JP7634076B2 - テンプレート基板並びにその製造方法および製造装置、半導体基板並びにその製造方法および製造装置 - Google Patents

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Description

本発明は、テンプレート基板等に関する。
特許文献１には、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）法を用いて、複数のマスクの開口部それぞれに対応する複数の半導体部を形成する手法が開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１１－６６３９０号」公報
本開示にかかるテンプレート基板は、エッジ、前記エッジを含む周縁部、および前記周縁部よりも内側に位置する非周縁部を有する主基板と、前記主基板よりも上方に位置するマスクパターンとを備え、前記マスクパターンは、マスク部と、第１方向を幅方向、第２方向を長手方向とし、平面視において前記非周縁部と重なる複数の第１開口部と、平面視において前記エッジに沿うように配された、１つまたは複数の第２開口部とを有している。
本実施形態に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。 図１のａ－ａ矢視断面図（非周縁部）である。 図１のｂ－ｂ矢視断面図（周縁部）である。 本実施形態に係る半導体基板の構成を示す平面図である。 図４のＡ－Ａ矢視断面図である。 図４のｃ－ｃ矢視断面図である。 本実施形態に係る半導体基板の別構成を示す断面図である。 本実施形態に係る半導体基板の別構成を示す断面図である。 本実施形態にかかるテンプレート基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。 本実施形態にかかるテンプレート基板の製造装置の一例を示すブロック図である。 本実施形態にかかる半導体基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。 本実施形態にかかる半導体基板の製造装置の一例を示すブロック図である。 本実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 素子部の分離の一例を示す平面図である。 素子部の分離および離隔の一例を示す断面図である。 本実施形態に係る電子機器の構成を示す模式図である。 本実施形態に係る電子機器の別構成を示す模式図である。 実施例１に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。 図１７のｄ－ｄ矢視断面図である。 実施例１に係る半導体基板の構成を示す平面図である。 ＥＬＯ半導体部の横成長の一例を示す断面図である。 実施例１に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。 図２１のテンプレート基板を含む半導体基板の構成を示す平面図である。 実施例１に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。 実施例１に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。 実施例２に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。 実施例２に係る半導体基板の構成を示す平面図である。 実施例２に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。 実施例２に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。 実施例４の構成を示す模式的断面図である 実施例４の電子機器への適用例を示す断面図である。 実施例５の構成を示す模式的断面図である。 実施例６の構成を示す断面図である。
〔テンプレート基板〕
図１は、本実施形態に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。図２は、図１のａ－ａ矢視断面図（非周縁部）である。図３は、図１のｂ－ｂ矢視断面図（周縁部）である。
図１に示すように、本実施形態に係るテンプレート基板７は、エッジＥ（端面、側面）、エッジＥを含む周縁部１Ｓ、および周縁部１Ｓよりも内側に位置する非周縁部１Ｐを有する主基板１と、主基板１よりも上方に位置するマスクパターン６（マスク層）と、を備え、マスクパターン６は、マスク部５と、第１方向（Ｘ方向）を幅方向、第２方向（Ｙ方向）を長手方向とし、平面視において非周縁部１Ｐと重なる複数の第１開口部ＫＦと、平面視においてエッジＥに沿うように配された、複数の第２開口部ＫＢとを有している。テンプレート基板７は、半導体部（半導体層）の形成、例えば、ＥＬＯ法（Epitaxial Lateral Overgrowth）によるＧａＮ系半導体部（ＧａＮ系半導体結晶）の成膜に用いることができる。
図１では、主基板１のエッジＥ（側面、端面）が曲面Ｅｒおよび平面Ｅｆを含んでいるが、これに限定されず、エッジＥが曲面あるいは平面だけで構成されていてもよい。
各第１開口部ＫＦは、平面視において非周縁部１Ｐと重なればよく、その全体が非周縁部１Ｐに位置に位置していてもよいし、その一部が周縁部１Ｓに位置し、残余の部分が非周縁部１Ｐに位置していてもよい。
複数の第２開口部ＫＢは、平面視においてエッジＥに沿っていればよい。各第２開口部ＫＢは、全体が非周縁部１Ｐに位置に位置していてもよいし、全体が周縁部１Ｓに位置に位置していてもよいし、その一部が非周縁部１Ｐに位置し、残余の部分が周縁部１Ｓに位置していてもよい。
図１ではマスクパターン６が複数の第２開口部ＫＢを含むが、これに限定されず、１つでもよい。第２開口部ＫＢに形状についても、Ｙ方向あるいはＸ方向を長手方向とする矩形でもよいし、正方形あるいは円形でもよいし、環状または湾曲する長手形状でもよい。複数の第２開口部ＫＢの１つと他の１つとが異なる形状であってもよい。例えば、マスクパターン６に、Ｘ方向およびＹ方向の少なくとも一方の長さが異なる複数の第２開口部ＫＢが含まれる構成でもよいし、環状の第２開口部ＫＢと矩形の第２開口部とが含まれる構成でもよい。
テンプレート基板７は、主基板１の上方にシード層３を含む下地層４を有し、少なくとも第１および第２開口部ＫＦ・ＫＢにおいてシード層３のシード部３Ｓが露出する構成とすることができる。第１および第２開口部ＫＦ・ＫＢはテーパ形状（下地層４側に向けて幅が狭くなる形状）でもよい。
図１のテンプレート基板７では、主基板１上に複数の層が積層されているが、その積層方向を「上方向」とすることができる。また、テンプレート基板７等の基板状の対象物を基板法線と平行な視線で視ることを「平面視」と称することができる。
〔半導体基板〕
図４は、本実施形態に係る半導体基板の構成を示す平面図である。図５Ａは、図４のＡ－Ａ矢視断面図である。図５Ｂは、図４のｃ－ｃ矢視断面図である。図４、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、半導体基板１０は、テンプレート基板７と、マスクパターン６よりも上層に位置する、第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂとを備える。半導体基板とは、半導体部を含む基板という意味であり、主基板１は、半導体であってもよいし、非半導体であってもよい。第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂの少なくとも一方が層状の半導体層であってもよい。
第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂは、例えば窒化物半導体を含む。窒化物半導体は、例えば、ＡｌｘＧａyＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１；０≦ｙ≦１；０≦ｚ≦１；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表すことができ、具体例として、ＧａＮ系半導体、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＡｌＮ（窒化インジウムアルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）を挙げることができる。ＧａＮ系半導体とは、ガリウム原子（Ｇａ）および窒素原子（Ｎ）を含む半導体であり、典型的な例として、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮを挙げることができる。第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂは、ドープ型（例えば、ドナーを含むｎ型）でもノンドープ型でもよい。
窒化物半導体を含む第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂは、ＥＬＯ法によって形成することができる。ＥＬＯ法では、例えば、主基板１としてＧａＮ系半導体と格子定数の異なる異種基板を用い、シード部３ＳにＧａＮ系半導体を用い、マスクパターン６に無機化合物膜を用い、マスク部５上にＧａＮ系の第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂを横方向成長させることができる。この場合、第１半導体部８Ｆの厚み方向（Ｚ方向）をＧａＮ系結晶の＜０００１＞方向（ｃ軸方向）、長手形状である第１および第２開口部ＫＦ・ＫＢの幅方向（第１方向、Ｘ方向）をＧａＮ系結晶の＜１１－２０＞方向（ａ軸方向）、第１および第２開口部ＫＦ・ＫＢの長手方向（Ｙ方向）をＧａＮ系結晶の＜１－１００＞方向（ｍ軸方向）とすることができる。ＥＬＯ法で形成された第１半導体部８Ｆまたは第１および第２半導体部８Ｆ・８ＢをまとめてＥＬＯ半導体部（ＥＬＯ半導体層）８と称することがある。
ＥＬＯ法で形成された第１半導体部８Ｆは、複数の第１開口部ＫＦそれぞれに対応する複数の畝部８Ｕを含み、各畝部８Ｕは、Ｙ方向を長手方向とする。畝部８Ｕは、相対的に貫通転位の少ない低欠陥部（転位非継承部）ＥＫと、平面視で第１開口部ＫＦと重なり、相対的に貫通転位の多い転位継承部ＮＳとを含む。第１半導体部８Ｆよりも上層に活性層（例えば、電子と正孔が結合する層）を形成する場合は、活性層を平面視で低欠陥部ＥＫと重なるように設けることができる。低欠陥部ＥＫでは、＜０００１＞方向に平行な断面における非貫通転位密度が貫通転位密度よりも大きくてもよい。
貫通転位は、第１半導体部８Ｆの厚み方向（Ｚ方向）に沿って、第１半導体部８Ｆの下面または内部からその表面または表層に延びる転位（欠陥）である。貫通転位は、第１半導体部８Ｆの表面（ｃ面平行）について、ＣＬ（Cathode luminescence）測定を行うことにより観察可能である。非貫通転位は、厚み方向に平行な断面においてＣＬ測定される転位であり、主には基底面（ｃ面）転位である。厚み方向に平行な断面は、例えば、（１－１００）面（ｍ面）あるいは（１１－２０）面（ａ面）である。
図４および図５では、第１半導体部８Ｆの各畝部８Ｕが第２半導体部８Ｂから分離されている。第１開口部ＫＦが、エッジＥに沿うように（第１開口部ＫＦよりもエッジ近くに）配された第２開口部ＫＢから分離されているため、平面視で第２開口部ＫＢと重なる第２半導体部８Ｂが意図せぬ異形になっても、平面視で第１開口部ＦＫと重なる第１半導体部８Ｆは、第２半導体部８Ｂと会合し難く、その影響を受け難い。すなわち、本実施形態では第２半導体部８Ｂを犠牲層とすることで第１半導体部８Ｆの形状を担保することができる。図４および図５に示すように、第２半導体部８Ｂが意図せぬ異形になった場合、原料消費の増加に起因して、第２半導体部８Ｂの平均厚みが、第１半導体部８Ｆの平均厚みよりも小さくなることがある。
例えばマスクパターンに、Ｙ方向に伸びる開口部を、平面視において主基板のエッジからエッジに至るように形成し、ＥＬＯ法で半導体部を成膜する場合、周縁部の半導体部の形状乱れが内側（非周縁部）の半導体部まで伝播するおそれがあるが、第１開口部ＫＦから分離された第２開口部ＫＢを設けることで、このおそれを低減することができる。
図６は、本実施形態に係る半導体基板の別構成を示す断面図である。図６のように、犠牲層である第２半導体部８Ｂを除去した半導体基板１０を構成することもできる。
図７は、本実施形態に係る半導体基板の別構成を示す断面図である。図７の半導体基板１０は、第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂよりも上層の機能層９を有する。機能層９は、例えば窒化物半導体を含む化合物半導体部であってもよく、単層体あるいは積層体でもよい。
図７の半導体基板１０では、犠牲層である第２半導体部８Ｂを含む部分は利用不可部分ＮＰであり、第１半導体部８Ｆを含む部分を利用可能部分ＤＰとする。
〔テンプレート基板の製造〕
図８は、本実施形態にかかるテンプレート基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。図８のテンプレート基板の製造方法では、主基板１を準備する工程の後に、主基板１よりも上方にマスクパターン６を形成する工程を行う。
図９は、本実施形態にかかるテンプレート基板の製造装置の一例を示すブロック図である。図９のテンプレート基板の製造装置６０は、主基板１よりも上方にマスクパターン６を形成するマスクパターン形成部６２と、マスクパターン形成部６２を制御する制御部６４とを備える。マスクパターン形成部６２は、マスク部５と、Ｘ方向を幅方向、Ｙ方向を長手方向とし、平面視において非周縁部１Ｐと重なる複数の第１開口部ＫＦと、平面視においてエッジＥに沿うように配された、１つまたは複数の第２開口部ＫＢとを形成する。
マスクパターン形成部６２は、ＣＶＤ装置あるいはＰＥＣＶＤ装置を含んでいてもよく、制御部６４がプロセッサおよびメモリを含んでいてもよい。制御部６４は、例えば、内蔵メモリ、通信可能な通信装置、またはアクセス可能なネットワーク上に格納されたプログラムを実行することでマスクパターン形成部６２を制御する構成でもよく、このプログラムおよびこのプログラムが格納された記録媒体等も本実施形態に含まれる。
〔半導体基板の製造〕
図１０は、本実施形態にかかる半導体基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１０の半導体基板の製造方法では、テンプレート基板７を準備する工程の後に、テンプレート基板７上に、ＥＬＯ法を用いて第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂを形成する工程を行う。第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂを形成する工程の後に、必要に応じて、機能層９を形成する工程を行うことができる。
図１１は、本実施形態にかかる半導体基板の製造装置の一例を示すブロック図である。図１１の半導体基板の製造装置７０は、テンプレート基板７上に第１および第２半導体部８Ｆ・８ＢをＥＬＯ法によって形成する半導体部形成部７２と、半導体部形成部７２を制御する制御部７４とを備える。半導体基板の製造装置７０が機能層９を形成する構成でもよい。
〔半導体デバイスの製造〕
図１２は、本実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図１３は、素子部の分離の一例を示す平面図である。図１４は、素子部の分離および離隔の一例を示す断面図（図１３の矢視断面図）である。図１２の半導体デバイスの製造方法では、半導体基板１０を準備する工程の後に、必要に応じて、第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂ上に機能層９を形成する工程を行う。その後、図１３および図１４に示すように、半導体基板１０に複数のトレンチＴＲ（分離溝）を形成して素子部ＤＳ（畝部８Ｕの低欠陥部ＥＫおよび機能層９を含む）を分離する工程を行う。トレンチＴＲは、機能層９および第１半導体部８Ｆを貫通する。トレンチＴＲ内に下地層４およびマスク部５が露出してもよい。この段階では、素子部ＤＳはマスク部５とファンデルワールス結合しており、半導体基板１０の一部である。その後、図１４に示すように、利用可能部分ＤＰの素子部ＤＳ（畝部８Ｕの少なくとも一部を含む）をテンプレート基板７から離隔し、半導体デバイス２０とする工程を行う。図１２の半導体基板１０を準備する工程に、図１０に示される、半導体基板の製造方法の各工程が含まれていてもよい。
なお、素子部ＤＳの隔離は、第１半導体部８Ｆおよび機能層９における平面視において第１開口部ＫＦと重なる部分を気相エッチングにより除去し、素子部ＤＳをテンプレート基板７から剥離してもよい。剥離の際には、例えば、スタンプを用いて、第１半導体部８Ｆおよび機能層９をマスク部５から容易に剥離することができる。スタンプは、粘弾性エラストマースタンプ、ＰＤＭＳ(Polydimethylsiloxane)スタンプ、または、静電接着スタンプ等であってよい。
〔半導体デバイス〕
図１４に示すように、素子部ＤＳをテンプレート基板７から離隔することで、半導体デバイス２０（例えば、ＧａＮ系結晶体を含む）を形成することができる。半導体デバイス２０の具体例として、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ、ショットキーダイオード、フォトダイオード、トランジスタ（パワートランジスタ、高電子移動度トランジスタを含む）等を挙げることができる。
〔電子機器〕
図１５は、本実施形態に係る電子機器の構成を示す模式図である。図１５の電子機器３０は、半導体基板１０（テンプレート基板７を含んだ状態で半導体デバイスとして機能する構成、例えばテンプレート基板７が透光性である場合）と、半導体基板１０が実装される駆動基板２３と、駆動基板２３を制御する制御回路２５とを含む。
図１６は、本実施形態に係る電子機器の別構成を示す模式図である。図１６の電子機器３０は、第１半導体部８Ｆを含む半導体デバイス２０と、半導体デバイス２０が実装される駆動基板２３と、駆動基板２３を制御する制御回路２５とを含む。
電子機器３０としては、表示装置、レーザ出射装置（ファブリペロータイプ、面発光タイプを含む）、照明装置、通信装置、情報処理装置、センシング装置、電力制御装置等を挙げることができる。
〔実施例１〕
図１７は、実施例１に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。図１８は、図１７のｄ－ｄ矢視断面図である。図１９は、実施例１に係る半導体基板の構成を示す平面図である。
図１７および図１８に示すように、実施例１に係るテンプレート基板７のマスクパターン６は、マスク部５と、Ｘ方向を幅方向、Ｙ方向を長手方向とし、平面視において非周縁部１Ｐと重なる複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と、平面視においてエッジＥに沿うように配された、複数の第２開口部ＫＢ１～ＫＢ４とを有している。周縁部１Ｓは、例えば、エッジＥから２〔ｍｍ〕以内の領域とすることができる。
（主基板）
主基板１には、ＧａＮ系半導体と異なる格子定数を有する異種基板を用いることができる。異種基板としては、単結晶のシリコン（Ｓｉ）基板、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板等を挙げることができる。主基板１の面方位は、例えば、シリコン基板の（１１１）面、サファイア基板の（０００１）面、ＳｉＣ基板の６Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面である。これらは例示であって、第１および第２半導体部８Ｆ・８ＢをＥＬＯ法で成長させることができる主基板および面方位であれば何でもよい。
（下地層）
下地層４として、主基板側から順に、バッファ層２およびシード層３を設けることができる。バッファ層２は、主基板１とシード層３とがダイレクトに接触して互いに溶融することを低減する機能を有する。主基板１にシリコン基板等を用いた場合、シード層３であるＧａＮ系半導体と溶融し合うため、例えば、ＡｌＮ層等のバッファ層２を設けることで、溶融が低減される。例えば、ＧａＮ系半導体であるシード層３と溶融し合わない主基板１を用いた場合には、バッファ層２を設けない構成も可能である。バッファ層２の一例であるＡｌＮ層は、例えばＭＯＣＶＤ装置を用いて、厚さ１０ｎｍ程度～５μｍ程度に形成することができる。バッファ層２が、シード層３の結晶性を高める効果、およびＥＬＯ半導体部８の内部応力を緩和する効果の少なくとも一方を有していてもよい。バッファ層２に、六方晶層系あるいは立方晶系の炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いることもできる。
シード層３には、例えば、ＧａＮ等のＧａＮ系半導体あるいはＡｌＮ等の窒化物、六方晶系の炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いることができる。シード層３は、マスクパターン６の第１および第２開口部（ＫＦ１～ＫＦ２・ＫＢ１～ＫＢ４）と重なるシード部３Ｓ（ＥＬＯ半導体部８の成長起点）を含む。
シード層３として、Ａｌ組成がグレーデッドにＧａＮに近づくグレーデッド層を用いてもよい。グレーデッド層は、例えば、バッファ層側から順に、第１層であるＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層、および第２層であるＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層を設けた積層体である。この場合、第２層（Ａｌ：Ｇａ：Ｎ＝０．３：０．７：１）におけるＧａの組成比（０．７／２＝０．３５）は、第１層（Ａｌ：Ｇａ：Ｎ＝０．７：０．３：１）におけるＧａの組成比（０．３／２＝０．１５）よりも大きい。グレーデッド層は、ＭＯＣＶＤ法で容易に形成することができ、３層以上で構成してもよい。シード層３にグレーデッド層を用いることで、異種基板である主基板１からの応力を緩和することができる。シード層３を、ＧａＮ層を含む構成とすることができる。この場合、シード層３をＧａＮの単層としてもよいし、シード層３であるグレーデッド層の最上層をＧａＮ層としてもよい。
なお、主基板１上にシード層３が配されなくてもよい。主基板１の種類によっては、シード層がなくても、マスクパターン６を配した主基板１に、直接的にＥＬＯ半導体部８を成膜することができる。例えば、ＳｉＣ基板１にマスク部５および第１開口部ＫＦを含むマスクパターン６を形成し、ＧａＮで構成されたＥＬＯ半導体部８をマスクパターン上に（直接的に）成膜することも可能である。
（マスクパターン）
マスクパターン６（マスク層）の第１開口部ＫＦは、シード部３Ｓを露出させ、ＥＬＯ半導体部８の成長を開始させる、成長開始用ホールの機能を有し、マスク部５は、半導体部８を横方向成長させるための選択成長用マスクの機能を有していてもよい。マスクパターンの開口部は、マスク部がない部分（非形成部）であり、マスク部に囲まれていてもよいし、囲まれていなくてもよい。
。マスクパターン６として、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、窒化チタン膜（ＴｉＮ等）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、および高融点（例えば１０００度以上）をもつ金属膜（例えば、プラチナ、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、タングステン、モリブデン等の膜）のいずれか１つを含む単層膜、またはこれらの少なくとも２つを含む積層膜を用いることができる。
例えば、下地層４上に、スパッタ法を用いて厚さ１００ｎｍ程度～４μｍ程度（好ましくは１５０ｎｍ程度～２μｍ程度）のシリコン酸化膜を全面形成し、シリコン酸化膜の全面にレジストを塗布する。その後、フォトリソグラフィー法を用いてレジストをパターニングし、ストライプ状の複数の開口部を持ったレジストを形成する。その後、フッ酸（ＨＦ）、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）等のウェットエッチャントによってシリコン酸化膜の一部を除去して複数の開口部（ＫＦ１～ＫＦ２・ＫＢ１～ＫＢ４を含む）とし、レジストを有機洗浄で除去することでマスクパターン６が形成される。
第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２の幅は、０．１μｍ～２０μｍ程度とする。第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２の幅が小さいほど、第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２からＥＬＯ半導体部８に伝搬する貫通転移の数は減少する。また、後工程においてＥＬＯ半導体部８のテンプレート基板７からの剥離（離隔）も容易になる。さらに、ＥＬＯ半導体部８（畝部８Ｕ）において表面欠陥の少ない低欠陥部ＥＫの面積を大きくすることができる。
シリコン酸化膜は、ＥＬＯ半導体部８の成膜中に微量ながら分解、蒸発し、ＥＬＯ半導体部８に取り込まれてしまうことがあるが、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜は、高温で分解、蒸発し難いというメリットがある。そこで、マスク部５を、シリコン窒化膜あるいはシリコン酸窒化膜の単層膜としてもよいし、下地層４上にシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜をこの順に形成した積層膜としてもよいし、下地層４上にシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜をこの順に形成した積層体膜としてもよいし、下地層上にシリコン窒化膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜をこの順に形成した積層膜としてもよい。
マスク部５のピンホール等の異常個所は、成膜後に有機洗浄などを行い、再度成膜装置に導入して同種膜を形成することで、異常個所を消滅させることができる。一般的なシリコン酸化膜（単層）を用い、このような再成膜方法を用いて良質なマスク部５を形成することもできる。
実施例１では、平面視において、複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２とエッジＥとの最小距離は、複数の第２開口部ＫＢ１～ＫＢ４とエッジＥとの距離よりも大きい。また、Ｙ方向を長手とする複数の第１開口部（ＫＦ１・ＫＦ２含む）がＸ方向に並び、これらのＹ方向の長さは、主基板中央ＭＣからＸ方向に離れるにつれて小さくなる。例えば、第１開口部ＫＦ２は、第１開口部ＫＦ１と比較して、主基板中央ＭＣからのＸ方向の距離が大きく、かつＹ方向の長さが小さい。また、複数の第１開口部（ＫＦ１・ＫＦ２含む）のＹ方向の最小長さＹｆは、複数の第２開口部（ＫＢ１～ＫＢ４を含む）のＹ方向の長さＹｂよりも大きい。また、複数の第２開口部（ＫＢ１～ＫＢ４を含む）の個数は、複数の第１開口部（ＫＦ１・ＫＦ２含む）の個数の２倍に等しい。
また、第１開口部ＫＦ１と第２開口ＫＢ１とが互いに隣接し、かつＹ方向に視たときに重なり、さらに、第１開口部ＫＦ１は、Ｙ方向に並ぶ２つの第２開口部ＫＢ１・ＫＢ３の間に位置する。すなわち、第２開口部ＫＢ１、第１開口部ＫＦ１および第２開口部ＫＢ３がＹ方向に並び、第１開口部ＫＦ１の一方の先端が第２開口部ＫＢ１に隣接し、他方の先端が第２開口部ＫＢ３に隣接する。第１開口部ＫＦ１と第２開口部ＫＢ１との間隔、および第１開口部ＫＦ１と第２開口部ＫＢ３との間隔は、第２開口部ＫＢ１・ＫＢ３とエッジＥとの間隔よりも大きい。第２開口部ＫＢ１・ＫＢ３の幅（Ｘ方向の長さ）は、第１開口部ＫＦ１の幅と比較して、同じでもよいし、大きいあるいは小さくてもよい。複数の第２開口部ＫＢ１～ＫＢ４の幅が異なっていてもよい。
平面視においては、複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２および複数の第２開口部ＫＢ１～ＫＢ４を含む開口パターンが、主基板中央ＭＣを通り、Ｘ方向に平行な線に対して線対称の形状でもよい。
実施例１では、主基板１のエッジＥが、曲面部Ｅｒと、曲面部Ｅｒに繋がり、Ｘ方向に平行な法線を有する平面部Ｅｆとを有する構成としているがこれに限定されない。主基板１が円盤状でもよい。平面部Ｅｆが、面方位標識（オリエンテーションフラット）としての機能を有していてもよい。面方位標識をノッチ（切り欠き）で構成することもできる。
（テンプレート基板の具体例）
主基板１には、（１１１）面を有するシリコン基板を用い、下地層４のバッファ層２は、ＡｌＮ層（例えば、３０ｎｍ）とした。下地層４は、第１層であるＡｌ０．６Ｇａ０．４Ｎ層（例えば、３００ｎｍ）と、第２層であるＧａＮ層（例えば、１～２μｍ）とがこの順に形成されたグレーデッド層とする。すなわち、第２層（Ｇａ：Ｎ＝１：１）におけるＧａの組成比（１／２＝０．５）は、第１層（Ａｌ：Ｇａ：Ｎ＝０．６：０．４：１）におけるＧａの組成比（０．６／２＝０．３）よりも大きい。
マスク部５には、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）と窒化シリコン膜（ＳｉＮ）とをこの順に形成した積層体を用いた。酸化シリコン膜の厚みは例えば０．３μｍ、窒化シリコン膜の厚みは例えば７０ｎｍである。酸化シリコン膜および窒化シリコン膜それぞれの成膜には、プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いた。
（ＥＬＯ半導体部）
図１９に示すように、実施例１の半導体基板１０は、平面視で第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と重なる第１半導体部８Ｆと、平面視で第２開口部ＫＢ１・ＫＢ２と重なる第２半導体部８Ｂとを含む。第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂは、窒化物半導体を含む（例えばＧａＮ系の）ＥＬＯ半導体部とすることができる。
第１半導体部８Ｆは、Ｙ方向を長手方向とし、Ｘ方向に並ぶ複数の畝部８Ｕを含む。各畝部８Ｕの端部は先細り形状である、実施例１では、エッジＥに沿って複数の第２開口部ＫＢ１・ＫＢ２を設けている。これにより、第１半導体部８Ｆの各畝部８Ｕが、異形の第２半導体部８Ｂ（犠牲層）から分離され、各畝部８Ｕの形状（例えば、厚みおよび幅）が担保される。
実施例１では、第１および第２半導体部８Ｆ・８ＢをＧａＮ層とし、図１１の半導体形成部７２に含まれるＭＯＣＶＤ装置を用いて前述のテンプレート基板７上にＥＬＯ成膜を行った。ＥＬＯ成膜条件の一例として、基板温度：１１２０℃、成長圧力：５０ｋＰａ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）：２２ｓｃｃｍ、ＮＨ３：１５ｓｌｍ、Ｖ／ＩＩＩ＝６０００（ＩＩＩ族原料の供給量に対する、Ｖ族原料の供給量の比）を採用することができる。
この場合、第１および第２開口部ＫＦ１・ＫＦ２・ＫＢ１・ＫＢ２に露出したシード部３Ｓ（シード層３の最上層であるＧａＮ層）上に第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂが選択成長し、引き続いてマスク部５上に横方向成長する。そして、マスク部５上においてその両側から横方向成長した膜（畝部８Ｕ）同士が会合する前にこれらの横成長を停止させた。
マスク部５の幅Ｗｍは５０μｍ、第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２の幅は５μｍ、第１半導体部８Ｆの各畝部８Ｕの横幅は５３μｍ、低欠陥部ＥＫの幅（Ｘ方向のサイズ）は２４μｍ、畝部８Ｕの層厚は５μｍであった。アスペクト比は、５３μｍ／５μｍ＝１０．６となり、非常に高いアスペクト比が実現された。
第１半導体部８Ｆの成膜では、第１半導体部８Ｆとマスク部５との相互反応を低減し、第１半導体部８Ｆとマスク部５とがファンデルワールス力で接触する状態とすることが好ましい。
横方向成膜レートを高める手法は、以下のとおりである。まず、シード部３Ｓ上に、Ｚ方向（ｃ軸方向）に成長する縦成長層を形成し、その後、Ｘ方向（ａ軸方向）に成長する横成長層を形成する。この際、縦成長層の厚みを、１０μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、あるいは１μｍ以下とすることで、横成長層の厚みを低く抑え、横方向成膜レートを高めることができる。
図２０は、第１半導体部の横成長の一例を示す断面図である。図２０に示すように、シード部３Ｓ上に、イニシャル成長層（縦成長層）ＳＬを形成し、その後、イニシャル成長層ＳＬから第１半導体部８Ｆ（複数の畝部８Ｕ）を横方向成長させることが望ましい。イニシャル成長層ＳＬは、第１半導体部８Ｆの横方向成長の起点となる。ＥＬＯ成膜条件を適宜制御することによって、第１半導体部８ＦをＺ方向（ｃ軸方向）に成長させたり、Ｘ方向（ａ軸方向）に成長させたりする制御が可能である。
ここでは、イニシャル成長層ＳＬのエッジが、マスク部５の上面に乗りあがる直前（マスク部５の側面上端に接している段階）、またはマスク部５の上面に乗り上がった直後のタイミングでイニシャル成長層ＳＬの成膜を止める（すなわち、このタイミングで、ＥＬＯ成膜条件を、ｃ軸方向成膜条件からａ軸方向成膜条件に切り替える）手法を用いることができる。こうすれば、イニシャル成長層ＳＬがマスク部５からわずかに突出している状態から横方向成膜が進行するため、厚み方向の成長に消費される材料が低減し、第１半導体部８Ｆ（複数の畝部８Ｕ）を高速で横方向成長させることができる。イニシャル成長層ＳＬは、例えば、５０ｎｍ～５．０μｍ（例えば、８０ｎｍ～２μｍ）の厚みに形成することができる。マスク部５の厚み、およびイニシャル成長層ＳＬの厚みを５００ｎｍ以下としてもよい。
第１半導体部８Ｆの畝部８Ｕについては、図２０のように、イニシャル成長層ＳＬ（転位継承部ＮＳの一部）を成膜した後に横方向成長させることで、低欠陥部ＥＫ内部の非貫通転位を多くする（低欠陥部ＥＫ表面における貫通転位密度を低減する）ことができる。また、低欠陥部ＥＫ内部における不純物濃度（例えば、シリコン、酸素）の分布を制御することができる。図２０の手法を用いれば、畝部８Ｕのアスペクト比（厚みに対するＸ方向のサイズの比＝ＷＬ／ｄ１）が、３．５以上、５．０以上、６．０以上、８．０以上、１０以上、１５以上、２０以上、３０以上、あるいは５０以上と飛躍的に高められる。また、図２０の手法を用いれば、開口幅に対する畝部８Ｕの幅（ＷＬ）の比を、３．５以上、５．０以上、６．０以上、８．０以上、１０以上、１５以上、２０以上、３０以上、あるいは５０以上とすることができ、低欠陥部ＥＫの比率が高まる。図２０に示す第１半導体部８Ｆは、窒化物半導体結晶（例えば、ＧａＮ結晶、ＡｌＧａＮ結晶、ＩｎＧａＮ結晶、あるいはＩｎＡｌＧａＮ結晶）とすることができる。
ＥＬＯ半導体部８（第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂ）の成膜温度については、１２００℃を超える高温よりも、１１５０℃以下の温度が好ましい。１０００℃を下回るような低温においてもＥＬＯ半導体部８の形成は可能であり、相互反応低減の観点ではより好ましいといえる。このような低温成膜においては、ガリウム原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いると、原料が十分に分解されず、ガリウム原子と炭素原子が同時にＥＬＯ半導体部８に、通常より多く取り込まれる。ＥＬＯ法は、ａ軸方向の成膜は早く、ｃ軸方向の成膜が遅いため、ｃ面成膜時に多く取り込まれるためであると考えられる。
ＥＬＯ半導体部８に取り込まれた炭素（カーボン）は、マスク部５との反応を低減し、マスク部５とＥＬＯ半導体部８との癒着などを低減する。そのため、ＥＬＯ半導体部８の低温成膜では、アンモニアの供給量を減らし、低Ｖ／ＩＩＩ（＜１０００）程度で成膜することで、原料あるいはチャンバー雰囲気内の炭素元素をＥＬＯ半導体部８に取り込み、マスク部５との反応を低減することができる。この場合、ＥＬＯ半導体部８が炭素（カーボン）を含む構成となる。
１０００℃を下回るような低温成膜では、ガリウム原料ガスとしてトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用いることが好ましい。ＴＥＧはＴＭＧに比べ、低温で有機原料が効率よく分解するため、横方向成膜レートを高めることができる。
図２１は、実施例１に係るテンプレート基板の別構成例を示す平面図である。図２２は、図２１のテンプレート基板を含む半導体基板の構成を示す平面図である。図１７では、第１開口部ＫＦ１と第２開口ＫＢ１とが互いに隣接し、かつＹ方向に視たときに重なるが、これに限定されない。図２１のように、マスクパターン６が、複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と、エッジＥに沿うように配された第２開口部ＫＢ１～ＫＢ６を含み、第１開口部ＫＦ１と第２開口ＫＢ１とが互いに隣接し、かつＸ方向に視たときに重なる構成でもよい。図２１では、第１開口部ＫＦ２の一方の先端が、Ｘ方向に並ぶ第２開口部ＫＢ１・ＫＢ２の間に位置し、他方の先端が、Ｘ方向に並ぶ第２開口部ＫＢ３・ＫＢ４の間に位置する。また、複数の第２開口部（ＫＢ１～ＫＢ６を含む）の個数は、複数の第１開口部（ＫＦ１・ＫＦ２含む）の個数の２倍よりも多く、Ｘ方向に関して、第２開口部ＫＢ５・ＫＢ６は、すべての第１開口部のうちの最外位置となる２つの第１開口部よりも外側に位置する。
図２２の半導体基板１０は、平面視でマスク部５および第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と重なる第１半導体部８Ｆと、平面視でマスク部５および第２開口部ＫＢ１・ＫＢ２と重なる第２半導体部８Ｂとを含み、第１半導体部８Ｆは、平面視で第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と重なる複数の畝部８Ｕを含む。図１１および図２２においても、平面視で主基板１のエッジＥに沿うように複数の第２開口部ＫＢ１・ＫＢ２が配されているため、第１半導体部８Ｆの各畝部８Ｕが、異形の第２半導体部８Ｂ（犠牲層）から分離され、各畝部８Ｕの形状が担保される。また、例えば第１開口部ＫＦ２の先端が、Ｘ方向に並ぶ２つの第２開口部ＫＢ１・ＫＢ２で挟まれているため、第１開口部ＫＦ２と重なる畝部８Ｕの先端に生じるエッジグロース（凸部）を低減することができる。
図２３は、実施例１に係るテンプレート基板の別構成例を示す平面図である。図２３では、マスクパターンに、複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と、平面視で主基板１のエッジＥに沿うように配された第２開口部ＫＢ１～ＫＢ６が設けられ、第２開口部ＫＢ２、第１開口部ＫＦ１および第２開口部ＫＢ５がＹ方向に並び、第１開口部ＫＦ１の一方の先端が第２開口部ＫＢ２に隣接し、他方の先端が第２開口部ＫＢ５に隣接する。さらに、第１開口部ＫＦ１の一方の先端が、Ｘ方向に並ぶ第２開口部ＫＢ１・ＫＢ３の間に位置し、他方の先端が、Ｘ方向に並ぶ第２開口部ＫＢ４・ＫＢ６の間に位置する。
図２４は、実施例１に係るテンプレート基板の別構成例を示す平面図である。図２４に示すように、曲面部Ｅｒを含む主基板１を用い、マスクパターン６に、湾曲した長手形状を有する複数の第２開口部ＫＢを、平面視で主基板１のエッジＥに沿うように配することもできる。
〔実施例２〕
図２５は、実施例２に係るテンプレート基板の別構成例を示す平面図である。図２６は、図２５のテンプレート基板を含む半導体基板の構成を示す平面図である。実施例１ではマスクパターンに複数の第２開口部を設けているが、これに限定されない。図２６に示すように、曲面部Ｅｒを含む主基板１を用い、マスクパターン６に、環状の第２開口部ＫＢＬを、平面視で主基板１のエッジＥに沿うように配することもできる。
実施例２では、平面視において、複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２とエッジＥとの最小距離は、環状の第２開口部ＫＢＬとエッジＥとの距離よりも大きい。また、Ｙ方向を長手とする複数の第１開口部（ＫＦ１・ＫＦ２含む）がＸ方向に並び、これらのＹ方向の長さは、主基板中央ＭＣからＸ方向に離れるにつれて小さくなる。
また、第１開口部ＫＦ１と第２開口ＫＢＬとが互いに隣接し、かつＹ方向に視たときに重なる。平面視においては、複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２および環状の第２開口部ＫＢＬを含む開口パターンが、主基板中央ＭＣを通り、Ｘ方向に平行な線に対して線対称の形状でもよい。
図２６の半導体基板１０は、平面視で第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と重なる第１半導体部８Ｆと、平面視で第２開口部ＫＢＬと重なる第２半導体部８Ｂとを含み、第１半導体部８Ｆは、平面視で第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と重なる複数の畝部８Ｕを含む。
実施例２においても、平面視で主基板１のエッジＥに沿うように環状の第２開口部ＫＢＬが配されているため、第１半導体部８Ｆの各畝部８Ｕが、異形の第２半導体部８Ｂ（犠牲層）から分離され、各畝部８Ｕの形状が担保される。
図２７は、実施例２に係るテンプレート基板の別構成例を示す平面図である。図２７では、マスクパターン６が、複数の第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と、エッジＥに沿うように配された環状の第２開口部ＫＢＬと、エッジＥに沿うように配された第２開口部ＫＢ１～ＫＢ４とを含み、第１開口部ＫＦ１と第２開口ＫＢ１とが互いに隣接し、かつＸ方向に視たときに重なる構成でもよい。図２７では、第１開口部ＫＦ２の一方の先端が、Ｘ方向に並ぶ第２開口部ＫＢ１・ＫＢ２の間に位置し、他方の先端が、Ｘ方向に並ぶ第２開口部ＫＢ３・ＫＢ４の間に位置する。また、複数の第２開口部（ＫＢ１～ＫＢ４を含む）の個数は、複数の第１開口部（ＫＦ１・ＫＦ２含む）の個数の２倍よりも少なく、Ｘ方向に関して、すべての第１開口部のうちの最外位置となる２つの第１開口部よりも外側には、島状の第２開口部は存在せず、環状の第２開口部ＫＢＬだけが存在する。
図２８は、実施例２に係るテンプレート基板の別構成例を示す平面図である。図２７では、テンプレート基板７のエッジにはマスク部５が存在するが、これに限定されない。図２８に示すように、テンプレート基板７のエッジにマスク部が存在しない構成でもよい。すなわち、マスクパターン６のパターニング時に、平面視において主基板１のエッジＥを外周とするリング状領域を貫く（リング状のエッジ開口部ＫＥを設ける）ことで、テンプレート基板７のエッジにリング状のシード部３Ｓを露出させる。図２８のテンプレート基板７では、そのエッジ上に環状の犠牲層が形成されるため、第１開口部ＫＦ１・ＫＦ２と重なる第１半導体部８Ｆの形状が担保される。
〔実施例３〕
実施例１～２では、ＥＬＯ半導体部８をＧａＮ層としているがこれに限定されない。実施例１～２の第１および第２半導体部８Ｆ・８Ｂ（ＥＬＯ半導体部８）として、ＧａＮ系半導体部であるＩｎＧａＮ層を形成することもできる。ＩｎＧａＮ層の横方向成膜は、例えば１０００℃を下回るような低温で行う。高温ではインジウムの蒸気圧が高くなり、膜中に有効に取り込まれないためである。成膜温度が低温になることで、マスク部５とＩｎＧａＮ層の相互反応が低減される効果がある。また、ＩｎＧａＮ層は、ＧａＮ層よりもマスク部５との反応性が低いという効果もある。ＩｎＧａＮ層にインジウムがＩｎ組成レベル１％以上で取り込まれるようになると、マスク部５との反応性がさらに低下するため、望ましい。ガリウム原料ガスとしては、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用いることが好ましい。
〔実施例４〕
図２９は、実施例４の構成を示す模式的断面図である。実施例４では、第１半導体部８Ｆの畝部８Ｕの全部または一部として得られるベース半導体部８Ｓの上に、ＬＥＤを構成する機能層９を成膜する。ベース半導体部８Ｓは、例えばシリコン等がドープされたｎ型である。機能層９は、下層側から順に、活性層３４、電子ブロッキング層３５、およびＧａＮ系ｐ型半導体部３６を含む。活性層３４は、ＭＱＷ（Multi-Quantum Well）であり、ＩｎＧａＮ層およびＧａＮ層を含む。電子ブロッキング層３５は、例えばＡｌＧａＮ層である。ＧａＮ系ｐ型半導体部３６は、例えばＧａＮ層である。アノード３８は、ＧａＮ系ｐ型半導体部３６と接触するように配され、カソード３９は、ベース半導体部８Ｓと接触するように配される。ベース半導体部８Ｓおよび機能層１０をテンプレート基板７から離隔することで半導体デバイス２０（ＧａＮ系結晶体を含む）を得ることができる。
図３０は、実施例６の電子機器への適用例を示す断面図である。実施例４によって、赤色マイクロＬＥＤ２０Ｒ、緑色マイクロＬＥＤ２０Ｇ、青色マイクロＬＥＤ２０Ｂを得ることができ、これらを、駆動基板（ＴＦＴ基板）２３に実装することで、マイクロＬＥＤディスプレイ３０Ｄ（電子機器）を構成することができる。一例として、駆動基板２３の複数の画素回路２７に、赤色マイクロＬＥＤ２０Ｒ、緑色マイクロＬＥＤ２０Ｇ、青色マイクロＬＥＤ２０Ｂを、導電樹脂２４（例えば、異方性導電樹脂）等を介してマウントし、その後、駆動基板２３に制御回路２５およびドライバ回路２９等を実装する。ドライバ回路２９の一部が駆動基板２３に含まれていてもよい。
〔実施例５〕
図３１は、実施例５の構成を示す模式的断面図である。実施例５では、ベース半導体部８Ｓ上に、半導体レーザを構成する機能層９を成膜する。機能層９は、下層側から順に、ｎ型光クラッド層４１、ｎ型光ガイド層４２、活性層４３、電子ブロッキング層４４、ｐ型光ガイド層４５、ｐ型光クラッド層４６、およびＧａＮ系ｐ型半導体部４７を含む。各ガイド層４２・４５には、ＩｎＧａＮ層を用いることができる。各クラッド層４１・４６には、ＧａＮ層もしくはＡｌＧａＮ層を用いることができる。アノード４８はＧａＮ系ｐ型半導体部４７と接触するように配され、カソード４９はベース半導体部８Ｓと接触するように配される。ベース半導体部８Ｓおよび機能層１０をテンプレート基板７から離隔することで半導体デバイス２０を得ることができる。
〔実施例６〕
図３２は実施例６の構成を示す断面図である。実施例６では、主基板１に、表面凹凸加工されたサファイア基板を用いる。下地層４は、バッファ層２およびシード層３を有する。図３２では、主基板１上に（２０－２１）面を持つＧａＮ層を下地層４として成膜する。この場合、第１半導体部８Ｆは下地層４において結晶主面である（２０－２１）面となり、半極性面の第１半導体部８Ｆを得ることができる。半極性面上に、レーザ、ＬＥＤ用の機能層を設けることで、活性層において、電子とホールの再結合確率が高まるといったメリットがある。なお、表面凹凸加工されたサファイア基板を用いることで、主基板１上に（１１－２２）面をもつＧａＮ層を下地層４として成膜することもできる。
１ 主基板
２ バッファ層
３ シード層
３Ｓ シード部
４ 下地層
５ マスク部
６ マスクパターン
８Ｆ 第１半導体部
８Ｂ 第２半導体部
８Ｕ 畝部
９ 機能層
１０ 半導体基板
２０ 半導体デバイス
３０ 電子機器
ＫＦ ＫＦ１・ＫＦ２ 第１開口部
ＫＢ ＫＢ１～ＫＢ６ 第２開口部

Claims (34)

  1. エッジ、前記エッジを含む周縁部、および前記周縁部よりも内側に位置する非周縁部を有する主基板と、
    前記主基板よりも上方に位置するマスクパターンと、を備え、
    前記マスクパターンは、マスク部と、第１方向を幅方向、第２方向を長手方向とし、平面視において前記非周縁部と重なる複数の第１開口部と、平面視において前記エッジに沿うように配された、１つまたは複数の第２開口部とを有し、
    前記複数の第１開口部が第１方向に並び、
    前記複数の第１開口部は、主基板中央からの前記第１方向の距離が異なる２つの第１開口部を含み、前記２つの第１開口部の一方は他方に比べて前記距離が大きく、かつ前記第２方向の長さが小さい、テンプレート基板。
  2. 前記複数の第１開口部の少なくとも１つと、前記複数の第２開口部の少なくとも１つとが互いに隣接し、かつ前記第２方向に視たときに重なる、請求項１に記載のテンプレート基板。
  3. 前記複数の第１開口部の少なくとも１つが、前記第２方向に並ぶ２つの第２開口部の間に位置する、請求項２に記載のテンプレート基板。
  4. 前記複数の第１開口部の少なくとも１つと、前記複数の第２開口部の少なくとも１つとが互いに隣接し、かつ前記第１方向に視たときに重なる、請求項１に記載のテンプレート基板。
  5. 前記複数の第１開口部の１つと、前記複数の第２開口部の１つとが間隙を介して前記第２方向に並ぶ、請求項１～４のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
  6. 前記間隙は前記非周縁部の上方に位置する、請求項５に記載のテンプレート基板。
  7. 前記複数の第１開口部の第２方向の最小の長さが、前記１つまたは複数の第２開口部の第２方向の長さよりも大きい、請求項１に記載のテンプレート基板。
  8. 前記複数の第１開口部の少なくとも１つと、前記２つの第２開口部の一方との距離は、平面視における前記２つの第２開口部の一方と前記エッジとの距離よりも大きい、請求項３に記載のテンプレート基板。
  9. 前記エッジが曲面部を含む、請求項１に記載のテンプレート基板。
  10. 前記複数の第２開口部が湾曲形状を有する、請求項９に記載のテンプレート基板。
  11. 前記１つの第２開口部、または前記複数の第２開口部の１つが環状を有する、請求項１または４に記載のテンプレート基板。
  12. 前記エッジが前記曲面部と繋がり、前記第１方向に平行な法線を有する平面部を含む、請求項９に記載のテンプレート基板。
  13. 平面視で前記複数の第１開口部と重なるシード層を有する、請求項１～１２のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
  14. 前記周縁部は、前記エッジから２〔ｍｍ〕以内の領域である、請求項１～１３のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
  15. 前記主基板はシリコン基板である、請求項１～１４のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
  16. ＧａＮ系半導体部のＥＬＯ形成に用いられる、請求項１～１５のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
  17. エッジ、前記エッジを含む周縁部、および前記周縁部よりも内側に位置する非周縁部を有する主基板と、前記主基板よりも上方に位置するマスクパターンと、を備えるテンプレート基板の製造方法であって、
    前記マスクパターンに、マスク部と、第１方向を幅方向、第２方向を長手方向とし、平面視において前記非周縁部と重なる複数の第１開口部と、平面視において前記エッジに沿うように配された、１つまたは複数の第２開口部とを形成し、
    前記複数の第１開口部が第１方向に並び、
    前記複数の第１開口部は、主基板中央からの前記第１方向の距離が異なる２つの第１開口部を含み、前記２つの第１開口部の一方は他方に比べて前記距離が大きく、かつ前記第２方向の長さが小さい、テンプレート基板の製造方法。
  18. エッジ、前記エッジを含む周縁部、および前記周縁部よりも内側に位置する非周縁部を有する主基板と、前記主基板よりも上方に位置するマスクパターンと、を備えるテンプレート基板の製造装置であって、
    マスク部と、第１方向を幅方向、第２方向を長手方向とし、平面視において前記非周縁部と重なる複数の第１開口部と、平面視において前記エッジに沿うように配された、１つまたは複数の第２開口部とを含むマスクパターンを形成するマスクパターン形成部を備え、
    前記複数の第１開口部が第１方向に並び、
    前記複数の第１開口部は、主基板中央からの前記第１方向の距離が異なる２つの第１開口部を含み、前記２つの第１開口部の一方は他方に比べて前記距離が大きく、かつ前記第２方向の長さが小さい、テンプレート基板の製造装置。
  19. 請求項１～１６のいずれか１項に記載のテンプレート基板と、前記複数の第１開口部と重なる第１半導体部とを備える半導体基板。
  20. 平面視において前記１つまたは複数の第２開口部と重なる第２半導体部を備える、請求項１９に記載の半導体基板。
  21. 前記第１半導体部と前記第２半導体部とが分離している、請求項２０に記載の半導体基板。
  22. エッジ、前記エッジを含む周縁部、および前記周縁部よりも内側に位置する非周縁部を有する主基板と、前記主基板よりも上方に位置するマスクパターンとを有するテンプレート基板と、第１半導体部および第２半導体部とを備え、
    前記マスクパターンは、マスク部と、第１方向を幅方向、第２方向を長手方向とし、平面視において前記非周縁部と重なる複数の第１開口部と、平面視において前記エッジに沿うように配された、１つまたは複数の第２開口部とを有し、
    前記第１半導体部は、前記複数の第１開口部それぞれに重なる複数の畝部を含み、
    前記第２半導体部は、前記１つまたは複数の第２開口部と重なり、
    各畝部は、前記第２方向を長手方向とし、前記第２半導体部から分離されている、半導体基板。
  23. 前記第２半導体部は、前記第１半導体部よりも平均厚みが小さい、請求項２０～２２のいずれか１項に記載の半導体基板。
  24. 平面視において、各畝部の端部が先細り形状である、請求項２２に記載の半導体基板。
  25. 前記第１半導体部はＧａＮ系半導体を含む、請求項１９～２４のいずれか１項に記載の半導体基板。
  26. 前記主基板は、ＧａＮ系半導体と格子定数が異なる異種基板である、請求項２５に記載の半導体基板。
  27. 前記第１方向は、前記ＧａＮ系半導体の＜１１－２０＞方向であり、
    前記第２方向は、前記ＧａＮ系半導体の＜１－１００＞方向である、請求項２５に記載の半導体基板。
  28. 前記第１半導体部よりも上層に位置する機能層を含む、請求項２０または２２に記載の半導体基板。
  29. 請求項１９～２８のいずれか１項に記載の第１半導体部を含む、半導体デバイス。
  30. 請求項２９に記載の半導体デバイスを含む、電子機器。
  31. 請求項１９または２２に記載の半導体基板の製造方法であって、
    前記第１半導体部をＥＬＯ法で形成する、半導体基板の製造方法。
  32. 請求項１９または２２に記載の半導体基板の製造装置であって、
    前記第１半導体部をＥＬＯ法で形成する、半導体基板の製造装置。
  33. 請求項２８に記載の半導体基板を準備する工程と、前記第２半導体部を含む部分を利用不可部分とし、前記第１半導体部および前記機能層を含む部分から半導体デバイスを得る工程とを含む、半導体デバイスの製造方法。
  34. 請求項２８に記載の半導体基板を準備する工程と、前記第２半導体部を含む部分を利用不可部分とし、前記第１半導体部を含む部分から半導体デバイスを得る工程とを行う、半導体デバイスの製造装置。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294827A (ja) 1999-04-02 2000-10-20 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法
JP2011066390A (ja) 2009-08-20 2011-03-31 Pawdec:Kk 半導体素子の製造方法
JP2012134243A (ja) 2010-12-20 2012-07-12 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2014111527A (ja) 2012-11-26 2014-06-19 Soraa Inc Ｉｉｉ族金属窒化物結晶およびその形成方法
US20170263440A1 (en) 2016-03-10 2017-09-14 Infineon Technologies Ag Method of reducing defects in an epitaxial layer
WO2018030311A1 (ja) 2016-08-08 2018-02-15 三菱ケミカル株式会社 導電性Ｃ面ＧａＮ基板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2837743B2 (ja) * 1990-06-27 1998-12-16 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法およびそれに用いるステンシルマスク
JP3326654B2 (ja) * 1994-05-02 2002-09-24 ソニー株式会社 表示用半導体チップの製造方法
JP4571476B2 (ja) * 2004-10-18 2010-10-27 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP4461227B1 (ja) * 2009-03-31 2010-05-12 株式会社 東北テクノアーチ 半導体基板の製造方法
US8173527B2 (en) * 2009-10-19 2012-05-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Stepped masking for patterned implantation
WO2012144212A1 (ja) * 2011-04-20 2012-10-26 パナソニック株式会社 半導体積層基板、半導体チップおよび半導体積層基板の製造方法
JP6078818B2 (ja) * 2013-07-02 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法
TWI638071B (zh) * 2013-08-08 2018-10-11 三菱化學股份有限公司 自立ＧａＮ基板、ＧａＮ結晶、ＧａＮ單結晶之製造方法及半導體裝置之製造方法
US10022748B2 (en) * 2014-09-12 2018-07-17 Toshiba Memory Corporation Stencil mask, stencil mask manufacturing method, and imprinting method
JP6841191B2 (ja) * 2016-09-06 2021-03-10 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
CN107868931A (zh) * 2016-09-23 2018-04-03 昆山国显光电有限公司 精密金属遮罩、oled基板及其对位方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294827A (ja) 1999-04-02 2000-10-20 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法
JP2011066390A (ja) 2009-08-20 2011-03-31 Pawdec:Kk 半導体素子の製造方法
JP2012134243A (ja) 2010-12-20 2012-07-12 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2014111527A (ja) 2012-11-26 2014-06-19 Soraa Inc Ｉｉｉ族金属窒化物結晶およびその形成方法
US20170263440A1 (en) 2016-03-10 2017-09-14 Infineon Technologies Ag Method of reducing defects in an epitaxial layer
WO2018030311A1 (ja) 2016-08-08 2018-02-15 三菱ケミカル株式会社 導電性Ｃ面ＧａＮ基板

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