JP7631976B2 - 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ - Google Patents

発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ Download PDF

Info

Publication number
JP7631976B2
JP7631976B2 JP2021054824A JP2021054824A JP7631976B2 JP 7631976 B2 JP7631976 B2 JP 7631976B2 JP 2021054824 A JP2021054824 A JP 2021054824A JP 2021054824 A JP2021054824 A JP 2021054824A JP 7631976 B2 JP7631976 B2 JP 7631976B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
light
emitting device
columnar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021054824A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022152157A (ja
Inventor
崇 宮田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2021054824A priority Critical patent/JP7631976B2/ja
Priority to US17/705,808 priority patent/US12355206B2/en
Publication of JP2022152157A publication Critical patent/JP2022152157A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7631976B2 publication Critical patent/JP7631976B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/005—Projectors using an electronic spatial light modulator but not peculiar thereto
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2013—Plural light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033—LED or laser light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • G03B21/2066—Reflectors in illumination beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H01S5/2018—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers
    • H01S5/2027—Reflecting region or layer, parallel to the active layer, e.g. to modify propagation of the mode in the laser or to influence transverse modes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B33/00—Colour photography, other than mere exposure or projection of a colour film
    • G03B33/10—Simultaneous recording or projection
    • G03B33/12—Simultaneous recording or projection using beam-splitting or beam-combining systems, e.g. dichroic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、発光装置、プロジェクター、およびディスプレイに関する。
半導体レーザーは、高輝度の次世代光源として期待されている。特に、ナノコラムを適用した半導体レーザーは、ナノコラムによるフォトニック結晶の効果によって、狭放射角で高出力の発光が実現できると期待されている。
例えば特許文献１には、ナノコラムを複数有して成る半導体発光素子の製造方法が記載されている。特許文献１では、複数のナノコラムが形成された一部の領域をエッチングして、ｎ型ＧａＮ層に到達するまで掘り込み、掘り込んだ領域に、蒸着によりｎ型電極を形成している。隣り合うナノコラムの間には、ＳＯＧ埋込層が設けられている。
特開２０１０－１３５８５８号公報
しかしながら、複数のナノコラムが形成された領域をエッチングした場合、ナノコラムとＳＯＧ埋込層とのエッチングレートの差に起因して、ｎ型ＧａＮ層の表面に凹凸が形成される。ｎ型ＧａＮ層の表面に凹凸が形成されると、その上に形成されるｎ型電極の表面にも凹凸形状が形成される。表面に凹凸が形成されたｎ型電極にワイヤーボンディングを接合した場合、ワイヤーボンディングの接合強度が低下する。
本発明に係る発光装置の一態様は、
基板と、
前記基板に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
前記複数の柱状部に電流を注入する第１電極および第２電極と、
前記第１電極と電気的に接続された第１配線層と、
前記積層体および前記第１電極を覆う絶縁層と、
を有し、
前記複数の柱状部の各々は、
第１導電型の第１半導体層と、
前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記第１半導体層は、前記基板と前記発光層との間に設けられ、
前記積層体は、前記基板と前記複数の柱状部との間に設けられた前記第１導電型の第３半導体層を有し、
前記第１電極は、前記第３半導体層を介して、前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第１半導体層と前記発光層との積層方向からみて、前記絶縁層の前記第１電極と重なる位置にコンタクトホールが設けられ、
前記第１配線層は、前記絶縁層に設けられ、
前記第１配線層は、前記コンタクトホールを介して前記第１電極と電気的に接続されている。
本発明に係るプロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
本発明に係るディスプレイの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。 第３実施形態に係るディスプレイを模式的に示す平面図。 第３実施形態に係るディスプレイを模式的に示す断面図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 第１実施形態
１．１． 発光装置
１．１．１． 全体の構成
まず、第１実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す断面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。なお、図１は、図２のＩ－Ｉ線断面図である。
発光装置１００は、図１および図２に示すように、例えば、基板１０と、積層体２０と、絶縁層４０と、第１電極５０と、第２電極５２と、第１配線層６０と、第２配線層６２と、を有している。なお、便宜上、図２では、電極５０，５２および配線層６０，６２以外の部材の図示を省略している。発光装置１００は、例えば、半導体レーザーである。
基板１０は、例えば、Ｓｉ基板、ＧａＮ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板などである。
積層体２０は、基板１０に設けられている。図１に示す例では、積層体２０は、基板１０上に設けられている。積層体２０は、例えば、第３半導体層としてのバッファー層２２と、柱状部３０と、を有している。
本明細書では、積層体２０の積層方向（以下、単に「積層方向」ともいう）において、発光層３４を基準とした場合、発光層３４から第２半導体層３６に向かう方向を「上」とし、発光層３４から第１半導体層３２に向かう方向を「下」として説明する。また、積層方向と直交する方向を「面内方向」ともいう。また、「積層体２０の積層方向」とは、柱状部３０の第１半導体層３２と発光層３４との積層方向のことである。
バッファー層２２は、基板１０上に設けられている。バッファー層２２は、第１導電型の半導体層である。バッファー層２２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。バッファー層２２上には、柱状部３０を形成するためのマスク層２４が設けられている。マスク層２４は、例えば、酸化シリコン層、チタン層、酸化チタン層、酸化アルミニウム層などである。
柱状部３０は、バッファー層２２上に設けられている。柱状部３０は、バッファー層２２から上方に突出した柱状の形状を有している。言い換えれば、柱状部３０は、バッファー層２２を介して基板１０から上方に突出している。柱状部３０は、例えば、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーとも呼ばれる。柱状部３０の平面形状は、例えば、多角形、円である。
柱状部３０の径は、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。柱状部３０の径を５００ｎｍ以下とすることによって、高品質な結晶の発光層３４を得ることができ、かつ、発光層３４に内在する歪を低減することができる。これにより、発光層３４で発生する光を高い効率で増幅することができる。
なお、「柱状部の径」とは、柱状部３０の平面形状が円の場合は、直径であり、柱状部３０の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の直径である。例えば、柱状部３０の径は、柱状部３０の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の直径であり、柱状部３０の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の直径である。
柱状部３０は、複数設けられている。隣り合う柱状部３０の間隔は、例えば、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。複数の柱状部３０は、積層方向からみて、所定の方向に所定のピッチで配列されている。複数の柱状部３０は、例えば、三角格子状、正方格子状に配置されている。複数の柱状部３０は、フォトニック結晶の効果を発現することができる。
なお、「柱状部のピッチ」とは、所定の方向に沿って隣り合う柱状部３０の中心間の距離である。「柱状部の中心」とは、柱状部３０の平面形状が円の場合は、該円の中心であり、柱状部３０の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の中心である。例えば、柱状部３０の中心は、柱状部３０の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の中心であり、柱状部３０の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の中心である。
柱状部３０は、第１半導体層３２と、発光層３４と、第２半導体層３６と、を有している。
第１半導体層３２は、バッファー層２２上に設けられている。第１半導体層３２は、基板１０と発光層３４との間に設けられている。第１半導体層３２は、第１導電型の半導体層である。第１半導体層３２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。
発光層３４は、第１半導体層３２上に設けられている。発光層３４は、第１半導体層３２と第２半導体層３６との間に設けられている。発光層３４は、電流が注入されることで光を発生させる。発光層３４は、例えば、ウェル層と、バリア層と、を有している。ウェル層およびバリア層は、不純物が意図的にドープされていないｉ型の半導体層である。ウェル層は、例えば、ＩｎＧａＮ層である。バリア層は、例えば、ＧａＮ層である。発光層３４は、ウェル層とバリア層とから構成されたＭＱＷ（Multiple Quantum Well）構造を有している。
なお、発光層３４を構成するウェル層およびバリア層の数は、特に限定されない。例えば、ウェル層は、１層だけ設けられていてもよく、この場合、発光層３４は、ＳＱＷ（Single Quantum Well）構造を有している。
第２半導体層３６は、発光層３４上に設けられている。第２半導体層３６は、第１導電型と異なる第２導電型の半導体層である。第２半導体層３６は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層である。第１半導体層３２および第２半導体層３６は、発光層３４に光を閉じ込める機能を有するクラッド層である。
なお、図示はしないが、第１半導体層３２と発光層３４との間、および発光層３４と第２半導体層３６との間の少なくとも一方に、ｉ型のＩｎＧａＮ層およびＧａＮ層からなるＯＣＬ（Optical Confinement Layer）が設けられていてもよい。また、第２半導体層３６は、ｐ型のＡｌＧａＮ層からなるＥＢＬ（Electron Blocking Layer）を有してもよい。
発光装置１００では、ｐ型の第２半導体層３６、ｉ型の発光層３４、およびｎ型の第１半導体層３２により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、第１電極５０と第２電極５２との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層３４に電流が注入されて発光層３４において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。発光層３４で発生した光は、面内方向に伝搬し、複数の柱状部３０によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成して、発光層３４で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置１００は、＋１次回折光および－１次回折光をレーザー光として、積層方向に出射する。
なお、図示はしないが、基板１０とバッファー層２２との間、または基板１０の下に反射層が設けられていてもよい。該反射層は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層である。該反射層によって、発光層３４において発生した光を反射させることができ、発光装置１００は、第２電極５２側からのみ光を出射することができる。
絶縁層４０は、積層体２０および第１電極５０を覆っている。図示の例では、絶縁層４０は、バッファー層２２の一部、複数の柱状部３０の一部、第１電極５０の一部、および第２電極５２の一部を覆っている。積層方向からみて、絶縁層４０の第１電極５０と重なる位置に第１コンタクトホール４２が設けられている。積層方向からみて、絶縁層４０の第２電極５２の第１層５３と重なる位置に第２コンタクトホール４４が設けられている。絶縁層４０の厚さは、例えば、１μｍ以上である。絶縁層４０は、例えば、ポリイミド層、酸化シリコン層などである。
第１電極５０は、バッファー層２２上に設けられている。バッファー層２２は、第１電極５０とオーミックコンタクトしていてもよい。第１電極５０は、第１半導体層３２と電気的に接続されている。図示の例では、第１電極５０は、バッファー層２２を介して、第１半導体層３２と電気的に接続されている。第１電極５０は、発光層３４に電流を注入するための一方の電極である。
第２電極５２は、第２半導体層３６上に設けられている。第２電極５２は、第２半導体層３６と電気的に接続されている。第２半導体層３６は、第２電極５２とオーミックコンタクトしていてもよい。第２電極５２は、発光層３４に電流を注入するための他方の電極である。第１電極５０および第２電極５２の詳細については、後述する。
第１配線層６０は、第１電極５０と電気的に接続されている。図示の例では、第１配線層６０は、第１電極５０に接続されている。第２配線層６２は、第２電極５２に接続されている。第１配線層６０および第２配線層６２の詳細については、後述する。
なお、上記では、ＩｎＧａＮ系の発光層３４について説明したが、発光層３４としては、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、ＡｌＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系などの半導体材料を用いることができる。
また、上記では、隣り合う柱状部３０の間には、空隙が設けられていたが、隣り合う柱状部３０の間には、発光層３４で発生した光を伝搬させる光伝搬層が設けられていてもよい。光伝搬層は、例えば、酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化チタン層である。
また、発光装置１００は、レーザーに限らず、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。
１．１．２． バッファー層
バッファー層２２は、図１に示すように、基板１０と複数の柱状部３０との間に設けられている。バッファー層２２は、例えば、柱状部形成領域２２ａと、電極形成領域２２ｂと、外周領域２２ｃと、を有している。領域２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、バッファー層２２の上面である。
柱状部形成領域２２ａには、複数の柱状部３０およびマスク層２４が設けられている。柱状部形成領域２２ａは、積層方向からみて、複数の柱状部３０およびマスク層２４と重なっている。図示の例では、柱状部形成領域２２ａは、平坦な面である。
電極形成領域２２ｂには、第１電極５０が設けられている。電極形成領域２２ｂは、積層方向からみて、柱状部形成領域２２ａを囲んでいる。図示の例では、電極形成領域２２ｂの高さは、柱状部形成領域２２ａの高さよりも小さい。すなわち、電極形成領域２２ｂと基板１０との間の距離は、柱状部形成領域２２ａと基板１０との間の距離よりも小さい。
電極形成領域２２ｂには、複数の突起２３が形成されている。突起２３の高さは、例えば、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。なお、電極形成領域２２ｂに突起２３が形成される理由などは、後述する「１．２． 発光装置の製造方法」で説明する。
外周領域２２ｃは、積層方向からみて、電極形成領域２２ｂを囲んでいる。図示の例では、外周領域２２ｃの高さは、電極形成領域２２ｂの高さよりも小さい。すなわち、外周領域２２ｃと基板１０との間の距離は、電極形成領域２２ｂと基板１０との間の距離よりも小さい。外周領域２２ｃには、図示しない異常膜が成長される可能性がある。なお、外周領域２２ｃに異常膜が成長される理由などは、後述する「１．２． 発光装置の製造方法」で説明する。
１．１．３． 第１電極および第２電極
第１電極５０は、電極形成領域２２ｂおよび複数の突起２３に設けられている。第１電極５０の上面には、複数の突起２３の形状がトレースされて、図示しない凹凸が形成される。
第１電極５０は、積層方向からみて、複数の柱状部３０を囲んでいる。第１電極５０は、積層方向からみて、柱状部形成領域２２ａを囲んでいる。図２に示す例では、第１電極５０は、リング形状を有するリング状部５０ａと、第１コンタクトホール４２を受けるためのコンタクト受部５０ｂと、を有している。コンタクト受部５０ｂは、リング状部５０ａに接続されている。第１コンタクトホール４２は、積層方向からみて、コンタクト受部５０ｂと重なっている。複数の柱状部３０は、積層方向からみて、リング状部５０ａの内側に設けられている。なお、図示はしないが、第１電極５０は、積層方向からみて、リング状部５０ａに切り欠きが設けられた形状であってよい。
第１電極５０の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第１電極５０の厚さが１０ｎｍ以上であれば、抵抗を低くすることができる。第１電極５０の厚さが２００ｎｍ以下であれば、絶縁層４０の平坦性を高めることができ、第２配線層６２が剥がれる可能性を小さくすることができる。第１電極５０の厚さが２００ｎｍ以下であれば、第１電極５０の上面に凹凸が形成される可能性が高くなる。
第１電極５０は、例えば、バッファー層２２側から、Ｃｒ層、Ｎｉ層が積層された積層体である。Ｃｒ層の厚さは、例えば、２０ｎｍである。Ｎｉ層の厚さは、例えば、５０ｎｍである。
第２電極５２は、図１に示すように、積層体２０の基板１０とは反対側に設けられている。第２電極５２は、第１部分５２ａと、第２部分５２ｂと、を有している。第１部分５２ａは、積層方向からみて、柱状部形成領域２２ａと重なっている部分である。第２部分５２ｂは、積層方向からみて、柱状部形成領域２２ａと重なっていない部分である。第２部分５２ｂは、積層方向からみて、例えば、電極形成領域２２ｂと重なっている。第２部分５２ｂは、積層方向からみて、第１部分５２ａを囲んでいる。第２部分５２ｂは、第１部分５２ａに接続されている。第１電極５０は、積層方向からみて、第２部分５２ｂと重なっている。すなわち、第１電極５０は、積層方向からみて、第２電極５２と重なっている。第１電極５０の一部は、積層方向からみて、第２電極５２と重なって配置されている。また、第１電極５０は、積層方向からみて、第２配線層６２と重なっている。第１電極５０の一部は、積層方向からみて、第２配線層６２と重なって配置されている。
第２電極５２は、第１層５３と、第２層５４と、を有している。第１層５３は、柱状部３０と第２層５４との間に設けられている。第１層５３は、複数の柱状部３０上、および隣り合う柱状部３０の間の空隙上に設けられている。第１層５３は、柱状部３０の第２半導体層３６と接している。第２半導体層３６は、第１層５３とオーミックコンタクトしていてもよい。第１層５３の平面形状は、例えば、円である。
第１層５３の抵抗率は、第２層５４の抵抗率よりも低い。第１層５３の厚さは、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。第１層５３の厚さが５ｎｍ以上であれば、抵抗を低くすることができる。第１層５３の厚さが５０ｎｍ以下であれば、発光層３４で発生した光に対する透過率を高くすることができる。第１層５３は、例えば、第２半導体層３６側から、Ｐｄ層、Ｐｔ層、Ａｕ層が積層された積層体である。Ｐｄ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。Ｐｔ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。Ａｕ層の厚さは、例えば、１０ｎｍである。なお、第１層５３は、第２半導体層３６側から、Ｎｉ層、Ａｕ層が積層された積層体であってもよい。
第２層５４は、第１層５３上および絶縁層４０上に設けられている。第２層５４は、第２コンタクトホール４４に設けられている。第２層５４は、絶縁層４０の上面、および第２コンタクトホール４４を規定する絶縁層４０の側面に設けられている。第２層５４は、第２コンタクトホール４４によって露出された第１層５３と接続されている。第２層５４の平面形状は、例えば、円である。
第２層５４の発光層３４で発生する光に対する透過率は、第１層５３の発光層３４で発生する光に対する透過率よりも高い。第２層５４は、例えば、発光層３４で発生する光に対して透明である。第２層５４の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、好ましくは２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。第２層５４の厚さが１００ｎｍ以上であれば、抵抗を低くすることができる。第２層５４の厚さが５００ｎｍ以下であれば、発光層３４で発生した光に対する透過率を高くすることができる。第２層５４の材質は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）である。
第２層５４は、第３部分５４ａと、第４部分５４ｂと、を有している。第３部分５４ａは、積層方向からみて、第１層５３と重なっている部分である。第４部分５４ｂは、積層方向からみて、第１層５３と重なっていない部分である。第４部分５４ｂは、積層方向からみて、第３部分５４ａを囲んでいる。第４部分５４ｂは、第３部分５４ａに接続されている。
１．１．４． 第１配線層および第２配線層
第１配線層６０は、第１電極５０に接続されている。第１配線層６０は、第１電極５０上、絶縁層４０上、および第１コンタクトホール４２に設けられている。第１配線層６０は、第１電極５０の上面、絶縁層４０の上面、および第１コンタクトホール４２を規定する絶縁層４０の側面に設けられている。第１配線層６０は、第１コンタクトホール４２によって露出された第１電極５０と接続されている。なお、本実施形態では、第１配線層６０は、第１電極５０上、および第１コンタクトホール４２に設けられているが、これに限らず、第１コンタクトホール４２に導電性のコンタクトプラグが設けられ、第１配線層６０が、第１電極５０上、絶縁層４０上、およびコンタクトプラグ上に設けられていてもよい。この場合、第１配線層６０は、コンタクトプラグと接続され、コンタクトプラグを介して第１電極５０と電気的に接続される。コンタクトプラグは、第１配線層と同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。コンタクトプラグは、例えば、タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ）などで構成されていてもよい。
なお、本実施形態では、第１配線層６０は、第１電極５０上、および第１コンタクトホール４２に設けられているが、これに限らず、第１コンタクトホール４２に導電性のコンタクトプラグが設けられ、第１配線層６０が、第１電極５０上、絶縁層４０上、およびコンタクトプラグ上に設けられていてもよい。この場合、第１配線層６０は、コンタクトプラグと接続され、コンタクトプラグを介して第１電極５０と電気的に接続される。コンタクトプラグは、第１配線層と同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。コンタクトプラグは、例えば、タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ）などで構成されていてもよい。
第１配線層６０は、例えば、絶縁層４０側から、Ｃｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層を積層させた積層体である。Ｃｒ層の厚さは、例えば、２０ｎｍである。Ｎｉ層の厚さは、例えば、３０ｎｍである。Ａｕ層の厚さは、例えば、２００ｎｍである。図１に示すように、第１配線層６０の絶縁層４０上に位置する部分には、第１ワイヤーボンディング７０が接合されている。図示の例では、第１配線層６０の絶縁層４０上に位置する部分の上面は、平坦な面である。なお、図示はしないが、第１ワイヤーボンディング７０の代わりに、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）を用いてもよい。
第２配線層６２は、第２電極５２に接続されている。図示の例では、第２配線層６２は、第２電極５２の第２層５４に接続されている。第２配線層６２は、第２層５４上および絶縁層４０上に設けられている。第２配線層６２は、第２層５４の第４部分５４ｂに接続されている。第２配線層６２は、積層方向からみて、第２層５４の第１層５３を囲んでいる。
第２配線層６２の材質は、例えば、第１配線層６０と同じである。図１に示すように、第２配線層６２の絶縁層４０上に位置する部分には、第２ワイヤーボンディング７２が接合されている。図示の例では、第２配線層６２の絶縁層４０上に位置する部分の上面は、平坦な面である。なお、図示はしないが、第２ワイヤーボンディング７２の代わりに、ＦＰＣを用いてもよい。
１．２． 発光装置の製造方法
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３～図６は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、基板１０上に、バッファー層２２をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。
次に、バッファー層２２上に、マスク層２４を形成する。マスク層２４は、バッファー層２２の柱状部形成領域２２ａ、電極形成領域２２ｂ、および外周領域２２ｃに形成される。マスク層２４は、例えば、電子ビーム蒸着法やスパッタ法などによる成膜、およびパターニングによって形成される。パターニングは、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
図４に示すように、マスク層２４をマスクとしてバッファー層２２上に、第１半導体層３２、発光層３４、および第２半導体層３６を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。本工程により、複数の柱状部３０を形成することができる。複数の柱状部３０は、柱状部形成領域２２ａおよび電極形成領域２２ｂに形成される。
本工程において、バッファー層２２の外周領域２２ｃに形成されたマスク層２４上には、図示しないが、異常成長した膜が形成される可能性がある。例えば、マスク層２４上に不純物が付着していると、該不純物を核として、エピタキシャル成長を行っている最中に、意図せぬ膜が成長する。外周領域２２ｃに形成されたマスク層２４は、柱状部３０を成長させるための開口部が形成されないため、マスク層２４上に不純物が残り易い。このように、外周領域２２ｃに形成されたマスク層２４上には、異常成長した膜が形成される可能性があるため、外周領域２２ｃに第１電極５０を形成することは好ましくない。
図５に示すように、複数の柱状部３０上に、所定形状のマスク層８０を形成する。マスク層８０は、例えば、レジスト層、酸化シリコン層である。積層方向からみて、マスク層８０は、柱状部形成領域２２ａと重なっている。
次に、マスク層８０をマスクとして、マスク層８０に覆われていない複数の柱状部３０をエッチングする。エッチングは、例えば、ドライエッチングである。当該エッチングによって、マスク層８０に覆われていない複数の柱状部３０は小さくなるが、複数の突起２３が残る。複数の突起２３は、バッファー層２２のみで構成されていてもよいし、バッファー層２２および第１半導体層３２で構成されていてもよい。
複数の突起２３は、複数の柱状部３０が縮小したものなので、複数の突起２３は、積層方向からみて、規則的に配置される。そのため、第１電極５０を形成する際に、第１電極５０の全面にわたって、均一性よく形成することができる。さらに、第１電極５０を隣り合う突起２３の間の谷まで埋め込むように形成することによって、突起２３が設けられていない場合に比べて、第１電極５０と積層体２０との接触面積を大きくすることができる。これにより、第１電極５０と積層体２０との接触抵抗と低くすることができる。
複数の柱状部３０をエッチング工程において、電極形成領域２２ｂおよび外周領域２２ｃに形成されたマスク層２４は、除去される。外周領域２２ｃには、柱状部３０が形成されていないため、外周領域２２ｃの高さは、例えば、柱状部形成領域２２ａおよび電極形成領域２２ｂよりも低くなる。
図６に示すように、マスク層８０を除去した後、複数の柱状部３０上に第２電極５２の第１層５３を形成し、電極形成領域２２ｂおよび複数の突起２３に第１電極５０を形成する。第１層５３および第１電極５０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。なお、第１層５３および第１電極５０の形成順序は、特に限定されない。
次に、積層体２０、第１電極５０、第１層５３を覆うように、絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は、例えば、スピンコート法、ＣＶＤ法などによって形成される。
次に、絶縁層４０をパターニングして、第１コンタクトホール４２および第２コンタクトホール４４を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって形成される。第１コンタクトホール４２および第２コンタクトホール４４は、同じ工程で形成されてよいし、別々の工程で形成されてもよい。
図１に示すように、第１層５３上および絶縁層４０上に第２層５４を形成する。第２層５４は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。本工程により、第２電極５２を形成することができる。
次に、第１電極５０上および絶縁層４０上に第１配線層６０を形成し、第２電極５２上および絶縁層４０上に第２配線層６２を形成する。第１配線層６０および第２配線層６２は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法などによって形成される。第１配線層６０および第２配線層６２は、同じ工程で形成されてよいし、別々の工程で形成されてもよい。
次に、第１配線層６０に第１ワイヤーボンディング７０を接合させ、第２配線層６２に第２ワイヤーボンディング７２を接合させる。第１ワイヤーボンディング７０および第２ワイヤーボンディング７２の接合順序は、特に限定されない。
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
１．３． 作用効果
発光装置１００では、第１電極５０は、バッファー層２２を介して、第１半導体層３２に電気的に接続され、積層方向からみて、絶縁層４０の第１電極５０と重なる位置に第１コンタクトホール４２が設けられ、第１配線層６０は、絶縁層４０に設けられ、第１配線層６０は、コンタクトホール４２を介して第１電極５０と電気的に接続されている。そのため、発光装置１００では、第１配線層６０の絶縁層４０上に位置する部分に、第１ワイヤーボンディング７０などの外部端子を接合させることができる。これにより、第１電極に直接、外部端子を接合させる場合に比べて、外部端子との接合強度を大きくすることができる。
上記のように、第１電極５０は、複数の突起２３上に形成されるため、第１電極５０の上面には、凹凸が形成される。凹凸が形成されている第１電極５０にワイヤーボンディングを接合させると、ワイヤーボンディングが凹凸の凹を埋めることができず、第１電極５０とワイヤーボンディングとの接触面積が低下する。そのため、ワイヤーボンディングとの接合強度が小さくなる。
発光装置１００では、第２電極５２は、積層体２０の基板１０とは反対側に設けられ、複数の柱状部３０は、バッファー層２２の柱状部形成領域２２ａに設けられ、第２電極５２は、積層方向からみて、柱状部形成領域２２ａと重なる第１部分５２ａと、柱状部形成領域２２ａと重ならず、第１部分５２ａを囲む第２部分５２ｂと、を有し、積層方向からみて、第１電極５０は、第２部分５２ｂと重なっている。そのため、発光装置１００では、積層方向からみて第１電極が第２部分と重なっていない場合に比べて、第１電極５０と柱状部形成領域２２ａとの間の距離を小さくすることができる。これにより、複数の柱状部３０に効率よく電流を注入することができる。第１電極と柱状部形成領域との間の距離が大きいと、バッファー層は第１電極よりも抵抗率が高いため、効率よく電流を注入することが難しい。
発光装置１００では、積層方向からみて、第１電極５０は、複数の柱状部３０を囲んでいる。そのため、発光装置１００では、積層方向からみて第１電極が複数の柱状部を囲んでいない場合に比べて、複数の柱状部３０に均一性よく電流を注入することができる。
発光装置１００では、第２電極５２は、第１層５３と、発光層３４で発生する光に対する透過率が第１層５３よりも高い第２層５４と、を有し、第１層５３の抵抗率は、第２層５４の抵抗率よりも低く、第１層５３は、第２半導体層３６に接し、第２層５４は、第１層５３に設けられている。そのため、発光装置１００では、第２電極５２と第２半導体層３６との接触抵抗を低減させつつ、発光層３４で発生する光に対する透過率を高くすることができる。
発光装置１００では、第２電極５２に接続された第２配線層６２を有し、第２層５４は、積層方向からみて、第１層５３と重なる第３部分５４ａと、第１層５３と重ならず、第３部分５４ａを囲む第４部分５４ｂと、を有し、第２配線層６２は、第４部分５４ｂに接続され、積層方向からみて、第２配線層６２は、第１層５３を囲んでいる。そのため、発光装置１００では、積層方向からみて第２配線層が第１層を囲んでいない場合に比べて、第１層５３に均一性よく電流を注入することができる。
２． 第２実施形態
次に、第２実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図７は、第２実施形態に係るプロジェクター８００を模式的に示す図である。
プロジェクター８００は、例えば、光源として、発光装置１００を有している。
プロジェクター８００は、図示しない筐体と、筐体内に備えられている赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ出射する赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、青色光源１００Ｂと、を有している。なお、便宜上、図７では、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂを簡略化している。
プロジェクター８００は、さらに、筐体内に備えられている、第１光学素子８０２Ｒと、第２光学素子８０２Ｇと、第３光学素子８０２Ｂと、第１光変調装置８０４Ｒと、第２光変調装置８０４Ｇと、第３光変調装置８０４Ｂと、投射装置８０８と、を有している。第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂは、例えば、透過型の液晶ライトバルブである。投射装置８０８は、例えば、投射レンズである。
赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子８０２Ｒに入射する。赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子８０２Ｒによって集光される。なお、第１光学素子８０２Ｒは、集光以外の機能を有していてもよい。後述する第２光学素子８０２Ｇおよび第３光学素子８０２Ｂについても同様である。
第１光学素子８０２Ｒによって集光された光は、第１光変調装置８０４Ｒに入射する。第１光変調装置８０４Ｒは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置８０８は、第１光変調装置８０４Ｒによって形成された像を拡大してスクリーン８１０に投射する。
緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子８０２Ｇに入射する。緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子８０２Ｇによって集光される。
第２光学素子８０２Ｇによって集光された光は、第２光変調装置８０４Ｇに入射する。第２光変調装置８０４Ｇは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置８０８は、第２光変調装置８０４Ｇによって形成された像を拡大してスクリーン８１０に投射する。
青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子８０２Ｂに入射する。青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子８０２Ｂによって集光される。
第３光学素子８０２Ｂによって集光された光は、第３光変調装置８０４Ｂに入射する。第３光変調装置８０４Ｂは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置８０８は、第３光変調装置８０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン８１０に投射する。
また、プロジェクター８００は、第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂから出射された光を合成して投射装置８０８に導くクロスダイクロイックプリズム８０６を有することができる。
第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム８０６は、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射装置８０８によりスクリーン８１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
なお、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂは、発光装置１００を映像の画素として画像情報に応じて制御することで、第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂを用いずに、直接的に映像を形成してもよい。そして、投射装置８０８は、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂによって形成された映像を、拡大してスクリーン８１０に投射してもよい。
また、上記の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micro Mirror Device）が挙げられる。また、投射装置の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源を、光源からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置の光源装置にも適用することが可能である。
３． 第３実施形態
次に、第３実施形態に係るディスプレイについて、図面を参照しながら説明する。図８は、第３実施形態に係るディスプレイ９００を模式的に示す平面図である。図９は、第３実施形態に係るディスプレイ９００を模式的に示す断面図である。図８には、便宜上、互いに直交する２つの軸として、Ｘ軸およびＹ軸を図示している。
ディスプレイ９００は、例えば、光源として、発光装置１００を有している。
ディスプレイ９００は、画像を表示する表示装置である。画像には、文字情報のみを表示するものが含まれる。ディスプレイ９００は、自発光型のディスプレイである。ディスプレイ９００は、図８および図９に示すように、回路基板９１０と、レンズアレイ９２０と、ヒートシンク９３０と、を有している。
回路基板９１０には、発光装置１００を駆動させるための駆動回路が搭載されている。駆動回路は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）などを含む回路である。駆動回路は、例えば、入力された画像情報に基づいて、発光装置１００を駆動させる。図示はしないが、回路基板９１０上には、回路基板９１０を保護するための透光性の基板が配置されている。
回路基板９１０は、表示領域９１２と、データ線駆動回路９１４と、走査線駆動回路９１６と、制御回路９１８と、を有している。
表示領域９１２は、複数の画素Ｐで構成されている。画素Ｐは、図示の例では、Ｘ軸およびＹ軸に沿って配列されている。
図示はしないが、回路基板９１０には、複数の走査線と複数のデータ線が設けられている。例えば、走査線はＸ軸に沿って延び、データ線はＹ軸に沿って延びている。走査線は、走査線駆動回路９１６に接続されている。データ線は、データ線駆動回路９１４に接続されている。走査線とデータ線の交点に対応して画素Ｐが設けられている。
１つの画素Ｐは、例えば、１つの発光装置１００と、１つのレンズ９２２と、図示しない画素回路と、を有している。画素回路は、画素Ｐのスイッチとして機能するスイッチング用トランジスターを含み、スイッチング用トランジスターのゲートが走査線に接続され、ソースまたはドレインの一方がデータ線に接続されている。
データ線駆動回路９１４および走査線駆動回路９１６は、画素Ｐを構成する発光装置１００の駆動を制御する回路である。制御回路９１８は、画像の表示を制御する。
制御回路９１８には、上位回路から画像データが供給される。制御回路９１８は、当該画像データに基づく各種信号をデータ線駆動回路９１４および走査線駆動回路９１６に供給する。
走査線駆動回路９１６が走査信号をアクティブにすることで走査線が選択されると、選択された画素Ｐのスイッチング用トランジスターがオンになる。このとき、データ線駆動回路９１４が、選択された画素Ｐにデータ線からデータ信号を供給することで、選択された画素Ｐの発光装置１００がデータ信号に応じて発光する。
レンズアレイ９２０は、複数のレンズ９２２を有している。レンズ９２２は、例えば、１つの発光装置１００に対して、１つ設けられている。発光装置１００から出射された光は、１つのレンズ９２２に入射する。
ヒートシンク９３０は、回路基板９１０に接触している。ヒートシンク９３０の材質は、例えば、銅、アルミニウムなどの金属である。ヒートシンク９３０は、発光装置１００で発生した熱を、放熱する。
上述した実施形態に係る発光装置は、プロジェクターやディスプレイ以外にも用いることが可能である。プロジェクターやディスプレイ以外の用途には、例えば、屋内外の照明、レーザープリンター、スキャナー、車載用ライト、光を用いるセンシング機器、通信機器等の光源がある。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。
発光装置の一態様は、
基板と、
前記基板に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
前記複数の柱状部に電流を注入する第１電極および第２電極と、
前記第１電極と電気的に接続された第１配線層と、
前記積層体および前記第１電極を覆う絶縁層と、
を有し、
前記複数の柱状部の各々は、
第１導電型の第１半導体層と、
前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記第１半導体層は、前記基板と前記発光層との間に設けられ、
前記積層体は、前記基板と前記複数の柱状部との間に設けられた前記第１導電型の第３半導体層を有し、
前記第１電極は、前記第３半導体層を介して、前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第１半導体層と前記発光層との積層方向からみて、前記絶縁層の前記第１電極と重なる位置にコンタクトホールが設けられ、
前記第１配線層は、前記絶縁層に設けられ、
前記第１配線層は、前記コンタクトホールを介して前記第１電極と電気的に接続されている。
この発光装置によれば、ワイヤーボンディングなどの外部端子との接合強度を大きくすることができる。
発光装置の一態様において、
前記第１配線層は、前記絶縁層および前記コンタクトホールに設けられていてもよい。
発光装置の一態様において、
前記第２電極は、前記積層体の前記基板とは反対側に設けられ、
前記複数の柱状部は、前記第３半導体層の柱状部形成領域に設けられ、
前記第２電極は、前記積層方向からみて、
前記柱状部形成領域と重なる第１部分と、
前記柱状部形成領域と重ならず、前記第１部分を囲む第２部分と、
を有し、
前記積層方向からみて、前記第１電極は、前記第２部分と重なっていてもよい。
この発光装置によれば、第１電極と柱状部形成領域との間の距離を小さくすることができる。これにより、複数の柱状部に効率よく電流を注入することができる。
発光装置の一態様において、
前記積層方向からみて、前記第１電極は、前記複数の柱状部を囲んでいてもよい。
この発光装置によれば、複数の柱状部に均一性よく電流を注入することができる。
発光装置の一態様において、
前記第２電極は、
第１層と、
前記発光層で発生する光に対する透過率が前記第１層よりも高い第２層と、
を有し、
前記第１層の抵抗率は、前記第２層の抵抗率よりも低く、
前記第１層は、前記第２半導体層に接し、
前記第２層は、前記第１層に設けられていてもよい。
この発光装置によれば、第２電極と第２半導体層の接触抵抗を低減させつつ、発光層で発生する光に対する透過率を高くすることができる。
発光装置の一態様において、
前記第２電極に接続された第２配線層を有し、
前記第２層は、前記積層方向からみて、
前記第１層と重なる第３部分と、
前記第１層と重ならず、前記第３部分を囲む第４部分と、
を有し、
前記第２配線層は、前記第４部分に接続され、
前記積層方向からみて、前記第２配線層は、前記第１層を囲んでいてもよい。
この発光装置によれば、第１層に均一性よく電流を注入することができる。
プロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
ディスプレイの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
１０…基板、２０…積層体、２２…バッファー層、２２ａ…柱状部形成領域、２２ｂ…電極形成領域、２２ｃ…外周領域、２３…突起、２４…マスク層、３０…柱状部、３２…第１半導体層、３４…発光層、３６…第２半導体層、４０…絶縁層、４２…第１コンタクトホール、４４…第２コンタクトホール、５０…第１電極、５０ａ…リング状部、５０ｂ…コンタクト受部、５２…第２電極、５２ａ…第１部分、５２ｂ…第２部分、５３…第１層、５４…第２層、５４ａ…第３部分、５４ｂ…第４部分、６０…第１配線層、６２…第２配線層、７０…第１ワイヤーボンディング、７２…第２ワイヤーボンディング、８０…マスク層、１００…発光装置、１００Ｒ…赤色光源、１００Ｇ…緑色光源、１００Ｂ…青色光源、８００…プロジェクター、８０２Ｒ…第１光学素子、８０２Ｇ…第２光学素子、８０２Ｂ…第３光学素子、８０４Ｒ…第１光変調装置、８０４Ｇ…第２光変調装置、８０４Ｂ…第３光変調装置、８０６…クロスダイクロイックプリズム、８０８…投射装置、８１０…スクリーン、９００…ディスプレイ、９１０…回路基板、９１２…表示領域、９１４…データ線駆動回路、９１６…走査線駆動回路、９１８…制御回路、９２０…レンズアレイ、９２２…レンズ、９３０…ヒートシンク

Claims (6)

  1. 基板と、
    前記基板に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
    前記複数の柱状部に電流を注入する第１電極および第２電極と、
    前記第１電極と電気的に接続された第１配線層と、
    前記積層体および前記第１電極を覆う絶縁層と、
    前記第２電極に接続された第２配線層と、
    を有し、
    前記複数の柱状部の各々は、
    第１導電型の第１半導体層と、
    前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
    を有し、
    前記第１半導体層は、前記基板と前記発光層との間に設けられ、
    前記積層体は、前記基板と前記複数の柱状部との間に設けられた前記第１導電型の第３半導体層を有し、
    前記第１電極は、前記第３半導体層を介して、前記第１半導体層に電気的に接続され、
    前記第１半導体層と前記発光層との積層方向からみて、前記絶縁層の前記第１電極と重なる位置にコンタクトホールが設けられ、
    前記第１配線層は、前記絶縁層に設けられ、
    前記第１配線層は、前記コンタクトホールを介して前記第１電極と電気的に接続され、
    前記第２電極は、
    第１層と、
    前記発光層で発生する光に対する透過率が前記第１層よりも高い第２層と、
    を有し、
    前記第１層の抵抗率は、前記第２層の抵抗率よりも低く、
    前記第１層は、前記第２半導体層に接し、
    前記第２層は、前記第１層に設けられ、前記積層方向からみて、
    前記第１層と重なる第３部分と、
    前記第１層と重ならず、前記第３部分を囲む第４部分と、
    を有し、
    前記第２配線層は、前記第４部分に接続され、
    前記積層方向からみて、前記第２配線層は、前記第１層を囲んでいる、発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１配線層は、前記絶縁層および前記コンタクトホールに設けられている、発光装置。
  3. 請求項１または２において、
    前記第２電極は、前記積層体の前記基板とは反対側に設けられ、
    前記複数の柱状部は、前記第３半導体層の柱状部形成領域に設けられ、
    前記第２電極は、前記積層方向からみて、
    前記柱状部形成領域と重なる第１部分と、
    前記柱状部形成領域と重ならず、前記第１部分を囲む第２部分と、
    を有し、
    前記積層方向からみて、前記第１電極は、前記第２部分と重なっている、発光装置。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
    前記積層方向からみて、前記第１電極は、前記複数の柱状部を囲んでいる、発光装置。
  5. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
  6. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置を有する、ディスプレイ。
JP2021054824A 2021-03-29 2021-03-29 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ Active JP7631976B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021054824A JP7631976B2 (ja) 2021-03-29 2021-03-29 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
US17/705,808 US12355206B2 (en) 2021-03-29 2022-03-28 Light emitting device, projector, and display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021054824A JP7631976B2 (ja) 2021-03-29 2021-03-29 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022152157A JP2022152157A (ja) 2022-10-12
JP7631976B2 true JP7631976B2 (ja) 2025-02-19

Family

ID=83363754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021054824A Active JP7631976B2 (ja) 2021-03-29 2021-03-29 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US12355206B2 (ja)
JP (1) JP7631976B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230162600A (ko) * 2021-03-31 2023-11-28 소니그룹주식회사 발광 장치, 표시 장치 및 전자 기기

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014512667A (ja) 2011-02-10 2014-05-22 ザ・ロイヤル・インスティテューション・フォア・ザ・アドバンスメント・オブ・ラーニング／マクギル・ユニヴァーシティ 高効率広帯域半導体ナノワイヤ素子および異種金属触媒無しの製造方法
WO2015011984A1 (ja) 2013-07-22 2015-01-29 株式会社村田製作所 垂直共振面発光レーザアレイおよびその製造方法
WO2018062252A1 (ja) 2016-09-29 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光素子
WO2018221352A1 (ja) 2017-05-31 2018-12-06 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2019054127A (ja) 2017-09-15 2019-04-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
JP2019114739A (ja) 2017-12-26 2019-07-11 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター
JP2020030308A (ja) 2018-08-22 2020-02-27 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
US20200119519A1 (en) 2016-12-14 2020-04-16 Forschungsverbund Berlin E.V. Light emitter device based on a photonic crystal with pillar- or wall-shaped semiconductor elements, and methods for the operation and production thereof
US20210119420A1 (en) 2019-10-15 2021-04-22 The Regents Of The University Of Michigan Nanocrystal surface-emitting lasers

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5332910A (en) * 1991-03-22 1994-07-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor optical device with nanowhiskers
PL202938B1 (pl) * 2000-02-16 2009-08-31 Nichia Corp Azotkowe półprzewodnikowe urządzenie laserowe
US6709929B2 (en) * 2001-06-25 2004-03-23 North Carolina State University Methods of forming nano-scale electronic and optoelectronic devices using non-photolithographically defined nano-channel templates
JP4235440B2 (ja) * 2002-12-13 2009-03-11 キヤノン株式会社 半導体デバイスアレイ及びその製造方法
EP1652238B1 (en) * 2003-08-08 2010-10-27 Kang, Sang-kyu Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same
JP2005353828A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Canon Inc 発光素子及び発光素子の製造方法
KR100703530B1 (ko) * 2006-02-09 2007-04-03 삼성전자주식회사 면 발광 레이저
JP2009076896A (ja) * 2007-08-31 2009-04-09 Panasonic Corp 半導体発光素子
JP2009105182A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Panasonic Corp 光集積化素子および光集積化素子の製造方法
JP4995053B2 (ja) * 2007-12-04 2012-08-08 パナソニック株式会社 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法
WO2010087231A1 (ja) * 2009-01-28 2010-08-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 ２次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法
FR2949278B1 (fr) * 2009-08-18 2012-11-02 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif d'emission de lumiere a base de diodes electroluminescentes
JP4586934B2 (ja) 2010-03-17 2010-11-24 パナソニック電工株式会社 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
FR2979481B1 (fr) * 2011-08-25 2016-07-01 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un circuit integre tridimensionnel
JP2013179215A (ja) 2012-02-29 2013-09-09 Toyohashi Univ Of Technology Ｌｅｄアレイ及び光電子集積装置
CN103811650A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 金木子 无金属电极的垂直结构的led高压芯片
US11502219B2 (en) * 2013-03-14 2022-11-15 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Methods and devices for solid state nanowire devices
KR102188497B1 (ko) * 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
US9620559B2 (en) * 2014-09-26 2017-04-11 Glo Ab Monolithic image chip for near-to-eye display
EP3145038A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-22 Technische Universität München Nanowire laser structure and fabrication method
FR3061357B1 (fr) * 2016-12-27 2019-05-24 Aledia Procede de realisation d’un dispositif optoelectronique comportant une etape de gravure de la face arriere du substrat de croissance
US10553767B2 (en) * 2017-01-09 2020-02-04 Glo Ab Light emitting diodes with integrated reflector for a direct view display and method of making thereof
JP2018157065A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 住友電気工業株式会社 面発光半導体レーザ
US10418499B2 (en) * 2017-06-01 2019-09-17 Glo Ab Self-aligned nanowire-based light emitting diode subpixels for a direct view display and method of making thereof
TWI698057B (zh) * 2018-02-13 2020-07-01 國立交通大學 具有透明導電層之二維光子晶體面射型雷射
US10340659B1 (en) * 2018-06-14 2019-07-02 Conary Enterprise Co., Ltd. Electronically pumped surface-emitting photonic crystal laser
JP7259530B2 (ja) 2019-05-08 2023-04-18 住友電気工業株式会社 面発光レーザ、電子装置、面発光レーザの製造方法
JP7136020B2 (ja) * 2019-06-28 2022-09-13 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2021057443A (ja) 2019-09-30 2021-04-08 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および、プロジェクター
US12068575B2 (en) * 2020-04-29 2024-08-20 Phosertek Corporation Laser device and method of manufacturing the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014512667A (ja) 2011-02-10 2014-05-22 ザ・ロイヤル・インスティテューション・フォア・ザ・アドバンスメント・オブ・ラーニング／マクギル・ユニヴァーシティ 高効率広帯域半導体ナノワイヤ素子および異種金属触媒無しの製造方法
WO2015011984A1 (ja) 2013-07-22 2015-01-29 株式会社村田製作所 垂直共振面発光レーザアレイおよびその製造方法
WO2018062252A1 (ja) 2016-09-29 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光素子
US20200119519A1 (en) 2016-12-14 2020-04-16 Forschungsverbund Berlin E.V. Light emitter device based on a photonic crystal with pillar- or wall-shaped semiconductor elements, and methods for the operation and production thereof
WO2018221352A1 (ja) 2017-05-31 2018-12-06 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2019054127A (ja) 2017-09-15 2019-04-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
JP2019114739A (ja) 2017-12-26 2019-07-11 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター
JP2020030308A (ja) 2018-08-22 2020-02-27 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
US20210119420A1 (en) 2019-10-15 2021-04-22 The Regents Of The University Of Michigan Nanocrystal surface-emitting lasers

Also Published As

Publication number Publication date
US12355206B2 (en) 2025-07-08
JP2022152157A (ja) 2022-10-12
US20220311210A1 (en) 2022-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12080992B2 (en) Light emitting device and projector
JP7056628B2 (ja) 発光装置およびプロジェクター
JP7531805B2 (ja) 発光装置およびプロジェクター
US11901695B2 (en) Light emitting device and projector
JP2019029516A (ja) 発光装置およびプロジェクター
JP7776817B2 (ja) 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
CN115084996B (zh) 发光装置、投影仪及显示器
JP2022096789A (ja) 発光装置およびプロジェクター
JP7631976B2 (ja) 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
JP7635545B2 (ja) 発光装置およびプロジェクター
JP7547960B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP7707605B2 (ja) 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
US12366795B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof, projector, and display
CN114824015B (zh) 发光装置、投影仪以及发光装置的制造方法
JP2020140997A (ja) 発光装置の製造方法、発光装置、およびプロジェクター
JP7826742B2 (ja) 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
JP2023065945A (ja) 発光装置およびプロジェクター
JP7841377B2 (ja) 発光装置、プロジェクター、ディスプレイ、およびヘッドマウントディスプレイ
JP2022081925A (ja) 発光装置およびプロジェクター
JP2023121271A (ja) 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
JP7634836B2 (ja) 発光装置およびプロジェクター
JP2023086378A (ja) 発光装置、プロジェクター、ディスプレイ、および発光装置の製造方法
JP2023025741A (ja) 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
JP2023128375A (ja) 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20210915

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20211104

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240311

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20241025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20241105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20241220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7631976

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150