JP7620578B2 - 半導体製造装置用部材 - Google Patents

Description

本発明は、半導体製造装置用部材に関する。

従来、半導体製造装置用部材としては、上面にウエハ載置面を有する静電チャックを備えたものが知られている。例えば、特許文献１の静電チャックは、ウエハを吸着保持するセラミックプレートと、セラミックプレートに形成された貫通孔と、貫通孔に配置された多孔質プラグとを備えたものが開示されている。こうした静電チャックを製造するには、まず静電電極を内蔵したグリーンシートを焼成することによりセラミックプレートを作製し、そのセラミックプレートに貫通孔を形成する。続いて、セラミック粒子や燃焼消失粒子を含むペースト状のセラミック混合物を貫通孔に充填し、その後所定温度に加熱することにより混合物中のセラミック粒子を焼成すると共に燃焼消失粒子を消失させる。これにより、貫通孔内に多孔質プラグが形成され、上述した静電チャックが得られる。こうした静電チャックでは、ウエハ載置面にウエハを静電吸着させた状態で多孔質プラグに外部からヘリウムガスを導入する。すると、ヘリウムガスは、ウエハの裏面側に供給されてウエハとセラミックプレートとの熱伝導を良好にする。このとき、ヘリウムガスは、多孔質プラグの気孔を通過するため、多孔質プラグが存在しない貫通孔を通過する場合に比べてウエハの裏面側でアーク放電が発生するのを抑制することができる。多孔質プラグがないと、ヘリウムが電離するのに伴って生じた電子が加速して別のヘリウムに衝突することによりアーク放電が起きるが、多孔質プラグがあると、電子が別のヘリウムに衝突する前に多孔質プラグに当たるためアーク放電が抑制される。ウエハの裏面側でアーク放電が発生すると、ウエハが変質してしまい、デバイスとして利用できなくなるため、好ましくない。

特開２０１９－２９３８４号公報

しかしながら、上述した静電チャックでは、焼成工程が２回必要となる。すなわち、セラミックプレートを作製する工程と、多孔質プラグを作製する工程のそれぞれで焼成が必要となる。そのため、製造コストが高くなるという問題があった。

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、ガスの流通を許容する多孔質プラグを備えた安価な半導体製造装置用部材を提供することを主目的とする。

本発明の半導体製造装置用部材は、
上面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
上面が前記ウエハ載置面に露出し、前記セラミックプレートを上下方向に貫通するプラグ挿入穴に圧入固定され、ガスの流通を許容する樹脂多孔質プラグと、
を備えたものである。

この半導体製造装置用部材では、セラミックプレートを上下方向に貫通するプラグ挿入穴にガスの流通を許容する樹脂多孔質プラグが圧入固定されている。そのため、樹脂多孔質プラグをプラグ挿入穴に固定するのに焼成する必要はない。また、使用により樹脂多孔質プラグが劣化したとしても、劣化した樹脂多孔質プラグを新たな樹脂多孔質プラグに容易に交換することができる。したがって、多孔質プラグを備えた半導体製造装置用部材を安価に提供することができる。

なお、本明細書では、上下、左右、前後などを用いて本発明を説明することがあるが、上下、左右、前後は、相対的な位置関係に過ぎない。そのため、半導体製造装置用部材の向きを変えた場合には上下が左右になったり左右が上下になったりすることがあるが、そうした場合も本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明の半導体製造装置用部材において、前記セラミックプレートは、下面に導電性基材を有していてもよく、前記樹脂多孔質プラグは、前記導電性基材に当接していてもよい。樹脂多孔質プラグが導電性基材に当接していない場合は多孔質プラグと導電性基材との間でアーク放電が発生することがあるのに対して、樹脂多孔質プラグが導電性基材に当接している場合はそうしたアーク放電が発生するのを抑制することができる。

本発明の半導体製造装置用部材において、前記樹脂多孔質プラグは、前記樹脂多孔質プラグよりも小径の緻密質円柱部材を内蔵していてもよい。こうすれば、緻密質円柱部材が心材の役割を果たすため、樹脂多孔質プラグをプラグ挿入穴に圧入しやすくなるし、樹脂多孔質プラグの上面の高さを精度よく位置決めすることができる。

本発明の半導体製造装置用部材において、前記樹脂多孔質プラグは、前記樹脂多孔質プラグよりも小径の緻密質円筒部材を、前記樹脂多孔質プラグの下面から挿入されて前記樹脂多孔質プラグの上面を貫通しない状態で内蔵していてもよい。こうすれば、緻密質円筒部材が心材の役割を果たすため、樹脂多孔質プラグをプラグ挿入穴に圧入しやすくなるし、樹脂多孔質プラグの上面の高さを精度よく位置決めすることができる。また、ガスは主に樹脂多孔質プラグの上部（緻密質円筒部材よりも上の部分）を通過することになるため、ガスの圧損を小さくすることができる。

本発明の半導体製造装置用部材において、前記樹脂多孔質プラグは、前記樹脂多孔質プラグよりも気孔率の高い多孔質円柱部材を内蔵していてもよい。こうすれば、ガスは主に多孔質円柱部材を通過するため、ガスの圧損を小さくすることができる。

本発明の半導体製造装置用部材において、前記ウエハ載置面は、ウエハを支持する多数の小突起を有していてもよく、前記樹脂多孔質プラグの上面は、前記小突起の上面よりも低い位置にあってもよい。こうすれば、樹脂多孔質プラグの上面でウエハを持ち上げてしまうことがない。この場合、前記樹脂多孔質プラグの上面は、前記ウエハ載置面のうち前記小突起の設けられていない基準面と同じ高さにあってもよいし、前記基準面よりも０．５ｍｍ以下の範囲で低い位置にあってもよい。こうすれば、ウエハの裏面と樹脂多孔質プラグの上面との間の空間の高さが低く抑えられるため、この空間でアーク放電が発生するのを防止することができる。なお、基準面の高さは、小突起ごとに異なる高さであってもよい。また、基準面の高さは、プラグ挿入穴の直近に存在する小突起の底面と同じ高さであってもよい。

半導体製造装置用部材１０の縦断面図。 セラミックプレート２０の平面図。 図１の部分拡大図。 半導体製造装置用部材１０の製造工程図。 樹脂多孔質プラグ１５０の縦断面図。 樹脂多孔質プラグ２５０の縦断面図。 樹脂多孔質プラグ３５０の縦断面図。 樹脂多孔質プラグ３５０の別例の縦断面図。 樹脂多孔質プラグ５５０の縦断面図。 樹脂多孔質プラグ６５０の縦断面図。 樹脂多孔質プラグ５０の別例の縦断面図。

次に、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて説明する。図１は半導体製造装置用部材１０の縦断面図、図２はセラミックプレート２０の平面図、図３は図１の部分拡大図である。

半導体製造装置用部材１０は、セラミックプレート２０と、冷却プレート３０と、金属接合層４０と、樹脂多孔質プラグ５０とを備えている。

セラミックプレート２０は、アルミナ焼結体や窒化アルミニウム焼結体などのセラミック製の円板（例えば直径３００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）である。セラミックプレート２０の上面は、ウエハ載置面２１となっている。セラミックプレート２０は、電極２２を内蔵している。セラミックプレート２０のウエハ載置面２１には、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド２１ａが形成され、全面に複数の円形小突起２１ｂが形成されている。シールバンド２１ａ及び円形小突起２１ｂは同じ高さであり、その高さは例えば数μｍ～数１０μｍである。電極２２は、静電電極として用いられる平面状のメッシュ電極であり、直流電圧を印加可能となっている。この電極２２に直流電圧が印加されるとウエハＷは静電吸着力によりウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面及び円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハＷのウエハ載置面２１への吸着固定が解除される。なお、ウエハ載置面２１のうちシールバンド２１ａや円形小突起２１ｂの設けられていない部分を、基準面２１ｃと称する。

冷却プレート３０は、熱伝導率の良好な円板（セラミックプレート２０と同じ直径かそれよりも大きな直径の円板）である。冷却プレート３０の内部には、冷媒が循環する冷媒流路３２やガスを樹脂多孔質プラグ５０へ供給するガス穴３４が形成されている。冷媒流路３２は、平面視で冷却プレート３０の全面にわたって入口から出口まで一筆書きの要領で形成されている。ガス穴３４は、段付き穴であり、上部開口縁に段差部３４ｃを備える。冷却プレート３０の材料は、例えば、金属材料や金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）などが挙げられる。金属材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ又はそれらの合金などが挙げられる。ＭＭＣとしては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料（ＳｉＳｉＣＴｉともいう）やＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料などが挙げられる。冷却プレート３０の材料としては、セラミックプレート２０の材料と熱膨張係数の近いものを選択するのが好ましい。冷却プレート３０は、ＲＦ電極としても用いられる。具体的には、ウエハ載置面２１の上方には上部電極（図示せず）が配置され、その上部電極と冷却プレート３０とからなる平行平板電極間に高周波電力を印加するとプラズマが発生する。

金属接合層４０は、セラミックプレート２０の下面と冷却プレート３０の上面とを接合している。金属接合層４０は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。本実施形態の金属接合層４０及び冷却プレート３０が本発明の導電性基材に相当する。

樹脂多孔質プラグ５０は、プラグ挿入穴５４に圧入され固定されている。プラグ挿入穴５４は、セラミックプレート２０及び金属接合層４０を上下方向に貫通し、冷却プレート３０のガス穴３４の上部開口縁に設けられた環状の段差部３４ｃに達する円柱状の穴である。プラグ挿入穴５４は、セラミックプレート２０の複数箇所（例えば周方向に沿って等間隔に設けられた複数箇所）に設けられている。樹脂多孔質プラグ５０は、ガスが上下方向に流通するのを許容する電気絶縁性の樹脂多孔質円柱部材である。樹脂多孔質プラグ５０としては、例えばＰＴＦＥ，ＰＰＳ，ＰＥＥＫ，ＰＥＫＫ等の市販の樹脂多孔質体を利用することができる。樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａは、プラグ挿入穴５４の上部開口に露出し、基準面２１ｃと同一平面をなす。 なお、「同一」とは、完全に同一の場合のほか、実質的に同一の場合（例えば公差の範囲に入る場合など）も含む（以下同じ）。樹脂多孔質プラグ５０は、下面５０ｂがプラグ挿入穴５４の下面をなす環状の段差部３４ｃに突き当たるまでプラグ挿入穴５４の上部開口から圧入され、固定されている。

次に、こうして構成された半導体製造装置用部材１０の使用例について説明する。まず、図示しないチャンバー内に半導体製造装置用部材１０を設置した状態で、ウエハＷをウエハ載置面２１に載置する。そして、チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、セラミックプレート２０の電極２２に直流電圧をかけて静電吸着力を発生させ、ウエハＷをウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面や円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定する。次に、チャンバー内を所定圧力（例えば数１０～数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、チャンバー内の天井部分に設けた図示しない上部電極と半導体製造装置用部材１０の冷却プレート３０との間に高周波電圧を印加させてプラズマを発生させる。ウエハＷの表面は、発生したプラズマによって処理される。冷却プレート３０の冷媒流路３２には、冷媒が循環される。ガス穴３４には、図示しないガスボンベからバックサイドガスが導入される。バックサイドガスとしては、熱伝導ガス（例えばヘリウム等）を用いる。バックサイドガスは、ガス穴３４及び樹脂多孔質プラグ５０を通って、ウエハＷの裏面とウエハ載置面２１の基準面２１ｃとの間の空間に供給され封入される。このバックサイドガスの存在により、ウエハＷとセラミックプレート２０との熱伝導が効率よく行われる。

次に、半導体製造装置用部材１０の製造例について図４に基づいて説明する。図４は半導体製造装置用部材１０の製造工程図である。まず、セラミックプレート２０、冷却プレート３０及び金属接合材９０を準備する（図４Ａ）。セラミックプレート２０は、電極２２を内蔵し、プラグ挿入穴５４の一部を構成する貫通穴２４を備えている。冷却プレート３０は、冷媒流路３２を内蔵し、上下方向に貫通するガス穴３４を備えている。ガス穴３４は、太径の穴上部３４ａと、細径の穴下部３４ｂと、穴上部３４ａと穴下部３４ｂとの境界をなす段差部３４ｃとを備えている。金属接合材９０は、最終的にプラグ挿入穴５４の一部を構成する貫通穴９２を備えている。

そして、セラミックプレート２０の下面と冷却プレート３０の上面とをＴＣＢによって接合して接合体９４を得る（図４Ｂ）。ＴＣＢは、例えば以下のように行われる。まず、セラミックプレート２０の下面と冷却プレート３０の上面との間に金属接合材９０を挟み込むことにより（図４Ａ）、積層体とする。このとき、セラミックプレート２０の貫通穴２４と金属接合材９０の貫通穴９２と冷却プレート３０のガス穴３４とが同軸になるように積層する。そして、金属接合材９０の固相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度で積層体を加圧して接合し、その後室温に戻す。これにより、金属接合材９０は金属接合層４０になり、貫通穴２４，９２及びガス穴３４の穴上部３４ａがプラグ挿入穴５４になり、セラミックプレート２０と冷却プレート３０とを金属接合層４０で接合した接合体９４が得られる。このときの金属接合材としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を用いてＴＣＢを行う場合、真空雰囲気下で加熱した状態で積層体を加圧する。金属接合材９０は、厚みが１００μｍ前後のものを用いるのが好ましい。

続いて、樹脂多孔質プラグ５０を用意する。樹脂多孔質プラグ５０の直径は、プラグ挿入穴５４の直径よりも僅かに大きい。この樹脂多孔質プラグ５０を、下面５０ｂがプラグ挿入穴５４の下面をなす環状の段差部３４ｃに突き当たるまで、プラグ挿入穴５４の上部開口から圧入し固定する。樹脂多孔質プラグ５０は、セラミック材料よりも高弾性のため、圧入し固定することができる。樹脂多孔質プラグ５０は、下面５０ｂが段差部３４ｃに突き当たった状態で上面５０ａがウエハ載置面２１の基準面２１ｃ（図３参照）と同一平面になるように設計されている。このようにして、半導体製造装置用部材１０が得られる（図４Ｃ）。

以上詳述した半導体製造装置用部材１０では、セラミックプレート２０を上下方向に貫通するプラグ挿入穴５４にガスの流通を許容する樹脂多孔質プラグ５０が圧入固定されている。そのため、樹脂多孔質プラグ５０をプラグ挿入穴５４に固定するのに焼成する必要はない。また、使用により樹脂多孔質プラグ５０が劣化したとしても、劣化した樹脂多孔質プラグ５０を新たな樹脂多孔質プラグ５０に容易に交換することができる。したがって、多孔質プラグを備えた半導体製造装置用部材１０を安価に提供することができる。

また、製造工程において、樹脂多孔質プラグ５０を最後に圧入固定する場合には、その後の樹脂多孔質プラグ５０の洗浄工程を省略することができる。

更に、樹脂多孔質プラグ５０は導電性基材（金属接合層４０及び冷却プレート３０）に当接している。樹脂多孔質プラグ５０が導電性基材に当接していない場合は樹脂多孔質プラグ５０と導電性基材との間でアーク放電が発生することがあるのに対して、樹脂多孔質プラグ５０が導電性基材に当接している場合はそうしたアーク放電が発生するのを抑制することができる。

更にまた、樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａは、シールバンド２１ａの上面や円形小突起２１ｂの上面よりも低い位置にある。そのため、樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａでウエハＷを持ち上げてしまうことがない。

そして、樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａは、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃと同じ高さである。そのため、ウエハＷの下面と樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａとの間の空間の高さが低く抑えられる。したがって、この空間でアーク放電が発生するのを防止することができる。

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

上述した実施形態の樹脂多孔質プラグ５０の代わりに、図５～図８に示す樹脂多孔質プラグ１５０～３５０を用いてもよい。

図５の樹脂多孔質プラグ１５０は、樹脂多孔質プラグ１５０よりも小径の緻密質円柱部材１５２を内蔵している。緻密質円柱部材１５２は、樹脂多孔質プラグ１５０と同軸となっており、樹脂多孔質プラグ１５０の上面１５０ａから下面１５０ｂまで貫通している。この場合、緻密質円柱部材１５２が心材の役割を果たすため、樹脂多孔質プラグ１５０をプラグ挿入穴に圧入しやすくなるし、樹脂多孔質プラグ１５０の上面の高さを精度よく位置決めすることができる。なお、緻密質円柱部材１５２は、樹脂多孔質プラグ１５０を上下方向に貫通しない状態で内蔵されていてもよい。緻密質円柱部材１５２の材料は、緻密質であれば特に限定されるものではなく、例えばセラミックでもよいし樹脂（例えば硬質樹脂）でもよい。

図６の樹脂多孔質プラグ２５０は、樹脂多孔質プラグ２５０よりも小径の緻密質円筒部材２５２を、樹脂多孔質プラグ２５０の下面２５０ｂから挿入されて樹脂多孔質プラグ２５０の上面２５０ａを貫通しない状態で内蔵している。緻密質円筒部材２５２は、樹脂多孔質プラグ２５０と同軸となっている。この場合、緻密質円筒部材２５２が心材の役割を果たすため、樹脂多孔質プラグ２５０をプラグ挿入穴に圧入しやすくなるし、樹脂多孔質プラグ２５０の上面の高さを精度よく位置決めすることができる。また、ガスは主に樹脂多孔質プラグ２５０の上部（緻密質円筒部材２５２よりも上の部分）を通過することになるため、ガスの圧損を小さくすることができる。緻密質円筒部材２５２の材料は、緻密質であれば特に限定されるものではなく、例えばセラミックでもよいし樹脂（例えば硬質樹脂）でもよい。

図７の樹脂多孔質プラグ３５０は、樹脂多孔質プラグ３５０よりも気孔率の高い多孔質円柱部材３５２を内蔵している。多孔質円柱部材３５２は、樹脂多孔質プラグ３５０と同軸となっており、樹脂多孔質プラグ３５０の上面３５０ａから下面３５０ｂまで貫通している。この場合、ガスは主に多孔質円柱部材３５２を通過するため、ガスの圧損を小さくすることができる。なお、多孔質円柱部材３５２は、図８に示すように、樹脂多孔質プラグ３５０を上下方向に貫通しない状態、ここでは下面３５０ｂから挿入されて上面３５０ａを貫通しない状態で内蔵されていてもよい。多孔質円柱部材３５２の材料は、多孔質であれば特に限定されるものではなく、例えばセラミックでもよいし樹脂でもよい。

上述した実施形態では、円柱状の樹脂多孔質プラグ５０を用いたが、その代わりに、図９～図１０に示す形状の樹脂多孔質プラグ５５０，６５０を用いてもよい。

図９の樹脂多孔質プラグ５５０は、上面５５０ａの面積よりも下面５５０ｂの面積の方が小さい逆円錐台形状のプラグである。この樹脂多孔質プラグ５５０を用いる場合には、プラグ挿入穴もこれに合った形状に変更する。

図１０の樹脂多孔質プラグ６５０は、下面６５０ｂから中間位置６５０ｃ（所定の高さ）までは円柱形状で、中間位置６５０ｃから上面６５０ａまでは逆円錐台形状のプラグである。この樹脂多孔質プラグ６５０を用いる場合には、プラグ挿入穴もこれに合った形状に変更する。

なお、図９や図１０の形状の樹脂多孔質プラグ５５０，６５０を、図５～図８に示すように変形してもよい。

上述した実施形態では、樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａは、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃと同じ高さとしたが、特にこれに限定されない。例えば、図１１に示すように、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃの高さから樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａの高さを引いた差Δｈが０．５ｍｍ以下（好ましくは０．２ｍｍ以下、より好ましくは０．１ｍｍ以下）の範囲になるようにしてもよい。換言すれば、樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａを、ウエハ載置面２１の基準面２１ｃよりも０．５ｍｍ以下（好ましくは０．２ｍｍ以下、より好ましくは０．１ｍｍ以下）の範囲で低い位置に配置してもよい。このようにしても、ウエハＷの下面と樹脂多孔質プラグ５０の上面５０ａとの間の空間の高さは比較的低く抑えられる。したがって、この空間でアーク放電が発生するのを防止することができる。

上述した実施形態において、セラミックプレート２０に内蔵される電極２２として、静電電極を例示したが、特にこれに限定されない。例えば、電極２２に代えて又は加えて、セラミックプレート２０にヒータ電極（抵抗発熱体）を内蔵してもよいし、ＲＦ電極を内蔵してもよい。

上述した実施形態では、セラミックプレート２０と冷却プレート３０とを金属接合層４０で接合したが、金属接合層４０の代わりに樹脂接着層を用いてもよい。その場合、冷却プレート３０が本発明の導電性基材に相当する。

１０ 半導体製造装置用部材、２０ セラミックプレート、２１ ウエハ載置面、２１ａ シールバンド、２１ｂ 円形小突起、２１ｃ 基準面、２２ 電極、２４ 貫通穴、３０ 冷却プレート、３２ 冷媒流路、３４ ガス穴、３４ａ 穴上部、３４ｂ 穴下部、３４ｃ 段差部、４０ 金属接合層、５０ 樹脂多孔質プラグ、５０ａ 上面、５０ｂ 下面、５４ プラグ挿入穴、９０ 金属接合材、９２ 貫通穴、９４ 接合体、１５０，２５０，３５０，５５０，６５０ 樹脂多孔質プラグ、１５０ａ，２５０ａ，３５０ａ，５５０ａ，６５０ａ 上面、１５０ｂ，２５０ｂ，３５０ｂ，５５０ｂ，６５０ｂ 下面、１５２ 緻密質円柱部材、２５２ 緻密質円筒部材、３５２ 多孔質円柱部材、６５０ｃ 中間位置。

Claims (6)

1. 上面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
   上面が前記ウエハ載置面に露出し、前記セラミックプレートを上下方向に貫通するプラグ挿入穴に圧入固定され、ガスの流通を許容する樹脂多孔質プラグと、
   を備え、
   前記セラミックプレートは、下面に導電性基材を有し、
   前記樹脂多孔質プラグは、前記導電性基材に当接している、
   半導体製造装置用部材。
2. 前記樹脂多孔質プラグは、前記樹脂多孔質プラグよりも小径の緻密質円柱部材を内蔵している、
   請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
3. 前記樹脂多孔質プラグは、前記樹脂多孔質プラグよりも小径の緻密質円筒部材を、前記樹脂多孔質プラグの下面から挿入されて前記樹脂多孔質プラグの上面を貫通しない状態で内蔵している、
   請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
4. 前記樹脂多孔質プラグは、前記樹脂多孔質プラグよりも気孔率の高い多孔質円柱部材を内蔵している、
   請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
5. 前記ウエハ載置面は、ウエハを支持する多数の小突起を有し、
   前記樹脂多孔質プラグの上面は、前記小突起の上面よりも低い位置にある、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
6. 前記樹脂多孔質プラグの上面は、前記ウエハ載置面のうち前記小突起の設けられていない基準面と同じ高さにあるか、前記基準面よりも０．５ｍｍ以下の範囲で低い位置にある、
   請求項５に記載の半導体製造装置用部材。