JP7630492B2 - 緑色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子及び緑色光を生成する方法 - Google Patents

緑色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子及び緑色光を生成する方法 Download PDF

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Description

本発明は、少なくとも１種のホスト材料ＨＢを含む少なくとも１つの発光層Ｂ、少なくとも１種の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢおよび少なくとも１種の小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）の発光体ＳＢを含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、ここで、ＥＢがエネルギーをＳＢに移動し、ＳＢが光を発する。ＳＢは、５００ｎｍ～５６０ｎｍの最大発光を有する狭い（小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）と表される）緑色の発光を示す。さらに、本発明は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の手段によって緑色光を発生する方法に関する。
例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）および発光トランジスタのような有機物に基づく１つまたはそれ以上の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子が、一層の重要性を得ている。特に、スクリーン、ディスプレイおよびイルミネーション装置のような電子製品のために、ＯＬＥＤは有望な素子である。無機物に本質的に基づくほとんどのエレクトロルミネッセンス素子とは対照的に、有機物に基づくエレクトロルミネッセンス素子は、かなり可撓性であり、特に薄い層を生産可能であることが多い。今日、既に入手可能なＯＬＥＤベースのスクリーンおよびディスプレイは、良好な効率と長い寿命か、または良好な色純度と長い寿命か、のいずれかを有するが、すべての３つの性質、すなわち良好な効率、長い寿命および良好な色純度を組み合わせてはいない。
そのため、高い量子収率、長い寿命および良好な色純度を有する有機エレクトロルミネッセンス素子への遭遇されていない技術的必要性が、依然として存在する。
ＯＬＥＤの色純度または色点は、典型的には、ＣＩＥｘとＣＩＥｙとの座標によって提供されるが、一方で次のディスプレイ世代のための色域は、いわゆるＢＴ－２０２０値およびＤＣＰＩ３値によって付与される。一般に、これらの色座標を達成するために、頂部発光素子は、空洞を変更することによって色座標を調整させる必要がある。これらの色域を標的としながら頂部発光素子における高い効率を達成するためには、底部発光素子における狭い発光スペクトルが典型的に望まれる。
最近、いくつかの蛍光の近距離電荷移動（ＮＲＣＴ）発光体が開発されてきており、これらは、０．２５ｅＶ以下であるＦＷＨＭを有するかなり狭い発光スペクトルを提示し、したがって、ＢＴ－２０２０およびＤＣＰＩ３色域を達成するのにより好適である。
光を発生するための有機エレクトロルミネッセンス素子の中心的な要素は、典型的には、アノードとカソードとの間に置かれた少なくとも１つの発光層である。電圧（および電流）が有機エレクトロルミネッセンス素子に印加されるとき、正孔および電子は、それぞれアノードおよびカソードから注入される。典型的には、正孔輸送層は、発光層とアノードとの間に典型的に位置し、電子輸送層は、発光層とカソードとの間に典型的に位置する。異なる層が、続けて堆積される。次いで、高エネルギーの励起子が、発光層中の正孔と電子との再結合によって発生する。このような励起状態（例えばＳ１のような一重項状態および／またはＴ１のような三重項状態）の、基底状態（Ｓ０）への減衰が、望ましくは光の発光をもたらす。
驚くべきことに、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料、少なくとも１種の小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）の発光体および少なくとも１種のホスト材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層が、長い寿命、高い量子収率を有して、ＢＴ－２０２０およびＤＣＰＩ３色域を達成するのに理想的に好適な狭い発光を示す、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが見出された。
ここで、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料は、エネルギーを、５００ｎｍ～５６０ｎｍの最大発光を有する緑色発光を提示する少なくとも１種の小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）の発光体へ移動する。
したがって、本発明の一態様は、互いに独立に、
（ｉ）少なくとも１種のホスト材料ＨＢ、これは最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）および最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有し；
（ｉｉ）少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢ、これは最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）および最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有し；ならびに
（ｉｉｉ）少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ、これは最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）および最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有する
を含む、１つまたはそれ以上の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
ここで、（各）ＥＢは、エネルギーを（少なくとも１種の）ＳＢへ移動させ、（各）ＳＢは、（波長範囲内の）５００ｎｍから５６０ｎｍの間の最大発光を有する緑色光を発し；ここで、以下の式（１）～（５）：
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （１）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）
Ｅ（Ｓ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （３）
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ） （４）
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （５）
により表される関係が該当する、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）の発光体ＳＢは、ホウ素含有発光体である。好ましい実施形態では、それぞれの小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）の発光体ＳＢは、ホウ素含有発光体である。
したがって、ホスト材料ＨＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｈは、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。ホスト材料ＨＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｈは、任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。ＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅは、任意の小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。ホスト材料ＨＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｈは、任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。ホスト材料ＨＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｈは、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。
本発明の好ましい実施形態では、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅは、任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い：Ｅ（Ｔ１Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ）。
本発明の好ましい実施形態では、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、厳密に１つの発光層Ｂを含む。
本発明の別の実施形態では、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、厳密に２つの発光層Ｂを含む。
本発明の別の実施形態では、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２つ超の発光層Ｂを含む。
本発明による同じ有機エレクトロルミネッセンス素子中に場合により含まれる異なる発光層Ｂが、必ずしもすべて同じ材料を含んでいるわけではなく、またはさらには同じ材料を同じ比で含んでいるわけではないことが理解される。
本発明の実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、少なくとも１種のホスト材料ＨＢ、厳密に１種のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび厳密に１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、厳密に１種のホスト材料ＨＢを含む。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、厳密に１種のＴＡＤＦ材料ＥＢを含む。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、厳密に１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢを含む。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、厳密に１種のホスト材料ＨＢおよび厳密に１種のＴＡＤＦ材料ＥＢを含む。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、厳密に１種のホスト材料ＨＢおよび厳密に１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢを含む。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、厳密に１種のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび厳密に１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢを含む。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂは、厳密に１種のホスト材料ＨＢ、厳密に１種のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび厳密に１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢを含む。
一実施形態では、小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を提示する。一実施形態では、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、小さいＦＷＨＭを提示する。ＴＡＤＦ材料ＥＢは、場合により、例えば５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲内の最大発光を有する可視波長範囲における光を発しうる。一実施形態では、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、小さいＦＷＨＭ（例えば０．３０ｅＶ以下、０．２５ｅＶ以下、０．２０ｅＶ以下、０．１５ｅＶ以下、または０．１３ｅＶ以下）を提示する。
驚くべきことに、本発明による光電素子の発光バンドへの主な貢献は、典型的にＳＢの発光に寄与することができ、ＥＢからＳＢへの、および好ましくは少なくとも１種のホスト材料ＨＢからＥＢへの、および／またはＳＢへの十分な移動を示唆することが見出された。このことは、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢが、その主な機能が緑色光の発光でありうる少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのためのエネルギーポンプとして作用しうることを示唆している。
本発明による発光素子は、類似した素子構造を有する素子のそれと比べて、より長い寿命および／またはより高い効率を示し、ここで、少なくとも１つの発光層のすべては、少なくとも１種のホスト材料ＨＢを、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢまたは少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのいずれか（両方ではない）との組合せにおいて含む。
特に興味深いことに、本発明のＥＢとＳＢとの組合せに依存して、より低いエネルギー状態からのエネルギーはまた、他の化合物の、より高いエネルギー状態へと移動されうる。ＴＡＤＦ材料において発生する逆頂間交差（ＲＩＳＣ）もまた考慮に入れて、本発明のＥＢとＳＢとの組合せは、小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの特に効率的な発光をもたらす。
本発明のさらなる実施形態は、１０％超、より好ましくは１３％超、より好ましくは１５％超、さらにより好ましくは１８％超、またはさらには２０％超の、１０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率を示し、５００ｎｍから５６０ｎｍの間の最大発光を示す、エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）に関する。
本発明のさらなる実施形態は、１０％超、より好ましくは１３％超、より好ましくは１５％超、さらにより好ましくは１８％超、またはさらには２０％超の、１０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率を示し、５１０ｎｍから５５０ｎｍの間の最大発光を示す、エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）に関する。
本発明のさらなる実施形態は、１０％超、より好ましくは１３％超、より好ましくは１５％超、さらにより好ましくは１８％超、またはさらには２０％超の、１０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率を示し、５２０ｎｍから５４０ｎｍの間の最大発光を示す、エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）に関する。
好ましい実施形態では、エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）は、１００ｈ超、好ましくは２００ｈ超、より好ましくは４００ｈ超、さらにより好ましくは７５０ｈ超、またはさらには１０００ｈ超の、定電流密度Ｊ０＝１５ｍＡ／ｃｍ２におけるＬＴ９５値を示す。
本発明のさらなる実施形態は、明確な色点において光を発するエレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）に関する。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値全幅（ＦＷＨＭ））を有する光を発する。好ましい実施形態では、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、より好ましくは０．２０ｅＶ未満、さらにより好ましくは０．１５ｅＶ未満またはさらには０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を発する。
本発明のさらなる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されて、主色緑色のＣＩＥｘ（＝０．１７０）およびＣＩＥｙ（＝０．７９７）色座標に近いＣＩＥｘおよびＣＩＥｙ色座標（ＣＩＥｘ＝０．１７０およびＣＩＥｙ＝０．７９７）の光を発し、そのため、高精細（ＵＨＤ）ディスプレイ、例えばＵＨＤ－ＴＶにおける使用に好適でありうるエレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）に関する。この文脈において、用語「に近い」は、このパラグラフの最後に提供されるＣＩＥｘおよびＣＩＥｙ座標の範囲を指す。商業的用途では、典型的には頂部発光（頂部電極は典型的には透明である）素子が使用され、一方で本出願の全体にわたって使用される試験素子は、底部発光素子（底部電極および基板は透明である）を表す。したがって、本発明のさらなる態様は、その発光が、０．１５から０．４５の間、好ましくは０．１５から０．３５の間、より好ましくは０．１５から０．３０の間、またはさらにより好ましくは０．１５から０．２５の間、またはさらには０．１５から０．２０の間のＣＩＥｘ色座標を示し、かつ／または０．６０から０．９２の間、好ましくは０．６５から０．９０の間、より好ましくは０．７０から０．８８の間、またはさらにより好ましくは０．７５から０．８６の間、またはさらには０．７９から０．８４の間のＣＩＥｙ色座標を示す、エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）に関する。
本発明のさらなる実施形態は、ＤＣＩＰ３により定義されているように、主色緑色（ＣＩＥｘ＝０．２６５およびＣＩＥｙ＝０．６５）のＣＩＥｘ（＝０．２６５）およびＣＩＥｙ（＝０．６５）の色座標に近いＣＩＥｘおよびＣＩＥｙ色座標を有する光を発するＯＬＥＤに関する。この文脈において、用語「に近い」は、このパラグラフの最後に付与されるＣＩＥｘおよびＣＩＥｙ座標の範囲を指す。商業的用途では、典型的には頂部発光（頂部電極は典型的には透明である）素子が使用され、一方で本出願の全体にわたって使用される試験素子は、底部発光素子（底部電極および基材は透明である）を表す。したがって、本発明のさらなる態様は、その底部発光が、０．２から０．４５の間、好ましくは０．２から０．３５の間、またはより好ましくは０．２から０．３０の間、またはさらにより好ましくは０．２４から０．２８の間、またはさらには０．２５から０．２７の間のＣＩＥｘ色座標を示し、かつ／または０．６０から０．９の間、好ましくは０．６から０．８の間、より好ましくは０．６０から０．７０の間、またはさらにより好ましくは０．６２から０．６８の間、またはさらには０．６４から０．６６の間のＣＩＥｙ色座標を示す、ＯＬＥＤに関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子の興味深い目的の１つは、光の発生でありうる。そのため、本発明は、所望の波長範囲の光を発生する方法にさらに関し、該方法は、任意の本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する工程を含む。
したがって、本発明のさらなる態様は、所望の波長範囲の光を発生する方法にさらに関し、該方法は、
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する工程と；
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加する工程と
を含む。
本発明のさらなる態様は、上に記載した要素を組み立てることによって有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する方法に関する。本発明はまた、緑色光を発生する方法にも関し、特に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を使用することによる。
実施例および請求項は、本発明をさらに例示する。
ホスト材料ＨＢ
本発明によれば、少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれる１つまたはそれ以上のホスト材料ＨＢは、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨＰ、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨＮ、または高い正孔移動度と高い電子移動度との両方を示すバイポーラホスト材料ＨＢＰとすることができる。
本発明の一実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、１種またはそれ以上のｐ－ホストＨＰを含む。本発明の一実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、１つのｐ－ホストＨＰのみを含む。
本発明の一実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、１種またはそれ以上のｎ－ホストＨＮを含む。本発明の別の実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、１つのみのｎ－ホストＨＮを含む。
本発明の一実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、１種またはそれ以上のバイポーラホストＨＢＰを含む。本発明の一実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、１つのバイポーラホストＨＢＰのみを含む。
本発明の別の実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、少なくとも２種の異なるホスト材料を含む。この事例では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に存在する１種超のホスト材料は、すべてがｐ－ホストであるかもしくはすべてがｎ－ホストであるか、またはすべてがバイポーラホストであるか、のいずれであってもよいが、それらの組合せであってもよい。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が１つ超の発光層Ｂを含む場合、それらのうちのいずれかは、他の発光層から独立に、それについて上に記載した定義が該当する、１種のホスト材料ＨＢか、または１種超のホスト材料ＨＢか、のいずれかを含んでもよいことが理解される。本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中に含まれる異なる発光層Ｂが、必ずしもすべてが同じ材料を含んでいるわけではなく、またはさらに同じ材料を同じ濃度で含んでいるわけではないことが、さらに理解される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂ中に含まれる場合、少なくとも１種のｐ－ホストＨＰおよび少なくとも１種のｎ－ホストＨＮは、場合により励起錯体を形成することができる。当業者には、ＨＰおよびＨＮのＨＯＭＯおよび／またはＬＵＭＯエネルギー準位の要件を含めた励起錯体および選択基準を形成するＨＰとＨＮとの対をいかに選ぶかは公知である。すなわち、励起錯体形成が熱望されうる事例では、ｐ－ホスト材料ＨＰの最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＨＯＭＯよりも、エネルギーにおいて少なくとも０．２０ｅＶ高くてもよく、ｐ－ホスト材料ＨＰの最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＬＵＭＯよりも、エネルギーにおいて少なくとも０．２０ｅＶ高くてもよい。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１種のホスト材料ＨＢ（例えば、ＨＰ、ＨＮおよび／またはバイポーラホストＨＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈において、それが遷移金属を一切含まないことを意味する。本発明の好ましい実施形態では、本発明のエレクトロルミネッセンス素子中のすべてのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮおよび／またはバイポーラホストＨＢＰ）は有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈において、それらが遷移金属を一切含まないことを意味する。好ましくは、少なくとも１種のホスト材料ＨＢ、好ましくはすべてのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮおよび／またはバイポーラホストＨＢＰ）は、元素の水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）および窒素（Ｎ）から主になるが、例えば酸素（Ｏ）、ホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）および臭素（Ｂｒ）もまた含んでもよい。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＰ）を有し、好ましくは：－６．１ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≦－５．６ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有し、好ましくは：－２．６ｅＶ≦ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）である。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１ｐ－Ｈ）を有し、好ましくは：Ｅ（Ｓ１ｐ－Ｈ）≧３．０ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１ｐ－Ｈ）を有し、好ましくは：Ｅ（Ｔ１ｐ－Ｈ）≧２．７ｅＶである。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれるホスト材料ＨＢについて先に定義した任意の要件または好ましい特徴が、好ましくはまた本発明によるｐ－ホストＨＰについても有効であることが理解される。そのため、好ましい実施形態では、以下の式（６）～（９）：
Ｅ（Ｓ１ｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （６）
Ｅ（Ｓ１ｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （７）
Ｅ（Ｔ１ｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ） （８）
Ｅ（Ｔ１ｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （９）
によって表される関係が該当する。
したがって、ｐ－ホストＨＰの最も低い一重項励起状態Ｓ１ｐ－Ｈは、好ましくはＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。ｐ－ホストＨＰの最も低い一重項励起状態Ｓ１ｐ－Ｈは、好ましくは任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの一重項励起状態Ｓ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。ｐ－ホストＨＰの最も低い三重項励起状態Ｔ１ｐ－Ｈは、好ましくは任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。ｐ－ホストＨＰの最も低い三重項励起状態Ｔ１ｐ－Ｈは、好ましくはＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、場合により以下を含むまたは以下からなる：
－ 式ＨＰ－Ｉ、ＨＰ－ＩＩ、ＨＰ－ＩＩＩ、ＨＰ－ＩＶ、ＨＰ－Ｖ、ＨＰ－ＶＩ、ＨＰ－ＶＩＩ、ＨＰ－ＶＩＩＩ、ＨＰ－ＩＸおよびＨＰ－Ｘのうちのいずれかによる構造を含むまたは構造からなる１つの第１の化学部分：
Figure 0007630492000001
および
－ 式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩおよびＨＰ－ＸＩＸのうちのいずれかによる構造を含むまたは構造からなる１つまたはそれ以上の第２の化学部分：
Figure 0007630492000002
式中、
ｐ－ホスト材料ＨＰ中に存在する少なくとも１つの第２の化学部分のそれぞれは、上の式中に点線により表されている単結合を介して第１の化学部分と連結し；
式中、
Ｚ１は、出現するごとに、互いに独立に、直接結合、Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＩＩ、ＮＲＩＩ、Ｏ、Ｓｉ（ＲＩＩ）２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から選択され；
ＲＩは、出現するごとに、互いに独立に、第１の化学部分を第２の化学部分に連結する単結合の結合部位であり、または水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕからなる群から選択され、ここで、少なくとも１つのＲＩは、第１の化学部分を第２の化学部分に連結する単結合の結合部位であり；
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
ＲＩＩは、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよび
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
ここで、２つまたはそれ以上の隣接する置換基ＲＩＩは、３～１８個の炭素原子を有する芳香族または芳香族複素環系を場合により形成することができる。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、Ｚ１は、出現するごとに、直接結合であり、隣接する置換基ＲＩＩは、組み合わさって追加の環系を形成することはない。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中に場合により含まれる１種またはそれ以上のｐ－ホストＨＰは、以下の構造からなる群から選択される：
Figure 0007630492000003
Figure 0007630492000004
Figure 0007630492000005
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）を有し、好ましくは：ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≦－５．９ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＮ）を有し、好ましくは：－３．５ｅＶ≦ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．９ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１ｎ－Ｈ）を有し、好ましくは：Ｅ（Ｓ１ｎ－Ｈ）≧３．０ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１ｎ－Ｈ）を有し、好ましくは：Ｅ（Ｔ１ｎ－Ｈ）≧２．７ｅＶである。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれるホスト材料ＨＢについて先に定義した任意の要件または好ましい性質が、好ましくは本発明によるｎ－ホストＨＮについても有効であることが理解される。そのため、好ましい実施形態では、以下の式（１０）～（１３）：
Ｅ（Ｓ１ｎ－Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （１０）
Ｅ（Ｓ１ｎ－Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１１）
Ｅ（Ｔ１ｎ－Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ） （１２）
Ｅ（Ｔ１ｎ－Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （１３）
によって表される関係が該当する。
したがって、ｎ－ホストＨＮの最も低い一重項励起状態Ｓ１ｎ－Ｈは、好ましくはＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。ｎ－ホストＨＮの最も低い一重項励起状態Ｓ１ｎ－Ｈは、好ましくは任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。ｎ－ホストＨＮの最も低い三重項励起状態Ｔ１ｎ－Ｈは、好ましくは任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。好ましくは、任意のｎ－ホストＨＮの最も低い三重項励起状態Ｔ１ｎ－Ｈは、任意のＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂのいずれかの中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、式ＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩおよびＨＮ－ＩＩＩのうちのいずれかによる構造を含むまたは構造からなる：
Figure 0007630492000006
 式中、ＲＩＩＩおよびＲＩＶは、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
構造は、式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩおよびＨＮ－ＸＩＶのうちのいずれかによって表される。
Figure 0007630492000007
 式中、Ｘ１は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）またはＣ（ＲＶ）２であり；
ＲＶは、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよび
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、２つまたはそれ以上の隣接している置換基ＲＶは、３～１８個の炭素原子を有する芳香族または芳香族複素環系を場合により形成してもよく；
式中、式ＨＮ－ＩおよびＨＮ－ＩＩの式中、少なくとも１つの置換基ＲＩＩＩは、ＣＮであり；
点線は、式ＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩ、ＨＮ－ＩＩＩのうちのいずれかへの結合部位を示す。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中に場合により含まれる１種またはそれ以上のｎ－ホストＨＮは、以下の構造からなる群から選択される：
Figure 0007630492000008
本発明の一実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるｎ－ホストＨＮでホスフィンオキシド基を含有するものは一切なく、詳細には、ｎ－ホストＨＮが、ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド（ＤＰＥＰＯ）であるものはない。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有し、好ましくは：－６．１ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≦－５．６ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有し、好ましくは：－３．５ｅＶ≦ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．９ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのいずれかの中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１ｂｐ－Ｈ）を有し、好ましくは：Ｅ（Ｓ１ｂｐ－Ｈ）≧３．０ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのいずれかの中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１ｂｐ－Ｈ）を有し、好ましくは：Ｅ（Ｔ１ｂｐ－Ｈ）≧２．７ｅＶである。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれるホストＢＰについて先に定義した任意の要件または好ましい性質が、好ましくは、本発明によるバイポーラホストＨＢＰについてもまた有効であることが理解される。そのため、好ましい実施形態では、以下の式（１４）～（１７）：
Ｅ（Ｓ１ｂｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （１４）
Ｅ（Ｓ１ｂｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１５）
Ｅ（Ｔ１ｂｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ） （１６）
Ｅ（Ｔ１ｂｐ－Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （１７）
によって表される関係が該当する。
したがって、バイポーラホストＨＢＰの最も低い一重項励起状態Ｓ１ｂｐ－Ｈは、好ましくはＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。バイポーラホストＨＢＰの最も低い一重項励起状態Ｓ１ｂｐ－Ｈは、好ましくは任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。バイポーラホストＨＢＰの最も低い三重項励起状態Ｔ１ｂｐ－Ｈは、任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｓよりもエネルギーにおいて高い。好ましくは、任意のバイポーラホストＨＢＰの最も低い三重項励起状態Ｔ１ｂｐ－Ｈは、任意のＴＡＤＦ材料ＥＢの最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅよりもエネルギーにおいて高い。
ＴＡＤＦ材料ＥＢ
本発明によれば、１つまたはそれ以上の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢのうちのいずれかは、０．４ｅＶ未満、好ましくは０．３ｅＶ未満、より好ましくは０．２ｅＶ未満、さらにより好ましくは０．１ｅＶ未満、またはさらには０．０５ｅＶ未満の、最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅと最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅとのエネルギー差に相当するΔＥＳＴ値を示すことによって好ましくは特徴付けられる。そのため、本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢのΔＥＳＴは、好ましくは、最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅの、最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅへの、室温（ＲＴ）での熱的再増殖（アップ－頂間交差または逆頂間交差とも称される）を可能にするのに十分小さい。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢが、０．４ｅＶ未満のΔＥＳＴ値も場合により有することができて熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示すことが理解される。しかしながら、本発明の文脈における任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢについて、これは、場合による特徴にすぎない。加えて、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＴＡＤＦ材料ＥＢがエネルギーを少なくとも１つの小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢへ移動するエネルギーポンプとして主に機能することにおいて本発明の文脈における小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢとは好ましくは異なるが、その一方で、本発明による光電子素子の発光バンドへの主な貢献が、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの発光に好ましくは寄与しうる。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、好ましくは：－６．０ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦－５．８ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、好ましくは：－３．４ｅＶ≦ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）≦－３．０ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）を有し、好ましくは：２．５ｅＶ≦Ｅ（Ｓ１Ｅ）≦２．８ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有し、その好ましい範囲は、ΔＥＳＴについて上に記載した好ましい範囲との組合せにおける、一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）について上に記載した好ましい範囲によって、定義されうる。
本発明の好ましい実施形態では、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、４８０ｎｍ～５６０ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ～５４０ｎｍの波長範囲において最大発光を有する。
本発明の好ましい実施形態では、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、有機ＴＡＤＦ材料であり、これは、本発明の文脈において、それが遷移金属を一切含まないことを意味する。好ましくは、本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢは、元素の水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）および窒素（Ｎ）から主になるが、例えば、酸素（Ｏ）、ホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）および臭素（Ｂｒ）もまた含んでもよい。
本発明の一実施形態では、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、少なくとも１種の電子供与部分Ｄ（すなわち供与体）と少なくとも１種の電子吸引性部分Ａ（すなわち受容体）とを含み、ここで、少なくとも１種の供与体Ｄと少なくとも１種の受容体Ａとは、同じリンカーに共有結合され；
このリンカーは、３～３０個の炭素原子を有する芳香族基または芳香族複素環基であり、最も好ましくはベンゼンまたはビフェニルである。
本発明の好ましい実施形態では、各部分Ｄは、それぞれ、以下に示す式のうちのいずれかによって表される構造を含むまたは構造からなる：
Figure 0007630492000009
Figure 0007630492000010
Figure 0007630492000011
式中、
Ｚ２は、出現するごとに、互いに独立に、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から選択され；
＃は、供与体部分Ｄの、前述したリンカーへの結合部位を表し；
Ｒａ、Ｒ１およびＲ２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１～Ｃ４０－アルキル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルケニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルキニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルケニル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルキニル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２；
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２、および
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）
からなる群から選択され；
式中、場合により、置換基Ｒａ、Ｒ１およびＲ２のうちのいずれかは、互いに独立に、単環式、多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を、１つまたはそれ以上の隣接している置換基Ｒａ、Ｒ１およびＲ２と共に形成してもよく、式中、場合によりそのように形成された環系の１個またはそれ以上の水素原子は、Ｒ３によって置換されてもよい。
本発明の好ましい実施形態では、供与体部分Ｄは、非置換カルバゾールではない。
本発明の好ましい実施形態では、各受容体部分Ａは、それぞれ、以下に示す式のうちのいずれかによって表される構造を含むまたは構造からなる：
Figure 0007630492000012
Figure 0007630492000013
Figure 0007630492000014
式中、
点線は、受容体部分Ａの、前述したリンカーに連結する単結合を表し、
Ｒ４は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｎ（Ｒ５）２、ＯＲ５、Ｓｉ（Ｒ５）３、Ｂ（ＯＲ５）２、ＯＳＯ２Ｒ５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１～Ｃ４０－アルキル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルコキシ
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルケニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルキニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５によって場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５によって場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ５は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２～Ｃ５－アルケニル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２～Ｃ５－アルキニル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され、
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２；
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２、および
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）
からなる群から選択され；
式中、場合により、２つまたはそれ以上の隣接する置換基Ｒ４は、互いに独立に、単環式、多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成してもよく、式中、場合によりそのように形成された環系の１個またはそれ以上の水素原子は、Ｒ５によって置換されてもよい。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、少なくとも１つの電子供与部分Ｄ（すなわち供与体）と少なくとも１つの電子吸引性部分Ａ（すなわち受容体）とを含み、ここで、すべての供与体Ｄとすべての受容体Ａとは、同じリンカーに共有結合され；
ここで、このリンカーは、３～３０個の炭素原子を有する芳香族基または芳香族複素環基であり、最も好ましくはベンゼンまたはビフェニルであり；
ここで、上に記載した供与体部分Ｄは、それぞれ、上に示す式のうちのいずれかによって表される構造を含みまたは構造からなり；
ここで、上に記載した受容体部分Ａは、それぞれ、上に示す式のうちのいずれかによって表される構造を含みまたは構造からなり；
式中、Ｒ１およびＲ２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ３で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ４は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され：
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ３およびＲ５は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
フェニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒａは、出現するごとに、互いに独立に、水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
ピリジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
ピリミジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
カルバゾリル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
トリアジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
およびＮ（Ｐｈ）２
からなる群から選択される。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、少なくとも１つの電子供与部分Ｄ（すなわち供与体）と少なくとも１つの電子吸引性部分Ａ（すなわち受容体）とを含み、式中、すべての供与体Ｄとすべての受容体Ａとは、同じリンカーに共有結合され；
式中、このリンカーは、３～３０個の炭素原子を有する芳香族基または芳香族複素環基であり、最も好ましくはベンゼンまたはビフェニルであり；
式中、上に記載した供与体部分Ｄは、それぞれ、上に示す式のうちのいずれかによって表される構造を含みまたは構造からなり；
式中、上に記載した受容体部分Ａは、それぞれ、上に示す式のうちのいずれかによって表される構造を含みまたは構造からなり；
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
フェニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒａは、出現するごとに、互いに独立に、水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；および
トリアジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択される。
本発明の一実施形態では、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、以下を含む有機ＴＡＤＦ材料である：
－ それぞれ独立に、式ＥＢ－Ｉの構造を含むまたは構造からなる１つまたはそれ以上の第１の化学部分Ｒ６、
Figure 0007630492000015
 ならびに
－ 式ＥＢ－ＩＩおよびＥＢ－ＩＩＩのいずれかによる構造を含むまたは構造からなる、場合により１つの第２の化学部分
Figure 0007630492000016
 式中、各第２の化学部分（存在する場合）は、単結合を介して第１の化学部分Ｒ６に連結し、
式中、
＃は、第１の化学部分Ｒ６の、第２の化学部分への結合部位を表し、または水素であり；
ｋは、出現するごとに、互いに独立に、０、１、２、３または４であり；
ｍは、出現するごとに、互いに独立に、０、１または２であり；
ｎは、出現するごとに、互いに独立に、０、１または２であり；
ｏは、出現するごとに、互いに独立に、０または１であり；
ｐは、出現するごとに、互いに独立に、０、１または２であり；
ｑは、出現するごとに、互いに独立に、０、１または２であり；
ｒは、出現するごとに、互いに独立に、０、１、２、３、４または５であり；
Ｑ１は、出現するごとに、互いに独立に、Ｎ、ＣＲ６およびＣＲ７からなる群から選択され；
Ｑ２は、出現するごとに、互いに独立に、Ｃ－ＡｒＥＷＧおよびＣＲＱ２からなる群から選択され；
Ｑ３は、出現するごとに、互いに独立に、Ｎ、Ｃ－ＡｒＥＷＧおよびＣＲＱ２からなる群から選択され；
Ｑ４は、出現するごとに、互いに独立に、ＣＲ６、Ｃ－ＡｒＥＷＧおよびＣＲＱ２からなる群から選択され；
Ｘ２は、出現するごとに、互いに独立に、ＡｒＥＷＧ、ＣＮおよびＣＦ３からなる群から選択され；
ＡｒＥＷＧは、出現するごとに、互いに独立に、式ＡｒＥＷＧ－Ｉ、ＡｒＥＷＧ－ＩＩ、ＡｒＥＷＧ－ＩＩＩ、ＡｒＥＷＧ－ＩＶ、ＡｒＥＷＧ－Ｖ、ＡｒＥＷＧ－ＶＩ、ＡｒＥＷＧ－ＶＩＩ、ＡｒＥＷＧ－ＶＩＩＩ、ＡｒＥＷＧ－ＩＸ、ＡｒＥＷＧ－Ｘ、ＡｒＥＷＧ－ＸＩ、ＡｒＥＷＧ－ＸＩＩ、ＡｒＥＷＧ－ＸＩＩＩおよびＡｒＥＷＧ－ＸＩＶのうちのいずれかによる構造によって表される。
Figure 0007630492000017
これらは、点線によってマークされた位置を介してコア構造（ここで、好ましくは式ＥＢ－Ｉ）に結合し；
ＲＺ１は、出現するごとに、互いに独立に、ＣＮおよびＣＦ３からなる群から選択され；
Ｚ３は、出現するごとに、互いに独立に、直接結合、ＣＲ９Ｒ１０、Ｃ＝ＣＲ９Ｒ１０、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ９、ＮＲ９、Ｏ、ＳｉＲ９Ｒ１０、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から選択され；
Ｒｅは、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩ、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、重水素、Ｃ１～Ｃ５－アルキル基、Ｃ６～Ｃ１８－アリール基、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ７は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ８は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素で場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換される
からなる群から選択され；
ＲＱ２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、Ｐｈおよび
カルバゾリル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈおよびＮ（Ｐｈ）２からなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され、
Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ９およびＲ１０は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｎ（Ｒ１２）２、ＯＲ１２、Ｓｉ（Ｒ１２）３、Ｂ（ＯＲ１２）２、ＯＳＯ２Ｒ１２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、からなる群から選択され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルキル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１２で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１２Ｃ＝ＣＲ１２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１２）２、Ｇｅ（Ｒ１２）２、Ｓｎ（Ｒ１２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１２によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１２で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１２Ｃ＝ＣＲ１２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１２）２、Ｇｅ（Ｒ１２）２、Ｓｎ（Ｒ１２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１２によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１２で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１２Ｃ＝ＣＲ１２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１２）２、Ｇｅ（Ｒ１２）２、Ｓｎ（Ｒ１２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１２によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルケニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１２で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１２Ｃ＝ＣＲ１２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１２）２、Ｇｅ（Ｒ１２）２、Ｓｎ（Ｒ１２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１２によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルキニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１２で場合により置換され、
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１２Ｃ＝ＣＲ１２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１２）２、Ｇｅ（Ｒ１２）２、Ｓｎ（Ｒ１２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１２によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１２で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１２で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ１１は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
フェニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ１２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルケニル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルキニル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、場合により、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２；
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２、
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８－アリール）、および
５～８個の炭素原子を含む脂肪族環状アミノ基（好ましくはピロリジニルおよびピペリニジル）
からなる群から選択され；
式中、場合により、任意の隣接する置換基Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ９およびＲ１０は、互いに独立に、単環式もしくは多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成し；式中、場合によりそのように形成された環系の１個またはそれ以上の水素原子は、Ｒ１２によって置換されてもよく；
式中、式ＥＢ－ＩＩ中、２つの隣接する基Ｑ１が両方ともＮであることはないという制限付きで、少なくとも１つの、しかし３つ超ではない基Ｑ１は、窒素（Ｎ）であり；
式ＥＢ－ＩＩ中、２つの隣接する基Ｑ１が両方ともＣＲ６であることはないという制限付きで、少なくとも１つの、しかし３つ超ではない基Ｑ１は、ＣＲ６であり；
式中、式ＥＢ－ＩＩＩ中、少なくとも１つの基Ｑ３は、窒素（Ｎ）であり；
式中、好ましくは：１≦（ｍ＋ｐ）≦４、
１≦（ｎ＋ｑ）≦４、
１≦（ｍ＋ｎ＋ｏ）≦５である。
本発明の好ましい実施形態では、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄからなる群の少なくとも１つの置換基は水素ではなく、式中、Ｚ３は、直接結合であり、そのため、好ましくは、ＴＡＤＦ材料ＥＢ中の供与体部分が非置換カルバゾリル基であることはない。
本発明の好ましい実施形態では、
Ｒ７は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびフェニルからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ８は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびフェニルからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
ＲＱ２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｐｈ、
カルバゾリル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈおよびＮ（Ｐｈ）２からなる群からいに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、出現するごとに、別のものから独立に、水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
ピリジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
ピリミジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
カルバゾリル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
トリアジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
ならびにＮ（Ｐｈ）２
からなる群から選択され；
Ｒｅは、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル基および／または１つまたはそれ以上のＣ６～Ｃ１８－アリール基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、場合により、任意の隣接する置換基Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ９およびＲ１０は、互いに独立に、３～３０個の炭素原子を含む、単環式もしくは多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系
を形成し；
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、Ｚ３は、出現するごとに、直接結合であり；
Ｒ７は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ８は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１１で場合により置換され；
は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびフェニルからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
からなる群から選択され；
ＲＱ２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｐｈおよび
カルバゾリル、これは、ＰｈおよびＮ（Ｐｈ）２からなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、出現するごとに、別のものから独立に、水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
カルバゾリル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
トリアジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒｅは、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよび
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕからなる群から選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、場合により、任意の隣接する置換基Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ９およびＲ１０は、互いに独立に、３～１８個の炭素原子を含む、単環式もしくは多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成し；
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、Ｚ３は、出現するごとに、直接結合であり；
Ｒ７は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびフェニルからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ８は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびフェニルからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
ＲＱ２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素および
カルバゾリル、これは、ＰｈおよびＮ（Ｐｈ）２からなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒｂは、出現するごとに、水素であり；
ＲｃおよびＲｄは、出現するごとに、互いに独立に、水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
ピリジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
ピリミジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
カルバゾリル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
トリアジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され、
ならびにＮ（Ｐｈ）２
からなる群から選択され；
Ｒｅは、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよび
Ｐｈ、これは、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕからなる群から選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
本発明の特に好ましい実施形態では、Ｚ３は、出現するごとに、直接結合であり；
ＡｒＥＷＧは、出現するごとに、互いに独立に、式ＡｒＥＷＧ－Ｉ、ＡｒＥＷＧ－ＶＩＩ、ＡｒＥＷＧ－ＶＩＩＩ、ＡｒＥＷＧ－ＩＸ、ＡｒＥＷＧ－Ｘ、ＡｒＥＷＧ－ＸＩ、ＡｒＥＷＧ－ＸＩＩおよびＡｒＥＷＧ－ＸＩＩＩのうちのいずれかによる構造によって表され；
Ｒ７は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびフェニルからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ８は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびフェニルからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
ＲＱ２は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素および
カルバゾリル、これは、ＰｈおよびＮ（Ｐｈ）２からなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒｂは、出現するごとに、水素であり、
ＲｃおよびＲｄは、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
カルバゾリル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒｅは、出現するごとに、水素であり；
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
本発明の一実施形態では、１つまたはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、式ＥＢ－Ｉ－１、ＥＢ－Ｉ－２、ＥＢ－Ｉ－３、ＥＢ－Ｉ－４、ＥＢ－Ｉ－５、ＥＢ－Ｉ－６、ＥＢ－Ｉ－７およびＥＢ－Ｉ－８のうちのいずれかによって表される構造を有する：
Figure 0007630492000018
Figure 0007630492000019
Figure 0007630492000020
式中、
Ｙ１は、出現するごとに、窒素（Ｎ）またはＣＨであり、少なくとも１つのＹ１はＮであり、
Ｒ１３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＡｒＥＷＧ、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、重水素、Ｃ１～Ｃ５－アルキル基およびＣ６～Ｃ１８－アリール基から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ１４およびＲ１５は、出現するごとに、互いに独立にＣ－ＡｒＥＷＧおよびＣＲＱ２からなる群から選択され；
Ｒ１６は、出現するごとに、互いに独立に、ＣＲ６、Ｃ－ＡｒＥＷＧおよびＣＲＱ２からなる群から選択され；
式中、２つ以下の基Ｒ１３は、ＣＮ、ＣＦ３またはＡｒＥＷＧであり；
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
本発明の好ましい実施形態では、１つまたはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、式ＥＢ－Ｉ－１ａ、ＥＢ－Ｉ－２ａ、ＥＢ－Ｉ－３ａ、ＥＢ－Ｉ－４ａ、ＥＢ－Ｉ－５ａ、ＥＢ－Ｉ－６ａ、ＥＢ－Ｉ－７（上を参照されたい）およびＥＢ－Ｉ－８（上を参照されたい）のうちのいずれかによって表される構造を有する。
Figure 0007630492000021
Figure 0007630492000022
Figure 0007630492000023
式中、Ｒ１３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、ＡｒＥＷＧおよび
Ｐｈ、これは、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、２つ以下の基Ｒ１３は、ＣＮ、ＣＦ３またはＡｒＥＷＧであり；
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
場合により、任意の隣接する置換基Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ９およびＲ１０は、互いに独立に、単環式もしくは多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成してもよく；式中、場合によりそのように形成された環系の１個またはそれ以上の水素原子は、Ｒ１２によって置換されてもよい。
好ましい実施形態では、２つ以下の基Ｒ１３は、ＣＮ、ＣＦ３またはＡｒＥＷＧである。
好ましい実施形態では、１≦（ｍ＋ｐ）かつ／または１≦（ｎ＋ｑ）である。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、１つまたはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、式ＥＢ－Ｉ－１ａ－１、ＥＢ－Ｉ－２ａ－１、ＥＢ－Ｉ－３ａ－１、ＥＢ－Ｉ－４ａ－１、ＥＢ－Ｉ－５ａ－１、ＥＢ－Ｉ－６ａ－１、ＥＢ－Ｉ－７（上を参照されたい）およびＥＢ－Ｉ－８（上を参照されたい）のうちのいずれかによって表される構造を有し、
Figure 0007630492000024
Figure 0007630492000025
Figure 0007630492000026
式中、Ｒ１３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、ＡｒＥＷＧおよび
Ｐｈ、これは、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、同じベンゼン環に結合している２つ以下の基Ｒ１３は、ＣＮ、ＣＦ３またはＡｒＥＷＧであり；
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、１つまたはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、式ＥＢ－Ｉ－１ａ－１、ＥＢ－Ｉ－２ａ－１、ＥＢ－Ｉ－３ａ－１、ＥＢ－Ｉ－４ａ－１、ＥＢ－Ｉ－５ａ－１、ＥＢ－Ｉ－６ａ－１、ＥＢ－Ｉ－７（上を参照されたい）およびＥＢ－Ｉ－８のうちのいずれかによって表される構造を有し、
式中、Ｚ３は、出現するごとに、直接結合であり、
ここで、上に記載した定義が該当するものは除く。
本発明の好ましい実施形態では、Ｘ２は、出現するごとに、互いに独立に、ＣＮ、
Figure 0007630492000027
 からなる群から選択され、
これらは、点線によってマークされた位置を介して結合されている。
本発明の好ましい実施形態では、Ｙ１は、出現するごとに、窒素（Ｎ）である。
本発明の特に好ましい実施形態では、１つまたはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢのそれぞれは、式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ａ、ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ｂ、ＥＢ－Ｉ－４ａ－１ａおよびＥＢ－Ｉ－４ａ－１ｂのうちのいずれかによって表される構造を有する：
Figure 0007630492000028
Figure 0007630492000029
 式中、好ましくはＲＥＷＧは、出現するごとに、互いに独立に、水素、ＣＮおよび
Figure 0007630492000030
 式中、式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ａおよびＥＢ－Ｉ－４ａ－１ａ中、好ましくは、同じベンゼン環に結合している２つのＲＥＷＧのうちの厳密に１つは水素である。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中での使用のためのＴＡＤＦ材料ＥＢの例が、以下に列挙され、ここで、本発明は、当然ながら、これらの分子のうちの１つを含む素子に限定されない。
式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ａによるＴＡＤＦ材料ＥＢの特に好ましい例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000031
式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ｂによるＴＡＤＦ材料ＥＢの特に好ましい例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000032
式ＥＢ－Ｉ－４ａ－１ａによるＴＡＤＦ材料ＥＢの特に好ましい例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000033
Figure 0007630492000034
Figure 0007630492000035
Figure 0007630492000036
式ＥＢ－Ｉ－４ａ－１ｂによるＴＡＤＦ材料ＥＢの特に好ましい例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000037
本発明による使用のためのＴＡＤＦ材料ＥＢのさらなる例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000038
Figure 0007630492000039
Figure 0007630492000040
Figure 0007630492000041
Figure 0007630492000042
Figure 0007630492000043
Figure 0007630492000044
Figure 0007630492000045
Figure 0007630492000046
ＴＡＤＦ材料ＥＢの合成を、当業者に公知の標準的な反応および反応条件を介して達成することができる。典型的には、第１の工程において、カップリング反応、好ましくはパラジウム触媒化カップリング反応を実施してもよく、これは式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１によるＴＡＤＦ材料ＥＢの合成のために以下に例示的に示される：
Figure 0007630492000047
Ｅ１は、任意のホウ酸（ＲＢ＝Ｈ）または当量のホウ酸エステル（ＲＢ＝アルキルまたはアリール）とすることができ、詳細には、２つのＲＢは環を形成して、例えば、フルオロ－（トリフルオロメチル）フェニル、ジフルオロ－（トリフルオロメチル）フェニル、フルオロ－（シアノ）フェニルまたはジフルオロ－（シアノ）フェニルの、ホウ酸ピナコールエステルを付与する。第２の反応物としてＥ２が用いられ、式中、Ｈａｌはハロゲンを指し、Ｉ、ＢｒまたはＣｌであってもよいが、好ましくはＢｒである。このようなパラジウム触媒カップリング反応の反応条件は、例えばＷＯ２０１７／００５６９９から当業者に公知であり、かつＥ１とＥ２との基を反応させることは、以下に示すように交換して反応収率を最適化させうることが公知である。
Figure 0007630492000048
第２の工程において、式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１による分子は、求核芳香族置換における窒素複素環の、ハロゲン化アリール、好ましくはフッ化アリールまたは二ハロゲン化アリール、好ましくは二ハロゲン化アリールとの反応Ｅ３を介して得られる。典型的な条件には、例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアイド（ＤＭＦ）のような非プロトン性極性溶媒中の、三塩基性リン酸カリウムまたは水素化ナトリウムのような塩基の使用が挙げられる。
Figure 0007630492000049
特に、供与体分子Ｅ４は、３，６－置換カルバゾール（例えば、３，６－ジメチルカルバゾール、３，６ジフェニルカルバゾール、３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２，７－置換カルバゾール（例えば２，７－ジメチルカルバゾール、２，７－ジフェニルカルバゾール、２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１，８－置換カルバゾール（例えば、１，８－ジメチルカルバゾール、１，８－ジフェニルカルバゾール、１，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、一置換カルバゾール（例えば、１－メチルカルバザゾール、１－フェニルカルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、二置換カルバゾール（例えば、２－メチルカルバゾール、２－フェニルカルバゾール、２－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、または三置換カルバゾール（例えば、３－メチルカルバゾール、３－フェニルカルバゾール、３－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）である。
あるいは、ハロゲン置換カルバゾール、具体的には３－ブロモカルバゾールが、Ｅ４として使用されうる。
続けての反応では、例えばビス（ピナコラト）二ホウ素（ＣＡＳ Ｎｏ．７３１８３－３４－３）との反応を介して、ホウ酸エステル官能基またはホウ酸官能基が、Ｅ４を介して導入された１つまたはそれ以上のハロゲン置換基の位置において例示的に導入されて、対応するカルバゾール－３－イルホウ酸エステルまたはカルバゾール－３－イルホウ酸を生成してもよい。続けて、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｂ、ＲｃまたはＲｄが、対応するハロゲン化反応物、例えばＲｃ－Ｈａｌ、好ましくはＲｃ－ＣｌおよびＲｃ－Ｂｒとのカップリング反応を介して、ホウ酸エステル基またはホウ酸基の場所に導入されてもよい。
あるいは、Ｄ－Ｈを介して、置換基Ｒｂ［Ｒｂ－Ｂ（ＯＨ）２］、Ｒｃ［Ｒｃ－Ｂ（ＯＨ）２］またはＲｄ［Ｒｄ－Ｂ（ＯＨ）２］のホウ酸、または対応するホウ酸エステルとの反応を介して、導入された、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｂ、ＲｃまたはＲｄが、１つまたはそれ以上のハロゲン置換基の位置において導入されてもよい。
さらなるＴＡＤＦ発光材料ＥＢが同様に得られうる。ＴＡＤＦ発光材料ＥＢは、この目的に好適な任意の代替的な合成経路によっても得られうる。
代替的な合成経路は、銅またはパラジウム触媒化カップリングを介した、窒素複素環の、ハロゲン化アリールまたは擬ハロゲン化アリール、好ましくは臭化アリール、ヨウ化アリール、トリフリト酸アリールまたはトシル酸アリールへの導入を含むことができる。
小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ
本発明の文脈における小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）の発光体ＳＢは、ポリ（メタクリル酸メチル）ＰＭＭＡ中１～５重量％、特に１重量％の発光体で室温（すなわち（およそ）２０℃）にて測定して、０．２５ｅＶ以下（≦０．２５ｅＶ）のＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有する任意の発光体である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、ＰＭＭＡ中（１～５重量％、特に１重量％の発光体ＳＢを使用して）で室温（すなわち（およそ）２０℃）にて測定して、≦０．２４ｅＶの、より好ましくは≦０．２３ｅＶの、さらにより好ましくは≦０．２２ｅＶの、≦０．２１ｅＶの、または≦０．２０ｅＶのＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有する任意の発光体である。本発明の他の実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのうちのいずれかは、≦０．１９ｅＶの、≦０．１８ｅＶの、≦０．１７ｅＶの、≦０．１６ｅＶの、≦０．１５ｅＶの、≦０．１４ｅＶの、≦０．１３ｅＶの、≦０．１２ｅＶの、または≦０．１１ｅＶのＦＷＨＭを示す。
加えて、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、ＰＭＭＡ中（１～５重量％、特に１重量％の発光体ＳＢを使用して）で室温にて測定して、５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲内の最大発光を示す。
本発明の好ましい実施形態では、１つまたはそれ以上の少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、ＰＭＭＡ中（１～５重量％、特に１重量％）の発光体ＳＢを使用して、室温にて測定して、５２０ｎｍ～５４０ｎｍの波長範囲内の最大発光を示す。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢが、０．２５ｅＶ以下（≦０．２５ｅＶ）のＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有する発光体でも場合によりありうることが理解される。場合により、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲内の最大発光も示すことができる。本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＥＢが典型的に少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢへのエネルギーポンプ移動エネルギーとして主に機能する一方で、本発明による光電子素子の発光バンドへの主な貢献は少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの発光に好ましくは寄与されうるという点において、本発明の文脈における任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢとは異なる。
本発明の好ましい実施形態では、任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは有機発光体であり、これは、本発明の文脈において、それが遷移金属を一切含有しないことを意味する。好ましくは、本発明による任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、元素の水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）から主になるが、例えば酸素（Ｏ）、ケイ素（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）および臭素（Ｂｒ）もまた含んでもよい。
本発明の好ましい実施形態では、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、近距離電荷移動（ＮＲＣＴ）発光体である。
典型的なＮＲＣＴ発光体は、Ｈａｔａｋｅｙａｍａら（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、２０１６、２８（１４）：２７７７～２７８１頁、ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｍａ．２０１５０５４９１）により文献に記載されており、時間分解光ルミネッセンススペクトルにおける遅延成分を示し、近範囲ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ分離を示す。
典型的なＮＲＣＴの発光体は、発光スペクトル中、１つの発光バンドのみを示し、ここで、典型的な蛍光発光体は、振動の進行に起因していくつかの明白な発光バンドを提示する。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれる任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）を有し、好ましくは：－５．６ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）≦－５．４ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれる任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、好ましくは：－３．１ｅＶ≦ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）≦－２．９ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれる任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）を有し、好ましくは：２．４ｅＶ≦Ｅ（Ｓ１Ｓ）≦２．６ｅＶである。
本発明によれば、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかの中に含まれる任意の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、その好ましい範囲は、一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）について上に記載した好ましい範囲によって、および小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢのΔＥＳＴが０．５ｅＶ以下であるという好ましい特徴によって定義されうる。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、ホウ素（Ｂ）含有発光体である。
ホウ素（Ｂ）含有の小さいＦＷＨＭの発光体の公知の例は、ホウ素－ジピロメテンコアを有する構造を含み、ここで、典型的には、ホウ素元素は、２つのフッ素置換基で、または２つのアルコキシ置換基で、のいずれかで追加で置換され、ここで、１個またはそれ以上の水素原子は、フッ素（Ｆ）または２つのアリールオキシ置換基によって置換されうる。このような発光体の具体例が以下に示される：
Figure 0007630492000050
一実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、多環性芳香族化合物を含むまたは多環性芳香族化合物からなる。
本発明の一実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－Ｉによる構造を含むまたは構造からなる：
Figure 0007630492000051
 式中、Ｂはホウ素であり、
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、出現するごとに、互いに独立に、芳香族環および芳香族複素環からなる群から選択され、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は、場合により互いに連結されて１つまたはそれ以上の追加の環を形成することができる。
一般式ＳＢ－ＩのＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３としての芳香族環は、例えば、６～３０個の炭素原子を有するアリール環であり、アリール環は、好ましくは６～１６個の炭素原子を有するアリール環、より好ましくは６～１２個の炭素原子を有するアリール環、特に好ましくは６～１０個の炭素原子を有するアリール環である。
一般式ＳＢ－ＩのＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３としての芳香族環の具体例には、単環系であるベンゼン環；二環系であるビフェニル環；縮合二環系であるナフタレン環；三環系であるターフェニル環（ｍ－ターフェニル、ｏ－ターフェニルまたはｐ－ターフェニル）；縮合三環系であるアセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環およびフェナントレン環；縮合四環系であるトリフェニレン環、ピレン環およびナフタセン環、ならびに縮合五環系であるペンチレン環およびペンタセン環が挙げられる。
一般式ＳＢ－ＩのＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３としての芳香族環は、例えば、２～３０個の炭素原子を有するヘテロアリール環であり、ヘテロアリール環は、好ましくは２～２５個の炭素原子を有するヘテロアリール環、より好ましくは２～２０個の炭素原子を有するヘテロアリール環、さらにより好ましくは２～１５個の炭素原子を有するヘテロアリール環、特に好ましくは２～１０個の炭素原子を有するヘテロアリール環である。さらに、一般式ＳＢ－ＩのＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３としての芳香族複素環は、環を構成する原子としての炭素に加えて、例えば、酸素、硫黄および窒素から選択される１～５個のヘテロ原子を含有する複素環であってもよい。
一般式ＳＢ－ＩのＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３としての芳香族複素環の具体例には、ピロール環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、インドール環、イソインドール環、１Ｈ－インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、１Ｈ－ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、インドリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラザン環、オキサジアゾール環およびチアトレン環が挙げられる。
一般式ＳＢ－ＩのＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３としての前述した芳香族または芳香族複素環中の１個またはそれ以上の水素原子は、置換基Ｒｆによって置換されてもよく、
式中、Ｒｆは、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、重水素、Ｎ（Ｒ１７）２、ＯＲ１７、ＳＲ１７、Ｓｉ（Ｒ１７）３、Ｂ（ＯＲ１７）２、ＯＳＯ２Ｒ１７、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
Ｃ１～Ｃ４０－アルキル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１７で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１７Ｃ＝ＣＲ１７、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１７）２、Ｇｅ（Ｒ１７）２、Ｓｎ（Ｒ１７）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１７、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１７）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１７、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１７によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１７で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１７Ｃ＝ＣＲ１７、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１７）２、Ｇｅ（Ｒ１７）２、Ｓｎ（Ｒ１７）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１７、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１７）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１７、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１７によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１７で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１７Ｃ＝ＣＲ１７、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１７）２、Ｇｅ（Ｒ１７）２、Ｓｎ（Ｒ１７）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１７、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１７）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１７、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１７によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルケニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１７で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１７Ｃ＝ＣＲ１７、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１７）２、Ｇｅ（Ｒ１７）２、Ｓｎ（Ｒ１７）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１７、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１７）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１７、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１７によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルキニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１７で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ１７Ｃ＝ＣＲ１７、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１７）２、Ｇｅ（Ｒ１７）２、Ｓｎ（Ｒ１７）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１７、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１７）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１７、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１７によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１７で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１７で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ１７は、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、重水素、ＯＰｈ、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ５－アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルケニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルキニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２、
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２；および
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８－アリール）
からなる群から選択され；
式中、
置換基ＲｆおよびＲ１７のうちのいずれかは、互いに独立に、単環式もしくは多環式、脂肪族、芳香族、芳香族複素環および／またはベンゾ縮合環系を、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｆ、Ｒ１７および／または芳香族もしくは芳香族複素環Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３と共に、場合により形成してもよく、ここで、このようにして形成された環は、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｆで場合により置換されてもよい。
本発明の一実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩ、ＳＢ－ＩＩＩおよびＳＢ－ＩＶのうちのいずれかによる構造
を含むまたは構造からなる：
Figure 0007630492000052
 式中、
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、ＲｆおよびＲ１７について、前述した定義が適用され；
Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は、出現するごとに、互いに独立に、
ＮＲ１８、Ｏ、Ｃ（Ｒ１８）２、ＳまたはＳｉ（Ｒ１８）２
からなる群から選択され；式中、
Ｒ１８は、出現するごとに、互いに独立に、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１９で場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１９で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ１９で場合により置換され；
Ｒ１９は、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、重水素、Ｎ（Ｒ２０）２、ＯＲ２０、ＳＲ２０、Ｓｉ（Ｒ２０）３、Ｂ（ＯＲ２０）２、ＯＳＯ２Ｒ２０、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
Ｃ１～Ｃ４０－アルキル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２０で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２０Ｃ＝ＣＲ２０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２０）２、Ｇｅ（Ｒ２０）２、Ｓｎ（Ｒ２０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２０によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２０で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２０Ｃ＝ＣＲ２０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２０）２、Ｇｅ（Ｒ２０）２、Ｓｎ（Ｒ２０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２０によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２０で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２０Ｃ＝ＣＲ２０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２０）２、Ｇｅ（Ｒ２０）２、Ｓｎ（Ｒ２０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２０によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルケニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２０で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２０Ｃ＝ＣＲ２０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２０）２、Ｇｅ（Ｒ２０）２、Ｓｎ（Ｒ２０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２０によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルキニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２０で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２０Ｃ＝ＣＲ２０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２０）２、Ｇｅ（Ｒ２０）２、Ｓｎ（Ｒ２０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２０によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２０で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２０で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ２０は、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、重水素、ＯＰｈ、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ５－アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルケニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルキニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基によって場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１－Ｃ５－アルキル置換基によって場合により置換され；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２、
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２；および
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）
からなる群から選択され；
式中、
置換基Ｒｆ、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９のうちのいずれかは、互いに独立に、単環式もしくは多環式、脂肪族、芳香族、芳香族複素環および／またはベンゾ縮合環系を、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｆ、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９および／または芳香族または芳香族複素環Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３と共に、場合により形成してもよく、ここで、このように形成された環は、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｆで場合により置換されてもよい。
本発明の一実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの構造を含むまたは構造からなり：
Figure 0007630492000053
 式中、ＲＶＩ、ＲＶＩＩ、ＲＶＩＩＩ、ＲＩＸ、ＲＸ、ＲＸＩ、ＲＸＩＩ、ＲＸＩＩＩ、ＲＸＩＶ、ＲＸＶ、ＲＸＶＩ、ＲＸＶＩＩ、ＲＸＶＩＩＩ、ＲＸＩＸ、ＲＸＸ、ＲＸＸＩ、ＲＸＸＩＩおよびＲＸＸＩＩＩは、互いに独立に、水素、重水素、Ｎ（Ｒ２１）２、ＯＲ２１、ＳＲ２１、Ｓｉ（Ｒ２１）３、Ｂ（ＯＲ２１）２、ＯＳＯ２Ｒ２１、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
Ｃ１～Ｃ４０－アルキル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２１Ｃ＝ＣＲ２１、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２１）２、Ｇｅ（Ｒ２１）２、Ｓｎ（Ｒ２１）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２１）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２１によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２１Ｃ＝ＣＲ２１、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２１）２、Ｇｅ（Ｒ２１）２、Ｓｎ（Ｒ２１）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２１）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２１によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２１Ｃ＝ＣＲ２１、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２１）２、Ｇｅ（Ｒ２１）２、Ｓｎ（Ｒ２１）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２１）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２１によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルケニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２１Ｃ＝ＣＲ２１、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２１）２、Ｇｅ（Ｒ２１）２、Ｓｎ（Ｒ２１）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２１）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２１によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルキニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２１Ｃ＝ＣＲ２１、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２１）２、Ｇｅ（Ｒ２１）２、Ｓｎ（Ｒ２１）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２１）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２１によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、場合により、１つまたはそれ以上の隣接する基の対、ＲＶＩとＲＶＩＩ、ＲＶＩＩとＲＶＩＩＩ、ＲＶＩＩＩとＲＩＸ、ＲＸとＲＸＩ、ＲＸＩとＲＸＩＩ、ＲＸＩＩとＲＸＩＩＩ、ＲＸＩＶとＲＸＶ、ＲＸＶとＲＸＶＩ、ＲＸＶＩとＲＸＶＩＩ、ＲＸＶＩＩとＲＸＶＩＩＩ、ＲＸＩＸとＲＸＸ、ＲＸＸとＲＸＸＩ、ＲＸＸＩとＲＸＸＩＩ、ＲＸＸＩＩとＲＸＸＩＩＩは、芳香族環系を形成し、これは、一般式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの隣接するベンゼン環ａ、ｂ、ｃまたはｄに縮合し、かつ、これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、場合により、ＲＶＩとＲＸＸＩＩＩ、ＲＸＩＩＩとＲＸＩＶの一方または両方の対は、結合してＺ４基を形成し、これは、出現するごとに、互いに独立に、直接結合、ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２２、ＮＲ２２、Ｏ、ＳｉＲ２２Ｒ２３、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から選択され；
Ｒ２１は、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、重水素、ＯＰｈ、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ５－アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルケニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルキニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８－アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７－ヘテロアリール）２；および
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８－アリール）
からなる群から選択され；
Ｒ２２およびＲ２３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｎ（Ｒ２４）２、ＯＲ２４、Ｓｉ（Ｒ２４）３、Ｂ（ＯＲ２４）２、ＯＳＯ２Ｒ２４、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１～Ｃ４０－アルキル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２４で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２４Ｃ＝ＣＲ２４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２４）２、Ｇｅ（Ｒ２４）２、Ｓｎ（Ｒ２４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２４によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－アルコキシ、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２４で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２４Ｃ＝ＣＲ２４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２４）２、Ｇｅ（Ｒ２４）２、Ｓｎ（Ｒ２４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２４によって場合により置換され；
Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２４で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２４Ｃ＝ＣＲ２４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２４）２、Ｇｅ（Ｒ２４）２、Ｓｎ（Ｒ２４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２４によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルケニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２４で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２４Ｃ＝ＣＲ２４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２４）２、Ｇｅ（Ｒ２４）２、Ｓｎ（Ｒ２４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２４によって場合により置換され；
Ｃ２～Ｃ４０－アルキニル、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２４で場合により置換され；
式中、１つまたはそれ以上の隣接していないＣＨ２－基は、Ｒ２４Ｃ＝ＣＲ２４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２４）２、Ｇｅ（Ｒ２４）２、Ｓｎ（Ｒ２４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２４によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ６０－アリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２４で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２４で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ２４は、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、重水素、ＯＰｈ、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１～Ｃ５－アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルケニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ２～Ｃ５－アルキニル、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１－Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、
これは、１つまたはそれ以上のＣ１－Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換され；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２、
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２；および
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８－アリール）
からなる群から選択され；
ＲＡは、水素、
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）、Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリールによって置換され、および
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈによって置換され；
ならびに
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３および
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
ピリジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
ピリミジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
トリアジニル、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から互いに独立に選択される置換基によって置換される
からなる群から選択される。
本発明の高度に好ましい実施形態では、ＲＡは、
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）、Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリールによって置換され、ならびに
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈによって置換される
からなる群から選択される。
本発明の特に好ましい実施形態では、ＲＡは、
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）、Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリールによって置換され、ならびに
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、互いに独立に、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈによって置換され、
式中、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａによるＲＡの結合部位は、Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリールのＣ３～Ｃ１５－炭素原子のうちの１つである
からなる群から選択される。
本発明の一実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３０のうちのいずれかによる構造を含むまたは構造からなる：
Figure 0007630492000054
Figure 0007630492000055
Figure 0007630492000056
Figure 0007630492000057
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９およびＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０のうちのいずれかによる構造を含むまたは構造からなる：
Figure 0007630492000058
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３０のうちのいずれかによる構造を含むまたは構造からなり、式中、ＲＡは、水素であり、または式ＲＡ－Ｉ、ＲＡ－ＩＩ、ＲＡ－ＩＩＩ、ＲＡ－ＩＶ、ＲＡ－Ｖ、ＲＡ－ＶＩ、ＲＡ－ＶＩＩ、ＲＡ－ＶＩＩＩ、ＲＡ－ＩＸ、ＲＡ－Ｘ、ＲＡ－ＸＩ、ＲＡ－ＸＩＩおよびＲＡ－ＸＩＩＩのうちのいずれかにより表される構造を有し、
Figure 0007630492000059
 式中、
点線は、コア構造への結合部位を示し；
Ｑ５は、出現するごとに、互いに独立に、窒素（Ｎ）およびＲ２５からなる群から選択され；
Ｘ３は、出現するごとに、互いに独立に、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、Ｃ（Ｒ２５）２およびＮＲ２５からなる群から選択され；
Ｒ２５は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）ならびに
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、これは、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、Ｃ６～Ｃ１８－アリールおよびＣ３～Ｃ１５－ヘテロアリールからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、これは、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、Ｃ６～Ｃ１８－アリールおよびＣ３～Ｃ１５－ヘテロアリールからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
Ｒ２６は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）ならびに
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、これは、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、Ｃ６～Ｃ１８－アリールおよびＣ３～Ｃ１５－ヘテロアリールからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、これは、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、Ｃ６～Ｃ１８－アリールおよびＣ３～Ｃ１５－ヘテロアリールからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、２つまたはそれ以上の隣接する置換基Ｒ２５および／またはＲ２６は、Ｃ３～Ｃ３０－芳香族またはＣ３～Ｃ１５－芳香族複素環系を場合により形成してもよく、
式中、式ＲＡ－ＩＩＩ、ＲＡ－ＩＶ、ＲＡ－ＶおよびＲＡ－ＶＩ中、少なくとも１つのＱ５はＮであり；
式中、式ＲＡ－ＩＩＩ、ＲＡ－ＩＶ、ＲＡ－ＶおよびＲＡ－ＶＩ中、２つの隣接する基Ｑ５が両方ともＮであることはない。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３０のうちのいずれかによる構造を含みまたは構造からなり、式中、ＲＡは、水素であり、または式ＲＡ－Ｉ、ＲＡ－ＩＩ、ＲＡ－ＩＩＩ、ＲＡ－ＩＶ、ＲＡ－Ｖ、ＲＡ－ＶＩ、ＲＡ－ＶＩＩ、ＲＡ－ＶＩＩＩ、ＲＡ－ＩＸ、ＲＡ－Ｘ、ＲＡ－ＸＩ、ＲＡ－ＸＩＩおよびＲＡ－ＸＩＩＩのうちのいずれかによって表される構造を有し；
式中、Ｒ２６は、出現するごとに、水素である。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２０、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２７、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２８、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３０のうちのいずれかによる構造を含みまたは構造からなり、式中、ＲＡは、水素であり、または式ＲＡ－Ｉａ、ＲＡ－Ｉｂ、ＲＡ－Ｉｃ、ＲＡ－Ｉｄ、ＲＡ－Ｉｅ、ＲＡ－Ｉｆ、ＲＡ－Ｉｇ、ＲＡ－ＩＩＩａ、ＲＡ－ＩＩＩｂ、ＲＡ－ＩＶａ、ＲＡ－ＩＶｂ、ＲＡ－Ｖａ、ＲＡ－Ｖｂ、ＲＡ－Ｖｃ、ＲＡ－Ｖｄ、ＲＡ－Ｖｅ、ＲＡ－Ｖｆ、ＲＡ－ＶＩａ、ＲＡ－ＶＩｂ、ＲＡ－ＶＩｃ、ＲＡ－ＶＩｄ、ＲＡ－ＶＩｅ、ＲＡ－ＶＩｆ、ＲＡ－ＶＩＩ、ＲＡ－ＶＩＩＩａ、ＲＡ－ＶＩＩＩｂ、ＲＡ－ＶＩＩＩｃ、ＲＡ－ＩＸａ、ＲＡ－ＩＸｂおよびＲＡ－ＩＸｃのうちのいずれかによって表される構造を有し、
Figure 0007630492000060
Figure 0007630492000061
式中、
点線は、コア構造への結合部位を示し；
Ｒ２５は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）および
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、これは、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、Ｃ６～Ｃ１８－アリールおよびＣ３～Ｃ１５－ヘテロアリールからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、これは、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、ＣＮ、ＣＦ３、Ｃ６～Ｃ１８－アリールおよびＣ３～Ｃ１５－ヘテロアリールからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、隣接する基Ｒ２５が組み合わされて任意の種類の追加の環系を形成することはない。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、Ｒ２５は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）および
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、Ｃ６～Ｃ１８－アリールおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、
隣接する基Ｒ２５が組み合わされて任意の種類の追加の環系を形成することはない。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、Ｒ２５は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３（Ｐｈ＝フェニル）および
Ｐｈ、これは、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換され；
式中、
隣接する基Ｒ２５が組み合わされて任意の種類の追加の環系を形成することはない。
一実施形態では、ＲＶＩ、ＲＶＩＩ、ＲＶＩＩＩ、ＲＩＸ、ＲＸ、ＲＸＩ、ＲＸＩＩ、ＲＸＩＩＩ、ＲＸＩＶ、ＲＸＶ、ＲＸＶＩ、ＲＸＶＩＩ、ＲＸＶＩＩＩ、ＲＸＩＸ、ＲＸＸ、ＲＸＸＩ、ＲＸＸＩＩおよびＲＸＸＩＩＩは、互いに独立に、水素、重水素、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって場合により置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって場合により置換され；および
Ｎ（Ｐｈ）２
からなる群から選択され；
式中、場合により、少なくとも１種の隣接する基の対、ＲＶＩとＲＶＩＩ、ＲＶＩＩとＲＶＩＩＩ、ＲＶＩＩＩとＲＩＸは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの隣接するベンゼン環ａに縮合している芳香族環系を形成し、かつ／または、場合により、少なくとも１つの隣接する基の対、ＲＸとＲＸＩ、ＲＸＩとＲＸＩＩ、ＲＸＩＩとＲＸＩＩＩは、一般式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの隣接するベンゼン環ｂに縮合している芳香族環系を形成し；
式中、場合によりこのように形成された芳香族環系のそれぞれは、３～３０個の炭素原子を含み、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、場合によりこのように形成された２つの芳香族環系が同一であることが特に好ましく；
式中、場合により、ＲＶＩとＲＸＸＩＩＩ、ＲＸＩＩＩとＲＸＩＶの一方または両方の対は、結合してＺ４基を形成し、これは、出現するごとに、互いに独立に、直接結合、ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２２、ＮＲ２２、Ｏ、ＳｉＲ２２Ｒ２３、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から選択され；
式中、Ｒ２１、Ｒ２２およびＲ２３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって独立に置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって独立に置換され；および
Ｎ（Ｐｈ）２
からなる群から選択される。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０のうちのいずれかによる構造を含むまたは構造からなり；
式中、ＲＶＩ、ＲＶＩＩ、ＲＶＩＩＩ、ＲＩＸ、ＲＸ、ＲＸＩ、ＲＸＩＩ、ＲＸＩＩＩ、ＲＸＩＶ、ＲＸＶ、ＲＸＶＩ、ＲＸＶＩＩ、ＲＸＶＩＩＩ、ＲＸＩＸ、ＲＸＸ、ＲＸＸＩ、ＲＸＸＩＩおよびＲＸＸＩＩＩは、互いに独立に、水素、重水素、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって独立に置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって独立に置換され；および
Ｎ（Ｐｈ）２
からなる群から選択され；
式中、場合により、少なくとも１つの隣接する基の対、ＲＶＩとＲＶＩＩ、ＲＶＩＩとＲＶＩＩＩ、ＲＶＩＩＩとＲＩＸは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの隣接するベンゼン環ａに縮合している芳香族環系を形成し、かつ／または、場合により、少なくとも１つの隣接する基の対、ＲＸとＲＸＩ、ＲＸＩとＲＸＩＩ、ＲＸＩＩとＲＸＩＩＩは、一般式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの隣接するベンゼン環ｂに縮合している芳香族環系を形成し；
式中、場合によりこのように形成された芳香族環系のそれぞれは、３～３０個の炭素原子を含み、１つまたはそれ以上の置換基Ｒ２１で場合により置換され；
式中、場合によりこのように形成された２つの芳香族環系が同一であることが特に好ましく；
式中、場合により、ＲＶＩとＲＸＸＩＩＩ、ＲＸＩＩＩとＲＸＩＶの一方または両方の対は結合してＺ４基を形成し、これは、出現するごとに、互いに独立に、直接結合、ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２２、ＮＲ２２、Ｏ、ＳｉＲ２２Ｒ２３、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から選択され；
式中、Ｒ２１、Ｒ２２およびＲ２３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって独立に置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｃ１～Ｃ５－アルキル、Ｃ６～Ｃ１８－アリール、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール、ＣＮまたはＣＦ３によって独立に置換され；および
Ｎ（Ｐｈ）２
からなる群から選択される。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０のうちのいずれかによる構造を含みまたは構造からなり、
式中、ＲＶＩ、ＲＶＩＩ、ＲＶＩＩＩ、ＲＩＸ、ＲＸ、ＲＸＩ、ＲＸＩＩ、ＲＸＩＩＩ、ＲＸＩＶ、ＲＸＶ、ＲＸＶＩ、ＲＸＶＩＩ、ＲＸＶＩＩＩ、ＲＸＩＸ、ＲＸＸ、ＲＸＸＩ、ＲＸＸＩＩおよびＲＸＸＩＩＩは、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３、Ｎ（Ｐｈ）２、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３またはＰｈによって独立に置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３またはＰｈによって独立に置換され；
式中、場合により、少なくとも１つの隣接する基の対、ＲＶＩとＲＶＩＩ、ＲＶＩＩとＲＶＩＩＩ、ＲＶＩＩＩとＲＩＸは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの隣接するベンゼン環ａに縮合している芳香族環系を形成し、かつ／または、場合により、少なくとも１つの隣接する基の対、ＲＸとＲＸＩ、ＲＸＩとＲＸＩＩ、ＲＸＩＩとＲＸＩＩＩは、一般式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの隣接するベンゼン環ｂに縮合している芳香族環系を形成し、
式中、場合によりこのように形成された芳香族環系のそれぞれは、３～３０の炭素原子を含み；
式中、このように形成された２つの芳香族環系が同一であることが特に好ましく；
式中、場合により、ＲＶＩとＲＸＸＩＩＩ、ＲＸＩＩＩとＲＸＩＶの一方または両方の対が結合してＺ４基を形成し、これは、出現するごとに、互いに独立に、直接結合、ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝ＣＲ２２Ｒ２３、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２２、ＮＲ２２、Ｏ、ＳｉＲ２２Ｒ２３、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から選択され；
式中、Ｒ２２およびＲ２３は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３、
Ｃ１～Ｃ５－アルキル、
式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素によって場合により置換され；
Ｃ６～Ｃ１８－アリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３またはＰｈによって独立に置換され；
Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリール、
式中、場合により、１個またはそれ以上の水素原子は、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３またはＰｈによって独立に置換される。
本発明の好ましい実施形態では、ＲＶＩ、ＲＶＩＩ、ＲＶＩＩＩ、ＲＩＸ、ＲＸ、ＲＸＩ、ＲＸＩＩ、ＲＸＩＩＩ、ＲＸＩＶ、ＲＸＶ、ＲＸＶＩ、ＲＸＶＩＩ、ＲＸＶＩＩＩ、ＲＸＩＸ、ＲＸＸ、ＲＸＸＩ、ＲＸＸＩＩおよびＲＸＸＩＩＩは、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、Ｎ（Ｐｈ）２および
Ｐｈ、式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３によって場合により置換され；
式中、場合により、ＲＶＩとＲＸＸＩＩＩ、ＲＸＩＩＩとＲＸＩＶの一方または両方の対は結合されてＺ４基を形成し、これは、出現するごとに、直接結合である。
本発明の特に好ましい実施形態では、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０のうちのいずれかによる構造を含みまたは構造からなり、
式中、ＲＶＩ、ＲＶＩＩ、ＲＶＩＩＩ、ＲＩＸ、ＲＸ、ＲＸＩ、ＲＸＩＩ、ＲＸＩＩＩ、ＲＸＩＶ、ＲＸＶ、ＲＸＶＩ、ＲＸＶＩＩ、ＲＸＶＩＩＩ、ＲＸＩＸ、ＲＸＸ、ＲＸＸＩ、ＲＸＸＩＩおよびＲＸＸＩＩＩは、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、Ｎ（Ｐｈ）２および
Ｐｈ、式中、１個またはそれ以上の水素原子は、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３によって場合により置換される
からなる群から選択され；
式中、場合により、ＲＶＩとＲＸＸＩＩＩ、ＲＸＩＩＩとＲＸＩＶの一方または両方の対は結合してＺ４基を形成し、これは、出現するごとに、直接結合である。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中の使用のための小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの例が以下に列挙され、ここで、本発明は、当然ながら、これらの分子のうちの１つを含む素子に限定されない。
式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１による小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000062
式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２による小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000063
Figure 0007630492000064
Figure 0007630492000065
式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５およびＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６による小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000066
式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９による小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの例が、以下に列挙される：
Figure 0007630492000067
小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの合成は、当業者に公知の標準的な反応および反応条件を介して達成することができる。式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａの構造を含むまたは構造からなる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢのための典型的な反応スキームの例が以下に記載され、式中、ＲＸＶＩＩＩ＝ＲＸＩＸ、ＲＸＶＩＩ＝ＲＸＸ、ＲＸＶＩ＝ＲＸＸＩ、ＲＸＶ＝ＲＸＸＩＩ、ＲＸＩＶ＝ＲＸＸＩＩＩ、ＲＸＩＩＩ＝ＲＶＩ、ＲＸＩＩ＝ＲＶＩＩ、ＲＸＩ＝ＲＶＩＩＩおよびＲＸ＝ＲＩＸである：
Figure 0007630492000068
１，３－ジブロモ－２，５－ジクロロベンゼン（ＣＡＳ：８１０６７－４１－６、１．００当量）、Ｅ１（２．２０当量）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムＰｄ２（ｄｂａ）３（０．０２当量、ＣＡＳ：５１３６４－５１－３）、トリ－ｔｅｒｔ－ブチル－ホスフィン（Ｐ（ｔＢｕ）３、ＣＡＳ：１３７１６－１２－６、０．０８当量）およびナトリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド（ＮａＯｔＢｕ；６．００当量）を、窒素雰囲気下、トルエン中８０℃にて２ｈ撹拌する。室温（ｒｔ）に冷却した後、反応混合物をトルエンおよびブラインで抽出し、相を分離する。合わせた有機層をＭｇＳＯ４で脱水し、次いで、溶媒を減圧下で除去する。得られた粗生成物を再結晶またはカラムクロマトグラフィーによって精製し、Ｉ１を固体として得る。
Figure 0007630492000069
Ｉ１（１．００当量）、Ｅ２（２．２０当量、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムＰｄ２（ｄｂａ）３（０．０２当量；ＣＡＳ：５１３６４－５１－３）、トリ－ｔｅｒｔ－ブチル－ホスフィン（０．０８当量、Ｐ（ｔＢｕ）３、ＣＡＳ：１３７１６－１２－６）およびナトリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド（ＮａＯｔＢｕ；５．００当量）を、窒素雰囲気下、トルエン中１００℃にて５ｈ撹拌する。室温（ｒｔ）に冷却した後、反応混合物をトルエンおよびブラインで抽出し、相を分離する。合わせた有機層をＭｇＳＯ４で脱水し、次いで、溶媒を減圧下で除去する。得られた粗生成物を再結晶またはカラムクロマトグラフィーによって精製し、Ｉ２を固体として得る。
Figure 0007630492000070
Ｉ２（１当量）を、窒素雰囲気下、ＴＨＦ中で溶解して－２０℃に冷却した後、またはｔｅｒｔ－ブチルベンゼン中で溶解して－１０℃に冷却した後、ｔＢｕＬｉ（２当量、ＣＡＳ：５９４－１９－４）を添加し、反応混合物を０℃にて撹拌する。リチウム化を完了した後、反応をクエンチし、１，３，２－ジオキサボロラン（２当量、ＣＡＳ：６１６７６－６２－８）を添加し、反応混合物を、還流下、７０℃にて２ｈ撹拌する。室温（ｒｔ）に冷却した後、反応混合物をトルエンとブラインとの間で抽出し、相を分離する。合わせた有機層をＭｇＳＯ４で脱水し、次いで、溶媒を減圧下で除去する。得られた粗生成物を再結晶またはカラムクロマトグラフィーによって精製して、Ｉ３を固体として得る。
Figure 0007630492000071
Ｉ３（１当量）、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン（１０当量、ＣＡＳ：７０８７－６８－５）およびＡｌＣｌ３（１０当量、ＣＡＳ：７４４６－７０－０）を、窒素雰囲気下、クロロベンゼン中１２０℃にて１６ｈ撹拌する。室温（ｒｔ）に冷却した後、反応混合物をトルエンとブラインとの間で抽出し、相を分離する。合わせた有機層をＭｇＳＯ４で脱水し、次いで、溶媒を減圧下で除去する。得られた粗生成物を再結晶またはカラムクロマトグラフィーによって精製して、Ｉ４を固体として得る。
Figure 0007630492000072
Ｉ４（１当量）、Ｅ３（１．１当量）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（ＣＡＳ：３３７５－３１－３、０．１当量）、Ｓ－Ｐｈｏｓ（ＣＡＳ：６５７４０８－０７－６、０．２４当量）および三塩基性リン酸カリウム（５当量）を、窒素雰囲気下、ジオキサン／水５：１中１００℃にて１６ｈ撹拌する。室温（ｒｔ）に冷却した後、反応混合物をトルエンとブラインとの間で抽出し、相を分離する。合わせた有機層をＭｇＳＯ４で脱水し、次いで、溶媒を減圧下で除去する。得られた粗生成物を再結晶またはカラムクロマトグラフィーによって精製して、Ｐ１を固体として得る。
さらなるＦＷＨＭの発光体ＳＢを同様に得ることができる。ＦＷＨＭの発光体ＳＢはまた、この目的に好適な任意の代替的な合成経路によっても得ることができる。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、式ＥＢ－Ｉによる構造を有し、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＦＷＨＭの発光体ＳＢは、式ＳＢ－Ｉによる構造を有する。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、式ＥＢ－Ｉ－１、ＥＢ－Ｉ－２、ＥＢ－Ｉ－３、ＥＢ－Ｉ－４、ＥＢ－Ｉ－５、ＥＢ－Ｉ－６、ＥＢ－Ｉ－７およびＥＢ－Ｉ－８のうちのいずれかによる構造を有し、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＦＷＨＭ発光体ＳＢのそれぞれは、式ＳＢ－ＩＩ、ＳＢ－ＩＩＩおよびＳＢ－ＩＶのうちのいずれかによる構造を有する。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、式ＥＢ－Ｉ－１ａ、ＥＢ－Ｉ－２ａ、ＥＢ－Ｉ－３ａ、ＥＢ－Ｉ－４ａ、ＥＢ－Ｉ－５ａ、ＥＢ－Ｉ－６ａ、ＥＢ－Ｉ－７およびＥＢ－Ｉ－８のうちのいずれかによる構造を有し、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＦＷＨＭの発光体ＳＢは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａのうちのいずれかによる構造を有する。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、式ＥＢ－Ｉ－１ａ－１、ＥＢ－Ｉ－２ａ－１、ＥＢ－Ｉ－３ａ－１、ＥＢ－Ｉ－４ａ－１、ＥＢ－Ｉ－５ａ－１、ＥＢ－Ｉ－６ａ－１、ＥＢ－Ｉ－７およびＥＢ－Ｉ－８のうちのいずれかによる構造を有し、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＦＷＨＭの発光体ＳＢは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａのいずれかによる構造を有する。
本発明のなおもさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ａ、ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ｂ、ＥＢ－Ｉ－５ａ－１ａおよびＥＢ－Ｉ－６ａ－１ａのうちのいずれかによる構造を有し、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＦＷＨＭの発光体ＳＢは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９およびＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０のうちのいずれかによる構造を有する。
本発明の特に好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、式ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ａ、ＥＢ－Ｉ－３ａ－１ｂ、ＥＢ－Ｉ－５ａ－１ａおよびＥＢ－Ｉ－６ａ－１ａのうちのいずれかによる構造を有し、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＦＷＨＭの発光体ＳＢは、式ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－２、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－３、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－４、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－５、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－６、ＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－９およびＳＢ－ＩＩＩ－３ａ－１０のうちのいずれかによる構造を有する。
本発明の特に好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、本明細書に示される特に好ましい例のうちのいずれかによる構造を有し、少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる各ＦＷＨＭの発光体ＳＢは、本明細書に示される特に好ましい例のうちのいずれかによる構造を有する。
発光層Ｂ内の成分のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルとの関係
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１種のｐ－ホストＨＰが発光層Ｂ中に存在する限り、以下の式（２０）～（２２）：
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ） （２０）
ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （２１）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （２２）
によって表される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１種のｐ－ホストＨＰおよび少なくとも１種のｎ－ホストＨＮが発光層Ｂ中に存在する限り、以下の式（１８）～（２２）：
ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＮ） （１８）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＨＮ） （１９）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ） （２０）
ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （２１）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （２２）
によって表される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
本発明の好ましい実施形態では、少なくとも１種のｐ－ホストＨＰおよび少なくとも１種のｎ－ホストＨＮおよび少なくとも１種のバイポーラホストＨＢＰが発光層Ｂに存在する限り、以下の式（１８）～（２３）：
ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＮ） （１８）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＨＮ） （１９）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ） （２０）
ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （２１）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （２２）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）＞ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ） （２３）
によって表される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
したがって、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂに場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂに場合により含まれるｎ－ホストＨＮの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）よりも好ましくは高い、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。
さらに、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＮ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）よりも好ましくは高い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する。
加えて、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）よりも好ましくは高い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）よりも好ましくは低いまたは等しい、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。
さらに、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）よりも好ましくは高い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する。
加えて、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＢＰ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）よりも好ましくは高い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する。
本発明の好ましい実施形態では、ｐ－ホストＨＰが発光層ＥＢ中に存在する限り、以下の式（２６）および／または（２７）：
－０．３ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦０．３ｅＶ （２６）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）≧０．３ｅＶ （２７）
によって表されるものからなる群から選択される関係の一方または両方が、好ましくは該当する。
本発明の好ましい実施形態では、ｐ－ホストＨＰおよびｎ－ホストＨＮが発光層ＥＢ中に存在する限り、以下の式（２４）～（２７）：
ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶ （２４）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶ （２５）
－０．３ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦０．３ｅＶ （２６）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）≧０．３ｅＶ （２７）
によって表されるものからなる群から選択される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
本発明の好ましい実施形態では、ｐ－ホストＨＰおよびｎ－ホストＨＮおよびバイポーラホストＨＢＰが発光層ＥＢ中に存在する限り、以下の式（２４）～（２８）：
ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶ （２４）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶ （２５）
－０．３ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦０．３ｅＶ （２６）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）≧０．３ｅＶ （２７）
ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≧０．３ｅＶ （２８）
によって表されるものからなる群から選択される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
したがって、本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶである。換言すると、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）とＥＨＯＭＯ（ＨＮ）とのエネルギー差は、好ましくは０．３ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＮ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）とＥＬＵＭＯ（ＨＮ）とのエネルギー差は、好ましくは０．３ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、ここで、好ましくは：－０．３ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦０．３ｅＶである。換言すると、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるｐ－ホストＨＰのＨＯＭＯ（ＨＰ）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ発光体ＥＢのＨＯＭＯ（ＥＢ）よりもエネルギーにおいて高くてもよく低くてもよいが、そのエネルギー差は、好ましくは０．３ｅＶを超えない。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）≧０．３ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）とＥＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、好ましくは０．３ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｐ－ホストＨＰは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≧０．３ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）とＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）とのエネルギー差は、好ましくは０．３ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、ｎ－ホストＨＮが発光層ＥＢ中に存在する限り、以下の式（２９）～（３２）：
ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≦ＥＨＯＭＯ（ＥＢ） （２９）
ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦ＥＬＵＭＯ（ＥＢ） （３０）
ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）＜ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （３１）
ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （３２）
によって表される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
本発明の好ましい実施形態では、ｎ－ホストＨＮおよびバイポーラホストＨＢＰが発光層ＥＢ中に存在する限り、以下の式（２９）～（３３）：
ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≦ＥＨＯＭＯ（ＥＢ） （２９）
ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦ＥＬＵＭＯ（ＥＢ） （３０）
ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）＜ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （３１）
ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （３２）
ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）＜ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ） （３３）
によって表される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
したがって、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）よりも好ましくは低いまたは等しい、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する。
さらに、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）と好ましくは等しいまたはそれよりも低い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する。
加えて、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）よりも好ましくは低い、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）よりも好ましくは低い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する。
さらに、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＢＰ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）よりも好ましくは低い、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する。
本発明の好ましい実施形態では、ｎ－ホストＨＮが発光層ＥＢ中に存在する限り、以下の式（３４）～（３６）：
ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶ （３４）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．２ｅＶ （３５）
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．２ｅＶ （３６）
によって表される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが、好ましくは該当する。
本発明の好ましい実施形態では、ｎ－ホストＨＮおよびバイポーラホストＨＢＰが発光層ＥＢ中に存在する限り、以下の式（３４）～（３７）：
ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶ （３４）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．２ｅＶ （３５）
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．２ｅＶ （３６）
ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶ （３７）
によって表される関係のうちの１つまたはそれ以上またはすべてが該当する。
したがって、本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶである。換言すると、ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）とＥＨＯＭＯ（ＨＮ）との間のエネルギー差は、好ましくは０．３ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＮ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．２ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）とＥＬＵＭＯ（ＨＮ）との間のエネルギー差は、好ましくは０．２ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＮ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≧０．２ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）とＥＬＵＭＯ（ＨＮ）との間のエネルギー差は、好ましくは０．２ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるｎ－ホストＨＮは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＮ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＮ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＮ）≧０．３ｅＶである。換言すると、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）とＥＨＯＭＯ（ＨＮ）との間のエネルギー差は、好ましくは０．３ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、バイポーラホストＨＢＰが発光層Ｂ中に存在する限り、以下の式（３８）～（４０）：
ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （３８）
ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦ＥＬＵＭＯ（ＥＢ） （３９）
ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （４０）
によって表される関係のうちの１つ、２つまたはすべてが、好ましくは該当する。
したがって、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）よりも好ましくは低いまたは等しい、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する。
さらに、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）よりも好ましくは低いまたは等しい、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する。
加えて、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）よりも好ましくは低い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する。
本発明の好ましい実施形態では、バイポーラホストＨＢＰが発光層Ｂ中に存在する限り、以下の式（４１）～（４３）：
－０．３ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦０．３ｅＶ （４１）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≧０．２ｅＶ （４２）
ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）≧０．２ｅＶ （４３）
によって表される関係のうちの１つ、２つまたはすべてが、好ましくは該当する。
したがって、本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、ここで、好ましくは：－０．３ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦０．３ｅＶである。換言すると、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰのＨＯＭＯ（ＨＢＰ）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ発光体ＥＢのＨＯＭＯ（ＥＢ）よりもエネルギーにおいて高くてもよく低くてもよいが、そのエネルギー差は好ましくは０．３ｅＶを超えない。
さらに、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≧０．２ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）とＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）との間のエネルギー差は、好ましくは０．２ｅＶ以上である。
加えて、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に場合により含まれるバイポーラホストＨＢＰは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）－ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）≧０．２ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）とＥＬＵＭＯ（ＥＢ）との間のエネルギー差は、好ましくは０．２ｅＶ以上である。
本発明の好ましい実施形態では、以下の式（４４）および（４５）：
ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （４４）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （４５）
によって表される関係が該当する。
したがって、好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）と好ましくは等しいまたはそれよりも低い、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢの最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）よりも低い、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する。
本発明の好ましい実施形態では、以下の式（４６）：
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）≧０．２ｅＶ （４６）
によって表される関係が該当する。
したがって、本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれるＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に含まれる小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、ここで、好ましくは：ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）≧０．２ｅＶである。換言すると、ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）とＥＬＵＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、好ましくは０．２ｅＶ以上である。
本発明のさらにより好ましい実施形態では、上に記載した式（１）～（２３）、（２９）～（３３）、（３８）～（４０）、（４４）および（４５）によって表される２つ、３つ、３つ超またはすべての関係が該当し、ここで、このことは、これらの関係において参照されているすべての種が、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に好ましくは含まれることを示唆してはいないが、代わりに、任意の含まれている種を参照している列挙された関係の群から選択されるすべての関係が該当することが特に好ましいことを示唆している。例えば、ｎ－ホストＨＮが、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂのいずれかの中に含まれていない場合、ｎ－ホストＨＮを参照する関係が、この特定の事例には該当しないが、その一方で、それらが、ｎ－ホストＨＮが含まれているときはいつでも好ましくは該当することが理解される。
本発明の特に好ましい実施形態では、上に記載した式（１）～（４６）によって表される２つ、３つ、３つ超またはすべての関係が該当し、ここで、このことは、これらの関係を参照するすべての種が、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂ中に好ましくは含まれることを示唆してはいないが、代わりに、任意の含まれている種を参照する関係の群から選択されるすべての関係が該当することが特に好ましいことを示唆している。
少なくとも１つの発光層Ｂの組成物
１種またはそれ以上のホストＨＢ（例えば、１種またはそれ以上のｐ－ホストＨＰおよび／または１種またはそれ以上のｎ－ホストＨＮおよび／または１種またはそれ以上のバイポーラホストＨＢＰ）、１種またはそれ以上のＴＡＤＦ発光体ＥＢ、ならびに１種またはそれ以上のＦＷＨＭの発光体ＳＢが、有機エレクトロルミネッセンス素子中に、任意の量および任意の比で含まれてもよい。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中の少なくとも１つの発光層Ｂのそれぞれは、少なくとも１種のホスト材料ＨＢ（より具体的には：ＨＰおよび／またはＨＮおよび／またはＨＢＰ）を、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢよりも重量によって多く含む。
本発明の好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中の少なくとも１つの発光層Ｂのそれぞれは、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢを、少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢよりも重量によって多く含む。
好ましい実施形態では、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中、少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかは、
（ｉ）３０～８９．９重量％の１種またはそれ以上のホスト化合物ＨＢ；
（ｉｉ）１０～６０重量％の１種またはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ；および
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１種またはそれ以上の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ；および場合により、
（ｉｖ）０～７２重量％の１種またはそれ以上の溶媒
を含む（またはそれらからなる）。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中でＨＮが場合による好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかは、
（ｉ）１０～８９．９重量％の１種またはそれ以上のｐ－ホスト化合物ＨＰ；場合により
（ｉｉ）０～７９．９重量％の１種またはそれ以上のｎ－ホスト化合物ＨＮ；
（ｉｉｉ）１０～５０重量％の１種またはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ；および
（ｉｖ）０．１～１０重量％の１種またはそれ以上の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ；および場合により、
（ｖ）０～７２重量％の１種またはそれ以上の溶媒
を含む（またはそれらからなる）。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中でＨＮが場合によるさらにより好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂのうちのいずれかは、
（ｉ）２２～８７．５重量％の１種またはそれ以上のｐ－ホスト化合物ＨＰ；場合により、
（ｉｉ）０～６５．５重量％の１種またはそれ以上のｎ－ホスト化合物ＨＮ；
（ｉｉｉ）１２～４０重量％の１種またはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ；および
（ｉｖ）０．５～５重量％の１種またはそれ以上の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ；および場合により、
（ｖ）０～６５．５重量％の１種またはそれ以上の溶媒
を含む（またはそれらからなる）。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中でＨＮが必要である別の好ましい実施形態では、発光層Ｂは、
（ｉ）１０～３０重量％の１種またはそれ以上のｐ－ホスト化合物ＨＰ；
（ｉｉ）４０～７９．９重量％の１種またはそれ以上のｎ－ホスト化合物ＨＮ；
（ｉｉｉ）１０～４９重量％の１種またはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ；および
（ｉｖ）０．１～１０重量％の１種またはそれ以上の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ；および場合により、
（ｖ）０～３４重量％の１種またはそれ以上の溶媒
を含む（またはそれらからなる）。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子中でＨＮが必要である別の好ましい実施形態では、発光層Ｂは、
（ｉ）４０～７４重量％の１種またはそれ以上のｐ－ホスト化合物ＨＰ；
（ｉｉ）１０～３０重量％の１種またはそれ以上のｎ－ホスト化合物ＨＮ；
（ｉｉｉ）１０～４９重量％の１種またはそれ以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ；および
（ｉｖ）０．１～１０重量％の１種またはそれ以上の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ；および場合により、
（ｖ）０～３４重量％の１種またはそれ以上の溶媒
を含む（またはそれらからなる）。
前述したように、本発明による同じ有機エレクトロルミネッセンス素子中に場合により含まれる異なる発光層Ｂが、必ずしもすべて同じ材料を含まないこと、またはさらには同じ材料を同じ比で含まないことが理解される。
一実施形態では、発光層は、本発明による有機分子を含むだけでなく、その三重項（Ｔ１）および一重項（Ｓ１）エネルギーレベルが、１つまたはそれ以上の有機分子の三重項（Ｔ１）および一重項（Ｓ１）エネルギーレベルよりもエネルギー的に高いホスト材料、具体的には、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび／または少なくとも１種のＦＷＨＭの発光体ＳＢを含む。
本発明のさらなる態様は、
（ａ）特に発光体および／またはホストの形態にある、本発明による少なくとも１種のＦＷＨＭの発光体ＳＢ、ならびに
（ｂ）本発明による有機分子とは異なる、（ＴＡＤＦ材料ＥＢを含めた）１つまたはそれ以上の発光体および／またはホスト材料ＨＢ、
（ｃ）場合による１種またはそれ以上の染料および／または１種またはそれ以上の溶媒
を含むまたはそれらからなる組成物に関する。
一実施形態では、発光層は、
（ａ）特に発光体および／またはホストの形態にある、本発明による少なくとも１種のＦＷＨＭ発光体ＳＢ、ならびに
（ｂ）本発明による有機分子とは異なる、（ＴＡＤＦ材料ＥＢを含めた）１つまたはそれ以上の発光体および／またはホスト材料ＨＢ、ならびに
（ｃ）場合による１種またはそれ以上の染料および／または１種またはそれ以上の溶媒
を含むまたはそれらからなる組成物を含む（またはそれらから本質的になる）。
一実施形態では、発光層ＥＭＬは、
（ｉ）０．１～１０重量％、好ましくは０．５～５重量％、特に１～３重量％の、本発明による１種またはそれ以上のＦＷＨＭの発光体ＳＢ；
（ｉｉ）５～９９重量％、好ましくは１５～８５重量％、特に２０～７５重量％の少なくとも１種のホスト化合物ＨＢ；および
（ｉｉｉ）本発明による分子の構造とは異なる構造を有する、０．９～９４．９重量％、好ましくは１４．５～８０重量％、特定すると２４～７７重量％の少なくとも１種のさらなるホスト化合物Ｄ；および
（ｉｖ）場合により０～９４重量％、好ましくは０～６５重量％、特に０～５０重量％の溶媒；および
（ｖ）本発明による分子の構造とは異なる構造を有する、最大３０重量％、特定すると最大２０重量％、好ましくは最大５重量％の（ＴＡＤＦ材料ＥＢを含めた）少なくとも１種のさらなる発光体分子Ｆ
を含むまたはそれらからなる組成物を含む（またはそれらから本質的になる）。
好ましくは、エネルギーは、本発明によるホスト化合物ＨＢから１つまたはそれ以上のＦＷＨＭの発光体ＳＢへ移動することができ、特に本発明ＳＢによるホスト化合物ＨＢの第１の三重項励起状態Ｔ１（ＨＢ）から１つまたはそれ以上の有機分子の第１の三重項励起状態Ｔ１（ＳＢ）へ移動することができ、かつ／または、本発明ＳＢによるホスト化合物ＨＢの第１の一重項励起状態Ｓ１（ＨＢ）から１つまたはそれ以上の有機分子の第１の一重項励起状態Ｓ１（ＳＢ）へ移動することができる。
素子の構造
当業者であれば、少なくとも１つの発光層Ｂが、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子中に典型的に組み込まれることを認めることになる。好ましくは、このような有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも以下の層：少なくとも１つの発光層Ｂ、少なくとも１つのアノード層Ａおよび少なくとも１つのカソード層Ｃを含む。
好ましくは、少なくとも１つの発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。したがって、一般的なセットアップは、好ましくはＡ－Ｂ－Ｃである。これは、当然ながら、１つまたはそれ以上の場合によるさらなる層の存在を排除するものではない。これらは、それぞれの、Ａの側、Ｂの側および／またはＣの側において存在することができる。
好ましくは、アノード層Ａは、基材の表面上に位置する。基材は、任意の材料または材料の組成物によって形成されうる。最も頻繁には、ガラススライドが基材として使用される。あるいは、薄い金属層（例えば、銅、金、銀もしくはアルミニウムの膜）またはプラスチックの膜もしくはスライドが、使用されうる。このことは、より高い可撓度を可能にすることができる。両方の電極のうちの少なくとも一方は、エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）からの発光を可能にするために（本質的に）透明であるべきである。通常、アノード層Ａは、（本質的に）透明な膜を得ることを可能にする材料からほとんどがなる。好ましくは、アノード層Ａは、大きい含有量の透明な伝導性酸化物（ＴＣＯ）を含むまたはさらにはそれらからなる。
このようなアノード層Ａは、例示的に、酸化インジウムスズ、酸化アルミニウム亜鉛、蛍光酸化スズ、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、グラファイト、ドープされたＳｉ、ドープされたＧｅ、ドープされたＧａＡ、ドープされたポリアニリン、ドープされたポリピロールおよび／またはドープされたポリチオフェン、ならびにこれらの２種またはそれ以上の混合物を含んでもよい。
特に好ましくは、アノード層Ａは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ３）０．９（ＳｎＯ２）０．１）から（本質的に）なる。透明の伝導性酸化物（ＴＣＯ）によって引き起こされるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することによって補うことができる。さらに、ＨＩＬは、準電荷キャリア（すなわち正孔）の注入を促進することができ、これは、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への準電荷キャリアの移動が促進される点においてである。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）、ＭｏＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特にＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を含むことができる。正孔注入層（ＨＩＬ）はまた、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）中への金属の拡散を防止することができる。ＨＩＬは、例示的に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート）、ＰＥＤＯＴ（ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン）、ｍＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ－ＴＡＤ（２，２’，７，７’－テトラキス（ｎ，ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン）、ＤＮＴＰＤ（Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－フェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン）、ＮＰＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）フェニル］ベンジジン）、ＭｅＯ－ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）－ベンジジン）、ＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル）および／またはスピロ－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフチル）－９，９’－スピロビフルオレン－２，７－ジアミン）を含んでもよい。
アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接して、典型的には正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置する。本明細書では、任意の正孔輸送化合物が使用されてもよい。例示的に、トリアリールアミンおよび／またはカルバゾールのような電子に富む芳香族複素環化合物が、正孔輸送化合物として使用されうる。ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層Ｂ（発光層（ＥＭＬ）として働く）との間のエネルギーバリアを減少させることができる。正孔輸送層（ＨＴＬ）はまた、電子ブロッキング層（ＥＢＬ）であってもよい。好ましくは、正孔輸送化合物は、それらの三重項状態Ｔ１の比較的高いエネルギーレベルを有する。例示的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ－ＴＰＤ（ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニル－アミン））、［アルファ］－ＮＰＤ（ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニル－アミン））、ＴＡＰＣ（４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］）、２－ＴＮＡＴＡ（４，４’，４’’－トリス［２－ナフチル（フェニル）－アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ－ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ－ＴＰＤ、ＨＡＴ－ＣＮおよび／またはＴｒｉｓＰｃｚ（９，９’－ジフェニル－６－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール）のような星形の複素環を含んでもよい。加えて、ＨＴＬは、ｐ－ドープされた層を含んでもよく、これは、有機正孔輸送マトリックス中、無機または有機ドーパントからなってもよい。酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは酸化タングステンのような遷移金属酸化物が、例示的に、無機ドーパントとして使用されうる。テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、銅－ペンタフルオロベンゾエート（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体が、例示的に、有機ドーパントとして使用されうる。
ＥＢＬは、例示的に、ｍＣＰ（１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン）、ＴＣＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、ｍＣＢＰ（３，３－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、トリス－Ｐｃｚ、ＣｚＳｉ（９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール）および／またはＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾリル－１，４－ジメチルベンゼン）を含んでもよい。
少なくとも１つの発光層Ｂの組成物を上に記載してきた。本発明による１つまたはそれ以上の発光層Ｂのうちのいずれかは、好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは０．１ｍｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下、さらにより好ましくは１μｍ以下、特に好ましくは０．１μｍ以下の厚さを有する。
電子輸送層（ＥＴＬ）中、任意の電子輸送体が使用されてもよい。例示的に、例えば、ベンゾイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば１，３，４－オキサジアゾール）、ホスフィンオキシドおよびスルホンのような電子に乏しい化合物が使用されてもよい。例示的に、電子輸送体ＥＴＭはまた、１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル（ＴＰＢｉ）のような星形の複素環であってもよい。ＥＴＭは、例示的に、ＮＢｐｈｅｎ（２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン））、ＴＳＰＯ１（ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド）、ＢＰｙＴＰ２（２，７－ジ（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニル）、Ｓｉｆ８７（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン）、Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン）、ＢｍＰｙＰｈＢ（１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン）および／またはＢＴＢ（４，４’－ビス－［２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）］－１，１’－ビフェニル）であってもよい。場合により、電子輸送層は、Ｌｉｑ（８－ヒドロキシキノリノラトリチウム）のような材料でドープされてもよい。場合により、第２の電子輸送層が、電子輸送層とカソード層Ｃとの間に位置してもよい。電子輸送層（ＥＴＬ）はまた、正孔をブロックしてもよく、または正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）が導入される。
ＨＢＬは、例えば、ＨＢＭ１：
Figure 0007630492000073
 、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン＝バトクプロイン）、ＢＡｌｑ（ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム）、ＮＢｐｈｅｎ（２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン））、ＴＳＰＯ１（ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド）、Ｔ２Ｔ（２，４，６－トリス（ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）、Ｔ３Ｔ（２，４，６－トリス（トリフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）、ＴＳＴ（２，４，６－トリス（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン）、ＤＴＳＴ（２，４－ジフェニル－６－（３’－トリフェニルシリルフェニル）－１，３，５－トリアジン）、ＤＴＤＢＦ（２，８－ビス（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）ジベンゾフラン）および／またはＴＣＢ／ＴＣＰ（１，３，５－トリス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゾール／１，３，５－トリス（カルバゾール）－９－イル）ベンゼン）を含んでもよい。
電子輸送層（ＥＴＬ）に隣接して、カソード層Ｃが位置してもよい。例示的に、カソード層Ｃは、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、ＷもしくはＰｄ）または金属合金を含んでもよくまたはそれらからなってもよい。実用的な理由のために、カソード層Ｃはまた、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌのような（本質的に）不透明な金属からなってもよい。代替的にまたはこれらに加えて、カソード層Ｃはまた、グラファイトおよび／またはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含んでもよい。あるいは、カソード層Ｃはまた、ナノスケールの銀ワイヤからなってもよい。
好ましい実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも以下の層：
Ａ）アノード層Ａ、これは、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、グラファイト、ドープされたシリシウム、ドープされたゲルマニウム、ドープされたＧａＡ、ドープされたポリアニリン、ドープされたポリピロール、ドープされたポリチオフェン、およびこれらの２種またはそれ以上の混合物からなる群から選択される少なくとも１種の成分を含有する；
Ｂ）発光層Ｂ、これは、本明細書で記載されている本発明による；ならびに
Ｃ）カソード層Ｃ、これは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、およびそれらの２種またはそれ以上の混合物または合金からなる群から選択される少なくとも１種の成分を含有する
を含み、
ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。
一実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子がＯＬＥＤであるとき、それは、場合により、以下の層構造：
Ａ）アノード層Ａ、これは、例示的に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む；
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ；
Ｂ）発光層Ｂ、これは本明細書に記載されている本発明による；
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ；ならびに
Ｃ）カソード層、例示的にＡｌ、Ｃａおよび／またはＭｇを含む
を含んでもよい。
好ましくは、ここでの層の順序は、Ａ－ＨＴＬ－Ｂ－ＥＴＬ－Ｃである。
さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子は、場合により、例示的に水分、蒸気および／または気体を含めた環境中の有害種に損傷を与える暴露から素子を保護する、１つまたはそれ以上の保護層を含んでもよい。
エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）は、さらに、場合により、電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｃ（これは、電子注入層（ＥＩＬ）と称されうる）との間に、保護層を含んでもよい。この層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、Ｌｉｑ（８－ヒドロキシキノリノラトリチウム）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯおよび／またはＮａＦを含みうる。
別段の指定がない限り、多様な実施形態の層のうちのいずれかは、任意の好適な方法によって堆積されうる。発光層Ｂを含めた本発明の文脈における層は、場合により、液体処理（「膜処理」、「流体処理」、「溶液処理」または「溶媒処理」とも称される）の手段によって製造されてもよい。このことは、それぞれの層中に含まれる成分が、素子の一部の表面に、液状において適用されることを意味する。好ましくは、発光層Ｂを含めた本発明の文脈における層は、スピンコーティングの手段によって製造されてもよい。当業者に周知のこの方法は、薄くかつ（本質的に）均質な層を得ることを可能にする。
あるいは、少なくとも１つの発光層Ｂを含めた本発明の文脈における層は、例えば、流延法（例えば滴下流延法）およびローリング法、ならびにプリンティング法（例えばインクジェットプリンティング、グラビアプリンティング、ブレードコーティング）のような液体処理に基づく他の方法によって製造されてもよい。これは、場合により、不活性雰囲気中で（例えば窒素雰囲気中で）で実施されうる。
別の好ましい実施形態では、少なくとも１つの発光層Ｂを含めた本発明の文脈における層は、例えば熱（共）蒸留、有機気相体積（ＯＶＰＤ）および有機蒸気ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による堆積のような、当業者に周知の真空処理方法が挙げられるがこれらに限定されない当技術分野で公知の任意の他の方法によって製造されてもよい。
液体処理の手段によって層を製造するとき、層の成分を含む溶液（すなわち、本発明の発光層Ｂに関して、少なくとも１種のホスト化合物ＨＢ、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび少なくとも１種の小さいＦＷＨＭの発光体ＳＢ）は、揮発性有機溶媒をさらに含んでもよい。このような有機溶媒は、場合により、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロベンゼン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２－（２－エトキシエトキシ）エタノール、ガンマ－ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリジノン、エトキシエタノール、キシレン、トルエン、アニソール、フェネトール、アセトニトリル、テトラヒドロチオフェン、ベンゾニトリル、ピリジン、トリヒドロフラン、トリアリールアミン、シクロヘキサノン、アセトン、炭酸プロピレン、酢酸エチル、ベンゼンおよびＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート）からなる群から選択される１種であってもよい。さらに、２種またはそれ以上の溶媒の組合せが使用されてもよい。液状において適用された後、層は、続けて、当技術分野の任意の手段によって、例示的に周囲条件にて、昇温（例えば約５０℃もしくは約６０℃）にて、または減圧下で、乾燥されてもよくかつ／または硬化されてもよい。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、概して、５ｍｍ以下、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、０．２５ｍｍ以下、１００μｍ以下、または１０μｍ以下の厚さの薄層を形成することもできる。
有機エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）は、小サイズ（例えば、５ｍｍ２以下、さらには１ｍｍ２以下の表面を有する）、中程度のサイズ（例えば０．５～２０ｃｍ２の範囲内の表面を有する）または大サイズ（例えば２０ｃｍ２超の表面を有する）でありうる。本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）は、場合により、大面積の光照射装置として、ルミネッセンス壁紙として、ルミネッセンス窓枠またはガラスとして、ルミネッセンス標識として、ルミネッセンス提示物または可撓性スクリーンもしくはディスプレイとしての、スクリーンを生成するために使用することができる。通常の使用に次いで、有機エレクトロルミネッセンス素子（例えばＯＬＥＤ）は、例示的にまた、ルミネッセンス膜、「スマートパッケージング」標識または革新的なデザイン要素としても使用することができる。さらに、それらは、細胞検出および試験のために（例えば生物標識として）使用可能である。
さらなる定義および情報
全体にわたって使用される場合、本発明の文脈における「層」という用語は、好ましくは、広範に平面な幾何形状を有する本体を指す。
本明細書で使用される場合、有機電界発光素子および光電子工学発光素子という用語は、１つまたはそれ以上の発光層Ｂを含む任意の素子として最も広い意味で理解することができ、各々は、少なくとも１種のホスト材料ＨＢ、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢ、および少なくとも１種の小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢを含み、これらのすべてについて、上述されている定義が当てはまる。
有機電界発光素子は、可視または最近紫外（ＵＶ）範囲において、すなわち、３８０ｎｍから８００ｎｍの波長範囲において光を発するのに適当である有機材料に基づく任意の素子として最も広い意味で理解することができる。より好ましくは、有機電界発光素子は、可視範囲、すなわち、４００ｎｍから８００ｎｍにおいて光を発することができ得る。
本発明の好ましい実施形態では、有機電界発光素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）および発光トランジスタからなる群から選択される素子である。
特に好ましくは、有機電界発光素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。場合により、有機電界発光素子は全体として、不透明、半透明または（基本的に）透明であってよい。
本出願の全体にわたって使用される場合、「芳香族環系」という用語は、任意の二環式または多環式芳香族部分として最も広い意味で理解することができ、これについて、以下の定義が当てはまる。
本出願の全体にわたって使用される場合、「アリール」および「芳香族」という用語は、最も広い意味で、任意の単環式、二環式または多環式芳香族部分として理解することができる。したがって、アリール基は、６個から６０個の芳香族環原子を含有し、ヘテロアリール基は、５個から６０個の芳香族環原子を含有し、このうち少なくとも１個はヘテロ原子である。にもかかわらず、本出願の全体にわたって、芳香族環原子の数は、ある特定の置換基の定義における下付の数字として与えられている。特に、ヘテロ芳香族環は、１個から３個のヘテロ原子を含む。再び、「ヘテロアリール」および「複素芳香族の」という用語は、少なくとも１個のヘテロ原子を含む任意の単環式、二環式または多環式ヘテロ－芳香族部分として最も広い意味で理解することができる。ヘテロ原子は、各出現で同じまたは異なっていてよく、個々にＮ、ＯおよびＳからなる群から選択される。したがって、「アリーレン」という用語は、他の分子構造に対して２つの結合部位を有し、それによって、リンカー構造として働く二価の置換基を指す。例証的な実施形態における基が、ここで与えられている定義と異なって定義されている場合、例えば、芳香族環原子の数またはヘテロ原子の数が、与えられている定義と異なる場合、例証的な実施形態における定義が適用されるべきである。本発明によれば、縮合（環化）芳香族多環または複素芳香族多環は、縮合反応を介して多環を形成した２個以上の単一の芳香族環または複素芳香族環で構成される。
特に、本出願の全体にわたって使用される場合、「アリール基」または「ヘテロアリール基」という用語は、ベンゼン、ナフタリン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンズフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンツピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン；ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジノイミダゾール、キノキサリノイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、１，３，５－トリアジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、カルボリン、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，２，３，４－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾール、または上に記述されている基の組合せから誘導される、芳香族基または複素芳香族基の任意の位置を介して結合される基を含む。
本出願の全体にわたって使用される場合、「環式基」という用語は、任意の単環式、二環式または多環式部分として最も広い意味で理解することができる。
上記および本明細書において使用される場合、「アルキル基」という用語は、任意の線状、分岐または環式アルキル置換基として最も広い意味で理解することができる。特に、アルキルという用語は、置換基メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（ｎＰｒ）、ｉ－プロピル（ｉＰｒ）、シクロプロピル、ｎ－ブチル（ｎＢｕ）、ｉ－ブチル（ｉＢｕ）、ｓ－ブチル（ｓＢｕ）、ｔ－ブチル（ｔＢｕ）、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオ－ペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ｎｅｏ－ヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－ヘプチル、２－ヘプチル、３－ヘプチル、４－ヘプチル、シクロヘプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－ビシクロ［２，２，２］－オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、２，２，２－トリフルオルエチル、１，１－ジメチル－ｎ－へキサ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－へキサ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１－（ｎ－プロピル）－シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ブチル）－シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）－シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－オクチル）－シクロヘキサ－１－イルおよび１－（ｎ－デシル）－シクロヘキサ－１－イルを含む。
上記および本明細書において使用される場合、「アルケニル」という用語は、線状、分岐および環式アルケニル置換基を含む。アルケニル基という用語は、例として、置換基エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを含む。
上記および本明細書において使用される場合、「アルキニル」という用語は、線状、分岐および環式アルキニル置換基を含む。アルキニル基という用語は、例として、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを含む。
上記および本明細書において使用される場合、「アルコキシ」という用語は、線状、分岐および環式アルコキシ置換基を含む。アルコキシ基という用語は、例として、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシおよび２－メチルブトキシを含む。
上記および本明細書において使用される場合、「チオアルコキシ」という用語は、線状、分岐および環式チオアルコキシ置換基を含み、ここで、例としてアルコキシ基のＯは、Ｓによって置き換えられている。
上記および本明細書において使用される場合、「ハロゲン」および「ハロ」という用語は、好ましくはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素であるとして最も広い意味で理解することができる。
水素（Ｈ）が本明細書において記述されている場合は常に、それは各出現で重水素によって置き換えることもできる。
分子断片が、置換基であるまたはそうでなければ別の部分に付着されていると記載されている場合、その名前は、それが断片（例えば、ナフチル、ジベンゾフリル）であるかのようにまたはそれが全体の分子（例えば、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるかのように書くことができると理解される。本明細書で使用される場合、置換基または付着断片を指定するこれらの異なるやり方は、同等であると考えられる。
別段に明記されていない限り、百分率は、重量百分率（（重量／重量）、（ｗ／ｗ）、ｗｔ．％）を指す。
ホスト化合物ＨＢ（より具体的：ＨＰおよびＨＮ）について、第１の三重項励起状態Ｔ１のエネルギーは、典型的には、別段に明記されていない限りホスト材料ＨＢのニート膜中で測定される１ｍｓの遅延時間および１ｍｓの積分時間にて、７７Ｋで時間ゲート発光スペクトルの開始から決定される。
ＴＡＤＦ材料ＥＢについて、第１の三重項励起状態Ｔ１のエネルギーは、典型的には、別段に明記されていない限り発光体１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）の膜中で測定される１ｍｓの遅延時間および１ｍｓの積分時間にて、７７Ｋで時間ゲート発光スペクトルの開始から決定される。
小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）発光体ＳＢについて、第１の三重項励起状態Ｔ１のエネルギーは、典型的には、別段に明記されていない限り発光体１重量％から５重量％、特に１重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）の膜で測定される１ｍｓの遅延時間および１ｍｓの積分時間にて、７７Ｋで時間ゲート発光スペクトルの開始から決定される。
軌道および励起状態エネルギーは、当業者に知られている実験方法の手段によって決定することができる。実験的に、最高被占分子軌道ＥＨＯＭＯのエネルギーは、０．１ｅＶの精度でサイクリックボルタンメトリー測定から、当業者に知られている方法によって決定される。最低空分子軌道ＥＬＵＭＯのエネルギーは、ＥＨＯＭＯ＋Ｅｇａｐとして算出され、ここで、Ｅｇａｐは、以下の通りに決定される：
ホスト化合物ＨＢ（より具体的：ＨＰおよびＨＮ）について、第１の一重項励起状態Ｓ１のエネルギーに対応する、ホスト材料のニート膜の発光の開始は、別段に明記されていない限り、Ｅｇａｐとして使用される。
ＴＡＤＦ材料ＥＢについて、第１の一重項励起状態Ｓ１のエネルギーに対応する、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）中におけるＴＡＤＦ材料１０重量％を有する膜の発光の開始は、別段に明記されていない限り、Ｅｇａｐとして使用される。
小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）発光体ＳＢについて、第１の一重項励起状態Ｓ１のエネルギーに対応する、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）における小さい半値全幅（ＦＷＨＭ）発光体ＳＢ１重量％から５重量％、特に１重量％を有する膜の発光の開始は、別段に明記されていない限り、Ｅｇａｐとして使用される。
本明細書で使用される場合、特別な文脈においてより具体的に定義されていないならば、発光および／または吸収された光の色の指定は、以下の通りである：
バイオレット色：＞３８０～４２０ｎｍの波長範囲；
藍色：＞４２０～４７５ｎｍの波長範囲；
スカイブルー色：＞４７５～５００ｎｍの波長範囲；
緑色：＞５００～５６０ｎｍの波長範囲；
黄色：＞５６０～５８０ｎｍの波長範囲；
オレンジ色：＞５８０～６２０ｎｍの波長範囲；
赤色：＞６２０～８００ｎｍの波長範囲。
別段に明記されていない限り、小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢに関して、こうした色は、発光体ＳＢ２重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）膜の発光最大λｍａｘ ＰＭＭＡを指す。ＴＡＤＦ材料ＥＢについて、こうした色は、別段に明記されていない限り、１０％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）膜の発光最大λｍａｘ ＰＭＭＡを指す。
サイクリックボルタンメトリー
ジクロロメタンまたは適当な溶媒および適当な支持電解質（例えば、０．１ｍｏｌ／ｌのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート）中で１０－３ｍｏｌ／ｌの有機分子の濃度を有する溶液のサイクリックボルタモグラムを測定した。測定は、３電極アセンブリ（作用および対向電極：Ｐｔワイヤ、参照電極：Ｐｔワイヤ）を用いて室温および窒素雰囲気下で行い、内部標準としてＦｅＣｐ２／ＦｅＣｐ２ ＋を使用して較正した。ＳＣＥに対する内部標準としてフェロセンを使用して、ＨＯＭＯデータを補正した。
密度汎関数理論算出
ＢＰ８６関数およびリゾリューションオブアイデンティティ（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｉｄｅｎｔｉｔｙ）手法（ＲＩ）を用いて、分子構造を最適化した。Ｔｉｍｅ－Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＤＦＴ（ＴＤ－ＤＦＴ）方法を用いる（ＢＰ８６）最適化構造を使用して、励起エネルギーを算出した。Ｂ３ＬＹＰ関数を用いて、軌道および励起状態エネルギーを算出した。Ｄｅｆ２－ＳＶＰ基本セットおよびｍ４グリッドを数値積分のために使用した。Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージをすべての算出で使用した。
光物理的測定
試料前処理：スピンコーティング
器具：スピン１５０、ＳＰＳ ｅｕｒｏ。
適当な溶媒を中に溶解させた試料濃度は、１０ｍｇ／ｍｌであった。
プログラム：１）４００Ｕ／ｍｉｎで３秒；１０００Ｕｐｍ／ｓで１０００Ｕ／ｍｉｎで２０秒。３）１０００Ｕｐｍ／ｓで４０００Ｕ／ｍｉｎで１０秒。コーティング後、膜を７０℃で１分間試行した。
フォトルミネッセンス分光法およびＴＣＳＰＣ（時間相関単一光子計数）
１５０Ｗ Ｘｅｎｏｎ－Ａｒｃランプ、励起および発光単色光分光器ならびにＨａｍａｍａｔｓｕ Ｒ９２８光電子増倍器が備えられているＨｏｒｉｂａ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ、Ｍｏｄｅｌｌ ＦｌｕｏｒｏＭａｘ－４、ならびに時間相関単一光子計数オプションを使用して、定常状態発光分光法を記録した。標準的な補正フィットを使用して、発光および励起スペクトルを補正した。
ＦＭ－２０１３装置およびＨｏｒｉｂａ Ｙｖｏｎ ＴＣＳＰＣハブを用いるＴＣＳＰＣ方法を使用する同じシステムを用いて、励起状態寿命を決定した。
励起光源：
ＮａｎｏＬＥＤ３７０（波長：３７１ｎｍ、パルス持続期間：１．１ｎｓ）
ＮａｎｏＬＥＤ２９０（波長：２９４ｎｍ、パルス持続期間：＜１ｎｓ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ３１０（波長：３１４ｎｍ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ３５５（波長：３５５ｎｍ）。
ソフトウェア一式ＤａｔａＳｔａｔｉｏｎおよびＤＡＳ６分析ソフトウェアを使用して、データ分析（指数関数フィット）を行った。カイ二乗試験を使用して、フィットを特定した。
フォトルミネッセンス量子収率測定
フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定のため、絶対ＰＬ量子収率測定Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（Ｈａｍａｍａｔｓｕ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ）を使用した。ソフトウェアＵ６０３９－０５バージョン３．６．０を使用して、量子収率およびＣＩＥ座標を決定した。
発光最大はｎｍで、量子収率Φは％で、およびＣＩＥ座標はｘ、ｙ値として示した。
以下のプロトコールを使用して、ＰＬＱＹを決定した：
１）品質保証：エタノール中のアントラセン（公知濃度）を参照として使用した
２）励起波長：有機分子の吸収最大値を決定し、この波長を使用して、分子を励起した
３）測定
溶液または膜の試料について窒素雰囲気下で、量子収率を測定した。以下の等式を使用して、収率を算出した：
Figure 0007630492000074
 式中、ｎｐｈｏｔｏｎは光子計数を示し、Ｉｎｔ．は強度である。
有機エレクトロルミネッセンス素子の生成および特徴付け
真空堆積方法を介して、本発明による有機分子を含むＯＬＥＤ素子を生成することができた。層が１種超の化合物を含有しているならば、１種またはそれ以上の化合物の重量百分率を％で示した。総重量百分率値は１００％に達し、したがって、値が示されていないならば、この化合物の画分は、所与の値と１００％との間の差異に等しい。
標準的方法を使用して、およびエレクトロルミネッセンススペクトル、フォトダイオードによって検出された光を使用して算出された強度に依存性の外部量子効率（％で）、および電流を測定して、非完全に最適化されたＯＬＥＤを特徴付けた。定電流密度で作動中の輝度の変化から、ＯＬＥＤ素子寿命を抽出した。ＬＴ５０値は時間に対応し、ここで、測定された輝度は初期輝度の５０％に減少し、同様に、ＬＴ８０は、測定された輝度が初期輝度の８０％に減少した時点に、ＬＴ９７は、測定された輝度が初期輝度の９７％などに減少した時点に対応した。
加速寿命測定を行った（例えば、増加させた電流密度を適用する）。例として、以下の等式を使用して、５００ｃｄ／ｍ２でのＬＴ８０値を決定した：
Figure 0007630492000075
 式中、Ｌ０は、適用電流密度での初期輝度を示す。
値は、いくつか（典型的には、２つから８つ）のピクセルの平均に対応し、これらのピクセル間の標準偏差を示した。図は、１つのＯＬＥＤピクセルに関するデータ系列を示す。
実験結果
スタック材料
Figure 0007630492000076
ホスト材料ＨＢ（ここでは、例えばｐ－ホストＨＰ）
Figure 0007630492000077
Figure 0007630492000078
ＴＡＤＦ材料ＥＢ
Figure 0007630492000079
Figure 0007630492000080
Figure 0007630492000081
小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢ
Figure 0007630492000082
Figure 0007630492000083
Figure 0007630492000084
Figure 0007630492000085
本発明の結果を評価するために、比較実験を行い、ここで、発光層（６）の組成物だけを変動させた。
結果Ｉ：ホストＨＢ（ｐ－ホストＨＰとして例証される）の変動および発光体ＳＢ
発光層Ｂの組成物（百分率は、重量パーセントを指す）：
Figure 0007630492000086
ＥＢ＝ＥＢ－１０およびＨＰ＝ｍＣＢＰについての素子結果：
Figure 0007630492000087
ＥＢ＝ＥＢ－１０およびＨＰ＝ＰＹＤ２についての素子結果：
Figure 0007630492000088
結果ＩＩ：ホストＨＢおよびＴＡＤＦ ＥＢの変動
発光層Ｂの設定（百分率は、重量パーセントを指す）：
Figure 0007630492000089
ＳＢ＝ＳＢ－１およびＨＰ＝ｍＣＢＰについての素子結果：
Figure 0007630492000090
ＳＢ＝ＳＢ－１およびＨＰ＝ＰＹＤ２についての素子結果：
Figure 0007630492000091
ＨＰとしてｍＣＢＰおよびＥＢとしてＥＢ－１０を含む、ホスト、ＴＡＤＦ発光体およびＦＷＨＭ発光体（Ｈ型素子）の組合せを使用するすべての電界発光素子に関して、比較Ｔ型素子と比較した場合に、発光体ＳＢ－１については３７４％の相対寿命の延長（１．００から４．７４）を観察することができ、発光体ＳＢ－２については１８８％の相対寿命の延長（１．００から２．８８）を観察することができ、発光体ＳＢ－３については１９３％の相対寿命の延長（１．００から２．９３）を観察することができ、一方、効率（ＥＱＥ）は、ほぼ一定に留まった。
さらに、ＨＰとしてｍＣＢＰおよびＥＢとしてＥＢ－１０を使用するすべてのＨ型素子に関して、比較Ｔ型素子と比較した場合に、発光体ＳＢ－１については４７％の半値全幅（ＦＷＨＭ）の減少（７６ｎｍから３６ｎｍ）を観察することができ、発光体ＳＢ－２については４７％のＦＷＨＭの減少（７６ｎｍから３６ｎｍ）を観察することができ、発光体ＳＢ－３については４７％のＦＷＨＭの減少（７６ｎｍから４０ｎｍ）を観察することができた。ＨＰとしてｍＣＢＰ、ＥＢとしてＥＢ－１０、およびＳＢとしてＳＢ－１、ＳＢ－２またはＳＢ－３を使用するすべてのＨ型およびＴ型素子は、５００ｎｍから５６０ｎｍの所望の緑色波長範囲で、５１０ｎｍから５５０ｎｍのより好ましい範囲でさえ発光最大を呈した。
ＨＰとしてＰＹＤ２およびＥＢとしてＥＢ－１０を使用するすべてのＨ型素子に関して、比較Ｔ型素子と比較した場合に、発光体ＳＢ－１については６０３％の相対寿命の延長（１．００から７．０３）を観察することができ、発光体ＳＢ－２については３０３％の相対寿命の延長（１．００から４．０３）を観察することができ、発光体ＳＢ－３については５８％の相対寿命の延長（１．００から１．５８）を観察することができ、一方、効率（ＥＱＥ）は、ほぼ一定に留まった。さらに、ＨＰとしてＰＹＤ２およびＥＢとしてＥＢ－１０を使用するすべてのＨ型素子に関して、比較Ｔ型素子と比較した場合に、発光体ＳＢ－１については４６％の半値全幅（ＦＷＨＭ）の減少（７８ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができ、発光体ＳＢ－２については４６％のＦＷＨＭの減少（７８ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができ、発光体ＳＢ－３については４６％のＦＷＨＭの減少（７８ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができた。ＨＰとしてＰＹＤ２、ＥＢとしてＥＢ－１０、およびＳＢとしてＳＢ－１、ＳＢ－２またはＳＢ－３を使用するすべてのＨ型およびＴ型素子は、５００ｎｍから５６０ｎｍの所望の緑色波長範囲で、５１０ｎｍから５５０ｎｍのより好ましい範囲でさえ発光最大を呈した。
ＨＰとしてｍＣＢＰおよびＳＢとしてＳＢ－１を使用するすべてのＨ型素子に関して、それぞれの比較Ｔ型素子と比較した場合に、ＥＢ－１の使用については８９％の相対寿命の延長（１．００から１．８９）を観察することができ、ＥＢ－３については１２０％の相対寿命の延長（０．５９から１．７９）を観察することができ、ＥＢ－４については１２０％の相対寿命の延長（１．０９から２．２９）を観察することができ、ＥＢ－８については７００％の相対寿命の延長（２．２０から９．２０）を観察することができ、ＥＢ－８については８５９％の相対寿命の延長（２．２９から１０．８８）を観察することができ、一方、効率（ＥＱＥ）は、ほぼ一定に留まった。さらに、ＨＰとしてｍＣＢＰおよびＳＢとしてＳＢ－１を使用するすべてのＨ型素子に関して、それぞれの比較Ｔ型素子と比較した場合に、ＥＢ－１については２３％の半値全幅（ＦＷＨＭ）の減少（８６ｎｍから６８ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－３については５３％のＦＷＨＭの減少（７６ｎｍから３６ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－４については５０％のＦＷＨＭの減少（８０ｎｍから４０ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－８については４６％のＦＷＨＭの減少（７８ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－１０については５３％のＦＷＨＭの減少（７６ｎｍから３６ｎｍ）を観察することができた。ＨＰとしてｍＣＢＰ、ＳＢとしてＳＢ－１、およびＥＢとしてＥＢ－１、ＥＢ－３、ＥＢ－４、ＥＢ－８またはＥＢ－１０を使用するすべてのＨ型およびＴ型素子は、５００ｎｍから５６０ｎｍの所望の緑色波長範囲で、５１０ｎｍから５５０ｎｍのより好ましい範囲でさえ発光最大を呈した。
ＨＰとしてＰＹＤ２およびＳＢとしてＳＢ－１を使用するすべてのＨ型素子に関して、それぞれの比較Ｔ型素子と比較した場合に、ＥＢ－３の使用については３９９％の相対寿命の延長（１．００から４．９９）を観察することができ、ＥＢ－４については５９０％の相対寿命の延長（１．８６から７．７６）を観察することができ、ＥＢ－５については１２０％の相対寿命の延長（０．４４から２．３７）を観察することができ、ＥＢ－６については１３６％の相対寿命の延長（１．０８から２．４４）を観察することができ、ＥＢ－８については７８１％の相対寿命の延長（２．５６から１０．３７）を観察することができ、ＥＢ－１０については９８１％の相対寿命の延長（１．６３から１１．４４）を観察することができ、一方、効率（ＥＱＥ）における有意な変化は観察されなかった。さらに、ＨＰとしてＰＹＤ２およびＳＢとしてＳＢ－１を使用するすべてのＨ型素子に関して、それぞれの比較Ｔ型素子と比較した場合に、ＥＢ－３については４７％の半値全幅（ＦＷＨＭ）の減少（７６ｎｍから４０ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－４については４８％のＦＷＨＭの減少（８０ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－５については４６％のＦＷＨＭの減少（７８ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－６については４７％のＦＷＨＭの減少（７５ｎｍから４０ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－８については４５％のＦＷＨＭの減少（７６ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができ、ＥＢ－１０については４７％のＦＷＨＭの減少（７８ｎｍから４２ｎｍ）を観察することができた。ＨＰとしてＰＹＤ２、ＳＢとしてＳＢ－１、およびＥＢとしてＥＢ－３、ＥＢ－４、ＥＢ－５、ＥＢ－５、ＥＢ－８またはＥＢ－１０を使用するすべてのＨ型およびＴ型素子は、５００ｎｍから５６０ｎｍの所望の緑色波長範囲で、５１０ｎｍから５５０ｎｍのより好ましい範囲でさえ発光最大を呈した。
本発明による有機電界発光素子の追加例：
実施例Ｄ１
小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢ－１を、その上、以下の層構造で製作されたＯＬＥＤ Ｄ１において試験した：
Figure 0007630492000092
Figure 0007630492000093
ＯＬＥＤ Ｄ１は、１０００ｃｄ／ｍ２で１６．１％の外部量子効率（ＥＱＥ）を得た。発光最大は、７．６Ｖで３８ｎｍのＦＷＨＭにて５３２ｎｍにあった。対応するＣＩＥｘ値は０．３２であり、ＣＩＥｙ値は０．６５であった。１２００ｃｄ／ｍ２で１５２２ｈのＬＴ９５値を決定した。
実施例Ｄ２
小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢ－１を、その上、以下の層構造で製作されたＯＬＥＤ Ｄ２において試験した：
Figure 0007630492000094
ＯＬＥＤ Ｄ２は、１０００ｃｄ／ｍ２で１７．７％の外部量子効率（ＥＱＥ）を得た。発光最大は、７．６Ｖで３６ｎｍのＦＷＨＭにて５３２ｎｍにあった。対応するＣＩＥｘ値は０．３１であり、ＣＩＥｙ値は０．６５であった。１２００ｃｄ／ｍ２で２００６ｈのＬＴ９５値を決定した。
実施例Ｄ３
小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢ－１を、その上、以下の層構造で製作されたＯＬＥＤ Ｄ３において試験した：
Figure 0007630492000095
ＯＬＥＤ Ｄ３は、１０００ｃｄ／ｍ２で２０．２％の外部量子効率（ＥＱＥ）を得た。発光最大は、７．６Ｖで３８ｎｍのＦＷＨＭにて５３２ｎｍにあった。対応するＣＩＥｘ値は０．３２であり、ＣＩＥｙ値は０．６５であった。１２００ｃｄ／ｍ２で１８６６ｈのＬＴ９５値を決定した。
実施例Ｄ４
小さいＦＷＨＭ発光体ＳＢ－３を、その上、以下の層構造で製作されたＯＬＥＤ Ｄ４において試験した：
Figure 0007630492000096
ＯＬＥＤ Ｄ４は、１０００ｃｄ／ｍ２で１６．３％の外部量子効率（ＥＱＥ）を得た。発光最大は、７．０Ｖで４０ｎｍのＦＷＨＭにて５１６ｎｍにあった。対応するＣＩＥｘ値は０．２７であり、ＣＩＥｙ値は０．６５であった。１２００ｃｄ／ｍ２で１１６２ｈのＬＴ９５値を決定した。

Claims (11)

  1. それぞれが、互いに独立に、
    （ｉ）少なくとも１種のｐ－ホスト材料Ｈ Ｐ 、前記ｐ－ホスト材料Ｈ Ｐ は最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）および最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有し、式Ｈ ｐ -ＶＩＩＩによる構造からなる１つの第１の化学部分ならびに式Ｈ Ｐ －ＸＩ、Ｈ Ｐ －ＸＩＩ、Ｈ Ｐ －ＸＩＩＩ、Ｈ Ｐ －ＸＩＶ、Ｈ Ｐ －ＸＶ、Ｈ Ｐ －ＸＶＩＩ、Ｈ Ｐ －ＸＶＩＩＩおよびＨ Ｐ －ＸＩＸのうちずれかによる構造からなる少なくとも１つの第２化学部分を含むまたはそれからなり、

    式中、
    Ｚ １ は、直接結合であり、
    Ｒ Ｉ は、出現するごとに、互いに独立に、第１の化学部分を第２の化学部分に連結させる単結合の結合部位であり、または水素、重水素、Ｍｅ、 ｉ Ｐｒ、 ｔ Ｂｕからなる群から選択され、
    式中、少なくとも１種のＲ Ｉ は、第１の化学部分を第２の化学部分に連結させる単結合の結合部位であり、
    ならびに
    Ｐｈ、前記Ｐｈは、Ｍｅ、 ｉ Ｐｒ、 ｔ ＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたは１つ以上の置換基で場合により置換される
    からなる群から選択され；
    Ｒ ＩＩ は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、Ｍｅ、 ｉ Ｐｒ、 ｔ ＢｕおよびＰｈ、前記Ｐｈは、Ｍｅ、 ｉ Ｐｒ、 ｔ ＢｕおよびＰｈからなる群から互いに独立に選択される１つまたは１つ以上の置換基で場合により置換される
    からなる群から選択され；
    式中、２つまたは２つ以上の隣接する置換基Ｒ ＩＩ は、３～１８個の炭素原子を有する芳香族または芳香族複素環系を場合により形成し；
    （ｉｉ）少なくとも１種の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、前記熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）および最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有し、Ｅ Ｂ －Ｉ－３ａまたはＥ Ｂ －Ｉ－４ａによって表される構造を有し、

    式中、
    Ｙ １ は、窒素（Ｎ）であり、
    ｍは、１または２であり、
    ｎは、１または２であり、
    Ｘ ２ は、ＣＮであり、
    Ｚ ３ は、直接結合であり、
    Ｒ ｂ 、Ｒ ｃ 、およびＲ ｄ は、出現するごとに、互いに独立に、水素、または重水素であり、
    式中、任意の隣接する置換基Ｒ ｂ 、Ｒ ｃ 、およびＲ ｄ は、互いに独立に、単環式もしくは多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成し；式中、場合によりそのように形成された環系の１個または１個以上の水素原子は、Ｒ １２ によって置換され、
    Ｒ １３ は、出現するごとに、互いに独立に、水素、重水素、ＣＮであり、
    式中、１個または１個以上の水素原子は、Ｃ ６ ～Ｃ １８ －アリールによって場合により置換され；
    ならびに
    （ｉｉｉ）少なくとも１種の発光体ＳＢ、前記発光体ＳＢは最も低い一重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）および最も低い三重項励起状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、式Ｓ Ｂ －ＩＩＩ－３ａによって表される構造を含みまたは構造からなる

    式中、Ｒ ＶＩ 、Ｒ ＶＩＩ 、Ｒ ＶＩＩＩ 、Ｒ ＩＸ 、Ｒ Ｘ 、Ｒ ＸＩ 、Ｒ ＸＩＩ 、Ｒ ＸＩＩＩ 、Ｒ ＸＩＶ 、Ｒ ＸＶ 、Ｒ ＸＶＩ 、Ｒ ＸＶＩＩ 、Ｒ ＸＶＩＩＩ 、Ｒ ＸＩＸ 、Ｒ ＸＸ 、Ｒ ＸＸＩ 、Ｒ ＸＸＩＩ およびＲ ＸＸＩＩＩ は、互いに独立に、水素、重水素、Ｃ ６ －アリール、
    からなる群から選択され、
    前記Ｃ ６ －アリールは、１つまたは１つ以上の置換基Ｒ ２１ で場合により置換され、
    Ｒ ２１ は、出現するごとに、別のものとは独立に、水素、重水素、Ｃ １ ～Ｃ ５ －アルキル、
    式中、場合により、１個または１個以上の水素原子は、互いに独立に、重水素、ＣＮ、ＣＦ ３ またはＦによって置換され；
    からなる群から選択され、
    Ｒ Ａ は、水素、Ｃ ３ ～Ｃ ４ －ヘテロアリール、式中、場合により、１個または１個以上の水素原子は、互いに独立に、Ｃ ６ ～Ｃ １８ －アリールによって置換される、およびＣ ６ ～Ｃ １８ －アリール、式中、場合により１個または１個以上の水素原子は、互いに独立に、Ｃ １ ～Ｃ ５ －アルキルによって置換される、
    を含む、
    １つまたは１つ以上の発光層Ｂを含む、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    ここで、各ＥＢは、エネルギーを少なくとも１種のＳＢへ移動させ、各ＳＢが、５００ｎｍから５６０ｎｍの間の最大発光を有する光を発し、ここで、以下の式（１）～（５）：
    Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （１）
    Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）
    Ｅ（Ｓ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （３）
    Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ） （４）
    Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （５）
    によって表される関係が該当する、
    前記有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. ＴＡＤＦ材料ＥＢが、０．４ｅＶ未満の、最も低い一重項励起状態Ｓ１Ｅと最も低い三重項励起状態Ｔ１Ｅとのエネルギー差に相当するΔＥＳＴ値を示すことを特徴とする、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 少なくとも１種の発光体ＳＢが、０．２５ｅＶ以下の半値全幅（ＦＷＨＭ）を示す発光スペクトルを有することを特徴とする、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 少なくとも１種の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢが、５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲内にある最大発光λｍａｘ（Ｄ）を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 少なくとも１種の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢが、－６．０ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦－５．８ｅＶによるエネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占分子軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 前記式ＳＢ－ＩＩＩ－３によるＲＡの結合部位は、Ｃ３～Ｃ１５－ヘテロアリールのＣ３～Ｃ１５－炭素原子のうちの１つである、
    請求項１～５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. －２．６ｅＶ≦ＥＬＵＭＯ（ＨＰ）によるエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する最低空分子軌道ＬＵＭＯ（ＨＰ）を有する、１種または１種以上のｐ－ホスト材料ＨＰを含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 有機発光ダイオード、発光電気化学電池および発光トランジスタからなる群から選択される素子である、請求項１～７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 少なくとも１つの発光層Ｂが、
    （ｉ）１０～８９．９重量％の１種または１種以上のｐ－ホスト化合物ＨＰ；
    （ｉｉ）０～７９．９重量％の１種または１種以上のｎ－ホスト化合物ＨＮ；
    （ｉｉｉ）１０～５０重量％の１種または１種以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ；および
    （ｉｖ）０．１～１０重量％の１種または１種以上の発光体ＳＢ；および
    （ｖ）０～７２重量％の１種または１種以上の溶媒
    を含む、
    請求項１～８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 少なくとも１つの発光層Ｂが、
    （ｉ）２２～８７．５重量％の１種または１種以上のｐ－ホスト化合物ＨＰ；
    （ｉｉ）場合により、０～６５．５重量％の１種または１種以上のｎ－ホスト化合物ＨＮ；
    （ｉｉｉ）１２～４０重量％の１種または１種以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ；および
    （ｉｖ）０．５～５重量％の１種または１種以上の発光体ＳＢ；および
    （ｖ）０～６５．５重量％の１種または１種以上の溶媒
    を含む、
    請求項１～９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. ５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長における緑色光を生成する方法であって、
    （ｉ）請求項１～１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する工程と；
    （ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加する工程とを含む、前記方法。
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