JP7622746B2 - 電波吸収体 - Google Patents

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Description

本開示は、電波吸収体に関する。
特許文献１に記載の電波吸収体は、無線ＬＡＮ用の電波を吸収する、透光率が５０％以上の積層体である。この電波吸収体は、λ／４型であって、電波が入射してくる方向側から、（Ａ）ガラス層、（Ｂ）ＰＥＴフィルム、（Ｃ）抵抗膜、（Ｄ）誘電体層、（Ｅ）反射膜、（Ｆ）ＰＥＴフィルム、（Ｇ）ガラス層をこの順番で含む。
特開２００６－８６４４６号公報
λ／４型の電波吸収体は、一般的に、抵抗膜と反射膜との間隔が約λ／４である。ここで、λは、電波の波長である。抵抗膜は、電波の一部を反射し、他の一部を吸収し、残部を透過させる。抵抗膜で反射された電波と、反射膜で反射された電波とは、互いに干渉して打ち消し合う。その結果、電波が吸収される。
λ／４型の電波吸収体は、上記の通り、抵抗膜と反射膜との間隔が約λ／４である。そのため、電波の波長λが長いほど、つまり、電波の周波数が小さいほど、λ／４型の電波吸収体の厚みが厚くなってしまう。
本開示の一態様は、電波吸収体の厚みを薄くする、技術を提供する。
本開示の一態様に係る電波吸収体は、積層構造からなる電波吸収体であって、前記電波吸収体は可視光透過率が５０％以上であり、前記電波吸収体はある特定の周波数帯の電波を吸収し、前記電波吸収体は、前記電波が入射する面である第１主面と、前記第１主面と反対の面である第２主面を有し、前記第１主面から前記第２主面に向けて、第１誘電体層と、導電層と、第２誘電体層と、電波反射層と、第３誘電体層とを、この順番で含み、前記導電層は、複数の導体と、前記複数の導体を互いに隔てて配置する間隙からなり、前記複数の導体は互いに絶縁されており、前記第１誘電体層、前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層の少なくとも１つは、ガラスであり、前記ガラスの比誘電率は、３．５以上である。
本開示の一態様によれば、電波吸収体の厚みを薄くできる。
図１は、一実施形態に係る電波吸収体の用途を示す図である。 図２は、電波吸収体の第１例を示す断面図である。 図３は、電波吸収体の第２例を示す断面図である。 図４は、電波吸収体の第３例を示す断面図である。 図５は、導電層のスリットのパターンの一例を示す平面図である。 図６は、第１スリットの線幅と第２スリットの線幅の一例を示す平面図である。 図７は、第２誘電体の厚みと導電層の導体のシート抵抗との関係の一例を示す図である。 図８は、電波吸収体の減衰量の測定方法の一例を示す断面図である。 図９は、例１で製作した電波吸収体の減衰量を示すグラフである。 図１０は、例１で製作した電波吸収体の減衰量と、ＳＵＳ板の減衰量との比を示すグラフである。 図１１は、例２で製作した電波吸収体の減衰量を示すグラフである。 図１２は、例２で製作した電波吸収体の減衰量と、ＳＵＳ板の減衰量との比を示すグラフである。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
先ず、図１を参照して、電波吸収体１の用途の一例について説明する。電波吸収体１は、例えば商品２Ａ、２Ｂ、２Ｃに付けられたＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ３Ａ、３Ｂ、３Ｃと、読み取り装置４との間で電波を送受信する際に、不要な電波を吸収する。不要な電波の反射を抑制でき、例えば、商品２Ａ、２Ｂ、２Ｃの数の数え間違い等を防止できる。
ＲＦタグ３Ａ、３Ｂ、３Ｃは、商品２Ａ、２Ｂ、２Ｃを識別する情報を記憶する記憶媒体を含む。ＲＦタグ３Ａ、３Ｂ、３Ｃは、例えばパッシブ型であって、読み取り装置４から発信された電波を電力源として、予め記憶媒体に記憶された情報の電波を、読み取り装置４に発信する。ＲＦタグ３Ａ、３Ｂ、３Ｃから発信される電波の周波数は、例えば９１３ＭＨｚである。
なお、ＲＦタグ３Ａ、３Ｂ、３Ｃは、本実施形態ではパッシブ型であるが、アクティブ型であってもよく、電力源である電池を内蔵してもよい。
読み取り装置４は、ＲＦタグ３Ａ、３Ｂ、３Ｃから発信された電波を受信し、電波に含まれる情報を読み取り、商品２Ａ、２Ｂ、２Ｃを識別する。読み取り装置４の通信可能な最大距離は、特に限定されないが、例えば６ｍ程度である。読み取り装置４によって識別された商品２Ａ、２Ｂ、２Ｃの合計金額が、表示装置に画像表示される。
電波吸収体１は、例えば箱形状であり、内部に読み取り装置４を収容する。購入者は、例えば電波吸収体１の外部から内部に商品２Ａ、２Ｂ、２Ｃを投入する。この場合、購入者が安心感を得られるように、電波吸収体１は透明であることが求められる場合がある。
電波吸収体１は、購入者をも収容できる程度の大きさを有してもよい。購入者は、商品２Ａ、２Ｂ、２Ｃと共に電波吸収体１の内部に入る。この場合、購入者が閉塞感を感じないように、電波吸収体１は透明であることが求められる場合がある。
つまり、購入者の位置に関係なく、購入者が電波吸収体１を介して商品又は景色を視認できるように、電波吸収体１は透明であることが求められる場合がある。電波吸収体１が透明であれば、電波吸収体の内外を視認でき、かつ電波吸収体１の中の商品を自動で認識できる、セルフレジや倉庫として用いることができる。
次に、図２を参照して、電波吸収体１の第１例について説明する。図２において、電波ＲＦの入射方向を矢印で示す。
電波吸収体１は、積層構造からなり、ある特定の周波数の電波を吸収し、可視光透過率が５０％以上である。可視光透過率が５０％以上であれば、購入者が電波吸収体１を介して商品又は景色を視認できる。可視光透過率は、好ましくは５３％以上であり、より好ましくは５５％以上である。また、可視光透過率は、好ましくは９０％以下であり、より好ましくは８０％以下である。可視光透過率は、日本工業規格ＪＩＳ Ｒ ３１０６：１９９８に準拠して測定し、標準Ｄ６５光源を用いた場合の算出式により算出する。
電波吸収体１は、電波の入射する第１主面１１と、第１主面１１とは反対の面である第２主面１２とを含む。電波吸収体１は、第１主面１１から第２主面１２に向けて、第１誘電体層１３と、導電層１４と、第２誘電体層１５と、電波反射層１６と、第３誘電体層１７とを、この順番で含む。
また、電波吸収体１は、第１主面１１と第２主面１２との間に、接着層１８を更に含んでもよい。接着層１８は、第１誘電体層１３と導電層１４の間、導電層１４と第２誘電体層１５の間、第２誘電体層１５と電波反射層１６の間、及び電波反射層１６と第３誘電体層１７との間のうちの少なくとも１か所に配置される。なお、詳しくは後述するが、接着層１８の配置は、特に限定されない。
第１誘電体層１３は、導電層１４を保護する。第１誘電体層１３は、ガラス、セラミックス、又は樹脂等である。軽量化の観点からは、樹脂が好ましい。樹脂の具体例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、又はアクリル樹脂が挙げられる。一方、耐傷性の観点からは、ガラス又はセラミックスが好ましい。
第１誘電体層１３がガラス基板又はセラミックス基板である場合、その厚みは例えば０．２ｍｍ～４．０ｍｍであり、好ましくは０．３ｍｍ～２．５ｍｍであり、より好ましくは０．３ｍｍ～１．０ｍｍである。一方、第１誘電体層１３が樹脂基板である場合、その厚みは例えば０．４ｍｍ～５．０ｍｍであり、好ましくは０．５ｍｍ～３．５ｍｍであり、より好ましくは０．５ｍｍ～１．５ｍｍである。
第１誘電体層１３がガラス基板である場合、そのガラス基板のｔａｎδ（誘電正接ともいう。）は、０．０２５以下が好ましく、０．０２０以下がより好ましく、０．０１０以下がさらに好ましい。ガラス基板のｔａｎδの下限は特に制限されないが、０．０００１以上であってよい。また、ガラス基板の比誘電率は８以下が好ましく、６以下がさらに好ましい。ガラス基板の比誘電率の下限は特に制限されないが、３．５以上であってよい。
第１誘電体層１３が樹脂基板である場合、樹脂基板のｔａｎδは、０．２以下が好ましく、０．１以下がより好ましい。樹脂基板のｔａｎδの下限は特に制限されないが、０．０００５以上であってよい。また、樹脂基板の比誘電率は５以下が好ましく、４以下がさらに好ましい。樹脂基板の比誘電率の下限は特に制限されないが、２以上であってよい。
ここで、ｔａｎδとは、複素誘電率を用いてε２／ε１で表される値であり、ε１は比誘電率、ε２は誘電損失である。このｔａｎδの値が小さいほど、その周波数帯における電波の吸収が小さい。ｔａｎδ及び比誘電率とは、ＩＥＣ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ）６１１８９－２－７２１（２０１５）に規定されている方法に従い、測定周波数を１ＧＨｚとした際に測定される値である。
第１誘電体層１３の厚み（Ｔａ）と第２誘電体層１５の厚み（Ｔｃ）の比（Ｔａ／Ｔｃ）は、例えば０．０５～０．７５である。第１誘電体層１３は、導電層１４の保護を目的とするので、第２誘電体層１５よりも薄くてよい。
導電層１４は、互いに間隙を隔てて配置され、互いに絶縁された複数の導体１４ａを含む。導体１４ａは、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜やＬｏｗ－Ｅ（低放射）膜等の透明導電膜である。導電層１４は、いわゆるＦＳＳ（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｓｈｉｅｌｄ）であってよい。
導電層１４は、電波の一部を反射し、他の一部を吸収し、残部を透過させる。導電層１４を透過した電波は、電波反射層１６で反射する。導電層１４で反射された電波と、電波反射層１６で反射された電波とが、互いに干渉し、打ち消し合う。その結果、電波が吸収される。
電波が、導電層１４に到達すると、電波の電界方向の反対方向に、導体１４ａ内の自由電子が移動し、導体１４ａに電流が流れる。また、その際に、導体１４ａ間の間隙では、発生する電界によってエネルギーが周期的に蓄積され、放出される。その結果、導電層１４を透過する電波に伝搬遅延が生じる。つまり、導電層１４に電波が入射してから再輻射されるまでに遅延時間が生じる。それゆえ、導電層１４（抵抗膜）と電波反射層１６（反射膜）との間隔をλ／４よりも縮めて、電波吸収体１を薄化できる。導電層１４と電波反射層１６との間隔は、好ましくは１．５ｍｍ～２０ｍｍ、より好ましくは２ｍｍ～１０ｍｍ、さらに好ましくは２ｍｍ～５ｍｍである。
導電層１４の厚みは特に限られないが、例えば導電層１４がＬｏｗ－Ｅ（低放射）膜である場合、５０ｎｍ～３００ｎｍである。
導電層１４は、複数の導体１４ａを支持する絶縁性基材１４ｂを更に含んでもよい。絶縁性基材１４ｂは、例えば樹脂フィルム等である。複数の導体１４ａは、絶縁性基材１４ｂの表面に形成される。例えば、絶縁性基材１４ｂの表面に蒸着法又はスパッタリング法等で透明導電膜を形成し、形成した透明導電膜をレーザー加工等でパターンニングする。なお、複数の導体１４ａは、導電性インクを用いて、印刷で形成されてもよい。
絶縁性基材１４ｂの厚みは特に限られないが、例えば５０μｍ～２００μｍである。
導電層１４が絶縁性基材１４ｂを含む場合、導電層１４と第１誘電体層１３の間、及び導電層１４と第２誘電体層１５の間の両方に、接着層１８が配置される。一方、導電層１４が絶縁性基材１４ｂを含まない場合、導電層１４と第１誘電体層１３の間、及び導電層１４と第２誘電体層１５の間のいずれか一方のみに、接着層１８が配置される。
後者の場合、導電層１４は、第１誘電体層１３及び第２誘電体層１５のいずれかに隣接しており、そのいずれかに直接形成される。例えば、導電層１４は、図３に示すように、第２誘電体層１５に隣接しており、第２誘電体層１５に直接に形成される。あるいは、導電層１４は、図４に示すように、第１誘電体層１３に隣接しており、第１誘電体層１３に直接に形成される。絶縁性基材１４ｂが不要になるので、電波吸収体１をより薄化できる。
次に、図５を参照して、導電層１４のスリットのパターンの一例について説明する。導電層１４は、複数の導体１４ａと、複数の導体１４ａを互いに隔てて配置する間隙からなり、複数の導体１４ａは間隙により互いに絶縁されている。間隙としては、互いに直交する第１スリット１４ｃと第２スリット１４ｄをそれぞれ複数含む。複数の第１スリット１４ｃと複数の第２スリット１４ｄは四方格子を形成し、導体１４ａは平面視長方形に形成される。長方形は、正方形を含む。
隣り合う第１スリット１４ｃの間隔は、第１間隔Ｌ１と、第１間隔Ｌ１よりも小さい第２間隔Ｌ２とに交互に設定される。同様に、隣り合う第２スリット１４ｄの間隔も、第１間隔Ｌ１と第２間隔Ｌ２とに交互に設定される。その結果、平面視で４種類の導体１４ａ－１、１４ａ－２、１４ａ－３、１４ａ－４が形成される。
導体１４ａ－１は、４辺のそれぞれの長さがＬ１の正方形である。導体１４ａ－２は、４辺のそれぞれの長さがＬ２の正方形である。残り２つの導体１４ａ－３、１４ａ－４は、互いに対向する２辺のそれぞれの長さがＬ１であって、残りの２辺のそれぞれの長さがＬ２である。
４種類の導体１４ａ－１、１４ａ－２、１４ａ－３、１４ａ－４の外周長の平均は、２×（Ｌ１＋Ｌ２）の式で表される。外周長の平均は、例えば６０ｍｍ～１８０ｍｍであり、好ましくは８０ｍｍ～１５０ｍｍである。
なお、Ｌ１とＬ２とは、本実施形態では異なるが、同一であってもよい。この場合も、外周長の平均は、２×（Ｌ１＋Ｌ２）の式で表される。
次に、図６を参照して、第１スリット１４ｃの線幅Ｇ１と、第２スリット１４ｄの線幅Ｇ２との関係について説明する。
第１スリット１４ｃと第２スリット１４ｄは、上記の通り、例えばレーザー加工で形成される。レーザー光線は、導電層１４の表面にスポットＳＰを形成する。スポットＳＰが第１方向（Ｘ軸方向）に走査されることで、第１スリット１４ｃが形成される。第１スリット１４ｃの長手方向は、Ｘ軸方向である。また、スポットＳＰが第１方向に直交する第２方向（Ｙ軸方向）に走査されることで、第２スリット１４ｄが形成される。第２スリット１４ｄの長手方向は、Ｙ軸方向である。
図６に示すように、第１スリット１４ｃの線幅Ｇ１はスポットＳＰのＹ軸方向寸法と一致し、第２スリット１４ｄの線幅Ｇ２はスポットＳＰのＸ軸方向寸法と一致する。スポットＳＰが楕円形である場合、Ｇ１とＧ２が異なる。なお、スポットＳＰが円形である場合、Ｇ１とＧ２とが一致する。Ｇ１とＧ２が一致する場合には、Ｇ１とＧ２を区別しなくてもよいので、単にＧとも表記する（図５参照）。
表１に、線幅Ｇ１及びＧ２の値を１００μｍとした例Ａと、４０００μｍとした例Ｂの、電波吸収体１の見栄えの変化を示す。見栄えは、第１主面１１側から電波吸収体１を目視した際、及び第２主面１２側から電波吸収体１を目視した際に、導電層１４の第１スリット１４ｃや第２スリット１４ｄと、導体１４ａを識別できなかった場合に〇と評価し、合格とした。一方で、第１主面１１側から電波吸収体１を目視した際、または第２主面１２側から電波吸収体１を目視した際の少なくとも一方で、導電層１４の第１スリット１４ｃや第２スリット１４ｄと、導体１４ａを識別できた場合を×と評価し、不合格とした。
Figure 0007622746000001
表１の例Ａでは、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と導電層１４と第２誘電体層１５と電波反射層１６と第３誘電体層１７をこの順番で有する５層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３と第３誘電体層１７は、いずれも、厚み２．０ｍｍのＰＣ樹脂基板（比誘電率：２．９６、ｔａｎδ：０．０１１）であった。第２誘電体層１５は、厚み４．０ｍｍのガラス基板（比誘電率：７．０、ｔａｎδ：０．０２）であった。導電層１４は、Ｌ１が３５ｍｍ、Ｌ２が２１ｍｍ、Ｇ１が１００μｍ、Ｇ２が１００μｍ、シート抵抗が１．８Ω／ｓｑ．であった。電波反射層１６は、完全磁気導体（ＰＥＣ：Ｐｅｒｆｅｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であった。
表１の例Ｂでは、電波吸収体１（新日本電波吸収体社製、製品番号「ＭＳ―００９Ｔ」）は、絶縁性基材１４ｂと導体１４ａからなる導電層１４と、第２誘電体層１５と、タイル状の層とベタ膜状の層からなる電波反射層１６を、この順番で有する５層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第２誘電体層１５は、厚み５．０ｍｍのアクリル樹脂（比誘電率：２．７、ｔａｎδ：０．０４）であった。導電層１４は、Ｌ１が８６ｍｍ、Ｌ２が８６ｍｍ、Ｇ１が４０００μｍ、Ｇ２が４０００μｍ、シート抵抗が５．３８Ω／ｓｑ．であった。電波反射層１６は、タイル状の層のシート抵抗が３．２１Ω／ｓｑ．、ベタ膜状の層のシート抵抗が２．６４Ω／ｓｑ．、電波反射層１６全体のシート抵抗が１．５７Ω／ｓｑ．であった。
Ｇ１、Ｇ２は、それぞれ独立して、好ましくは３０μｍ～５００μｍ、より好ましくは５０μm～２００μｍ、さらに好ましくは５０μｍ～１５０μｍである。Ｇ１、Ｇ２が３０μｍ以上であれば、加工が容易である。表１から分かるように、Ｇ１、Ｇ２が５００μｍ以下であれば、隣接する導電層１４（１４ａ－１、１４ａ－２、１４ａ－３、１４ａ－４）間をまたぐ距離が抑えられることにより、スリットが視認されにくいため透明性が良好な電波吸収体１が得られる。また、Ｇ１、Ｇ２が１５０μｍ以下であれば、導体１４ａ間に生じる電界が大きく、上記遅延時間が長い。したがって、導電層１４と電波反射層１６との間隔を縮め、電波吸収体１を薄化できる。
表２に、Ｇ１を１００μｍに固定し、Ｇ２を変動させた場合の、電波の減衰量が最小になる周波数の変動を示す。減衰量（単位：ｄＢ）は、入射波の強度に対する反射波の強度を、負の値で表す。減衰量が小さいほど、入射波の強度に対する反射波の強度が小さく、電波の吸収が大きい。例えば、減衰量が－１０ｄＢであることは、反射波の強度が入射波の強度の１／１０になることを意味する。また、減衰量が－２０ｄＢであることは、反射波の強度が入射波の強度の１／１００になることを意味する。電波の減衰量は、電磁界シミュレーションによって求めた。その解析ソフトとしては、ＣＳＴ社のＭｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｔｕｄｉｏ（登録商標）を用いた。表３～表８の減衰量も、同様に求めた。
Figure 0007622746000002
 表２では、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と導電層１４と第２誘電体層１５と電波反射層１６と第３誘電体層１７をこの順番で有する５層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３と第３誘電体層１７は、いずれも、厚み２．０ｍｍのＰＣ樹脂基板（比誘電率：２．９６、ｔａｎδ：０．０１１）であった。第２誘電体層１５は、厚み４．０ｍｍのガラス基板（比誘電率：７．０、ｔａｎδ：０．０２）であった。導電層１４は、Ｌ１が３５ｍｍ、Ｌ２が２１ｍｍ、シート抵抗が１．８Ω／ｓｑ．であった。電波反射層１６は、完全磁気導体（ＰＥＣ：Ｐｅｒｆｅｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であった。
表２から、明らかなように、｜Ｇ１－Ｇ２｜／Ｇ１が３０％以下であれば、減衰量が最小になる周波数のシフト量を５％以下に抑制できる。周波数のシフト量は、Ｇ１とＧ２とが等しい場合に減衰量が最小になる周波数（表２では９１０ＭＨｚ）を基準値とし、その基準値からのずれの大きさを百分率で表したものである。｜Ｇ１－Ｇ２｜／Ｇ１は、第１スリット１４ｃの線幅の平均値Ｇ１に対する、第１スリット１４ｃの線幅の平均値Ｇ１と第２スリット１４ｄの線幅の平均値Ｇ２との差の絶対値｜Ｇ１－Ｇ２｜の割合である。｜Ｇ１－Ｇ２｜／Ｇ１は、好ましくは２０％以下である。また、｜Ｇ１－Ｇ２｜／Ｇ１は、０％以上である。
第２誘電体層１５は、上記遅延時間を長くし、導電層１４と電波反射層１６との間隔をより縮め、電波吸収体１をより薄化する。第２誘電体層１５の厚みは、例えば１．５ｍｍ～２０ｍｍである。第２誘電体層１５の厚みが上記範囲内であれば、導電層１４と電波反射層１６との間隔が適切な距離になる。
第２誘電体層１５は、材質が異なると、誘電率が異なるので、厚みの好ましい範囲も異なる。第２誘電体層１５が樹脂基板である場合、第２誘電体層１５の厚みは、例えば２．０ｍｍ～２５ｍｍであり、好ましくは３．０ｍｍ～２０ｍｍであり、より好ましくは３．０ｍｍ～７．０ｍｍである。一方、第２誘電体層１５がガラス基板又はセラミックス基板である場合、第２誘電体層１５の厚みは、例えば１．０ｍｍ～１５ｍｍであり、好ましくは１．５ｍｍ～１０．０ｍｍであり、より好ましくは１．５ｍｍ～５．０ｍｍである。
第２誘電体層１５の材質は、ガラス、セラミックス、又は樹脂である。軽量化の観点からは、樹脂が好ましい。樹脂の具体例として、ＰＣ樹脂、又はアクリル樹脂が挙げられる。一方、吸水率の観点からは、ガラス又はセラミックスが好ましい。また、詳しくは後述するが、第２誘電体層１５の厚みの公差の観点からは、樹脂が好ましい。公差とは、許容される差のことである。公差が大きいほど、好ましい。
第２誘電体層１５がガラス基板である場合、そのガラス基板のｔａｎδは、０．０２５以下が好ましく、０．０２０以下がより好ましく、０．０１０以下がさらに好ましい。ガラス基板のｔａｎδの下限は特に制限されないが、０．０００１以上であってよい。また、ガラス基板の比誘電率は８以下が好ましく、６以下がさらに好ましい。ガラス基板の比誘電率の下限は特に制限されないが、３．５以上であってよい。
第２誘電体層１５が樹脂基板である場合、樹脂基板のｔａｎδは、０．２以下が好ましく、０．１以下がより好ましい。樹脂基板のｔａｎδの下限は特に制限されないが、０．０００５以上であってよい。また、樹脂基板の比誘電率は５以下が好ましく、４以下がさらに好ましい。樹脂基板の比誘電率の下限は特に制限されないが、２以上であってよい。
表３に、第２誘電体層１５であるＰＣ樹脂基板の厚みを変動させた場合の、電波の減衰量の変動を示す。ここでは、第２誘電体層１５であるＰＣ樹脂基板の厚み以外は、同じ条件で、電波の減衰量を求めた。
Figure 0007622746000003
 表３では、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と導電層１４と第２誘電体層１５と電波反射層１６と第３誘電体層１７をこの順番で有する５層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３と第３誘電体層１７は、いずれも、厚み２．０ｍｍのＰＣ樹脂基板であった。導電層１４は、Ｇが１００μｍ、Ｌ１が３４ｍｍ、Ｌ２が２６ｍｍ、シート抵抗が１０Ω／ｓｑ．であった。電波反射層１６は、完全磁気導体であった。
表３では、周波数９１５ＭＨｚの電波の減衰量が－２０ｄＢ以下であって、且つその前後の周波数９０２ＭＨｚ、９２８ＭＨｚの電波の減衰量が－１０ｄＢ以下である場合を、合格と評価した。また、それ以外の場合を、不合格と評価した。表３から明らかなように、第２誘電体層１５がＰＣ樹脂基板である場合、評価が合格であるための第２誘電体層１５の厚みの公差は約０．４ｍｍ程度であることが分かる。
表４に、第２誘電体層１５であるガラス基板の厚みを変動させた場合の、電波の減衰量の変動を示す。ここでは、第２誘電体層１５であるガラス基板の厚み以外は、同じ条件で、電波の減衰量を求めた。
Figure 0007622746000004
 表４では、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と導電層１４と第２誘電体層１５と電波反射層１６と第３誘電体層１７をこの順番で有する５層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３と第３誘電体層１７は、いずれも、厚み２．７ｍｍのガラス基板であった。導電層１４は、Ｇが１２０μｍ、Ｌ１が３０ｍｍ、Ｌ２が２０ｍｍ、シート抵抗が１．８Ω／ｓｑ．であった。電波反射層１６は、完全磁気導体であった。
表４では、表３と同様に、周波数９１５ＭＨｚの電波の減衰量が－２０ｄＢ以下であって、且つその前後の周波数９０２ＭＨｚ、９２８ＭＨｚの電波の減衰量が－１０ｄＢ以下である場合を、合格と評価した。また、それ以外の場合を、不合格と評価した。表３から明らかなように、第２誘電体層１５がガラス基板である場合、評価が合格であるための第２誘電体層１５の厚みの公差は約０．０５ｍｍ程度であることが分かる。
表３と表４から、第２誘電体層１５の材質は、第２誘電体層１５の厚みの公差の観点からは、ガラスよりも、樹脂が好ましい。第２誘電体層１５が樹脂であれば、第２誘電体層１５の厚みの公差が大きく、第２誘電体層１５の製造ロット間で第２誘電体層１５の厚みがばらつく場合にも電波が十分減衰される。
次に、図７を参照して、第２誘電体層１５の厚みと、導電層１４の導体１４ａのシート抵抗との関係の一例について説明する。図７において、第２誘電体層１５は、ＰＣ樹脂である（比誘電率：２．９６、ｔａｎδ：０．０１１）。第２誘電体層１５の厚みをｘ（ｍｍ）、導電層１４の導体１４ａのシート抵抗をｙ（Ω／ｓｑ．）とすると、下記式（１）が成立することが好ましい。
Figure 0007622746000005
 上記式（１）が成立する範囲は、図７にドットパターンで示す範囲である。上記式（１）が成立すれば、電波の減衰量が－１０ｄｂ以下となり、電波が十分に減衰される。図７から明らかなように、ｘが大きいほど、ｙが大きいことが好ましい。下記式（２）が成立することがより好ましい。
Figure 0007622746000006
 電波反射層１６は、導電層１４を透過した電波を反射する。電波反射層１６は、導電性を有する。電波反射層１６のシート抵抗は、例えば３Ω／ｓｑ．よりも小さく、好ましくは２Ω／ｓｑ．以下であり、より好ましくは１．５Ω／ｓｑ．以下である。また、電波反射層１６のシート抵抗は、好ましくは０．１Ω／ｓｑ．以上、より好ましくは０．５Ω／ｓｑ．以上である。
表５に、電波反射層１６のシート抵抗を変動させた場合の、減衰量が－１０ｄｂ以下の帯域幅の変動を示す。ここでは、電波反射層１６のシート抵抗以外は、同じ条件で、電波の減衰量を求めた。
Figure 0007622746000007
 表５では、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と接着層１８と導電層１４と第２誘電体層１５と接着層１８と電波反射層１６と接着層１８と第３誘電体層１７をこの順番で有する８層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３と第３誘電体層１７は、いずれも、厚み２．７５ｍｍのガラス基板であった。第２誘電体層１５は、厚み３．７ｍｍのガラス基板であった。導電層１４は、Ｇが１２０μｍ、Ｌ１が３０ｍｍ、Ｌ２が２０ｍｍ、シート抵抗が１．８Ω／ｓｑ．であった。各接着層１８は、厚み０．５ｍｍのＣＯＰフィルム（比誘電率：２．３３、ｔａｎδ：０．０００８６）であった。
表５から明らかなように、減衰量が－１０ｄｂ以下の帯域幅を２６ＭＨｚ以上確保するには、電波反射層１６のシート抵抗が３Ω／ｓｑ．よりも小さければよい。電波反射層１６のシート抵抗が１Ω／ｓｑ．程度であることが最も好ましい。
電波反射層１６は、例えば金属メッシュを含む。金属メッシュは、開口を有するので、金属膜に比べて高い可視光透過率を実現できる。可視光の反射を抑制する観点から、金属メッシュは、酸化処理され、黒化処理されたものが好ましい。金属メッシュとしては、ステンレス製のものが一般的に使用される。メッシュ線径が０．０１ｍｍ以上であると、電波吸収体１製造時の取り扱い性が容易である。メッシュ線径が０．１ｍｍ以下であると、電波吸収性が良好である。メッシュ線径は、電波吸収体の透明性確保および電波吸収性の両立の観点から、特に好ましくは、０．０１ｍｍ～０．０８ｍｍ、さらに好ましくは０．０２ｍｍ～０．０６ｍｍである。
また、電波反射層１６は、透明導電膜を含んでもよい。透明導電膜としては、ＩＴＯ膜、Ｌｏｗ－Ｅ膜（低放射膜）などが挙げられる。電波反射層の厚みは特に限られないが、電波反射層１６にＬｏｗ－Ｅ膜などの金属膜を用いる場合、例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。
電波反射層１６は、透明導電膜を支持する絶縁性基材を更に含んでもよい。絶縁性基材は、例えば樹脂フィルム等である。例えば、絶縁性基材の表面に蒸着法又はスパッタリング法等で透明導電膜を形成する。なお、透明導電膜は、導電性インクを用いて、印刷で形成されてもよい。
電波反射層１６が絶縁性基材を含む場合、図２及び図３に示すように、電波反射層１６と第３誘電体層１７の間、及び電波反射層１６と第２誘電体層１５の間の両方に、接着層１８が配置される。一方、電波反射層１６が絶縁性基材を含まない場合、電波反射層１６と第３誘電体層１７の間、及び電波反射層１６と第２誘電体層１５の間のいずれか一方のみに、接着層１８が配置される。
後者の場合、電波反射層１６は、第３誘電体層１７及び第２誘電体層１５のいずれかに隣接しており、そのいずれかに直接形成される。例えば、電波反射層１６は、図４に示すように、第３誘電体層１７に隣接しており、第３誘電体層１７に直接に形成される。あるいは、電波反射層１６は、図示しないが、第２誘電体層１５に隣接しており、第２誘電体層１５に直接に形成される。絶縁性基材が不要になるので、電波吸収体１をより薄化できる。
ところで、Ｌｏｗ－Ｅ膜には、酸化スズ層又は酸化インジウム層を含むものと、銀（Ａｇ）層を含むものとが存在する。
酸化スズ層又は酸化インジウム層を含むＬｏｗ－Ｅ膜は、熱による劣化が少ないという利点があるものの、元来の放射率が高いので（垂直放射率εｎは０．１５程度以上）、断熱性や遮熱性の向上はあまり期待できず、また火災時の遮熱性についても期待することができない。すなわち、防火性能の大幅な向上は見込めない。
一方、銀層を含むＬｏｗ－Ｅ膜は、放射率が低く（垂直放射率εｎは０．１程度以下）、優れた断熱性、遮熱性を有するので、火災時にもその放射率が維持されていれば有効にガラス基板の破損を防止することができる。
従って、耐熱Ｌｏｗ－Ｅ膜として使用するＬｏｗ－Ｅ膜には、銀層を含むＬｏｗ－Ｅ膜を使用することが好ましい。銀は加熱で酸化しやすく、性能が劣化しやすいので、熱に耐え得る構造、つまり、熱で銀が劣化しにくい構造が好ましい。例えば、下記の（Ａ）及び（Ｂ）の構造が挙げられる。
（Ａ）Ｌｏｗ－Ｅ膜は、酸化物誘電体層、バリア層、銀層、バリア層、及び酸化物誘電体層をこの順番で含み、この順番でガラス基板の上に直接形成される。各バリア層が金属で形成され、且つ各バリア層の厚みが２ｎｍ以上である。銀層と酸化物誘電体層との間にバリア層を介在させることにより、銀の酸化を抑制でき、熱線反射性能の劣化を抑制できる。また、各バリア層が金属で形成され、且つ各バリア層の厚みが２ｎｍ以上であれば、耐熱性が良好である。バリア層を構成する金属は、例えば、亜鉛合金（Ｚｎ合金）又はチタン（Ｔｉ）等である。
なお、通常のＬｏｗ－Ｅ膜で金属のバリア層を設ける場合、Ｚｎ合金のバリア層では０．７ｎｍ程度の厚み、Ｔｉのバリア層では１．５ｎｍ程度の厚みである。
（Ａ）のバリア層の厚みは厚いほど、耐熱性が良好であるが、透過性が低下する。（Ａ）のバリア層の厚みは、耐熱性と透過性を考慮して決められる。
（Ｂ）Ｌｏｗ－Ｅ膜は、非酸化物誘電体層、バリア層、銀層、バリア層、及び非酸化物誘電体層をこの順番で含み、この順番でガラス基板の上に直接形成される。非酸化物誘電体層で銀層を挟む構成とすることにより、高温環境下で銀の酸化を抑制でき、高い熱線反射性能を確保しつつ、高い耐熱性を確保できる。
（Ｂ）のバリア層は、（Ａ）のバリア層と同様に、Ｚｎ合金又はＴｉ等で形成される。これにより、耐熱性を更に向上できる。（Ｂ）のバリア層は、非酸化物誘電体層と同じ材料で形成されてもよい。
Ｌｏｗ－Ｅ膜は、銀層を複数含んでもよい。銀層を複数層形成すれば、より放射率を下げることができ、εｎを０．１よりも著しく小さくできる。例えば、Ｌｏｗ－Ｅ膜は、酸化物誘電体層、バリア層、銀層、バリア層、酸化物誘電体層、バリア層、銀層、バリア層、及び酸化物誘電体層をこの順番で含み、この順番でガラス基板の上に直接形成される。
第３誘電体層１７は、電波反射層１６を保護する。第３誘電体層１７は、ガラス、セラミックス、又は樹脂等である。軽量化の観点からは、樹脂が好ましい。樹脂の具体例として、ＰＥＴ樹脂、ＰＣ樹脂、又はアクリル樹脂が挙げられる。一方、耐傷性の観点からは、ガラス又はセラミックスが好ましい。
第３誘電体層１７がガラス基板又はセラミックス基板である場合、その厚みは例えば０．２ｍｍ～４．０ｍｍであり、好ましくは０．３ｍｍ～２．５ｍｍであり、より好ましくは０．３ｍｍ～１．０ｍｍである。一方、第３誘電体層１７が樹脂基板である場合、その厚みは例えば０．４ｍｍ～５．０ｍｍであり、好ましくは０．５ｍｍ～３．５ｍｍであり、より好ましくは０．５ｍｍ～１．５ｍｍである。
第３誘電体層１７がガラス基板である場合、そのガラス基板のｔａｎδは、０．０２５以下が好ましく、０．０２０以下がより好ましく、０．０１０以下がさらに好ましい。ガラス基板のｔａｎδの下限は特に制限されないが、０．０００１以上であってよい。また、ガラス基板の比誘電率は８以下が好ましく、６以下がさらに好ましい。ガラス基板の比誘電率の下限は特に制限されないが、３．５以上であってよい。
第３誘電体層１７が樹脂基板である場合、樹脂基板のｔａｎδは、０．２以下が好ましく、０．１以下がより好ましい。樹脂基板のｔａｎδの下限は特に制限されないが、０．０００５以上であってよい。また、樹脂基板の比誘電率は５以下が好ましく、４以下がさらに好ましい。樹脂基板の比誘電率の下限は特に制限されないが、２以上であってよい。
第３誘電体層１７の厚み（Ｔｅ）と第２誘電体層１５の厚み（Ｔｃ）の比（Ｔｅ／Ｔｃ）は、例えば０．０５～０．７５である。第３誘電体層１７は、電波反射層１６の保護を目的とするので、第２誘電体層１５よりも薄くてよい。
電波吸収体１の総厚は、例えば１．０ｍｍ～３０ｍｍであり、より好ましくは２．０ｍｍ～２０ｍｍであり、さらに好ましくは２．５ｍｍ～１５ｍｍであり、特に好ましくは２．５ｍｍ～１２ｍｍである。電波吸収層１の厚みが上記範囲内であれば、第１誘電体層１３、第２誘電体層１５、及び第３誘電体層１７の各層を適切な厚みとし、かつ電波吸収体１を軽量化できる。
接着層１８は、隣り合う層同士を接着する。接着層１８は、例えば、透明光学粘着剤（ＯＣＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）樹脂、及び熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）樹脂のいずれかである。
接着層１８の吸水率は、例えば３質量％以下である。接着層１８の吸水率は、日本工業規格ＪＩＳ Ｋ ７２０９：２０００に準拠して測定する。接着層１８の吸水率が３質量％以下であれば、高温多湿の使用環境でも劣化しにくい。ＰＶＢ樹脂、ＥＶＡ樹脂、ＣＯＰ樹脂、及びＴＰＵ樹脂は、いずれも、吸水率が３質量％以下であってもよい。接着層１８の吸水率は、好ましくは１質量％以下である。また、接着層１８の吸水率は、０．０１質量％以上である。
接着層１８に比誘電率の高い鉱物よりなる微粒子を分散させることで、接着層１８の比誘電率を高くすることも電波吸収体１全体の厚みを薄くさせるのに有効である。この場合、第１誘電体層１３、第２誘電体層１５及び第３誘電体層１７のそれぞれと、接着層１８とで、比誘電率の差が小さいことが、各部材間での電波の反射の影響を抑制する上で好ましい。
また、例えば第１誘電体層１３と第２誘電体層１５とで比誘電率の差が大きい場合、これらの中間の比誘電率を、第１誘電体層１３と第２誘電体層１５の間に配置される接着層１８が有することが好ましい。同様に、第２誘電体層１５と第３誘電体層１７とで比誘電率の差が大きい場合、これらの中間の比誘電率を、第２誘電体層１５と第３誘電体層１７の間に配置される接着層１８が有することが好ましい。
最後に、周波数９１５ＭＨｚの電波の減衰量が－２０ｄＢ以下であって、且つ減衰量が－１０ｄｂ以下の帯域幅が２６ＭＨｚ以上である、電波吸収体１の例について、表６～表８に示す。
Figure 0007622746000008
 表６では、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と導電層１４と第２誘電体層１５と電波反射層１６と第３誘電体層１７をこの順番で有する５層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３と第３誘電体層１７は、いずれも、厚み２．０ｍｍのＰＣ樹脂基板であった。電波反射層１６は、完全磁気導体であった。
Figure 0007622746000009
 表７では、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と導電層１４と接着層１８と第２誘電体層１５と接着層１８と電波反射層１６と接着層１８と第３誘電体層１７をこの順番で有する８層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３と第３誘電体層１７は、いずれも、厚み２．７５ｍｍのガラス基板であった。電波反射層１６は、完全磁気導体であった。各接着層１８は、厚み０．５ｍｍのＣＯＰフィルムであった。
Figure 0007622746000010
 表８では、電波吸収体１は、第１誘電体層１３と接着層１８と導電層１４と第２誘電体層１５と接着層１８と電波反射層１６と接着層１８と第３誘電体層１７をこの順番で有する８層構造の積層体であった。この積層体は第１主面１１を鉛直に立てて配置され、第１スリット１４ｃの長手方向は水平方向であり、第２スリット１４ｄの長手方向は鉛直方向であった。第１誘電体層１３は厚み２．７５ｍｍのガラス基板であり、第３誘電体層１７は厚み２．７５ｍｍのＰＣ樹脂基板であった。電波反射層１６は、完全磁気導体であった。各接着層１８は、厚み０．５ｍｍのＣＯＰフィルムであった。
以下、実験データについて説明する。例１～例２は、両方とも実施例である。
［例１］
例１では、表９に示す第１誘電体層、接着層、導電層、第２誘電体層、接着層、電波反射層、接着層、及び第３誘電体層をこの順番で含む８層構造の電波吸収体を製作した。
Figure 0007622746000011
 第１誘電体層、及び第３誘電体層は、厚み２．７５ｍｍのソーダライムガラスであった。第２誘電体層は、厚み３．７ｍｍのソーダライムガラスであった。導電層は、第２誘電体層の片側の面に直接形成した。導電層は、面抵抗値が１．８Ω／ｓｑ．である酸化銀を含む積層膜であった。また、導電層のパターンニングには、レーザー加工を用いた。導電層は、Ｌ１が３４ｍｍ、Ｌ２が２４ｍｍ、Ｇ１とＧ２が１１０μｍであった。電波反射層としては、線幅が３０μｍのステンレス製繊維によって編み込まれた金属メッシュ（面抵抗値：０．０１Ω／ｓｑ．）を用いた。接着層としては、比誘電率が２．３３であり、厚みが１０００μｍのＣＯＰフィルムを用いた。ＣＯＰフィルムを用いた接着は、温度：１３０℃、加圧圧力：１ＭＰａ、加圧時間：９０分で実施した。電波吸収体は、第１主面が縦４００ｍｍ、横９００ｍｍの長方形であり、総厚みが１２．２ｍｍであり、透過率が６２％であった。
例１で製作した電波吸収体による電波の減衰量は、下記の通り、測定した。図８に示すように、電波は、発信アンテナ２１から電波吸収体１の第１主面１１に入射角θｉ＝３０°で入射させた。そして、反射角θｒ＝３０°で反射した電波を、受信アンテナ２２によって受信させた。発信アンテナ２１及び受信アンテナ２２は、電波吸収体１の第１主面１１の法線に対して対称に配置し、第１主面１１から１０００ｍｍ離れた位置に設置した。電波吸収体１の第１主面１１は、鉛直に立てた。減衰量は、発信した電波の強度に対する、受信した電波の強度の減衰量として求めた。電波の周波数は、８００ＭＨｚ～１０００ＭＨｚであった。減衰量の測定は、発信アンテナ２１以外からの不要電波の影響を低減すべく、電波暗室の中で実施した。
例１で製作した電波吸収体による電波の減衰量の測定結果を、図９に示す。図９には、比較のため、完全反射体であるステンレス鋼板（ＳＵＳ板）による電波の減衰量の測定結果をも併せて示す。なお、図９において、ＳＵＳ板の減衰量がマイナスになったのは、電波の回折や漏れの影響である。例１で製作した電波吸収体による電波の減衰量と、ＳＵＳ板による電波の減衰量との比を、図１０に示す。図９及び図１０から明らかなように、例１で製作した電波吸収体は、周波数８８０ＭＨｚ付近に大きな吸収性を有することが確認できた。また、導電層と電波反射層との間隔がλ／４よりも小さくすることができ、軽量化などの点で好ましい。
［例２］
例２では、表１０に示す第１誘電体層、導電層、接着層、第２誘電体層、接着層、電波反射層、接着層、及び第３誘電体層をこの順番で含む８層構造の電波吸収体を製作した。
Figure 0007622746000012
 第１誘電体層、及び第３誘電体層は、厚み２．７５ｍｍのソーダライムガラスであった。第２誘電体層は、厚み３．０ｍｍのＰＣ（ポリカーボネート）基板であった。導電層は、第１誘電体層の片側の面に直接形成した。導電層は、面抵抗値が１．８Ω／ｓｑ．である酸化銀を含む積層膜であった。また、導電層のパターンニングには、レーザー加工を用いた。導電層は、Ｌ１が４０ｍｍ、Ｌ２が２８ｍｍ、Ｇ１とＧ２が１００μｍであった。電波反射層としては、線幅が３０μｍのステンレス製繊維によって編み込まれた金属メッシュ（面抵抗値：０．０１Ω／ｓｑ．）を用いた。接着層としては、比誘電率が２．３３であり、厚みが３８０μｍのＣＯＰフィルムを用いた。ＣＯＰフィルムを用いた接着は、温度：１３０℃、加圧圧力：１ＭＰａ、加圧時間：９０分で実施した。電波吸収体は、第１主面が縦３００ｍｍ、横３００ｍｍの正方形であり、総厚みが９．７ｍｍであり、透過率が６４％であった。
例２で製作した電波吸収体による電波の減衰量は、例１で製作した電波吸収体による電波の減衰量と同様に、測定した。その測定結果を、図１１に示す。図１１には、比較のため、完全反射体であるＳＵＳ板による電波の減衰量の測定結果をも併せて示す。なお、図１１において、ＳＵＳ板の減衰量がマイナスになったのは、電波の回折や漏れの影響である。例２で製作した電波吸収体による電波の減衰量と、ＳＵＳ板による電波の減衰量との比を、図１２に示す。図１１及び図１２から明らかなように、例２で製作した電波吸収体は、周波数９２４ＭＨｚ付近に大きな吸収性を有することが確認できた。また、導電層と電波反射層との間隔がλ／４よりも小さくすることができ、軽量化などの点で好ましい。
以上、本開示に係る電波吸収体について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
例えば、電波吸収体１の吸収する電波の周波数は、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）用の９１３ＭＨｚには限定されない。電波吸収体１の吸収する電波の周波数は、例えば０．５ＧＨｚ～２ＧＨｚであり、好ましくは０．８ＧＨｚ～１．２ＧＨｚである。例えば、携帯電話の電波の周波数は、１ＧＨｚである。
１ 電波吸収体
１１ 第１主面
１２ 第２主面
１３ 第１誘電体層
１４ 導電層
１４ａ 導体
１５ 第２誘電体層
１６ 電波反射層
１７ 第３誘電体層
なお、２０２０年８月２４日に出願された日本特許出願２０２０－１４０９５８号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (21)

  1. 積層構造からなる電波吸収体であって、
    前記電波吸収体は可視光透過率が５０％以上であり、
    前記電波吸収体はある特定の周波数帯の電波を吸収し、
    前記電波吸収体は、前記電波が入射する面である第１主面と、前記第１主面と反対の面である第２主面を有し、
    前記第１主面から前記第２主面に向けて、第１誘電体層と、導電層と、第２誘電体層と、電波反射層と、第３誘電体層とを、この順番で含み、
    前記導電層は、複数の導体と、前記複数の導体を互いに隔てて配置する間隙からなり、前記複数の導体は互いに絶縁されており、
    前記第１誘電体層、前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層の少なくとも１つは、ガラスであり、
    前記ガラスの比誘電率は、３．５以上である、電波吸収体。
  2. 前記第１主面と前記第２主面との間に、接着層を更に含む、請求項１に記載の電波吸収体。
  3. 前記接着層は、透明光学粘着剤（ＯＣＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）樹脂、及び熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）樹脂のいずれかである、請求項２に記載の電波吸収体。
  4. 前記接着層の吸水率は、３質量％以下である、請求項２又は３に記載の電波吸収体。
  5. 前記導電層は、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層のいずれかに隣接しており、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層のいずれかに直接形成されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  6. 前記電波反射層は、前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層のいずれかに隣接しており、前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層のいずれかに直接形成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  7. 前記電波反射層は、導電性を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  8. 前記電波反射層は、透明導電膜を含む、請求項７に記載の電波吸収体。
  9. 前記電波反射層は、金属メッシュを含む、請求項７に記載の電波吸収体。
  10. 前記金属メッシュの線径は、０．０１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である、請求項９に記載の電波吸収体。
  11. 前記電波反射層のシート抵抗は、３Ω／ｓｑ．よりも小さい、請求項７～１０のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  12. 前記第２誘電体層は、ガラス、セラミックス又は樹脂である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  13. 前記第２誘電体層は、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂又はアクリル樹脂である、請求項１２に記載の電波吸収体。
  14. 前記導電層における、前記複数の導体を隔てる前記間隙の線幅は、３０μｍ～５００μｍである、請求項１～１３のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  15. 前記導電層は、前記複数の導体を隔てる前記間隙として、互いに直交する第１スリットと第２スリットをそれぞれ複数含み、
    前記第１スリットの長手方向は水平方向であり、前記第２スリットの長手方向は鉛直方向であり、
    前記第１スリットの線幅の平均値に対する、前記第１スリットの線幅の平均値と前記第２スリットの線幅の平均値との差の絶対値の割合が３０％以下である、請求項１～１４のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  16. 前記第１誘電体層の厚み（Ｔａ）と前記第２誘電体層の厚み（Ｔｃ）の比（Ｔａ／Ｔｃ）は、０．０５～０．７５である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  17. 前記電波の周波数は、０．５ＧＨｚ～２ＧＨｚである、請求項１～１６のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  18. 前記第２誘電体層の厚みは、１．５ｍｍ～２０ｍｍである、請求項１～１７のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  19. 前記第２誘電体層の厚みをｘ（ｍｍ）、前記導電層の前記導体のシート抵抗をｙ（Ω／ｓｑ．）とすると、
    下記式（１）が成立する、請求項１～１８のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  20. 前記導電層は、前記複数の導体を支持する絶縁性基材を更に含む、請求項１～１９のいずれか１項に記載の電波吸収体。
  21. 減衰量が－１０ｄｂ以下の帯域幅は、２６ＭＨｚ以上である、請求項１～２０のいずれか１項に記載の電波吸収体。
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