JP7633512B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
本発明の一態様は、暗所視でも明所視でも明るく、特定の状態等のイメージを想起させることが可能となる発光色を発する、ヒトへの影響も考慮された発光装置を提供することを目的とする。
(Lu1-p-nLnpCen)3(Al1-mGam)5kO12 (I)
(式(I)中、Lnは、Y、La、Gd及びTbからなる群から選択される少なくとも1種の希土類元素であり、k、m、n、pは、それぞれ0.95≦k≦1.05、0.05≦m≦0.70、0.002≦n≦0.050、0≦p≦0.30を満たす。)
475nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する光を発し、
明所視における光束に対する暗所視における光束の比率である下記式(1)から導き出されるS/P比が6.5以下である、発光装置である。
(Lu1-p-nLnpCen)3(Al1-mGam)5kO12 (I)
(式(I)中、Lnは、Y、La、Gd及びTbからなる群から選択される少なくとも1種の希土類元素であり、k、m、n、pは、それぞれ0.95≦k≦1.05、0.05≦m≦0.70、0.002≦n≦0.050、0≦p≦0.30を満たす。)
475nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する光を発し、
下記式(2)から導き出されるメラノピック比が3.4以下である、発光装置である。
一態様の発光装置は、400nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する発光素子と、前記発光素子の光の出射側に配置され、後述する式(I)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体を含む波長変換部材と、を備えた発光装置であり、475nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する光を発し、暗所視における光束に対する明所視における光束の比率である後述する式(1)から導き出されるS/P比が6.5以下である。
発光素子は、例えば、組成式がInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で表される窒化物系半導体を用いた半導体発光素子である、発光ダイオード(LED)チップ又はレーザダイオード(LD:Laser Diode)チップを用いることができ、LEDチップを用いることが好ましい。
発光装置に含まれる希土類アルミン酸塩蛍光体は、下記式(I)で表される組成を有する。
(Lu1-p-nLnpCen)3(Al1-mGam)5kO12 (I)
(式(I)中、Lnは、Y、La、Gd及びTbからなる群から選択される少なくとも1種の希土類元素であり、k、m、n、pは、それぞれ0.95≦k≦1.05、0.05≦m≦0.70、0.002≦n≦0.050、0≦p≦0.30を満たす。)
希土類アルミン酸塩蛍光体は、Lu、Ce、Al、Ga、及び必要に応じてY、La、Gd及びTbからなる群から選択される少なくとも1種の希土類元素Lnの各元素を含む酸化物、又は熱分解により酸化物となる炭酸塩若しくは水酸化物の各化合物を原料とし、各元素を含む各化合物の原料混合物を熱処理して製造することができる。熱処理前の原料のみを混合した原料混合物を第一原料混合物という場合がある。また、希土類アルミン酸塩蛍光体を構成する各元素を全部又は一部を含む共沈物を用いて製造することもできる。例えば、Lu、Ce、Al、Ga、及び必要に応じて希土類元素Lnからなる群から選択される少なくとも1種を含む水溶液に、アルカリ又は炭酸塩等の水溶液を加えると、前記元素を含む共沈物が得られる。この共沈物を乾燥、熱処理して希土類アルミン酸塩蛍光体を製造することもできる。フラックスを用いて希土類アルミン酸塩蛍光体を製造してもよく、フラックスとしては、希土類アルミン酸塩蛍光体を構成する元素を含むフッ化物であることが好ましい。フラックスとしては、BaF2、AlF3及びCeF3から群から選択される少なくとも1種が挙げられる。フラックスは、原料混合物(又は第一原料混合物)100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下の範囲内で用いることが好ましく、0.5質量部以上8.0質量部以下の範囲内で用いてもよい。原料混合物(又は第一原料混合物)とフラックスとを混合した混合物を、第一混合物という場合がある。
(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu (II)
Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z≦4.2) (III)
BaSi2O2N2:Eu (IV)
Sr4Al14O25:Eu (V)
(Sr,Ca,Ba)Ga2S4:Eu (VI)
(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu (VII)
(Ba,Sr)ZrSi3O9:Eu (VIII)
Ca3Sc2(Si,Ge)3O12:Ce (IX)
(ALi3SiO4)n:Eu(Aは、Li、Na、K、Rb及びCsからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、nは、1から8の整数である。) (X)
波長変換部材は、蛍光体と透光性材料を含む波長変換体を備えることが好ましく、さらにその波長変換体が配置される透光体を備えることがより好ましい。波長変換体は、蛍光体と、後述する透光性材料とを含むことが好ましい。波長変換体は、板状、シート状又は層状に形成されていてもよい。波長変換部材は、板状、シート状又は層状以外の他の形態の波長変換体を備えていてもよい。波長変換部材は、板状の波長変換焼結体を用いることもできる。板状の波長変換焼結体は、例えば、蛍光体と無機酸化物との混合物を原料として、特開2018-172628号公報に開示された方法によって得ることができる。無機酸化物としては、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)を用いることができる。
前記式(I)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体において、Gaのモル比が0.5以上2.0以下の範囲内であり、Ceのモル比が、0.018以上0.040以下の範囲内である場合、波長変換体に含まれる希土類アルミン酸塩蛍光体の含有量は、透光性材料100質量部に対して、20質量部以上500質量部以下の範囲内でもよく、30質量部以上400質量部以下の範囲内でもよく、40質量部以上300質量部以下の範囲内でもよい。前記式(I)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体において、Gaのモル比が0.5以上2.0以下の範囲内であり、変数kが0.95以上1.05以下の範囲内(0.95≦k≦1.05)である場合、変数mは0.095以上0.421以下の範囲内(0.095≦m≦0.421)である。前記式(I)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体において、Ceのモル比が0.018以上0.040以下の範囲内である場合、変数nは0.006以上0.013以下の範囲内(0.006≦n≦0.013)である。
透光性材料は、樹脂、ガラス及び無機物からなる群から選択される少なくとも1種が挙げられる。樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。無機物は、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種が挙げられる。波長変換体には、蛍光体と透光性材料の他に、必要に応じてフィラー、着色剤、光拡散材を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば酸化ケイ素、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム等が挙げられる。波長変換体に含まれる蛍光体及び透光性材料以外のその他の成分の含有量は、その他の成分の合計の含有量で、透光性材料100質量部に対して、0.01質量部以上100質量部以下の範囲内とすることができ、0.1質量部以上80質量部以下の範囲内でもよく、0.5質量部以上75質量部以下の範囲内でもよい。
波長変換部材は、透光体を備えていてもよい。透光体は、ガラスや樹脂のような透光性材料からなる板状体を用いることができる。ガラスは、例えばホウ珪酸ガラスや石英ガラスが挙げられる。樹脂は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。透光体の厚さは、製造工程における機械的強度が低下せず、波長変換体を十分に支持することができる厚さであればよい。
発光装置の構成例を示す。図6Aは、第1構成例の発光装置100の概略平面図である。図6Bは、図6Aに示す発光装置100のVI-VI’線の概略断面図である。発光装置100は、400nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する発光素子10と、発光素子10からの光により励起されて発光する少なくとも1種の蛍光体を含む波長変換体31とその波長変換体31が配置された透光体32とを含む波長変換部材30とを備える。発光素子10は、基板70上に導電部材60であるバンプを介してフリップチップ実装されている。波長変換部材30の波長変換体31は、接着層80を介して発光素子10の発光面上に設けられている。発光素子10及び波長変換部材30は、その側面が光を反射する被覆部材90によって覆われている。波長変換体31は、発光素子10からの光により励起されて特定の波長範囲に少なくとも1つの発光ピーク波長を有する蛍光体を含む。波長変換体31には、発光ピーク波長の波長範囲の異なる2種以上の蛍光体が含まれていてもよい。発光素子10は、基板70上に形成された配線及び導電部材60を介して、発光装置100の外部からの電力の供給を受けて、発光装置100を発光させることができる。発光装置100は、発光素子10を過大な電圧の印加による破壊から防ぐための保護素子等の半導体素子50を含んでいてもよい。被覆部材90は、例えば半導体素子50を覆うように設けられる。以下、発光装置に用いる各部材について説明する。なお、詳細は、例えば特開2014-112635号公報の開示を参照することもできる。
基板は、絶縁性材料であって、発光素子からの光や外光を透過し難い材料からなることが好ましい。基板の材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフタルアミド(PPA)樹脂等の樹脂を上げることができる。セラミックスは耐熱性が高いため、基板の材料として好ましい。
発光素子と波長変換部材の間には、接着層が介在し、発光素子と波長変換部材とを固着する。接着層を構成する接着剤は、発光素子と波長変換部材を光学的に連結できる材料からなることが好ましい。接着層を構成する材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。
発光装置に必要に応じて設けられる半導体素子は、例えば発光素子を制御するためのトランジスタや、過大な電圧印加による発光素子の破壊や性能劣化を抑制するための保護素子が挙げられる。保護素子としてはツェナーダイオード(Zener Diode)が挙げられる。
被覆部材の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。より具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフタルアミド(PPA)樹脂、シリコーン樹脂が挙げられる。被覆部材には、必要に応じて着色剤、蛍光体、フィラーを添加してもよい。
導電部材としては、バンプを用いることができ、バンプの材料としては、Auあるいはその合金、他の導電部材として、共晶ハンダ(Au-Sn)、Pb-Sn、鉛フリーハンダ等を用いることができる。
発光装置の製造方法の一例を説明する。なお、詳細は、例えば特開2014-112635号公報、又は、特開2017-117912号公報の開示を参照することもできる。発光装置の製造方法は、発光素子の配置工程、必要に応じて半導体素子の配置工程、波長変換体を含む波長変換部材の形成工程、発光素子と波長変換部材の接着工程、被覆部材の形成工程を含むことが好ましい。
発光素子の配置工程において、基板上に発光素子を配置し、実装する。発光素子と半導体素子とは、例えば、基板上にフリップチップ実装される。
波長変換体を含む波長変換部材の形成工程において、波長変換体は、透光体の一面に印刷法、接着法、圧縮成形法、電着法により板状、シート状又は層状の波長変換体を形成することによって得てもよい。例えば、印刷法は、蛍光体と、バインダー又は溶剤となる樹脂とを含む波長変換体用組成物を透光体の一面に印刷し、波長変換体を含む波長変換部材を形成することができる。
発光素子と波長変換部材の接着工程において、波長変換部材を発光素子の発光面に対向させて、発光素子上に波長変換部材を接着層により接合する。
被覆部材の形成工程において、発光面を除く、発光素子、及び波長変換部材の側面が、被覆部材用組成物で覆われ、発光面を除く発光素子及び波長変換部材の側面に被覆部材が形成される。この被覆部材は、発光素子から出射された光を反射させるためのものであり、波長変換部材の発光面を覆うことなく側面を覆い、かつ半導体素子を埋設するように形成される。
図7は、第2構成例の発光装置200の概略断面図である。発光装置200は、発光素子10からの光により励起されて発光する少なくとも1種の蛍光体を含む波長変換体31からなる波長変換部材30を備えること以外は、発光装置100と同じである。図7において、発光装置100と同一の部材には同一の符号を付した。波長変換部材30は、透光体32を備えることなく、波長変換体31からなるものであってもよい。
第2構成例の発光装置の製造方法は、波長変換部材の形成工程において、波長変換体からなる波長変換部材を形成すること以外は、第1構成例の発光装置の製造方法と同様に製造することができる。波長変換体は、蛍光体と透光性材料を含む波長変換体用組成物を硬化させて予め板状、シート状又は層状に形成し、発光素子上に配置可能な大きさに個片化して、板状、シート状又は層状の波長変換体からなる波長変換部材を準備する。以上のようにして、第2構成例の発光装置を製造することができる。なお、波長変換部材は、上述したように、板状の波長変換焼結体も用いることができる。
図8は、第3構成例の発光装置300の概略断面図である。発光装置300は、例えば、成形体41と、発光素子11と、波長変換部材33とを備える。成形体41は、第1リード51及び第2リード52と、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を含む樹脂部42とが一体的に成形されてなるものである。成形体41は底面と側面を持つ凹部を形成しており、凹部の底面に発光素子11が載置されている。発光素子11は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極はそれぞれ第1リード51及び第2リード52とそれぞれワイヤ63を介して電気的に接続されている。発光素子11は波長変換部材33により被覆されている。波長変換部材33は、発光素子11からの光を波長変換する蛍光体21と透光性材料を含む。蛍光体21は、発光素子からの光により励起されて特定の波長範囲に少なくとも一つの発光ピーク波長を有し、発光ピーク波長の波長範囲の異なる2種以上の蛍光体が含まれていてもよい。発光素子11の正負一対の電極に接続された第1リード51及び第2リード52は、発光装置300を構成するパッケージの外方に向けて、第1リード51及び第2リード52の一部が露出されている。これらの第1リード51及び第2リード52を介して、外部から電力の供給を受けて発光装置300を発光させることができる。
第3構成例の発光装置の製造方法を説明する。なお、詳細は、例えば特開2010-062272号公報の開示を参照することもできる。発光装置の製造方法は、成形体の準備工程と、発光素子の配置工程と、波長変換部材用組成物の配置工程と、樹脂パッケージ形成工程とを含むことが好ましい。成形体として、複数の凹部を有する集合成形体を用いる場合には、樹脂パッケージ形成工程後に、各単位領域の樹脂パッケージごとに分離する個片化工程を含んでいてもよい。
発光素子の配置工程において、成形体の凹部の底面に発光素子が配置され、発光素子の正負の電極が第1リード及び第2リードにワイヤにより接続される。
波長変換部材用組成物の配置工程において、成形体の凹部に波長変換部材用組成物が配置される。
樹脂パッケージ成形工程において、成形体の凹部に配置された波長変換部材用組成物を硬化させて、樹脂パッケージが形成され、発光装置が製造される。複数の凹部を含む集合体基体からなる成形体を用いた場合は、樹脂パッケージの形成工程後に、個片化工程において、複数の凹部を有する集合基体の各単位領域の樹脂パッケージごとに分離され、個々の発光装置が製造される。以上のようにして、図8に示す第3構成例の発光装置を製造することができる。
原料の準備
酸化ルテチウム(Lu2O3)と、酸化セリウム(CeO2)と、酸化アルミニウム(Al2O3)と、酸化ガリウム(Ga2O3)と、を原料として使用し、各化合物に含まれるLu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製して原料混合物を得た。全体量100質量%に対して、フラックスとしてフッ化バリウム(BaF2)を7.0質量%添加し、各原料をボールミルで混合して、混合物を得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.987Ce0.012)3(Al0.9Ga0.1)5O12となるように調製した。
熱処理
得られた混合物をアルミナ坩堝に入れ、還元性雰囲気において、1600℃で10時間熱処理して焼成物を得た。
分散処理
得られた焼成物と、分散媒であるアルミナボールと、脱イオン水とを容器に入れ、回転させながら4時間分散させた。その後湿式ふるいにより、粗大粒子を除去した。次いで、沈降分級を行なって微小粒子を除去した。
酸洗浄処理
沈降分級により得られた焼成物を塩酸の濃度が17質量%の塩酸水溶液で酸洗浄し、その後水洗いして、分離乾燥し、酸洗浄処理後の焼成物を希土類アルミン酸塩蛍光体Aとして得た。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Bを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.987Ce0.013)3(Al0.8Ga0.2)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Cを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.987Ce0.013)3(Al0.7Ga0.3)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Dを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.987Ce0.013)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製した。1500℃で10時間熱処理する以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Eを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.995Ce0.005)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Eと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Fを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.995Ce0.005)3(Al0.5Ga0.5)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Eと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Gを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.995Ce0.005)3(Al0.4Ga0.6)5O12となるように調製した。
大気雰囲気下、1500℃で10時間熱処理する以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Eと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Hを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.995Ce0.005)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
原料の準備(第一混合物)
酸化ルテチウム(Lu2O3)と、酸化セリウム(CeO2)と、酸化アルミニウム(Al2O3)と、酸化ガリウム(Ga2O3)と、を原料として使用し、各化合物に含まれるLu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製した。全体量100質量%に対して、フラックスとしてフッ化バリウム(BaF2)を7.0質量%添加し、各原料をボールミルで混合して、第一混合物を得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.995Ce0.005)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
第一熱処理
得られた第一混合物をアルミナ坩堝に入れ、還元性雰囲気において、1500℃で10時間熱処理して第一焼成物を得た。
第二混合物
得られた第一焼成物と酸化ルテチウム(Lu2O3)と、酸化セリウム(CeO2)と、酸化アルミニウム(Al2O3)と、酸化ガリウム(Ga2O3)と、を原料として使用し、第一焼成物及び各化合物に含まれるLu、Ce、Al及びGaの各元素が、前記組成を満たすように各化合物からなる原料を調製し、全体量100質量%に対して、フラックスとしてフッ化バリウム(BaF2)を7.0質量%添加した第二原料混合物を得た。第一焼成物と第二原料混合物が質量比で7:3となるようボールミルを用いて混合し、第二混合物を得た。
第二熱処理
得られた第二混合物をアルミナ坩堝に入れ、還元性雰囲気において、1500℃で10時間熱処理して第二焼成物を得た。この第二焼成物を、希土類アルミン酸塩Aと同様にして、分散処理及び酸洗浄処理を行って、希土類アルミン酸塩蛍光体Iを得た。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Jを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.993Ce0.007)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Kを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.992Ce0.008)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Lを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.990Ce0.010)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Mを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.988Ce0.012)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
Lu、Ce、Al及びGaの各元素が、下記の組成を満たすように各化合物からなる原料を調製したこと以外は、希土類アルミン酸塩蛍光体Aと同様にして、希土類アルミン酸塩蛍光体Nを得た。原料は、仕込み組成において、(Lu0.987Ce0.013)3(Al0.6Ga0.4)5O12となるように調製した。
得られた希土類アルミン酸塩蛍光体について、以下の評価を行った。評価結果は、表1に示す。表1中のGa(モル比)、Ce(モル比)は、仕込み組成における各元素のモル比である。
各蛍光体について、発光特性を測定した。蛍光体の発光特性は、量子効率測定装置(QE-2000、大塚電子株式会社製)を用いて、励起光の波長を420nmの光を各蛍光体に照射し、室温(25℃±5℃)における発光スペクトルを測定した。各蛍光体の発光スペクトルから、各蛍光体について、CIE色度図における色度座標系における色度座標(x、y)と輝度(%)を求めた。
希土類アルミン酸塩Aを用いて発光装置を製造した。発光装置の製造方法は、特開2010-062272号公報の開示を参照することができる。具体的には、第一リードと、第二リードと、底面と側面とを有する凹部と、を有する成形体を準備した。主波長が455nmである窒化物半導体を用いた発光素子を準備し、凹部の底面に発光素子を配置し、第一リード及び第二リードにワイヤにより接続した。透光性材料としてシリコーン樹脂100質量部に対し、希土類アルミン酸塩蛍光体Aを表2に示す量(実施例1-1:20質量部、実施例1-2:40質量部、実施例1-3:60質量部)含む波長変換体用組成物を準備し、成形体の凹部内に波長変換体用組成物を充填した。150℃で4時間加熱して波長変換体用組成物を硬化させ、発光素子を被覆する波長変換体からなる波長変換部材を形成して樹脂パッケージを形成し、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Bを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Bを表2に示す量(実施例2-1:20質量部、実施例2-2:40質量部、実施例2-3:60質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Cを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Cを表2に示す量(実施例3-1:40質量部、実施例3-2:60質量部、実施例3-3:80質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Dを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Dを表2に示す量(比較例4-1:20質量部、実施例4-2:40質量部、実施例4-3:60質量部、実施例4-4:90質量部、実施例4-5:120質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
主波長が454nmである窒化物半導体を用いた発光素子を準備し、蛍光体を用いないこと以外は、実施例1-1と同様にして第一態様の発光装置を製造した。
主波長が484nmである窒化物半導体を用いた発光素子を準備し、蛍光体を用いないこと以外は、実施例1-1と同様にして第一態様の発光装置を製造した。
主波長が495nmである窒化物半導体を用いた発光素子を準備し、蛍光体を用いないこと以外は、実施例1-1と同様にして第一態様の発光装置を製造した。
実施例及び比較例に用いた各発光素子について、分光測光装置(PMA-11、浜松ホトニクス株式会社)と積分球を組み合わせた光計測システムを用いて、CIE1931色度図の色度座標系における色度座標(x、y)を測定し、CIE1931色度図における白色光の色度座標(x=0.3333、y=0.3333)と、各発光素子の発光色の色度座標(xE、yE)を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長を主波長として求めた。
発光装置の光束、光束比、放射束(分光全放射束)、色度座標(x、y)
各発光装置について、分光測光装置(PMA-11、浜松ホトニクス株式会社)と積分球を組み合わせた光計測システムを用いて、光束、放射束(分光全放射束:mW)、CIE1931色度図の色度座標系における色度座標(x、y)を求めた。
各発光装置の主波長は、CIE1931色度図における白色光の色度座標(x=0.3333、y=0.3333)と、各発光装置の発光色の色度座標(x、y)を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長を主波長として求めた。
各発光装置について、明所視における光束に対する暗所視における光束の比であるS/P比を、上記式(1)に基づき算出した。
各発光装置について、分光測光装置(PMA-11、浜松ホトニクス株式会社)と積分球を組み合わせた光計測システムを用いて、室温(25℃±5℃)における発光スペクトルを測定した。各発光装置について、各発光装置の発光スペクトルにおいて最大の発光強度を1として相対発光スペクトルを求めた
各発光装置の分光分布と、ipRGCの感度曲線(吸光度)と、ヒトの明所視における視感度曲線から、上記式(2)に基づき、メラノピック比を算出した。
各発光装置の相対発光スペクトルにおいて、380nm以上780nm以下の波長範囲内の積分値Iaに対する380nm以上531nm以下の波長範囲内の積分値Ibの積分値の比率Ib/Iaを求めた。
希土類アルミン酸塩蛍光体Eを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Eを表3に示す量(比較例5-1:20質量部、比較例5-2:40質量部、実施例5-3:60質量部、実施例5-4:90質量部、実施例5-5:120質量部、実施例5-6:200質量部、実施例5-7:280質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Fを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Fを表3に示す量(比較例6-1:20質量部、比較例6-2:40質量部、比較例6-3:60質量部、比較例6-4:100質量部、実施例6-5:200質量部、実施例6-6:300質量部、実施例6-7:400質量部、実施例6-8:450質量部、実施例6-9:550質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Gを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Gを表3に示す量(比較例7-1:20質量部、比較例7-2:40質量部、比較例7-3:60質量部、比較例7-4:150質量部、実施例7-5:250質量部、実施例7-6:350質量部、実施例7-7:450質量部、実施例7-8:560質量部、実施例7-9:600質量部、実施例7-10:650質量部、実施例7-11:700質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Hを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Hを表3に示す量(比較例8-1:20質量部、比較例8-2:40質量部、比較例8-3:60質量部、比較例8-4:100質量部、実施例8-5:200質量部、実施例8-6:300質量部、実施例8-7:400質量部、実施例8-8:450質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Iを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Iを表3に示す量(比較例9-1:20質量部、比較例9-2:40質量部、実施例9-3:60質量部、実施例9-4:120質量部、実施例9-5:200質量部、実施例9-6:300質量部)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例1-1と同様にして、発光装置を製造した。
図6A及び図6Bに示される態様の発光装置を製造した。
発光素子の配置工程において、基板は、窒化アルミニウムを材料とするセラミックス基板を用いた。発光素子は、主波長が450nmである窒化物系半導体層が積層された発光素子を用いた。発光素子の大きさは、平面形状が約1.0mm四方の略正方形であり、厚さが約0.11mmである。発光素子は、光出射面が基板側になるように配置し、Auからなる導電部材を用いたバンプによってフリップチップ実装した。また、発光素子と間隔を空けて半導体素子をAuからなる導電部材を用いたバンプによってフリップチップ実装した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Aと希土類アルミン酸塩蛍光体Hを50:50の重量比で混合して発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Aと希土類アルミン酸塩蛍光体Hの混合物を、表4に示す量(実施例11-1:200質量部、実施例11-2:300質量部、比較例11-3:500質量部、)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例10-1と同様にして、発光装置を製造した。
希土類アルミン酸塩蛍光体Hを用いて発光装置を製造した。希土類アルミン酸塩蛍光体Hを表4に示す量(実施例12-1:400質量部、実施例12-2:500質量部、実施例12-3:600質量部、)を含む波長変換体用組成物を準備し、この波長変換体用組成物を用いたこと以外は、実施例10-1と同様にして、発光装置を製造した。
Claims (11)
- 400nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する発光素子と、
前記発光素子の光の出射側に配置され、下記式(I)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体を含む波長変換部材と、を備えた発光装置であり、
(Lu1-p-nLnpCen)3(Al1-mGam)5kO12 (I)
(式(I)中、Lnは、Y、La、Gd及びTbからなる群から選択される少なくとも1種の希土類元素であり、k、m、n、pは、それぞれ0.95≦k≦1.05、0.05≦m≦0.70、0.002≦n≦0.050、0≦p≦0.30を満たす。)
475nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する光を発し、
明所視における光束に対する暗所視における光束の比率である下記式(1)から導き出されるS/P比が6.5以下である、発光装置。
(式(1)中、定数Kは、6831(lm/W)であり、定数K’は1700(lm/W)であり、波長λnmが360nm以上830nm以下の範囲内において、V(λ)は、ヒトの明所視標準分光視感効率であり、V’(λ)は、ヒトの暗所視標準分光視感効率であり、Φe(λ)は、発光装置から発せられる光の分光全放射束である。) - 400nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する発光素子と、
前記発光素子の光の出射側に配置され、下記式(I)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体を含む波長変換部材と、を備えた発光装置であり、
(Lu1-p-nLnpCen)3(Al1-mGam)5kO12 (I)
(式(I)中、Lnは、Y、La、Gd及びTbからなる群から選択される少なくとも1種の希土類元素であり、k、m、n、pは、それぞれ0.95≦k≦1.05、0.05≦m≦0.70、0.002≦n≦0.050、0≦p≦0.30を満たす。)
475nm以上500nm以下の範囲内に主波長を有する光を発し、
下記式(2)から導き出されるメラノピック比が3.4以下である、発光装置。
(式(2)中、波長が380nm以上730nm以下の範囲内において、「Lamp×Circadian」は、発光装置の分光分布に含まれるサーカディアン応答であり、「Lamp×Visual」は、発光装置の分光分布に含まれる視感度応答であり、「Lamp」は発光装置の分光分布であり、「Circadian」は、哺乳類の網膜にある光受容体である内因性光感受性網膜神経節細胞の感度曲線であり、「Visual」は、ヒトの明所視における視感度曲線であり、「1.218」は、定数(lux factor)である。) - CIE1931色度図のxy色度座標系において、色度座標(x、y)が、(x=0.0082、y=0.5384)を第一点とし、(x=0.1096、y=0.0868)を第二点とし、(x=0.210、y=0.190)を第三点とし、(x=0.260、y=0.380)を第四点とし、前記第一点と前記第二点を結ぶ第一直線と、前記第二点と前記第三点を結ぶ第二直線と、前記第三点と前記第四点を結ぶ第三直線と、前記第四点と前記第一点を結ぶ第四直線とで画定された領域A1内の光を発する、請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記S/P比が6.0以下である、請求項1に記載の発光装置。
- 前記S/P比が3.0以上である、請求項1又は4に記載の発光装置。
- 前記メラノピック比が1.4以上である、請求項2に記載の発光装置。
- 前記発光装置の発光スペクトルにおいて、380nm以上780nm以下の波長範囲内の発光スペクトルの積分値Iaに対する、380nm以上531nm以下の波長範囲内の積分値Ibの積分値の比率Ib/Iaが、0.6以上0.95以下の範囲内である、請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
- CIE1931色度図のxy色度座標系において、色度座標(x、y)が、(x=0.0350、y=0.4127)を第一点とし、(x=0.0800、y=0.2149)を第二点とし、(x=0.2150、y=0.2106)を第三点とし、(x=0.2550、y=0.3550)を第四点とし、前記第一点と前記第二点を結ぶ第一直線と、前記第二点と前記第三点を結ぶ第二直線と、前記第三点と前記第四点を結ぶ第三直線と、前記第四点と前記第一点を結ぶ第四直線とで画定された領域A2内の光を発する、請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
- CIE1931色度図のxy色度座標系において、色度座標(x、y)が、(x=0.1825、y=0.3252)を第一点とし、(x=0.1550、y=0.2149)を第二点とし、(x=0.1930、y=0.2106)を第三点とし、(x=0.2205、y=0.3209)を第四点とし、前記第一点と前記第二点を結ぶ第一直線と、前記第二点と前記第三点を結ぶ第二直線と、前記第三点と前記第四点を結ぶ第三直線と、前記第四点と前記第一点を結ぶ第四直線とで画定された領域A3内の光を発する、請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記式(I)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体と、さらに下記式(II)で表される組成を有するハロシリケート蛍光体、下記式(III)で表される組成を有するβサイアロン蛍光体、下記式(IV)で表される組成を有する酸窒化物蛍光体、下記式(V)で表される組成を有するアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、下記式(VI)で表される組成を有するアルカリ土類金属硫化物蛍光体、下記式(VII)で表される組成を有する第1シリケート蛍光体、下記式(VIII)で表される組成を有する第2シリケート蛍光体、下記式(IX)で表される組成を有する第3シリケート蛍光体又はゲルマネート蛍光体、及び下記式(X)で表される組成を有する第4シリケート蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種の蛍光体を含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。
(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu (II)
Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z≦4.2) (III)
BaSi2O2N2:Eu (IV)
Sr4Al14O25:Eu (V)
(Sr,Ca,Ba)Ga2S4:Eu (VI)
(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu (VII)
(Ba,Sr)ZrSi3O9:Eu (VIII)
Ca3Sc2(Si,Ge)3O12:Ce (IX)
(ALi3SiO4)n:Eu(Aは、Li、Na、K、Rb及びCsからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、nは、1から8の整数である。) (X) - 前記式(I)中のk、m、n、pは、それぞれ0.95≦k≦1.05、0.3≦m≦0.5、0.002≦n≦0.04、0≦p≦0.20を満たす、請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。
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