがさらに細かい機能サブブロックに分割されていてもよい。

以下、ｘｙｚ直交座標系が用いられて、実施形態が記述される。

１．第１実施形態
１．１．構造（構成）
図１は、第１実施形態に係る描画装置の要素（構成）を示す。描画装置１は、例として、マルチ荷電粒子ビーム描画装置である。いくつかの要素は、後にさらに詳しく記述される。

描画装置１は、制御回路系２及び描画機構３を含む。描画機構３は、荷電粒子ビームを生成し、この生成した荷電粒子ビームを試料６に照射することにより、試料６にパターンを描画する。試料６の例は、レジストが塗布されたマスク、又は、レチクルを含む。制御回路系２は、描画機構３の動作を制御する。

描画機構３は、真空チャンバ３１を含む。真空チャンバ３１の内部は、描画装置１による試料６への描画の間、例えば真空に保たれる。真空チャンバ３１は、ライティングチャンバ３１ａ及び鏡筒３１ｂから構成されている。

ライティングチャンバ３１ａは、例えば直方体の形状を有し、内部に空間を有する。ライティングチャンバ３１ａは、試料６を収容する。ライティングチャンバ３１ａは、上面において開口を有し、開口において鏡筒３１ｂの内部空間と接続されている。

描画装置１は、また、ライティングチャンバ３１ａ内において、ステージ３１０を含む。ステージ３１０の上面上には、描画の間、試料６が配置される。ステージ３１０は、試料６を実質的に水平に保持した状態で、ｘ軸及びｙ軸に沿って移動することができる。ステージ３１０の上面上には、ミラー３１２ｘ及びミラー３１２ｙが設けられている。ミラー３１２ｘはｙ軸に沿って延び、ミラー３１２ｙはｘ軸に沿って延びる。ミラー３１２ｘ及び３１２ｙは、ステージ３１０の位置の検出のための基準として使用される。

鏡筒３１ｂは、ｚ軸に沿って延びる円筒の形状を有し、例えばステンレスからなる。鏡筒３１ｂの下端は、ライティングチャンバ３１ａの内部に位置する。また、描画装置１は、鏡筒３１ｂ内において、電子銃３２０、照明レンズ３３０、縮小レンズ３３１、及び対物レンズ３３２、成形アパーチャアレイプレート３４０、制限アパーチャアレイプレート３４１、ブランキングアパーチャアレイ機構（ブランキングアパーチャアレイシステム、ブランキングアパーチャアレイ基板）３５０、並びに偏向器３６０及び３６１を有する。

電子銃３２０は、鏡筒３１ｂの内部の上部に位置する。電子銃３２０は、例えば熱陰極型の電子銃であり、陰極、ウェネルト電極、及び陽極等の要素を含む。電子銃３２０は、電圧を受けると、ｚ軸に沿った下方（－ｚ方向）へ電子ビームＥＢを射出する。電子ビームＥＢは、ｚ軸に沿って進行するに連れてｘｙ面に沿って広がって行く。

照明レンズ３３０は、環状の電磁レンズであり、電子銃３２０のｚ軸に沿った下方に位置する。照明レンズ３３０は、照明レンズ３３０に到達した、ｘｙ面に広がりを持つ電子ビームＥＢを、ｚ軸に沿って平行に進行するように整形する。

成形アパーチャアレイプレート３４０は、照明レンズ３３０のｚ軸に沿った下方に位置する。成形アパーチャアレイプレート３４０は、複数のアパーチャを有し、成形アパーチャアレイプレート３４０に入射する電子ビームＥＢの一部を、複数のアパーチャを通過させて、複数の電子ビームＥＢｍへと分岐させる。

ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、成形アパーチャアレイプレート３４０のｚ軸に沿った下方（－ｚ方向）に位置する。ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、複数の電子ビームＥＢｍを個別にブランキングする。ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、成形アパーチャアレイプレート３４０の開口のｚ軸に沿った下方（－ｚ方向）にそれぞれが位置する複数のアパーチャ、及び各アパーチャの周囲に設けられたブランカを有する。各ブランカによって、当該ブランカが設けられた対象のアパーチャに入射した電子ビームＥＢｍがブランキングされる。

縮小レンズ３３１は、環状の電磁レンズであり、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０のｚ軸に沿った下方（－ｚ方向）に位置する。縮小レンズ３３１は、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０を通過した互いに平行な複数の電子ビームＥＢｍを、制限アパーチャアレイプレート３４１のアパーチャの中心へと集束させる。

制限アパーチャアレイプレート３４１は、ｘｙ面に沿って広がる板状の形状を有し、ｘｙ面の中央においてアパーチャを有する。アパーチャは、縮小レンズ３３１を通過した複数の電子ビームＥＢｍの集束点（クロスオーバーポイント）の近傍に位置する。ブランキングアパーチャアレイ機構３５０に設けられたブランカによってビームが偏向されたビームは、この制限アパーチャアレイプレート３４１の中央に設けられたアパーチャを通過することができず、制限アパーチャアレイプレート３４１に当たり、ブランキングされる。制限アパーチャアレイプレート３４１は、複数の電子ビームＥＢｍにアパーチャを通過させることによって、電子ビームＥＢｍのｘｙ面に沿った形状を整形する。整形された複数の電子ビームＥＢｍは、或る形状のショットを形成する。

偏向器３６０は、制限アパーチャアレイプレート３４１のｚ軸に沿った下方（－ｚ方向）に位置する。偏向器３６０には、制限アパーチャアレイプレート３４１から放射されるショット形状の電子ビームＥＢｍが入射する。偏向器３６０は、電極の複数の対を含む。図１では、図が不要に煩雑になることを避けるために、１対の電極のみが示されている。各対を構成する２つの電極は対向している。各電極は電圧を受け、偏向器３６０は、複数の電極への電圧の印加に応じて、入射した電子ビームＥＢｍをｘ軸に沿って及び（又は）ｙ軸に沿って偏向する。

対物レンズ３３２は、環状の電磁レンズであり、偏向器３６０を囲む。対物レンズ３３２は、偏向器３６０と協働し、電子ビームＥＢｍを試料６の特定の位置へとフォーカスする。

偏向器３６１は、偏向器３６０のｚ軸に沿った下方（－ｚ方向）に位置する。偏向器３６１には、偏向器３６０を通過した電子ビームＥＢｍが入射する。偏向器３６０は、電極の複数の対を含む。図１では、図が不要に煩雑になることを避けるために、１対の電極のみが示されている。各対を構成する２つの電極は対向している。各電極は電圧を受け、偏向器３６０は、複数の電極への電圧の印加に応じて、入射した電子ビームＥＢｍをｘ軸に沿って及び（又は）ｙ軸に沿って偏向する。

制御回路系２は、制御装置２１、電源装置２２、レンズ駆動装置２３、ＢＡＡ制御ユニット２４、照射量制御ユニット２５、偏向器アンプ２７、及びステージ駆動装置２８を含む。

制御装置２１は、電源装置２２、レンズ駆動装置２３、ＢＡＡ制御ユニット２４、照射量制御ユニット２５、偏向器アンプ２７、及びステージ駆動装置２８を制御する。制御装置２１は、例えば、描画装置１のユーザからの入力を受け取り、この受け取った入力に基づいて、電源装置２２、レンズ駆動装置２３、ＢＡＡ制御ユニット２４、照射量制御ユニット２５、偏向器アンプ２７、及びステージ駆動装置２８を制御する。

電源装置２２は、制御装置２１から制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、電子銃３２０に電圧を印加する。

レンズ駆動装置２３は、制御装置２１から制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、照明レンズ３３０を制御する。具体的には、レンズ駆動装置２３は、電子ビームＥＢに対する照明レンズ３３０の強度、すなわち、電子ビームＥＢを屈折させる強度を制御する。レンズ駆動装置２３は、照明レンズ３３０の強度を、照明レンズ３３０のｚ軸の上方から照明レンズ３３０に入射した、進行とともにｘｙ面に沿って広がる電子ビームＥＢをｚ軸に実質的に平行な電子線に整形するように制御する。

レンズ駆動装置２３は、また、制御装置２１から制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、縮小レンズ３３１の強度を制御する。レンズ駆動装置２３は、縮小レンズ３３１の強度を、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０のブランカによってブランキング偏向されることなく縮小レンズ３３１のｚ軸の上方から縮小レンズ３３１に入射した電子ビームＥＢｍが制限アパーチャアレイプレート３４１のアパーチャの中心へと集束するように、制御する。

レンズ駆動装置２３は、さらに、制御装置２１から制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、対物レンズ３３２の強度を制御する。レンズ駆動装置２３は、対物レンズ３３２の強度を、対物レンズ３３２のｚ軸の上方から対物レンズ３３２に入射した電子ビームＢＭが試料６の上面にフォーカスするように、制御する。なお、レンズ駆動装置２３は、電子ビームＢＭを縮小しても良い。

ＢＡＡ制御ユニット２４は、制御装置２１からＢＡＡ制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０を制御する。

照射量制御ユニット２５は、制御装置２１から制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、照射量制御データを生成する。照射量制御ユニット２５は、生成した照射量制御データをＢＡＡ制御ユニット２４に供給して、ＢＡＡ制御ユニット２４を介して電子ビームＢＭの試料６に対する照射量を制御する。

偏向器アンプ２７は、制御装置２１から制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、偏向器３６０及び３６１のそれぞれを制御するための制御信号を生成する。この生成された制御信号は、それぞれ、偏向器３６０及び３６１に供給される。偏向器３６０のための信号は、偏向器３６０の各対の２つの電極の電位差を指定する。同様に、偏向器３６１のための信号は、偏向器３６１の各対の２つの電極の電位差を指定する。偏向器アンプ２７は、偏向器３６０が、電子ビームＥＢｍを制御装置２１により指定される量及び（又は）向きだけ偏向させる電圧を受けるように、偏向器３６０のための信号を生成する。同様に、偏向器アンプ２７は、偏向器３６１が、電子ビームＥＢｍを制御装置２１により指定される量及び（又は）向きだけ偏向させる電圧を受けるように、偏向器３６１のための信号を生成する。

ステージ駆動装置２８は、図示せぬレーザセンサ等の手段を用いて、ミラー３１２ｘ及び３１２ｙの位置を測定し、この測定された位置に基づいてステージ３１０の位置を検出する。また、ステージ駆動装置２８は、制御装置２１から制御データを受け取り、この受け取った制御データに基づいて、ステージ３１０を駆動する。ステージ３１０の駆動により、試料６が、所望の位置へ移動する。

図２は、第１実施形態の制御装置２１の構成を示し、特に、ハードウェアによる構成を示す。図２に示されるように、制御装置２１は、プロセッサ２１１、ＲＯＭ（read only memory）２１２、記憶装置２１３、入力装置２１４、出力装置２１５、及びインターフェイス２１６を含む。

ＲＯＭ２１２は、プロセッサを制御するためのプログラムを不揮発に記憶する。記憶装置２１３は、揮発性のメモリ、不揮発性のメモリ、及び（又は）ハードディスクを含み、データを保持する。プロセッサ２１１は、例えば、ＣＰＵ（central processing unit）であり、ＲＯＭ２１２に記憶されていて、記憶装置２１３にロードされたプログラムを実行することにより、種々の動作を行う。プロセッサ２１１は、プログラムに従って、記憶装置２１３、入力装置２１４、出力装置２１５、及びインターフェイス２１６を制御する。プログラムは、制御装置２１、特にプロセッサ２１１に、種々の動作を行わせることができるように構成されている。

入力装置２１４は、キーボード、マウス、及びタッチパネルの１つ以上を含み、描画装置１のユーザが指示及び（又は）パラメータを入力することを可能にする。出力装置２１５は、ディスプレイを含み、描画装置１のユーザに種々の情報を提示する。インターフェイス２１６は、制御装置２１による電源装置２２、レンズ駆動装置２３、ＢＡＡ制御ユニット２４、照射量制御ユニット２５、偏向器アンプ２７、及びステージ駆動装置２８との通信を司る。

図３は、第１実施形態の成形アパーチャアレイプレート３４０の構造をｘｙ面に沿って概略的に示す。図３に示されるように、成形アパーチャアレイプレート３４０は、ｘｙ面に沿って広がり、例えば、矩形の形状を有する。成形アパーチャアレイプレート３４０は、例えば、ベースとしてシリコンを有し、ベースの表面を薄膜により覆われている。薄膜は、例えば、クロムであり、めっき又はスパッタにより形成されることが可能である。成形アパーチャアレイプレート３４０は、複数のアパーチャ３４０ａを有する。アパーチャ３４０ａは、成形アパーチャアレイプレート３４０のｚ軸に沿って対向する２つの面、すなわち上面と底面を貫く。アパーチャ３４０ａは、例えば、ｘ軸とｙ軸に沿って行列状に配列されている。アパーチャ３４０ａは、例えば正方形であり、互いに実質的に同じ形状を有する。

電子銃３２０から射出した電子ビームＥＢは、照明レンズ３３０によってｚ軸に沿って平行になるように整形され、成形アパーチャアレイプレート３４０の上面に入射する。入射した電子ビームＥＢのうちの一部は、成形アパーチャアレイプレート３４０によって遮蔽され、残りはアパーチャ３４０ａを通過する。このような電子ビームＥＢの選択的な遮蔽と通過により、電子ビームＥＢが、ｚ軸に沿って下方へ進行する複数の電子ビームＥＢｍに分割（マルチ化）される。

図４は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０の構造をｘｚ面に沿って示す。図４に示されるように、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、基部３５１を含む。基部３５１はｘｙ面に沿って広がる。

基部３５１の上面上に、基板３５２が設けられている。基板３５２は、例えば、シリコン等の半導体からなる。基板３５２は、底面の縁において基板３５２の上面上に位置しており、中央部３５２ａにおいて縁よりも薄い。また、基板３５２は、中央部３５２ａにおいて、複数のアパーチャ３５３を含む。各アパーチャ３５３は、基板３５２の上面と底面に亘る。アパーチャ３５３は、ｘｙ面において配列されている。各アパーチャ３５３は、成形アパーチャアレイプレート３４０のアパーチャ３４０ａのｚ軸に沿った下方に位置し、ｘｙ面において、例えば、アパーチャ３４０ａのｘｙ面における形状と相似の形状を有し、アパーチャ３４０ａのｘｙ面における形状よりやや大きい。また、各アパーチャ３５３の中心は、ｘｙ面上において成形アパーチャアレイプレート３４０のアパーチャ３４０ａの中心と実質的に一致する。アパーチャ３５３は、成形アパーチャアレイプレート３４０のアパーチャ３４０ａを通過した電子ビームＥＢｍを通過させる。

ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、また、複数の電極対３５４を含む。各電極対３５４は、それぞれ１つのアパーチャ３４０ａのために設けられており、電極３５５及び３５６を含み、ブランカとして機能する。電極３５５及び３５６は、例えば銅を含むか、銅からなる。各電極対３５４の電極３５５及び３５６は、互いに離れており、当該電極対３５４が設けられる対象の１つのアパーチャ３５３を挟む。

基板３５２のうち、隣り合う電極対３５４の間（ある電極対３５４の電極３５５と隣接した電極対３５４の電極３５６との間）の部分に、制御回路３５７が設けられている。各制御回路３５７は、１つの電極対３５４のために設けられている。各制御回路３５７は、種々の制御信号を受け取り、この受け取った制御信号に基づいて、当該制御回路３５７が設けられる対象の１つの電極対３５４に電圧を印加する。各制御回路３５７は、基板３５２に形成された複数のトランジスタ及び抵抗などの素子を含む。

基板３５２の中央部３５２ａの端に、データ出力回路３５９が設けられている。各データ出力回路３５９は、ＢＡＡ制御ユニット２４から制御データＤＬＳを受け取り、この受け取った制御データＤＬＳから、制御データＤＬＳとは異なる形式の制御データＤＬをパラレルに出力する。データ出力回路３５９は、基板３５２に形成された複数のトランジスタ及び抵抗などの素子を含む。

図５は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０の構造をｘｙ面に沿って示す。図５に示されるように、各電極３５６は、矩形から一辺が除かれた形状を有する。電極３５６の３つの辺は、当該電極３５６によって囲まれるアパーチャ３５３の３つの辺に沿って延びる。図５は、例として、各電極３５６が、アパーチャ３５３のｘ軸に平行な２つの辺と、ｙ軸に平行な２つの辺のうちの左側の辺に沿う構造を示す。

各電極３５５は、対応するアパーチャ３５３の辺のうちの、当該電極３５５と電極対３５４を構成する電極３５６が沿わない辺に沿って延びる。図５は、各電極３５５が、ｙ軸に平行な２つの辺のうちの右側の辺に沿う構造を示す。

電極３５６は接地されている。各電極３５５は、当該電極３５５に対応する１つの制御回路３５７と電気的に接続されている。

各制御回路３５７は、上記のように、種々の制御信号を受け取る。制御信号は、クロック信号及び制御データＤＬを含む。制御信号は、ＢＡＡ制御ユニット２４から供給される。制御回路３５７は、また、内部電源電位ＶＣＣ（例えば、５Ｖ）のノードと接続されている。

各電極３５６は、共通（接地）電位ＶＳＳ（例えば、０Ｖ）のノードと接続されている。

図６は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０の回路図であり、さらに関連する要素を示す。図６に示されるように、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、複数のデータ出力回路３５９（３５９Ａ、３５９Ｂ、…）を有する。各データ出力回路３５９は、ＢＡＡ制御ユニット２４からクロックを受け取り、また、当該データ出力回路３５９用の制御データＤＬＳ（ＤＬＳＡ、ＤＬＳＢ、…）を受け取る。すなわち、データ出力回路３５９Ａは、ＢＡＡ制御ユニット２４から制御データＤＬＳＡを受け取り、データ出力回路３５９Ｂは、ＢＡＡ制御ユニット２４から制御データＤＬＳＢを受け取る。他のデータ出力回路３５９についても同様である。制御データＤＬＳは、複数のビットからなる。

各データ出力回路３５９は、制御回路３５７の組と接続されている。各データ出力回路３５９は、受け取った制御データＤＬＳに基づいて、複数の制御データＤＬを並列に出力する。また、各データ出力回路３５９は、或る制御データＤＬについての誤り検出符号ＥＤＴを出力する。この実施形態では誤り検出符号ＥＤＴはデータ出力回路３５９によって生成されるものとして説明するが、ＢＡＡ制御ユニット２４によって生成されてもよい。データ出力回路３５９によって出力された誤り検出符号ＥＤＴは、当該データ出力回路３５９と制御回路３５７を介して接続された誤り検出回路３５８によって受け取られる。この受け取られた誤り検出符号ＥＤＴは、以下、送信誤り検出符号ＥＤＴと称される。

制御データＤＬは、制御回路３５７の組に供給される。ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、さらに、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０に含まれるデータ出力回路３５９の数と同じ数の誤り検出回路３５８、及び論理和（ＯＲ）ゲート３５８２を含む。各制御回路３５７は、後述のようにレジスタを含んでおり、制御回路３５７の組は、レジスタを介してデータを転送することができる。制御回路３５７の詳細については、後述される。

各誤り検出回路３５８は、或る１組の制御回路３５７のために設けられており、当該１組の制御回路３５７のうちの或る複数の制御回路３５７と接続されている。誤り検出回路３５８と、対応する制御回路３５７の組との接続の詳細は、後述される。

各誤り検出回路３５８は、当該誤り検出回路３５８と接続された複数の制御回路３５７から制御データＤＬを受け取る。各誤り検出回路３５８は、制御回路３５７を介して、データ出力回路３５９から、或る制御データＤＬと、当該制御データＤＬについての送信誤り検出符号ＥＤＴを受け取る。各誤り検出回路３５８は、この受け取った制御データＤＬと、送信誤り検出符号ＥＤＴとに基づいて、受け取った制御データＤＬ中の誤りを検出する。具体的には、以下の通りである。

各誤り検出回路３５８は、受け取ったデータ、すなわち制御データＤＬから、或る手法で誤り検出符号を生成する。使用され得る手法は、いかなるタイプのものであってもよく、手法の例は、ＣＲＣ（cyclic redundancy check）、及びチェックサムを含む。以下、誤り検出回路３５８で生成される誤り検出符号は、算出誤り検出符号ＥＤＣと称される。

或る制御データＤＬについての送信誤り検出符号ＥＤＴと算出誤り検出符号ＥＤＣとは、制御データＤＬが、データ出力回路３５９から正しく誤り検出回路３５８に伝送されていれば、一致しているはずである。この事実に基づいて、誤り検出回路３５８は、送信誤り検出符号ＥＤＴと算出誤り検出符号ＥＤＣとを照合する。

誤り検出回路３５８は、或る制御データＤＬについての送信誤り検出符号ＥＤＴと、算出誤り検出符号ＥＤＣとが不一致である場合、不一致の旨を示す検出信号を出力する。この検出信号は、例えば、デジタル信号であり、ハイレベルによって不一致の検出を示す。

ＯＲゲート３５８２は、全ての誤り検出回路３５８からの検出信号を受け取る。ＯＲゲート３５８２は、受け取られた検出信号のいずれか１つがハイレベルを有している場合、誤り検出の旨を示すハイレベルの報知信号を出力する。ＯＲゲート３５８２によって出力された報知信号は、制御装置２１に送信される。制御装置２１は、誤り検出の旨を示す報知信号を受け取ると、例えば、図２の出力装置２１５を使用して、誤り検出の旨をユーザに知らせる。

図７は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０の一部のより詳細な回路図であり、１つのデータ出力回路３５９と直接又は間接的に接続される要素を代表として示す。他のデータ出力回路３５９と接続される部分も、図７に示される要素及び接続を有する。

上記のように、制御データＤＬＳから、複数の制御データＤＬが形成される。図７は、４つの制御データＤＬの例を示す。４つの制御データＤＬは、制御データＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、及びＤＬｄと称される。各制御回路３５７は、制御データＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、又はＤＬｄを受け取る。制御データＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、及びＤＬｄについての送信誤り訂正符号ＥＤＴは、それぞれ、送信誤り訂正符号ＥＤＴａ、ＥＤＴｂ、ＥＤＴｃ、及びＥＤＴｄと称される場合がある。制御データＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、及びＤＬｄをそれぞれ受け取る制御回路３５７は、制御回路３５７ａ、３５７ｂ、３５７ｃ、及び３５７ｄと称される場合がある。

各制御回路３５７は、１つのレジスタ（例えば、Ｄ型フリップフロップ）３５７１（３５７１ａ、３５７１ｂ、３５７１ｃ、３５７１ｄ）、少なくとも１つのバッファ３５７２、及びレベルシフタ３５７３を含む。図７及び以下の記述は、各制御回路３５７が１つのバッファ３５７２を含む例に基づく。

各レジスタ３５７１及び各バッファ３５７２は、１ビットのデータを保持する。各制御回路３５７において、レジスタ３５７１の出力は、バッファ３５７２の入力に接続されている。各バッファ３５７２は、例えば、ＢＡＡ制御ユニット２４から制御信号を受け取り、この制御信号に基づいて、入力で受け取られているデータ保持し、また、制御信号に基づいて保持しているデータを出力する。各制御回路３５７は、直列接続された複数のバッファ３５７２を含んでいてもよい。

各制御回路３５７において、バッファ３５７２の出力は、レベルシフタ３５７３の入力に接続されている。レベルシフタ３５７３は、受け取った入力の電圧レベルを変換して、入力に応じた大きさの電圧を出力する。出力される電圧は、当該電圧を出力する制御回路３５７が制御する対象の１つの電極３５５に印加される。各電極３５５への電圧の印加により、上記のように、当該電極３５５と、当該電極３５５と対を構成する電極３５６との間に電位差が形成される。この電位差によって、電極３５５及び３５６の間の領域に進入する電子ビームＥＢｍの軌道が曲げられ、当該電子ビームＥＢｍがブランキングされる。

レジスタ３５７１は、ＢＡＡ制御ユニット２４から制御信号として、例えばクロックを受け取る。レジスタ３５７１は、信号線によって、データ出力回路３５９と接続されている。レジスタ３５７１は、信号線上で、データ出力回路３５９から制御データＤＬ及び、当該制御データＤＬについての送信誤り訂正符号ＥＤＴを受け取る。レジスタ３５７１は、制御信号に基づいて、データ出力回路３５９から入力された制御データＤＬ及び送信誤り訂正符号ＥＤＴを保持し、また、制御信号に基づいて、保持している制御データＤＬ及び送信誤り訂正符号ＥＤＴをバッファ３５７２へ出力する。

制御回路３５７ａのレジスタ３５７１は、レジスタ３５７１ａと称される。同様に、制御回路３５７ｂのレジスタ３５７１、制御回路３５７ｃのレジスタ３５７１、及び制御回路３５７ｄのレジスタ３５７１は、それぞれ、レジスタ３５７１ｂ、３５７１ｃ、及び３５７１ｄと称される。

各レジスタ３５７１ａは、隣のレジスタ３５７１ａと信号線によって直列に接続され、直列接続されたレジスタ３５７１はシフトレジスタを構成する。すなわち、或るレジスタ３５７１ａの出力は、別のレジスタ３５７１ａの入力と直接に接続されている。同様に、レジスタ３５７１ｂは、直列に接続されてシフトレジスタを構成し、レジスタ３５７１ｃは、直列に接続されてシフトレジスタを構成し、レジスタ３５７１ｃは、直列に接続されてシフトレジスタを構成する。

誤り検出回路３５８は、制御データＤＬの数と同じ数のレジスタ３５８０を含み、すなわち、現行の例では、レジスタ３５８０ａ、３５８０ｂ、３５８０ｃ、及び３５８０ｄを含む。レジスタ３５８０ａは、直列接続されたレジスタ３５７１ａの最終段のレジスタ３５７１ａの出力を受け取る。同様に、レジスタ３５８０ｂ、３５８０ｃ、及び３５８０ｄは、それぞれ、直列接続されたレジスタ３５７１ｂの最終段のレジスタ３５７１ｂの出力、直列接続されたレジスタ３５７１ｃの最終段のレジスタ３５７１ｃの出力、及び直列接続されたレジスタ３５７１ｄの最終段のレジスタ３５７１ｄの出力を受け取る。誤り検出回路３５８は、レジスタ３５８０に保持されているデータについての算出誤り検出符号ＥＤＣを算出する。

図８は、図７の一部を示す。第ｎ（ｎは自然数）段のレジスタ３５７１ａ、第ｎ段のレジスタ３５７１ｂ、第ｎ段のレジスタ３５７１ｃ、第ｎ段のレジスタ３５７１ｄは、或る複数の電子ビームＥＢｍのブランキングの制御のための制御データＤＬを受け取る。そのような制御データＤＬは、例えば、或る任意の種類の１回の動作でのブランキングを制御するためのデータである。このような或る１つの段中の３５７１ａ、３５７１ｂ、３５７１ｃ、及び３５７１ｄは、或る制御データＤＬを構成する制御データＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、及びＤＬｄを受け取り、以下、同じ段中のレジスタ３５７１ａ、３５７１ｂ、３５７１ｃ、及び３５７１ｄは、以下、レジスタセット３５７１Ｇと称される。

第ｎ段のレジスタ３５７１ａ、３５７１ｂ、３５７１ｃ、及び３５７１ｄ中の制御データＤＬは、バッファセット３５７２Ｇに転送される。バッファセット３５７２Ｇは、或る１つの段中のレジスタセット３５７１Ｇの４つのレジスタ３５７１がそれぞれ含まれる４つの制御回路３５７の各々における計４つのバッファ３５７２からなる。

１．２．動作
図９は、第１実施形態の描画装置１中のデータの転送及び生成を概略的に示す。特に、図９は、或るレジスタセット３５７１Ｇ、このレジスタセット３５７１Ｇと接続されたるバッファセット３５７２Ｇ、及び誤り検出回路３５８中のデータについて示す。

図９の最上段の部分に示されるように、データ出力回路３５９は、制御データＡを出力する。制御データＡは、或るビット列からなる制御データＤＬであり、或るビットの値の制御データＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、及びＤＬｄからなり、或る複数の電子ビームＥＢｍのブランキングの制御のために互いに関連する複数ビットからなる。例えば、制御データＡは、或る任意の種類の１回の動作でのブランキングを制御するためのデータである。出力された制御データＡは、レジスタ３５７１を介して、或る段のレジスタセット３５７１Ｇにより受け取られる。

図９の上から２段目の部分に示されるように、制御データＡは、制御データＡを受け取ったレジスタセット３５７１Ｇが含まれる制御回路３５７に含まれるバッファセット３５７２Ｇに転送される。

具体的には、制御データＡのうちの制御データＤＬａとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ａが含まれる制御回路３５７中のバッファ３５７２に転送される。同様に、制御データＡのうちの制御データＤＬｂとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ｂが含まれる制御回路３５７中のバッファ３５７２に転送される。制御データＡのうちの制御データＤＬｃとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ｃが含まれる制御回路３５７中のバッファ３５７２に転送される。制御データＡのうちの制御データＤＬｄとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ｄが含まれる制御回路３５７中のバッファ３５７２に転送される。この後、制御データＡは、バッファセット３５７２Ｇから、レベルシフタ３５７３の組に転送される（図示せず）。

また、制御データＡは、レジスタセット３５７１Ｇの段より後ろの段のレジスタ３５７１を介して、誤り検出回路３５８まで転送される。すなわち、制御データＡのうちの制御データＤＬａとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ａから、第（ｎ＋１）段及びそれ以降のレジスタ３５７１ａを介して、誤り検出回路３５８のレジスタ３５８０ａに到達する。制御データＡのうちの制御データＤＬｂとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ｂから、第（ｎ＋１）段及びそれ以降のレジスタ３５７１ｂを介して、誤り検出回路３５８のレジスタ３５８０ｂに到達する。制御データＡのうちの制御データＤＬｃとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ｃから、第（ｎ＋１）段及びそれ以降のレジスタ３５７１ｃを介して、誤り検出回路３５８のレジスタ３５８０ｃに到達する。制御データＡのうちの制御データＤＬｄとして受け取られたデータは、第ｎ段のレジスタ３５７１ｄから、第（ｎ＋１）段及びそれ以降のレジスタ３５７１ｄを介して、誤り検出回路３５８のレジスタ３５８０ｄに到達する。

図９の上から３段目の部分に示されるように、誤り検出回路３５８は、制御データＡについての誤り検出符号（算出誤り検出符号ＥＤＣ）を算出する。また、データ出力回路３５９は、制御データＡについての誤り検出符号（送信誤り検出符号ＥＤＴ）を算出し、制御データＡについて送信誤り検出符号ＥＤＴを出力する。制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴは、制御データＤＬＡを構成する制御データＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、及びＤＬｄのそれぞれについての送信誤り検出符号ＥＤＴａ、ＥＤＴｂ、ＥＤＴｃ、及びＥＤＴｄのからなる。制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴは、レジスタセット３５７１Ｇによって受け取られる。一方、制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴは、制御データＤＬ（例えば、制御データＡ）と異なり、バッファセット３５７２Ｇに転送されない。その目的で、ＢＡＡ制御ユニット２４は、送信誤り検出符号ＥＤＴがレジスタ３５７１に保持されている場合、データの取り込みを指示する、図７を参照して記述される制御信号をバッファセット３５７２Ｇに供給しない。

図９の最下段の部分に示されるように、制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴは、制御データＤＬと同様に、レジスタセット３５７１Ｇの段より後ろの段のレジスタ３５７１を介して、誤り検出回路３５８によって受け取られる。

図９は、制御データＡのすぐ後に、制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴがデータ出力回路３５９から出力される例を示す。しかしながら、送信誤り検出符号ＥＤＴが出力されるタイミングは、図９の例に限られない。例えば、制御データＡに先立って、制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴが出力されてもよい。また、制御データＡと、制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴとの間に、別の制御データ及び（又は）別の送信誤り検出符号ＥＤＴが出力されてもよい。

１．３．利点（効果）
ブランキングアパーチャアレイ機構３５０は誤り検出回路３５８を含み、誤り検出回路３５８は、レベルシフタ３５７３に供給される制御データＤＬを受け取り、この受け取った制御データＤＬから算出誤り検出符号ＥＤＣを算出し、当該制御データＤＬについての送信誤り検出符号ＥＤＴを受け取り、算出誤り検出符号ＥＤＣと送信誤り検出符号ＥＤＴを比較する。或る制御データＤＬについての送信誤り検出符号ＥＤＴと算出誤り検出符号ＥＤＣは、制御データＤＬが、データ出力回路３５９から正しく誤り検出回路３５８に伝送されていれば、一致しているはずである。このため、算出誤り検出符号ＥＤＣと送信誤り検出符号ＥＤＴが一致していることは、直列接続されたレジスタ３５７１が正常であることを示す。よって、算出誤り検出符号ＥＤＣと送信誤り検出符号ＥＤＴの照合によって、データ出力回路３５９から出力された制御データＤＬを受け取る全レジスタ３５７１が正常であることを確認することが可能である。

このような検査に必要なデータの転送は、第１実施形態が適用されないケースでの直列接続されたレジスタ３５７１中の制御データＤＬの転送に、送信誤り検出符号ＥＤＴの転送のみを付加的に含む。すなわち、送信誤り検出符号ＥＤＴの転送は、制御データＤＬの転送に挿入されるのみによって可能である。送信誤り検出符号ＥＤＴは、わずかなビットのみからなる。よって、データの検査のために、制御データＤＬの転送、ひいては、描画が大きく妨げられることは抑制される。すなわち、第１実施形態が適用されないケースでの描画の進捗を大きく妨げることなく、描画中に制御データＤＬを転送する経路が検査されることが可能である。

２．第２実施形態
第２実施形態は、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０の構成、及びこれに関連する点において、第１実施形態と異なる。第２実施形態は、その他の点については、第１実施形態と同じである。以下、第２実施形態の構成及び動作のうち、第１実施形態での点と異なる点が主に記述される。

２．１．構成
図１０は、第２実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０のより詳細な回路図であり、１つのデータ出力回路３５９と直接又は間接的に接続される要素を代表として示す。第２実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０は、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０との区別のために、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０Ｂと称される場合がある。

ブランキングアパーチャアレイ機構３５０Ｂは、制御回路３５７の詳細の点で、第１実施形態のブランキングアパーチャアレイ機構３５０と異なる。第２実施形態の制御回路３５７は、第１実施形態の制御回路３５７との区別のために、制御回路３５７Ｂと称される場合がある。

各制御回路３５７Ｂにおいて、バッファ３５７２は、出力において、当該制御回路３５７Ｂ中のレジスタ３５７１の入力にさらに接続されている。各制御回路３５７が直列接続された複数のバッファ３５７２を含んでいる場合、最終段のバッファ３５７２の出力が、レジスタ３５７１に接続される。

ここまでの記述は、全ての制御回路３５７Ｂにおいて、バッファ３５７２の出力が当該制御回路３５７Ｂ中のレジスタ３５７１の入力にさらに接続されている例に関する。実施形態は、この構成に限られず、全ての制御回路３５７Ｂのうちの１つ以上においてのみ、バッファ３５７２の出力が当該制御回路３５７Ｂ中のレジスタ３５７１の入力にさらに接続されていてもよい。

２．２．動作
図１１は、第２実施形態の描画装置１中のデータの転送及び生成を概略的に示す。特に、図１１は、或るレジスタセット３５７１Ｇ、このレジスタセット３５７１Ｇと接続されたバッファセット３５７２Ｇ、及び誤り検出回路３５８中のデータについて示す。

図１１の最上段の部分に示されるように、制御データＡが、レジスタセット３５７１Ｇによって受け取られ、バッファセット３５７２Ｇに転送される。

図１１の上から２段目の部分に示されるように、制御データＢがレジスタセット３５７１Ｇによって受け取られる。

図１１の上から３段目の部分に示されるように、制御データＡが図示せぬレベルシフタ３５７３の組に転送されるとともに、レジスタセット３５７１Ｇに再度転送される。併せて、制御データＢが、バッファセット３５７２Ｇに転送される。

図１１の最下段の部分に示されるように、レジスタセット３５７１Ｇ中の制御データＡは、第１実施形態の図９を参照して記述されるのと同じく、レジスタセット３５７１Ｇの段より後ろの段のレジスタ３５７１を介して、誤り検出回路３５８まで転送される。

この後は、制御データＡについて、第１実施形態の図９の上から第３段及び最下段を参照して記述される処理と同じ処理が行われる。
すなわち、制御データＡについての算出誤り検出符号ＥＤＣが誤り検出回路３５８によって算出され、また、制御データＡについての送信誤り検出符号ＥＤＴが、データ出力回路３５９から、レジスタ３５７１を介して、誤り検出回路３５８まで転送される。

誤り検出回路３５８は、第１実施形態と同じく、こうして取得された制御データＡについての算出誤り検出符号ＥＤＣと送信誤り検出符号ＥＤＴを比較する。

２．３．利点
第２実施形態によれば、第１実施形態と同じく、誤り検出回路３５８は、算出誤り検出符号ＥＤＣと送信誤り検出符号ＥＤＴを比較する。このため、第１実施形態と同じ利点を得られる。

さらに、各制御回路３５７Ｂは当該制御回路３５７Ｂのバッファ３５７２の出力と接続されたレジスタ３５７１を含み、誤り検出回路３５８は、バッファ３５７２からレジスタ３５７１を介して受け取られた制御データＤＬから算出誤り検出符号ＥＤＣを算出する。或るレジスタ３５７１中の制御データＤＬは、バッファ３５７２に正しく伝送されていれば、当該レジスタ３５７１によって受け取られた形態と一致しているはずである。このため、第２実施形態のように生成された算出誤り検出符号ＥＤＣと送信誤り検出符号ＥＤＴとが一致していることは、直列接続されたレジスタ３５７１に加えて、バッファ３５７２が正常であることを示す。よって、第２実施形態の算出誤り検出符号ＥＤＣと送信誤り検出符号ＥＤＴの照合によって、データ出力回路３５９から出力された制御データＤＬを受け取る全て各レジスタ３５７１、及び当該制御データＤＬを伝送する全バッファ３５７２が正常であることが確認されることが可能である。

第１及び第２実施形態は、ブランキングアパーチャアレイ機構３５０及び３５０Ｂが描画装置１に使用される例に基づいて記述されたが、この例に限られない。ブランキングアパーチャアレイ機構３５０及び３５０Ｂは、検査装置に使用されてもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１…描画装置、２…制御回路系、３…描画機構、６…試料、３１…真空チャンバ、３１ａ…ライティングチャンバ、３１ｂ…鏡筒、３１０…ステージ、３１２…ミラー、３２０…電子銃、３３０…照明レンズ、３３１…縮小レンズ、３３２…対物レンズ、３４０…成形アパーチャアレイプレート、３４１…制限アパーチャアレイプレート、３５０…ブランキングアパーチャアレイ機構、３５１…基部、３５２…基板、３５３…アパーチャ、３５４…電極対、３５５…電極、３５６…電極、３５７…制御回路、３５７１…レジスタ、３５７１Ｇ…レジスタセット、３５７２…バッファ、３５７２Ｇ…バッファセット、３５７３…レベルシフタ、３５８０…レジスタ３５８…誤り検出回路、３５８２…ＯＲゲート、３５９…データ出力回路、３６０…偏向器、３６１…偏向器、２１…制御装置、２２…電源装置、２３…レンズ駆動装置、２４…ＢＡＡ制御ユニット、２５…照射量制御ユニット、２７…偏向器アンプ、２８…ステージ駆動装置、２１１…プロセッサ、２１２…ＲＯＭ、２１３…記憶装置、２１４…入力装置、２１５…出力装置、２１６…インターフェイス、ＤＬ、ＤＬａ、ＤＬｂ、ＤＬｃ、ＤＬｄ…制御データ。

Claims (5)

1. マルチ荷電粒子ビーム照射装置に用いられるブランキングアパーチャアレイシステムにおいて、
   ビーム照射に使用される制御データの１つである第１データ及び前記第１データから生成された前記第１データの誤りを検出するための第１誤り検出符号を出力するデータ出力回路と、
   直列に接続された複数のレジスタを含み、前記データ出力回路から入力された前記第１データ及び前記第１誤り検出符号を転送するシフトレジスタと、
   前記複数のレジスタのうちの１つである第１レジスタから出力された前記第１データを前記第１レジスタから受け取るバッファと、
   前記バッファから出力された前記第１データに基づく電圧を受ける電極と、
   前記複数のレジスタのうちの最終段のレジスタから前記第１データ及び前記第１誤り検出符号を受け取り、
   前記最終段のシフトレジスタから受け取った前記第１データから、前記第１データの誤りを検出するための第２誤り検出符号を生成し、
   前記最終段のレジスタからの前記第１誤り検出符号と、前記第２誤り検出符号とが一致する場合に一致を示し、不一致である場合に不一致を示す検出信号を生成する、
   誤り検出回路と、
   を備えるブランキングアパーチャアレイシステム。
2. マルチ荷電粒子ビーム照射装置に用いられるブランキングアパーチャアレイシステムにおいて、
   ビーム照射に使用される制御データの１つである第１データ及び前記第１データから生成された前記第１データの誤りを検出するための第１誤り検出符号を出力するデータ出力回路と、
   直列に接続された複数のレジスタを含み、前記データ出力回路から入力された前記第１データ及び前記第１誤り検出符号を転送するシフトレジスタと、
   前記複数のレジスタのうちの１つである第１レジスタから出力された前記第１データを前記第１レジスタから受け取るバッファと、
   前記バッファから出力された前記第１データに基づく電圧を受ける電極と、
   前記複数のレジスタのうちの最終段のレジスタから前記第１誤り検出符号を受け取り、
   前記バッファから出力され、前記第１レジスタによって受け取られ、前記シフトレジスタを介して転送された前記第１データを前記最終段のレジスタから受け取り、
   前記最終段のレジスタから受け取った前記第１データから、前記第１データの誤りを検出するための第２誤り検出符号を生成し、
   前記最終段のレジスタからの前記第１誤り検出符号と、前記第２誤り検出符号とが一致する場合に一致を示し、不一致である場合に不一致を示す検出信号を生成する、
   誤り検出回路と、
   を備えるブランキングアパーチャアレイシステム。
3. 前記第１データ及び前記第１誤り検出符号は次の制御データである第２データが前記シフトレジスタに送り込まれると同時にシフトされ、前記誤り検出回路入力に入力される、
   請求項１又は請求項２に記載のブランキングアパーチャアレイシステム。
4. 前記第１データ及び前記第２誤り検出符号を前記データ出力回路に出力する制御装置を備える、
   請求項１又は請求項２に記載のブランキングアパーチャアレイシステム。
5. 移動可能なステージと、
   前記ステージに向けて荷電粒子ビームを照射するビーム源と、
   前記ビーム源と前記ステージとの間に位置する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の前記ブランキングアパーチャアレイシステムと、
   前記第１データ及び前記第２誤り検出符号を前記データ出力回路に出力する制御装置と、
   を備える荷電粒子ビーム描画装置。